Die vorliegende Patentanmeldung nimmt die Priorität der deutschen Pa tentanmeldung DE 10 2020 207 807.6 in Anspruch, deren Inhalt durch Be zugnahme hierin aufgenommen wird.

Die Erfindung betrifft ein optisches Element für eine EUV- Projektionsbelichtungsanlage. Die Erfindung betrifft außerdem einen Kol lektor mit einem derartigen optischen Element sowie ein Zwischenprodukt zur Herstellung eines derartigen optischen Elements. Weiter betrifft die Er findung ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optischen Elements.

Zur Herstellung von optischen Elementen für eine EUV- Projektionsbelichtungsanlage kann vorgesehen sein, eine Gitterstraktur in eine Ätz- Schicht einzubringen. Die Herstellung einer derartigen Git terstraktur mit einer definierten Stufenhöhe ist sehr aufwändig. Außerdem kann es zu Schwankungen der Stufenhöfe der Gitterstraktur und/oder zu Abweichungen derselben von einem vorgegebenen Wert kommen.

Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein optisches Element für eine EUV- Projektionsbelichtungsanlage zu verbessern.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.

Ein Aspekt der Erfindung besteht darin, das optische Element mit einer formgebenden Schicht auszubilden, wobei die formgebende Schicht zur Ausbildung einer Gitterstraktur derart strukturiert ist, dass ein Übergang von einem Bodenbereich zu einer Flanke scharfkantig ausgebildet ist. Es kann insbesondere eine Verrandung am Übergang vom Bodenbereich zur Flanke vermieden werden.

Die formgebende Schicht kann hierbei die Lage einer Vorderseite und ei nes Bodenbereichs der Gitterstraktur, insbesondere die relative Lage der Vorderseite und des Bodenbereichs der Gitterstraktur definieren. Sie kann insbesondere die Stufenhöhe oder die Stufenhöhen der Gitterstraktur defi nieren, insbesondere präzise vorgeben. Die Eigenschaften der Gitterstrak tur werden insbesondere mittels eines vorgegebenen Schichtdicken- Ver laufs definiert.

Die Vorderseite und der Bodenbereich verlaufen insbesondere parallel zu einander. Dies gilt zumindest näherangsweise, insbesondere zumindest lo kal, insbesondere im Falle einer gekrümmten Grandtopographie des Sub strats.

Es wurde erkannt, dass hierdurch die Präzision der Gitterstraktur verbessert werden kann. Dies führt zu verbesserten optischen Eigenschaften des opti schen Elements, insbesondere zu einer höheren Reflektivität im gewünsch ten Wellenlängenbereich und/oder zu einer verringerten Reflektivität in un erwünschten Wellenlängenbereichen.

Die Gitterstraktur wird auch als Grabenstraktur oder als Stufenstraktur be zeichnet. Es kann sich um eine einstufige Struktur mit Vorderseite und Bo denbereich jedoch ohne Zwischenstufen oder um eine zwei- oder mehrstu fige Struktur mit ein oder mehreren Zwischenstufen handeln. Der scharfkantige Übergang vom Bodenbereich zur Flanke lässt sich insbe sondere durch seinen Krümmungsradius rB charakterisieren. Dieser Krüm mungsradius rB beträgt insbesondere höchstens 5 gm, insbesondere höchs tens 3 gm, insbesondere höchstens 2 gm, insbesondere höchstens 1 gm, insbesondere höchstens 0,5 gm. Ein derartig scharfkantiger Übergang lässt sich mit üblichen Verfahren nicht erreichen.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist der Übergang von der Vorderseite zur Flanke scharfkantig ausgebildet. Der scharfkantige Über gang von der Vorderseite zur Flanke lässt sich insbesondere durch seinen Krümmungsradius rV charakterisieren. Dieser Krümmungsradius rV be trägt insbesondere höchstens 5 gm, insbesondere höchstens 3 gm, insbe sondere höchstens 2 gm, insbesondere höchstens 1 gm, insbesondere höchstens 0,5 gm.

Es kann insbesondere eine Verrundung einer Kante am Übergang von der Vorderseite zur Flanke, wie sie nach Politur-Schritten zu beobachten ist, vermieden werden.

Es können auch mehrere formgebende Schichten auf das Substrat aufge bracht sein.

Die formgebenden Schichten können insbesondere als Ätz-Schichten die nen. Sie werden daher auch als Ätz-Schichten bezeichnet.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung weisen die Schichtdicken jeweils eine maximale Abweichung von den vorgegebenen Schichtdicken- Verläufen von höchstens 50 nm, insbesondere höchstens 30 nm, insbesondere höchs tens 20 nm, insbesondere höchstens 10 nm auf. Die maximale Abweichung der Schichtdicken von den vorgegebenen Schichtdicken- Verläufen beträgt insbesondere höchstens 2 %, insbesondere höchstens 1 %, insbesondere höchstens 0,5 %, insbesondere höchstens 0,3 %, insbesondere höchstens 0,2 %, insbesondere höchstens 0, 1 %.

Die tatsächliche Dicke der formg ebenden Schichten entspricht somit sein- präzise dem vorgegebenen Verlauf. Sie kann insbesondere wesentlich prä ziser vorgegeben und tatsächlich erreicht werden als mit üblichen Politur und Ätzverfahren.

Die Schichtdicke einer oder mehrerer, insbesondere sämtlicher der formge benden Schichten beträgt insbesondere mindestens 1 mth, insbesondere mindestens 3 mth, insbesondere mindestens 5 mhi. Sie beträgt insbesondere höchstens 50 gm, insbesondere höchstens 30 gm, insbesondere höchstens 20 gm, insbesondere höchstens 10 gm. Die Schichtdicke kann insbeson dere im Bereich von 3 gm bis 7 gm liegen.

Dies ist insbesondere für eine Gitterstruktur zur Filterung, insbesondere zur Unterdrückung, von Infrarotstrahlung vorteilhaft.

Das optische Element dient insbesondere als Infrarot-unterdrückender EUV-Spiegel. Es bildet mit anderen Worten einen reflektiven IR-Filter. Durch die Präzision der Schichtdicken kann die Präzision der Stufenhöhen der Gitterstruktur des optischen Elements verbessert bzw. mögliche Stufen tiefenfehler reduziert werden. Dies kann zu einer verbesserten IR- Unterdrückung führen.

Eine Gitterstruktur zur Filterung von VUV-Strahlung ist ebenso möglich. Allgemein beträgt die Dicke der formgebenden Schicht zur Unterdrückung von Strahlung mit einer bestimmten Wellenlänge gerade ein ungeradzahli ges Vielfaches eines Viertels der zu unterdrückenden Wellenlänge.

Die formgebenden Schichten und die nachfolgend noch beschriebene Ätz stopp-Schicht sind auf ein Substrat, welches eine Grandtopographie des optischen Elements vorgibt, aufgebracht. Das Substrat kann insbesondere eine gekrümmte Grandtopographie vorgeben. Es kann insbesondere eine ellipsoide oder eine paraboloide Grandtopographie vorgeben. Es sind im Wesentlichen beliebige Substratformen möglich, insbesondere auch nicht sphärische Formen, bspw. Freiform-Formen. Auch planare Formen sind möglich.

Gerade bei nicht-sphärischen Substraten ergeben sich Vorteile durch die formgebende Schicht, welche auch als formerhaltende Schicht dient. Einer seits braucht zur Strukturierung der formgebenden Schicht keine Ätzrate an eine Ätzposition angepasst zu werden, andererseits sind lokal unterschiedli che Stufentiefen erreichbar.

Die formgebenden und/oder formerhaltenden Schichten weisen eine Schichtdicke gemäß einem vorgegebenen Schichtdicken- Verlauf auf. Die Schichtdicke kann insbesondere über die Oberfläche des optischen Ele ments variieren. Sie kann insbesondere von einer Position s auf der Ober fläche des optischen Elements abhängen.

Die formgebenden Schichten können insbesondere eine amorphe Struktur aufweisen. Sie können insbesondere aus einem ätzbaren Material sein. Sie können beispielsweise aus amorphem Silizium sein. Sie können auch zu mindest anteilig, insbesondere vollständig, Silizium, Germanium, Kohlen- stoff, Bor, Titan, Zirkon, Niob, Tantal, Wolfram, Vanadium, deren Legie rungen und Verbindungen, insbesondere Oxide, Carbide, Boride, Nitride und Silizide sowie Mischverbindungen, Edelmetalle aus der Gruppe Ruthe nium, Rhodium Palladium, Platin, Iridium, Osmium, Rhenium und deren Legierungen sein.

Die formgebenden Schichten sind insbesondere aus einem Material, wel ches mit einem formerhaltenden und/oder rauheitserhaltenden bzw. glätten den Verfahren, beispielsweise einem Sputter- Verfahren, insbesondere mit tels eines Magnetronsputterverfahrens (MSD, Magnetron Sputter Deposi tion), eines physisch oder chemischen Dampfabscheidungsverfahren (PVD, CVD, insbesondere plasmaunterstützt, PECVD), eines Atomlagenabschei dung s Verfahrens (ALD-Verfahren), eines gepulsten Laserabscheidungsver- fahrens (PLD- Verfahren), eines Ionenstrahl- Sputterverfahrens, eines Elekt ronenstrahl-Verdampfungsverfahrens, aufgebracht werden kann.

Es kann sich insbesondere um ein Material handeln, welches nicht mittels klassischer Methoden polierbar ist. Es kann sich insbesondere um ein Ma terial handeln, welches nicht auf eine maximale Rauheit von höchstens 0,5 nm rms polierbar ist.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist der Bodenbereich der Gitterstraktur und/oder die Vorderseite der Gitterstruktur jeweils eine Oberflächenrauheit von maximal 0,5 nm rms, insbesondere maximal 0,3 nm rms, insbesondere maximal 0,2 nm rms, insbesondere maximal 0,15 nm rms auf. Diese Angaben beziehen sich auf die hohe Ortsfrequenzrauheit (HSFR, High Spatial Frequency Roughness), insbesondere für Ortsfrequen zen von mehr als 1 pm ¹ . Vorzugsweise weisen sämtliche der auf das Substrat aufgebrachten Schich ten, insbesondere die formgebenden Schichten und/oder die nachfolgend noch beschriebenen Ätzstopp- Schichten, eine derart geringe Rauheit auf

Dies führt zu einer Reduzierung von Streulicht-Verlusten.

Der Bodenbereich kann insbesondere eine Oberflächenrauheit aufweisen, welche um maximal 20%, insbesondere maximal 10%, insbesondere maxi mal 5%, insbesondere maximal 3%, insbesondere maximal 2%, insbeson dere maximal 1%, von der Oberflächenrauheit der Vorderseite abweicht.

Hierdurch kann die Reflektivität des Bodenbereichs, insbesondere für EUV-Strahlung, verbessert werden.

Gemäß einem weiteren Aspekt weist das optische Element eine Ätzstopp- Schicht auf. Die Ätzstopp- Schicht ist insbesondere zwischen einer formge benden Schicht und dem Substrat angeordnet. Sie kann hierbei zwischen zwei formgebenden Schichten angeordnet sein. Im Falle eines Schichtsta pels mit mehreren formgebenden Schichten kann insbesondere zu jeder formgebenden Schicht angrenzend an dieses eine Ätzstopp-Schicht zwi schen der formgebenden Schicht und dem Substrat angeordnet sein.

Mittels der Ätzstopp-Schichten lassen sich auf einfache Weise die Stufen höhe bzw. im Falle eines mehrstufigen Gitters die Stufenhöhen definieren.

Die Ätzstopp-Schicht weist insbesondere eine Dicke in der Größenordnung von nm auf. Die Dicke der Ätzstopp- Schicht kann insbesondere höchstens 50 nm, insbesondere höchstens 30 nm, insbesondere höchstens 20 nm, ins besondere höchstens 10 nm betragen. Die Dicke der Ätzstopp- Schicht ist vorzugsweise möglichst klein. Sie ist andererseits groß genug, um zuver lässig als Ätzstopp zu dienen.

Die Ätzstopp-Schicht ist insbesondere aus einem anderen Material als die zugeordnete formgebende Schicht. Sie ist insbesondere aus einem Material, welches für ein vorgegebenes Ätzverfahren eine um einen Faktor von min destens 10 geringere Ätzrate aufweist als die formgebende Schicht.

Dies führt zu einer hohen Ätzselektivität. Hierdurch wird ein selektives Ät zen der formgebenden Schicht ermöglicht.

Die Ätzstopp-Schicht kann beispielsweise aus Aluminiumoxid, Ceroxid, Yttriumoxid, Chromoxid, Tantaloxid, Nioboxid, Tantaloxid, Titanoxid, Wolframoxid, Zirkonoxid, Vanadiumoxid sowie Mischoxide, Edelmetalle aus der Gruppe Ruthenium, Rhodium, Palladium, Platin, Iridium, Osmium, Rhenium und deren Legierungen sein. Unter Einsatz eines Fluor-basierten Ätzmittels können auch Fluoride wie zum Beispiel Magnesiumfluorid, Lanthanfluorid, Cerfluorid, Yttriumfluorid und Ytterbiumfluorid verwendet werden. .

Die Ätzstopp-Schicht ist insbesondere aus einem Material mit einer ausrei chend hohen Ätzselektivität in Bezug auf den verwendeten Prozess zur Strukturierung der formgebenden Schichten.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist zwischen dem Substrat und der untersten formgebenden Schicht eine weitere Ätzstopp- Schicht an geordnet. Diese kann zum Schutz des Substrats während der Herstellung der Gitterstruktur, insbesondere während der hierfür vorgesehenen Ätz- Prozesse, vorteilhaft sein. Prinzipiell kann auch das Substrat selbst als un terste Ätzstopp- Schicht dienen bzw. diese ersetzen.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung sind die formgebenden Schichten zur Ausbildung einer zwei- oder mehrstufigen Gitterstraktur mit zwei oder mehr Stufenhöhen strukturiert, wobei die Stufenhöhen durch die Schichtdicken der formgebenden Schichten definiert sind.

Eine zweistufige Gitterstruktur ist hierbei gleichbedeutend zu einer Git terstruktur mit drei Levels.

Hierbei kann jeweils zwischen zwei formgebenden Schichten eine Ätz stopp-Schicht angeordnet sein.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weisen die Schichtdicken über die Oberfläche des optischen Elements eine maximale Schwankung von höchstens 50 nm, insbesondere höchstens 30 nm, insbesondere höchs tens 20 nm, insbesondere höchstens 10 nm auf. Im Falle eines VUV-Filters sind die maximalen Schwankungen entsprechende geringer.

Als Schwankung wird hierbei die Differenz der maximalen Schichtdicke und der minimalen Schichtdicke gemessen in Richtung senkrecht zur Ober fläche des Substrats bezeichnet.

Die formgebenden und/oder die Ätzstopp- Schichten weisen insbesondere eine homogene, das heißt eine gleichbleibende, Schichtdicke auf. Hierdurch kann die Prozesskontrolle bei der Herstellung des optischen Ele ments verbessert werden. Außerdem kann hierdurch die Herstellung ver einfacht werden. Es kann insbesondere ein simultanes Durchbrechen der Ätzstopp- Schicht ermöglicht werden.

Gemäß einem weiteren Aspekt kann die formgebende Schicht ein Nanola- minat aufweisen oder aus einem Nanolaminat bestehen.

Es hat sich herausgestellt, dass dies dazu führt, dass die formgebende Schicht besonders gut glättbar ist.

Die formgebende Schicht kann insbesondere als Ätzstapel, insbesondere als monolithischer Ätzstapel ausgebildet sein.

Gemäß einem weiteren Aspekt beträgt ein Flächenanteil der Flanke in einer Aufsicht höchstens 2%, insbesondere höchstens 1%, insbesondere höchs tens 0,5%, insbesondere höchstens 0,3%, insbesondere höchstens 0,2%, insbesondere höchstens 0,1% der Gesamtfläche des optischen Elements, insbesondere der Gesamtheit der Flächen der Vorderseite und des Boden bereichs.

Die Flanken bilden für die Weiterleitung der EUV-Strahlung in eine be stimmte, vorgegebene Richtung einen Verlustbereich. Der Flächenanteil dieses Verlustbereichs kann erfindungsgemäß erheblich reduziert werden.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung wir das optische Element als Spektral- filter, insbesondere zur Unterdrückung von Strahlung mit einer Wellen länge von mehr als 100 nm, insbesondere zur Unterdrückung von IR und/o der VUV-Strahlung, verwendet. Bei dem optischen Element kann es sich insbesondere um ein Bestandteil eines Kollektors für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage handeln. Bei einem derartigen Kollektor ist eine Unterdrückung von IR-Strahlung be- sonders vorteilhaft. Ein Kollektor mit IR-Unterdrückung reduziert die Er wärmung der nachfolgenden optischen Elemente.

Der Kollektor kann Mittel zur Ableitung von Wärme aufweisen. Er kann insbesondere ein oder mehrere Kühlstrukturen aufweisen oder mit einer Kühleinrichtung verbunden sein.

Die Unterdrückung von ungewollter Strahlung (IR/VUV,..) beim 1. Spiegel der gesamten EUV-Optik ist vorteilhaft, da dies mehr Freiheiten beim De sign (Schichtdesign und Aufbau) der nachfolgenden Spiegel lässt, da die unterdrückte Strahlung hier nicht mehr gesondert berücksichtigt werden muss.

Der Kollektor ist im Vergleich zu nachfolgenden Spiegeln besonders ge eignet für das Einbringen von Ätzstoppschichten und der Erzeugung von Unterdrückungsgitters, da beim Kollektor die Anforderungen an das Fem- feld und die Wellenfront (für EUV-Strahlung) vergleichsweise geringer ausfallen und dadurch höhere Fertigung stoleranzen erlaubt sind.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Her- Stellung eines optischen Elements, insbesondere eines optischen Elements gemäß der vorhergehenden Beschreibung, zu verbessern.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit folgenden Schritten gelöst: Bereitstellen eines Substrats mit einer Grundtopographie, Aufbringen einer formgebenden Schicht mit einer Schichtdicke gemäß einem vorgegebenen Schichtdicken- Verlauf auf das Substrat, wobei die formgebende Schicht direkt nach dem Aufbringen auf das Substrat eine Oberflächenrauheit von maximal 0,5 nm rms, insbeson dere maximal 0,3 nm rms, insbesondere maximal 0,2 nm rms, insbe sondere maximal 0,15 nm rms aufweist.

Dass die formgebende Schicht direkt nach dem Aufbringen auf das Sub strat eine derart geringe Oberflächenrauheit aufweist soll heißen, dass zum Erreichen einer derart geringen Oberflächenrauheit keine glättenden Ver fahren, insbesondere keine abtragenden Verfahren notwendig sind. Es sind insbesondere keine Nachbehandlungsschritte nach dem Aufbringen der formgebenden Schicht auf das Substrat notwendig, um die Oberflächenrau heit der formgebenden Schicht zu reduzieren.

Die formgebende Schicht ist mit anderen Worten besonders glatt ausgebil det. Dies ermöglicht es, direkt auf die formgebende Schicht eine EUV- reflektierende Schicht aufzubringen. Auf ansonsten übliche Polier-Schritte kann verzichtet werden. Dies führt einerseits zu einer erheblichen Verein fachung des Verfahrens, andererseits dazu, dass die formgebenden Schicht eine vorbestimmte Dicke aufweist, welche nicht durch einen Undefinierten Politurabtrag verringert wird. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es insbesondere möglich, die Schichten, insbesondere die formgebenden Schichten direkt, insbesondere in einem einzigen Aufbringschritt, mit einer präzise vorgegebenen Schichtdicke, insbesondere einer Schichtdicke, wel che der Schichtdicke dieser Schichten im fertigen Produkt entspricht, her zustellen. Als formgebende Schicht kann insbesondere eine rauheitserhaltende, insbe sondere eine glättende Schicht dienen. Die formgebende Schicht kann ins besondere in einem rauheitserhaltenden, insbesondere einem glättenden Verfahren aufgebracht werden.

Hierunter sei verstanden, dass die Oberflächenrauheit der formgebenden Schicht direkt nach dem Aufbringen auf eine Oberfläche höchstens so groß, insbesondere geringer ist als die Oberflächenrauheit der Oberfläche, auf welche sie aufgebracht wird.

Das erfindungsgemäße Verfahren dient insbesondere zur Herstellung eines optischen Elements mit einer Gitterstruktur, insbesondere einer zweistufi gen Gitterstruktur, das heißt eines 3-Level-Gitters. Das Verfahren dient ins besondere zur Herstellung eines optischen Elements gemäß der vorherge henden Beschreibung.

Für Details der formgebenden Schicht, insbesondere deren Dicke und/oder des Materials der formgebenden Schicht, sei auf die vorhergehende Be schreibung verwiesen.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird die formgebende Schicht derart aufgebracht, dass ihre Schichtdicke um höchstens 1 %, insbesondere höchstens 0,5 %, insbesondere höchstens 0,3 %, insbesondere höchstens 0,2 % von einer vorgegebenen Schichtdicke abweicht.

Dies ermöglicht es, eine Grabentiefe der Gitterstruktur, insbesondere deren Verlauf, direkt bei der Beschichtung des Substrats mit der formgebenden Schicht vorzugeben, insbesondere zu definieren. Die Grabentiefe, d.h. die Stufenhöhe, und deren Verlauf kann insbesondere sehr präzise vorgegeben werden.

Durch die präzise Vorgabe der Schichtdicken in Kombination mit definier ten Ätzstopp-Schichten ist es möglich, auf eine aufwändige Prozessschleife aus wiederholten Ätz-Schritten und nachfolgenden Tiefenmessungen zu verzichten. Hierdurch wird einerseits die Präzision der hergestellten Git terstrukturen verbessert, andererseits das Herstellungsverfahren derselben erheblich erleichtert.

Durch die Ätzstopp- Schicht bzw. die Ätzstopp-Schichten können sonst üb licherweise auftretende Ätzausläufer vermieden werden. Derartige Ätzaus läufer bilden sich sonst am Übergang zwischen dem Bodenbereich und der Flanke. Sie führen zu einer Verrundung oder Vertiefung (sog. „Trenching“) des Übergangs. Hierdurch wird der Verslustbereich, welcher nicht zur Re flexion von EU V- Strahlung in die gewünschte Richtung verwendet werden kann, vergrößert. Durch die Ätzstopp- Schicht kann der Verlustbereich auf weniger als 1%, insbesondere weniger als 0,5%, insbesondere weniger als 0,3%, insbesondere weniger als 0,2% verringert werden.

Als Material für die formgebende Schicht kann ein polierbares oder auch ein nicht-polierbares Material dienen.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung dient zum Aufbringen der formgebenden Schicht ein rauheitserhaltendes, insbesondere eine glätten des Verfahren, beispielsweise ein Sputter- Verfahren, insbesondere ein Magnetronsputter- Verfahren (MSD, Magnetron Sputter Deposition), ein physisches oder chemisches Dampfabscheidungsverfahren (PVD, CVD, insbesondere ein plasmaunterstütztes CVD, PECVD), ein Atomlagenab scheidungsverfahren (ALD- Verfahren), ein gepulstes Laserabscheidungs- verfahren (PLD- Verfahren), ein Ionenstrahl- Sputterverfahren oder ein Elektronenstrahl- V erdampfung sverfahren.

Ein derartiges Aufbring- Verfahren ermöglicht ein sehr präzises Aufbringen der formgebenden Schicht, insbesondere ein Aufbringen der formgebenden Schicht mit einer vorbestimmten Dicke, insbesondere einem vorbestimm - ten Schichtdicken- Verlauf

Gemäß einem Aspekt der Erfindung umfasst das Verfahren ausschließlich rauheitserhaltende additive Schritte. Das heißt, dass sämtliche additiven Verfahrens schritte rauheitserhaltend, insbesondere glättend, sind. Das Ver fahren kann außerdem selektive Strukturierungs-Schritte umfassen.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird unter der formgebenden Schicht, insbesondere unter jeder der formgebenden Schichten, jeweils eine Ätzstopp- Schicht aufgebracht.

Die Ätzstopp-Schicht erleichtert die Strukturierung der formgebenden Schicht. Sie erleichtert insbesondere den Ätz-Prozess zur Herstellung einer Gitterstraktur mit einer vorbestimmten Stufenhöhe. Bei dem erfindungsge mäßen Verfahren müssen die Ätz-Prozesse insbesondere nicht für eine Tie fenmessung, insbesondere zu einer Bestimmung der Grabentiefe und/oder zur Bestimmung einer Re st- Schichtdicke der formgebenden Schicht, unter brochen werden. Die Ätzstopp-Schicht ermöglicht es insbesondere, die durch die Schichtdi cke der formgebenden Schicht vorgegebene Stufenhöhe präzise zu errei chen. Sie führt somit zu einer erhöhten Präzision der Gitterstruktur und da mit zu verbesserten optischen Eigenschaften.

Die Ätzstopp-Schicht kann jeweils aufgewachsen werden. Für ihre Dicke und mögliche Materialien sei auf die vorhergehende Beschreibung verwie sen.

Eine Ätzstopp- Schicht kann insbesondere auf das Substrat aufgewachsen werden. Eine Ätzstopp- Schicht kann auch auf eine formgebende Schicht aufgewachsen werden.

Die Ätzstopp-Schicht wird insbesondere in einem rauheitserhaltenden, ins besondere in einem glättenden Verfahren aufgebracht.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung werden mindestens eine formgebende Schicht und mindestens eine Ätzstopp-Schicht, insbesondere sämtliche formgebenden Schichten und sämtliche Ätzstopp-Schichten in einem Durchlauf, d.h. hintereinander weg in derselben Anlage aufgebracht, ohne den Prozess, insbesondere das Vakuum zu unterbrechen.

Hierdurch vereinfacht sich die Aufbringung des Schichtsystems aus form gebenden Schichten und Ätzstopp-Schichten erheblich. Es lassen sich ins besondere Verunreinigungen und/oder Oberflächenmodifikationen, wie beispielsweise Oxidationsreaktionen, vermeiden. Durch die Kombination von formgebenden Schichten mit einer geringen Oberflächenrauheit und einer oder mehreren Ätzstopp- Schichten kann die Prozesskette stark vereinfacht werden.

Sofern das Substrat aus einem Material ist, welches selbst bei den vorgese henen Ätz-Prozessen als Ätzstopp wirkt, kann auf eine separate Ätzstopp- Schicht zwischen dem Substrat und der untersten formgebenden Schicht verzichtet werden. Dies ist insbesondere der Fall, sofern das Substrat aus demselben Material ist wie die Ätzstopp- Schicht.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird die formgebende Schicht in einem zweistufen Strukturierungs-Schritt umfassend einen Li thographie-Schritt und einen nachfolgenden Ätz-Schritt strukturiert. Bei dem Ätz-Schritt handelt es sich insbesondere um einen Ätz-Schritt mit che mischem Anteil. Der Ätz-Schritt ist durch die Ätzstopp- Schicht limitiert. Da die Ätzstopp- Schicht unempfindlich gegenüber dem Ätzprozess ist, kann ein Überätzen vorgesehen sein, um Ätzratenschwankungen zu kom pensieren.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung werden auf das Substrat min destens zwei formgebenden Schichten aufgebracht, welche jeweils durch eine Ätzstopp-Schicht voneinander getrennt sind. Es kann insbesondere vorgesehen sein, auf das Substrat ein Schichtsystem mit einer alternieren den Abfolge von Ätzstopp- Schichten und formgebenden Schichten aufzu bringen. Es kann insbesondere vorgesehen sein, auf das Substrat eine Ätz stopp-Schicht, eine formgebenden Schicht, eine weitere Ätzstopp- Schicht und eine weitere formgebenden Schicht in dieser Reihenfolge aufzubrin gen. Die Schichten weisen jeweils die vorhergehend beschriebene Präzi sion auf. Vorzugsweise wird unter jeder formgebenden Schicht eine geeignete Ätz stopp-Schicht aufgebracht. Hierdurch wird der Ätzprozess erheblich er leichtert.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung umfasst das Verfahren aus schließlich additive Schritte und Strukturierungs-Schritte, insbesondere se lektive Strukturierungs-Schritte. Selektive Strukturierung bedeutet in die sem Zusammenhang eine lokale Ätzung einer freiliegenden Fläche gemäß einer zuvor erzeugten Ätzmaske. Insbesondere kann diese Ätzmaske aus einer lithografierten Lackmaske oder einer zuvor auf diese Weise struktu rierte Ätzstoppschicht bestehen. In beiden Fällen zeichnen sich die Ätz masken durch eine hohe Ätzselektivität gegenüber den Materialien der formgebenden Schichten aus. Auf Politur- Schritte kann vollständig ver- zichtet werden.

Hierdurch kann eine Verrundung von Kanten vermieden werden.

Gemäß einem weiteren Aspekt ermöglicht das Verfahren die ausschließli- che Verwendung trockener Verfahrensschritte. Es kann insbesondere frei von naß-chemischen Verfahrens schritten sein.

Das Verfahren kann insbesondere ausschließlich additive Verfahrens schritte, beispielsweise Aufbring- und/oder Abscheideschritte, und Ätz- Verfahrensschritte, insbesondere chemische und/oder physikalische Ätz- Verfahrensschritte, aufweisen. Auf unspezifische Abtrag- Schritte kann ver zichtet werden. Das Herstellungsverfahren kommt insbesondere vollständig ohne nicht-selektive, mechanische Abtrag schritte aus. Hierdurch wird die Herstellung einer Schichtstruktur mit einer präzise vorgegebenen Schicht dicke beziehungsweise einem präzise vorgegebenen Schichtdickenverlauf ermöglicht. Dies führt insgesamt zu einer erheblichen Vereinfachung der Prozesskette und zu einer verbesserten Genauigkeit bezüglich der Ätztie fen. Dies führt insbesondere zu einer verbesserten Unterdrückung uner wünschter Strahlung.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird auf die jeweils oberste Schicht, insbesondere die jeweils oberste formgebende Schicht eine strah lungsreflektierende Schicht aufgebracht. Die strahlungsreflektierende Schicht kann insbesondere direkt auf die oberste formgebende Schicht auf gebracht werden. Bei der strahlungsreflektierenden Schicht handelt es sich insbesondere um eine EU V- strahlungsreflektierende Schicht. Es kann sich insbesondere um einen Schichtstapel aus Molybdän-Silizium-Doppellagen handeln.

Weitere Details und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der Beschrei bung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Es zeigen:

Fig. 1 schematisch einen Meridionalschnitt durch eine Pro- jektionsbelichtungsanlage für die EUV- Proj ektionslithographie,

Fig. 2A bis 2E schematische Ausschnitte aus einem Querschnitt durch ein optisches Element mit einer zweistufigen Git- terstraktur zu unterschiedlichen Zeitpunkten im Her stellungsprozess, Fig. 3 schematisch eine Abfolge von Prozessschritten aus der

Prozesskette zur Herstellung des optischen Elements und

Fig. 4 schematisch einen Ausschnitt durch einen Querschnitt eines Zwischenprodukts zur Herstellung eines Kollek torspiegels.

Zunächst wird der generelle Aufbau einer Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikro-Lithographie beschrieben.

Fig. 1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt eine Projektionsbelich tungsanlage 1 für die Mikro-Lithographie. Ein Beleuchtungs System 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle 3 eine Be leuchtungsoptik 4 zur Belichtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 5 angeordnetes und in der Zeichnung nicht dargestelltes Retikel, das von einem ebenfalls nicht darge stellten Retikelhalter gehalten ist. Eine Projektionsoptik 7 dient zur Abbil dung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 8 in der Bildebene 9 angeordneten Wafers, der in der Zeichnung ebenfalls nicht dargestellt ist und von einem ebenfalls nicht dargestellten Waferhalter gehalten ist.

Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Es kann sich dabei um eine Plasmaquelle, beispielsweise um eine GDPP- Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, gasdischarge-produced plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laser- produced plasma) handeln. Beispielsweise kann Zinn mittels einem bei ei ner Wellenlänge von 10,6 pm, das heißt im Infrarot-Bereich, arbeitenden Kohlendioxidlaser zu einem Plasma angeregt werden. Auch eine Strah lungsquelle, die auf einem Synchrotron basiert, ist für die Strahlungsquelle 3 einsetzbar. Informationen zu einer derartigen Strahlungsquelle findet der Fachmann beispielsweise in der US 6,859,515 B2. EUV-Strahlung 10, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 11 gebün delt. Ein entsprechender Kollektor ist aus der EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 11 propagiert die EUV-Strahlung 10 durch eine Zwi schenfokusebene 12, bevor sie auf einen Feldfacetten-Spiegel 13 mit einer Vielzahl von Feldfacetten 13a trifft. Der Feldfacetten-Spiegel 13 ist in ei ner Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Objektebene 6 op tisch konjugiert ist.

Die EUV-Strahlung 10 wird nachfolgend auch als Beleuchtungslicht oder als Abbildungslicht bezeichnet.

Nach dem Feldfacetten-Spiegel 13 wird die EUV-Strahlung 10 von einem Pupillenfacettenspiegel 14 mit einer Vielzahl von Pupillenfacetten 14a re flektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 14 ist in einer Pupillenebene der Be leuchtungsoptik 4 angeordnet, die zu einer Pupillenebene der Projekti onsoptik 7 optisch konjugiert ist. Mit Hilfe des Pupillenfacettenspiegels 14 und einer abbildenden optischen Baugruppe in Form einer Übertra gungsoptik 15 mit in der Reihenfolge des Strahlengangs bezeichneten Spie geln 16, 17 und 18 werden Feld-Einzelfacetten 19, die auch als Subfelder oder als Einzelspiegel-Gruppen bezeichnet werden, des Feldfacetten-Spie- gels 13 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der letzte Spiegel 18 der Übertra gungsoptik 15 ist ein Spiegel für streifenden Einfall („Grazing Incidence- Spiegel“). Mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird wenigstens ein Teil des Retikels im Objektfeld 5 auf einen Bereich einer lichtempfindlichen Schicht auf dem Wafer im Bildfeld 8 zur lithographischen Herstellung ei- nes mikro- bzw. nano strukturierten Bauteils, insbesondere eines Halbleiter bauteils, beispielsweise eines Mikrochips, abgebildet. Je nach Ausführung der Projektionsbelichtungsanlage 1 als Scanner oder als Stepper werden das Retikel und der Wafer zeitlich synchronisiert in der y-Richtung konti nuierlich im Scannerbetrieb oder schrittweise im Stepperbetrieb verfahren.

Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf die Figuren 2A bis 2E und die Figur 3 ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements der Projek- tionsbelichtungsanlage 1 sowie Zwischenprodukte bei der Herstellung die ses optischen Elements beschrieben.

Bei dem optischen Element kann es sich insbesondere um einen Spiegel, insbesondere um einen Spiegel der Beleuchtungsoptik 4 oder der Projekti onsoptik 7, handeln. Es kann sich insbesondere um einen Spiegel des Kol lektors 11 handeln. Es kann sich auch um einen Spektralfilter, insbesondere einen Filter zur Unterdrückung von Infrarotstrahlung (IR-Strahlung), han deln. Es handelt sich insbesondere um einen EUV-reflektierenden Spiegel mit IR-unterdrückender Wirkung. Für weitere Details eines derartigen opti schen Elements sei exemplarisch auf die PCT/EP 2019/082407 verwiesen, auf die hiermit Bezug genommen wird.

Zunächst wird in einem Bereitstellungsschritt 19 ein Substrat 20 bereitge- stellt. Das Substrat 20 dient zur Vorgabe einer Grundtopographie des opti schen Elements. Es kann insbesondere eine nicht-planare, das heißt eine gekrümmte, Oberfläche aufweisen. Es kann insbesondere eine konvexe o- der konkave Oberfläche aufweisen. Das Substrat kann eine asphärische, insbesondere eine ellipsoide, oder eine paraboloide Grundtopographie aufweisen.

In einem Aufbringschritt 21 wird auf das Substrat 20 eine Abfolge von Ätz- Schichten 22i (i > 1) und Ätzstopp- Schichten 23 i (i > 1) aufgebracht.

Die Ätz-Schichten 22i werden insbesondere mittels eines Abscheidungsverfahren, insbesondere mittels eines Sputter- Verfahrens, insbesondere mittels eines Magnetron- Sputter- Verfahrens (MSD, Magnetron Sputter Deposition) aufgebracht.

Die Ätzstopp-Schichten 23i werden insbesondere aufgewachsen.

Die Ätz-Schichten 22i werden mit einer Dicke Di aufgebracht. Die Schichtdicke Di kann über die Oberfläche des Substrats 20 variieren, Di = Di _(S) , hierbei gibt s die Position auf der Oberfläche des Substrats 20 an. Die Ätz- Schicht 22i wird insbesondere mit einer Schichtdicke Di _(S) gemäß einem vorgegebenen S chichtdicken- Verlauf Di _V(S) auf das Substrat 20 aufgebracht.

Die Schichtdicke Di _(S) weicht insbesondere im Bereich der gesamten Oberfläche des Substrats 20 um höchstens 1 % von der vorgegebenen Schichtdicke Div(s ₎ ab.

Die Ätz-Schichten 22i weisen eine glatte Oberfläche auf. Ihre Oberflächenrauheit beträgt insbesondere 0,15 nm rms. Diese Angabe bezieht sich insbesondere auf den Bereich hoher Ortsfrequenzen, insbesondere von mindestens 1/mth. Die Ätz-Schichten 22i weisen insbesondere eine Dicke Di von wenigen gm auf. Die Dicke Di der Ätz-Schichten 22i kann insbesondere im Bereich von 1 gm bis 10 gm, insbesondere im Bereich von 3 gm bis 7 gm liegen.

Die Gesamtdicke der Beschichtung des Substrats 20, insbesondere die Summe der Dicke sämtlicher Ätz-Schichten 22i und Ätzstopp- Schichten 23i, beträgt insbesondere höchstens 20 gm, insbesondere höchstens 10 gm. Diese Angaben sind nicht beschränkend zu verstehen.

Die Ätz-Schichten 22i können beispielsweise aus amorphem Silizium, S1O2 oder S13N4 sein.

Ihre Dicke Di wird direkt bei der Beschichtung eingestellt. Die Dicke Di kann insbesondere mit einer Genauigkeit von besser als 1 %, insbesondere besser als 0,5 %, insbesondere besser als 0,3 %, insbesondere besser als 0,2 % eingestellt werden.

Die Ätzstopp-Schichten 23i sind aus einem Material mit einer Selektivität für den vorgesehenen Ätz-Prozess. Die Ätzstopp-Schichten 23i können bei spielsweise aus Ruthenium oder Aluminiumoxid (AI2O3) sein.

Die Ätzstopp-Schichten 23i können insbesondere aufgewachsen, insbeson dere glatt aufgewachsen, werden. Sie weisen eine Dicke D im Bereich von einigen nm, insbesondere im Bereich von 1 nm bis 20 nm, insbesondere im Bereich von 3 nm bis 10 nm, auf. Die weisen insbesondere eine m xim le Oberflächenrauheit auf, welche der Oberflächenrauheit der Ätz-Schichten 22i entspricht. Die formgebenden Ätz-Schichten 22i und die Ätzstopp- Schichten 23i wer den insbesondere mittels eines rauheitserhaltenden, insbesondere eines glättenden Verfahrens aufgebracht.

Sie werden mit einer hohen Präzision aufgebracht. Die m xim le Dicken abweichung über die optisch genutzte Fläche des optischen Bauelements beträgt insbesondere höchstens 2 %, insbesondere höchstens 1 %, insbe sondere höchstens 0,5 %, insbesondere höchstens 0,3 %, insbesondere höchstens 0,2 %. Im Falle einer Schichtdicke der Ätz-Schicht 22i im Be reich von einigen Mikrometern kann die m xim le Dickenabweichung ins besondere höchstens 50 nm, insbesondere höchstens 30 nm, insbesondere höchstens 20 nm, insbesondere höchstens 10 nm betragen. Die Ätz-Schich- ten 22i werden daher auch als formerhaltende oder formgebende Schichten bezeichnet.

Von einer formerhaltenden Schicht wird insbesondere gesprochen, sofern die Schicht eine konstante Dicke aufweist. Schichten mit einer variierenden Dicke werden als formgebende Schichten bezeichnet.

Nach dem Aufbringen sämtlicher Ätz-Schichten 22i und Ätzstopp-Schich ten 23i auf das Substrat 20 liegt ein Zwischenprodukt 24 zur Herstellung des optischen Elements vor. In Figur 4 ist exemplarisch ein Zwischenpro dukt 24 zur Herstellung einer Kollektorschale dargestellt. In diesem Fall weist das Substrat 20 eine gekrümmte Oberfläche, insbesondere eine ellip- soide oder eine paraboloide Oberfläche, auf.

In einem ersten Strukturierungsschritt 25 wird die oberste Ätz-Schicht 221 strukturiert. Hierfür ist ein Lithographieschritt 26 und ein nachfolgender Ätzschritt 27 vorgesehen. Da die Ätztiefe durch die Ätzstopp- Schicht 231 limitiert ist, werden die Anforderungen an den Ätzprozess erheblich verrin gert. Es besteht insbesondere die Möglichkeit zum Überätzen, ohne hierbei Gefahr zu laufen, zu viel Material zu entfernen.

In der Figur 2B ist das Zwischenprodukt 24 im Stadium nach dem ersten Strakturierangsschritt 25 dargestellt.

Zur selektiven Öffnung, das heißt zur selektiven, bereichsweisen Entfer nung der Ätzstopp- Schicht 231 ist ein physikalischer Ätzschritt 28, insbe sondere ein Trockenätzverfahrensschritt, vorgesehen.

Als Ätzschritt 28 kann insbesondere reaktives Ionenätzen dienen. Er kann reaktive (chemische) und sputter (physikalische) Anteile aufweisen. Beim Ätzschritt 28 handelt es sich insbesondere um einen gerichteten, anisotropi schen Prozess. Hierdurch kann sichergestellt werden, dass in einem zwei ten Ätzschritt eine darüberliegende Ätzstopp-Schicht nicht unterspült wird.

Hierbei wird die Ätzstopp- Schicht 231 im Bodenbereich 29 der im ersten Strakturierangsschritt 25 hergestellten ersten Grabenstraktur 30 gezielt ent fernt. Hierbei werden Abschnitte des Bodenbereichs 29 stehen gelassen, um nachfolgend Stufen 31 zu bilden.

Für weitere Details des Strakturierangsschritts wird auf die DE 10 2018 220 629.5 verwiesen.

In der Figur 2C ist exemplarisch das Zwischenprodukt 24 nach Abschluss des physikalischen Ätzschritts 28 dargestellt. Sodann wird in einem zweiten Strakturierangsschritt 32 die zweite Ätz- Schicht 22 ₂ strukturiert. Der zweite Strukturierungsschritt 32 umfasst ent sprechend dem ersten Strukturierungsschritt 25 einen Lithographie schritt 33 und einen Ätzschritt 34. Für Details des zweiten Strukturierungsschritts 32 wird auf die Beschreibung des ersten Strukturierungsschritts 25 verwie sen. Die Strukturierungsschritte 25, 32 können im Wesentlichen identisch sein. Sie können sich auch in einem oder mehreren Details unterscheiden. Dies ist insbesondere vorgesehen, sofern die Ätz-Schichten 22i, 22 ₂ nicht identisch ausgebildet sind.

In der Figur 2D ist exemplarisch der Zustand des Zwischenprodukts 24 nach dem zweiten Strukturierungsschritt 32 dargestellt. Das Zwischenpro dukt 24 weist nun eine zweistufige Grabenstruktur 35, das heißt eine Struk tur mit drei Levels Li, L ₂ , L ₃ auf.

Der oberste bzw. vorderste Level Li bildet eine Vorderseite 40 der Graben struktur 35.

Die Grabenstruktur 35 weist außerdem einen Bodenbereich 41 auf.

Schließlich weist die Grabenstruktur 35 Flanken 42 auf.

Bei dem in der Fig. 2D dargestellten Beispiel weist die Grabenstruktur 35 eine Zwischenstufe, nämlich die Stufe 31, auf. Es handelt sich somit um eine zweistufige Gitterstruktur.

Dies ist exemplarisch zu verstehen. Mit dem vorhergehend beschriebenen Verfahren lassen sich entsprechend auch einstufige oder mehrstufige, ins besondere dreistufige oder vierstufige Gitterstrukturen herstellen. Der Übergang vom Bodenbereich 41 zur Flanke 42 ist scharfkantig ausge bildet. Er weist einen Krümmungsradius rB von höchsten 5 gm, insbeson dere höchstens 3 gm, insbesondere höchstens 2 gm, insbesondere höchs- tens 1 gm auf.

Der Übergang von der Vorderseite 40 zur Flanke 42 ist scharfkantig ausge bildet. Er weist insbesondere einen Krümmungsradius rV von höchsten 5 gm, insbesondere höchstens 3 gm, insbesondere höchstens 2 gm, insbeson- dere höchstens 1 gm auf.

Die Flanken 42 bilden einen Verlustbereich. Sie tragen insbesondere nicht zur Weiterleitung der EU V- Strahlung in die durch die Vorderseite 40 und den Bodenbereich 41 vorgegebene Richtung bei. Es ist von daher vorteil- haft, die Flanken 42 so steil wie möglich auszubilden. Der Winkel zwi schen einer der Flanken 42 und einer Flächennormalen zum Bodenbereich 41 und/oder zur Vorderseite 40 beträgt vorzugsweise höchstens 15°, insbe sondere höchstens 10°, insbesondere höchstens 5°, insbesondere höchstens 3°, insbesondere höchstens 2°, insbesondere höchstens 1°.

In einem nachfolgenden Aufbringschritt 36 wird eine strahlungsreflektie rende Schicht 37 aufgebracht. Die strahlungsreflektierende Schicht 37 wird insbesondere auf alle drei Levels Li, L2, L3 aufgebracht. Bei der strahlungsreflektierenden Schicht 37 handelt es sich insbesondere um eine EU V- strahlungsreflektierende Schicht. Bei der strahlungsreflektie renden Schicht 37 handelt es sich insbesondere um einen Schichtstapel aus Molybdän-Silizium-Doppellagen. Z wischen der strahlungsreflektierenden Schicht 37 und der formgebenden Ätz- Schicht 22i können weitere mögliche Schichten liegen. Auf die Ätz- Schichten 22i, insbesondere auf die oberste der Ätz-Schichten 22i, können insbesondere Schutzschichten oder sonstige funktionale Schichten aufge bracht sein.

Die strahlungsreflektierende Schicht 37 wird direkt auf die Schichten 221, 231 und 23 ₂ aufgebracht. Aufgrund der geringen Oberflächenrauheit dieser Schichten kann auf einen vorhergehenden Politurschritt verzichtet werden.

Prinzipiell kann die oberste Ätz- Schicht 22i auch poliert werden.

Das Zwischenprodukt 24 mit der strahlungsreflektierenden Schicht 37 ist schematisch in der Figur 2E dargestellt.

Das vorhergehend beschriebene Verfahren führt insbesondere im Hinblick auf Bestandteile des Kollektors 11, insbesondere Kollektorschalen, zu Vor teilen. Dies ermöglicht insbesondere die Herstellung eines Kollektors 11 mit einer verbesserten IR-Unterdrückung. Dies ist auf eine Reduzierung des Stufentiefenfehlers zurückzuführen. Gleichzeitig führt das erfindungs gemäße Verfahren zu einer erheblichen Vereinfachung der Prozesskette, insbesondere zu einer Reduzierung der Durchlaufzeit. Dies ist auf die Um gehung von Politur- Schritten und einen möglichen Verzicht auf die Ätztie fenbestimmung zurückzuführen.

Im Folgenden werden noch einmal unterschiedliche Aspekte der Erfindung stichwortartig beschrieben. Diese Aspekte führen jeweils für sich einzeln oder in Kombination zu Vorteilen. Zur Abscheidung der Ätz-Schichten 22i dient ein formerhaltendes bzw. ein formgebendes Verfahren. Die Ätz-Schichten 22i werden von daher auch als formgebende Schichten bezeichnet.

Zum Aufbringen der formgebenden Schichten dient insbesondere ein Ab scheidungsverfahren, insbesondere ein rauheitserhaltendes, vorzugsweise ein glättendes Abscheidungsverfahren. Die Schichten weisen somit direkt nach ihrem Aufbringen einen vorgegebenen Schichtdickenverlauf und eine sehr geringe Oberflächenrauheit auf.

Jeder Beschichtungsschritt kann mindestens einen der folgenden Elemen tarprozesse umfassen: Abscheidung, Abtrag und Glättung. Diese Elemen tarprozesse können sequentiell oder simultan ablaufen.

Jeder dieser Elementarprozesse kann global, insbesondere auf der gesamten optisch genutzten Oberfläche des optischen Elements, oder lokal, selektiv, wirken.

Die Glättung kann vor der Beschichtung, während der Beschichtung und/o der nach der Beschichtung erfolgen.

Zum selektiven Entfernen einzelner Bereiche der Ätz-Schichten 22i und/o der der Ätzstopp- Schichten 23i, insbesondere zu deren Abtrag und/oder zu deren Glätten kann ein Ionenstrahlverfahren, insbesondere ein reaktives Io nenstrahlverfahren, ein Plasmaverfahren, insbesondere ein reaktives Plas maverfahren, ein Plasmajetverfahren, eine Remote-Plasma-Methode, Atomlagenätzen, insbesondere räumliches Atomlagenätzen, elektronen strahlgestütztes Ätzen oder ein anderes Verfahren dienen. Es kann auch eine räumliche Atomlagenprozessierang oder eine Prozessierang mitels fokussierten Elektronenstrahls vorgesehen sein.

Für eine besonders geringe Oberflächenrauheit kann der Einsatz von Nano- laminaten vorteilhaft sein. Diese wenige Nanometer dünnen Schichten aus alternierenden Materialkombinationen können mit den vorhergehend ge nannten Verfahren geglättet werden, obwohl aufgrund ihrer Härte eine Glättung des reinen Volumenmaterials eigentlich nicht möglich wäre. Bei spielsweise lässt sich Tantalcarbid (TaC), welches ein sehr hartes Material darstellt, auf diese Weise gläten.