신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자 【기술분야】

관련 출원 (들)과의 상호 인용

본 출원은 2017년 11월 10일자 한국 특허 출원 제 10-2017-0149839호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며， 해당 한국 특허 출원의 문헌에 개시된 모든 내용을 본 명세서의 일부로서 포함한다.

본 발명은 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

【발명의 배경이 되는 기술】

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트， 빠른 웅답 시간을 가지며, 휘도， 구동 전압 및 웅답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다. 유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다충의 구조로 이루어진 경우가 많으며， 예컨대 정공주입층， 정공수송층， 발광층， 전자수송층， 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이， 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고， 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤 (exc i ton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.

[선행기술문헌] 특허문헌 1 : 한국특허 공개번호 제 10-2000-0051826호

【발명의 상세한 설명】

【기술적 과제】

본 발명은 신규한 헤테로고리 화합물 화합물 및 이를 포함하 발광 소자에 관한 것이다.

【기술적 해결방법】

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.

상기 화학식 1에서,

은 결합; 치환 또는 비치환된 C ₆ - ₆₀ 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N, 0 및 S 중 1개 이상을 포함하는 C ₂ - ₆₀ 헤테로아릴렌이고，

A 및 Ar ₂ 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C ₆ - ₆₀ 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, 0 및 S 중 1개 이상을 ί함하는 C ₂ - ₆₀ 헤테로아릴이다. 또한, 본 발명은 제 1 전극; 상기 제 1 전극과 대향하여 구비된 제 2 전극; 및 상기 게 1 전극과 상기 게 2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서， 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는， 유기 발광 소자를 제공한다.

【발명의 효과】

상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있으며, 유기 발광 소자에서 효율의 향상， 낮은 구동전압 및 /또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히， 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공주입， 정공수송， 정공주입 및 수송， 발광， 전자수송， 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다. 【도면의 간단한 설명】

도 1은 기판 ( 1)， 양극 (2)， 유기물층 (3)， 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.

도 2는 기판 ( 1) , 양극 (2)， 정공주입층 (5)， 정공수송층 (6)， 전자억제층 (7) , 발광층 (8) , 전자수송층 (9)， 전자주입층 ( 10) 및 음극 (4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 【발명을 실시를 위한 최선의 형태】

이하， 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다. 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미한다. 본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기 ; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기 ; 이미드기 ; 아미노기 ; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N , 0 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기 "는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도 있고， 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다. 본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서， 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄， 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한

본 명세서에 있어서， 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이

본 명세서에 ^■ 있어서， 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기， t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기， 프로필디메틸실릴기， 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기， 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기， 트리에틸붕소기， t_부틸디메틸붕소기， 트리페닐붕소기， 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다. 본 명세서에 있어서， 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸， 에틸， 프로필， n-프로필， 이소프로필， 부틸 n-부틸 이소부틸 tert-부틸， sec-부틸， 1_메틸-부틸， 1-에틸-부틸， 펜틸， n-펜틸， 이소펜틸 네오펜틸， tert-펜틸， 핵실, n-핵실, 1-메틸펜틸 2—메틸펜틸， 4-메틸 -2-펜틸 3 , 3-디메틸부틸， 2-에틸부틸， 헵틸， n-헵틸， 1-메틸핵실 사이클로펜틸메틸，사이클로핵틸메틸， 옥틸， n-옥틸， tert-옥틸， 1-메틸헵틸 2-에틸핵실, 2-프로필펜틸， n-노닐， 2，2-디메틸헵틸， 1-에틸-프로필， 1，1- 디메틸-프로필, 이소핵실， 2—메틸펜틸， 4-메틸핵실， 5—메틸헥실 등이 있으나， 이들에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐， 1-프로페닐， 이소프로페닐， 1-부테닐, 2-부테닐， 3-부테닐， 1-펜테닐， 2-펜테닐， 3-펜테닐， 3-메틸— 1-부테닐， 1， 3-부타디에닐， 알릴， 1—페닐비닐 -1- 일, 2-페닐비닐 -1-일， 2， 2-디페닐비닐— 1—일, 2-페닐 -2- (나프틸ᅳ 1—일)비닐 -1-일 2，2-비스 (디페닐 -1-일)비닐 -1-일， 스틸베닐기 , 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필， 사이클로부틸， 사이클로펜틸， 3-메틸사이클로펜틸， 2，3-디메틸사이클로펜틸， 사이클로핵실， 3—메틸사이클로핵실， 4—메틸사이클로핵실， 2 , 3- 디메틸사이클로핵실, ^' 3，4，5-트리메틸사이클로핵실， 4-tert-부틸사이클로핵실, 사이클로헵틸， 사이클로옥틸 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며， 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면， 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면， 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기， 바이페닐기， 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기， 안트라세닐기， 페난트릴기， 파이레닐기, 페릴레닐기， 크라이세닐기， 플루오레닐기 등이 될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서， 플루오레닐기는 치환될 수 있고， 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는

이 될 수 있다. 다만， 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서， 헤테로고리기는 이종 원소로 0， N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기， 퓨란기， 피를기， 이미다졸기 , 티아졸기， 옥사졸기， 옥사디아졸기， 트리아졸기 , 피리딜기， 비피리딜기， 피리미딜기， 트리아진기， 아크리딜기， 피리다진기， 피라지닐기， 퀴놀리닐기， 퀴나졸린기， 퀴녹살리닐기， 프탈라지닐기， 피리도 피리미디닐기， 피리도 피라지닐기， 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기， 카바졸기， 벤조옥사졸기， 벤조이미다졸기， 벤조티아졸기， 벤조카바졸기, 벤조티오펜기， 디벤조티오펜기， 벤조퓨라닐기， 페난쓰롤린기 (phenanthrol ine) , 이소옥사졸릴기， 티아디아졸릴기， 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서， 아르알킬기， 아르알케닐기， 알킬아릴기， 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 아르알킬기, 알킬아릴기， 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 헤테로아릴아민 증 헤테로아릴은 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 탄화수소 고리는 1가기가 아니고， 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 헤테로고리는 1가기가 아니고， 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 상기 화학식 1에서， 의 결합 위치에 따라， 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 내지 화학식 5로 표시될 수 있다:

[화학식 2]

바람직하게는， 은 결합; 또는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 이다.

보다 바람직하기로， 상기 은 결합 또는 페닐렌이다. 또한 바람직하게는， A 및 Ar ₂ 는 각각 독립적으로 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나이다.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 대표적인 예는 다음과 같다: _//:/ O _Ϊ 86800 _8Ϊ0 2Μ12 Ώ9ε606 _Ϊ 0ΖAV

_//:/ O _Ϊ 86800 _8Ϊ0 2Μ12 Ώ9ε606 _Ϊ 0ΖAV

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 반웅식 1과 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다.

또는， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서 이 결합일 경우, 하기 반응식 2와 같은 제조 방법으로 제조될 수 있다.

[반웅식 2]

상기 반응식 1 및 2에서， ， An 및 Ar ₂ 는 앞서 정의한 바와 같으며， X는 할로겐이고， 바람직하게는 X는 클로로 또는 브로모이다.

상기 반응식 1은 스즈키 커플링 반응으로서, 팔라듐 촉매와 염기 존재 하에 수행하는 것이 바람직하며， 스즈키 커플링 반웅을 위한 반웅기는 당업계에 알려진 바에 따라 변경이 가능하다.

또한， 상기 반응식 2는 아민 치환 반응으로서， 팔라듐 촉매와 염기 존재 하에 수행하는 것이 바람직하며， 아민 치환 반웅을 위한 반웅기는 당업계에 알려진 바에 따라 변경이 가능하다. ᅳ상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다 또한， 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로， 본 발명은 제 1 전극; 상기 게 1 전극과 대향하여 구비된 제 2 전극; 및 상기 게 1 전극과 상기 게 2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서， 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는， 유기 발광 소자를 제공한다. 본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나， 2층 이상의 유기물층이 적충된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대， 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층， 정공수송층, 전자억제층， 발광층， 정공저지층， 전자수송층, 전자주입충 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다. 또한， 상기 유기물층은 정공주입층， 정공수송층， 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층을 포함할 수 있고， 상기 정공주입충， 정공수송층， 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 또한， 상기 유기물층은 전자억제층을 포함할 수 있고， 상기 전자억제층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다 . 또한， 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있고， 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 또한， 상기 유기물층은 전자수송층， 또는 전자주입층을 포함할 수 있고， 상기 전자수송층， 또는 전자주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 또한， 상기 전자수송층， 전자주입층， 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 또한, 상기 유기물층은 발광층 및 전자수송층을 포함하고， 상기 전자수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는， 기판 상에 양극， 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조 (normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한， 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극， 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조 ( inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대， 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다. 도 1은 기판 ( 1)， 양극 (2)， 유기물층 (3)， 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 유기물층에 포함될 수 있다. 도 2는 기판 ( 1)， 양극 (2)， 정공주입층 (5)， 정공수송층 (6)， 전자억제층 (7)， 발광층 (8)， 전자수송층 (9)， 전자주입층 ( 10) 및 음극 (4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층， 정공수송층， 전자억제층， 발광층， 전자수송층 및 전자주입층 중 1층 이상에 포함될 수 있고， 바람직하기로 정공주입층， 정공수송층 및 전자억제층 중 1층 이상에 포함될 수 있다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자는， 상기 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한， 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우， 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. 예컨대， 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제 1 전극, 유기물층 및 제 2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때， 스퍼터링법 (sputter ing)이나 전자빔 증발법 (e-beam evaporat ion)과 같은 PVD(physi cal Vapor Deposi t ion)방법을 이용하여， 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고， 그 위에 정공 주입층， 정공 수송층， 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도， 기판 상에 음극 물질부터 유기물층， 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. 또한， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서， 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅 , 딥코팅， 닥터 블레이딩， 잉크젯 프린팅， 스크린 프린팅， 스프레이법， 를 코팅 등을 의미하지만， 이들만으로 한정되는 것은 아니다. 이와 같은 방법 외에도， 기판 상에 음극 물질로부터 유기물충， 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다 (W0 2003/012890) . 다만， 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로, 상기 제 1 전극은 양극이고， 상기 게 2 전극은 음극이거나， 또는 상기 제 1 전극은 음극이고， 상기 제 2 전극은 양극이다. 상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐， 크름， 구리， 아연， 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물， 인듐 산화물， 인듐주석 산화물 ( ΙΤΟ) , 인듐아연 산화물 ( IZ0)과 같은 금속 산화물; Ζη0:Α1 또는 SN0 ₂ : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3-메틸티오펜)， 폴리 [3，4- (에틸렌 -1 , 2-디옥시 )티오펜] (PED0T) , 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨， 칼륨， 티타늄， 인듐， 이트륨， 리튬， 가돌리늄， 알루미늄， 은， 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 Li0 ₂ /Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로， 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과， 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고， 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며， 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMKhighest occupied molecul ar orbi tal )가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 H0M0 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린 (porphyr in) , 올리고티오펜， 아릴아민 계열의 유기물， 핵사니트릴핵사아자트리페닐렌 계열의 유기물， 퀴나크리돈 (quinacr idone)계열의 유기물, 페릴렌 (perylene) 계열의 유기물， 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나， 이들에만 한정 되는 것은 아니다. 상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로， 정공 수송 물질로 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물， 전도성 고분자， 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 전자억제층은 정공수송층과 발광층에서 정공 수송층으로의 전자 주입을 억제하는 층으로서， 정공수송층과 발광층이 직접 접촉했을 때보다 전자를 발광층 중에 가두는 역할을 하는 에너지 장벽의 크기를 높일 수 있으며， 따라서 높은 발광 효율을 얻을 수 있다. 전자억제층으로는 구체적으로 상기 정공 수송 물질을 사용할 수 있다. 전자억제층은 상기 정공 수송 물질만으로 이루어질 수도 있고 무기 재료나 고분자와 같은 유기 재료 중에 상기 정공 수송 물질이 분산된 구성을 가질 수도 있다. 상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서， 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로 8- 히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq ₃ ) ; 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴 (dimer i zed styryl ) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸， 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리 (P- 페닐렌비닐렌) (PPV) 계열의 고분자; 스피로 (spiro) 화합물; 폴리플루오렌， 루브렌 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체， 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체， 펜타센 유도체， 페난트렌 화합물， 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물， 피리미딘 유도체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 도편트 재료로는 방향족 아민 유도체， 스트릴아민 화합물， 붕소 착체， 플루오란텐 화합물， 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌， 안트라센， 크리센, 페리플란텐 등이 있으며， 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기， 실릴기, 알킬기， 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민， 스티릴디아민， 스티릴트리아민， 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한， 금속 착체로는 이리듐 착체 백금 착체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로， 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서， 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 A1 착물; Alq ₃ 를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본 -금속 착물 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히， 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘， 바륨， 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고， 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다. 상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로， 전자를 수송하는 능력을 갖고， 음극으로부터의 전자 주입 효과， 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고， 또한， 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논， 안트라퀴노다이메탄， 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드， 옥사졸， 옥사다이아졸， 트리아졸， 이미다졸， 페릴렌테트라카복실산， 프레오레닐리덴 메탄， 안트론 등과 그들의 유도체， 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스 (8- 하이드록시퀴놀리나토)아연， 비스 (8-하이드록시퀴놀리나토)구리， 비스 (8- 하이드록시퀴놀리나토)망간， 트리스 (8-하이드록시쥐놀리나토)알루미늄， 트리스 (2-메틸 -8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄， 트리스 (8- 하이드록시퀴놀리나토)갈륨， 비스 ( 10-하이드록시벤조 [h]퀴놀리나토)베릴륨ᅳ 비스 ( 10-하이드록시벤조 [h]퀴놀리나토)아연， 비스 (2-메틸 -8- 쥐놀리나토)클로로갈륨， 비스 (2-메틸 -8-퀴놀리나토) (0-크레졸라토)갈륨， 비스 (2-메틸 -8-퀴놀리나토 ) ( 1-나프를라토)알루미늄， 비스 (2-메틸 -8- 퀴놀리나토) (2-나프를라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형， 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다. 또한， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조를 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며， 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다. 제조예 1

질소 분위기에서 500 mL 등근 바닥 플라스크에 화합물 A(7.34 g, 20.00 mmol ) , 및 화합물 al(9.71 g, 22.00 mmol )을 테트라하이드로퓨란 200 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액 ( 100 mL)을 첨가하고， 비스 (트리 _t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.23g, 0.20隱 ol )을 넣은 후 2시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슴으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 200 mL로 재결정하여 제조예 1(9.46 g, 65%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 727

질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A(7.34 g , 20.00 隱 ol ) , 및 화합물 a2(10.59 g, 22.00 匪 ol )을 테트라하이드로퓨란 200 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액 (100 mL)을 첨가하고， 비스 (트리 _t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.23g, 0.20mraol )을 넣은 후 12시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 를루엔 150 mL로 재결정하여 제조예 2(1 g, 6%)를 제조하였다. MS[M+H] ⁺ = 767

질소 분위기에서 500 mL 등근 바닥 플라스크에 화합물 A (7.34g, 20.00隱 ol ) , 및 화합물 a3( 10.59 g, 15.99 隱 ol )을 테트라하이드로퓨란 320 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액 ( 160 mL)을 첨가하고 비스 (트리 _t_ 부틸포스핀)팔라듐 (0.23g, 0.20mmol )을 넣은 후 12시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 자일렌 1500 mL로 재결정하여 제조예 3(7.88 g, 49%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 803

분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A(7 20.00画 ol), 및 화합물 a4(7.95 g, 20.00 mmol)을 를루엔 100 mL에 완전히 녹인 후 Na0tBu(2.31 g, 24.00 醒 ol)을 첨가하고， 비스 (트리 _t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.14g, 0.12隱 ₀ 1)을 넣은 후 1시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 를루엔을 감압농축 시키고 아세토니트릴 200 mL로 재결정하여 제조예 4(10.48 g, 72%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 727

질소 분위기에서 500 mL 등근 바닥 플라스크에 화합물 A(7.34 g,

20.00隱01)， 및 화합물 a5(6.71 g, 20.00 隱 ol)을 를투엔 140 mL에 완전히 녹인 후 Na0tBu(2.31 g, 24.00 醒 ol)을 첨가하고， 비스 (트리 t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.14g, 0.12隱 ol)을 넣은 후 1.5시간 동안 ^, 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 를루엔을 감압농축 시키고 를루엔 50 mL로 재결정하여 제조예 5(8.66 g, 65%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 665

질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A(7.34 g, 20.00隱 ₀ 1 )， 및 화합물 a6(7.23 g, 20.00 隱 ol )을 를루엔 75 mL에 완전히 녹인 후 Na0tBu(2.31 g, 24.00 mmol )을 첨가하고, 비스 (트리 _t_ 부틸포스핀)팔라듐 (0.14g, 0. 12mmol )을 넣은 후 1시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한후 를루엔을 감압농축 시키고 를루엔 /아세토니트릴 100 mL로 재결정하여 제조예 6(7.89 g, 57%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 691

질소 분위기에서 500 mL 등근 바닥 플라스크에 화합물 A(7.34 g, 20.00 mmol ) , 및 화합물 al(9.71 g, 22.00 mmol )을 테트라하이드로퓨란 200 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액 ( 100 mL)을 첨가하고， 비스 (트리 _t_ 부틸포스핀)팔라듐 (0.23g, 0.20瞧 ol )을 넣은 후 3시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 150 mL로 재결정하여 제조예 7( 11.65 g, 80%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 727 제조예 8

질소 분위기에서 500 mL 등근 바닥 플라스크에 화합물 B(7.34 g, 20.00隱 ol), 및 화합물 a6(7.23 g, 20.00 mmol)을 를루엔 100 mL에 완전히 녹인 후 Na0tBu(2.31 g, 24.00 mmol)을 첨가하고， 비스 (트리 _t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.14g, 0.12mmol)을 넣은 후 3시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 은도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 를루엔을 감압농축 시키고 아세토니트릴 100 mL로 재결정하여 제조예 8(12.32 g, 89%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 691

질소 분위기에서 500 mL 등근 바닥 플라스크에 화합물 B(7.34 g, 20.0( mol), 및 화합물 a7(7.03 g, 20.00 腿 ol)을 를루엔 120 mL에 완전히 녹인 후 Na0tBu(2.31 g, 24.00 mmol)을 첨가하고， 비스 (트리 -t_ 부틸포스핀)팔라듐 (0.14g, 0.12隱 ol)을 넣은 후 1.5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한후 를루엔을 감압농축 시키고 아세토니트릴 200 mL로 재결정하여 제조예 9(5.86 g, 43%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 681 ' 제조예 10

a8

질소 분위기에서 500 mL 등근 바닥 플라스크에 화합물 C(7.34 g, 20.00mmol ) , 및 화합물 a8(7.03 g, 20.00 mmol )을 자일렌 150 mL에 완전히 녹인 후 Na0tBu(2.31 g, 24.00 隱 ol )을 첨가하고, 비스 (트리 _t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.29g, 0.24匪 ol )을 넣은 후 2시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에탄올 150 mL로 재결정하여 제조예 10( 12.40 g, 76¾>)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 815

질소 분위기에서 500 mL 등근 바닥 플라스크에 화합물 C(7.34 g, 20.00隱 ₀ 1 )， 및 화합물 a9(6.43 g, 20.00 画 ol )을 를루엔 200 mL에 완전히 녹인 후 Na0tBu(2.31 g, 24.00 匪 ol )을 첨가하고， 비스 (트리 -t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.29g, 0.24隱 ol )을 넣은 후 2시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한후 틀루엔을 감압농축 시키고 를루엔 120 mL로재결정하여 제조예 11(9.52 g, 73%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 651 제조예 12

질소 분위기에서 500 mL 등근 바닥 플라스크에 화합물 D(7.34 g, 20.00mmol), 및 화합물 a6(7.23 g, 20.00 mmol)을 를루엔 100 mL에 완전히 녹인 후 Na0tBu(2.31 g, 24.00 隱 ol)을 첨가하고， 비스 (트리 -t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.21g, 0.2mmol)을 넣은 후 3시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 를루엔을 감압농축 시키고 아세토니트릴 200. mL로 재결정하여 제조예 12(11.07 g, 80%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 691

질소 분위기에서 500 mL 등근 바닥 플라스크에 화합물 D(7.34 g, 20.00mmol), 및 화합물 a9(6.43 g, 20.00 隱 ol)을 를루엔 300 mL에 완전히 녹인 후 Na0tBu(2.31 g, 24.00 mmol)을 첨가하고， 비스 (트리 -t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.29g, 0.2½mol)을 넣은 후 12시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 를루엔을 감압농축 시키고 자일렌 300 mL로 재결정하여 제조예 13(10.69 g, 82%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 651 제조예 14

14

질소 분위기에서 500 mL 등근 바닥 플라스크에 화합물 D(7.34 g, 20.00隱01 )， 및 화합물 al0(6.43 g, 20.00 mmol )을 를루엔 120 mL에 완전히 녹인 후 Na0tBu(2.31 g, 24.00 mmol )을 첨가하고， 비스 (트리 -t_ 부틸포스핀)팔라듐 (0.29g, 0.24mmol )을 넣은 후 1.5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 를루엔을 감압농축 시키고 아세토니트릴 150 mL로 재결정하여 제조예 14(10.55 g, 81%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 651

질소 분위기에서 1000 mL 등근 바닥 플라스크에 화합물 D(7.34 g, 20.00 mmol ) , 및 화합물 all(7.91 g, 22.00 mmol )을 자일렌 350 mL에 완전히 녹인 후 Na0tBu(2.31 g, 24.00 mmol )을 첨가하고， 비스 (트리 _t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.29g, 0.24匪 ol )을 넣은 후 2시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 를루엔 700 mL로 재결정하여 제조예 15(8.71 g, 60D를 제조하였다

MS[M+H] ⁺ = 725 제조예 16

질소 분위기에서 500 mL 등근 바닥 플라스크에 화합물 D(7.34 g, 20.00mmol ) , 및 화합물 al2(6.71 g, 20.00 mmol )을 를루엔 200 mL에 완전히 녹인 후 Na0tBu(2.31 g, 24.00 瞧 ol )을 첨가하고， 비스 (트리 -t- 부틸포스핀)팔라듐 (0.21g, 0.20腿 ol )을 넣은 후 2시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 를루엔을 감압농축 시키고 를루엔 75 mL로 재결정하여 제조예 16(10.25 g, 77%)를 제조하였다.

MS[M+H] ⁺ = 665 실시예 1-1

IT0( indium t in oxide)가 1 ,000A의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때， 세제로는 피셔사 (Fischer Co . ) 제품을 사용하였으며， 증류수로는 밀러포어사 (Mi 11 ipore Co. ) 제품의 필터 (Fi lter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. IT0를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후， 이소프로필알콜， 아세톤， 메탄을의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한， 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 IT0 투명 전극 위에 하기 화학식 HAT로 표시되는 화합물을 100A의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 위에 하기 화학식 ΗΊΊ으로 표시되는 화합물 (1250 A )을 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 이어서， 상기 정공수송층 위에 막 두께 150A으로 앞서 제조한 제조예 1의 화합물을 진공 증착하여 전자억제층을 형성하였다. 이어서， 상기 전자억제층 위에 막 두께 200 A으로 하기 화학식 BH로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 BD로 표시되는 화합물을 25: 1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 막 두께

50 A으로 하기 화학식 HB1으로 표시되는 화합물을 진공 증착하여 정공저지층을 형성하였다. 이어서， 상기 정공저지층 위에 하기 화학식 ΕΊΊ으로 표시되는 화합물과 하기 화학식 LiQ로 표시되는 화합물을 1: 1의 중량비로 진공증착하여 310A의 두께로 전자주입 및 수송층을 형성하였다 ^' . 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12A두께로 리튬플로라이드 (LiF)와 Ι,ΟΟΟΑ 두께로 알루미

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~0.7A/sec를 유지하였고， 음극의 리튬플로라이드는 0.3 A/sec , 알루미늄은 2 A/sec의 증착 속도를 유지하였으며， 증착시 진공도는 2 x 10— ⁷ ~ 5 x l0 ^"6 torr를 유지하여， 유기 발광 소자를 제작하였다.

실시예 1-2내지 실시예 1-10

제조예 1의 화합물 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는， 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 비교예 1-1내지 1-3

제조예 1의 화합물 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는， 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 하기

실험예 1

상기 실시예 및 비교예에서 제조한 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때， 전압， 효율， 색좌표 및 수명을 측정하고 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. T95은 휘도가 초기 휘도 (6000 ni t )에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다. 【표 1]

상기 표 1에 나타난 바와 같이， 본 발명의 화합물을 전자억제층으로 사용한 유기 발광 소자는, 유기 발광 소자의 효율， 구동 전압 및 안정성 면에서 우수한 특성을 나타내었다. 특히， 카바졸이 포함된 아민이 연결된 비교예 2의 화합물을 전자억제층으로 사용하여 제조된 유기 발광 소자보다 저전압， 고효율 및 장수명의 특성을 나타내었다. 또한， 본 발명의 코어와 유사한 구조를 가지는 비교예 3의 화합물을 전자억제층으로 사용하여 제조된 유기 발광 소자는， 효율아 10% 이상, 수명은 30% 이상 떨어지는 결과를 나타내었다. 상기 표 1의 결과와 같이， 본 발명에 따른 화합물은 전자 차단 능력이 우수하여 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다.

【부호의 설명】

1： 기판 2： 이:그

3： ᄋ 그

유기물층 4 : ᄆ ᄀ

5 : 정공주입층 6： 고 소 ^

7： 전자억제층 8 : 발광층

9： 전자수송층 10 전자주입충