BESCHREIBUNG

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen

Bauelements .

Ein optoelektronisches Bauelement kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein

elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle sein. Ein

elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann beispielsweise ein lichtemittierendes Bauelement,

beispielsweise eine LED oder eine OLED, sein.

Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis,

sogenannte organische optoelektronische Bauelemente, finden zunehmend verbreitete Anwendung. Beispielsweise halten organische Leuchtdioden (organic light emitting diode - OLED) zunehmend Einzug in die Allgerneinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquellen. Ein organisches optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED, kann eine Anode und eine Kathode und dazwischen ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann aufweisen eine oder mehrere Emitterschichten, in denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungsschichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr

Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten („Charge generating layer", CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie eine oder mehrere Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als Lochtransportschichten („hole transport layer" -HTL) , und eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschichten („electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten. Deckseitig-emittierende OLEDs , sogenannte Top-Emitter, bei denen ein elektrisch leitfähiges Substrat zur Stromverteilung von den Kontakten zur transparenten Deckelektrode genutzt wird, werden häufig mit einer strukturierten Planarisierung und/oder Isolierung gefertigt. Im Falle einer flexiblen OLED kann dabei als elektrisch leitfähiges Substrat beispielsweise eine Metallfolie verwendet werden.

Fig. 1 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung einer

derartigen top-emittierenden ersten herkömmlichen OLED 1.

Pig. 2 zeigt eine Draufsicht auf die erste herkömmliche OLED 1 gemäß Figur 1. Eine als Planarisierung bzw. Isolierung wirkende, in der Regel organische, elektrisch isolierende Schicht 40 befindet sich beim fertigen Bauteil einerseits in direkten körperlichen Kontakt mit einer als Substrat und/oder Träger dienenden elektrisch leitfähigen Schicht 12 und andererseits in direktem körperlichen Kontakt mit einer funktionellen Schichtenstruktur, die in Figur 1 von unten nach oben eine erste Elektrode 20, eine organische

funktionelle Schichtenstruktur 22 und eine zweite Elektrode 23 aufweist, der ersten herkömmlichen OLED 1. Die zweite Elektrode 23 befindet sich in ersten Kontaktabschnitten 16 in direktem körperlichen Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht 12 und kann über diese elektrisch kontaktiert werden. Die erste Elektrode 20 weist einen zweiten Kontaktabschnitt 18 auf, in dem die erste Elektrode 20 freiliegt und

elektrisch kontaktiert werden kann.

Kommt es aus der Planarisierung bzw. Isolierung, insbesondere der elektrisch isolierenden Schicht 40, zu Ausgasungen, die beispielsweise Lösemittelreste aus dem Material der

elektrisch isolierenden Schicht 40, Wasserreste aus einem oder mehreren Reinigungsschritten oder sonstige

Kontaminationen, wie beispielsweise inkompatible

Materialbestandteile, wie Vernetzer und/oder Härter etc., aufweisen, kann die erste herkömmliche OLED 1 dadurch

beschädigt werden.

Um dies zu vermeiden, wird manchmal eine „Bottom-TFE"

eingesetzt, also eine Dünnfilmverkapselung zwischen der

Planarisierung bzw. Isolierung und dem OLED-Schichtstapel 20, 22, 23.

Fig. 3 zeigt eine Schnittdarstellung einer derartigen zweiten herkömmlichen OLED 2 mit einer elektrisch isolierenden

Verkapselungsschicht 5.

Fig. 4 zeigt eine Draufsicht auf die zweite herkömmliche OLED 2 gemäß Figur 3. Die elektrisch isolierende

Verkapselungsschicht 5 ist über der elektrisch isolierenden Schicht 40 in direktem körperlichen Kontakt mit der

elektrisch isolierenden Schicht 40 ausgebildet und außerhalb der elektrisch isolierenden Schicht 40 in direktem

körperlichen Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht 12 ausgebildet. Bei der elektrisch isolierenden

Verkapselungsschicht 5 handelt es sich um eine oder mehrere transparente, elektrisch isolierende, beispielsweise mittels ALD aufgebrachte, Schichten wie Nanolaminate aus

Aluminiumoxid und Titanoxid. Alternativ dazu kann die

Verkapselungsschicht 5 auch transluzent und/oder nicht transparent sein. Allgemein werden als Bottom-Verkapselung Schichten eingesetzt, wie sie auch von Top-TFEs, also

Verkapselungsschichten, die über den funktionellen

Schichtenstrukturen der entsprechenden optoelektronischen Bauelemente ausgebildet sind und diese verkapseln, bekannt sind, beispielsweise elektrisch isolierende ALD-Schichten. Beispielsweise DE 10 2009 024 411 AI zeigt derartige Top-TFEs und die dafür verwendeten Materialien und/oder

Materialkombinationen.

Es muss allerdings gewährleistet werden, dass die

transparente zweite Elektrode 23 trotz der elektrisch

isolierenden Bottom-TFE, insbesondere der elektrisch isolierenden Verkapselungsschicht 5, in elektrischem Kontakt mit dem Metallsubstrat, insbesondere mit der elektrisch leitfähigen Schicht 12 steht. Verwendet man daher eine derartige Verkapselungsschicht als Bottom-TFE, so ist

mindestens ein zusätzlicher Prozessschritt nötig,

insbesondere nach dem Aufbringen der Bottom-TFE und vor der Herstellung der Top- bzw. Deckelektrode. Bei diesem

Prozessschritt wird mittels Laserabiation in einem

Teilbereich entlang und etwas außerhalb der strukturierten Planarisierung bzw. Isolierung die isolierende Bottom-TFE vom Metallsubstrat entfernt. In diesem freigelegten Teilbereich entsteht dann beim Aufbringen der Top- bzw. Deckelektrode ein elektrischer Kontakt zwischen Metallsubstrat und

Deckelektrode. Daher weist die zweite herkömmliche OLED 2 die ersten Kontaktabschnitte 16 auf, in denen sich das Material der zweiten Elektrode 23 durch entsprechende Ausnehmungen der elektrisch isolierenden Verkapselungsschicht 5 hindurch erstreckt .

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen, das schnell, auf einfache Weise, präzise, kostengünstig und/oder mit einem geringen Ausschuss herstellbar ist .

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum

Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

bereitzustellen, das schnell, auf einfache Weise, präzise, kostengünstig und/oder mit einem geringen Ausschuss

durchführbar ist.

Eine Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch ein optoelektronisches Bauelement, mit: einer

elektrisch leitfähigen Schicht; einer elektrisch isolierenden Schicht, die über einem Teilbereich der elektrisch

leitfähigen Schicht ausgebildet ist,- einer elektrisch schwach leitfähigen Verkapselungsschicht, die außerhalb des

Teilbereichs auf der elektrisch leitfähigen Schicht und über dem Teilbereich auf der elektrisch isolierenden Schicht ausgebildet ist; einer ersten Elektrode, die über dem

Teilbereich, auf der elektrisch schwach leitfähigen

Verkapselungsschicht ausgebildet ist; einer organischen funktionellen Schichtenstruktur, die auf der ersten Elektrode ausgebildet ist; und einer zweiten Elektrode, die in dem Teilbereich auf der organischen funktionellen

Schichtenstruktur ausgebildet ist und die außerhalb des

Teilbereichs auf der elektrisch schwach leitfähigen

Verkapselungsschicht ausgebildet ist .

Die zweite Elektrode, beispielsweise eine transparente Top- Elektrode, ist somit durch die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht, die als Bottom-TFE ausgebildet ist, mit der elektrisch leitfähigen Schicht, die beispielsweise als Metallsubstrat ausgebildet sein kann, elektrisch kontaktiert. Die elektrische Kontaktierung erfolgt dabei in dem gesamten Bereich, in dem die zweite Elektrode und die elektrisch leitfähige Schicht ohne weitere Zwischenschichten, wie beispielsweise der elektrisch isolierenden Schicht oder der organischen funktionellen Schichtenstruktur, übereinander liegen. Dies ist der gleiche Bereich, in dem auch ohne

Verwendung der Verkapselungsschicht, insbesondere der Bottom- TFE, die elektrische Kontaktierung zwischen der zweiten

Elektrode und der elektrisch leitfähigen Schicht erfolgen würde, insbesondere sind die Flächen, in denen die

elektrische Kontaktierung erfolgt, in beiden Fällen gleich groß.

Somit kann die elektrische Kontaktierung der zweiten

Elektrode mittels der elektrisch leitfähigen Schicht in einem relativ großen Bereich erfolgen. Dies trägt zu einer

besonders guten elektrischen Verbindung zwischen der zweiten Elektrode und der elektrisch leitfähigen Schicht bei.

Außerdem ist für die elektrische Kontaktierung der zweiten Elektrode ein teilweises Abtragen der Verkapselungsschicht nicht nötig. Dies ermöglicht, auf mindestens einen

Prozessschritt, nämlich das Abtragen der

Verkapselungsschicht, verzichten zu können. Gleichzeitig verhindert die Verkapselungsschicht , dass unerwünschte

Stoffe, beispielsweise aus der elektrisch isolierenden

Schicht, in die darüber liegende organische funktionelle Schichtenstruktur gelangen. Dies trägt dazu bei, dass das optoelektronische Bauelement sicher betrieben werden kann und eine lange Lebensdauer hat . Dabei kann das Aufbringen der Verkapselungsschicht, insbesondere der Bottom-TFE,

beispielsweise in einem ALD-Prozess, unstrukturiert erfolgen, d.h. gleichmäßig über die gesamte Bauteilfläche, insbesondere über die gesamte Fläche der elektrisch leitfähigen Schicht.

Diese technischen Wirkungen tragen dazu bei, dass das

optoelektronische Bauelement schnell, auf einfache Weise, präzise, kostengünstig und/oder mit einem geringen Ausschuss herstellbar ist.

Allein die Einsparung des zusätzlichen Prozessschrittes für die Laserablation der Bottom-TFE birgt das Potential für einen schnelleren Gesamt-Herstellungsprozess und niedrigere Herstellungskosten, vermeidet die Gefahr von Ausschuss- bzw. Yield-Problemen durch Laserablations-Debris, vermeidet

Inkompatibilitäten zwischen Bottom-TFE-Laserablationsprozess und temporärer Aufbringung der elektrisch leitfähigen

Schicht, insbesondere des Metallsubstrats auf Glasträger, und birgt die Möglichkeit für einen Vakuum-Inlineprozess mit Bottom-TFE-Abscheidung und Abscheidung der organischen funktionellen Schichtenstrukturen ohne problematische

Zwischenschritte. Ferner muss die zweite Elektrode nicht besonders weit über eine Kante der strukturierten elektrisch isolierenden Schicht, beispielsweise der Planarisierungsund/oder Isolierungsschicht, hinausgeführt werden, was im Unterschied dazu im Falle der Laserablation der Bottom-TFE der Fall sein kann, um hinreichend Raum und/oder Toleranzen für den laserablatierten Bereich bereitzustellen, wodurch ein kleiner Randbereich und/oder ein hoher Füllfaktor ähnlich wie bei optoelektronischen Bauelementen ohne Bottom-TFE erhalten bleiben kann. Auf den ersten. Blick birgt die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht, auf der einerseits die zweite Elektrode ausgebildet ist und die mit der elektrisch leitfähigen

Schicht verbunden ist und auf der andererseits die erste Elektrode ausgebildet ist, folgendes Problem: Die elektrisch schwach leitfähige Bottom-TFE bietet eine elektrische

Verbindung zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode, beispielsweise der Anode bzw. Kathode, und/oder zwischen der ersten Elektrode und der elektrisch leitfähigen Schicht, beispielsweise dem Substrat, wobei die elektrisch leitfähige Schicht zur Stromleitung hin zur zweiten Elektrode und in der Regel sogar als elektrischer Kontakt für die zweite Elektrode genutzt wird. Es scheint also die Gefahr eines Kurzschlusses zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode und/oder hoher Leckströme zu bestehen. In der Tat ist dies aber auf Grund der üblicherweise stark unterschiedlichen Ausmaße der Verkapselungsschicht in

Dickenrichtung, beispielsweise in Z-Richtung, im Vergleich zu deren lateralen Erstreckungsrichtungen, beispielsweise in X- und Y-Richtung, kein Problem.

Beispielsweise müssen bei einer ALD-Bottom-TFE mit einer typischen Schichtdicke von 50 nm zur elektrischen Verbindung zwischen der zweiten Elektrode und der elektrisch leitfähigen Schicht von dem Strom in Dickenrichtung nur 50 nm überwunden werden, weshalb es ausreichend sein kann, wenn die

Verkapselungsschicht für einen gewünscht geringen

Spannungsabfall lediglich eine schwache elektrische

Leitfähigkeit aufweist. Anderseits liegt der Abstand zwischen der ersten Elektrode und der elektrisch leitfähigen Schicht entlang der Verkapselungsschicht typischerweise bei einigen Millimetern, weshalb die schwache elektrische Leitfähigkeit der Verkapselungsschicht zum Tragen kommt und zwischen der ersten Elektrode und der elektrisch leitfähigen Schicht über die dünne, elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht keine relevante elektrische Verbindung zustande kommt und vernachlässigt werden kann. Im Gegensatz dazu sind aus dem Stand der Technik bekannte Verkapselungsschichten als elektrische Isolatoren und/oder aus elektrisch isolierende Material ausgebildet und verbinden die beiden Elektroden miteinander oder sie sind elektrisch leitfähige

Barriereschichten, die als transparente Elektroden genutzt werden und zur lateralen Stromverteilung möglichst hohe elektrische Leitfähigkeiten aufweisen, die jedoch keine elektrisch leitende Verbindung zwischen den Elektroden herstellen.

Gemäß einer Weiterbildung weist die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht eine Dicke auf in einem

Bereich von 1 nm bis 1000 nm, insbesondere von 10 nm bis 150 nm, insbesondere von 25 nm bis 75 nm, beispielsweise ungefähr 50 nm. Dies trägt dazu bei, dass trotz der an sich schwachen elektrischen Leitfähigkeit der Verkapselungsschicht die elektrische Leitfähigkeit in Dickenrichtung derart gut ist, dass eine zuverlässige elektrische Kontaktierung der zweiten Elektrode mittels der elektrisch leitfähigen Schicht, und zwar durch die Verkapselungsschicht hindurch, gewährleistet ist. Gleichzeitig trägt dies dazu bei, dass trotz der

elektrischen Kopplung der ersten Elektrode mit der zweiten Elektrode mittels der Verkapselungsschicht in lateraler

Richtung, also senkrecht zur Dickenrichtung, kein Kurzschluss entsteht und/oder aufgrund dieser elektrischen Verbindung fließende Leckströme vernachlässigbar gering sind.

Gemäß einer Weiterbildung weist die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht einen spezifischen Widerstand auf in einem Bereich von 0,01 Ωm bis 10000 Ωm, insbesondere von 0,1 Ωm bis 1000 Ωm, insbesondere von 1 Ωm bis 100 Ωm, beispielsweise ungefähr 10 Ωm. Dies bewirkt, dass die

elektrische Leitfähigkeit in Dickenrichtung der dünnen

Verkapselungsschicht ausreichend gut ist, dass eine

zuverlässige elektrische Kontaktierung der zweiten Elektrode mittels der elektrisch leitfähigen Schicht, und zwar durch die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht hindurch, gewährleistet ist. Gleichzeitig bewirkt dies, dass trotz der elektrischen Kopplung der ersten Elektrode mit der zweiten Elektrode mittels der elektrisch schwach leitfähigen Verkapselungsschicht in lateraler Richtung, also senkrecht zur Dickenrichtung, kein Kurzschluss entsteht und/oder aufgrund dieser elektrischen Verbindung fließende Leckströme vernachlässigbar gering sind.

Somit bedeutet in dieser Anmeldung, dass eine Schicht oder Schichtenstruktur elektrisch schwach leitfähig ist oder eine schwache elektrische Leitfähigkeit hat, dass die

entsprechende Schicht bzw. Schichtstruktur einen spezifischen Widerstand in einem Bereich von 0,01 Ωm bis 10000 Qrn, insbesondere von 0,1 Ωm bis 1000 Ωm, insbesondere von 1 Ωm bis 100 Ωm, beispielsweise ungefähr 10 Ωm, aufweist, im

Unterschied dazu bedeutet in dieser Anmeldung, dass eine Schicht oder eine Schichtenstruktur elektrisch isolierend oder ein elektrischer Isolator ist, wenn die entsprechende Schicht bzw. Schichtenstruktur einen spezifischen Widerstand größer 10 ⁸ Ωm aufweist. Ferner bedeutet in dieser Anmeldung, dass eine Schicht oder Schichtenstruktur elektrisch leitend ist oder eine hohe elektrische Leitfähigkeit hat, wenn die entsprechende Schicht bzw. Schichtenstruktur einen

spezifischen Widerstand kleiner als 0,001 Ωm hat.

Gemäß einer Weiterbildung liegt ein Mindestabstand von der ersten Elektrode zu der zweiten Elektrode entlang der elektrisch schwach leitfähigen Verkapselungsschicht in einem Bereich von 0,01 mm bis 50 mm, insbesondere von 0,1 mm bis 5 mm, insbesondere von 0,4 mm bis 2 mm, beispielsweise bei ungefähr 1 mm. Dies trägt dazu bei, dass trotz der

elektrischen Kopplung der ersten Elektrode mit der zweiten Elektrode mittels der dünnen und elektrisch schwach

leitfähigen Verkapselungsschicht in lateraler Richtung, also senkrecht zur Dickenrichtung, kein Kurzschluss entsteht und/oder aufgrund dieser elektrischen Verbindung fließende Leckströme vernachlässigbar gering sind.

Gemäß einer Weiterbildung ist die elektrisch schwach

leitfähige Verkapselungsschicht über dem Teilbereich in direktem körperlichem Kontakt zu der elektrisch isolierenden Schicht ausgebildet. In anderen Worten ist die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht direkt auf der elektrisch isolierenden Schicht ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich ist die elektrisch schwach leitfähige

Verkapselungsschicht außerhalb des Teilbereichs in direktem körperlichem Kontakt zu der elektrisch leitfähigen Schicht ausgebildet. In anderen Worten ist die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht außerhalb des Teilbereichs, beispielsweise lateral neben der elektrisch isolierenden Schicht, direkt auf der elektrisch leitfähigen Schicht ausgebildet. Der direkte körperliche Kontakt der zweiten Elektrode mit der elektrisch schwach leitfähigen

Verkapselungsschicht und der direkte körperliche Kontakt zwischen der elektrisch schwach leitfähigen

Verkapselungsschicht und der elektrisch leitfähigen Schicht tragen zu einer besonders guten elektrischen Kontaktierung der zweiten Elektrode mittels der elektrisch leitfähigen Schicht bei. Alternativ oder zusätzlich ist die erste

Elektrode in direktem körperlichem Kontakt zu der elektrisch schwach leitfähigen Verkapselungsschicht ausgebildet. In anderen Worten ist die erste Elektrode direkt auf der

elektrisch schwach leitfähigen Verkapselungsschicht

ausgebildet, insbesondere über dem Teilbereich und/oder der elektrisch isolierenden Schicht. Alternativ oder zusätzlich ist die zweite Elektrode in direktem körperlichem Kontakt zu der elektrisch schwach leitfähigen Verkapselungsschicht ausgebildet .

Gemäß einer Weiterbildung weist die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht Aluminium-Zinkoxid und/oder dotiertes Aluminium-Zinkoxid auf oder ist daraus gebildet.

Gemäß einer Weiterbildung ist die elektrisch leitfähige

Schicht als Substrat oder Träger des optoelektronischen

Bauelements ausgebildet. In anderen Worten ist die elektrisch leitfähige Schicht ein mechanisch stabilisierendes Element des optoelektronischen Bauelements und/oder dient bei der Herstellung des optoelektronischen Bauelements als

Ausgangselement zum darauf Ausbilden der weiteren Schichten des optoelektronischen Bauelements .

Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen eines

optoelektronischen Bauelements, bei dem: eine elektrisch leitfähige Schicht bereitgestellt wird; eine elektrisch isolierende Schicht über einem Teilbereich der elektrisch leitfähigen Schicht ausgebildet wird; eine elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht außerhalb des Teilbereichs auf der elektrisch leitfähigen Schicht und über dem

Teilbereich auf der elektrisch isolierenden Schicht

ausgebildet wird; eine erste Elektrode über dem Teilbereich auf der elektrisch leitfähigen Verkapselungsschicht

ausgebildet wird; eine organische funktionelle

Schichtenstruktur auf der ersten Elektrode ausgebildet wird; und eine zweite Elektrode in dem Teilbereich auf der

organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet wird und außerhalb des Teilbereichs auf der elektrisch leitfähigen Verkapselungsschicht ausgebildet wird.

Die im vorherstehenden genannten Vorteile und Weiterbildungen des optoelektronischen Bauelements können ohne weiteres auf das Verfahren zum Herstellen des optoelektronischen

Bauelements übertragen werden.

Gemäß einer Weiterbildung wird die elektrisch schwach

leitfähige Verkapselungsschicht in einem ALD-Prozess

ausgebildet.

Gemäß einer Weiterbildung wird die elektrisch schwach

leitfähige Verkapselungsschicht mit einer Dicke in einem Bereich von 1 nm bis 1000 um, insbesondere von 10 um bis 150 nm, insbesondere von 25 nm bis 75 nm, beispielsweise von ungefähr 50 nm, ausgebildet. Gemäß einer Weiterbildung weist die elektrisch schwach leitfähige VerkapselvingsSchicht einen spezifischen Widerstand in einem Bereich von 0,01 Ωm bis 10000 Ωm, insbesondere von 0,1 Ωm bis 1000 Ωm, insbesondere von 1 Ωm bis 100 Ωm,

beispielsweise ungefähr Ωm, auf und wird dementsprechend ausgebildet .

Gemäß einer Weiterbildung liegt ein Mindestabstand von der ersten Elektrode zu der zweiten Elektrode entlang der

elektrisch leitfähigen Verkapselungsschicht in einem Bereich von 0,01 mm bis 50 mm, insbesondere von 0,1 mm bis 5 mm, insbesondere von 0,4 mm bis 2 mm, beispielsweise bei ungefähr 1 mm.

Gemäß einer Weiterbildung wird die elektrisch leitfähige Verkapselungsschicht über dem Teilbereich in direktem

körperlichem Kontakt zu der elektrisch isolierenden Schicht ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich wird die elektrisch leitfähige Verkapselungsschicht außerhalb des Teilbereichs in direktem körperlichem Kontakt zu der elektrisch leitfähigen Schicht ausgebildet. Alternativ oder zusätzlich wird die erste Elektrode in direktem körperlichem Kontakt zu der elektrisch leitfähigen Verkapselungsschicht ausgebildet.

Alternativ oder zusätzlich wird die zweite Elektrode in direktem körperlichem Kontakt zu der elektrisch leitfähigen Verkapselungsschicht ausgebildet .

Gemäß einer Weiterbildung weist die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht Aluminium-Zinkoxid und/oder dotiertes Aluminium-Zinkoxid auf oder wird daraus gebildet.

Gemäß einer Weiterbildung wird die elektrisch leitfähige Schicht als Substrat oder Träger des optoelektronischen Bauelements verwendet .

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Es zeigen:

Figur 1 eine seitliche Schnittdarstellung eines

herkömmlichen optoelektronischen Bauelements;

Figur 2 eine Draufsicht auf das herkömmliche

optoelektronische Bauelement gemäß Figur 1;

Figur 3 eine seitliche Schnittdarstellung eines

herkömmlichen optoelektronischen Bauelements ;

Figur 4 eine Draufsicht auf das herkömmliche

optoelektronische Bauelement gemäß Figur 3 ;

Figur 5 eine seitliche Schnittdarstellung eines

Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen

Bauelements ;

Figur 6 eine Draufsicht auf das optoelektronische

Bauelement gemäß Figur 5 ;

Figur 7 eine seitliche Schnittdarstellung eines

Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen

Bauelements,-

Figur 8 ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines

Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements .

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. Da Komponenten von

Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener

Orientierungen positioniert werden können, dient die

Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem

Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. In den Figuren sind identische oder ähnliche

Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.

Ein optoelektronisches Bauelement kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein

elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle sein. Ein

elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische

Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender

Transistor oder als organischer Licht emittierender

Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende

Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine

Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen

Gehäuse .

Fig. 1 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung eines

herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1. Das

optoelektronische Bauelement 1 weist eine elektrisch

leitfähige Schicht 12 auf. Auf einem Teilbereich der

elektrisch leitfähigen Schicht 12 ist eine elektrisch

isolierende Schicht 40 ausgebildet. Auf der elektrisch isolierenden Schicht 40 ist eine erste Elektrode 20

ausgebildet. Auf der ersten Elektrode 20 ist eine organische funktionelle Schichtenstruktur 22 zum Emittieren und/oder zum Absorbieren von Licht ausgebildet. Auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ist eine zweite Elektrode 23 ausgebildet, die sich über die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 hinaus auf einen Rand der elektrisch isolierenden Schicht 40 und auf die elektrisch leitfähige Schicht 12 außerhalb des Teilbereichs der elektrisch

leitfähigen Schicht 12 , also lateral neben dem elektrisch isolierenden Schicht 40, erstreckt.

In dem Bereich, in dem die zweite Elektrode 23 in direktem körperlichen Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht 12 ist, ist ein erster Kontaktabschnitt 16 gebildet. In dem ersten Kontaktabschnitt 16 ist die zweite Elektrode 23 mittels der elektrisch leitfähigen Schicht 12 elektrisch kontaktiert. Somit dient die elektrisch leitfähige Schicht 12 zum elektrischen Kontaktieren der zweiten Elektrode 23.

Pig. 2 zeigt eine Draufsicht auf das herkömmliche

optoelektronische Bauelement 1 gemäß Figur 1. Aus Figur 1 geht hervor, dass die organische funktionelle

Schichtenstruktur 22, die erste Elektrode 20 und die

elektrisch isolierende Schicht 40 an zwei Seiten unter der zweiten Elektrode 23 hervorstehen. Insbesondere steht die erste Elektrode 20 an mindestens einer der beiden Seiten derart unter der zweiten Elektrode 23 und unter der

organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 hervor, dass von ihr ein zweiter Kontaktabschnitt 18 gebildet ist, der freiliegt und in dem die erste Elektrode 20 elektrisch kontaktierbar ist.

Pig. 3 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung eines

herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 2, das

beispielsweise weitgehend dem in Figur 1 gezeigten

herkömmlichen optoelektronischen Bauelement 1 entsprechen kann. Das herkömmliche optoelektronische Bauelement 2 weist eine elektrisch isolierende verkapselungsschicht 5 auf, die sich über die elektrisch isolierende Schicht 40 und über die elektrisch isolierende Schicht 40 hinaus auf die elektrisch leitfähige Schicht 12 erstreckt und die elektrisch

isolierende Schicht 40 verkapselt.

Außerhalb des Teilbereichs der elektrisch leitfähigen Schicht 12, in dem die elektrisch isolierende Schicht 40 ausgebildet ist, weist die elektrisch isolierende Verkapselungsschicht 5 Ausnehmungen auf, in denen sich die zweite Elektrode 23 durch die elektrisch isolierende Verkapselungsschicht 5 hindurch zu der elektrisch leitfähigen Schicht 12 erstreckt und in direktem körperlichem Kontakt mit dieser ist und in denen die ersten Kontaktabschnitte 16 gebildet sind. Die zweite

Elektrode 23 ist mittels der elektrisch leitfähigen Schicht 12 in den ersten Kontaktabschnitten 16 elektrisch gekoppelt und elektrisch kontaktierbar.

Fig. 4 zeigt eine Draufsicht auf das herkömmliche

optoelektronische Bauelement 2 gemäß Figur 3. Aus Figur 4 geht hervor, dass sich die elektrisch isolierende

Verkapselungsschicht 5 über nahezu die gesamte elektrisch leitfähige Schicht 12 erstreckt und die elektrisch

isolierende Schicht 40 zusammen mit der elektrisch

leitfähigen Schicht 12 vollständig verkapselt.

Die ersten Kontaktabschnitte 16 des in den Figuren 3 und 4 gezeigten ersten herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 2 sind deutlich kleiner als die ersten Kontaktabschnitte 16 des in den Figuren 1 und 2 gezeigten ersten herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1, da erstere lediglich in den Ausnehmungen der elektrisch isolierenden Verkapselungsschicht 5 ausgebildet sind. Außerdem muss sich die in den Figuren 3 und 4 gezeigte zweite Elektrode 23 relativ weit über den Teilbereich der elektrisch leitfähigen Schicht 12 und die elektrisch isolierende Schicht 40 hinaus nach außen

erstrecken, damit sie über die Ausnehmungen der elektrisch leitfähigen Schicht 12 körperlich und elektrisch verbunden werden kann. Gleichzeitig erfordert jedoch das Ausbilden der Ausnehmungen an sich einen gewissen lateralen Mindestabstand der Ausnehmungen von der elektrisch isolierenden Schicht 40.

Fig. 5 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung eines

AusführungsbeiSpiels eines optoelektronischen Bauelements 10. Das optoelektronische Bauelement 10 weist eine elektrisch leitfähige Schicht 12 auf. Die elektrisch leitfähige Schicht 12 weist eine hohe elektrische Leitfähigkeit auf.

Insbesondere bildet die elektrisch leitfähige Schicht 12 einen elektrischen Leiter. Die elektrisch leitfähige Schicht 12 kann beispielsweise als Träger und/oder als Substrat ausgebildet sein. Der Träger kann transluzent oder

transparent ausgebildet sein. Der Träger bzw. das Substrat dient als Trägerelement für elektronische Elemente oder

Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente. Der Träger kann beispielsweise Kunststoff, Metall, Glas, Quarz und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen. Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger kann mechanisch rigide oder mechanisch flexibel ausgebildet sein.

Auf einem Teilbereich der elektrisch leitfähigen Schicht 12 ist eine elektrisch isolierende Schicht 40 ausgebildet. Die elektrisch isolierende Schicht 40 dient als

Planarisierungsschicht und/oder als elektrische

Isolierungsschicht. Die elektrisch isolierende Schicht 40 weist eine besonders geringe elektrische Leitfähigkeit auf und ist insbesondere ein elektrischer Isolator.

Über der elektrisch isolierenden Schicht 40 ist eine

elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht 24 ausgebildet. Die elektrisch schwach leitfähige

Verkapselungsschicht 24 erstreckt sich über die elektrisch isolierende Schicht 40 und über die elektrisch isolierende Schicht 40 hinaus direkt auf die elektrisch leitfähige

Schicht 12. Insbesondere ist die elektrisch schwach

leitfähige Verkapselungsschicht 24 außerhalb des

Teilbereichs, in dem die elektrisch isolierende Schicht 40 ausgebildet ist, in direktem körperlichen Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht 12. Die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht 24 weist eine Dicke D auf in einem Bereich von 1 nm bis 1000 nm, insbesondere von 10 nm bis 150 nm, insbesondere von 25nm bis 75 nm, beispielsweise ungefähr 50 nm. Die elektrisch schwach leitfähige

Verkapselungsschicht 24 weist eine höhere elektrische

Leitfähigkeit auf als die elektrisch isolierende Schicht 40 und eine geringere elektrische Leitfähigkeit als die

elektrisch leitfähige Schicht 12. Die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht 24 weist einen spezifischen Widerstand auf in einem Bereich von 0,01 Ωm bis 10000 Ωm, insbesondere von 0,1 Ωm bis 1000 Ωm, insbesondere von 1 Ωm bis 100 Ωm, beispielsweise ungefähr 10 Ohm m.

Über der elektrisch isolierenden Schicht 40 und auf der elektrisch schwach leitfähigen Verkapselungsschicht 24 ist eine optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet . Die optoelektronische Schichtenstruktur weist eine erste

Elektrode 20 auf. Die erste Elektrode 20 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf, beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einen

Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalle oder TCOs aufweisen. Die erste Elektrode 20 kann beispielsweise einen Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs aufweisen, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn- Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten. Die erste Elektrode 20 kann alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen:

Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen,

beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren, Graphen-Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.

Über der ersten Elektrode 20 ist eine optisch funktionelle Schichtenstruktur, beispielsweise eine organische

funktionelle Schichtenstruktur 22, der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine

Elektronentransportschicht und/oder eine

Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die

Lochinjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen erster Elektrode und Lochtransportschicht . Bei der Lochtransportschicht ist die Lochleitfähigkeit größer als die Elektronenleitfähigkeit. Die Lochtransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Bei der Elektronentransportschicht ist die Elektronenleitfähigkeit größer als die

Lochleitfähigkeit. Die Elektronentransportschicht dient zum Transportieren der Elektronen. Die

Elektroneninjektionsschicht dient zum Reduzieren der

Bandlücke zwischen zweiter Elektrode und

Elektronentransportschicht . Ferner kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 ein, zwei oder mehr

funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten, die jeweils die genannten Teilschichten und/oder weitere Zwischenschichten aufweisen. Über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ist eine zweite Elektrode 23 der optoelektronischen

Schichtenstruktur ausgebildet. Die zweite Elektrode 23 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 20 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 20 und die zweite Elektrode 23 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die erste Elektrode 20 dient beispielsweise als Anode oder Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Die zweite Elektrode 23 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode als Kathode bzw. Anode der optoelektronischen

Schichtenstruktur. Die zweite Elektrode 23 erstreckt sich über die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 hinaus bis auf die elektrisch schwach leitfähige

Verkapselungsschicht 24 und auch über den Teilbereich hinaus, in dem die elektrisch isolierende Schicht 40 ausgebildet ist. Außerhalb dieses Teilbereichs, insbesondere in ersten

Kontaktabschnitten 16, ist die zweite Elektrode 23 in

direktem körperlichen Kontakt mit der elektrisch schwach leitfähigen Verkapselungsschicht 24. In den ersten

Kontaktabschnitten 16 ist somit die zweite Elektrode 23 über die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht 24 mit der elektrisch leitfähigen Schicht 12 gekoppelt.

Ein Mindestabstand A von der ersten Elektrode 20 zu der zweiten Elektrode 23 entlang der elektrisch schwach

leitfähigen Verkapselungsschicht 24 liegt in einem Bereich von 0,01 mm bis 50 mm, insbesondere von 0,1 mm bis 5 mm, insbesondere von 0,4 mm bis 2 mm, beispielsweise bei ungefähr 1 mm.

Die relativ geringe Dicke D der elektrisch schwach

leitfähigen Verkapselungsschicht 24 ermöglicht, dass die zweite Elektrode 23 in den ersten Kontaktabschnitten 16 durch die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht 24 hindurch elektrisch gut kontaktierbar ist, da die geringe Dicke D der schwachen elektrischen Leitfähigkeit

entgegenwirkt, so dass im Ergebnis in Dickenrichtung, also in Figur 5 in vertikaler Richtung, der elektrisch schwach leitfähigen Verkapselungsschicht 24 lediglich ein geringer Spannungsabfall über die elektrisch schwach leitfähige

Schicht 24 entsteht und ein ausreichend großer Stromfluss von der elektrisch leitfähigen Schicht 12 hin zu der zweiten Elektrode 23 möglich ist.

Im Unterschied dazu bewirkt der relativ große Mindestabstand A von der ersten Elektrode 20 zu der zweiten Elektrode 23 entlang der elektrisch schwach leitfähigen

Verkapselungsschicht 24, dass die schwache elektrische

Leitfähigkeit der elektrisch schwach leitfähigen

Verkapselungsschicht 24 in dieser Richtung, also in lateraler Richtung, also in Figur 5 in waagrechter Richtung, voll zum Tragen kommt und lediglich ein sehr geringer, insbesondere für viele Anwendungen vernachlässigbarer, Leckstrom und kein nennenswerter Kurzschluss entsteht.

Beispielsweise ergibt sich im ersten Kontaktabschnitt 16 näherungsweise ein Spannungsabfall von 1,0 mV von der zweiten Elektrode 23 zu der elektrisch leitfähigen Schicht 12 und von der ersten Elektrode 20 hin zu der zweiten Elektrode 23 ergibt sich ein Leckstrom von näherungsweise 6,3 μΑ, unter den Annahmen, dass das optoelektronische Bauelement 10 eine aktive Fläche, beispielsweise eine Leuchtfläche, von 44,2 cm ² hat, dass die Summe der Kontaktflächen zwischen der zweiten Elektrode 23 und der elektrisch schwach leitfähigen

Verkapselungsschicht 24 in den ersten Kontaktabschnitten 16 223,6 mm ² beträgt, dass die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht 24 einen spezifischen Widerstand von 10 Ωm und eine Dicke D von 50 nm hat und somit ein

Übergangswiderstand von der Elektrode 23 über die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht 24 im Bereich der Kontaktbereiche 16 zur elektrisch leitfähigen Schicht 12 2,2*10 ^-3 Ω ist und dass im Betrieb des optoelektronischen Bauelements 10 eine Betriebsstromdichte von 10 mA/cm ²

vorliegt, somit ein Betriebsstrom von 0,442 A fließt und eine Betriebsspannung von 5V anliegt. Die optoelektronische Schichtenstruktur ist ein elektrisch und/oder optisch aktiver Bereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 10, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des

optoelektronischen Bauelements 10 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird.

Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine Getter-Struktur (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter-Schicht kann transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein. Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Stoffe, die schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet .

Über der zweiten Elektrode 23 kann optional eine weitere, in den Figuren nicht dargestellte, Verkapselungsschicht 24 der optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet sein, die die optoelektronische Schichtenstruktur verkapselt . Die

elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht 24

und/oder die weitere Verkapselungsschicht können als

Barriereschicht, beispielsweise als Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Die Verkapselungsschichten 24 können auch als Dünnschichtverkapselungen bezeichnet werden. Die

Verkapselungsschichten 24 bilden eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. Die Verkapselungsschichten können jeweils als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtstruktur

ausgebildet sein. Die Verkapselungsschichten kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid,

Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid

Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,

Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium- dotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben, wobei die

elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht 24

elektrisch schwach leitfähig ist und wobei die weitere Verkapselungsschicht beispielsweise elektrisch isolierend, ausgebildet sein kann.

Optional kann über der weiteren Verkapselungsschicht eine nicht dargestellte Abdeckung ausgebildet sein. Die Abdeckung kann beispielsweise eine nicht dargestellte Haftmittelschicht und/oder einen nicht dargestellten Abdeckkörper aufweisen. Die Haftmittelschicht weist gegebenenfalls beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise einen Klebstoff, beispielsweise einen Laminierklebstoff , einen Lack und/oder ein Harz auf. Die Haftmittelschicht kann beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Die Haftmittelschicht dient

gegebenenfalls beispielsweise zum Befestigen des

Abdeckkörpers an der weiteren Verkapselungsschicht . Der

Abdeckkörper weist gegebenenfalls beispielsweise Kunststoff, Glas und/oder Metall auf. Beispielsweise kann der

Abdeckkörper im Wesentlichen aus Glas gebildet sein und eine dünne Metallschicht, beispielsweise eine Metallfolie,

und/oder eine Graphitschicht, beispielsweise ein

Graphitlaminat, auf dem Glaskörper aufweisen. Der

Abdeckkörper dient gegebenenfalls zum Schützen des

optoelektronischen Bauelements 10, beispielsweise vor

mechanischen Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann der Abdeckkörper zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem optoelektronischen Bauelement 10 erzeugt wird. Beispielsweise kann das Glas des Abdeckkörpers als Schutz vor äußeren Einwirkungen dienen und die Metallschicht des Abdeckkörpers kann zum Verteilen und/oder Abführen der beim Betrieb des optoelektronischen Bauelements 10

entstehenden Wärme dienen.

Bei dem in Figur 5 gezeigten Ausführungsbeispiel wird der Mindestabstand A durch das Material der organischen

funktionellen Schichtenstruktur bestimmt, das in lateraler Richtung zwischen der ersten Elektrode 20 und der zweiten Elektrode 23 ausgebildet ist. Optional kann lateral neben der ersten Elektrode 20 und evtl. auch auf dem lateral äußeren Rand der ersten Elektrode 20 ein nicht dargestelltes

elektrisch isolierendes Isoliermaterial ausgebildet sein, und zwar so, dass in lateraler Richtung der Zwischenraum zwischen der ersten Elektrode 20 und der zweiten Elektrode 23 ganz oder teilweise von dem Isoliermaterial ausgefüllt ist.

Gegebenenfalls wird der Mindestabstand Ά dann ganz oder zum Teil durch das Isoliermaterial bestimmt.

Fig. 6 zeigt eine Draufsicht auf das optoelektronische

Bauelement 10 gemäß Figur 5. Aus Figur 6 geht hervor, dass sich die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht 24 nahezu über die gesamte Fläche der elektrisch leitfähigen Schicht 12 erstreckt. Optional kann sich die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht 24 jedoch über die gesamte elektrisch leitfähige Schicht 12 erstrecken, was dazu beitragen kann, dass die elektrisch schwach leitfähige

Verkapselungsschicht 24 besonders einfach hergestellt werden kann, insbesondere vollflächig über die elektrisch leitfähige Schicht 12. Die elektrisch schwach leitfähige

Verkapselungsschicht 24 verkapselt in Zusammenwirken mit der elektrisch leitfähigen Schicht 12 die elektrisch isolierende Schicht 40. Die erste Elektrode 20 steht derart unter der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 und der zweiten Elektrode 23 hervor, dass von ihr ein zweiter

Kontaktabschnitt 18 gebildet ist. Die erste Elektrode 20 ist mittels des zweiten Kontaktabschnitte 18 elektrisch

kontaktierbar .

Da bei dem optoelektronischen Bauelement 10 aufgrund der zwar schwachen, jedoch ausreichend gegebenen elektrischen

Leitfähigkeit der elektrische schwach leitfähigen

Verkapselungsschicht 24 auf die Ausnehmungen zum Herstellen der elektrischen Kontaktierung der zweiten Elektrode 23 verzichtet werden kann, kann die zweite Elektrode 23 derart ausgebildet werden, dass sie sich nur geringfügig über den Teilbereich der elektrisch leitfähigen Schicht 12 und die elektrisch isolierende Schicht 40 hinaus nach außen

erstreckt . Fig. 7 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung eines

Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements 10 , das weitgehend dem mit Bezug zu den Figuren 5 und 6

erläuterten Ausführungsbeispiel entsprechen kann. Im

Unterschied dazu ist jedoch die organische funktionelle

Schichtenstruktur 20 in lateraler Richtung nach außen über die elektrisch isolierende Schicht 40 hinaus gezogen,

weswegen die kürzeste elektrische leitfähige Wegstrecke ausgehend von der ersten Elektrode 20 entlang der elektrisch schwach leitfähigen Verkapselungsschicht 24 hin zu der nächstliegenden elektrisch leitfähigen Struktur sich nicht mehr bis hin zu der zweiten Elektrode 23 erstreckt, sondern bis hin zu der elektrisch leitfähigen Schicht 12. In anderen Worten ist die zu der ersten Elektrode 20 entlang der

elektrisch schwach leitfähigen Verkapselungsschicht 24 nächstliegende elektrisch leitfähige Struktur nicht mehr die zweite Elektrode 23 sondern die elektrisch leitfähige Schicht 12. Daher wird bei diesem Ausführungsbeispiel der

Mindestabstand A durch den Abstand zwischen der ersten

Elektrode 20 und der elektrisch leitfähigen Schicht 12, gemessen entlang der elektrisch schwach leitfähigen

Verkapselungsschicht 24 , bestimmt .

Fig. 8 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum

Herstellen eines optoelektronischen Bauelements,

beispielsweise des im Vorhergehenden erläuterten

optoelektronischen Bauelements 10.

In einem Schritt S2 wird eine elektrisch leitfähige Schicht bereitgestellt. Beispielsweise wird die im Vorhergehenden erläuterte elektrische leitfähige Schicht 12 bereitgestellt, beispielsweise wird die elektrisch leitfähige Schicht 12 ausgebildet. Die elektrisch leitfähige Schicht 12 kann beispielsweise eine Metallfolie sein.

In einem Schritt S4 wird eine elektrisch isolierende Schicht ausgebildet. Beispielsweise wird die elektrisch isolierende Schicht 40 in. dem Teilbereich auf der elektrisch leitfähigen Schicht 12 ausgebildet. Die elektrisch isolierende Schicht 40 kann beispielsweise Kunststoff, beispielsweise ein Kunstharz, und/oder einen Lack aufweisen oder daraus gebildet sein. Die elektrisch isolierende Schicht 40 kann beispielsweise in einem Druckverfahren auf der elektrisch leitfähigen Schicht 12 ausgebildet werden.

In einem Schritt S6 wird eine elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht ausgebildet . Beispielsweise wird die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht 24 so ausgebildet, dass sie sich über die elektrisch isolierende Schicht 40 und darüber hinaus erstreckt, so dass sie die elektrisch isolierende Schicht 40 in Zusammenwirken mit der elektrisch leitfähigen Schicht 12 verkapselt . Außerdem wird die elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht 24 so ausgebildet, dass sie außerhalb des Teilbereichs, in dem die elektrisch isolierende Schicht 40 ausgebildet ist, in

direktem körperlichen Kontakt mit der elektrisch leitfähigen Schicht 12 ist . Optional kann die elektrisch schwach

leitfähige Verkapselungsschicht 24 so ausgebildet werden, dass sie sich über die gesamte elektrisch leitfähige Schicht 12 erstreckt .

In einem Schritt S8 wird eine erste Elektrode ausgebildet. Beispielsweise wird die erste Elektrode 20 über dem

Teilbereich der elektrisch leitfähigen Schicht 12 und über der elektrisch isolierenden Schicht 40 auf der elektrisch schwach leitfähigen Verkapselungsschicht 24 ausgebildet.

In einem Schritt S10 wird eine organische funktionelle

Schichtenstruktur ausgebildet. Beispielsweise wird die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 auf der ersten Elektrode 20 ausgebildet.

In einem Schritt S12 wird eine zweite Elektrode ausgebildet. Beispielsweise wird die zweite Elektrode 23 derart

ausgebildet, dass sie sich über die organische funktionelle Schichtenstruktur 22, den Teilbereich der elektrisch

leitfähigen Schicht 12 und/oder die elektrisch isolierende Schicht 40 hinaus erstreckt und dass sie außerhalb des

Teilbereichs in direktem körperlichen Kontakt mit der elektrisch schwach leitfähigen Verkapselungsschicht 24 ist.

Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen

Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann die elektrisch leitfähige Schicht 12 auf einem Träger oder einem Substrat ausgebildet sein.

BEZUGSZEICHENLISTE

Herkömmliche OLED 2

Elektrisch leitfähige Schicht 12

elektrisch isolierende Verkapselungsschicht 5 optoelektronisches Bauelement 10

erste Kontaktabschnitt 16

zweiter Kontaktabschnitt 18

erste Elektrode 20

organische funktionelle Schichtenstruktur 22 Zweite Elektrode 23

elektrisch schwach leitfähige Verkapselungsschicht elektrisch isolierende Schicht 40

Mindestabstand A

Dicke D

Schritte S2 bis S12