WEHLUS THOMAS (DE)
WO2013094375A1 | 2013-06-27 |
EP1759270A2 | 2007-03-07 | |||
US20050019976A1 | 2005-01-27 |
Patentansprüche Patentansprüche 1. Optoelektronisches Bauelement (10), mit - einer elektrisch leitfähigen Trägerstruktur, die einen ersten Kontaktabschnitt (42) und einen Trägerabschnitt (40) aufweist, - einer organischen funktionellen Schichtenstruktur (22), die über der Trägerstruktur ausgebildet ist und die den Trägerabschnitt (40) überlappt und die den ersten Kontaktabschnitt (42) nicht überlappt, - einer elektrisch leitfähigen Abdeckstruktur, die über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) ausgebildet ist und die einen Abdeckabschnitt (44) und einen zweiten Kontaktabschnitt (46) aufweist, wobei der Abdeckabschnitt (44) die organische funktionelle Schichtenstruktur (22) und den Trägerabschnitt (40) überlappt, wobei der erste Kontaktabschnitt (42) auf einer ersten Seite und auf einer dritten Seite des optoelektronischen Bauelements (10) unter der organisch funktionellen Schichtenstruktur (22) hervorsteht, wobei die Abdeckstruktur den ersten Kontaktabschnitt (42) nicht überlappt, wobei der zweite Kontaktabschnitt (46) die organische funktionelle Schichtenstruktur (22) und den ersten Kontaktabschnitt (42) nicht überlappt und auf einer zweiten Seite und auf einer vierten Seite des optoelektronischen Bauelements (10) über der organisch funktionellen Schichtenstruktur (22) hervorsteht, wobei die Trägerstruktur den zweiten Kontaktabschnitt (42) nicht überlappt, wobei die erste Seite an die dritte Seite grenzt und der erste Kontaktabschnitt (42) in Draufsicht L-förmig ausgebildet ist, und wobei die zweite Seite an die vierte Seite grenzt und der zweite Kontaktabschnitt (46) in Draufsicht L-förmig ausgebildet ist. 2. Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 1, bei dem - die Trägerstruktur einen Träger (12) und eine erste Elektrode (20) aufweist, die in dem Trägerabschnitt (40) zwischen dem Träger (12) und der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) ausgebildet ist, und/oder - die Abdeckstruktur einen Abdeckkörper (38) und eine zweite Elektrode (23) aufweist, die in dem Abdeckabschnitt (44) zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) und dem Abdeckkörper (38) ausgebildet ist. 3. Optoelektronisches Bauelement (10) nach Anspruch 2, bei dem sich die erste Elektrode (20) zumindest teilweise über den ersten Kontaktabschnitt (42) erstreckt und/oder bei dem sich die zweite Elektrode (23) zumindest teilweise über den zweiten Kontaktabschnitt (46) erstreckt. 4. Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem - die elektrisch leitfähige Trägerstruktur einen Träger (12) mit einer elektrisch leitfähige Trägerschicht (62) aufweist, wobei die elektrisch leitfähige Trägerschicht (62) der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) zugewandt ist und sich zumindest teilweise über den Trägerabschnitt (40) und den ersten Kontaktabschnitt (42) erstreckt, und/oder - die elektrisch leitfähige Abdeckstruktur einen Abdeckkörper (38) mit einer elektrisch leitfähigen Abdeckschicht (64) aufweist, wobei die elektrisch leitfähige Abdeckschicht (64) der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) zugewandt ist und sich zumindest teilweise über den Abdeckabschnitt (44) und den zweiten Kontaktabschnitt (46) erstreckt. 5. Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die erste Elektrode (20) und/oder die Trägerstruktur in einer ersten Ebene (47) liegen und bei dem die zweite Elektrode (23) und/oder die Abdeckstruktur in einer zweiten Ebene (48) liegen und bei dem die erste Ebene (47) von der zweiten Ebene (48) einen vorgegebenen Abstand (A) größer null hat und bei dem die einzige elektrisch leitfähige Verbindung zwischen der ersten und der zweiten Ebene (47, 48) innerhalb des optoelektronischen Bauelements (10) die organisch funktionelle Schichtenstruktur (22) ist. 6. Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, das eine Verkapselung (24) aufweist, die zumindest die frei liegenden Seitenkanten der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) einkapselt. 7. Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der Ansprüche 2 bis 5, das eine Barriereschicht aufweist, die die zweite Elektrode (23) bedeckt und die elektrisch leitfähig ausgebildet ist. 8. Optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der Ansprüche 2 bis 7, bei dem der Abdeckkörper (38) mittels einer Haftmittelschicht (36) an der zweiten Elektrode (23) oder der Barriereschicht befestigt ist, wobei die Haftmittelschicht (36) elektrisch leitfähig ausgebildet ist. 9. Optoelektronische Baugruppe, mit einem ersten optoelektronischen Bauelement (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, mit einem zweiten optoelektronischen Bauelement (50) nach einem der vorstehenden Ansprüche und mindestens einem dritten optoelektronisches Bauelement (60) nach einem der vorstehenden Ansprüche, die so angeordnet sind, dass das erste optoelektronische Bauelement (10) an seiner zweiten Seite mit der ersten Seite des zweiten optoelektronischen Bauelements (50) gekoppelt ist und der zweite Kontaktabschnitt (46) des ersten optoelektronischen Bauelements (10) den ersten Kontaktabschnitt (42) des zweiten optoelektronischen Bauelements (50) überlappt, wobei die Abdeckstruktur des ersten optoelektronischen Bauelements (10) mit der Trägerstruktur des zweiten optoelektronischen Bauelements (50) mechanisch und elektrisch gekoppelt ist und dass das erste optoelektronische Bauelement (10) an seiner vierten Seite mit der dritten Seite des dritten optoelektronischen Bauelements (60) gekoppelt ist und der zweite Kontaktabschnitt (46) des ersten optoelektronischen Bauelements (10) den ersten Kontaktabschnitt (42) des dritten optoelektronischen Bauelements (60) überlappt, wobei die Abdeckstruktur des ersten optoelektronischen Bauelements (10) mit der Trägerstruktur des dritten optoelektronischen Bauelements (60) mechanisch und elektrisch gekoppelt ist. 10. Optoelektronische Baugruppe nach Anspruch 9, bei der das erste optoelektronische Bauelement (10) mittels eines Verbindungselements mit dem zweiten optoelektronischen Bauelement (50) und/oder mit dem dritten optoelektronischen Bauelement (80) elektrisch und/oder mechanisch gekoppelt ist. 11. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10,50), bei dem - eine elektrisch leitfähige Trägerstruktur, die einen ersten Kontaktabschnitt (42) und einen Trägerabschnitt (40) aufweist, ausgebildet wird, - eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) über der Trägerstruktur so ausgebildet wird, dass sie den Trägerabschnitt (40) überlappt und den ersten Kontaktabschnitt (42) nicht überlappt, und - eine elektrisch leitfähige Abdeckstruktur, die einen Abdeckabschnitt (44) und einen zweiten Kontaktabschnitt (46) aufweist, über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) so angeordnet wird, dass der Abdeckabschnitt (44) die organische funktionelle Schichtenstruktur (22) und den Trägerabschnitt (40) überlappt, dass der erste Kontaktabschnitt (42) auf einer ersten Seite und auf einer dritten Seite des optoelektronischen Bauelements (10) unter der organisch funktionellen Schichtenstruktur (22) hervorsteht und die Abdeckstruktur den ersten Kontaktabschnitt (42) nicht überlappt, dass der zweite Kontaktabschnitt (46) auf einer zweiten Seite und auf einer vierten Seite des optoelektronischen Bauelements (10) über der organisch funktionellen Schichtenstruktur (22) hervorsteht und die Trägerstruktur, die organische funktionelle Schichtenstruktur (22) und den ersten Kontaktabschnitt (42) nicht überlappt, dass die erste Seite an die dritte Seite grenzt und der erste Kontaktabschnitt (42) in Draufsicht L-förmig ausgebildet ist, und dass die zweite Seite an die vierte Seite grenzt und der zweite Kontaktabschnitt (46) in Draufsicht L-förmig ausgebildet ist. 12. Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe, bei dem ein erstes optoelektronisches Bauelement (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, ein zweites optoelektronisches Bauelement (50) nach einem der Ansprüche 1 bis 8 und mindestens ein drittes optoelektronisches Bauelement (50) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, so angeordnet werden, dass das erste optoelektronische Bauelement (10) an seiner zweiten Seite mit der ersten Seite des zweiten optoelektronischen Bauelements (50) gekoppelt ist und der zweite Kontaktabschnitt (46) des ersten optoelektronischen Bauelements (10) den ersten Kontaktabschnitt (42) des zweiten optoelektronischen Bauelements (50) überlappt, und die Abdeckstruktur des ersten optoelektronischen Bauelements (10) mit der Trägerstruktur des zweiten optoelektronischen Bauelements (50) elektrisch gekoppelt wird, und dass das erste optoelektronische Bauelement (10) an seiner vierten Seite mit der dritten Seite des dritten optoelektronischen Bauelements (60) gekoppelt ist und der zweite Kontaktabschnitt (46) des ersten optoelektronischen Bauelements (10) den ersten Kontaktabschnitt (42) des dritten optoelektronischen Bauelements (60) überlappt, und die Abdeckstruktur des ersten optoelektronischen Bauelements (10) mit der Trägerstruktur des dritten optoelektronischen Bauelements (60) elektrisch gekoppelt wird. |
Optoelektronisches Bauelement, optoelektronische Baugruppe, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen
Baugruppe
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, eine optoelektronische Baugruppe, ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und ein
Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe.
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis,
beispielsweise organische Leuchtdioden (organic light
emitting diode - OLED) , beispielsweise eine weiße organische Leuchtdiode (White Organic Light Emitting Diode, WOLED) , oder eine organische Solarzelle, finden zunehmend verbreitete Anwendung. Beispielsweise werden OLEDs zunehmend in der
Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle, verwendet. Ein organisches optoelektronisches Bauelement kann eine Anode und eine Kathode mit einem organischen
funktionellen Schichtensystem dazwischen aufweisen.
Herkömmliche OLEDs sind bezüglich ihrer Größe durch die
Leitfähigkeiten ihrer transparenten Elektroden limitiert. Selbst mit hochentwickelten Elektroden-Materialien, wie beispielsweise Silber-Nanodrähten (Ag-Nanowires ) , sind laterale Ausdehnungen von lediglich ca. 10 cm möglich. Ein Busbargitter, das mit der entsprechenden Elektrode elektrisch gekoppelt ist und das sich über die OLED erstrecken kann, kann diese Strukturgröße erhöhen, dominiert das Aussehen der OLED bei größeren Flächen jedoch sehr stark, da mit
zunehmender Größe immer höhere Flächenbelegungen durch das Metall der Busbargitter nötig werden. Alternativ oder
zusätzlich können mehrfach gestapelte OLEDs verwendet werden, um die Effekte von Spannungsvariationen über die aktive
Fläche der OLED zu reduzieren. Zudem gibt es die Möglichkeit, große Flächen mittels on-plate-Tiling mit Strom zu versorgen, bei dem die Kathode eines OLED-Pixels direkt mit der Anode des nächsten Pixels verschaltet wird.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein
optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, das ermöglicht, eine nahezu beliebig große optoelektronische Baugruppe herzustellen, ohne die nutzbare Fläche stark zu reduzieren und/oder mit einem minimalen Verlust an Leuchtfläche,
und/oder optoelektronische Baugruppen mit unterschiedlichen Formen und Größen herzustellen.
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine
optoelektronische Baugruppe bereitgestellt, die nahezu beliebig groß sein kann, ohne dass eine nutzbare Fläche stark reduziert ist und/oder mit einem minimalen Verlust an
Leuchtfläche, und/oder die mit unterschiedlichen Formen und Größen herstellbar ist.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
bereitgestellt, das ermöglicht, mittels des Bauelements eine nahezu beliebig große optoelektronische Baugruppe
herzustellen, ohne die nutzbare Fläche stark zu reduzieren und/oder mit einem minimalen Verlust an Leuchtfläche,
und/oder optoelektronische Baugruppen mit unterschiedlichen Formen und Größen herzustellen.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe bereitgestellt, das ermöglicht, eine nahezu beliebig große optoelektronische Baugruppe herzustellen, ohne die nutzbare Fläche stark zu reduzieren und/oder mit einem minimalen Verlust an
Leuchtfläche, und/oder die optoelektronische Baugruppe mit unterschiedlichen Formen und Größen herzustellen.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein
optoelektronisches Bauelement bereitgestellt. Das
optoelektronische Bauelement hat eine Trägerstruktur, die einen ersten Kontaktabschnitt und einen Trägerabschnitt aufweist. Eine organische funktionelle Schichtenstruktur ist über der Trägerstruktur ausgebildet und überlappt den
Trägerabschnitt. Die organische funktionelle
Schichtenstruktur überlappt den ersten Kontaktabschnitt nicht. Eine elektrisch leitfähige Abdeckstruktur ist über der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet und weist einen Abdeckabschnitt und einen zweiten
Kontaktabschnitt auf. Der Abdeckabschnitt überlappt die organische funktionelle Schichtenstruktur und den
Trägerabschnitt. Der erste Kontaktabschnitt steht auf einer ersten Seite und auf einer dritten Seite des
optoelektronischen Bauelements unter der organisch
funktionellen Schichtenstruktur hervor. Die Abdeckstruktur überlappt den ersten Kontaktabschnitt nicht. Der zweite
Kontaktabschnitt überlappt die organische funktionelle
Schichtenstruktur und den ersten Kontaktabschnitt nicht. Der zweite Kontaktabschnitt steht auf einer zweiten Seite und auf einer vierten Seite des optoelektronischen Bauelements über der organisch funktionellen Schichtenstruktur hervor. Die
Trägerstruktur überlappt den zweiten Kontaktabschnitt nicht. Die erste Seite grenzt an die dritte Seite. Der erste
Kontaktabschnitt ist in Draufsicht L-förmig ausgebildet. Die zweite Seite grenzt an die vierte Seite. Der zweite
Kontaktabschnitt ist in Draufsicht L-förmig ausgebildet.
Der erste Kontaktabschnitt und der zweite Kontaktabschnitt, die sich nicht überlappen, ermöglichen eine getrennte
Stromführung hin bzw. weg von der organischen funktionellen Schichtenstruktur. Dies ermöglicht bei einer
optoelektronischen Baugruppe, die zwei oder mehr der
optoelektronischen Bauelemente aufweist, auf einfache Weise eine Rückkontaktierung von dem zweiten Kontaktabschnitt einer ersten optoelektronischen Baugruppe zu dem ersten
Kontaktabschnitt einer zweiten optoelektronischen Baugruppe. Dadurch lassen sich auf einfache Weise große, beispielsweise beliebig große, optoelektronische Baugruppen realisieren, die nur einen kleinen Verlust an aktiver Leuchtfläche, beispielsweise im Bereich von Kontaktpunkten, in denen die optoelektronischen Bauelemente miteinander verbunden sind, aufweisen . Ferner werden die optoelektronischen Bauelemente erst beim Anordnen der Abdeckkörper und dem damit verbundenen
Laminieren und/oder Verkapseln oder danach zu einer
großflächigen Baugruppe verbunden. Dies ermöglicht
beispielsweise, die einzelnen optoelektronischen Baugruppen zunächst zu testen und abhängig von dem Testergebnis für die optoelektronische Baugruppe zu verwenden oder nicht. Dies kann dazu beitragen, einen Ausschuss gering zu halten. Ferner ermöglicht dies durch eine geschickte Anordnung der
optoelektronischen Bauelemente, beispielsweise gleicher optoelektronischer Bauelemente, optoelektronische Baugruppen mit unterschiedlichen Größen und Formen herzustellen.
Dass sich der erste Kontaktabschnitt und der zweite
Kontaktabschnitt nicht überlappen, bedeutet beispielsweise, dass eine Gerade, die den ersten Kontaktabschnitt schneidet und auf dem ersten Kontaktabschnitt senkrecht steht, den zweiten Kontaktabschnitt nicht schneidet, und/oder dass eine Gerade, die den zweiten Kontaktabschnitt schneidet und die auf dem zweiten Kontaktabschnitt senkrecht steht, den ersten Kontaktabschnitt nicht schneidet. Dass sich der erste
Kontaktabschnitt und der zweite Kontaktabschnitt nicht überlappen, bedeutet beispielsweise, dass der Träger und der Abdeckkörper relativ zueinander verschoben sind und sich lediglich teilweise überlappen, insbesondere überlappen lediglich der Trägerabschnitt und der Abdeckabschnitt.
Bei verschiedenen Ausführungsformen weist die Trägerstruktur einen Träger und eine erste Elektrode auf. Die erste
Elektrode ist in dem Trägerabschnitt zwischen dem Träger und der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich weist die Abdeckstruktur einen Abdeckkörper und eine zweite Elektrode auf. Die zweite
Elektrode ist in dem Abdeckabschnitt zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur und dem Abdeckkörper
ausgebildet. Optional kann sich die erste Elektrode zumindest teilweise über den ersten Kontaktabschnitt erstrecken
und/oder die zweite Elektrode kann sich zumindest teilweise über den zweiten Kontaktabschnitt erstrecken.
Der Träger kann vollständig aus elektrisch leitfähigem
Material gebildet sein. Beispielsweise kann der Träger einstückig aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet sein oder der Träger kann einen elektrisch leitfähigen
Grundkörper und eine elektrisch leitfähige Trägerschicht aufweisen. Alternativ dazu kann der Träger lediglich zum Teil aus elektrisch leitfähigem Material gebildet sein.
Beispielsweise kann der Träger einen elektrisch isolierenden Grundkörper und eine elektrisch leitfähige Trägerschicht aufweisen. Gegebenenfalls ist die elektrisch leitfähige
Trägerschicht mit der ersten Elektrode und/oder der
organischen funktionellen Schichtenstruktur elektrisch gekoppelt und der ersten Elektrode und/oder der organischen funktionellen Schichtenstruktur zugewandt.
Der Abdeckkörper kann vollständig aus elektrisch leitfähigem Material gebildet sein. Beispielsweise kann der Abdeckkörper einstückig aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet sein oder der Abdeckkörper kann einen elektrisch leitfähigen Grundkörper und eine elektrisch leitfähige Abdeckschicht aufweisen. Alternativ dazu kann der Abdeckkörper lediglich zum Teil aus elektrisch leitfähigem Material gebildet sein. Beispielsweise kann der Abdeckkörper einen elektrisch
isolierenden Grundkörper und eine elektrisch leitfähige
Abdeckschicht aufweisen. Gegebenenfalls ist die elektrisch leitfähige Abdeckschicht mit der zweiten Elektrode und/oder der organischen funktionellen Schichtenstruktur elektrisch gekoppelt und der zweiten Elektrode und/oder der organischen funktionellen Schichtenstruktur zugewandt. Insbesondere können durch den Einsatz von Ito-Glas als Abdeckkörper oder Ag-Nanowires , die in den Abdeckkörper integriert sind, beispielsweise als Außenschicht des Abdeckkörpers, beliebig große, transparente optoelektronische Baugruppen realisiert werden .
Bei verschiedenen Ausführungsformen erstreckt sich die erste Elektrode zumindest teilweise über den ersten
Kontaktabschnitt. Alternativ oder zusätzlich erstreckt sich die zweite Elektrode zumindest teilweise über den zweiten Kontaktabschnitt. Beispielsweise erstreckt sich die erste Elektrode über den gesamten ersten Kontaktabschnitt und/oder die zweite Elektrode erstreckt sich über den gesamten zweiten Kontaktabschnitt .
Bei verschiedenen Ausführungsformen weist die elektrisch leitfähige Trägerstruktur den Träger mit der elektrisch leitfähigen Trägerschicht auf. Die elektrisch leitfähige Trägerschicht ist der organischen funktionellen
Schichtenstruktur zugewandt und erstreckt sich zumindest teilweise über den Trägerabschnitt und den ersten
Kontaktabschnitt. Alternativ oder zusätzlich weist die elektrisch leitfähige Abdeckstruktur den Abdeckkörper mit der elektrisch leitfähigen Abdeckschicht auf. Die elektrisch leitfähige Abdeckschicht ist der organischen funktionellen Schichtenstruktur zugewandt und erstreckt sich zumindest teilweise über den Abdeckabschnitt und den zweiten
Kontaktabschnitt .
Bei verschiedenen Ausführungsformen liegen die erste
Elektrode und/oder die Trägerstruktur in einer ersten Ebene und die zweite Elektrode und/oder die Abdeckstruktur liegen in einer zweiten Ebene. Die erste Ebene hat von der zweiten Ebene einen vorgegebenen Abstand größer null. Die einzige elektrisch leitfähige Verbindung zwischen der ersten und der zweiten Ebene innerhalb des optoelektronischen Bauelements ist die organisch funktionelle Schichtenstruktur. In anderen Worten besteht innerhalb des optoelektronischen Bauelements keine Rückführung und/oder Rückkontaktierung von der zweiten Elektrode in der zweiten Ebene zu der ersten Ebene, in der die erste Elektrode ausgebildet ist. Die Rückführung bzw. Rückkontaktierung erfolgt erst beim Anschluss eines weiteren optoelektronischen Bauelements, und zwar hin zu der ersten Elektrode des weiteren optoelektronischen Bauelements in der ersten Ebene.
Bei verschiedenen Ausführungsformen steht der erste
Kontaktabschnitt auf einer ersten Seite des
optoelektronischen Bauelements unter der organisch
funktionellen Schichtenstruktur hervor. Der zweite
Kontaktabschnitt steht auf einer zweiten Seite des
optoelektronischen Bauelements über der organisch
funktionellen Schichtenstruktur hervor. Beispielsweise ist die erste Seite von der zweiten Seite abgewandt und/oder die erste Seite berührt die zweite Seite nicht und/oder die erste Seite ist parallel zu der zweiten Seite.
Bei verschiedenen Ausführungsformen steht der erste
Kontaktabschnitt auf einer dritten Seite des
optoelektronischen Bauelements unter der organisch
funktionellen Schichtenstruktur hervor. Der zweite
Kontaktabschnitt des Abdeckkörpers steht auf einer vierten Seite des optoelektronischen Bauelements über der organisch funktionellen Schichtenstruktur hervor. Beispielsweise ist die dritte Seite von der vierten Seite abgewandt und/oder die dritte Seite berührt die vierte Seite nicht und/oder die dritte Seite ist parallel zu der vierten Seite.
Beispielsweise berührt die erste Seite die dritte Seite und die zweite Seite berührt die vierte Seite und/oder die erste und die zweite Seite sind über die dritte und die vierte Seite miteinander verbunden.
Bei verschiedenen Ausführungsformen grenzt die erste Seite an die dritte Seite und der erste Kontaktabschnitt ist in
Draufsicht L-förmig ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich grenzt die zweite Seite an die vierte Seite und der zweite
Kontaktabschnitt ist in Draufsicht L-förmig ausgebildet. Dass die Kontaktabschnitte in Draufsicht L-förmig ausgebildet sind, bedeutet beispielsweise, dass die Kontaktabschnitte aus einer Richtung, die senkrecht auf den Kontaktabschnitten und/oder der ersten und/oder zweiten Ebene steht, L-förmig erscheinen . Bei verschiedenen Ausführungsformen weist das
optoelektronische Bauelement eine Verkapselung auf, die zumindest die frei liegenden Seitenkanten der organisch funktionellen Schichtenstruktur einkapselt. Die Verkapselung kann beispielsweise ein Verkapselungsmaterial aufweisen, beispielsweise ein elektrisch isolierendes
Verkapselungsmaterial. Die Verkapselung trägt dazu bei, die organisch funktionelle Schichtenstruktur vor schädlichen äußeren Einflüssen, wie zum Beispiel Feuchtigkeit oder
Sauerstoff, zu schützen.
Bei verschiedenen Ausführungsformen weist das
optoelektronische Bauelement eine Barriereschicht auf, die die zweite Elektrode bedeckt und die elektrisch leitfähig ausgebildet ist. Die Barriereschicht trägt dazu bei, die zweite Elektrode vor schädlichen äußeren Einflüssen, wie zum Beispiel Feuchtigkeit oder Sauerstoff, zu schützen. Die
Barriereschicht kann beispielsweise ein Verkapselungsmaterial aufweisen, beispielsweise ein elektrisch leitfähiges
Verkapselungsmaterial .
Bei verschiedenen Ausführungsformen ist der Abdeckkörper mittels einer elektrisch leitfähigen Haftmittelschicht an der zweiten Elektrode oder der Barriereschicht befestigt. Die elektrisch leitfähige Haftmittelschicht ermöglicht auf einfache Weise, den Abdeckkörper an der zweiten Elektrode zu befestigen und mit der zweiten Elektrode bzw. der
Barriereschicht elektrisch zu koppeln.
In verschiedenen Ausführungsformen wird eine
optoelektronische Baugruppe bereitgestellt. Die
optoelektronische Baugruppe weist ein erstes
optoelektronisches Bauelement, ein zweites optoelektronisches Bauelement und mindestens ein drittes optoelektronisches Bauelement auf. Das erste, zweite und dritte
optoelektronische Bauelement können jeweils gemäß einer
Ausgestaltung des im Vorhergehenden erläuterten
optoelektronischen Bauelements ausgebildet sein. Das erste, zweite und dritte optoelektronische Bauelement sind so angeordnet, dass das erste optoelektronische Bauelement an seiner zweiten Seite mit der ersten Seite des zweiten
optoelektronischen Bauelements gekoppelt ist und der zweite Kontaktabschnitt des ersten optoelektronischen Bauelements den ersten Kontaktabschnitt des zweiten optoelektronischen Bauelements überlappt. Die Abdeckstruktur des ersten
optoelektronischen Bauelements ist mit der Trägerstruktur des zweiten optoelektronischen Bauelements elektrisch gekoppelt. Das erste optoelektronische Bauelement ist an seiner vierten Seite mit der dritten Seite des dritten optoelektronischen
Bauelements gekoppelt. Der zweite Kontaktabschnitt des ersten optoelektronischen Bauelements überlappt den ersten
Kontaktabschnitt des dritten optoelektronischen Bauelements. Die Abdeckstruktur des ersten optoelektronischen Bauelements ist mit der Trägerstruktur des dritten optoelektronischen Bauelements mechanisch und elektrisch gekoppelt.
Bei verschiedenen Ausführungsformen ist das erste
optoelektronische Bauelement mittels eines
Verbindungselements mit dem zweiten optoelektronischen
Bauelement und/oder mit dem dritten optoelektronischen
Bauelement elektrisch und/oder mechanisch gekoppelt. Das Verbindungselement kann beispielsweise ein Verbindungsmittel, beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise ein Klebstoff, oder eine Profilsschiene sein. Das Verbindungselement, beispielsweise das Verbindungsmittel und/oder die
Profilschiene, kann beispielsweise elektrisch leitfähig ausgebildet sein. Das Verbindungsmittel kann beispielsweise ein Silberkleber sein. Die Profilschiene kann beispielsweise Aluminium, Silber oder Kupfer aufweisen oder daraus gebildet sein . In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
bereitgestellt, bei dem eine elektrisch leitfähige
Trägerstruktur, die einen ersten Kontaktabschnitt und einen Trägerabschnitt aufweist, ausgebildet wird. Eine organische funktionelle Schichtenstruktur wird über der Trägerstruktur so ausgebildet, dass sie den Trägerabschnitt überlappt und den ersten Kontaktabschnitt nicht überlappt. Eine elektrisch leitfähige Abdeckstruktur, die einen Abdeckabschnitt und einen zweiten Kontaktabschnitt aufweist, wird über der organischen funktionellen Schichtenstruktur so angeordnet, dass der Abdeckabschnitt die organische funktionelle
Schichtenstruktur und den Trägerabschnitt überlappt. Der erste Kontaktabschnitt steht auf einer ersten Seite und auf einer dritten Seite des optoelektronischen Bauelements unter der organisch funktionellen Schichtenstruktur hervor und die Abdeckstruktur überlappt den ersten Kontaktabschnitt nicht. Der zweite Kontaktabschnitt steht auf einer zweiten Seite und auf einer vierten Seite des optoelektronischen Bauelements über der organisch funktionellen Schichtenstruktur hervor und überlappt die Trägerstruktur, die organische funktionelle Schichtenstruktur und den ersten Kontaktabschnitt nicht. Die erste Seite grenzt an die dritte Seite und der erste
Kontaktabschnitt ist in Draufsicht L-förmig ausgebildet. Die zweite Seite grenzt an die vierte Seite und der zweite
Kontaktabschnitt ist in Draufsicht L-förmig ausgebildet.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe bereitgestellt, beispielsweise der im Vorhergehenden erläuterten
optoelektronischen Baugruppe. Das erste, zweite und
mindestens das dritte optoelektronische Bauelement werden so angeordnet, dass das erste optoelektronische Bauelement an seiner zweiten Seite mit der ersten Seite des zweiten
optoelektronischen Bauelements gekoppelt ist und der zweite Kontaktabschnitt des ersten optoelektronischen Bauelements den ersten Kontaktabschnitt des zweiten optoelektronischen Bauelements überlappt. Die Trägerstruktur des ersten optoelektronischen Bauelements wird mit der Trägerstruktur des zweiten optoelektronischen Bauelements elektrisch
gekoppelt. Das erste optoelektronische Bauelement ist an seiner vierten Seite mit der dritten Seite des dritten optoelektronischen Bauelements gekoppelt und der zweite
Kontaktabschnitt des ersten optoelektronischen Bauelements überlappt den ersten Kontaktabschnitt des dritten
optoelektronischen Bauelements. Die Abdeckstruktur des ersten optoelektronischen Bauelements wird mit der Trägerstruktur des dritten optoelektronischen Bauelements elektrisch
gekoppelt .
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen
Figur 1 eine Schnittdarstellung eines herkömmlichen
optoelektronischen Bauelements;
Figur 2 eine detaillierte Schnittdarstellung einer
Schichtenstruktur des herkömmlichen
optoelektronischen Bauelements gemäß Figur 1 ; Figur 3 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements;
Figur 4 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements;
Figur 5 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements;
Figur 6 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements;
Figur 7 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements; Figur 8 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements; Figur 9 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe;
Figur 10 eine Schnittdarstellung der optoelektronischen
Baugruppe gemäß Figur 9 oder 11;
Figur 11 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe;
Figur 12 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe;
Figur 13 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe; Figur 14 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe;
Figur 15 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe;
Figur 16 ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines
Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements ; Figur 17 ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines
Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe .
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Eine optoelektronische Baugruppe kann ein, zwei oder mehr optoelektronische Bauelemente aufweisen. Optional kann eine optoelektronische Baugruppe auch ein, zwei oder mehr
elektronische Bauelemente aufweisen. Ein elektronisches Bauelement kann beispielsweise ein aktives und/oder ein passives Bauelement aufweisen. Ein aktives elektronisches Bauelement kann beispielsweise eine Rechen-, Steuer- und/oder Regeleinheit und/oder einen Transistor aufweisen. Ein
passives elektronisches Bauelement kann beispielsweise einen Kondensator, einen Widerstand, eine Diode oder eine Spule aufweisen . Ein optoelektronisches Bauelement kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein
elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle sein. Ein
elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann beispielsweise als eine organische elektromagnetische
Strahlung emittierende Diode oder als ein organischer
elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor
ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden
Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann verstanden werden, dass eine Schicht für Licht
durchlässig ist, beispielsweise für das von dem
Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur
(beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist (beispielsweise zumindest in einem
Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht)
eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder
Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise
Schicht) ausgekoppelt wird.
Fig. 1 zeigt ein herkömmliches optoelektronisches Bauelement 1. Das herkömmliche optoelektronische Bauelement 1 weist einen Träger 12, beispielsweise ein Substrat, auf. Auf dem Träger 12 ist eine herkömmliche optoelektronische
Schichtenstruktur ausgebildet.
Die herkömmliche optoelektronische Schichtenstruktur weist eine erste Elektrodenschicht 14 auf, die einen herkömmlichen ersten Kontaktabschnitt 16, einen herkömmlichen zweiten
Kontaktabschnitt 18 und eine erste Elektrode 20 aufweist. Der herkömmliche zweite Kontaktabschnitt 18 ist mit der ersten Elektrode 20 der herkömmlichen optoelektronischen
Schichtenstruktur elektrisch gekoppelt. Die erste Elektrode 20 ist von dem herkömmlichen ersten Kontaktabschnitt 16 mittels einer elektrischen Isolierungsbarriere 21 elektrisch isoliert. Über der ersten Elektrode 20 ist eine organische funktionelle Schichtenstruktur 22 der herkömmlichen
optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet. Die optisch funktionelle Schichtenstruktur 22 kann beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen, wie weiter unten mit Bezug zu Figur 2 näher erläutert. Über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ist eine zweite Elektrode 23 der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet, die elektrisch mit dem herkömmlichen ersten Kontaktabschnitt 16 gekoppelt ist.
Angenommen, die zweite Elektrode 23 ist in einer ersten Ebene angeordnet und die erste Elektrode 20 ist in einer zweiten Ebene angeordnet, in der auch der erste Kontaktabschnitt 16 und der zweite Kontaktabschnitt 18 angeordnet sind, so finden während des Betriebs des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1 innerhalb des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1 eine Hinführung des Stroms von der ersten
Elektrode 20 über die organische funktionelle
Schichtenstruktur 22 zu der zweiten Elektrode 23 und eine Rückführung des Stroms von der ersten Ebene zu der zweiten Ebene, insbesondere von der zweiten Elektrode 23 zu dem ersten Kontaktabschnitt 16, statt.
Die erste Elektrode 20 dient beispielsweise als Anode oder Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Die zweite Elektrode 23 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode als Kathode bzw. Anode der optoelektronischen
Schichtenstruktur . Über der zweiten Elektrode 23 und teilweise über dem
herkömmlichen ersten Kontaktabschnitt 16 und teilweise über dem herkömmlichen zweiten Kontaktabschnitt 18 ist eine
Verkapselungsschicht 24 der herkömmlichen optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet, die die herkömmliche
optoelektronische Schichtenstruktur verkapselt. In der
Verkapselungsschicht 24 sind über dem herkömmlichen ersten Kontaktabschnitt 16 eine erste Ausnehmung der
Verkapselungsschicht 24 und über dem herkömmlichen zweiten Kontaktabschnitt 18 eine zweite Ausnehmung der
Verkapselungsschicht 24 ausgebildet. In der ersten Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ist ein erster Kontaktbereich 32 freigelegt und in der zweiten Ausnehmung der
Verkapselungsschicht 24 ist ein zweiter Kontaktbereich 34 freigelegt. Der erste Kontaktbereich 32 dient zum
elektrischen Kontaktieren des herkömmlichen ersten
Kontaktabschnitts 16 und der zweite Kontaktbereich 34 dient zum elektrischen Kontaktieren des herkömmlichen zweiten
Kontaktabschnitts 18. Über der Verkapselungsschicht 24 ist eine Haftmittelschicht
36 ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 weist beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise einen Klebstoff,
beispielsweise einen Laminierklebstoff, einen Lack und/oder ein Harz auf. Über der Haftmittelschicht 36 ist ein
Abdeckkörper 38 ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 dient zum Befestigen des Abdeckkörpers 38 an der
Verkapselungsschicht 24. Der Abdeckkörper 38 weist
beispielsweise Glas und/oder Metall auf. Beispielsweise kann der Abdeckkörper 38 im Wesentlichen aus Glas gebildet sein und eine dünne Metallschicht, beispielsweise eine
Metallfolie, und/oder eine Graphitschicht, beispielsweise ein Graphitlaminat, auf dem Glaskörper aufweisen. Der
Abdeckkörper 38 dient zum Schützen des herkömmlichen
optoelektronischen Bauelements 1, beispielsweise vor äußeren schädlichen Einflüssen, beispielsweise vor mechanischen
Krafteinwirkungen von außen und/oder vor Feuchtigkeit oder Sauerstoff. Ferner kann der Abdeckkörper 38 zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem herkömmlichen optoelektronischen Bauelement 1 erzeugt wird. Beispielsweise kann das Glas des Abdeckkörpers 38 als Schutz vor äußeren Einwirkungen dienen und die Metallschicht des Abdeckkörpers 38 kann zum Verteilen und/oder Abführen der beim Betrieb des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1 entstehenden Wärme dienen.
Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise strukturiert auf die Verkapselungsschicht 24 aufgebracht werden. Dass die Haftmittelschicht 36 strukturiert auf die
Verkapselungsschicht 24 aufgebracht wird, kann beispielsweise bedeuten, dass die Haftmittelschicht 36 schon direkt beim Aufbringen eine vorgegebene Struktur aufweist. Beispielsweise kann die Haftmittelschicht 36 mittels eines Dispens- oder Druckverfahrens strukturiert aufgebracht werden.
Das herkömmliche optoelektronische Bauelement 1 kann
beispielsweise aus einem Bauelementverbund vereinzelt werden, indem der Träger 12 entlang seiner in Fig. 1 seitlich
dargestellten Außenkanten geritzt und dann gebrochen wird und indem der Abdeckkörper 38 gleichermaßen entlang seiner in Fig. 1 dargestellten seitlichen Außenkanten geritzt und dann gebrochen wird. Bei diesem Ritzen und Brechen wird die Verkapselungsschicht 24 über den Kontaktbereichen 32, 34 freigelegt. Nachfolgend können der erste Kontaktbereich 32 und der zweite Kontaktbereich 34 in einem weiteren
Verfahrensschritt freigelegt werden, beispielsweise mittels eines Ablationsprozesses , beispielsweise mittels
Laserablation, mechanischen Kratzens oder eines
Ätzverfahrens .
Fig. 2 zeigt eine detaillierte Schnittdarstellung einer
Schichtenstruktur eines herkömmlichen optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise des im Vorhergehenden
erläuterten herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1, wobei die herkömmlichen Kontaktabschnitte 16, 18 in dieser Detailansicht nicht dargestellt sind. Das herkömmliche optoelektronische Bauelement 1 kann als Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter ausgebildet sein. Falls das herkömmliche optoelektronische Bauelement 1 als Top-Emitter und Bottom- Emitter ausgebildet ist, kann das herkömmliche
optoelektronische Bauelement 0 als optisch transparentes Bauelement, beispielsweise eine transparente organische
Leuchtdiode, bezeichnet werden.
Das herkömmliche optoelektronische Bauelement 1 weist den Träger 12 und einen aktiven Bereich über dem Träger 12 auf. Zwischen dem Träger 12 und dem aktiven Bereich kann eine erste nicht dargestellte Barriereschicht, beispielsweise eine erste Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Der aktive
Bereich weist die erste Elektrode 20, die organische
funktionelle Schichtenstruktur 22 und die zweite Elektrode 23 auf. Über dem aktiven Bereich ist die Verkapselungsschicht 24 ausgebildet. Die Verkapselungsschicht 24 kann als zweite Barriereschicht, beispielsweise als zweite
Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Über dem aktiven
Bereich und gegebenenfalls über der Verkapselungsschicht 24, ist der Abdeckkörper 38 angeordnet. Der Abdeckkörper 38 kann beispielsweise mittels einer Haftmittelschicht 36 auf der Verkapselungsschicht 24 angeordnet sein. Der aktive Bereich ist ein elektrisch und/oder optisch aktiver Bereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichten zwischen den
Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen .
Der Träger 12 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Der Träger 12 dient als Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente. Der Träger 12 kann beispielsweise Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Träger 12 eine Kunststofffolie oder ein
Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien
aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine aufweisen. Ferner kann der
Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen. Der Träger 12 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metallverbindung,
beispielsweise Stahl. Der Träger 12 kann als Metallfolie oder metallbeschichtete Folie ausgebildet sein. Der Träger 12 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden. Der Träger 12 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder rigide oder mechanisch flexibel ausgebildet sein.
Die erste Elektrode 20 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf, beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid
(transparent conductive oxide, TCO) oder einen
Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalle oder TCOs aufweisen. Die erste Elektrode 20 kann beispielsweise einen Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs aufweisen, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn- Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten.
Als Metall können beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder
Legierungen dieser Materialien verwendet werden.
Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoff- Verbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn0 2 oder Ιη 2 θ 3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn 2 Sn0 4 , CdSn0 3 , ZnSn0 3 , Mgln 2 0 4 , Galn0 3 , Zn 2 In 2 0 5 oder In 4 Sn 3 0i 2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs.
Die erste Elektrode 20 kann alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren, Graphen-Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
Beispielsweise kann die erste Elektrode 20 eine der folgenden Strukturen aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind, ein Netzwerk aus
Kohlenstoff-Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren
kombiniert sind, und/oder Graphen-Schichten und Komposite. Ferner kann die erste Elektrode 20 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide aufweisen. Die erste Elektrode 20 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm,
beispielsweise von 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm.
Die erste Elektrode 20 kann einen ersten elektrischen
Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist. Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle (nicht dargestellt) bereitgestellt werden, beispielsweise von einer Stromquelle oder einer
Spannungsquelle. Alternativ kann das erste elektrische
Potential an den Träger 12 angelegt sein und der ersten
Elektrode 20 über den Träger 12 mittelbar zugeführt werden. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das
Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein .
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine
Emitterschicht, eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektroneninj ektionsschicht aufweisen .
Die Lochinjektionsschicht kann auf oder über der ersten
Elektrode 20 ausgebildet sein. Die Lochinjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoOx, WOx, VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi(III)pFBz, F16CuPc; NPB (Ν,Ν'- Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB N, ' -Bis (naphthalen-2-yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD
(N, ' -Bis ( 3-methylphenyl ) -N, ' -bis (phenyl ) -benzidin) ; Spiro TPD (N, ' -Bis (3-methylphenyl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (N, ' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (N, N ' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, N ' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (N,N'-Bis(3- methylphenyl ) -N, ' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ', 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [ 4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl ] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl- amino) phenyl ]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N' -bis-naphthalen-2- yl-N, ' -bis-phenyl-amino) -phenyl ]- 9H-fluor; Ν,Ν'
bis (phenanthren- 9-yl ) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin; 2,7 Bis[N,N- bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro-bifluoren; 2,2'-Bis[N,N-bis (biphenyl-4-yl ) amino ] 9, 9-spiro-bifluoren; 2 , 2 ' -Bis (N, -di-phenyl-amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (N, N- ditolyl-amino) -phenyl ] cyclohexan; 2, 2 ',7, 7' tetra (N, N-di- tolyl) amino-spiro-bifluoren; und/oder N, N, ' , ' -tetra- naphthalen-2-yl-benzidin .
Die Lochinjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm. Auf oder über der Lochinjektionsschicht kann die
Lochtransportschicht ausgebildet sein. Die
Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (Ν,Ν'- Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB N, ' -Bis (naphthalen-2-yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD
(N, ' -Bis ( 3-methylphenyl ) -N, ' -bis (phenyl ) -benzidin) ; Spiro TPD (N, ' -Bis (3-methylphenyl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (N, ' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (N, N ' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, N ' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (N,N'-Bis(3- methylphenyl ) -N, ' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ', 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [ 4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl ] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl- amino) phenyl ]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N' -bis-naphthalen-2- yl-N, ' -bis-phenyl-amino) -phenyl ]-9H-fluor; N, N ' bis (phenanthren- 9-yl ) -N, ' -bis (phenyl ) -benzidin; 2 , 7-Bis [N, N- bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro-bifluoren; 2,2'-Bis[N,N-bis (biphenyl-4-yl ) amino ] 9, 9-spiro-bifluoren; 2 , 2 ' -Bis (N, -di-phenyl-amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [ 4- (N, N- ditolyl-amino) -phenyl ] cyclohexan; 2 , 2 ' , 7 , 7 ' -tetra (N, N-di- tolyl) amino-spiro-bifluoren; und N, Ν,Ν',Ν' tetra-naphthalen- 2 -yl-benzidin .
Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Auf oder über der Lochtransportschicht können die eine oder mehrere Emitterschichten ausgebildet sein, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern. Die Emitterschicht kann organische Polymere, organische
Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen. Die Emitterschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder organometallische
Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2 , 5-substituiertes Poly-p- phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise
Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic
(Bis (3, 5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) - iridium III), grün phosphoreszierendes Ir (ppy) 3 (Tris (2- phenylpyridin) iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb- bpy)3*2(PF6) (Tris [ 4 , 4 ' -di-tert-butyl- (2 , 2 ' ) - bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA ( 9, 10-Bis [N, -di- (p-tolyl) - amino ] anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4- Dicyanomethylen) -2-methyl-6-j ulolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem
Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) . Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem
Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer
technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid, oder einem Silikon.
Die erste Emitterschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,
beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die
Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ oder zusätzlich kann vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein
Konvertermaterial anzuordnen, das das primäre Licht zumindest teilweise absorbiert und sekundäres Licht anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich durch die Kombination von nicht weißem primärem Licht und nicht weißem sekundärem Licht weißes Licht ergibt.
Auf oder über der Emitterschicht kann die
Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein. Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET-18; 2, 2', 2" - (1, 3, 5-Benzinetriyl ) -tris (1- phenyl-l-H-benzimidazole) ; 2- (4-Biphenylyl) -5- (4-tert- butylphenyl) -1, 3, 4-oxadiazole, 2, 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l , 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3, 5-diphenyl-4H-l , 2, 4-triazole; 1, 3-Bis [2- (2, 2 ' -bipyridine- 6-yl ) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl ] benzene; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-l , 2, 4-triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6'-Bis[5- (biphenyl-4-yl) -1, 3, 4-oxadiazo-2-yl ] -2,2' -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10-di (naphthalen-2-yl) -anthracene ; 2, 7-Bis [2- (2, 2 ' - bipyridine- 6-yl ) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl ] -9, 9-dimethylfluorene ; 1, 3-Bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3, 4-oxadiazo-5-yl ] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l , 10-phenanthroline; 2, 9- Bis (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline;
Tris(2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl ) phenyl) borane; 1-methyl- 2 - (4 - (naphthalen-2-yl) phenyl) -lH-imidazo [4,5- f] [ 1 , 10 ] phenanthrolin; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.
Auf oder über der Elektronentransportschicht kann die
Elektroneninjektionsschicht ausgebildet sein. Die
Elektroneninjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, MgAg, Cs 2 C0 3 , Cs 3 P0 4 , Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF;
2, 2', 2" -(1,3, 5-Benzinetriyl) -tris ( 1 -phenyl-1-H- benzimidazole) ; 2- (4-Biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) - 1,3, 4-oxadiazole, 2, 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l, 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3, 5-diphenyl-4H-l , 2, 4-triazole; 1, 3-Bis [2- (2, 2 ' -bipyridine- 6-yl ) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl ] benzene; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen); 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-l, 2, 4-triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6'-Bis[5- (biphenyl-4-yl) -1, 3, 4-oxadiazo-2-yl ] -2,2' -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10-di (naphthalen-2-yl) -anthracene; 2, 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine- 6-yl ) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl ] -9, 9-dimethylfluorene ; 1, 3-Bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3, 4-oxadiazo-5-yl ] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l , 10-phenanthroline; 2, 9- Bis (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline;
Tris (2, 4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl ) phenyl) borane; 1-methyl- 2 - (4 - (naphthalen-2-yl) phenyl) -lH-imidazo [4,5- f] [ 1 , 10 ] phenanthroline ; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;
Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide;
Perylentetracarbonsäuredianhydrid oder dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer
Silacyclopentadieneinheit .
Die Elektroneninjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm.
Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können entsprechende Zwischenschichten zwischen den organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten
ausgebildet sein. Die organischen funktionellen
Schichtenstruktur-Einheiten können jeweils einzeln für sich gemäß einer Ausgestaltung der im Vorhergehenden erläuterten organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ausgebildet sein. Die Zwischenschicht kann als eine Zwischenelektrode ausgebildet sein. Die Zwischenelektrode kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode
beispielsweise ein drittes elektrisches Potential
bereitstellen. Die Zwischenelektrode kann jedoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm.
Das herkömmliche optoelektronische Bauelement 10 kann
optional weitere funktionale Schichten aufweisen,
beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten oder auf oder über der
Elektronentransportschicht . Die weiteren funktionalen
Schichten können beispielsweise interne oder externe Ein- /Auskoppelstrukturen sein, die die Funktionalität und damit die Effizienz des herkömmlichen optoelektronischen
Bauelements 10 weiter verbessern können.
Die zweite Elektrode 23 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 20 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 20 und die zweite Elektrode 23 gleich oder
unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrode 23 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die zweite Elektrode 23 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches Potential anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential. Das zweite elektrische
Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann
beispielsweise derart sein, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential ein Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V ist, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.
Die Verkapselungsschicht 24 kann auch als
Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die
Verkapselungsschicht 24 weist Verkapselungsmaterial auf. Die Verkapselungsschicht 24 kann als transluzente oder
transparente Schicht ausgebildet sein. Die
Verkapselungsschicht 24 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. In anderen Worten ist die Verkapselungsschicht 24 derart ausgebildet, dass sie von Stoffen, die das optoelektronische Bauelement schädigen können, beispielsweise Wasser,
Sauerstoff oder Lösemittel, nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Die
Verkapselungsschicht 24 kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtenstruktur ausgebildet sein. Das Verkapselungsmaterial , beispielsweise der
Verkapselungsschicht 24 und/oder der Barriereschicht, kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid
Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium ¬ dotiertes Zinkoxid, Poly (p-phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben.
Die Verkapselungsschicht 24 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise ungefähr 40 nm.
Die Verkapselungsschicht 24 kann ein hochbrechendes Material aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material (ien) mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem
Brechungsindex von 1,5 bis 3, beispielsweise von 1,7 bis 2,5, beispielsweise von 1,8 bis 2.
Gegebenenfalls kann die erste Barriereschicht auf dem Träger 12 und/oder auf der organischen funktionellen
Schichtenstruktur 22 korrespondierend zu einer Ausgestaltung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet sein.
Die Verkapselungsschicht 24 kann beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , z.B. eines plasmaunterstützten
Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) , z.B. eines plasmaunterstützten
Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen
Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer
geeigneter Abscheideverfahren.
Gegebenenfalls kann eine Ein- oder Auskoppelschicht
beispielsweise als externe Folie (nicht dargestellt) auf dem Träger 12 oder als interne Auskoppelschicht (nicht
dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet sein. Die Ein-/Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein-/Auskoppelschicht größer ist als der mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können zusätzlich eine oder mehrere
Entspiegelungsschichten ausgebildet sein.
Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise Klebstoff und/oder Lack aufweisen, mittels dessen der Abdeckkörper 38 beispielsweise auf der Verkapselungsschicht 24 angeordnet, beispielsweise aufgeklebt, ist. Die Haftmittelschicht 36 kann transparent oder transluzent ausgebildet ein. Die
Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch kann die Haftmittelschicht 36 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen. Als lichtstreuende Partikel können dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem
Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (Si02), Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga20x) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der Haftmittelschicht 36
verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein. Die Haftmittelschicht 36 kann eine Schichtdicke größer 1 ym aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren ym. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff ein Laminations-Klebstoff sein. Die Haftmittelschicht 36 kann einen Brechungsindex aufweisen, der kleiner ist als der Brechungsindex des Abdeckkörpers 38. Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise einen
niedrigbrechenden Klebstoff aufweisen, wie beispielsweise ein Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. Die Haftmittelschicht 36 kann jedoch auch einen
hochbrechenden Klebstoff aufweisen, der beispielsweise hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und der einen schichtdickengemittelten Brechungsindex aufweist, der
ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch
funktionellen Schichtenstruktur 22 entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,6 bis ungefähr 2,5,
beispielsweise von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,0.
Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine sogenannte
Getter-Schicht oder Getter-Struktur, d.h. eine lateral strukturierte Getter-Schicht, (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter-Schicht kann transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein. Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Stoffe, die
schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet. Eine Getter-Schicht kann beispielsweise ein Zeolith- Derivat aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Getter- Schicht kann eine Schichtdicke größer 1 ym aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren ym. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter-Schicht einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder in der
Haftmittelschicht 36 eingebettet sein.
Der Abdeckkörper 38 kann beispielsweise von einem Glaskörper, einer Metallfolie oder einem abgedichteten Kunststofffolien- abdeckkörper gebildet sein. Der Abdeckkörper 38 kann
beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen
Randbereichen des herkömmlichen optoelektronischen
Bauelements 10 auf der Verkapselungsschicht 24 oder über dem aktiven Bereich angeordnet sein. Der Abdeckkörper 38 kann beispielsweise einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von beispielsweise 1,3 bis 3,
beispielsweise von 1,4 bis 2, beispielsweise von 1,5 bis 1,8 aufweisen . Fig. 3 zeigt eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 10.
Das optoelektronische Bauelement 10 und insbesondere die
Schichten des optoelektronischen Bauelements 10 können beispielsweise weitgehend dem herkömmlichen
optoelektronischen Bauelement 1 bzw. den im Vorhergehenden erläuterten Schichten des herkömmlichen optoelektronischen
Bauelements 1 entsprechen.
Das optoelektronische Bauelement 10 weist eine Trägerstruktur auf, die einen Trägerabschnitt 40 und einen ersten
Kontaktabschnitt 42 aufweist. Die Trägerstruktur weist beispielsweise den Träger 12 und die erste Elektrode 20 auf. Die erste Elektrode 20 erstreckt sich über den
Trägerabschnitt 40 und über den ersten Kontaktabschnitt 42. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 überlappt den Trägerabschnitt 40 und überlappt den Kontaktabschnitt 42 nicht. In anderen Worten ist die erste Elektrode 20 in dem ersten Kontaktabschnitt 42 frei von der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22. Die erste Elektrode 20 und der Träger 12 stehen an einer ersten Seite des
optoelektronischen Bauelements 10 unter der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 hervor. Die
Verkapselungsschicht 24 bildet eine Verkapselung, die die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 und die zweite Elektrode 23 an ihren seitlichen Kanten einkapselt.
Über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ist eine Abdeckstruktur angeordnet. Die Abdeckstruktur weist einen Abdeckabschnitt 44 und einen Kontaktabschnitt 46 auf. Die Abdeckstruktur weist den Abdeckkörper 38 und optional die zweite Elektrode 23 und/oder die Haftmittelschicht 36 auf. Die Haftmittelschicht 36 und der Abdeckkörper 38 sind
elektrisch leitfähig ausgebildet. Die Abdeckstruktur ist so angeordnet, dass der Abdeckabschnitt 44 über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 und der zweiten Elektrode 23 angeordnet ist und diese überlappt und dass der zweite Kontaktabschnitt 46 die organische funktionelle
Schichtenstruktur 22 und/oder die zweite Elektrode 23 nicht überlappt. Ferner überlappt der zweite Kontaktabschnitt 46 nicht die Trägerstruktur und/oder den Trägerabschnitt 40. Somit steht der zweite Kontaktabschnitt 46 über der
organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 hervor, so dass der zweite Kontaktbereich 34 freigelegt ist.
Die Haftmittelschicht 36 ist gegebenenfalls über der zweiten Elektrode 23 ausgebildet. Alternativ dazu kann sich die
Haftmittelschicht 36 auch über die seitlichen Kanten der zweiten Elektrode 23 und der organischen funktionellen
Schichtenstruktur 22 erstrecken und/oder die
Verkapselungsschicht 24 ersetzen. Dies kann ermöglichen, auf die Verkapselungsschicht 24 verzichten zu können. Ferner kann eine Barriereschicht zwischen der zweiten Elektrode 23 und der Haftmittelschicht 36 ausgebildet sein.
Die Abdeckstruktur ist in einer ersten Ebene 47 angeordnet. Die Trägerstruktur, insbesondere die erste Elektrode 20, ist in einer zweiten Ebene 48 angeordnet. Die erste Ebene 47 hat von der zweiten Ebene 48 einen vorgegebenen Abstand A, der größer null ist. Während des Betriebs des optoelektronischen Bauelements 10 ergibt sich ein Stromfluss von der zweiten Ebene 48 durch die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 entlang einer Stromrichtung 49 zur ersten Ebene 47 und insbesondere von der Trägerstruktur hin zu der
Abdeckstruktur, insbesondere von der ersten Elektrode 20 hin zu der zweiten Elektrode 23 und weiter hin zu dem
Abdeckkörper 38. In anderen Worten gibt es keine Rückführung des Stroms von der Abdeckstruktur zu der Trägerstruktur innerhalb des optoelektronischen Bauelements 10.
Die Kontaktabschnitte 42, 46 sind in den Figuren verglichen mit den Abdeckabschnitten 44 und Trägerabschnitten 40 relativ groß ausgebildet, was zum besseren Verständnis dienen soll. Tatsächlich können die Kontaktabschnitte 42, 46 verglichen mit dem Abdeckabschnitt 44 und dem Trägerabschnitt 40 jedoch auch deutlich kleiner ausgebildet sein.
Fig. 4 zeigt eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 10, das beispielsweise weitgehend dem im Vorhergehenden
erläuterten optoelektronischen Bauelement 10 entsprechen kann. Bei dem optoelektronischen Bauelement 10 ist die
Trägerstruktur elektrisch leitfähig ausgebildet und die
Trägerstruktur weist keine erste Elektrode 20 auf. Anstatt der ersten Elektrode 20 ist der Träger 12 elektrisch
leitfähig ausgebildet und/oder der Träger 12 kann eine elektrisch leitfähige Trägerbeschichtung 62 aufweisen, so dass der Träger 12 und/oder die Trägerbeschichtung 62 die Funktion der ersten Elektrode 20 übernehmen können.
Alternativ oder zusätzlich kann korrespondierend zu der
Trägerstruktur bei der Abdeckstruktur auf die zweite
Elektrode 23 verzichtet werden. Beispielsweise kann der
Abdeckkörper 38 elektrisch leitfähig ausgebildet sein
und/oder der Abdeckkörper 38 kann eine elektrisch leitfähige Abdeckbeschichtung 64 aufweisen, so dass der Abdeckkörper 38 und/oder die Abdeckbeschichtung 64 die Funktion der zweiten Elektrode 23 übernehmen können. Ferner kann eine
Barriereschicht zwischen der organischen funktionellen
Schichtenstruktur 22 und der Haftmittelschicht 36 ausgebildet sein .
Fig. 5 zeigt eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 10, das beispielsweise weitgehend dem im Vorhergehenden
erläuterten optoelektronischen Bauelement 10 entsprechen kann. Bei dem optoelektronischen Bauelement 10 ist die
Trägerstruktur beispielsweise gemäß der in Fig. 4 gezeigten Trägerstruktur ausgebildet. Die Abdeckstruktur weist die zweite Elektrode 23 auf. Die zweite Elektrode 23 erstreckt sich über den Abdeckabschnitt 44 und den zweiten
Kontaktabschnitt 46. Ferner kann eine Barriereschicht
zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 und der zweiten Elektrode 23 ausgebildet sein.
Fig. 6 zeigt eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels des optoelektronischen Bauelements 10, das beispielsweise weitgehend dem im Vorhergehenden
erläuterten optoelektronischen Bauelement 10 entsprechen kann. Bei dem optoelektronischen Bauelement 10 ist die
Abdeckstruktur gemäß der in Fig. 4 gezeigten Abdeckstruktur ausgebildet. Die Trägerstruktur weist den Träger 12 und/oder die elektrisch leitfähige Trägerschicht 62 auf. Der Träger 12 kann elektrisch leitfähig ausgebildet sein, insbesondere falls die Trägerschicht 62 nicht ausgebildet ist. Die
Trägerschicht 62 erstreckt sich über den Trägerabschnitt 40 und den ersten Kontaktabschnitt 42. Das optoelektronische Bauelement 10 weist die erste Elektrode 20 auf. Die erste Elektrode 20 überlappt den Trägerabschnitt 40. Die erste Elektrode 20 überlappt den ersten Kontaktabschnitt 42 nicht. Ferner kann eine Barriereschicht zwischen der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 und der Haftmittelschicht 36 ausgebildet sein. Fig. 7 zeigt eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 10, beispielsweise eines der in den Figuren 3 bis 6 gezeigten optoelektronischen
Bauelemente 10. Der Abdeckkörper 38 ist relativ zu dem Träger 12 so verschoben ist, dass auf der ersten Seite des
optoelektronischen Bauelements 10 der Abdeckkörper 38 ersten Kontaktabschnitt 42 und den ersten Kontaktbereich 32 nicht überlappt und der erste Kontaktbereich 32 freiliegt. Dazu korrespondierend steht der zweite Kontaktabschnitt 46 an der zweiten Seite des optoelektronischen Bauelements 10 hervor, so dass der (in Figur 7 verdeckte) zweite Kontaktbereich 34 freigelegt ist.
Fig. 8 zeigt eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 10, beispielsweise eines der in den Figuren 3 bis 6 gezeigten optoelektronischen
Bauelemente 10. Der Abdeckkörper 38 ist so relativ zu dem Träger 12 verschoben, dass der Abdeckkörper 38 den ersten Kontaktabschnitt 42 an der ersten und dritten Seite des optoelektronischen Bauelements 10 nicht überlappt und der erste Kontaktbereich 32 an der ersten und dritten Seite des optoelektronischen Bauelements 10 freigelegt ist. Der erste Kontaktabschnitt 42 und der erste Kontaktbereich 32 sind jeweils L-förmig ausgebildet. Dazu korrespondierend steht der zweite Kontaktabschnitt 46 an der zweiten Seite und vierten des optoelektronischen Bauelements 10 hervor und der (in Figur 8 verdeckte) zweite Kontaktbereich 34 ist an der zweiten Seite und vierten des optoelektronischen Bauelements lOfreigelegt ist. Der zweite Kontaktbereich 34 und der zweite Kontaktabschnitt 46 sind in L-förmig ausgebildet.
Fig. 9 zeigt eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe. Die optoelektronische Baugruppe weist mindestens zwei optoelektronische Bauelemente auf, die jeweils beispielsweise weitgehend einem der im
Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelemente 10 entsprechen können, beispielsweise dem in Figur 7 gezeigten optoelektronischen Bauelement 10. Die optoelektronische
Baugruppe weist das optoelektronische Bauelement 10,
beispielsweise das erste optoelektronische Bauelement 10, und ein zweites optoelektronisches Bauelement 50 auf.
Das erste optoelektronische Bauelement 10 ist mit seiner zweiten Seite an der ersten Seite des zweiten
optoelektronischen Bauelements 50 angeordnet. Das erste optoelektronische Bauelement 10 und das zweite
optoelektronische Bauelement 50 sind so zueinander
angeordnet, dass der zweite Kontaktabschnitt 46 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 den ersten Kontaktabschnitt 42 des zweiten optoelektronischen Bauelements 50 überlappt. In dem Überlappungsbereich ist ein Verbindungselement
angeordnet, das die beiden optoelektronischen Bauelemente 10, 50 mechanisch und elektrisch miteinander verbindet. Das
Verbindungselement weist beispielsweise ein Verbindungsmittel 52 auf. Das Verbindungsmittel 52 ist elektrisch leitfähig ausgebildet. Beispielsweis weist das Verbindungsmittel 52 einen elektrisch leitfähigen Klebstoff, beispielsweise einen Klebstoff mit Silberpartikeln, auf. Das erste
optoelektronische Bauelement 10 und das zweite
optoelektronische Bauelement 10 sind mittels des
Verbindungsmittels 20 mechanisch und elektrisch miteinander gekoppelt. Insbesondere ist die Abdeckstruktur des ersten optoelektronischen Bauelements 10 über das Verbindungsmittel 52 mit der Trägerstruktur des zweiten optoelektronischen Bauelements 50 mechanisch und elektrisch verbunden.
Im Betrieb der optoelektronischen Baugruppe fließt ein Strom beispielsweise von der Trägerstruktur des ersten
optoelektronischen Bauelements 10 über die organische
funktionelle Schichtenstruktur 22 des ersten
optoelektronischen Bauelements 10 zu der Abdeckstruktur des ersten optoelektronischen Bauelements 10. Der Strom fließt weiter von der Abdeckstruktur des ersten optoelektronischen Bauelements 10 über das Verbindungsmittel 52 zu der Trägerstruktur des zweiten optoelektronischen Bauelements 50 und über die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 des zweiten optoelektronischen Bauelements 50 zu der
Abdeckstruktur des zweiten optoelektronischen Bauelements 50. Das erste optoelektronische Bauelement 10 und das zweite optoelektronische Bauelement 50 sind elektrisch in Reihe geschaltet .
Fig. 10 zeigt eine Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Baugruppe, beispielsweise der in Figur 9 oder der in Figur 11 gezeigten optoelektronischen Baugruppe. Die optoelektronische Baugruppe weist mindestens zwei optoelektronische Bauelemente 10, 50 auf, die beispielsweise gemäß den in den Figuren 3 bis 6 gezeigten optoelektronischen Bauelementen 10 ausgebildet sind .
Optional können drei, vier oder mehr optoelektronische
Bauelemente 10, 50 miteinander gekoppelt werden, insbesondere in Reihe geschaltet werden, um die optoelektronische
Baugruppe zu bilden. In anderen Worten kann die
optoelektronische Baugruppe auch mehr als zwei
optoelektronische Bauelemente 10, 50 aufweisen. Fig. 11 zeigt eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe. Die optoelektronische Baugruppe weist mindestens zwei optoelektronische Bauelemente auf, die jeweils beispielsweise weitgehend einem der im
Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelemente 10 entsprechen können, beispielsweise dem in den Figuren 3 bis 6 und 8 gezeigten optoelektronischen Bauelement 10. Die
optoelektronische Baugruppe weist beispielsweise das erste optoelektronische Bauelement 10, das zweite optoelektronische Bauelement 50 und ein drittes optoelektronisches Bauelement 60 auf, das beispielsweise gemäß einer Ausgestaltung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet sein kann . Das erste optoelektronische Bauelement 10 ist an seiner zweiten Seite mit der ersten Seite des zweiten
optoelektronischen Bauelements 50 mechanisch und elektrisch gekoppelt, insbesondere mittels des Verbindungsmittels 52. Das erste optoelektronische Bauelement 10 ist an seiner vierten Seite mit einer dritten Seite des dritten
optoelektronischen Bauelements 60 mechanisch und elektrisch gekoppelt, insbesondere mittels des Verbindungsmittels 52. Optional können noch ein, zwei oder mehr weitere
optoelektronische Bauelemente 10 mit dem ersten, zweiten und/oder dritten optoelektronischen Bauelement 10, 50, 60 mechanisch und elektrisch gekoppelt sein. Dadurch kann eine großflächige optoelektronische Baugruppe gebildet sein.
Beispielsweise können die optoelektronischen Bauelemente 10, 50, 60 in beliebiger Form und/oder in beliebiger Anzahl miteinander kombiniert werden, so dass entsprechend beliebig geformte und beliebig große optoelektronische Baugruppen gebildet werden können. Fig. 12 zeigt eine Schnittdarstellung durch ein
Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe. Die optoelektronische Baugruppe kann beispielsweise weitgehend einer der im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Baugruppen entsprechen. Bei den optoelektronischen
Bauelementen 10, 50 der optoelektronischen Baugruppe sind die entsprechenden Haftmittelschichten 36 lediglich in einem kleinen, beispielsweise punktförmigen oder kreisförmigen, Bereich aufgebracht. Unter der Haftmittelschicht 36 und unter dem entsprechenden kleinen Bereich ist je eine Ausnehmung 54 in der ersten Elektrode 20 ausgebildet, und zwar so, dass die Ausnehmung 54 die entsprechende Haftmittelschicht 36 und den entsprechenden kleinen Bereich überlappt.
Da die zweite Elektrode 23 und die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 sehr dünn ausgebildet sein können, könnte nach dem Ausbilden der Haftmittelschicht 36 lediglich in dem kleinen Bereich ohne die Ausnehmungen 54 bei einem Druck auf die Haftmittelschicht 36, beispielsweise direkt oder indirekt über den Abdeckkörper 38, der darunter liegende Bereich der zweiten Elektrode 23, der organischen
funktionellen Schichtenstruktur 22 und/oder der ersten
Elektrode 20 beschädigt werden. Dies könnte zu einem
Kurzschluss zwischen der ersten Elektrode 20 und der zweiten Elektrode 23 in dem entsprechenden Bereich führen. Die
Ausnehmung 54 bewirkt, dass bei einer derartigen
Beschädigung, bei der eine leitende, widerstandsarme
Verbindung von der zweiten Elektrode 23 durch die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 entsteht, die leitende Verbindung in die Ausnehmung 54 mündet und nicht zu einem Kurzschluss mit der ersten Elektrode 20 führt, da diese in der Ausnehmung 54 nicht vorhanden ist. Somit kann bei einem lokal beschränkten Aufbringen der
Haftmittelschicht 36 ein dazu korrespondierendes Ausbilden von Ausnehmungen 54 in der darunterliegenden ersten Elektrode 20 dazu beitragen, dass Kurzschlüsse vermieden werden und dass das entsprechende optoelektronische Bauelement 10, 50 und/oder die optoelektronische Baugruppe zuverlässig
betrieben werden können.
Fig. 13 zeigt eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe, beispielsweise auf die optoelektronische Baugruppe gemäß Fig. 12, wobei in diesem Ausführungsbeispiel zusätzlich zu dem ersten, zweiten und dritten optoelektronischen Bauelement 10, 50, 60 noch ein viertes optoelektronisches Bauelement 70 angeordnet ist. Das vierte optoelektronische Bauelement 70 kann beispielsweise gemäß einer Ausgestaltung des im Vorhergehenden erläuterten ersten optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet sein. Jedes der optoelektronischen Bauelemente 10 weist die lokal aufgebrachte Haftmittelschicht 36 und die darunter in der ersten Elektrode 20 ausgebildeten Ausnehmungen 54 auf.
Alternativ oder zusätzlich sind die Verbindungsmittel 52 lediglich lokal begrenzt und/oder in kleinen Bereichen, die beispielsweise kreisförmig, punktförmig oder polygonal geformt sind, ausgebildet.
Fig. 14 zeigt eine Schnittdarstellung durch ein
Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe. Die optoelektronische Baugruppe weist das erste und das zweite optoelektronische Bauelement 10, 50 auf, die jeweils
beispielsweise gemäß einer Ausgestaltung des im
Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet sein können. Als Verbindungselement ist eine Profilschiene 56 angeordnet. Das erste und das zweite
optoelektronische Bauelement 10, 50 sind mittels der
Profilschiene 56 mechanisch und elektrisch miteinander gekoppelt. Optional können noch ein, zwei oder mehr weitere optoelektronische Bauelemente 10, 50, 60, 70 mittels der Profilschiene 56 oder einer, zwei oder mehr weiteren
Profilschienen 56 miteinander gekoppelt sein.
Die Profilschiene 56 kann beispielsweise ein elektrisch leitendes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Profilschiene 56 weist ein Mittelstück 57 auf, das zwischen der Abdeckstruktur des ersten optoelektronischen Bauelements 10 und der Trägerstruktur des zweiten optoelektronischen Bauelements 50 angeordnet ist. Des Weiteren weist die
Profilschiene 56 einen oberen Schienenbereich 58 auf, in den die Abdeckstruktur des ersten optoelektronischen Bauelements 10 eingeführt ist, und einen unteren Schienenbereich 59, in den die Trägerstruktur des zweiten optoelektronischen
Bauelements 50 eingeführt ist. Ferner weisen die
optoelektronischen Bauelemente 10, 50 die lokal begrenzt aufgebrachte Haftmittelschicht 36 und die dazu
korrespondierenden Ausnehmungen 54 in der ersten Elektrode 20 auf. Alternativ dazu kann die Haftmittelschicht 36 jedoch flächig ausgebildet sein und auf die Ausnehmungen 54 kann verzichtet werden.
Die im Vorhergehenden gezeigten Verbindungselemente dienen zur mechanischen und elektrischen Kopplung der optoelektronischen Bauelemente 10, 50 innerhalb einer optoelektronischen Baugruppe. Alternativ dazu können zu diesem Zweck auch erste Verbindungselemente zur mechanischen Kopplung und zweite Verbindungselemente zur elektrischen Kopplung verwendet werden, wobei sich die ersten
Verbindungselemente von den zweiten Verbindungselementen unterscheiden .
Fig. 15 zeigt eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Baugruppe. Die optoelektronische Baugruppe weist das erste, das zweite und das dritte
optoelektronische Bauelement 10, 50, 60 und dazu
korrespondierende weitere optoelektronische Bauelemente auf. Die optoelektronischen Bauelemente 10, 50, 60 können
innerhalb der optoelektronischen Baugruppe auf vielfältige
Weise miteinander gekoppelt und/oder verbunden werden, was in Fig. 12 durch vereinzeltes Einzeichnen von Verbindungsmitteln 52 symbolisiert ist. Alternativ oder zusätzlich zu den
Verbindungsmitteln 52, können auch Profilschienen 56
angeordnet sein.
Fig. 16 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, beispielsweise des optoelektronischen
Bauelements 10.
In einem Schritt S2 wird eine Trägerstruktur ausgebildet, beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterte
Trägerstruktur. Dazu wird beispielsweise der Träger 12 bereitgestellt. Optional kann die Trägerschicht 62 auf dem
Träger 12 ausgebildet werden. Ferner kann die erste Elektrode 20 über dem Träger 12 ausgebildet werden. Ferner kann
gegebenenfalls eine Barriereschicht auf dem Träger
ausgebildet werden.
In einem Schritt S4 wird eine organische funktionelle
Schichtenstruktur ausgebildet. Beispielsweise wird die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 über der Trägerstruktur ausgebildet, und zwar so, dass sie den
Trägerabschnitt 40 überlappt und den ersten Kontaktabschnitt 42 nicht überlappt. In einem Schritt S6 wird eine Abdeckstruktur ausgebildet, beispielsweise die im Vorhergehenden erläuterte
Abdeckstruktur. Beispielsweise wird über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 die zweite Elektrode 23 ausgebildet. Der Abdeckkörper 38 wird über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 und gegebenenfalls über der zweiten Elektrode 23 angeordnet, und zwar so, dass der Abdeckabschnitt 44 die organische funktionelle
Schichtenstruktur 22 bzw. die zweite Elektrode 23 überlappt und der zweite Kontaktabschnitt 46 die organische
funktionelle Schichtenstruktur 22 bzw. die zweite Elektrode 23 nicht überlappt. Vor dem Anordnen des Abdeckkörpers 38 kann optional noch die Abdeckschicht 64 auf dem Abdeckkörper 38 ausgebildet werden. Fig. 17 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe, beispielsweise einer der im Vorhergehenden
erläuterten optoelektronischen Baugruppen. In einem Schritt S8 wird ein erstes optoelektronisches
Bauelement bereitgestellt, beispielsweise das im
Vorhergehenden erläuterte erste optoelektronische Bauelement 10. Beispielsweise wird das erste optoelektronische
Bauelement 10 hergestellt, beispielsweise gemäß dem mit Bezug zu Figur 16 erläuterten Verfahren.
In einem Schritt S10 wird ein zweites optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, beispielsweise das im
Vorhergehenden erläuterte zweite optoelektronische Bauelement 50. Beispielsweise wird das zweite optoelektronische
Bauelement 50 hergestellt, beispielsweise gemäß dem mit Bezug zu Figur 16 erläuterten Verfahren. In einem Schritt S12 wird ein Verbindungsmittel, beispielsweise das Verbindungsmittel 52, auf den ersten
Kontaktbereich 42 des zweiten optoelektronischen Bauelements 50 aufgebracht. Alternativ dazu kann die Profilschiene 56 auf das zweite optoelektronische Bauelement 50 aufgesteckt werden .
In einem Schritt S14 wird das erste optoelektronische
Bauelement 10 an dem zweiten optoelektronischen Bauelement 50 angeordnet, beispielsweise indem der zweite Kontaktbereich 46 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 auf dem
Verbindungsmittel 52 auf dem ersten Kontaktbereich 42 des zweiten optoelektronischen Bauelements 50 angeordnet wird. Alternativ dazu wird das erste optoelektronische Bauelement 10 mit seinem zweiten Kontaktabschnitt 46 in die
Profilschiene 46 eingeführt.
Optional können noch weitere optoelektronische Bauelemente 10, 50, 60, 70 der optoelektronischen Baugruppe hinzugefügt werden.
Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen
Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können die gezeigten optoelektronischen Bauelemente 10, 50, 60 mehr oder weniger der gezeigten Schichten aufweisen. Beispielsweise können die optoelektronischen Bauelemente 10, 50, 60 ein, zwei oder mehr Auskoppelstrukturen, Spiegelschichten,
Konversionsschichten und/oder Streuschichten aufweisen.
Ferner können die gezeigten Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden. Beispielsweise können alle gezeigten optoelektronischen Bauelemente 10, 50, 60 erste
Kontaktabschnitte 42 aufweisen, die an der ersten und/oder dritten Seite des entsprechenden optoelektronischen
Bauelements 10, 50, 60 ausgebildet sind und die zweiten
Kontaktabschnitte 46 können an den zweiten und/oder vierten Seiten des entsprechenden optoelektronischen Bauelements 10, 50, 60 ausgebildet sein. Ferner können die optoelektronischen Baugruppen beliebige Ausgestaltungen der gezeigten optoelektronischen Bauelemente 10, 50, 60, 70 aufweisen.
Ferner können größere, kleinere oder anders geformte
optoelektronische Baugruppen mit Hilfe der optoelektronischen Bauelemente 10, 50, 60, 70 ausgebildet werden. Ferner können zusätzlich zu der einen gezeigten organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 mehrere organische funktionelle
Schichtenstruktur-Einheiten in einem, zwei oder mehr der gezeigten optoelektronischen Bauelemente 10, 50, 60, 70 ausgebildet sein.
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