Optoelektronisches Bauelement, Leuchtvorrichtung und

Autoscheinwerfer

Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Darüber hinaus werden eine Leuchtvorrichtung und ein Autoscheinwerfer angegeben . Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement mit kleinen Bildpunkten oder Pixeln und

verhältnismäßig großen Kontaktstrukturen anzugeben. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, eine

Leuchtvorrichtung sowie einen Autoscheinwerfer mit einem solchen optoelektronischen Bauelement anzugeben.

Diese Aufgaben werden unter anderen durch den unabhängigen Patentanspruch 1 sowie die Patentansprüche 14 und 17 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind

Gegenstand der übrigen abhängigen Patentansprüche.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das

optoelektronische Bauelement eine Strahlungsseite, wie eine pixellierte Strahlungsseite, mit einer Mehrzahl von in lateraler Richtung, parallel zur Strahlungsseite,

nebeneinander angeordneten Bildpunkten.

Bei dem optoelektronischen Bauelement handelt es sich

beispielsweise um einen Halbleiterchip, wie einen Dünnfilm- Halbleiterchip. Unter einem Halbleiterchip wird dabei ein solches Element verstanden, welches durch Vereinzelung eines Wafers entsteht. Insbesondere sind die Abmessungen des Halbleiterchips also durch Trennungslinien in dem Wafer definiert .

Unter einem Bildpunkt wird dabei insbesondere ein im Betrieb des optoelektronischen Bauelements leuchtender oder

betreibbarer Bereich der Strahlungsseite verstanden, der unabhängig von der übrigen Strahlungsseite betrieben oder zum Leuchten gebracht werden kann. Jeder Bildpunkt kann dabei einen so genannten Pixel bilden. Alternativ bilden mehrere Bildpunkte, zum Beispiel drei Bildpunkte, wie ein im Betrieb rot leuchtender, ein grün leuchtender und ein blau

leuchtender Bildpunkt, ein Pixel. Ein solcher Pixel ist dann ebenfalls unabhängig von den anderen Pixeln betreibbar und kann je nach Farbmischung farbig oder weiß leuchten.

Über die Strahlungsseite wird im Betrieb bevorzugt

elektromagnetische Strahlung, insbesondere sichtbares Licht, aus dem Bauelement ausgekoppelt oder in das Bauelement eingekoppelt. Im ersten Fall sind die Bildpunkte

Leuchtpunkte, im zweiten Fall Sensorpunkte. Die

Strahlungsfläche kann dementsprechend als Bildschirm oder als Bildsensor fungieren.

Die Bildpunkte sind auf der Strahlungsseite bevorzugt

matrixartig angeordnet, zum Beispiel in einem Rechteckmuster. Beispielsweise bilden die Bildpunkte Maschen eines

regelmäßigen Gitternetzes. Die Bildpunkte sind dabei jeweils bevorzugt einfach zusammenhängend ausgebildet. Die durch den Bildpunkt definierte, Strahlung emittierende Teilfläche der Strahlungsseite weist also bevorzugt keine Unterbrechungen, wie nicht leuchtende oder dunkel erscheinende Flecken auf. Jeder Bildpunkt ist insbesondere durch seine geometrische Form und seine Größe charakterisiert. In Draufsicht auf die Strahlungsseite kann jeder Bildpunkt beispielsweise eine rechteckige oder ovale oder elliptische oder quadratische oder kreisförmige Querschnittsform haben. Besonders bevorzugt weisen alle Bildpunkte im Rahmen der Herstellungstoleranz die gleiche Form und/oder Größe auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das

optoelektronische Bauelement eine der Strahlungsseite

gegenüberliegende Kontaktseite mit einer Mehrzahl von in lateraler Richtung nebeneinander angeordneten, ersten

Kontaktstrukturen zur externen elektrischen Kontaktierung des Bauelements. Die ersten Kontaktstrukturen können

beispielsweise als Erhebungen von der Kontaktseite

hervorstehen oder bündig mit der Kontaktseite abschließen.

Die ersten Kontaktstrukturen weisen beispielsweise ein elektrisch leitendes Material, wie ein Metall, zum Beispiel AI, Ag, Ni, Cu, Sn oder Au, oder ein transparent leitfähiges Oxid, kurz TCO, auf oder bestehen daraus.

Insbesondere sind die beim Blick auf die Kontaktseite

sichtbaren Flächen der ersten Kontaktstrukturen jeweils zusammenhängend oder einfach zusammenhängend ausgebildet.

Besonders bevorzugt sind die ersten Kontaktstrukturen alle im Wesentlichen gleich oder identisch ausgebildet. Das heißt zum Beispiel, dass die ersten Kontaktstrukturen innerhalb der Herstellungstoleranz gleiche dreidimensionale geometrische Formen und Größen beziehungsweise Volumina aufweisen.

Insbesondere können also jeweils zwei erste Kontaktstrukturen nahezu deckungsgleich ineinander übergeführt werden, wobei das sich daraus ergebende Schnittvolumen zumindest 90 % oder zumindest 95 % oder zumindest 99 % des Volumens jedes der beiden einzelnen ersten Kontaktstrukturen beträgt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist in Draufsicht auf die Strahlungsseite betrachtet die Länge eines jeden

Bildpunktes gemessen entlang einer Längsrichtung größer als die Breite des Bildpunktes, gemessen entlang einer

Querrichtung. Die Längsrichtung und die Querrichtung sind dabei parallel zur Strahlungsseite und senkrecht zueinander ausgerichtet. Die Bildpunkte haben also beispielsweise rechteckige oder ovale oder elliptische Grundformen. Zum Beispiel ist die Länge mindestens 1,2-mal oder mindestens 1,5-mal oder mindestens 2-mal größer als die Breite. Die Längen und/oder Breiten der Bildpunkte können

beispielsweise höchstens 200 ym oder höchstens 100 ym oder höchstens 50 ym betragen. Alternativ oder zusätzlich betragen die Längen und/oder Breiten der Bildpunkte mindestens 5 ym oder mindestens 10 ym oder mindestens 50 ym.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die ersten

Kontaktstrukturen alle p-Kontaktstrukturen oder alle n- Kontaktstrukturen . Das heißt, dass im bestimmungsgemäßen Betrieb des Bauelements über alle ersten Kontaktstrukturen entweder Löcher oder Elektronen in das optoelektronische Bauelement injiziert werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die ersten

Kontaktstrukturen im bestimmungsgemäßen Betrieb einzeln und unabhängig voneinander betrieben. Das heißt, die ersten

Kontaktstrukturen sind untereinander nicht direkt elektrisch miteinander verbunden. Lediglich eine

Halbleiterschichtenfolge innerhalb des Bauelements kann die ersten Kontaktstrukturen elektrisch miteinander verbinden. Anders ausgedrückt können die ersten Kontaktstrukturen unabhängig voneinander bestromt oder mit einer Spannung beaufschlagt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist jedem Bildpunkt eine erste Kontaktstruktur elektrisch eineindeutig

zugeordnet. Das heißt insbesondere, dass bei elektrischer Kontaktierung einer bestimmten ersten Kontaktstruktur nur der zugeordnete Bildpunkt betrieben und angesteuert wird, zum

Beispiel zum Leuchten gebracht wird. Die anderen Bildpunkte werden alleine durch die Kontaktierung dieser ersten

Kontaktstruktur nicht betrieben. Gemäß zumindest einer Ausführungsform überlappt in Draufsicht auf die Kontaktseite jede erste Kontaktstruktur zumindest mit dem zugeordneten Bildpunkt. Dabei kann die erste

Kontaktstruktur teilweise oder vollständig mit dem

zugeordneten Bildpunkt überlappen. Insbesondere ist es möglich, dass jede erste Kontaktstruktur mit mehr als einem Bildpunkt, beispielsweise mit zwei, drei, vier oder mehr benachbarten Bildpunkten überlappt. Selbst wenn jede erste Kontaktstruktur mit zwei oder mehr Bildpunkten in Draufsicht auf die Kontaktseite überlappt, ist trotzdem jede erste

Kontaktstruktur elektrisch nur einem Bildpunkt zugeordnet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform gilt für jeden

Bildpunkt und zumindest einen in Querrichtung direkt dazu benachbarten Bildpunkt, dass die beiden ersten

Kontaktstrukturen dieser beiden Bildpunkte vorgegeben oder gezielt unterschiedlich bezüglich der zugehörigen Bildpunkte angeordnet sind. Beispielsweise sind die ersten

Kontaktstrukturen der beiden in Querrichtung direkt benachbarten Bildpunkte gegeneinander verdreht oder versetzt. Insbesondere ist diese unterschiedliche Anordnung so gewählt, dass eine Translation, insbesondere eine reine Translation in Querrichtung, welche den Bildpunkt auf den in Querrichtung direkt benachbarten Bildpunkt abbildet, die beiden

zugeordneten ersten Kontaktstrukturen nicht deckungsgleich ineinander überführt.

Anders ausgedrückt kann jeder Bildpunkt in einen in

Querrichtung direkt benachbarten Bildpunkt über eine reine Translation abgebildet werden. Dabei werden die beiden

Bildpunkte bevorzugt deckungsgleich aufeinander abgebildet. Allerdings kann es auch sein, dass die Translation die

Bildpunkte nur nahezu deckungsgleich aufeinander abbilden kann, weil die Bildpunkte zum Beispiel aufgrund von

Herstellungstoleranzen leicht unterschiedliche Formen und Größen aufweisen. Auch ist es möglich, dass die Bildpunkte beispielsweise in Eckbereichen unterschiedliche Aussparungen haben, die durch die Translation nicht ineinander übergeführt werden können. Insbesondere wird also unter „aufeinander abbilden" verstanden, dass die sich aus der Translation ergebende Schnittfläche zwischen den beiden Bildpunkten zumindest 90 % oder 95 % oder 99 % der Flächen der einzelnen Bildpunkte ergibt.

Dass die beiden zugehörigen ersten Kontaktstrukturen durch die Translation nicht deckungsgleich ineinander übergeführt werden, kann entsprechend bedeuten, dass ein sich durch die Translation ergebendes virtuelles Schnittvolumen zwischen den beiden ersten Kontaktstrukturen höchstens 90 % oder höchstens 80 % oder höchstens 50 % oder höchstens 10 % oder höchstens 5 % der Volumina der einzelnen ersten Kontaktstrukturen

beträgt. Auch ist es möglich, dass es durch die Translation zu gar keiner Überschneidung der beiden ersten

Kontaktstrukturen kommt.

Bei den hier beschriebenen Bildpunkten handelt es sich bevorzugt um Bildpunkte im Inneren der Strahlungsseite, also Bildpunkte, welche nicht am Rand der Strahlungsseite

angeordnet sind. Die Bildpunkte im Inneren der

Strahlungsseite sind zum Beispiel in Querrichtung und

Längsrichtung beidseitig von weiteren Bildpunkten umgeben.

In mindestens einer Ausführungsform weist das

optoelektronische Bauelement eine pixellierte Strahlungsseite mit einer Mehrzahl von in lateraler Richtung, parallel zur Strahlungsseite nebeneinander angeordneten Bildpunkten auf. Eine der Strahlungsseite gegenüberliegende Kontaktseite umfasst eine Mehrzahl von in lateraler Richtung nebeneinander angeordneten ersten Kontaktstrukturen zur externen

elektrischen Kontaktierung des Bauelements. In Draufsicht auf die Strahlungsseite betrachtet ist die Länge eines jeden Bildpunkts, gemessen entlang einer Längsrichtung, größer als die Breite des Bildpunktes, gemessen entlang einer

Querrichtung. Die ersten Kontaktstrukturen sind alle p- Kontaktstrukturen oder alle n-Kontaktstrukturen . Die ersten Kontaktstrukturen werden im bestimmungsgemäßen Betrieb einzeln und unabhängig voneinander elektrisch kontaktiert. Jedem Bildpunkt ist dabei eine erste Kontaktstruktur

elektrisch eineindeutig zugeordnet. Jede erste

Kontaktstruktur überlappt in Draufsicht auf die Kontaktseite zumindest mit dem zugeordneten Bildpunkt. Ferner gilt für jeden Bildpunkt und einen in Querrichtung direkt benachbarten Bildpunkt, dass die beiden ersten Kontaktstrukturen dieser beiden Bildpunkte vorgegeben unterschiedlich bezüglich der zugehörigen Bildpunkte angeordnet sind, sodass eine Translation, welche den Bildpunkt auf den in Querrichtung direkt benachbarten Bildpunkt abbildet, die beiden

zugeordneten ersten Kontaktstrukturen nicht deckungsgleich ineinander überführt.

Der hier beschriebenen Erfindung liegt insbesondere die

Erkenntnis zugrunde, dass bei einzeln angesteuerten

Bildpunkten die ersten Kontaktstrukturen auf der Kontaktseite üblicherweise entsprechend der Größe der Bildpunkte gewählt werden. Bei einer Reduzierung der Bildpunktgröße muss also die jeweilige erste Kontaktstruktur auf der Kontaktseite ebenfalls in ihrer lateralen Ausdehnung reduziert werden. Die Herstellung sehr kleiner Kontaktstrukturen für sehr kleine Bildpunkte kann allerdings zu Problemen führen.

Die Erfindung macht unter anderem von der Idee Gebrauch, die ersten Kontaktstrukturen bezüglich der zugeordneten

Bildpunkte unterschiedlich anzuordnen. Insbesondere wenn die Bildpunkte nicht quadratisch oder kreisförmig, sondern beispielsweise elliptisch, oval oder rechteckig ausgeführt sind, kann dadurch die laterale Ausdehnung der ersten

Kontaktstrukturen größer gewählt werden, als wenn die ersten Kontaktstrukturen bezüglich der zugeordneten Bildpunkte alle gleich angeordnet sind. Dies ermöglicht also, die Dimensionen der Bildpunkte insbesondere in eine Richtung zu reduzieren und die ersten Kontaktstrukturen auf der Rückseite

verhältnismäßig groß zu belassen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind jeweils die beiden ersten Kontaktstrukturen der beiden in Querrichtung direkt benachbarten Bildpunkte entlang oder bezüglich der

Längsrichtung auf unterschiedlichen Höhen angeordnet. Wird der Bildpunkt zum Beispiel über eine Translation in Querrichtung auf den direkt benachbarten Bildpunkt abgebildet, so sind die beiden zugehörigen ersten

Kontaktstrukturen nach der Translation in Längsrichtung gegeneinander versetzt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform überlappt in Draufsicht auf die Kontaktseite jede erste Kontaktstruktur mit n, insbesondere genau n, in Querrichtung nebeneinander

angeordneten Bildpunkten.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform überlappt jeder

Bildpunkt in Draufsicht auf die Kontaktseite mit n,

insbesondere genau n, in Längsrichtung nebeneinander

angeordneten ersten Kontaktstrukturen. n kann hier und im Folgenden eine ganze Zahl von zumindest zwei, drei, vier, fünf, sechs, sieben, acht, neun, zehn oder mehr sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind in Draufsicht auf die Kontaktseite betrachtet die Länge und Breite jeder ersten Kontaktstruktur im Wesentlichen gleich. „Im Wesentlichen" heißt hierbei, dass die Längen und Breiten der ersten

Kontaktstrukturen um höchstens 10 % oder höchstens 5 % oder höchstens 2 % voneinander abweichen. Insbesondere können die ersten Kontaktstrukturen in Draufsicht auf die Kontaktseite zum Beispiel quadratische oder kreisförmige oder regelmäßig sechseckige Querschnittsformen aufweisen. Die Längen und Breiten der ersten Kontaktstrukturen können beispielsweise höchstens 200 ym oder höchstens 100 ym oder höchstens 50 ym betragen. Alternativ oder zusätzlich betragen die Längen und/oder Breiten der Bildpunkte mindestens 5 ym oder mindestens 10 ym oder mindestens 50 ym.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist bei jedem Bildpunkt die Länge im Wesentlichen n^-mal so groß wie die Breite, wobei n die oben genannte ganze Zahl sein kann. Bevorzugt betragen die Länge und die Breite einer jeden ersten

Kontaktstruktur im Wesentlichen das n-Fache der Breite des zugeordneten Bildpunktes. „Im Wesentlichen" bedeutet hierbei, dass eine Abweichung von beispielsweise höchstens 20 % oder höchstens 10 % oder höchstens 5 % oder höchstens 1 %

auftreten kann. Die Länge des ersten Bildpunktes beträgt also zum Beispiel n^-mal die Breite plus/minus 20 %. Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegen die ersten

Kontaktstrukturen im unmontierten Zustand des

optoelektronischen Bauelements an der Kontaktseite frei. In diesem Zustand sind die ersten Kontaktstrukturen

beispielsweise elektrisch noch nicht kontaktiert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die ersten

Kontaktstrukturen an der Kontaktseite Lotstrukturen zur elektrischen und mechanischen Verbindung mit einem

Anschlussträger. Im Bereich der ersten Kontaktseite weisen die ersten Kontaktstrukturen also beispielsweise ein

Lotmetall, wie Sn-Legierungen, auf oder bestehen daraus.

Insbesondere ein von der Kontaktseite hervorstehender Teil der ersten Kontaktstrukturen kann ein Lotmetall aufweisen oder daraus bestehen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist auf der

Kontaktseite zumindest eine zweite Kontaktstruktur zur externen elektrischen Kontaktierung des Bauelements - li angeordnet. Auch die zweite Kontaktstruktur kann von der Kontaktseite hervorstehen, im unmontierten Zustand freiliegen und zum Beispiel eine Lotstruktur sein. Die zweite

Kontaktstruktur kann dieselben Materialien wie die erste Kontaktstruktur aufweisen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die zweite

Kontaktstruktur im bestimmungsgemäßen Betrieb eine zu den ersten Kontaktstrukturen komplementäre Polarität auf. Handelt es sich bei den ersten Kontaktstrukturen also beispielsweise um p-Kontaktstrukturen, so ist die zweite Kontaktstruktur eine n-Kontaktstruktur . Bei der zweiten Kontaktstruktur handelt es sich also insbesondere um einen Gegenkontakt zu einer oder mehreren oder allen der ersten Kontaktstrukturen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die zweite

Kontaktstruktur zusammenhängend ausgebildet und weist eine Mehrzahl von Ausnehmungen auf. Die Ausnehmungen sind in

Draufsicht auf die Kontaktseite bevorzugt vollständig von der zweiten Kontaktstruktur umgeben.

Die ersten Kontaktstrukturen sind bevorzugt in den

Ausnehmungen der zweiten Kontaktstruktur angeordnet.

Insbesondere kann jeder ersten Kontaktstruktur eine

Ausnehmung in der zweiten Kontaktstruktur eineindeutig zugeordnet sein. Anders ausgedrückt gibt es zu jeder ersten Kontaktstruktur dann eine eigene Ausnehmung. Alternativ ist es aber auch möglich, dass in einer Ausnehmung zwei oder mehr erste Kontaktstrukturen gemeinsam angeordnet sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist an der Kontaktseite um jede erste Kontaktstruktur ein Isolationsbereich

vorgesehen, der die jeweilige erste Kontaktstruktur von der zweiten Kontaktstruktur elektrisch isoliert und in lateraler Richtung beabstandet. Dieser Isolationsbereich kann

beispielsweise ein mit Luft oder Gas gefüllter Hohlraum sein. Es ist aber auch möglich, dass der Isolationsbereich durch ein isolierendes, solides Material, wie Siliziumoxid, zum Beispiel S1O2, oder wie Siliziumnitrid, zum Beispiel SiN, gebildet ist.

Beispielsweise ist die gesamte Kontaktseite eben oder plan, wobei die Isolationsbereiche zwischen den ersten

Kontaktstrukturen und der zweiten Kontaktstruktur an der Kontaktseite bündig mit den ersten Kontaktstrukturen und der zweiten Kontaktstruktur abschließen. Insbesondere kann die Kontaktseite über einen Damascene-Prozess , bevorzugt über einen Dual-Damascene-Prozess , hergestellt sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform hängen die

Isolationsbereiche von zwei oder mehreren nebeneinander angeordneten ersten Kontaktstrukturen zusammen. In diesem Fall sind bevorzugt zwei oder mehrere erste Kontaktstrukturen in einer gemeinsamen Ausnehmung der zweiten Kontaktstruktur angeordnet .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das

optoelektronische Bauelement eine zwischen der

Strahlungsseite und der Kontaktseite angeordnete

Halbleiterschichtenfolge auf.

Die Halbleiterschichtenfolge basiert beispielsweise auf einem III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial . Bei dem

Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein

Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial , wie Al _n In _] __ _n _ _m Ga _m N, oder um ein Phosphid-Verbindungs-Halbleitermaterial , wie Al _n Iri _] __ _n _ _m Ga _m P, oder auch um ein Arsenid-Verbindungs- Halbleitermaterial , wie Al _n In _] __ _n _ _m Ga _m As, wobei jeweils 0 -S n < 1, 0 -S m < 1 und m + n < 1 ist. Dabei kann die

Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also AI, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.

Bevorzugt basiert die Halbleiterschichtenfolge auf AlInGaN.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die

Halbleiterschichtenfolge ein Dielektrikum zwischen der

Kontaktseite und der Halbleiterschichtenfolge auf. Bei dem Dielektrikum handelt es sich beispielsweise um eine

isolierende Schicht auf der Halbleiterschichtenfolge. Das Dielektrikum hat dabei bevorzugt keine stabilisierende

Wirkung für die Halbleiterschichtenfolge. Alleine die

Verbindung aus Halbleiterschichtenfolge und Dielektrikum ist also bevorzugt mechanisch nicht selbsttragend.

Das Dielektrikum kann beispielsweise ein Silikon oder ein Siliziumnitrid oder ein Siliziumoxid oder eine Aluminiumoxid aufweisen oder daraus bestehen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die

Halbleiterschichtenfolge eine dem Dielektrikum zugewandte erste Halbleiterschicht, beispielsweise eine p- oder n- dotierte Halbleiterschicht, und eine dem Dielektrikum abgewandte zweite Halbleiterschicht, beispielsweise eine n- oder p-Halbleiterschicht . Zwischen der ersten

Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht ist eine aktive Schicht angeordnet. Zum Beispiel emittiert oder absorbiert die aktive Schicht im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung. Insbesondere ist die aktive Schicht zur Emission von Strahlung im sichtbaren

Spektralbereich oder UV-Bereich ausgebildet.

Die aktive Schicht weist beispielsweise wenigstens einen pn- Übergang und/oder eine Quantentopfstruktur in Form eines einzelnen Quantentopfs, kurz SQW, oder in Form einer

Multiquantentopfstruktur, kurz MQW, auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist jede erste

Kontaktstruktur ein, insbesondere genau ein, erstes

Verbindungselement auf. Das erste Verbindungselement

erstreckt sich bevorzugt von der Kontaktseite aus durch das Dielektrikum, ist also eine Durchführung durch das

Dielektrikum. Über das erste Verbindungselement ist die

Halbleiterschichtenfolge bevorzugt mit der Kontaktseite elektrisch leitend verbunden. Bei dem ersten

Verbindungselement kann es sich beispielsweise um eine stabförmige Erhebung oder einen Dorn handeln, welche sich von der ersten Kontaktstruktur aus in Richtung

Halbleiterschichtenfolge erhebt. Zum Beispiel sind die ersten Kontaktstrukturen auf der Kontaktseite befindliche Plättchen oder Schichten mit zwei im Wesentlichen parallelen und ebenen Hauptseiten, die an einer Hauptseite einen Dorn oder eine Erhebung aufweisen, der das Dielektrikum durchdringt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform überlappen die ersten Verbindungselemente der zwei ersten Kontaktstrukturen der direkt benachbarten Bildpunkte nach der Translation nicht miteinander . Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind zwischen dem

Dielektrikum und der Halbleiterschichtenfolge Spiegelelemente angeordnet, die in direktem mechanischem und elektrischem Kontakt zu der ersten Halbleiterschicht stehen. Die

Spiegelelemente sind bevorzugt jeweils einfach

zusammenhängend ausgebildet und weisen beispielsweise ein Metall, wie Ag, AI, Au, Rh, auf oder bestehen aus einem solchen . Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist jedem

Spiegelelement eine erste Kontaktstruktur eineindeutig zugeordnet und mit dieser über das erste Verbindungselement elektrisch leitend verbunden. Die Spiegelelemente sind dabei bevorzugt in direktem Kontakt mit den ersten

Verbindungselementen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden im Betrieb über die gesamte laterale Ausdehnung der Spiegelelemente, also über die Ausdehnung gemessen parallel zur Strahlungsseite und/oder Kontaktseite, erste Ladungsträger, wie Löcher oder Elektronen, in die erste Halbleiterschicht injiziert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform definiert die

Projektion der Spiegelelemente auf die Strahlungsseite jeweils die Form, Größe und Position der Bildpunkte. Dies wird insbesondere dadurch erreicht, dass eine laterale

Stromverteilung innerhalb der Halbleiterschichtenfolge gering ist, so dass die aktive Schicht der Halbleiterschichtenfolge nur im unmittelbaren Bereich über den Spiegelelementen elektromagnetische Strahlung erzeugt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform erstreckt sich die aktive Schicht in Draufsicht auf die Strahlungsseite über eine Mehrzahl von Bildpunkten und ist dabei zusammenhängend ausgebildet .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die

Halbleiterschichtenfolge Durchkontaktierungen auf, die sich von der dem Dielektrikum zugewandten Seite der

Halbleiterschichtenfolge aus durch die erste

Halbleiterschicht und die aktive Schicht erstrecken und in die zweite Halbleiterschicht münden. Bevorzugt werden im Betrieb zweite Ladungsträger, wie Elektronen oder Löcher, von der Kontaktseite aus über zweite Verbindungselemente der zweiten Kontaktstruktur durch das Dielektrikum hindurch in die Durchkontaktierungen und von dort aus in die zweite

Halbleiterschicht injiziert. Auf Kontaktelemente oder

Kontaktstrukturen auf der Strahlungsseite kann dann

verzichtet sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die

Durchkontaktierungen in Draufsicht auf die Strahlungsseite lateral neben den Bildpunkten angeordnet. Insbesondere überlappen die Durchkontaktierungen also nicht mit den einfach zusammenhängend ausgebildeten Bildpunkten. Die

Durchkontaktierungen sind zum Beispiel im Bereich von Ecken der Bildpunkte angeordnet. Dabei können mehreren Bildpunkten ein- und dieselbe Durchkontaktierung elektrisch zugeordnet sein, so dass die aktive Schicht unterhalb eines oder

unterhalb mehrerer Bildpunkte über dieselbe

Durchkontaktierung mit Ladungsträgern versorgt wird. Darüber hinaus wird eine Leuchtvorrichtung angegeben. Die

Leuchtvorrichtung umfasst insbesondere ein hier beschriebenes optoelektronisches Bauelement. Alle in Verbindung mit der Leuchtvorrichtung offenbarten Merkmale sind damit für das optoelektronische Bauelement offenbart und umgekehrt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die

Leuchtvorrichtung einen Anschlussträger mit ersten

Anschlussstellen. Zum Beispiel wird über den Anschlussträger das Bauelement im bestimmungsgemäßen Betrieb mit Strom oder Spannung versorgt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist jede erste

Kontaktstruktur einer ersten Anschlussstelle eineindeutig zugeordnet und in direktem mechanischem und elektrischem Kontakt mit der zugeordneten Anschlussstelle.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das

optoelektronische Bauelement mittels der als Lotstrukturen ausgebildeten ersten und/oder zweiten Kontaktstrukturen auf den Anschlussträger gelötet und mechanisch befestigt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das

optoelektronische Bauelement mittels Bonden, zum Beispiel Direkt-Bonden, mit dem Anschlussträger verbunden.

Der Anschlussträger hat auf das optoelektronische Bauelement oder die Leuchtvorrichtung bevorzugt eine stabilisierende Wirkung. Insbesondere ist die Leuchtvorrichtung

selbsttragend .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist jeder ersten

Kontaktstruktur ein Schalter im Anschlussträger eineindeutig zugeordnet. Durch Betätigen des Schalters kann im Betrieb die zugeordnete erste Kontaktstruktur kontaktiert und der entsprechend zugeordnete Bildpunkt betrieben werden. Bei dem Anschlussträger handelt es sich zum Beispiel um ein Aktivmatrixelement oder um einen Silizium-Wafer mit

integrierten Schaltern, wie Transistoren oder auch Dünnfilm- Transistoren .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das

optoelektronische Bauelement der Leuchtvorrichtung frei von einem Aufwachssubstrat . Insbesondere ist das

optoelektronische Bauelement mechanisch nicht selbsttragend.

Darüber hinaus wird ein Autoscheinwerfer angegeben.

Insbesondere weist der Autoscheinwerfer eine wie hier

beschriebene Leuchtvorrichtung oder ein wie hier

beschriebenes optoelektronisches Bauelement auf. Das

optoelektronische Bauelement oder die Leuchtvorrichtung ist also in dem Autoscheinwerfer verarbeitet oder verwendet.

Insbesondere eignet sich die Leuchtvorrichtung dazu, einen Autoscheinwerfer mit adaptivem Kurvenlicht zu realisieren. Der Autoscheinwerfer ist bevorzugt so ausgeführt, dass die Längsrichtung parallel oder im Wesentlichen parallel zur

Straße verläuft, die Querrichtung entsprechend senkrecht zur Straße. Durch Hinzuschalten von leuchtenden Bildpunkten in Längsrichtung kann eine befahrene Kurve ausgeleuchtet werden. Über Hinzuschalten oder Abschalten von leuchtenden

Bildpunkten in Querrichtung kann die Leuchtweite reguliert werden. Da hier häufig eine hohe Auflösung von zum Beispiel zumindest 0,1° erreicht werden soll, ist es besonders

vorteilhaft, die Ausdehnung der Bildpunkte in Querrichtung gering zu wählen.

Nachfolgend wird ein hier beschriebenes optoelektronisches Bauelement, sowie eine hier beschriebene Leuchtvorrichtung unter Bezugnahme auf Zeichnungen anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Zusätzlich werden im Folgenden Abwandlungen von optoelektronischen Bauelementen und Leuchtvorrichtungen gezeigt.

Es zeigen:

Figuren 1A bis 4C Abwandlungen von Leuchtvorrichtungen in seitlicher Querschnittsansicht und Draufsicht,

Figuren 5A bis 7B Ausführungsbeispiele einer hier

beschriebenen Leuchtvorrichtung in seitlicher Querschnittsansicht und Draufsicht und

Figuren 8A und 8B Ausführungsbeispiele hier beschriebener optoelektronischer Bauelemente in seitlicher

Querschnittsansicht .

In Figur 1A ist eine Abwandlung einer Leuchtvorrichtung 1000 in seitlicher Querschnittsansicht gezeigt. Zu erkennen ist ein optoelektronisches Bauelement 100, welches auf einem Anschlussträger 200 angeordnet ist. Das optoelektronische Bauelement 100 selbst weist eine Halbleiterschichtenfolge 1 und ein darauf angeordnetes Dielektrikum 2 auf. Eine dem Dielektrikum 2 abgewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge 1 bildet eine Strahlungsseite 4 der Leuchtvorrichtung 1000. Eine der Halbleiterschichtenfolge 1 abgewandte Seite des Dielektrikums 2 bildet eine Kontaktseite 30 des

optoelektronischen Bauelements 100. Die Halbleiterschichtenfolge 1 weist eine dem Dielektrikum 2 zugewandte erste Halbleiterschicht 11, eine dem Dielektrikum 2 abgewandte zweite Halbleiterschicht 12 und eine dazwischen angeordnete aktive Schicht 10 auf. Beispielsweise handelt es sich bei der Halbleiterschichtenfolge 1 um eine auf GaN basierende Halbleiterschichtenfolge, wobei die aktive Schicht 10 im bestimmungsgemäßen Betrieb Strahlung im blauen

Spektralbereich oder nahen UV-Spektralbereich emittiert. Auf der Kontaktseite 30 des Bauelements 100 ist eine Mehrzahl von ersten Kontaktstrukturen 31 angeordnet. Zwischen den ersten Kontaktstrukturen 31 ist eine zweite Kontaktstruktur 32 angebracht. Die ersten Kontaktstrukturen 31 sind von der zweiten Kontaktstruktur 32 durch Isolationsbereiche 33 in Form von Hohlräumen beabstandet und elektrisch isoliert. Die ersten Kontaktstrukturen 31 sowie die zweite Kontaktstruktur 32 dienen zur elektrischen Kontaktierung des Bauelements 100 mittels des Anschlussträgers 200. Die ersten

Kontaktstrukturen 31 und die zweite Kontaktstruktur 32 sind zum Beispiel aus einem Lotmaterial, wie AgSn, gebildet. Über die ersten Kontaktstrukturen 31 und die zweite

Kontaktstruktur 32 ist das Halbleiterbauelement 100 auf den Anschlussträger 200 aufgelötet und somit mit diesem

mechanisch verbunden und elektrisch kontaktiert.

Der Anschlussträger 200 weist erste Anschlussstellen 201 und eine oder mehrere zweite Anschlussstellen 202 auf. Jede erste Kontaktstruktur 31 ist dabei in direktem elektrischem und mechanischem Kontakt mit einer eineindeutig zugeordneten ersten Anschlussstelle 201. Die zweite Kontaktstruktur 32 ist in direktem elektrischem und mechanischem Kontakt mit der zweiten Anschlussstelle 202. Die Anschlussstellen 201, 202 in dem Anschlussträger 200 sind beispielsweise aus einem metallischen Material wie AI, Ag, Ni, Cu oder Au geformt. Jeder ersten Anschlussstelle 201 ist ein eigener Schalter 210, zum Beispiel ein Transistor, eineindeutig zugeordnet. Über den jeweiligen Schalter 210 können die ersten

Anschlussstellen 201 einzeln und unabhängig voneinander bestromt werden. Auf diese Weise können die ersten

Kontaktstrukturen 31 des optoelektronischen Bauelements 100 einzeln und unabhängig voneinander ebenfalls bestromt werden.

Die im Betrieb über die ersten Anschlussstellen 201 in die ersten Kontaktstrukturen 31 gelangenden Ladungsträger

gelangen über erste Verbindungselemente 311 der ersten

Kontaktstrukturen 31 durch das Dielektrikum 2 hindurch. Von den ersten Kontaktstrukturen 31 aus werden die Ladungsträger dann in Spiegelelemente 20 injiziert, die zwischen dem

Dielektrikum 2 und der Halbleiterschichtenfolge 1 angeordnet sind und in direkter elektrischer und mechanischer Verbindung mit der Halbleiterschichtenfolge 1 stehen. Dabei ist jeder ersten Kontaktstruktur 31 ein eigenes Spiegelelement 20 eineindeutig zugeordnet. Die Spiegelelemente 20 sind beispielsweise aus Silber

gebildet. Über die Spiegelelemente 20 werden dann die

Ladungsträger aus der ersten Kontaktstruktur 31 in die

Halbleiterschichtenfolge 1 injiziert und rekombinieren dann im Bereich der aktiven Schicht 10 mit zweiten Ladungsträgern, die über die zweite Anschlussstelle 202 und die zweite

Kontaktstruktur 32 in die Halbleiterschichtenfolge 1

injiziert werden. Eine Rekombination der Ladungsträger in der aktiven Schicht 10 findet dabei im Wesentlichen nur im Bereich unmittelbar über den Spiegelelementen 20 statt.

Elektromagnetische Strahlung wird also ebenfalls nur im

Bereich unmittelbar oberhalb der Spiegelelemente 20 erzeugt. Die Halbleiterschichtenfolge 1 beziehungsweise das

optoelektronische Bauelement 100 beginnt dann auch nur im Bereich, der durch die Spiegelelemente 20 definiert ist, zu leuchten .

Anders ausgedrückt definiert die Projektion der

Spiegelelemente 20 auf die Strahlungsfläche 4 jeweils einen Bildpunkt 40 auf der Strahlungsfläche 4. Die Bildpunkte 40 können also über die ersten Kontaktstrukturen 31 oder die ersten Anschlussstellen 201 oder die Schalter 210 einzeln und unabhängig voneinander betrieben, beispielsweise zum Leuchten gebracht werden.

Die Injektion der zweiten Ladungsträger erfolgt über die zweite Anschlussstelle 202, von wo aus die zweiten

Ladungsträger in die zweite Kontaktstruktur 32 gelangen. Von der zweiten Kontaktstruktur 32 gelangen die Ladungsträger dann durch zweite Verbindungselemente 321 durch das

Dielektrikum 2 hindurch in Durchkontaktierungen 15. Die

Durchkontaktierungen 15 erstrecken sich durch die erste

Halbleiterschicht 11 und die aktive Schicht 10 hindurch und münden in die zweite Halbleiterschicht 12. In diesem Bereich werden die zweiten Ladungsträger aus den Durchkontaktierungen 15 in die zweite Halbleiterschicht 12 injiziert und können dann im Bereich der aktiven Schicht 10 mit den ersten

Ladungsträgern rekombinieren.

In Figur 1B ist eine Draufsicht auf die Kontaktseite 30 des Bauelements 100 der Figur 1A gezeigt. Die Figur 1A ist dabei eine Ansicht auf eine Querschnittsebene senkrecht zur

Zeichenfläche durch die gestrichelte Linie ΑΑ ^λ .

In gestrichelten Rechtecken sind in Figur 1B die Formen und Positionen der Bildpunkte 40, die jeweils durch die

Spiegelelemente 20 definiert sind, angedeutet. Im Bereich der Bildpunkte 40 sind die ersten Kontaktstrukturen 31

angeordnet. Jede Kontaktstruktur 31 ist dabei in einer

Ausnehmung der zweiten Kontaktstruktur 32 angeordnet. Die ersten Kontaktstrukturen 31 sind von der zweiten

Kontaktstruktur 32 durch die Isolationsbereiche 33

beabstandet und elektrisch isoliert. Die Durchkontaktierungen 15 sind durch die gepunkteten Kreise angedeutet und sind ebenfalls im Bereich der Bildpunkte 40 angebracht. Die

Durchkontaktierungen 15 können im Betrieb dunkel erscheinende Bereiche innerhalb der Bildpunkte 40 bilden.

Ferner ist in der Figur 1B zu erkennen, dass jeder Bildpunkt 40 durch eine Translation, zum Beispiel eine reine

Translation in Querrichtung Q, auf einen direkt benachbarten Bildpunkt 40 abgebildet werden kann. Über dieselbe

Translation können auch die ersten Kontaktstrukturen 31 ineinander abgebildet werden. Die ersten Kontaktstrukturen 31 sind also translationsinvariant unter einer Translation, die die benachbarten Bildpunkte 40 ineinander überführt.

In der Figur 2A ist eine weitere Abwandlung einer

Leuchtvorrichtung 1000 gezeigt. Im Unterschied zu der Figur 1A sind nun die ersten Kontaktstrukturen 31 elektrisch leitend mit den Durchkontaktierungen 15 durch die

Halbleiterschichtenfolge 1 verbunden. Außerdem ist in der Figur 2A ein gemeinsames Spiegelelement 20 einer Mehrzahl von Bildpunkten 40 zugeordnet. In diesem Fall definiert das Spiegelelement 20 nicht die Form, Größe und Position der Bildpunkte 40.

In Figur 2B ist wiederum eine Draufsicht auf die Kontaktseite 30 gezeigt. Die ersten Kontaktstrukturen 31 sind hier im Unterschied zur Figur 1A quadratisch beziehungsweise

rechteckig ausgebildet. Die ersten Kontaktstrukturen 31 sind auch nicht in Ausnehmungen der zweiten Kontaktstrukturen 32 angeordnet, vielmehr ist die zweite Kontaktstruktur 32 in einem Randbereich der Kontaktseite 30 ausgebildet.

Wie auch in Figur 1B ist in der Figur 2B zu erkennen, dass eine Translation, die benachbarte Bildpunkte 40 ineinander überführt, gleichzeitig die ersten Kontaktstrukturen 31 ineinander überführt. Auch hier liegt also eine Invarianz der ersten Kontaktstrukturen 31 bezüglich einer die Bildpunkte 40 ineinander überführenden Translation vor.

In Figur 2C ist eine weitere Abwandlung einer

Leuchtvorrichtung 1000 gezeigt. Die Leuchtvorrichtung 1000 ähnelt dabei der Leuchtvorrichtung der Figur 2A. Anders als in Figur 2A ist jedoch in Bereichen zwischen benachbarten Bildpunkten 40 jeweils ein Graben von der Strahlungsseite 4 her in die Halbleiterschichtenfolge 1 eingebracht. Dadurch ist das Kontrastverhältnis benachbarter Bildpunkte 40 im Vergleich zur Figur 2A erhöht.

In der Figur 3A ist eine weitere Abwandlung einer

Leuchtvorrichtung 1000 im Blick auf die Strahlungsseite 4 gezeigt. Anders als in den vorherigen Figuren sind nun die Durchkontaktierungen 15 nicht im Inneren der Bildpunkte 40 angeordnet, sondern sind an Eckbereiche der Bildpunkte 40 verschoben. Jeder Durchkontaktierung 15 ist dabei eine Mehrzahl von Bildpunkten 40 zugeordnet. Durch das Anordnen der Durchkontaktierung 15 im Bereich der Ecken der Bildpunkte 40 weisen die Bildpunkte 40 im Bereich der Ecken Ausnehmungen auf .

Das Anordnen der Durchkontaktierungen 15 außerhalb der

Bildpunkte 40 bietet unter anderem den Vorteil, dass die durch die Durchkontaktierungen 15 erzeugten, dunkel

erscheinenden Bereiche nicht innerhalb der Bildpunkte 40 liegen. Auf diese Weise ist jeder Bildpunkt 40 eine einfach zusammenhängende Leuchtfläche.

In Figur 3B ist eine Draufsicht auf die Kontaktseite 30 der Leuchtvorrichtung 1000 der Figur 3A gezeigt. Die ersten

Kontaktstrukturen 31 sind wiederum kreisförmig ausgebildet und im Zentrum der Bildpunkte 40 angeordnet. Die ersten

Verbindungselemente 311 sind durch durchgezogene Kreise angedeutet. Wiederum ist zu erkennen, dass die ersten

Kontaktstrukturen 31 mit den Verbindungselementen 311 translationsinvariant unter einer Translation sind, die die Bildpunkte 40 ineinander überführt.

In der Figur 4A ist eine weitere Abwandlung einer

Leuchtvorrichtung 1000 in Draufsicht auf die Strahlungsseite 4 gezeigt. Anders als bei den vorherigen Leuchtvorrichtungen 1000 sind nun die Bildpunkte 40 nicht mehr quadratisch, sondern rechteckförmig ausgebildet. Insbesondere ist die Länge L40 einer jeden Leuchtfläche 40 entlang einer

Längsrichtung L größer als die Breite Q40 entlang einer senkrecht zur Längsrichtung L gemessenen Querrichtung Q. Die Durchkontaktierungen 15 sind wieder im Bereich von Ecken der Bildpunkte 40 angeordnet. Vorliegend beträgt die Länge L40 der Bildpunkte 40 etwa das Vierfache der Breite Q40 der

Bildpunkte 40.

In Figur 4B ist eine Draufsicht auf die Kontaktseite 30 der Leuchtvorrichtung aus der Figur 4A gezeigt. Die ersten

Kontaktstrukturen 31 sind dabei jeweils im Zentrum der

Bildpunkte 40 angeordnet. Die Bildpunkte 40 und die ersten Kontaktstrukturen 31 mit den zugehörigen Verbindungselementen 311 können über dieselbe Translation ineinander übergeführt werden.

In Figur 4C ist wiederum eine Querschnittsansicht entlang der Linie Α-Α ^λ durch die Figur 4B gezeigt.

Eine wichtige Erkenntnis aus den Figuren 4A und 4B ist, dass durch Reduktion der Ausdehnungen der Bildpunkte in eine

Richtung, vorliegend in Querrichtung Q, auch die ersten

Kontaktstrukturen 33 entsprechend in ihrer Ausdehnung

reduziert werden müssen. Dies kann irgendwann zu Problemen führen, weil eine geforderte Mindestbreite der

Isolationsbereiche 33, von zum Beispiel zumindest 15 ym, dann nicht mehr ohne weiteres eingehalten werden kann. Auch können die ersten Kontaktstrukturen 31 beziehungsweise die

Ausnehmungen innerhalb der zweiten Kontaktstruktur 32 nicht beliebig klein gestaltet werden.

Die nachfolgenden Ausführungsbeispiele der hier beschriebenen Erfindung zeigen unter anderem Möglichkeiten auf, dieses Problem zumindest teilweise zu umgehen. In Figur 5A ist die Draufsicht auf eine Kontaktseite 30 eines Ausführungsbeispiels einer hier beschriebenen

Leuchtvorrichtung 1000 oder eines hier beschriebenen

optoelektronischen Bauelements 100 gezeigt. Die zugehörige Leuchtfläche 4 entspricht dabei der Leuchtfläche 4 aus der Abbildung 4A. Die Kontaktseite 30 ist jedoch anders

ausgebildet als in der Figur 4B gezeigt. Insbesondere

überlappt hier jede erste Kontaktstruktur 31 mit zwei in Querrichtung Q nebeneinander angeordneter Bildpunkte 40. Die ersten Kontaktstrukturen 31 zweier in Querrichtung Q direkt benachbarter Bildpunkte 40 sind in Längsrichtung L

gegeneinander verschoben beziehungsweise versetzt. Obwohl eine jede erste Kontaktstruktur 31 mit zwei

Bildpunkten 40 überlappt, ist trotzdem jede erste

Kontaktstruktur 31 nur jeweils einem Bildpunkt 40

eineindeutig zugeordnet. Die eineindeutige Zuordnung ergibt sich aus dem ersten Verbindungselement 311, welches jeweils nur im Bereich eines Bildpunktes 40 angeordnet ist. Nur über dieses erste Verbindungselement 311 findet eine elektrische Kontaktierung beziehungsweise Ansteuerung des Bildpunktes 40 statt . Dadurch dass jede erste Kontaktstruktur 31 mit zwei direkt benachbarten Bildpunkten 40 überlappt, kann die laterale Ausdehnung, also die Länge L31 und die Breite Q31, der ersten Kontaktstrukturen 31 erhöht werden gegenüber den ersten

Kontaktstrukturen 31 aus der Figur 4B. Als Konsequenz daraus ergibt sich auch, dass eine Translation, welche in

Querrichtung Q direkt benachbarte Bildpunkte 40 ineinander überführt, die zugehörigen ersten Kontaktstrukturen 31 nicht deckungsgleich aufeinander abbildet. In der Figur 5B ist ein Ausführungsbeispiel einer hier beschriebenen Leuchtvorrichtung 1000 in Draufsicht auf die Querschnittsebene durch die Linie ΑΑ ^λ aus der Figur 5A gezeigt. Zu erkennen ist, dass jede erste Kontaktstruktur 31 in vertikaler Richtung, quer zur Kontaktseite 30, mit zwei Spiegelelementen 20 überlappt, jedoch nur mit einem

Spiegelelement 20 über das erste Verbindungselement 311 elektrisch kontaktiert ist. Nur dieses Spiegelelement 20 wird über die erste Kontaktstruktur 31 bestromt und entsprechend beginnt nur der durch das Spiegelelement 20 definierte

Bildpunkt 40 zu leuchten.

In der Figur 5C ist dieselbe Leuchtvorrichtung 1000 wie in der Figur 5B gezeigt, nur diesmal in Ansicht auf die

Querschnittsebene durch die Linie BB ^λ . Hier sind die ersten Verbindungselemente 311 entsprechend mit den anderen

Spiegelelementen 20 elektrisch leitend verbunden. In der Figur 5D ist die Leuchtvorrichtung 1000 in einer

Ansicht auf die Querschnittsebene durch die Linie CC ^λ aus der Figur 5A gezeigt. Insbesondere sind hier die

Durchkontaktierungen 15 zu erkennen, die über die zweiten Verbindungselemente 321 mit der zweiten Kontaktstruktur 32 elektrisch leitend verbunden sind.

In der Figur 6A ist ein Ausführungsbeispiel einer

Leuchtvorrichtung 1000 beziehungsweise eines

optoelektronischen Bauelements 100 wiederum in Draufsicht auf die Kontaktseite 30 gezeigt. Anders als in dem vorherigen

Ausführungsbeispiel sind nun die ersten Kontaktstrukturen 31 mit den Durchkontaktierungen 15 elektrisch leitend verbunden, so dass über die ersten Kontaktstrukturen 31 die dem

Anschlussträger 200 abgewandte zweite Halbleiterschicht 12 kontaktiert wird. Um dies zu erreichen, sind die

Durchkontaktierungen 15 allerdings wieder in das Innere der Bildpunkte 40 gezogen. Wie in den vorherigen

Ausführungsbeispielen führt hier eine Translation, die zwei in Querrichtung direkt benachbarte Bildpunkte 40 aufeinander abbildet, zu keiner deckungsgleichen Abbildung der

zugehörigen ersten Kontaktstrukturen 31. Dafür ermöglicht eine solche Anordnung aber wiederum große erste

Kontaktstrukturen 31.

In Figur 6B ist die Leuchtvorrichtung 1000 in einer Ansicht auf die Querschnittsebene durch die Linie ΑΑ ^λ aus der Figur 6A gezeigt. Zur Erhöhung des Kontrastverhältnisses in diesem Ausführungsbeispiel sind Gräben von einer der Strahlungsseite 4 aus in die Halbleiterschichtenfolge 1 zwischen zwei

benachbarten Bildpunkten 40 eingebracht. Zu erkennen ist außerdem, dass im Betrieb die ersten Kontaktstrukturen 31 über die ersten Verbindungselemente 311 erste Ladungsträger in die zweite Halbleiterschicht 12 der

Halbleiterschichtenfolge 1 injizieren.

In der Figur 6C ist eine Ansicht auf die Querschnittsebene durch die Linie BB ^λ gezeigt.

In den Ausführungsbeispielen der Figuren 7A und 7B sind

Draufsichten auf die Kontaktseite 30 weiterer

Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen

optoelektronischen Bauelementen 100 oder Leuchtvorrichtungen 1000 gezeigt. Anders als in den vorherigen

Ausführungsbeispielen überlappen die ersten Kontaktstrukturen 31 hier nicht mit zwei oder mehr benachbarten Bildpunkten 40. Jedoch sind die Isolationsbereiche 33 um zwei benachbarte erste Kontaktstrukturen 31 als ein zusammenhängender

Isolationsbereich 33 ausgeführt. Dadurch kann wiederum die Ausdehnung der ersten Kontaktstrukturen 31 gegenüber der Figur 4B erhöht werden. Dieser Effekt ist in der Figur 7A dadurch verstärkt, dass die ersten Kontaktstrukturen 31 von in Querrichtung Q direkt benachbarten Bildpunkten 40 in

Längsrichtung L zueinander versetzt sind. Dadurch können die Ausdehnungen der ersten Kontaktstrukturen 31 weiter

vergrößert werden.

In der Figur 7B sind die ersten Kontaktstrukturen 31 in Bezug auf die Querrichtung Q nicht mittig in den Bildpunkten 40 angeordnet, sondern versetzt. Auch dies erlaubt, die Größe der ersten Kontaktstrukturen 31 zu erhöhen. Als Konsequenz daraus ist aber wiederum eine Translation, die zwei direkt benachbarte Bildpunkte 40 ineinander überführt, nicht dazu geeignet, zwei direkt benachbarte erste Kontaktstrukturen 31 deckungsgleich aufeinander abzubilden. In der Figur 8A ist eine Querschnittsansicht eines

optoelektronischen Bauelements 100 gezeigt, bevor es auf den Anschlussträger 200 aufgebracht, insbesondere aufgelötet wird. Zu erkennen ist hierbei, dass die Kontaktstrukturen 31, 32 Lotstrukturen auf der Kontaktseite 30 sind. Der

Anschlussträger 200 ist vor dem Aufbringen frei von

Lotstrukturen. Außerdem ist in Figur 8A zu erkennen, dass auf einer der Kontaktseite 30 abgewandten Seite der

Halbleiterschichtenfolge 1 noch ein Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge 1 aufgebracht ist. Dieses

Aufwachssubstrat kann nach dem Aufbringen des

optoelektronischen Bauelements 100 auf den Anschlussträger 200 entfernt werden. Bei dem Aufwachssubstrat handelt es sich beispielsweise um ein Saphirsubstrat. In dem Ausführungsbeispiel der Figur 8B sind die

Lotstrukturen anders als in der Figur 8A nicht auf dem

Bauelement 100, sondern auf dem Anschlussträger 200

aufgebracht. In diesem Fall sind die ersten Kontaktstrukturen 31 und die zweite Kontaktstruktur 32 auf der Kontaktseite 30 des Bauelements 100 keine Lotstrukturen, sondern

beispielsweise metallische Kontaktelemente, die galvanisch auf das optoelektronische Bauelement 100 aufgebracht sind.

Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Anmeldung DE 102016100351.4, deren

Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen aus den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn diese Merkmale oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Bezugs zeichenliste

1 Halbleiterschichtenfolge

2 Dielektrikum

4 Strahlungsseite

10 aktive Schicht

11 erste Halbleiterschicht

12 zweite Halbleiterschicht

15 Durchkontaktierung

20 Spiegelelement

30 Kontaktseite

31 erste Kontaktstruktur

32 zweite Kontaktstruktur

40 Bildpunkt

100 optoelektronisches Bauelement

200 Anschlussträger

201 erste Anschlussstelle

202 zweite Anschlussstelle

210 Schalter

311 erstes Verbindungselement

321 zweites Verbindungselement

1000 Leucht orrichtung

L Längsrichtung

Q Querrichtung

L31 Länge der ersten Kontaktstruktur

Q31 Breite der ersten Kontaktstruktur

L40 Länge des Bildpunktes 40

Q40 Breite des Bildpunktes 40