QUERVERWEIS AUF IN BEZIEHUNG STEHENDE ANMELDUNGEN

Die vorliegende Patentanmeldung beansprucht den Vorrang der U.S. Provisional Patentanmeldung Nr. 61/133,616 (Anmeldetag: 1. Juli 2008), deren gesamte Offenbarung hierin durch Bezugnahme eingeschlossen wird.

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung betrifft optische Abbildungseinrichtungen. Die Erfindung lässt sich im Zusammenhang mit der bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltkreise verwendeten Mikrolithographie einsetzen. Sie betrifft daher weiterhin ein Abbildungsverfahren.

Insbesondere im Bereich der Mikrolithographie ist es neben der Verwendung mit möglichst hoher Präzision ausgeführter Komponenten unter anderem erforderlich, die Komponenten der Abbildungseinrichtung, also beispielsweise die optischen Elemente wie Linsen oder Spiegel, möglichst exakt zu positionieren, um eine entsprechend hohe Abbildungsqualität zu erzielen. Die hohen Genauigkeitsanforderungen, die im mikroskopischen Bereich in der Größenordnung weniger Nanometer oder darunter liegen, sind dabei nicht zuletzt eine Folge des ständigen Bedarfs, die Auflösung der bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltkreise verwendeten optischen Systeme zu erhöhen, um die Miniaturisierung der herzustellenden mikroelektronischen Schaltkreise voranzutreiben.

Mit der erhöhten Auflösung und der damit in der Regel einhergehenden Verringerung der Wellenlänge des verwendeten Lichts steigen nicht nur die Anforderungen an die Positioniergenauigkeit der verwendeten optischen Elemente. Es steigen natürlich auch die Anforderungen hinsichtlich der Minimierung der Abbildungsfehler der gesamten optischen Anordnung.

Um bei den in der Mikrolithographie verwendeten geringen Arbeitswellenlängen im UV- Bereich, beispielsweise mit Arbeitswellenlängen im Bereich von 193 nm, insbesondere aber auch im so genannten extremen UV-Bereich (EUV) mit Arbeitswellenlängen im Bereich von 5 nm bis 20 nm (meist im Bereich von 13 nm), die hohen Anforderungen an die Positionierung der beteiligten Komponenten einzuhalten, wird häufig vorgeschlagen, die Position der einzelnen Komponenten, wie den Maskentisch, die optischen Elemente und den Substrattisch (z. B. einem Wafer-Tisch), jeweils einzeln bezüglich einer Referenz (z. B. einer Referenzstruktur, die häufig von einem so genannten Metrology Frame gebildet wird) zu erfassen und diese Komponenten dann aktiv zueinander zu positionieren. Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise aus der US 7,221 ,460 B2 (Ohtsuka) bekannt, deren gesamte Offenbarung hierin durch Bezugnahme eingeschlossen wird.

Diese Lösung hat zum einen den Nachteil, dass in der Regel keine Echtzeitmessung der Position der Abbildung des Projektionsmusters der Maske auf dem Substrat (meist einem Wafer) erfolgt, sondern lediglich indirekt aus den einzelnen Positionsdaten der Komponenten bezüglich der Referenz auf deren Relativposition und die Position der Abbildung geschlossen wird. Hierbei summieren sich die jeweiligen Messfehler, sodass es gegebenenfalls zu einem vergleichsweise hohen gesamten Messfehler kommen kann.

Weiterhin ist hiermit eine große Anzahl von aktiv zu positionierenden Elementen verbunden, welche alle mit der entsprechenden Winkelgenauigkeit im Nanorad-Bereich (nrad) und darunter und einer Translationsgenauigkeit im Pikometer-Bereich (pm) positioniert und hinsichtlich ihrer Position erfasst werden müssen. Dies zieht zudem besonders hohe Anforderungen an die thermische Stabilität der Referenz und der Stützstruktur für die optischen Elemente nach sich. Hier sind hinsichtlich der thermischen Ausdehnung in der Regel nur wenige Dutzend Manometer pro Kelvin (nm/K) zulässig.

Demgegenüber ist weiterhin eine Reihe von Lösungen bekannt, bei denen die Qualität der Abbildung der Objektpunkte einer Objektebene (Projektionsmuster der Maske) auf die Bildpunkte in einer Bildebene (in der das Substrat anzuordnen ist), insbesondere die

Position der Abbildung des Projektionsmusters in der Bildebene, in Echtzeit bestimmt wird. Hierbei kann die Abbildungsqualität, insbesondere die Position der Abbildung des Projektionsmusters auf der Bildebene, grundsätzlich mit deutlich weniger aktiven Elementen, gegebenenfalls sogar nur mit einem aktiven Element, korrigiert werden. Dadurch vereinfacht sich nicht nur die dynamische Ansteuerung der übrigen Komponenten, es sind auch deutlich geringere Anforderungen an die thermische Stabilität der Referenz und der Stützstruktur für die optischen Elemente zu stellen.

So ist es beispielsweise bekannt, direkt, d. h. mittels einer in der Bildebene an der Position des Substrats angeordneten Wellenfrontsensorik, die Aberrationen des Projektionsstrahlenganges zu ermitteln. Hierfür muss allerdings der Belichtungsbetrieb des Substrats unterbrochen werden. Bei über die Zeit ausreichend stabilen Projektionseinrichtungen ist dies eine praktikable Lösung, d. h. die Kontrolle und Korrektur von Abbildungsfehlern kann in ausreichend großen zeitlichen Abständen (von einigen Stunden bis hinzu Tagen oder sogar Wochen) erfolgen. Eine Messung und Korrektur in kürzeren Zeitabständen, wie sie bei sich innerhalb kurzer Zeit auswirkenden Störungen (wie beispielsweise thermischen Störungen) erforderlich wäre, ist entweder nicht möglich, da die Messung grundsätzlich zu lange dauert, oder ist unerwünscht, da der Belichtungsprozess nicht unterbrochen werden darf bzw. die Auswirkungen auf die Produktivität der Abbildungseinrichtung nicht akzeptabel ist.

Die Echtzeitbestimmung der Position der Abbildung des Projektionsmusters der Maske auf dem Substrat erfolgt häufig nach dem so genannten Laser-Pointer-Prinzip. Hierbei wird von einer im Bereich der Maske angeordneten Lichtquelle ein Messlichtbündel in Form eines kollimierten Laserstrahls in der Nähe des Pfades des Nutzlichts (also am Bildfeldrand) über die an der Abbildung beteiligten optischen Elemente bis in den Bereich des Substrats geführt und dort über einen Detektor erfasst. Schon geringste Abweichungen der optischen Elemente von ihrer Sollposition erzeugen hierbei eine Abweichung des Laserstrahls von seiner Soüposition, die über den Detektor erfasst und zur Korrektur herangezogen wird. Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise aus der US 2003/0234993 A1 (Hazelton et al.) bekannt, deren gesamte Offenbarung hierin durch Bezugnahme eingeschlossen wird.

Hierbei lassen sich dank der Führung des Laserstrahls über die an der Abbildung beteiligten optischen Elemente gegebenenfalls nicht nur Abweichungen hinsichtlich der korrekten Position der Abbildung des Projektionsmusters der Maske auf dem Substrat bestimmen, sondern es können auch weitere Fehler (z. B. Verzerrungen etc.) bei der Abbildung erfasst werden. Alle diese Positionsfehler und sonstigen Fehler werden in der vorliegenden Beschreibung unter dem Begriff Abbildungsfehler zusammengefasst.

Allerdings bedingen diese Varianten der Bestimmung des Abbildungsfehlers häufig einen Eingriff in den Projektionsstrahlengang (z. B. durch das Einbringen von Strahlteilern) und bedingen gegebenenfalls einen unerwünschten Verlust an Strahlungsleistung etc. mit sich.

Wie bereits erwähnt stellen sich die oben geschilderten Probleme hinsichtlich der

Winkelgenauigkeit und Transiationsgenauigkeit bei der Positionierung und Orientierung der an der Abbildung beteiligten Komponenten besonders massiv bei den Abbildungseinrichtungen, die im EUV-Bereich arbeiten (beispielsweise im Wellenlängenbereich von 13,5 nm), wie es beispielsweise aus der US 7,226,177 B2 (Sasaki et al.) bekannt ist, deren gesamte Offenbarung hierin durch Bezugnahme eingeschlossen wird.

Diese Objektive arbeiten derzeit ausschließlich mit reflektiven optischen Elementen (also Spiegeln oder dergleichen), welche die EUV-Strahlung durch Reflektion lenken, wobei meist vier, sechs oder auch acht Spiegel zum Einsatz kommen. Im Betrieb der Abbildungseinrichtung ändern diese Spiegel (bedingt durch mechanische und/oder thermische Störungen) in der Regel ihre Position und/oder Orientierung, da ihre Stützstruktur (mechanisch und/oder thermisch) nicht absolut stabil sein kann.

Der Strahlengang in einem solchen EUV-Objektiv kann mehrere Meter lang sein. So ergibt sich bei dem aus der US 7,226,177 B2 (Sasaki et al.) bekannten System aus den Einzelabständen der optischen Flächen eine Gesamtstrahlenganglänge vom ersten Spiegel (M1) bis zur Ebene des zu belichtenden Substrats von etwa 2,5 m. Im Verhältnis dazu darf eine zulässige Bildablage bei zu belichtenden Strukturen im Bereich von etwa 25 nm selbst nur im nm-Bereich liegen. Mit einer erlaubten Bildablage von 1 nm ergibt sich in diesem Fall eine maximal zulässige Spiegelverkippung des ersten Spiegels M1 von nur 0,2 nrad. Bei den im Strahlengang nachfolgenden Spiegeln (M2 bis M6) vergrößern sich diese Winkeltoleranzen schrittweise, da deren Abstände zur Ebene des Substrats immer geringer werden.

Eine entsprechend präzise Messung (und nachfolgende Korrektur) der Ausrichtung solcher Spiegel ist jedoch mit den bisher bekannten Einrichtungen nicht möglich. Weiterhin existieren Kombinationen von Spiegelverkippungen, deren Wirkungen sich bezüglich der Gesamtbildablage aufheben und daher keine Bildablage bewirken. Solche Spiegelverkippungskombinationen führen dennoch zu Abweichungen der Wellenfront, also zu Aberrationen, die jedoch mit den bisherigen Verfahren nicht erkannt werden.

KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zu Grunde, eine optische Abbildungseinrichtung und ein Abbildungsverfahren zur Verfügung zu stellen, welche bzw. welches die oben genannten Nachteile nicht oder zumindest in geringerem Maße aufweist und insbesondere auf einfache Weise in Echtzeit eine möglichst unmittelbare Bestimmung und gegebenenfalls Korrektur von Abbildungsfehlern ermöglicht. Der vorliegenden Erfindung liegt weiterhin die Aufgabe zu Grunde, eine optische Abbildungseinrichtung und ein Abbildungsverfahren zur Verfügung zu stellen, welche bzw. welches eine möglichst unmittelbare Bestimmung und gegebenenfalls Korrektur von Abbildungsfehlern mit wenigen Elementen ermöglicht,

Der vorliegenden Erfindung liegt weiterhin die Aufgabe zu Grunde, eine optische

Abbildungseinrichtung und ein Abbildungsverfahren zur Verfügung zu stellen, welche bzw. welches eine möglichst präzise Bestimmung und gegebenenfalls Korrektur von durch eine Veränderung der Orientierung der optischen Elemente bedingten Abbildungsfehlern ermöglicht.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zu Grunde, dass eine solche unmittelbare Bestimmung und gegebenenfalls Korrektur von Abbildungsfehlern einer Abbildungseinheit in einfacher Weise in Echtzeit parallel zum eigentlichen Abbildungsvorgang (beispielsweise der Belichtung eines Substrats oder dergleichen) möglich ist, wenn die Bestimmung des Abbildungsfehlers über eine separate Messeinrichtung mit Messlichtquelle, Erfassungseinheit und separater Messoptik erfolgt, deren optische Elemente ein

Messlichtbündel der Messlichtquelle auf die Erfassungseinheit lenken und jeweils in einer zu jedem Zeitpunkt definierten Beziehung zu einem der optischen Elemente der Abbildungseinheit stehen. Dank der zu jedem Zeitpunkt definierten Beziehung zwischen den jeweiligen optischen Elementen der Messoptik und einem der optischen Elemente der Abbildungseinheit ist sichergestellt, dass eine Zustandsänderung (Änderungen der Position und/oder Orientierung) eines der optischen Elemente der Abbildungseinheit zu einer definierten Änderung der Aberrationen der Messoptik und damit des Erfassungssignals der Erfassungseinheit führt, die wiederum einem entsprechenden Abbildungsfehler der Abbildungseinheit zugeordnet werden kann.

Die zumindest in Teilen separat angeordneten optischen Elemente der Messoptik ermöglichen es, die Messoptik so zu gestalten, dass durch die parallel zur eigentlichen Abbildung erfolgende Messung (wenn überhaupt) nur eine geringe Beeinträchtigung der durch die Abbildungseinheit vorgenommenen eigentlichen Abbildung erfolgt.

Weiterhin kann die Messoptik anders als bei den bisher bekannten Lösungen in vorteilhafter Weise so gestaltet werden, dass die Änderungen des Erfassungssignals möglichst eindeutig den einzelnen Zustandsänderungen der optischen Elemente der Abbildungseinheit zugeordnet werden können. Die Empfindlichkeit der Messoptik in allen relevanten Freiheitsgraden ist vorab bekannt, beispielsweise berechnet und/oder experimentell bestimmt worden (beispielsweise entspricht eine Änderung der Komazentrierung Z7/Z8 und einer Astigmatismuszentrierung Z5/Z6 dem Verhältnis 4:1 bei einer Translation einer Linse etc.).

Bei schlechter Konditionierung (z. B. geringer Empfindlichkeit, Eindeutigkeit, Trennbarkeit bzw. Orthogonalität des Gleichungssystems der einzelnen Empfindlichkeiten etc.) einer einzelnen Messoptik ist es in einfacher Weise durch Hinzufügen von zusätzlichen Messsystemen möglich, die Konditionierung zu verbessern. Dies kann beispielsweise durch Anbindung eines gleichartigen, zusätzlichen Messsystems an einer anderen Stelle der Abbildungseinheit (beispielsweise um 90° oder 180° bezüglich einer optischen Achse der Abbildungseinheit verdreht) erfolgen. Ebenso kann eine gezielte Optimierung bzw.

Anpassung der Konditionierung von zwei oder mehreren unterschiedlichen Messoptiken erfolgen. Die Messoptik kann (alleine oder in beliebiger Kombination) aus refraktiven, diffraktiven und reflektiven optischen Elementen beliebiger Gestalt (sphärische, asphärische, zylindrische, ebene optische Flächen oder Freiformflächen) bestehen.

Ein Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist daher eine optische Abbildungseinrichtung, insbesondere für die Mikrolithographie, mit einer Abbildungseinheit zum Abbilden eines Objektpunktes auf einem Bildpunkt und einer Messeinrichtung, wobei die Abbildungseinheit eine erste optische Elementgruppe mit einer Mehrzahl erster optischer Elemente umfasst, die dazu ausgebildet sind, an der Abbildung des Objektpunktes auf dem Bildpunkt teilzunehmen, und die Messeinrichtung zum Bestimmen wenigstens eines beim Abbilden des Objektpunktes auf dem Bildpunkt auftretenden Abbildungsfehlers ausgebildet ist. Die Messeinrichtung umfasst wenigstens eine Messlichtqueüe, eine zweite optische Elementgruppe und wenigstens eine Erfassungseinheit, wobei die Messlichtquelle wenigstens ein Messlichtbündel aussendet. Die zweite optische Elementgruppe umfasst eine Mehrzahl zweiter optischer Elemente, die dazu ausgebildet sind, das wenigstens eine Messlichtbündel zur Erzeugung wenigstens eines Erfassungssignals auf die wenigstens eine Erfassungseinheit zu lenken. Jedes zweite optische Element steht mit einem der ersten optischen Elemente in einer definierten räumlichen Beziehung, wobei wenigstens ein zweites optisches Element von den ersten optischen Elementen verschieden ist. Die Messeinrichtung ist zum Bestimmen des wenigstens einen Abbildungsfehlers unter Verwendung des wenigstens einen Erfassungssignals ausgebildet.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Abbildungsverfahren , insbesondere für die Mikrolithographie, bei dem mit einer Abbildungseinheit ein Objektpunkt auf einem Bildpunkt abgebildet wird, wobei die Abbildungseinheit eine erste optische Elementgruppe mit einer Mehrzahl erster optischer Elemente umfasst, die an der Abbildung des Objektpunktes auf dem BiSdpunkt teilnehmen, und eine Messeinπchtung wenigstens einen beim Abbilden des Objektpunktes auf dem Bildpunkt auftretenden Abbildungsfehlers bestimmt Die Messeinπchtung umfasst wenigstens eine Messiichtquelle, eine zweite optische Elementgruppe und wenigstens eine Erfassungseinheit, wobei die Messhchtquelle wenigstens ein Messlichtbundel aussendet Zur Erzeugung wenigstens eines Erfassungssignals wird das wenigstens eine Messlichtbundel über eine Mehrzahl zweiter optischer Elemente der zweiten optischen Elementgruppe auf die wenigstens eine Erfassungseinheit gelenkt Jedes zweite optische Element steht mit einem der ersten optischen Elemente in einer definierten räumlichen Beziehung, wobei wenigstens ein zweites optisches Element von den ersten optischen Elementen verschieden ist Die Messeinrichtung bestimmt den wenigstens einen Abbildungsfehler unter Verwendung des wenigstens einen Erfassungssignals

Der vorliegenden Erfindung liegt weiterhin die Erkenntnis zu Grunde, dass eine präzise Bestimmung und gegebenenfalls Korrektur von durch eine Änderung der Orientierung

(Verkippung) von optischen Elementen der Abbildungseinheit bedingten Abbildungsfehlern einer Abbildungsemheit in einfacher Weise in Echtzeit parallel zum eigentlichen Abbildungsvorgang (beispielsweise der Belichtung eines Substrats oder dergleichen) möglich ist, wenn die Bestimmung des Abbildungsfehlers über eine separate Messeinrichtung mit Messhchtquelle, Erfassungseinheit und einer Messoptik erfolgt deren optische Elemente ein Messlichtbundel der Messhchtquelle auf die Erfassungseinheit lenken Eines der optischen Elemente der Messoptik weist zu jedem Zeitpunkt eine definierten Beziehung zu einem der optischen Elemente der Abbildungsemheit auf und ist einem Referenzelement der Messoptik so zugeordnet, dass es zu einer mehrfachen Reflektion des Messhchtbundels zwischen dem Referenzelement und dem zugeordneten Element der Messoptik kommt

Durch diese unmittelbare mehrfache Reflektion des Messhchtbundels (mithin also das mehrfache Durchtreten der durch das Referenzelement und das optische Element der Messoptik gebildeten optischen Kavitat) zwischen diesen beiden optischen Elementen wird erreicht, dass eine Winkelabweichung bzw Verkippungen zwischen diesen beiden

Elementen der Messoptik mit einem von der Anzahl der Reflektionen abhangigen Faktor multipliziert in die Messwelienfront eingeht Letztlich wird also durch die mehrfache Reflektion eine optische Verstärkung erzielt, die in einer Erhöhung der Winkelauflosung der Messeinπchtung resultiert Mit einer entsprechend großen Anzahl von Reflektionen in der optischen Kavität lassen sich auf einfache Weise Winkelauflösungen im Sub-nrad-Bereich erzielen.

So ist beispielsweise bei einer gewöhnliche interferometrischen Messung eine zuverlässige Erkennung von Wellenfrontverkippungen von λ/1000 über eine vorgegebene Messapertur möglich. Weist diese Messapertur beispielsweise einen Durchmesser von 100 mm auf, so entspricht dies einer Winkelauflösung von 6 nrad, wenn es sich bei der Messwellenlänge λ um die Wellenlänge eines üblichen Helium-Neon-Lasers handelt. Wie eingangs bereits erläutert wurde, sind die Anforderungen an die Winkelauflösung der Messeinrichtung aber mindestens um einen Faktor 10 höher. Mit der Erfindung kann dieses Problem aber einfach durch eine entsprechend hohe Anzahl von Reflektionen innerhalb der optischen Kavität gelöst werden.

Dank der zu jedem Zeitpunkt definierten Beziehung zwischen dem optischen Element der Messoptik und einem der optischen Elemente der Abbildungseinheit ist weiterhin wiederum sichergestellt, dass eine Zustandsänderung (Änderungen der Position und/oder Orientierung) eines der optischen Elemente der Abbildungseinheit zu einer definierten Änderung der Aberrationen der Messoptik und damit des Erfassungssignals der Erfassungseinheit führt, die wiederum einem entsprechenden Abbildungsfehler der Abbildungseinheit zugeordnet werden kann.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist daher eine optische Abbildungseinrichtung, insbesondere für die Mikrolithographie, mit einer Abbildungseinheit zum Abbilden eines Objektpunktes auf einem Bildpunkt und einer Messeinrichtung, wobei die Abbildungseinheit eine erste optische Elementgruppe mit wenigstens einem ersten optischen Element umfasst, die dazu ausgebildet ist, an der Abbildung des Objektpunktes auf dem Bildpunkt teilzunehmen, und die Messeinrichtung zum Bestimmen wenigstens eines beim Abbilden des Objektpunktes auf dem Bildpunkt auftretenden Abbildungsfehlers ausgebildet ist. Die Messeinrichtung umfasst wenigstens eine Messlichtquelle, eine zweite optische Elementgruppe und wenigstens eine Erfassungseinheit, wobei die Messlichtquelle wenigstens ein Messlichtbündel aussendet. Die zweite optische Elementgruppe umfasst wenigstens ein optisches Referenzelement und ein zweites optisches Element, die dazu ausgebildet sind, das wenigstens eine Messlichtbündel zur Erzeugung wenigstens eines Erfassungssignals auf die wenigstens eine Erfassungseinheit zu lenken. Das zweite optische Element weist eine definierte räumliche Beziehung mit dem ersten optischen Element auf. Das optische Referenzelement weist eine zumindest teilweise reflektierende erste optische Fläche auf, während das zweite optische Element eine zumindest teilweise reflektierende zweite optische Fläche aufweist. Die Messeinrichtung ist zum Bestimmen des wenigstens einen Abbildungsfehlers unter Verwendung des wenigstens einen Erfassungssignals ausgebildet ist. Die erste optische Fläche und die zweite optische Fläche sind einander derart zugeordnet, dass eine Mehrfachreflektion des wenigstens einen Messlichtbündels zwischen ihnen erfolgt.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Abbildungsverfahren, insbesondere für die Mikrolithographie, bei dem mit einer Abbildungseinheit ein Objektpunkt auf einem Bildpunkt abgebildet wird, wobei eine erste optische Elementgruppe der Abbildungseinheit mit wenigstens einem ersten optischen Element an der Abbildung des Objektpunktes auf dem Bildpunkt teilnimmt, und eine Messeinrichtung wenigstens einen beim Abbilden des Objektpunktes auf dem Bildpunkt auftretenden Abbildungsfehlers bestimmt. Die Messeinrichtung umfasst wenigstens eine Messlichtquelle, eine zweite optische Elementgruppe und wenigstens eine Erfassungseinheit, wobei die Messlichtquelle wenigstens ein Messlichtbündel aussendet. Zur Erzeugung wenigstens eines Erfassungssignals lenken wenigstens ein optisches Referenzelement und ein zweites optisches Element der zweiten optischen Elementgruppe das wenigstens eine Messlichtbündel auf die wenigstens eine Erfassungseinheit, wobei das zweite optische Element eine definierte räumliche Beziehung zu dem ersten optischen Element aufweist. Das optische Referenzelement weist eine zumindest teilweise reflektierende erste optische Fläche auf, während das zweite optische Element eine zumindest teilweise reflektierende zweite optische Fläche aufweist. Die Messeinrichtung bestimmt den wenigstens einen Abbildungsfehler unter Verwendung des wenigstens einen Erfassungssignals. Die erste optische Fläche und die zweite optische Fläche werden einander derart zugeordnet, dass eine Mehrfachreflektion des wenigstens einen Messiichtbündels zwischen ihnen erfolgt.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine optische

Abbildungseinrichtung, insbesondere für die Mikroiithographie, mit einer Abbildungseinheit zum Abbilden eines Objektpunktes auf einem Bildpunkt und einer Messeinrichtung, wobei die Messeinrichtung zum Bestimmen wenigstens eines beim Abbilden des Objektpunktes auf dem Bildpunkt auftretenden Abbildungsfehlers ausgebildet ist. Die Messeinrichtung umfasst wenigstens eine Messlichtquelle, eine optische Elementgruppe mit wenigstens einem optischen Element und wenigstens eine Erfassungseinheit. Die Messlichtquelle sendet wenigstens ein Messlichtbündel, insbesondere mehrere Messlichtbündel, aus, während die optische Elementgruppe dazu ausgebildet ist, das wenigstens eine Messlichtbündel zur Erzeugung wenigstens eines Erfassungssignals auf die wenigstens eine Erfassungseinheit zu lenken Hierbei ist eine thermische Abschirmung für das wenigstens eine optische Element vorgesehen

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine optische Abbildungseinrichtung mit einer Abbildungseinheit zum Abbilden eines Objektpunktes auf einem Bildpunkt und einer Messeinrichtung, wobei die Abbildungseinheit eine optische Elementgruppe mit wenigstens einem optischen Element aufweist und die Messeinrichtung zum Bestimmen von Zustandsanderungen des wenigstens einen optischen Elements ausgebildet ist Die Messeinπchtung dazu ausgebildet, die Zustandsanderungen des wenigstens einen optischen Elements wahrend eines Transports der optischen Abbildungseinπchtung zu bestimmen und in einem Protokoll zu protokollieren

Em weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist schließlich Optische Abbildungseinnchtung mit einer Abbildungseinheit zum Abbilden eines Objektpunktes auf einem Bildpunkt, wobei die Abbildungseinheit eine optische Elementgruppe mit wenigstens einem optischen Element aufweist Die Abbildungseinheit ist zum Abbilden des Objektpunktes auf dem Bildpunkt unter Verwendung von Licht einer Wellenlange im EUV Bereich, insbesondere im Bereich von 5 nm bis 20 nm, ausgebildet und umfasst eine Stutzstruktur mit wenigstens einem strukturellen Element, über welches das wenigstens eine optische Element abgestutzt ist Das wenigstens eine strukturelle Element umfasst ein Material oder eine Mateπalkombination mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten oberhalb von 0,6 10 ^~6 K ^~ \ insbesondere oberhalb von 1 ,2 10 ^"6 SC ¹

Weitere bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteranspruchen bzw der nachstehenden Beschreibung bevorzugter Ausfuhrungsbeispiele, welche auf die beigefugten Zeichnungen Bezug nimmt

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Figur 1 ist eine stark schematisierte Darstellung einer bevorzugten Ausfuhrungsform der erfindungsgemaßen optischen Abbildungseinnchtung, mit der eine bevorzugte Ausfuhrungsform des erfindungsgemaßen Abbildungsverfahrens ausgeführt werden kann,

Figur 2 ist eine starker konkretisierte schematische Darstellung der Abbiidungseinrichtung aus Figur 1 , Figur 3 ist eine schematische Darstellung eines Teils der Abbildungseinrichtung aus Figur 4;

Figur 4 ist ein Ablaufdiagramm einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Abbildungsverfahrens, welches mit der Abbildungseinrichtung aus Figur 1 ausgeführt werden kann;

Figur 5 ist eine schematische Darstellung eines Teils einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Abbildungseinrichtung;

Figur 6 ist eine stark schematisierte Darstellung einer weiteren bevorzugten

Ausführungsform der erfindungsgemäßen optischen Abbildungseinrichtung;

Figur 7 ist eine stark schematisierte Darstellung einer weiteren bevorzugten

Ausführungsform der erfindungsgemäßen optischen Abbildungseinrichtung.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG

Erstes Ausführungsbeispiel

Unter Bezugnahme auf die Figuren 1 bis 4 wird im Folgenden eine bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Abbildungseinrichtung 101 für die Mikrolithographie beschrieben. Hierbei wird zur Vereinfachung der Darstellung in den Figuren ein xyz-Koordinatensystem eingeführt, auf welches Bezug genommen wird.

Figur 1 zeigt eine stark schematisierte Darstellung der erfindungsgemäßen optischen Abbildungseinrichtung in Form einer Mikrolithographieeinrichtung 101 , die mit Licht einer ersten Wellenlänge im UV-Bereich arbeitet. Die Mikrolithographieeinrichtung 101 umfasst eine Abbildungseinheit in Form eines optischen Projektionssystems 102 mit einem Beleuchtungssystem 103, einer Maskeneinrichtung 104 und einer optischen Einrichtung in Form eines Objektivs 105 mit einer optischen Achse 105.1. Das Beleuchtungssystem 103 beleuchtet die Maske 104.1 der Maskeneinrichtung 104 mit einem (in diesem Abschnitt nicht näher dargestellten) Projektionslichtbündel 101.1.

Auf der Maske 104.1 , die auf einem Maskentisch 104.2 angeordnet ist, befindet sich in einer Objektebene (bzw. allgemeiner auf einer beliebig geformten Objektfläche) ein Projektionsmuster 104.3 mit einzelnen Objektpunkten, welche mit dem Projektionsiichtbündei 101.1 über im Objektiv 105 angeordneten optischen Elemente auf Bildpunkte in einer Bildebene (bzw. allgemeiner auf eine beliebig geformte Bildfläche) auf einem Substrat 106.1 , beispielsweise einen so genannten Wafer, einer Substrateinrichtung 106 projiziert wird.

Das Objektiv 105 umfasst hierzu eine erste optische Elementgruppe 105.2, die von einer Reihe von ersten optischen Elementen 107, 108, 109, 1 10, 111 , 112 gebildet ist, die im Gehäuse 105.3 des Objektivs 105 gelagert sind, welches wiederum auf einer Bodenstruktur 101.2 abgestützt ist. Die ersten optischen Elemente 107 bis 112 projizieren das Projektionslichtbündel 101.1 auf das Substrat 106.1 und bilden so einen Objektpunkt des Projektionsmusters auf einen Bildpunkt auf dem Substrat 106.1 ab.

Weiterhin ist eine Messeinrichtung 113 vorgesehen, über welche (wie nachfolgend noch näher erläutert wird) ein Abbildungsfehler des Projektionssystems 102 beim Abbilden des Projektionsmusters der Maske 104.1 auf dem Substrat 106.1 ermittelt wird. Die Messeinrichtung 113 umfasst hierzu eine erste Messeinheit 1 13.1 mit einer Messlichtquelle 114, einer zweiten optischen Elementgruppe 1 15 und einer ersten Erfassungseinheit 116. Die zweite optische Elementgruppe 115 umfasst wiederum eine Reihe von zweiten optischen Elementen 117, 118, 119, 120, 121 , 122, von denen jeweils eines mit einem der ersten optischen Elemente 107 bis 112 in einer zu jedem Zeitpunkt definierten räumlichen Beziehung steht, wie nachfolgend noch näher erläutert wird.

Die Messlichtquelle 114 und die Erfassungseinheit 116 sind im gezeigten Beispiel starr mit einer Referenzstruktur 123 verbunden, welche auf der Bodenstruktur 101.2 abgestützt ist. Bei der Referenzstruktur 123, der Messlichtquelle 114 und der Erfassungseinheit 116 handelt es sich um thermisch und mechanisch ausreichend stabilisierte Komponenten, sodass zu jedem Zeitpunkt eine genau definierte räumliche Beziehung zwischen der

Messüchtquelle 114 und der Erfassungseinheit 116 besteht. Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung auch vorgesehen sein kann, dass über eine entsprechende Messtechnik (kontinuierlich oder intermittierend) die räumliche Beziehung zwischen der Messlichtquelle und der Erfassungseinheit erfasst und im Zuge der Bestimmung des Abbildungsfehlers des Projektionssystems 102 genutzt werden kann.

Zur Bestimmung des Abbildungsfehlers des Projektionssystems 102 sendet die Messtichtquelle 114 ein Messlichtbündel 114.1 aus, welches über die zweiten optischen Elemente 117 bis 122 auf die Erfassungseinheit 116 gelenkt bzw. projiziert wird. Die Erfassungseinheit 1 16 erzeugt in Abhängigkeit von der Lage und der Gestalt der auftreffenden Wellenfront des Messlichtbündels 114.1 ein definiertes erstes Erfassungssignal S1 , welches an eine Verarbeitungseinheit 124 der Messeinrichtung 1 13 ausgegeben wird. Die Verarbeitungseinheit 124 verwendet dann dieses erste Erfassungssignal S1 , um den Abbildungsfehler des Projektionssystems 102 zu bestimmen.

Bei bevorzugten Varianten der Erfindung ist weiterhin vorgesehen, dass die Messlichtquelle 114 zur Bestimmung des Abbildungsfehlers des Projektionssystems 102 neben dem Messlichtbündel 114.1 wenigstens ein weiteres Messlichtbündel aussendet, wie dies in Figur 1 durch das Messlichtbündel 1 14.2 angedeutet ist. Die Verwendung mehrerer Messlichtbündel ist beispielsweise aus der WO 01/63233 A1 (Wegmann) bekannt, deren gesamte Offenbarung hiermit durch Bezugnahme eingeschlossen wird. Dieses weitere Messlichtbündel 114.2 wird ebenfalls über die zweiten optischen Elemente 117 bis 122 auf die Erfassungseinheit 116 gelenkt bzw. projiziert. Die Erfassungseinheit 116 erzeugt in Abhängigkeit von der Lage und der Gestalt der auftreffenden Wellenfront des weiteren Messlichtbündels 114.2 ein weiteres definiertes erstes Erfassungssignal S1 , welches an die Verarbeitungseinheit 124 der Messeinrichtung 113 ausgegeben wird. Die Verarbeitungseinheit 124 verwendet dann dieses weitere erste Erfassungssignal S1 , um den Abbildungsfehler des Projektionssystems 102 zu bestimmen.

Mit anderen Worten können in der ersten Messeinheit 113.1 mehrere Messkanäle gebildet sein, über welche der bzw. die betreffenden Abbildungsfehler des Projektionssystems 102 bestimmt werden können. Je Messkanal kann eine gesonderte Lichtquelle in der Messlichtquelle 114 vorgesehen sein, welche das entsprechende Messlichtbündel 114.1 bzw. 114.2 des Messkanals erzeugt. Ebenso kann die Erfassungseinheit 116 mehrere separate Sensoren aufweisen (z. B. einen Sensor je Messkanal). Es kann aber auch für mehrere oder sogar alle Messkanäle ein gemeinsamer Sensor vorgesehen sein.

Die Messungen in den einzelnen Messkanälen der ersten Messeinheit 113.1 können in einer beliebig vorgebbaren zeitlichen Abfolge vorgenommen werden. Bevorzugt erfolgen die Messungen in den einzelnen Messkanälen zeitlich synchron (also im Wesentlichen gleichzeitig), da hiermit über die dann bekannte Korrelation der Messungen aus den einzelnen Messkanäien besonders zuverlässige Aussagen über den jeweiligen Abbildungsfehler möglich sind.

Die zweiten optischen Elemente 117 bis 122 sind, wie oben bereits erwähnt wurde, derart mit den ersten optischen Elementen 107 bis 1 12 verbunden, dass sie den Zeitpunkt eine genau definierte räumliche Beziehung zwischen dem jeweiligen ersten optischen Element 107 bis 112 und dem ihm zugeordneten zweiten optischen Element 117 bis 122 besteht. In dem in Figur 1 gezeigten Beispiel ist zu diesem Zweck vorgesehen, dass das jeweilige zweite optische Element 1 17 bis 121 unmittelbar und starr mit dem zugeordneten ersten optischen Element 107 bis 111 verbunden ist.

Hierzu kann das das jeweilige zweite optische Element 117 bis 121 unmittelbar an einer Haltestruktur (beispielsweise einer Fassung oder einem Haltering etc.) des zugeordneten ersten optischen Elements 107 bis 111 befestigt sein, um die zu jedem Zeitpunkt genau definierte räumliche Beziehung zwischen dem zweiten optischen Element 117 bis 122 und dem betreffenden ersten optischen Element 107 bis 112 zu gewährleisten. Ebenso ist es möglich, dass das zweite optische Element 117 bis 121 (durch eine geeignete, ausreichend stabile Verbindungstechnik) unmittelbar an dem zugeordneten ersten optischen Element 107 bis 111 befestigt ist.

Demgegenüber ist das zweite optische Element 122 über eine auf der Referenzstruktur 123 abgestützte Getriebeeinrichtung 125 mit dem zugehörigen ersten optischen Element 112 verbunden. Je nach der Gestaltung der Getriebeeinrichtung 125 findet eine definierte Bewegungsübersetzung zwischen einer ersten Bewegung des ersten optischen Elements 112 und der daraus resultierenden zweiten Bewegung des zweiten optischen Elements 122 statt.

Dabei kann (wie in Figur 1 dargestellt) über die Getriebeeinrichtung 125 erreicht werden, dass eine erste Bewegung des ersten optischen Elements 112 in einem ersten Freiheitsgrad eine zweite Bewegung des zweiten optischen Elements in einem zweiten Freiheitsgrad bedingt, der von dem ersten Freiheitsgrad verschieden ist. Hierbei kann sich gegebenenfalls auch die Art (Translation oder Rotation) des ersten und zweiten Freiheitsgrades unterscheiden. So erzeugt beispielsweise eine Translation des ersten optischen Elements 112 entlang der z-Achse unter anderem eine Rotation des zweiten optischen Elements 122 um eine zur y-Achse parallele Achse.

Zusätzlich oder alternativ kann über eine entsprechende Gestaltung der Getriebeeinrichtung 125 aber auch erreicht werden, dass die Bewegungen des ersten optischen Elements 112 und des zweiten optischen Elements 122 in dem selben Freiheitsgrad erfolgen. So erzeugt bei der Getriebeeinrichtung 125 aus Figur 1 beispielsweise eine Translation des ersten optischen Elements 112 entlang der x- bzw. y- Achse eine identische Translation des zweiten optischen Elements 122 entlang der x- bzw. y-Achse. Ebenso resultiert eine Rotation des ersten optischen Elements 112 um eine zur y- bzw. z-Achse parallele Achse in einer Rotation des zweiten optischen Elements 122 um eine zur y- bzw. z-Achse parallele Achse.

Die Getriebeeinrichtung 125 kann grundsätzlich in beliebiger geeigneter Weise gestaltet sein. So kann sie einteilig oder mehrteilig gestaltet sein. Es können eine geeignete Anzahl von Hebelelementen und diese verbindende Gelenke vorgesehen sein. Vorzugsweise sind die jeweiligen Gelenke als Festkörpergelenke (Biegegelenke, Blattfederelemente etc.) gestaltet, um die Einflüsse von Fertigungsungenauigkeiten (beispielsweise unerwünschtes Spiel) zu minimieren und in einfacher Weise die Zeitpunkt definierte räumliche Beziehung zwischen dem ersten und zweiten optischen Element zu gewährleisten.

Im in Figur 1 gezeigten Beispiel sind weiterhin die zweiten optischen Elemente derart angeordnet, dass die durch sie definierte optische Achse 115 kommt eins in Richtung der optischen Achse 105.1 verläuft. Demgemäß wird bei der starren Kopplung eine Translation in Richtung der z-Achse der ersten optischen Elemente 107 bis 1 11 in eine Translation der zweiten optischen Elemente 117 bis 121 in Richtung der z-Achse übersetzt. Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung auch vorgesehen sein kann, dass zumindest für einzelne optische Elemente die Richtungen jeweiligen optischen Achsen abweichen.

Durch die zu jedem Zeitpunkt definierte mechanische Kopplung zwischen dem jeweiligen ersten optischen Element 107 bis 112 und dem zugehörigen zweiten optischen Elements 117 bis 122 wird erreicht, dass eine Zustandsänderung (hier eine Änderung in der Position und/oder der Orientierung) des jeweiligen ersten optischen Elements 107 bis 1 12 zwangsläufig eine entsprechende Zustandsänderung (Position und/oder Orientierung) des zugeordneten zweiten optischen Elements 117 bis 122 nach sich zieht.

Die Zustandsänderungen der zweiten optischen Elemente 117 bis 122 ziehen wiederum eine Änderung der Abbildungseigenschaften bzw. Aberrationen der zweiten optischen Elementgruppe 115 nach sich, welche zu einer Veränderung der Geometrie und/oder der Position der auf der Erfassungseinheit 116 auftreffenden Welienfront des Messlichtbündels 114.1 führen. Dies zieht wiederum eine Änderung ersten Erfassungssignals S1 nach sich, welches die Erfassungseinheit 116 liefert. So kann eine geeignete Messtechnik der

Erfassungseinheit 116 die Änderung der Abbildungseigenschaften der zweiten optischen Elementgruppe, also beispielsweise die Veränderung der auftreffenden Wellenfront, mittels eines oder mehrerer Wellenfrontsensoren an einem oder mehreren Feldpunkten erfassen. Zur Wellenfrontmessung können verschiedene bekannte Anordnungen und Prinzipien angewandt werden. Hierzu zählen unter anderem Interferometer (Micheison-, Twyman- Green-, Shearing-, Point-Diffraktions-Interferometer usw.). Ebenso zählen hierzu Wellenfrontsensoren, die darauf basieren, die Pupille zu segmentieren (also in Teilpupillen aufzuteilen) und die Positionen oder Positionsänderungen der Fokuslagen der Bündel aus den Teilpupillen zu bestimmen. Beispiele hierfür sind Sensoren vom Typ Hartmann, Shack- Hartmann etc.

Ein weiterer verwendbarer Sensortyp arbeitet nach einem Messverfahren, welches als Phasenrückverfolgung (aus einem Punktbild) bezeichnet wird (so genannte "Phase- Retrieval-Messtechnik" oder "Aerial-Image-Messtechnik"). Hierbei wird aus der dreidimensionalen Intensitätsverteilung im Bereich des jeweiligen Punktbildes der Messabbildung die entsprechende Phasenverteilung in der Pupille berechnet. Zur Erfassung der dreidimensionalen Intensitätsverteilung wird ein zweidimensionaler Sensor (z. B. eine Kamera, die eine ebene Intensitätsverteilung erfasst) durch den Fokusbereich bzw. die Strahitaille in der dritten Dimension (quer zur Messebene des Sensors) bewegt. Die Erfassung der Intensitätsverteilung erfolgt also schichtweise. Aus diesen so gewonnenen Bildstapeln kann dann (über so genannte "Phase-Retrieval-Algorithmen") auf die Wellenfront in der Austrittspupille zurückgerechnet werden.

Es versteht sich weiterhin, dass sich die zu detektierende Zustandsänderung der zweiten optischen Elemente 117 bis 122 gegebenenfalls auch auf einfachere Messgrößen der Messeinrichtung 113 auswirken kann, beispielsweise auf einen lateralen Bildversatz oder eine Fokusänderung. In diesem Fall können in der Erfassungseinheit auch andere Messtechniken außer Wellenfrontmesstechnik vorgesehen sein, wie z. B. Fokussensoren (Änderung der Fokuslage entlang der optischen Achse) oder Moiretechniken als Sensoren für den Versatz der Bildlage oder die Änderung von Maßstab und/oder Verzeichnung der Messoptik. Ebenso sind natürlich Kombinationen von Wellenfrontsensoren und Lagesensoren möglich.

Mittels eines zuvor ermittelten und in der Verarbeitungseinheit 124 gespeicherten Modells der Messeinrichtung 113 kann anhand der Messdaten der Wellenfrontsensoren auf die Zustandsänderungen (Position und/oder Orientierung) der zweiten optischen Elemente 117 bis 122 geschlossen werden. Das Modell der Messeinrichtung 1 13 kann vorab theoretisch (beispielsweise durch entsprechende Simuiationsrechnungen) und/oder experimentell (beispielsweise über eine entsprechende Kalibrierung) für die Messeinrichtung 113 ermittelt worden sein. Das Modell der Messeinrichtung 113 gibt dabei den Zusammenhang zwischen den Messdaten der Wellenfrontsensoren und den jeweiligen Zustandsänderungen der zweiten optischen Elemente 117 bis 122 wieder.

Dank der oben beschriebenen definierten Kopplung zwischen den ersten optischen Elementen 107 bis 112 und den zweiten optischen Elementen 117 bis 122 ermittelt die Verarbeitungseinheit 124 aus den Zustandsänderungen der zweiten optischen Elemente 117 bis 122 wiederum die entsprechenden Zustandsänderungen der ersten optischen Elemente 107 bis 112.

Aus diesen Zustandsänderungen der ersten optischen Elemente 107 bis 112 bestimmt die Verarbeitungseinheit 124 mittels eines zuvor ermittelten und in der Verarbeitungseinheit 124 gespeicherten Modells der ersten optischen Elementgruppe 105.2 die aktuellen Abbildungseigenschaften bzw. die aktuellen Abbildungsfehler der ersten optischen Elementgruppe 105.2. Das Modell der ersten optischen Elementgruppe 105.2 kann vorab theoretisch (beispielsweise durch entsprechende Simulationsrechnungen) und/oder experimentell (beispielsweise über eine entsprechende Kalibrierung) für die erste optische Elementgruppe 105.2 ermittelt worden sein. Das Modell der ersten optischen

Elementgruppe 105.2 gibt dabei den Zusammenhang zwischen den Zustandsänderungen der ersten optischen Elemente 107 bis 112 und dem jeweiligen Abbildungsfehler wieder.

Die jeweils aktuell ermittelten Abbildungsfehler gibt die Verarbeitungseinheit 124 dann an eine Steuereinrichtung 126 einer Korrektureinrichtung 127 weiter. Die Steuereinrichtung 126 ermittelt aus den aktuell ermittelten Abbildungsfehlern der ersten optischen Elementgruppe 105.2 Steuersignale für Aktuatoreinrichtungen 128 und 129. Die Aktuatoreinrichtungen 128 und 129 sind mit einzelnen ersten optischen Elementen 109 bzw. 112 verbunden und dienen dazu, in hinlänglich bekannter Weise die Position und/oder Orientierung und/oder Geometrie des jeweiligen ersten optischen Elements 109 bzw. 112 zu verändern, um den aktuell ermittelten Abbildungsfehler zu reduzieren.

Die Kopplung mit einer zu jedem Zeitpunkt definierten räumlichen Beziehung zwischen den ersten optischen Elementen 107 bis 112 und den separaten zweiten optischen Elementen 1 17 bis 122 der Messeinrichtung 1 13 bringt den Vorteil mit sich, dass die Ermittlung und Korrektur des Abbildungsfehlers in Echtzeit während der eigentlichen Belichtung des Substrats 106.1 erfolgen kann, ohne dass der Belichtungsvorgang des Substrats hierdurch beeinträchtigt wird. Im vorliegenden Beispiel sind lediglich zwei Aktuatoreinrichtungen 128 und 129 vorgesehen. Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung auch eine beliebige andere Anzahl von Aktuatoreinrichtungen vorgesehen sein kann. Insbesondere kann jedes erste optische Element 107 bis 1 12 mit einer entsprechenden Aktuatoreinrichtung versehen sein (wie dies in Figur 1 durch die entsprechenden gestrichelten Konturen angedeutet ist).

Die Messeinrichtung 113 wird bevorzugt so gestaltet, dass die Änderungen der Abbildungseigenschaften der zweiten optischen Elementgruppe 115 und damit die Änderungen der Messdaten der Wellenfrontsensoren möglichst eindeutig bestimmten Zustandsänderungen der einzelnen zweiten optischen Elemente 117 bis 122 zugeordnet werden können. Hierbei sind insbesondere durch den Einsatz einer oder mehrerer Getriebeeinrichtungen 125 möglich, die Bewegung eines ersten optischen Elements in eine Bewegung des zugehörigen zweiten optischen Elements umzusetzen, welche die Eindeutigkeit der Zuordnung der Änderungen der Messdaten zu den Zustandsänderungen der einzelnen zweiten optischen Elemente 117 bis 122 erhöht. Insbesondere die über eine solche Getriebeeinrichtung erzielbare Änderung der Art des Freiheitsgrads (Translation oder Rotation) kann hier von erheblichem Vorteil sein.

Die Empfindlichkeit der Messeinrichtung 113 für alle im jeweiligen Fall zu relevanten Freiheitsgrade der zweiten optischen Elemente 117 bis 122 ist durch die Gestaltung der Messeinrichtung 1 13 bekannt (so entspricht beispielsweise die Änderung der

Komazentrierung Z7/Z8 und die Astigmatismuszentrierung Z5/Z6 entspricht dem Verhältnis 4:1 bei einer Translation von optischen Elementen) und entsprechend in dem gespeicherten Modell der Messeinrichtung 113 hinterlegt.

Bei schlechter Konditionierung (geringer Empfindlichkeit, Eindeutigkeit, Trennbarkeit, Orthogonalität des Gleichungssystems der Empfindlichkeit gegenüber Zustandsänderungen der einzelnen zweiten optischen Elemente) der zweiten optischen Elementgruppe 1 15 kann durch Hinzufügen von zusätzlichen optischen Elementgruppen die Konditionierung verbessert werden. Hierzu kann beispielsweise vorgesehen sein, dass eine (zur zweiten optischen Eiementgruppe 115) identische dritte optische Eiementgruppe an einer anderen Stelle (z. B. bezüglich der z-Achse um 90° oder 180° verdreht) an der ersten optischen Elementgruppe in identischer oder ähnlicher Weise angebunden wird. Ebenso ist es möglich, durch gezielte Optimierung der Gestaltung und Kopplung von zwei oder mehreren sich unterscheidenden optischen Elementgruppen mit der ersten optischen Elementgruppe 107 bis 112 eine Optimierung der Konditionierung der Messeinrichtung 113 zu erzielen, wie dies nachfolgend noch im Zusammenhang mit den Figuren 2 und 3 beschrieben wird.

Die Messeinrichtung 113 kann insbesondere so gestaltet werden, dass ihre Empfindlichkeit der Empfindlichkeit des Projektionssystems 102 entspricht oder zumindest ein einfacher (beispielsweise proportionaler) Zusammenhang zwischen diesen Empfindlichkeiten besteht. Die Getriebeeinrichtung 125 ermöglicht in diesem Zusammenhang durch eine geeignete Wahl der Bewegungsübersetzung die Empfindlichkeit der Messeinrichtung 113 an die jeweilige Messaufgabe anzupassen.

Eine solche Anpassung der Empfindlichkeit der Messeinrichtung 113 über eine oder mehrere Getriebeeinrichtungen kann beispielsweise dann von Vorteil sein, wenn ein Abbildungsfehler des Projektionssystems 102 gegenüber einer Zustandsänderung eines oder mehrerer der ersten optischen Elemente 107 bis 112 empfindlicher ist als die Messeinrichtung 113 gegenüber einer Zustandsänderung der zugeordneten zweiten optischen Elemente 117 bis 122. Durch die Bewegungsübersetzung kann dann in einfacher Weise die Empfindlichkeit der Messeinrichtung 1 13 in geeigneter Weise erhöht werden. Insbesondere kann durch die Bewegungsübersetzung erreicht werden, dass die Empfindlichkeit der Messeinrichtung 113 gegenüber einer Zustandsänderung eines der zweiten optischen Elemente 117 bis 122 die Empfindlichkeit eines Abbildungsfehlers des Projektionssystems 102 gegenüber einer Zustandsänderung des zugeordneten ersten optischen Elements 107 bis 112 erreicht oder sogar übersteigt.

Weiterhin kann es in diesem Zusammenhang auch vorteilhaft sein, die Translation eines ersten optischen Elementes 107 bis 1 12 in eine Rotation des zugeordneten zweiten optischen Elementes 117 bis 122 über eine solche Getriebeeinrichtung umzuwandeln. Schließlich können solche Getriebeeinrichtungen nötig sein, um anderen Randbedingungen (und verfügbarer Bauraum, zu überwindende Abstände etc.) Rechnung zu tragen.

Da die Kinematik und Empfindlichkeit der Messeinrichtung 1 13 möglicherweise nicht ausreichend gut theoretisch modelliert oder praktisch realisiert werden können bzw. Streuungen berücksichtigt werden müssen, kann wie erwähnt eine Kalibrierung der Messeinrichtung 113 erforderlich sein, um das Modell zu erstellen bzw. anzupassen. Für eine solche Kalibrierung kann zunächst das Objektiv 105 mit einem Systeminterferometer optimiert werden, mithin also alle Komponenten beispielsweise mittels entsprechender Manipulatoren in ihren Sollzustand (Sollposition, Sollorientierung und Soügeometrie) gebracht. Der Sollzustand bezeichnet dabei einen Zustand, in dem die Aberrationen auf die minimal erzielbare Abweichung von einem Idealzustand eingestellt. Der Ideaizustand hängt von verschiedenen Parametern der Abbildung ab, beispielsweise von der Form und der Dimension der abzubildenden Strukturen, der Beleuchtungseinstellung, der Größe des benutzten Abbildungsfeldes etc.

Nachdem der Sollzustand erreicht wurde, werden die Erfassungseinheiten der

Messeinrichtung 113 (also beispielsweise ihre Sensoren, Messaufnehmer etc.) auf „genullt" gesetzt (mithin also ihre Eigenfehler auf „Null" gesetzt). Dieser Zustand ist dann im Betrieb der Mikrolithographieeinrichtung 101 auch der Sollzustand für die Regelung der Korrektur der Abbildungsfehler. Die Empfindlichkeiten der optischen Elemente der Messeinrichtung 1 13 gegenüber Positionsänderungen der Komponenten der Projektionseinrichtung 102 (insbesondere der ersten optischen Elemente 107 bis 112) werden dann durch gezieltes (kontinuierliches oder schrittweises) Verstellen der Aktuatoren der Projektionseinrichtung 102 ermittelt, um eine Empfindlichkeitskurve zu ermitteln. Die so ermittelten Empfindlichkeitskurven werden in einem Modell bzw. in einer Empfindlichkeitsmatrix hinterlegt, sodass im Regelbetrieb aus den Messdaten der Messeinrichtung 113 die für die Korrektur der Abbildungsfehler nötigen Aktuatorbewegungen ermittelt und ausgelöst werden können.

Im vorliegenden Beispiel dient die ortsfeste Referenzstruktur 123 als Referenz für die Messeinrichtung 113. Es versteht sich jedoch, dass es bei anderen Varianten der Erfindung auch eine relative (gegebenenfalls bewegliche) Referenz sinnvoll sein kann. Dies kann insbesondere vorteilhaft sein, wenn die gewünschte Messgröße eine Relativposition umfasst, beispielsweise die Relativposition der Maskeneinrichtung 104 zur Substrateinrichtung 106. in diesem Fall kann als Referenz der Messeinrichtung ein bestimmter Referenzbereich des Objektivs 105 sinnvoll sein.

Ebenso kann vorgesehen sein, dass die Messlichtquelle und/oder die Erfassungseinheit nicht mit der Referenzstruktur 123 sondern mit der Maskeneinrichtung 104 bzw. Substrateinrichtung 106 verbunden ist, wie dies in Figur 1 durch die gestrichelten Konturen 130 und 131 angedeutet ist. Die Verbindung kann hier analog zu der oben für die Verbindung zwischen den ersten und zweiten optischen Elementen beschriebenen Weise (unmittelbar starr oder über eine Getriebeeinrichtung) erfolgen, sodass diesbezüglich auf die obigen Ausführungen verwiesen wird.

Weiterhin kann vorgesehen sein, dass die Messlichtquelle und die Erfassungseinheit zueinander benachbart angeordnet sind, gegebenenfalls sogar in einer Einheit integriert sind, um in einfacher Weise eine definierte räumliche Beziehung zwischen ihnen herzustellen Bei der Ausfuhrung aus Figur 1 wäre dann beispielsweise an der Position der Erfassungseinheit 116 lediglich ein reflektierendes Element, beispielsweise ein Spiegel oder dergleichen, anzuordnen, wie dies in Figur 1 durch die gestrichelte Kontur 132 angedeutet ISt

Um auch Zustandsanderungen der Maskeneinπchtung 104 bzw der Substrateinrichtung 106 mit erfassen zu können, kann bei weiteren Varianten der Erfindung vorgesehen sein, dass auch diese in ähnlicher Weise wie die ersten optischen Elemente 107 bis 112 mit einem entsprechenden zweiten optischen Element gekoppelt sind

Die Messeinrichtung kann (wie oben erwähnt) mit mehreren Messkanalen bzw Messprinzipien ausgestattet sein, um sehr schnell Abweichungen in ailen sechs Freiheitsgraden zu detektieren und einer schnellen Regelung zugänglich zu machen So können beispielsweise Moire-Kanale für Translationen in Richtung der x- und y-Achse sowie eine Rotation um die z-Achse vorgesehen sein, wahrend eine schnelle Fokusdetektion für Translationen in Richtung der z-Achse sowie eine Rotation um die x- und y-Achse vorgesehen sein können

Wie bereits erwähnt, zeigt die Figur 1 eine stark schematisierte Darstellung der Abbildungseinrichtung 101 , bei der die ersten und zweiten optischen Elemente (aus Gründen der einfacheren Darstellung) schematisch durch Linsen repräsentiert sind Es versteht sich jedoch, dass die ersten optischen Elemente 107 bis 112 sowie die zweiten optischen Elemente 117 bis 122 alleme oder in beliebiger Kombination von refraktiven, diffraktiven und reflektiven optischen Elementen gebildet sein können Insbesondere können diese optischen Elemente eine beliebige geeignete Geometrie aufweisen So können optische Elemente mit sphärischen, asphaπschen, zylindrischen, planparallelen optischen Flachen oder Freiformflachen als optischen Flachen zum Einsatz kommen

Bei den zweiten optischen Elementen 117 bis 122 kann die Geometrie der optischen Elemente auf das zu erzielende Messergebnis abgestimmt sein Mithin kann also durch eine entlang unterschiedlicher Freiheitsgrade unterschiedliche Gestaltung der optischen Flachen der zweiten optischen Elemente 117 bis 122 (beispielsweise eine unterschiedliche Krümmung entlang unterschiedlicher Freiheitsgrade) erreicht werden, dass aus den

Bewegungen entlang dieser unterschiedlichen Freiheitsgrade unterschiedliche Änderungen der Erfassungssignale der Erfassungseinheit 116 resultieren, die einen entsprechend eindeutigen Rückschluss auf die zugehörigen Zustandsänderungen des jeweiligen zweiten optischen Elements 117 bis 123 zulassen.

So kann beispielsweise die Geometrie des zweiten optischen Elements (wie z. B. bei dem in Figur 1 durch die gestrichelte Kontur 132 angedeuteten optischen Element) zur einfachen Unterscheidung von Zustandsänderungen beitragen. Bei einer Variante mit zwei oder mehr Messkanälen (beispielsweise mit den beiden Teilmesslichtbündeln 114.1 und 114.2) und zwei entsprechend nebeneinander angeordneten solchen (konvexen oder konkaven) Spiegeln 132, 133 bewirkt eine Translation des Spiegels 132, 133 entlang der x-Achse bzw. der y-Achse eine gleichgroße Kippung der rücklaufenden Wellen in beiden Messkanälen, ebenso bewirkt eine Translation entlang der z-Achse eine gleichgroße Defokussierung. Eine Rotation um die z-Achse bewirkt jedoch eine ungleiche Kippung der Wellen, während eine Rotation um die x-Achse eine ungleiche Defokussierung der Wellen bewirkt.

Im vorliegenden Beispie! ist jedes der ersten optischen Elemente 107 bis 112 mit genau einem zweiten optischen Element 117 bis 122 gekoppelt. Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung auch vorgesehen sein kann, dass nur ein Teil der ersten optischen Elemente 107 bis 112 jeweils mit einem oder mehreren der zweiten optischen Elementen gekoppelt ist. Insbesondere kann auf eine Zustandserfassung von hinreichend (thermisch und mechanisch) stabilen ersten optischen Elementen gegebenenfalls verzichtet werden.

Wie bereits oben erwähnt, kann bei ungenügender Konditionierung der zweiten optischen Elementgruppe 115 vorgesehen sein, durch Hinzufügen von zusätzlichen optischen Elementgruppen die Konditionierung zu verbessern. Bei der Mikrolithograpieeinrichtung 101 ist dies durch eine dritte optische Elementgruppe 134 der Messeinrichtung 113 realisiert, wie im Folgenden unter Bezugnahme auf die Figuren 2 und 3 erläutert wird.

Die Figur 2 zeigt eine (gegenüber der Figur 1) stärker konkretisierte Gestaltung der

Mikrolithograpieeinrichtung 101 , die mit einem Projektionslichtbündel 101.1 im EUV-Bereich bei einer Wellenlänge von 13,5 nm arbeitet. Aus diesem Grund sind die ersten optischen Elemente 107 bis 112 bei dieser Ausführung ausschließlich als reflektive optische Elemente in Form von Spiegeln ausgebildet. Die Figur 3 zeigt eine schematisches Detail der Mikrolithograpieeinrichtung 101 aus Figur 2.

Wie bereits eingangs erwähnt, ist beispielsweise bei einer gewöhnliche interferometrischen Messung eine zuverlässige Erkennung von Wellenfrontverkippungen von λ/1000 über eine vorgegebene Messapertur möglich. Weist diese Messapertur beispielsweise einen Durchmesser von 100 mm auf, so entspricht dies einer Winkelauflösung von 6 nrad, wenn es sich bei der Messwellenlänge λ um die Wellenlänge eines üblichen Helium-Neon-Lasers handelt.

Die Bildablage während eines aktuellen Beiichtungsprozesses des Substrats 106.1 muss im Rahmen spezifizierter Grenzen bleiben. Wie erwähnt, kann der Strahlengang in einem EUV-Objektiv 105 mehrere Meter lang sein. Bei zu belichtenden Strukturen in der Größenordnung von 25 nm dürfen die Bildablagen aber nur im Nanometerbereich liegen. Mit einer Länge der Strahlengangs des Projektionslichtbündels 101.1 von 2,5 m (zwischen dem Spiegel 107 und dem Substrat 106.1 ) sowie einer erlaubten Bildablage von 1 nm ergibt sich damit eine maximal erlaubte Spiegelverkippung des Spiegels 107 von nur 0,2 nrad. Bei den im Strahlengang folgenden Spiegeln 108 bis 1 12 vergrößern sich diese Winkeltoleranzen zwar schrittweise, da der Abstand zur Bildebene (also zum Substrat 106.1) entlang des Strahlengangs des Projektionslichtbündels 101.1 kontinuierlich abnimmt, es müssen aber auch hier idealerweise nach wie vor Winkeltoleranzen im Sub-nrad-Bereich eingehalten werden.

Um dies zu erreichen, ist gemäß der vorliegenden Erfindung durch die Messeinrichtung 113 eine zeitaufgelöste Messung der Orientierung der Spiegel 107 bis 112 im Sub-nrad-Bereich vorgesehen, anhand welcher in Echtzeit parallel zur Belichtung des Substrats 106.1 Bildlagenänderungen erkannt werden können und über die Korrektureinrichtung 127 korrigiert werden können.

Im folgenden wird dies beispielhaft anhand der Spiegel 107, 108 und 112 beschrieben. Da Verkippungen (als Änderungen der Orientierung) aller Spiegel 107 bis 1 12, wenn auch in unterschiedlicher weise, zur Bildablage beitragen können, ist bevorzugt vorgesehen, dass die Verkippungen aller Spiegel in dieser nachfolgend beschriebenen Weise beobachtet und korrigiert werden.

Die Messeinrichtung 113 umfasst zu diesem Zweck eine interferometrische zweite Messeinheit 113.2 mit einer zweiten Messlichtquelle 134, einer dritten optischen Elementgruppe 135 und einer zweiten Erfassungseinheit 136. Die dritte optische Elementgruppe 135 weist neben einer Reihe von reflektierenden dritten optischen

Elementen in Form von Messspiegein 137, 138 und 139 ein teilreflektierendes optisches Referenzeiement 140 auf. Die dritten optischen Elemente 137, 138 und 139 sind im vorliegenden Beispiel jeweils derart mit einem der Spiegel 107, 108 und 112 gekoppelt, dass eine zu jedem Zeitpunkt definierte räumliche Beziehung zwischen dem Spiegel 107, 108 und 112 und dem zugeordneten dritten optischen Element 137, 138 und 139 vorliegt Hierzu kann die Kopplung zwischen den dritten optischen Elementen 137, 138 und 139 und den ersten optischen Elementen 107, 108 und 112 analog zu der oben beschriebenen Kopplung der ersten optischen Elemente 107 bis 112 und der zweiten optischen Elemente 117 bis 122 ausgeführt sein (also unmittelbar starr und/oder über Getπebeeinπchtungen) Im vorliegenden Beispiel sind die dritten optischen Elemente 137, 138 und 139 starr mit dem jeweiligen Spiegel 107, 108 und 1 12 verbunden

Erfindungsgemaß wird die Auflosung bei der Messung der Orientierung der Spiegel 107 bis 112 im Sub-nrad-Bereich dadurch erreicht, dass zwischen den Messspiegeln 137, 139 und dem Referenzelement 140 bzw zwischen dem Messspiegel 137 und dem Messspiegel 138 eine optische Kavitat nach Art einer Fizeau-Kavitat gebildet wird Diese Kavitat wird mehrfach durchtreten, indem die optischen Elemente 137 bis 140, welche die jeweilige optische Kavitat 141 , 142 bzw 143 bilden, so angeordnet sind, dass ein in die Kavitat eingekuppeltes Messlichtbundel (an den die jeweilige Kavitat bildenden optischen

Elementen 137 bis 140) eine Mehrzahl von M Reflektionen erfahrt, bevor es die Kavitat wieder veriasst und auf die zweite Erfassungseinheit 136 auftrifft Dank dieser M Reflektionen werden Winkelabweichungen zwischen den beiden die Kavitat bildenden optischen Elementen 137 bis 140 multipliziert, wodurch in einfacher Weise auch mit der oben erwähnten einfachen interferometπschen Messung eine Winkelauflosung im Sub- nrad-Bereich erreicht werden kann

Die zweiten Messlichtquelle 134 sendet zu diesem Zweck unter anderem ein Messlichtbundel 134 1 aus, welches über einen Strahlteiler 144 auf das Referenzelement 140 gelangt Das einfallende Messiichtbundel 134 1 durchtritt das teilreflektierende Referenzelement 140, wobei es austrittsseitig an einem Oberflachenbereich 140 1 der optischen Referenzflache teilweise reflektiert wird, sodass eine rucklaufende Referenzwelle entsteht Der transmittierte Anteil durchtritt die zwischen dem Referenzelement 140 und dem ersten Messspiegel 137 gebildete optische Kavitat 141 und wird an einem ersten Oberflachenbereich 137 1 des Messspiegels 137 reflektiert

Die Flachennormale der Referenzflache 140 1 und des ersten Oberfiachenbereichs 137 1 sind (in einem Sollzustand) zueinander geneigt angeordnet, sodass das Messlichtbundel 134 1 (in diesem Sollzustand) nicht auf sich selbst zurück gefaltet wird Von dem ersten Oberfiachenbereich 137 1 wird das Messltchtbundei 134 1 innerhalb der Kavitat 141 zurück zum Referenzkorper 140 reflektiert, wobei es auf einen vorzugsweise totalreflektierenden Oberflachenbereich 140 2 trifft und dort erneut reflektiert wird Das Messlichtbundel 134 1 durchtritt erneut die Kavitat 141 und trifft senkrecht auf einen Oberflachenbereich 137 2 des ersten Messspiegeis 137 auf Hierdurch wird das Messlichtbundel 134 1 auf sich selbst zurück gefaltet, sodass es im Wesentlichen den gleichen Weg zurücklauft um die Kavitat 141 im teilreflektierenden Bereich des Oberflachenbereschs 140 1 des Referenzelements 140 wieder zu verlassen Das Messlichtbundel 134 1 wird dann über den Strahlteiler 144 auf die Erfassungseinheit 136 gelenkt und fuhrt dort zur Erzeugung eines zweiten Erfassungssignals S2, welches für die Winkelabweichungen zwischen dem ersten Messspiegel 137 und dem Referenzelement 140 und damit (dank der zu jedem Zeitpunkt definierten Kopplung) für eine aktuelle Winkelabweichung des ersten optischen Elements 107 (von einem Sollzustand) repräsentativ ist

Das Erfassungssignal S2 wird an die Verarbeitungseinheit 124 weitergeleitet, welche das Erfassungssignal S2 dann in der oben beschriebenen Weise verwendet, um den Abbildungsfehler der Projektionseinrichtung 102 zu ermitteln und diesen über die Korrektureinrichtung 127 zu korrigieren

Die in Figur 3 dargestellten M = 5 Reflexionen innerhalb der Kavitat 141 können je nach Anwendungsfall noch nicht ausreichend sein, um die oben geforderten Winkelauflosungen im Sub-nrad-Bereich zu erreichen Es versteht sich jedoch, dass durch einfache Wahl der Ausrichtung der die Kavitat 141 bildenden optischen Flachen 137 1 , 140 2 und 137 21 beliebige Anzahl von Reflektionen innerhalb der Kavitat 141 erzielen lassen Vorzugsweise sind wenigstens 21 Reflektionen beim Durchlaufen der Kavitat vorgesehen

Ist die Winkelabweichung zwischen dem ersten Messspiegel 137 und dem Referenzelement 140 so gering, dass die reflektierten Strahlen des Messhchtbundels 134 1 am Referenzelement 140 mit den eintretenden Messstrahlen überlappen, werden sie teilweise durchgelassen, laufen ihn die Erfassungseinheit 136 zurück und können dort durch eine Blende im Zwischenfokus der der Erfassungseinheit 136 abgefangen werden

Zur relativen Verschiebung der Phasen von Messwelle und Referenzwelle kann im Hinblick auf eine phasenschiebende Interferenzauswertung vorgesehen sein, dass das Referenzelement 140 durch eine geeignete Aktuatoπk entlang der Richtung 145 verschieblich ist Alternativ ist auch eine Phasenverschiebung über

Wellenlangenverschiebung möglich Will man dies vermeiden, kann weiterhin vorgesehen sein, das hinlänglich bekannte so genannte DMI-Verfahren einzusetzen, wie es aus der US 5,361 ,312 (Küchel) bekannt ist, deren gesamte Offenbarung hierin durch Bezugnahme eingeschlossen wird. Mithin kann also vorgesehen sein, die Kavität 141 also so zu formen, dass eine Trägerfrequenz im Interferogramm der Erfassungseinheit 136 erscheint und diese nachträglich rechnerisch (in der Erfassungseinheit 136 oder der Verarbeitungseinheit 124) eliminiert wird.

In ähnlicher Weise werden über ein weiteres Messlichtbündel 134.3 und die zwischen dem Referenzelement 140 und dem dritten Messspiegel 139 gebildete Kavität 143 Winkelabweichungen zwischen dem dritten Messspiegel 139 und dem Referenzelement 140 ermittelt und zur Bestimmung und Korrektur des Abbildungsfehlers der Projektionseinrichtung 102 herangezogen.

Die zweite Messlichtquelle 134 sendet weiterhin ein Messlichtbündel 134.2 aus, welches in die optische Kavität 142 eintritt, die zwischen dem ersten Messspiegel 137 und dem zweiten Messspiegel 138 gebildet ist. Das Messlichtbündel 134.2 trifft dabei zunächst auf ein diffraktives Element in Form eines Gitters 137.3 in so genannter Littrow-Anordnung. Durch das Gitter 137.3 auf dem ersten Messspiegel 137 wird zum einen eine rückiaufende Referenzwelle erzeugt. Der spekulare Reflex des Messlichtbündels 134.2 am Gitter (nullte Beugungsordnung) durchtritt in ähnlicher Weise wie oben (im Zusammenhang mit den Messlichtbündel 134.1 und der Kavität 141) beschrieben mehrfach die Kavität 142, bis es senkrecht auf einen Oberflächenbereich 137.4 des ersten Messspiegels 137 auftrifft und auf sich selbst zurück gefaltet wird. Das Messlichtbündel 134.2 läuft dann im Wesentlichen den gleichen Weg zurückläuft um die Kavität 142 über das Gitter 137.3 wieder zu verlassen. Auch hier addieren sich Winkelabweichungen (von einem Sollzustand) zwischen dem ersten Messspiegel 137 und dem zweiten Messspiegel 138 wiederum über die Anzahl der Reflektionen innerhalb der Kavität 142 auf.

Das Messlichtbünde! 134.2 wird dann über den Strahlteiler 144 auf die Erfassungseinheit 136 gelenkt und führt dort zur Erzeugung eines dritten Erfassungssignals S3, welches für die Winkelabweichungen zwischen dem ersten Messspiegel 137 und zweiten Messspiegel 138 und damit (dank der zu jedem Zeitpunkt definierten Kopplung) für eine aktuelle Winkelabweichung zwischen den ersten optischen Elementen 107 und 108 (von einem Sollzustand) repräsentativ ist.

Zur Phasenschiebung kann wiederum vorgesehen sein, dass einer der beiden Messspiegel 137 und 138 verschieblich gelagert ist. Will man dies (im Hinblick auf die definierte Kopplung mit dem betreffenden ersten optischen Element 107, 108) vermeiden, kann auch hier entweder ein so genanntes Wellenlängen-Tuning eingesetzt werden oder das oben erwähnte DMI-Verfahren verwendet werden.

Wie bereits erwähnt, weisen das Referenzelement 140 sowie die Messspiegel 137 bis 139 bevorzugt örtlich variierende Reflektivitäten auf. Der Oberflächenbereich 140.1 des Referenzelements 140, weicher durch teilweise Reflektion die Referenzwelle erzeugt, kann beispielsweise eine Reflektivität von etwa 40% aufweisen, während die übrigen Oberflächenbereiche 140.2 und 140.3 eine hohe Reflektivität von beispielsweise nahezu 100% aufweisen. Die Oberflächenbereiche 137.1 und 137.2 des ersten Messspiegels 137 können ebenfalls eine hohe Reflektivität besitzen, in diesem Fall weisen die Referenzwelle und die Messwelle vergleichbare Intensitäten auf, wodurch in vorteilhafter Weise ein hoher Kontrast des Interferenzmusters im Bereich der Erfassungseinheit 136 sichergestellt ist.

Wie Figur 3 zu entnehmen ist, ist bei dem vorliegenden Beispiel weiterhin eine Bestimmung der lateralen Ablage (Abweichung in x-Richtung und y-Richtung) des Objektivs 105 bezüglich des Maskentischs 104.2 vorgesehen, da sich diese Ablage auf die laterale Bildlage in der Bildebene (also auf dem Substrat 106.1) auswirkt. Hierzu ist an einem im Betrieb der Mikrolithograpieeinrichtung 101 nicht aktuierten, mithin also feststehenden Bereich des Maskentischs ein Maskenreferenzkörper 104.4 angeordnet. Eine an der Referenzstruktur 123 angebundene (in hinlänglich bekannter Weise ausgebildete) Längenmesseinheit 146 erfasst die räumliche Beziehung zwischen dem Referenzkörper 104.4 und dem Referenzelement 140 und gibt eine entsprechende Information an die Verarbeitungseinheit 124 zur weiteren Verarbeitung bei der Bestimmung des Abbildungsfehlers weiter. Die Auflösung der Längenmesseinheit 146 liegt in der Größenordnung der erlaubten Bildablagen, im vorliegenden Beispiel also im Nanometerbereich.

Es versteht sich, dass durch entsprechende Erweiterungen der zweiten Messeinheit 113.2 bzw. durch weitere Messeinheiten auch die Winkeiabweichungen der drei weiteren ersten optischen Elemente 109 bis 111 (absolut und/oder relativ zueinander) erfasst werden können. Insbesondere ist es mit der vorliegenden Erfindung möglich, in Echtzeit parallel zur Belichtung des Substrats 106.1 alle Winkelabweichungen bezogen auf einen einzigen Referenzkörper, nämlich das Referenzelement 140 zu ermittein sowie zusätzlich die

Position des gesamten Objektivs 105 relativ zur Maskeneinheit 102 zu erfassen. Alle diese Größen sind vorteilhaft auf einen einzigen gemeinsamen Referenzkörper 140 bezogen. Das Referenzelement 140 ist daher bevorzugt aus einem Material oder einer Materialkombination mit einem niedrigem thermischem Ausdehnungskoeffizienten (CTE) ausgeführt. Insbesondere können Materialien wie Zerodur, ULE, Quarzglas oder dergleichen für den lichtdurchlässigen Teil des Referenzelements 140 verwendet werden. Bevorzugt ist das Referenzelement so gestaltet, dass es ein Aspektverhältnis kleiner 7, insbesondere ein Aspektverhältnis kleiner 3, aufweist, um Durchbiegungen zu vermeiden.

Vorzugsweise ist das Referenzelement 140 mit einem thermischen Schutzschild in Form eines Strahlungsschutzschilds 147 versehen, um es thermisch zu stabilisieren. Der Strahlungsschutzschild 147 kann beispielsweise eine Metallfolie oder eine Metallhülle mit Öffnungen für das jeweilige Messlichtbündel sein. Optional kann der Strahlungsschutzschild 147 aktiv und/oder passiv gekühlt werden. Insbesondere kann auch eine Temperaturregelung vorgesehen sein, um den Schutzschild 147 auf konstanter Temperatur zu halten.

In diesem Zusammenhang sei angemerkt, dass das Vorsehen eines solchen thermischen Schutzschilds für optische Elemente einer Messeinrichtung unabhängig von der übrigen Gestaltung der Messeinrichtung eine eigenständig schutzfähige Erfindungsidee darstellt.

Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Messeinrichtung 113 liegt darin, dass Änderungen der Winkelabweichungen der Messspiegel 137 bis 139 im Interferogramm der Erfassungseinheit 136 in einer Änderung des Interferenzstreifenabstandes resultieren, nach phasenverschiebender Auswertung also in einer Änderung des Wellenfrontkippkoeffizienten resultieren. Während transiatorische Änderungen der Messspiegel 137 bis 139 entlang des jeweiligen Messlichtbündels 134.1 bis 134.3 im Interferogramm der Erfassungseinheit 136 lediglich in einer Änderung der Interferenzstreifenpositionen resultieren, nach phasenschiebender Auswertung also in einer Änderung des Offsets. Auf diese Weise können zusätzlich zur Erfassung der Änderungen der Winkelabweichungen auch translatorische Änderungen der Messspiegel 137 bis 139 entlang des jeweiligen Messlichtbündels 134.1 bis 134.3 erfasst werden.

Bei einer bevorzugten Variante des vorliegenden Ausführungsbeispiels ist vorgesehen, dass die (zusammen mit dem Objektiv 105 transportierbare) Messeinrichtung 1 13 (in einem Protokollierschritt) während eines Transports des Objektivs 105 weiter betrieben wird.

Hierzu kann beispielsweise eine mobile Stromversorgung 113.4 (wie eine Batterie oder ein Akkumulator etc.) vorgesehen sein, welche die elektrisch betriebenen Komponenten der Messeinrichtung 113, insbesondere die Verarbeitungseinheit 124, mit elektrischer Energie versorgt. Die jeweiligen Interferogramme der Messeinrichtung 113 werden kontinuierlich oder in regelmäßigen Zeitabständen aufgezeichnet und gegebenenfalls in geeigneter Form in einem Speicher 124.1 der Verarbeitungseinheit 124 gespeichert. Nach dem Transport können so die Zustandsänderungen (Geometrie und/oder Position und/oder Orientierung) der ersten optischen Elemente 107 bis 112 (in einem Anaiyseschritt) anhand der aus dem Speicher 124.1 ausgelesenen Daten nachvollzogen werden und es kann in einfacher Weise (in einem Korrekturschritt) eine entsprechende Korrektur vorgenommen werden.

In diesem Zusammenhang sei angemerkt, dass diese mobile Erfassung von Zustandsänderungen der optischen Elemente eines Projektionssystems unabhängig von der Art der Erfassung der Zustandsänderungen bzw. der Gestaltung der verwendeten Messeinrichtung eine eigenständig schutzfähige Erfindungsidee darstellt.

Figur 4 zeigt ein Ablaufdiagramm einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Abbildungsverfahrens in Form eines Mikrolithographieverfahrens, das mit der nach dem so genannten Scanner-Prinzip arbeitenden Mikrolithographieeinrichtung 101 aus den Figuren 1 bis 3 durchgeführt wird.

Zunächst wird in einem Schritt 148.1 der Verfahrensablauf des Mikrolithographieverfahrens gestartet, in einem Schritt 148.2 wird dann die Mikrolithographieeinrichtung 101 in der Konfiguration aus den Figuren 1 bis 3 zur Verfügung gestellt.

In einem Erfassungs- und Korrekturschritt 148.3 erfolgt parallel zur Belichtung des Substrats 106.1 zunächst in einem Bestimmungsschritt 148.4 eine Bestimmung des Abbildungsfehlers. Hierzu werden, wie oben im Zusammenhang mit den Figuren 1 bis 3 beschrieben, über die Messeinheiten 113.1 und 1 13.2 der Messeinrichtung 113 die Erfassungssignale S1 bis S3 erzeugt und in der Verarbeitungseinheit 124 verarbeitet.

In Abhängigkeit von dem hieraus bestimmten Abbildungsfehler bei der Abbildung des Projektionsmusters 104.3 auf dem Substrat 106.1 erfolgt dann durch die

Korrektureinrichtung 127 in dem Korrekturschritt 148.5 die oben im Zusammenhang mit den Figuren 1 bis 3 beschriebene Korrektur des jeweiligen Abbildungsfehlers, indem die Steuereinrichtung 126 die Aktuatorik 128, 129 in der ersten optischen Elemente 109 und 112 entsprechend ansteuert.

Wie erwähnt, erfolgt die Bestimmung und Korrektur des Abbildungsfehlers parallel zur

Belichtung des Substrats 106.1. Zumindest solange keine Abbildungsfehler erfasst werden, welche einen Abbruch der Belichtung des Substrats 106.1 erforderlich machen würden, erfolgt die Belichtung also gleichzeitig mit und unabhängig von der Bestimmung und Korrektur des Abbildungsfehlers.

In einem weiteren Schritt 148.6 wird dann überprüft, ob noch ein weiterer Korrekturvorgang vorgenommen werden soll. Ist dies nicht der Fall, wird der Verfahrensablauf in dem Schritt 148.7 beendet. Andernfalls wird zurück zu dem Schritt 148.4 gesprungen.

Dank der in Echtzeit parallel zu der Belichtung des Substrats 106.1 ablaufenden hoch präzisen Erfassung und Korrektur der Abbildungsfehler des Projektionssystems 102 ist es mit der vorliegenden Erfindung möglich, die strukturellen Komponenten der Mikrolithographieeinrichtung, welche einen im Hinblick auf die Abbildungsfehler des

Projektionssystems 102 einen wesentlichen Einfluss auf den Zustand (Geometrie und/oder Position und/oder Orientierung) der optischen Elemente des Abbildungssystems haben, insbesondere also die Stützstruktur für die ersten optischen Elemente 107 bis 112, ganz oder teilweise aus thermisch empfindlicheren Materialien (also beispielsweise Materialien mit einem vergleichsweise hohen thermischen Ausdehnungskoeffizienten) zu gestalten, da thermisch induzierte Störungen, die zu Abbildungsfehlern führen in einfacher Weise kompensiert werden können.

Insbesondere ist es hiermit im Fall eines EUV-Systems (typischerweise mit einer Arbeitswellenlänge von 5 nm bis 20 nm) im Gegensatz zu den bisher bekannten Systemen gegebenenfalls sogar möglich, für diese strukturellen Komponenten thermisch vergleichsweise empfindliche aber kostengünstige Materialien wie Invar oder dergleichen zu verwenden. Mithin können also für diese strukturellen Komponenten Materialien oder Materialkombinationen verwendet werden, deren thermischer Ausdehnungskoeffizient (CTE) nahe oder oberhalb des thermischen Ausdehnungskoeffizient von Invar, insbesondere also oberhalb von 0,6- 10 ^~6 K ^~ \ insbesondere sogar oberhalb von 1.2-10 ^"6 K ^"1 , liegt.

in diesem Zusammenhang sei angemerkt, dass diese Erfassung und Korrektur von Zustandsänderungen der durch derartige thermisch empfindlichere Materialien abgestützten optischen Elemente eines im EUV Bereich arbeitenden Projektionssystems in Echtzeit parallel zu der Belichtung des Substrats unabhängig von der Art der Erfassung der Zustandsänderungen bzw. der Gestaltung der verwendeten Messeinrichtung eine eigenständig schutzfähige Erfindungsidee darstellt. Zweites Ausfuhrunqsbeispiβl

im Folgenden wird unter Bezugnahme auf die Figur 5 ein weiteres bevorzugtes Ausfuhrungsbeispiel der erfindungsgemaßen Mikrolithographieeinπchtung 201 beschrieben Die Figur 5 zeigt dabei ein Detail der Mikrolithographieeinπchtung 201 , welches dem Detail aus Figur 3 entspricht

Die Mikrolithographieeinnchtung 201 entspricht in Aufbau und Funktionsweise grundsätzlich der Mikrolithographieeinnchtung 101 aus den Figuren 1 bis 3, sodass hier lediglich auf die Unterschiede eingegangen werden soll Insbesondere sind gleichartige Komponenten mit um den Wert 100 erhöhten Bezugszeichen versehen Sofern nachfolgend nichts anderes ausgeführt ist, wird hinsichtlich der Eigenschaften dieser Komponenten auf die obigen Ausfuhrungen im Zusammenhang mit dem ersten Ausfuhrungsbeispiel verwiesen

Der einzige Unterschied der Mikrolithographieeinnchtung 201 zu der Mikrolithographieeinnchtung 101 besteht in der Gestaltung der zweiten Messeinheit 213 2 Auch bei der Mikrolithographieeinnchtung 201 erfolgt eine zeitaufgeloste Messung der Orientierung der Spiegel 107 bis 112 im Sub-nrad-Bereich, anhand welcher in Echtzeit parallel zur Belichtung des Substrats 106 1 Bildlagenanderungen erkannt werden können und über die Korrektureinrichtung 127 korrigiert werden können

Im folgenden wird dies beispielhaft anhand der Spiegel 107 und 112 beschrieben Da Verkippungen (als Änderungen der Orientierung) aller Spiegel 107 bis 112, wenn auch in unterschiedlicher Weise, zur Bildabiage beitragen können, ist bevorzugt vorgesehen, dass die Verkippungen aller Spiegel in dieser nachfolgend beschriebenen Weise beobachtet und korrigiert werden

Bei der zweiten Messeinheit 213 2 wird die Auflosung bei der Messung der Orientierung der Spiegel 107 bis 112 im Sub-nrad-Bereich dadurch erreicht, dass zwischen den Messspiegeln 237 bzw 239 und dem Referenzelement 240 wiederum eine optische Kavitat 241 bzw 243 nach Art einer Fizeau-Kavitat gebildet wird Diese Kavitat 241 bzw 243 wird mehrfach durchtreten, indem die optischen Elemente 237, 239 und 240, welche die jeweilige optische Kavitat 241 bzw 243 bilden, so angeordnet sind, dass ein in die Kavitat eingekoppeltes Messhchtbundel (an den die jeweilige Kavitat bildenden optischen Elementen 237, 239 und 240) eine Mehrzahl von M Reflektionen erfahrt, bevor es die Kavitat wieder verlasst und auf die zweite Erfassungseinheit 236 auftrifft Dank dieser M Reflektionen werden Winkelabweichungen zwischen den beiden die Kavitat bildenden optischen Elementen 237, 239 und 240 multipliziert, wodurch in einfacher Weise auch mit der oben erwähnten einfachen interferometrischen Messung eine Winkelauflösung im Sub- nrad-Bereich erreicht werden kann.

Die zweite Messlichtquelle 234 sendet zu diesem Zweck unter anderem ein Messlichtbündel 234.1 aus, welches über einen Strahlteiler 244 auf das Referenzelement 240 gelangt. Das einfallende Messlichtbündel 234.1 durchtritt das teilreflektierende Referenzelement 240, wobei es austrittsseitig an einem Oberflächenbereich 240.1 der optischen Referenzfläche teilweise reflektiert wird, sodass eine rücklaufende Referenzweile entsteht. Der transmittierte Anteil durchtritt die zwischen dem Referenzelement 240 und dem ersten Messspiegel 237 gebildete optische Kavität 241 und wird an einem ersten Oberflächenbereich 237.1 des Messspiegels 237 reflektiert.

Anders als bei der Ausführung aus Figur 4 sind die Flächennormale der Referenzfläche 240.1 und des ersten Oberflächenbereichs 237.1 (in einem Solizustand) zueinander parallel angeordnet, sodass das Messlichtbündel 234.1 (in diesem Sollzustand) auf sich selbst zurück gefaltet wird. Von dem ersten Oberflächenbereich 237.1 wird das Messlichtbündel 234.1 innerhalb der Kavität 241 zurück zum Referenzkörper 240 reflektiert, wobei es erneut auf den teüreflektierenden Oberfiächenbereich 240.1 trifft und dort erneut reflektiert und auf sich selbst zurück gefaltet wird.

Mithin kommt es also auch bei dieser Variante zu einer mehrfachen Reflektion Messlichtbündeis 234.1 in der Kavität 241 , wobei bei jedem Auftreffen des

Messlichtbündels 234.1 auf den teilreflektierenden Oberflächenbereich 240.1 ein Teil des Messlichtbündels 234.1 aus der Kavität 241 austritt und über den Strahlteiler 244 auf die Erfassungseinheit 236 gelenkt wird.

Über eine so genannte Weißlichtinterferometrie können diese Mehrfachreflektionen selektiert werden. Hierzu wird ein so genanntes Weißlichtinterferometer (genauer ausgedrückt ein Interferometer mit räumlich kurzkohärenter Lichtquelle) mit einer Verzögerungsstrecke kombiniert, wie es aus der US 4,872,755 (Küchel) bekannt ist, deren gesamte Offenbarung hierin durch Bezugnahme eingeschlossen wird.

Eine räumlich kurzkohärente Lichtquelle 234.4 koppelt quasi-monochromatisches Licht in eine Verzögerungsstrecke 234.5 ein. Hinter der Verzögerungsstrecke 234.5 wird das Licht in eine monomodale Lichtleitfaser 234.6 eingekoppelt und über einen Kollimator 234.7 zur Kavität 241 geführt, wie dieser aus der WO 2006 /102997 A1 (Altenberger et al.) bekannt ist, deren gesamte Offenbarung hierin durch Bezugnahme eingeschlossen wird Die Lichtleitfaser 234 6 eliminiert Aberrationen oder Verkippungen der Wellenfront hinter der Verzogerungsstrecke 234 5 und ermöglicht eine flexible räumliche Anordnung der Komponenten Die Verzögerung D in der Verzogerungsstrecke 234 5 wird so eingestellt, das sie der optischen Weglange des Teils des mehrfach reflektierten Messiichtbundels entspricht, der eine gewünschte Anzahl von M Reflektionen in der Kavitat 241 erfahren hat Mithin gilt also mit dem (in Richtung des Messiichtbundels 234 1 gemessenen) Abstand L1 zwischen dem Oberflachenbereich 237 1 und dem Oberflachenbereich 240 1

D = M Ll (1 )

Dadurch tragen nur mehrfach reflektierte Strahlen zur Interferenz bei, alle anderen allerdings zu einer Untergrundhelligkeit im Interferogramm der Erfassungseinheit 236 In ähnlicher Weise wird mit den übrigen optischen Elementen 108 bis 112 verfahren, sodass hierauf nicht naher eingegangen werden soll

Es sei an dieser Stelle angemerkt, dass auch mit dieser Ausfuhrungsvariante das im Zusammenhang mit der Figur 4 beschriebene Abbildungsverfahren ausgeführt werden kann

Drittes Ausfuhrunqsbeispiel

!m Folgenden wird unter Bezugnahme auf die Figur 6 ein weiteres bevorzugtes Ausfuhrungsbeispiel der erfindungsgemaßen Mikrolithographieeinπchtung 301 beschrieben Die Figur 6 zeigt dabei eine schematische Ansicht der Mikrolithographieeinπchtung 301 , welche der Ansicht aus Figur 1 entspricht

Die Mikrolithographieeinπchtung 301 entspricht in Aufbau und Funktionsweise grundsätzlich der Mikrolithographieeinπchtung 101 aus den Figur 1 , sodass hier lediglich auf die Unterschiede eingegangen werden soll Insbesondere sind gleichartige Komponenten mit um den Wert 200 erhöhten Bezugszeichen versehen Sofern nachfolgend nichts anderes ausgeführt ist, wird hinsichtlich der Eigenschaften dieser Komponenten auf die obigen Ausfuhrungen im Zusammenhang mit dem ersten Ausfuhrungsbeispiel verwiesen

Der Unterschied der Mikrolithographieeinπchtung 301 zur Ausfuhrung aus Figur 1 besteht in der Gestaltung der Messeinrichtung 313 Genauer gesagt dann, dass die Erfassung der Zustandsänderungen der ersten optischen Elemente 107 bis 112 über zwei Messeneinheiten 313.1 und 313.3 erfolgt.

Die beiden Messeinheiten 313.1 und 313.3 sind bezüglich der optischen Achse 105.1 des Objektivs 105 um 180° verdreht angeordnet. Die Messeinheit 313.1 erfasst dabei (in analoger Weise zu der ersten Messeinheit 113.1) die Zustandsänderungen der ersten optischen Elemente 107, 109, 110 und 1 12, während die Messeinheit 313.3 (ebenfalls in analoger Weise zu der ersten Messeinheit 113.1 ) die Zustandsänderungen der ersten optischen Elemente 108 und 111 erfasst. Hierzu weist die Messeinheit 313.3 einen weitere Messlichtquelle 348, eine weitere optische Elementgruppe 349 und eine weitere Erfassungseinheit 350 auf.

Die Messlichtquelle 348 und die Erfassungseinheit 350 sind wiederum starr an einer weiteren Referenzstruktur 351 befestigt, welche über eine starre Verbindung 352 mit der Referenzstruktur 123 verbunden ist, sodass eine jederzeit genau definierte räumliche Beziehung zwischen der Referenzstruktur 123 und der Referenzstruktur 351 vorliegt. Dank dieser zu jedem Zeitpunkt genau definierten räumlichen Beziehung zwischen den

Referenzstrukturen 123 und 359 kann die Verarbeitungseinheit 124 aus den Signalen der Erfassungseinheiten 315 und 350 in der oben im Zusammenhang mit dem ersten Ausführungsbeispiel beschriebenen Weise auf die aktuellen Zustandsänderungen der ersten optischen Elemente 107 bis 112 schließen.

Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung noch vorgesehen sein kann, dass die räumliche Beziehung zwischen der Referenzstruktur 123 und der Referenzstruktur 351 über eine entsprechende Messeinrichtung erfasst wird, wie dies Figur 6 durch die die gepunktete Kontur 353 angedeutet ist. Anhand dieser Information kann dann zusammen mit den Erfassungssignalen der Erfassungseinheiten 315 und 350 ebenfalls auf die aktuellen Zustandsänderungen der ersten optischen Elemente 107 bis 112 geschlossen werden.

Im vorliegenden Beispiel ist eine verschachtelte Anordnung der beiden Messeinheiten 313.1 und 313.3 gezeigt, bei der erste optische Elemente, deren Zustandsänderung durch die eine Messeinheit erfasst werden, räumlich zwischen ersten optischen Elementen angeordnet sind, deren Zustandsänderung durch die andere Messeinheit erfasst werden. Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung auch vorgesehen sein kann, dass die Erfassung der Zustandsänderungen durch unterschiedliche Messeinheiten nicht derart verschachtelt sondern abschnittsweise erfolgen. Beispielsweise könnte vorgesehen sein, dass die Zustandsänderungen der ersten optischen Elemente 107 bis 109 durch eine Messeinheit erfasst werden und die Zustandsänderungen der ersten optischen Elemente 1 10 bis 112 durch eine andere Messeinheit erfasst werden. Ebenso können natürlich auch mehr als zwei unterschiedliche Messeinheiten hierfür vorgesehen sein.

Weiterhin versteht es sich, dass bei anderen Varianten der Erfindung auch vorgesehen sein kann, dass die Messlichtquelle und/oder die Erfassungseinheit einer der Messeinheiten nicht mit einer Referenzstruktur sondern mit einem der ersten optischen Elemente verbunden ist, dessen Zustandsänderung durch eine andere Messeinheit erfasst wird. Hier ist die Verbindung kann natürlich bevorzugt wieder so gestaltet, dass zu jedem Zeitpunkt eine genau definierte räumliche Beziehung zwischen der betreffende Komponente und dem ersten optischen Element vorliegt. In Figur 6 ist dies exemplarisch durch die gestrichelte Kontur 354 angedeutet.

Es sei an dieser Stelle angemerkt, dass auch mit dieser Ausführungsvariante das im Zusammenhang mit der Figur 4 beschriebene Abbildungsverfahren ausgeführt werden kann.

Viertes Ausführunqsbeispiel

Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf die Figur 7 ein weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Mikrolithographieeinrichtung 401 beschrieben. Die Figur 6 zeigt dabei eine schematische Ansicht der Mikrolithographieeinrichtung 401 , welche der Ansicht aus Figur 1 entspricht.

Die Mikrolithographieeinrichtung 401 entspricht in Aufbau und Funktionsweise grundsätzlich der Mikrolithographieeinrichtung 101 aus den Figur 1 , sodass hier lediglich auf die Unterschiede eingegangen werden soll. Insbesondere sind gleichartige Komponenten mit um den Wert 300 erhöhten Bezugszeichen versehen. Sofern nachfolgend nichts anderes ausgeführt ist, wird hinsichtlich der Eigenschaften dieser Komponenten auf die obigen Ausführungen im Zusammenhang mit dem ersten Ausführungsbeispiel verwiesen.

Der Unterschied der Mikrolithographieeinrichtung 401 zur Ausführung aus Figur 1 besteht in der Gestaltung der Messeinrichtung 413. Genauer gesagt darin, dass die Erfassung der Zustandsänderungen der ersten optischen Elemente 107 bis 1 12 über eine Messeneinheit 413.1 erfolgt, bei der eines der zweiten optischen Elemente der zweiten optischen Elementgruppe 415 von einem der ersten optischen Elemente, nämlich dem ersten optischen Element 109 gebildet ist. Hierzu umfasst die zweite optische Elementgruppe 415 Lenkeinrichtungen 455 und 456, welche das Messlichtbündel 414.1 derart lenken, dass es das erste optische Element 109 passiert.

Weiterhin ist bei dieser Variante die Messlichtquelle 414 an der Referenzstruktur 123 befestigt, während die zugehörige Erfassungseinheit 416 an der weiteren Referenzstruktur 451 angeordnet ist. Die Messlichtquelle 414 und die Erfassungseinheit 416 sind jeweils starr an der betreffenden Referenzstruktur 123 bzw. 451 befestigt, welche über eine starre Verbindung 452 untereinander verbunden sind, sodass eine jederzeit genau definierte räumliche Beziehung zwischen der Referenzstruktur 123 und der Referenzstruktur 451 vorliegt. Dank dieser zu jedem Zeitpunkt genau definierten räumlichen Beziehung zwischen den Referenzstrukturen 123 und 451 kann die Verarbeitungseinheit 124 aus den Signalen der Erfassungseinheit 416 in der oben im Zusammenhang mit dem ersten Ausführungsbeispiel beschriebenen Weise auf die aktuellen Zustandsänderungen der ersten optischen Elemente 107 bis 112 schließen.

Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung noch vorgesehen sein kann, dass die räumliche Beziehung zwischen der Referenzstruktur 123 und der Referenzstruktur 451 über eine entsprechende Messeinrichtung erfasst wird, wie dies in Figur 7 durch die die gepunktete Kontur 453 angedeutet ist. Anhand dieser Information kann dann zusammen mit den Erfassungssignalen der Erfassungseinheit 415 ebenfalls auf die aktuellen Zustandsänderungen der ersten optischen Elemente 107 bis 112 geschlossen werden.

Die sind bezüglich der optischen Achse 105.1 des Objektivs 105 um 180° verdreht angeordnet. Die Messeinheit 413.1 erfasst dabei (in analoger Weise zu der ersten Messeinheit 113.1) die Zustandsänderungen der ersten optischen Elemente 107, 109, 110 und 112, während die Messeinheit 413.3 (ebenfalls in analoger Weise zu der ersten

Messeinheit 113.1) die Zustandsänderungen der ersten optischen Elemente 108 und 11 1 erfasst. Hierzu weist die Messeinheit 413.3 einen weitere Messlichtquelle 448, eine weitere optische Elementgruppe 349 und eine weitere Erfassungseinheit 450 auf.

Die Messlichtquelle 348 und die Erfassungseinheit 350 sind wiederum starr an einer weiteren Referenzstruktur 351 befestigt, welche über eine starre Verbindung 352 mit der Referenzstruktur 123 verbunden ist, sodass eine jederzeit genau definierte räumliche Beziehung zwischen der Referenzstruktur 123 und der Referenzstruktur 351 vorliegt. Dank dieser zu jedem Zeitpunkt genau definierten räumlichen Beziehung zwischen den Referenzstrukturen 123 und 351 kann die Verarbeitungseinheit 124 aus den Signalen der Erfassungseinheiten 315 und 350 in der oben im Zusammenhang mit dem ersten Ausfuhrungsbeispiel beschriebenen Weise auf die aktuellen Zustandsanderungen der ersten optischen Elemente 107 bis 112 schließen

Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung noch vorgesehen sein kann, dass die räumliche Beziehung zwischen der Referenzstruktur 123 und der Referenzstruktur 351 über eine entsprechende Messeinπchtung erfasst wird, wie dies in Figur 6 durch die die gepunktete Kontur 353 angedeutet ist Anhand dieser Information kann dann zusammen mit den Erfassungssignaien der Erfassungseinheiten 315 und 350 ebenfalls auf die aktuellen Zustandsanderungen der ersten optischen Elemente 107 bis 112 geschlossen werden

Im vorliegenden Beispiel ist nur eines der zweiten optischen Elemente der zweiten optischen Elementgruppe 415 durch eines der ersten optischen Elemente 107 bis 112 gebildet Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung auch eine andere Anzahl von zweiten optischen Elementen der zweiten optischen Elementgruppe durch eines der ersten optischen Elemente gebildet sein kann

Es sei auch an dieser Stelle angemerkt, dass auch mit dieser Ausfuhrungsvariante das im Zusammenhang mit der Figur 4 beschriebene Abbildungsverfahren ausgeführt werden kann

Die vorliegende Erfindung lasst sich im Zusammenhang mit beliebigen

Herstellungsverfahren für mikroelektronische Schaltkreise einsetzen Hierbei können beliebige Arbeitsprinzipien, wie beispielsweise das so genannte Stepper-Prinzip zum Einsatz kommen Vorzugsweise wird die Erfindung im Zusammenhang mit nach dem Scanner-Prinzip arbeitenden Abbildungseinrichtungen verwendet, da hier die Vorteile der vorliegenden Erfindung hinsichtlich der Korrektur der Abbildungsfehler der Abbildungseinnchtung besonders gut zum Tragen kommen

Die vorliegende Erfindung wurde vorstehend anhand von Beispielen beschrieben, bei denen lediglich im Zusammenhang mit der ersten Messeinheit 113 1 explizit eine mehrkanalige Messung (mit mehreren Messlichtbundeln) beschrieben wurde Es versteht sich jedoch, dass bei anderen Varianten der Erfindung mit mehreren solchen Messeinheiten auch alle oder zumindest ein Teil der übrigen Messeinheiten derartige mehrkanalige Messungen (mit mehreren Messlichtbundel) durchfuhren können Mit anderen Worten kann eine Mehrkanaligkeit der im Rahmen der vorliegenden Erfindung vorgenommenen Messungen zum einen dadurch erzielt werden, dass mehrere Messeinheiten verwendet werden. Ebenso ist es aber auch möglich, dass die jeweilige Messeinheit selbst schon eine mehrkanalige Messung realisiert.

Die vorliegende Erfindung wurde vorstehend anhand von Beispielen beschrieben, bei denen bei der Belichtung des Substrats mit Wellenlängen im EUV-Bereich gearbeitet wird.. Es sei an dieser jedoch Stelle angemerkt, dass die Erfindung natürlich auch im Zusammenhang mit Anwendungen zum Einsatz kommen kann, bei denen die Belichtung eines Substrats oder eine anderweitige Abbildung bei anderen Wellenlängen erfolgt.

Weiterhin ist anzumerken, dass die vorliegende Erfindung vorstehend anhand eines Beispiels aus dem Bereich der Mikrolithographie beschrieben wurde. Es versteht sich jedoch, dass die vorliegende Erfindung ebenso auch für beliebige andere Anwendungen bzw. Abbildungsverfahren eingesetzt werden kann.

Die vorliegende Erfindung betrifft weiterhin die Gegenstände, die in den nachfolgenden Sätzen definiert sind (die im Sinne der Entscheidung J 15/88 der Juristischen

Beschwerdekammer des Europäischen Patentamts als Teil der Beschreibung und nicht als Patentansprüche anzusehen sind):

1. Optische Abbildungseinrichtung, insbesondere für die Mikrolithographie, mit

- einer Abbildungseinheit zum Abbilden eines Objektpunktes auf einem Bildpunkt und

- einer Messeinrichtung, wobei

- die Abbildungseinheit eine erste optische Eiementgruppe mit einer Mehrzahl erster optischer Elemente umfasst, die dazu ausgebildet sind, an der Abbildung des Objektpunktes auf dem Bildpunkt teilzunehmen, und - die Messeinrichtung zum Bestimmen wenigstens eines beim Abbilden des

Objektpunktes auf dem Bildpunkt auftretenden Abbildungsfehlers ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass

- die Messeinrichtung wenigstens eine Messlichtquelle, eine zweite optische Elementgruppe und wenigstens eine Erfassungseinheit umfasst, wobei - die Messiichtquelie wenigstens ein Messlichtbündel, insbesondere mehrere Messlichtbündel, aussendet,

- die zweite optische Elementgruppe eine Mehrzahl zweiter optischer Elemente umfasst, die dazu ausgebildet sind, das wenigstens eine Messlichtbündel zur Erzeugung wenigstens eines Erfassungssignals auf die wenigstens eine

Erfassungseinheit zu lenken,

- jedes zweite optische Element mit einem der ersten optischen Elemente in einer definierten räumlichen Beziehung steht und wenigstens ein zweites optisches Element von den ersten optischen Elementen verschieden ist. - die Messeinrichtung zum Bestimmen des wenigstens einen Abbildungsfehlers unter Verwendung des wenigstens einen Erfassungssignals ausgebildet ist.

2. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 1 , dadurch gekennzeichnet, dass

- wenigstens ein zweites optisches Element im Wesentlichen starr mit einem ersten optischen Element verbunden ist, wobei - insbesondere das zweite optische Element unmittelbar an dem ersten optischen

Element befestigt ist.

3. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass

- wenigstens ein zweites optisches Element über eine Getriebeeinrichtung mit einem ersten optischen Element verbunden ist, wobei - durch die Getriebeeinrichtung eine definierte Bewegungsübersetzung zwischen einer ersten Bewegung des ersten optischen Elements in wenigstens einem ersten Freiheitsgrad und einer zweiten Bewegung des zweiten optischen Elements in wenigstens einem zweiten Freiheitsgrad vorgebbar ist.

4. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 3, dadurch gekennzeichnet, dass - der wenigstens eine erste Freiheitsgrad von dem wenigstens einen zweiten

Freiheitsgrad verschieden ist, wobei

- insbesondere die Art des wenigstens einen ersten Freiheitsgrads von der Art des wenigstens einen zweiten Freiheitsgrads verschieden ist. 5. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Getriebeeinrichtung wenigstens ein Element aus einer Elementgruppe aufweist, wobei die Elementgruppe aus einem Biegegelenk, einem Blattfederelement und einem Hebelelement besteht

6. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass

- der wenigstens eine Abbildungsfehler eine erste Empfindlichkeit gegenüber der ersten Bewegung aufweist,

- das wenigstens eine Erfassungssignal eine zweite Empfindlichkeit gegenüber der zweiten Bewegung aufweist und

- die Getriebeeinrichtung derart ausgebildet ist, dass die zweite Empfindlichkeit der ersten Empfindlichkeit zumindest entspricht, insbesondere die zweite Empfindlichkeit größer ist als die erste Empfindlichkeit.

7. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass

- durch die Getriebeeinrichtung eine definierte Bewegungsübersetzung zwischen einer dritten Bewegung des ersten optischen Elements in wenigstens einem dritten Freiheitsgrad und einer vierten Bewegung des zweiten optischen Elements in wenigstens einem vierten Freiheitsgrad vorgebbar ist und - die Getriebeeinrichtung und/oder das zweite optische Element derart ausgebildet ist, dass das wenigstens eine Erfassungssignal bedingt durch die zweite Bewegung eine erste Änderung einer ersten Art erfährt und das wenigstens eine Erfassungssignal bedingt durch die vierte Bewegung eine zweite Änderung einer zweiten Art erfährt, wobei - die erste Art von der zweiten Art verschieden ist.

8. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein zweites optisches Element von einem der ersten optischen Elemente gebildet ist.

9. Optische Abbiidungseinrichtung nach einem der Sätze 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass - die wenigstens eine Messlichtquelle und/oder die wenigstens eine Erfassungseinheit eine definierte räumliche Beziehung zu einem der ersten optischen Elemente aufweist,

- insbesondere die wenigstens eine Messlichtquelle und/oder die wenigstens eine Erfassungseinheit im Wesentlichen starr oder über eine Getriebeeinrichtung mit einem ersten optischen Element verbunden ist.

10. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Messlichtquelle und/oder die wenigstens eine Erfassungseinheit eine definierte räumliche Beziehung zu einer Referenz, insbesondere einer Referenzstruktur, aufweist.

11. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 10, dadurch gekennzeichnet, dass

- die wenigstens eine Messlichtquelle und/oder die wenigstens eine Erfassungseinheit mechanisch mit der Referenz verbunden ist und/oder - wenigstens eine Referenzerfassungseinheit vorgesehen ist, welche die räumliche

Beziehung zwischen der wenigstens einen Messlichtquelle und/oder der wenigstens einen Erfassungseinheit und der Referenz erfasst.

12. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 1 bis 11 , dadurch gekennzeichnet, dass - eine Maskeneinrichtung zur Aufnahme einer ein Projektionsmuster umfassenden

Maske und eine Substrateinrichtung zur Aufnahme eines Substrats vorgesehen ist, wobei

- die erste optische Elementgruppe zum Abbilden des Projektionsmusters auf dem Substrat ausgebildet ist und - die Messeinrichtung dazu ausgebildet ist, als den wenigstens einen

Abbildungsfehler einen beim Abbilden des Projektionsmusters auf dem Substrat auftretenden Abbildungsfehler zu bestimmen,

- wenigstens ein zweites optisches Element und/oder die wenigstens eine Messlichtquelle und/oder die wenigstens eine Erfassungseinheit mit der Maskeneinrichtung oder der Substrateinrichtung eine definierte räumliche

Beziehung aufweist. 13. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 12, dadurch gekennzeichnet, dass

- das zweite optische Element und/oder die wenigstens eine Messlichtquelle und/oder die wenigstens eine Erfassungseinheit im Wesentlichen starr mit der Maskeneinrichtung oder der Substrateinrichtung verbunden ist, wobei insbesondere das zweite optische Element und/oder die wenigstens eine

Messiichtquelle und/oder die wenigstens eine Erfassungseinheit unmittelbar an der Maskeneinrichtung oder der Substrateinrichtung befestigt ist, und/oder

- das zweite optische Element und/oder die wenigstens eine Messlichtquelle und/oder die wenigstens eine Erfassungseinheit über eine Getriebeeinrichtung mit der Maskeneinrichtung oder der Substrateinrichtung verbunden ist, wobei durch die Getriebeeinrichtung eine definierte Bewegungsübersetzung zwischen einer ersten Bewegung der Maskeneinrichtung oder der Substrateinrichtung in wenigstens einem ersten Freiheitsgrad und einer zweiten Bewegung des zweiten optischen Elements und/oder der wenigstens einen Messlichtquelle und/oder der wenigstens einen Erfassungseinheit in wenigstens einem zweiten Freiheitsgrad vorgebbar ist.

14. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass - die wenigstens eine Messlichtquelle eine erste Messlichtquelle ist, die wenigstens ein erstes Messlichtbündel, insbesondere mehrere erste Messlichtbündel, aussendet, und die wenigstens eine Erfassungseinheit eine erste Erfassungseinheit ist, die als Erfassungssignal ein erstes Erfassungssignal erzeugt, - die Messeinrichtung wenigstens eine zweite Messlichtquelle, eine dritte optische

Elementgruppe und wenigstens eine zweite Erfassungseinheit umfasst, wobei

- die zweite Messlichtquelie wenigstens ein zweites Messlichtbündel, insbesondere mehrere zweite Messlichtbündel, aussendet,

- die dritte optische Elementgruppe wenigstens ein drittes optisches Element umfasst, das dazu ausgebildet ist, das wenigstens eine zweite Messlichtbündel zur Erzeugung wenigstens eines zweiten Erfassungssignals auf die wenigstens eine zweite Erfassungseinheit zu lenken, - das dritte optische Element und/oder die wenigstens eine zweite Messlichtquelle und/oder die wenigstens eine zweite Erfassungseinheit mit einem der ersten optischen Elemente eine definierte räumliche Beziehung aufweist, und

- die Messeinrichtung zum Bestimmen des wenigstens einen Abbildungsfehlers unter Verwendung des wenigstens einen zweiten Erfassungssignals ausgebildet ist.

15. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 14, dadurch gekennzeichnet, dass

- die dritte optische Elementgruppe eine Mehrzahl dritter optischer Elemente umfasst, die dazu ausgebildet sind, das wenigstens eine zweite Messlichtbündel zur Erzeugung wenigstens eines zweiten Erfassungssignals auf die wenigstens eine zweite Erfassungseinheit zu lenken, wobei

- jedes dritte optische Element mit einem der ersten optischen Elemente eine definierte räumliche Beziehung aufweist.

16. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass

- das dritte optische Element und/oder die wenigstens eine zweite Messlichtquelle und/oder die wenigstens eine zweite Erfassungseinheit im Wesentlichen starr mit einem ersten optischen Element verbunden ist, wobei

- insbesondere das dritte optische Element und/oder die wenigstens eine zweite Messlichtquelle und/oder die wenigstens eine zweite Erfassungseinheit unmittelbar an dem ersten optischen Element befestigt ist.

17. Optische Abbiidungseinrichtung nach einem der Sätze 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass

- das dritte optische Element und/oder die wenigstens eine zweite Messlichtquelle und/oder die wenigstens eine zweite Erfassungseinheit über eine zweite

Getriebeeinrichtung mit dem ersten optischen Element verbunden ist, wobei

- durch die Getriebeeinrichtung eine definierte Bewegungsübersetzung zwischen einer fünften Bewegung des ersten optischen Elements in wenigstens einem fünften Freiheitsgrad und einer sechsten Bewegung des dritten optischen Elements und/oder der wenigstens einen zweiten Messlichtquelle und/oder der wenigstens einen zweiten Erfassungseinheit in wenigstens einem sechsten Freiheitsgrad vorgebbar ist

Optische Abbiidungseinnchtung nach Satz 17, dadurch gekennzeichnet, dass

- der wenigstens eine fünfte Freiheitsgrad von dem wenigstens einen sechsten Freiheitsgrad verschieden ist, wobei

- insbesondere die Art des wenigstens einen fünften Freiheitsgrads von der Art des wenigstens einen sechsten Freiheitsgrads verschieden ist

Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Satze 14 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass das dritte optische Element und/oder die wenigstens eine zweite Messlichtquelle und/oder die wenigstens eine zweite Erfassungseinheit mit einem ersten optischen Element verbunden ist, das mit einem der zweiten optischen Elemente eine definierte räumliche Beziehung aufweist

Optische Abbiidungseinnchtung nach einem der Satze 14 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine zweite Messlichtquelle und/oder die wenigstens eine zweite Erfassungseinhert eine definierte räumliche Beziehung zu einer Referenz, insbesondere einer Referenzstruktur, aufweist

Optische Abbiidungseinnchtung nach Satz 20, dadurch gekennzeichnet, dass

- die wenigstens eine zweite Messlichtquelle und/oder die wenigstens eine zweite Erfassungseinheit mechanisch mit der Referenz verbunden ist und/oder

- wenigstens eine Referenzerfassungseinheit vorgesehen ist, welche die räumliche Beziehung zwischen der wenigstens einen zweiten Messlichtquelle und/oder der wenigstens einen zweiten Erfassungseinheit und der Referenz erfasst

Optische Abbiidungseinnchtung nach einem der Satze 14 bis 21 , dadurch gekennzeichnet, dass

- eine Maskeneinrichtung zur Aufnahme einer ein Projektionsmuster umfassenden Maske und eine Substratemπchtung zur Aufnahme eines Substrats vorgesehen ist, wobei - die erste optische Elementgruppe zum Abbilden des Projektionsmusters auf dem Substrat ausgebildet ist und

- die Messeinrichtung dazu ausgebildet ist, als den wenigstens einen Abbildungsfehler einen beim Abbilden des Projektionsmusters auf dem Substrat auftretenden Abbildungsfehler zu bestimmen,

- wenigstens ein drittes optisches Element und/oder die wenigstens eine zweite Messlichtquelle und/oder die wenigstens eine zweite Erfassungseinheit mit der Maskeneinrichtung oder der Substrateinrichtung eine definierte räumliche Beziehung aufweist.

23. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass

- die Messeinrichtung dazu ausgebildet ist, den wenigstens einen Abbildungsfehler unter Verwendung eines gespeicherten, zuvor ermittelten Modells der Abbildungseinrichtung zu bestimmen, wobei - das Modell der Abbildungseinrichtung den wenigstens einen Abbildungsfehler in

Abhängigkeit von dem wenigstens einen Erfassungssignal wiedergibt.

24. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 1 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Erfassungseinrichtung derart ausgebildet ist, dass - das Erfassungssignal für eine Abweichung der Wellenfront des wenigstens einen

Messlichtbündels von einer Sollposition repräsentativ ist und/oder

- das Erfassungssignal für eine Abweichung der Wellenfront des wenigstens einen Messlichtbündels von einer Sollgeometrie repräsentativ ist.

25. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 1 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass

- wenigstens zwei zweite optische Elemente jeweils eine zumindest teilweise reflektierende optische Fläche aufweisen und

- die beiden zumindest teilweise reflektierenden optischen Flächen einander derart zugeordnet sind, dass eine Mehrfachreflektion des wenigstens einen Messlichtbündels zwischen ihnen erfolgt, insbesondere die beiden zumindest teilweise reflektierenden optischen Flächen nach Art einer Fizeau-Kavität ausgebildet und angeordnet sind.

26. Optische Abbildungseinhchtung nach Satz 25, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden zumindest teilweise reflektierenden optischen Flächen zueinander verkippt angeordnet sind.

27. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 1 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass

- die wenigstens eine Messlichtquelle eine erste Messlichtquelle ist, die wenigstens ein erstes Messlichtbündel, insbesondere mehrere erste Messlichtbündel, aussendet, und die wenigstens eine Erfassungseinheit eine erste Erfassungseinheit ist, die als Erfassungssignal ein erstes Erfassungssignal erzeugt,

- die Messeinrichtung wenigstens eine dritte Messlichtquelle, eine vierte optische Elementgruppe und wenigstens eine dritte Erfassungseinheit umfasst, wobei

- die dritte Messlichtquelle wenigstens ein drittes Messiichtbündel, insbesondere mehrere dritte Messlichtbündel, aussendet,

- die vierte optische Elementgruppe wenigstens ein optisches Referenzelement und ein viertes optisches Element umfasst, die dazu ausgebildet sind, das wenigstens eine dritte Messlichtbündel zur Erzeugung wenigstens eines dritten

Erfassungssignals auf die wenigstens eine dritte Erfassungseinheit zu lenken,

- das vierte optische Element mit einem der ersten optischen Elemente eine definierte räumliche Beziehung aufweist, und

- das optische Referenzelement und das vierte optische Element jeweils eine zumindest teilweise reflektierende optische Fläche aufweisen,

- die beiden zumindest teilweise reflektierenden optischen Flächen einander derart zugeordnet sind, dass eine Mehrfachreflektion des wenigstens einen dritten Messlichtbündels zwischen ihnen erfolgt, insbesondere die beiden zumindest teilweise reflektierenden optischen Flächen nach Art einer Fizeau-Kavität ausgebildet und angeordnet sind, und - die Messeinrichtung zum Bestimmen des wenigstens einen Abbildungsfehlers unter Verwendung des wenigstens einen dritten Erfassungssignals ausgebildet ist.

28. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 27, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine der beiden zumindest teilweise reflektierenden optischen Flächen zu der Strahiachse des wenigstens einen dritten Messlichtbündels verkippt angeordnet ist.

29. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 27 oder 28, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden zumindest teilweise reflektierenden optischen Flächen zueinander verkippt angeordnet sind.

30. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 27 oder 28, dadurch gekennzeichnet, dass

- die dritte Messlichtquelle wenigstens ein weiteres drittes Messlichtbündel aussendet, - die vierte optische Elementgruppe ein weiteres viertes optisches Element umfasst, das dazu ausgebildet ist, zusammen mit dem Referenzelement das weitere dritte Messlichtbündel zur Erzeugung eines weiteren dritten Erfassungssignals auf die wenigstens eine dritte Erfassungseinheit zu lenken,

- das weitere vierte optische Element mit einem der ersten optischen Elemente eine definierte räumliche Beziehung aufweist,

- das weitere vierte optische Element eine zumindest teilweise reflektierende optische Fläche aufweist,

- die zumindest teilweise reflektierenden optischen Flächen des Referenzelements und des weiteren vierten optischen Elements einander derart zugeordnet sind, dass eine Mehrfachreflektion des weiteren dritten Messlichtbündels zwischen ihnen erfolgt, insbesondere die beiden zumindest teilweise reflektierenden optischen Flächen des Referenzelements und des weiteren vierten optischen Elements nach Art einer Fizeau-Kavität ausgebildet und angeordnet sind, und

- die Messeinrichtung zum Bestimmen des wenigstens einen Abbildungsfehlers unter Verwendung des weiteren dritten Erfassungssignals ausgebildet ist. 31. Optische Abbildungseinrichtung, insbesondere für die Mikrolithographie, mit

- einer Abbildungseinheit zum Abbilden eines Objektpunktes auf einem Bildpunkt und

- einer Messeinrichtung, wobei - die Abbüdungseinheit eine erste optische Elementgruppe mit wenigstens einem ersten optischen Element umfasst, die dazu ausgebildet ist, an der Abbildung des Objektpunktes auf dem Bildpunkt teilzunehmen, und

- die Messeinrichtung zum Bestimmen wenigstens eines beim Abbilden des Objektpunktes auf dem Büdpunkt auftretenden Abbildungsfehlers ausgebildet ist, - die Messeinrichtung wenigstens eine Messlichtquelle, eine zweite optische

Elementgruppe und wenigstens eine Erfassungseinheit umfasst,

- die Messlichtquelle wenigstens ein Messlichtbündel, insbesondere mehrere Messlichtbündel, aussendet,

- die zweite optische Eiementgruppe wenigstens ein optisches Referenzelement und ein zweites optisches Element umfasst, die dazu ausgebildet sind, das wenigstens eine Messlichtbündel zur Erzeugung wenigstens eines Erfassungssignals auf die wenigstens eine Erfassungseinheit zu lenken,

- das zweite optische Element eine definierte räumliche Beziehung mit dem ersten optischen Element aufweist, - das optische Referenzelement eine zumindest teilweise reflektierende erste optische Fläche und das zweite optische Element eine zumindest teilweise reflektierende zweite optische Fläche aufweist, und

- die Messeinrichtung zum Bestimmen des wenigstens einen Abbildungsfehlers unter Verwendung des wenigstens einen Erfassungssignals ausgebildet ist. dadurch gekennzeichnet, dass

- die erste optische Fläche und die zweite optische Fläche einander derart zugeordnet sind, dass eine Mehrfachreflektion des wenigstens einen Messlichtbündels zwischen ihnen erfolgt.

32. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 31 , dadurch gekennzeichnet, dass die erste optische Fläche und die zweite optische Fläche nach Art einer Fizeau-Kavität ausgebildet und angeordnet sind. 33. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 31 oder 32, dadurch gekennzeichnet, dass

- die erste optische Fläche einen ebenen ersten Flächenbereich und die die zweite optische Fläche einen ebenen zweiten Flächenbereich aufweist, zwischen denen zumindest ein Teil der Mehrfachreflektionen erfolgt, wobei

- eine erste Flächennormale des ersten Flächenbereichs und/oder eine zweite Flächennormale des zweiten Flächenbereichs zu einer Strahlachse des wenigstens einen Messlichtbündels geneigt angeordnet ist.

34. Optische Abbiidungseinrichtung nach Satz 33, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Flächennormale zu der zweiten Flächennormalen geneigt angeordnet ist.

35. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 33 oder 34, dadurch gekennzeichnet, dass

- die erste optische Fläche oder die zweite optische Fläche einen ebenen dritten Flächenbereich aufweist, wobei - eine dritte Fiächennormale des dritten Flächenbereichs zu der ersten

Flächennormale und der zweiten Flächennormalen derart geneigt angeordnet ist, dass der Strahlengang des wenigstens einen Messiichtbündels nach einer vorgegebenen Anzahl von Reflektionen zwischen dem ersten Flächenbereich und dem zweiten Flächenbereich zurück gefaltet wird, insbesondere im Wesentlichen auf sich selbst zurück gefaltet wird.

36. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 31 bis 35, dadurch gekennzeichnet, dass

- das Referenzelement einen für das wenigstens eine Messlichtbündel zumindest teildurchlässigen Eintrittsbereich aufweist, in dem das wenigstens eine Messlichtbündel in den Zwischenraum zwischen der ersten optischen Fläche und der zweiten optischen Fläche eintritt, wobei

- insbesondere der Eintrittsbereich eine optische Eintrittsfläche aufweist, an der durch Teilreflektion beim Eintritt des wenigstens einen Messlichtbündels in den Zwischenraum zwischen der ersten optischen Fläche und der zweiten optischen Fläche ein Referenzlichtbündel reflektiert wird. 37. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 31 bis 35, dadurch gekennzeichnet, dass

- das zweite optische Element einen das wenigstens eine Messlichtbündel zumindest teilweise reflektierenden Eintrittsbereich aufweist, in dem das wenigstens eine Messlichtbündel erstmals auf die erste optische Fläche auftrifft, wobei

- der Eintrittsbereich ein diffraktives Element, insbesondere ein Littrow-Gitter, aufweist, an dem durch Diffraktion des wenigstens einen Messlichtbündels ein Referenziichtbündel generiert wird.

38. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 31 bis 37, dadurch gekennzeichnet, dass die erste optische Fläche und die zweite optische Fläche einander derart zugeordnet sind, dass wenigstens fünf Reflektionen, insbesondere wenigstens 21 Reflektionen, des wenigstens einen Messlichtbündels zwischen ihnen erfolgen.

39. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 31 oder 32, dadurch gekennzeichnet, dass

- die erste optische Fläche einen ebenen ersten Flächenbereich und die die zweite optische Fläche einen ebenen zweiten Flächenbereich aufweist, zwischen denen zumindest ein Teil der Mehrfachreflektionen erfolgt, wobei - eine erste Flächennormale des ersten Flächenbereichs und eine zweite

Flächennormale des zweiten Flächenbereichs zu einer Strahlachse des wenigstens einen Messlichtbündels im Wesentlichen parallel angeordnet ist.

- das Referenzelement einen für das wenigstens eine Messlichtbündel zumindest teildurchlässigen Eintrittsbereich aufweist, in dem das wenigstens eine Messlichtbündel in den Zwischenraum zwischen der ersten optischen Fläche und der zweiten optischen Fläche eintritt, wobei

- insbesondere der Eintrittsbereich eine optische Eintrittsfläche aufweist, an der durch Teilreflektion beim Eintritt des wenigstens einen Messlichtbündels in den Zwischenraum zwischen der ersten optischen Fläche und der zweiten optischen Fläche ein Referenziichtbündel reflektiert wird, und

- insbesondere das wenigstens eine Messlichtbündel kurzkohärentes Weißlicht umfasst. 40. Optische Abbϊldungseinrichtung nach einem der Sätze 31 bis 39, dadurch gekennzeichnet, dass

- die zweite optische Elementgruppe ein weiteres zweites optisches Element umfasst, wobei - das Referenzelement und das weitere zweite optische Element dazu ausgebildet sind, wenigstens ein weiteres Messlichtbündel zur Erzeugung wenigstens eines weiteren Erfassungssignals auf die wenigstens eine Erfassungseinheit zu lenken,

- das weitere zweite optische Element eine definierte räumliche Beziehung mit einem weiteren ersten optischen Element aufweist, - das weitere zweite optische Element eine zumindest teilweise reflektierende dritte optische Fläche aufweist,

- die Messeinrichtung zum Bestimmen des wenigstens einen Abbildungsfehlers unter Verwendung des wenigstens einen weiteren Erfassungssignals ausgebildet ist und - die erste optische Fläche und die dritte optische Fläche einander derart zugeordnet sind, dass eine Mehrfachreflektion des wenigstens einen weiteren Messlichtbündels zwischen ihnen erfolgt.

41. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 31 bis 40, dadurch gekennzeichnet, dass das Referenzelement eine Komponente einer Referenzeinheit ist, die dazu ausgebildet ist, dem Referenzelement eine definierte Bewegung aufzuprägen.

42. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 1 bis 41 , dadurch gekennzeichnet, dass für wenigstens ein Element der zweiten optischen Elementgruppe eine thermische Abschirmeinrichtung vorgesehen ist.

43. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 1 bis 42, dadurch gekennzeichnet, dass .

- zum Abbilden des Objektpunktes auf dem Bildpunkt Licht einer ersten Wellenlänge, insbesondere im EUV-Bereich, vorgesehen ist und

- das wenigstens eine Messlichtbündel Licht einer zweiten Wellenlänge umfasst, wobei - die erste Wellenlänge von der zweiten Wellenlänge verschieden ist.

44. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 1 bis 43, dadurch gekennzeichnet, dass

- eine Maskeneinrichtung zur Aufnahme einer ein Projektionsmuster umfassenden Maske und eine Substrateinrichtung zur Aufnahme eines Substrats vorgesehen ist,

- die erste optische Elementgruppe zum Abbilden des Projektionsmusters auf dem Substrat ausgebildet ist,

- die Messeinrichtung dazu ausgebildet ist, als den wenigstens einen Abbildungsfehler einen beim Abbilden des Projektionsmusters auf dem Substrat auftretenden Abbildungsfehler zu bestimmen, und

- eine Korrektureinrichtung zum Korrigieren des wenigstens einen Abbildungsfehlers vorgesehen ist, wobei

- die Korrektureinrichtung wenigstens eine mit der Messeinrichtung verbundene Steuereinrichtung und eine mit der Steuereinrichtung verbundene

Aktuatoreinrichtung umfasst,

- die Aktuatoreinrichtung zum aktiven Beeinflussen der Position und/oder Orientierung und/oder Geometrie wenigstens eines der ersten optischen Elemente und/oder der Maskeneinrichtung und/oder der Substrateinrichtung ausgebildet ist und

- die Steuereinrichtung zum Ansteuern der Aktuatoreinrichtung in Abhängigkeit von dem durch die Messeinrichtung bestimmten wenigstens einen Abbildungsfehler ausgebildet ist.

45. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 1 bis 44, dadurch gekennzeichnet, dass

- eine Maskeneinrichtung zur Aufnahme einer ein Projektionsmuster umfassenden Maske und eine Substrateinrichtung zur Aufnahme eines Substrats vorgesehen ist,

- die erste optische Elementgruppe zum Abbilden des Projektionsmusters auf dem Substrat ausgebildet ist, - die Messeinrichtung dazu ausgebildet ist, als den wenigstens einen Abbildungsfehler einen beim Abbilden des Projektionsmusters auf dem Substrat auftretenden Abbildungsfehler zu bestimmen, wobei

- die Messeinrichtung dazu ausgebildet ist, zumindest in einem Freiheitsgrad ihre räumliche Beziehung zu einer Referenz an der Maskeneinrichtung und/oder der

Substrateinrichtung, insbesondere zum einem an der Maskeneinrichtung und/oder der Substrateinrichtung angeordneten Referenzkörper, zu erfassen.

46. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 1 bis 45, dadurch gekennzeichnet, dass - die Messlichtquelle in einer vorgebbaren zeitlichen Beziehung, insbesondere gleichzeitig, mehrere Messlichtbündel aussendet,

- die zweite optische Elementgruppe eine Mehrzahl zweiter optischer Elemente umfasst, die dazu ausgebildet sind, die Messlichtbündel zur Erzeugung mehrerer Erfassungssignale auf die wenigstens eine Erfassungseinheit zu lenken, - die Messeinrichtung zum Bestimmen des wenigstens einen Abbildungsfehlers unter Verwendung der Erfassungssignale der wenigstens einen Erfassungseinheit ausgebildet ist.

47. Abbildungsverfahren , insbesondere für die Mikrolithographie, bei dem

- mit einer Abbildungseinheit ein Objektpunkt auf einem Bildpunkt abgebildet wird, wobei

- die Abbildungseinheit eine erste optische Elementgruppe mit einer Mehrzahl erster optischer Elemente umfasst, die an der Abbildung des Objektpunktes auf dem Bildpunkt teilnehmen, und

- eine Messeinrichtung wenigstens einen beim Abbilden des Objektpunktes auf dem Biidpunkt auftretenden Abbildungsfehlers bestimmt, dadurch gekennzeichnet, dass

- die Messeinrichtung wenigstens eine Messlichtquelle, eine zweite optische Elementgruppe und wenigstens eine Erfassungseinheit umfasst, wobei

- die Messlichtquelle wenigstens ein Messlichtbündel, insbesondere mehrere Messlichtbündel, aussendet, - zur Erzeugung wenigstens eines Erfassungssignals das wenigstens eine Messlichtbündel über eine Mehrzahl zweiter optischer Elemente der zweiten optische Elementgruppe auf die wenigstens eine Erfassungseinheit gelenkt wird,

- jedes zweite optische Element mit einem der ersten optischen Elemente in einer definierten räumlichen Beziehung steht und wenigstens ein zweites optisches

Element von den ersten optischen Elementen verschieden ist.

- die Messeinrichtung den wenigstens einen Abbildungsfehler unter Verwendung des wenigstens einen Erfassungssignals bestimmt.

48. Abbildungsverfahren nach Satz 47, dadurch gekennzeichnet, dass - eine definierte Bewegungsübersetzung zwischen einer ersten Bewegung des ersten optischen Elements in wenigstens einem ersten Freiheitsgrad und einer zweiten Bewegung des zweiten optischen Elements in wenigstens einem zweiten Freiheitsgrad vorgegeben wird, wobei .

- insbesondere der wenigstens eine erste Freiheitsgrad von dem wenigstens einen zweiten Freiheitsgrad verschieden ist,

- insbesondere die Art des wenigstens einen ersten Freiheitsgrads von der Art des wenigstens einen zweiten Freiheitsgrads verschieden ist.

49. Abbildungsverfahren nach Satz 48, dadurch gekennzeichnet, dass

- der wenigstens eine Abbildungsfehler eine erste Empfindlichkeit gegenüber der ersten Bewegung aufweist,

- das wenigstens eine Erfassungssignal eine zweite Empfindlichkeit gegenüber der zweiten Bewegung aufweist und

- die definierte Bewegungsübersetzung derart vorgegeben wird, dass die zweite Empfindlichkeit der ersten Empfindlichkeit zumindest entspricht, insbesondere die zweite Empfindlichkeit größer ist als die erste Empfindlichkeit.

50. Abbildungsverfahren nach Satz 48 oder 49, dadurch gekennzeichnet, dass

- eine definierte Bewegungsübersetzung zwischen einer dritten Bewegung des ersten optischen Elements in wenigstens einem dritten Freiheitsgrad und einer vierten Bewegung des zweiten optischen Elements in wenigstens einem vierten Freiheitsgrad vorgegeben wird und - das wenigstens eine Erfassungssignal bedingt durch die zweite Bewegung eine erste Änderung einer ersten Art erfährt und das wenigstens eine Erfassungssignal bedingt durch die vierte Bewegung eine zweite Änderung einer zweiten Art erfährt, wobei

- die erste Art von der zweiten Art verschieden ist.

51. Abbildungsverfahren nach einem der Sätze 47 bis 50, dadurch gekennzeichnet, dass

- die wenigstens eine Messlichtquelle eine erste Messlichtquelle ist, die wenigstens ein erstes Messlichtbündel, insbesondere mehrere erste Messlichtbündel, aussendet, und die wenigstens eine Erfassungseinheit eine erste

Erfassungseinheit ist, die als Erfassungssignal ein erstes Erfassungssignal erzeugt, und

- die Messeinrichtung wenigstens eine zweite Messlichtquelle, eine dritte optische Elementgruppe und wenigstens eine zweite Erfassungseinheit umfasst, wobei - die zweite Messlichtquelle wenigstens ein zweites Messiichtbündel, insbesondere mehrere erste Messlichtbündel, aussendet,

- zur Erzeugung wenigstens eines zweiten Erfassungssignals wenigstens ein drittes optisches Element der dritten optischen Elementgruppe das wenigstens eine zweite Messlichtbündel auf die wenigstens eine zweite Erfassungseinheit lenkt,

- das dritte optische Element und/oder die wenigstens eine zweite Messlichtquelle und/oder die wenigstens eine zweite Erfassungseinheit mit einem der ersten optischen Elemente eine definierte räumliche Beziehung aufweist, und

- die Messeinrichtung den wenigstens einen Abbiidungsfehiers unter Verwendung des wenigstens einen zweiten Erfassungssignals bestimmt.

52. Abbildungsverfahren nach Satz 51 , dadurch gekennzeichnet, dass eine räumliche Beziehung zwischen der wenigstens einen zweiten Messlichtquelle und/oder der wenigstens einen zweiten Erfassungseinheit und einer Referenz erfasst wird.

53. Abbildungsverfahren nach einem der Sätze 47 bis 52, dadurch gekennzeichnet, dass - der wenigstens einen Abbildungsfehler unter Verwendung eines gespeicherten, zuvor ermittelten Modells der Abbildungseinrichtung bestimmt wird, wobei

- das Modell der Abbildungseinrichtung den wenigstens einen Abbildungsfehler in Abhängigkeit von dem wenigstens einen Erfassungssignal wiedergibt.

54. Abbildungsverfahren nach einem der Sätze 47 bis 53, dadurch gekennzeichnet, dass

- wenigstens zwei zweite optische Elemente jeweils eine zumindest teilweise reflektierende optische Fläche aufweisen und

- die beiden zumindest teilweise reflektierenden optischen Flächen einander derart zugeordnet sind, dass eine Mehrfachreflektion des wenigstens einen

Messlichtbündels zwischen ihnen erfolgt, insbesondere die beiden zumindest teilweise reflektierenden optischen Flächen nach Art einer Fizeau-Kavität ausgebildet und angeordnet sind.

55. Abbildungsverfahren, insbesondere für die Mikrolithographie, mit - mit einer Abbildungseinheit ein Objektpunkt auf einem Bildpunkt abgebildet wird, wobei

- eine erste optische Elementgruppe der Abbildungseinheit mit wenigstens einem ersten optischen Element an der Abbildung des Objektpunktes auf dem Biidpunkt teilnimmt, und - eine Messeinrichtung wenigstens einen beim Abbilden des Objektpunktes auf dem Bildpunkt auftretenden Abbildungsfehlers bestimmt,

- die Messeinrichtung wenigstens eine Messlichtquelle, eine zweite optische Elementgruppe und wenigstens eine Erfassungseinheit umfasst,

- die Messlichtquelle wenigstens ein Messlichtbündel, insbesondere mehrere Messlichtbündel, aussendet,

- zur Erzeugung wenigstens eines Erfassungssignals wenigstens ein optisches Referenzelement und ein zweites optisches Element der zweiten optischen Elementgruppe das wenigstens eine Messlichtbündel auf die wenigstens eine Erfassungseinheit lenken, - das zweite optische Element eine definierte räumliche Beziehung mit dem ersten optischen Element aufweist, - das optische Referenzelement eine zumindest teilweise reflektierende erste optische Fläche und das zweite optische Element eine zumindest teilweise reflektierende zweite optische Fläche aufweist, und

- die Messeinrichtung den wenigstens einen Abbildungsfehler unter Verwendung des wenigstens einen Erfassungssignals bestimmt, dadurch gekennzeichnet, dass

- erste optische Fläche und die zweite optische Fläche einander derart zugeordnet werden, dass eine Mehrfachreflektion des wenigstens einen Messlichtbündels zwischen ihnen erfolgt.

56. Abbildungsverfahren nach Satz 55, dadurch gekennzeichnet, dass die erste optische Fläche und die zweite optische Fläche nach Art einer Fizeau-Kavität ausgebildet und angeordnet werden.

57. Abbildungsverfahren nach Satz 55 oder 56, dadurch gekennzeichnet, dass die erste optische Fläche und die zweite optische Fläche einander derart zugeordnet werden, dass wenigstens fünf Reflektionen, insbesondere wenigstens 21 Reflektionen, des wenigstens einen Messlichtbündels zwischen ihnen erfolgen.

58. Abbildungsverfahren nach einem der Sätze 55 bis 57, dadurch gekennzeichnet, dass dem Referenzelement eine definierte Bewegung aufgeprägt wird.

59. Abbildungsverfahren nach einem der Sätze 47 bis 58, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Element der zweiten optischen Elementgruppe thermisch abgeschirmt wird.

60. Abbildungsverfahren einem der Sätze 47 bis 59, dadurch gekennzeichnet, dass

- zum Abbilden des Objektpunktes auf dem Bildpunkt Licht einer ersten Wellenlänge, insbesondere im EUV-Bereich, vorgesehen ist und - das wenigstens eine Messlichtbündel Licht einer zweiten Wellenlänge umfasst, wobei

- die erste Wellenlänge von der zweiten Wellenlänge verschieden ist. 61. Abbildungsverfahren nach einem der Sätze 47 bis 60, dadurch gekennzeichnet, dass

- eine Maskeneinrichtung zur Aufnahme einer ein Projektionsmuster umfassenden Maske und eine Substrateinrichtung zur Aufnahme eines Substrats vorgesehen ist,

- über die erste optische Elementgruppe das Projektionsmuster auf dem Substrat abgebildet wird,

- als der wenigstens einen Abbildungsfehler ein beim Abbilden des Projektionsmusters auf dem Substrat auftretender Abbildungsfehler bestimmt wird, und

- der wenigstens eine Abbildungsfehler korrigiert wird, wobei

- in Abhängigkeit von dem bestimmten wenigstens einen Abbildungsfehler die Position und/oder Orientierung und/oder Geometrie wenigstens eines der ersten optischen Elemente und/oder der Maskeneinrichtung und/oder der Substrateinrichtung aktiv beeinflusst wird.

62. Abbildungsverfahren nach einem der Sätze 47 bis 61 , dadurch gekennzeichnet, dass

- die erste optische Elementgruppe ein Projektionsmuster einer Maske einer Maskeneinrichtung auf einem Substrat einer Substrateinrichtung abbildet, - die Messeinrichtung als den wenigstens einen Abbildungsfehler einen beim

Abbilden des Projektionsmusters auf dem Substrat auftretenden Abbildungsfehler bestimmt, wobei

- die Messeinrichtung zumindest in einem Freiheitsgrad ihre räumliche Beziehung zu einer Referenz an der Maskeneinrichtung und/oder der Substrateinrichtung, insbesondere zum einem an der Maskeneinrichtung und/oder der

Substrateinrichtung angeordneten Referenzkörper, erfasst.

63. Abbildungsverfahren nach einem der Sätze 47 bis 62, dadurch gekennzeichnet, dass

- die Messlichtquelle in einer vorgebbaren zeitlichen Beziehung, insbesondere gleichzeitig, mehrere Messlichtbündel aussendet, - die zweite optische Eiementgruppe eine Mehrzahl zweiter optischer Elemente umfasst, welche die Messlichtbundel zur Erzeugung mehrerer Erfassungssignale auf die wenigstens eine Erfassungseinheit lenken,

- die Messemnchtung zum Bestimmen des wenigstens einen Abbildungsfehlers die Erfassungssignale der wenigstens einen Erfassungseinheit verwendet

Optische Abbildungseinπchtung, insbesondere für die Mikrohthographie, mit

- einer Abbildungseinheit zum Abbilden eines Objektpunktes auf einem Bildpunkt und

- einer Messeinrichtung, wobei - die Messemnchtung zum Bestimmen wenigstens eines beim Abbilden des

Objektpunktes auf dem Bildpunkt auftretenden Abbildungsfehlers ausgebildet ist,

- die Messeinrichtung wenigstens eine Messlichtquelle, eine optische Elementgruppe mit wenigstens einem optischen Element und wenigstens eine Erfassungseinheit umfasst, - die Messlichtquelle wenigstens ein Messlichtbundel, insbesondere mehrere

Messlichtbundel, aussendet,

- die optische Elementgruppe dazu ausgebildet ist, das wenigstens eine Messlichtbundel zur Erzeugung wenigstens eines Erfassungssignals auf die wenigstens eine Erfassungseinheit zu lenken, dadurch gekennzeichnet, dass

- eine thermische Abschirmung für das wenigstens eine optische Element vorgesehen ist

Optische Abbildungseinnchtung nach Satz 64, dadurch gekennzeichnet, dass

- die thermische Abschirmung derart ausgebildet ist, dass sie den Strahlverlauf des wenigstens einen Messlichtbundels nicht behindert, wobei

- die thermische Abschirmung insbesondere derart ausgebildet ist, dass sie nur den für den Durchtritt des wenigstens einen Messlichtbundels durch die thermische Abschirmung erforderlichen Querschnitt frei lasst 66. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 64, dadurch gekennzeichnet, dass eine aktive und/oder eine passive Temperiereinrichtung für die Abschirmung vorgesehen ist.

67. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 64, dadurch gekennzeichnet, dass eine aktive und/oder eine passive Temperiereinrichtung für die Abschirmung vorgesehen ist.

68. Optische Abbildungseinrichtung nach einem der Sätze 1 bis 46 oder 63 bis 67, dadurch gekennzeichnet, dass sie nach dem Scanner-Prinzip arbeitet.

69. Optische Abbildungseinrichtung, insbesondere nach einem der Sätze 1 bis 46 oder 63 bis 68, mit

- einer Abbildungseinheit zum Abbilden eines Objektpunktes auf einem Bildpunkt und

- einer Messeinrichtung, wobei

- die Abbildungseinheit eine optische Elementgruppe mit wenigstens einem optischen Element aufweist und

- die Messeinrichtung zum Bestimmen von Zustandsänderungen des wenigstens einen optischen Elements ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass

- die Messeinrichtung dazu ausgebildet ist, die Zustandsänderungen des wenigstens einen optischen Elements während eines Transports der optischen

Abbildungseinrichtung zu bestimmen und in einem Protokoll zu protokollieren.

70. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 69, dadurch gekennzeichnet, dass die Messeinrichtung zum Bestimmen von Änderungen der Position und/oder der Orientierung und/oder der Geometrie des wenigstens einen optischen Elements bezüglich wenigstens einer Referenz ausgebildet ist.

71. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 69 oder 70, dadurch gekennzeichnet, dass - eine mit der Messeinrichtung verbindbare Korrektureinrichtung vorgesehen ist, wobei

- die Korrektureinrichtung dazu ausgebildet ist, die Position und/oder die Orientierung und/oder die Geometrie des wenigstens einen optischen Elements bezüglich der wenigstens einen Referenz in Abhängigkeit von dem Protokoll der

Messeinrichtung zu verändern.

72. Optische Abbildungseinrichtung, insbesondere nach einem der Sätze 1 bis 46 oder 63 bis 71 , mit

- einer Abbildungseinheit zum Abbilden eines Objektpunktes auf einem Bildpunkt, wobei

- die Abbildungseinheit eine optische Elementgruppe mit wenigstens einem optischen Element aufweist,

- die Abbildungseinheit zum Abbilden des Objektpunktes auf dem Bildpunkt unter Verwendung von Licht einer Wellenlänge im EUV Bereich, insbesondere im Bereich von 5 nm bis 20 nm, ausgebildet ist und

- die Abbildungseinheit eine Stützstruktur mit wenigstens einem strukturellen Element umfasst, über welches das wenigstens eine optische Element abgestützt ist, dadurch gekennzeichnet, dass - das wenigstens eine strukturelle Element ein Material oder eine

Materialkombination mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten oberhalb von 0,6-1 CT ⁶ K ^~ \ insbesondere oberhalb von 1 ,2- 1(T ⁶ K ^"1 , umfasst.

73. Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 72, dadurch gekennzeichnet, dass

- eine Messeinrichtung und eine mit der Messeinrichtung verbindbare Korrektureinrichtung vorgesehen ist, wobei

- die Messeinrichtung der Ausgabe wenigstens eines für die Position und/oder die Orientierung und/oder die Geometrie des wenigstens einen optischen Elements bezüglich wenigstens einer Referenz repräsentativen Signals ausgebildet ist, und

- die Korrektureinrichtung dazu ausgebildet ist, in Abhängigkeit von dem wenigstens ein Signal die Position und/oder die Orientierung und/oder die Geometrie des wenigstens einen optischen Elements bezüglich der wenigstens einen Referenz zu verändern.

Optische Abbildungseinrichtung nach Satz 72 oder 73, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine strukturelle Element zumindest teilweise aus Invar besteht.

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