【발명의 명칭】

신규 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자{NOVEL COMPOUND AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIVICE INCLUDING THE SAME}

【기술분야】

본원은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. 【배경기술】

유기발광다이오드에서 유기물 층으로 사용되는 재료는 크게 기능에 따라, 발 광 재료， 정공주입재료， 정공수송 재료, 전자수송 재료， 전자주입 재료 등으로 분 류될 수 있다. 그리고 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자와 저분자로 분류될 수 있고， 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료 와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있으며， 발광 재료는 발광색에 따라 청색， 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다. 또한， 색순도의 증가 와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여， 발광 물질로서 호스트/도 판트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 주로 구성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작고 발광 효율이 우수한 도판트를 발광층에 소량 혼합하면， 호스트에 서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이때 호스 트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트와 호스트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.

현재까지 이러한 유기 발광 소자에 사용되는 물질로서 다양한 화합물들이 알 2019/190270

려져 있으나， 이제까지 알려진 물질을 이용한 유기 발광 소자의 경우 높은 구동전 압, 낮은 효율 및 짧은 수명으로 인해 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다. 따라서， 우수한 특성을 갖는 물질을 이용하여 저전압 구동, 고휘도 및 장수 명을 갖는 유기 발광소자를 개발하려는 노력이 지속되어 왔다.

【발명의 상세한설명】

【기술적 과제】

본원은신규한유기 화합물, 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 그러나 본원이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 기술한 과제로 제한되지 않 으며, 기술되지 않은 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해 될 수 있을 것이다.

【기술적 해결방법】

본원의 제 1측면은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:

[화학식 1]

!은 치환 또는 비치환의 06^50의 아릴기， 또는 치환 또는 비치환의 05-050 2019/190270 1»（：1/10公019/003723 의 해테로아릴기이고，

2는 치환또는 비치환의 （：12 50의 아릴기이고，

독립적으로 수소， 할로겐, 니트로기， 니트릴기, 치 환 또는 비치환의 （：1 30의 알킬기， 치환 또는 비치환의 02~030£] 알케닐기， 치환 또 는 비치환의 （：1 0의 알콕시기， 치환또는 비치환의 （：1 30의 설파이드기 , 치환또는 비치환의 06 30의 아릴기， 또는 치환 또는 비치환의 05^30의 헤테로아릴기이고， 인 접한 복수의 ¾끼리 , 1?2끼리 , 또는 I?과 요’ 는 서로 결합하여 환을 형성하거 나 형성하지 않을 수 있고， 묘4와 묘6 또는 ¾와 ¾은서로 결합하여 환을 형성하거나 형성하지 않을 수 있으며 ,

은 직접결합 , 치환 또는 비치환의 06~030^ 아릴텐기， 또는 치환 또는 비치 환의 05-030^] 헤테로아릴렌기이고，

는 치환 또는 비치환의 06^30의 아릴텐기， 또는 치환 또는 비치환의 05~030 의 헤테로아릴렌기이고，

1은 0 또는 1 내지 4의 정수이고， 01 및 II은 각각 독립적으로 0 또는 1 내지 3의 정수이며, 상기 1， [11 또는 ！!이 2 이상인 경우 ¾， ^2 및 묘3은 각각서로 같거나 다를수 있다.

본원의 제 2 측면은 제 1 전극 및 제 2 전극사이에 본원에 따른 화합물을 함유 하는유기물층을포함하는 유기 발광소자를 제공한다.

【발명의 효과】

본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 3환축합고리기（다이벤조퓨란， 다이벤 조티오펜 또는 플루오렌）와 다이벤조퓨란이 연결기를 통하여 아릴아민의 질소와 연 결됨으로써 발광보조층에 적합한 HOMO 레벨을 형성할 수 있으며， 이에 따라 고효율 의 유기 발광소자를 구현할 수 있다.

또한， 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 아릴아민의 일측에 전자 내성이 우수한 3환 축합고리기를 도입하여 높은 LUM0 및 T1을 유지하여 전자차단이 용이하 고, 발광층내 엑시톤 가둠 효과가 극대화될 수 있다. 이에 따라 고효율 및 장수명 의 유기 발광소자를 구현할수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 아릴아민의 일측에 벌키 특성이 작은 다이벤조퓨란의 2번 또는 4번을 연결 위치로 하여 박막 형성시 분자의 배열을 우수하게 할 수 있고， 저전압 구현 및 롤오프현상 억제를 통하여 장수명의 유기 발 광소자를 구현할수 있다.

또한， 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 아릴아민의 일측이 연결기를 통 하여 다이벤조퓨란과 연결되고， 타측에 아릴기를 가짐에 따라 파이컨쥬게이션이 증 가할 수 있다. 이에 따라 홀모빌리티 (Hole mobi l i ty)를 개선할 수 있고, 유기 발광 소자에 적용시 낮은 구동전압을 구현할수 있다.

또한， 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 아릴아민의 일측에 다이벤조퓨 란을 통하여 확장된 3환 축합고리기를 포함하여 높은 Tg를 형성하여 박막 재결정화 를 방지할수 있고, 이에 따라유기 발광 소자의 구동 안정성을 확보할수 있다.

【도면의 간단한설명】

도 1은 본원의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 개략도를 나타낸 것이다.

【발명의 실시를 위한 최선의 형태】

이하, 첨부한도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식 2019/190270 1»（：1^1{2019/003723

을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명 한다.

그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하 는 구현예 및 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설 명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며， 명세서 전체를 통하여 유사 한부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.

본원 명세서 전체에서， 어떤 부재가 다른 부재 ’’상에" 위치하고 있다고 할 때， 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐만 아니라 두 부재 사이에 또 다른부재가존재하는 경우도포함한다.

본원 명세서 전체에서， 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함” 한다고 할 때， 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다 른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약"， "실질적으로” 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오 차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고， 본원의 이해 를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자 가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되 는 정도의 용어 ”~（하는） 단계” 또는 의 단계’’는 ~ 를 위한 단계”를 의미하지 않는다.

본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합”의 용어 는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이 상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서， 상기 구성 요소들로 이루어진 군에사 2019/190270 1»（：1^1{2019/003723

선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.

본원 명세서 전체에서， 및/또는 의 기재는， ^ 또는 8， 또는 쇼 및 ’를 의미한다.

본원 명세서 전체에서， 용어 ’’아릴”은 06-50의 방향족 탄화수소 고리기， 예를 들어， 페닐， 벤질, 나프틸， 바이페닐， 터페닐， 플루오렌, 페난트레닐， 트리페닐레 닐， 페릴레닐， 크리세닐 , 플루오란테닐， 벤조플루오레닐， 벤조트리페닐레닐， 벤조 크리세닐， 안트라세닐， 스틸베닐 , 파이레닐 등의 방향족 고리를 포함하는 것을 의 미하며， ’’헤테로아릴’’은 적어도 1 개의 헤테로 원소를 포함하는 05-50의 방향족 고리 로서， 예를 들어， 피롤릴, 피라지닐, 피리디닐, 인돌릴， 이소인돌릴, 푸릴， 벤조퓨 라닐 , 이소벤조퓨라닐 , 다이벤조퓨라닐， 벤조티오페닐 , 다이벤조티오페닐 , 퀴놀릴 기 , 이소퀴놀릴， 퀴녹살리닐， 카르바졸릴 , 페난트리디닐 , 아크리디닐 , 페난트롤리 닐, 티에닐, 및 피리딘 고리, 피라진 고리， 피리미딘 고리, 피리다진 고리, 트리아 진 고리， 인돌 고리， 퀴놀린 고리， 아크리딘고리， 피롤리딘 고리， 디옥산 고리， 피 페리딘 고리， 모르폴린 고리， 피페라진 고리, 카르바졸 고리， 퓨란 고리， 티오펜 고리， 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리， 벤조옥사졸 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리， 벤조티아졸 고리， 트리아졸 고리， 이미다졸 고리, 벤조이미다졸 고리， 피란 고리， 다이벤조퓨란 고리， 다이벤조티오펜 고리로부터 형성되는 헤테로고리기를 포 함하는 것을 의미할 수 있다.

본원 명세서 전체에서 용어 "치환 또는 비치환’’은 할로겐， 아미노기, 니트릴 기 , 니트로기 또는 0 20의 알킬기， 02 20의 알케닐기， 레20의 알콕시기 , 03 020의 시클로알킬기， 0 ₃ ~020£1 헤테로시클로알킬기， 06^30의 아릴기 및 03~030£1 헤테로아릴 2019/190270 1»(：1^1{2019/003723

기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 치환되지 않는 것 을 의미할 수 있다. 또한， 본원 명세서 전체에서 동일한 기호는 특별히 언급하지 않는 한 같은 의미를 가질 수 있다.

본원 명세서 전체에서 용어 ’’플루오랜" 은 9번 탄소에 결합된 수소가 치환 또는 비치환의 -20의 알킬기， 치환 또는 비치환의 05-30의 아릴기 또는 치환 또는 비치환의 03-30의 헤테로아릴기로 치환된 경우를 의미할 수 있다.

본원의 제 1 측면은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.

[화학식 1]

!은 치환 또는 비치환의 0 5（）의 아릴기 , 또는 치환 또는 비치환의 05-050 의 헤테로아릴기이고,

2는 치환 또는 비치환의 （：12 50의 아릴기이고，

요、， 내지 ¾은 각각 독립적으로 수소， 할로겐， 니트로기， 니트릴기， 치 환 또는 비치환의 （：1 30의 알킬기， 치환 또는 비치환의 30의 알케닐기， 치환 또 는 비치환의 （：1 30의 알콕시기， 치환 또는 비치환의 （：1 30의 설파이드기， 치환 또는 2019/190270 1»（：1^1{2019/003723

비치환의 06~030^ 아릴기， 또는 치환 또는 비치환의 05~030^ 해테로아릴기이고, 인 접한 복수의 끼리 , ¾끼리 , 끼리， 또는 I?과 묘’ 는 서로 결합하여 환을 형성하거 나 형성하지 않을 수 있고， 요4와 1?6 또는 묘5와 은 서로 결합하여 환을 형성하거나 형성하지 않을 수 있으며,

은 직접결합， 치환 또는 비치환의 （： ₆ ~（뇨의 아릴텐기， 또는 치환 또는 비치 환의 05-030^1 헤테로아릴렌기이고,

匕2는 치환 또는 비치환의 또는 치환 또는 비치환의 05~030 의 헤테로아릴렌기이고，

1은 0또는 1 내지 4의 정수이고,

01 및 II은 각각 독립적으로 0 또는 1 내지 3의 정수이며, 상기 1， 01또는 II이 2 이상인 같거나 다를 수 있다.

본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 3환 축합고리기（다이벤조퓨란， 다이벤 조티오펜 또는 플루오렌）와 다이벤조퓨란이 연결기를 통하여 아릴아민의 질소와 연 결됨으로써 발광보조층에 적합한 레벨을 형성할 수 있으며, 이에 따라 고효율 의 유기 발광소자를 구현할수 있다.

또한， 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 아릴아민의 일측에 전자 내성이 우수한 3환 축합고리기를 도입하여 높은 !!■） 및 11을 유지하여 전자차단이 용이하 고， 발광층내 엑시톤 가둠 효과가 극대화될 수 있다. 이에 따라 고효율 및 장수명 의 유기 발광소자를 구현할수 있다.

또한， 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 아릴아민의 일측에 벌키 특성이 작은 다이벤조퓨란의 2번 또는 4번을 연결 위치로 하여 박막 형성시 분자의 배열을 우수하게 할 수 있고， 저전압 구현 및 롤오프현상 억제를 통하여 장수명의 유기 발 광소자를 구현할수 있다.

또한， 상기 3환축합고리 화합물의 연결 위치 번호는 하기와 같을 수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 아릴아민의 일측이 연결기를 통 하여 다이벤조퓨란과 연결되고， 타측에 아릴기를 가짐에 따라 파이컨쥬게이션이 증 가할 수 있다. 이에 따라 홀 모빌리티（¾16 010^ 1 를 개선할 수 있고， 유기 발 광소자에 적용시 낮은 구동 전압을 구현할 수 있다.

또한， 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 아릴아민의 일측에 다이벤조퓨 란을 통하여 확장된 3환 축합고리기를 포함하여 높은 용를 형성하여 박막 재결정화 를 방지할수 있고， 이에 따라유기 발광 소자의 구동 안정성을 확보할 수 있다. 본 _. 발명의 일 구현예에서 , 상기 화합물은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.

[화학식 2]

2019/190270 1»（：1^1{2019/003723

상기 화학식 2에서

X， 紅1， 2 , 화학식 1에서의 정의 와 같고，

묘7은 수소， 할로겐， 니트로기， 니트릴기， 치환 또는 비치환의 30의 알킬 기 , 치환 또는 비치환의 02^30의 알케닐기， 치환 또는 비치환의 （：1 30의 알콕시기， 치환 또는 비치환의 （：1 3◦의 설파이드기 , 치환 또는 비치환의 06~030^ 아릴기， 또는 치환 또는 비치환의 05~030£] 헤테로아릴기이며，

0는 1 내지 4의 정수이고， 는 0 또는 1 내지 4의 정수이며， 상기 0 또는 V 가 2이상인 경우 묘7은 서로 같거나 다를 수 있고， 0가 2 이상인 경우 13는 서로 같거 나 다를 수 있다.

상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 상기 화학식 1에서 1 _^2 가 페닐렌을 포함 하는 경우로， 아릴아민의 치환기인 다이벤조퓨란과 아릴아민의 질소 사이에 한 개 이상의 페닐렌이 연결기로 결합되는 형태이다. 이러한 경우, 발광보조층에 적절한 抑¾10 형성과 동시에 페닐렌기로 인해 화합물이 높은 11을 유지할 수 있어， 엑시톤 차단에 더욱 효과적일 수 있다.

본 발명의 일 구현예에서， 상기 화합물은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있 다. 2019/190270 1»（：1^1{2019/003723

[화학식 3]

I은 상기 화학식 1에서의 정의와 같고，

은 수소 , 할로겐， 니트로기， 니트릴기 , 치환 또는 비치환의 01-030^1 알킬 기 , 치환 또는 비치환의 0·（ 의 알케닐기 , 치환 또는 비치환의 （：1 3<3의 알콕시기， 치환 또는 비치환의 （：1 30의 설파이드기， 치환 또는 비치환의 06 30의 아릴기， 또는 치환 또는 비치환의 05~030£] 헤테로아릴기이며，

0는 1 내지 4의 정수이고， 는 0 또는 1 내지 4의 정수이며 ,

상기 0 또는 13가 2이상인 경우 如은 서로 같거나 다를 수 있고， ₀ 가 2 이상인 경우 I）는 서로 같거나 다를 수 있다.

상기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 상기 화학식 1에서 이 직접결합인 경우로， 다이벤조퓨란과 3환 축합고리기（다이벤조퓨란， 다이벤조티오펜 또는 플루 오렌계열）가 직접연결되어 깊은 恥볘） 레벨을 형성하여 고효율의 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.

본 발명의 일 구현예에서 , 상기 화합물은 하기 화학식 4 또는 화학식 5 로 2019/190270 1»（：1^1{2019/003723 표시될 수 있다.

[화학식 4]

상기 화학식 4 및 화학식 5에서,

1 및 II은 상기 화학식 1에서의 정의와 같고，

X는 0또는 이며，

1?2는서로 같거나 다를 수 있고，

묘7은 수소， 할로겐， 니트로기， 니트릴기， 치환 또는 비치환의 레30의 알킬 기， 치환 또는 비치환의 02<30^] 알케닐기， 치환 또는 비치환의 레30의 알콕시기， 치환또는 비치환의 에30의 설파이드기 , 치환또는 비치환의 06~030^ 아릴기 , 또는 치환또는 비치환의 05 30의 헤테로아릴기이고, 2019/190270 1»（：1^1{2019/003723

0는 1 내지 4의 정수이며， I）는 0 또는 1 내지 4의 정수이며，

상기 0 또는 I）가 2이상인 경우 묘7은 서로 같거나 다를 수 있고， 0가 2 이상 인 경우 I）는 서로 같거나 다를 수 있다.

이러한 경우， 빠른 홀 모빌리티와 동시에 높은 11·）를 유지할 수 있어, 저전 압 구동에 효과적이며， 발광층으로부터 정공수송층으로 유입되는 전자를 차단하는 데 효과적일 수 있다.

본 발명의 일 구현예에서, 상기 화합물은 하기 화학식 6으로 표시될 수 있 다.

[화학식 6]

， , ， ， ， 기 화학식 1에서의 정의와 같 은 수소, 할로겐, 니트로기， 니트릴기， 치환 또는 비치환의 레 의 알킬 기， 치환 또는 비치환의 02~030^ 알케닐기 , 치환 또는 비치환의 （：1 30의 알콕시기， 치환 또는 비치환의 （：1 30의 설파이드기， 치환 또는 비치환의 06~030£] 아릴기 , 또는 치환 또는 비치환의 05~030£1 헤테로아릴기이며， 2019/190270 1»（：1^1{2019/003723

0는 1 내지 4의 정수이고, I）는 0또는 1 내지 4의 정수이며，

상기 0 또는 I?가 2이상인 경우 모7은 서로 같거나 다를 수 있고, 0가 2 이상 인 경우 13는서로 같거나 다를 수 있다.

이러한 경우， 플루오렌을 통한 빠른 홀모빌리티 및 높은 용로 저전압 구동 및 구동안정성 개선에 유리할수 있다.

본 발명의 일 구현예에서， 상기 화합물은 하기 화학식 7또는 화학식 8로 표 시될 수 있다.

[화학식 7]

상기 화학식 7 및 화학식 8에서，

1 및 II은 상기 화학식 1에서의 정의와 같고， 2019/190270 1»（：1^1{2019/003723

X는 0 또는 이며，

요2는 서로 같거나 다를 수 있고，

묘7은 수소， 할로겐， 니트로기， 니트릴기, 치환 또는 비치환의 （：1 30의 알킬 기， 치환 또는 비치환의 （： ₂ 30의 알케닐기 , 치환 또는 비치환의 01~030£] 알콕시기， 치환 또는 비치환의 （：1 30의 설파이드기， 치환 또는 비치환의 06 30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 05~030£1 헤테로아릴기이고，

0는 1 내지 4의 정수이며， 는 0 또는 1 내지 4의 정수이며，

상기 0 또는 13가 2이상인 경우 은 서로 같거나 다를 수 있고， 0가 2 이상 인 경우 I）는 서로 같거나 다를 수 있다.

이러한 경우， 빠른 홀모빌리티와 동시에 높은 ^0 및 II을 가질 수 있어, 전자 및 엑시톤 차단이 용이하여 롤오프현상 개선을 통한 발광효율 및 수명개선에 효과적일 수 있다.

본 발명의 일 구현예에 따르면， 상기 화학식 1 내지 화학식 8에서 1 , 111, II , 0 , V 가 모두 0일 수 있다. 또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면， 상기 화학식 1 내지 화학식 8에서 ¾ 내지 모7은 각각 독립적으로 수소， （：1~ 0의 알킬기， 또는 페닐 기일 수 있다. 보다 구체적으로， 묘1 내지 은 수소, 또는 페닐기일 수 있다.

또한， 본 발명의 일 구현예에 따르면， 상기 화학식 1 내지 화학식 3， 및 화 학식 6에서 I? 및 I? '는 각각 독립적으로 의 알킬기일 수 있다.

또한， 본 발명의 일 구현예에 따르면， 상기 화학식 1 내지 화학식 5 , 화학식 7, 및 화학식 8에서 X는 0일 수 있다.

또한， 본 발명의 일 구현예에 따르면， 상기 화학식 1 내지 화학식 5 , 화학식 2019/190270 1»（：1^1{2019/003723

7 및 화학식 8에서 X는 일 수 있다.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 내지 화학식 8에서 요 은 페 닐, 나프틸， 비페닐, 터페닐， 플루오렌일, 디알킬플루오렌일, 디아릴플루오렌일， 다이벤조퓨란일， 다이벤조티오펜일 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고， 상기 2는 비페닐, 페닐나프틸， 터페닐, 플루오렌일, 디알킬플루오렌일, 디아릴플 루오렌일， 다이벤조퓨란일， 다이벤조티오펜일 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1에서 는 적어도 하나 의 1 , 4 -페닐렌기 또는 1， 3 -페닐렌기를 포함하는 치환또는 비치환의 06 24의 아릴렌 기일 수 있다.

본 발명의 일 구현예에 따르면， 상기 화학식 1에서 상기 1， 2 및 느2 중 적어도 하나는 메타 결합을 갖는 페닐텐기를 포함할수 있다.

또한 , 본 발명의 일 구현예에 따르면， 상기 화학식 1에서 상기 1은 메타 결합을 갖는 비페닐 또는 메타 결합을 갖는 터페닐이거나， 상기 2는 메타 결합을 갖는 비페닐 또는 메타 결합을갖는 터페닐일 수 있다.

또한， 본 발명의 일 구현예에 따르면， 상기 화학식 1에서 하기 3) 내지 0) 중 어느 하나 이상을 만족할수 있다:

3.) 1 및 2는 비페닐기 ;

적어도하나는 6원환만으로구성된 (：14이상의 아릴기; 및 이상의 아릴렌기이다.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 내지 화학식 8에서 상기 1 2019/190270 1»（：1^1{2019/003723 은 페닐， 비페닐, 터페닐， 디메틸플루오렌일 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고， 상기 2는 비페닐， 터페닐, 디메틸플루오렌일 및 이들의 조합으로 이루 어진 군에서 선택될 수 있다.

본 발명의 일 구현예에 따르면 , 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기의 화합물 중 어느 하나일 수 있으며， 이에 제한되지 않을수 있다:

2019/190270 1»（：1^1{2019/003723

본원의 제 2측면은상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 상기 유기 발광소자는 제 1 전극 및 제 2 전극사이에 본원에 따 른 화합물을 함유하는유기물충을 1층 이상 포함할수 있다.

본 발명의 일 구현예에 있어서， 상기 유기물층은 정공주입층， 정공수송층 및 발광보조층일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 또한 본 발명의 화합물은 유기층을 형성할 때 단독으로사용되거나 공지의 화합물과 함께 사용될 수 있다. 본 발명의 일 구현예에 있어서， 상기 유기 발광소자는 정공수송물질을 함유 하는 유기물층 및 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하는 유기물층을 포함할 수 있으나， 이에 제한되지 않을 수 있다. 2019/190270 1»（：1^1{2019/003723

상기 유기 발광 소자는 애노드 (크110(16)와 캐소드 (0^110(16) 사이에 정공주입 층어比)， 정공수송층 0111)， 발광층犯此)， 전자수송충犯孔)， 전자주입층 ( 나 등의 유기물층을 1층 이상포함할수 있다.

예를 들어 , 상기 유기 발광 소자는 도 1에 기재된 구조와 같이 제조될 수 있 다. 유기 발광 소자는 아래로부터 애노드 (정공주입전극 ( 1000) ) / 정공주입층 (200) / 정공수송층 (300) / 발광층 (400) / 전자수송층 (500) / 전자주입충 (600) / 캐소드 (전자주입전극 (2000) ) 순으로 적층될 수 있다.

도 1에서 기판 ( 100)은 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있으 며， 특히 기계적 강도， 열적 안정성, 투명성, 표면평활성， 취급용이성， 및 방수성 이 우수한투명한유리 기판또는플렉시블이 가능한 플라스틱 기판일 수 있다. 정공주입전극 (1000)은 유기 발광 소자의 정공 주입을 위한 애노드로 사용된 다. 정공의 주입이 가능하도록 낮은 일함수를 갖는 물질을 이용하며, 인둠틴옥사이 드 (比⑴, 인둠징크옥사이드 ( I及))， 그래핀 (奸31±61½)과 같은 투명한 재질로 형성될 수 있다.

상기 애노드 전극 상부에 정공주입층 물질을 진공증착법 , 스핀코팅법 , 캐스 트법， 1고(1 !1 _§ 따 ₁ 내10(¾61;1; )법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 정공주입층 (200) 을 형성할 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 정공주입충을 형성하는 경우 그 증착 조건은 정공주입층 (200)의 재료로서 사용하는 화합물， 목적하는 정공주입층의 구조 및 열적특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 50-500 X：의 증착온도, 10_ ⁸ 내지 10_ ³ !·!·의 진공도, 0.01 내지 100 入八%의 증착속도， 10 入 내지 5 _의 층 두께 범 위에서 적절히 선택할수 있다. 2019/190270 1»（：1^1{2019/003723

다음으로 상기 정공주입층 (200) 상부에 정공수송층 물질을 진공증착법, 스핀 코팅법， 캐스트법， 같은 방법에 의해 증착하여 정공수송층 (300)을 형성 할 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 정공수송층을 형성하는 경우 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조 건 범위에서 선택하는 것이 좋다.

상기 정공수송층 (300)은 본 발명에 따른 화합물을사용할 수 있으며， 상술한 바와 같이， 본 발명에 따른 화합물을 단독으로 사용하거나 공지의 화합물을 함께 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면 정공수송층 (300)은 1층 이상 일 수 있으며， 공지의 물질로만 형성된 정공수송층을 함께 포함할 수 있다. 또한， 본 발명의 일 구현예에 따르면 상기 정공수송층 (300) 상에 발광보조층을 형성할 수 있다.

상기 정공수송층 (300) 또는 발광보조층 상부에 발광층 물질을 진공증착법， 스핀코팅법， 캐스트법， 같은 방법에 의해 증착하여 발광층 (400)을 형성 할 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 발광층을 형성하는 경우 그 증착조건은 사용 하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 또한, 상기 발광층 재료는 공지의 화합물을 호스트 또는 도펀트로사용할수 있다.

또한， 발광층에 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항여기자 또는 정 공이 전자수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여 정공억제재료어 를 추가 로 진공증착법 또는 스핀코팅법에 의해 적층시킬 수 있다. 이때 사용할 수 있는 정 공억제물질은 특별히 제한되지는 않으나， 정공억제재료로 사용되고 있는 공지의 것 2019/190270 1»（：1^1{2019/003723 에서 임의의 것을 선택해서 이용할 수 있다. 예를 들면， 옥사디아졸 유도체나 트리 아졸 유도체， 페난트롤린 유도체， 또는 일본특개평 11-329734(사)에 기재되어 있는 정공억제재료 등을 들 수 있으며, 대표적으로 831(1(비스 (8 -하이드록시 -2 -메틸퀴놀 리놀나토)-알루미늄 비페녹사이드)， 페난트롤린 화합물 (예: 예(：사沈! ³ (바쏘쿠프로인) ) 등을사용할수 있다.

상기와 같이 형성된 발광층 (400) 상부에는 전자수송층 (500)이 형성되는데， 이때 상기 전자수송층은 진공증착법， 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성할 수 있다. 또한， 상기 전자수송층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만， 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 그 뒤, 상기 전자수송증 (500) 상부에 전자주입증 물질을 증착하여 전자주입 층 (600)을 형성할 수 있으며, 이때 상기 전자수송층은 통상의 전자주입층 물질을 진공증착법， 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성할수 있다.

상기 유기 발광 소자의 정공주입층 (200)， 정공수송층 (300)， 발광층 (400) , 전 자수송충 (500)은 본 발명에 따른 화합물을 사용하거나 아래와 같은 물질을 사용할 수 있으며, 또는 본 발명에 따른 화합물과 공지의 물질을 함께 사용할 수 있다.

2019/190270 1»（：1^1{2019/003723

전자주입층 (600) 위에 전자 주입을 위한 캐소드 (2000)을 진공증착법이나 스 퍼터링법 등의 방법에 의해 형성한다. 캐소드로는 다양한 금속이 사용될 수 있다. 구체적인 예로 알루미늄， 금， 은 등의 물질이 있다.

본 발명의 유기 발광 소자는 애노드， 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자 수송층， 전자주입층， 캐소드 구조의 유기 발광 소자뿐만 아니라, 다양한 구조의 유 기 발광 소자의 구조가 가능하며， 필요에 따라 1층 또는 2층의 중간층을 더 형성하 는 것도 가능하다.

상기와 같이 본 발명에 따라 형성되는 각 유기물층의 두께는 요구되는 정도 에 따라 조절할 수 있으며， 구체적으로는 1 내지 1 , 000 에1이며， 더욱 구체적으로는 5 내지 200 있다.

또한본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 유 기물층의 두께를 분자 단위로 조절할 수 있기 때문에 표면이 균일하며， 형태안정성 이 뛰어난 장점이 있다.

본 측면에 따른 유기 발광 화합물에 대하여 본원의 제 1 측면에 대하여 기재 된 내용이 모두 적용될 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 이하， 본원의 실시예를 통하여 보다 구체적으로 설명하며， 본 실시예에 의하 여 본원의 범위가 제한되는 것은 아니다.

[실시예 ]

화학식 1로 표시되는 화함물의 합성

화학식 1로 표시되는 화합물은 하기와 같은 반응으로 합성될 수 있으며， 이 에 제한되지 않는다.

중가체 의 합성

목적 화합물 합성을 위해 중간체 ¾은 하기와 같은 반응을 통하여 합성될 수 있으며， 이에 제한되지 않는다. 2019/190270 1»(：1/10公019/003723

둥근바닥플라스크에 （1오 해 [ 1）,（1]八1대!1-4 _: -711x）1·이1 801（1 20.0요， 4,6- 1，01110（1 61 0[1），（3]1±101）】161½ 35.5용을 1，4-（1比0 11 900미1에 녹이고 {¾¾3（2]\0 1401111 와 ?（1（?1¾3）4 3.3용을 넣은 후 환류 교반하였다. 11（：로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결시켰다. 유기층을 【로 추출하고 감압여과한 후 재결정하여 중간체 수율 62%）을 얻었다.

둥근바닥플라스크에 상기 ¾1-1 25.0융， 비3（ 113（：01 0）（1 01 ^* 011 20당을 1,4- （110X311450 에 녹이고 ^0 17.2 _§ 과 （1（（¾?0이20.2 ₈ 을 넣은 후 환류 교반하였다. 11（：로 반응을확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결시켰다. 유기층을【로 추출하고 감압여과한후 재결정하여 중간체 1-2 （20.8 _§ , 수율 75%）을 얻었다. \¥0 2019/190270 둥근바닥플라스크에 상기 111-2 22.

0110X311 55（½1에 녹이고 ¾0）3（2 ） 6¾1와 ?（1作1¾3）4 1.5용을 넣은 후 환류 교반하였 다. 11（：로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결시켰다. 유기층을 로 추출 하고 감압여과한후 재결정하여 중간체 1¾11 （14.（¾， 수율 60%）을 얻었다.

중가체 ¾2 내지 11의 함성

하기 표 1과 같이 출발물질을 달리하여， 상기 I 과 같은 방법으로 하기 2 내지 1¾111을 합성하였다.

2019/190270 1»(：1/10公019/003723

[표 1]

심시예 1 내지 20： 화합물 합성

상기 중간체 사용하여 목적 화합물 1 내지 20을 합성하였 다.

실시예 1 : 화합물 1의 합성

둥근바닥플라스크에 1¾11 3.0g, （[1，1’- 1311611 1]-4- 1）01 116 2.1¾， 卜 此0 0.9 （!2（此3）3 0.2용， （ 此）3? 0.3 를 톨루엔 80 에 녹인 후 환류 교반하 였다. 11（：로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 【로 추 출하고 감압여과한후 컬럼정제 및 재결정하여 화합물 13.0 _§ （수율 67%）을 얻었다. 미/¾ : 729.27 （100.0%）, 730.27 （58.9%）, 731.27 （17.4%）, 732.28 （3.2%） 실시예 2 : 화합물 2의 합성

di ( [1， 1’ -biphenyl ]-4-yl ) amine 대신 N-( [1, l'-biphenyl ]-4-yl ) naphtha len- 1-amine을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 2를 합성하였다 (수율 63%). m/z： 703.25 (100.0%), 704.25 (56.6%), 705.26 (16.2%), 706.26 (3.1%) 2019/190270 1»(：1/10公019/003723 실시예 3 : 화합물 3의 합성

di([l，l’-biphenyl ]-4-yl)amine 대신 N-( [1, 1' ^~ bipheny1 ]-4-y1 )naphtha1en- 2-amine을 이용하여 화합물1과 같은 방법으로 화합물3을 합성하였다 (수율65%). m/z： 703.25 (100.0%), 704.25 (56.6%), 705.26 (16.2%), 706.26 (3.1%) 실시예 4 : 화합물 4의 합성

di ( [1, 1'-biphenyl ]-4-yl )amine 대신 N-( [1,1’-biphenyl]-4-y1 )-9,9- dimethyl-9H-f1uoren-2-amine 을 이용하여 화합물1과 같은 방법으로 화합물4를 합 성하였다 (수율66¾0.

m/z： 769.30 (100.0%), 770.30 (62.5%), 771.30 (19.3%), 772.31 (4.1%) 2019/190270 1»(：1/10公019/003723 실시예 5 : 화합물 5의 합성

di( [1, 1' -biphenyl ]-4-yl )amine 대신 N-( [1, 1' -biphenyl ]-4-yl )-9,9- dimethyl -9H- f 1 uor en-3-am i ne 을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 5를 합 성하였다 (수율 65%).

m/z： 769.30 (100.0%), 770.30 (62.5%)， 771.30 (19.3%)， 772.31 (4.1%) 실시예 6 : 화합물 6의 함성

di ( [1 , 1 ' -biphenyl ]-4-yl ) amine 대신 N-( [1, 1' -biphenyl ]-4-yl )-9, 9 - 0161:117卜9}1 1110^1)-4-81111116을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 6을 합성 하였다 (수율 62%).

m/z： 769.30 (100.0%), 770.30 (62.5%), 771.30 (19.3%), 772.31 (4.1%) 2019/190270 실시예 7 : 화합물 7의 합성

«1 대신 «10을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 7을 합성하였다 (수율 67%).

111/2： 805.30 (100.0%)， 806.30 (65.8%), 807.30 (21.4%), 808.31 (4.7%) 실시예 8 : 화합물 8의 합성

여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 8을 합성하였다 (수율 69%).

미八 : 729.27 (100.0%), 730.27 (58.9%), 731.27 (17.4%), 732.28 (3.2%) 실시예 9 : 화합물 9의 합성

2019/190270 1»(：1^1{2019/003723

¾1 대신 1¾13을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 9를 합성하였다 (수율 68%).

111/2： 729.27 (100.0%), 730.27 (58.9%), 731.27 (17.4%), 732.28 (3.2%) 실시예 10 : 화합물 10의 합성

¾1 대신 4를 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 10을 합성하였다 (수율 65%) .

7 (58.9%), 731.27 (17.4%), 732.28 (3.2%)

ml 대신 5를 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 11을 합성하였다 (수율 62%).

m/z ^■ - 745.24 (100.0%), 746.25 (58.8%), 747.25 (17.7%), 747.24 (4.7%), 748.25 (3.5%), 748.24 (2.7%), 746.24 (1.2%) 2019/190270 1»(：1^1{2019/003723 실시예 12 : 화합물 12의 합성

«1 대신 1116을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 12를 합성하였다 (수율 65%) .

미八 : 745.24 (100.0%), 746.25 (58.8%), 747.25 (17.7%), 747.24 (4.7%), 748.25 (3.5%), 748.24 (2.7%), 746.24 (1.2%)

실시예 13 : 화합물 13의 합성

1¾11 대신 11\{7을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 13을 합성하였다

(수율 62%).

며八: 745.24 (100.0%), 746.25 (58.8%), 747.25 (17.7%), 747.24 (4.7%), 48.25 (3.5%), 748.24 (2.7%), 746.24 (1.2%) 2019/190270 1»(그1^1{2019/003723 실시예 14 : 화합물 14의 합성

«1 대신 8을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 14를 합성하였다 (수율 65%) .

미八: 745.24 (100.0%), 746.25 (58.8%), 747.25 (17.7%), 747.24 (4.7%), 748.25 (3.5%), 748.24 (2.7%), 746.24 (1.2%)

실시예 15 : 화합물 15의 합성

«1 대신 9를 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 15를 합성하였다

(수율·)·.

«1八 : 755.32 (100.0%), 756.32 (62.1%), 757.33 (19.0%), 758.33 (3.9%) 2019/190270

실시예 16 : 화합물 16의 합성

화합물 1과 같은 방법으로 화합물 16을 합성하였다

(수율 65%) .

꽤比6을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 17을 합성하였다 (수율 65%) . 2019/190270

[1，1’ :3’ ,1’’ ^~ 1 1±611 1]-4- 16을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 18을 합성하였다 (수율 60%).

미八 : 805.30 (100.0%), 806.30 (65.8%), 807.30 (21.4%), 808.31 (4.7%) 실시예 19 : 화합물 19의 합성

di ( [1, l'-bipheny 1 ] -4-y"amine 대신 N-(4-(phenanthren-9-y 1 )pheny 1 ) - [1 , 1’ -biphenyl ]-4_amine을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 19를 합성하 였다 (수율 63%).

m/z： 829.30 (100.0%), 830.30 (68.0%), 831.30 (22.8%), 832.31 (5.2%) 실시예 20 : 화합물 20의 합성

di ([ 1,1' -biphenyl ]-4-yl)amine대신 N-([l, l'-biphenyl ]-4-yl )triphenylen- -amine을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 20을 합성하였다 (수율 64%). m/z： 803.28 (100.0%), 804.29 (65.4%), 805.29 (21.4%), 806.29 (4.7%) 심시예 21 내지 40 : 유기 발광 소자 제조 실시예 21

인둠틴옥사이드 ( IT0)가 1500 A 두께가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음 파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올， 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송시킨 다음 산소 플 라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 IT0 기판 상부에 열 진공 증착 기 (thermal evaporator)를 이용하여 정공주입중 HI01 600 A , HATCN 50 A , 정공수 송층으로 HT01 250 A , 발광보조층으로 화합물 1 100 A 을 제막한 후 상기 발광층 으로 BH01：BD01 3%로 도핑하여 250 A 제막하였다. 다음으로 전자전달층으로 ET01：Liq(l：l) 300 A 제막한 후 LiF 10 A , 알루미늄 (Al ) 1000 A 제막하고， 이 소자를 글로브 박스에서 밀봉 (Encapsulat ion)함으로써 유기발광소자를 제작하였다. 실시예 22내지 실시예 40

실시예 21과 같은 방법으로 화합물 1대신 화합물 2내지 20을사용하여 제막한 유기발광소자를 제하하였다 .

비교예 1내지 비교예 11

실시예 21과 같은 방법으로 화합물 1대신 Ref . l 내지 Ref . 11을 사용하여 제 막한유기발광소자를 제작하였다.

유기발광소자의 성능평가

키슬리 2400 소스 메져먼트유닛(Kiethley 2400 source measurement unit) 으 로 전압을 인가하여 전자 및 정공을 주입하고 코니카미놀타(Konica Minolta) 분광 복사계 (CS-2000)를 이용하여 빛이 방출될 때의 휘도를 측정함으로써, 실시예 21 내 지 40 및 비교예 1 내지 11의 유기 발광 소자의 성능을 인가전압에 대한 전류 밀도 및 휘도를 대기압 조건하에 측정하여 평가하였으며， 그 결과를 하기 표 2에 나타내 었다. 2019/190270 1»（：1/10公019/003723

[표 2]

상기 표 2 에 나타나는 바와 같이 , 발광보조층으로 본 발명의 화합물을사용 한 실시예 21 내지 40은 비교예 1 내지 비교예 11과 비교하여 효율 및 수명이 상승 하는 것을 확인할수 있다.

보다구체적으로， 비교예 1， 2와 비교하여 , 실시예 21 내지 40은 다이벤조퓨 란이 3환 축합고리인 다이벤조티오펜, 플루오렌 또는 다이벤조퓨란과 선형 연결을 통하여 빠른홀 모빌리티 (Hole mobi l i ty)를 가져 저전압특성을 구현하였다.

또한, 비교예 3과 비교하여 , 실시예 21 내지 40은 다이벤조퓨란이 3환 축합 고리인 다이벤조티오펜， 플루오렌 또는 다이벤조퓨란과 결합하여 깊은 HOMO를 형성 하여 우수한 효율을 가질 수 있었다.

또한， 비교예 4， 5와 비교하여, 실시예 21 내지 40은 다이벤조퓨란과아릴아 민의 질소사이에 연결기를 포함하여 깊은 HOMO를 형성하고， 동시에 파이컨쥬게이션 증가로 빠른홀 모빌리티를 가져 저전압특성을 구현하였다.

또한, 비교예 6, 7, 8, 9와 비교하여， 실시예 21 내지 40은 전자내성이 우수 하고 벌키 특성 (bulkiness)이 적은 다이벤조퓨란의 2번 또는 4번 위치가 연결기를 통하여 아릴아민의 질소와 결합되어 정공수송에 용이한 H0M0 및 높은 LUM0를 유지 하고, 분자간 박막배열이 우수하며， 박막내 모빌리티 개선으로 롤오프 현상이 억제 되어 수명이 개선되었다.

또한, 비교예 10， 11과 비교하여， 실시예 21 내지 40은 질소가 일측에 다이 벤조퓨란을 가지고， 타측에 탄소수 12개 이상의 아릴기를 가짐으로서 파이컨쥬게이 션이 증가할 수 있고, 홀 모빌리티를 개선하여 저전압 특성을 구현하는 결과를 보 였다.

또한， 실시예 27 및 38은 메타 결합을 갖는 페닐텐을 포함하여 더욱 깊은 2019/190270 1»（：1^1{2019/003723

를 가져 효율 및 수명이 더욱 향상되었다. 전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상 의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다 른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므 로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으 로 이해해야만 한다. 예를 들어， 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산 되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나 타내어지며， 특허청구범위의 의미 및 범위， 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. ［부호의 설명］

100： 기판

200： 정공주입층

300： 정공수송층

400： 발광층

500： 전자수송층

600： 전자주입층

1000： 애노드

2000： 캐소드 2019/190270 1»（：1/10公019/003723

제출시 공란