Beschreibung

Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes

In verschiedenen Ausführungsformen werden ein

optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum

Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes

bereitgestellt .

Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis ,

beispielsweise organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED} , finden zunehmend verbreitete Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquelle .

Organische Leuchtdioden sind empfindliche elektronische Bauteile , welche nur in eine Richtung gepolt angeschlossen werden dürfen, Rückwärtsbetrieb ist meist nicht vorgesehen und kann zu einem dauerhaften Ausfall der OLED führen. Ebenso können Undefinierte elektrostatische Entladungen

(electrostatic discharge - ESD) die OLED belasten, wobei die elektrostatischen Entladungen zu Fehler im Betrieb der OLED oder zu einem Durschlagen des pn-Überganges mit irreversiblen Schäden führen können, beispielsweise die OLED schädigen und/oder zu einem dauerhaften Ausfall führen, beispielsweise bei elektrischen Kurzschlüssen (Shorts) .

Herkömmliche OLEDs werden in einem Ersatzschaltbild als eine Parallelschaltung eines nichtlinearen Widerstandes und einer Kapazität beschrieben (Fig.5) . Eine herkömmliche OLED kann auf einem Träger 502 eine Anode 506 und eine Kathode 508 mit einem organischen funktionellen Schichtensystem 506

dazwischen aufweisen. Das organische funktionelle

Schichtensystem 506 weist eine oder mehrere

Emitterschicht (en) auf, in der/denen elektromagnetische

Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichtenstruktur (en) aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schichten („Charge generating layer", CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehreren Elektronenblockadeschichte (n) , auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" - HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) („electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten.

Die OLED wird mittels elektrischer Anschlüsse 518 , 520 elektrisch kontaktiert . Zum Schutz vor schädlichen

Umwelteinflüssen kann die OLED mit einer bezüglich des schädlichen Umwelteinflusses hermetisch dichten Verkapselung umgeben werden. Die Verkapselung kann herkömmlich eine

Dünnfilmverka selung 510 , Barrierendünnschicht 510 ,

Barriereschicht , Verkapselungsschicht , Barrierefolie einem intrinsisch hermetisch dichtem Stoff oder Stoffgemisch oder ähnlichem, eine Abdeckung 512 und/oder eine

Kavitätsglasverkapselung (Cavity-Verkapselung) aufweisen.

Im nicht- leitenden Zustand weist die OLED eine Kapazität 516 auf . Im leitenden Zustand verschwindet die Kapazität 516 und eine Stromleitung erfolgt durch den nichtlinearen Widerstand 514 (veranschaulicht als Diode) . Der kapazitive Anteil ist hilfreich ESD-Belastungen abzupuffern. Allerdings verliert die OLED im Betrieb ihren kapazitiven Charakter, so dass die Empfindlichkeit gegenüber ESD-Belastungen im Betrieb steigt .

Um optoelektronische Bauelemente verarbeiten zu können, wird herkömmlich bei der Verarbeitung in einer ESD-freien Umgebung gearbeitet , was hohe Kosten für die Ausstattung der

Produktions1inien nach sich zieht . Die Aufrüstung von

Verarbeitungslinien zum Erzeugen einer ESD-freien Umgebung kommt aus Kostengründen für Verarbeiter optoelektronischer Bauelemente nur im Ausnahmefall in Betracht . Herkömmlich werden ESD-Belastungen mittels einer Schutzdiode abgepuf ert , wobei die Schutzdiode elektrisch antiparallel zu der OLED ausgebildet ist . Weiterhin werden organische Leuchtdioden mit den Treibern von anorganischen Leuchtdioden (Standard-LED-Treiber) betrieben. Der von Standard-LED-Treiber bereitgestellte Strom - auch bezeichnet als Ripplestrom oder pulsierender Gleichstrom weist einen Gleichstromanteil und einen WechselStromanteil auf . Der Wechselstromanteil kann als Stromripple bezeichnet werden. Standard-LED-Treiber sind aus Kostengründen meist nicht auf niedrige Stromripple optimiert , da dieser bei der hohen Lebensdauer von anorganischen LEDs von untergeordneter Bedeutung ist . Von Standard-LED-Treibern wird herkömmlich ein elektrischer Strom bereitgestellt , der einen für OLEDS hohen Stromripple aufweist , der die Lebensdauer der OLED reduziert . Speziell für OLEDs optimierte Treiber könnten den Stromripple reduzieren, was j edoch mit einer Erhöhung der Kosten

verbunden ist .

In verschiedenen Ausführungsformen werden ein

optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum

Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes

bereitgestellt , mit denen es möglich ist, mittels einer

Verlängerung der Lebenszeit und/oder einer kostengünstigeren Treiberstruktur effizientere optoelektronische Bauelemente auszubilden. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein

optoelektronisches Bauelement bereitgestellt , das

optoelektronische Bauelement aufweisend einen Schichtenstapel mit : einer optisch aktiven Struktur mit einer ersten

Elektrode ; einer organischen funktionellen Schichtenstruktur; und einer zweiten Elektrode ; wobei die organische

funktionelle Schichtenstruktur einen flächigen optisch aktiven Bereich aufweist, der zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen

Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist , und wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur

elektrisch zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode in dem Schichtenstapel ausgebildet ist ; und einer Kondensatorstruktur, mit wenigstens einem Kondensator mit : einer dritten Elektrode, einem Dielektrikum, und einer vierten Elektrode, wobei die dritte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die vierte

Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden sind derart , dass die

Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur ausgebildet ist . Eine elektrische Verbindung einer ersten elektrisch leitenden Schicht mit einer zweiten elektrisch leitenden Schicht kann direkt oder indirekt ausgebildet . Eine direkte Verbindung kann ausgebildet sein, indem die erste elektrisch leitende Schicht auf der zweiten elektrisch leitenden Schicht

ausgebildet ist und ein gemeinsame Grenzfläche aufweisen. Eine indirekte elektrische Verbindung kann auch als eine elektrische Kopplung bezeichnet werden, wobei die erste elektrisch leitende Schicht durch eine dritte elektrisch leitende Schicht mit der zweiten elektrisch leitenden Schicht elektrisch verbunden ist . Die erste elektrisch leitende

Schicht und die zweite elektrisch leitende Schicht können im Fall einer indirekten elektrischen Verbindung frei sein von gemeinsamen Grenzflächen. Beispielsweise können die erste Elektrode und die dritte Elektrode direkt miteinander

verbunden sein bzw. als eine gemeinsame Elektrode ausgebildet sein und die vierte Elektrode mit der zweiten Elektrode direkt oder indirekt elektrisch verbunden sein.

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein organisches optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein, beispielsweise als ein organischer Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode .

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als ein flächiges optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement derart ausgebildet sein, dass die Kondensatorstruktur

wenigstens transluzent bezüglich der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur ist .

In einer Ausgestaltung kann der Kondensator im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven

Struktur ausgebildet sein. Der Kondensator kann

beispielsweise wenigstens transluzent ausgebildet sein.

In einer Ausgestaltung können die optisch aktive Struktur und die Kondensatorstruktur monolithisch integriert ausgebildet sein. Mit anderen Worten: die optisch aktive Struktur und die Kondensatorstruktur bilden einen Schichtenstapel . Der

Schichtenstapel kann beispielsweise mit einer einzigen

Verkapselung verkapselt sein. Alternativ oder zusätzlich kann der Schichtenstapel ausgebildet sein, indem die

Kondensatorstruktur auf der Verkapselung und/oder dem Träger der optisch aktiven Struktur angeordnet oder ausgebildet ist . Alternativ oder zusätzlich kann der Schichtenstapel auf einem einzigen Substrat ausgebildet sein oder über einem

gemeinsamen Substrat angeordnet sein. Beispielsweise kann eine Kondensatorstruktur auf der optisch aktiven Struktur angeordnet sein, indem die Kondensatorstruktur auf oder über der optisch aktiven Struktur ausgebildet oder aufgeklebt ist .

In einer Ausgestaltung können die optisch aktive Struktur und die Kondensatorstruktur eine gemeinsame Elektrode aufweisen, beispielsweise als eine gemeinsame elektrisch leitende

Schicht ausgebildet sind.

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner eine Verkapselungsstruktur auf oder über dem

Schichtenstapel aufweisen, wobei die Verkapselungsstruktur derart ausgebildet ist , dass der Schichtenstapel bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet ist . In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner eine Verkapselungsstruktur auf oder über dem

Schichtenstapel aufweisen, wobei die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode als Teil der

Verkapselungsstruktur ausgebildet sind/ist, beispielsweise als Abdeckung oder Barriereschicht .

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner eine Verkapselungsstruktur zwischen der optisch aktiven Struktur und der Kondensatorstruktur aufweisen, wobei die Verkapselungsstruktur derart ausgebildet ist, dass die optisch aktive Struktur bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet ist . In einer Ausgestaltung kann das Dielektrikum als eine

Barriereschicht ausgebildet sein für die optisch aktive

Struktur bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff .

In einer Ausgestaltung kann das Dielektrikum einen geöffneten Bereich aufweisen, wobei die zweite Elektrode im geöffneten Bereich mit der vierten Elektrode elektrisch verbunden ist .

In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement ferner einen Träger und/oder ein hermetisch dichtes Substrat aufweisen, wobei die optisch aktive Struktur auf oder über dem Träger und/oder hermetisch dichtem Substrat ausgebildet ist und wobei die dritte Elektrode oder die vierte Elektrode als Träger und/oder hermetisch dichtes Substrat ausgebildet ist ; oder der Träger und/oder das hermetisch dichte Substrat diese aufweist .

In einer Ausgestaltung kann die Kondensatorstruktur zwei oder mehr Kondensatoren aufweisen. In einer Ausgestaltung kann die Kondensatorstruktur zwei oder mehr Plattenkondensatoren aufweisen. In einer Ausgestaltung können zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur einen Stapel von Kondensatoren

ausbilden. In einer Ausgestaltung können zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur nebeneinander ausgebildet sein.

In einer Ausgestaltung kann die Kondensatorstruktur einen zweiten Kondensator mit einer fünften Elektrode, einem zweiten Dielektrikum und einer sechsten Elektrode aufweisen, wobei die fünfte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die sechste Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden sind derart , dass der zweite Kondensator elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur ausgebildet ist .

In einer Ausgestaltung kann der zweite Kondensator elektrisch parallel zu dem ersten Kondensator ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann der zweite Kondensator elektrisch in Reihe zu dem ersten Kondensator ausgebildet sein.

In einer Ausgestaltung können der erste Kondensator und der zweite Kondensator eine gemeinsame Elektrode aufweisen, beispielsweise als eine gemeinsame elektrisch leitende

Schicht ausgebildet sind.

In einer Ausgestaltung kann die Kondensatorstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Kondensator und der zweite Kondensator eine ungefähr gleiche Kapazität aufweisen.

In einer Ausgestaltung kann die optisch aktive Struktur auf oder über dem ersten Kondensator und dem zweiten Kondensator ausgebildet sein.

In einer Ausgestaltung können der erste Kondensator und der zweite Kondensator auf oder über der optisch aktiven Struktur ausgebildet sein . In einer Ausgestaltung kann die optisch aktive Struktur zwischen dem ersten Kondensator und dem zweiten Kondensator ausgebildet sein.

In einer Ausgestaltung kann die dritte Elektrode, das

Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode wenigstens

transluzent ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann die Kondensatorstruktur

wenigstens transluzent ausgebildet sein.

In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes

bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Ausbilden eines

Schichtenstapel mit : einer optisch aktiven Struktur mit einer ersten Elektrode; einer organischen funktionellen

Schichtenstruktur ; und einer zweiten Elektrode; wobei die organische funktionelle Schichtenstruktur einen flächigen optisch aktiven Bereich aufweist , der zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische

Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer

e1ektromagnetischen Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet wird, und wobei die organische funktionelle

Schichtenstruktur elektrisch zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode in dem Schichtenstapel ausgebildet wird; und einer Kondensatorstruktur, mit wenigstens einem Kondensator mit : einer dritten Elektrode , einem Dielektrikum, und einer vierten Elektrode, wobei die dritte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die vierte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden ausgebildet wird derart , dass die Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur ausgebildet wird.

In verschiedenen Ausgestaltungen kann das Verfahren zum

Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes Merkmale des optoelektronischen Bauelementes ; und das optoelektronische Bauelement Merkmale des Verfahrens zum Herstellen eines

optoelektronischen Bauelementes aufweisen, soweit sie jeweils sinnvoll anwendbar sind. Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren

dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.

Es zeigen Figuren 1A-F schematische Darstellungen optoelektronischer

Bauelemente gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen;

Figur 2 eine schematische Darstellung eines

optoelektronischen Bauelementes gemäß

verschiedenen Ausführungsbeispielen;

Figur 3 ein schematisches Diagramm zu einem Verfahren

zum Herstellen eines optoelektronischen

Bauelementes gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen;

Figuren 4A-K schematische Darstellungen verschiedener

Ausführungsbeispiele des optoelektronischen Bauelementes ; und

Figur 5 eine schematische Darstellung eines

herkömmlichen optoelektronischen Bauelementes . In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische

Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird

Riehtungsterminologie wie etwa „oben" , „unten" , „vorne" , „hinten" , „vorderes" , „hinteres", usw. mit Bezug auf die

Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet . Da

Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschau1ichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erf indung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden könne , sofern nicht spezifisch anders angegeben . Die folgende aus ührliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der

Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert . Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe

"verbunden" , "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten ode indirekten Kopplung . In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist .

In verschiedenen Ausführungsformen werden optoelektronische Bauelemente beschrieben, wobei ein optoelektronisches

Bauelement eine optisch aktive Struktur aufweist . Die optisch aktive Struktur kann mittels einer angelegten Spannung an die optisch aktive Struktur elektromagnetische Strahlung

emittieren . In verschiedenen Ausführungsformen kann die elektromagnetische Strahlung einen Wellenlängenbereich aufweisen, der Röntgenstrahlung, UV-Strahlung (A-C) ,

sichtbares Licht und/oder Infrarot-Strahlung (A-C) aufweist .

Ein flächiges optoelektronisches Bauelement, welches zwei flächige , optisch aktive Seiten aufweist, kann in der

Verbindungsrichtung der optisch aktiven Seiten beispielsweise transparent oder transluzent ausgebildet sein, beispielsweise als eine transparente oder transluzente organische

Leuchtdiode . Ein flächiges optoelektronisches Bauelement kann auch als ein planes optoelektronisches Bauelement bezeichnet werden.

Das optoelektronische Bauelement kann jedoch auch eine flächige , optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktive Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode , die als ein sogenannter Top-Emitter oder Bottom- Emitter eingerichtet ist . Die optisch inaktive Seite kann in verschiedenen Aus ührungsbeispielen transparent oder

transluzent sein, oder mit einer Spiegelstruktur und/oder einem opaken Stoff oder Stoffgemisch versehen sein,

beispielsweise zur Wärmeverteilung . Der Strahlengang des optoelektronischen Bauelementes kann beispielsweise einseitig gerichtet sein.

Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von

elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Mit anderen Worten : ein Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung kann als ein Emittieren von elektromagnetischer Strahlung mittels eines elektrischen Stromes durch eine optisch aktive Struktur verstanden werden.

Eine optisch aktive Struktur, beispielsweise eine

elektromagnetische Strahlung emittierende Struktur, kann in verschiedenen Ausgestaltungen eine elektromagnetische

Strahlung emittierende Halbleiter- Struktur sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische e1ektro agnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische

Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein . Das e1ektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode , LED) , als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender

Transistor oder als organischer Licht emittierender

Transistor, beispielsweise ein organischer Feldeffekttransistor (organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik ausgebildet sein. Bei dem organischen Feldeffekt ransistor kann es sich um einen

sogenannten „all -OFET" handeln, bei dem alle Schichten organisch sind . Das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse . Ein optoelektronisches Bauelement kann ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle

Schichtenstruktur bezeichnet wird . Die organische

funktionelle Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsv/eise zum Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom eingerichtet ist . Eine organische Leuchtdiode kann als ein Top-Emitter oder ein Bottom-Emitter ausgebildet sein. Bei einem Bottom-Emitter wird Licht aus dem elektrisch aktiven Bereich durch den

Träger emittiert . Bei einem Top-Emitter wird Licht aus der Oberseite des elektrisch aktiven Bereiches emittiert und nicht durch den Träger .

Ein Top-Emitter und/oder Bottom-Emitter kann auch optisch transparent oder optisch transluzent ausgebildet sein, beispielsweise kann jede der nachfolgend beschriebenen

Schichten oder Strukturen transparent oder transluzent ausgebildet sein.

Unter den Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht^ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist ,

beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer

Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich des sichtbare Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Aus führungsbei spielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine

Struktur {beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte

Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann

Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist

(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des

Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur

(beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird . Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine hermetisch bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff dichte Schicht oder Struktur als eine im Wesentlichen bezüglich einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff durch diese Schicht oder Struktur undurchlässige Schicht oder Struktur verstanden werden.

Eine hermetisch dichte Schicht oder Struktur kann

beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder

-1 2

Sauerstoff von kleiner ungefähr 10 g/ (m d) aufweisen, eine hermetisch dichte Abdeckung und/oder ein hermetisch dichter Träger kann/können beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner ungefähr

- 4 2

10 g/ (m d) aufweisen, beispielsweise i einem Bereich von

_4 2 -10 2

ungefähr 10 g/ (m d) bis ungefähr 10 g/ (m d) ,

_ 2 beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 g/ (m d) bis ungefähr 10 g/ (m d) . In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein bezüglich Wasser hermetisch dichter Stoff oder ein hermetisch dichtes

Stoffgemisch eine Keramik, ein Metall und/oder ein Metalloxid aufweisen oder daraus gebildet sein.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist ein

optoelektronisches Bauelement 100 einen Schichtenstapel auf . Der Schichtenstapel weist eine optisch aktive Struktur 106 und eine Kondensatorstruktur 104 auf - veranschaulicht in

Fig.lA-F.

Die optisch aktive Struktur 106 kann wenigstens eine erste Elektrode 110 , eine organischen funktionellen

Schichtenstruktur 112 und eine zweite Elektrode 114

aufweisen . Das optoelektronische Bauelement kann eine

flächige optisch aktive Struktur aufweisen, beispielsweise mittels einer entsprechenden Ausgestaltung der organischen funktionellen Schichtenstruktur , die zu einem Umwandeln eines elektrischen Stromes in eine elektromagnetische Strahlung und/oder zu einem Umwandeln einer elektromagnetischen

Strahlung in einen elektrischen Strom ausgebildet ist . Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 ist elektrisch zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 in dem Schichtenstapel ausgebildet .

Die Kondensatorstruktur 104 weist wenigstens einen

Kondensator auf . Der Kondensator weist wenigstens eine dritte Elektrode, ein Dielektrikum, und eine vierte Elektrode auf . Die dritte Elektrode ist mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode , und die vierte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden derart, dass die Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur ausgebildet ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist der

Schichtenstapel auf oder über einem hermetisch dichten

Substrat 128 oder einem Träger 102 ausgebildet - beispielsweise veranschaulicht in Fig.1A-E . In anderen Ausführungsbeispielen kann wenigstens ein Teil der

Kondensatorstruktur 104 als Träger oder Substrat für die optisch aktive Struktur 106 ausgebildet sein - beispielsweise veranschaulicht in Fig.lF.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die optisch aktive Struktur 106 und die Kondensatorstruktur 104 auf unterschiedlichen Seiten des Trägers 102 bzw. des Substrates 128 ausgebildet - beispielsweise veranschaulicht in Fig. IB.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die

Kondensatorstruktur 104 bezüglich des Trägers 102 bzw. des Substrates 128 auf der optisch aktiven Struktur ausgebildet - Fig. IC. In anderen Ausführungsbeispielen ist die optisch aktive Struktur 106 bezüglich des Trägers 102 bzw. des

Substrates 128 auf der Kondensatorstruktur 104 ausgebildet - beispielsweise veranschaulicht in Fig. 1A.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die

Kondensatorstruktur 104 zwei oder mehr Kondensatoren 104 -n auf, wobei n eine ganze Zahl ist und den jeweiligen

Kondensator kennzeichnet. Beispielsweise kann das

optoelektronische Bauelement 100 einen ersten Kondensator 104-1 und einen zweiten Kondensator 104-2 aufweisen - beispielsweise veranschaulicht in Fig. ID. Beispielsweise kann die optisch aktive Struktur 106 auf oder über dem ersten Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2

ausgebildet sein, oder umgekehrt. In verschiedenen

Ausführungsbeispielen kann die optisch aktive Struktur 106 neben oder zwischen {vertikal und/oder horizontal) dem ersten Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2

ausgebildet sein - beispielsweise veranschaulicht in Fig. IE.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine

dielektrische Schicht der optisch aktiven Struktur 106 bzw. des optoelektronischen Bauelementes als Dielektrikum des wenigstens einen Kondensators ausgebildet sein,

beispielsweise die Barriereschicht 208 auf oder unter der optisch aktiven Struktur 106. Auf der der optisch aktiven Struktur 106 abgewandten Seite der dielektrischen Schicht kann eine weitere elektrisch leitende Schicht, beispielsweise eine Metallisierungsschicht ausgebildet sein, und diese elektrisch leitende Schicht mit einer der Elektroden 110 , 114 der optisch aktiven Struktur 106 elektrisch verbunden sein, beispielsweise kann eine Metallisierungsschicht auf oder über einer DünnfiImverkapselung der optisch aktiven Struktur 106 mit der ITO-Anode elektrisch verbunden sein. Dadurch kann eine Kapazität , die elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet ist , realisiert sein. Die Kapazität kann eine permanente Kapazität sein, dass heißt auch im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes vorhanden sein . Sie ist auch in Funktion, wenn das optoelektronische Bauelement selbst betrieben wird und im Wesentlichen frei von Kapazität ist . Bei einer elektrostatischen Entladung über den elektrischen Anschlüssen 412 , 414 (siehe auch Fig .4A-G) des optoelektronischen Bauelementes 100 kann die Kapazität der Kondensatorstruktur 104 elektrisch aufgeladen v/erden und sich im Nachgang zu der elektrostatischen Entladung wieder über eine der Elektroden des optoelektronischen Bauelementes 100 entladen. Dadurch kann verhindert werden dass das

optoelektronische Bauelement 100 selbst direkt elektrisch belastet wird, beispielsweise durch einen hohen Spannungspuls einer elektrostatischen Entladung .

Weiterhin kann die Kondensatorstruktur 104 als elektrisch parallel zum optoelektronischen Bauelement 100 geschaltete niederohmige Impedanz für Pulse hoher Frequenz wirken, beispielsweise können elektrostatische Entladungsströme sehr schnell aber kurz sein, das heißt eine hohe Frequenz

aufweisen. Wird eine elektrostatische Entladung als

hochfrequenter kurzzeitiger Strom über das optoelektronische Bauelement 100 getrieben, so kann an der Impedanz des optoelektronischen Bauelementes 100 herkömmlich eine

kurzzeitige hohe Spannung bzw. ein hohes elektrisches Feld anliegen. Dieses elektrische Feld kann das optoelektronische Bauelement 100 irreversibel schädigen . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann mittels der Kondensatorstruktur 104 die GesamtImpedanz für hohe Frequenzen reduziert werden, so dass im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes 100 derselbe elektrostatische Entladungsstrom einen geringeren Spannungsabfall über die optisch aktive Struktur 106 bewirkt und somit ein geringeres elektrisches Feld in der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet wird. Die Belastung der optisch aktiven Struktur 106 kann dadurch verringert werden, da die Kapazität der Kondensatorstruktur 104 bezüglich der Kapazität der optisch aktiven Struktur 106 auch im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes 100 vorliegt. Die

Kondensatorstruktur 104 kann somit auch einen niederohmigen parallelen Strompfad für einen hochfrequenten Ripplestrom ausbilden, wobei der hochfrequente Rippeistrom beispielsweise durch einen LED-Treiber in das optoelektronische Bauelement 100 eingeprägt wird. Ein Rippeistrom ist dabei ein in der Zuleitung des optoelektronischen Bauelementes 100 fließender Mischstrom aus reinem Gleichstrom und überlagertem

hochfrequentem Wechselstrom (Ripple) . Der Rippeistrom kann sich in dem optoelektronischen Bauelement 100 auf die optisch aktive Struktur 106 und die Kondensatorstruktur 104

aufteilen. Über einen Kondensator kann herkömmlich kein

Gleichstrom fließen, so dass der Gleichstrom-Anteil des

Rippelstromes allein durch die optisch aktive Struktur 106 fließen kann. Der hochfrequente Wechselstrom-Anteil kann sich auf die optisch aktive Struktur 106 und die

Kondensatorstruktur 104 aufteilen. Der Wechselstrom-Anteil kann bei entsprechend hoher Kapazität der Kondensatorstruktur 104 einen deutlich niederohmigeren Strompfad vorfinden als durch die optisch aktive Struktur 106. Somit wird die optisch aktive Struktur 106 des optoelektronischen Bauelementes 100 mit einem geringeren Anteil an hochfrequenten Wechselstrom belastet als bei einem, optoelektronischen Bauelement 100 ohne Kondensatorstruktur 104.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Kondensatorstruktur 104 eine elektrische Verbindung der

Metallisierungsschicht zu einer der Elektroden in der optisch aktiven Struktur 106 aufweisen, beispielsweise zu der

Elektrode mit der größeren elektrischen Leitfähigkeit . Eine höhere Gesamtkapazität der Kondensatorstruktur 104 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen mittels geeigneter

Isoliermaterialien, beispielsweise hoher relativer

Permittivität , oder dünneren Isolierschichten - das heißt einem geringen Abstand zwischen den Elektroden des

Kondensators der Kondensatorstruktur 104 , erreicht werden . In verschiedenen Ausführungsbeispielen können mehrere Stapel von Dielektrika und elektrisch leitenden Schichten in der Kondensatorstruktur 104 übereinander gestapelt ausgebildet sein und mittels geeigneter Schaltungen elektrisch parallel geschaltet sein bezüglich der optisch aktiven Struktur 106. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine

dielektrische Schicht eines herkömmlichen optoelektronischen Bauelementes 100 als Dielektrikum der Kondensatorstruktur 104 verwendet werden . Weiterhin kann bei einem optoelektronischen Bauelement mit Metallsubstrat das Metall des Substrates als eine der Elektroden der Kondensatorstruktur 104 ausgebildet sein . Mit anderen Worten: bei optoelektronischen Bauelementen 100 auf MetallsubStraten, beispielsweise auch flexible optoelektronischen Bauelemente 100 , beispielsweise flexible organische Leuchtdioden 100 , kann die Funktion der

Metallisierungsschicht , beispielsweise auch mittels des Metallsubstrates realisiert werden.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist eine

optoelektronische BauelementeVorrichtung das

optoelektronische Bauelement 100 und ein elektrisches

Vorschaltgerät (EVG) auf , wobei das elektrische

Vorschaltgerät zum Steuern oder Regeln des Betriebsstromes des optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet ist und mit diesem elektrisch verbunden ist . Die Kondensatorstruktur 104 des optoelektronischen Bauelementes 100 kann auch den üblicherweise bei einem elektrischen Standard-Vorschaltgerat vorhandenen hohen Stromrippel , beispielsweise in einem

Bereich von ungef hr 30 % bis ungefähr 50 %, beispielsweise bezüglich der Stromstärke des Gleichstromanteils, glätten. Innerhalb des optoelektronischen Bauelementes 100 kann der Stromrippel somit an der optisch aktiven Struktur 106

vorbeigeleitet werden. Dadurch kann eine

Lebensdauerverbesserung des optoelektronischen Bauelementes 100 erreicht werden.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das

optoelektronische Bauelement 100 als ein organisches

optoelektronisches Bauelement ausgebildet sein,

beispielsweise als ein organischer Fotodetektor , eine

organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode . Das optoelektronische Bauelement 100 kann als ein flächiges optoelektronisches Bauelement 100 ausgebildet sein. Das optoelektronische Bauelement 100 kann derart ausgebildet sein, dass die Kondensatorstruktur 104 wenigstens transluzent bezüglich der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet ist . In verschiedenen

Ausführungsbeispielen kann der wenigstens eine Kondensator der Kondensatorstruktur 104 im Strahlengang der

elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet sein .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch aktive Struktur 106 und die Kondensatorstruktur 104

monolithisch integriert ausgebildet sein. Die optisch aktive Struktur 106 und die Kondensatorstruktur 104 können eine gemeinsame Elektrode aufweisen, beispielsweise als eine gemeinsame elektrisch leitende Schicht ausgebildet sein.

In verschiedenen Ausführungsbeis ielen kann das

optoelektronische Bauelement 100 ferner eine

Verkapselungsstruktur 226 (veranschaulicht in Fig . 2 ) auf oder über dem Schichtenstapel aufweisen, die derart ausgebildet ist , dass der Schichtenstapel bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet ist . In verschiedenen

Ausführungsbeispielen kann das optoelektronische Bauelement 100 ferner eine Verkapselungsstruktur 226 auf oder über dem Schichtenstapel aufweisen, wobei die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode als Teil der

Verkapselungsstruktur ausgebildet sind/ist , beispielsweise als ^ Abdeckung 224 oder Barriereschicht 208 - veranschaulicht in

Fig.2. I verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das

optoelektronische Bauelement 100 ferner eine

Verkapselungsstruktur 226 zwischen der optisch aktiven Struktur 106 und der Kondensatorstruktur 104 aufweisen, die derart _iQ ausgebildet ist , dass die optisch aktive Struktur 106 bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Dielektrikum des wenigstens einen Kondensators und/oder das Dielektrikum der Kondensatorstruktur 104 als eine Barriereschicht ausgebildet

^ sein für die optisch aktive Struktur 106 bezüglich einer

Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff in die optisch ak ive Struktur . Mit anderen Worten : ein Dielektrikum der

Kondensatorstruktur kann als eine hermetisch dichte Schicht bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff für die optisch aktive S ruktur ausgebildet sein.

20

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das

optoelektronische Bauelement 100 ferner einen Träger 102 und/oder ein hermetisch dichtes Substrat 128 aufweisen, wobei 25 die dritte Elektrode oder die vierte Elektrode der

Kondensato struktur als Träger ausgebildet ist ,

beispielsweise aus einem elektrisch leitenden Material , siehe auch Ausgestaltungen in der Beschreibung der Fig .2

30 In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Kondensatorstruktur 104 zwei oder mehr Kondensatoren

aufweisen, beispielsweise zwei oder mehr

Plattenkondensatoren. Zwei oder mehr Kondensatoren der

Kondensatorstruktur 104 können als ein Stapel von

35 Kondensatoren ausgebildet sein . Die zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 können alternativ nebeneinander ausgebildet sein.

Die Kondensatorstruktur 104 weist wenigstens einen (ersten) Kondensator 104-1 auf. Der Kondensator 104-1 weist wenigstens eine dritte Elektrode, ein Dielektrikum, und eine vierte Elektrode auf . Die dritte Elektrode ist mit der ersten

Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die vierte

Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden derart , dass die Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur

ausgebildet ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Kondensatorstruktur 104 einen zweiten Kondensator 104-2 mit einer fünften Elektrode, einem zweiten Dielektrikum und einer sechsten Elektrode aufweisen, wobei die fünfte

Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten

Elektrode, und die sechste Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden sind derart , dass die Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur ausgebildet ist . Der zweite

Kondensator 104-2 kann elektrisch parallel oder elektrisch in Reihe zu dem ersten Kondensator 104-1 ausgebildet sein . Der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator können eine gemeinsame Schicht aufweisen oder mittels wenigstens einer Zwischenschicht oder einem Schichtenstapel ,

beispielsweise der optisch aktiven Struktur 106 , in einem

Abstand voneinander ausgebildet sein . Der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 können beispielsweise eine gemeinsame Elektrode aufweisen . Die gemeinsame Elektrode kann beispielsweise als eine gemeinsame elektrisch leitende

Schicht ausgebildet sein. In einem Ausführungsbeispielen kann die Kondensatorstruktur derart ausgebildet sein, dass der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 eine ungefähr gleiche Kapazität aufweisen .

In einem Ausführungsbeispiel ist die optisch aktive Struktur 106 auf oder über dem ersten Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2 ausgebildet . In einem anderen Ausführungsbeispielerl sind der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 auf oder über der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet . In einem weiteren

Ausführungsbeispielen ist die optisch aktive Struktur 106 zwischen und/oder neben dem ersten Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2 ausgebildet, beispielsweise in einer Ebene .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die dritte Elektrode , das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode wenigstens transluzent ausgebildet sein.

Fig .2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen.

Das optoelektronische Bauelement 100 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein hermetisch dichtes Substrat 128 , eine optisch aktive Struktur 106 und eine

Verkapselungsstruktur 226 aufweisen.

Das hermetisch dichte Substrat 128 kann einen Träger 102 und eine erste Barriereschiebt 204 aufweisen . In einem

Ausführungsbeispiel kann der Träger 102 hermetisch dicht sein, beispielsweise ein Metall , Glass und/oder eine Keramik aufweisen, beispielsweise in Form eines Metallbleches . Ein hermetisch dichter Träger 102 kann somit ein hermetisch dichtes Substrat 128 sein und frei sein von erster

Barriereschicht 204.

Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten und eine, zwei oder mehr Zwischenschichtstruktur (en) zwischen den Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen . Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann beispielsweise eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 , eine Zwischenschichtstruktur 218 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 aufweisen. Die Verkapselungsstruktur 226 kann eine zweite

Barriereschicht 208, eine schlüssige VerbindungsSchicht 222 und eine Abdeckung 224 aufweisen.

Der Träger 102 kann Glas, Quarz, und/oder ein

Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein.

Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff

Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat ( PET) ,

Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein.

Der Träger 102 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metallverbindung, beispielsweise Stahl.

Der Träger 102 kann opak, transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.

Der Träger 102 kann ein Teil einer Spiegelstruktur sein oder diese bilden.

Der Träger 102 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein, beispielsweise als eine Folie .

Der Träger 102 kann als Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der emittierten oder

absorbierten elektromagnetischen Strahlung des

optoelektronischen Bauelementes 100. Die erste Barriereschicht 204 kann eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:

Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,

Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,

Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,

Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p- phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und

Legierungen derselben . Die erste BarriereSchicht 204 kann mittels eines der

folgenden Verfahren ausgebildet werden : ein

Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) , beispielsweise eines plasmaunterstützten

Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder ein plasmaloses

Atomlageabscheideverfahren ( Plasma- less Atomic Layer

Deposition ( PLALD) } ; ein chemisches

Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor Deposition

(CVD) ) , beispielsweise ein plasmaunterstütztes

Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ( PECVD) ) oder ein plasmaloses

Gasphasenabscheideverfahren (Plasma-less Chemical Vapor

Deposition ( PLCVD) ) ; oder alternativ mittels anderer

geeigneter Abscheideverfahren .

Bei einer ersten Barriereschicht 204 , die mehrere

Teilschichten aufweist , können alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge , die nur ALD-Schichten aufweist , kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.

Bei einer ersten Barriereschicht 204 , die mehrere

Teilschichten aufweist, können eine oder mehrere

Teilschichten der ersten Barriereschicht 204 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem

Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,

beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens . Die erste Barriereschicht 204 kann eine Schichtdicke von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm

aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung ,

beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung.

Die erste Barriereschicht 204 kann ein oder mehrere

hochbrechende Materialien auf eisen, beispielsweise ein oder mehrere Material (ien) mit einem hohen Brechungsinde , beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.

Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen

Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine erste

Barriereschicht 204 verzichtet werden kann, beispielsweise für den Fall , dass der Träger 102 hermetisch dicht

ausgebildet ist, beispielsweise Glas , Metall , Metalloxid aufweist oder daraus gebildet ist .

Die erste Elektrode 204 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein.

Die erste Elektrode 110 kann eines der folgenden elektrisch leitfähigen Material aufweisen oder daraus gebildet werden : ein Metall ; ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) ; ein Netzwerk aus metallischen

Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, die beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind; ein Netzwerk aus Kohlenstoff -Nancröhren, die

beispielsweise mit leitfähigen Polymeren kombiniert sind ; Graphen-Teilchen und -Schichten; ein Netzwerk aus

halbleitenden Nanodrähten; ein elektrisch leitf higes Polymer ; ein Übergangsmetalloxid; und/oder deren

Komposita . Die erste Elektrode 110 aus einem Metall oder ein Metall aufweisend kann eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Ag, Pt , Au, Mg, AI , Ba, In, Ca, Sm oder Li , sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. Die erste Elektrode 110 kann als transparentes leitfähiges Oxid eines der folgenden Materialien aufweisen: beispielsweise Metalloxide:

beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären

Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise EnO, Sn02 , oder Ι ^η 213 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, beispielsweise AlZnO, n2Sn04 , CdSnOs , ZnSn03 , MgIn2Ü4 ,

Galn03 , Ζη2ΐη2θ5 oder In4Sn30]_2 oder Mischungen

unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen

Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Weiterhin

entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein, bzw. lochleitend (p-TCO) oder elektronenlei end {n-TCO) sein.

Die erste Elektrode 110 kann eine Schicht oder einen

Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Materials oder unterschiedlicher Materialien aufweisen. Die erste Elektrode 110 kann gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine

Silberschicht, die auf einer Indium- Zinn-Oxid-Schicht { ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten . Die erste Elektrode 204 kann beispielsweise eine Schichtdicke auf eisen in einem Bereich von 10 nm bis 500 nm,

beispielsweise von kleiner 25 nm bis 250 nm, beispielsweise von 50 nm bis 100 nm. Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen

Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist . Das erste elektrische Potential kann von einer Energiequelle bereitgestellt werden, beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle . Alternativ kann das erste elektrische Potential an einen elektrisch leitfähigen Träger 102 angelegt sein und die erste Elektrode 110 durch den Träger 102 mittelbar elektrisch zugeführt sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.

In Fig .2 ist ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 216 und einer zweite organischen funktionellen

Schichtenstruktur-Einheit 220 dargestellt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle

Schichtenstruktur 112 aber auch mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3 , 4, 5 , 6, 7 , 8, 9 , 10 , oder sogar mehr, beispielsweise 15 oder mehr, beispielsweise 70.

Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 und die optional weiteren organischen funktionellen

Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder

unterschiedliches Emittermaterial aufweisen. Die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 , oder die weiteren organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten können wie eine der nachfolgend beschriebenen

Ausgestaltungen der ersten organischen unktionellen

Schichtenstruktur-Einheit 216 ausgebildet sein. Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine Lochinj ektionsschicht , eine

Lochtransportschicht , eine Emitterschicht , eine

Elektronentransportschicht und eine

Elektroneninj ektionsschicht aufweisen .

In einer organischen funktionellen Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander ausgebildet sein können . Einzelne Schichten der genannten Schichten können optional sein . Eine Lochinjektionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein. Die Lochinjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoO _x , W0 _X , VO _x , ReO _x , F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III)pFBz, F16CuPC; NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB N, N ' -Bis (naphthalen-2 -y1 ) -N, ¹ -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD ( , N ¹ -Bis ( 3 -methylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (Ν,Ν' -Bis (3 -methylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ;

Spiro-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen- 1 -yl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -spiro) ; DMFL-TPD Ν,Ν' -Bis ( -methylphenyl ) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9,9- dimethyl-fluoren) DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9 , 9-dimethyl-fluoren) ; DPFL-TPD (N, ' -Bis (3- methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9-diphenyl-fluoren) ; DPFL-

NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, -diphenyl- fluoren) ; Spiro-TAD (2,2' ,7,7' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9 , ¹ -spirobifluoren) 9,9-Bis[4-(N, N-bis-biphenyl-4-yl- amino) phenyl] - 9H- fluoren; 9 , 9-Bis [4 - (N, -bis-naphthalen-2 -yl- amino) phenyl] - 9H- fluoren; 9,9-Bis[4-(N,N' -bis-naphthalen-2 - yl-N, ' -bis-phenyl-amino) -phenyl] -9H~fluor;

N, ' -bis (phenanthren- 9-yl) - , N ' -bis (phenyl) -benzidin;

2, 7-Bis [N, N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2 -yl) -amino] - 9 , 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl-4-yl) amino] 9, 9-spiro- bifluoren; 2,2' -Bis (N, N-di-phenyl-amino) 9 , 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan;

2,2' ,7,7' - tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluoren;

und/oder N, Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin.. Die Lochinj ektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 30 nm bis ungef hr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm.

Auf oder über der Lochinj ektionsschicht kann eine

LochtransportSchicht ausgebildet sein. Die Lochtransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NPB (Ν,Ν' - Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; beta-NPB

N, ' -Bis ( naphthalen- 2 -yl ) -N, ' -bis (phenyl) -benzidin) ; TPD (Ν,Ν' -Bis (3 -methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -benzidin) ; Spiro TPD (N, N ' -Bis ( 3 -methylphenyl ) -N, N' -bis (phenyl) -benzidin) ;

Spiro-NPB (N, ' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -Spiro) ; DMFL-TPD N, N' -Bis ( 3 -methylpheny1 ) -N, ' -bis (phenyl) -9, 9- dimethyl-fluoren) ; DMFL-NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl) -Ν,Ν' - bis (phenyl) -9, 9 -dimethyl - fluoren) ; DPFL-TPD (N, ' -Bis (3 - methylphenyl) -Ν,Ν' -bis (phenyl) -9, 9 -diphenyl - fluoren) ; DPFL- NPB (Ν,Ν' -Bis (naphthalen-l-yl ) -N, N ¹ -bis (phenyl) -9, 9 -diphenyl - fluoren) ; Spiro-TAD (2 , 2 ' , 7 , 7 ' -Tetrakis (n, n-diphenylamino) - 9,9 ' -spirobifluoren) ; , 9-Bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4 -yl- amino) henyl] -9H-fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, -bis -naphthalen- 2 -yl- amino) phenyl] - 9H- fluoren; 9, 9-Bis [4- (N, N' -bis-naphthalen-2 - yl-N, ' -bis -phenyl -amino) -phenyl] -9H-fluor;

N, N ' -bis (phenanthren- 9 -yl ) -N, ¹ -bis (phenyl) -benzidin; 2,7- Bis [N, N-bis (9, 9-spiro-bifluorene-2-yl) -amino] -9 , 9-spiro- bif luoren; 2,2' -Bis [N, -bis (biphenyl-4-yl) amino] , 9-spiro- bif luoren; 2,2' -Bis (N, N-di -phenyl -amino) , 9-spiro-bifluoren; Di- [4- (N, -ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexan; 2,2' ,7,7'- tetra (N, N-di- tolyl) amino- spiro-bifluoren und N,

Ν,Ν' ,Ν' -tetra-naphthalen-2-yl-benzidin, ein tertiäres Amin, ein Carbazolderivat , ein leitendes Polyanilin und/oder

Polyethylendioxythiophen .

Die Lochtransportschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungef hr 50 nm,

beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungef hr 20 nm.

Auf oder über der Lochtransportschicht kann eine

Emitterschicht ausgebildet sein . Jede der organischen

funk ionellen Schichtenstruktur- Einheiten 216 , 220 kann jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder

phosphoreszierenden Emittern. Eine Emitterschicht kann organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules" } oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein.

Das optoelektronische Bauelement 100 kann in einer

Emitterschicht eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: organische oder

organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (beispielsweise 2 - oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe , beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-difluoro-2- ( 2 -pyridyl ) phenyl - (2- carboxypyridyl ) - iridium III) , grün phosphoreszierendes

Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenyipyridin) iridium III) , rot

phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [ 4 , ' -di-tert- butyl- (2,2' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA

(9, 10-Bis [ ,N-di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot

fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpoly ere Emitter . Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können

Polymeremitter eingesetzt v/erden, welche beispielsweise mittels eines nasschemischen Verfahrens abscheidbar sind, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Emitterschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm . Die Emitterschicht kann einfarbig oder verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen. Alternativ kann die

Emitterschicht mehrere Teilschichten aufweisen, die Licht unterschiedlicher Farbe emittieren. Mittels eines Mischens der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren . Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine SekundärStrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primä Strahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt .

Die organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216 kann eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist/ sind. Weiterhin kann die organische funktionelle Schichtenstruktur- Einheit 216 eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist/sind .

Auf oder über der Emitterschicht kann eine

Elektronentransportschicht ausgebildet sein, beispielsweise abgeschieden sein .

Die Elektronentransportschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NET- 18; 2,2' , 2 " -(1,3 , 5 -Benzinetriyl ) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2- ( -Biphenylyl) -5- (4 -tert-butylphenyl) - 1 , 3 , 4-oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl-4 , 7 -diphenyl- 1 , 10- phenanthroline (BCP) ; 8 -Hydroxyquinolinolato- lithium, 4- (Naphthalen- 1 -yl ) -3 , 5 -diphenyl - H- 1 , 2 , 4 -triazole ; 1, 3 -Bis [2- (2,2' -bipyridine-6-yl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 4,7- Diphenyl-1 , 10- henanthroline (BPhen) ; 3 - (4 -Biphenylyl) -4 - pheny1- 5 -tert-butylphenyl - 1 , 2, 4-triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1, 3, 4 -oxadiazo-2 -yl] -2,2 ¹ -bipyridyl ; 2- phenyl-9, 10-di {naphthalen- 2 -yl ) -anthracene; 2, 7-Bis [2- (2,2'- bipyridine- 6 -yl ) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] -9, 9-dimethylfluorene ; 1, 3 -Bis [2- (4 -1ert-butyIpheny1 ) -1,3, -oxadiazo- 5 -yl] benzene; 2- (naphthalen- 2 -yl) -4 , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline; 2,9- Bis (naphthalen-2-yl) - , 7-diphenyl-l, 10-phenanthroline;

Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl ) borane ; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen-2-yl) henyl) -lH-imidazo [4 , 5- f] [1 , 10] phenanthrolin,· Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;

Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;

Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer

Silacyclopentadieneinheit . Die Elektronentransportschicht kann eine Schichtdicke

aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr

50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm. Auf oder über der Elektronentransportschicht kann eine

Elektroneninjektionsschicht ausgebildet sein. Die

Elektroneninjektionsschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, MgAg, Cs ₂ C0 ₃ , CS3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs , Li, LiF; 2 , 2 ',2" -(1,3, 5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-l-H- benzimidazole) ; 2- (4 -Biphenylyl) -5- (4 - tert -butylphenyl ) - 1 , 3 , 4-oxadiazole, 2 , 9-Dimethyl-4 , 7-diphenyl-l , 10- phenanthroline (BCP) ; 8 -Hydroxyquinolinolato- 1ithium, 4- (Naphthalen-l-yl) -3 , 5-diphenyl-4H-l, 2, 4-triazole; 1, 3-Bis [ 2 - (2,2' -bipyridine-6-yl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene ; 4,7- Diphenyl-1, 10-phenanthroline (BPhen) ; 3- (4 -Biphenylyl) -4- phenyl- 5 - tert -butylphenyl - 1 , 2, -triazole; Bis (2-methyl-8- quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminium; 6,6' -Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4 -oxadiazo- 2 -yl] -2,2' -bipyridyl ; 2- phenyl- 9, 10-di (naphthalen- 2-yl) -anthracene; 2, 7-Bis [2- (2, 2 ' - bipyridine-6-yl) -1,3, 4 -oxadiazo-5 -yl] -9, 9-dimethylfluorene ; 1 , 3-Bis [2- ( -tert-butylphenyl) -1,3, 4 -oxadiazo- 5 -yl] benzene 2- (naphthalen-2 -yl) -4 , 7-diphenyl-l , 10 -phenanthroline ; 2,9- Bis (naphthalen-2 -yl) -4 , 7-diphenyl-l, 10 -phenanthroline ;

Tris (2,4, 6-trimethyl-3- (pyridin-3 -yl) henyl) orane ; 1-methyl- 2- (4- (naphthalen-2 -yl) henyl) -lH-imidazo [ , 5- f] [1, 10] phenanthroline; Phenyl-dipyrenylphosphine oxide;

Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ;

Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide ; und Stoffen basierend auf Silolen mit einer

Silacyclopentadieneinheit .

Die Elektroneninjektionsschicht kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm .

Bei einer organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 mit zwei oder mehr organischen funktionellen Schichtenstruktur- Einheiten 216 , 220 , kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 220 über oder neben der ersten funktionellen Schichtenstruktur-Einheiten 216 ausgebildet sein. Elektrisch zwischen den organischen funktionellen

Schichtenstruktur-Einheiten 216 , 220 kann eine

Zwischenschichtstruktur 218 ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Zwischenschichtstruktur 218 als eine Zwischenelektrode 218 ausgebildet sein, beispielsweise gemäß einer der

Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110. Eine

Zwischene1ektrode 218 kann mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden sein. Die externe Spannungsquelle kann an der Zwischenelektrode 218 beispielsweise ein drittes elektrisches Potential bereitstellen . Die Zwischenelektrode 218 kann jedoch auch keinen externen elektrischen Anschluss aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenelektrode ein schwebendes elektrisches Potential aufweist .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Zwischenschichtstruktur 218 als eine Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schichtenstruktur 218 ( Charge generation layer CGL) ausgebildet sein . Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schichtenstruktur 218 kann eine oder mehrere

elektronenleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht (en) und eine oder mehrere lochleitende Ladungsträgerpaar- Erzeugung-Schicht (en) aufweisen. Die elektronenleitende

Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (en) können jeweils aus einem intrinsisch leitenden Stoff oder einem Dotierstoff in einer Matrix gebildet sein. Die Ladungs rägerpaar- Erzeugung- Schichtenstruktur 218 sollte hinsichtlich der Energieniveaus der elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung- Schicht (en) und der lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht (en) derart ausgebildet sein, dass an der Grenzfläche einer elektronenleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht mit einer lochleitenden Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schicht ein Trennung von Elektron und Loch erfolgen kann. Die Ladungsträgerpaar- Erzeugung- Schichtenstruktur 218 kann ferner zwischen benachbarten Schichten eine

Diffusionsbarriere aufweisen.

Jede organische funktionelle Schichtenstruktur-Einheit 216, 220 kann beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 3 μχα, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μιη, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm.

Das optoelektronische Bauelement 100 kann optional weitere organische funktionalen Schichten aufweisen, beispielsweise angeordnet auf oder über der einen oder mehreren

Emitterschichten oder auf oder über der oder den

Elektronentransportschicht (en) . Die weiteren organischen funktionalen Schichten können beispielsweise interne oder extern Einkoppel - /Auskoppelstrukturen sein, die die

Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 100 weiter verbessern. Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren der organischen funktionellen

Schichtenstruktur und/oder organisch funktionalen Schichten kann die zweite Elektrode 114 ausgebildet sein.

Die zweite Elektrode 114 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die zweite Elektrode 114 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine

elektroneninj izierende Elektrode .

Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen

Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches

Potential anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann von der gleichen oder einer anderen Energiequelle

bereitgestellt werden wie das erste elektrische Potential und/oder das optionale dritte elektrische Potential. Das zweite elektrische Potential kann unterschiedlich zu dem ersten elektrischen Potential und/oder dem optional dritten elektrischen Potential sein. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V.

Auf der zweiten Elektrode 114 kann die zweite Barriereschicht 208 ausgebildet sein.

Die zweite Barriereschicht 208 kann auch als

Dünnschichtverkapselung (thin film encapsulation TEE) bezeichnet werden. Die zweite Barriereschicht 208 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Barriereschicht 204 ausgebildet sein. Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen

Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine zweite

Barriereschicht 208 verzichtet werden kann. In solch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement 100 beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine zweite Barriereschicht 208 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung 224 , beispielsweise eine

Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung .

Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen

zusätzlich noch eine oder mehrere Ein- /Auskoppelschichten in dem optoelektronischen Bauelementes 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger 102 (nicht dargestellt) oder eine interne

Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 100. Die Ein- /Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt

Streuzentren auf eisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein- /Auskoppelschicht größer ist als der mittlere

Brechungsindex der Schicht , aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere

Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der zweiten Barriereschicht 208) in dem optoelektronischen

Bauelement 100 vorgesehen sein .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der zweiten Barriereschicht 208 eine schlüssige

Verbindungsschicht 222 vorgesehen sein, beispielsweise aus einem Klebstoff oder einem Lack . Mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 222 kann eine Abdeckung 224 auf der zweiten Barriereschicht 208 schlüssig verbunden werden, beispielsweise aufgeklebt sein.

Eine schlüssige Verbindungsschicht 222 aus einem

transparenten Material kann beispielsweise Partikel

aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Dadurch kann die schlüssige Verbindungsschicht 222 als Streuschicht wirken und zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der

Auskoppeleffizienz führen.

Als lichtstreuende Partikel können dielektrische

Streupartikel vorgesehen sein, beispielsweise aus einem

Metalloxid, beispielsweise Siliziumoxid (S1O2) , Zinkoxid ( nO) , Zirkoniumoxid {Zr02 ) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga20 _x ) Aluminiumoxid , oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der schlüssigen Verbindungsschicht 222 verschieden ist , beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugeln . Ferner können beispielsweise metallische

Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber , Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein .

Die schlüssige Verbindungsschicht 222 kann eine Schichtdicke von größer als 1 μν aufweisen, beispielsweise eine

Schichtdicke von mehreren μχη. In verschiedenen

Ausführungsbeispielen kann die schlüssige Verbindungsschicht 222 einen Laminations- Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein .

Die schlüssige Verbindungsschicht 222 kann derart

eingerichtet sein, dass sie einen Klebstoff mit einem

Brechungsindex aufweist , der kleiner ist als der

Brechungs index der Abdeckung 224. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebsto f sein wie beispielsweise ein Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1 , 3 aufweist. Der Klebstoff kann j edoch auch ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise

hochbrechende , nichtstreuende Partikel aufweist und einen schichtdickengemittelten Brechungsindex aufweist, der

ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch

funktionellen Schichtenstruktur 112 entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr i _. ,7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der schlüssigen Verbindungsschicht 222 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht

dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 μχ , beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μτα, um elektrisch instabile Materialien zu

schützen, beispielsweise während eines nasschemischen

Prozesses .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine schlüssige Verbindungsschicht 222 optional sein, beispielsweise falls die Abdeckung 224 direkt auf der zweiten Barriereschicht 208 ausgebildet wird, beispielsweise eine Abdeckung 224 aus Glas , die mittels Plasmaspritzens ausgebildet wird .

Auf oder über der elektrisch aktiven Struktur 106 kann ferner eine sogenannte Getter-Schicht oder Getter-Struktur,

beispielsweise eine lateral strukturierte Getter-Schicht , angeordnet sein {nicht dargestellt) .

Auf oder über der schlüssigen Verbindungsschicht 222 kann eine Abdeckung 224 ausgebildet sein. Die Abdeckung 224 kann mittels der schlüssigen Verbindungsschicht 222 mit der elektrisch aktiven Struktur 106 schlüssig verbunden sein und diesen vor schädlichen Stoffen schützen. Die Abdeckung 224 kann beispielsweise eine Glasabdeckung 224 , eine

Metallfolienabdeckung 224 oder eine abgedichtete

Kunststofffolien-Abdeckung 224 sein. Die Glasabdeckung 224 kann beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl . glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömml ichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der zweite Barriereschicht 208 bzw. der elektrisch aktiven Struktur 106 schlüssig verbunden werden.

Die Abdeckung 224 und/oder die schlüssige VerbindungsSchicht 222 können einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes 100 ein Ausbilden eines Schichtenstapels auf. Das Ausbilden des Schichtenstapels weist ein Ausbilden 302 einer optisch aktiven Struktur 106 und ein Ausbilden 304 einer

Kondensatorstruktur 104 auf - veranschaulicht in Fig.3. Die optisch aktive Struktur kann mit wenigstens einer ersten Elektrode 110, einer organischen funktionellen

Schichtenstruktur 112 und einer zweiten Elektrode 114 ausgebildet werden. Die organische funktionelle

Schichtenstruktur 112 kann flächig ausgebildet werden. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann elektrisch zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 in dem Schichtenstapel ausgebildet werden.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens kann das optoelektronische Bauelement 100 als ein organisches optoelektronisches Bauelement ausgebildet werden,

beispielsweise als ein organischer Fotodetektor, eine organische Solarzelle und/oder eine organische Leuchtdiode. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das optoelektronische Bauelement als ein flächiges optoelektronisches Bauelement 100 ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das optoelektronische Bauelement 100 derart ausgebildet werden, dass die Kondensatorstruktur 104 wenigstens

transluzent bezüglich der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispieien des Verfahrens 300 kann der Kondensator im Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet werden.

In verschiedenen Ausführungsbeispieien des Verfahrens 300 kann die optisch aktive Struktur 106 und die

Kondensatorstruktur 104 monolithisch integriert ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die optisch aktive Struktur 106 und die

Kondensatorstruktur 104 mit einer gemeinsamen Elektrode

ausgebildet werden, beispielsweise als eine gemeinsame elektrisch leitende Schicht ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispieien des Ver ahrens 300 kann das Verfahren 300 ferner ein Ausbilden einer

Verkapselungsstruktur 226 auf oder über dem Schichtenstapel aufweisen derart, dass der Schichtenstapel bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet wird . In

verschiedenen Ausführungsbeispieien des Verfahrens 300 kann das Verfahren 300 ferner ein Ausbilden einer

Verkapselungsstruktur 226 auf oder über dem Schichtenstapel aufweisen, wobei die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode als Teil der

Verkapselungsstruktur 226 ausgebildet werden/wird,

beispielsweise als Abdeckung 224 oder Barriereschicht 208. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das Verfahren 300 ferner ein Ausbilden einer

Verkapselungsstruktur 226 zwischen der optisch aktiven

Struktur 106 und der Kondensatorstruktur 104 aufweisen, die derart ausgebildet wird, dass die optisch aktive Struktur 106 bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff hermetisch abgedichtet ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das Dielektrikum als eine BarriereSchicht ausgebildet werden bezüglich der optisch aktiven Struktur 106 und Wasser und/oder Sauerstoff . In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann das Verfahren 300 ferner ein Bereitstellen eines Trägers 102 oder hermetisch dichten Substrates 128 aufweisen, wobei die dritte Elektrode oder die vierte Elektrode als Träger 102 oder hermetisch dichtes Substrat 128 ausgebildet werden oder der Träger 102 oder das hermetisch dichte Substrat diese aufweist .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die Kondensatorstruktur 104 mit zwei oder mehr

Kondensatoren 104 -n ausgebildet werden, wobei n den

Kondensator kennzeichnet und eine natürliche Zahl ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die Kondensatorstruktur 104 mit zwei oder mehr

Plattenkondensatoren ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 können zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 als ein Stapel von Kondensatoren ausgebildet werden. In verschiedenen

Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 können zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 nebeneinander ausgebildet werden.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die Kondensatorstruktur 104 mit einem zweiten

Kondensator 104-2 mit einer fünften Elektrode , einem zweiten Dielektrikum und einer sechsten Elektrode ausgebildet werden, wobei die fünfte Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode, und die sechste Elektrode mit der ersten Elektrode oder der zweiten Elektrode elektrisch verbunden ausgebildet wird derart, dass der zweite Kondensator 104-2 elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet wird. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann der zweite Kondensator 104-2 elektrisch parallel oder elektrisch in Reihe zu dem ersten Kondensator 104-1 ausgebildet werden. In verschiedenen

Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 können der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 mit einer gemeinsamen Elektrode ausgebildet werden, beispielsweise als und/oder aus einer gemeinsamen elektrisch leitenden Schicht ausgebildet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die Kondensatorstruktur 104 derart ausgebildet werden, dass der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 eine ungefähr gleiche Kapazität aufweise .

In einem Ausführungsbeispiel des Verfahrens 300 wird die optisch aktive Struktur 106 auf oder über dem ersten

Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2

ausgebildet . In einem anderen Ausführungsbeispiel des

Verfahrens 300 wird der erste Kondensator 104-1 und der zweite Kondensator 104-2 auf oder über der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet . In einem anderen

Ausführungsbeispiel des Verfahrens 300 wird die optisch aktive Struktur 106 zwischen dem ersten Kondensator 104-1 und dem zweiten Kondensator 104-2 ausgebildet .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen des Verfahrens 300 kann die dritte Elektrode, das Dielektrikum und/oder die vierte Elektrode wenigstens transluzent ausgebildet werden .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die

Kondensatorstruktur 104 einen ersten Kondensator 104-1 auf . Der erste Kondensator 104 weist wenigstens eine dritte

Elektrode 110 , ein Dielektrikum 406 , 404 , und eine vierte Elektrode 402 auf .

Die Elektroden eines Kondensators der Kondensatorstruktur können j eweils als eine elektrisch leitende Schicht 402 ausgebildet sein, beispielsweise für den Fall , dass die dritte Elektrode und die vierte Elektrode in ihrer

Ausgestaltung austauschbar sind, beispielsweise gleich ausgebildet sind, beispielsweise veranschaulicht in Fig .4C, D, F-K. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine

Elektrode eines Kondensators als eine gemeinsame elektrisch leitende Schicht einer arideren elektrisch funktionalen

Struktur ausgebildet sein. Beispielsweise kann die dritte Elektrode 110 des ersten Kondensators 104-1 gleich der ersten Elektrode 110 der optisch aktiven Struktur 106 sein,

beispielsweise mit dieser identisch sein - beispielsweise veranschaulich i Fig.4A. Alternativ kann eine Elektrode des Kondensators als eine elektrisch leitende Schicht 402 ausgebildet sein. Beispielsweise kann die vierte Elektrode 402 des ersten Kondensators mit der zweiten Elektrode 114 der optisch aktiven Struktur 106 elektrisch verbunden sein derart, dass die Kondensatorstruktur 104 elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet ist ,

beispielsweise veranschaulicht in Fig.4C, D, F-K. Die dritte Elektrode bzw. die vierte Elektrode des Kondensators 104-1 können gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 110 und/oder der zweiten Elektrode 114 ausgebildet sein, siehe Beschreibung oben.

Die optisch aktive Struktur 106 kann mittels eines ersten elektrischen Anschluss 412 und eines zweiten elektrischen Anschlusses 414 elektrisch bestrombar sein, beispielsweise mit einem elektronischen Vorschaltgerätes (EVG) verbindbar und bestrombar.

In einem Ausführungsbeispiel weist das Dielektrikum des ersten Kondensators 104-1 eine einzige dielektrische Schicht auf , beispielsweise eine Barriereschicht - beispielsweise veranschaulicht in Fig.4B .

In einem anderen Aus ührungsbeispiel kann das Dielektrikum des ersten Kondensators 104-1 zwei oder mehr dielektrische Schichten aufweisen - beispielsweise veranschaulicht in

Fig.4A und Fig.4E. Beispielsweise kann das Dielektrikum eine Barriereschicht 406 und eine elektrisch isolierende Schicht 404 aus einem elektrisch nichtleitenden und/oder einem dielektrischen Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Somit kann die Kondensatorstruktur 104 bezüglich der

Barriereschicht 406 ein Teil einer Verkapselungsstruktur sein oder aufweisen. Die Barriereschicht 406 des Kondensators 104-1 kann beispielsweise hermetisch dicht bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff ausgebildet sein und die optisch aktive Struktur 106 dadurch hinsichtlich einer Diffusion der Stoffe von der Seite des Trägers 102 aus hermetisch abdichten. Die Barriereschicht 406 des Kondensators 104-1 kann

beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der

Barriereschicht 208 der optisch aktiven Struktur 106

ausgebildet sein. Mittels der elektrisch isolierenden

Schicht 404 kann eine vorgegebene Kapazität eingestellt werden. Weiterhin kann die elektrisch isolierende Schicht 404 und/oder die Barriereschicht 406 als eine haftvermittelnde Schicht ausgebildet sein, beispielsweise bezüglich der dritten Elektrode 110 und/oder der vierten Elektrode 402. Beispielsweise kann die elektrisch isolierende Schicht 404 mit einem technisch einfacheren, schnelleren und/oder

kostengünstigeren Verfahren ausgebildet werden als die

Barriereschicht 406, beispielsweise kann die elektrisch isolierende Schicht 404 eine größere Porosität aufweisen. Weiterhin kann die Verkapselungsstruktur gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen ausgebildet sein . In

verschiedenen Ausführungsbexspielen kann die Barriereschicht 406 oder die elektrisch isolierende Schicht 404 optional sein.

In einem Ausführungsbeispiel kann die vierte Elektrode 402 auf oder über einem Träger 102 und/oder einem hermetisch dichten Substrat 128 ausgebildet sein - beispielsweise veranschaulicht in Fig.4A. In einem anderen

Ausführungsbeispiel kann der Träger 102 bzw. das hermetisch dichte Substrat 128 als vierte Elektrode ausgebildet sein, beispielsweise veranschaulicht in Fig . B und Fig.4E als elektrisch leitender Träger 408 , oder die vierte Elektrode aufweisen.

In einem Ausf hrungsbeispiel kann das Dielektrikum einen geöffneten Bereich aufweisen, wobei beispielsweise die zweite Elektrode 114 im geöffneten Bereich mit der vierten Elektrode 408 elektrisch verbunden ist . Beispielsweise kann ein

hermetisch dichtes Substrat 128 einen elektrisch leitenden Träger 102 und eine Barriereschicht 204 gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen aufweisen. Somit kann das hermetisch dichte Substrat 128 die vierte Elektrode und das Dielektrikum des ersten Kondensators 104-1 aufweisen. Der erste Kondensator 104-1 kann dann aus erster Elektrode 110 und hermetisch dichtem Substrat 128 mit elektrisch leitendem Träger bzw. einem elektrisch leitenden Träger 408 und

wenigstens einer dielektrischen Schicht 406 gebildet werden, beispielsweise insofern der elektrisch leitende Träger elektrisch mit der zweiten Elektrode 114 elektrisch verbunden ist. Mit anderen Worten: in einem Ausführungsbeispiel kann auf einem elektrisch leitenden Träger 102 eine dielektrische Schicht , beispielsweise Barriereschicht 204 , ausgebildet sein. Auf der dielektrischen Schicht ist die erste Elektrode 110 der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet . Die erste Elektrode 110 ist mittels der dielektrischen Schicht von dem elektrisch leitenden Träger 102 elektrisch isoliert . Auf der ersten Elektrode 110 sind die organische funktionelle

Schichtenstruktur 112 und die zweite Elektrode 114

ausgebildet . Die zweite Elektrode ist elektrisch isoliert von der ersten Elektrode 110 in einen Kontaktbereich (Kontaktpad- Bereich) auf den elektrisch leitenden Träger 102 herunter geführt . Im Kontaktpad-Bereich der zweiten Elektrode 114 ist die dielektrische Schicht geöffnet (geöffneter Bereich) , sodass die zweite Elektrode 114 direkt mit dem elektrisch leitenden Träger elektrisch verbunden ist in dem geöffneten Bereich der dielektrischen Schicht . Die zweite Elektrode 114 kann in dem Kontaktpad-Bereich oder durch den elektrisch leitenden Träger bestromt werden. Dadurch wird mittels des elektrisch leitenden Trägers 102 , der dielektrischen Schicht auf dem Träger 102 und der ersten Elektrode 110 mittels der elektrischen Verbindung von zweiter Elektrode 114 und

elektrisch leitendem Träger im geöffneten Bereich der

dielektrischen Schicht ein Kondensator 104-1 elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 realisiert .

Analog kann die erste Elektrode 110 mit einer elektrisch leitenden Abdeckung 224 in einem geöffneten Bereich der zweiten Barriereschicht 208 elektrisch verbunden sein. Dadurch können die zweite Elektrode 114 _; die zweite

Barriereschicht 208, die elektrisch leitende Abdeckung 224 und ggfs. die Haftschicht 222 einen Kondensator ausbilden, der elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 ist .

Die Kapazität des ersten Kondensators 104-1 ist unabhängig vom Betriebszustand der optisch aktiven Struktur 106

ausgebildet .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch aktive Struktur 106 auf den zwei oder mehr Kondensatoren ausgebildet sein ~ beispielsweise veranschaulicht in Fig.4A bis Fig.4E. Das optoelektronische Bauelement 100 kann

beispielsweise als Top-Emitter oder Bottom- Emitter

ausgebildet sein.

Bei einem beispielsweise als Bottom-Emitter ausgebildeten optoelektronischen Bauelement 100 mit einem Kondensator oder mehreren Kondensatoren zwischen der optisch aktiven Struktur 106 und dem Träger 102 , sollten der eine Kondensator oder die mehreren Kondensatoren wenigstens transluzent ausgebildet sein, beispielsweise transparent . Beispielsweise können die dritte Elektrode und die vierte Elektrode bzw. das

Dielektrikum gemäß einer der oben beschriebenen

Ausgestaltungen einer wenigstens transluzenten elektrisch leitenden bzw. elektrisch nicht- leitenden Schicht ausgebildet sein. Bei einem beispielsweise als Top -Emitter ausgebildeten optoelektronischen Bauelement 100 mit einem Kondensator oder mehreren Kondensatoren zwischen der optisch aktiven Struktur 106 und dem Träger 102 , können der eine Kondensator oder die mehreren Kondensatoren beispielsweise opak ausgebildet sein, beispielsweise spiegelnd.

Bei einer wenigstens teilweise opaken Kondensatorstruktur 104 und einem optoelektronischen Bauelement 100 das beispielsweise Bottom-Emitter ausgebildet ist, kann die

Kondensatorstruktur 104 beispielsweise auf der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet sein (beispielsweise

veranschaulicht in Fig.4F) . Die Kondensatorstruktur 104 kann in diesem Ausführungsbeispiel weiterhin als Spiegelstruktur und/oder Verkapselungsstruktur 226 ausgebildet sein,

beispielsweise ein Teil der Verkapse1ungsstruktur 226 sein, beispielsweise kann das Dielektrikum des ersten Kondensators 104-1 als zweite Barriereschicht 208 gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen ausgebildet sein.

In ein Ausführungsbeispiel kann eine Barriereschicht 208 , die als Dielektrikum eines Kondensators 10 -n der

Kondensatorstruktur 104 ausgebildet ist , ein sogenanntes „high-k- Dielektrikum" sein, mit einer höheren

Dielektrizitätszahl als ein Siliziumoxid oder ein Oxinitrid. Beispielsweise kann die Barriereschicht eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein:

Siliziumnitrid, Aluminiumoxid , Yttriumoxid, Zirkonoxid, Hafniumoxid, Lanthanoxid, Tantaloxid, Praseodymoxid und/oder Titanoxid.

Bei einem beispielsweise als Top-Emitter ausgebildeten optoelektronischen Bauelement 100 mit einem Kondensator oder mehreren Kondensatoren auf der optisch aktiven Struktur 106 , beispielsweise veranschaulicht in Fig.4G, sollten der eine Kondensator oder die mehreren Kondensatoren wenigstens transluzent ausgebildet sein, beispielsweise transparent . Beispielsweise können die dritte Elektrode und die vierte Elektrode bzw. das Dielektrikum gemäß einer der oben

beschriebenen Ausgestaltungen einer wenigstens transluzenten elektrisch leitenden bzw. elektrisch nicht- leitenden Schicht ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Kondensatorstruktur 104 einen ersten Kondensator 104-1, einen zweiten Kondensator 104-2 (beispielsweise veranschaulicht in Fig . C) , einen dritten Kondensator 104-3 (beispielsweise veranschaulicht in Fig.4D) und/oder mehr Kondensatoren 104 -n (beispielsweise veranschaulicht in Fig .1D) aufweisen. Die zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 können benachbart sein, beispielsweise sich eine gemeinsame Elektrode bzw. eine elektrisch leitende Schicht teilen

(beispielsweise veranschaulicht in Fig.4C und Fig.4D) . Die zwei oder mehr Kondensatoren der Kondensatorstruktur 104 sind bezüglich der elektrischen Kopplung bzw. elektrischen

Verbindung mit der ersten Elektrode 110 und/oder der zweiten Elektrode 114 derart ausgebildet, dass die zwei oder mehr Kondensatoren elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur sind (beispielsweise veranschaulicht in Fig .4C und Fig.4D) . Die zwei oder mehr Kondensatoren können bezüglich einander elektrisch parallel und/oder in Reihe ausgebildet sein derart , dass die Kondensatorstruktur elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 ausgebildet ist . Dadurch kann beispielsweise die Durchbruchwahrscheinlichkeit eines Kondensators reduziert werden; und/oder die Kapazität

und/oder Impedanz der Kondensatorstruktur 104 eingestellt werden. Beispielsweise können die zwei oder mehr

Kondensatoren gleich Kapazitäten aufweisen .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch aktive Struktur 106 zwischen zwei oder mehr Kondensatoren und/oder neben einem oder mehreren Kondensatoren der

Kondensatorstruktur 104 ausgebildet sein. Beispielsweise kann die beschriebene Kondensatorstruktur 104 im optisch inaktiven Randbereich des optoelektronischen Bauelementes ausgebildet sein, beispielsweise unter oder auf den elektrischen

Anschlüssen 412 , 414.

In verschiedenen Aus führungsbeispielen kann die

Kondensatorstruktur 104 als eine Folie oder ein Folienstapel ausgebildet - veranschaulicht in Fig. 4H, J, K. Eine Folie kann beispielsweise eine metallbeschichtete Kunststoff folie oder eine kunststoffbeschichtete Metallfolie sein . Der

Kunststoff der Folie kann das Dielektrikum 404 oder einen Teil des Dielektrikums 404 der Kondensatorstruktur 104 ausbilden. Das Metall der Folie kann eine Elektrode 402 oder einen Teil einer Elektrode 402 der Kondensatorstruktur 104 ausbilden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Folie auf oder über der optisch aktiven Struktur 106 angeordnet sein, beispielsweise mittels einer schlüssigen ^" Verbindungsschicht 222 mit dem optisch aktiven Bereich verbunden sein,

beispielsweise mittels einer oben beschriebenen

Klebstoffschiebt .

Eine Folie kann eine Elektrode 402 oder mehrere der

Elektroden 402 eines Kondensators der Kondensatorstruktur aufweisen. Beispielsweise kann eine Kunststofffolie einseitig oder beidseitig mit einer Metallschicht beschichtet sein.

In einem Ausführungsbeispiel ist die Kondensatorstruktur 104 oder ein Kondensator 104-1 der Kondensatorstruktur 104 auf der Barrieredünnschicht 208 bzw. der Verkapselungsstruktur 226 des optisch aktiven Bereiches 106 angeordnet ,

beispielsweise aufgeklebt - veranschaulicht in Fig.4H.

In einem Ausführungsbeispiel ist die Kondensatorstruktur 104 oder ein Kondensator 104-1 der Kondensatorstruktur 104 auf dem Träger 102 bzw. einer Verkapselung 226 angeordnet , beispielsweise aufgeklebt - veranschaulicht in Fig.4J .

In einem Ausführungsbeispiel ist die optisch aktive Struktur 106 auf der Kondensatorstruktur 104 oder einem Kondensator 104-1 der Kondensatorstruktur 104 ausgebildet - veranschaulicht in Fig.4K. Zur Planarisierung und/oder hermetischen Abdichtung kann eine Barriereschicht 208 und/oder eine Planarisierungsschicht 416 zwischen dem

Kondensator 104-1 und dem optisch aktiven Beriech 106 ausgebildet sein.

In verschiedenen Ausfuhrungsbeispielen mit einer beidseitig metallbeschichten Kunststofffolie , kann die Folie die

Kondensatorstruktur 104 oder einen Kondensator 104-1 der Kondensatorstruktur 104 ausgebildet werden, beispielsweise indem die Metallschichten der Folien elektrisch parallel zu der optisch aktiven Struktur 106 kontaktiert werden.

Alternativ oder zusätzlich kann die Folie , beispielweise eine einseitig oder beidseitig metallbeschichtete Folie, mit einer der Elektroden der optisch aktiven Struktur 106 die

Kondensatorstruktur 104 oder einen Kondensator 104-1 der Kondensatorstruktur 104 ausbilden. Beispielsweise kann der Kunststoff der metallbeschichteten Kunststofffolie und die Verkapselungsstruktur 226 bzw. ein Teil der

Verkapselungsstruktur 226 , beispielsweise die

Barrieredünnschicht 208 und/oder der Träger 102 das

Dielektrikum eines Kondensators der Kondensatorstruktur 104 ausbilden.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Kunststoff einer metallbeschichteten Kunststofffolie oder

kunststoffbeschichteten Metallfolie eines der folgenden

Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: ein

Polyethylenterephthalat bzw. Polyester, ein

Polyethylennaphthalat , ein Polyphenylensulfid, ein

Polypropylen, ein Polytetrafluorethylen, ein Polystyrol , ein Polyimid, ein Polyamid und/oder ein Polycarbonat . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Kondensatorstruktur 104 einen Kondensator oder mehrere

Kondensatoren aufweisen. Zwei oder mehrere Kondensatoren können in der Kondensatorstruktur elektrisch in Reihe oder parallel zueinander ausgebildet sein .

Ein Kondensator der Kondensatorstruktur kann wenigstens eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein : ein Polyethylenterephthalat bzw. Polyester, ein

Polyethylennaphthalat , ein Polyphenylensulfid, ein

Polypropylen, ein Polytetrafluorethylen, ein Polystyrol, ein Polyimid, ein Polyamid, ein Polycarbonat, ein Polyacrylat , ein Polyalkohol, beispielsweise ein Polyvinylalkohol und/oder ein Polysiloxan; ein Metalloxid, beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Indiumzinkoxid, Indiumz innoxid, Siliziumoxid; ein etalloxinitrid, beispielsweise der genannten Materialien; ein sogenanntes „high-k-Di elektrikum" , beispielsweise

Siliziumnitrid, Aluminiumoxid , Yttriumoxid, Zirkonoxid,

Hafniumoxid, Lanthanoxid, Tantaloxid, Praseodymoxid und/oder Titanoxid ; ein Glas , beispielsweise ein

Kalknatronsilikatglas ; ein Metall oder eine Metall legierung, beispielsweise Kupfer, Aluminium, Stahl ; - beispielsweise j eweils zusätzlich in der Funktion als Klebstoff ,

Planarisierungsschicht , Folie , Träger, Abdeckung und/oder Barriereschicht .

Weiterhin kann das Dielektrikum in verschiedenen

Ausführungsbeispielen ein Material der oben genannten

Materialien der organischen funktionellen Schichtenstruktur aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise eine der oben genannten Matrix-Materialien einer dotierten Schicht . Dies weist den Vorteil auf , dass die Materialien und die Handhabung der Materialien bereits aus dem Herstellen des optoelektronischen Bauelementes bekannt sind

Die Kapazität der Kondensatorstruktur kann eingestellt werden mittels der Materialauswahl des Dielektrikums (eine höhere Dielektrizitätskonstante führt zu einer höheren Kapazität) , der Fläche des Dielektrikums zwischen den Elektroden eines Kondensators (eine höhere Fläche führt zu einer höheren

Kapazität) , der Dicke des Dielektrikums (eine geringere Dicke führt zu einer höheren Kapazität) und/oder der Anzahl

elektrisch parallel oder in Reihe geschalteter Kondensatoren . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Dielektrikum eines Kondensators der Kondensatorstruktur bzw. die

Kondensatorstruktur derart ausgebildet sein, dass der

Kondensator bzw. die Kondensatorstruktur eine Kapazität auf eist in einem Bereich von ungef hr 1 nF bis ungefähr 100 mF, beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 100 nF bis 10 mF, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr

110 nF bis 7 mF, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 120 nF bis 50 F , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 120 nF bis 50 μΡ, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 μ¥ bis 50 μ,Έ ; beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 nF bis 1 μ¥ ; beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 ^F bis 100 μ , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 100 μΡ bis 1 mF, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 mF bis 10 mF.

Das Dielektrikum kann in verschieden Ausführungsbeispielen

2 beispielsweise eine Fläche in einem Bereich von einigen mm

2

bis zu einige 10000 cm auf eisen, beispielsweise in einem

2 2

Bereich von ungef hr 700 cm bis ungef hr 10000 cm ,

2

beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 750 cm bis

2

ungefähr 9000 cm , beispielsweise in einem Bereich von

2 2

ungefähr 1100 cm bis ungefähr 9000 cm . Die Fläche kann die Form der Fläche oder eines Teils der Fläche der optisch aktiven Struktur 106 aufweisen, beispielsweise ein runde , quadratische eckige, vieleckig Form auf eisen. Weiterhin kann ein Kondensator zwei oder mehr räumlich voneinander isolierte Dielektrika aufweisen.

Das Dielektrikum kann in verschieden Ausführungsbeispielen beispielsweise eine Dicke in einem Bereich von einigen nm bis zu einige μτχι aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 20 μπι, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungef hr 10 μπι, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 5 μΐΐΐ;

beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 2 μπΐ; beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm; beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 0 , 1 μν bis ungefähr 7 μτα,

beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 μνα bis ungefähr 5 μττι, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 2 bis ungefähr 4 μπι.

Die weiteren der in den Fig . A-K veranschaulichten Schichten und Bezugszeichen siehe Beschreibung oben . In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die Merkmale der beschriebenen Ausgestaltungen miteinander kombiniert sein, soweit dies sinnvoll ist bezüglich der

Parallelschaltung der Kondensatorstruktur 104 zu der optisch aktiven Struktur 106.

In verschiedenen Ausführungsformen werden ein

optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum

Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes

bereitgestellt , mit denen es möglich ist , mittels einer

Ver1ängerung der Lebenszeit und/oder einer kostengünstigeren

Treiberstruktur effizientere optoelektronische Bauelemente auszubilden.