【발명의 명칭】

신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자 【기술분야】

관련 출원 (들)과의 상호 인용

본 출원은 2017년 6월 21일자 한국 특허 출원 게 10-20Γ7-0078693호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며， 해당 한국 특허 출원의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다. 본 발명은 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

【발명의 배경이 되는 기술】

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 휴기 발광 소자는 넓은 시야각， 우수한 콘트라스트, 빠른 웅답 시간을 가지며， 휘도， 구동 전압 및 웅답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다. 유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물 층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물 층은 유기 발광 소자의 효을과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며， 예컨대 정공주입층， 정공수송층， 발광층， 전자수송층， 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이， 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고， 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤 (exci ton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 펄어질 때 빛이 나게 된다. 상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.

【선행기술문헌】 【특허문헌】

(특허문헌 1) 한국특허 공개번호 제 1으2000-0051826호

【발명의 내용】

【해결하고자 하는 과제】

본 발명은 신규한 해테로고리 화합물 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

【과제의 해결 수단】

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.

상기 화학식 1에서，

Ri 및 ¾는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 d-60의 알킬; 또는 치환 또는 비치환된 C ₆ - ₆₀ 아릴이고，

Li , L ₂ 및 L ₃ 는 각각 독립적으로 직접 결합; 치환 또는 비치환된 C ₆ - ₆₀ 아릴렌; 또는 N, 0， S 및 Si로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 C ₂ - ₆₀ 헤테로아릴렌이고，

Xi 내지 ¾은 각각 독립적으로 N 또는 CR' 이고， 단， 이들 중 적어도 하나 이상이 N이고，

R' 은 수소 또는 치환 또는 비치환된 ( ₆₀ 의 알킬이고， An 및 Ar ₂ 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C ₆ - ₆₀ 아릴이다. 또한， 본 발명은 게 1 전극; 상기 게 1 전극과 대향하여 구비된 제 2 전극; 및 상기 게 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서， 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는， 유기 발광 소자를 제공한다.

[발명의 효과】

상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물 층의 재료로서 사용될 수 있으며, 유기 발광 소자에서 효율의 향상， 낮은 구동전압 및 /또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히， 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공주입， 정공수송， 정공주입 및 수송， 발광, 전자수송， 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다. 【도면의 간단한 설명】

도 1은 기판 ( 1)， 양극 (2)， 발광층 (3)， 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.

도 2는 기판 ( 1) , 양극 (2)， 정공주입층 (5)， 정공수송층 (6)， 발광층 (7)， 전자수송층 (8) 및 음극 (4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.

【발명을 실시하기 위한 구체적인 내용】

이하， 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다. 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미한다. 본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, 0 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나， 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기 "는 비페닐기일 수 있다. 즉， 비페닐기는 아릴기일 수도 있고， 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다. 본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나，

본 명세서에 있어서， 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄， 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로， 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나， 이에 한정되 것은 아니다.

본 명세서에 있어서， 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물ᄋ 될 수 있

본 명세서에 있어서， 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기， 트리에틸실릴기， t-부틸디메틸실릴기， 비닐디메틸실릴기， 프로필디메틸실릴기， 트리페닐실릴기， 디페닐실릴기， 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서, 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기， 트리에틸붕소기， t-부틸디메틸붕소기， 트리페닐붕소기， 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 할로겐기의 예로는 불소， 염소， 브롬 또는 요오드가 있다. 본 명세서에 있어서， 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고 , 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나와 실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸， 에틸， 프로필， n-프로필， 이소프로필， 부틸, n-부틸， 이소부틸， tert-부틸， sec-부틸， 1_메틸- 부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸， n-펜틸， 이소펜틸， 네오펜틸， tert-펜틸， 핵실， n- 핵실， 1-메틸펜틸， 2-메틸펜틸, 4-메틸 -2ᅳ펜틸， 3 , 3-디메틸부틸， 2-에틸부틸， 헵틸， n-헵틸， 1-메틸핵실， 사이클로펜틸메틸，사이클로핵틸메틸， 옥틸， n-옥틸， tert-옥틸， 1-메틸헵틸, 2ᅳ에틸핵실， 2-프로필펜틸， n_노닐， 2，2ᅳ디메틸헵틸, 1- 에틸-프로필， 1，1-디메틸-프로필， 이소핵실， 2-메틸펜틸， 4-메틸핵실, 5- 메틸핵실 등이 있으나， 이들에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나， 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐， 1—프로페닐， 이소프로페닐， 1-부테닐， 2-부테닐， 3-부테닐， 1-펜테닐， 2-펜테닐， 3-펜테닐， 3-메틸 -1-부테닐, 1， 3-부타디에닐， 알릴， 1-페닐비닐 -1-일， 2-페닐비닐 -1-일， 2，2-디페닐비닐 -1-일， 2-페닐 -2- (나프틸 -1-일)비닐 -1-일， 2，2-비스 (디페닐 -1- 일)비닐 -1-일, 스틸베닐기， 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며， 일 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필， 사이클로부틸， 사이클로펜틸, 3-메틸사이클로펜틸， 2 , 3ᅳ디메틸사이클로펜틸， 사이클로핵실， 3- 메틸사이클로핵실， 4—메틸사이클로핵실， 2， 3-디메틸사이클로핵실， 3 , 4， 5- 트리메틸사이클로핵실， 4-tert-부틸사이클로핵실， 사이클로헵틸， 사이클로옥틸 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며， 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면， 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면， 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기， 터페닐기 등이 될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기， 안트라세닐기， 페난트릴기， 파이레닐기， 페릴레닐기， 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서， 플루오레닐기는 치환될 수 있고， 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는

등。 될 수 있다. 다만， 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종 원소로 얘 N , Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기， 퓨란기， 피를기， 이미다졸기， 티아졸기， 옥사졸기， 옥사디아졸기， 트리아졸기， 피리딜기， 비피리딜기， 피리미딜기， 트리아진기， 트리아졸기, 아크리딜기， 피리다진기， 피라지닐기, 퀴놀리닐기， 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기， 프탈라지닐기， 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기， 피라지노 피라지닐기， 이소퀴놀린기， 인돌기， 카바졸기, 벤조옥사졸기， 벤조이미다졸기， 벤조티아졸기, 벤조카바졸기， 벤조티오펜기， 디벤조티오펜기， 벤조퓨라닐기， 페난쓰를된기 (phenanthrol ine) , 티아졸릴기， 이소옥사졸릴기， 옥사디아졸릴기， 티아디아졸릴기， 벤조티아졸릴기， 페노티아지닐기 및 디 _. 벤조퓨라닐기 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서， 아르알킬기, 아르알케닐기， 알킬아릴기, 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 아르알킬기， 알킬아릴기， 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 헤테로아릴아민 증 헤테로아릴은 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 았어서， 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 탄화수소 고리는 1가기가 아니고， 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 헤테로고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 바람직하게는， 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-5로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나일 수 .있다.

[화학식 1-3]

[화학식 1-5]

바람직하게는， ¾ 및 R ₂ 는 각각 독립적으로 메틸 또는 벤질일 수 있다. 바람직하게는， ， 및 L ₃ 는 각각 독립작으로 하기로 구성되는

직하게는， ， 및 L ₃ 는 각각 독립적으로 직접결합 또는 바람직하게는， A 및 Ar ₂ 는 각각 독립적으로 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인， 화합물:

바람직하게는， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은， 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다.

ΪΖ.8ΐ700/8ΐ0ΖΗΜ/Χ3<Ι 0 )9εΖ/8ΐ0Ζ OAV ετ

0 )9εΖ/8ΐ0Ζ OAV

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0 )9εΖ/8ΐ0Ζ OAV 91

LI

ΪΖ.8ΐ700/8ΐ0ΖΗΜ/Χ3<Ι 0 )9εΖ/8ΐ0Ζ OAV

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상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 반웅식 1 내지 4를 거쳐 제조할 수 있다. 본 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다.

먼저， 반웅식 1-1 내지 1-3을 따라서， 제 1 중간체 1， 2 , 3이 제조될 수 있다.

[반웅식 1-1]

4

[반웅식 1-2]

[반웅식 1-3]

다음으로， 제 1 중간체 1 2 3을 반응물로 반웅식 2를 따라세 제 2 중간체인 4 5 , 6이 제조될 수 있다.

[반웅식 2]

P - Pd{dba)2/ PCy3

-

1 W ί KOAc

Dioxane

Reflux

마지막으 제 2 중간체 4 5 , 6을 반웅물로 반웅식 3을 따라서， 본 발명의 화학식 1의 화합물이 제조될 수 있다. [반웅식 3]

제 2 중간체를 거치는 경우， Li 이 직접결합이 되는 경우의 화합물이 제조될 수 있다. 본 발명의 다른 알 구현예에 따르면， 제 1 중간체 1 2 3을 반웅물로 반웅식 4를 따라서， 본 발명의 화학식 1의 화합물이 제조될 수 있다.

[반웅식 4]

상기 반웅식 1-1 내지 1-3 , 반웅식 2 3 4에서， ， R ₂ , Li, L ₂ , L ₃ , Ar _{1 ;} 및 는 앞서 정의한 바와 같다.

또한， 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로， 본 발명은 제 1 전극; 상기 게 1 전극과 대향하여 구비된 게 2 전극; 및 상기 게 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서， 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다. 본 발명의 유기 발광 소자의 유기물 층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나， 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대， 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물 층으로서 정공주입층， 정공수송층， 발광층， 전자수송층， 전자주입층 둥을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기물 층은 정공주밉층， 정공수송층, 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층을 포함할 수 있고， 상기 정공주입층， 정공수송층， 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 또한， 상기 유기물 층은 발광층을 포함할 수 있고， 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 또한， 상기 유기물 충은 전자수송층， 또는 전자주입층을 포함할 수 있고， 상기 전자수송층, 또는 전자주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 또한， 상기 전자수송층， 전자주입층， 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 또한， 상기 유기물 층은 발광층 및 전자수송층을 포함하고， 상기 전자수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 또한， 본 발명에 따른 유기 발광 소자는， 기판 상에 양극， 1층 이상의 유기물 층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조 (normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한， 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극， 1층 이상의 유기물 층 및 양극이 순차적으로 적충된 역방향 구조 ( inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대， 본 발명의 ^ᅵ 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다. 도 1은 기판 ( 1)， 양극 (2)， 발광층 (3) , 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다. 도 2는 기판 ( 1)， 양극 (2)， 정공주입층 (5)， 정공수송층 (6)， 발광층 (7)， 전자수송층 (8) 및 음극 (4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층， 정공수송층， 발광층 및 전자수송층 중 1층 이상에 포함될 수 았다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 유기물 층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한， 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우， 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. 예컨대， 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제 1 전극， 유기물층 및 제 2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때， 스퍼터링법 (sputter ing)이나 전자빔 증발법 (e-beam evaporat ion)과 같은 PVDCphysi cal Vapor Deposi t ion)방법을 이용하여， 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고， 그 위에 정공 주입층， 정공 수송층， 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물 층을 형성한 후， .그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도， 기판 상에 음극 물질부터 유기물층， 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. 또한， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물 층으로 형성될 수 있다. 여기서， 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅， 딥코팅， 닥터 블레이딩， 잉크젯 프린팅， 스크린 프린팅， 스프레이법， 롤 코팅 등을 의미하지만， 이들만으로 한정되는 것은 아니다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다 OTO 2003/012890) . 다만， 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로， 상기 제 1 전극은 양극이고， 상기 제 2 전극은 음극이거나， 또는 상기 제 1 전극은 음극이고， 상기 제 2 전극은 양극이다. 상기 양극 물질로는 통상 유기물 층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐， 크롬， 구리, 아연， 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물， 인듐 산화물， 인듐주석 산화물 ( ΠΌ) , 인듐아연 산화물 ( IZ0)과 같은 금속 산화물; Ζη0:Α1 또는 SN0 ₂ : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3-메틸티오펜) , 폴리 [3 , 4— (에틸렌- 1，2-디옥시)티오펜] (?£1)0 ， 폴리피를 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 둥이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다ᅳ 상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슴， 칼슘 나트륨， 칼륨， 티타늄， 인듐， 이트륨， 리튬， 가돌리늄， 알루미늄, 은， 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 U0 ₂ /A1과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 정공 주입 물질로는 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과， 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고， 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며， 또한， 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 H0M0(highest occupi ed molecular orbi tal )가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물 층의 H0M0 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린 (porphyr in) , 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물， 핵사니트릴핵사아자트리페닐렌 계열의 유기물， 퀴나크리돈 (quinacr idone)계열의 유기물， 페릴렌 (perylene) 계열의 유기물， 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나， 이들에만 한정 되는 것은 아니다. 상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공올 수송하는 층으로， 정공 수송 물질로 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물， 전도성 고분자， 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서， 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로 8- 히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq ₃ ) ; 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴 (dimer i zed styryl ) 화합물; BAlq ; 10—히드록시벤조 퀴놀린 -금속 화합물; 벤족사졸 , 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물 ; 폴리 (P- 페닐렌비닐렌) (PPV) 계열의 고분자; 스피로 (spi ro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체， 피렌 유도체， 나프탈렌 유도체， 펜타센 유도체， 페난트렌 화합물， 플루오란텐 화합물 등이 있고， 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체， 디벤조퓨란 유도체， 래더형 퓨란 화합물， 피리미딘 유도체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체， 스트릴아민 화합물， 붕소 착체， 플루오란텐 화합물， 금속 착체 등이 있다 . 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서， 아릴아미노기를 갖는 피렌， 안트라센， 크리센, 페리폴란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기， 실릴기， 알킬기， 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이.루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민， 스티릴디아민， 스티릴트리아민， 스티릴테트라아민 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 또한， 금속 착체로는 이리듐 착체， 백금 착체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다.

^' 상기 전자 수송 물질로는 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서， 전자쎄 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 A1 착물; Alq ₃ 를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물； 히드록시플라본—금속 착물 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히， 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘， 바륨， 칼슘， 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.

_. 상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로， 전자를 수송하는 능력을 갖고， 음극으로부터의 전자 주입 효과， 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며， 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한， 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논， 안트라퀴노다이메탄， 다이페노퀴논， 티오피란 다이옥사이드， 옥사졸， 옥사다이아졸， 트리아졸， 이미다졸， 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄， 안트론 등과 그들의 유도체， 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 둥이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 상기 금속 착쎄 화합물로서는 8-하이드록시쥐놀리나토 리튬， 비스 (8- 하이드록시퀴놀리나토)아연， 비스 (8-하이드록시퀴놀리나토)구리， 비스 (8- 하이드록시쥐놀리나토)망간， 트리스 (8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄， 트리스 (2-메틸 -8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄， 트리스 (8- 하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스 ( 10-하이드록시벤조 [h]퀴놀리나토)베릴륨， 비스 ( 10-하이드특시벤조 [h]퀴놀리나토)아연， 비스 (2-메틸 -8- 퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스 (2-메틸 -8—퀴놀리나토) (0-크레졸라토)갈륨， 비스 (2- 메틸 -8-퀴놀리나토) ( 1-나프를라토)알루미늄, 비스 (2-메틸 -8-퀴놀리나토) (2- 나프를라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형 , 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다. 또한， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며， 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 A(8.64g , 22.04mmol ) 및 화합물 al(8.56g, 24.2½mol )을 테트라하이드로퓨란 220ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 ( 110ml )을 첨가하고, 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.76g, 0.66匪 ol )을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상은으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 200ml로 재결정하여 제조예 l( 12.46g , 85%)을 제조하였다.

, MS[M+H] ⁺ = 666

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 A(7.15g, 18.24mmol) 및 화합물 a2를 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (100ml)을 첨가하고， 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.63g, 0.55匪 ₀ 1)을 넣은 후 3시간 동안 가열 교반하였다. 상은으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 200ml로 재결정하여 제조예 2(8.26g, 68%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 666

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 A(6.44g, 16.43醒01) 및 화합물 a3를 테트라하이드로퓨란 220ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (110ml)을 첨가하고, 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.57g, 0.49隱 ol)을 넣은 후 2시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 은도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 230ml로 재결정하여 제조예 3(8.26g, 68%)을 제조하였다.

MS[M+H]+= 665 제조예 4

잘소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 A(5.26gᅳ 13.42mmol ) 및 화합물 a4(6.33g, 14.76隱 ol )를 테트라하이드로퓨란 180ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (90ml )을 첨가하고， 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.47g , 0.40誦 ₀ 1 )을 맣은 후 6시간 동안 가열 교반하였다. 상은으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 아세트니트릴 420ml로 재결정하여 제조예 4(7.78g, 78%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 742

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 D(6.33g, 14.76誦01 ) 및 화합물 a5(5.26g, 13.42隱 ol )을 테트라하이드로퓨란 180ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (90ml )을 첨가하고, 비스 (트리 -t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.47g, 0.40隱 ₀ 1 )을 넣은 후 6시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 아세트니트릴 420ml로 재결정하여 제조예 5( 10.07g, 6 )를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 590 제조예 6

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 D(8.15g, 16.84瞧 ol) ^' 화합물 a6(6.08g, 1그 73隱 ol)를 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (100ml)을 첨가하고， 비스 (트리 -t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.61g, 0.53醒 ol)을 넣은 후 3시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 은도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 320ml로 재결정하여 제조예 6(7.65g, 65%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 666

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 D(7.32g, 15.12隱 ₀ 1) 및 화합물 a7(5.46g, 15.92誦 ol)을 테트라하이드로퓨란 220ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (110ml)을 첨가하고， 비스 (트리 _t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.55g, 0.48mmol)을 넣은 후 6시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 은도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 아세토니트릴 260ml로 재결정하여 제조예 7(8.1 , 77%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 666 제조예 8

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 D(10.15g, 20.97匪01) 및 화합물 a8(7.55g, 22.08睡 ol)을 테트라하이드로퓨란 240ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (120ml)을 첨가하고， 비스 (트뫼 -t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.77g, 0.66瞧 ol)을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 은도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 아세토니트릴 280ml로 재결정하여 제조예 8(11.16g, 76%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 665

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 D(3.85g, 7.96隱01) 및 a9(4.79g, 8.37™ol)fmf 테트라하이드로퓨란 120ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (60ml)을 첨가하고， 비스 (트리 -t-부틸포스핀)팔라듐 (0.47g, 0.40匪 ol)을 넣은 후 11시간 동안 가열 교반하였다. 상은으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 ^' 후 감압농축 시키고 아세트니트릴 320ml로 재결정하여 제조예 9(5.07g, 68%)를 제초하였다.

MS[M+H] ⁺ = 894 제조예 10

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 D(6.31g , 13.0½mol ) 및 al0(5.27g, 13.72匪 ol )을 테트라하이드로퓨란 160ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (80ml )을 첨가하고， 비스 (트리 -t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.48g , 0.41隱 ol )을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 290ml로 재결정하여 제조예 10(6.62g , 68%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 706

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 D(4.56g, 9.42匪01 ) 및 all(4.63g, 9.91mmol )을 테트라하이드로퓨란 180ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (90ml )을 첨가하고， 비스 (트리 _t—부틸포스핀)팔라듐 (0.34g, 0.30隱 ol )을 넣은 후 9시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 260ml로 재결정하여 제조예 11(5.88g, 75%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 790 제조예 12

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 D(6.55g, 13.54讓01) 및 al2(5.23g, 14.25mmol)를 테트라하이드로퓨란 180ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (90ml)을 첨가하고， 비스 (트리 -t- 부틸포스판)팔라듐 (0.49g, 0.43瞧 ₀ 1)을 넣은 후 6시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 280ml로 재결정하여 제조예 12(7.52g, 76%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 690

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 D(5.99g, 12.37讓01) 및 화합물 al3(4.78g, 13.02醒 ol)을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 용액 (100ml)을 첨가하고， 비스 (트리 -t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.4 , 0.39誦 ₀ 1)을 넣은 후 7시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 250ml로 재결정하여 제조예 13(6.42gᅳ 71%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 690 제조예 14

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 E(6.33g, 14.76隱01 ) 및 화합물 a5(5.26g, 13.42隱 ol )를 테트라하이드로퓨란 180ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (90ml )을 첨가하고， 비스 (트리 -t-부틸포스핀)팔라듐 (0.47g, 0.40醒 ₀ 1 )을 넣은 후 6시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 은도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 아세트니트릴 420ml로 재결정하여 제조예 14( 10.07g , 69%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 590

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 E(6.92g, 14.29誦 ₀ 1 ) 및 화합물 a7(5. 16g, 15.04隱 ol )을 테트라하이드로퓨란 140ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (70ml )을 첨가하고, 비스 (트리 -t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.52g , 0.45醒 ol )을 넣은 후 3시간 동안 가열 교반하였다. 상은으로 은도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 250ml로 재결정하여 제조예 15(7. 15g, 71%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 666 제조예 16

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 E(6.39g, 13.21匪 ₀ 1) 및 화합물 al4(4.77g, 13.91瞧 ol)를 테트라하이드로퓨란 160ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (80ml)을 첨가하고， 비스 (트리 -t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.48g, 0.42隱 ol)을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 280ml로 재결정하여 제조예 16(5.86g, 63%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 666

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 B(6.12 _g , 15.61讓 ₀ 1) 및 화합물 a2(5.24g, 14.83隱 ol)를 테트라하이드로퓨란 160ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (8.0ml)을 첨가하고， 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.54g, 0.47隱 ol)을 넣은 후 2시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 210ml로 재결정하여 제조예 17(6.25g, 60%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 666

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 B(5.86g , 14.95匪 ol ) 및 a3(5.01g, 14.20醒 ol )을 테트라하이드로퓨란 140ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (70ml )을 첨가하고, 테트라키스ᅳ

(트리페닐포스핀)팔라듐 (0.52g, 0.45瞧 ol )을 넣은 후 3시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 180ml로 재결정하여 제조예 18(5.29g , 53%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 666

분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물

11.27匪 ₀ 1 ) 및 화합물 al5(4.97g, 11.86匪 ol )를 테트라하이드로퓨란 120ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (60ml )을 첨가하고， 비스 (트리 t— 부틸포스핀)팔라듐 (0.41g , 0.36mmol )을 넣은 후 6시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 충을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 230ml로 재결정하여 제조예 19(7. 16g, 81%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 666

a5 20

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 ^' 화합물 F(7.39g, 15.26匪01) 및 화학식 a5(4.29g, 16.07隱 ol)를 테트라하이드로퓨란 180ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (90ml)을 첨가하고, 비스 (트리 -t— 부틸포스핀)팔라듐 (0.56g, 0.48醒 ol)을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상은으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 290ml로 재결정하여 제조예 20(6. llg, 64¾ 을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 590

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 F (8.15g,

16.8½mol) 및 화합물 a7(6.08g, 17.73匪 ol)을 테트라하이드로퓨란 220ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (110ml)을 첨가하고， 비스 (트리 -t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.61g, 0.53瞧 ol)을 넣은 후 3시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 230ml로 재결정하여 제조예 21(7.97g, 68%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 666

a6 22

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 F(4.47g, 15.43mmol) 및 화학식 a6(5.57g, 16.24隱 ol)을 테트라하이드로퓨란 180ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (90ml)을 첨가하고， 비스 (트리 -t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.56g, 0.49mmol)을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상은으로 은도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슴으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 190ml로 재결정하여 제조예 22(6.08g, 56%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 666

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 C(6.13g, 15.64mmol) 및 화학식 al(5.24g, 14.86麵 ol)을 테트라하이드로퓨란 240ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (120ml)을 첨가하고, 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.54g, 0.47醒 ol)을 넣은 후 7시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 은도를 낮추고 불 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 240ml로 재결정하여 제조예 23(8.82g, 85%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 666

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 C(6.13g,

15.6½mol) 및 화학식 al6(5.24g, 14.86讓 ol)을 테트라하이드로퓨란 240ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 . 수용액 (120ml)을 첨가하고， 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.54g, 0.47匪 ol)을 넣은 후 7시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 240ml로 재결정하여 제조예 24(8.82g, 85%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 666 제조예 25

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 C(5.71g, 14.57誦 ₀ 1) 및 화학식 al7(6.56g, 15.29隱 ol)을 테트라하이드로퓨란 220ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (110ml)을 첨가하고， 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.50g, 0.44隱 ol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 210ml로 재결정하여 제조예 25(7.59g, 70%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 742

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 C(4.88g, 12.45匪01) 및 화합물 a2(4.61g, 13.07mmol)를 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (100ml)을 첨가하고， 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.43g, 0.37隱 ol)을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 은도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테 H라하이드로퓨란 210ml로 재결정하여 제조예 26(6.66g, 80%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 666

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 C(5.34g, 13.62mmol) 및 화합물 al8(6.14g, 14.30誦 ol)을 테트라하이드로퓨란 240ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (120ml)을 첨가하고, 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.47g, 0.41瞧 ol)을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 은도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 190ml로 재결정하여 제조예 27(8.63g, 85%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 742

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 F(9.08g, 18.75瞧 ₀ 1) 및 화합물 al9(4.75g, 17.86醒 ol)를 테트라하이드로퓨란 260ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (130ml)을 첨가하고， 비스 (트리 -t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.62g, 0.5½mol)을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상은으로 은도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 220ml로 재결정하여 제조예 28(7.49g, 71%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 589

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 F(8.54g,

17.6½mol) 및 화합물 a20(4.47g, 16.80隱 ol)을 테트라하이드로퓨란 220ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (110ml)을 첨가하고， 비스 (트리 t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.58g, 0.50瞧 ol)을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 ^' 에틸아세테이트 150ml로 재결정하여 제조예 29(7. llg, 72%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 588

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 A(5.47g, 13.95匪 ₀ 1 ) 및 화합물 al9(6.29g, 14.65匪 ol )를 테트라하이드로퓨란 180ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액 (90ml )을 첨가하고， 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.48g , 0.42隱 ol )을 넣은 후 3시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 210ml로 재결정하여 제조예 30(8.49g, 82%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 742

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 B(5.24g, 13.37mmol ) 및 화합물 al9(6.02g, 14.04隱 ol )를 테트라하이드로퓨란 180ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (90ml )을 첨가하고， 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.46g , 0.40誦 ol )을 넣은 후 2시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 은도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 180ml로 재결정하여 제조예 31(7.77g , 78%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 742 제조예 32

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 C(4.85g , 12.37匪 ₀ 1 ) 및 화합물 al9(5.57g, 12.99隱 ol )를 테트라하이드로퓨란 160ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 용액 (80ml )을 첨가하고, 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.43g , 0.37瞧 ol )을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 220ml로 재결정하여 제조예 32(8.05g, 88%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 742

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A(4.29g , 10.94誦 ol ) 및 화합물 a20(4.93g, 11.49mmol )을 테트라하이드로퓨란 160ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (80ml )을 첨가하고， 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.38g, 0.32誦 ol )을 넣은 후 2 시간 동안 가열 교반하였다. 상은으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 260ml로 재결정하여 제조예 33(6.95g, 86%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 742

질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A(4.29g, 10.94匪 ₀ 1) 및 화합물 a21(4.93g, 11.49隱 ol)을 테트라하이드로퓨란 160ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (80ml)을 첨가하고， 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듬 (0.38g, 0.32mmol)을 넣은 후 2시간 동안 가열 교반하였다. 상은으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 260ml로 재결정하여 제조예 34(5.47g, 70%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 792

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 F(7.92g, 16.36mmol) 및 화합물 a22(6.02g, 16.36醒 ol)를 테트라하이드로퓨란 240ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (120ml)을 첨가하고， 비스 (트리 _t_ 부틸포스핀)팔라듐 (0.57g, 0.49mmol)을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 충을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 230ml로 재결정하여 제조예 35(8.95g, 79%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 691

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 B(6.35g, 17.26mmol) 및 화합물 a23(8.35g, 17.26mmol)을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (100ml)을 첨가하고， 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.60g, 0.52腿 ol)을 넣은 후 3시간 동안 가열 교반하였다. 상은으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 240ml로 재결정하여 제조예 36(7.7½， 65%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 691 제조예 37

질소 분위기에서 500ml 등근 바닥 플라스크에 화합물 A(7. 16g, 19.46瞧01 ) 및 화합물 a24(9.42g, 19.46隱 ol )를 테트라하이드로퓨란 260ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 ( 130ml )을 첨가하고， 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.67g, 0.58隱 ol )을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 은도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란 250ml로 재결정하여 제조예 37( 11.08g, 82%)을 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 691 실시예 1-1

IT0( indium t in oxide)가 Ι , ΟΟΟΑ의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때， 세제로는 피셔사 (Fischer Co . ) 제품을 사용하였으며， 증류수로는 밀러포어사 (Mi 11 ipore Co. ) 제품의 필터 (Fi l ter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ΙΊΌ를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후， 이소프로필알콜， 아세톤， 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ΠΌ 투명 전극 위에 하기 화학식 HAT로 표시되는 화합물을 100A의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화학식 ΗΠ으로 표시되는 화합물 ( 1250A )을 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 이어서， 상기 정공수송층 위에 막 두께 150 A으로 하기 화학식 EB1으로 표시되는 화합물을 진공 증착하여 전자저지층을 형성하였다. 이어서， 상기 전자저지층 위에 막 두께 200 A으로 하기 화학식 BH로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 BD로 표시되는 화합물을 25: 1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 앞서 제조한 제조예 1의 화합물을 막 두께 50 A으로 진공 증착하여 정공저지층을 형성하였다. 이어서， 상기 정공저지층 위에 하기 화학식 Ε Ί으로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 LiQ로 표시되는 화합물을 1 : 1의 중량비로 진공 증착하여 310A의 두께로 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 위에 순차적으로 12 A두께로 리튬플로라이드 (LiF)와 1 , 000 A 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.

54 유지하였으며， 증착시 진공도는 2 x l0— ⁷ ~ 5 x 10— ⁶ torr를 유지하여， 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 1-2 내지 1-14

제조예 1의 화합물 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는， 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 비교예 1-1 내지 1-3

제조예 1의 화합물 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는， 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 하기 표

실험예 1

상기 제조한 실시예 및 비교예의 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때， 전압， 효율, 색좌표 및 수명을 측정하고 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. T95은 휘도가 초기 휘도 (1600 nit )에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다

【표 1】

상기 표 1에서 보는 바와 같이， 본원 발명의 화합물을 정공저지층으로 사용하여 제조된 유기 발광 소자의 경우에 유기 발광 소자의 효율， 구동전압 및 / 또는 안정성 면에서 우수한 특성을 나타낸다. 특히， 본원 발명의 화합물을 정공 저지층으로 사용하여 제조된 유기발광소자들은， Spirobifluorene 코어의 비교예 1-2 및 9,10-dimetyi uorene 코어의 비교예 1-3와 화합물을 정공저지층으로 사 용하여 제조된 유기 발광 소자보다 저전압， 고효율 및 장수명의 특성을 보인다. 구체적으로， 본원 발명 화합물의 코어는， Spirobifluorene 및 9,10- dimetylfluorene 코어보다， 전자의 함량이 상대적으로 높으며 정공저지층으로 사 용하였을 때 수명을 떨어뜨리지 않으면서 전압 및 효율에서 강점을 보인다는 결 과를 확인했다. 상기 표 1의 결과와 같이， 본 발명에 다른 화합물은 정공 저지 능력이 우수하여 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다. 실시예 2-1내지 2-35

상기 비교예 _. 1—1에서， 전자수송층으로 ET 1 대신 하기 표 2에 기재된 화 합물을 사용하는 것으로 제외하고, 상기 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발 광 소자를 제조하였다. 교예 2-1 및 비교예 2-2

실험예 2

상기 제조한 실시예 및 비교예의 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때， 전압， 효율， 색좌표 및 수명을 측정하고 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. T95 은 휘도가 초기 휘도 ( 1600 ni t )에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다. 【표 2】

실시예 2-13 4.64 45.61 (0.141, 0.046) 260 실시예 2-14 화합물 14 4.53 46.70 300 실시예 2-15 화합물 15 4.55 46.53 (0.138， 0.044) 295 실시예 2-16 화합물 16 4.51 46.45 (0.142, 0.045) 295 실시예 2-17 화합물 17 4.46 45.61 (0,141， 0.046) 260 실시예 2-18 화합물 18 4.58 46.50 (0.141, 0.045) 295 실시예 2-19 화합물 19 4.55 46.43 295 실시예 2-20 화합물 20 4.54 46.45 (0.142， 0.044) 295 실시예 2-21 화 ^Jt, 합물 21 4.62 45.85 (0.141, 0.045) 260 실시예 2-22 화합물 22 4.58 46.45 (0.142, 0.045) 295 실시예 2-23 화합물 23 4.52 45.81 (0.141, 0.046) 270 실시예 2-24 화합물 24 w 4.55 46.45 (0.142, 0.045) 285 실시예 2-25 화합물 25 4.44 45.82 (0.141, 0.046) 275 실시예 2-26 화합물 26 4.53 46.65 (0.142, 0.044) 285 실시예 2-27 화합물 27 4.53 46.65 (0.142, 0.044) 285 실시예 2-28 화합물 30 4.55 46.43 (0.140, 0.044) 290 실시예 2-29 화합물 31 4.53 45.84 (0.142, 0.045) 275 실시예 2-30 화합물 32 4.64 45.94 (0.141, 0.046) 275 실시예 2-31 화합물 33 4.57 46.73 (0.142， 0.045) 265 실시예 2-32 화합물 34 4.58 46.61 (0.141, 0.045) 275 실시예 2-30 화합물 32 4.64 45.94 (0.141, 0.046) 275 실시예 2-31 화합물 33 4.57 46.73 (0.142， 0.045) 265 실시예 2-32 화합물 34 4.58 46.61 (0.141, 0.045) 275 실시예 2-33 화합물 35 4.68 46.26 (0.141, 0.045) 305 실시예 2-34 화합물 36 4.66 46.30 (0 o o.142, 0.044) ^' 315 실시예 2-35 화합물 37 ^■ 4.72 46.08 (0.14寸2, 0.045) 320 비교예 2-1 ET 2 4.85 44.91 (0.143, 0.047) 235 비교예 2-2 ET 3 4.92 45.13 (0.143, 0 o o.045) 215 o

상기 표 2에서 보는 바와 같이， 본원 발명의 화합물을 전자수송층으로 사용하여 제조된 유기 발광 소자의 경우에 유기 발광 소자의 효율， 구동전압 및 /또는 안정성 면에서 우수한 특성을 나타낸다. 특히， 본원 발명의 화합물을 전자수송층으로 사용하여 제조된 유기발광소자들은, Spirobif luorene 코어의 비교예 2-1 및 9， 10-dimetyl fluorene 코어의 비교예 2-2의 화합물을 전자수송층으로 사용하여 제조된 유기 발광 소자보다 저전압， 고효율 및 장수명의 특성을 보인다ᅳ 구체적으로， 본원 발명 화합물의 코어는，

Spirobif luorene 및 9， 10-dimetyl fluorene 코어보다， 전자의 함량이 상대적으로 높으며 전자수송층으로 사용하였을 때 수명이 20%~30% 상승하면서 전압 및 효율에서도 강점을 보인다는 결과를 확인했다. 상기 표 2의 결과와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 전자 수송 능력이 우수하여 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다. 【부호의 설명】

1： 기판 2: 이 a:그 1

3： 발광층 4: o그

ᄆ ~r

5： 고 ᄋ1 6： 고入 ^ ^■

6 ο그소 ο ^" ο ^"

7： 8： 전자수송층