HERSTELLUNG BESCHREIBUNG

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Pa- tentanspruch 14.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2014 119 390.3, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Optoelektronische Bauelemente, beispielsweise Leuchtdioden- Bauelemente, sind mit verschiedenen Gehäusevarianten aus dem Stand der Technik bekannt. Beispielsweise sind aus dem Stand der Technik Gehäuse bekannt, die einen in einen Formkörper eingebetteten Leiterrahmen aufweisen. Für verschiedene Anwendungsbereiche ist es wünschenswert, optoelektronische Bauele ^¬ mente mit möglichst platzsparenden Gehäusen auszubilden.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkma ^¬ len des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorlie ^¬ genden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 14 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Wei ^¬ terbildungen angegeben.

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen ersten Lei- terrahmenabschnitt , einen zweiten Leiterrahmenabschnitt und einen optoelektronischen Halbleiterchip. Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt weisen je ^¬ weils eine Oberseite auf. Der optoelektronische Halbleiter ^¬ chip ist auf der Oberseite des ersten Leiterrahmenabschnitts angeordnet. Der erste Leiterrahmenabschnitt, der zweite Lei ^¬ terrahmenabschnitt und der optoelektronische Halbleiterchip sind gemeinsam in einen Formkörper eingebettet. Die Obersei ^¬ ten der Leiterrahmenabschnitte sind durch den optoelektroni- sehen Halbleiterchip und den Formkörper vollständig bedeckt.

Vorteilhafterweise kann dieses optoelektronische Bauelement sehr kompakte äußere Abmessungen aufweisen. Dabei ist das optoelektronische Bauelement durch die Einbettung der Leiter- rahmenabschnitte und des optoelektronischen Halbleiterchips in den gemeinsamen Formkörper vorteilhafterweise mechanisch sehr stabil.

Der optoelektronische Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements kann beispielsweise ein lichtemittierender Halb ^¬ leiterchip oder ein lichtdetektierender Halbleiterchip sein. Insbesondere kann der optoelektronische Halbleiterchip bei ^¬ spielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) sein. In diesem Fall kann sich das optoelektronische Bauelement beispielswei- se zur Hinterleuchtung eines Flüssigkristallbildschirms eig ^¬ nen, beispielsweise eines Flüssigkristallbildschirms eines tragbaren elektronischen Geräts.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der optoelektronische Halbleiterchip an einer dem ers ^¬ ten Leiterrahmenabschnitt zugewandten Unterseite eine erste elektrische Kontaktfläche auf, die elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt verbunden ist. Vorteilhafterweise ergibt sich dadurch eine besonders einfache Ausführung des optoelektronischen Bauelements.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip auch auf der Oberseite des zweiten Leiterrahmenabschnitts angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip erstreckt sich in diesem

Fall als Brücke zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt. Vorteilhafterweise kann das optoelektronische Bauelement dadurch mit besonders kom ^¬ pakten Abmessungen ausgebildet sein. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der optoelektronische Halbleiterchip an seiner Unterseite eine zweite elektrische Kontaktfläche auf, die

elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt ver ^¬ bunden ist. Vorteilhafterweise ergeben sich dadurch eine be ^¬ sonders einfache elektrische Kontaktierung des optoelektroni ^¬ schen Halbleiterchips und dadurch ein besonders einfacher und kompakter Aufbau des optoelektronischen Bauelements.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der optoelektronische Halbleiterchip eine zweite elekt ^¬ rische Kontaktfläche auf, die mittels eines Bonddrahts elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt ver- bunden ist. Die zweite elektrische Kontaktfläche des opto ^¬ elektronischen Halbleiterchips kann in diesem Fall beispiels ^¬ weise an einer von den Leiterrahmenabschnitten abgewandten Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet sein .

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist eine Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips zu ^¬ mindest teilweise nicht durch den Formkörper bedeckt. Die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips kann in die- sem Fall eine Strahlungsdurchtrittsfläche des optoelektroni ^¬ schen Halbleiterchips bilden, insbesondere beispielsweise ei ^¬ ne Strahlungsemissionsfläche. Der optoelektronische Halb ^¬ leiterchip des optoelektronischen Bauelements ist dadurch in der Lage, an seiner Oberseite Strahlung zu emittieren oder Strahlung zu detektieren.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist an der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips ein wellenlängenkonvertierendes Element angeordnet. Das wel- lenlängenkonvertierende Element kann dazu ausgebildet sein, von dem optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierte elektromagnetische Strahlung zu ^¬ mindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer ande ^¬ ren Wellenlänge zu konvertieren. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist das wellenlängenkonvertierende Element in den Formkörper eingebettet. Vorteilhafterweise muss das optoelektronische Bauelement dadurch nicht mit einem weiteren externen wellenlängenkonvertierenden Element ausgestattet werden. Das in den Formkörper eingebettete wellenlängenkonvertierende Element kann außerdem eine Aussparung in dem Formkörper bilden, die als Reflektor zur Bündelung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierter elektromagnetischer Strahlung dient. Ferner kann das wellenlängenkonvertierende Element bei der Herstellung dieses optoelektronischen Bauelements als Abstandshalter dienen und einen Schutz eines mit dem optoelektronischen Halbleiterchip verbundenen Bonddrahts bewirken.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements liegen den Oberseiten gegenüberliegende Unterseiten der Leiterrahmenabschnitte an einer Unterseite des optoelektroni ^¬ schen Bauelements zumindest teilweise frei. Die an der Unter- seite des optoelektronischen Bauelements freiliegenden Unterseiten der Leiterrahmenabschnitte können dadurch Lötkontakt ^¬ flächen des optoelektronischen Bauelements bilden und zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements dienen. Das optoelektronische Bauelement kann sich dadurch beispielsweise als SMT-Bauelement für eine Oberflächenmontage eignen, beispielsweise für eine Oberflächenmontage durch Wie ^¬ deraufschmelzlöten (Reflow-Löten) .

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der erste Leiterrahmenabschnitt an seiner Unterseite eine erste Kontaktausnehmung auf. Dabei weist der zweite Lei ^¬ terrahmenabschnitt an seiner Unterseite eine zweite Kontakt- ausnehmung auf. Die erste Kontaktausnehmung und die zweite Kontaktausnehmung grenzen beide an eine erste Kante der Un- terseite des optoelektronischen Bauelements an. Die an die erste Kante der Unterseite des optoelektronischen Bauelements angrenzenden Kontaktausnehmungen der Leiterrahmenabschnitte dieses optoelektronischen Bauelements können Lötkontaktflä ^¬ chen des optoelektronischen Bauelements bilden. Dadurch eig- net sich das optoelektronische Bauelement für eine Montage in einer Sidelooker-Anordnung, in der die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips senkrecht zur Montageebene orientiert ist, sodass von dem optoelektronischen Halbleiter- chip abgestrahltes Licht in zur Montageebene parallele Rich ^¬ tung abgestrahlt wird. Durch die Ausbildung der Lötkontakt ^¬ flächen des optoelektronischen Bauelements als Kontaktausneh- mungen können diese vorteilhafterweise gleichzeitig Lötkon ^¬ trollstrukturen bilden, die eine visuelle Kontrolle einer korrekten Montage des optoelektronischen Bauelements ermögli ^¬ chen. Dadurch, dass die Kontaktausnehmungen des optoelektronischen Bauelements an den Unterseiten der Leiterrahmenab ^¬ schnitte angeordnet sind, werden sich bei der Montage des optoelektronischen Bauelements ergebende Montagetoleranzen vorteilhafterweise reduziert.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der erste Leiterrahmenabschnitt an seiner Unterseite eine erste weitere Kontaktausnehmung auf. Der zweite Leiter- rahmenabschnitt weist dabei an seiner Unterseite eine zweite weitere Kontaktausnehmung auf. Die erste weitere Kontaktaus ^¬ nehmung und die zweite weitere Kontaktausnehmung grenzen beide an eine zweite Kante der Unterseite des optoelektronischen Bauelements an. Vorteilhafterweise ergibt sich dadurch eine symmetrische Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelements. Durch die symmetrische Ausgestaltung des optoelektro ^¬ nischen Bauelements wird es ermöglicht, das optoelektronische Bauelement in zwei unterschiedlichen Orientierungen anzuordnen. Dadurch ist das optoelektronische Bauelement vorteilhaf- terweise besonders vielseitig verwendbar.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements erstrecken sich die Kontaktausnehmungen nicht vollständig durch die Leiterrahmenabschnitte. Vorteilhafterweise wird dadurch eine besonders einfache elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements ermöglicht.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist an der Unterseite des optoelektronischen Bauelements ein Schutzchip angeordnet und elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt und mit dem zweiten Leiterrahmenab ^¬ schnitt verbunden. Der Schutzchip ist dadurch dem optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements elektrisch parallelgeschaltet. Der Schutzchip kann beispiels ^¬ weise einem Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips des optoelektronischen Bauelements vor einer Beschädigung durch elektrostatische Entladungen dienen. Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Leiterrahmens mit einem ersten Leiterrahmenabschnitt und einem zweiten Lei ^¬ terrahmenabschnitt, die jeweils eine Oberseite aufweisen, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt und zum Einbetten des ersten Leiterrahmenabschnitts, des zweiten Leiterrahmenabschnitts und des optoelektronischen Halbleiterchips in einen gemeinsa ^¬ men Formkörper. Dabei werden die Oberseiten der Leiterrahmenabschnitte durch den optoelektronischen Halbleiterchip und den Formkörper vollständig bedeckt.

Dieses Verfahren ermöglicht eine kostengünstige Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit sehr kompakten äußeren Abmessungen. Der optoelektronische Halbleiterchip kann beispielsweise ein lichtemittierender Halbleiterchip oder ein lichtdetektierender Halbleiterchip sein, insbesondere beispielsweise ein Leuchtdiodenchip. Das durch das Verfahren erhältliche optoelektronische Bauelement kann sich beispiels ^¬ weise zur Verwendung zur Hinterleuchtung von Flüssigkristall- bildschirmen in mobilen elektronischen Geräten eignen.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Bereit ^¬ stellen des Leiterrahmens einen Schritt zum Ausbilden einer ersten Kontaktausnehmung an einer Unterseite des ersten Lei- terrahmenabschnitts und einer zweiten Kontaktausnehmung an einer Unterseite des zweiten Leiterrahmenabschnitts. Die Kon- taktausnehmungen können beispielsweise mittels eines Ätzpro ^¬ zesses ausgebildet werden. Dadurch, dass die Kontaktausneh- mungen bereits vor dem Einbetten des Leiterrahmens in den Formkörper angelegt werden, können die Kontaktausnehmungen vor dem Einbetten der Leiterrahmenabschnitte in den Formkörper noch mit einer Beschichtung versehen werden, die die Löt- barkeit der Kontaktausnehmungen verbessert. Dadurch eignen sich die Kontaktausnehmungen an den Unterseiten der Leiterrahmenabschnitte des durch dieses Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements vorteilhafterweise zur Verwen ^¬ dung als Lötkontaktflächen zur elektrischen Kontaktierung des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauele- ments.

In einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Kontaktausnehmungen als Sacklöcher an den Unterseiten der Leiterrahmenabschnitte angelegt. Vorteilhafterweise bieten die Kon- taktausnehmungen bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement dadurch eine große durch Lötzinn benetzbare Fläche, wodurch eine zuverlässige elektrische Kontaktierung des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements ermöglicht wird.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Bereit ^¬ stellen des Leiterrahmens einen Schritt zum Anordnen einer Beschichtung an einer Oberfläche des Leiterrahmens. Die Be ^¬ schichtung kann beispielsweise dazu dienen, die Lötbarkeit der Leiterrahmenabschnitte des Leiterrahmens zu verbessern, insbesondere die Benetzbarkeit von zur elektrischen Kontak ^¬ tierung des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements dienenden Abschnitten der Leiterrahmenabschnitte durch Lötzinn.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Leiterrahmen mit einer Mehrzahl weiterer Leiterrahmenabschnitte bereitge ^¬ stellt. Dabei werden alle Leiterrahmenabschnitte des Leiter ^¬ rahmens gemeinsam in den Formkörper eingebettet. Das Verfah- ren umfasst dabei einen weiteren Schritt zum Zerteilen des Formkörpers und des Leiterrahmens, um das optoelektronische Bauelement zu vereinzeln. Das Verfahren ermöglicht dadurch eine parallele Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente in gemeinsamen Bearbeitungsschritten. Hierdurch sinken die Kosten zur Herstellung eines einzelnen optoelektronischen Bauelements und die zur Herstellung eines einzelnen optoelektronischen Bauelements erforderliche Zeit. In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Leiterrahmen entlang einer Trennebene zerteilt, die sich durch die erste Kontaktausnehmung und durch die zweite Kontaktausnehmung erstreckt. Vorteilhafterweise sind die Kontaktausnehmungen bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bau- element dadurch zu Seitenflächen des optoelektronischen Bauelements hin geöffnet, was eine Montage des durch das Verfah ^¬ ren erhältlichen optoelektronischen Bauelements in einer Si- delooker-Anordnung ermöglicht. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements wird der Formkörper mittels eines Formverfahrens ausgebildet. Beispielsweise kann der Formkörper durch Spritzpressen (Tränier Molding) oder durch Spritzgießen (Injection Molding) ausgebildet werden. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine einfache, kostengünstige und gut reproduzierbare Herstellung des Formkörpers.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht von Oberseiten von Lei ^¬ terrahmenabschnitten eines Leiterrahmens;

Fig. 2 eine perspektivische Ansicht von Unterseiten der Lei- terrahmenabschnitte ;

Fig. 3 eine geschnittene Seitenansicht der auf einer Träger ^¬ folie angeordneten Leiterrahmenabschnitte; Fig. 4 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenab ^¬ schnitte mit einem darauf angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip; Fig. 5 eine perspektivische Ansicht der Leiterrahmenabschnit ^¬ te und des darauf angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips ;

Fig. 6 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenab- schnitte und des optoelektronischen Halbleiterchips nach ih ^¬ rer Einbettung in einen Formkörper;

Fig. 7 eine geschnittene Seitenansicht eines aus dem Formkör ^¬ per gebildeten ersten optoelektronischen Bauelements nach dem Ablösen der Trägerfolie;

Fig. 8 eine perspektivische Ansicht des ersten optoelektroni ^¬ schen Bauelements; Fig. 9 eine perspektivische Ansicht einer das erste opto ^¬ elektronische Bauelement umfassenden Bauelementeanordnung;

Fig. 10 eine geschnittene Seitenansicht eines zweiten opto ^¬ elektronischen Bauelements;

Fig. 11 eine geschnittene Seitenansicht eines dritten opto ^¬ elektronischen Bauelements;

Fig. 12 eine geschnittene Seitenansicht eines vierten opto- elektronischen Bauelements;

Fig. 13 eine geschnittene Seitenansicht eines fünften opto ^¬ elektronischen Bauelements; Fig. 14 eine geschnittene Seitenansicht von auf einer Träger ^¬ folie angeordneten Leiterrahmenabschnitten eines weiteren Leiterrahmens ; Fig. 15 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenab ^¬ schnitte mit einem darauf angeordneten weiteren optoelektro ^¬ nischen Halbleiterchip; Fig. 16 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenab ^¬ schnitte und des optoelektronischen Halbleiterchips in einem nachfolgenden Bearbeitungsstand;

Fig. 17 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenab- schnitte und des optoelektronischen Halbleiterchips mit einem darauf angeordneten Deckelement;

Fig. 18 eine geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenab ^¬ schnitte, des optoelektronischen Halbleiterchips und des De- ckelements nach deren Einbettung in einen Formkörper;

Fig. 19 eine geschnittene Seitenansicht eines aus dem Form ^¬ körper gebildeten sechsten optoelektronischen Bauelements nach dem Ablösen der Trägerfolie; und

Fig. 20 eine geschnittene Seitenansicht eines siebten opto ^¬ elektronischen Bauelements.

Fig. 1 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Teils eines Leiterrahmens 300. Fig. 2 zeigt eine sche ^¬ matische perspektivische Darstellung des Teils des Leiterrah ^¬ mens 300 aus einer anderen Blickrichtung. Der Leiterrahmen 300 kann auch als Leadframe bezeichnet werden. In Figuren 1 und 2 sind ein erster Leiterrahmenabschnitt 100 und ein zweiter Leiterrahmenabschnitt 200 des Leiterrahmens 300 dargestellt. Der Leiterrahmen 300 umfasst in der Regel in Figuren 1 und 2 nicht dargestellte, weitere Leiterrahmenab ^¬ schnitte, die wie der erste Leiterrahmenabschnitt 100 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 ausgebildet sind. Je ein erster Leiterrahmenabschnitt 100 und ein zweiter Leiterrah ^¬ menabschnitt 200 des Leiterrahmens 300 bilden ein zusammenge ^¬ höriges Paar. Alle Leiterrahmenabschnitte des Leiterrahmens 300 sind materialeinheitlich einstückig zusammenhängend mit- einander verbunden. Dabei sind die ein Paar bildenden ersten Leiterrahmenabschnitte 100 und zweiten Leiterrahmenabschnitte 200 allerdings jeweils nicht direkt miteinander verbunden, sondern lediglich über die benachbarten weiteren Leiterrah- menabschnitte . Auch das in Figuren 1 und 2 gezeigte Paar des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrah ^¬ menabschnitts 200 ist nicht direkt miteinander verbunden.

Der Leiterrahmen 300 ist im Wesentlichen flach und eben aus- gebildet und kann beispielsweise aus einem Blech hergestellt sein. In dem Leiterrahmen 300 angeordnete Durchbrüche, die beispielsweise mittels eines Ätzverfahrens angelegt worden sein können, grenzen den ersten Leiterrahmenabschnitt 100 und den zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 voneinander ab. Der erste Leiterrahmenabschnitt 100 weist eine Oberseite 101 und eine der Oberseite 101 gegenüberliegende Unterseite 102 auf. Der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 weist eine Oberseite 201 und eine der Oberseite 201 gegenüberliegende Unterseite 202 auf. In Fig. 1 sind die Oberseiten 101, 201 der Leiterrahmen- abschnitte 100, 200 sichtbar. Fig. 2 zeigt die Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200.

Der Leiterrahmen 300 weist ein elektrisch leitendes Material auf, bevorzugt ein Metall. Beispielsweise kann der Leiterrah- men 300 Kupfer aufweisen. An Teilen oder der gesamten Oberfläche des Leiterrahmens 300, also beispielsweise an den Oberseiten 101, 201 und den Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200, wie auch in den Durchbrüchen des Leiterrahmens 300, kann eine Beschichtung 301 angeordnet sein, die beispielsweise eine Lötbarkeit und/oder eine opti ^¬ sche Reflektivität des Leiterrahmens 300 verbessern kann.

Der erste Leiterrahmenabschnitt 100 des Leiterrahmens 300 weist an seiner Unterseite 102 eine erste Kontaktausnehmung 110 und eine erste weitere Kontaktausnehmung 120 auf. Der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 weist an seiner Unterseite 202 eine zweite Kontaktausnehmung 210 und eine zweite weitere Kontaktausnehmung 220 auf. Die Kontaktausnehmungen 110, 120, 210, 220 sind jeweils in Randbereichen der Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 an den Grenzen zwi ^¬ schen den Leiterrahmenabschnitten 100, 200 und benachbarten weiteren Leiterrahmenabschnitten des Leiterrahmens 300 angeordnet. Die Kontaktausnehmungen 110, 120, 210, 220 können sich über die in Fig. 2 gezeigten Leiterrahmenabschnitte 100, 200 hinaus zu den jeweils benachbarten Leiterrahmenabschnit ^¬ ten des Leiterrahmens 300 erstrecken.

Die erste Kontaktausnehmung 110 und die erste weitere Kon- taktausnehmung 120 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 sind an einander gegenüberliegenden Seiten des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 angeordnet. Entsprechend sind die zweite Kontaktausnehmung 210 und die zweite weitere Kontaktausnehmung 220 an einander gegenüberliegenden Seiten des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 angeordnet. Dabei sind die erste Kontaktausnehmung 110 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und die zweite Kontaktausnehmung 210 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 in der einander gegenüberliegenden Anordnung des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 auf einer gemeinsamen ersten Seite angeordnet. Die erste weitere Kontaktausnehmung 120 des ers ^¬ ten Leiterrahmenabschnitts 100 und die zweite weitere Kon ^¬ taktausnehmung 220 des zweiten Leiterrahmenabschnitts sind auf einer gemeinsamen zweiten Seite angeordnet.

Die Kontaktausnehmungen 110, 120, 210, 220 sind jeweils als sich nicht vollständig durch die Leiterrahmenabschnitte 100, 200 erstreckende Vertiefungen bzw. Sacklöcher an den Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 ausgebil- det. Die Kontaktausnehmungen 110, 120, 210, 220 können bei ^¬ spielsweise mittels eines Ätzverfahrens angelegt worden sein. Die sich über die Grenzen des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 bis zu benach ^¬ barten Leiterrahmenabschnitten erstreckenden Kontaktausneh- mungen 110, 120, 210, 220 können beispielsweise jeweils etwa kreisförmige Querschnitte aufweisen. In diesem Fall können die an den Unterseiten 102, 202 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 ange- ordneten Teile der Kontaktausnehmungen 110, 120, 210, 220 jeweils halbkreisförmige Querschnitte aufweisen.

Die Beschichtung 301 des Leiterrahmens 300 erstreckt sich be- vorzugt auch auf die Kontaktausnehmungen 110, 120, 210, 220.

Der erste Leiterrahmenabschnitt 100 und der zweite Leiterrah ^¬ menabschnitt 200 des Leiterrahmens 300 sind in dem in Figuren 1 und 2 dargestellten Beispiel spiegelsymmetrisch zueinander ausgebildet. Dies ist jedoch nicht zwingend erforderlich. Es ist möglich, den ersten Leiterrahmenabschnitt 100 und den zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 mit unterschiedlichen Geo ^¬ metrien und/oder mit unterschiedlichen Größen auszubilden. Fig. 3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrah ^¬ menabschnitts 200 des Leiterrahmens 300 in einem der Darstel ^¬ lung der Figuren 1 und 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand .

Der Leiterrahmen 300 ist auf einer Trägerfolie 310 angeordnet worden. Dabei sind die Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 der Trägerfolie 310 zugewandt. Die Trä ^¬ gerfolie 310 kann beispielsweise eine selbstklebende Folie sein, die an den Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 100 anhaftet.

Anstelle der Trägerfolie 310 kann auch ein anderer Träger verwendet werden. Bevorzugt deckt dieser Träger alle erhabe- nen Abschnitte der Unterseiten 102, 202 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 in dichtender Weise ab. Der Träger kann hierzu beispielsweise mit einer weichen Oberfläche ausgebildet sein, was es ermög ^¬ licht, die Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 300 leicht in den Träger einzudrü ^¬ cken .

Fig. 4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der auf der Trägerfolie 310 angeordneten Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 300 in einem der Darstellung der Fig. 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Fig. 5 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung der auf der Trägerfolie 310 angeordneten Leiterrahmenabschnitte 100, 200 in dem in Fig. 4 gezeigten Bearbeitungsstand.

Auf den von der Trägerfolie 310 abgewandten Oberseiten 101, 201 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 ist ein optoelektronischer Halb- leiterchip 400 angeordnet worden. Der optoelektronische Halb ^¬ leiterchip 400 ist zur Emission oder zur Detektion elektromagnetischer Strahlung, beispielsweise sichtbaren Lichts, ausgebildet. Der optoelektronische Halbleiterchip 400 kann beispielsweise als Leuchtdiodenchip (LED-Chip) , als Laserchip oder als Photodiodenchip ausgebildet sein.

Der optoelektronische Halbleiterchip 400 weist eine Oberseite

401 und eine der Oberseite 401 gegenüberliegende Unterseite

402 auf. Die Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiter- chips 400 bildet eine Strahlungsdurchtrittsfläche des opto ^¬ elektronischen Halbleiterchips 400. Falls der optoelektronische Halbleiterchip 400 als lichtemittierender Halbleiterchip ausgebildet ist, so bildet die Oberseite 401 eine Strahlungs ^¬ emissionsfläche, an der der optoelektronische Halbleiterchip 400 elektromagnetische Strahlung emittiert. Falls der opto ^¬ elektronische Halbleiterchip 400 zur Detektion elektromagne ^¬ tischer Strahlung ausgebildet ist, so kann der optoelektronische Halbleiterchip 400 auf seine Oberseite 401 auftreffendes Licht detektieren.

Der optoelektronische Halbleiterchip 400 ist derart an den Oberseiten 101, 201 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 angeordnet, dass die Unterseite 402 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 den Oberseiten 101, 201 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 zuge ^¬ wandt ist und mit den Oberseiten 101, 201 der Leiterrahmenab ^¬ schnitte 100, 200 in Kontakt steht. Dabei erstreckt sich der optoelektronische Halbleiterchip 400 brückenförmig von der Oberseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 zur Ober ^¬ seite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200.

Der optoelektronische Halbleiterchip 400 weist an seiner Un- terseite 402 eine erste elektrische Kontaktfläche 410 und ei ^¬ ne zweite elektrische Kontaktfläche 420 auf. Durch die Anord ^¬ nung des optoelektronischen Halbleiterchips 400 an den Oberseiten 101, 201 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 ist die erste elektrische Kontaktfläche 410 elektrisch leitend mit dem ersten Leiter ^¬ rahmenabschnitt 100 und die zweite elektrische Kontaktfläche 420 elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 verbunden. Dies ermöglicht es, den optoelektronischen Halbleiterchip 400 über den ersten Leiterrahmenabschnitt 100 und den zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 mit elektrischer Spannung und elektrischem Strom zu beaufschlagen, um den optoelektronischen Halbleiterchip 400 zur Emission elektromagnetischer Strahlung zu veranlassen, oder über den ersten Leiterrahmenabschnitt 100 und den zweiten Leiterrahmenab- schnitt 200 eine von dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 erzeugte elektrische Spannung oder einen von dem opto ^¬ elektronischen Halbleiterchip 400 erzeugten elektrischen Strom abzugreifen. Die elektrisch leitenden Verbindungen können beispielsweise über Lötverbindungen hergestellt sein, die auch zur mechanischen Befestigung des optoelektronischen

Halbleiterchips 400 auf den Leiterrahmenabschnitten 100, 200 dienen .

Fig. 6 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 300 und des optoelektronischen Halbleiterchips 400 in einem der Darstellung der Figuren 4 und 5 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand . Der erste Leiterrahmenabschnitt 100, der zweite Leiterrahmen ^¬ abschnitt 200 und der optoelektronische Halbleiterchip 400 sind gemeinsam in einen Formkörper 500 eingebettet worden. Der Formkörper 500, die in den Formkörper 500 eingebetteten Leiterrahmenabschnitte 100, 200 und der in den Formkörper 500 eingebettete optoelektronische Halbleiterchip 400 bilden ge ^¬ meinsam einen Verbundkörper 600.

Der Formkörper 500 weist ein elektrisch isolierendes Formma- terial auf, beispielsweise ein Silikon und/oder ein Epoxid ^¬ harz. Der Formkörper 500 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfahren) ausgebildet worden sein, beispielsweise durch Spritzpressen (Transfer Molding) oder durch

Spritzgießen (Injection Molding), insbesondere beispielsweise durch folienunterstütztes Spritzpressen (Film-assisted Trans ^¬ fer Molding) . Dabei sind die Leiterrahmenabschnitte 100, 200 und der optoelektronische Halbleiterchip 400 bevorzugt be ^¬ reits während der Ausbildung des Formkörpers 500 in den Form ^¬ körper 500 eingebettet worden, indem die Leiterrahmenab- schnitte 100, 200 und der optoelektronische Halbleiterchip 400 mit dem Material des Formkörpers 500 umformt wurden.

Der Formkörper 500 weist eine Oberseite 501 und eine der Oberseite 501 gegenüberliegende Unterseite 502 auf. Die Un- terseite 502 des Formkörpers 500 ist an die Trägerfolie 310 angrenzend ausgebildet worden. Die Oberseite 401 des opto ^¬ elektronischen Halbleiterchips 400 ist zumindest teilweise nicht durch das Material des Formkörpers 500 bedeckt worden und liegt an der Oberseite 501 des Formkörpers 500 zumindest teilweise frei. Bevorzugt schließt die Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 etwa bündig mit der Oberseite 501 des Formkörpers 500 ab. Gemeinsam bilden die Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und die Oberseite 501 des Formkörpers 500 eine Oberseite 601 des Verbundkörpers 600.

Die an die Trägerfolie 310 angrenzenden Unterseiten 102, 202 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiter ^¬ rahmenabschnitts 200 sind zumindest teilweise nicht durch das Material des Formkörpers 500 bedeckt und liegen somit zumin ^¬ dest teilweise an der Unterseite 502 des Formkörpers 500 frei. Bevorzugt schließen die Unterseite 102 des ersten Lei ^¬ terrahmenabschnitts 100, die Unterseite 202 des zweiten Lei ^¬ terrahmenabschnitts 200 und die Unterseite 502 des Formkör- pers 500 im Wesentlichen bündig miteinander ab. Gemeinsam bilden die Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 und die Unterseite 502 des Formkörpers 500 eine Un ^¬ terseite 602 des Verbundkörpers 600.

Die Oberseiten 101, 201 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 des Leiterrahmens 300 sind durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 und den Formkörper 500 vollständig bedeckt. Dabei bedeckt der Formkörper 500 die nicht bereits durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 bedeckten Abschnitte der Oberseiten 101, 201 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 300. Fig. 7 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Verbundkörpers 600 in einem der Darstellung der Fig. 6 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Aus dem Verbundkörper 600 ist ein erstes optoelektronisches Bauelement 10 gebildet worden. Fig. 8 zeigt eine schematische perspektivische Dar- Stellung des ersten optoelektronischen Bauelements 10.

In einem der Darstellung der Fig. 6 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsschritt ist die Trägerfolie 310 von der Untersei ^¬ te 602 des Verbundkörpers 600 abgelöst worden. Das Ablösen der Trägerfolie 310 kann beispielsweise durch mechanisches Abziehen der Trägerfolie 310 erfolgt sein.

Der in Figuren 1 und 2 dargestellte Leiterrahmen 300 kann, wie bereits ausgeführt, neben dem ersten Leiterrahmenab- schnitt 100 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 weitere Leiterrahmenabschnitte umfassen, die wie der erste Leiterrah ^¬ menabschnitt 100 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 ausgebildet sind. In diesem Fall wird der Leiterrahmen 300 im in Fig. 3 gezeigten Bearbeitungsstand mit allen Leiterrahmen- abschnitten auf der Trägerfolie 310 angeordnet. Dann wird auf jedem Paar eines ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und eines zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 des Leiterrahmens 300 ein optoelektronischer Halbleiterchip 400 angeordnet, wie dies in Fig. 4 gezeigt ist. Alle Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 300 und alle optoelektronischen Halbleiterchips 400 werden gemeinsam in den Formkörper 500 eingebettet. Nach dem Entfernen der Trägerfolie 310 werden der Formkörper 500 und der in den Formkörper 500 eingebettete Leiterrahmen 300 zerteilt, um die auf diese Weise gebildeten mehreren ersten optoelektronischen Bauelemente 10 zu vereinzeln.

Dabei werden der Formkörper 500 und der Leiterrahmen 300 so zerteilt, dass jedes durch das Zerteilen gebildete erste optoelektronische Bauelement 10 einen Abschnitt des Formkör ^¬ pers 500 umfasst, in den ein erster Leiterrahmenabschnitt 100, ein zweiter Leiterrahmenabschnitt 200 und ein optoelekt ^¬ ronischer Halbleiterchip 400 eingebettet sind. Das Zerteilen des Formkörpers 500 und des in den Formkörper 500 eingebette- ten Leiterrahmens 300 kann beispielsweise durch Sägen erfol ^¬ gen .

Das Zerteilen des Formkörpers 500 und des Leiterrahmens 300 erfolgt entlang von Trennebenen. Dabei wird jedes erste opto- elektronische Bauelement 10 unter anderem an einer ersten

Trennebene 610 und an einer zur ersten Trennebene 610 paral ^¬ lelen zweiten Trennebene 620 von den weiteren ersten optoelektronischen Bauelementen 10 getrennt. Die erste Trennebene 610 erstreckt sich durch die erste Kontaktausnehmung 110 an der Unterseite 102 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und durch die zweite Kontaktausnehmung 210 an der Unterseite 202 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200. Die zweite Trennebene 620 erstreckt sich durch die erste weitere Kontaktausnehmung 120 an der Unterseite 102 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und durch die zweite weitere Kontaktausnehmung 220 an der Unterseite 202 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200. An der ersten Trennebene 610 wird eine erste Kante 611 der Untersei ^¬ te 602 des Verbundkörpers 600 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 gebildet. An der zweiten Trennebene 620 wird eine zweite Kante 621 der Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 gebildet. Die erste Kontaktausnehmung 110 und die zweite Kontaktausnehmung 210 grenzen beide an die erste Kante 611 der Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 an. Die erste weitere Kontaktaus- nehmung 120 und die zweite weitere Kontaktausnehmung 220 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 grenzen beide an die zweite Kante 621 der Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 an .

Die Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 bildet eine Obersei ^¬ te des ersten optoelektronischen Bauelements 10. Die Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 bildet eine Unterseite des ersten optoelektronischen Bauelements 10.

Fig. 9 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung einer Bauelementeanordnung 700. Die Bauelementeanordnung 700 umfasst einen Träger 730 und das erste optoelektronische Bau ^¬ element 10.

Der Träger 730 kann beispielsweise als Leiterplatte oder als anderer Schaltungsträger ausgebildet sein. Der Träger weist an seiner Oberseite elektrische Kontaktflächen auf. Das erste optoelektronische Bauelement 10 ist an der Obersei ^¬ te des Trägers 730 angeordnet. Dabei ist eine an der ersten Trennebene 610 ausgebildete Seitenfläche des ersten opto ^¬ elektronischen Bauelements 10 der Oberseite des Trägers 730 zugewandt. Die Oberseite 401 des optoelektronischen Halb- leiterchips 400 ist damit senkrecht zur Oberseite des Trägers 730 orientiert. Das erste optoelektronische Bauelement 10 be ^¬ findet sich damit in einer Sidelooker-Anordnung . Falls der optoelektronische Halbleiterchip 400 des ersten optoelektro ^¬ nischen Bauelements 10 ein lichtemittierender Halbleiterchip ist, so wird von dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittiertes Licht in zur Oberseite des Trägers 730 parallele Richtung abgestrahlt.

Das erste optoelektronische Bauelement 10 ist über eine erste Lotverbindung 710 und eine zweite Lotverbindung 720

elektrisch mit den auf der Oberseite des Trägers 730 angeord ^¬ neten Kontaktflächen verbunden. Die erste Lotverbindung 710 verbindet dabei eine elektrische Kontaktfläche des Trägers 730 mit der ersten Kontaktausnehmung 110 des ersten Leiter- rahmenabschnitts 100 des ersten optoelektronischen Bauele ^¬ ments 10. Die zweite Lotverbindung 720 verbindet eine weitere elektrische Kontaktfläche des Trägers 730 elektrisch leitend mit der zweiten Kontaktausnehmung 210 des zweiten Leiterrah- menabschnitts 200 des ersten optoelektronischen Bauelements 10.

Durch die Ausbildung der ersten Kontaktausnehmung 110 und der zweiten Kontaktausnehmung 210 als sich nicht vollständig durch die Leiterrahmenabschnitte 100, 200 erstreckende Sack ^¬ löcher, die zur an der ersten Trennebene 610 gebildeten Seitenflanke des ersten optoelektronischen Bauelements 10 geöff ^¬ net sind, können die Kontaktausnehmungen 110, 210 während der Herstellung der Lotverbindungen 710, 720 eine selbstständige Ausrichtung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 relativ zu dem Träger 730 bewirken. Gleichzeitig können die erste Kontaktausnehmung 110 und die zweite Kontaktausnehmung 210 als Lötkontrollstrukturen dienen und eine optische Kontrolle der korrekten Ausbildung der ersten Lotverbindung 710 und der zweiten Lotverbindung 720 ermöglichen.

Das erste optoelektronische Bauelement 10 kann alternativ zu der in Fig. 9 gezeigten Anordnung, in der die an der ersten Trennebene 610 gebildete Seitenflanke des ersten optoelektro- nischen Bauelements 10 der Oberseite des Trägers 730 zuge ^¬ wandt ist, auch so auf dem Träger 730 angeordnet werden, dass die an der zweiten Trennebene 620 gebildete Seitenflanke des ersten optoelektronischen Bauelements 10 der Oberseite des Trägers 730 zugewandt ist. In diesem Fall können die erste weitere Kontaktausnehmung 120 und die zweite weitere Kontakt ^¬ ausnehmung 220 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 zur elektrischen Kontaktierung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 dienen. Außerdem ist es möglich, das erste optoelektronische Bauele ^¬ ment 10 derart auf dem Träger 730 anzuordnen, dass die Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 des ersten optoelektroni ^¬ schen Bauelements 10 der Oberseite des Trägers 730 zugewandt ist. In diesem Fall ist die Oberseite 401 des optoelektroni- sehen Halbleiterchips 400 parallel zur Oberseite des Trägers 730 orientiert, sodass sich das erste optoelektronische Bau ^¬ element 10 in einer Toplooker-Anordnung befindet. Falls es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 um einen lichtemittierenden Halbleiterchip handelt, so wird von dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierte elektromagnetische Strahlung in diesem Fall in zur Oberseite des Trägers 730 senkrechte Rich ^¬ tung abgestrahlt. In dieser Anordnung können die planen Ab- schnitte der Unterseite 102 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 und der Unterseite 202 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 zur Herstellung der Lotverbindungen 710, 720 dienen.

Fig. 10 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines zweiten optoelektronischen Bauelements 20. Das zweite optoelektronische Bauelement 20 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 auf und kann mit dem anhand der Figuren 1 bis 9 erläuterten Verfahren hergestellt werden. Komponenten des zweiten optoelektronischen Bauelements 20, die beim ersten optoelektronischen Bauelement 10 vorhandenen Komponenten entsprechen, sind in Fig. 10 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in Fig. 7.

Das zweite optoelektronische Bauelement 20 unterscheidet sich von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 durch ein auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 angeordnetes wellen ^¬ längenkonvertierendes Element 800. Das wellenlängenkonvertie ^¬ rende Element 800 erstreckt sich lediglich über einen Teil der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600. Dabei erstreckt sich das wellenlängenkonvertierende Element 800 über zumin ^¬ dest einen Teil der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400.

Das wellenlängenkonvertierende Element 800 des zweiten opto- elektronischen Bauelements 20 ist dazu vorgesehen, zumindest einen Teil von durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierter elektromagnetischer Strahlung in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren. Beispielsweise kann das wellenlängenkonvertierende Element 800 ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich in elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem gelben oder orangen Spektralbereich zu konvertieren. Eine Mischung von unkonvertiertem und durch das wellenlängenkonvertierende Element 800 konvertiertem Licht kann einen weißen Farbeindruck aufweisen.

Das wellenlängenkonvertierende Element 800 kann als Plättchen ausgebildet und beispielsweise mittels eines Transferverfah ^¬ rens auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 angeordnet worden sein. Das Anordnen des wellenlängenkonvertierenden Elements 800 auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 kann vor oder nach einem Vereinzeln des Verbundkörpers 600 erfolgt sein.

Das wellenlängenkonvertierende Element 800 kann aber auch durch ein Druck- oder Sprühverfahren unter Verwendung einer Maske auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 des zwei- ten optoelektronischen Bauelements 20 angeordnet worden sein. Auch in diesem Fall kann das Anordnen des wellenlängenkonvertierenden Elements 800 auf der Oberseite 601 des Verbundkör ^¬ pers 600 vor oder nach dem Vereinzeln des Verbundkörpers 600 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 erfolgt sein.

Fig. 11 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines dritten optoelektronischen Bauelements 30. Das dritte optoelektronische Bauelement 30 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 und mit dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20 auf und kann ebenfalls mit dem anhand der Figuren 1 bis 9 beschriebenen Verfahren hergestellt werden. Komponenten des dritten optoelektronischen Bauelements 30, die beim zweiten optoelektronischen Bauelement 20 vorhandenen Komponenten entsprechen, sind in Fig. 11 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in Fig. 10.

Das dritte optoelektronische Bauelement 30 unterscheidet sich von dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20 dadurch, dass das wellenlängenkonvertierende Element 800 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 die gesamte Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 des dritten optoelektronischen Bauele ^¬ ments 30 bedeckt. Das wellenlängenkonvertierende Element 800 erstreckt sich damit über die vollständige Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 und über die vollständige Oberseite 501 des Formkörpers 500.

Das wellenlängenkonvertierende Element 800 des dritten opto ^¬ elektronischen Bauelements 30 kann beispielsweise mittels ei- nes Formprozesses (Moldprozesses ) auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 angeordnet worden sein, insbesondere bei ^¬ spielsweise durch Formpressen (Compression Molding) . Ebenfalls möglich ist beispielsweise, das wellenlängenkonvertie ^¬ rende Element 800 aufzusprühen oder in Form einer wellenlän- genkonvertierenden Folie aufzukleben. Bevorzugt wird das wellenlängenkonvertierende Element 800 bereits vor dem Verein ^¬ zeln des Formkörpers 600 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 an ^¬ geordnet .

Fig. 12 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines vierten optoelektronischen Bauelements 40. Das vierte optoelektronische Bauelement 40 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 auf und kann durch das anhand der Figuren 1 bis 9 beschriebene Verfahren hergestellt werden. Komponenten des vierten optoelektronischen Bauelements 40, die beim ersten optoelektronischen Bauelement 10 vorhandenen Komponenten entsprechen, sind in Fig. 12 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in Fig. 7.

Das vierte optoelektronische Bauelement 40 unterscheidet sich von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 durch ein an der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 des vierten opto ^¬ elektronischen Bauelements 40 angeordnetes optisches Element 810. Im in Fig. 12 dargestellten Beispiel erstreckt sich das optische Element 810 über die gesamte Oberseite 601 des Ver ^¬ bundkörpers 600. Es ist aber ebenfalls möglich, das optische Element 810 auf einen Teil der Oberseite 601 des Verbundkör ^¬ pers 600 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 zu be- schränken, beispielsweise auf die Oberseite 401 des opto ^¬ elektronischen Halbleiterchips 400.

Das optische Element 810 bewirkt eine Strahlformung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 emittierter elektromagnetischer Strahlung oder eine Bündelung von auf das vierte optoelektro ^¬ nische Bauelement 40 treffender elektromagnetischer Strahlung auf die Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400. Hierzu ist das optische Element 810 im in Fig. 12 ge ^¬ zeigten Beispiel als plankonvexe optische Linse ausgebildet. Es ist aber auch möglich, das optische Element 810 mit ande ^¬ rer Form auszubilden, insbesondere mit anderer Linsenform. Das optische Element 810 weist ein optisch transparentes Ma ^¬ terial auf, beispielsweise ein Silikon. Das optische Element 810 kann beispielsweise mittels eines Formverfahrens auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 des vierten optoelektro ^¬ nischen Bauelements 40 angeordnet worden sein, insbesondere beispielsweise durch Formpressen. Das Anordnen des optischen Elements 810 auf der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 kann vor oder nach dem Vereinzeln des Verbundkörpers 600 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 erfolgt sein. Fig. 13 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines fünften optoelektronischen Bauelements 50. Das fünfte optoelektronische Bauelement 50 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10, dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20 und dem vierten optoelektro- nischen Bauelement 40 auf und kann mit dem anhand der Figuren 1 bis 9 beschriebenen Verfahren hergestellt werden. Auch in Fig. 13 sind für entsprechende Komponenten dieselben Bezugszeichen verwendet wie in den vorangegangenen Figuren. Das fünfte optoelektronische Bauelement 50 weist sowohl ein wellenlängenkonvertierendes Element 800 als auch ein opti ^¬ sches Element 810 auf. Dabei ist das wellenlängenkonvertie ^¬ rende Element 800 unmittelbar auf der Oberseite 601 des Ver ^¬ bundkörpers 600 des fünften optoelektronischen Bauelements 50 angeordnet und bedeckt einen zumindest einen Teil der Ober ^¬ seite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 400 umfas ^¬ senden Teil der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600. Das op ^¬ tische Element 810 ist über dem wellenlängenkonvertierenden Element 800 angeordnet und erstreckt sich im dargestellten

Beispiel auch über die nicht durch das wellenlängenkonvertie ^¬ rende Element 800 bedeckten Abschnitte der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 des fünften optoelektronischen Bauelements 50.

Das wellenlängenkonvertierende Element 800 des fünften opto ^¬ elektronischen Bauelements 50 dient, wie das wellenlängenkonvertierende Element 800 des zweiten optoelektronischen Bau ^¬ elements 20, zur Wellenlängenkonvertierung zumindest eines Teils der durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierten elektromagnetischen Strahlung. Das optische Element 810 des fünften optoelektronischen Bauelements 50 dient, wie das optische Element 810 des vierten optoelektronischen Bauelements 40, der Strahlformung der konvertierten und un- konvertierten elektromagnetischen Strahlung.

Das wellenlängenkonvertierende Element 800 des fünften opto ^¬ elektronischen Bauelements 50 kann wie das wellenlängenkonvertierende Element 800 des zweiten optoelektronischen Bau- elements 20 hergestellt worden sein. Das optische Element 810 des fünften optoelektronischen Bauelements 50 kann, in einem nachfolgenden Bearbeitungsschritt, wie das optische Element 810 des vierten optoelektronischen Bauelements 40 hergestellt worden sein.

Anhand der Figuren 14 bis 19 wird nachfolgend ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements dargestellt, das große Übereinstimmungen mit dem anhand der Figu ^¬ ren 1 bis 9 beschriebenen Verfahren aufweist. Daher werden in Figuren 14 bis 19 dieselben Bezugszeichen verwendet wie in

Figuren 1 bis 9. Die folgende Beschreibung beschränkt sich im Wesentlichen auf eine Erläuterung der Unterschiede zwischen den beiden Herstellungsverfahren. Fig. 14 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines auf einer Trägerfolie 310 angeordneten Leiterrahmens 1300. Der Leiterrahmen 1300 ist wie der Leiterrahmen 300 ausgebildet und umfasst einen ersten Leiterrahmenabschnitt 100, einen zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 und eine Mehrzahl in Fig. 14 nicht gezeigter weiterer Leiterrahmenabschnitte, die wie der erste Leiterrahmenabschnitt 100 und der zweite Lei ^¬ terrahmenabschnitt 200 ausgebildet sind. Im Unterschied zu dem Leiterrahmen 300 sind der erste Leiter ^¬ rahmenabschnitt 100 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 des Leiterrahmens 1300 nicht spiegelsymmetrisch zueinander ausgebildet. Stattdessen weist der erste Leiterrahmenab ^¬ schnitt 100 des Leiterrahmens 1300 eine größere Fläche auf als der zweite Leiterrahmenabschnitt 200 des Leiterrahmens 1300. Es ist allerdings möglich, auch den ersten Leiterrahmenabschnitt 100 und den zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 des Leiterrahmens 1300 spiegelsymmetrisch zueinander auszubilden .

Die übrige Gestaltung der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 1300 entspricht der der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 300. Insbesondere weisen die Lei ^¬ terrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 1300 an ihren Unterseiten 102, 202 die als Sacklöcher ausgebildeten Kon- taktausnehmungen 110, 120, 210, 220 auf.

Fig. 15 zeigt die Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiter ^¬ rahmens 1300 in einem der Darstellung der Fig. 14 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Auf der Oberseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 1400 angeordnet worden. Der optoelektronische Halbleiterchip 1400 ist voll- ständig auf der Oberseite 101 des ersten Leiterrahmenab ^¬ schnitts 100 angeordnet und erstreckt sich nicht brückenför- mig bis zur Oberseite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200. Der optoelektronische Halbleiterchip 1400 kann ein lichtemit ^¬ tierender oder ein zur Detektion von Licht ausgebildeter optoelektronischer Halbleiterchip sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 1400 unterscheidet sich von dem optoelektroni- sehen Halbleiterchip 400 dadurch, dass die zweite elektrische Kontaktfläche 420 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 an der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 angeordnet ist. Die an der Unterseite 402 des optoelekt ^¬ ronischen Halbleiterchips 1400 ausgebildete erste elektrische Kontaktfläche 410 ist, beispielsweise mittels einer Lotver ^¬ bindung, elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 100 des Leiterrahmens 1300 verbunden.

Fig. 16 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 1300 und des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 in einem der Darstellung der Fig. 15 nachfolgenden Bearbeitungsstand .

Die an der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiter- chips 1400 angeordnete zweite elektrische Kontaktfläche 420 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 ist mittels eines Bonddrahts 430 elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 des Leiterrahmens 1300 verbunden worden. Der Bonddraht 430 erstreckt sich von der Oberseite 401 des opto- elektronischen Halbleiterchips 1400 zur Oberseite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200.

In einer weiteren Variante des beschriebenen Verfahrens zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente können beide elektrischen Kontaktflächen des optoelektronischen Halbleiterchips an der Oberseite des optoelektronischen Halb ^¬ leiterchips angeordnet sein. In diesem Fall wird der opto ^¬ elektronische Halbleiterchip wahlweise auf der Oberseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100, auf der Oberseite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 oder brückenförmig so ^¬ wohl auf der Oberseite 101 des ersten Leiterrahmenabschnitts 100 als auch auf der Oberseite 201 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 200 angeordnet. Anschließend wird die erste elekt ^¬ rische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips über einen ersten Bonddraht elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt und die zweite elektrische Kontaktflä ^¬ che des optoelektronischen Halbleiterchips über einen zweiten Bonddraht elektrisch leitend mit dem zweiten Leiterrahmenab- schnitt verbunden. Die weitere Bearbeitung erfolgt wie bei dem anhand der Figuren 14 bis 19 beschriebenen Verfahren.

Fig. 17 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 1300 und des optoelektronischen Halbleiter- chips 1400 in einem der Darstellung der Fig. 16 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Auf der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 ist ein Deckelement 820 angeordnet worden. Das Deckele- ment 820 bedeckt einen Teil der Oberseite 401 des optoelekt ^¬ ronischen Halbleiterchips 1400. Der Teil der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400, an dem der Bond ^¬ draht 430 befestigt ist, ist von der Bedeckung durch das De ^¬ ckelement 820 ausgespart.

Das Deckelement 820 weist in eine zur Oberseite 401 des opto ^¬ elektronischen Halbleiterchips 1400 senkrechte Richtung eine Höhe auf, die so groß bemessen ist, dass das Deckelement 820 den Bonddraht 430 in zur Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 senkrechte Richtung überragt.

Das Deckelement 820 kann beispielsweise als optisch transpa ^¬ rentes Plättchen ausgebildet sein. Das Deckelement 820 kann beispielsweise ein Glas oder ein Silikon aufweisen. Das als transparentes Plättchen ausgebildete Deckelement 820 kann auf einer Seite, beispielsweise auf der der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 zugewandten Seite, eine Beschichtung aufweisen, die ein wellenlängenkonvertie ^¬ rendes Element 800 bildet und zur Konvertierung zumindest ei- nes Teils der durch den optoelektronischen Halbleiterchip 400 emittierten elektromagnetischen Strahlung in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge dient. Das Deckele ^¬ ment 820 kann auch vollständig als wellenlängenkonvertierendes Element ausgebildet sein. Fig. 18 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Leiterrahmens 1300, des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 und des Deckelements 820 in einem der Darstellung der Fig. 17 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Der Leiterrahmen 1300, der optoelektronische Halbleiterchip 1400, das Deckelement 820 und der Bonddraht 430 sind in einen Formkörper 500 eingebettet worden. Gemeinsam bilden der Form- körper 500 und die in den Formkörper 500 eingebetteten Komponenten einen Verbundkörper 600.

Der Formkörper 500 ist mit dem anhand der Fig. 6 beschriebe ^¬ nen Verfahren ausgebildet worden und weist dasselbe Material auf wie der Formkörper 500 der Fig. 6. An der der Trägerfolie 310 zugewandten Unterseite 602 liegen die Unterseiten 102, 202 der Leiterrahmenabschnitte 100, 200 des Leiterrahmens 1300 zumindest teilweise frei und bilden, zusammen mit der Unterseite 502 des Formkörpers 500 die Unterseite 602 des Verbundkörpers 600.

An der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 liegt eine Ober ^¬ seite des Deckelements 820 zumindest teilweise frei und bil ^¬ det, gemeinsam mit der Oberseite 501 des Formkörpers 500, die Oberseite 601 des Verbundkörpers 600. Bevorzugt schließen die Oberseite des Deckelements 820 und die Oberseite 501 des Formkörpers 500 im Wesentlichen bündig miteinander ab.

Die Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400 ist hingegen durch das Deckelement 820 und den Formkörper 500 vollständig bedeckt. Der Formkörper 500 bedeckt alle Ab ^¬ schnitte der Oberseite 401 des optoelektronischen Halbleiterchips 1400, die nicht bereits durch das Deckelement 820 be ^¬ deckt waren. Auch die Oberseiten 101, 201 der Leiterrahmenab- schnitte 100, 200 des Leiterrahmens 1300 sind durch den opto ^¬ elektronischen Halbleiterchip 1400 und durch den Formkörper 500 vollständig bedeckt. Dabei bedeckt der Formkörper 500 al ^¬ le Abschnitte der Oberseiten 101, 201 der Leiterrahmenab ^¬ schnitte 100, 200 des Leiterrahmens 1300, die nicht bereits durch den optoelektronischen Halbleiterchip 1400 bedeckt waren .

Das in den Formkörper 500 eingebettete Deckelement 820 weist Seitenflanken auf, die sich von der an der Oberseite 601 des Verbundkörpers 600 freiliegenden Oberseite des Deckelements 820 zu der der Oberseite 401 des optoelektronischen Halb ^¬ leiterchips 1400 zugewandten Unterseite des Deckelements 820 erstrecken. Diese Seitenflanken sind durch das Material des Formkörpers 500 bedeckt. Die an die Seitenflanken des De ^¬ ckelements 820 angrenzenden Oberflächen des Formkörpers 500 bilden einen Reflektor 510. Der Reflektor 510 kann von dem optoelektronischen Halbleiterchip 1400 emittiertes Licht reflektieren und dadurch eine Strahlbündelung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip 1400 emittierter elektromagnetischer Strahlung bewirken.

Fig. 19 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Verbundkörpers 600 in einem der Darstellung der Fig. 18 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Die Trägerfolie 310 ist von der Unterseite 602 des Verbund ^¬ körpers 600 abgelöst worden. Außerdem ist der Verbundkörper 600 zerteilt worden, um den den ersten Leiterrahmenabschnitt 100, den zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 und den optoelekt ^¬ ronischen Halbleiterchip 1400 enthaltenden Teil des Formkörpers 500 zu vereinzeln. Hierdurch ist ein sechstes optoelekt ^¬ ronisches Bauelement 60 gebildet worden. Wie das erste optoelektronische Bauelement 10 eignet sich auch das sechste optoelektronische Bauelement 60 für eine Montage in Sidelooker-Anordnung und in Toplooker-Anordnung . In Sidelooker-Anordnung ist eine Montage entweder unter Verwendung der ersten Kontaktausnehmung 110 und der zweiten Kon- taktausnehmung 210 oder unter Verwendung der ersten weiteren Kontaktausnehmung 120 und der zweiten weiteren Kontaktausnehmung 220 möglich. Fig. 20 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines siebten optoelektronischen Bauelements 70. Das siebte optoelektronische Bauelement 70 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 auf. Entspre- chende Komponenten sind in Fig. 20 mit denselben Bezugszei ^¬ chen versehen wie in Fig. 7. Das siebte optoelektronische Bauelement 70 kann mit dem anhand der Figuren 1 bis 9 erläu ^¬ terten Verfahren hergestellt werden. Das siebte optoelektronische Bauelement 70 unterscheidet sich von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 durch einen an der Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 des siebten optoelektronischen Bauelements 70 angeordneten Schutzchip 900. Der Schutzchip 900 kann beispielsweise als Schutzdiode ausgebildet sein und ist an der Unterseite 602 des Verbund ^¬ körpers 600 elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenab ^¬ schnitt 100 und mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 200 verbunden. Dadurch ist der Schutzchip 900 dem optoelektronischen Halbleiterchip 400 des siebten optoelektronischen Bau- elements 70 elektrisch parallelgeschaltet oder antiparallel geschaltet. Der Schutzchip 900 kann einem Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips 400 des siebten optoelektronischen Bauelements 70 vor einer Beschädigung durch elektrostatische Entladungen dienen.

Das Anordnen des Schutzchips 900 an der Unterseite 602 des Verbundkörpers 600 des siebten optoelektronischen Bauelements 70 kann vor oder nach dem Zerteilen des Verbundkörpers 600 zum Vereinzeln des optoelektronischen Bauelements 70 erfolgt sein.

Das siebte optoelektronische Bauelement 70 eignet sich für eine Montage in Sidelooker-Anordnung . Dabei kann das siebte optoelektronische Bauelement 70 unter Verwendung der ersten Kontaktausnehmung 110 und der zweiten Kontaktausnehmung 210 oder unter Verwendung der ersten weiteren Kontaktausnehmung 120 und der zweiten weiteren Kontaktausnehmung 220 montiert werden . Der bei dem siebten optoelektronischen Bauelement 70 vorhandene Schutzchip 900 kann auch bei dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20, dem dritten optoelektronischen Bauelement 30, dem vierten optoelektronischen Bauelement 40, dem fünften optoelektronischen Bauelement 50 oder dem sechsten optoelektronischen Bauelement 60 vorgesehen werden.

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei ^¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .

BEZUGSZEICHENLISTE

10 erstes optoelektronisches Bauelement

20 zweites optoelektronisches Bauelement 30 drittes optoelektronisches Bauelement

40 viertes optoelektronisches Bauelement

50 fünftes optoelektronisches Bauelement

60 sechstes optoelektronisches Bauelement

70 siebtes optoelektronisches Bauelement

100 erster Leiterrahmenabschnitt

101 Oberseite

102 Unterseite

110 erste Kontaktausnehmung

120 erste weitere Kontaktausnehmung

200 zweiter Leiterrahmenabschnitt

201 Oberseite

202 Unterseite

210 zweite Kontaktausnehmung

220 zweite weitere Kontaktausnehmung

300 Leiterrahmen

301 Beschichtung

310 Trägerfolie

400 optoelektronischer Halbleiterchip

401 Oberseite

402 Unterseite

410 erste elektrische Kontaktfläche

420 zweite elektrische Kontaktfläche

430 Bonddraht

500 Formkörper

501 Oberseite

502 Unterseite

510 Reflektor

600 Verbundkörper 601 Oberseite

602 Unterseite

610 erste Trennebene

611 erste Kante

620 zweite Trennebene

621 zweite Kante

700 Bauelementeanordnung

710 erste Lotverbindung

720 zweite Lotverbindung

730 Träger

800 wellenlängenkonvertierendes Element

810 optisches Element

820 Deckelement

900 Schutzchip

1300 Leiterrahmen

1400 optoelektronischer Halbleiterchip