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Title:
OPTOELECTRONIC ASSEMBLY AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC ASSEMBLY
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2016/008743
Kind Code:
A1
Abstract:
An optoelectronic assembly (100) is provided in various embodiments. The optoelectronic assembly (100) has an optoelectronic component (110) having a planar light source (102, 402, 404, 502, 504, 506) on a substrate (106). The planar light source (102, 402, 404, 502, 504, 506) is designed to emit a light (108, 118), and the substrate (106) is at least partially permeable to the light (108, 118) emitted by the planar light source (102, 402, 404, 502, 504, 506). The optoelectronic component (110) has at least a first main emission surface (112) and a second main emission surface (114). The optoelectronic assembly (100) has a reflective structure (120), wherein the reflective structure (120) is arranged at least partially in the beam path of the light (108, 118) emitted by the planar light source (102, 402, 404, 502, 504, 506) and is designed to reflect, in the direction of the substrate (106), at least part of the light (108) incident on the reflective structure (120) so that the reflected light (116) is emitted through the substrate (106), and wherein the reflective structure (120) and the optoelectronic component (110) are arranged at a distance (124) from each other in a range of approximately 1 mm to approximately 1000 mm.

Inventors:
FLEISSNER ARNE (DE)
RIEDEL DANIEL (DE)
RIEGEL NINA (DE)
SCHARNER SILKE (DE)
ROSENBERGER JOHANNES (DE)
WEHLUS THOMAS (DE)
Application Number:
PCT/EP2015/065226
Publication Date:
January 21, 2016
Filing Date:
July 03, 2015
Export Citation:
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Assignee:
OSRAM OLED GMBH (DE)
International Classes:
F21V7/00; F21V7/05; H01L51/52; F21Y105/00
Domestic Patent References:
WO2013104471A12013-07-18
Foreign References:
EP1406474A12004-04-07
EP2461208A12012-06-06
US20120268932A12012-10-25
Other References:
None
Attorney, Agent or Firm:
Viering, Jentschura & Partner (DE)
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Claims:
Optoelektronische Baugruppe (100) , aufweisend:

• ein optoelektronisches Bauelement (110) mit einer

Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) auf einem Substrat (106) ,

o wobei die Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) zum Emittieren eines Lichtes (108, 118) eingerichtet ist, und

o wobei das Substrat (106) wenigstens teilweise

durchlässig ausgebildet ist für das von der

Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) emittierte Licht (108, 118);

• wobei das optoelektronische Bauelement (110)

wenigstens eine erste Hauptemissionsfläche (112) und eine zweite Hauptemissionsfläche (114) aufweist, wobei die zweite Hauptemissionsfläche (114) der ersten Hauptemissionsfläche (112) gegenüberliegt; und

• eine reflektierende Struktur (120), wobei die

reflektierende Struktur (120) wenigstens teilweise in dem Strahlengang des von der Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) emittierten Lichts (108, 118) angeordnet ist und eingerichtet ist, zumindest einen Teil des auf der reflektierenden Struktur (120) auftreffenden Lichtes (108) in Richtung des Substrats (106) zu reflektieren, so dass ein lateral versetztes Abbild der Flächenlichtquelle erzeugbar ist;

• wobei die reflektierende Struktur (120) und das

optoelektronische Bauelement (110) in einem Abstand (124) voneinander angeordnet sind in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 1000 mm. Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 1, wobei die Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) wenigstens teilweise durchlässig für das von der reflektierenden Struktur (120) reflektierte Licht (116) ist.

Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 1 oder 2,

wobei die Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) als ein einseitig lichtemittierendes Bauelement ausgebildet ist.

Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß einem der

Ansprüche 1 bis 3,

wobei die Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) als ein wenigstens bidirektional lichtemittierendes Bauelement ausgebildet ist.

Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß einem der

Ansprüche 1 bis 4,

wobei das optoelektronische Bauelement (110) auf dem Substrat (106) wenigstens eine erste Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) und eine zweite

Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) aufweist, wobei die erste Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) ein erstes Licht emittiert und die zweite Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) ein zweites Licht emittiert, wobei die erste

Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) in einem ersten Abstand neben und/oder über der zweiten Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) auf dem Substrat (106) angeordnet ist. Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 5, wobei das erste Licht sich in wenigstens einer

Eigenschaft von dem zweiten Licht unterscheidet, vorzugsweise dem Farbort, der Helligkeit, der Sättigung und/oder dem Farb-Bin.

Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 5 oder 6,

wobei die erste Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) derart ausgebildet ist, dass das erste Licht in die erste Hauptemissionsfläche (112) emittiert wird und die zweite Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) derart ausgebildet ist, das zweite Licht in die zweite Hauptemissionsfläche (114) emittiert.

Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß einem der

Ansprüche l bis 7,

wobei das Substrat (106) teilweise reflektierend ausgebildet ist für auftreffendes Licht, vorzugsweise für das von der reflektierenden Struktur (120)

reflektierte Licht (116) ; vorzugsweise als ein

teildurchlässiger Spiegel .

Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß einem der

Ansprüche 1 bis 8,

wobei die reflektierende Struktur (120) wenigstens teilweise durchlässig ausgebildet ist für zumindest einen Teil des auf die reflektierende Struktur (120) auftreffenden Lichtes (108) , vorzugsweise als ein teildurchlässiger Spiegel ausgebildet ist. Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß einem der

Ansprüche 1 bis 9, ferner aufweisend:

eine wenigstens teilweise durchlässige Struktur (702) , die im Strahlengang des emittierten Lichts (118, 116) zwischen einer Bildebene (130) der optoelektronischen Baugruppe (100) und dem optoelektronischen Bauelement (110) angeordnet ist; wobei die teilweise durchlässige Struktur (702) wenigstens teilweise durchlässig ist für Licht, das von der Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) und/oder der reflektierenden Struktur (120) auf die teilweise durchlässige Struktur (702) auftrifft .

Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß Anspruch 10, wobei die teilweise durchlässige Struktur (702) so ausgebildet und angeordnet ist, dass wenigsten ein Teil des von der Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) und/oder der reflektierenden Struktur (120) auf die teilweise durchlässige Struktur (702) auftreffende Licht reflektiert wird, vorzugsweise als ein teildurchlässiger Spiegel ausgebildet ist.

Optoelektronische Baugruppe (100) gemäß einem der

Ansprüche 10 oder 11,

wobei die Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) wenigstens eine wenigstens teilweise reflektierende Elektrode (210, 214) aufweist, wobei die wenigstens teilweise reflektierende Elektrode (210, 214) zum

Reflektieren des von der Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) emittierten Lichts (108, 118) ausgebildet ist, wobei die wenigstens teilweise

reflektierende Elektrode (210, 214) wenigstens ein Teil der reflektierenden Struktur (120) ist. Verfahren (300) zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe (100) , das Verfahren (300) aufweisend:

• ein Ausbilden (302) eines optoelektronischen

Bauelements mit einer Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) auf einem Substrat (106), o wobei die Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) zum Emittieren eines Lichtes (108, 118) ausgebildet wird, und

o wobei das Substrat (106) wenigstens teilweise

durchlässig ausgebildet ist für das von der

Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) emittierte Licht;

• wobei das optoelektronische Bauelement (110) derart ausgebildet wird, dass es wenigstens eine erste

Hauptemissionsfläche (112) und eine zweite

Hauptemissionsfläche (114) aufweist, wobei die zweite Hauptemissionsfläche (114) der ersten

Hauptemissionsfläche (112) gegenüberliegt;

• ein Ausbilden (304) einer reflektierenden Struktur (120) und ein Anordnen (306) der reflektierende

Struktur (120) derart, dass die reflektierende

Struktur (120) wenigstens teilweise in dem

Strahlengang des von der Flächenlichtquelle (102, 402, 404, 502, 504, 506) emittierten Lichts (108, 118) angeordnet ist und eingerichtet ist, zumindest einen Teil des auf der reflektierenden Struktur (120) auftreffenden Lichtes (108) in Richtung des Substrats (106) zu reflektieren, so dass das reflektierte Licht (116) durch das Substrat (106) hindurch emittiert wird, so dass ein lateral versetztes Abbild der

Flächenlichtquelle erzeugbar ist; und

• wobei die reflektierende Struktur (120) und das

optoelektronische Bauelement (110) in einem Abstand (124) voneinander angeordnet werden in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 1000 mm.

Verfahren (300) gemäß Anspruch 13,

wobei das Ausbilden (304) des optoelektronischen

Bauelements (110) ein Segmentieren einer

Flächenlichtquelle (102) in wenigstens eine erste

Flächenlichtquelle (102) und eine zweite

Flächenlichtquelle (402, 404) aufweist, vorzugsweise ein Strukturieren wenigstens einer elektrisch leitfähigen Schicht der Flächenlichtquelle (102) .

15. Verfahren (300) gemäß Anspruch 13 oder 14,

wobei das optoelektronische Bauelement (110) auf oder über der reflektierenden Struktur (120) aufgeklebt ist.

Description:
Beschreibung

Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe

Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Baugruppe und ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen

Baugruppe . In verschieden Anwendungen, beispielsweise im Automotive- Bereich, sind flache Flächenlichtquellen erwünscht, die für einen Beobachter eine Tiefen- oder Raumwirkung aufweisen.

Herkömmliche Flächenlichtquelle weisen keine Raumwirkung oder Tiefenwirkung auf. Zur Erzeugung einer Raumwirkung bei einer Flächenlichtquelle ist eine Bauteiltiefe notwendig, die die Flächenlichtquelle für eine Vielzahl an Anwendungen, in denen flache Bauteilen benötigt werden, ungeeignet werden lässt. Die Aufgabe der Erfindung ist eine optoelektronische

Baugruppe mit einer verbesserten Tiefen- oder Raumwirkung bereitzustellen. Dadurch können aus flachen organischen

Leuchtdioden-Strukturen Lichtmuster oder gesamte Leuchten mit Tiefenwirkung und/oder 3D-Effekten bereitgestellt werden.

Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch eine optoelektronische Baugruppe, die ein

optoelektronisches Bauelement und eine reflektierende

Struktur aufweist. Das optoelektronische Bauelement weist eine Flächenlichtquelle auf einem Substrat auf. Die

Flächenlichtquelle ist zum Emittieren eines Lichtes

eingerichtet. Das Substrat ist wenigstens teilweise

durchlässig ausgebildet für das von der Flächenlichtquelle emittierte Licht. Das optoelektronische Bauelement weist wenigstens eine erste Hauptemissionsfläche und eine zweite Hauptemissionsfläche auf. Die reflektierende Struktur ist wenigstens teilweise in dem Strahlengang des von der

Flächenlichtquelle emittierten Lichts angeordnet und

eingerichtet, zumindest einen Teil des auf der

reflektierenden Struktur auftreffenden Lichtes in Richtung des Substrats zu reflektieren, so dass das reflektierte Licht durch das Substrat hindurch emittiert wird. Die

reflektierende Struktur und das optoelektronische Bauelement sind in einem Abstand voneinander angeordnet in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 1000 mm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 3 mm bis ungefähr 100 mm,

beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 mm bis

ungefähr 75 mm.

Die zweite Hauptemissionsfläche kann der ersten

Hauptemissionsfläche gegenüberliegen. Das Substrat und die reflektierende Struktur bilden eine optische Kavität aus.

Das durch das Substrat hindurch emittierte Licht weist einen lateralen Abstand zu dem direkt von der Flächenlichtquelle emittierten Licht auf. Dadurch kann anschaulich ein lateral versetztes Abbild der Flächenlichtquelle erzeugt werden, wodurch in der Bildebene eine Raumwirkung und/oder

Tiefenwirkung erzeugt wird. Die Emission des reflektierten Licht durch das Substrat des optoelektronischen Bauelements und der Abstand der reflektierenden Struktur zu dem

optoelektronischen Bauelement ermöglichen somit, dass in einer zweidimensionalen Leuchtstruktur ein dreidimensionaler Effekt hervorgerufen werden kann. Der Tiefeneindruck kann um ein Vielfaches höher sein als die bauliche Tiefe. Weiterhin weist das Substrat einen optisch inaktiven Bereich neben der Flächenlichtquelle auf. Dadurch kann das

reflektierte Licht neben der Flächenlichtquelle durch das Substrat hindurch emittiert werden. Das Abbild der

Flächenlichtquelle neben der direkten Emission der

Flächenlichtquelle vermittelt in der Bildebene der

optoelektronischen Baugruppe die Tiefenwirkung und/oder

Raumwirkung. Der Anteil des optisch inaktiven Bereichs neben der Flächenlichtquelle ist in einem Bereich von ungefähr 5 % bis ungefähr 90 %, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 % bis 80 %, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 % bis 60 %.

Gemäß einer Weiterbildung ist die Flächenlichtquelle

wenigstens teilweise durchlässig für das von der

reflektierenden Struktur reflektierte Licht. Dies ermöglicht, dass die Struktur der reflektierenden Struktur durch die Flächenlichtquelle hindurch sichtbar ist. Dadurch kann ein auf der reflektierenden Struktur dargestelltes Muster oder eine auf der reflektierenden Struktur dargestellte

Information in der Bildebene sichtbar sein. Die Überlagerung des reflektierten mit dem in der Flächenlichtquelle

emittierten Licht kann zu einer Tiefenwirkung führen. Gemäß einer Weiterbildung ist die Flächenlichtquelle als ein einseitig lichtemittierendes Bauelement ausgebildet. Dies ermöglicht, dass die Leuchtdichte des optoelektronischen Bauelementes auf einfache Weise erhöht werden kann,

beispielsweise indem die Flächenlichtquelle zu einer

einseitigen Emission hin in ihrer Effizienz optimiert wird. Beispielsweise kann die Flächenlichtquelle eine hoch

reflektierende Elektrode aufweisen. Weiterhin wird dadurch ermöglicht, dass optische Effekte durch hohe Kontraste und Abschattungen beim Betrachten der Baugruppe genutzt werden können. Diese Effekte können beim Betrachten der Baugruppe zudem Winkelabhängig sein, da sich durch Verkippung die

Abstände zwischen Leuchtfläche und Spiegelfläche ändern.

Gemäß noch einer Weiterbildung ist die Flächenlichtquelle als ein wenigstens bidirektional lichtemittierendes Bauelement ausgebildet. Dies ermöglicht, dass eine optoelektronische Baugruppe mit einer Tiefenwirkung und/oder Raumwirkung mittels einer einzigen Flächenlichtquelle und/oder mittels einer oder mehrerer Flächenlichtquelle/n auf einer einzigen Seite des Substrats realisiert werden können/kann.

Gemäß einer Weiterbildung weist das optoelektronische

Bauelement auf dem Substrat wenigstens eine erste

Flächenlichtquelle und eine zweite Flächenlichtquelle auf, wobei die erste Flächenlichtquelle ein erstes Licht emittiert und die zweite Flächenlichtquelle ein zweites Licht

emittiert. Die erste Flächenlichtquelle ist in einem ersten Abstand neben und/oder über der zweiten Flächenlichtquelle auf dem Substrat angeordnet.

Die erste Flächenlichtquelle in einem ersten Abstand neben der zweiten Flächenlichtquelle kann als eine segmentierte Flächenlichtquelle ausgebildet sein. Dies ermöglicht neue Designmöglichkeiten für die optoelektronische Baugruppe, beispielsweise ein Ineinanderwirken der Raumwirkungen

und/oder Tiefenwirkungen der ersten Flächenlichtquelle und der zweiten Flächenlichtquelle, beispielsweise ein räumlich wirkender Färb- und/oder Intensitätsgradient. Weiterhin kann es lateral auch zu nichtgraduellen segmentierten Effekten kommen. Die erste Flächenlichtquelle in einem ersten Abstand über der zweiten Flächenlichtquelle kann als eine Rücken-an-Rücken- Anordnung ausgebildet sein. Dies ermöglicht auf einfache Weise ein Verwenden von einseitig lichtemittierenden

Flächenlichtquellen in bidirektional emittierenden

optoelektronischen Bauelementen. Dadurch kann das Herstellen der optoelektronischen Baugruppe vereinfacht werden.

Gemäß einer Weiterbildung unterscheidet sich das erste Licht in wenigstens einer Eigenschaft von dem zweiten Licht, beispielsweise dem Farbort, der Helligkeit, der Sättigung und/oder dem Farb-Bin und/oder der winkelabhängigen

Abstrahlchateristik. Dies ermöglicht lateral in der Bildebene der optoelektronischen Baugruppe neue Designmöglichkeiten für die Raumwirkung und/oder Tiefenwirkung. Beispielsweise können nebeneinander angeordnete Flächenlichtquellen mit

unterschiedlichen Farb-Bin einen lateralen Farbgradienten darstellen. Alternativ oder zusätzlich können bei

übereinander angeordneten Flächenlichtquellen auf einfache Weise ein Farbgradient in der Raumwirkung oder Tiefenwirkung realisiert werden. Beispielsweise emittiert die erste

Lichtquelle das direkt, das heißt optisch aktiv, von der ersten Hauptemissionsfläche emittierte Licht; und die zweite Lichtquelle das von der reflektierenden Struktur reflektierte und durch das Substrat hindurch emittierte Licht. Dadurch kann in der Bildebene die zweite Flächenlichtquelle als scheinbares räumlich tieferliegendes Abbild der ersten

Flächenlichtquelle ein Licht einer anderen Intensität, eines anderen Farbortes, beispielsweise eins anderen Farb-Bins; und/oder einer anderen Polarisation aufweisen als die erste Flächenlichtquelle . Die erste Flächenlichtquelle kann derart ausgebildet sein, dass das erste Licht in die erste Hauptemissionsfläche emittiert wird; und die zweite Flächenlichtquelle derart ausgebildet, dass das zweite Licht in die zweite

Hauptemissionsfläche emittiert wird. Dies ermöglicht, dass auf einfache Weise ein optischer Unterschied in dem direkt emittierten Licht und dem reflektiert emittierten Licht, das heißt dem Abbild der direkt emittierenden Flächenlichtquelle realisiert werden kann.

Gemäß noch einer Weiterbildung ist das Substrat teilweise reflektierend ausgebildet für auftreffendes Licht,

beispielsweise für das von der reflektierenden Struktur reflektierte Licht; beispielsweise als ein teildurchlässiger Spiegel. Dies ermöglicht, dass das von dem Substrat

reflektierte Licht wenigstens teilweise zur reflektierenden Struktur hin reflektiert wird. Dieses Licht wird wiederum von der reflektierenden Struktur zum Substrat hin umgelenkt und teilweise durch das Substrat hindurch emittiert. Dieses transmittierte Licht weist einen größeren Abstand zu der

Flächenlichtquelle auf als das Licht, das lediglich ein Mal von der reflektierenden Struktur reflektiert und durch das Substrat hindurch emittiert wird. Mittels der Reflektivität des Substrates kann somit auf einfache Weise die Raumwirkung und/oder Tiefenwirkung der optoelektronischen Baugruppe eingestellt werden.

Gemäß einer Weiterbildung ist die reflektierende Struktur wenigstens teilweise durchlässig ausgebildet für zumindest einen Teil des auf der reflektierenden Struktur auftreffenden Lichtes. Beispielsweise ist die reflektierende Struktur als ein teildurchlässiger Spiegel ausgebildet. Dies ermöglicht, dass die optoelektronische Baugruppe auf einfache Weise als ein beidseitig emittierende optoelektronische Baugruppe und/oder eine transparente optoelektronische Baugruppe ausgebildet werden kann. Gemäß einer Weiterbildung weist die optoelektronische

Baugruppe ferner eine wenigstens teilweise durchlässige Struktur auf. Die wenigstens teilweise durchlässige Struktur ist im Strahlengang des emittierten Lichts zwischen einer Bildebene der optoelektronischen Baugruppe und dem

optoelektronischen Bauelement angeordnet. Die teilweise durchlässige Struktur ist wenigstens teilweise durchlässig für Licht, das von der Flächenlichtquelle und/oder der reflektierenden Struktur auf die teilweise durchlässige Struktur auftrifft. Die wenigstens teilweise durchlässige Struktur wirkt als ein mechanischer Schutz für das

optoelektronische Bauelement vor Biegungen oder

Verkratzungen. Die teilweise durchlässige Struktur ist beispielsweise die Abdeckung des optoelektronischen

Bauelementes .

Gemäß einer Weiterbildung ist die teilweise durchlässige Struktur ausgebildet und angeordnet derart, dass wenigstens ein Teil des von der Flächenlichtquelle und/oder der

reflektierenden Struktur auf die teilweise durchlässige Struktur auftreffende Licht reflektiert wird. Die teilweise durchlässige Struktur ist beispielsweise als ein

teildurchlässiger Spiegel oder teiltransparenter Spiegel ausgebildet. Das auf die teilweise durchlässige Struktur auftreffende Licht wird in Richtung des Substrates und/oder der reflektierenden Struktur reflektiert. Von dem Substrat und/oder der reflektierenden Struktur wird dieses Licht wiederum wenigstens teilweise zurück in Richtung wenigstens teilweise durchlässige Struktur reflektiert. Mit anderen Worten: Von der teilweise durchlässigen Struktur wird ein Teil des Lichts zur reflektierenden Struktur hin umgelenkt. Dieses Licht wird wiederum zur teilweise durchlässigen

Struktur hin umgelenkt und teilweise durch das Substrat hindurch emittiert. Dadurch kann auf einfache Weise die

Raumwirkung und/oder Tiefenwirkung der optoelektronischen Baugruppe eingestellt werden.

Gemäß einer Weiterbildung weist die Flächenlichtquelle wenigstens eine wenigstens teilweise reflektierende Elektrode auf. Die wenigstens teilweise reflektierende Elektrode ist zum Reflektieren des von der Flächenlichtquelle emittierten Lichts ausgebildet. Die wenigstens teilweise reflektierende Elektrode ist wenigstens ein Teil der reflektierenden

Struktur. Dies ermöglicht ein einfaches Ausbilden der

reflektierenden Struktur. Der Abstand zwischen dem

optoelektronischen Bauelement und der reflektierenden

Struktur wird in diesem Fall mittels des Abstandes des optoelektronischen Bauelementes zur wenigstens teilweise durchlässigen Struktur einstellbar.

Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer

optoelektronischen Baugruppe, bei dem das Verfahren ein

Ausbilden eines optoelektronischen Bauelements mit einer Flächenlichtquelle auf einem Substrat aufweist. Die

Flächenlichtquelle wird zum Emittieren eines Lichtes

ausgebildet. Das Substrat ist wenigstens teilweise

durchlässig ausgebildet für das von der Flächenlichtquelle emittierte Licht. Das optoelektronische Bauelement wird derart ausgebildet, dass es wenigstens eine erste

Hauptemissionsfläche und eine zweite Hauptemissionsfläche aufweist. Weiterhin weist das Verfahren ein Ausbilden einer reflektierenden Struktur und ein Anordnen der reflektierenden Struktur auf derart, dass die reflektierende Struktur

wenigstens teilweise in dem Strahlengang des von der

Flächenlichtquelle emittierten Lichts angeordnet ist und eingerichtet ist, zumindest einen Teil des auf der

reflektierenden Struktur auftreffenden Lichtes in Richtung des Substrats zu reflektieren, so dass das reflektierte Licht durch das Substrat hindurch emittiert wird. Die

reflektierende Struktur und das optoelektronische Bauelement werden in einem Abstand voneinander angeordnet in einem

Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 1000 mm,

beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 3 mm bis

ungefähr 100 mm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 mm bis ungefähr 75 mm.

Die zweite Hauptemissionsfläche kann der ersten

Hauptemissionsfläche gegenüberliegen. Das Anordnen der reflektierenden Struktur in einem Abstand in einem Bereich von 1 mm bis 1000 mm über dem optoelektronischen Bauelement ermöglicht, dass das reflektierte Licht neben der

Flächenlichtquelle sichtbar wird. Dadurch kann auf einfache Weise eine Flächenlichtquelle mit einer Raumwirkung oder Tiefenwirkung realisiert werden. Gemäß einer Weiterbildung weist das Ausbilden des

optoelektronischen Bauelements ein Segmentieren einer

Flächenlichtquelle in wenigstens eine erste

Flächenlichtquelle und eine zweite Flächenlichtquelle auf, beispielsweise ein Strukturieren wenigstens einer elektrisch leitfähigen Schicht der Flächenlichtquelle. Dies ermöglicht, dass auf einfache Weise eine Flächenlichtquelle mit mehreren lichtemittierenden Segmenten mit Tiefenwirkung und/oder

Raumwirkung hergestellt werden kann. Gemäß einer Weiterbildung ist das optoelektronische

Bauelement auf oder über der reflektierenden Struktur aufgeklebt . Dies ermöglicht, dass der Abstand zwischen der

reflektierenden Struktur und dem optoelektronischen

Bauelement auf einfache Weise bezüglich mechanischer

Erschütterungen fixiert werden kann. Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.

Es zeigen: Figur l eine schematisch Schnittdarstellung eines

Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen

Baugruppe ;

Figur 2 eine schematisch Schnittdarstellung eines

Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen

Bauelementes der optoelektronischen Baugruppe;

Figur 3 ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines

Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe;

Figur 4 eine schematische Darstellung einer Weiterbildung eines optoelektronischen Bauelementes der optoelektronischen Baugruppe;

Figur 5 eine schematische Darstellung einer Weiterbildung eines optoelektronischen Bauelementes der optoelektronischen Baugruppe; Figur 6 eine schematische Darstellung einer Weiterbildung der optoelektronischen Baugruppe;

Figur 7 eine schematische Darstellung einer Weiterbildung der optoelektronischen Baugruppe;

Figur 8 eine schematische Darstellung einer Weiterbildung der optoelektronischen Baugruppe; und Figur 9 eine schematische Darstellung einer Weiterbildung der optoelektronischen Baugruppe.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser

Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird

Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da

Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl

verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe

"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.

Ein optoelektronisches Bauelement kann ein, zwei oder mehr optoelektronische Bauelemente aufweisen. Optional kann eine optoelektronisches Baugruppe auch ein, zwei oder mehr

elektronische Bauelemente aufweisen. Ein elektronisches Bauelement kann beispielsweise ein aktives und/oder ein passives Bauelement aufweisen. Ein aktives elektronisches Bauelement kann beispielsweise eine Rechen-, Steuer- und/oder Regeleinheit und/oder einen Transistor aufweisen. Ein

passives elektronisches Bauelement kann beispielsweise einen Kondensator, einen Widerstand, eine Diode oder eine Spule aufweisen.

Ein optoelektronisches Bauelement kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein

elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle oder ein Fotodetektor sein. Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes

Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter- Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische

Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung

emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das

elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement

beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender

Transistor oder als organischer Licht emittierender

Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende

Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine

Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen

Gehäuse .

Eine Flächenlichtquelle erscheint innerhalb der

photometrischen Grenzentfernung als eine ebene Fläche, die diffus eine elektromagnetische Strahlung emittiert,

beispielsweise eine flächige organische Leuchtdiode und/oder ein Bildschirm. Für den Fall, dass die Bildebene der

optoelektronischen Baugruppe außerhalb der photometrischen Grenzentfernung liegt, erscheint die Flächenlichtquelle als eine Punkt1ichtque1le . In einer Weiterbildung ist die

Flächenlichtquelle eine Punktlichtquelle, insbesondere für den Fall, dass die Bildebene in einem Abstand zur ersten Hauptemissionsfläche angeordnet ist, der größer ist als die photometrische Grenzentfernung.

Die von der Flächenlichtquelle emittierte elektromagnetische Strahlung kann von einem oder mehreren optischen Bauelementen kollimiert oder fokussiert werden, so dass ein gerichteter Strahl ausgebildet wird.

Wenigstens eine der nachfolgenden Strukturen ist teilweise durchlässig und/oder reflektierend ausgebildet für das von der Flächenlichtquelle emittierte Licht: das Substrat, die reflektierende Struktur, die teilweise durchlässige Struktur. Dadurch wird ein Teil der auf die jeweilige Struktur

auftreffenden elektromagnetischen Strahlung reflektiert und ein anderer Teil tritt durch die die Struktur hindurch.

Bei den oben genannten teilweise durchlässigen Strukturen wird bezüglich der Intensität der auf die Struktur

auftreffenden elektromagnetischen Strahlung - in Abhängigkeit von der Wellenlänge, der Polarisation und/oder dem

Einfallswinkel der auftreffenden elektromagnetischen

Strahlung - ein Anteil in einem Bereich von ungefähr 10 % bis ungefähr 95 % durch die Struktur hindurch gelassen,

beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 25 % bis

ungefähr 90 %, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 45 % bis ungefähr 85 %.

Bei den oben genannten teilweise reflektierenden Struktur wird bezüglich der Intensität der auf die Struktur

auftreffenden elektromagnetischen Strahlung - in Abhängigkeit von der Wellenlänge, der Polarisation und/oder dem

Einfallswinkel der auftreffenden elektromagnetischen

Strahlung - ein Anteil in einem Bereich von ungefähr 10 % bis ungefähr 95 % von der Struktur reflektiert, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 25 % bis ungefähr 90 %,

beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 45 % bis

ungefähr 85 %. Eine Hauptemissionsfläche eines optoelektronischen

Bauelementes ist ein flächiger Bereich des optoelektronischen Bauelementes, von dem ein wesentlicher Teil der emittierten elektromagnetischen Strahlung emittiert wird, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 % bis ungefähr 100 % der Gesamtemission des optoelektronischen Bauelementes . Der

Bereich des optoelektronischen Bauelementes in der

Hauptemissionsfläche ist optisch aktiv und weist eine

elektrolumineszierende oder photolumineszierende Schicht auf. Alternativ ist der Bereich des optoelektronischen

Bauelementes in der Hauptemissionsfläche optisch passiv und ist transluzent oder transparent bezüglich der emittierten elektromagnetischen Strahlung. Die reflektierende Struktur oder eine wenigstens teilweise reflektierende Struktur reflektiert eine auf die

reflektierende Struktur auftreffende elektromagnetische

Strahlung. Eine reflektierende Struktur kann in verschiedenen Weiterbildungen als ein optisches Gitter, ein metallischer Spiegel bzw. Spiegel, ein photonischer Kristall oder eine totalreflektierende Grenzfläche ausgebildet sein. Eine

Spiegelstruktur ist vollständig oder teilweise reflektierend ausgebildet für elektromagnetische Strahlung eines

Wellenlängenbereiches und/oder einer Polarisation,

beispielsweise als eine teildurchlässige reflektierende

Struktur, beispielsweise als ein dichroitischer Spiegel. Die teildurchlässige reflektierende Struktur kann beispielsweise ein Teilerspiegel und/oder ein Einweg-Spiegel sein. Die teildurchlässige reflektierende Struktur kann beispielsweise einen Teil der auf sie auftreffenden bzw. einfallenden elektromagnetischen Strahlung reflektieren. Ein anderer Teil der einfallenden elektromagnetischen Strahlung tritt durch die teildurchlässige reflektierende Struktur hindurch. Auf einer Seite der reflektierenden Struktur kann ein

dielektrisches Schichtensystem vorgesehen sein. Zusätzlich oder alternativ ist auf der anderen Seite eine

reflexionsvermindernde vorgesehen. Alternativ oder zusätzlich zu dem dielektrischen Schichtensystem kann eine hoch

reflektierende Beschichtung zum Einsatz kommen,

beispielsweise eine sehr dünne Metallbeschichtung. Eine teilweise durchlässige und gleichzeitig teilweise

reflektierende Struktur ist beispielsweise als ein

dichroitischer Spiegel, ein photonischer Kristall oder ein

Einweg-Spiegel ausgebildet. Mit anderen Worten: eine der oben genannten strukturen kann für eine oder mehrere Wellenlängen, Polarisationsrichtungen oder Einfallsrichtungen der

elektromagnetischen Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, unterschiedliche Durchlässigkeit bzw. Transmission und/oder Reflektivitätskoeffizienten bzw. Reflexionsgrade aufweisen.

Die teilweise durchlässige Struktur und/oder das Substrat des optoelektronischen Bauelements sind in verschiedenen

Weiterbildungen gemäß einer der oben beschriebenen

Weiterbildungen der reflektierenden Struktur ausgebildet sein. Fig . 1 veranschaulicht eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen

Baugruppe .

Die optoelektronischer Baugruppe 100 weist ein

optoelektronisches Bauelement 110 und eine reflektierende Struktur 120 auf. Das optoelektronischen Bauelement 110 weist eine erste

Hauptemissionsfläche 112 und eine zweite Hauptemissionsfläche 114 auf. Die erste Hauptemissionsfläche 112 liegt der zweiten Hauptemissionsfläche 114 gegenüber.

Das optoelektronische Bauelement 110 weist wenigstens eine Flächenlichtquelle 102 auf einem Substrat 106 auf, wie ausführlicher unten noch beschrieben wird. Die

Flächenlichtquelle 102 ist zum Emittieren eines Lichtes ausgebildet, wie unten noch ausführlicher beschrieben wird. Das Substrat 106 ist wenigstens teilweise durchlässig für das von der Flächenlichtquelle 102 emittierte Licht ausgebildet.

Das optoelektronische Bauelement 110 ist derart ausgebildet, dass ein erstes Licht 118 von der ersten Hauptemissionsfläche 112 emittiert wird, und dass ein zweites Licht 108 von der zweiten Hauptemissionsfläche 114 emittiert wird.

Weiterhin weist die optoelektronische Baugruppe 100 eine reflektierende Struktur 120 mit einer für auftreffendes Licht reflektierenden Oberfläche 122 oder reflektierenden

Schichtenstruktur auf.

Die reflektierende Struktur 120 ist in einem Abstand zu der ersten Hauptemissionsfläche 112 und/oder der zweiten

Hauptemissionsfläche 114 angeordnet, beispielsweise

veranschaulicht in Fig.l mittels des Pfeils 124. Mittels des Abst nds 124 zwischen der zweiten Hauptemissionsfläche 114 und der reflektierenden Oberfläche 122 wird eine optische Kavität ausgebildet. In der optischen avität wird ein Teil des von der Flächenlichtquelle 102 von der zweiten

Hauptemissionsfläche 114 emittierten Lichts 108 geführt. Die reflektierende Struktur 120 ist derart bezüglich des optoelektronischen Bauelementes 110 angeordnet, dass das von der Flächenlichtquelle 102 emittierte Licht 108 von der ersten Hauptemissionsfläche 112 (siehe beispielsweise Fig.9) und/oder der zweiten Hauptemissionsfläche 114 auf der reflektierenden Struktur 120 auftrifft. Wenigstens ein Teil dieses Lichtes 108 wird an oder von der reflektierenden

Struktur 120 reflektiert in Richtung des Substrats 106 und durch das Substrat 106 hindurch in die Bildebene 130

emittiert, beispielsweise veranschaulicht in Fig. 1 mittels des Pfeils 116.

Das von dem optoelektronischen Bauelement 110 von der ersten Hauptemissionsfläche 112 emittierte Licht 116, 118 ist in der Bildebene 130 von einem Beobachter ermittelbar.

Der Abstand 124 zwischen der zweiten Hauptemissionsfläche 114 bzw. dem Substrat 106 und der reflektierenden Struktur 120 ist derart eingestellt, dass das von der reflektierenden Struktur 120 emittierte Licht 116 lateral versetzt neben dem direkt von der Flächenlichtquelle 102 in Richtung der

Bildebene 130 emittierten Lichts 118 in der Bildebene 130 sichtbar ist, beispielsweise als ein Doppelbild oder ein verschmiertes Abbild der der Flächenlichtquelle 102. Mittels der Hauptemissionsfläche 112, 114 und dem Abstand 124

zwischen dem optoelektronischen Bauelement 110 und der reflektierenden Struktur 120 wird zwischen dem direkt emittierten Licht 118 und dem mittels der Reflexion des auftreffenden Lichts 108 an der reflektierenden Struktur 120 und durch das Substrat 106 hindurch emittierte Licht 116 ein Abstand ausgebildet. Mittels des Abstandes erscheint für einen Beobachter in der Bildebene 130 die optoelektronische Baugruppe 100 dreidimensional, das heißt es entsteht ein Tiefeneindruck von der optoelektronischen Baugruppe 100.

Somit kann bei einer optoelektronischen Baugruppe 100 als eine relativ dünne flächige Lichtquelle 100 der Eindruck einer Raumwirkung für den Beobachter erzeugt werden. Dies ermöglicht neue Designoptionen für optoelektronische

Baugruppen 100.

Mit anderen Worten: Die Flächenlichtquelle 102 ist im Abstand 124 über der reflektierenden Struktur 120 angeordnet derart, dass das Substrat 106 und die reflektierende Struktur 120 eine optische Kavität ausbilden. Alternativ oder zusätzlich ist die optische Kavität mittels der Flächenlichtquellen 120 und der reflektierenden Struktur 120 ausgebildet. Der Abstand 124 zwischen der Flächenlichtquelle 102 und der

reflektierenden Struktur 120 sollte zur Erzielung der

Raumwirkung oder Tiefenwirkung derart eingerichtet sein , dass das von der Flächenlichtquelle 102emittierte Licht im Betrieb der optoelektronischen Baugruppe von dem von der reflektierenden Struktur 120 reflektierten Licht 116 optisch unterscheidbar ist. Dadurch wird das reflektiert-emittierte Licht 116 mit einem räumlichen Versatz zu dem direkt

emittierten Licht 118 emittierbar, wodurch eine Raumwirkung und/oder Tiefenwirkung ermöglicht wird. Mit anderen Worten: es wird eine optoelektronische Baugruppe 100 bereitgestellt, die ein optoelektronisches Bauelement 110 und eine reflektierende Struktur 120 aufweist. Das

optoelektronische Bauelement 110 weist eine

Flächenlichtquelle 102 auf einem Substrat 106 auf. Die

Flächenlichtquelle 102 ist zum Emittieren eines Lichtes 108, 118 eingerichtet. Das Substrat 106 ist wenigstens teilweise durchlässig ausgebildet für das von der Flächenlichtquelle 102 emittierte 108, 118 Licht. Das optoelektronische Bauelement 110 weist wenigstens eine erste

Hauptemissionsfläche 112 und eine zweite Hauptemissionsfläche 114 auf, wobei die zweite Hauptemissionsfläche 114 der ersten Hauptemissionsfläche 112 gegenüberliegt. Die reflektierende Struktur 120 ist wenigstens teilweise in dem Strahlengang des von der Flächenlichtquelle 102 emittierten Lichts 108 angeordnet und eingerichtet, zumindest einen Teil des auf der reflektierenden Struktur 120 auftreffenden Lichtes 108 in Richtung des Substrats 106 zu reflektieren, so dass das reflektierte Licht 116 durch das Substrat 106 hindurch emittiert wird. Die reflektierende Struktur 120 und das optoelektronische Bauelement 110 sind in einem Abstand 124 voneinander angeordnet in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 1000 mm; beispielsweise von ungefähr 1 mm bis ungefähr 200 mm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 3 mm bis ungefähr 100 mm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 mm bis ungefähr 75 mm.

Die erste Hauptemissionsrichtung 112 des optoelektronischen Bauelements 110 ist der reflektierenden struktur 120

abgewandt und die zweite Hauptemissionsrichtung 114 des optoelektronischen Bauelements 110 ist der reflektierenden Struktur 120 zugewandt. Das Substrat 106 ist ein Glasträger oder weist einen

Glasträger auf. In einer Weiterbildung weist das Substrat eine reflektierende Schicht auf. Die Schicht ist wenigstens für das von der Flächenlichtquelle emittierte Licht

durchlässig. Das Substrat 106 kann somit als ein teilweise durchlässiger Spiegel ausgebildet sein. In einer

Weiterbildung ist das Substrat 106 teilweise reflektierend ausgebildet für auftreffendes Licht, beispielsweise für das von der reflektierenden Struktur 120 reflektierte Licht 116. Beispielsweise ist das Substrat 106 als ein teildurchlässiger Spiegel ausgebildet.

In einer Weiterbildung weist die reflektierende Struktur 120 eine reflektierende Oberfläche 122 auf. Von der

reflektierenden Oberfläche 122 wird auftreffendes von der Flächenlichtquelle 102 emittiertes Licht 108 reflektiert. Alternativ oder zusätzlich weist die reflektierende Struktur 120 eine reflektierende Schichtenstruktur für wenigstens einen Teil des auftreffenden Lichts auf. Beispielsweise ist die reflektierende Schichtenstruktur in der Form eines photonischen Kristalls ausgebildet.

In einer Weiterbildung weist die reflektierende Struktur 120 eine Strukturierung auf, beispielsweise in Form einer

gekrümmten, geknickten, konkaven, konvexen, grabenförmigen und/oder linsenförmigen Strukturierung der reflektierenden Oberfläche 122 oder reflektierenden Schichtenstruktur.

Beispielsweise ist die reflektierende Struktur ein gebogener Spiegel . Dadurch kann eine optoelektronische Baugruppe 100 mit einem Linseneffekt realisiert werden.

In einer Weiterbildung ist die reflektierende Struktur 120 wenigstens teilweise durchlässig ausgebildet für zumindest einen Teil des auf der reflektierenden Struktur 120

auftreffenden Lichtes, beispielsweise in Form eines

teildurchlässigen Spiegels.

In einer Weiterbildung ist die reflektierende Struktur 120, das Substrat 106 und/oder die Flächenlichtquelle 102 derart ausgebildet, dass das reflektierte Licht 116 sich von dem direkt von der Flächenlichtquelle 102 emittierten Licht 118 in wenigstens einer Eigenschaft unterscheidet, beispielsweise in dem Farbort, der Helligkeit, der Sättigung und/oder dem Farb-Bin. Die reflektierende Struktur 120 und/oder das

Substrat weisen dazu beispielsweise einen

wellenlängenkonvertierenden Stoff auf, der die Wellenlänge des auftreffenden Lichts verändert. Die Flächenlichtquelle 102 ist beispielsweise ein bidirektional lichtemittierend ausgebildet oder weist eine Rücken-an-Rücken-Anordnung von einer ersten Flächenlichtquelle und einer zweiten

Flächenlichtquelle auf. Ein erstes Licht 118 wird von der ersten Flächenlichtquelle der Rücken-an-Rücken-Anordnung oder einer ersten Seite der bidirektionalen Flächenlichtquelle in eine erste Richtung emittiert, das heißt direkt in die

Bildebene 130 emittiert. Ein zweites Licht 108 wird von der zweiten Flächenlichtquelle der Rücken-an-Rücken-Anordnung oder einer zweiten Seite der bidirektionalen

Flächenlichtquelle in eine zweite Richtung emittiert, das heißt in Richtung der reflektierenden Struktur 120 emittiert. Die bidirektionale Flächenlichtquelle oder Flächenlichtquelle mit Rücken-an-Rücken-Anordnung kann derart ausgebildet sein, dass erste Licht unterschiedlich zu dem zweiten Licht ist.

Fig. 2 veranschaulicht eine schematisch Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen

Bauelementes 110 der optoelektronischen Baugruppe 100. Das optoelektronische Bauelement 110 entspricht weitgehend dem in Fig.l gezeigten optoelektronischen Bauelement 110.

Das optoelektronische Bauelement 110 weist ein hermetisch dichtes Substrat 106, einen aktiven Bereich 206 und eine Verkapselungsstruktur 226auf .

Das hermetisch dichte Substrat 106 weist einen Träger 202 und eine Barriereschicht 204 auf. Das hermetisch dichte Substrat 106 trägt den elektrisch aktiven Bereich 206 und schützt diesen vor einem Eindringen eines für den elektrisch aktiven Bereich 206 schädlichen Stoffs, beispielsweise Sauerstoff und/oder Wasserdampf. Der elektrisch aktive Bereich 206 weist eine erste Elektrode 210, eine organisch funktionelle Schichtenstruktur 212 und eine zweiten Elektrode 214 auf. Der aktive Bereich 206 ist ein elektrisch aktiver Bereich 206 und/oder ein optisch aktiver Bereich 206. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 110, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen

Bauelements 110 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt und/oder absorbiert wird. Die Verkapselungsstruktur 226 kann eine zweite

Barrieredünnschicht 208, eine VerbindungsSchicht 222 und eine Abdeckung 224 aufweisen. Die Verkapselungsstruktur 226 umgibt die elektrisch aktiven Bereich 206 und schützt diesen vor einem Eindringen eines für den elektrisch aktiven Bereich 206 schädlichen Stoffs, beispielsweise Sauerstoff und/oder

Wasserdampf .

Der Träger 202 weist Glas, Quarz, und/oder ein

Halbleitermaterial auf oder daraus gebildet. Alternativ oder zusätzlich weist der Träger eine Kunststofffolie oder ein

Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien auf oder ist daraus gebildet sein. Der Kunststoff ist ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) , Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) . Alternativ oder zusätzlich weist der Träger 202 ein Metall auf oder ist daraus gebildet, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen,

beispielsweise eine MetallVerbindung, beispielsweise Stahl.

Der Träger 202 kann als Wellenleiter für die

elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der

emittierten elektromagnetischen Strahlung.

Die Barriereschicht 204 ist auf oder über dem Träger 202 angeordnet auf der Seite des aktiven Bereichs 206 und/oder der dem aktiven Bereich 206 abgewandten Seite.

Die Barriereschicht 204 weist eines der nachfolgenden

Materialien auf oder ist daraus gebildet: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,

Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumdotiertes Zinkoxid, Poly (p-phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben.

Die Barriereschicht 204 wird mittels eines der folgenden Verfahren ausgebildet: ein Atomlagenabscheideverfahrens

(Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsweise eines

plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder ein

plasmaloses Atomlageabscheideverfahren ( Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD) ) ; ein chemisches

Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition

(CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunterstütztes

Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder ein plasmaloses

Gasphasenabscheideverfahren (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD)); oder alternativ mittels anderer

geeigneter Abscheideverfahren.

Die Barriereschicht 204 weist eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm auf,

beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung. Die Barriereschicht 204 ist optional, wenn der Träger 202 bereits hermetisch dicht ist, beispielsweise ein Glas, ein Metall oder ein Metalloxid aufweist oder daraus gebildet ist.

Die erste Elektrode 210 ist als Anode oder als Kathode ausgebildet. Die erste Elektrode 210 ist auf oder über dem Träger 202 und/oder der Barriereschicht ausgebildet.

Die erste Elektrode 210 weist eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material auf oder ist daraus gebildet: ein

Metall; ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) ; ein Netzwerk aus metallischen

Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind;

ein Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die

beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; Graphen-Teilchen und -Schichten; ein Netzwerk aus

halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leitfähiges

Polymer; ein Übergangsmetalloxid; und/oder deren

Komposite. Die erste Elektrode 210 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend weist eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien, beispielsweise Mo/Al/Mo; Cr/Al/Cr; Ag/Mg, AI. Alternativ oder zusätzlich weist die erste Elektrode 210 ein transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden Materialien auf: beispielsweise Metalloxide: beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären

Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2, oder In 2 O3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, beispielsweise AlZnO, Zn 2 SnO 4 , CdSnO 3 , ZnSnO 3 , Mgln 2 O 4 ,

GalnO 3 , Zn 2 Sn 2 O 4 oder In 4 Sn 3 O 12 oder Mischungen

unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können für die erste Elektrode 210 eingesetzt werden. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p- TCO) oder elektronenleitend (n-TCO) sein.

Die erste Elektrode 210 weist eine Schicht oder einen

Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien auf. In einer Weiterbildung ist die erste Elektrode 210 gebildet von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer

Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten.

Die erste Elektrode weist eine Schichtdicke auf in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm, beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm. Die erste Elektrode 210 ist mit einem ersten elektrischen Anschluss 218 verbunden, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist. Das erste elektrische Potential wird von einer Bauelement-externen Energiequelle bereitgestellt, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle . Alternativ wird das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 202 angelegt und der ersten Elektrode 210 durch den Träger 202 mittelbar elektrisch zugeführt. Das erste elektrische Potential ist beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes

Bezugspotential .

Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 212 ist auf oder über der ersten Elektrode 210 ausgebildet und elektrisch zwischen der ersten Elektrode 210 und der zweiten Elektrode 214 angeordnet.

Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 212 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichtstruktur (en) zwischen den Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen. Die organisch

funktionelle Schichtenstruktur 212 kann beispielsweise eine erste organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216, eine Zwischenschichtstruktur 218 und eine zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 aufweisen. Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 212 weist eine oder mehrere organisch funktionelle Schichtenstrukturen auf, beispielsweise 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70, die jeweils gleich oder unterschiedlich ausgebildet sind.

Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 212 weist eine Lochinjektionsschicht, eine LochtransportSchicht, eine

Emitterschicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die Schichten der organisch funktionellen Schichtenstruktur 212 sind zwischen den Elektroden 210, 214 derart angeordnet, dass im Betrieb elektrische Ladungsträger von der ersten Elektrode 210 durch die organisch funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 212 hindurch in die zweite Elektrode 214 fließen können, und umgekehrt; beispielsweise in der nachfolgend beschriebenen Reihenfolge . In der organisch funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 212 ist eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander ausgebildet sein können. Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein.

Die Lochinjektionsschicht weist eines oder mehrere der folgenden Materialien auf oder ist daraus gebildet: HAT-CN,

Cu(I)pFBZ, MoO x , WO x , VO x , ReO x , F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9,

Bi(III)pFBz, F16CuPc; NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB Ν,Ν' -Bis (naphthalen-2-yl) - Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) - Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (N,N'-Bis<3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν'- Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν'- Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL-NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; Spiro-TAD (2, 2 · , 7, 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 '- spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino)phenyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl- amino)phenyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis-naphthalen-2- yl-N,N' -bis-phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluor;

Ν,Ν' -bis (phenanthren-9-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin;

2, 7-Bis [N,N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2,2 · -Bis [Ν,Ν-bis (biphenyl-4-yl) amino] 9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N,N-di-phenyl-amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (Ν,Ν-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan;

2, 2 ' , 7, 7 · -tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluoren; und/oder N, Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin.

Die Lochinjektionsschicht weist eine Schichtdicke auf in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm.

Die Lochtransportschicht weist eines oder mehrere der

folgenden Materialien auf oder ist daraus gebildet sein: NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta- NPB Ν,Ν' -Bis(naphthalen-2-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (N,N'-Bis(3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 '-spirobifluoren); 9, 9-Bis [4- (N,N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N,N-bis-naphthalen-2-yl- amino)phenyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (Ν,Ν' -bis-naphthalen-2- yl-Ν,Ν· -bis-phenyl-amino) -phenyl] -9H-fluor;

Ν,Ν' -bis (phenanthren-9-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin; 2, 7- Bis [N,N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2, 2 ' -Bis [Ν,Ν-bis (biphenyl-4 -yl) amino] 9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (Ν,Ν-di-phenyl-amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (Ν,Ν-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan; 2, 2 ' , 7, 7 · - tetra(N, N-di-tolyl)amino-spiro-bifluoren; und N,

Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat , ein leitendes Polyanilin und/oder

Polyethylendioxythiophen .

Die Lochtransportschicht weist eine Schichtdicke auf in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.

Eine Emitterschicht weist organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Materialien auf oder ist daraus gebildet. Das

optoelektronische Bauelement 110 weist in einer

Emitterschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien auf oder ist daraus gebildet sein: organische oder

organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-difluoro-2- ( 2 -pyridyl) phenyl- (2- carboxypyridyl) -iridium III) , grün phosphoreszierendes

Ir(ppy)3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [4,4' -di-tert- butyl- (2, 2' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA

(9, 10-Bis [N,N-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot

fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels

thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können

Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) . Die Emittermaterialien können in

geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid; oder einem Silikon.

Die Emitterschicht weist einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot)

emittierende Emittermaterialien auf. Alternativ weist die Emitterschicht mehrere Teilschichten auf, die Licht

unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben weist die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ ist auch vorgesehen, im Strahlengang der durch diese Schichten

erzeugten Primäremission einen Leuchtstoff

(Konvertermaterial) anzuordnen, der die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer

Farbeindruck ergibt. Die Emitterschicht weist eine Schichtdicke auf in einem

Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.

Die Elektronentransportschicht weist eines oder mehrere der folgenden Materialien auf oder ist daraus gebildet: NET-18; 2,2· ,2" - (1,3,5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1-H- benzimidazole) ; 2- (4-Biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) - 1,3 , 4-oxadiazole, 2, 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l, 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyguinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3 , 5-diphenyl-4H-l, 2, 4-triazole; 1,3-Bis [2- (2,2· -bipyridine-6-yl) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4,7- Dipheny1-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-1, 2, 4-triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1, 3 , 4-oxadiazo-2-yl] -2,2 ' -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10-di (naphthalen-2-yl) -anthracene; 2 , 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine-6-yl> -l,3,4-oxadiazo-5-yl] -9, 9-dimethylfluorene; 1,3-Bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1, 3,4-oxadiazo-5-yl] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline; 2, 9- Bis (naphthalen-2-yl) -4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline;

Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl) borane; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen-2-yl)phenyl) -lH-imidazo[4,5- f] [1, 10] phenanthrolin; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;

Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide;

Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer

Silacyclopentadieneinheit .

Die Elektronentransportschicht weist eine Schichtdicke auf in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.

Die Elektroneninjektionsschicht weist eines oder mehrere der folgenden Materialien auf oder ist daraus gebildet: NDN-26,

MgAg, Cs 2 CO 3 , Cs 3 PO 4 , Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2, 2', 2" -

(1, 3, 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H-benzimidazole) ; 2- (4- Biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1, 3, 4-oxadiazole, 2, 9- Dimethyl-4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline (BCP) ; 8- Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3, 5- diphenyl-4H-l, 2, 4-triazole; 1, 3-Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) - 1,3 , 4-oxadiazo-5-yl] benzene; 4, 7-Diphenyl-l, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4-Biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-l, 2, 4- triazole; Bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6, 6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4- oxadiazo-2-yl] -2,2' -bipyridyl; 2-phenyl-9, 10-di (naphthalen-2- yl) -anthracene; 2, 7-Bis [2- (2,2· -bipyridine-6-yl) -1,3,4- oxadiazo-5-yl] -9, 9-dimethylfluorene; 1, 3-Bis [2- (4-tert- butylphenyl) -1, 3,4 -oxadiazo-5-yl] benzene; 2- (naphthalen-2- yl) -4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline; 2, 9-Bis (naphthalen-2- yl) -4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline; Tris (2, 4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl)phenyl)borane; l-methyl-2- (4- (naphthalen-2- y1)phenyl) -lH-imidazo [4, 5-f] [1, 10] phenanthroline; Phenyl- dipyrenylphosphine oxide ;

Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide;

Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer

Silacyclopentadieneinheit . Die Elektroneninjektionsschicht weist eine Schichtdicke auf in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm. Bei einer organisch funktionellen Schichtenstruktur 212 mit zwei oder mehr organisch funktionellen Schichtenstruktur, weist die zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur- Einheit über oder neben der ersten funktionellen

Schichtenstruktur-Einheiten ausgebildet sein. Elektrisch zwischen den organisch funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten, ist eine Zwischenschichtstruktur ausgebildet.

Die Zwischenschichtstruktur ist als eine Zwischenelektrode ausgebildet, beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 210. Eine Zwischenelektrode weist mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle stellt an der Zwischenelektrode ein drittes elektrisches Potential bereit. Alternativ weist die Zwischenelektrode jedoch keinen externen elektrischen

Anschluss auf, indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist.

Alternativ ist die Zwischenschichtstruktur als eine

Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur (Charge

generation layer CGL) ausgebildet. Eine Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichtenstruktur weist eine oder mehrere

elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht (en) auf. Die elektronenleitende

Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen weist. Die

Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur weist ferner zwischen benachbarten Schichten eine Diffusionsbarriere auf.

Das optoelektronische Bauelement 110 weist optional weitere organische funktionalen Schichten auf, beispielsweise

angeordnet auf oder über der einen oder mehreren

Emitterschichten oder auf oder über der oder den

Elektronentransportschicht (en) . Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppel- /Auskoppelstrukturen sein, die die

Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 110 weiter verbessern.

Die zweite Elektrode 214 ist gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 210 ausgebildet, wobei die erste

Elektrode 210 und die zweite Elektrode 214 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrode 214 ist als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet oder als Kathode, also als eine

elektroneninj izierende Elektrode . Die zweite Elektrode 214 weist einen zweiten elektrischen Anschluss auf, an den ein zweites elektrisches Potential anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential wird von der gleichen oder einer anderen Energiequelle bereitgestellt wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential. Das zweite elektrische Potential ist unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential. Das zweite elektrische Potential weist beispielsweise einen Wert auf derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen

Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.

Die Barrieredünnschicht 208 ist gemäß einer der

Ausgestaltungen der oben beschriebenen Barriereschicht 204 ausgebildet.

Ferner ist darauf hinzuweisen, dass Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine Barrieredünnschicht 208 verzichtet sein kann. In solch einer Ausgestaltung weist die

Verkapselungsstruktur 226 eine weitere Barriere auf, wodurch eine Barrieredünnschicht 208 optional wird, beispielsweise die Abdeckung 224, beispielsweise eine

Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung. Ferner sind zusätzlich noch eine oder mehrere Ein-

/Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 110 ausgebildet, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 202 (nicht dargestellt) oder eine interne Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im

Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 110. Die Ein-/Auskoppelschicht weist eine Matrix und darin

verteilt Streuzentren bezüglich der elektromagnetischen

Strahlung auf, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /Auskoppelschicht größer oder kleiner ist als der mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der zweiten Barrieredünnschicht 208) in dem optoelektronischen Bauelement 110 vorgesehen sein.

Die Verkapselungsstruktur weist ferner eine Abdeckung 224 und/oder eine Verbindungsschicht 222 auf . In einer

Weiterbildung ist die Abdeckung 224 mittels der

Verbindungsschicht 222 mit dem aktiven Bereich 206, dem

Substrat 106 und/oder der Barrieredünnschicht 208 verbunden. Die Verbindungsschicht 222 ist optional, beispielsweise falls die Abdeckung 224 direkt auf der zweiten Barrieredünnschicht 208 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 224 aus Glas, die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird.

Die Verbindungsschicht 222 ist aus einem Klebstoff oder einem Lack gebildet. In einer Weiterbildung weist eine

Verbindungsschicht 222 aus einem transparenten Material

Partikel auf, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch wirkt die Verbindungsschicht 222 als Streuschicht, was zu einer

Verbesserung des FarbwinkelVerzugs und der Auskoppeleffizienz führt. Als lichtstreuende Partikel können dielektrische

Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem

Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (SiC>2) / Zinkoxid

(ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga 2 O x ) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der Verbindungsschicht 222

verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische

Nanopartikel, Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel, oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein. Die Verbindungsschicht 222 weist eine Schichtdicke von größer als 1 μm auf, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren um. In einer Weiterbildung ist zwischen der zweiten Elektrode 214 und der Verbindungsschicht 222 noch eine elektrisch

isolierende Schicht (nicht dargestellt) ausgebildet,

beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 μm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 pm, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses . Ferner kann das optoelektronische Bauelement 110 eine

sogenannte Getter-Schicht oder Getter-Struktur auf,

beispielsweise eine lateral strukturierte Getter-Schicht, (nicht dargestellt) . Die Getter-Schicht weist ein Material auf oder ist daraus gebildet sein, dass Stoffe, die schädlich für den elektrisch aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet, beispielsweise Wasserdampf und/oder Sauerstoff. Eine Getter-Schicht weist beispielsweise ein Zeolith-Derivat auf oder ist daraus gebildet sein. Die Getter-Schicht weist eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 μm auf, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μm.

Auf oder über der Verbindungsschicht 222 ist die Abdeckung 224 ausgebildet oder angeordnet. Die Abdeckung 224 wird mittels der Verbindungsschicht 222 mit dem elektrisch aktiven Bereich 206 verbunden und schützt diesen vor schädlichen Stoffen. Die Abdeckung 224 ist beispielsweise eine

Glasabdeckung 224, eine Metallfolienabdeckung 224 oder eine abgedichtete Kunststofffolien-Abdeckung 224. Die Glasabdeckung 224 ist beispielsweise mittels einer Fritten- Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des optoelektronischen

Bauelementes 110 verbunden.

In einer Weiterbildung ist eine Flächenlichtquelle als eine organische Leuchtdiode ausgebildet. Bei einer

optoelektronischen Baugruppe mit zwei oder mehreren

Flächenlichtquellen sind organische Leuchtdioden, die als

Flächenlichtquellen ausgebildet sind, auch als OLED-Segmente bezeichnet .

Fig. 3 veranschaulicht ein Ablaufdiagramm eines

Ausführungsbeispiels eines Verfahrens 300 zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe 100, beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppe.

Das Verfahren dient dazu, eine optoelektronische Baugruppe auszubilden, die zu einem Emittieren eines Lichts 118, 116 in eine Bildebene 130 eingerichtet ist, und eine Tiefen- oder Raumwirkung aufweist.

In einem ersten Schritt 302 wird ein optoelektronisches Bauelement 110 mit wenigstens einer Flächenlichtquelle 102 auf einem Substrat 106 ausgebildet.

In einem zweiten Schritt 304 wird eine reflektierende

Struktur 120 ausgebildet.

In einem dritten Schritt 306 wird die reflektierende Struktur 120 in einem Abstand 124 wenigstens teilweise im Strahlengang des optoelektronischen Bauelementes 110 angeordnet, so dass das von der Flächenlichtquelle emittierte Licht wenigstens teilweise von der reflektierenden Oberfläche reflektiert wird und durch das Substrat hindurch emittiert wird. Mit anderen Worten: Es wird ein Verfahren 300 zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe 100 bereitgestellt. Das Verfahren weist auf: ein Ausbilden 302 eines

optoelektronischen Bauelements 110 mit einer

Flächenlichtquelle 102 auf einem Substrat 106, wobei die Flächenlichtquelle zum Emittieren eines Lichtes 108, 118 ausgebildet wird, und wobei das Substrat 106 wenigstens teilweise durchlässig ausgebildet ist für das von der

Flächenlichtquelle 102 emittierte Licht; wobei das

optoelektronische Bauelement 110 derart ausgebildet wird, dass es wenigstens eine erste Hauptemissionsfläche 112 und eine zweite Hauptemissionsfläche 114 aufweist, wobei die zweite Hauptemissionsfläche 112 der ersten

Hauptemissionsfläche 114 gegenüberliegt. Weiterhin weist das Verfahren 300 ein Ausbilden 304 einer reflektierenden

Struktur 120 und ein Anordnen 306 der reflektierende Struktur 120 auf derart, dass die reflektierende Struktur 120

wenigstens teilweise in dem Strahlengang des von der

Flächenlichtquelle 102 emittierten Lichts 108 angeordnet ist und eingerichtet ist, zumindest einen Teil des auf der reflektierenden Struktur 120 auftreffenden Lichtes 108 in Richtung des Substrats 106 zu reflektieren, so dass das reflektierte Licht 116 durch das Substrat 106 hindurch emittiert wird. Die reflektierende Struktur 120 und das optoelektronische Bauelement 110 werden in einem Abstand 124 voneinander angeordnet in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 1000 mm, beispielsweise in einem Bereich von

ungefähr 3 mm bis ungefähr 100 mm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 mm bis ungefähr 75 mm. Mit anderen Worten: die Flächenlichtquelle 102 wird in einem Abstand 124 über der reflektierenden Struktur 120 angeordnet derart, dass das Substrat 106 und die reflektierende Struktur 120 und/oder die teilweise durchlässige Struktur 702 eine optische Kavität ausbilden.

In einer Weiterbildung weist das Ausbilden 302 des

optoelektronischen Bauelements 110 ein Segmentieren einer Flächenlichtquelle 102 in wenigstens eine erste

Flächenlichtquelle 102 und eine zweite Flächenlichtquelle 402, 404 auf, beispielsweise ein Strukturieren wenigstens einer elektrisch leitfähigen Schicht der Flächenlichtquelle 102. In einer Weiterbildung wird das optoelektronische Bauelement 110 auf oder über der reflektierenden Struktur 120

aufgeklebt. In einer Weiterbildung wird im Strahlengang zwischen dem optoelektronischen Bauelement 110 und der reflektierenden Struktur 120 ein Klebstofffilm angeordnet. Der Klebstofffilm vergrößert die optische Weglänge des Lichts 108 in der optischen Kavität. Alternativ ist der Bereich des Strahlengangs zwischen dem optoelektronischen Bauelement 110 und der reflektierenden Struktur 120 frei von Klebstofffilm. In diesem Fall ist das optoelektronische Bauelement in einem oder mehreren optisch inaktiven Bereich/en mit der

reflektierenden Struktur 120 verklebt.

Ein optoelektronisches Bauelement mit zwei oder mehreren Flächenlichtquellen, die gemäß einer in Fig.2 beschriebenen organischen Leuchtdiode 206 ausgebildet werden, können die zwei oder mehreren Flächenlichtquellen mittels eines

Strukturierens der zweiten Elektrode 214 und/oder der organisch funktionellen Schichtenstruktur 212 segmentiert bzw. ausgebildet werden.

In einer Weiterbildung wird die Flächenlichtquelle 102 wenigstens teilweise durchlässig für das von der

reflektierenden Struktur 120 reflektierte Licht 116

ausgebildet .

In einer Weiterbildung wird die Flächenlichtquelle 102 als ein einseitig lichtemittierendes Bauelement ausgebildet.

Alternativ wird die Flächenlichtquelle 102 als ein wenigstens bidirektional lichtemittierendes Bauelement ausgebildet.

In einer Weiterbildung wird auf dem Substrat 106 wenigstens eine erste Flächenlichtquelle 102 und eine zweite

Flächenlichtquelle 402, 404, 502, 504, 506 ausgebildet, wie unten noch ausführlicher veranschaulicht wird. Die erste Flächenlichtquelle 102 emittiert ein erstes Licht und die zweite Flächenlichtquelle 402, 404 emittiert ein zweites Licht. Die erste Flächenlichtquelle 102 wird in einem ersten Abstand 406 neben und/oder über der zweiten

Flächenlichtquelle 402, 404, 502, 504, 506 auf dem Substrat 106 ausgebildet. Der laterale Abstand ermöglicht ein

Unterscheiden der Flächenlichtquellen in der Bildebene 130. In einer Weiterbildung wird das optoelektronische Bauelement derart ausgebildet, dass die erste Flächenlichtquelle 102 in einem ersten Bereich auf dem Substrat 106 einen lateralen Abstand 406 zu der zweiten Flächenlichtquelle 402, 404 aufweist; und in einem zweiten Bereich auf dem Substrat 106 mit der zweiten Flächenlichtquelle 402, 404 körperlich, elektrisch und/oder optisch verbunden ist; siehe

beispielsweise auch Fig.4 und Fig.5. In einer Weiterbildung werden die erste Flächenlichtquelle 102 und die zweite Flächenlichtquelle 402, 404, 502, 504, 506 derart ausgebildet, dass das erste Licht sich in wenigstens einer Eigenschaft von dem zweiten Licht unterscheidet, beispielsweise im Farbort, in der Helligkeit, in der

Sättigung und/oder im Farb-Bin; siehe beispielsweise auch Fig.4 und Fig.5.

In einer Weiterbildung wird die erste Flächenlichtquelle 102 derart ausgebildet, dass das erste Licht in die erste

Hauptemissionsfläche 112 emittiert wird; und die zweite

Flächenlichtquelle 402, 404, 502, 504, 506 derart

ausgebildet, dass das zweite Licht in die zweite

Hauptemissionsfläche 114 emittiert wird; siehe beispielsweise auch Fig.4 und Fig.5.

In einer Weiterbildung wird der erste Abstand 406 derart eingerichtet, dass die erste Flächenlichtquelle 102, die neben der zweiten Flächenlichtquelle 402, 404 angeordnet ist, im Betrieb der optoelektronischen Baugruppe 100 in wenigstens einer Bildebene 130 der optoelektronischen Baugruppe 100 von dem zweiten optoelektronischen Bauelement 402, 404 optisch unterscheidbar ist; siehe beispielsweise auch Fig.4 und

Fig.5.

In einer Weiterbildung wird das Substrat 106 teilweise reflektierend ausgebildet für auftreffendes Licht,

beispielsweise für das von der reflektierenden Struktur 120 reflektierte Licht 116; beispielsweise als ein

teildurchlässiger Spiegel,

In einer Weiterbildung wird die reflektierende Struktur 120 mit einer reflektierenden Oberfläche 122 und/oder einer reflektierenden Schichtenstruktur ausgebildet. Von der reflektierenden Oberfläche 122 oder reflektierenden Struktur wird das auftreffende, von der Flächenlichtquelle 102

emittierte Licht reflektiert. In einer Weiterbildung weist die reflektierende Oberfläche 122 oder reflektierende

Struktur eine Strukturierung auf, beispielsweise eine

gekrümmte, geknickte, konkave, konvexe, grabenförmig und/oder linsenförmige Strukturierung. In einer Weiterbildung wird die reflektierende Struktur 120 wenigstens teilweise durchlässig ausgebildet für zumindest einen Teil des auf der reflektierenden Struktur 120

auftreffenden Lichtes 108, beispielsweise als ein

teildurchlässiger Spiegel .

In einer Weiterbildung wird ferner eine wenigstens teilweise durchlässige Struktur 702 ausgebildet oder angeordnet, beispielsweise veranschaulicht in Fig.7. Die wenigstens teilweise durchlässige Struktur 702 wird zwischen einer

Bildebene 130 der optoelektronischen Baugruppe 100 und dem optoelektronischen Bauelement 110 angeordnet. Die teilweise durchlässige Struktur 702 ist wenigstens teilweise

durchlässig für Licht, das von der Flächenlichtquelle 102 und/oder der reflektierenden Struktur 120 auf die teilweise durchlässige Struktur 702 auftrifft, so dass ein Teil des auftreffenden Lichts 116, 118 durch die teilweise

durchlässige Struktur 702 hindurch emittiert wird; siehe beispielsweise auch Fig.7. In einer Weiterbildung wird die teilweise durchlässige

Struktur 702 derart ausgebildet oder angeordnet, das

wenigsten ein Teil des Lichtes 116, 118, das von der

Flächenlichtquelle 102 und/oder der reflektierenden Struktur 120 in Richtung der teilweise durchlässigen Struktur 702 emittierten wird und auf diese auftrifft, reflektiert wird. Beispielsweise wird die teilweise durchlässige Struktur 702 als ein teildurchlässiger Spiegel ausgebildet.

In einer Weiterbildung wird die Flächenlichtquelle 102 mit wenigstens einer wenigstens teilweise reflektierenden

Elektrode 210, 214 ausgebildet, siehe beispielsweise Fig.2. Die wenigstens teilweise reflektierende Elektrode 210, 214 wird zum Reflektieren des von der Flächenlichtquelle 102 emittierten Lichts ausgebildet 108, 118. Die wenigstens teilweise reflektierende Elektrode 210, 214 wird als ein Teil der reflektierenden Struktur 120 ausgebildet. In einer Weiterbildung wird die reflektierende Struktur 120 und/oder die teilweise durchlässige Struktur 702 derart zu dem optoelektronischen Bauelement 110 angeordnet, dass das direkt von der Flächenlichtquelle 102 emittierte Licht 118 und das reflektierte Licht 108 einen lateralen Abstand 402 aufweisen, so dass im Betrieb der optoelektronischen

Baugruppe 100 eine Tiefen- oder Raumwirkung ausgebildet wird.

In einer Weiterbildung wird die reflektierende Struktur 120 derart ausgebildet, dass das reflektierte Licht 116 sich von dem von der Flächenlichtquelle 102 emittierten und auf die reflektierende Struktur 120 auftreffenden Lichts 108 in wenigstens einer Eigenschaft unterscheidet, beispielsweise in dem Farbort, der Helligkeit, der Sättigung und/oder dem Farb- Bin. In einer Weiterbildung wird die reflektierende Struktur 120 mit einem wellenlängenkonvertierenden Stoff ausgebildet oder daraus gebildet. In einer Weiterbildung wird der Abstand 124 zwischen der Flächenlichtquelle 102 und der reflektierenden Struktur 120 derart eingerichtet, dass das von der Flächenlichtquelle 102 emittierte Licht 108, 118 im Betrieb der optoelektronischen Baugruppe 100 von dem von der reflektierenden Struktur 120 reflektierten Licht 116 optisch unterscheidbar ist,

beispielsweise augenscheinlich.

Fig.4 veranschaulicht eine Weiterbildung eines

optoelektronischen Bauelementes 110 der optoelektronischen Baugruppe 100; die beispielsweise weitgehend einem oben gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann.

Das optoelektronischer Bauelement weist wenigstens eine Flächenlichtquelle 102 oder mehrere Flächenlichtquellen 102, 402, 404 auf. Die eine oder mehreren Flächenlichtquelle/n 102, 402, 404 emittieren bidirektional Licht 108, 118, beispielsweise veranschaulicht in Fig.4 mit einer ersten Flächenlichtquelle 102, einer zweiten Flächenlichtquelle 402 und einer dritten Flächenlichtquellen 404.

In einer Weiterbildung sind die eine oder mehreren

Flächenlichtquelle/n 102, 402, 404 wenigstens teilweise transparent. Mit anderen Worten: die Flächenlichtquelle/n 102, 402, 404 sind wenigstens teilweise durchlässig für das von der reflektierenden Struktur 120 reflektierte Licht 116.

Mit anderen Worten: In einer Weiterbildung weist das

optoelektronische Bauelement 110 auf dem Substrat 106 wenigstens eine erste Flächenlichtquelle 102 und eine zweite Flächenlichtquelle 402, 404 auf, wobei die erste

Flächenlichtquelle 102 ein erstes Licht emittiert und die zweite Flächenlichtquelle 402, 404 ein zweites Licht emittiert. Die erste Flächenlichtquelle 102 ist in einem Abstand 406 neben und/oder über (beispielsweise

veranschaulicht in Fig.5) der zweiten Flächenlichtquelle 402, 404 auf dem Substrat 106 angeordnet. In einer Weiterbildung sind die erste Flächenlichtquelle 102 und die zweite

Flächenlichtquelle 402, 404 derart ausgebildet, dass sich das erste Licht in wenigstens einer Eigenschaft von dem zweiten Licht unterscheidet, beispielsweise dem Farbort, der

Helligkeit, der Sättigung und/oder dem Farb-Bin.

In einer Weiterbildung sind die erste Flächenlichtquelle 102 und die zweite Flächenlichtquelle 402, 404 derart

ausgebildet, dass das erste Licht von der ersten

Hauptemissionsfläche 112 in Richtung der Bildebene 130 emittiert wird; und das zweite Licht von der zweiten

Hauptemissionsfläche 114 in Richtung der reflektierenden Struktur 120 emittiert wird.

In einer Weiterbildung sind die erste Flächenlichtquelle 102 und die zweite Flächenlichtquelle 402, 404 derart

ausgebildet, dass der Abstand 406 zwischen den

Flächenlichtquellen 102, 402, 404 im Betrieb der

optoelektronischen Baugruppe 100 in wenigstens einer

Bildebene 130 der optoelektronischen Baugruppe 100 optisch sichtbar ist.

Fig.5 veranschaulicht eine Weiterbildung eines

optoelektronischen Bauelementes 110 der optoelektronischen Baugruppe 100; die beispielsweise weitgehend dem oben

gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann.

In einer Weiterbildung weist das optoelektronische Bauelement 110 eine oder mehrere erste Flächenlichtquelle/n 102, 402 auf, die Licht in die erste Hauptemissionsfläche 112

emittiert/en, und eine oder mehrere zweite

Flächenlichtquelle/n 502, 504, 506, das/die Licht in die zweite Hauptemissionsfläche 114 emittiert/en, beispielsweise veranschaulicht in Fig.5. Mit anderen Worten: die zweite Flächenlichtquelle 502, 504, 506 kann neben der ersten

Flächenlichtquelle und/oder zu dieser bezüglich der

Emissionsrichtung des jeweils emittierten Lichts abgewandt angeordnet sein. Mit anderen Worten: Eine erste

Flächenlichtquelle 102 ist auf oder über einer zweiten

Flächenlichtquelle 502, 504, 506 ausgebildet oder angeordnet. Beispielsweise weist die erste Flächenlichtquelle 102 mit der zweiten Flächenlichtquelle 506 einen direkten körperlichen Kontakt auf. Alternativ ist eine erste Flächenlichtquelle 102 auf einer ersten Seite des Substrats 106 ausgebildet oder angeordnet und eine zweite Flächenlichtquelle 506 auf einer zweiten Seite des Substrats 106 ausgebildet und angeordnet, wobei die erste Seite der zweiten Seite gegenüberliegt. In einer Weiterbildung ist die erste Flächenlichtquelle 102 derart über der zweiten Flächenlichtquelle 502, 504, 506 angeordnet, dass sich die die Flächenlichtquellen überlappen oder kongruent zueinander sind. Mit anderen Worten: Eine erste Flächenlichtquelle kann direkt über der zweiten

Flächenlichtquelle angeordnet sein, so dass die erste

Flächenlichtquelle die zweite Flächenlichtquelle überlappt, die erste Flächenlichtquelle und die zweite

Flächenlichtquelle ungefähr deckungsgleich sind, oder die zweite Flächenlichtquelle die erste Flächenlichtquelle überlappt. Dadurch kann bei nicht-transparenten

Flächenlichtquellen der optisch inaktive Bereich der

optoelektronischen Baugruppe reduziert werden. Die zweite Flächenlichtquelle kann bei einer deckungsgleichen Anordnung bezüglich der ersten Flächenlichtquelle als eine Spiegel - Lichtquelle bezeichnet werden, das heißt bei OLEDs als

Flächenlichtquellen als eine sogenannte Mirror-OLED. Die erste Flächenlichtquelle 102 und/oder die zweite

Flächenlichtquelle 502, 504, 506 können/kann als ein so genannter Top-Emitter oder Bottom-Emitter ausgebildet sein, beispielsweise gemäß der Beschreibungen der Fig.2. Mit anderen Worten: Das von der ersten Hauptemissionsfläche 112 emittierte Licht 118 wird von der/den ersten

Flächenlichtquelle/n 102, 402, 404 emittiert; und das Licht 108, das von der zweiten Hauptemissionsfläche 114 emittiert wird, wird von der/den zweiten Flächenlichtquelle/n 502, 504, 506 emittiert.

In einer Weiterbildung weist das optoelektronische Bauelement 110 wenigstens eine Flächenlichtquelle 102 auf, die

wenigstens teilweise durchlässig für das von der

reflektierenden Struktur 120 reflektierte Licht 116 ist.

Zusätzlich oder alternativ ist die Flächenlichtquelle 102 als ein einseitig lichtemittierendes Bauelement ausgebildet.

In einer Weiterbildung weist das optoelektronische Bauelement 110 auf dem Substrat 106 wenigstens eine erste

Flächenlichtquelle 102 und eine zweite Flächenlichtquelle

402, 404, 502, 504, 506 auf. Die erste Flächenlichtquelle 102 ist ausgebildet ein erstes Licht zu emittieren und die zweite Flächenlichtquelle 402, 404, 502, 504, 506 ist ausgebildet ein zweites Licht zu emittieren. Die erste Flächenlichtquelle ist in einem ersten Abstand neben und/oder über der zweiten Flächenlichtquelle 402, 502, 504, 506 auf dem Substrat 106 angeordnet. In einer Weiterbildung unterscheidet sich das erste Licht in wenigstens einer Eigenschaft von dem zweiten Licht, beispielsweise dem Farbort, der Helligkeit, der

Sättigung und/oder dem Farb-Bin. Die erste Flächenlichtquelle 102 ist derart ausgebildet, dass das erste Licht in die erste Hauptemissionsfläche emittiert wird; und die zweite

Flächenlichtquelle ist derart ausgebildet, dass das zweite Licht in die zweite Hauptemissionsfläche emittiert wird.

Fig.6 veranschaulicht eine Weiterbildung der

optoelektronischen Baugruppe 100, die beispielsweise

weitgehend dem oben gezeigten Ausführungsbeispiel entsprechen kann.

In Fig.6 ist eine optoelektronischen Baugruppe 100 mit einem optoelektronischen Bauelement 110 gemäß der Beschreibungen der Fig.4 veranschaulicht. Mit anderen Worten: das

optoelektronischen Bauelement 110 weist ein oder mehrere Flächenlichtquellen 102, 402, 404 auf, die wenigstens teilweise transparent und bidirektional Licht emittieren. Dieses optoelektronischer Bauelement 110 mit einem

semitransparenten Substrat 106 ist in einem Abstand über der reflektierenden Struktur 120 angeordnet.

In einer Weiterbildung kann die reflektierende Struktur 120 als eine Spiegelstruktur ausgebildet sein. Eine

Spiegelstruktur unterscheidet sich von einer reflektierenden Struktur 120 derart, dass die Spiegelstruktur eine besonders geringere Rauheit aufweist, und somit wenig auftreffendes Licht diffus gestreut wird. Dadurch ist eine sehr genaue Abbildung der Flächenlichtquelle möglich.

Fig.7 veranschaulicht eine schematische Darstellung einer Weiterbildung der optoelektronischen Baugruppe 100, die beispielsweise weitgehend dem oben gezeigten

Ausführungsbeispiel entsprechen kann.

In einer Weiterbildung weist die optoelektronische Baugruppe 100 zusätzlich eine wenigstens teilweise durchlässige

Struktur 702 auf. Das optoelektronischen Bauelement 110 ist zwischen der reflektierenden Struktur 120 und der teilweise durchlässigen Struktur 702 angeordnet. Dadurch wird ein Teil des Lichts 116 (siehe Fig.1) , 118, das von der ersten

Hauptemissionsfläche 112 emittiert wird, von der teilweise durchlässigen Struktur 702 transmittiert und teilweise reflektiert. Licht 118, das direkt von der Flächenlichtquelle 102 von der ersten Hauptemissionsfläche 112 emittiert wird, wird mittels der teilweise durchlässigen Struktur 702 in Richtung der reflektierenden Struktur 120 umgelenkt. Dadurch kann der Anteil an Licht, das auf die reflektierende Struktur 120 auftrifft, erhöht werden. Dieses Licht wird mittels der Reflektion an der teilweise durchlässigen Struktur wenigstens teilweise mit einem größeren lateralen Abstand zu dem direkt emittierten Licht 118 in Richtung der Bildebene 130

emittiert. Dadurch kann die Raumtiefe oder die Tiefenwirkung der optoelektronischen Baugruppe 100 erhöht werden.

Mit andere Worten: In einer Weiterbildung weist das

optoelektronische Bauelement 110 eine wenigstens teilweise durchlässige Struktur 702 auf. Die wenigstens teilweise durchlässige Struktur 702 ist im Strahlengang des von der ersten Hauptemissionsfläche 112 emittierten Lichts 116, 118 zwischen einer Bildebene 130 der optoelektronischen Baugruppe 100 und dem optoelektronischen Bauelement 110 angeordnet. Die teilweise durchlässige Struktur 702 ist wenigstens teilweise durchlässig für Licht 116, 118, das von der

Flächenlichtquelle 102 und/oder der reflektierenden Struktur 120 auf die teilweise durchlässige Struktur 702 auftrifft. Die reflektierende Struktur 120 und/oder die teilweise durchlässige Struktur 702 sind derart zu dem

optoelektronischen Bauelement 110 angeordnet, dass das direkt von der Flächenlichtquelle 102 emittierte Licht 118 und das reflektierte Licht 116 einen lateralen Abstand aufweisen. Dadurch wird im Betrieb der optoelektronischen Baugruppe 100 eine Tiefen- oder Raumwirkung ausgebildet. Die teilweise durchlässige Struktur 702 ist ausgebildet und angeordnet derart, dass wenigsten ein Teil des von der

Flächenlichtquelle 102 und/oder der reflektierenden Struktur 120 auf die teilweise durchlässige Struktur 702 auftreffende Licht 116,118 reflektiert wird, beispielsweise als ein teildurchlässiger Spiegel ausgebildet ist. Die

Flächenlichtquelle 102 ist in einem zweiten Abstand 124 über der reflektierenden struktur 120 angeordnet derart, dass das Substrat 106 und die reflektierende Struktur 120, die

Flächenlichtquelle 102, 402, 404, 502, 504, 506 und/oder die teilweise durchlässige Struktur 702 eine optische Kavität ausbilden. Der zweite Abstand 124 zwischen der

Flächenlichtquelle 102, 402, 404, 502, 504, 506 und der reflektierenden Struktur 120 ist derart eingerichtet, dass das von der Flächenlichtquelle 102, 402, 404, 502, 504, 506 emittierte Licht 108, 118 im Betrieb der optoelektronischen Baugruppe 100 von dem von der reflektierenden Struktur 120 reflektierten Licht 120 optisch unterscheidbar ist.

Zusätzlich kann die teilweise durchlässige Struktur 702 als mechanischer Schutz für das optoelektronische Bauelement 110 ausgebildet sein, beispielsweise als Verkapselungsstruktur 226 oder Abdeckung 224, wie beispielsweise in Fig.2

beschrieben ist. Fig.8 veranschaulicht eine schematische Darstellung einer Weiterbildung der optoelektronischen Baugruppe 100, die beispielsweise weitgehend dem oben gezeigten

Ausführungsbeispiel entsprechen kann.

Die reflektierende Struktur 120 weist eine reflektierende Oberfläche 122 oder eine wenigstens für einen

Wellenlängenbereich des auftreffenden Lichts reflektierende Schichtenstruktur auf. Dadurch wird das auf die

reflektierende Struktur auftreffende Licht, das von der

Flächenlichtquelle emittierte wird, reflektiert. Mit anderen Worten: Die reflektierende Struktur 120, die reflektierende Schichtenstruktur und/oder die reflektierende Oberfläche sind/ist strukturiert. Die reflektierende Struktur 120 ist derart ausgebildet, dass die reflektierende Oberfläche 122 und/oder die reflektierende Schichtenstruktur eine Krümmung, einen Knick, eine Mikrostruktur und/oder eine Rauheit aufweisen/t, in Fig.8 veranschaulicht mittels der gebogenen Fläche 802. Die Krümmung der reflektierenden Struktur 120 kann konvex und/oder konkav sein. Die Mikrostruktur kann eine Grabenstruktur, Erhebungen und/oder Vertiefungen aufweisen. Die reflektierende Oberfläche kann eine Strukturierung aufweisen, beispielsweise wenigstens einer der nachfolgenden Formen: gekrümmt, geknickt, konkav, konvex, grabenförmig und/oder linsenförmig. Dadurch weist die reflektierende

Struktur, beispielsweise in Form einer Spiegelstruktur, einen Linseneffekt auf. Dadurch kann beispielsweise die

Abstrahlungsrichtung der an der reflektierenden Oberfläche 122 reflektierten elektromagnetischen Strahlung 116

eingestellt werden, die durch das Substrat emittiert wird.

In einer Weiterbildung ist das Substrat 106 im Wesentlichen nicht-parallel oder nicht-planparallel zu der reflektierenden Oberfläche 122 und/oder reflektierenden Schichtenstruktur angeordnet. Dadurch kann die Abstrahlungscharakteristik der optoelektronischen Baugruppe 110 auf einfache Weise

eingestellt werden.

In einer Weiterbildung ist die reflektierende Struktur 120 derart ausgebildet, dass ihre Durchlässigkeit und/oder ihr Reflektionskoeffizient abhängig sind/ist von der Wellenlänge und/oder Polarisation des Lichts. Dadurch wird eine

farbselektive reflektierende Struktur 120 realisiert, beispielsweise ein farbselektiver Spiegel. Dies ermöglicht eine gezielte Färb-Akzentuierung des in der Bildebene 130 sichtbaren Lichts 116, 118. Mit anderen Worten: Die

reflektierende Struktur 120 ist färb- bzw.

wellenlängenselektiv ausgebildet, beispielsweise als ein photonischer Kristall. Dadurch kann in dem Licht, das von dem optoelektronischen Bauelement emittiert wird, eine gezielte Färb-Akzentuierung ermöglicht werden. Mit anderen Worten: es wird auf einfache Weise eine gezielte Änderung des Farbortes, der Helligkeit und/oder der Sättigung ermöglicht.

In einer Weiterbildung ist die reflektierende Struktur 120 als teiltransparenter oder vollreflektiver Spiegel

ausgebildet.

Fig.9 veranschaulicht eine schematische Darstellung einer Weiterbildung der optoelektronischen Baugruppe, die

beispielsweise weitgehend dem oben gezeigten

Ausführungsbeispiel entsprechen kann.

Das optoelektronische Bauelement 110 weist eine oder mehrere Flächenlichtquelle 102, 402 auf, die Licht einseitig

emittieren, das heißt als Top-Emitter oder Bottom-Emitter ausgebildet sind. Das optoelektronischer Bauelement 110 ist auf der reflektierenden Struktur 120 angeordnet. Alternativ ist die Rückseite des Substrats 106 mittels einer

reflektierenden Struktur versehen, beispielsweise indem eine metallische Schicht auf der Rückseite des Substrats 106 abgeschieden ist, und die wenigstens eine Flächenlichtquelle 102, 402, 404 durch das Substrat 106 emittiert, über den Substrat 106 ist die teilweise durchlässige Struktur 702 angeordnet. Somit wird in der optoelektronischen Baugruppe 100 Licht 118 von der wenigstens einen Flächenlichtquelle 102, 402, 404 aus der ersten Hauptemissionsfläche 112 emittiert. Ein Teil dieses Lichts 118 wird an der teilweise durchlässigen Struktur 702 reflektiert und in Richtung der reflektierenden Struktur 120 umgelenkt. Das von der teilweise durchlässigen Struktur 702 reflektierte Licht wird an der reflektierenden Oberfläche der reflektierenden Struktur 120 reflektiert und in Richtung der teilweise durchlässigen

Struktur 702 umgelenkt und teilweise durch die teilweise durchlässige Struktur 702 hindurch emittiert, beispielsweise veranschaulicht in Fig.9 mittels des Bezugszeichens 902.

Dadurch wird zwischen dem direkt emittierten Licht 118 und dem teilweise umgelenkt und reflektierten Licht 902 ein lateraler Abstand ausgebildet. Mittels dieses Abstandes wird die Tiefenwirkung oder Raumwirkung der optoelektronischen Baugruppe 100 realisiert. Der Abstand zwischen der

optoelektronischen Bauelementeinheit 110 und der

reflektierenden Struktur 120 ist in dieser Weiterbildung als ein optischer Abstand ausgebildet. Der optisch Abstand wird mittels des Abstandes der Flächenlichtquelle 102, 402 zu der wenigstens teilweise durchlässigen Struktur 702 eingestellt.

In einer Weiterbildung ist die reflektierende Struktur 120 als eine Elektrode des optoelektronischen Bauelementes 110 ausgebildet, beispielsweise als untere, erste Elektrode 210. Die erste Elektrode 210 ist dazu aus einem reflektierenden elektrisch leitenden Material gebildet oder weist ein solches auf. Mit anderen Worten: In einer Weiterbildung weist die Flächenlichtquelle 102 wenigstens eine, wenigstens teilweise reflektierende Elektrode 210, 214 auf. Die wenigstens

teilweise reflektierende Elektrode 210, 214 ist zum

Reflektieren des von der Flächenlichtquelle 102 emittierten Lichts 108, 118 ausgebildet. Die wenigstens teilweise

reflektierende Elektrode 210, 214 ist wenigstens ein Teil der reflektierenden Struktur 210. Mit andere Worten: die

reflektierende Struktur 120 kann aus der transparenten bzw. spiegelnden Kathode bestehen, die über das gesamte Substrat 106 gedampft wird.

Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen

Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann die optoelektronische Baugruppe ein optoelektronisches Bauelement oder mehrere optoelektronische Bauelemente aufweisen, das/die als ein Fotodetektor oder eine Solarzelle ausgebildet

ist/sind. Der Fotodetektor ist beispielsweise zum Detektieren des von der reflektierenden Struktur reflektierten Lichts und/oder des Baugruppen-externen Lichts eingerichtet.

Weiterhin kann die Flächenlichtquelle als eine

Punktlichtquelle ausgebildet sein oder wahrgenommen werden.