Beschreibung

OPTOELEKTRONISCHE BAUGRUPPE UNO VERFAHREN ZUM ERKENNEN EINES ELEKTRISCHEN KURZSCHLUSSES

Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Baugruppe mit zumindest einem ersten Leuchtdiodenelement und einem zweiten Leuchtdiodenelement und ein Verfahren zum Erkennen einer elektrischen Eigenschaft eines ersten Leuchtdiodenelernents oder eines zweiten Leuchtdiodenelements.

Optoelektronische Bauelemente, die Licht emittieren, können beispielsweise Leuchtdioden (LEDs) oder organische

Leuchtdioden (OLEDs) sein. Eine OLED kann eine Anode und eine Kathode mit einem organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen aufweisen. Das organische funktionelle

Schichtensystem kann aufweisen eine oder mehrere

Emitterschichten, in denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr

Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten („Charge generating layer", CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie eine oder mehrere Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" -HTL) , und eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) („electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten.

Optoelektronische Baugruppen weisen beispielsweise zwei oder mehr optoelektronische Bauelemente, beispielsweise LEDs und/oder OLEDs, und Ansteuerschaltkreise, beispielsweise Treiber, zum Betreiben der optoelektronischen Bauelemente auf . Die optoelektronischen Bauelemente können beispielsweise elektrisch parallel geschaltet sein. Ein optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED, kann segmentiert sein und daher mehrere OLED-Elemente aufweisen. Die OLED-Elemente können beispielsweise elektrisch parallel geschaltet sein und/oder sich zumindest eine gemeinsame Elektrode teilen. Beispielsweise weisen zwei OLED-Elemente dieselbe Kathode auf, haben jedoch voneinander getrennte organische

funktionelle Schichtenstrukturen und entsprechend voneinander getrennte Anoden. Dies kann dazu beitragen, dass bei einem Kurzschluss eines der OLED-Elemente die anderen OLED-Elemente grundsätzlich weiter betrieben werden können.

Trotz aufwändiger Qualitätskontrollen von OLEDs kann nicht vollständig ausgeschlossen werden, dass die OLEDs in der Anwendung spontan ausfallen. Ein typisches Fehlerbild für Spontanausfälle sind Kurzschlüsse zwischen den Elektroden. Solche Kurzschlüsse sind in der Regel sehr kleinflächig, es konzentriert sich dadurch ein Großteil des GesamtStromes in diesem Kurzschlusspunkt. Die Stromdichte ist folglich deutlich überhöht, womit sich diese Stellen je nach flächiger Ausbildung sehr stark erhitzen können. Dies kann zum

Aufschmelzen der Elektroden, zu dunklen Flecken im

Leuchtbild, zu komplett dunklen OLEDs und/oder einfach zu sehr heiß werdenden Stellen auf der OLED führen. Um

potenzielle Gefahren durch diese Überhitzung

(Verbrennungsgefahr, Brand, Bersten) zu verhindern, sollte ein solcher Kurzschluss von der Ansteuer- bzw.

Treiberelektronik oder einer übergeordneten Auswerteeinheit und/oder Recheneinheit erkannt werden und eine entsprechende Reaktion, beispielsweise eine Schutzmaßnahme, erfolgen

(Abschalten des kurzgeschlossenen Bauelements, Erzeugen von Warnsignalen, Bypassing, also Umgehen des Kurzschlusses, etc.). Gerade im Automobilbereich wird von den Herstellern gefordert, dass z.B. defekte OLEDs oder LEDs in Rückleuchten elektronisch erkannt und zumindest ans Bordsystem gemeldet werden müssen.

Zum Erkennen eines Kurzschlusses im Betrieb einer OLED, der in einzelnen Komponenten der OLED auftreten kann, sind herkömmliche Sicherungen bekannt, deren Funktionsprinzip unter anderem auf den über den Kurzschluss fließenden Strom und der damit verbundenen Spannungsänderung basieren. Im Betrieb der OLED ist es weiter möglich, dass ein lokaler Defekt auftritt, der lokal die Leitfähigkeit zwischen Anode und Kathode der OLED erhöht, ohne dabei einen vollständigen Kurzschluss zu erzeugen. In anderen Worten ausgedrückt wird dabei ein so genannter bedingter Kurzschluss erzeugt, bei dem eine über den Kurzschluss abfallende Spannung nicht auf ein komplett vernachlässigbares Maß gesenkt wird. Eine mit der OLED verschaltete herkömmliche Sicherung bietet hiervor keinen Schutz, da sich bei dem bedingten Kurzschluss die über die OLED abfallende Spannung nicht verringert beziehungsweise sich der durch die OLED fließende Gesamtstrom nicht

zwangsläufig erhöht. Der Gesamtwiderstand der OLED ändert sich somit nicht. Es kommt bei gleichbleibender externer Spannung und gleichbleibendem externen Strom zu einer

Lokalisierung und/oder Konzentrierung des Stroms im lokalen Defekt. Eine herkömmliche Sicherung führt bei einem bedingten Kurzschluss einer OLED demnach nicht zwangsläufig zu einer Unterbrechung des Betriebs der OLED. Im Falle eines bedingten Kurzschlusses fließt der Großteil des Stroms nachteilig durch den lokalen Defekt, wodurch sich die lokale Stromdichte erhöht. Dies kann nachteilig zu einer lokalen Überhitzung an der betreffenden Stelle des lokalen Defekts führen. Eine Verletzungsgefahr, wie beispielsweise eine Verbrennungsgefahr bei direktem Kontakt mit der OLED, sowie eine Brandgefahr, die auf der lokalen Überhitzung der OLED basieren, können hierbei, auch bei Verwendung einer wie oben beschriebenen herkömmlichen Sicherung, auftreten. Die Aufgabe der Erfindung ist es somit, eine

optoelektronische Baugruppe anzugeben, die sicher und/oder qualitativ hochwertig betrieben werden kann und insbesondere ein Erkennen zumindest einer elektrischen Eigenschaft, insbesondere eines Kurzschlusses, zumindest einer Komponente, insbesondere eines Leuchtdiodenelements, der Baugruppe optoelektronischen ermöglicht. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Erkennen einer elektrischen Eigenschaft, beispielsweise eines Kurzschlusses, in einem Leuchtdiodenelement bereitzustellen, das einfach und/oder kostengünstig durchführbar ist und/oder das zu einem sicheren und qualitativ hochwertigen Betreiben des Leuchtdiodenelements und/oder einer optoelektronischen Baugruppe, die das Leuchtdiodenelement aufweist, beiträgt.

Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch eine optoelektronische Baugruppe, die zumindest ein erstes Leuchtdiodenelement, ein zweites Leuchtdiodenelement und einen elektronischen Schaltkreis aufweist. Das erste Leuchtdiodenelement und das zweite Leuchtdiodenelement sind elektrisch parallel geschaltet. Der elektronische Schaltkreis ist dazu ausgebildet, einen im Betrieb fließenden

elektrischen Strom durch das erste Leuchtdiodenelement mit einem im Betrieb fließenden elektrischen Strom durch das zweite Leuchtdiodenelement zu vergleichen. Der elektronische Schaltkreis ist dazu ausgebildet, abhängig von dem Vergleich mindestens eine elektrische Eigenschaft des ersten

Leuchtdiodenelements oder des zweiten Leuchtdiodenelements zu erkennen .

Der elektronische Schaltkreis ermöglicht demnach durch den Vergleich der im Betrieb fließenden Ströme das Erkennen zumindest einer elektrischen Eigenschaft eines der

Leuchtdiodenelemente . Das dadurch erhaltene Wissen über die elektrische Eigenschaft kann vorteilhafterweise zur

Vermeidung von Gefahren wie beispielsweise einer

Verletzungsgefahr und/oder einer Brandgefahr Verwendung finden. Die Sicherheit im Betrieb der optoelektronischen Baugruppe erhöht sich so mit Vorteil.

Der elektronische Schaltkreis weist vorzugsweise zum

Vergleichen der Ströme der Leuchtdiodenelemente eine

Vergleichseinheit auf, die den Vergleich durchführt. Zum Erkennen der mindestens einen elektrischen Eigenschaft findet bevorzugt eine Auswerteeinheit Verwendung, die beispielsweise einem ermittelten verglichenen Wert der Ströme eine

elektrische Eigenschaft zuordnet. Dabei ist nicht

zwangsläufig notwendig, dass die Vergleichseinheit und die Auswerteeinheit verschiedene Komponenten des Schaltkreises bilden. Vielmehr ist es möglich, dass eine einzige Komponente des Schaltkreises die Funktion der Vergleichseinheit und der Auswerteeinheit übernimmt.

In der optoelektronischen Baugruppe ist vorliegend also der elektronische Schaltkreis integriert, mit dem ein

Erkennungsverfahren von zumindest einer elektrischen

Eigenschaft der Leuchtdiodenelemente der Baugruppe

bereitgestellt wird. Das Erkennungsverfahren basiert dabei auf dem Vergleich der Ströme, die im Betrieb durch die

Leuchtdiodenelemente fließen.

Das erste und das zweite Leuchtdiodenelement können jeweils beispielsweise eine einzeln betriebene LED oder OLED, eine einzelne LED oder OLED, die mit anderen LEDs und/oder OLEDs zusammen betrieben wird, beispielsweise mittels elektrischen Koppeins deren Kathoden oder Anoden, oder ein Segment einer Mehrsegment-OLED mit der jeweils anderen oder mehreren

Leuchtdiodenelementen, die eine gemeinsamen Kathode oder Anode aufweisen, sein. Beispielsweise kann das erste und das zweite Leuchtdiodenelement neben anderen einzelnen LEDs,

OLEDs oder OLED-Segmenten separat jeweils angesteuert werden, beispielsweise zur Realisierung von dynamischen

Lichteffekten, beispielsweise im Automobilbereich,

beispielsweise zum Darstellen von Blinkerszenarien und/oder Welcome-Szenarien.

Gemäß einer Weiterbildung ist die mindestens eine elektrische Eigenschaft ein Kurzschluss des entsprechenden

Leuchtdiodenelements. Der Kurzschluss wird vorliegend durch den Stromvergleich der Leuchtdicdenelemente erkannt. Durch das Erkennen des Kurzschlusses eines der Leuchtdiodenelemente mittels des elektronischen Schaltkreises kann

vorteilhafterweise eine Verletzungsgefahr und/oder eine Brandgefahr, die durch eine lokale Überhitzung im Falle von einem bedingten Kurzschluss auftreten können, ausgeschlossen werden . Im Falle von in einem gemeinsamen Prozess abgeschiedenen Leuchtdiodenelementen kann von Leuchtdiodenelementen

ausgegangen werden, die nahezu identische Strom-Spannungs- Charakteristika haben. In anderen Worten ausgedrückt fließen durch das erste Leuchtdiodenelement und das zweite

Leuchtdiodenelement im Normalbetrieb etwa gleich große

Ströme. Tritt nun ein bedingter Kurzschluss in einem der Leuchtdiodenelemente auf, fließt der Großteil des

eingeprägten Stroms durch diesen lokalen Defekt, wodurch sich der Stromfluss durch das entsprechende Leuchtdiodenelement erhöht. Der Stromfluss durch das andere Leuchtdiodenelement, das keinen Kurzschluss aufweist, verringert sich

entsprechend. Dadurch tritt ein erhöhter Differenzbetrag der Ströme auf, anhand dessen mittels Vergleich dieser Ströme der bedingte Kurzschluss erkannt werden kann. Ein sicheres

Betreiben der optoelektronischen Baugruppe ermöglicht sich mit Vorteil .

Im Falle von Leuchtdiodenelementen mit unterschiedlichen Strom-Spannungs-Charakteristika kann ebenfalls eine

Kurzschlusserkennung mittels eines Stromvergleichs

durchgeführt werden. Hierzu wird der elektronische

Schaltkreis auf den bereits zu Beginn bestehenden Unterschied der Ströme kalibriert. Der elektronische Schaltkreis ist dabei also auf einen bereits bestehenden Differenzbetrag abgestimmt, sodass eine Abweichung von diesem im

Normalbetrieb auftretenden Differenzbetrag erkannt werden kann.

Alternativ oder zusätzlich können die einzelnen

Leuchtdiodenelemente der optoelektronischen Baugruppe zum Stromvergleich zueinander passend ausgewählt werden.

Leuchtdiodenelemente, die Fertigungsschwankungen aufweisen, die sich unter anderem in den Strom-Spannungs-Charakteristika der einzelnen Leuchtdiodenelemente widerspiegeln können, können so bereits vor dem Stromvergleich differenziert werden. Gemäß einer Weiterbildung ist die mindestens eine elektrische Eigenschaft eine elektrische Leitfähigkeit des entsprechenden Leuchtdiodenelements. Insbesondere bei Auftreten eines lokalen Defekts, wie beispielsweise eines bedingten

Kurzschlusses, kann sich die elektrische Leitfähigkeit zwischen Anode und Kathode erhöhen, wodurch der Großteil des Stroms durch diesen lokalen Defekt fließt und sich die lokale Stromdichte erhöht. Das Bestimmen der elektrischen

Leitfähigkeit und insbesondere das Erkennen von Abweichungen der elektrischen Leitfähigkeit vom Normalbetrieb erlauben so die Detektion eines lokalen Defekts des entsprechenden

Leuchtdiodenelements der optoelektronischen Baugruppe. Ein sicheres und qualitativ hochwertiges Betreiben der

optoelektronischen Baugruppe ermöglicht sich mit Vorteil. Gemäß einer Weiterbildung ist die mindestens eine elektrische Eigenschaft ein Stromfluss durch das entsprechende

Leuchtdiodenelement. Bei Auftreten eines bedingten

Kurzschlusses in einem der Leuchtdiodenelemente erhöht sich der Stromfluss durch dieses Leuchtdiodenelement. Ein erhöhter Differenzbetrag der Ströme kann mittels des elektronischen Schaltkreises erkannt und Rückschlüsse auf einen lokalen Defekt gezogen werden. Es ermöglicht sich auch hier ein sicheres und qualitativ hochwertiges Betreiben der

optoelektronischen Baugruppe.

Das Erkennen einer der oben angeführten Eigenschaften erlaubt demnach eine Detektion von lokalen Defekten sowie von

Abweichungen vom Normalbetrieb. Dies kann neben dem

Ausschließen von Gefahren, wie beispielsweise eine

Verletzungs- oder Brandgefahr, zur Qualitätskontrolle einzelner Leuchtdiodenelemente und damit der gesamten

optoelektronischen Baugruppe dienen. Liegen hier bereits in einem Testverfahren nach der Fertigung der optoelektronischen Baugruppe deutlich unterschiedliche Ströme zwischen den einzelnen Leuchtdiodenelementen vor, so ist von einer

fehlerhaften optoelektronischen Baugruppe auszugehen. Diese fehlerhafte optoelektronische Baugruppe kann

vorteilhafterweise direkt nach dem Testverfahren aussortiert werden, wodurch der Verkauf und/oder der Betrieb fehlerhafter optoelektronischer Baugruppen vermieden werden kann.

Gemäß einer Weiterbildung ist der elektronische Schaltkreis dazu ausgebildet, bei dem Differenzbetrag der zu

vergleichenden Ströme, der einen vorgegebenen Differenzbetrag überschreitet, die mindestens eine elektrische Eigenschaft zu erkennen. Mit anderen Worten ausgedrückt wird die mindestens eine elektrische Eigenschaft erkannt, wenn ein vorgegebener oder festgelegter zu großer Differenzbetrag zwischen den zu vergleichenden Strömen auftritt. Dieses Überschreiten des Differenzbetrags kann beispielsweise mittels der

Auswerteeinheit erkannt werden, die den Vergleich der Ströme, die durch die Leuchtdiodenelemente fließen, durchführt, und die anschließend an diesen Stromvergleich das Ergebnis des Stromvergleichs mit dem vorgegebenen Differenzbetrag

abgleicht. Bei einer erhöhten Abweichung von dem vorgegebenen Differenzbetrag wird ein Erkennen der entsprechenden

elektrischen Eigenschaft ausgelöst. Dadurch ermöglicht sich vorteilhafterweise unter anderem die Lokalisierung von lokalen Defekten der optoelektronischen Baugruppe.

Unter einem Differenzbetrag ist insbesondere zu verstehen, dass eine Differenz zweier Beträge, also positiver Zahlen, genommen wird. Mit anderen Worten wird vorliegend einer der Ströme vorzeichenpositiv von dem anderen der Ströme

subtrahiert. Wird eine Abweichung von Null festgestellt, die unter Beachtung möglicher fertigungsbedingter Schwankungen als überhöht eingestuft werden kann, ist von einem lokalen Defekt, beispielsweise einem Kurzschluss, auszugehen.

Gemäß einer Weiterbildung ist der elektronische Schaltkreis dazu ausgebildet, bei Überschreiten eine elektrische Abschaltung eines der Leuchtdiodenelemente und/oder der

Baugruppe auszulösen. Mit anderen Worten ausgedrückt wird mittels des elektronischen Schaltkreises bei Erkennen von lokalen Defekten das defekte Leuchtdiodenelement und/oder die gesamte optoelektronische Baugruppe abgeschaltet. Eine

Unterbrechung des Betriebs des defekten Leuchtdiodenelements und/oder der optoelektronischen Baugruppe ermöglicht sich dadurch mit Vorteil. Das Abschalten mittels des

elektronischen Schaltkreises erfolgt beispielsweise über zumindest einen Schalter, der den Stromkreis beziehungsweise Schaltkreis unterbricht. Um ein partielles Abschalten der einzelnen Leuchtdiodenelemente bei Auftreten eines Defekts bereitzustellen, weist der elektronische Schaltkreis

vorzugsweise vor oder nach jedem Leuchtdiodenelement einen Schalter auf, der jeweils den Stromkreis beziehungsweise Schaltkreis lediglich des defekten Leuchtdiodenelements unterbricht. Ein derartiger Schalter kann beispielsweise einen Transistor aufweisen oder davon gebildet sein. Gemäß einer Weiterbildung weist der elektronische Schaltkreis zumindest einen Summenstromwandler, eine Spule, eine erste elektrische Leitung des ersten Leuchtdiodenelements und eine zweite elektrische Leitungen des zweiten Leuchtdiodenelements auf. Die Spule (45) ist um den Summenstromwandler (44) gewunden beziehungsweise gewickelt. Die erste elektrische Leitung und die zweite elektrische Leitung sind durch den Summenstromwandler geführt. Ein Stromfluss der ersten

elektrischen Leitung und ein Stromfluss der zweiten

elektrischen Leitung sind gegenläufig. Mit anderen Worten ausgedrückt laufen die Leitungen der beiden

Leuchtdiodenelemente gegenläufig durch den

Summenstromwandler .

Der Summenstromwandler addiert insbesondere alle zum und vom Verbraucher fließende Ströme vorzeichenrichtig. Mit anderen Worten summieren sich induzierte Ströme der Leitungen vorzeichenbehaftet zu Null auf, wenn diese die gleiche Höhe haben. Im Normalbetrieb heben sich also die Induktionswirkungen der Leitungen auf, womit kein Magnetfluss im Summenstromwandler induziert wird und kein Sekundärstrom fließt . Abweichungen in den Strömen und damit Abweichungen vom Normalbetrieb führen zu einem Strom in der Spule, wodurch eine Abweichung von der Aufsummierung zu Null auftritt.

Ausgehend von der Stromabweichung können vorteilhafterweise lokale Defekte detektiert werden. Der elektronische Schaltkreis weist hierbei Komponenten und entsprechende Anordnungen auf, die ähnlich einer FI- Schutzschaltung sind. Eine FI-Schutzschaltung trennt den überwachten Stromkreis bei Überschreiten eines gewissen

Fehlerstroms, das heißt, wenn ein in einer Leitung zum

Verbraucher hin fließender und ein in einer anderen Leitung vom Verbraucher zurück fließender Strom nicht mehr die gleiche Höhe haben und sich die vorzeichenbehafteten Ströme nicht zu Null aufsummieren. FI -Schutzschaltungen sind dem Fachmann hinreichend bekannt und werden daher an dieser

Stelle nicht näher erörtert.

Gemäß einer Weiterbildung weist der elektronische Schaltkreis eine integrierte mikroelektronische Schaltung (IC) auf. Der Vergleich der durch die Leuchtdiodenelemente fließenden

Ströme und das Erkennen der elektrischen Eigenschaft erfolgt hierbei also durch die integrierte mikroelektronische

Schaltung. Eine derartige Schaltung ist aufgrund ihrer geringen Größe einfach und platzsparend in oder an der optoelektronischen Baugruppe anbringbar.

Gemäß einer Weiterbildung weist die Baugruppe eine Mehrzahl von Leuchtdiodenelementen auf . Der elektronische Schaltkreis ist dazu ausgebildet, jeweils einen im Betrieb fließenden elektrischen Strom durch jedes Leuchtdiodenelement zu

bestimmen und die Ströme der Leuchtdiodenelemente miteinander zu vergleichen. Abhängig von dem Vergleich ist der

elektronische Schaltkreis dazu ausgebildet, eine elektrische Abschaltung mindestens eines der Leuchtdiodenelemente und/oder der optoelektronischen Baugruppe auszulösen. Die optoelektronische Baugruppe weist vorliegend also n

Leuchtdiodenelemente auf. Als n ist hierbei eine ganze, nicht negative Zahl anzusehen, die die Anzahl der

Leuchtdiodenelemente der Baugruppe wiedergibt . Die durch die n Leuchtdiodenelemente fließenden Ströme werden verglichen und eines der Leuchtdiodenelemente, mehrere der

Leuchtdiodenelemente und/oder die gesamte Baugruppe werden abhängig von dem Vergleich abgeschaltet. Insbesondere findet eine Abschaltung Anwendung, wenn eines der

Leuchtdiodenelemente oder mehrere der Leuchtdiodenelemente einen entsprechend höheren Strom, beispielsweise höher als der vorgegebene Differenzbetrag, aufweisen als die übrigen Leuchtdiodenelemente .

Vorteilhafterweise kann dadurch ein sicherer Betrieb von einer optoelektronischen Baugruppe, die eine Mehrzahl von Leuchtdiodenelementen aufweist, ermöglicht werden. Eine

Verletzungs- und Brandgefahr kann auch bei dieser

optoelektronischen Baugruppe vorliegend ausgeschlossen werden.

Gemäß einer Weiterbildung sind das erste Leuchtdiodenelement und das zweite Leuchtdiodenelement monolithisch auf einem gemeinsamen Substrat abgeschieden. Beispielsweise handelt es sich bei den Leuchtdiodenelementen um eine im Prinzip

einzige, jedoch segmentiert gefertigte optoelektronische Baugruppe. Diese können lateral strukturiert so aufgebracht sein, dass sich zwei parallel betreibbare

Leuchtdiodenelemente ergeben, deren funktionelle Schichten gleichzeitig in einem Prozess abgeschieden sind. Dadurch kann vorteilhafterweise sichergestellt werden, dass die beiden Leuchtdiodenelemente möglichst identische Strom-Spannungs- Charakteristika aufweisen. Dadurch ist ein Vergleich der durch die Leuchtdiodenelemente fließenden Ströme und eine festzustellende Abweichung dieser Ströme vereinfacht möglich. Gemäß einer Weiterbildung sind das erste Leuchtdiodenelement und das zweite Leuchtdiodenelement übereinander gestapelt oder lateral nebeneinander angeordnet. Neben der wie oben erläuterten, lateral segmentierten optoelektronischen

Baugruppe ist vorliegend demnach unter anderem auch eine optoelektronische Baugruppe möglich, die mittels einer

Zwischenelektrode mehrfachgestapelt ausgebildet ist. Bei einer übereinander gestapelten Anordnung der zwei

Leuchtdiodenelemente wird zum Erkennen der elektrischen

Eigenschaft der Strom durch das untere Leuchtdiodenelement mit dem Strom durch das obere Leuchtdiodenelement verglichen. Durch die gestapelte Anordnung kann mit Vorteil eine

platzsparende optoelektronische Baugruppe bereitgestellt werden.

Derartige übereinander gestapelte Leuchtdiodenelemente sind dem Fachmann ausreichend bekannt und werden daher an dieser Stelle nicht näher erörtert. Die Aufgabe wird weiter gelöst durch ein Verfahren zum

Erkennen einer elektrischen Eigenschaft eines ersten

Leuchtdiodenelements oder eines zweiten Leuchtdiodenelements, bei dem das erste Leuchtdiodenelement und das zweite

Leuchtdiodenelement elektrisch parallel betrieben werden. Ein im Betrieb fließender elektrischer Strom durch das erste Leuchtdiodenelement wird mit einem im Betrieb fließenden elektrischen Strom durch das zweite Leuchtdiodenelement mittels eines elektronischen Schaltkreises verglichen. Die elektrische Eigenschaft wird abhängig von dem Vergleich erkannt .

Durch den elektronischen Schaltkreis sind demnach mit Vorteil Rückschlüsse auf zumindest eine elektrische Eigenschaft eines der Leuchtdiodenelemente möglich. Beispielsweise lassen sich so schnell, sicher, wenig aufwendig und platzsparend lokale Defekte detektieren und vorteilhafterweise zudem

lokalisieren. Ein sicheres Betreiben der

Leuchtdiodenelemente, die beispielsweise in einer optoelektronischen Baugruppe gemeinsam verbaut sind, kann dadurch ermöglicht werden.

Gemäß einer Weiterbildung wird als die elektrische

Eigenschaft ein Kurzschluss des ersten Leuchtdiodenelements oder des zweiten Leuchtdiodenelements erkannt. Insbesondere Gefahren, die bei einem bedingten Kurzschluss auftreten können, und die durch Verwendung einer herkömmlichen

beispielsweise externen Sicherungen nicht reduziert oder gar ausgeschlossen werden können, können vorliegend erkannt und darauf entsprechend reagiert werden.

Gemäß einer Weiterbildung wird der Kurzschluss erkannt, im Falle, dass der Differenzbetrag der verglichenen Ströme den vorgegebenen Differenzbetrag überschreitet. Anders

ausgedrückt wird die elektrische Eigenschaft erkannt, wenn ein vorgegebener, zu großer Differenzbetrag zwischen den Strömen vorliegt. Dadurch lässt sich auf schnelle und

einfache Weise ein Kurzschluss, insbesondere ein bedingter Kurzschluss eines der Leuchtdiodenelemente feststellen.

Gemäß einer Weiterbildung wird bei dem Überschreiten des vorgegebenen Differenzbetrags eine elektrische Abschaltung zumindest eines der Leuchtdiodenelemente ausgelöst. Dadurch kann mit Vorteil sichergestellt werden, dass einzelne oder mehrere defekte Leuchtdiodenelemente bei Auftreten eines Defekts abgeschaltet werden. Mögliche Gefahren können so ausgeschlossen werden. Gemäß einer Weiterbildung wird jeweils ein im Betrieb

fließender elektrischer Strom durch mehrere

Leuchtdiodenelemente mittels des elektronischen Schaltkreises bestimmt . Die Ströme der Leuchtdiodenelemente werden mittels des elektronischen Schaltkreises miteinander verglichen.

Abhängig von dem Vergleich werden eines oder mehrere der Leuchtdiodenelemente elektrisch abgeschaltet . Mit Vorteil können dadurch mehrere Leuchtdiodenelemente, die beispielsweise gemeinsam in einer optoelektronischen

Baugruppe verbaut sind, auf lokale Defekte untersucht werden, wodurch ein sicheres Betreiben dieser Mehrzahl der

Leuchtdiodenelemente möglich ist. Hierbei ist ein partielles Abschalten einzelner Leuchtdiodenelemente oder ein Abschalten aller Leuchtdiodenelemente, also der gesamten

optoelektronischen Baugruppe, bei Auftreten eines lokalen Defekts möglich. Im Falle des partiellen Abschaltens

einzelner Leuchtdiodenelemente aufgrund von partiell

auftretenden Defekten können die noch funktionierenden

Leuchtdiodenelemente weiter betrieben werden. Alternativ ist es natürlich möglich, die gesamten Leuchtdiodenelemente, also die gesamte optoelektronischen Baugruppe, bei Auftreten eines Defekts abzuschalten.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.

Es zeigen

Figur 1 eine seitliche Schnittdarstellung eines

Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe ;

Figur 2 ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels einer

optoelektronischen Baugruppe,- ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe;

Figur 4 eine Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines herkömmlichen FI-Schutzschalters; Figur 5 eine detaillierte Schnittdarstellung einer

Schichtenstruktur eines Ausführungsbeispiels eines Leuchtdiodenelements . In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser

Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird

Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da

Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl

verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe

"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.

Eine optoelektronische Baugruppe kann ein, zwei oder mehr optoelektronische Bauelemente aufweisen. Optional kann eine optoelektronische Baugruppe auch ein, zwei oder mehr

elektronische Bauelemente aufweisen. Ein elektronisches

Bauelement kann beispielsweise ein aktives und/oder ein passives Bauelement aufweisen. Ein aktives elektronisches Bauelement kann beispielsweise eine Rechen-, Steuer- und/oder Regeleinheit und/oder einen Transistor aufweisen. Ein

passives elektronisches Bauelement kann beispielsweise einen Kondensator, einen Widerstand, eine Diode oder eine Spule aufweisen.

Ein optoelektronisches Bauelement kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement sein. Ein

elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische

Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot -Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender

Transistor, als Leuchtdiodenelement oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende Bauelement kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden

Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse. Pig.l zeigt eine optoelektronische Baugruppe, insbesondere eine organische Leuchtdiode 1 (OLED) . Alternativ dazu kann die Leuchtdiode 1 keine organische Leuchtdiode sondern eine anorganische Leuchtdiode, insbesondere eine LED, sein. Die Leuchtdiode 1 weist einen Träger 12 auf. Auf dem Träger 12 ist eine optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet.

Die optoelektronische Schichtenstruktur weist eine erste elektrisch leitfähige Schicht 14 auf, die einen ersten Kontaktabschnitt 16, einen zweiten Kontaktabschnitt 18 und eine erste Elektrodenschicht 20 aufweist. Der Träger 12 mit der ersten elektrisch leitfähigen Schicht 14 kann auch als Substrat bezeichnet werden. Der zweite Kontaktabschnitt 18 ist mit der ersten Elektrodenschicht 20 der

optoelektronischen Schichtenstruktur elektrisch gekoppelt, beispielsweise sind der zweite Kontaktabschnitt 18 und die erste Elektrodenschicht einstückig ausgebildet. Die erste Elektrodenschicht 20 ist von dem ersten Kontaktabschnitt 16 mittels einer elektrischen Isolierungsbarriere 21 elektrisch isoliert. Über der ersten Elektrodenschicht 20 ist eine optisch funktionelle Schichtenstruktur, beispielsweise eine organische funktionelle Schichtenstruktur 22, der

optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet. Die

organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann

beispielsweise eine, zwei oder mehr übereinander ausgebildete Teilschichten aufweisen, wie weiter unten mit Bezug zu Figur 5 näher erläutert. Über der organischen funktionellen

Schichtenstruktur 22 ist eine zweite elektrisch leitfähige Schicht, insbesondere eine zweite Elektrodenschicht 23 der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet, die

elektrisch mit dem ersten Kontaktabschnitt 16 gekoppelt ist. Die erste Elektrodenschicht 20 dient beispielsweise als Anode oder Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Die zweite Elektrodenschicht 23 dient korrespondierend zu der ersten Elektrodenschicht 20 als Kathode bzw. Anode der optoelektronischen Schichtenstruktur.

Die Leuchtdiode 1 weist mindestens zwei, beispielsweise drei oder mehr Segmente, beispielsweise ein erstes Segment, ein zweites Segment und ein drittes Segment auf. In anderen

Worten ist die Leuchtdiode 1 segmentiert. Das erste Segment ist von einem ersten Leuchtdiodenelement 50 gebildet. Das zweite Segment ist von einem zweiten Leuchtdiodenelement 52 gebildet. Das dritte Segment ist von einem dritten

Leuchtdiodenelement 54 gebildet. Die Leuchtdiodenelemente 50, 52, 54 weisen voneinander getrennte Segmente der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 und voneinander getrennte Segmente der ersten Elektrodenschicht 20 auf. Insbesondere weist die erste Elektrodenschicht 20 eine erste Elektrode 51 des ersten Leuchtdiodenelements 50, eine erste Elektrode 53 des zweiten Leuchtdiodenelements 52 und eine erste Elektrode 55 des dritten Leuchtdiodenelernents 54 auf. Falls die

Leuchtdiode 1 mehr oder weniger Segmente aufweist, so weist die erste Elektrodenschicht 20 entsprechend mehr bzw. weniger erste Elektroden 51, 53, 55 auf. Optional teilen sich die Leuchtdiodenelemente 50, 52, 54 die zweite Elektrodenschicht 23, die nicht segmentiert ist. Alternativ dazu kann bei den Leuchtdiodenelementen 50, 52, 54 die zweite Elektrodenschicht 23 segmentiert sein und/oder die erste Elektrodenschicht 20 kann nicht segmentiert und/oder einstückig ausgebildet sein. Ferner kann auch bei einer segmentierten Elektrodenschicht 20, 23 die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 nicht segmentiert, also einstückig, ausgebildet sein. Die ersten Elektroden 51, 53, 55 können mit nicht dargestellten

verschiedenen, voneinander elektrisch isolierten, Bereichen des zweiten Kontaktabschnitts 18 elektrisch gekoppelt sein, so dass die Leuchtdiodenelemente 50, 52, 54 unabhängig voneinander betrieben werden können.

Alternativ dazu kann die Leuchtdiode 1 unsegmentiert sein, also keine Segmente aufweisen, und/oder aus einem einzelnen Leuchtdiodenelement bestehen. Ferner kann die Leuchtdiode 1 mit einer, zwei oder mehr nicht dargestellten weiteren

Leuchtdioden elektrisch und/oder mechanisch gekoppelt sein. Beispielsweise können die entsprechenden Leuchtdioden

elektrisch parallel geschaltet sein, beispielsweise über eine elektrische Verbindung der ersten oder zweiten Elektroden, beispielsweise kann eine der Elektroden der verschiedenen Leuchtdioden einstückig ausgebildet sein und sich über mehrere Leuchtdioden erstrecken. über der zweiten Elektrodenschicht 23 und teilweise über dem ersten Kontaktabschnitt 16 und teilweise über dem zweiten Kontaktabschnitt 18 ist eine Verkapselungsschicht 24 der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet, die die optoelektronische Schichtenstruktur verkapselt. In der

Verkapselungsschicht 24 sind über dem ersten Kontaktabschnitt 16 eine erste Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 und über dem zweiten Kontaktabschnitt 18 eine zweite Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet. In der ersten Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ist ein erster Kontaktbereich 32 freigelegt und in der zweiten Ausnehmung der

Verkapselungsschicht 24 ist ein zweiter Kontaktbereich 34 freigelegt. Der erste Kontaktbereich 32 dient zum

elektrischen Kontaktieren des ersten Kontaktabschnitts 16 und der zweite Kontaktbereich 34 dient zum elektrischen

Kontaktieren des zweiten Kontaktabschnitts 18.

Ober der Verkapselungsschicht 24 ist eine Haftmittelschicht 36 ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 weist beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise einen Klebstoff,

beispielsweise einen Laminierklebstoff, einen Lack und/oder ein Harz auf. Über der Haftmittelschicht 36 ist ein

Abdeckkörper 38 ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 dient zum Befestigen des Abdeckkörpers 38 an der

Verkapselungsschicht 24. Der Abdeckkörper 38 dient zum

Schützen der Leuchtdiode 1, beispielsweise vor mechanischen Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann der Abdeckkörper 38 zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in der Leuchtdiode 1 erzeugt wird. Das Substrat steht seitlich unter dem Abdeckkörper 38 hervor. Alternativ dazu können das

Substrat und der Abdeckkörper 38 an ihren Seitenkanten bündig oder nahezu bündig ausgebildet sein, wobei eine Kontaktierung der Kontaktbereiche 32, 34 beispielsweise über Ausnehmungen und/oder Löcher im Abdeckkörper 38 und/oder im Träger 12 erfolgen kann.

Fig. 2 zeigt ein Schaltbild einer optoelektronische

Baugruppe, die ein erstes Leuchtdiodenelement 51,

beispielsweise ausgebildet wie das im Vorhergehenden

erläuterte erste Leuchtdiodenelement, und ein zweites

Leuchtdiodenelement 52, beispielsweise ausgebildet wie das im Vorhergehenden erläuterte zweite Leuchtdiodenelement aufweist. Weiter weist die optoelektronische Baugruppe einen elektronischen Schaltkreis 40 auf. Der elektronische

Schaltkreis 40 weist eine erste Spannungsquelle 42 zum

Betreiben der Leuchtdiodenelemente 51, 52 auf.

Die Leuchtdiodenelemente 51, 52 werden elektrisch parallel betrieben. Bevorzugt weisen die Leuchtdiodenelemente 51, 52 möglichst identische Strom-Spannungs-Charakteristika auf. Der elektronische Schaltkreis 40 weist weiter eine

elektronische Schaltung 43 auf, die aus Gründen der einfachen Darstellbarkeit in Figur 2 als einfacher Schalter dargestellt ist. Diese Schaltung 43 dient dazu, insbesondere einen bedingten Kurzschluss eines der Leuchtdiodenelemente 51, 52 festzustellen und entsprechend darauf zu reagieren. Hierzu v/erden mittels der Schaltung 43 ein Strom II, der im Betrieb durch das erste Leuchtdiodenelement 51 fließt, und ein Strom 12, der im Betrieb durch das zweite Leuchtdiodenelement 52 fließt, miteinander verglichen. Im Normalbetrieb fließen durch beide Leuchtdiodenelemente 51, 52 gleich große Ströme. Beim Auftreten eines bedingten Kurzschlusses fließt der

Großteil des eingeprägten Stromes durch den lokalen Defekt. Je nachdem, ob der lokale Defekt in dem ersten

Leuchtdiodenelement 51 oder in dem zweiten

Leuchtdiodenelernent 52 liegt, erhöht sich der Stromfluss durch das entsprechende Leuchtdiodenelement, während sich der Stromfluss durch das andere Leuchtdiodenelement verringert. Dadurch tritt beim Auftreten eines bedingten Kurzschlusses ein erhöhter Differenzbetrag der Ströme II, 12 auf, wodurch der bedingte Kurzschluss durch Vergleichen dieser Ströme II, 12 detektierbar ist.

Im Falle eines bedingten Kurzschlusses, also im Falle von einem erhöhten Differenzbetrag zwischen den Strömen II, 12, ist eine Abschaltung der optoelektronischen Baugruppe mittels der elektronischen Schaltung 43 vorgesehen. Insbesondere wird eine Abschaltung der optoelektronischen Baugruppe ausgelöst, wenn ein vorgegebener, zu großer Differenzbetrag zwischen den Strömen II, 12 vorliegt. Hierzu gleicht die elektronische Schaltung 43 einen Differenzbetrag der Ströme II, 12, die durch die einzelnen Leuchtdiodenelemente 51, 52 fließen, mit einem vorgegebenen Differenzbetrag ab. Liegt der sich

ergebende Differenzbetrag der Ströme II, 12 außerhalb des vorgegebenen Differenzbetrages - zuzüglich einer vorgegebenen Abweichung basierend auf eventuellen Fertigungstoleranzen der Leuchtdiodenelemente 51, 52 -, ist von zumindest einem defekten Leuchtdiodenelement 51, 52 auszugehen.

Der Vergleich der durch die Leuchtdiodenelemente 51, 52 fließenden Ströme II, 12 und die gegebenenfalls erfolgende Abschaltung der optoelektronischen Baugruppe kann durch eine integrierte mikroelektronische Schaltung (IC) erfolgen.

Insbesondere ist hierbei die elektronische Schaltung 43 ein IC oder weist diesen auf .

Durch das Erkennen des bedingten Kurzschlusses und der möglichen Abschaltung der optoelektronischen Baugruppe kann eine Verletzungs- und Brandgefahr, die durch ein lokales Erhitzen im Falle von einem bedingten Kurzschluss auftreten können, mit Vorteil ausgeschlossen werden.

Alternativ zu der oben erörterten optoelektronischen

Baugruppe können die Leuchtdiodenelemente 51, 52 der

Baugruppe unterschiedliche aktive Flächen und dadurch bedingt unterschiedliche Strom-Spannungs-Charakteristika aufweisen. Dies kann beispielsweise bei in verschiedenen Prozessen gefertigten Leuchtdiodenelementen auftreten. Zum Erkennen eines bedingten Kurzschlusses mittels der elektronischen Schaltung 43 ist die elektronische Schaltung 43 auf den ursprünglichen Differenzbetrag der Ströme II, 12 im

Normalbetrieb kalibriert. Bei einer zu großen Abweichung von diesem kalibrierten Differenzbetrag wird entsprechend die Baugruppe abgeschaltet. Ferner können die

Leuchtdiodenelemente voneinander getrennte und/oder

verschiedene Leuchtdioden sein, die zueinander elektrisch parallel geschaltet sind. Weiter alternativ zu der oben erörterten optoelektronischen Baugruppe können die Leuchtdiodenelemente 51, 52 mittels einer Zwischenelektrode übereinander gestapelt angeordnet sein. Hierbei findet zum Erkennen eines bedingten

Kurzschlusses ein Stromvergleich des unteren und des oberen Leuchtdiodenelements Anwendung.

Weiter alternativ zu der oben erörterten optoelektronischen Baugruppe kann die optoelektronische Baugruppe auch mehrere Leuchtdiodenelemente aufweisen. Zum Erkennen eines

Kurzschlusses werden die durch die einzelnen

Leuchtdiodenelemente fließenden Ströme verglichen und die optoelektronische Baugruppe abgeschaltet, wenn ein

Leuchtdiodenelement einen entsprechend höheren Strom aufweist als die übrigen Leuchtdiodeneiemente .

Weiter alternativ zu der oben erörterten Baugruppe kann statt eines Abschaltens der gesamten optoelektronischen Baugruppe lediglich ein Abschalten des oder der defekten

Leuchtdiodenelemente 51, 52 vorgesehen sein. Dabei kann die optoelektronische Baugruppe selbst bei Auftreten einzelner Defekte bzw. Kurzschlüsse weiter ohne Verbrennungs- und/oder Brandgefahr betrieben werden.

Alternativ oder zusätzlich kann das Erkennen des bedingten Kurzschlusses neben der Gefahrenminderung zur

Qualitätskontrolle der Leuchtdiodenelernente 51, 52 eingesetzt werden. Liegen bereits im Testverfahren nach der Fertigung der optoelektronischen Baugruppe deutlich unterschiedliche Ströme II, 12 zwischen den einzelnen Leuchtdiodenelementen 51,52 vor, so ist von einer fehlerhaften optoelektronischen Baugruppe auszugehen. Fig. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Schaltbildes einer optoelektronischen Baugruppe, die beispielsweise weitgehend der in Figur 2 gezeigten optoelektronischen Baugruppe

entsprechen kann. Die optoelektronische Baugruppe weist die parallel geschalteten Leuchtdiodenelemente 51, 52 und den elektronischen Schaltkreis 40 auf. Der elektronische

Schaltkreis 40 weist die Spannungsquelle 42 und die

elektronische Schaltung 43 auf.

Im Unterschied zu dem in Figur 2 beschriebenen

Ausführungsbeispiel ist die elektronische Schaltung 43 nicht als IC ausgebildet. Die elektronische Schaltung 43 des

Ausführungsbeispiels der Figur 3 weist einen

Summenstromwandler 44, eine Spule 45, eine erste elektrische Leitung 46 des ersten Leuchtdiodenelements 51 und eine zweite elektrische Leitung 47 des zweiten Leuchtdiodenelements 52 auf . Bei dem Summenstromwandler 44 sind zwei oder mehr Leiter durch einen induktiven Stromwandler geführt. Der induktive Stromwandler hat eine Primärwindung, die vom zu messenden Strom durchflössen wird, sowie eine größere Anzahl von

Sekundärwindungen. Die Primärwicklung weist eine durch den Ringkern des Wandlers geführte Stromschiene auf. Gewandelt wird der Differenzstrom aus den Leitern, die durch den induktiven Stromwandler geführt sind. Alternativ dazu kann der Summenstromwandler 44 anders ausgebildet sein.

Die Spule 45 ist beispielsweise um den Summenstromwandler 44 gewunden beziehungsweise um diesen gewickelt. Die erste elektrische Leitung 46 und die zweite elektrische Leitung 47 sind durch den Summenstromwandler 44 geführt. Dabei sind ein Stromfluss der ersten elektrischen Leitung 46 und ein

Stromfluss der zweiten elektrischen Leitung 47 zueinander gegenläufig.

Mit anderen Worten ausgedrückt laufen die Leitungen 46, 47 der Leuchtdiodenelemente 51, 52 gegenläufig durch einen Wandlerkern des Summenstromwandlers 44, sodass sich im

Normalbetrieb die beiden Ströme vorzeichenbehaftet zu Null aufsummieren.

Weist nun eines der Leuchtdiodenelemente 51, 52 einen lokalen Defekt, beispielsweise einen bedingten Kurzschluss, auf, erhöht sich der Stromfluss durch das entsprechende

Leuchtdiodenelement 51, 52, während sich der Stromfluss durch das andere Leuchtdiodenelement 51, 52 verringert. Dadurch entsteht ein erhöhter Differenzbetrag der Ströme der

Leuchtdiodenelemente 51, 52, insbesondere ein von Null verschiedener Differenzbetrag. Dieser kann von der

elektronischen Schaltung 43 erfasst werden und ein Abschalten der optoelektronischen Baugruppe auslösen. Das Abschalten erfolgt beispielsweise mittels Schalter 48. Die Schalter 48 werden mittels eines Schaltschlosses ausgelöst. Hierbei ist jedes Leuchtdiodenelement 51, 52 separat mittels eines eigenen Schalters 48 abschaltbar. Alternativ kann natürlich eine gemeinsame Abschaltung mittels eines gemeinsamen

Schalters vorgesehen sein.

Es ist natürlich anzumerken, dass sich eine Aufsummierung der Ströme zu Null im Normalbetrieb und eine entsprechende

Abweichung von dieser Null - unter Beachtung einer möglichen Abweichung aufgrund von Fertigungstoleranzen - lediglich bei Leuchtdiodenelementen 51, 52 ergeben, die möglichst

identische Strom-Spannungs-Charakteristika aufweisen.

Alternative Ausführungen hierzu sind bereits in Zusammenhang mit dem Ausführungsbeispiel zu Figur 2 ausgeführt und finden bei dem Ausführungsbeispiel der Figur 3 natürlich

entsprechend Anwendung, ohne hier explizit nochmals

aufgeführt zu sein.

Die elektronische Schaltung 43 des Ausführungsbeispiels der Figur 3 basiert auf dem Prinzip einer herkömmlichen FI- Schutzschaltung und ist entsprechend ähnlich zu dieser aufgebaut und ausgeführt. Eine herkömmliche FI- Schutzschaltung ist in dem Ausführungsbeispiel der Figur 4 näher erörtert. Fig. 4 zeigt das Prinzip einer herkömmlichen FI-

Schutzschaltung. Ein gewöhnlicher FI-Schutzschalter trennt den überwachten Stromkreis bei Überschreiten eines bestimmten Differenzstroms. Mit anderen Worten ausgedrückt trennt der FI-Schutzschalter den Stromkreis, wenn ein in einer Leitung 46 zum Verbraucher hin fließende und ein in einer anderen Leitung 47 vom Verbraucher zurück fließende Strom nicht mehr die gleiche Höhe haben, das heißt, wenn sich die

vorzeichenbehafteten Ströme nicht mehr zu Null aufsummieren .

Differenzströme können auftreten, wenn ein Fehlerstrom fließt, beispielsweise über einen lokalen Defekt wie über einen Kurzschluss. Dazu vergleicht der

Fehlerstromschutzschalter die Höhe des hin- mit der des zurückfließenden Stroms. Die vorzeichenbehaftete Summe aller durch den Fehlerstromschutzschalter fließenden Ströme muss bei einer intakten Anlage Null sein, das heißt, der Strom zum Verbraucher hin muss genauso groß sein wie der Strom, der vom Verbraucher zurück fließt.

Der Vergleich erfolgt in dem Summenstromwandler 44, um den die Spule 45 gewickelt ist. Der Summenstromwandler 44 hat zwei oder mehrere durchlaufende Leitungsadern 46, 47

(Primärwicklungen) . In der Spule 45 wird ein Strom induziert, im Falle, dass im Summenstromwandler 44 aufgrund der

durchlaufenden Leitungsadern 46, 47 ein Magnetfeld

resultiert. Die Leitungsadern 46, 47 sind so geführt, dass ihre Induktionswirkung sich im Normalbetrieb gegenseitig aufhebt, kein Magnetfluss im Wandlerkern induziert wird und kein Sekundärstrom in der Spule 45 fließt.

Der Wandler addiert somit alle zum und vom Verbraucher fließenden Ströme über deren Magnetfelder im Wandlerkern vorzeichenrichtig. Fließt aus einer Leitungsader ein

Fehlerstrom, so ist die Summe von hin- und zurückfließenden Strömen im Wandler nicht mehr Null. Dies hat einen Strom in der Spule 45 zur Folge. Der Sekundärstrom löst ein Relais (Schaltschloss 49) aus, das die Leitung mittels Schalter 48 allpolig abschaltet. Die Spule 45 kann in diesem Zusammenhang auch als Sekundärwicklung oder Auslösespule bezeichnet werden . Fig. 5 zeigt eine detaillierte Schnittdarstellung einer

Schichtenstruktur eines Ausführungsbeispiels eines

Leuchtdiodenelements, beispielsweise eines der im

Vorhergehenden erläuterten Leuchtdiodenelemente 50, 52, das Bestandteil einer Leuchtdiode 1 sein kann, beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterten Leuchtdiode 1. Die Leuchtdiode 1 kann als Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter ausgebildet sein. Falls die Leuchtdiode 1 als Top-Emitter und Bottom- Emitter ausgebildet ist, kann die Leuchtdiode 1 als optisch transparente Leuchtdiode bezeichnet werden.

Die Leuchtdiode 1 weist den Träger 12 und einen aktiven

Bereich über dem Träger 12 auf. Zwischen dem Träger 12 und dem aktiven Bereich kann eine erste nicht dargestellte

Barriereschicht, beispielsweise eine erste

Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Der aktive Bereich weist die erste Elektrodenschicht 20, die organische

funktionelle Schichtenstruktur 22 und die zweite

Elektrodenschicht 23 auf. Über dem aktiven Bereich ist die Verkapselungsschicht 24 ausgebildet. Die Verkapselungsschicht 24 kann als zweite Barriereschicht, beispielsweise als zweite Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Über dem aktiven

Bereich und gegebenenfalls über der Verkapselungsschicht 24, ist der Abdeckkörper 38 angeordnet. Der Abdeckkörper 38 kann beispielsweise mittels einer Haftmittelschicht 36 auf der Verkapselungsschicht 24 angeordnet sein.

Der aktive Bereich ist ein elektrisch und/oder optisch aktiver Bereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich der Leuchtdiode 1, in dem elektrischer Strom zum Betrieb der Leuchtdiode 1 fließt und/oder in dem

elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird.

Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann ein, zwei oder mehr übereinander ausgebildete funktionelle

Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr

Zwischenschichten zwischen den Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann in lateraler Richtung segmentiert sein.

Der Träger 12 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Der Träger 12 dient als Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente. Der Träger 12 kann beispielsweise Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein.

Ferner kann der Träger 12 eine Kunststofffolie oder ein

Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien

aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine aufweisen. Ferner kann der

Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen. Der Träger 12 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine MetallVerbindung,

beispielsweise Stahl. Der Träger 12 kann als Metallfolie oder metallbeschichtete Folie ausgebildet sein. Der Träger 12 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden. Der Träger 12 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein.

Die erste Elektrodenschicht 20 kann als Anode oder als

Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrodenschicht 20 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Die erste Elektrodenschicht 20 weist ein elektrisch leitfähiges

Material auf, beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einen Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalle oder TCOs aufweisen. Die erste Elektrodenschicht 20 kann

beispielsweise einen Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs aufweisen, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten. Die erste

Elektrodenschicht 20 kann segmentiert sein.

Als Metall können beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder

Legierungen dieser Materialien verwendet werden.

Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären Metallsauerstoff- Verbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02, oder In203 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204,

Galn03, Zn2In205 oder In4Sn3012 oder Mischungen

unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs .

Die erste Elektrodenschicht 20 kann alternativ oder

zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren, Graphen- Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. Beispielsweise kann die erste Elektrodenschicht 20 eine der folgenden Strukturen aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren

kombiniert sind, ein Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind und/oder Graphen- Schichten und Komposite. Ferner kann die erste

Elektrodenschicht 20 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide aufweisen.

Die erste Elektrodenschicht 20 kann beispielsweise eine

Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm, beispielsweise von 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm. Die erste Elektrodenschicht 20 kann einen ersten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist. Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle (nicht dargestellt) bereitgestellt werden, beispielsweise von einer Stromquelle oder einer

Spannungsquelle. Alternativ kann das erste elektrische

Potential an den Träger 12 angelegt sein und der ersten

Elektrodenschicht 20 über den Träger 12 mittelbar zugeführt werden. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes

Bezugspotential sein.

Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine

Emitterschicht, eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht aufweisen.

Die Lochinjektionsschicht kann auf oder über der ersten

Elektrodenschicht 20 ausgebildet sein. Die

Lochinjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, WOX, VOX, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16CuPc ; NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) - Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) - Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (N,N'-Bis{3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν'- Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9- dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL-NPB (Ν,Ν'- Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 · -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 '- spirobifluoren) ; 9, 9-Bis 14 - (N, N-bis-biphenyl-4 -yl- amino) phenyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N,N-bis-naphthalen-2-yl- amino)phenyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis-naphthalen-2- yl-N, N' -bis-phenyl -amino) -phenyl] -9H-fluor; Ν,Ν' bis (phenanthren-9-yl) -Ν,Ν' -bis(phenyl) -benzidin; 2,7 Bis [N, N- bis (9, 9-spiro-bifluorene-2 -yl) -aroino] -9, 9-spiro-bifluoren; 2,2' -Bis (Ν,Ν-bis (biphenyl-4-yl)amino] 9, 9-spiro-bifluoren; 2,2· -Bis (N,N-di-phenyl-amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (N,N- ditolyl -amino) -phenyl] cyclohexan; 2, 2 ',7, 7· tetra(N, N-di- tolyl)amino-spiro-bifluoren; und/oder N, Ν,Ν' ,Ν' -tetra- naphthalen-2-yl-benzidin.

Die Lochinjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm. Auf oder über der Lochinjektionsschicht kann die

Lochtransportschicht ausgebildet sein. Die

Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (Ν,Ν'- Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl -fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (N,N'-Bis(3- methylphenyl) -N, N' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2, 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [4- (N,N-bis-biphenyl-4-yl- amino)phenyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N,N-bis-naphthalen-2-yl- amino)phenyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis-naphthalen-2- yl-N,N' -bis-phenyl -amino) -phenyl] -9H-fluor; Ν,Ν'

bis (phenanthren-9-yl) -N, N' -bis (phenyl) -benzidin; 2, 7 -Bis [N, N- bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro-bifluoren; 2,2' -Bis tN,N-bis (biphenyl-4-yl) amino] 9, 9-spiro-bifluoren; 2,2' -Bis (N,N-di-phenyl -amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (N,N- ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan; 2 , 2 ' , 7, 7 · -tetra (N, N-di- tolyl) amino-spiro-bifluoren,- und N, Ν,Ν',Ν' tetra-naphthalen- 2-yl-benzidin.

Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,

beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.

Auf oder über der Lochtransportschicht kann die eine oder mehrere Emitterschichten ausgebildet sein, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern. Die Emitterschicht kann organische Polymere, organische

Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen. Die Emitterschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder organometallische

Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2, 5-substituiertes Poly-p- phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise

Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic

(Bis (3 , 5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) - iridium III), grün phosphoreszierendes Ir(ppy)3 (Tris(2- phenylpyridin) iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb- bpy)3*2(PF6) (Tris [4,4' -di-tert-butyl- (2, 2' ) - bipyridinj ruthenium(III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4-Bis [4- (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA (9, 10-Bis (N,N-di- (p-tolyl) - amino] anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4- Dicyanomethylen) -2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem

Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) . Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem

Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid, oder einem Silikon.

Die erste Emitterschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,

beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.

Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die

Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ oder zusätzlich kann vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein

Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung

zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer

Farbeindruck ergibt. Auf oder über der Emitterschicht kann die

Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein. Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET-18; 2, 2', 2" - (1 , 3 , 5-Benzinetriyl) -tris (1- phenyl-1-H-benzimidazole) ; 2- (4-Biphenylyl) -5- (4-tert- butylphenyl) -1, 3 , 4-oxadiazole, 2, 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-1, 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3, 5-diphenyl-4H-l, 2, 4-triazole; 1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl- 5 -tert-butylphenyl-1, 2, 4-triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1, 3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2' -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10-di (naphthalen-2-yl) -anthracene; 2, 7-Bis [2- (2, 2 ' - bipyridine-6-yl) -1,3 , 4-oxadiazo-5-yl] -9, 9-dimethylfluorene; 1, 3-Bis 12- (4-tert-butylphenyl) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-1, 10-phenanthroline; 2, 9- Bis (naphthalen-2-yl) -4 , 7-diphenyl-1, 10-phenanthroline;

Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl)phenyl) borane; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen-2-yl)phenyl) -lH-imidazo [4,5- f] [1, 10] phenanthrolin; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;

Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide;

Perylentetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer

Silacyclopentadieneinheit .

Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke

aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.

Auf oder über der Elektronentransportschicht kann die

Elektroneninjektionsschicht ausgebildet sein. Die

Elektroneninjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, MgAg, Cs2C03, Cs3P04, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2,2' ,2" - (1, 3, 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1-H- benzimidazole) ; 2- (4 -Biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) - 1, 3, 4-oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-1, 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3, 5-diphenyl-4H-l, 2, 4-triazole; 1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) -1,3 , 4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-1, 2, 4-triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4 -yl) -1 , 3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2' -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10-di (naphthalen-2-yl) -anthracene; 2 , 7-Bis (2- (2, 2 ' - bipyridine-6-yl) -1, 3 , 4-oxadiazo-5-yl] -9, 9-dimethylfluorene; 1, 3-Bis [ 2 - (4-tert-butylphenyl) -1, 3,4 -oxadiazo-5-ylJ benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4 , 7-diphenyl-1, 10-phenanthroline; 2,9- Bis (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-1, 10-phenanthroline; Tris (2 , 4 , 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl) borane; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen-2-yl)phenyl) -1H-imidazo (4 , 5- f) (1, 10] phenanthroline; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;

Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide;

Perylentetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer

Silacyclopentadieneinheit .

Die Elektroneninjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm.

Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können entsprechende Zwischenschichten zwischen den organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten

ausgebildet sein. Die organischen funktionellen

Schichtenstruktur-Einheiten können jeweils einzeln für sich gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ausgebildet sein. Die Zwischenschicht kann als eine Zwischenelektrode ausgebildet sein. Die Zwischenelektrode kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode

beispielsweise ein drittes elektrisches Potential

bereitstellen. Die Zwischenelektrode kann jedoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist.

Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. Die Leuchtdiode 1 kann optional weitere funktionale Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten oder auf oder über der

Elektronentransportschicht . Die weiteren funktionalen

Schichten können beispielsweise interne oder extern Ein- /Auskoppelstrukturen sein, die die Funktionalität und damit die Effizienz der Leuchtdiode 1 weiter verbessern können.

Die zweite Elektrodenschicht 23 kann gemäß einer der

Ausgestaltungen der ersten Elektrodenschicht 20 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrodenschicht 20 und die zweite Elektrodenschicht 23 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrodenschicht 23 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die zweite

Elektrodenschicht 23 kann einen zweiten elektrischen

Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches

Potential anlegbar ist. Optional kann die zweite

Slektrodenschicht 23 segmentiert sein. Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen

Energiequelle bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential. Das zweite elektrische Potential kann

unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.

Die Verkapselungsschicht 24 kann auch als

Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die

Verkapselungsschicht 24 kann als transluzente oder

transparente Schicht ausgebildet sein. Die

Verkapselungsschicht 24 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. In anderen Worten ist die Verkapselungsschicht 24 derart ausgebildet, dass sie von Stoffen, die die Leuchtdiode 1 schädigen können, beispielsweise Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel, nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Die Verkapselungsschicht 24 kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine

Schichtstruktur ausgebildet sein.

Die Verkapselungsschicht 24 kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid,

Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid,

Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid,

Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p-phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben.

Die Verkapselungsschicht 24 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm

aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise ungefähr 40 nm.

Die Verkapselungsschicht 24 kann ein hochbrechendes Material aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material (ien) mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem

Brechungsindex von 1,5 bis 3, beispielsweise von 1,7 bis 2,5, beispielsweise von 1,8 bis 2.

Gegebenenfalls kann die erste Barriereschicht auf dem Träger 12 korrespondierend zu einer Ausgestaltung der

Verkapselungsschicht 24 ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , z.B. eines plasmaunterstützten

Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen

Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer

Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen

Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition (CVD) ) , z.B. eines plasmaunterstützten

Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)) oder eines plasmalosen

Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer

geeigneter Abscheideverfahren.

Optional kann eine Ein- oder Auskoppelschicht beispielsweise als externe Folie (nicht dargestellt) auf dem Träger 12 oder als interne AuskoppelSchicht (nicht dargestellt) im

Schichtenquerschnitt der Leuchtdiode 1 ausgebildet sein. Die Ein-/Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein-/Auskoppelschicht größer ist als der mittlere

Brechungsindex der Schicht, aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten ausgebildet sein.

Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise Klebstoff und/oder Lack aufweisen, mittels dessen der Abdeckkörper 38 beispielsweise auf der Verkapselungsschicht 24 angeordnet, beispielsweise aufgeklebt, ist. Die Haftmittelschicht 36 kann transparent oder transluzent ausgebildet ein. Die

Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch kann die Haftmittelschicht 36 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen. Als Iichtstreuende Partikel können dielektrische

Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem

Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (Si02) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga20x) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der Haftmittelschicht 36

verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel, Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel, oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein. Die Haftmittelschicht 36 kann eine Schichtdicke größer 1 pm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren pm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff ein Laminations-Klebstoff sein. Die Haftmittelschicht 36 kann einen Brechungsindex aufweisen, der kleiner ist als der Brechungsindex des Abdeckkörpers 38. Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise einen

niedrigbrechenden Klebstoff aufweisen, wie beispielsweise ein Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. Die Haftmittelschicht 36 kann jedoch auch einen

hochbrechenden Klebstoff aufweisen, der beispielsweise hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und der einen schichtdickengemittelten Brechungsindex aufweist, der

ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch

funktionellen Schichtenstruktur 22 entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,6 bis 2,5, beispielsweise von 1 , 7 bis ungefähr 2,0.

Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine sogenannte

Getter-Schicht oder Getter-Struktur, d.h. eine lateral strukturierte Getter-Schicht, (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter-Schicht kann transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein. Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Stoffe, die

schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet. Eine Getter-Schicht kann beispielsweise ein Zeolith- Derivat aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Getter- Schicht kann eine Schichtdicke größer 1 pm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren pm. In

verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter-Schicht einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder in der

Haftmittelschicht 36 eingebettet sein. Der Abdeckkörper 38 kann beispielsweise von einem Glaskörper, einer Metallfolie oder einem abgedichteten Kunststofffolien- abdeckkörper gebildet sein. Der Abdeckkörper 38 kann

beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen

Randbereichen der Leuchtdiode 1 auf der Verkapselungsschicht 24 bzw. dem aktiven Bereich angeordnet sein. Der Abdeckkörper 38 kann beispielsweise einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von beispielsweise 1,3 bis 3, beispielsweise von 1,4 bis 2, beispielsweise von 1,5 bis 1,8 aufweisen.

Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen

Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann die Leuchtdiode 1 mehr oder weniger Leuchtdiodenelemente 50, 52 aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann die

optoelektronische Baugruppe mehr oder weniger Leuchtdioden 1, Leuchtdiodenelemente 50, 52 und/oder entsprechende

Schaltkreise aufweisen. Ferner können anstatt der Leuchtdiode 1 mit den Leuchtdiodenelementen 50, 52 bei allen

Ausführungsbeispielen die Leuchtdiodenelemente 50, 52 durch voneinander unabhängige Leuchtdioden 1 ersetzt werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist eine

optoelektronische Baugruppe auf: zumindest ein erstes

Leuchtdiodenelement 51, ein zweites Leuchtdiodenelement 52 und einen elektronischen Schaltkreis 40, wobei das erste Leuchtdiodenelement 51 und das zweite Leuchtdiodenelement 52 elektrisch parallel geschaltet sind, der elektronische

Schaltkreis 40 dazu ausgebildet ist, einen im Betrieb

fließenden elektrischen Strom durch das erste

Leuchtdiodenelement 51 mit einem im Betrieb fließenden elektrischen Strom durch das zweite Leuchtdiodenelement 52 zu vergleichen, und der elektronische Schaltkreis 40 dazu ausgebildet ist, abhängig von dem Vergleich mindestens eine elektrische Eigenschaft des ersten Leuchtdiodenelements 51 oder des zweiten Leuchtdiodenelements 52 zu erkennen. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die mindestens eine elektrische Eigenschaft ein Kurzschluss des

entsprechenden Leuchtdiodenelements 51, 52.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die mindestens eine elektrische Eigenschaft eine elektrische Leitfähigkeit des entsprechenden Leuchtdiodenelements 51, 52. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die mindestens eine elektrische Eigenschaft ein Stromfluss durch das entsprechende Leuchtdiodenelement 51, 52.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist der

elektronische Schaltkreis 40 dazu ausgebildet, bei einem Differenzbetrag der zu vergleichenden Ströme, der einen vorgegebenen Differenzbetrag überschreitet, die mindestens eine elektrische Eigenschaft zu erkennen. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist der

elektronische Schaltkreis 40 dazu ausgebildet, bei

Überschreiten eine elektrische Abschaltung eines der

Leuchtdiodenelemente 51, 52 und/oder der Baugruppe

auszulösen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist der

elektronische Schaltkreis 40 einen Summenstromwandler 44, eine Spule 45, eine erste elektrische Leitung 46 des ersten Leuchtdiodenelements 51 und eine zweite elektrische Leitung 47 des zweiten Leuchtdiodenelements 52 aufweist, wobei die Spule 45 um den Summenstromwandler 44 gewunden ist, die erste elektrische Leitung 51 und die zweite elektrische Leitung 52 durch den Summenstromwandler 44 geführt sind, und ein

Stromfluss der ersten elektrischen Leitung 51 und ein

Stromfluss der zweiten elektrischen Leitung 52 gegenläufig sind. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die

optoelektronische Baugruppe eine Mehrzahl von

Leuchtdiodenelementen 51, 52 auf, wobei der elektronische Schaltkreis 40 dazu ausgebildet ist, jeweils einen im Betrieb fließenden elektrischen Strom durch jedes Leuchtdiodenelement 51, 52 zu bestimmen und die Ströme der Leuchtdiodenelemente 51, 52 miteinander zu vergleichen, und der elektronische Schaltkreis 40 dazu ausgebildet ist, abhängig von dem

Vergleich eine elektrische Abschaltung eines der

Leuchtdiodenelemente 51, 52 und/oder der Baugruppe

auszulösen.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen sind das erste Leuchtdiodenelement 51 und das zweite Leuchtdiodenelement 52 monolithisch auf einem gemeinsamen Substrat abgeschieden.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen sind das erste Leuchtdiodenelement 51 und das zweite Leuchtdiodenelement 52 übereinander gestapelt oder lateral nebeneinander angeordnet.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen werden bei einem Verfahren zum Erkennen einer elektrischen Eigenschaft eines ersten Leuchtdiodenelements 51 oder eines zweiten

Leuchtdiodenelements 52 das erste Leuchtdiodenelement 51 und das zweite Leuchtdiodenelement 52 elektrisch parallel

betrieben, und ein im Betrieb fließender elektrischer Strom durch das erste Leuchtdiodenelement 51 wird mit einem im Betrieb fließenden elektrischen Strom durch das zweite

Leuchtdiodenelement 52 mittels eines elektronischen

Schaltkreises 40 verglichen, und die elektrische Eigenschaft wird abhängig von dem Vergleich erkannt.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird als die elektrische Eigenschaft ein Kurzschluss des ersten

Leuchtdiodenelements 51 oder des zweiten Leuchtdiodenelements 52 erkannt. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird der

Kurzschluss erkannt, im Falle, dass ein Differenzbetrag der verglichenen Ströme einen vorgegebenen Differenzbetrag überschreitet .

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird bei dem

Überschreiten des vorgegebenen Differenzbetrags eine

elektrische Abschaltung zumindest eines der

Leuchtdiodenelemente 51, 52 ausgelöst.

Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird jeweils ein im Betrieb fließender elektrischer Strom durch mehrere

Leuchtdiodenelemente 51, 52 mittels des elektronischen

Schaltkreises 40 bestimmt, die Ströme der

Leuchtdiodenelemente 51, 52 werden mittels des elektronischen Schaltkreises 40 miteinander verglichen, und abhängig von dem Vergleich werden eines oder mehrere der Leuchtdiodenelemente 51, 52 elektrisch abgeschaltet.