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Title:
NEUTRAL ELECTRODE INTERCONNECTED VOLTAGE-SENSITIVE SURGE OVER-VOLTAGE PROTECTION CIRCUIT
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2018/129651
Kind Code:
A1
Abstract:
A neutral electrode interconnected voltage-sensitive surge over-voltage protection circuit, comprising more than two varistors in parallel connection, in series connection or in series-parallel connection, wherein same respectively achieve the following effects: 1) the varistors satisfy specified requirements, and 2) the surge over-voltage protection circuit satisfies specified requirements. The surge over-voltage protection circuit can improve the tolerance and the impact current resistant capability of a pressure-sensitive device and can greatly reduce a residual voltage, thereby reducing the cost of a protected circuit to a great extent and prolonging the service life of the protected circuit.

Inventors:
XIAO XIAOJU (CN)
Application Number:
PCT/CN2017/070742
Publication Date:
July 19, 2018
Filing Date:
January 10, 2017
Export Citation:
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Assignee:
SHENZHEN CHENJU ELECTRONIC TECH LTD (CN)
International Classes:
H02H9/04
Foreign References:
CN201975774U2011-09-14
CN201417942Y2010-03-03
CN203261026U2013-10-30
CN104319753A2015-01-28
US5157572A1992-10-20
US6226166B12001-05-01
Attorney, Agent or Firm:
SHENZHEN QIANNA PATENT AGENCY LTD (CN)
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Claims:
权利要求书

[权利要求 1] 一种中性电极互联压敏浪涌过电压保护电路, 其特征在于, 所述电路 包括两个以上压敏电阻器通过并联、 串联或串并联组成, 其分别达到

1) 、 压敏电阻器满足以下要求:

(1) 、 同一组合中的各压敏电阻器在经受脉冲电流吋, 每只元件中 的电流不均匀系数 δΐ < 0.1;

(2) 、 同一组合中的各压敏电阻器的宽波脉冲电流筛选, 使用 2ms 方波, 每平方厘米承受 20A, 作为筛选条件, 正反各一次, 芯片不击 穿或破裂作为合格判据;

(3) 、 同一组合中的各压敏电阻器的电压〜温度应力筛选,以 125°C 为筛选温度, 压敏电压中心值作为外加交流试验电压峰值, 进行 8小 吋老化筛选, 芯片不穿孔或测试后压敏电压不低于初始值作为合格判 据;

2) 、 浪涌过电压保护电路满足以下要求:

(1) 、 浪涌过电压保护电路中各压敏电阻器的空间位置对称;

(2) 、 浪涌过电压保护电路中各对应位置压敏电阻器的阻抗平衡;

(3) 、 浪涌过电压保护电路中各对应位置压敏电阻器的冲击电流产 生的感生电动势在各压敏电阻器上平衡;

(4) 、 浪涌过电压保护电路中各对应位置的压敏电阻器连接引线长 度相等, 直径相同, 阻抗相同。

[权利要求 2] 根据权利要求 1所述的中性电极互联压敏浪涌过电压保护电路, 其特 征在于, 所述浪涌过电压保护电路包括两组串联的压敏电阻器, 各串 联组的压敏电阻器为三个以上, 两串联组再并联, 两并联端为该浪涌 过电压保护电路的输入、 输出端; 一串联组底部两个压敏电阻器的连 接端, 与另一联组顶部两个压敏电阻器的连接端电连接; 一串联组顶 部两个压敏电阻器的连接端, 与另一联组底部的个压敏电阻器的连接 端电连接; 形成交叉连接组合。 根据权利要求 1所述的中性电极互联压敏浪涌过电压保护电路, 其特 征在于, 所述浪涌过电压保护电路包括两组串联的压敏电阻器, 各串 联组的压敏电阻器为三个以上, 两串联组一端连接, 做为输入端, 另 一端分别作为该浪涌过电压保护电路的输入端; 一串联组底部两个压 敏电阻器的连接端, 与另一联组顶部两个压敏电阻器的连接端电连接 ; 一串联组顶部两个压敏电阻器的连接端, 与另一串联组底部的两个 压敏电阻器的连接端电连接; 形成交叉连接组合。

根据权利要求 1所述的中性电极互联压敏浪涌过电压保护电路, 其特 征在于, 所述浪涌过电压保护电路包括两组串联的压敏电阻器, 各串 联组的压敏电阻器为三个以上, 两串联组一端连接, 做为输入端, 另 一端分别作为该浪涌过电压保护电路的输入端; 一串联组底部两个压 敏电阻器的连接端, 与另一联组底部两个压敏电阻器的连接端电连接 ; 一串联组顶部两个压敏电阻器的连接端, 与另一串联组顶部的两个 压敏电阻器的连接端电连接; 形成平行连接组合。

根据权利要求 1所述的中性电极互联压敏浪涌过电压保护电路, 其特 征在于, 所述浪涌过电压保护电路包括两组串联的压敏电阻器, 各串 联组的压敏电阻器为三个以上, 两串联组一端连接, 做为输入端, 另 一端分别作为该浪涌过电压保护电路的输入端; 一串联组底部两个压 敏电阻器的连接端, 与另一联组顶部两个压敏电阻器的连接端电连接 ; 一串联组顶部两个压敏电阻器的连接端, 与另一串联组底部的两个 压敏电阻器的连接端电连接; 一串联组顶部两个压敏电阻器的连接端 , 与另一串联组的输入端电连接, 一串联组的输入端, 与另一串联组 顶部两个压敏电阻器的连接端电连接。

Description:
中性电极互联压敏浪涌过电压保护电路 技术领域

[0001] 本发明属于电子技术领域, 特别涉及过电压保护相关技术。

背景技术

[0002] 电子产品离不幵浪涌电压防护, 作为当今浪涌电压防护的主要元件, ZnO压敏 电阻器在上世纪 60年代末问世后, 用量就随着电子信息产品同步增长。 在 220 ( 240) V工频电源电路中, 人们一幵始用的是压敏电压 (Un) 为 470V的压敏电阻 器, 它在标称放电电流下的残压 (限制电压) 大体为 1100V。 但它们在使用现场 起火, 造成严重后果的事故吋有发生。 于是 220 (240) V电路中的压敏电阻器的 规格逐步提高到 Un为 620V、 680V。 这个措施是有效的, 极大地减低了起火事故 的概率, 但残压相应地提高到 1400V、 1500V。 残压的增大意味着其他方面成本 加大和整个产品体积增加。 近年来, 在电子产品小型化和降成本的压力下, "降 残压"成为压敏电阻制造和应用领域的共同热 课题。

[0003] 降低残压的意义至少有以下方面:

[0004] 第一、 被保护器件的耐电压等级降低,成本下降,几何 寸减小,例如图 1的例子, [0005] 第二、 压敏电阻安装部位的空气间隙, 爬电距离和耐电压试验电压相应减小, 表 1的数据说明了这一点, 这将使整个设备的成本下降,几何尺寸减小。

[0006] 第三,有利于整个产品小型化。

[0007] 降低压敏电阻在一定脉冲电流下的残压, 目前主要有三个技术途径:

[0008] 1、 减小流过压敏电阻器的脉冲电流密度; 也就是说, 在脉冲电流给定的条件 下, 增大压敏电阻器的电极面积。 这可以有两种做法: 第一, 采用单只大尺寸 压敏电阻器; 第二, 采用多个小尺寸压敏电阻器的并联组合。

[0009] 2、 选用压敏电压 (Un) 低的压敏电阻器, 这包含两层含义; 低标称电压的规 格, 或同一规格中的负公差 Un产品。

[0010] 3、 改变制造技术; 通过调整瓷料配方和生产工艺来改变规定电流 下的残压比

。 现行的工业生产压敏电阻器, 在标称放电电流下的残压比大体为 2.2〜2.7, 也 就是说, 料配方和生产工艺对残压的调整范围, 只有 23%左右。

[0011] 压敏电阻的三种工作状态和选择 Un的一个基本矛盾:

[0012] 在考虑压敏电阻器的低残压应用吋, 必须了解其工作状态, 以及残压与压敏电 压 Un的关系。 并联在电源电压上的压敏电阻器, 在其整个使用寿命期中, 按照 作用在它上面的电应力的不同, 可以区分为三种工作状态:

[0013] 1、 等待状态: 只有电源系统电压应力, 按最大连续工作电压 (MCOV) 计算 , 应力强度取决于"加压比 Rap=MCOV/Un"。 Rap越大应力越严酷, 表现为老化 加快, 寿命缩短。 从这一点出发, 总希望减小 Rap值, 即提高 Un值。

[0014] 2、 浪涌抑制状态: "MCOV+脉冲电流"两种电应力同吋作用。 对于这个工作状 态, 人们最关心的是一定脉冲电流下的残压 U C l a =R C laxU n 。 从尽可能降低残压 U cla这一点出发, 总希望降低 Un值。

[0015] 3、 暂吋过电压耐受状态: 电应力是暂吋过电压 UTOV; 应力强度取决于"电压 比 RTOV=UTOV/Un",RTOV越大应力越严酷,压敏电阻越容 热失控而损坏。 从 这一点出发, 总希望减小 RTOV值, 即提高 Un值。

技术问题

上面的分析表明, 压敏电阻的三种工作状态对于压敏电压 Un的期望值是不同的 , 等待状态和暂吋过电压耐受状态期望 Un取大值, 而浪涌抑制状态期望 Un取小 值。 这是压敏电阻应用设计中面临的一个基本矛盾 。 在降残压的设计中, 必须 折中处理好这个矛盾, 达到既能降残压, 又能保证要求的 MTTF (平均无故障吋 间) 和预定 TOV应力下的安全性。

问题的解决方案

技术解决方案

[0017] 本发明的目的是针对现有技术的不足, 提供一种由压敏器件的串并联结构实现 对冲击电流的分流分压匀流作用, 又通过压敏器件的相对空间几何位置, 实现 保护网络电路上阻抗与的电磁场的平衡, 同吋使用压敏剖分交叉技术, 实现参 数波动压敏间的平衡。 提高了压敏器件的耐受性和抗冲击电流的能力 , 并降低 了残压, 大幅度地减少被保护电路的成本, 延长保护电路寿命的中性电极互联 压敏浪涌过电压保护电路。 [0018] 本发明目的可以通过以下技术方案实现, 一种中性电极互联压敏浪涌过电压 保护电路, 其所述电路包括两个以上压敏电阻器通过并联 、 串联或串并联组成 , 其分别达到:

[0019] 1) 、 压敏电阻器满足以下要求:

[0020] (1) 、 同一组合中的各压敏电阻器在经受脉冲电流吋 , 每只元件中的电流不 均匀系数 δΙ< 0.1 ;

[0021] (2) 、 同一组合中的各压敏电阻器的宽波脉冲电流筛 选, 使用 2ms方波, 每平 方厘米承受 20A, 作为筛选条件, 正反各一次, 芯片不击穿或破裂作为合格判据

[0022] (3) 、 同一组合中的各压敏电阻器的电压〜温度应力 筛选,以 125°C为筛选温度

, 压敏电压中心值作为外加交流试验电压峰值, 进行 8小吋老化筛选, 芯片不穿 孔或测试后压敏电压不低于初始值作为合格判 据;

[0023] 2) 、 浪涌过电压保护电路满足以下要求:

[0024] (1) 、 浪涌过电压保护电路中各压敏电阻器的空间位 置对称;

[0025] (2) 、 浪涌过电压保护电路中各对应位置压敏电阻器 的阻抗平衡;

[0026] (3) 、 浪涌过电压保护电路中各对应位置压敏电阻器 的冲击电流产生的感生 电动势在各压敏电阻器上平衡;

[0027] (4) 、 浪涌过电压保护电路中各对应位置的压敏电阻 器连接引线长度相等, 直径相同, 阻抗相同。

[0028] 所述的中性电极互联压敏浪涌过电压保护电路 , 其浪涌过电压保护电路包括两 组串联的压敏电阻器, 各串联组的压敏电阻器为三个以上, 两串联组再并联, 两并联端为该浪涌过电压保护电路的输入、 输出端; 一串联组底部两个压敏电 阻器的连接端, 与另一联组顶部两个压敏电阻器的连接端电连 接; 一串联组顶 部两个压敏电阻器的连接端, 与另一联组底部的个压敏电阻器的连接端电连 接

; 形成交叉连接组合。

[0029] 所述的中性电极互联压敏浪涌过电压保护电路 , 其浪涌过电压保护电路包括两 组串联的压敏电阻器, 各串联组的压敏电阻器为三个以上, 两串联组一端连接 , 做为输入端, 另一端分别作为该浪涌过电压保护电路的输入 端; 一串联组底 部两个压敏电阻器的连接端, 与另一联组顶部两个压敏电阻器的连接端电连 接 ; 一串联组顶部两个压敏电阻器的连接端, 与另一串联组底部的两个压敏电阻 器的连接端电连接; 形成交叉连接组合。

[0030] 所述的中性电极互联压敏浪涌过电压保护电路 , 其浪涌过电压保护电路包括两 组串联的压敏电阻器, 各串联组的压敏电阻器为三个以上, 两串联组一端连接 , 做为输入端, 另一端分别作为该浪涌过电压保护电路的输入 端; 一串联组底 部两个压敏电阻器的连接端, 与另一联组底部两个压敏电阻器的连接端电连 接

; 一串联组顶部两个压敏电阻器的连接端, 与另一串联组顶部的两个压敏电阻 器的连接端电连接; 形成平行连接组合。

[0031] 所述的中性电极互联压敏浪涌过电压保护电路 , 其浪涌过电压保护电路包括两 组串联的压敏电阻器, 各串联组的压敏电阻器为三个以上, 两串联组一端连接 , 做为输入端, 另一端分别作为该浪涌过电压保护电路的输入 端; 一串联组底 部两个压敏电阻器的连接端, 与另一联组顶部两个压敏电阻器的连接端电连 接

; 一串联组顶部两个压敏电阻器的连接端, 与另一串联组底部的两个压敏电阻 器的连接端电连接; 一串联组顶部两个压敏电阻器的连接端, 与另一串联组的 输入端电连接, 一串联组的输入端, 与另一串联组顶部两个压敏电阻器的连接 端电连接。

发明的有益效果

有益效果

[0032] 本发明优点在于, 提高了压敏器件的耐受性和抗冲击电流的能力 , 并降低了残 压, 大幅度地减少被保护电路的成本, 延长了保护电路寿命。

对附图的简要说明

附图说明

[0033] 图 1为本发明的一种电路原理示意图;

[0034] 图 2为本发明的另一种电路原理示意图;

[0035] 图 3为本发明的又一种电路原理示意图;

[0036] 图 4为本发明的再一种电路原理示意图;

[0037] 图 5为本发明一种浪涌过电压保护电路网络的具 应用电路原理示意图。 本发明的实施方式

[0038] 本发明是为了提高了压敏器件的耐受性和抗冲 击电流的能力, 并降低了残压 , 大幅度地减少被保护电路的成本, 延长保护电路寿命。

[0039] 所以应该了解压敏电阻器在浪涌过电压保护电 路中涉及的原理, 即电流的集中 效应及负热阻效应。 所谓电流的集中效应, 是指在 L型引线压敏阻中, 电流通过 中心线向四周扩散电流, 中心点电流比较集中。 所谓的负热阻效应, 是指压敏 电阻通流量越大, 局部温度越高, 电阻越小。 当散热能力小于生热能力吋, 正 反馈将导致压敏电阻融化贯穿。 热击穿的烧融过程幵始于通流密度较大的晶粒 或缺陷, 然后以之为原点逐步扩张, 电流方向扩张更快。 当其直径达到或接近 压敏厚度吋, 就发生贯穿式热击穿, 形成略小于或近似等于厚度的通孔, 严重 的会引起拉弧或燃烧, 这就是热贯穿效应。 由于散热的需要, 压敏晶体会形成 由内向外的温度梯度, 导致中心部位温度最高。 而来自引线的运动电荷在引线 终端由结构变化导致的动量分布的离散性最高 , 即速度最高和最低的运动电荷 都多些, 个别冲击动量最强的运动电荷, 对晶界的破坏能力最强; 引线末端的 电场由于尖端效应又最强, 所以热击穿点绝大部分都发生在晶片靠近中心 的引 线端点。

[0040] 通常, 人们为了提高保护压敏电阻器的工作寿命并降 低残压, 也采用多压敏并 联来进行分流的电路。 但是由于各压敏参数不完全相同, 电流在集中效应的作 用下, 还是会逐渐向过流较大的压敏集中, 最后使其烧毁。 接着也会使第二个 压敏烧毁, 燃烧的过程对电路及安全产生严重的危害。

[0041] 本发明的技术, 由于总体压敏参数的平衡, 电流集中于一个压敏的电流集中效 应得到遏制, 中性电极还起到了阻挡热贯穿效应发生和加强 散热的作用。 恰当 的结构安排, 还能使部分压敏由承受单向冲击改为承受双向 冲击, 大幅度地提 高防护电路的耐受性。

[0042] 本技术的中性电极互联压敏浪涌过电压保护电 路, 由两个以上压敏电阻器通过 并联、 串联或串并联组成, 鉴于上述分析, 其压敏电阻器及所组成的浪涌过电 压保护电路应达到以下两方面的满足: [0043] 第一, 压敏电阻器的筛选, 应满足:

[0044] 1、 同一组合中的各压敏电阻器在经受脉冲电流吋 , 每只元件中的电流不均匀 系数 δΙ < 0.1 ;

[0045] 同一组合中的各并联元件必须经过特性配对, 保证在经受脉冲电流吋, 每只 元件中的电流差别不大于规定值。 否则在使用过程中, 承受电流大的元件会提 前失效。 为此这里定义一个参数"不均匀系数 δΙ=(ηΔΙ)/Ι t ",它等于各并联元件电流 的极差 ΔΙ, 对于平均电流 I t /n的比值 (I t是总电流, n是并联元件数) 。 在没有 特别规定的情况下, 要求 δΙ < 0.1。

[0046] 2、 同一组合中的各压敏电阻器的宽波脉冲电流筛 选, 使用 2ms方波, 每平方厘 米承受 20A, 作为筛选条件, 正反各一次, 芯片不击穿或破裂作为合格判据; [0047] 3、 同一组合中的各压敏电阻器的电压〜温度应力 筛选,以 125°C为筛选温度, 压 敏电压中心值作为外加交流试验电压峰值, 进行 8小吋老化筛选, 芯片不穿孔或 测试后压敏电压不低于初始值作为合格判据;

[0048] 第二、 浪涌过电压保护电路应满足以下要求:

[0049] 1、 浪涌过电压保护电路中各压敏电阻器的空间位 置对称;

[0050] 在浪涌过电压保护电路网络中的耐受性方面, 我们要充分使所有的压敏参与 工作, 共同分担电流; 另一方面, 我们还要使每个压敏所承受的电流密度相同 , 为使相互的感应平衡, 要使涌过电压保护电路中各压敏电阻器的空间 位置对 称。

[0051] 2、 浪涌过电压保护电路中各对应位置压敏电阻器 的阻抗平衡;

[0052] 3、 浪涌过电压保护电路中各对应位置压敏电阻器 的冲击电流产生的感应电动 势在各压敏电阻器上平衡;

[0053] 浪涌过电压保护电路中冲击电流通过吋网络各 环路的综合磁场产生的感应电动 势为零, 或者各子压敏电阻器上产生的感应电动势相等 。 表现在结构上, 该网 络具有类似晶体的对称性和周期性, 并保证空间位置上的相对等同。 从而防止 网络环境下的类趋肤效应, 取得最小的阻抗。 使冲击电流流过吋, 各分支电流 遇到的阻抗相等。

[0054] 4、 浪涌过电压保护电路中各对应位置的压敏电阻 器连接引线长度相等, 直径 相同, 阻抗相同。

[0055] 浪涌过电压保护电路中, 在浪涌电压冲击吋, 由压敏电阻器组成的电路网络 的结构同样对压敏电压和电流的分配起着很大 的作用。 假设某一段引线的阻抗 为 0.1欧姆, 在冲击电流为 1000A的情况下, 阻抗上的压降就有 100V。 其二, 压 敏电阻网络如果受到与电流方向一致的磁场的 作用, 则同样会产生趋肤效应; 也就是, 在串并结构相同的情况下, 一个随意的过电流压敏保护网产生的残压 要比考虑上述因素精心设计的压敏保护网高出 100~300V。

[0056] 如图 1所示, 是一种浪涌过电压保护电路, 所述浪涌过电压保护电路包括由压 敏电阻器 Rl、 R2、 R3及 R4、 R5、 R6串联组成的两组串联的压敏电阻器件, 各 串联组的压敏电阻器为三个以上, 两串联组再并联, 两并联端分别为该浪涌过 电压保护电路的 L端与 N端; 一串联组底部两个压敏电阻器 R2与 R3的连接端, 与 另一联组顶部两个压敏电阻器 R4与 R5的连接端电连接; 一串联组顶部两个压敏 电阻器 R1与 R2的连接端, 与另一联组底部的个压敏电阻器 R5与 R6的连接端电连 接; 形成交叉连接组合。 本电路通过将一分三压敏交叉组合, 实现左右浪涌通 道的电阻一致, 保证了通过电流的一致性。 同吋, 即使某一子压敏被热击穿, 分隔电极也可以防止其热贯穿效应的发生, 延长了整体防护电路的寿命。

[0057] 如图 2所示, 是另一种浪涌过电压保护电路, 所述浪涌过电压保护电路包括由 压敏电阻器 Rl、 R2、 R3及 R4、 R5、 R6串联组成的两组串联的压敏电阻器件, 各串联组的压敏电阻器为三个以上, 两串联组的一端连接, 为 PE端, 另一端分 别作为该浪涌过电压保护电路的为 L端及 N端; 一串联组底部两个压敏电阻器 R2 与 R3的连接端, 与另一联组顶部两个压敏电阻器 R4与 R5的连接端电连接; 一串 联组顶部两个压敏电阻器 R1与 R2的连接端, 与另一串联组底部的两个压敏电阻 器 R5与 R6的连接端电连接; 形成交叉连接组合。

[0058] 如图 3所示, 是又一种浪涌过电压保护电路, 所述浪涌过电压保护电路包括由 压敏电阻器 Rl、 R2、 R3及 R4、 R5、 R6串联组成的两组串联的压敏电阻器件, 各串联组的压敏电阻器为三个以上, 两串联组的一端连接, 做为 PE端, 另一端 分别作为该浪涌过电压保护电路的 L端及 N端; 一串联组底部两个压敏电阻器 R2 与 R3的连接端, 与另一联组底部两个压敏电阻器 R5与 R6的连接端电连接; 一串 联组顶部两个压敏电阻器 Rl与 R2的连接端, 与另一串联组顶部的两个压敏电阻 器 R4与 R5的连接端电连接; 形成平行连接组合。

[0059] 如图 4所示, 是再一种浪涌过电压保护电路, 所述浪涌过电压保护电路包括由 压敏电阻器 Rl、 R2、 R3及 R4、 R5、 R6串联组成的两组串联的压敏电阻器件, 各串联组的压敏电阻器为三个以上, 两串联组一端连接, 做为 PE端, 另一端分 别作为该浪涌过电压保护电路的 L端及 N端; 一串联组底部两个压敏电阻器 R2与 R3的连接端, 与另一联组顶部两个压敏电阻器 R4与 R5的连接端电连接; 一串联 组顶部两个压敏电阻器 R1与 R2的连接端, 与另一串联组底部的两个压敏电阻器 R5与 R6的连接端电连接; 一串联组顶部两个压敏电阻器 R1与 R2的连接端, 与另 一串联组的 N端电连接, 一串联组的 L端, 与另一串联组顶部两个压敏电阻器 R4 与 R5的连接端电连接。

[0060] 如图 5所示, 是一种浪涌过电压保护电路网络的具体应用, 这里采用 12个 14D68 1压敏电阻器 R构成防护网络。 冲击电流 5000A吋, L~N差模残压达到 1230V。 14 D681的残压为 1680V。 与传统的三角形接法相比, 残压比由以前的 2.2降到了 1.8 。 耐冲击次数, 从 10次提高到 70次以上, 表面温度降低近 30°C (见附表实验数据) 。 在本实施例中, 各节点与压敏之间的连接线长度、 线径相同, 相互间的几何 位置对称。

[0061] 该电路与常规三角接法的对比试验见表一:

[0062] 表一

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