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Title:
NOVEL COMPOUND AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE COMPRISING SAME
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2019/190272
Kind Code:
A1
Abstract:
The present application relates to a novel compound and an organic light-emitting device comprising same, the novel compound according to one embodiment of the present invention being applied to an organic light-emitting device to allow same to be highly effective, and have extended lifespan, low driving voltage and operational stability.

Inventors:
HAM, Ho Wan (35 Jageundollae-gil, Yanggam-myeon,Hwaseong-si, Gyeonggi-do, 18635, KR)
AN, Hyun Cheol (35 Jageundollae-gil, Yanggam-myeonHwaseong-si, Gyeonggi-do, 18635, KR)
KANG, Kyong Min (35 Jageundollae-gil, Yanggam-myeonHwaseong-si, Gyeonggi-do, 18635, KR)
KIM, Dong Jun (35 Jageundollae-gil, Yanggam-myeonHwaseong-si, Gyeonggi-do, 18635, KR)
MIN, Byung Cheol (35 Jageundollae-gil, Yanggam-myeonHwaseong-si, Gyeonggi-do, 18635, KR)
HAN, Jeong Woo (35 Jageundollae-gil, Yanggam-myeonHwaseong-si, Gyeonggi-do, 18635, KR)
LIM, Dong Hwan (35 Jageundollae-gil, Yanggam-myeonHwaseong-si, Gyeonggi-do, 18635, KR)
ANN, Ja Eun (35 Jageundollae-gil, Yanggam-myeonHwaseong-si, Gyeonggi-do, 18635, KR)
LIM, Dae Chul (35 Jageundollae-gil, Yanggam-myeonHwaseong-si, Gyeonggi-do, 18635, KR)
KWON, Dong Yuel (35 Jageundollae-gil, Yanggam-myeonHwaseong-si, Gyeonggi-do, 18635, KR)
LEE, Sung Kyu (35 Jageundollae-gil, Yanggam-myeonHwaseong-si, Gyeonggi-do, 18635, KR)
Application Number:
KR2019/003725
Publication Date:
October 03, 2019
Filing Date:
March 29, 2019
Export Citation:
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Assignee:
DONGJIN SEMICHEM CO., LTD. (644 Baekbeom-ro, Seo-gu, Incheon, 22824, KR)
International Classes:
C07D409/04; C07D333/76; C09K11/06; H01L51/00; H01L51/50
Foreign References:
KR20140035737A2014-03-24
KR20170127353A2017-11-21
KR20170067644A2017-06-16
KR20160136672A2016-11-30
KR20160079545A2016-07-06
Attorney, Agent or Firm:
HYUNMOON PATENT&LAW FIRM (201ho, 33 Seocho-daero 48-gil,,Seocho-gu, Seoul, 06645, KR)
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Claims:
2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

65

【청구의 범위】

【청구항 1]

하기 화학식 1로 표시되는 화합물;

[화학식 1]

소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치 환 또는 비치환의 (:1 30의 알킬기, 치환 또는 비치환의 02~030£1 알케닐기, 치환 또 는 비치환의 (:1 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 (:1 30의 설파이드기 , 치환 또는 비치환의 06^30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 05^30의 해테로아릴기이며, 인 접한 복수의 ¾끼리, ¾끼리, ¾끼리, 또는 묘과 모’는 서로 결합하여 환을 형성하거나 형성하지 않을 수 있고, 모3와 묘4 , 묘5와 1¾, 1?5와 1?7 또는 요6과 묘7은 서로 결합하여 환 을 형성하거나 형성하지 않을 수 있으며,

1 및 2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 06 50의 아릴기, 또는 치 환 또는 비치환의 05^50의 헤테로아릴기이며,

은 직접결합, 치환 또는 비치환의 06^30의 아릴렌기 , 또는 치환 또는 비치 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

66 환의 05^30의 헤테로아릴렌기이고,

· 는 치환 또는 비치환의 06~030^ 아릴텐기 , 또는 치환 또는 비치환의 05~030 의 헤테로아릴렌기이며,

1은 0 또는 1 내지 4의 정수이고, 01은 0 또는 1 내지 3의 정수이고, II은 0 또는 1 내지 2의 정수이며,

상기 이상인 경우 , ^2 및 1?4는 각각 서로 같거나 다를 수 있다.

【청구항 2]

제 1항에 있어서,

상기 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물;

[화학식 2]

상기 화학식 2에서,

X, 紅1, 2, I?, 묘' , ¾ 내지 요7 , 11 , 1, 01, 및 !!은상기 화학식 1에서의 정의 와 같고,

¾은 수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기 , 치환 또는 비치환의 (:1 30의 알킬 기, 알케닐기, 치환 또는 비치환의 (:1 30의 알콕시기, 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

67 치환 또는 비치환의 (:1 30의 설파이드기, 치환 또는 비치환의 06-030^ 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 05^30의 헤테로아릴기이며,

I)는 1 내지 4의 정수이고, I)가 2 이상인 경우 은 서로 같거나 다를 수 있 다.

【청구항 3】

제 1항에 있어서,

상기 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물;

[화학식 3]

II은 상기 화학식 1에서의 정의와 같고,

此은 수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환의 (:1 30의 알킬

치환 또는 비치환의 (:1 30의 설파이드기 , 치환 또는 비치환의 06~030£] 아릴기 , 또는 치환 또는 비치환의 05 30의 헤테로아릴기이며 ,

I)는 1 내지 4의 정수이고, 13가 2 이상인 경우 은 서로 같거나 다를 수 있 다. 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

68

【청구항 4]

제 1항에 있어서,

상기 화합물은 하기 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 화합물;

[화학식 4]

상기 화학식 4 및 화학식 5에서,

X, 2 , 요, , ¾ 내지 요7, 1, 및 II는 상기 화학식 1에서의 정의와 같고,

I)는 1 내지 4의 정수이고, 13가 2 이상인 경우 은 서로 같거나 다를 수 있 다.

【청구항 5]

제 1항에 있어서, 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

69 상기 화합물은 하기 화학식 6또는 화학식 7로표시되는 화합물;

[화학식 6]

상기 화학식 6 및 화학식 7에서,

X, , 2, 내지 , 1, 01, 및 II는상기 화학식 1에서의 정의와같고,

I)는 1 내지 4의 정수이고, ]3가 2 이상인 경우 은 서로 같거나 다를 수 있 다.

【청구항 6]

제 1항에 있어서,

상기 ¾내지 요7은 각각독립적으로수소, 또는 페닐기인 화합물. 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

70

【청구항 7】

제 2항내지 제 5항중 어느 한항에 있어서,

상기 내지 묘8은 각각독립적으로수소, 또는 페닐기인 화합물.

【청구항 8]

제 1항내지 제 5항중 어느 한항에 있어서,

상기 X는 0인 화합물.

【청구항 9]

제 1항내지 제 5항중 어느 한항에 있어서,

상기 X는 £인 화합물.

【청구항 10】

제 1항내지 제 5항중 어느 한항에 있어서,

상기 ! 및 2는 각각 독립적으로 페닐, 나프틸, 비페닐, 터페닐, 플루오 텐, 디알킬플루오텐, 다이벤조퓨란, 다이벤조티오펜 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물.

【청구항 11】

제 1항내지 제 5항중 어느 한항에 있어서,

상기 ! 및 2는 각각독립적으로 페닐, 비페닐, 터페닐, 플루오텐, 디알킬 플루오렌 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물.

【청구항 12】

제 1항에 있어서,

상기 및 1>2는 각각 독립적으로 직접결합, 페닐텐, 바이페닐텐, 터페닐렌 02019/190272 1»(:1^1{2019/003725

71 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는화합물.

【청구항 13】

제 1항에 있어서,

상기 는 적어도 하나의 1,4 -페닐렌 또는 1, 3 -페닐텐을 포함하는 치환 또는 비치환의 06^24의 아릴렌인 화합물.

【청구항 14】

제 1항에 있어서,

상기 1, 2 및 중 적어도 하나는 메타 결합을 갖는 페닐렌기를 포함하 는 화합물.

【청구항 15】

제 14항에 있어서,

상기 ! 및 2는 각각 독립적으로 메타 결합을 갖는 페닐, 비페닐, 메타 결 합을 갖는 터페닐, 1번, 3번 및 4번 위치의 결합을 갖는 플루오렌 또는 1번, 3번 및 4번 위치의 결합을 갖는 디알킬플루오렌인 화합물.

【청구항 16】

제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 하기 크) 내지 0) 중 어느 하나 이상을 만족하는 화합물:

크) 1 및 2는 비페닐기 ;

紅1및 2중적어도하나는 6원환만으로구성된(:14이상의 아릴기 ; 및 0) 2는(:10이상의 아릴텐기이다.

【청구항 17】 2019/190272 1»(:1/10公019/003725

72 제 1항에 있어서,

상기 화합물은 하기 화합물 중 어느 하나인 화합물.

2019/190272 1»(:1/10公019/003725

97

2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

101

【청구항 18】

저 11 전극 및 제 2 전극사이에 제 1항내지 제 5항중 어느 한항에 따른 화합 물을함유하는유기물층을포함하는유기 발광소자.

【청구항 19】

제 18항에 있어서,

상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층 및 발광보조층중 1층 이상인 유기 발광소자.

Description:
2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

1

【명세세

【발명의 명칭】

신규 화합물 및 이를포함하는유기발광소자-

【기술분야】

본원은신규한화합물 및 이를포함하는유기 발광소자에 관한 것이다.

【배경기술】

유기발광다이오드에서 유기물 층으로사용되는 재료는 크게 기능에 따라, 발 광 재료, 정공주입재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료 , 전자주입 재료 등으로 분 류될 수 있다. 그리고 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자와 저분자로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료 와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있으며, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다. 또한, 색순도의 증가 와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 물질로서 호스트八도 관트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 주로 구성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작고 발광 효율이 우수한 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 호스트에 서 발생한 엑시톤이 도관트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이때 호스 트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트와 호스트의 종류에 따라원하는파장의 빛을 얻을수 있다.

현재까지 이러한유기 발광소자에 사용되는물질로서 다양한화합물들이 알 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

2 려져 있으나, 이제까지 알려진 물질을 이용한 유기 발광 소자의 경우 높은 구동전 압, 낮은 효율 및 짧은 수명으로 인해 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다. 따라서, 우수한 특성을 갖는 물질을 이용하여 저전압 구동, 고휘도 및 장수 명을 갖는 유기 발광 소자를 개발하려는 노력이 지속되어 왔다.

【발명의 상세한 설명】

【기술적 과제】

본원은 신규한 유기 화합물, 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 그러나 본원이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 기술한 과제로 제한되지 않 으며, 기술되지 않은 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해 될 수 있을 것이다.

【기술적 해결방법】

본원의 제 1 측면은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:

[화학식 1]

상기 화학식 1에서,

X는 0, 8또는 0¾、이고,

독립적으로 수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

3 환 또는 비치환의 (:1 30의 알킬기, 치환 또는 비치환의 02^30의 알케닐기, 치환 또 는 비치환의 레30의 알콕시기 , 치환 또는 비치환의 레30의 설파이드기, 치환 또는 비치환의 06~030^ 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 05~030^ 헤테로아릴기이며, 인 접한 복수의 ¾끼리, ¾끼리, 끼리, 또는 묘과 는 서로 결합하여 환을 형성하거나 형성하지 않을 수 있고, ¾와 1¾, 와 1¾, 1?5와 요7 또는 묘6과 묘7은 서로 결합하여 환 을 형성하거나 형성하지 않을 수 있으며

아릴기, 또는 치 환 또는 비치환의 05^50의 헤테로아릴기이며,

은 직접결합, 치환 또는 비치환의 06 30의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치 환의 05^30의 헤테로아릴텐이고 ,

[2는 치환 또는 비치환의 06 030의 아릴렌기 , 또는 치환 또는 비치환의 05~030 의 헤테로아릴렌이며,

1은 0 또는 1 내지 4의 정수이고, 01은 0 또는 1 내지 3의 정수이고 , 11은 0 또 는 1 내지 2의 정수이며,

상기 이상인 경우 ¾, ¾ 및 1?4는 각각 서로 같거나 다를 수 있다.

본원의 제 2 측면은 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 본원에 따른 화합물을 함유 하는 유기물충을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.

【발명의 효과】

본 발명의 일 구현예에따른 화합물은 선형 연결된 2개의 3환 축합 고리기(다 이벤조퓨란, 다이벤조티오펜 또는 플루오렌과 다이벤조티오펜)를 아릴아민의 질소 에 연결함으로써 발광보조충에 적합한 깊은 HOMO 레벨을 형성하고, 이에 따라 저전 압 및 고효율의 유기 발광소자를 구현할수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 다이벤조티오펜의 1번 또는 4번 을 아릴아민의 질소와의 연결위치로 하고, 다이벤조티오펜의 6번, 8번 또는 9번을 연결위치로 하여 3환 축합고리가 추가로 결합됨으로써 높은 LUM0 및 를 유지할 수 있다. 이에 따라 발광층내 엑시톤 가둠효과가 극대화되어 고효율의 유기 발광 소자를 구현할수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 아릴아민의 일측에 다이벤조티 오펜을 통하여 3환 축합 고리기(다이벤조퓨란, 다이벤조티오펜 또는 플루오랜)가 연결되어 파이컨주게이션이 증가하고 홀 모빌리티(Hole Mobi l ity)가 개선되어 롤오 프현상 억제를 통한장수명의 유기 발광소자를구현할수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 아릴아민의 일측에 다이벤조티 오펜을 통하여 전자 내성이 우수한 3환 축합 고리기(다이벤조퓨란, 다이벤조티오펜 또는 플루오렌)가 연결되어 높은 Tg를 형성하여 박막 재결정화를 방지할 수 있고, 동시에 유기 발광 소자의 구동 안정성을 확보하여 장수명의 유기 발광 소자를 구현 할수 있다.

【도면의 간단한설명】

도 1은 본원의 일 구현예에 따른 유기 발광소자의 개략도를 나타낸 것이다.

【발명의 실시를 위한최선의 형태】

이하, 첨부한도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식 을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 구현예 및 실시예를 상세히 설명 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

5 한다.

그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하 는 구현예 및 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설 명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사 한부분에 대해서는유사한도면 부호를붙였다.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐만 아니라 두 부재 사이에 또 다른부재가존재하는 경우도포함한다.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함” 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다 른 구성 요소를 더 포함할수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약”, "실질적으로” 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오 차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로사용되고, 본원의 이해 를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자 가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되 는 정도의 용어 "~(하는) 단계” 또는 ”〜의 단계”는 의미하지 않는다.

본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합’’의 용어 는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이 상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을포함하는 것을의미한다. 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

6 본원 명세서 전체에서, 및/또는 표 "의 기재는, 또는 묘, 또는 쇼 및 묘 "를 의미한다.

본원 명세서 전체에서, 용어 "아릴”은 06-50의 방향족 탄화수소 고리기, 예를 들어, 페닐, 벤질, 나프틸, 바이페닐, 터페닐, 플루오텐, 페난트레닐, 트리페닐레 닐, 페릴레닐, 크리세닐, 플루오란테닐, 벤조플루오레닐, 벤조트리페닐레닐, 벤조 크리세닐, 안트라세닐, 스틸베닐 , 파이레닐 등의 방향족 고리를 포함하는 것을 의 미하며, "헤테로아릴”은 적어도 1 개의 헤테로 원소를 포함하는 05- 50 의 방향족 고리 로서, 예를 들어, 피롤릴, 피라지닐, 피리디닐, 인돌릴, 이소인돌릴, 푸릴, 벤조퓨 라닐, 이소벤조퓨라닐, 다이벤조퓨라닐 , 벤조티오페닐, 다이벤조티오페닐 , 퀴놀릴 기, 이소퀴놀릴, 퀴녹살리닐, 카르바졸릴, 페난트리디닐 , 아크리디닐 , 페난트롤리 닐, 티에닐, 및 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 피리다진 고리, 트리아 진 고리, 인돌 고리, 퀴놀린 고리, 아크리딘고리, 피롤리딘 고리, 디옥산 고리, 피 페리딘 고리, 모르폴린 고리, 피페라진 고리, 카르바졸 고리, 퓨란 고리, 티오펜 고리, 옥사졸 고리, 옥사디아졸 고리, 벤조옥사졸 고리, 티아졸 고리, 티아디아졸 고리, 벤조티아졸 고리, 트리아졸 고리, 이미다졸 고리, 벤조이미다졸 고리, 피란 고리, 다이벤조퓨란 고리, 다이벤조티오펜 고리로부터 형성되는 헤테로고리기를 포 함하는 것을 의미할 수 있다.

본원 명세서 전체에서 용어 ’’치환 또는 비치환”은 할로겐, 아미노기, 니트릴 기, 니트로기 또는 0020의 알킬기, 의 알콕시기 , 03^20의 시클로알킬기, 03^20의 헤테로 아릴기 및 03 3ᄋ의 헤테로아릴 기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 치환되지 않는 것 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

7 을 의미할 수 있다. 또한, 본원 명세서 전체에서 동일한 기호는 특별히 언급하지 않는 한 같은 의미를 가질 수 있다.

본원 명세서 전체에서 용어 "플루오렌 "은 9번 탄소에 결합된 수소가 치환 또 는 비치환의 (:1-20의 알킬기 , 치환 또는 비치환의 05-30의 아릴기, 또는 치환 또는 비 치환의 03-30의 헤테로아릴기로 치환된 경우를 포함할 수 있다.

본원의 제 1 측면은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.

[화학식 1]

상기 화학식 1에서,

X는 0, £또는 0¾、이고,

묘, 묘 ' , 내지 묘7은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치 환 또는 비치환의 (:1 30의 알킬기, 치환 또는 비치환의 02-030^ 알케닐기, 치환 또 는 비치환의 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 30의 설파이드기 , 치환 또는 비치환의 06^30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환의 05^30의 헤테로아릴기이며, 인 접한 복수의 ¾끼리, 끼리, 묘4끼리, 또는 요과 I?’는 서로 결합하여 환을 형성하거나 형성하지 않을 수 있고, ¾와 요4 , 묘5와 ¾ , 요5와 1^7 또는 ¾과 묘7은 서로 결합하여 환 을 형성하거나 형성하지 않을 수 있으며, 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

8 ! 및 2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 06^50의 아릴기 , 또는 치 환또는 비치환의 05^50의 헤테로아릴기이며,

은 직접결합, 치환또는 비치환의 06^30의 아릴텐기, 또는 치환 또는 비치 환의 05^30의 헤테로아릴렌기이고,

2는 치환 또는 비치환의 06^30의 아릴텐기 , 또는 치환또는 비치환의 05~030 의 헤테로아릴렌기이며,

1은 0 또는 1 내지 4의 정수이고, III은 0 또는 1 내지 3의 정수이고, II은 0 또는 1 내지 2의 정수이며,

상기 이상인 같거나다를수 있다.

본 발명의 일 구현예에따른 화합물은 선형 연결된 2개의 3환축합고리기(다 이벤조퓨란, 다이벤조티오펜 또는 플루오렌과 다이벤조티오펜)를 아릴아민의 질소 에 연결함으로써 발광보조층에 적합한 깊은 H0M0 레벨을 형성하고, 이에 따라 저전 압 및 고효율의 유기 발광소자를 구현할수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 다이벤조티오펜의 1번 또는 4번 을 아릴아민의 질소와의 연결위치로 하고, 다이벤조티오펜의 6번, 8번 또는 9번을 연결위치로 하여 3환 축합고리가 추가로 결합됨으로써 높은 1110 및 II를 유지할 수 있다. 이에 따라 발광층내 엑시톤 가둠효과가 극대화되어 고효율의 유기 발광 소자를구현할수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 아릴아민의 일측에 다이벤조티 오펜을 통하여 3환 축합 고리기(다이벤조퓨란, 다이벤조티오펜 또는 플루오텐)가 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

9 연결되어 파이컨주게이션이 증가하고 홀 모빌리티(此 ¾10비1 가 개선되어 롤오 프현상 억제를 통한 장수명의 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물은 아릴아민의 일측에 다이벤조티 오펜을 통하여 전자 내성이 우수한 3환 축합 고리기(다이벤조퓨란, 다이벤조티오펜 또는 플루오렌)가 연결되어 높은 § 를 형성하여 박막 재결정화를 방지할 수 있고, 동시에 유기 발광 소자의 구동 안정성을 확보하여 장수명의 유가발광 소자를 구현 할 수 있다.

본 발명의 일 구현예에서, 상기 화합물은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.

[화학식 到

및 II은 상기 화학식 1에서의 정의 와 같고,

은 수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환의 레3()의 알킬 기, 치환 또는 비치환의 己~(: 3 ()의 알케닐기 , 치환 또는 비치환의 (:1~( 의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 (:1 30의 설파이드기 , 치환 또는 비치환의 。6~<:3◦의 아릴기 , 또는 치환 또는 비치환의 05^30의 헤테로아릴기이며, 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

10

I)는 1 내지 4의 정수이고, I)가 2 이상인 경우 은 서로 같거나 다를 수 있 다.

상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 상기 화학식 1에서 느2가 1 내지 4개의 페닐렌으로 연결된 구조이다. 이러한 경우, 페닐렌기로 인해 화합물의 높은 II을 유지할 수 있어, 엑시톤 차단에 더욱이 효과적일 수 있다.

본 발명의 일 구현예에서, 상기 화합물은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있 다.

[화학식 3]

!!은 상기 화학식 1에서의 정의와 같고,

묘8은 수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기 , 치환 또는 비치환의 ~(: 3 ()의 알킬 기, 치환 또는 비치환의 02^30의 알케닐기 , 치환 또는 비치환의 (:1 30의 알콕시기 , 치환 또는 비치환의 01-030^ 설파이드기, 치환 또는 비치환의 06^30의 아릴기 , 또는 치환 또는 비치환의 05^30의 헤테로아릴기이며,

I)는 1 내지 4의 정수이고, 13가 2 이상인 경우 은 서로 같거나 다를 수 있 다. 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

11 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 상기 화학식 1에서 1 ^2 가 1 내지 4개의 페닐렌으로 연결되며, 이 직접결합된 구조이다. 이러한 경우, 연결기를 최소화함 으로써 파이컨쥬게이션을 줄여 높은 II 유지 및 발광보조층에 용이한 깊은 }!(■)를 형성할수 있어, 발광효율 개선에 효과적일 수 있다.

본 발명의 일 구현예에서 , 상기 화합물은 하기 화학식 4또는화학식 5로 표 시될 수 있다.

[화학식 4]

상기 화학식 4 및 화학식 5에서,

X, 2, 묘, , 내지 요7, 1, 01, 및 !!는 상기 화학식 1에서의 정의와 같고,

I)는 1 내지 4의 정수이고, 13가 2 이상인 경우 은 서로 같거나 다를 수 있 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

12 다.

상기 화학식 4또는 화학식 5로 표시되는 화합물은 상기 화학식 1에서다이벤 조티오펜의 4번 또는 1번을 연결위치로 페닐렌과 결합하는구조이다.

또한, 상기 3환축합고리 화합물의 연결 위치 번호는 하기와같을수 있다.

본 발명의 일 구현예에서 , 상기 화합물은 하기 화학식 6또는 화학식 7로 표 시될 수 있다.

[화학식 6]

2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

13

[화학식 7]

및 !!는상기 화학식 1에서의 정의와같고,

5 3 는 1 내지 4의 정수이고, 가 2 이상인 경우 은 서로 같거나 다를 수 있 다.

상기 화학식 6으로 표시되는 화합물은 상기 화학식 1에서 다이벤조티오펜의 4번 위치가 1개 내지 4개의 페닐텐기를 통하여 질소와 연결되고, 다이벤조티오펜의 6번 위치에 )(를 포함하는 3환 축합고리가 연결되며, 5(를 포함하는 3환 축합고리는 4번(X가 0또는 £인 경우) 또는 1번(X가(:인 경우)을 연결위치로 하는구조이다. 상기 화학식 7로 표시되는 화합물은 상기 화학식 1에서 다이벤조티오펜의 4 번 위치가 1개 내지 4개의 페닐텐기를 통하여 질소와 연결되고, 다이벤조티오펜의 6번 위치에 X를 포함하는 3환 축합고리가 연결되며, X를 포함하는 3환 축합고리는 2번(X가 0또는 인 경우) 또는 3번(X가(:인 경우)을 연결위치로 하는구조이다. 이러한 경우, 분자의 뒤틀림 각을크게 할수 있어 동시에 높은 匕1«0를 형성하고, 높은 II 유지로 전자차단 및 엑시톤 가둠 효과를 극대화하여 낮 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

14 은구동전압과고효율 및 장수명의 특성을구현할수 있다.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 내지 화학식 7에서 상기 묘1 내지 ¾은 각각독립적으로수소, 또는 페닐기일 수 있다.

구체적으로상기 ¾내지 은모두수소일 수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 내지 화학식 7에서 상 기 X는 0일 수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 내지 화학식 7에서 상 기 X는 £일 수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 1 및 2 는각각독립적으로 페 닐, 나프틸, 비페닐, 터페닐, 플루오렌, 디알킬플루오랜, 다이벤조퓨란, 다이벤조 티오펜 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 紅1 및 2는 각각독립적으로 페 닐, 비페닐, 터페닐, 플루오렌, 디알킬플루오렌 및 아들의 조합으로 이루어진 군에 서 선택될 수 있다.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1에서 상기 및 1 ^2 는 각각 독 립적으로 직접결합, 페닐렌, 바이페닐텐, 터페닐렌 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1에서 상기 는 적어도 하나의 1, 4 -페닐렌 또는 1, 3 -페닐텐을포함하는 치환또는 비치환의 06^24의 아릴렌 일 수 있다.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1에서 상기 紅1, 2 및 1 >2 중 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

15 적어도 하나는 메타 결합을 갖는 페닐텐기를 포함할수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면 , 상기 紅: 및 紅2는 각각독립적으로 메 타 결합을 갖는 페닐, 비페닐, 메타 결합을 갖는 터페닐, 1번, 3번 및 4번 위치의 결합을 갖는 플루오렌 또는 1번, 3번 및 4번 위치의 결합을 갖는 디알킬플루오렌일 수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1에서 하기 3) 내지 0) 중 어느 하나 이상을 만족할수 있다:

크) 1 및 2는 비페닐기;

^ ! 및 2중 적어도 하나는 6원환만으로구성된 4이상의 아릴기; 및 0) 1 >2 는 ( 이상의 아릴렌기 중 적어도 하나이다.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기의 화합물 중 어느 하나일 수 있으며, 이에 제한되지 않을수 있다:



2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

45

본원의 제 2 측면은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 상기 유기 발광 소자는 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 본원에 따 른 화합물을 함유하는유기물층을 1층 이상포함할수 있다.

본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 유기물충은 정공주입층, 정공수송층 및 발광보조충일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 또한 본 발명의 화합물은 유기층을 형성할 때 단독으로사용되거나공지의 화합물과함께 사용될 수 있다. 본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 유기 발광소자는 정공수송물질을 함유 하는 유기물층 및 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하는 유기물층을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않을수 있다.

상기 유기 발광 소자는 애노드(«10( )와 캐소드(0^110(16) 사이에 정공주입 층어 ), 정공수송층어11), 발광층犯 ), 전자수송층犯!1), 전자주입충( 니 등의 유기물층을 1층 이상포함할수 있다.

예를들어, 상기 유기 발광소자는 도 1에 기재된 구조와 같이 제조될 수 있 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

46 다. 유기 발광 소자는 아래로부터 애노드 (정공주입전극 ( 1000) ) / 정공주입층 (200) / 정공수송층 (300) / 발광층 (400) / 전자수송층 (500) / 전자주입층 (600) / 캐소드 (전자주입전극 (2000) ) 순으로 적층될 수 있다.

도 1에서 기판 ( 100)은 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있으 며, 특히 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면평활성, 취급용이성, 및 방수성 이 우수한투명한유리 기판또는플렉시블이 가능한플라스틱 기판일 수 있다.

정공주입전극 ( 1000)은 유기 발광 소자의 정공 주입을 위한 애노드로 사용된 다. 정공의 주입이 가능하도록 낮은 일함수를 갖는 물질을 이용하며, 인둠틴옥사이 드 ( 0) , 인둠징크옥사이드 ( 1¾)) , 그래핀 (奸크的에 과 같은 투명한 재질로 형성될 수 있다.

상기 애노드 전극상부에 정공주입층물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트 법, 내(1 1 1-비0(¾ 0법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 정공주입층 (200)을 형성할 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 정공주입층을 형성하는 경우 그 증착조건 은 정공주입충 (200)의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 정공주입층의 구조 및 열적특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 50-500 ° (:의 증착온도, 10 '8 내지 10_ 3 의 진공도, 0.01 내지 100 入八 의 증착속도, 10 入 내지 5 의 층 두께 범 위에서 적절히 선택할수 있다.

다음으로 상기 정공주입층 (200) 상부에 정공수송층 물질을 진공증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, 등과 같은 방법에 의해 증착하여 정공수송층 (300)을 형성 할 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 정공수송층을 형성하는 경우 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

47 건 범위에서 선택하는 것이 좋다.

상기 정공수송층 (300)은 본 발명에 따른 화합물을 사용할 수 있으며, 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물을 단독으로 사용하거나공지의 화합물을 함께 사 용할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면 정공수송층 (300)은 1층 이상일 수 있으며, 공지의 물질로만 형성된 정공수송층을 함께 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면 상기 정공수송층 (300) 상에 발광보조층을 형성할 수 있 다.

상기 정공수송층 (300) 또는 발광보조층 상부에 발광충 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, 방법에 의해 증착하여 발광층 (400)을 형성 할 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 발광층을 형성하는 경우 그 증착조건은 사용 하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 또한, 상기 발광층 재료는 공지의 화합물을 호스트 또는 도펀트로 사용할 수 있다.

또한, 발광층에 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항여기자 또는 정 공이 전자수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여 정공억제재료대此)를 추가 로 진공증착법 또는 스핀코팅법에 의해 적층시킬 수 있다. 이때 사용할 수 있는 정 공억제물질은 특별히 제한되지는 않으나, 정공억제재료로 사용되고 있는 공지의 것 에서 임의의 것을 선택해서 이용할 수 있다. 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리 아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 또는 일본특개평 11-329734( )에 기재되어 있는 정공억제재료 등을 들 수 있으며, 대표적으로 -하이드록시 -2 -메틸퀴놀 리놀나토)-알루미늄 비페녹사이드), 페난트롤린 ( 6113111; 01 )계 화합물 (예: 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

48

110(:사臥王 (바쏘쿠프로인) ) 등을사용할수 있다.

상기와 같이 형성된 발광층 (400) 상부에는 전자수송층 (500)이 형성되는데, 이때 상기 전자수송층은 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성할 수 있다. 또한, 상기 전자수송층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과거의 동일한조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 그 뒤 , 상기 전자수송층 (500) 상부에 전자주입층 물질을 증착하여 전자주입 층 (600)을 형성할 수 있으며, 이때 상기 전자수송층은 통상의 전자주입층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성할수 있다.

상기유기발광소자의 정공주입층 (200) , 정공수송층 (300) , 발광층 (400) , 전자 수송증 (500)는 본 발명에 따른 화합물을사용하거나 아래와같은 물질을사용할수 있으며, 또는본 발명에 따른화합물과공지의 물질을 함께 사용할수 있다.

2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

49 전자주입층 (600) 위에 전자 주입을 위한 캐소드 (2000)을 진공증착법이나 스 퍼터링법 등의 방법에 의해 형성한다. 캐소드로는 다양한 금속이 사용될 수 있다. 구체적인 예로 알루미늄, 금, 은등의 물질이 있다.

본 발명의 유기 발광 소자는애노드, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자주입층, 캐소드 구조의 유기 발광 소자뿐만 아니라, 다양한 구조의 유 기 발광 소자의 구조가 가능하며, 필요에 따라 1층 또는 2층의 중간층을 더 형성하 는 것도 가능하다.

상기와 같이 본 발명에 따라 형성되는 각 유기물층의 두께는 요구되는 정도 에 따라 조절할 수 있으며, 구체적으로는 1 내지 1 , 000 때이며, 더욱 구체적으로는 5 내지 200 있다.

또한본 발명은상기 화학식 1로 표시되는 화합물을포함하는유기물층은 유 기물층의 두께를 분자 단위로 조절할 수 있기 때문에 표면이 균일하며, 형태안정성 이 뛰어난장점이 있다.

본 측면에 따른 유기 발광 화합물에 대하여 본원의 제 1 측면에 대하여 기재 된 내용이 모두 적용될 수 있으나, 이에 제한되지 않을수 있다. 이하, 본원의 실시예를 통하여 보다구체적으로 설명하며, 본실시예에 의하 여 본원의 범위가제한되는 것은 아니다.

[실시예 ]

화학식 1로 표시되는 화합물의 합성 2019/190272 1»(:1/10公019/003725

50 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기와 같은 반응을 통하여 합성될 수 있으 며, 이에 제한되지 않는다.

중가체 ¾의 합성

목적 화합물 합성을 위해 중간체 은 하기와 같은 반응을 통하여 합성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.

중간체 I 의 합성 중간체 1은하기와같은방법으로 합성하였다.

둥근바닥플라스크에 dibenzo[b, d] furan-4-ylboronic acid 20. Og, 4, 6- dibromodibenzo[b,d] thiophene 35.5g을 1 ,4-dioxan 850ml에 녹이고 K2(X) 3 (2M) 140ml 와 Pd(PPh 3 )43.3g을 넣은 후 환류 교반하였다. TLC로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결시켰다. 유기층을 로추출하고 감압여과한후 재결정하여 중간체 IM1-1 (25. lg, 수율 62%)을 얻었다.

둥근바닥플라스크에 상기 W1-1 25.0g, bis(pinacolato)diboron 19.2g을 1 , 4- dioxan 450ml에 녹이고 K0Acl7.1g과 Pd(dppf )Ch0.2g을 넣은 후 환류 교반하였다. TLC로 반응을 확인하고 물을 첨가후 반응을종결시켰다. 유기증을 MC로 주출하고 감압여과한후재결정하여 중간체 IM1-2 (20.8g, 수율 75%)을 얻었다.

둥근바닥플라스크에 상기 IM1-2 20.0g, 1-br omo-4- i odobenzene 13.1g을 1 ,4- dioxan 500ml에 녹이고 K2C0S(2M) 63ml와 Pd(PPh 3 ) 4 1.5g을 넣은 후 환류 교반하였 다. TLC로 반응을 확인하고 물을 첨가후 반응을 종결시켰다. 유기층을【로 추 출하고감압여과한후재결정하여 중간체 IM1 (13.3g, 수율 63%)을 얻었다.

중가체 IM2내지 IM7의 함성

하기 표 1과같이 출발물질을달리하여, 상기 IM1과같은방법으로하기 IM2 내지 7을합성하였다. 2019/190272 1 » (:1/10公019/003725

52

[표 1]

실시예 1 내지 15: 화합물 합성

상기 중간체 »1 내지 ¾7을사용하여 목적 화합물 1내지 15를 합성하였다. 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

53 실시예 1 : 화합물 1의 합성

둥근바닥플라스크에 ¾13.0당, ([1,1’- {3110 1]-4-;71)311^116 2.1당,1;-13110

0.9용, ?(12((¾8)30.2g, (1:-1311)3? 0.¾11를 톨루엔 801111에 녹인 후 환류 교반하였다. 孔(:로 반응을 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 로 추출하고 감압여과한 후 컬럼정제 및 재결정하여 화합물 1 2.8 8 (수율 65%)을 얻었다.

111/2: 745.24 (100.0%), 746.25 (58.湖), 747.25 (17.7%), 747.24 (4.7%), 748.25 (3.5%), 748.24 (2.7%), 746.24 (1.2%)

실시예 2 : 화합물 2의 합성

([1,1 !〕1611 1]-4-71) 11½ 대신 1사-([1,1’- 1)1161171]-4-71)-9,9- 0161±기-9}{ 1110 11-2-3 1½ 을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 2를 합 성하였다 (수율 65%).

m/z : 785.28 (100.0%), 786.28 (62.1%), 787.28 (19.9%), 787.27 (4.5%), 788.29 (3.8%), 788.27 (2.8%), 786.27 (1.2%) 실시예 3 : 화합물 3의 합성

( [1, 1’ -1) 61¾] ]-4- 1)則3 6 대신 ^([1,1 '-51 1 ] -4- 1)-9, 9 - dimethyl -9H- f 1 uor en-3-am i ne 을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 3을 합 성하였다 (수율 60%).

m/z: 785.28 (100.0%), 786.28 (62.1%), 787.28 (19.9%), 787.27 (4.5%), 788.29 (3.湖), 788.27 (2.8%), 786.27 (1.2%) .

실시예 4 : 화합물 4의 함성

( [ 1, 1’이 3 61171 ] -4- 1 ) !½ 대신 N-( [1, 1' -biphenyl ]-4-yl)-9,9 - 11161:1171-9}1-£ 1110 11-4-311^116을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 4를 합성 하였다 (수율 66%).

785.28 (100.0%), 786.28 (62.1%), 787.28 (19.9%), 787.27 (4.5%),

788.29 (3.8%), 788.27 (2.8%), 786.27 (1.2%) 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

55 실시예 5 : 화합물 5의 합성

1¾11 대신 1¾16을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 5를 합성하였다 (수율 70%).

미八 : 821.28 (100.0%), 822.28 (65.4%), 823.28 (22.0%), 823.27 (4.5%), 824.29 (4.4%), 824.27 (2:9%), 822.27 (1.2%), 825.28 (1.0%)

실시예 6 : 화합물 6의 합성

»1 대신 1¾17을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 6을 합성하였다 (수율 67%).

미八 : 821.28 (100.0%), 822.28 (65.4%), 823.28 (22.0%), 823.27 (4.5%), 824.29 (4.4%), 824.27 (2.9%), 822.27 (1.2%), 825.28 (1.0%) 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

56 실시예 7 : 화합물 7의 합성

1¾1 대신 1¾12를 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 7을 합성하였다 (수율 65%).

^1-. 745.24 (100.0%), 746.25 (58.8%), 747.25 (17.7%), 747.24 (4.7%), 748.25 (3.5%), 748.24 (2.7%), 746.24 (1.2%)

실시예 8 : 화합물 8의 합성

«1 대신 3을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 8을 합성하였다 (수율 63%).

마 : 761.22 (100.0%), 762.22 (60.4%), 763.23 (17.0%), 763.22 (10.2%), 764.22 (5.5%), 764.23 (3.5%), 765.22 (1.6%) 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

57 실시예 9 : 화합물 9의 합성

ml 대신 4를 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 9를 합성하였다 (수율 65%).

미/ : 761.22 (100.0%), 762.22 (60.4%), 763.23 (17.0%), 763.22 (10.2%), 764.22 (5.5%), 764.23 (3.5%), 765.22 (1.6%)

실시예 10 : 화합물 10의 합성

¾1 대신 1 5를 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 10을 합성하였다 (수율 61%).

2,/. 771.30 (100.0%), 772.30 (62.9%), 773.30 (19.4%), 773.29 (4.5%), 774.31 (3.8%), 774.30 (3.0%) 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

58 실시예 11 : 화합물 11의 합성

([1,1’- !)1611>1:卜4- 1)에 116 대신 I、卜 6!1 1-[1, 1’ :4’ , 1'’-호 1)11611>,1:卜 4 - 꽤 6을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로화합물 11을 합성하였다 (수율 62%). 미八 : 745.24 (100.0%), 746.25 (58.8%), 747.25 (17.7%), 747.24 (4.7%), 748.25 (3.5%), 748.24 (2.7%), 746.24 (1.2%)

실시예 12 : 화합물 12의 합성

(11 ( [1, 1’-1 11611 1卜네^ 祀 대신 1 -( [1, 1,_비1 ) 116 ] ¾]]_4_ 1 )-

[ ' 1, 1’ :3’ 1’’아6대1½ 11 기 ]-4-꽤 6 을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 12 를 합성하였다 (수율 60%).

01八 : 821.28 (100.0%), 822.28 (65.4%), 823.28 (22.0%), 823.27 (4.5%),

824.29 (4.4%), 824.27 (2.9%), 822.27 (1.2%), 825.28 (1.0%) 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

59 실시예 13 : 화합물 13의 함성

59%) .

111/2: 897.31 (100.0%), 898.31 (72.7%), 899.31 (26.2%), 900.32 (5.9%), 899.30 (4.5%), 900.31 (3.7%), 901.31 (1.2%), 901.32 (1.1%)

실시예 14 : 화합물 14의 합성

[1,1’- 如611기]-4-3 116을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 14를 합성 하였다 (수율 64%).

111/2: 845.28 (100.0%), 846.28 (67.5%), 847.28 (23.4%), 848.29 (4.9%),

847.27 (4.5%), 848.27 (3.0%), 846.27 (1.2%), 849.28 (1.1%) 실시예 15 : 화합물 15의 합성

di ( [ 1 , 1 ' _ b i pheny 1 ] -4-y 1 ) amine 대신 N-( [1 , 1 ' -biphenyl ] -4-y 1 ) t r i pheny 1 en- 2-amine을 이용하여 화합물 1과 같은 방법으로 화합물 15를 합성하였다 (수율 62%) .

m/z: 819.26 (100.0%) , 820.26 (66. 1%) , 821.27 (21.0%) , 821.26 (5.5%) , 822.27 (4.7%) , 822.26 (3.0%)

심시예 16내지 30 : 유기 발광소자 제조

실시예 16

인둠틴옥사이드 ( IT0)가 1500 A 두께가 박막코팅된 유리 기판을 증류수 초음 파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송시킨 다음 산소 플 라즈마를 이용하여 상기 기관을 5분간 세정한 후 IT0 기판 상부에 열 진공 증착 기 (thermal evaporator)를 이용하여 정공주입충 HI01 600 A , HATCN 50 A , 정공수 송층으로 HT01 250 A , 발광보조층으로 화합물 1 100 A 을 제막한 후 상기 발광층 으로 BH01:BD01 3¾로 도핑하여 250 A 제막하였다. 다음으로 전자전달층으로 ET01:Liq(l:l) 300 A 제막한 후 LiF 10 A , 알루미늄 (Al ) 1000 A 제막하고, 이 소자를 글로브 박스에서 밀봉 (Encapsulat ion)함으로써 유기발광소자를 제작하였다. 실시예 17내지 실시예 30

실시예 16과 같은 방법으로 화합물 1대신 화합물 2내지 15를사용하여 제막한 유기발광소자를 제작하였다 .

비교예 1내지 비교예 8

실시예 16과 같은 방법으로 화합물 1대신 1¾ 1 내지 1¾ 8을사용하여 제막 한유기발광소자를 제작하였다.

유기발광소자의 성능평가

키슬리 2400 소스 메져먼트유닛 (Kiethley 2400 source measurement uni t ) 으 로 전압을 인가하여 전자 및 정공을 주입하고 코니카미놀타 (Konica Minol ta) 분광 복사계 (CS-2000)를 이용하여 빛이 방출될 때의 휘도를 측정함으로써, 실시예 16 내 지 30 및 비교예 1 내지 8의 유기 발광 소자의 성능을 인가전압에 대한 전류 밀도 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

62 및 휘도를 대기압 조건하에 측정하여 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내 었다.

[표 2]

상기 표 2에 나타나는 바와 같이, 정공수송층으로 본 발명의 화합물을 사용 한 실시예 16 내지 30은 비교예 1 내지 비교예 8과 비교하여 효율 및 수명이 상승 하는 것을 확인할수 있다.

보다구체적으로, 비교예 1 , 2과 비교하여, 실시예 16내지 30은 아릴아민의 일측에 2개의 3환 축합고리가 선형으로 연결된 치환기를 가져 빠른 홀 모빌리 티 (Hole Mobility)를 가질 수 있다.

또한, 비교예 3과 비교하여, 실시예 16 내지 30은 아릴아민의 일측에 2개의 3환 축합고리가 연결된 치환기를 가져 높은 LUMO, T1 및 Tg를 유지함으로서 발광층 내 엑시톤 가둠 효과를 극대화할 수 있고, 구동안정성이 우수한 유기 발광 소자를 구현할수 있다.

또한, 비교예 4, 5와 비교하여, 실시예 16 내지 30은 다이벤조티오펜과 질소 사이에 연결기를 가져 깊은 HOMO를 유지하고, 파이컨쥬게이션 증가로 빠른 홀 모빌 리티 (Hole Mobility)를통한롤오프 현상을 억제할수 있다.

또한, 비교예 6, 7, 8과 비교하여, 실시예 16 내지 30은 다이벤조티오펜의 1 번 또는 4번 위치가 페닐렌 또는 비페닐렌을 통해 질소와 연결되고, 동시에 다이벤 조티오펜의 6번, 8번 또는 9번 위치에 3환 축합고리기가 연결되어 분자의 뒤틀림각 을 크게하여 깊은 H0M0와 동시에 높은 LUM0 및 을 유지하여 전자차단 및 엑시톤 가둠 효과를 극대화할 수 있고, 낮은 구동전압과 효율 및 수명이 크게 개선된 유기 발광소자를 구현할수 있다.

또한, 실시예 27 및 28은 메타 결합을 갖는 페닐렌을 포함하여 더욱 깊은 H0M0를 가져 효율 및 수명이 더욱 향상되었다. 전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상 의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다 른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므 2019/190272 1»(:1^1{2019/003725

64 로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으 로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산 되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나 타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위, 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. [부호의 설명]

100: 기판

200: 정공주입층

300: 정공수송층

400: 발광층

500: 전자수송층

600: 전자주입층

1000: 애노드

2000: 캐소드