Beschreibung

Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes

In verschiedenen Ausführungsformen werden ein

optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt.

Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis,

beispielsweise organische Leuchtdioden (organic light

emitting diode - OLED) , finden zunehmend verbreitete

Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle .

Ein organisches optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED, kann eine Anode und eine Kathode mit einem

organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen

aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschicht/en aufweisen, in der/denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur/en aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten

(„Charge generating layer", CGL) zur

Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehrerer

Elektronenblockadeschicht/en, auch bezeichnet als

Lochtransportschicht/en („hole transport layer" -HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschicht/en, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht/en („electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten.

In einem herkömmlichen Verfahren zum gezielten Erzeugen von Bildern bzw. Inhomogenitäten mit organischen Leuchtdioden wird die erste Elektrode durch Löcher kontaktiert, die durch die gesamte OLED gehen. Damit kann an jedem kontaktierten Punkt der zweiten Elektrode eine unterschiedliche Spannung angelegt werden. In einem weiteren herkömmlichen Verfahren zum gezielten

Erzeugen von Bildern bzw. Inhomogenitäten werden elektrische Sammelschienen (Busbars) verwendet, die in ungleichmäßigem Abstand voneinander aufgebracht werden.

In einem weiteren herkömmlichen Verfahren zum gezielten

Erzeugen von Bildern bzw. Inhomogenitäten wird eine

organische Leuchtdiode als ein OLED-Display ausgebildet.

Diese sind in der Lage, beliebige Verteilungen abzubilden. OLED-Displays sind jedoch dunkler und teurer als einfache OLEDs .

In verschiedenen Ausführungsformen werden ein

optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, mit denen es möglich ist, zeitlich variable unterschiedliche homogene oder gezielt inhomogene Leuchtdichteverteilungen darzustellen, die beispielsweise ohne dieses Verfahren nicht abbildbar wären.

In verschiedenen Ausführungsformen wird ein

optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, das

optoelektronische Bauelement aufweisend: eine erste

Elektrode, eine zweite Elektrode, eine organische

funktionelle Schichtenstruktur, und wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet ist, und wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur ausgebildet ist, einen elektrischen Strom in eine elektromagnetische Strahlung umzuwandeln und zu emittieren; und wobei wenigstens die erste Elektrode wenigstens einen ersten Elektrodenbereich und einen zweiten Elektrodenbereich aufweist; und eine

Steuervorrichtung, die eingerichtet ist zu einem

Bereitstellen wenigstens eines ersten elektrischen Stromes in den ersten Elektrodenbereich und/oder zu einem Bereitstellen wenigstens eines zweiten elektrischen Stromes in den zweiten Elektrodenbereich, wobei der erste elektrische Strom und/oder der zweite elektrische Strom Strompulse aufweist/en; und zu einem Ändern des ersten elektrischen Stromes und/oder des zweiten elektrischen Stromes derart, dass die Gesamtemission der elektromagnetischen Strahlung zeitlich veränderlich ist. Ein erster elektrischer Strom und ein zweiter elektrischer Strom können in verschiedenen Ausgestaltungen als

verschiedene Ströme an den Elektrodenbereichen der Elektrode verstanden werden, beispielsweise als zwei oder mehr

unterschiedliche elektrische Strome an den zwei oder mehr Kontakten bzw. Elektrodenbereichen einer Elektrode. Diese Ströme können beliebig, beispielsweise mittels

Pulsweitenmodulation moduliert werden. In verschiedenen

Ausgestaltungen kann die Elektrode mehr als zwei

Elektrodenbereiche bzw. Kontakt zum bestromen aufweisen und mit mehr als zwei elektrischen Strömen bestromt werden, beispielsweise drei, vier, fünf, sechs oder mehr

Elektrodenbereichen aufweisen und/oder mit drei, vier, fünf, sechs oder mehr elektrischen Strömen bestromt werden. In einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode derart ausgebildet sein oder werden, dass der erste

Elektrodenbereich wenigstens teilweise elektrisch isoliert ist von dem zweiten Elektrodenbereich, beispielsweise mittels einer dielektrischen Schicht oder einer Luftbrücke.

In einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode derart ausgebildet sein oder werden, dass der erste

Elektrodenbereich durch einen elektrischen Widerstand mit dem zweiten Elektrodenbereich elektrisch verbunden ist.

In einer Ausgestaltung kann der elektrische Widerstand der Flächenwiderstand der ersten Elektrode sein.

In einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode als Anode und die zweite Elektrode als Kathode ausgebildet sein oder werden . In einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode als Kathode und die zweite Elektrode als Anode ausgebildet sein oder werden . In einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode ein

transparentes elektrisch leitfähiges Oxid aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise ein elektronenleitendes oder lochleitendes transparentes oder transluzentes Oxid. In einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise ein elektronenleitendes oder lochleitendes transparentes oder transluzentes Metalloxid oder ein opakes Metall. In einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet sein .

In einer Ausgestaltung kann die organische funktionelle

Schichtenstruktur auf oder über der ersten Elektrode

ausgebildet sein.

In einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode in der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet sein, beispielsweise als Zwischenelektrode.

In einer Ausgestaltung kann die erste Elektrode Durchkontakte durch die organische funktionelle Schichtenstruktur aufweisen oder mit Durchkontakten elektrisch verbunden sein,

beispielsweise bei einem optoelektronischen Bauelement, das als ein sogenannter Bottom-Emitter ausgebildet ist, bei dem die erste Elektrode transparent ist, die organische

funktionelle Schichtenstruktur auf der ersten Elektrode ausgebildet ist und die erste Elektrode mittels der

Durchkontakte durch die organische funktionelle

Schichtenstruktur elektrisch kontaktiert ist. In einer Ausgestaltung kann wenigstens ein Durchkontakt in ungefähr der flächigen Mitte der flächigen organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet sein. Dadurch kann eine Ansteuerung der Mitte der Leuchtfläche ermöglicht werden, beispielsweise indem ein Elektrodenkontakt mit dem oder den Durchkontakten in der Mitte der Leuchtfläche

elektrisch verbunden ist. Die Struktur, die einen

elektrischen Strom an den Durchkontakt bereitstellt, sollte einen kleineren Flächenwiderstand aufweisen als der

Elektrodenbereich, der mit dem Durchkontakt elektrisch verbunden ist.

In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung einen elektrischen Speicher aufweisen mittels dessen ein Plan zum Steuern des ersten elektrischen Stromes und des zweiten elektrischen Stromes gespeichert ist.

In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung einen

Eingabe-Anschluss aufweisen mittels dessen ein Plan zum

Steuern des ersten elektrischen Stromes und des zweiten elektrischen Stromes eingebbar ist.

In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart eingerichtet sein, dass der erste elektrische Strom und/oder der zweite elektrische Strom einen Gleichstrom und/oder einen Wechselstrom aufweisen/t.

In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart eingerichtet sein, dass der erste elektrische Strom und der zweite elektrische Strom sich in wenigstens einer der folgenden Eigenschaften unterscheiden: die Pulsamplitude ; die Pulsfrequenz; die Pulsweite; das Tastverhältnis; der

Pulsform; und/oder der Anzahl an Pulsen je Abtastintervall. In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart eingerichtet sein, dass das Ändern des ersten elektrischen Stromes und/oder des zweiten elektrischen Stromes eine

Pulsmodulation aufweist, beispielsweise eine Pulsweitenmodulation, eine Pulsfrequenzmodulation und/oder eine Pulsamplitudenmodulation.

In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart eingerichtet sein, dass der erste elektrische Strom und/oder der zweite elektrische Strom derart geändert werden/wird, dass der Farbort der emittierten elektromagnetischen

Strahlung lokal von dem optoelektronischen Bauelement

zeitlich veränderlich ist.

In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart eingerichtet sein, dass der erste elektrische Strom und/oder der zweite elektrische Strom derart geändert werden/wird, dass die Helligkeit der emittierten elektromagnetischen

Strahlung lokal von dem optoelektronischen Bauelement

zeitlich veränderlich ist. Die lokal emittierte

elektromagnetische Strahlung kann sich auf die Position auf der Leuchtfläche, d.h. der optisch aktiven Fläche, des optoelektronischen Bauelementes beziehen, von der die

elektromagnetische Strahlung emittiert wird.

In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart eingerichtet sein, dass der erste elektrische Strom und/oder der zweite elektrische Strom derart geändert werden/wird, dass die Farbsättigung der emittierten elektromagnetischen Strahlung lokal von dem optoelektronischen Bauelement

zeitlich veränderlich ist.

In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Betreiben eines oben beschriebenen optoelektronischen

Bauelementes bereitgestellt, das Verfahren aufweisend:

Bereitstellen wenigstens eines ersten elektrischen Stromes in den ersten Elektrodenbereich und/oder Bereitstellen

wenigstens eines zweiten elektrischen Stromes in den zweiten Elektrodenbereich, wobei der erste elektrische Strom und/oder der zweite elektrische Strom Strompulse aufweist/en; und Ändern des ersten elektrischen Stromes und/oder des zweiten elektrischen Stromes derart, dass die Gesamtemission der elektromagnetischen Strahlung zeitlich veränderlich ist.

In verschiedenen Ausgestaltungen des Verfahrens können/kann der erste elektrische Strom und/oder der zweite elektrische Strom einen Gleichstrom und/oder einen Wechselstrom

aufweisen .

In verschiedenen Ausgestaltungen des Verfahrens können/kann der erste elektrische Strom und der zweite elektrische Strom sich in wenigstens einer der folgenden Eigenschaften

unterscheiden: die Pulsamplitude ; die Pulsfrequenz; die Pulsweite; das Tastverhältnis; der Pulsform; und/oder der Anzahl an Pulsen je Abtastintervall.

In verschiedenen Ausgestaltungen des Verfahrens kann das Ändern des ersten elektrischen Stromes und/oder des zweiten elektrischen Stromes eine Pulsmodulation aufweisen,

beispielsweise eine Pulsweitenmodulation, eine

Pulsfrequenzmodulation und/oder eine

Pulsamplitudenmodulation .

In verschiedenen Ausgestaltungen des Verfahrens kann der erste elektrische Strom und/oder der zweite elektrische Strom derart geändert werden, dass der Farbort der emittierten elektromagnetischen Strahlung lokal von dem

optoelektronischen Bauelement zeitlich veränderlich ist.

In verschiedenen Ausgestaltungen des Verfahrens kann der erste elektrische Strom und/oder der zweite elektrische Strom derart geändert werden, dass die Helligkeit der emittierten elektromagnetischen Strahlung lokal von dem

optoelektronischen Bauelement zeitlich veränderlich ist. In verschiedenen Ausgestaltungen des Verfahrens kann der erste elektrische Strom und/oder der zweite elektrische Strom derart geändert werden, dass die Farbsättigung der emittierten elektromagnetischen Strahlung lokal von dem optoelektronischen Bauelement zeitlich veränderlich ist.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.

Es zeigen

Figuren 1A-D schematische Darstellungen optoelektronischer

Bauelemente gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen;

Figuren 2 eine schematische Darstellung eines

optoelektronischen Bauelementes gemäß

verschiedenen Ausführungsbeispielen;

Figuren 3A, B schematische Darstellungen optoelektronischer

Bauelemente gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen; und

Figuren 4A-C schematische zu einem Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen .

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische

Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird

Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da

Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl

verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der

Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe

"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.

In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente beschrieben, wobei ein optoelektronisches

Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist. Der optisch aktive Bereich kann mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren. In verschiedenen Ausführungsformen kann die elektromagnetische Strahlung einen Wellenlängenbereich aufweisen, der Röntgenstrahlung, UV-Strahlung (A-C) ,

sichtbares Licht und/oder Infrarot-Strahlung (A-C) aufweist.

Ein flächiges optoelektronisches Bauelement, welches zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist, kann in der

Verbindungsrichtung der optisch aktiven Seiten beispielsweise transparent oder transluzent ausgebildet sein, beispielsweise als eine transparente oder transluzente organische

Leuchtdiode. Ein flächiges optoelektronisches Bauelement kann auch als ein planes optoelektronisches Bauelement bezeichnet werden.

Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch eine flächige, optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktive Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, die als ein sogenannter Top-Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist. Die optisch inaktive Seite kann in

verschiedenen Ausführungsbeispielen transparent oder

transluzent sein, oder mit einer Spiegelstruktur und/oder einem opaken Stoff oder Stoffgemisch versehen sein,

beispielsweise zur Wärmeverteilung. Der Strahlengang des optoelektronischen Bauelementes kann beispielsweise einseitig gerichtet sein.

Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von

elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Mit anderen Worten: ein Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein Emittieren von elektromagnetischer Strahlung mittels einer angelegten Spannung an einen optisch aktiven Bereich verstanden werden.

Eine elektromagnetische Strahlung emittierende Struktur

(optisch aktive Struktur) kann in verschiedenen

Ausgestaltungen eine elektromagnetische Strahlung

emittierende Halbleiter-Struktur sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung

emittierender Transistor ausgebildet sein. Das

elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) , als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender

Transistor oder als organischer Licht emittierender

Transistor, beispielsweise ein organischer

Feldeffekttransistor (organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik ausgebildet sein. Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen sogenannten „all-OFET" handeln, bei dem alle Schichten organisch sind. Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse. Ein optoelektronisches Bauelement kann ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle

Schichtenstruktur bezeichnet wird. Die organische

funktionelle Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom eingerichtet ist. Eine organische Leuchtdiode 200 kann als ein Top-Emitter oder ein Bottom-Emitter ausgebildet sein. Bei einem Bottom-Emitter wird Licht aus dem elektrisch aktiven Bereich durch den

Träger emittiert. Bei einem Top-Emitter wird Licht aus der Oberseite des elektrisch aktiven Bereiches emittiert und nicht durch den Träger.

Ein Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter kann auch optisch transparent oder optisch transluzent ausgebildet sein, beispielsweise kann jede der nachfolgend beschriebenen

Schichten oder Strukturen transparent oder transluzent ausgebildet sein.

Die optisch aktive Zeit eines optoelektronischen Bauelementes ist die Zeit, in der eine optisch aktive Struktur

elektromagnetische Strahlung emittiert.

Die optisch inaktive Zeit eines optoelektronischen

Bauelementes ist die Zeit, in der eine optisch aktive

Struktur keine elektromagnetische Strahlung emittiert.

Das Tastverhältnis (MUX) gibt das Verhältnis der optisch inaktiven Zeit zu der optisch aktiven Zeit in einem

Ansteuerungsintervall an. Beispielsweise ist eine optisch aktive Struktur bei einem Tastverhältnis von 2 (MUX = 2) je Ansteuerungsintervall zu 50 % der Zeit des

Ansteuerungsintervalls optisch inaktiv (unbestromt) und emittiert in 50 % der Zeit des Ansteuerungsintervalls eine elektromagnetische Strahlung.

Bei einer gepulsten Ansteuerung des optoelektronischen

Bauelementes kann die optisch aktive Zeit beispielsweise mittels einer mathematischen Faltung der Pulsweiten und

Pulsfolgefrequenz in einem Ansteuerungsintervall ermittelt werden .

Als maximale Pulsamplitude oder Pulshöhe kann die Stelle eines Pulses elektromagnetischer Strahlung verstanden werden, an der der Puls die höchste Leuchtdichte aufweist.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein

optoelektronisches Bauelement 100 bereitgestellt - veranschaulicht in Fig.lA bis Fig. ID. Das optoelektronische Bauelement 100 kann eine erste Elektrode 110, eine zweite Elektrode 114 und eine organische funktionelle

Schichtenstruktur 112 auf oder über einem Träger 102

aufweisen . Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 ausgebildet sein. Die organische funktionelle

Schichtenstruktur 112 kann ausgebildet sein, einen

elektrischen Strom in eine elektromagnetische Strahlung umzuwandeln und zu emittieren. Ausführungsbeispiele der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112, der

Elektroden 110, 114 und des Trägers 102 sind in der

Beschreibung unten veranschaulicht. Wenigstens die erste Elektrode 100 kann wenigstens einen ersten Elektrodenbereich 110A und einen zweiten

Elektrodenbereich HOB aufweisen. Die erste Elektrode 110 kann eine Struktur 132 aufweisen, die den ersten Elektrodenbereich 110A von dem zweiten

Elektrodenbereich HOB elektrisch und/oder körperlich

voneinander trennt. Die Struktur 132 kann beispielsweise ein elektrischer Widerstand und/oder ein Dielektrikum sein. Mit anderen Worten: Die erste Elektrode 110 kann derart

ausgebildet sein oder werden, dass der erste

Elektrodenbereich 110A elektrisch isoliert ist von dem zweiten Elektrodenbereich HOB, beispielsweise mittels einer dielektrischen Struktur 132, einem Luftspalt 132 und/oder einer Glasstruktur 132, beispielsweise indem eine Lücke in der ersten Elektrode 110 ausgebildet ist. Die erste Elektrode 110 kann derart ausgebildet sein oder werden, dass der erste Elektrodenbereich 110A durch einen elektrischen Widerstand 132 mit dem zweiten Elektrodenbereich HOB elektrisch

verbunden ist. Der elektrische Widerstand kann beispielsweise der Flächenwiderstand der ersten Elektrode HO sein oder aufweisen . Die erste Elektrode HO kann wenigstens den ersten

Elektrodenbereich HOA und den zweiten Elektrodenbereich HOB aufweisen, die miteinander körperlich, und elektrisch leitend oder elektrisch leitfähig verbunden sind. Beispielsweise ist die erste Elektrode HO als eine elektrisch leitfähige

Schicht ausgebildet, so dass der erste Elektrodenbereich HOA und der zweite Elektrodenbereich HOB unterschiedliche

Bereich der elektrisch leitfähigen Schicht sind. Mit anderen Worten: die erste Elektrode HO mit erstem Elektrodenbereich HOA und zweitem Elektrodenbereich HOB kann aus einem Stück gebildet sein, d.h. einstückig sein. Entlang einer flächigen (Haupt- ) Seite der elektrisch leitfähigen Schicht kann die erste Elektrode HO einen Flächenwiderstand aufweisen.

Dadurch ist beispielsweise ein elektrischer Strom entlang dieser (Haupt- ) Seite von einer ersten Seitenfläche der

(Haupt- ) Seite zu einer zweiten Seitenfläche der

(Haupt-) Seite, wobei die zweite Seitenfläche der ersten

Seitenfläche gegenüberliegt; an der zweiten Seitenfläche um den Teil, der über den Flächenwiderstand abfällt, vermindert. Der erste Elektrodenbereich 110A weist beispielsweise die erste Seitenfläche auf und der zweite Elektrodenbereich HOB die zweite Seitenfläche. Somit sind der erste

Elektrodenbereich 110A und der zweite Elektrodenbereich HOB mittels des Flächenwiderstandes der elektrisch leitfähigen Schicht der ersten Elektrode 110 elektrisch leitend

miteinander verbunden, wobei die Struktur 132 den

Flächenwiderstand aufweist oder ist. In verschiedenen Weiterbildungen weist die erste Elektrode 110 wenigstens einen ersten Anschluss und einen Anschluss auf, die zu einem elektrischen Anschließen des Bauelementes mit einer Bauelement-externen elektrischen Energiequelle eingerichtet sind. Beispielsweise ist der wenigstens erste Anschluss und zweite Anschluss elektrisch leitend mit der Elektrode verbunden; und kontaktierbar ausgebildet,

beispielsweise freiliegend. Der wenigstens erste Anschluss und zweite Anschluss können elektrisch voneinander isoliert sein derart, dass der erste Anschluss und der zweite

Anschluss frei sind von einem gemeinsamen körperlichen

Kontakt. Mit anderen Worten: der erste Anschluss und der zweite Anschluss können mittels der ersten Elektrode

miteinander elektrisch leitend verbunden sein derart, dass an den ersten Anschluss ein erstes elektrisches Potential und an den zweiten Anschluss ein zweites elektrisches Potential bereitstellbar ist, wobei das erste elektrisch Potential unterschiedlich zu dem zweiten elektrischen Potential sein kann. Mittels des elektrischen Flächenwiderstandes und der unabhängig voneinander bestrombaren Anschlüsse der ersten Elektrode kann die erste Elektrode eine elektrische

Potentialverteilung aufweisen.

Alternativ oder zusätzlich ist in verschiedenen

Weiterbildungen gemäß der beschriebenen ersten Elektrode ausgebildet.

Die erste Elektrode 110 kann als Anode und die zweite

Elektrode 114 als Kathode ausgebildet sein oder werden. Die erste Elektrode 110 kann jedoch auch als Kathode und die zweite Elektrode 114 als Anode ausgebildet sein oder werden. Die erste Elektrode 110 kann ein transparentes elektrisch leitfähiges Oxid und/oder ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein.

Die erste Elektrode 110 kann auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 ausgebildet sein

(veranschaulicht in Fig.lA-C) und/oder die organische

funktionelle Schichtenstruktur 112 kann auf oder über der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein (veranschaulicht in

Fig.lD), beispielsweise kann die erste Elektrode 110 als Zwischenelektrode (Zwischenschichtstruktur - siehe

Beschreibung unten) in der organischen funktionellen

Schichtenstruktur ausgebildet sein. Die erste Elektrode 110 kann Durchkontakte durch die organische funktionelle

Schichtenstruktur 112 aufweisen oder mit solchen elektrisch verbunden sein. Wenigstens ein Durchkontakt kann in einer Ausgestaltung in ungefähr einer flächigen Mitte der flächigen organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 ausgebildet sein .

Die erste Elektrode 110 kann von der zweiten Elektrode 114 mittels einer elektrischen Isolierung 130 elektrisch getrennt sein. Die elektrische Isolierung kann beispielsweise ein Polyimid aufweisen oder daraus gebildet sein.

Das optoelektronische Bauelement 100 kann mittels eines Kontaktbereiches 134A, B, beispielsweise in Form eines

Kontaktpad, einer Kontaktleiste und/oder einer elektrischen

Sammelschiene (Busbar) mit einer Steuervorrichtung elektrisch verbindbar sein. Der erste Elektrodenbereich 110A kann beispielsweise mit einem ersten Kontaktbereich 134A und der zweite Elektrodenbereich HOB mit einem zweiten

Kontaktbereich 134B elektrisch verbunden sein.

Die mindestens zwei Kontaktbereiche 134A, 134B können

beispielsweise nebeneinander und/oder auf gegenüberliegenden Seiten in Randbereichen der ersten Elektrode 110 angeordnet sein (veranschaulicht in Fig.lB, C) . Die erste Elektrode 110 und die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 können derart ausgebildet sein, dass die gesamte Leuchtfläche mit jedem Kontaktbereich 134A, 134B alleine bestromt werden kann.

Die erste Elektrode 110, die zweite Elektrode 114 und/oder weitere Elektroden, beispielsweise eine Zwischenelektrode, können jeweils zwei oder mehr Elektrodenbereiche 110A, B und/oder Kontaktbereiche 134A, 134B aufweisen, beispielsweise zwei bis fünf, unabhängig voneinander bestrombare

Elektrodenbereiche 110A, B. Unabhängig voneinander

bestrombare Elektrodenbereiche weisen jeweils einzelne, elektrisch isolierte Kontaktanschlüsse mit einer

Steuervorrichtung auf (siehe auch Beschreibung der Fig.3, unten) .

Die zwei oder mehr Anschlüsse einer Elektrode 110, 114 können mit unterschiedlichen Strömen bestromt werden, die zeitlich variieren können. Die unterschiedlichen Ströme können

beispielsweise unterschiedliche Spannungen, Stromstärken, Stromdichten und/oder Pulsmodulationen aufweisen. Dadurch kann eine einstellbare Leuchtdichteverteilung ausgebildet werden. Diese einstellbare Leuchtdichteverteilung und andere Leuchtdichteverteilungen, die mit anderen angelegten

Spannungen korrelieren, können mittels einer Pulsmodulation, beispielsweise einer Puls-Weiten-Modulation (PWM) , Puls- Amplituden-Modulation (PAM) und/oder einer Puls-Frequenz- Modulation (PFM) ; optisch überlagert werden. Dadurch kann eine nahezu beliebige Leuchtdichteverteilung erzeugt werden. Eine Leuchtdichteverteilung kann mittels des Farbortes, der Polarisation, der Helligkeit, der Farbsättigung und/oder dem Leuchtdichtegradienten einer emittierten elektromagnetischen Strahlung charakterisiert werden.

Die Elektrode 110, 114 mit mehreren mit unterschiedlichen Strömen bestromten Elektrodenbereichen 110A, HOB kann somit eine elektrische Spannung zwischen den Elektrodenbereichen 110A, HOB aufweisen, d.h. innerhalb der Elektrode 110, 114. Als elektrische Spannung an einem Elektrodenbereich 110A, HOB der ersten Elektrode 110 kann das elektrische Potenzial verstanden werden, dass bezüglich der zweiten Elektrode 114 ausgebildet wird.

Die zweite Elektrode 114 kann auf einem festen elektrischen Potenzial liegen. Genauer: die Anschlüsse der zweiten

Elektrode 114 können auf einem festen elektrischen Potenzial liegen. Aufgrund des Flächenwiderstandes der zweiten

Elektrode 114 kann in der zweiten Elektrode eine

Stromverteilung ausgebildet sein. Analoges gilt für die erste Elektrode 110. Das Potenzial an den Elektrodenbereichen 110A, HOB kann zeitlich und zueinander unterschiedlich sein, beispielsweise indem sich die zeitliche Variation der

elektrischen Spannungen unterscheidet. Es kann möglich sein, dass zu einem bestimmten Zeitpunkt an den Elektrodenbereichen 110A, HOB dieselbe Spannung anliegt, wobei die weitere

Änderung der jeweils angelegten Spannung unterschiedlich zueinander ist.

Die jeweilige zeitlich variierende elektrische Spannung der Elektrodenbereiche HOA, HOB kann unter Berücksichtigung des Flächenwiderstands 132 der ersten Elektrode HOA und des damit verbundenen Spannungsabfalls in der ersten Elektrode HO in Abhängigkeit von einem Abstand von den externen elektrischen Kontakten in den Kontaktbereichen 134A, B eine räumlich und zeitlich variierende Stromdichteverteilung des Stromes hervorrufen. Diese Stromdichteverteilung kann in die organische funktionelle Schichtenstruktur eingeprägt werden, d.h. in eine Leuchtdichteverteilung umgewandelt werden.

Die unterschiedlichen Spannungen an den zumindest zwei

Elektrodenbereichen HOA, B können unterschiedliche

Leuchtdichten in verschiedenen Flächen- und Randbereichen der Leuchtfläche hervorrufen. Die unterschiedlichen Leuchtdichten können sich unterschiedlich voneinander mit der Zeit ändern. Dadurch kann eine zeitlich und räumlich variierende Leuchtdichteverteilung über die Leuchtfläche des optoelektronischen Bauelementes 100 hervorgerufen werden.

Die zeitliche Variation der unterschiedlichen elektrischen Spannungen kann im Betrieb des optoelektronischen

Bauelementes zu einer für einen Beobachter wahrnehmbaren zeitlichen und räumlichen Variation der

Leuchtdichteverteilung einer von dem optoelektronischen

Bauelement 100 emittierten elektromagnetischen Strahlung führen .

Die Variation kann mit der Wahl der elektrischen Ströme in die Elektrodenbereiche 110A, B so variiert werden, dass sie für den Beobachter in ihrer Stärke und Frequenz wahrnehmbar bzw. auflösbar sind. Dadurch kann vom optoelektronischen Bauelement 100 eine variable elektromagnetische Strahlung, also elektromagnetische Strahlung mit einer zeitlich und räumlich variierenden Leuchtdichteverteilung, abgestrahlt werden. Dies kann in Beleuchtungsanwendungen angenehmer empfunden werden als eine zeitlich und räumlich möglichst homogene und konstante Leuchtdichteverteilung.

Beispielsweise kann bei einem Beobachter mittels der

zeitlichen Änderung der Gesamtemission des optoelektronischen Bauelementes der Eindruck einer Wellen- oder Wolkenbewegungen oder dem Flackern von Kerzen oder Flammen hervorgerufen werden. Beispielsweise können zeitliche Änderungen mit einer Frequenz von kleiner oder gleich 10 Hz oder kleiner oder gleich 5 Hz und größer oder

gleich 0,5 Hz geeignet sein.

Ein optoelektronisches Bauelement 100 in Form einer

organischen Leuchtdiode kann eine nicht-lineare Leuchtdichte- Spannungs-Kennlinie aufweisen. Weiterhin kann das

optoelektronische Bauelement eine komplexe geometrische Form aufweisen, beispielsweise eine geometrisch komplex geformte optisch aktive Fläche aufweisen. Dadurch können einige

Leuchtdichteverteilungen, die unterschiedlichen Spannungswerten entsprechen, im Konstantbetrieb der

organischen Leuchtdioden mittels einer Linearkombination von Spannungen nicht darstellbar sein. Diese können jedoch mittels einer optischen Überlagerung unterschiedlicher Bilder via Pulsmodulation dargestellt werden. Dadurch können

Leuchtdichteverteilungen (PWM-Bilder) darstellbar sein, die auch mit vielen verschiedenen anliegenden Spannungen nicht darstellbar sind. Die resultierenden Bilder können auch in einer zeitlichen Abfolge dargestellt werden. Dazu können unterschiedliche Überlagerungen und Spannungsverteilungen von einer Steuervorrichtung 302 (veranschaulicht in Fig.3)

nacheinander von dem optoelektronischen Bauelement 100 dargestellt werden, beispielsweise in Analogie zu den

Gliedern von Fourier-Reihen, wobei die Glieder der

Überlagerung nicht wie bei Fourier-Reihen linear unabhängig sind .

Die erste Elektrode 110, die zweite Elektrode 114 und die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 können jeweils großflächig ausgebildet sein. Dadurch kann das

optoelektronische Bauelement 100 eine zusammenhängende

Leuchtfläche aufweisen, die nicht in funktionale Teilbereiche strukturiert ist, beispielsweise eine in funktionale Bereiche segmentierte Leuchtfläche oder um eine Leuchtfläche, die von einer Vielzahl von Bildpunkten (Pixeln) gebildet wird.

Dadurch kann eine großflächige Abstrahlung von

elektromagnetischer Strahlung aus dem optoelektronischen Bauelement ermöglicht werden. „Großflächig" kann dabei bedeuten, dass die optisch aktive Seite eine Fläche,

beispielsweise eine zusammenhängende Fläche, beispielsweise von größer oder gleich einigen Quadratmillimetern,

beispielsweise größer oder gleich einem QuadratZentimeter, beispielsweise größer oder gleich einem Quadratdezimeter aufweist. Beispielsweise kann das optoelektronische

Bauelement 100 nur eine einzige zusammenhängende Leuchtfläche aufweisen, die durch die großflächige und zusammenhängende Ausbildung der Elektroden 110, 114 und der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 bewirkt wird. In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement eine große Leuchtfläche aufweisen. Eine große Leuchtfläche kann beispielsweise eine quadratische Fläche mit einer Kantenlänge von mehr als 10 cm oder von mehr als 20 cm oder von mehr als 25 cm oder von mehr als 50 cm sein. Weiterhin kann die große Leuchtfläche auch eine andere Form, beispielsweise eine

rechteckige oder runde Form, mit einem entsprechenden

Flächeninhalt aufweisen.

Der Spannungsabfall in den Elektrodenbereichen steigt in

Abhängigkeit vom Abstand zu den Kontaktbereichen 134A, 134B und ist näherungsweise proportional zu dem Abstand der

Kontaktanschlüsse an den Elektrodenbereichen 134A, B. Somit steigt der Spannungsabfall proportional zur Größe der

Leuchtfläche. Mittels einer Vergrößerung der Leuchtfläche kann eine Verstärkung der Leuchtdichteinhomogenität auf der

Leuchtfläche erreicht werden. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann derart ausgebildet sein, dass sie eine hohe Spannungssensitivität aufweist. Eine hohe Spannungssensitivität kann in

Abhängigkeit des verwendeten organischen Materials

beispielsweise dadurch erreicht werden, dass die organische funktionelle Schichtenstruktur zwei oder mehr

Emitterschichten aufweist, zwischen denen keine

Zwischenschichtstruktur (siehe Beschreibung der Fig.2, unten) ausgebildet ist. Die mindestens zwei Emitterschichten können beispielsweise ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung mit demselben Farbort zu emittieren, also beispielsweise beide rotes, gelbes, grünes oder blaues Licht. Die Emitterschichten können jedoch auch elektromagnetische Strahlung mit

unterschiedlichen Eigenschaften emittieren, beispielsweise unterschiedlich farbiges Licht abstrahlen, beispielsweise rotes und gelbes Licht oder rotes und grünes Licht. Beispielsweise können zwei Emitterschichten direkt benachbart zueinander sein und aneinander angrenzen. Eine

Zwischenschicht kann die Spannungssensitivität reduzieren. Zwischen einer der Elektroden 110, 114 und den

Emitterschichten können zumindest zwei Energiebarriere- Strukturen ausgebildet sein. Die Energiebarriere-Strukturen können als Energiebarriere für Ladungsträger in Richtung der Emitterschichten ausgebildet sein, beispielsweise mit einer Energiehöhe von ungefähr 0,1 eV. Ladungsträger können auf dem Weg von der Elektrode 110 ,114 zu den Emitterschichten die Energiebarriere überwinden. Eine organische funktionelle Schichtenstruktur mit einer Energiebarriere-Struktur für Ladungsträger in Richtung der Emitterschicht

kann bewirken, dass die organische funktionelle

Schichtenstruktur eine Abhängigkeit des Farbortes der

emittierten elektromagnetischen Strahlung von der angelegten Betriebsspannung aufweist. Der Farbort kann von der Anzahl der Photonen abhängig sein, die in jeder der zumindest zwei Emitterschichten erzeugt werden. Ladungsträger aus einer der Elektroden 110, 114 überwinden in Richtung der

Emitterschichten eine Energiebarriere. Die Anzahl an

Ladungsträgern, die die Energiebarriere überwinden, kann abhängig sein von der Betriebsspannung über die Elektroden 110, 114. Diese Ladungsträger können in der der

Energiebarriere-Struktur näher liegenden Emitterschicht mit entgegengesetzt geladenen Ladungsträgern rekombinieren.

Dadurch kann in einer von der Energiebarriere-Struktur weiter entfernten Emitterschicht weniger Ladungsträger zur

Rekombination zur Verfügung stehen.

Bei einem Erhöhen der Betriebsspannung, können mehr

Ladungsträger ausgehend von der Energiebarriere-Struktur durch die nächstliegende Emitterschicht zu einer dahinter angeordneten Emitterschicht gelangen. Dadurch kann die dahinter angeordnete Emitterschicht relativ zur näher

gelegenen Emitterschicht mehr Photonen erzeugen. Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 mit Emitterschichten, die elektromagnetische Strahlung mit unterschiedlichem Farbort emittieren, kann mittels der

Variation des Stromes durch die organische funktionelle

Schichtenstruktur entsprechend der Betriebsstromdichte die relative Intensität der von den Emitterschichten emittierten elektromagnetischen Strahlung variiert werden.

Die Variation kann beispielsweise mittels eines oben

beschriebenen Spannungsabfalls in der ersten Elektrode 110 und/oder durch eine zeitliche Variation des in die Elektroden 110, 114 bereitgestellten elektrischen Stromes erreicht werden. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann somit derart ausgebildet sein, dass mittels eines Änderns der Ströme in den ersten Elektrodenbereich 110A und/oder in den zweiten Elektrodenbereich HOB eine Variation eines

Farbgradienten über die Leuchtfläche erreicht wird.

Eine geeignete Wahl der Flächenwiderstände der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114, der Spannungssensitivität der organischen funktionellen Schichtenstapels 112 und der Größe der Leuchtfläche bzw. des optoelektronischen Bauelementes kann die Stärke der Leuchtdichteinhomogenität beeinflussen. Das optoelektronische Bauelement 100 kann ein hermetisch dichtes Substrat 228, einen aktiven Bereich 206 und eine Verkapselungsstruktur 226 aufweisen (veranschaulicht in

Fig.2) . Das hermetisch dichte Substrat kann den Träger 102 und eine erste Barriereschicht 204 aufweisen.

Der aktive Bereich 206 ist ein elektrisch aktiver Bereich 206 und/oder ein optisch aktiver Bereich 206. Der aktive Bereich 206 ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 100, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements 100 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt und/oder absorbiert wird .

Der elektrisch aktive Bereich 206 kann die erste Elektrode 110, die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 und die zweiten Elektrode 114 aufweisen.

Die organische funktionelle Schichtenstruktur 206 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichtstruktur (en) zwischen den Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen. Die organische

funktionelle Schichtenstruktur 112 kann beispielsweise eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216, eine Zwischenschichtstruktur 218 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 aufweisen.

Die Verkapselungsstruktur 228 kann eine zweite

Barriereschicht 208, eine schlüssige Verbindungsschicht 222 und eine Abdeckung 224 aufweisen.

Der Träger 102 kann Glas, Quarz, und/oder ein

Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein.

Ferner kann der Träger 102 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien

aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff

Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET),

Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein.

Der Träger 102 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metallverbindung, beispielsweise Stahl. Der Träger 102 kann opak, transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.

Der Träger 102 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden.

Der Träger 102 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein, beispielsweise als eine Folie.

Der Träger 102 kann als Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der emittierten oder

absorbierten elektromagnetischen Strahlung des

optoelektronischen Bauelementes 100.

Die erste Barriereschicht 204 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:

Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,

Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,

Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,

Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p- phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und

Legierungen derselben.

Die erste Barriereschicht 204 kann mittels eines der

folgenden Verfahren ausgebildet werden: ein

Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsweise eines plasmaunterstützten

Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder ein plasmaloses

Atomlageabscheideverfahren (Plasma-less Atomic Layer

Deposition (PLALD) ) ; ein chemisches

Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition

(CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunterstütztes

Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder ein plasmaloses

Gasphasenabscheideverfahren (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) ; oder alternativ mittels anderer

geeigneter Abscheideverfahren.

Bei einer ersten Barriereschicht 204, die mehrere

Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden. Bei einer ersten Barriereschicht 204, die mehrere

Teilschichten aufweist, können eine oder mehrere

Teilschichten der ersten Barriereschicht 204 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem

Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,

beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .

Die erste Barriereschicht 204 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm

aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung,

beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung.

Die erste Barriereschicht 204 kann ein oder mehrere

hochbrechende Materialien aufweisen, beispielsweise ein oder mehrere Material (ien) mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.

Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen

Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine erste

Barriereschicht 204 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall, dass der Träger 102 hermetisch dicht

ausgebildet ist, beispielsweise Glas, Metall, Metalloxid aufweist oder daraus gebildet ist. Die erste Elektrode 204 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 110 kann eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material aufweisen oder daraus gebildet werden: ein Metall; ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) ; ein Netzwerk aus metallischen

Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; ein Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die

beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; Graphen-Teilchen und -Schichten; ein Netzwerk aus

halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leitfähiges

Polymer; ein Übergangsmetalloxid; und/oder deren

Komposite. Die erste Elektrode 110 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder

Legierungen dieser Materialien. Die erste Elektrode 110 kann als transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden

Materialien aufweisen: beispielsweise Metalloxide:

beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären

Metallsauerstoff erbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02, oder Ιη2θ3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204,

Galn03, Ζη2ΐη2θ5 oder In4Sn30]_2 oder Mischungen

unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen

Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin

entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder elektronenleitend (n-TCO) sein .

Die erste Elektrode 110 kann eine Schicht oder einen

Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien aufweisen. Die erste Elektrode 110 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine

Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten . Die erste Elektrode 204 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm,

beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm. Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen

Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist. Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle. Alternativ kann das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 102 angelegt sein und die erste Elektrode 110 durch den Träger 102 mittelbar elektrisch zugeführt sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.

In Fig.2 ist ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 216 und einer zweite organischen funktionellen

Schichtenstruktur-Einheit 220 dargestellt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle

Schichtenstruktur 112 aber auch mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70.

Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 und die optional weiteren organischen funktionellen

Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder

unterschiedliches Emittermaterial aufweisen. Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220, oder die weiteren organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können wie eine der nachfolgend beschriebenen Ausgestaltungen der ersten organischen funktionellen

Schichtenstruktur-Einheit 216 ausgebildet sein.

Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine Lochinjektionsschicht, eine

Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine

Elektronentransportschicht und eine

Elektroneninj ektionsschicht aufweisen . In einer organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 112 kann eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander ausgebildet sein können. Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein.

Eine Lochinjektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein. Die Lochinjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoO _x , WO _x , VO _x , ReO _x , F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi(III)pFBz, F16CuPc; NPB (Ν,Ν'- Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB N, ' -Bis (naphthalen-2-yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD

(N, ' -Bis ( 3-methylphenyl ) -N, ' -bis (phenyl ) -benzidin) ; Spiro TPD (N, ' -Bis (3-methylphenyl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (N, ' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis (3-methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (N, N ' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, N ' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (N,N'-Bis(3- methylphenyl ) -N, ' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl ] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl- amino) phenyl ]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N' -bis-naphthalen-2- yl-N, ' -bis-phenyl-amino) -phenyl ] -9H-fluor;

N, ' -bis (phenanthren- 9-yl ) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin;

2, 7-Bis [N,N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2,2'-Bis[N,N-bis (biphenyl-4-yl ) amino ] 9, 9-spiro- bifluoren; 2 , 2 ' -Bis (N, -di-phenyl-amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (N, -ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan;

2 , 2 ' , 7 , 7 ' -tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluoren; und/oder N, N, ' , ' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin . Die Lochinjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm.

Auf oder über der Lochinjektionsschicht kann eine

Lochtransportschicht ausgebildet sein. Die

Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (Ν,Ν'- Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB N, N ' -Bis (naphthalen-2-yl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (N, ' -Bis ( 3-methylphenyl ) -N, ' -bis (phenyl ) -benzidin) ; Spiro TPD (N, ' -Bis (3-methylphenyl) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro-NPB (N, ' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, ' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD N, ' -Bis (3-methylphenyl) -N, ' -bis (phenyl) -9, 9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (N, N ' -Bis (naphthalen-l-yl) -N, N ' - bis (phenyl) -9, 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (N,N'-Bis(3- methylphenyl ) -N, ' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) ; 9, 9-Bis [ 4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl ] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl- amino) phenyl ]-9H-fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N' -bis-naphthalen-2- yl-N, ' -bis-phenyl-amino) -phenyl ] -9H-fluor;

N, ' -bis (phenanthren- 9-yl ) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin; 2,7- Bis [N,N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9, 9-spiro- bifluoren; 2,2'-Bis[N,N-bis (biphenyl-4-yl ) amino ] 9, 9-spiro- bifluoren; 2 , 2 ' -Bis (N, -di-phenyl-amino) 9, 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (N, -ditolyl-amino) -phenyl ] cyclohexan; 2 , 2 ' , 7 , 7 ' - tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluoren; und N,

N, ' , ' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat , ein leitendes Polyanilin und/oder

Polyethylendioxythiophen .

Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm,

beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.

Auf oder über der Lochtransportschicht kann eine

Emitterschicht ausgebildet sein. Jede der organischen

funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 216, 220 kann jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen,

beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder

phosphoreszierenden Emittern.

Eine Emitterschicht kann organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein.

Das optoelektronische Bauelement 100 kann in einer

Emitterschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder

organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3, 5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2- carboxypyridyl ) -iridium III), grün phosphoreszierendes

Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot

phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [4, 4' -di-tert- butyl- (2, 2 ' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA ( 9, 10-Bis [N, -di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot

fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen) -2-methyl-6- j ulolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können

Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) .

Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein, beispielsweise einer

technischen Keramik oder einem Polymer, beispielsweise einem Epoxid; oder einem Silikon.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Emitterschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.

Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die

Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt. Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist/ sind. Weiterhin kann die organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 216 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist/sind.

Auf oder über der Emitterschicht kann eine

Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein.

Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET-18; 2, 2', 2" -(1,3, 5-Benzinetriyl ) -tris ( 1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2- (4-Biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) - 1,3, 4-oxadiazole, 2, 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l , 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3, 5-diphenyl-4H-l , 2, 4-triazole; 1, 3-Bis [2- (2, 2 ' -bipyridine- 6-yl ) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl ] benzene; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-l , 2, 4-triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6'-Bis[5- (biphenyl-4-yl) -1, 3, 4-oxadiazo-2-yl ] -2,2' -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10-di (naphthalen-2-yl) -anthracene; 2, 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine- 6-yl ) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl ] -9, 9-dimethylfluorene ; 1, 3-Bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3, 4-oxadiazo-5-yl ] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline; 2, 9- Bis (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline;

Tris(2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl ) phenyl) borane; 1-methyl- 2 - (4 - (naphthalen-2-yl) phenyl) -lH-imidazo [4,5- f] [ 1 , 10 ] phenanthrolin; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;

Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide;

Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer

Silacyclopentadieneinheit . Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke

aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm.

Auf oder über der Elektronentransportschicht kann eine

Elektroneninjektionsschicht ausgebildet sein. Die

Elektroneninjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, MgAg, CS2CO3, CS3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF;

2, 2', 2" -(1,3, 5-Benzinetriyl) -tris ( 1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2- (4-Biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) - 1,3, 4-oxadiazole, 2, 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l , 10- phenanthroline (BCP) ; 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3, 5-diphenyl-4H-l , 2 , 4-triazole; 1, 3-Bis [2- (2, 2 ' -bipyridine- 6-yl ) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl ] benzene; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4-Biphenylyl) -4- phenyl-5-tert-butylphenyl-l , 2, 4-triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6'-Bis[5- (biphenyl-4-yl) -1, 3, 4-oxadiazo-2-yl] -2, 2 ' -bipyridyl; 2- phenyl-9, 10-di (naphthalen-2-yl) -anthracene; 2, 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine- 6-yl ) -1, 3, 4-oxadiazo-5-yl ] -9, 9-dimethylfluorene ; 1, 3-Bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3, 4-oxadiazo-5-yl ] benzene; 2- (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline; 2, 9- Bis (naphthalen-2-yl) -4, 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline;

Tris (2, 4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl ) phenyl) borane; 1-methyl- 2 - (4 - (naphthalen-2-yl) phenyl) -lH-imidazo [4,5- f] [ 1 , 10 ] phenanthroline ; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;

Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide;

Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer

Silacyclopentadieneinheit .

Die Elektroneninjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm. Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten 216, 220, kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 über oder neben der ersten funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 216 ausgebildet sein. Elektrisch zwischen den organischen funktionellen

Schichtenstruktur-Einheiten 216, 220 kann eine

Zwischenschichtstruktur 218 ausgebildet sein.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Zwischenschichtstruktur 218 als eine Zwischenelektrode 218 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer der

Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110. Eine

Zwischenelektrode 218 kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode 218 beispielsweise ein drittes elektrisches Potential bereitstellen. Die Zwischenelektrode 218 kann jedoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Zwischenschichtstruktur 218 als eine Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichtenstruktur 218 (charge generation layer CGL) ausgebildet sein. Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 218 kann eine oder mehrere

elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht (en) aufweisen. Die elektronenleitende

Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 218 sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht (en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen kann. Die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur 218 kann ferner zwischen benachbarten Schichten eine

Diffusionsbarriere aufweisen.

Jede organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216, 220 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm.

Das optoelektronische Bauelement 100 kann optional weitere organische funktionalen Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren

Emitterschichten oder auf oder über der oder den

Elektronentransportschicht (en) . Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppel-/Auskoppelstrukturen sein, die die

Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 100 weiter verbessern.

Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren der organischen funktionellen

Schichtenstruktur und/oder organisch funktionalen Schichten kann die zweite Elektrode 114 ausgebildet sein. Die zweite Elektrode 114 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrode 114 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine

elektroneninj izierende Elektrode . Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches

Potential anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle

bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential. Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die

Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.

Auf der zweiten Elektrode 114 kann die zweite Barriereschicht 208 ausgebildet sein. Die zweite Barriereschicht 208 kann auch als

Dünnschichtverkapselung (thin film encapsulation TFE)

bezeichnet werden. Die zweite Barriereschicht 208 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Barriereschicht 204 ausgebildet sein.

Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen

Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite

Barriereschicht 208 verzichtet werden kann. In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite Barriereschicht 208 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung 224, beispielsweise eine

Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen

zusätzlich noch eine oder mehrere Ein-/Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 102 (nicht dargestellt ) oder eine interne

Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 100. Die Ein- /Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt

Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein-/Auskoppelschicht größer oder kleiner ist als der

mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die

elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise

kombiniert mit der zweiten Barriereschicht 208) in dem optoelektronischen Bauelement 100 vorgesehen sein.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 208 eine schlüssige

Verbindungsschicht 222 vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Klebstoff oder einem Lack. Mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 222 kann eine Abdeckung 224 auf der zweiten Barriereschicht 208 schlüssig verbunden werden, beispielsweise aufgeklebt sein.

Eine schlüssige Verbindungsschicht 222 aus einem

transparenten Material kann beispielsweise Partikel

aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen,

beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 222 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der

Auskoppeleffizienz führen.

Als lichtstreuende Partikel können dielektrische

Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem

Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (S1O2), Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga20 _x ) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der schlüssigen Verbindungsschicht 222 verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein. Die schlüssige Verbindungsschicht 222 kann eine Schichtdicke von größer als 1 ym aufweisen, beispielsweise eine

Schichtdicke von mehreren ym. In verschiedenen

Ausführungsbeispielen kann die schlüssige Verbindungsschicht 222 einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.

Die schlüssige Verbindungsschicht 222 kann derart

eingerichtet sein, dass sie einen Klebstoff mit einem

Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der

Brechungsindex der Abdeckung 224. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. Der Klebstoff kann jedoch auch ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise

hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen schichtdickengemittelten Brechungsindex aufweist, der

ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch

funktionellen Schichtenstruktur 112 entspricht,

beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der schlüssigen Verbindungsschicht 222 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht

dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 ym, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 ym, um elektrisch instabile Materialien zu

schützen, beispielsweise während eines nasschemischen

Prozesses . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine schlüssige Verbindungsschicht 222 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 224 direkt auf der zweiten Barriereschicht 208 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 224 aus Glas, die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird.

Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 206 kann ferner eine sogenannte Getter-Schicht oder Getter-Struktur,

beispielsweise eine lateral strukturierte Getter-Schicht, angeordnet sein (nicht dargestellt) .

Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, dass Stoffe, die schädlich für den elektrisch aktiven Bereich 206 sind, absorbiert und bindet. Eine Getter- Schicht kann beispielsweise ein Zeolith-Derivat aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Getter-Schicht kann

transluzent, transparent oder opak und/oder undurchlässig hinsichtlich der elektromagnetischen Strahlung, die in dem optisch aktiven Bereich emittiert und/oder absorbiert wird, ausgebildet sein.

Die Getter-Schicht kann eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 ym aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren ym.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter- Schicht einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder in der schlüssigen Verbindungsschicht 222 eingebettet sein. Auf oder über der schlüssigen Verbindungsschicht 222 kann eine Abdeckung 224 ausgebildet sein. Die Abdeckung 224 kann mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 222 mit dem elektrisch aktiven Bereich 206 schlüssig verbunden sein und diesen vor schädlichen Stoffen schützen. Die Abdeckung 224 kann beispielsweise eine Glasabdeckung 224, eine

Metallfolienabdeckung 224 oder eine abgedichtete

Kunststofffolien-Abdeckung 224 sein. Die Glasabdeckung 224 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl. glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der zweite Barriereschicht 208 bzw. dem elektrisch aktiven Bereich 206 schlüssig verbunden werden.

Die Abdeckung 224 und/oder die schlüssige Verbindungsschicht 222 können einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.

Weiterhin kann das oben beschriebene optoelektronische

Bauelement 100 eine Steuervorrichtung 302 aufweisen - veranschaulicht als Ersatzschaltbilder für ein

optoelektronisches Bauelement mit zwei Elektrodenbereichen in Fig.3A und vier Elektrodenbereichen in Fig.3B. Die

Steuervorrichtung 302 kann eingerichtet sein mittels einer Stromversorgung 304 einen ersten elektrischen Strom (mit einer ersten Stromstärke und einer ersten Spannung) in den ersten Elektrodenbereich 110A und/oder einen zweiten

elektrischen Strom (mit einer zweiten Stromstärke und einer zweiten Spannung) in den zweiten Elektrodenbereich HOB bereitzustellen. Der erste elektrische Strom und/oder der zweite elektrische Strom können/kann Strompulse aufweisen. Die Stromversorgung 304 kann derart ausgebildet sein, dass sie an den ersten Elektrodenbereich 110A einen anderen elektrischen Strom bereitstellen kann als an den zweiten Elektrodenbereich HOB. Beispielsweise kann die

Stromversorgung 304 für den ersten Elektrodenbereich 110A unabhängig von dem zweiten Elektrodenbereich HOB ansteuerbar sein, beispielsweise elektrisch voneinander isolierte

Stromausgänge aufweisen. Beispielsweise kann die

Stromversorgung 304 eine erste Stromversorgung 304A und wenigstens eine zweite Stromversorgung 304B aufweisen, wobei die zweite Stromversorgung 304A elektrisch von der ersten Stromversorgung isoliert sein kann.

Bei dem optoelektronischen Bauelement 100 mit vier

Elektrodenbereichen in Fig.3B können/kann beispielsweise der erste Elektrodenbereich 110 und/oder der zweite Elektrodenbereich 114 mehrere unabhängig voneinander

bestrombare Bereiche aufweisen, beispielsweise einen ersten Elektrodenbereich 110 mit vier Elektrodenbereichen 110A-D; und/oder beispielsweise einen ersten Elektrodenbereich 110 mit zwei Elektrodenbereichen 110A, B und einen zweiten

Elektrodenbereich 114 mit zwei Elektrodenbereichen 114A, B. Eine Elektrode 110 mit drei oder mehr Elektrodenbereichen kann mehrere Strukturen 132A-C gemäß beschriebener

Ausgestaltungen aufweisen. Die Stromversorgung 304 kann analog der Beschreibung der Fig.3B mehrere unabhängig

voneinander steuerbare Stromversorgungen 304A-D aufweisen.

Weiterhin kann die Steuervorrichtung zu einem Ändern des ersten elektrischen Stromes und/oder des zweiten elektrischen Stromes eingerichtet sein derart, dass die Gesamtemission der elektromagnetischen Strahlung zeitlich veränderlich ist. Die Steuervorrichtung 302 kann einen elektrischen Speicher aufweisen mittels dessen ein Plan zum Steuern des ersten elektrischen Stromes und des zweiten elektrischen Stromes gespeichert ist. Die Steuervorrichtung kann einen Eingabe- Anschluss aufweisen mittels dessen ein Plan zum Steuern des ersten elektrischen Stromes und des zweiten elektrischen Stromes eingebbar ist. Die Steuervorrichtung 302 kann derart eingerichtet sein, dass der erste elektrische Strom und/oder der zweite elektrische Strom einen Gleichstrom und/oder einen Wechselstrom

aufweisen/t . Die Steuervorrichtung kann derart eingerichtet sein, dass der erste elektrische Strom und der zweite elektrische Strom sich in wenigstens einer der folgenden Eigenschaften

unterscheiden: die Pulsamplitude ; die Pulsfrequenz; die

Pulsweite; das Tastverhältnis; der Pulsform; und/oder der Anzahl an Pulsen je Abtastintervall.

Die Steuervorrichtung 302 kann derart eingerichtet sein, dass das Ändern des ersten elektrischen Stromes ein Ausbilden einer Rückwärtsspannung über den ersten Elektrodenbereich 110A und die zweite Elektrode 114 und/oder über den zweiten Elektrodenbereich HOB und die zweite Elektrode 114

aufweisen/t, beispielsweise ein Bereitstellen eines

Rückwärtspulses.

Die Steuervorrichtung 302 kann derart eingerichtet sein, dass das Ändern des ersten elektrischen Stromes und/oder des zweiten elektrischen Stromes eine Pulsmodulation aufweist, beispielsweise eine Pulsweitenmodulation, eine

Pulsfrequenzmodulation und/oder eine

Pulsamplitudenmodulation .

Die Steuervorrichtung 302 kann derart eingerichtet sein, dass der erste elektrische Strom und/oder der zweite elektrische Strom derart geändert werden/wird, dass der Farbort, die Helligkeit und/oder die Farbsättigung der emittierten

elektromagnetischen Strahlung lokal von dem

optoelektronischen Bauelement zeitlich veränderlich ist.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren 400 zum Betreiben eines oben beschriebenen optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt. Das Verfahren kann ein Bereitstellen 402 (veranschaulicht in Fig.4A) eines ersten elektrischen Stromes 412

(veranschaulicht in Fig.4B, C) in den ersten

Elektrodenbereich 110A und/oder ein Bereitstellen 402 eines zweiten elektrischen Stromes 414 in den zweiten

Elektrodenbereich aufweisen. Der erste elektrische Strom 412 und/oder der zweite elektrische Strom 414 können Strompulse 434, 438 aufweisen.

Eine elektrische Eigenschaft des optoelektronischen

Bauelementes 100 kann mit einer Kennlinie r beschrieben werden, mit:

(I) r ~ dV/dj, wobei V eine Betriebsspannung und j eine Betriebsstromdichte und dV/dj die mathematische Ableitung der Betriebsspannung

2 nach der Betriebsstromdichte ist. Die Einheit von r ist Qcm . Die Größe r beschreibt den differenziellen elektrischen

Widerstand eines optoelektronischen Bauelementes 100 mit einer bestimmten optisch aktiven Fläche. Eine Vergrößerung der Fläche des optoelektronischen Bauelementes kann einer Parallelschaltung von Widerständen entsprechen, bei der sich die Kehrwerte der elektrischen Widerstände addieren. Durch die Beziehung zwischen r und der Betriebsstromdichte j gemäß der Kennlinie des organischen Licht emittierenden Bauelements wird dem so bestimmten Arbeitspunkt r = eine (über die Leuchtfläche gemittelte) Betriebsstromdichte zugeordnet .

Zur Auslegung der Kennlinie des optoelektronischen

Bauelementes 100 kann beispielsweise ein Referenzbauelement mit einer organischen funktionellen Schichtenstruktur

zwischen zwei Elektroden herangezogen werden, die mit der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 des

optoelektronischen Bauelementes 100 übereinstimmt, jedoch eine möglichst kleine optisch aktive Fläche aufweist. Im thermisch eingeschwungenen Zustand kann mittels des

Referenzbauelementes dV/dj beim zu bestimmenden Arbeitspunkt r ermittelt werden. Der thermisch eingeschwungene Zustand ist beispielsweise nach einer Betriebszeit des

Referenzbauelementes für eine Zeitdauer von ungefähr 10

Minuten erreicht. Für einen Betrieb des Bauelements 100 kann ein Arbeitspunkt r = so gewählt werden, dass gilt: 0,75 -S U -S 1, mit

(II) U = (1 - H) / (1 + H) ,

-1

(III) H = cosh (L/A) ,

(IV) L= 0,5 x d; mit d der Breite der Leuchtfläche, d.h. dem Abstand zwischen zwei Kontaktflächen 134A, 143B; und

1/2

(V) Λ = (r/R) wobei R der Flächenwiderstand der ersten Elektrode 110 ist.

Die Beziehungen für U, H und Λ können sich aus einem

analytischen Modell ergeben. In dem Modell können

streifenförmige OLEDs betrachtet werden. Vergleiche mit

Simulationen haben gezeigt, dass das den oben angegebenen

Beziehungen zugrunde liegende analytische Modell das Verhalten des organischen Licht emittierenden Bauelements hinreichend genau beschreibt.

Die Größe Λ bezeichnet eine charakteristische Länge, die sich aus dem Flächenwiderstand R der ersten Elektrode 110 und dem Arbeitspunkt r ergibt.

Je kleiner der Parameter H ist, umso kleiner ist der

Parameter U und desto stärker ist der Spannungsabfall über die Leuchtfläche und desto größer ist der

Leuchtdichtegradient in der Leuchtfläche.

Die nachfolgend angegebenen Zahlenwerte sind rein

beispielhaft und nicht beschränkend zu verstehen. Bei einem

Flächenwiderstand R = 15 Q/D der ersten Elektrode 110 und einer Bauteilbreite von d = 2,8 cm werden beispielsweise der

2

erste Arbeitspunkt r = r^i = 70 Qcm und der zweite

2

Arbeitspunkt r = r^2 ⁼ 35 Qcm gewählt. Dadurch ergibt sich beim ersten Arbeitspunkt r = r^i für Λ = 2,16, H = 0,82 und U = 0,92, während sich für den zweiten Arbeitspunkt r = r^2 die Werte Λ = 1,53, H = 0,69 und U = 0,80 ergeben. Am ersten Arbeitspunkt r^i ist somit U = 0,92 während bei erhöhten

Betriebsbedingungen beim zweiten Arbeitspunkt r^2 U etwa 0,8 beträgt. Im zweiten Arbeitspunkt ist der Spannungsabfall über die Leuchtfläche deutlich höher als im ersten Arbeitspunkt, so dass im zweiten Arbeitspunkt ein stärkerer

Leuchtdichtegradient erreicht werden kann. Mittels des gewählten Arbeitspunktes r = kann erreicht werden, dass über die optisch aktive Fläche, beispielsweise über die Leuchtfläche eines organischen Licht emittierenden Bauelements, eine akzeptable Homogenität der Leuchtdichte in eine Richtung erreicht wird, während gleichzeitig ein

Leuchtdichtegradient in eine andere Richtung erreicht wird.

Das optoelektronische Bauelement 100 kann mit einem ersten Strom 412 von dem ersten Elektrodenbereich 110A zu der zweiten Elektrode 114 und einem zweiten Strom 414 von dem zweiten Elektrodenbereich zu der zweiten Elektrode 114 betrieben werden derart, dass die über die Leuchtfläche gemittelte Stromdichte im ersten Elektrodenbereich 110A eine andere ist als im zweiten Elektrodenbereich HOB. Das optoelektronische Bauelement 110 kann somit mit

unterschiedlichen Betriebsstromdichten gleichzeitig betrieben werden .

Weiterhin kann das Verfahren ein Ändern 404 des ersten elektrischen Stromes 412 und/oder des zweiten elektrischen Stromes 414 aufweisen derart, dass die Gesamtemission 416 der elektromagnetischen Strahlung zeitlich veränderlich ist. Die Gesamtemission kann sich auf die Leuchtdichte, den Farbort, die Helligkeit, die Farbsättigung, den Leuchtdichtegradienten und/oder eine Polarisation der emittierten

elektromagnetischen Strahlung beziehen.

Der erste elektrische Strom 412 und/oder der zweite

elektrische Strom 414 können/kann einen Gleichstrom und/oder einen Wechselstrom aufweisen, beispielsweise einen

Gleichstromanteil, beispielsweise in dem der erste

Elektrodenbereich und/oder der zweite Elektrodenbereich vorgespannt sind. Der erste elektrische Strom 412 und der zweite elektrische Strom 414 können sich in wenigstens einer der folgenden

Eigenschaften unterscheiden (veranschaulicht in Fig.4B, C) : die Pulsamplitude 442, 444; die Pulsfrequenz; die Pulsweite 436, 440; das Tastverhältnis; der Pulsform; und/oder der Anzahl an Pulsen je Abtastintervall 432.

Das Ändern 404 des ersten elektrischen Stromes 412 und/oder des zweiten elektrischen Stromes 414 eine Pulsmodulation aufweisen, beispielsweise eine Pulsweitenmodulation, eine Pulsfrequenzmodulation und/oder eine

Pulsamplitudenmodulation . Der erste Elektrodenbereich 110A und der zweite

Elektrodenbereich HOB können derart angesteuert werden, dass in der Betriebszeit 408 wenigstens der erste

Elektrodenbereich 110A bestromt wird (veranschaulicht in Fig.4B mit dem Bezugszeichen 422), wenigstens der zweite Elektrodenbereich HOB bestromt wird (veranschaulicht in Fig.4B mit dem Bezugszeichen 424) oder der erste

Elektrodenbereich 110A und der zweite Elektrodenbereich HOB gleichzeitig bestromt werden (veranschaulicht in Fig.4B mit dem Bezugszeichen 426) .

Der erste elektrische Strom 412 und/oder der zweite

elektrische Strom 414 können derart geändert werden, dass der Farbort der emittierten elektromagnetischen Strahlung lokal von dem optoelektronischen Bauelement 100 zeitlich

veränderlich ist. Der erste elektrische Strom 412 und/oder der zweite elektrische Strom 414 können derart geändert werden, dass die Helligkeit der emittierten

elektromagnetischen Strahlung lokal von dem

optoelektronischen Bauelement 100 zeitlich veränderlich ist. Der erste elektrische Strom 412 und/oder der zweite

elektrische Strom 414 können derart geändert werden, dass die Farbsättigung der emittierten elektromagnetischen Strahlung lokal von dem optoelektronischen Bauelement 100 zeitlich veränderlich ist.

Zum Einstellen der Helligkeit der Leuchtfläche in den

Elektrodenbereichen 110A, HOB bei einem gleichen

Leuchtdichtegradienten kann der Betriebsstrom und damit die zugehörige über die Leuchtfläche gemittelte

Betriebsstromdichte mittels Pulsweitenmodulation (PWM) moduliert werden, wobei die Pulslänge, Pulsform und/oder die Pulshöhe bzw. Pulsamplitude variiert werden kann.

Zum Einstellen einer maximalen Helligkeit der Leuchtfläche im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes im Arbeitspunkt r = kann die Betriebsstromdichte des ersten

elektrischen Stromes 412 und/oder des zweiten elektrischen Stromes 414 einen Konstantstromanteil aufweisen.

Zum Ändern des Leuchtdichtegradienten der optisch aktiven Fläche kann der Arbeitspunkt r = und damit die

entsprechende über die Leuchtfläche im Bereich des ersten

Elektrodenbereiches 110A und zweiten Elektrodenbereiches HOB gemittelte Betriebsstromdichte variiert werden.

Beispielsweise kann den ersten elektrischen Strom 412 und/oder den zweiten elektrischen Strom 414 einen ersten Arbeitspunkt r =r^i mit einer Betriebsstromdichte j^l und einen zweiter Arbeitspunkt r = r^2 ^m it einer

Betriebsstromdichte j^2 aufweisen, wobei gilt: j^2 > DAl-

Im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes 100 kann mittels einer Variation der zwischen den Elektrodenbereichen 110A, B und der zweiten Elektrode 114 anliegenden

Betriebsströme die über die Leuchtfläche gemittelte

Betriebsstromdichte j mit j^l - j - jA2 variiert werden.

Dadurch kann der Leuchtdichtegradient auf der Leuchtfläche variiert werden. Bei der höheren Betriebsstromdichte j^2 beim zweiten Arbeitspunkt r = r^2 kann ein stärkerer Spannungsabfall entlang der Längsrichtung zu den Kontaktflächen 134A, B vorliegen, sodass hierdurch ein größerer Leuchtdichtegradient erreicht werden kann als bei einem Betrieb beim ersten Arbeitspunkt r = mit einer

Betriebsstromdichte jAl-

Ein Ändern der Betriebsstromdichte j zwischen den beiden Arbeitspunkten r^i und r^2 kann zu einem Ändern des

Leuchtdichtegradienten in der Leuchtfläche führen. Mittels einer Pulsweitenmodulation, des ersten elektrischen Stromes 412 und/oder des zweiten elektrischen Stromes 414 kann die Helligkeit der Leuchtfläche unabhängig vom

Leuchtdichtegradienten verändert werden. Weiterhin kann im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes 100 auch die Stärke des Leuchtdichtegradienten moduliert werden, während die gesamte Leuchtdichte des von der

Leuchtfläche abgestrahlten Lichts konstant gehalten wird. Mit anderen Worten: die Gesamthelligkeit eines organischen Licht emittierenden Bauelements 100 kann konstant gehalten werden, während die Stärke des Leuchtdichtegradienten über die

Leuchtfläche variiert beziehungsweise moduliert wird. Dies kann dadurch erreicht werden, dass beispielsweise der erste Arbeitspunkt r^i so gewählt wird, dass ein ausgeprägter

Leuchtdichtegradient vorliegt, und das optoelektronische

Bauelement 100 mit einem gepulsten ersten elektrischen Strom 412 und/oder einem gepulsten zweiten elektrischen Strom 414 mit einer Betriebsstromdichtenamplitude betrieben

werden/wird, die der Betriebsstromdichte j^l entspricht.

Der erste elektrische Strom 412 und der zweite elektrische Strom 414 können die gleiche oder unterschiedliche

Betriebsstromdichtenamplitude/n aufweisen . Mit einer Variation der Amplitude des pulsmodulierten ersten elektrischen Stromes 412 und/oder zweiten elektrischen

Stromes 414 kann die Stärke des Leuchtdichtegradienten variiert werden. Bei einem Ändern der

Betriebsstromdichtenamplitude kann die Pulslänge und/oder das Tastverhältnis so angepasst werden, dass über die

Leuchtfläche gemittelte verschiedene Betriebsstromdichten im zeitlichen Mittel zu einem Darstellen eines vorgegeben

Musters führen.

Mittels einer Pulsamplituden und Pulsweitenmodulation, des ersten elektrischen Stromes 412 und/oder des zweiten

elektrischen Stromes 414 können die Helligkeit der

Leuchtfläche und der Leuchtdichtegradient in der Leuchtfläche im Bereich des ersten Elektrodenbereiches 110A und des zweiten Elektrodenbereiches HOB unabhängig voneinander verändert werden.

Zum Einstellen eines darzustellenden Musters in der

Leuchtfläche können der erste elektrische Strom 412 und der zweite elektrische Strom 414 eine unterschiedliche

Pulsmodulation aufweisen. Die einzelnen Pulse des ersten elektrischen Stromes 412 und des zweiten elektrischen Stromes 414 können einen nicht linearen Zusammenhang aufweisen derart, dass mittels einer Folge von Pulsen und der optischen Überlagerung der einzelnen Pulse ein darzustellendes Muster darstellbar ist.

Weiterhin kann die organische funktionelle Schichtenstruktur derart ausgebildet sein, dass zusätzlich zu einer Variation des Leuchtdichtegradienten auch eine Variation eines

Farbgradienten über die Leuchtfläche erreicht werden kann.

In einer Ausgestaltung können mittels des Verfahrens die Leuchtflächen eines optoelektronischen Bauelementes mit gemeinsamer Kathode aber unterschiedlichen Anoden

homogenisiert werden. Diese könnten im alleinigen Betrieb homogen leuchten, und im gemeinsamen Betrieb inhomogen leuchten. Weiterhin können inhomogene Muster dargestellt werden, beispielsweise bei komplex geformten organischen Leuchtdioden . In verschiedenen Ausführungsformen werden ein

optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, mit denen es möglich ist, zeitlich variable unterschiedliche homogene oder gezielt inhomogene Leuchtdichteverteilungen darzustellen, die beispielsweise ohne dieses Verfahren nicht abbildbar wären. Das Verfahren erlaubt mit verhältnismäßig wenig Aufwand das Bereitstellen außerordentlich vieler, unterschiedlicher Leuchtdichteverteilungen und zeitlichen Abfolgen davon. Für eine beliebige, gewünschte Leuchtdichteverteilung können die jeweiligen Puls-Koeffizienten, beispielsweise

Pulsweitenmodulation-Koeffizienten, berechnet werden, mit denen die gewünschte Leuchtdichteverteilung nachgebildet werden kann. Weiterhin kann dadurch und mittels der komplexen Geometrie des Bauelementes mit verhältnismäßig wenig Aufwand ein inhomogenes Bauelement homogenisiert werden. Mittels einer zentralen Kontaktierung eines flächigen Bauelementes kann auch die Mitte des Bauelementes mit oben beschriebenem Verfahren angesteuert werden.