冯纪伟 (中国江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号, Jiangsu 1, 213031, CN)
常州天合光能有限公司 (中国江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号, Jiangsu 1, 213031, CN)
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| 权 利 要 求 书 1、 一种 N型背接触电池， 所述的电池为 N型硅晶体太阳能电池， 其 特征在于：所述的电池背面负电极为 Ag电极，电池背面正电极为 A1 电极， Ag电极由一条以上纵向 Ag 主栅线、 两条以上横向 Ag 细栅线组成， 各条 Ag细栅线之间的中心间距为 1.6〜2.5mm， 每条 Ag细栅线的宽度为 40〜 120um, A1电极由一条以上纵向 A1主栅线、两条以上横向 A1细栅线组成， 各条 A1 细栅线之间的中心间距为 1.6〜2.5mm，每条 A1 细栅线的宽度为 1.3〜2.3mm。 2、 根据权利要求 1所述的一种 N型背接触电池，其特征在于： 所述的 电池正面具有 70〜90nm厚、 折射率为 1.6〜2.6的正面 SiNx层以及在正 面 SiNx层下方扩散方块电阻为 50〜90 Ohm/sq的正面 N+层， 所述的电池 背面具有扩散方块电阻为 50〜90 Ohm/sq的背面 N+层以及 50〜1000nm厚 的热氧化 Si02层， 热氧化 Si02层下方为 50〜90nm厚、折射率为 1.6〜2.6 的背面 SiNx层。 3、 根据权利要求 1所述的一种 N型背接触电池，其特征在于： 所述的 电池正面具有 70〜90nm厚、 折射率为 1.6〜2.6的正面 SiNx层以及在正 面 SiNx层下方扩散方块电阻为 80〜120 Ohm/sq的正面 N+层， 所述的电 池背面具有扩散方块电阻为 50〜90 Ohm/sq的背面 N+层以及 50〜1000nm 厚的热氧化 Si02层， 热氧化 Si02层下方为 50〜90nm厚、 折射率为 1.6〜 2.6的背面 SiNx层。 |
一种 N型背接触电池
技术领域
本发明涉及硅晶体太阳能电池技术领域， 尤其是一种 N型背接触电池。 背景技术
硅晶体太阳能电池有 P型电池、 N型电池， 相对于 P型电池， N型硅电池具 有光照衰减的效率损失小的优点， 而且更耐金属杂质的污染。 现有的高效背接 触电池基本都是采用 N型衬底。 但是现有的 N型背接触电池的电池效率较低， 制作工艺较复杂， 生产成本较高。 发明内容
本发明要解决的技术问题是： 克服现有技术的不足， 提供一种 N型背 接触电池， 其电池效率较高， 制作工艺简单， 生产成本较低。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是： 一种 N型背接触电池， 所述的电池为 N型硅晶体太阳能电池，所述的电池背面负电 为 Ag电极， 电池背面正电极为 A1 电极， Ag电极由一条以上纵向 Ag 主栅线、 两条以 上横向 Ag 细栅线组成， 各条 Ag细栅线之间的中心间距为 1. 6〜2. 5mm， 每条 Ag细栅线的宽度为 40〜120um， A1 电极由一条以上纵向 A1主栅线、 两条以上横向 A1 细栅线组成， 各条 A1 细栅线之间的中心间距为 1. 6〜 2. 5mm,每条 A1细栅线的宽度为 1. 3〜2. 3mm。
进一步地， 所述的电池正面具有 70〜90nm厚、 折射率为 1. 6〜2. 6的 正面 S iNx层以及在正面 S iNx层下方扩散方块电阻为 50〜90 0hm/sq的正 面 N+层， 所述的电池背面具有扩散方块电阻为 50〜90 Ohm/sq的背面 N+ 层以及 50〜1000nm厚的热氧化 Si0 2 层， 热氧化 Si0 2 层下方为 50〜90nm 厚、 折射率为 1. 6〜2. 6的背面 SiNx层。 制作上述 N型背接触电池的制作 工艺为： 1、 硅片清洗， 去除损伤层， 表面制绒； 2、 热氧化处理生成热氧 化硅； 3、单面去除热氧化硅； 4、 背面印刷刻蚀性浆料选择性去除氧化硅； 5、 双面 P0C1 3 扩散，正背面扩散方块电阻为 50〜90 Ohm/sq; 6、 去除 PSG 说
层； 7、 印刷 A1浆并烘干； 8、 印刷 Ag浆并烘干； 9、 烧结。 进一步地， 所述的电池正面具有 70书〜90nm厚、 折射率为 1. 6〜2. 6的 正面 SiNx层以及在正面 SiNx层下方扩散方块电阻为 80〜120 Ohm/sq的 正面 N+层， 所述的电池背面具有扩散方块电阻为 50〜90 Ohm/sq 的背面 N+层以及 50〜1000nm厚的热氧化 Si0 2 层， 热氧化 Si0 2 层下方为 50〜90nm 厚、 折射率为 1. 6〜2. 6的背面 SiNx层。 制作上述 N型背接触电池的制作 工艺为： 1、 硅片清洗， 去除损伤层， 表面制绒； 2、 热氧化处理生成热氧 化硅； 3、单面去除热氧化硅； 4、 背面印刷刻蚀性浆料选择性去除氧化硅； 5、 双面 P0C1 3 扩散，正背面扩散方块电阻为 50〜90 Ohm/sq; 6、 去除 PSG 层； 7、 正面刻蚀成扩散方块电阻为 80〜120 Ohm/sq; 8、 印刷 A1浆并烘 干； 9、 印刷 Ag浆并烘干； 10、 烧结。 本发明的有益效果是： 本发明采用新型的电池背面电极印刷图案， 采 用 Al、 Ag作为背面正、 负电极， 具有新型的结构， 使得本发明的电池效 率较高， 可达到 17%, 并且制作工艺简单， 生产成本也较低。
附图说明 下面结合附图对本发明进一步说明。 说 明 书
图 1是本发明的实施例一的背面电极示意图；
图 2是本发明的实施例二的背面电极示意图；
图 3是本发明的实施例二的截面剖视图。
其中： 1. Ag主栅线， 2. Ag细栅线， 3. A1主栅线， 4. A1细栅线， 5. 正面 SiNx层， 6. 正面 N+层， 7.背面 N+层， 8. 热氧化 Si0 2 层， 9. 背面 SiNx层。 具体实施方式
实施例一： 如图 1 所示的一种 N型背接触电池， 规格为普通的八边 125 硅单晶电池， 采用如下工艺步骤制作： 1、 硅片清洗， 去除损伤层， 表面制绒； 2、 1000 °C热氧化处理生成热氧化硅； 3、 单面去除热氧化硅； 4、背面印刷刻蚀性浆料选择性去除氧化硅；5 840 °C双面 P0C1 3 扩散 20min， 生成扩散方块电阻为 60 Ohm/sq的正背表面扩散层； 6、 去除 PSG层后， 正面 SiNx层、 背面 SiNx层均为 80nm厚； 7、 印刷 A1浆并烘干； 8、 印刷 Ag浆并烘干； 9、 760 °C烧结。 制作出的电池正面具有 80nm厚的正面 SiNx 层以及在正面 SiNx层下方扩散方块电阻为 60 Ohm/sq的正面 N+层， 电池 背面具有扩散方块电阻为 60 Ohm/sq的背面 N+层以及 50〜1000nm厚的热 氧化 Si0 2 层， 热氧化 Si0 2 层下方为 80nm厚的背面 SiNx层。
电池背面负电极为 Ag 电极， 电池背面正电极为 A1 电极， Ag 电极由 两条纵向 Ag主栅线、 多条横向 Ag细栅线组成， 各条 Ag细栅线之间的中 心间距为 1. 6〜2. 5mm， 每条 Ag细栅线的宽度为 40〜 120um， A1 电极由三 条纵向 A1主栅线、 多条横向 A1细栅线组成， 各条 A1细栅线之间的中心 间距为 1. 6〜2. 5mm,每条 A1细栅线的宽度为 1. 3〜2. 3mm。 电池背面印刷的电极图案结构特殊， 采用 Al、 Ag作为背面正、 负电 极， 具有新型的结构， 电池效率达到 17. 1%。 实施例二： 如图 2图 3所示的一种 N型背接触电池， 规格为方形硅单 晶电池， 采用如下工艺步骤制作： 1、 硅片清洗， 去除损伤层， 表面制绒； 2、 1000 °C热氧化处理生成热氧化硅； 3、 单面去除热氧化硅； 4、 背面印 刷刻蚀性浆料选择性去除氧化硅； 5、 840 °C双面 P0C1 3 扩散 20min， 生成 说
扩散方块电阻为 60 Ohm/sq的正背表面扩散层； 6、 去除 PSG层后， 正面 S iNx层、 背面 SiNx层均为 80nm厚； 7书、 正面刻蚀成扩散方块电阻为 80〜 120 Ohm/sq; 8、 印刷 A1浆并烘干； 9、 印刷 Ag浆并烘干； 10、 760 °C烧 结。 制作出的 N型背接触电池， 如图 3所示， 电池正面具有 80nm厚的正 面 SiNx层以及在正面 S iNx层下方扩散方块电阻为 80〜120 Ohm/sq的正 面 N+层， 电池背面具有扩散方块电阻为 60 Ohm/sq的背面 N+层以及 50〜 l OOOnm厚的热氧化 S i0 2 层， 热氧化 Si0 2 层下方为 80nm厚的背面 S iNx层。 电池背面负电极为 Ag 电极， 电池背面正电极为 A1 电极， Ag 电极由 两条纵向 Ag主栅线、 多条横向 Ag细栅线组成， 各条 Ag细栅线之间的中 心间距为 1. 6〜2. 5mm， 每条 Ag细栅线的宽度为 40〜 120um， A1 电极由三 条纵向 A1主栅线、 多条横向 A1细栅线组成， 各条 A1细栅线之间的中心 间距为 1. 6〜2. 5mm,每条 A1细栅线的宽度为 1. 3〜2. 3mm。 电池背面印刷 的电极图案结构特殊， 采用 Al、 Ag作为背面正、 负电极， 具有新型的结 构， 电池效率达到 17%。
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