EP2626918A2 | 2013-08-14 | |||
DE102014106073A1 | 2015-11-05 | |||
EP2387083A1 | 2011-11-16 | |||
US20130264602A1 | 2013-10-10 | |||
EP2945197A1 | 2015-11-18 | |||
DE102010052835A1 | 2012-05-31 |
PATENTA S PRUCHE Optoelektronisches Bauelement (101), umfassend: - einen Träger aufweisend eine Chipmontagefläche (153), - wobei die Chipmontagefläche (153) eine Reflexionsbe- schichtung (135) aufweist, - einen mittels eines Klebstoffs auf der Reflexionsbe- schichtung (135) geklebten optoelektronischen Halbleiterchip (127), so dass die Reflexionsbeschichtung (135) in einen mittels des Halbleiterchips (127) be¬ deckten ersten Teilabschnitt (149) und in einen zweiten Teilabschnitt (151), der frei von dem Halbleiterchip (127) ist, unterteilt ist, - wobei der Klebstoff (137) Reflexionspartikel (141) zum Reflektieren von mittels des Halbleiterchips (127) emittierter elektromagnetischer Strahlung aufweist, - wobei der zweite Teilabschnitt (151) zumindest teilwei¬ se mittels einer Korrosionsschutzschicht (143) bedeckt ist . Optoelektronisches Bauelement (101) nach Anspruch 1, wo¬ bei der Halbleiterchip (127) eine Unterseite (131) und eine der Unterseite (131) gegenüberliegende Obersei¬ te (129) aufweist, wobei der Halbleiterchip (127) mit seiner Unterseite (131) der Chipmontagefläche (153) zuge¬ wandt auf der Reflexionsbeschichtung (135) der Chipmontagefläche (153) geklebt ist, so dass zwischen der Unter¬ seite (131) und der Reflexionsbeschichtung (135) eine aus Klebstoff (137) gebildete und die Unterseite (131) voll¬ ständig kontaktierende KlebstoffSchicht (139) gebildet ist . Optoelektronisches Bauelement (101) nach Anspruch 1 oder 2, wobei frei liegende Oberflächen des Halbleiterchips (127) und/oder des Trägers mittels der Korrosionsschutzschicht (143) bedeckt sind. Optoelektronisches Bauelement (101) nach einem der vorhe¬ rigen Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (127) mittels eines Bonddrahts (133) oder mittels zweier Bonddrähte (133) elektrisch kontaktiert ist, wobei der oder die Bonddrähte (133) mittels der Korrosionsschutzschicht (143) bedeckt ist respektive sind. Optoelektronisches Bauelement (101) nach einem der vorhe¬ rigen Ansprüche, wobei der Träger als ein Element ausge¬ wählt aus der folgenden Gruppe von Trägern ausgebildet ist: Leadframe (111), Leiterplatte, Keramikträger. Optoelektronisches Bauelement (101) nach einem der vorhe¬ rigen Ansprüche, umfassend ferner ein elektronisches Bau¬ teil, insbesondere eine in einen den Halbleiterchip (127) umfassenden Stromkreis geschaltete ESD-Schutzdiode, das mittels der Korrosionsschutzschicht (143) bedeckt ist. Optoelektronisches Bauelement (101) nach einem der vorhe¬ rigen Ansprüche, wobei die Korrosionsschutzschicht (143) eine oder mehrere anorganische Schichten, insbesondere A1203-Schicht, Si02-Schicht , Si3N4-Schicht , Ti02-Schicht , ZnO-Schicht, Ta205-Schicht , Ge3N4-Schicht , Zr02-Schicht , umfasst . Optoelektronisches Bauelement (101) nach einem der vorhe¬ rigen Ansprüche, wobei die Reflexionspartikel (141) ein oder mehrere Elemente ausgewählt aus der folgenden Gruppe von Reflexionspartikeln (141) umfassen: Titandioxid (Ti02) -Partikel, Aluminiumoxid (A1203 ) -Partikel , Si02- Partikel, ZnO-Partikel , ZnS-Partikel , BN-Partikel. Optoelektronisches Bauelement (101) nach einem der vorhe¬ rigen Ansprüche, wobei eine Partikelgröße, insbesondere eine durchschnittliche Partikelgröße, der Reflexionspar¬ tikel (141) im Bereich zwischen 0,05 ym und 5 ym liegt. 10. Optoelektronisches Bauelement (101) nach einem der vorhe¬ rigen Ansprüche, wobei ein Massenanteil der Reflexions¬ partikel (141) im Bereich zwischen 50% und 80% liegt. 11. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (101), umfassend die folgenden Schritte: - Bereitstellen (201) eines eine Chipmontagefläche (153) aufweisenden Trägers, wobei die Chipmontagefläche (153) eine Reflexionsbeschichtung (135) aufweist, - Kleben (203) eines optoelektronischen Halbleiterchips (127) auf die Chipmontagefläche (153) mittels ei¬ nes Klebstoffs, so dass die Reflexionsbeschichtung (135) in einen mittels des Halbleiterchips (127) bedeckten ersten Teilabschnitt (149) und in einen zweiten Teilab¬ schnitt (151), der frei von dem Halbleiterchip (127) ist, unterteilt (205) wird, - wobei der Klebstoff (137) Reflexionspartikel (141) zum Reflektieren von mittels des Halbleiterchips (127) emit¬ tierter elektromagnetischer Strahlung aufweist, - wobei nach dem Kleben (203) der zweite Teilabschnitt (151) zumindest teilweise mittels einer Korrosions¬ schutzschicht (143) bedeckt (207) wird. 12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Halbleiterchip (127) eine Unterseite (131) und eine der Untersei¬ te (131) gegenüberliegende Oberseite (129) aufweist, wo¬ bei der Halbleiterchip (127) mit seiner Unterseite (131) der Chipmontagefläche (153) zugewandt auf die Chipmonta¬ gefläche (153) geklebt wird, so dass zwischen der Unter¬ seite (131) und dem ersten Kontaktabschnitt (117) eine aus Klebstoff (137) gebildete und die Unterseite (131) vollständig kontaktierende KlebstoffSchicht (139) gebil¬ det wird. 13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei frei liegende Oberflächen des Halbleiterchips (127) und/oder des Trä¬ gers nach dem Kleben mittels der Korrosionsschutzschicht (143) bedeckt werden. 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei nach dem Kleben (203) der Halbleiterchip (127) mittels eines Bonddrahts (133) oder mittels zweier Bonddrähte (133) elektrisch kontaktiert wird, wobei der oder die Bonddrähte (133) mittels der Korrosionsschutzschicht (143) be¬ deckt wird respektive werden. 15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei der Träger als ein Element ausgewählt aus der folgenden Grup¬ pe von Trägern ausgebildet ist: Leadframe (111), Leiter¬ platte, Keramikträger. 16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, wobei fer- ner ein elektronisches Bauteil, insbesondere eine in ei¬ nen den Halbleiterchip (127) umfassenden Stromkreis geschaltete ESD-Schutzdiode, vorgesehen ist, das nach dem Kleben (203) mittels der Korrosionsschutzschicht (143) bedeckt wird. 17. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 16, wobei die Korrosionsschutzschicht (143) eine oder mehrere anorgani¬ sche Schichten, insbesondere A1203-Schicht , Si02-Schicht , Si3N4-Schicht, Ti02-Schicht , ZnO-Schicht, Ta205-Schicht , Ge3N4-Schicht, Zr02-Schicht , umfasst. 18. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, wobei die Reflexionspartikel (141) ein oder mehrere Elemente ausge¬ wählt aus der folgenden Gruppe von Reflexionspartikeln (141) umfassen: Titandioxid (Ti02) -Partikel, Alumini¬ umoxid (A1203) -Partikel, Si02-Partikel, ZnO-Partikel , ZnS-Partikel, BN-Partikel. 19. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 18, wobei eine Partikelgröße, insbesondere eine durchschnittliche Parti¬ kelgröße, der Reflexionspartikel (141) im Bereich zwi¬ schen 0,05 ym und 5 ym liegt. 20. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 19, wobei ein Massenanteil der Reflexionspartikel (141) im Bereich zwi¬ schen 50% und 80% liegt. |
BESCHREIBUNG
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2016 106 494.7, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Träger für optoelektronische Halbleiterchips weisen üblicher- weise eine Chipmontagefläche auf, auf welcher ein optoelekt ¬ ronischer Halbleiterchip geklebt ist. Um mittels des opto ¬ elektronischen Halbleiterchips emittierte elektromagnetischer Strahlung effizient weg vom Träger zu reflektieren, ist zum Beispiel vorgesehen, dass die Chipmontagefläche eine Reflexi- onsbeschichtung aufweist, auf welcher der Halbleiterchip geklebt ist. Die Reflexionsbeschichtung ist zum Beispiel eine SilberbeSchichtung .
Die Reflexionsbeschichtung kann aber zum Beispiel unter Ein- fluss von korrosiven Gasen, zum Beispiel H2S-Gas, aufgrund von Korrosion degradieren und ihre ursprüngliche Farbe ändern. Eine Silberschicht verändert zum Beispiel unter dem Einfluss von H2S-Gas ihre Farbe von einem spiegelnden metal ¬ lischen Silber zu einer dunkleren Farbe. Aufgrund dieser Farbveränderung nimmt eine Reflektivität einer korrodierten
Reflexionsbeschichtung ab. Da die Reflektivität sich abhängig von der Wellenlänge unterschiedlich verändert oder degra ¬ diert, kann sich auch die Farbe des reflektierten Lichts ge ¬ genüber dem auf die korrodierte Reflexionsbeschichtung ein- fallenden Licht verändern. Somit kann sich der Farbort des vom optoelektronischen Bauelement emittierten Lichts gegenüber dem nicht-korrodierten Bauelements verändern. Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe ist daher darin zu sehen, ein Konzept bereitzustellen, welches eine effiziente und insbesondere farbstabilere Reflektivität von mittels eines optoelektronischen Halbleiterchips emittierter elektro- magnetischer Strahlung ermöglicht.
Diese Aufgabe wird mittels des jeweiligen Gegenstands der un ¬ abhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von jeweils abhängigen Unteransprü- chen.
Nach einem Aspekt wird ein optoelektronisches Bauelement be ¬ reitgestellt, umfassend:
- einen Träger aufweisend eine Chipmontagefläche,
- wobei die Chipmontagefläche eine Reflexionsbeschichtung aufweist,
- einen mittels eines Klebstoffs auf der Reflexionsbe ¬ schichtung geklebten optoelektronischen Halbleiterchip, so dass die Reflexionsbeschichtung in einen mittels des Halbleiterchips bedeckten ersten Teilabschnitt und in einen zweiten Teilabschnitt, der frei von dem Halb ¬ leiterchip ist, unterteilt ist,
- wobei der Klebstoff Reflexionspartikel zum Reflektieren von mittels des Halbleiterchips emittierter elektromag ¬ netischer Strahlung aufweist,
- wobei der zweite Teilabschnitt zumindest teilweise mit ¬ tels einer Korrosionsschutzschicht bedeckt ist.
Nach einem weiteren Aspekt wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements bereitgestellt, umfas ¬ send die folgenden Schritte:
- Bereitstellen eines eine Chipmontagefläche aufweisenden Trägers, wobei die Chipmontagefläche eine Reflexionsbe ¬ schichtung aufweist,
- Kleben eines optoelektronischen Halbleiterchips auf die
Chipmontagefläche mittels eines Klebstoffs, so dass die Reflexionsbeschichtung in einen mittels des Halbleiterchips bedeckten ersten Teilabschnitt und in einen zwei- ten Teilabschnitt, der frei von dem Halbleiterchip ist, unterteilt wird,
- wobei der Klebstoff Reflexionspartikel zum Reflektieren von mittels des Halbleiterchips emittierter elektromag- netischer Strahlung aufweist,
- wobei nach dem Kleben der zweite Teilabschnitt zumindest teilweise mittels einer Korrosionsschutzschicht be ¬ deckt wird. Die Erfindung basiert auf der Erkenntnis, dass die obige Auf ¬ gabe dadurch gelöst werden kann, dass der Klebstoff, welcher verwendet wird, um den Halbleiterchip auf die Reflexionsbe ¬ schichtung zu kleben, Reflexionspartikel aufweist. Diese re ¬ flektieren in vorteilhafter Weise elektromagnetische Strah- lung, die mittels des Halbleiterchips in seinem Betrieb emit ¬ tiert wird. Somit bewirken diese Reflexionspartikel in vor ¬ teilhafter Weise eine effiziente Reflexion der emittierten elektromagnetischen Strahlung weg vom Träger. Dies kompensiert in vorteilhafter Weise eine mögliche Verschlechterung der Reflektivität der Reflexionsbeschichtung aufgrund eines degradierenden Einflusses eines korrosiven Gases.
Das heißt also, dass die Reflexionspartikel des Klebstoffs zwar eine mögliche Verschlechterung der Reflektivität der Re- flexionsbeschichtung aufgrund des degradierenden Einflusses eines korrosiven Gases nicht verhindern können, doch zumindest können sie diese mögliche Verschlechterung zumindest teilweise kompensieren. Dies im Vergleich zu einem optoelektronischen Bauelement, in welchem der Halbleiterchip mittels eines Klebstoffs auf einer Reflexionsbeschichtung geklebt ist, der frei von Reflexionspartikeln ist.
Es hat sich ferner gezeigt, dass durch thermischen und/oder mechanischen Stress die Korrosionsschutzschicht Risse bekom- men kann. Durch solche Risse kann zum Beispiel ein korrosives Gas, zum Beispiel H2S-Gas, bis zum Klebstoff vordringen, durch diesen durchdiffundieren und dann die Reflexionsbeschichtung angreifen und letztlich korrodieren. Die Risse treten vornehmlich an Orten auf, an denen sich eine Grenzfläche zwischen der Korrosionsschutzschicht und dem Klebstoff einstellt . Die Reflexionspartikel können zwar eine solche Korrosion nicht verhindern. Dennoch wird durch das Vorsehen der Reflexionspartikel ein Mindestmaß an Reflektivität bereitgestellt, so dass eine Mindest-Reflexion der elektromagnetischen Strahlung auch dann bewirkt werden kann, wenn im Extremfall die gesamte unter dem Klebstoff liegende Reflexionsbeschichtung korrodiert ist und somit selbst nicht mehr effizient die elektromagnetische Strahlung reflektieren kann.
Ferner hat es sich gezeigt, dass sich aufgrund einer solchen Korrosion der Farbort einer mittels der korrodierten Reflexi- onsbeschichtung reflektierten elektromagnetischen Strahlung im Vergleich zu der auf die korrodierte Reflexionsbeschichtung einfallende elektromagnetische Strahlung verändern kann. Das heißt also insbesondere, dass sich der Farbort der ur- sprünglich mittels des Halbleiterchips emittierten elektro ¬ magnetischen Strahlung aufgrund einer Reflexion an einem korrodierten Ort der Reflexionsbeschichtung verschieben kann. Diese Farbortverschiebung wird aber in vorteilhafter Weise durch die Reflexionspartikel, die stets ein Mindestmaß an Re- flektivität ohne Farbortverschiebung bewirken, zumindest teilweise kompensiert. Somit fällt eine mögliche Farbortver ¬ schiebung aufgrund einer Korrosion deutlich geringer aus als bei der Verwendung eines Klebstoffs, der frei von Reflexions ¬ partikeln ist.
Somit kann in vorteilhafter Weise das optoelektronische Bau ¬ element auch in Umgebungen eingesetzt werden, die korrosive Gase aufweisen. Eine Reflexionsbeschichtung umfasst nach einer Ausführungsform eine Silberschicht und/oder eine eine Silberlegierung aufweisende Schicht. Die Formulierung „bedecken" oder „bedeckt" umfasst insbesondere die Formulierung „beschichten" oder „beschichtet".
Ein Halbleiterchip ist nach einer Ausführungsform als ein Leuchtdiodenchip ausgebildet. Der Leuchtdiodenchip ist nach einer Ausführungsform als ein Volumenemitter ausgebildet.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Klebstoff zumindest teilweise einen um den Halbleiterchip umlaufenden Randbereich bedeckt, wobei der Randbereich vom zweiten Teilabschnitt umfasst ist. Das heißt also, dass im zweiten Teil ¬ abschnitt ein Unterabschnitt festgelegt ist: Der Randbereich um den geklebten Halbleiterchip herum, wobei der Randbereich zumindest teilweise mit Klebstoff versehen ist. Der Klebstoff steht somit sozusagen über den Halbleiterchip über. Die Korrosionsschutzschicht ist hier dann unter anderem auf dem überstehenden Klebstoff, also auf dem Klebstoff, der den Randbereich zumindest teilweise bedeckt, angeordnet. Dass der Klebstoff überstehen kann, kann zum Beispiel aus prozesstechnischen Gründen resultieren. Beispielsweise wird beim einem Andrücken des Halbleiterchips auf die Chipmontage ¬ fläche Klebstoff unter dem Halbleiterchip herausgedrückt. Die Formulierung, dass der zweite Teilabschnitt zumindest teilweise mittels der Korrosionsschutzschicht bedeckt ist respektive wird, umfasst insbesondere, dass der zweite Teil ¬ abschnitt vollständig mittels der Korrosionsschutzschicht be ¬ deckt ist respektive wird.
Der überstehende Klebstoff ist insbesondere mittels der Kor ¬ rosionsschutzschicht bedeckt oder versehen.
Die Formulierung „zumindest teilweise" umfasst insbesondere die Formulierung „vollständig".
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Halbleiterchip eine Unterseite und eine der Unterseite gegenüberliegen- de Oberseite aufweist, wobei der Halbleiterchip mit seiner Unterseite der Chipmontagefläche zugewandt auf der Reflexi- onsbeschichtung der Chipmontagefläche geklebt ist, so dass zwischen der Unterseite und der Reflexionsbeschichtung eine aus Klebstoff gebildete und die Unterseite vollständig kon ¬ taktierende Klebstoffschicht gebildet ist.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Halbleiterchip eine Unterseite und eine der Unterseite gegenüberliegen- de Oberseite aufweist, wobei der Halbleiterchip mit seiner Unterseite der Chipmontagefläche zugewandt auf der Reflexi- onsbeschichtung der Chipmontagefläche geklebt ist, so dass zwischen der Unterseite und der Reflexionsbeschichtung eine aus Klebstoff gebildete Klebstoffschicht gebildet ist. Vor- zugsweise ist vorgesehen, dass die Klebstoffschicht die Un ¬ terseite des Halbleiterchips vollflächig kontaktiert, also berührt. Gemäß dieser Ausführungsform (siehe auch Ausführungsform weiter oben) ist also eine die Unterseite des Halb ¬ leiterchips vollflächig kontaktierende Klebstoffschicht ge- bildet. Vollflächig bedeutet hier vollständig.
Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass unmittelbar unterhalb des Halbleiterchips eine Reflexi ¬ onsschicht gebildet ist, die Klebstoffschicht umfassend die Reflexionspartikel, so dass die Reflexionsschicht effizient die mittels des Halbleiterchips emittierte elektromagnetische Strahlung reflektieren kann. Dies ist zum Beispiel von besonderem Vorteil, wenn der Halbleiterchip als ein Volumenemitter ausgebildeter Leuchtdiodenchip ausgebildet ist.
Aufgrund von Prozesstoleranzen kann es vorkommen, dass die Klebstoffschicht die Unterseite des Halbleiterchips unvoll ¬ ständig, also nicht vollflächig, bedeckt oder kontaktiert. Die allgemeine Formulierung, dass eine Klebstoffschicht zwi- sehen der Unterseite des Halbleiterchips und der Reflexions- beschichtung vorgesehen oder gebildet ist respektive wird, umfasst sowohl den Fall einer vollflächigen, also vollständi- gen, Kontaktierung als auch den Fall einer unvollständigen Kontaktierung .
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass frei liegende Oberflächen des Halbleiterchips und/oder des Trägers mittels der Korrosionsschutzschicht bedeckt sind.
Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass auch die frei liegenden Oberflächen effizient gegen kor- rosive Gase geschützt werden können.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Halbleiterchip mittels eines Bonddrahts oder mittels zweier Bonddrähte elektrisch kontaktiert ist, wobei der oder die Bonddrähte mittels der Korrosionsschutzschicht bedeckt ist respektive sind .
Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass auch der oder die Bonddrähte effizient gegen korrosive Gase geschützt werden kann respektive können.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Träger als ein Element ausgewählt aus der folgenden Gruppe von Trägern ausgebildet ist: Leadframe, Leiterplatte, Keramikträger. Ein Leadframe kann im Deutschen auch als Leiterrahmen oder Anschlussrahmen bezeichnet werden.
In einer Ausführungsform ist ferner ein elektronisches Bauteil, insbesondere eine in einen den Halbleiterchip umfassen- den Stromkreis geschaltete ESD-Schutzdiode, vorgesehen, das nach einer weiteren Ausführungsform mittels der Korrosionsschutzschicht bedeckt ist.
Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass das elektronische Bauteil effizient gegen korrosive Gase geschützt werden kann. Zum Beispiel ist das elektronische Bauteil mittels eines wei ¬ teren Klebstoffs auf dem Träger geklebt. Der weitere Kleb ¬ stoff ist nach einer Ausführungsform wie ein Klebstoff umfassend Reflexionspartikel gemäß der vorliegenden Erfindung aus- gebildet. Ausführungen und beschriebene Vorteile und techni ¬ sche Effekte, die im Zusammenhang mit dem Klebstoff gemacht sind, der verwendet wird respektive ist, um den Halbleiter ¬ chip auf die Chipmontagefläche zu kleben, gelten analog für den weiteren Klebstoff und umgekehrt. Das heißt also insbe- sondere, dass auch der weitere Klebstoff nach einer Ausfüh ¬ rungsform Reflexionspartikel umfasst.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Korrosionsschutzschicht eine oder mehrere anorganische Schichten, insbesondere A1203-Schicht , Si02-Schicht , Si3N4-Schicht , Ti02-Schicht, ZnO-Schicht, Ta205-Schicht , Ge3N4-Schicht , Zr02-Schicht , umfasst.
Die Korrosionsschutzschicht ist also beispielsweise als ein Schichtenstapel oder als eine Schichtanordnung gebildet.
In einer Ausführungsform beträgt eine Dicke der Korrosions ¬ schutzschicht zwischen 5 nm und 100 nm. Zum Beispiel wird eine anorganische Schicht mittels eines
Sputter-Verfahrens respektive eines PECVD-Verfahrens respek ¬ tive eines ALD-Verfahrens aufgebracht. "ALD" steht für
"Atomic Layer Deposition" und wird mit Atomlagenabscheidung übersetzt. "PECVD" steht für "Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition" und wird mit plasmaunterstützte chemische Gaspha- senabscheidung übersetzt.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Reflexionspartikel ein oder mehrere Elemente ausgewählt aus der folgen- den Gruppe von Reflexionspartikeln umfassen: Titandioxid (Ti02) -Partikel, Aluminiumoxid (A1203 ) -Partikel , Si02- Partikel, ZnO-Partikel , ZnS-Partikel , BN-Partikel. Durch das Vorsehen dieser Reflexionspartikel wird insbesonde ¬ re eine effiziente Reflexion bewirkt.
In einer Ausführungsform sind die Reflexionspartikel als wei- ße Reflexionspartikel ausgebildet. Somit bewirken die Refle ¬ xionspartikel einen weißen Farbeindruck. Solche Reflexions ¬ partikel können auch als weiße Reflexionspartikel bezeichnet werden. Weiße Reflexionspartikel weisen insbesondere den technischen Vorteil auf, dass sie besonders effizient die emittierte elektromagnetische Strahlung reflektieren können und einen Farbort der emittierten elektromagnetischen Strahlung nicht verändern.
In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass eine Partikelgröße, insbesondere eine durchschnittliche Partikel ¬ größe, der Reflexionspartikel im Bereich zwischen 0,05 ym und 5 ym liegt.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein Massenan- teil der Reflexionspartikel im Bereich zwischen 50% und 80% liegt. Insbesondere ist der Massenanteil 70%, beispielsweise 73%.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Klebstoff ein oder mehrere der folgenden Materialien oder Werkstoffe umfasst: Silikon respektive Siloxan-basierte Materialien, Si- likon-Epoxid, Epoxid, Acrylat.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Halbleiter- chip mittels eines Verkapselungswerkstoffs verkapselt oder vergossen ist.
Dadurch ist zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass der Halbleiterchip effizient vor mechanischen Beschädigungen geschützt werden kann. Zum Beispiel umfasst der Verkapselungswerkstoff einen oder mehrere Leuchtstoffe. Mehrere Leuchtstoffe können auch als Leuchtstoffkombination bezeichnet werden. Insbesondere umfasst der Verkapselungswerkstoff ein Silikon respektive ein silikonbasiertes Material. Der Leuchtstoff o- der die mehreren Leuchtstoffe ist respektive sind zum Bei ¬ spiel in dem Silikon eingebettet. Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das optoelektronische Bauelement mittels des Verfahrens zum Herstel ¬ len eines optoelektronischen Bauelements hergestellt ist res ¬ pektive wird. Technische Funktionalitäten des Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements ergeben sich analog aus entsprechenden technischen Funktionalitäten des optoelektronischen Bauelements. Das heißt also insbesondere, dass sich Verfahrensmerkmale aus entsprechenden Merkmalen des opto- elektronischen Bauelements ergeben und umgekehrt.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Halbleiterchip eine Unterseite und eine der Unterseite gegenüberliegen ¬ de Oberseite aufweist, wobei der Halbleiterchip mit seiner Unterseite der Chipmontagefläche zugewandt auf die Chipmonta ¬ gefläche geklebt wird, so dass zwischen der Unterseite und dem ersten Kontaktabschnitt eine aus Klebstoff gebildete und die Unterseite vollständig kontaktierende KlebstoffSchicht gebildet wird.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Halbleiterchip eine Unterseite und eine der Unterseite gegenüber ¬ liegende Oberseite aufweist, wobei der Halbleiterchip mit seiner Unterseite der Chipmontagefläche zugewandt auf die Chipmontagefläche geklebt wird, so dass zwischen der Unter ¬ seite und dem ersten Kontaktabschnitt eine aus Klebstoff ge ¬ bildete KlebstoffSchicht gebildet wird. Vorzugsweise ist vor ¬ gesehen, dass die KlebstoffSchicht die Unterseite des Halb- leiterchips vollflächig kontaktiert, also berührt. Gemäß die ¬ ser Ausführungsform (siehe auch Ausführungsform weiter oben) wird also eine die Unterseite des Halbleiterchips vollflächig kontaktierende KlebstoffSchicht gebildet. Vollflächig bedeu- tet hier vollständig.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass frei liegende Oberflächen des Halbleiterchips und/oder des Trägers nach dem Kleben mittels der Korrosionsschutzschicht bedeckt werden.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass nach dem Kleben der Halbleiterchip mittels eines Bonddrahts oder mittels zweier Bonddrähte elektrisch kontaktiert wird, wobei der oder die Bonddrähte mittels der Korrosionsschutzschicht bedeckt wird respektive werden.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass ferner ein elektronisches Bauteil, insbesondere eine in einen den Halb ¬ leiterchip umfassenden Stromkreis geschaltete ESD- Schutzdiode, vorgesehen ist, das nach dem Kleben mittels der Korrosionsschutzschicht bedeckt wird.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Träger in einem Gehäuse aufgenommen ist.
In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Gehäuse eine Kavität aufweist, wobei die Chipmontagefläche in einem Bo ¬ denbereich der Kavität angeordnet ist. Zum Beispiel ist res ¬ pektive wird eine Mantelfläche der Kavität mit der Korrosi- onsschutzschicht versehen.
Durch das Vorsehen einer Kavität, in deren Bodenbereich der Halbleiterchip angeordnet ist, wird insbesondere der techni ¬ sche Vorteil bewirkt, dass der Halbleiterchip effizient vor einer Beschädigung durch äußere mechanische Einflüsse ge ¬ schützt werden kann. Die Kavität kann ferner in vorteilhafter Weise effizient ei ¬ nen optischen Reflektor für den Halbleiterchip bilden.
In einer Ausführungsform ist die Mantelfläche mit einer Re- flexionsbeschichtung versehen, die dann in einer weiteren
Ausführungsform mittels einer Korrosionsschutzschicht bedeckt ist respektive wird.
Zum Beispiel ist die Kavität zumindest teilweise, insbesonde re vollständig, mittels des Verkapselungswerkstoffs aufge ¬ füllt.
Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Halbleiterchip mittels eines Verkapselungswerkstoffs verkapselt wird .
Die Formulierung "respektive" umfasst insbesondere die Formu lierung "und/oder". Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläu- tert werden, wobei
Fig. 1 ein erstes optoelektronisches Bauelement,
Fig. 2 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und
Fig. 3 ein zweites optoelektronisches Bauelement zeigen .
Fig. 1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht ei ¬ nes ersten optoelektronischen Bauelements 101. Das optoelekt- ronische Bauelement 101 ist zum Beispiel ein Leuchtdioden- Bauelement .
Das optoelektronische Bauelement 101 umfasst ein Gehäuse 103. Das Gehäuse 103 weist eine Oberseite 105 und eine der Ober ¬ seite 105 gegenüberliegende Unterseite 107 auf. Das Gehäu ¬ se 103 des optoelektronischen Bauelements 101 umfasst einen Gehäuserahmen 109 und einen in den Gehäuserahmen 109 eingebetteten Leiterrahmen 111 als einen Träger. Das optoelektro- nische Bauelement 101 umfasst also gemäß dieser Ausführungs ¬ form einen Träger, der als ein Leiterrahmen ausgebildet ist. Der Gehäuserahmen 109 weist zum Beispiel ein elektrisch isolierendes Kunststoffmaterial auf, beispielsweise ein Epoxid ¬ harz. Der Gehäuserahmen 109 weist zum Beispiel eine Keramik auf. Der Gehäuserahmen 109 ist zum Beispiel mittels eines
Formprozesses (Mold-Prozess ) oder mittels eines Vergusspro ¬ zesses hergestellt.
Der Leiterrahmen 111 kann auch als ein Leadframe bezeichnet werden. Der Leiterrahmen 111 weist ein elektrisch leitendes Material auf, beispielsweise ein Metall. Insbesondere weist der Leiterrahmen 111 Kupfer auf. Kupfer bietet den Vorteil, elektrisch sowie thermisch sehr gut leitend zu sein. Das elektrisch leitende Material ist zumindest teilweise, insbesondere vollständig, mit einer Reflexionsbeschich- tung 135 beschichtet, zum Beispiel mit Silber, was nachfol ¬ gend im Zusammenhang mit einem ersten und zweiten elektrischen Kontaktabschnitt weiter erläutert wird. Das heißt also, dass das elektrisch leitende Material zumindest teilweise, insbesondere vollständig, mit Silber oder einer silberbasierten Legierung beschichtet ist.
Der Leiterrahmen 111 weist eine Oberseite 113 und eine der Oberseite 113 gegenüberliegende Unterseite 115 auf. Die Ober ¬ seite 113 des Leiterrahmens 111 ist zum Beispiel zumindest teilweise, insbesondere vollständig, mittels der Reflexions- beschichtung 135 beschichtet. Die Reflexionsbeschichtung 135 umfasst zum Beispiel Silber, insofern ist die Reflexionsbe- schichtung 135 nach einer Ausführungsform eine Silberschicht.
Der Leiterrahmen 111 ist in einen elektrisch leitenden ersten Kontaktabschnitt 117 und in einen elektrisch leitenden zweiten Kontaktabschnitt 119 unterteilt. Der erste Kontaktab ¬ schnitt 117 und der zweite Kontaktabschnitt 119 sind körper ¬ lich voneinander getrennt und elektrisch gegeneinander isoliert. Die Kontaktabschnitte 117, 119 können auch als Leiter- rahmenabschnitte bezeichnet werden.
Es ist vorgesehen, dass zumindest eine der jeweiligen Oberseiten 113 der beiden Kontaktabschnitte 117, 119, insbesonde ¬ re beide jeweiligen Oberseiten (was auch zeichnerisch darge- stellt ist) , zumindest teilweise, insbesondere vollständig, mit der Reflexionsbeschichtung 135 versehen sind. Die Refle- xionsbeschichtung 135 ist zum Beispiel eine Silberschicht.
Die Kontaktabschnitte 117, 119 des Leiterrahmens 111 sind derart in dem Gehäuserahmen 109 eingebettet, dass sowohl die Oberseite 113 als auch die Unterseite 115 des Leiterrah ¬ mens 111 teilweise durch das Material des Gehäuserahmens 109 bedeckt sind. Im dargestellten Beispiel ist die Unterseite 115 des Leiterrahmens 111 teilweise durch das Material des Gehäuserahmens 109 bedeckt.
Sowohl beim ersten Kontaktabschnitt 117 als auch beim zweiten Kontaktabschnitt 119 des Leiterrahmens 111 ist die jeweilige Oberseite 113 teilweise durch das Material des Gehäuserah- mens 109 bedeckt und teilweise unbedeckt sein.
Das Gehäuse 103 des optoelektronischen Bauelements 101 weist an seiner Oberseite 105 eine Kavität 121 auf. Die Kavität 121 ist als Vertiefung im Gehäuserahmen 109 ausgebildet. An der Oberseite 105 des Gehäuses 103 weist die Kavität 121 bei ¬ spielsweise einen kreisscheibenförmigen oder einen rechteckigen Querschnitt auf. In der Schnittdarstellung der Fig. 1 verjüngt sich die Kavität 121 ausgehend von der Oberseite 105 des Gehäuses 103 pyramidenstumpfförmig . Die Kavität 121 weist nach einer nicht gezeigten Ausführungsform eine zylindrische Form oder eine andere Form auf. Die Kavität 121 des Gehäuses 103 des optoelektronischen Bau ¬ elements 101 weist einen Bodenbereich 123 und eine umlaufende Wand 125 auf. Die Wand 125 wird durch das Material des Gehäu ¬ serahmens 109 gebildet. Die Wand 125 bildet eine Mantelfläche der Kavität 121. Die Wand 125 der Kavität 121 des Gehäuses 103 des optoelektronischen Bauelements 101 bildet nach einer Ausführungsform einen Reflektor. Ein solcher Reflektor dient insbesondere dazu, von dem optoelektronischen Bauelement 101 emittierte elektromagnetische Strahlung zu bündeln. Die Man ¬ telfläche 125 oder die Wand der Kavität 121 ist nach einer Ausführungsform mit der Reflexionsbeschichtung 135 beschichtet .
Im Bodenbereich 123 der Kavität 121 des Gehäuses 103 liegen Teile der jeweiligen Oberseite 113 der beiden Kontaktab- schnitte 117, 119 des Leiterrahmens 111 frei. Zur besseren Unterscheidung weist die Oberseite des ersten Kontaktab ¬ schnitts 117 zusätzlich das Bezugszeichen 113a auf. Zur besseren Unterscheidung weist die Oberseite des zweiten Kontakt ¬ abschnitts 119 zusätzlich das Bezugszeichen 113b auf. Die Oberseite 113a des ersten Kontaktabschnitts 117 bildet somit eine Chipmontagefläche 153, wie nachstehend noch weiter er ¬ läutert .
Das optoelektronische Bauelement 101 umfasst ferner einen optoelektronischen Halbleiterchip 127 oder in einer nicht gezeigten Ausführungsform mehrere optoelektronische Halbleiterchips. Außerdem kann das optoelektronische Bauelement zusätz ¬ lich in einer weiteren nicht gezeigten Ausführungsform eine oder mehrere ESD-Schutzdioden aufweisen (nicht in Fig. 1 dar- gestellt) aufweisen. Der optoelektronische Halbleiterchip 127 (bzw. die -Chips) ist (sind) zum Beispiel ein Leuchtdioden ¬ chip (LED-Chip) . Der optoelektronische Halbleiterchip 127 weist eine Oberseite 129 und eine der Oberseite 129 gegen- überliegende Unterseite 131 auf. Die gegenüberliegenden Au ¬ ßenseiten oder Außenflanken 147 sowie die Oberseite 129 des optoelektronischen Halbleiterchips 127 bilden zum Beispiel eine Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halb- leiterchips 127. Der optoelektronische Halbleiterchip 127 ist zum Beispiel ausgebildet, an seinen Außenflächen elektromag ¬ netische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, abzu ¬ strahlen oder zu emittieren. Der Halbleiterchip 127 ist also als ein Volumenemitter ausgebildet.
An der Oberseite 129 des optoelektronischen Halbleiterchips 127 sind zwei elektrische Kontaktflächen (nicht ge ¬ zeigt) gebildet, die nachfolgend als erste elektrische Chip ¬ kontaktfläche und als zweite elektrische Chipkontaktfläche bezeichnet werden.
Über die beiden elektrischen Chipkontaktflächen ist eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips 127 ermöglicht. Für diese elektrische Kontaktierung sind im Anwendungsbeispiel zwei Bonddrähte 133 vorgesehen. Die beiden Bonddrähte 133 kontaktieren respektive die erste elektrisch leitende Chipkontaktfläche und die zweite
elektrisch leitende Chipkontaktfläche mit respektive dem elektrisch leitenden ersten Kontaktabschnitt 117 und dem elektrisch leitenden zweiten Kontaktabschnitt 119. Das heißt, dass mittels eines ersten der Bonddrähte 133 eine erste elektrische Verbindung zwischen dem ersten Kontaktabschnitt 117 und der ersten elektrischen Kontaktfläche des optoelekt ¬ ronischen Halbleiterchips 127 gebildet ist. Das heißt also, dass mittels eines zweiten der Bonddrähte 133 eine zweite elektrische Verbindung zwischen der zweiten elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 127 und dem zweiten Kontaktabschnitt 119 gebildet ist. Über die beiden elektrischen Kontaktflächen kann ein elektrischer Strom an den optoelektronischen Halbleiterchip 127 angelegt werden, um den optoelektronischen Halbleiterchip 127 zur Emission elektromagnetischer Strahlung zu veranlassen. Der optoelektronische Halbleiterchip 127 ist in der Kavi- tät 121 des Gehäuses 103 des optoelektronischen Bauele ¬ ments 101 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiter- chip 127 ist mit seiner Unterseite 131 im Bodenbereich 123 der Kavität 121 auf der Chipmontagefläche 153 angeordnet. Im Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 bildet der erste Kontaktab ¬ schnitt 117, also insbesondere die Oberseite 113a des ersten Kontaktabschnitts 117 somit eine Chipmontagefläche 153 für eine Montage des Halbleiterchips 127. Somit weist der Träger, hier der Leiterrahmen 111 eine Chipmontagefläche 153 auf, die mittels einer Reflexionsbeschichtung 135 beschichtet ist.
Dabei ist die Unterseite 131 des optoelektronischen Halb- leiterchips 127 der Oberseite 113a des ersten Kontaktab ¬ schnitts 117 zugewandt. Die Oberseite 129 des Halbleiterchips 127 ist der Oberseite 113a des ersten Kontaktabschnitts 117 des Leiterrahmens 111 abgewandt. Die jeweilige Oberseite 113a, b der beiden Kontaktabschnitte 117, 119 ist zumindest teilweise, insbesondere vollständig, mit der Reflexionsbeschichtung 135 versehen.
Der optoelektronische Halbleiterchip 127 ist mittels eines Klebstoffs 137 auf der Oberseite 113 der Chipmontagefläche
153, also nach Beispiel in Fig. 1 auf der Oberseite 113a des ersten Kontaktabschnitts 117, geklebt. Insofern ist zwischen der Unterseite 131 des Halbleiterchips 127 und der Oberseite 113a des ersten Kontaktabschnitts 117 eine KlebstoffSchicht 139 aus Klebstoff 137 gebildet.
Der Klebstoff 137 umfasst mehrere Reflexionspartikel 141 zum Reflektieren von mittels des Halbleiterchips 127 emittierter elektromagnetischer Strahlung.
Aufgrund der Reflexionspartikel 141, die vom Klebstoff 137 umfasst sind, umfasst die KlebstoffSchicht 139 ebenfalls Re ¬ flexionspartikel 141. Somit ist in vorteilhafter Weise unter- halb der Unterseite 131 des Halbleiterchips 127, also zwi ¬ schen der Unterseite 131 des Halbleiterchips 127 und der Oberseite 113a des ersten Kontaktabschnitts 117, eine Refle ¬ xionsschicht gebildet: die KlebstoffSchicht 139 umfassend Re- flexionspartikel 141. Die Unterseite 131 des Halbleiterchips 127 ist vollständig durch die KlebstoffSchicht 139 kontak ¬ tiert .
Die Reflexionspartikel 141 sind zum Beispiel als weiße Refle- xionspartikel ausgebildet. Zum Beispiel umfassen die Reflexi ¬ onspartikel 141 Titandioxidpartikel und/oder Alumini ¬ umoxidpartikel .
Die Bonddrähte 133 sind nach einer Ausführungsform aus Silber oder einer silberbasierten Legierung gebildet. In einer weiteren Ausführungsform sind die Bonddrähte 113 mittels einer Korrosionsschutzschicht, wie nachfolgend beschrieben, be ¬ schichtet . Das optoelektronische Bauelement 101 umfasst ferner eine an ¬ organische Beschichtung 143 als Korrosionsschutzschicht. Die anorganische Beschichtung 143 ist insbesondere auf folgende Elemente aufgebracht: die Oberseite 105 des Gehäuses 103, die Mantelfläche 125 der Kavität 121, die Reflexionsbeschich- tung 135 bis auf den Bereich, auf welchem sich die Klebstoff ¬ schicht 139 respektive der Halbleiterchip 127 befindet, die Oberseite 129 des Halbleiterchips 127, die Bonddrähte 133, gegenüberliegende Seitenflanken 147 des Halbleiterchips 127. Die Kavität 121 ist mittels eines Vergusses 145 aufgefüllt. Der Verguss 145 kann auch als ein Verkapselungswerkstoff be ¬ zeichnet werden. Insofern ist der Halbleiterchip 127 mittels des Vergusses 145 verkapselt. Der Verguss 145 bettet somit insbesondere den Halbleiterchip 127 sowie insbesondere die Bonddrähte 133 ein. Der Verguss 145 ist vorzugsweise aus ei ¬ nem Material oder einem Werkstoff, welches respektive welcher für die elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise, insbesondere vollständig, durchlässig oder transparent ist. Der Verguss 145 umfasst zum Beispiel ein Epoxidharz. Der Ver- guss 145 umfasst zum Beispiel ein Silikon. Der Verguss 145 umfasst zum Beispiel ein silikonhaltiges Hybridmaterial. Der Verguss 145 umfasst zum Beispiel einen mit LeuchtstoffParti ¬ keln gefülltes Silikon oder Epoxidharz oder silikonhaltiges Hybridmaterial .
Durch einen mechanischen und/oder thermischen Stress kann es passieren, dass die anorganische Beschichtung 143 Risse be ¬ kommt. Durch solche Risse kann ein korrosives Gas, zum Bei ¬ spiel H2S-Gas, bis zur jeweiligen Oberseite 113a, b der beiden Kontaktabschnitte 117, 119 gelangen und dort die Reflexions- beschichtung 135 korrodieren. Zum Beispiel kann ein solches korrosives Gas durch den Verguss 145 durchdiffundieren. Sol ¬ che Risse treten vornehmlich im Bereich der Grenzfläche zwischen KlebstoffSchicht 139 und Korrosionsschutzschicht 143 auf bzw. haben dort eine besonders nachteilige Wirkung. Die anorganische Beschichtung 143 umfasst zum Beispiel: A1203 und/oder Si02 und/oder Si3N4. Eine Dicke der anorganischen Beschichtung 143 beträgt zum Beispiel zwischen 5 nm und 100 nm. Zum Beispiel wird die anorganische Beschichtung 143 mit ¬ tels eines Sputter-Verfahrens respektive eines PECVD- Verfahrens (plasmaunterstützte chemische Gasphasenabschei ¬ dung) respektive eines ALD-Verfahrens (Atomlagenabscheidung) aufgebracht. "ALD" steht für "Atomic Layer Deposition" und wird mit Atomlagenabscheidung übersetzt. "PECVD" steht für "Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition" und wird mit plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung übersetzt.
Durch das Vorsehen eines solch effizienten Korrosionsschutzes wird in vorteilhafter Weise verhindert, dass eine an der Oberseite 113a, b des ersten respektive zweiten Kontaktab- Schnitts 117, 119 des Leiterrahmens 111 gebildete oder aufge ¬ brachte Reflexionsschicht korrodiert. Eine solch korrodierte Reflexionsschicht führt in der Regel zu einer verschlechter ¬ ten Reflektivität und zu einer Farbortverschiebung der an ei- ner solchen korrodierten Reflexionsschicht reflektierten elektromagnetischen Strahlung. Durch das Vorsehen des erfindungsgemäßen Korrosionsschutzes kann in vorteilhafter Weise eine solche Farbortverschiebung respektive eine Verringerung der Reflektivität verringert werden.
Durch das Vorsehen der Reflexionspartikel 141 wird eine Min- destreflektivität für die emittierte elektromagnetische
Strahlung bereitgestellt. Denn selbst bei einer komplett kor- rodierten Reflexionsbeschichtung 135 der Kontaktabschnitte 117, 119 wird immer noch eine Reflektivität aufgrund der Reflexionspartikel 141 bewirkt.
Das heißt also, dass, selbst wenn die unterhalb der Untersei- te 131 des Halbleiterchips 127 auf der Oberseite 113a des ersten Kontaktabschnitts 117 vorgesehene Reflexionsbeschich ¬ tung 135 korrodiert wäre, die mittels des Halbleiterchips 127 emittierte elektromagnetische Strahlung dennoch mittels der Reflexionspartikel 141 reflektiert würde.
Der elektrisch leitende zweite Kontaktabschnitt 119 ist bei ¬ spielsweise mittels der Korrosionsschutzschicht 143 bedeckt oder versehen. Der Reflexionsbeschichtung 135 des ersten Kontaktabschnitts 117 ist somit in einen ersten Teilabschnitt 149, der mittels des Halbleiterchips 127 bzw. KlebstoffSchicht 139 bedeckt ist, und in einen zweiten Teilabschnitt 151, der frei von dem Halbleiterchip 127 ist, unterteilt.
Fig. 2 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstel ¬ len eines optoelektronischen Bauelements.
Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte:
- Bereitstellen 201 eines eine Chipmontagefläche aufwei ¬ senden Trägers, wobei die Chipmontagefläche eine Refle- xionsbeschichtung aufweist, Kleben 203 eines optoelektronischen Halbleiterchips auf die Chipmontagefläche mittels eines Klebstoffs, so dass die Reflexionsbeschichtung in einen mittels des Halb- leiterchips bedeckten ersten Teilabschnitt und in einen zweiten Teilabschnitt, der frei von dem Halbleiterchip ist, unterteilt 205 wird,
wobei der Klebstoff Reflexionspartikel zum Reflektieren von mittels des Halbleiterchips emittierter elektromag ¬ netischer Strahlung aufweist,
- wobei nach dem Kleben 203 der zweite Teilabschnitt zu ¬ mindest teilweise mittels einer Korrosionsschutzschicht bedeckt 207 wird.
In einer nicht gezeigten Ausführungsform ist vorgesehen, dass eine ESD-Schutzdiode auf den Träger geklebt und elektrisch kontaktiert wird.
Zum Beispiel ist nach einer Ausführungsform vorgesehen, dass nach einem elektrischen Kontaktieren des Halbleiterchips mit- tels eines oder mittels zweier Bonddrähte die anorganische Beschichtung aufgebracht wird. Der oder die Bonddrähte sind nach einer Ausführungsform ebenfalls von der Korrosionsschutzschicht bedeckt. In den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen bildete die Oberseite 113a des ersten Kontaktabschnitts 117 eine Chipmontagefläche. In einer nicht gezeigten Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Leiterrahmen 111 zusätzlich zum ersten und zweiten Kontaktabschnitt 117, 119 einen dritten Ab- schnitt aufweist. Eine Oberseite des dritten Abschnitts bil ¬ det in dieser Ausführungsform die Chipmontagefläche. Das heißt, dass die Oberseite des dritten Abschnitts zumindest teilweise mittels der Reflexionsbeschichtung 135 versehen ist. Eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips 127 wird in dieser Ausführungsform mittels der Bonddrähte 133, die eine elektrische Verbindung von den Kontaktabschnitten 117, 119 zum Halbleiterchip 127 herstellen, gebildet. Fig. 3 zeigt ein zweites optoelektronisches Bauelement 301.
Für gleiche Merkmale werden teilweise die gleichen Bezugszei ¬ chen wie in Fig. 1 verwendet. Die entsprechenden Ausführungen gelten analog.
Das Bauelement 301 umfasst einen Träger 303. Der Träger 303 ist als ein keramisches Substrat ausgebildet. Der Träger 303 ist also aus einer Keramik gebildet.
Der Träger weist eine Oberseite 305 und eine Unterseite 307 auf, die der Oberseite 305 gegenüberliegt.
Auf der Oberseite 305 sind eine erste Metallisierung 309 und eine zweite Metallisierung 311 aufgebracht, die voneinander elektrisch isoliert sind.
Auf der Unterseite 307 sind eine dritte Metallisierung 313 und eine vierte Metallisierung 315 aufgebracht, die voneinan- der elektrisch isoliert sind.
Die jeweils gegenüberliegenden Metallisierungen 309 und 313 sowie 311 und 315 auf der Ober- und Unterseite sind
elektrisch leitfähig miteinander verbunden. Zum Beispiel sind elektrische Durchkontaktierungen, sogenannten „Vias", vorgesehen, um die entsprechenden Metallisierungen der Ober- und Unterseite elektrisch leitfähig miteinander zu verbinden.
Die vier Metallisierungen 309, 311, 313, 315 sind zum Bei- spiel aus Silber oder einer silberhaltigen Legierung gebildet .
Die Oberseite 305 des Trägers 303 bildet eine Chipmontageflä ¬ che 317 für einen optoelektronischen Halbleiterchip 321. Die erste Metallisierung 309 ist mit einer Reflexionsbeschichtung 319 versehen. Das heißt, dass die Chipmontagefläche 317 mit der Reflexionsbeschichtung 319 beschichtet ist. Die zweite Metallisierung 311 kann ebenfalls mit einer Reflexionsbe ¬ schichtung versehen sein.
Der Halbleiterchip 321 weist eine Oberseite 323 und eine der Oberseite 323 gegenüberliegende Unterseite 325 auf. Der Halb ¬ leiterchip 321 ist mit seiner Unterseite 325 auf einer der Oberseite 305 des Trägers 303 abgewandten Oberseite 327 der Reflexionsbeschichtung 319 mittels eines Klebstoffs 329 ge ¬ klebt. Der Klebstoff 329 weist Reflexionspartikel 141 zum Re- flektieren von mittels des Halbleiterchips 321 emittierter elektromagnetischer Strahlung auf. Somit ist zwischen der Unterseite 325 des Halbleiterchips 321 und der Oberseite 327 der Reflexionsbeschichtung 319 eine KlebstoffSchicht 139 aus Klebstoff 329 gebildet. Die Unterseite 325 des Halbleiter- chips 321 ist vollständig, also vollflächig, durch die Kleb ¬ stoffschicht 139 kontaktiert.
Analog zum in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Halbleiterchips 321 mittels zweier Bonddrähte 133 elektrisch an seiner Oberseite 323 kontaktiert. Einer der Bonddrähte 133 bildet eine elektrische Verbindung zwischen einer hier nicht gezeigten ersten elektrischen Chipkontaktfläche auf der Oberseite 323 des Halbleiterchips 321 und der ersten Metallisie ¬ rung 309. Der andere der Bonddrähte 133 bildet eine elektri- sehe Verbindung zwischen einer hier nicht gezeigten zweiten elektrischen Chipkontaktfläche auf der Oberseite 323 des Halbleiterchips 321 und der zweiten Metallisierung 311.
Die Reflexionsbeschichtung 319 ist somit in einen ersten Teilabschnitt 149, der mittels des Halbleiterchips 321 bzw. KlebstoffSchicht 139 bedeckt ist, und in einen zweiten Teil ¬ abschnitt 151, der frei von dem Halbleiterchip 321 ist, unterteilt. Die Metallisierung 311 kann beispielsweise auch als eine Reflexionsbeschichtung ausgebildet sein.
Analog zum in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ist eine anorganische Beschichtung 143 als Korrosionsschutzschicht vorgesehen die zumindest die folgenden Elemente bedeckt: frei liegende Oberflächen des Trägers 303 respektive der beiden Metallisierungen 309 und 311, also insbesondere frei liegende Abschnitte der Oberseite 305 des Trägers 303, frei liegende Abschnitte der Oberseite 327 der ersten Metallisierung 309 und eine Oberseite 331 der zweiten Metallisierung 311, die Oberseite 323 des Halbleiterchips 321, die Bonddrähte 133, die gegenüberliegenden Seitenflanken 147 des Halbleiterchips 321 sowie eine nicht vom Halbleiterchip 321 bedeckte, offene KlebstoffSchicht 139, sofern der Klebstoff 329 überstehen sollte, was hier der Übersicht halber nicht gezeigt ist. So kann es zum Beispiel beim Andrücken des Halbleiterchips 321 auf die Reflexionsbeschichtung 319 während des Klebens pas ¬ sieren, dass Klebstoff 329 unter dem Halbleiterchip 321 herausgedrückt wird, so dass sich auch Klebstoff 329 auf der Re- flexionsbeschichtung 319 um den Halbleiterchip 321 befindet, also in einem Randbereich um den Halbleiterchip 321, wobei dieser Randbereich vom zweiten Teilabschnitt 151 umfasst ist.
Ferner ist ein Verguss 333 vorgesehen, der auch als ein Ver- kapselungswerkstoff bezeichnet werden kann. Der Halbleiter ¬ chip 321 und die Bonddrähte 133 sind mittels des Vergusses 333 verkapselt. Der Verguss 333 bettet somit insbesondere den Halbleiterchip 321 sowie insbesondere die Bonddrähte 133 ein. Der Verguss 333 ist vorzugsweise aus einem Material oder ei- nem Werkstoff, welches respektive welcher für die elektromag ¬ netische Strahlung zumindest teilweise, insbesondere voll ¬ ständig, durchlässig oder transparent ist.
Der Verguss 333 umfasst zum Beispiel ein Epoxidharz. Der Ver- guss 333 umfasst zum Beispiel ein Silikon. Der Verguss 333 umfasst zum Beispiel ein silikonhaltiges Hybridmaterial. Der Verguss 333 umfasst zum Beispiel einen mit LeuchtstoffParti ¬ keln gefülltes Silikon oder Epoxidharz oder silikonhaltiges Hybridmaterial .
In dem in Fig.3 gezeigten Ausführungsbeispiel weist der Ver ¬ guss 333 eine rechteckartige Form auf. In einem nicht gezeig- ten Ausführungsbeispiel weist der Verguss 333 eine kuppelar ¬ tige Form auf.
In einer nicht gezeigten Ausführungsform besteht der Träger aus einer Leiterplatte.
In einer nicht gezeigten Ausführungsform besteht der Träger aus einem metallischen Leiterrahmen. In diesem Fall ist die Metallisierung der Leiterrahmen selbst.
Obwohl die Erfindung im Detail durch die bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .
BEZUGSZEICHENLISTE
101 optoelektronisches Bauelement
103 Gehäuse
105 Oberseite des Gehäuses
107 Unterseite des Gehäuses
109 Gehäuserahmen
111 Leiterrahmen
113 Oberseite des Leiterrahmens
115 Unterseite des Leiterrahmens
117 1. Kontaktabschnitt
119 2. Kontaktabschnitt
113a Oberseite des 1. Kontaktabschnitts 117
1113b Unterseite des 2. Kontaktabschnitts 119
121 Kavität
123 Bodenbereich der Kavität
125 Wand der Kavität/Mantelfläche
127 optoelektronischer Halbleiterchip
129 Oberseite des Halbleiterchips
131 Unterseite des Halbleiterchips
133 Bonddraht
135 ReflexionsbeSchichtung
137 Klebstoff
139 KlebstoffSchicht
141 Reflexionspartikel
143 Korrosionsschutzschicht, anorganische Beschichtung
145 Verguss
147 Seitenflanken des Halbleiterchips
149 erster Teilabschnitt
151 zweiter Teilabschnitt
153 Chipmontagefläche
201 Bereitstellen
203 Kleben
205 Unterteilen
207 Bedecken
301 optoelektronisches Bauelement
303 Träger
305 Oberseite des Trägers 303 307 Unterseite des Trägers 303
309, 311, 313, 315 Metallisierungen
317 Chipmontagefläche
319 Reflexionsbeschichtung
321 optoelektronischer Halbleiterchip
323 Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips 321
325 Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips 321
327 Oberseite der Metallisierung 309
329 Klebstoff
331 Oberseite der Metallisierung 311
333 Verguss