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Title:
OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2019/179769
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to an optoelectronic component (1) comprising: a radiation-emitting semiconductor chip (2) which, during operation, emits electromagnetic radiation from a radiation exit surface (2a), a carrier (5), comprising at least two first contact points (4a), and a covering (3), comprising at least two second contact points (4c), wherein the at least two first contact points (4a) and the at least two second contact points (4c) are electrically conductively and/or thermally conductively connected to each other by a first multiplicity (6a) of nano wires and a second multiplicity (6b) of nano wires, and the nano wires give a mechanically stable connection (6) between the carrier (5) and the covering (3). The invention further relates to a method for producing an optoelectronic component.

Inventors:
SINGER, Frank (Telemannstr. 104, Regenstauf, 93128, DE)
SORG, Jörg Erich (Gozratstr. 12, Regensburg, 93053, DE)
Application Number:
EP2019/055597
Publication Date:
September 26, 2019
Filing Date:
March 06, 2019
Export Citation:
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Assignee:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH (Leibnizstr. 4, Regensburg, 93055, DE)
International Classes:
H01L33/48; H01S5/022
Foreign References:
US20160013374A12016-01-14
JP2008258547A2008-10-23
US20130329397A12013-12-12
US20090068387A12009-03-12
DE102006037198A12008-02-14
US20180062348A12018-03-01
US20080181277A12008-07-31
DE102018106959A2018-03-23
Other References:
CHENG-TA KO ET AL: "Low temperature bonding technology for 3D integration", MICROELECTRONICS AND RELIABILITY, ELSEVIER SCIENCE LTD, GB, vol. 52, no. 2, 24 March 2011 (2011-03-24), pages 302 - 311, XP028440519, ISSN: 0026-2714, [retrieved on 20110329], DOI: 10.1016/J.MICROREL.2011.03.038
PEI-I WANG ET AL.: "
Attorney, Agent or Firm:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH (Schloßschmidstr. 5, München, 80639, DE)
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Claims:
Patentansprüche

1. Optoelektronisches Bauelement (1) mit:

- einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), der im Betrieb elektromagnetische Strahlung von einer

Strahlungsaustrittsfläche (2a) aussendet,

- einem Träger (5) , umfassend zumindest zwei erste

Kontaktstellen (4a) , und

- einer Abdeckung (3) , umfassend zumindest zwei zweite

Kontaktstellen (4c) , wobei

- die zumindest zwei ersten Kontaktstellen (4a) und die zumindest zwei zweiten Kontaktstellen (4c) durch eine erste Vielzahl (6a) an Nanodrähten und eine zweite Vielzahl (6b) an Nanodrähten miteinander elektrisch leitend und/oder thermisch leitend verbunden sind, und

- die Nanodrähte eine mechanisch stabile Verbindung (6) zwischen dem Träger (5) und der Abdeckung (3) vermitteln.

2. Optoelektronisches Bauelement (1) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem

- die ersten Kontaktstellen (4a) die erste Vielzahl (6a) an Nanodrähten aufweist und die zweiten Kontaktstellen (4c) die zweite Vielzahl (6b) an Nanodrähten aufweist, wobei

- die erste Vielzahl (6a) an Nanodrähten und die zweite

Vielzahl (6b) an Nanodrähten entlang einer

Haupterstreckungsrichtung ineinandergesteckt sind, so dass die mechanisch stabile Verbindung (6) vermittelt wird.

3. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der

vorherigen Ansprüche,

bei dem die Nanodrähte eines der folgenden Materialien aufweisen: Kupfer, Gold, Silber, Platin, Nickel, Zinn.

4. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der

vorherigen Ansprüche,

bei dem die Abdeckung (3) eine Kavität (33) umfasst, wobei eine die Kavität (33) begrenzende Seitenwand der Abdeckung (3) den Halbleiterchip (2) umgibt.

5. Optoelektronisches Bauelement (1) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem

- eine die Kavität (33) der Abdeckung (3) begrenzende

Deckfläche dem Halbleiterchip (2) zugewandt ist und senkrecht zur Strahlungsaustrittsfläche (2a) des Halbleiterchips (2) angeordnet ist,

- die die Kavität (33) begrenzende Deckfläche eine weitere zweite Kontaktstelle (4d) aufweist,

- eine dritte Kontaktstelle (4e) an einer Deckfläche des Halbleiterchips (2) angeordnet ist, wobei

- die weitere zweite Kontaktstelle (4d) und die dritte

Kontaktstelle (4e) durch eine dritte Vielzahl (6c) an

Nanodrähten und eine vierte Vielzahl (6d) an Nanodrähten miteinander elektrisch leitend und/oder thermisch leitend verbunden sind.

6. Optoelektronisches Bauelement (1) nach dem vorherigen Anspruch,

bei dem ein Abstand von der weiteren zweiten Kontaktstelle (4d) zu der dritten Kontaktstelle (4e) verschieden zu dem Abstand der zumindest zwei ersten Kontaktstellen (4a) zu den zumindest zwei zweiten Kontaktstellen (4b) ist.

7. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der

vorherigen Ansprüche, bei dem

- der Halbleiterchip (2) auf einem Montageelement (7) angeordnet ist, - das Montageelement (7) auf einer dem Halbleiterchip (2) abgewandten Seite eine vierte Kontaktstelle (4f) aufweist ,

- der Träger (5) eine weitere erste Kontaktstelle (4b) aufweist, und

- die weitere erste Kontaktstelle (4b) und die vierte

Kontaktstelle (4f) durch eine fünfte Vielzahl an Nanodrähten und eine sechste Vielzahl an Nanodrähten miteinander

elektrisch leitend und/oder thermisch leitend verbunden sind.

8. Optoelektronisches Bauelement (1) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem

- eine Beschichtung (4) eine dem Träger (5) zugewandte

Innenseite der Abdeckung (3) elektrisch leitend und/oder thermisch leitend zumindest bereichsweise bedeckt, wobei

- die zweiten Kontaktstellen (4c) und die weitere zweite Kontaktstelle (4d) Bestandteil der Beschichtung sind.

9. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der

vorherigen Ansprüche, bei dem

- die Abdeckung (3) einen Rahmen (3a) aufweist, der den

Halbleiterchip (2) seitlich umgibt, und

- die Abdeckung (3) eine Deckplatte (3b) aufweist, die auf dem Rahmen (3a) angeordnet ist.

10. Optoelektronisches Bauelement (1) nach den vorherigen zwei Ansprüchen, bei dem

- eine Kontaktierung (4g) den Rahmen (3a) in vertikaler

Richtung vollständig durchdringt, wobei

- die Kontaktierung (4g) zumindest eine der zweiten

Kontaktstellen (4c) und die weitere zweite Kontaktstelle (4d) elektrisch leitend und/oder thermisch leitend miteinander verbindet .

11. Optoelektronisches Bauelement (1) nach den vorherigen zwei Ansprüchen,

bei dem die Deckplatte (3b) transparent für sichtbares Licht ist .

12. Optoelektronisches Bauelement (1) nach dem Anspruch 8, bei dem die Innenfläche der Abdeckung (3) vollständig von der Beschichtung (4) bedeckt ist.

13. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der

vorherigen Ansprüche, bei dem

- der Halbleiterchip (2) ein kantenemittierender

Halbleiterlaserchip ist, und

- ein optisches Element (8) mittels einer Zwischenschicht (9) auf der Strahlungsaustrittsfläche (2a) angebracht ist.

14. Optoelektronisches Bauelement (1) nach dem vorherigen Anspruch,

bei dem ein Mikroresonator (10) in die Zwischenschicht (9) eingebettet ist.

15. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der

vorherigen zwei Ansprüche, bei dem

- eine Außenfläche des optischen Elements (8) mit einer

Konversionsschicht (8a) bedeckt ist.

16. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der

vorherigen Ansprüche, bei dem das Bauelement

- einen dielektrischen Filter (13) und einen Halter (12) umfasst, wobei

- der Halter (12) eine Strahlungseintrittsfläche und eine Strahlungsaustrittsfläche aufweist, und - der dielektrische Filter (13) durchlässig für die

elektromagnetische Strahlung des Halbleiterchips (2) und undurchlässig für die konvertierte Strahlung des anderen Wellenlängenbereichs ist.

17. Optoelektronisches Bauelement (1) nach dem vorherigen Anspruch, bei dem

- der dielektrische Filter (13) an der

Strahlungseintrittsfläche oder der Strahlungsaustrittsfläche des Halters (12) angeordnet ist, und

- an der Strahlungsaustrittsfläche des Halters ein

Konversionselement (11) angeordnet ist, das

elektromagnetische Strahlung des Halbleiterchips (2) zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs umwandelt.

18. Optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der

Ansprüche 16 bis 17, bei dem

- der Träger (5) die Strahlungsaustrittsfläche (2a) seitlich überragt, und

- der Halter (12) und der Träger (5) durch eine siebte

Vielzahl an Nanodrähten und eine achte Vielzahl an

Nanodrähten miteinander thermisch leitend verbunden sind.

19. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen

Bauelements (1) mit den folgenden Schritten:

- Bereitstellen eines Trägers (5) umfassend zumindest zwei erste Kontaktstellen (4a) ,

- Aufbringen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2), der im Betrieb elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche (2a) aussendet, auf den Träger,

- Aufbringen einer Abdeckung (3) umfassend zumindest zwei zweite Kontaktstellen (4c) auf den Träger (5) , wobei - die zumindest zwei ersten Kontaktstellen (4a) und zwei zweiten Kontaktstellen (4c) durch eine erste Vielzahl (6a) an Nanodrähten und eine zweite Vielzahl (6b) an Nanodrähten miteinander elektrisch leitend und/oder thermisch leitend verbunden werden, und

- die erste Vielzahl (6a) an Nanodrähten und die zweite

Vielzahl (6b) an Nanodrähten eine mechanisch stabile

Verbindung (6) zwischen dem Träger (5) und der Abdeckung (3) vermitteln .

20. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei

die erste Vielzahl (6a) an Nanodrähten und die zweite

Vielzahl (6b) an Nanodrähten beim Aufbringen der Abdeckung (3) auf den Träger (5) bei Raumtemperatur mit einem Druck in vertikaler Richtung zwischen einschließlich 1 MPa bis einschließlich 50 MPa über einen Zeitraum zwischen

einschließlich 0,5 s bis einschließlich 5 s

aufeinandergepresst werden.

Description:
Beschreibung

OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS

Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines

optoelektronischen Bauelements angegeben.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement anzugeben, das mechanisch stabil und nahe der Strahlungsaustrittsfläche verkapselt ist. Außerdem soll ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements angegeben werden.

Diese Aufgaben werden durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und durch ein

Verfahren mit den Schritten des Patentanspruchs 19 gelöst.

Vorteilhafte Ausführungsformen des optoelektronischen

Bauelements und des Verfahrens zur Herstellung des

optoelektronischen Bauelements sind Gegenstand der jeweils abhängigen Ansprüche.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das

optoelektronische Bauelement einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip, der im Betrieb elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche aussendet. Beispielsweise handelt es sich bei dem strahlungsemittierenden

Halbleiterchip um einen kantenemittierenden

Halbleiterlaserchip. Wird als strahlungsemittierender

Halbleiterchip ein kantenemittierender Halbleiterlaserchip verwendet, so handelt es sich bei dem optoelektronischen Bauelement in der Regel um ein Laserbauteil wie eine

Laserdiode. Der kantenemittierende Halbleiterlaserchip emittiert elektromagnetische Strahlung, wie monochromatisches und kohärentes Laserlicht, bevorzugt über eine Seitenfläche des Halbleiterchips. Die Seitenfläche des Halbleiterchips steht bevorzugt senkrecht auf einer Montagefläche des

Halbleiterchips .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das

optoelektronische Bauelement einen Träger. Der Träger enthält oder besteht beispielsweise aus einem Kunststoff oder einer Keramik. Bei dem Kunststoff kann es sich um ein Epoxid oder ein Silikon handeln. Bevorzugt ist der Halbleiterchip auf eine erste Hauptfläche des Trägers aufgebracht. Bevorzugt weist der Träger zwei erste Kontaktstellen auf.

Bevorzugt sind die ersten Kontaktstellen auf der ersten

Hauptfläche des Trägers angeordnet. Der Halbleiterchip ist hierbei bevorzugt in lateralen Richtungen beabstandet zu den zumindest zwei ersten Kontaktstellen angeordnet. Das heißt, dass der Halbleiterchip die zumindest zwei ersten

Kontaktstellen nicht überdeckt.

Der Träger kann zumindest zwei Durchkontaktierungen

aufweisen. Die Durchkontaktierungen erstrecken sich dabei bevorzugt in vertikaler Richtung vollständig durch den

Träger. Die vertikale Richtung erstreckt sich hierbei von der ersten Hauptfläche des Trägers zu einer zweiten Hauptfläche des Trägers, die der ersten Hauptfläche gegenüber liegt. Die Durchkontaktierungen können beispielsweise die gleichen

Materialien aufweisen oder aus den gleichen Materialien bestehen, die die zwei ersten Kontaktstellen umfassen können. Jeweils eine der zwei ersten Kontaktstellen kann beispielsweise auf einer der zumindest zwei

Durchkontaktierungen angeordnet sein. Die Kontaktstelle ist dabei bevorzugt in direktem Kontakt zu der

Durchkontaktierung. Es ist möglich, dass der Halbleiterchip auf einer der zumindest zwei Durchkontaktierungen angeordnet ist. Hierbei ist der Halbleiterchip bevorzugt mit einem elektrischen Kontakt elektrisch leitend auf der

Durchkontaktierung angeordnet.

Gemäß einer Ausführungsform des optoelektronischen

Bauelements weist der Träger mindestens drei

Durchkontaktierungen auf. Bevorzugt sind hierbei die zwei ersten Kontaktstellen auf jeweils einer der

Durchkontaktierungen angeordnet, während der Halbleiterchip auf der noch mit einer Kontaktstelle versehenen

Durchkontaktierung angeordnet ist. Der Halbleiterchip ist hierbei bevorzugt zwischen den beiden Kontaktstellen

angeordnet .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das

optoelektronische Bauelement eine Abdeckung, die zumindest zwei zweite Kontaktstellen aufweist. Die zweiten

Kontaktstellen sind bevorzugt auf der Abdeckung angeordnet. Die zumindest zwei zweiten Kontaktstellen der Abdeckung liegen den zwei ersten Kontaktstellen des Trägers bevorzugt gegenüber. Das heißt, die ersten Kontaktstellen des Trägers liegen den zweiten Kontaktstellen der Abdeckung bevorzugt gegenüber .

Die ersten Kontaktstellen und/oder die zweiten Kontaktstellen weisen bevorzugt ein Metall auf oder sind aus einem Metall gebildet . Die Abdeckung enthält oder besteht beispielsweise aus einem Kunststoff oder einer Keramik. Bei dem Kunststoff kann es sich um ein Epoxid oder ein Silikon handeln.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die ersten

Kontaktstellen und die zweiten Kontaktstellen durch eine erste Vielzahl an Nanodrähten und eine zweite Vielzahl an Nanodrähten miteinander elektrisch leitend und/oder thermisch leitend verbunden. Das heißt, die erste Vielzahl an

Nanodrähten und die zweite Vielzahl an Nanodrähten vermitteln bevorzugt eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem Träger und der Abdeckung.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform vermitteln die

Nanodrähte eine mechanisch stabile Verbindung zwischen dem Träger und der Abdeckung, insbesondere gegen Scherkräfte. Wirkt beispielsweise eine Scherkraft in lateralen Richtungen auf den Träger oder die Abdeckung, ist die Verbindung

zwischen dem Träger und der Abdeckung bevorzugt bis zu einer Scherkraft von 12 MPa nicht beschädigt.

In mindestens einer Ausführungsform umfasst das

optoelektronische Bauelement einen Halbleiterchip, der im Betrieb elektromagnetische Strahlung von einer

Strahlungsaustrittsfläche aussendet, einen Träger, umfassend zumindest zwei erste Kontaktstellen, und eine Abdeckung, umfassend zumindest zwei zweite Kontaktstellen, wobei die zumindest zwei ersten Kontaktstellen und die zumindest zwei zweiten Kontaktstellen durch eine erste Vielzahl an

Nanodrähten und eine zweite Vielzahl an Nanodrähten

miteinander elektrisch leitend und/oder thermisch leitend verbunden sind und die Nanodrähte eine mechanisch stabile Verbindung zwischen dem Träger und der Abdeckung vermitteln. Ein Gehäuse eines optoelektronischen Bauelements, insbesondere eines Laserbauteils, umfasst in der Regel einen Träger und eine Abdeckung, die bevorzugt hermetisch dicht miteinander verbunden werden müssen. Hierbei müssen Träger und Abdeckung mit hoher Präzision aufeinander aufgebracht werden. Weist der Träger und/oder die Abdeckung

Herstellungstoleranzen bezüglich ihren Abmessungen auf, so kann eine hermetisch dichte Verbindung nur schwer

gewährleistet werden. Eine Wärmeabfuhr kann so gestört werden. Auch elektrisch leitfähige Kontakte können

unterbrochen sein.

Eine Idee des hier beschriebenen optoelektronischen Elements ist unter anderem, dass eine Vielzahl an Nanodrähte auf Seiten des Trägers und eine Vielzahl an Nanodrähten auf Seiten der Abdeckung eine elektrisch leitende und/oder thermisch leitende sowie bevorzugt mechanisch stabile

Verbindung zwischen dem Träger und der Abdeckung hersteilen. Weist der Träger und/oder die Abdeckung

Herstellungstoleranzen bezüglich ihren Abmessungen auf, können diese mit Vorteil durch die Abmessungen der Nanodrähte kompensiert werden. Beispielsweise kann ein Halbleiterchip durch die Abdeckung und den Träger elektrisch leitend

und/oder thermisch leitend über überbestimmte

Mehrfachverbindungen verbunden sein. Durch besagte

Herstellungstoleranzen können diese Verbindungen unterbrochen sein. Dies kann wieder mit Vorteil durch die Abmessungen der Nanodrähte kompensiert werden. Die Nanodrähte können zudem eine hermetisch dichte Verbindung vermitteln. Falls die

Nanodrähte nur bereichsweise eine Verbindung zwischen Träger und Abdeckung vermitteln, kann eine Strahlungsaustrittsfläche eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips des optoelektronischen Elements vorteilhafterweise direkt durch eine Zwischenschicht verkapselt werden, sodass ein

hermetischer Aufbau des Gehäuses nicht nötig ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die ersten

Kontaktstellen jeweils eine erste Vielzahl an Nanodrähten und die zweiten Kontaktstellen jeweils eine zweite Vielzahl an Nanodrähten auf. Die erste Vielzahl an Nanodrähten und die zweite Vielzahl an Nanodrähten sind bevorzugt entlang einer Haupterstreckungsrichtung ineinander gesteckt, sodass die mechanisch stabile Verbindung vermittelt wird.

Die Nanodrähte können vollflächig über die ersten

Kontaktstellen und/oder vollflächig über die zweiten

Kontaktstellen angeordnet sein. Alternativ ist es möglich, dass die Nanodrähte bereichsweise auf den ersten

Kontaktstellen und/oder bereichsweise auf den zweiten

Kontaktstellen angeordnet sind. Die Nanodrähte weisen

beispielsweise jeweils einen Durchmesser zwischen

einschließlich 10 Nanometer und einschließlich 5 Mikrometer auf und bevorzugt zwischen einschließlich 30 Nanometer und einschließlich 2 Mikrometer. Eine Länge der Nanodrähte liegt beispielsweise zwischen einschließlich 100 Nanometer und einschließlich 100 Mikrometer auf, bevorzugt zwischen

einschließlich 500 Nanometer und einschließlich 30 Mikrometer auf .

Die Haupterstreckungsrichtung verläuft hierbei bevorzugt im Wesentlichen parallel zur vertikalen Richtung. Im

Wesentlichen parallel heißt hierbei, dass die Nanodrähte herstellungsbedingt eine Schräge aufweisen können, die von der Haupterstreckungsrichtung abweicht. Beispielsweise schließen die Nanodrähte mit der Haupterstreckungsrichtung einen Winkel kleiner als 10° ein.

Nach dem Ineinanderstecken entlang der

Haupterstreckungsrichtung kann es sein, dass die erste

Vielzahl an Nanodrähten und die zweite Vielzahl an

Nanodrähten nicht mehr oder nicht mehr überwiegend entlang einer gerichteten Richtung verlaufen. Vielmehr sind die erste Vielzahl an Nanodrähten und die zweite Vielzahl an

Nanodrähten in der Regel ineinander verschlungen. Dies kann mit Vorteil zu der mechanisch stabilen Verbindung zwischen der ersten Vielzahl an Nanodrähten und der zweiten Vielzahl an Nanodrähten führen.

Weiterhin ist es möglich, dass nach dem Ineinanderstecken die mechanische Verbindung durch die erste Vielzahl an

Nanodrähten und die zweite Vielzahl an Nanodrähten einen Abstand zwischen den ersten Kontaktstellen und den zweiten Kontaktstellen vermitteln. Der Abstand zwischen den ersten Kontaktstellen und den zweiten Kontaktstellen beträgt beispielsweise zwischen einschließlich 1 Mikrometer und einschließlich 20 Mikrometer. Der Abstand ist hierbei beispielsweise zwischen den sich gegenüberliegenden Flächen der Kontaktstellen definiert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Nanodrähte eines der folgenden Materialien auf oder bestehen aus einem dieser Materialien: Kupfer, Gold, Silber, Platin, Nickel, Zinn. Beispielsweise weisen die Nanodrähte die gleichen

Materialien wie die zwei ersten und/oder zweiten

Kontaktstellen auf oder bestehen aus den gleichen

Materialien . Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Abdeckung eine Kavität, wobei eine die Kavität begrenzende Seitenwand der Abdeckung den Halbleiterchip umgibt. Alternativ oder zusätzlich ist es auch möglich, dass die Kavität in dem

Träger vorgesehen ist. Der Halbleiterchip ist beispielsweise teilweise innerhalb der Kavität und/oder der Abdeckung angeordnet .

Die Seitenwand weist beispielsweise bereichsweise eine

Öffnung auf, die die Seitenwand in lateraler Richtung

vollständig durchdringt. Beispielsweise kann der

Halbleiterchip teilweise in der Öffnung angeordnet sein.

Hierbei kann der Halbleiterchip die Abdeckung oder die

Abdeckung und den Träger in lateraler Richtung überragen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine die Kavität der Abdeckung begrenzende Deckfläche dem Halbleiterchip zugewandt. Die Deckfläche ist bevorzugt senkrecht zur

Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips angeordnet. Die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips ist bei dieser Ausführungsform bevorzugt im Wesentlichen senkrecht zu der die Kavität begrenzenden Deckfläche angeordnet. Im

Wesentlichen senkrecht heißt dabei, dass die

Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips aufgrund von Herstellungstoleranzen eine Schräge gegenüber der Deckfläche der Kavität aufweisen kann. Beispielsweise schließt die

Strahlungsaustrittsfläche mit der Deckfläche der Kavität einen Winkel kleiner als 5° ein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die die Kavität begrenzende Deckfläche eine weitere zweite Kontaktstelle auf. Die weitere zweite Kontaktstelle ist beispielsweise dem

Halbleiterchip zugewandt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine dritte

Kontaktstelle an einer Deckfläche des Halbleiterchips angeordnet. Die dritte Kontaktstelle ist beispielsweise auf der Deckfläche des Halbleiterchips angeordnet und ist der weiteren zweiten Kontaktstelle zugewandt. Die weitere zweite Kontaktstelle und die dritte Kontaktstelle stehen sich beispielsweise gegenüber.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die weitere zweite Kontaktstelle und die dritte Kontaktstelle durch eine dritte Vielzahl an Nanodrähten und eine vierte Vielzahl an

Nanodrähten miteinander elektrisch leitend und/oder thermisch leitend verbunden. Die dritte Vielzahl an Nanodrähten und die vierte Vielzahl an Nanodrähten vermitteln bevorzugt eine elektrisch leitende und/oder eine thermisch leitende

Verbindung zwischen der Abdeckung und dem Halbleiterchip. Zudem kann die Verbindung zwischen der Abdeckung und dem Halbleiterchip thermisch leitend ausgebildet sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Abstand von der weiteren zweiten Kontaktstelle zu der dritten Kontaktstelle verschieden zu dem Abstand der zumindest zwei ersten

Kontaktstellen zu den zumindest zwei zweiten Kontaktstellen, beispielsweise aufgrund von Herstellungstoleranzen . Der

Abstand ist beispielsweise der Abstand in vertikaler Richtung der sich gegenüberliegenden Kontaktstellen. Der Unterschied in den Abständen weist beispielsweise einen Wert zwischen einschließlich 1 Mikrometer und einschließlich 20 Mikrometer auf. Der Abstand von der weiteren zweiten Kontaktstelle zu der dritten Kontaktstelle ist beispielsweise größer als der Abstand der zumindest zwei ersten Kontaktstellen zu den zumindest zwei zweiten Kontaktstellen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip auf einem Montageelement angeordnet. Hierbei ist der

Halbleiterchip bevorzugt mit einem elektrischen Kontakt elektrisch leitend auf dem Montageelement angeordnet. Das Montageelement enthält oder besteht beispielsweise aus einem Metall. Bei dem Metall kann es sich bevorzugt um

Kupferwolfram, Siliziumkarbid oder Aluminiumnitrid handeln.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das

Montageelement auf einer dem Halbleiterchip abgewandten Seite eine vierte Kontaktstelle auf. Die vierte Kontaktstelle ist bevorzugt dem Träger zugewandt.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der Träger eine weitere erste Kontaktstelle auf. Die weitere erste

Kontaktstelle ist bevorzugt der vierten Kontaktstelle

zugewandt. Die vierte Kontaktstelle und die weitere erste Kontaktstelle stehen sich dabei bevorzugt gegenüber.

Bevorzugt ist die weitere erste Kontaktstelle auf einer der Durchkontaktierungen des Trägers angeordnet und steht in direktem Kontakt zu dieser. Hierbei ist die weitere erste Kontaktstelle bevorzugt elektrisch leitend mit der

Durchkontaktierung verbunden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die weitere erste Kontaktstelle und die vierte Kontaktstelle durch eine fünfte Vielzahl an Nanodrähten und eine sechste Vielzahl an

Nanodrähten miteinander elektrisch leitend und/oder thermisch leitend verbunden. Die die fünfte Vielzahl an Nanodrähten und die sechste Vielzahl an Nanodrähten vermitteln bevorzugt eine elektrisch leitende und/oder eine thermisch leitende

Verbindung zwischen dem Montageelement und dem Träger. Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt eine elektrisch leitende und/oder thermisch leitende Beschichtung zumindest bereichsweise eine dem Träger zugewandte Innenseite der

Abdeckung. Die zweiten Kontaktstellen und die weitere zweite Kontaktstelle sind hierbei bevorzugt Bestandteile der

Beschichtung. Die Beschichtung kann zusammenhängend

ausgebildet sein und die zweiten Kontaktstellen und die weitere zweite Kontaktstelle elektrisch leitend und/oder thermisch leitend verbinden. Die Beschichtung umfasst hierbei bevorzugt Bereiche, die den zweiten Kontaktstellen und der weiteren zweiten Kontaktstelle entsprechen. Die Bereiche liegen bevorzugt gegenüber der ersten Kontaktstellen und der dritten Kontaktstelle.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Abdeckung einen Rahmen auf, der den Halbleiterchip seitlich umgibt, und die Abdeckung weist eine Deckplatte auf, die auf dem Rahmen angeordnet ist. Die Abdeckung kann also mehrteilig aufgebaut sein. Der Rahmen umgibt den Halbleiterchip beispielsweise rahmenartig. Der Begriff „rahmenartig" ist dabei hinsichtlich der Form und des Verlaufs des Rahmens nicht als einschränkend zu verstehen. Der Rahmen kann beispielsweise eine

rechteckige, eine vieleckige, eine runde oder eine ovale Form aufweisen .

Der Rahmen und die Deckplatte stehen beispielsweise

bereichsweise in direktem Kontakt. Beispielsweise ist eines der folgenden Materialien für den Rahmen und die Deckplatte geeignet: AI 2 O 3 , A1N, Si, Glas oder Saphir. Bevorzugt weist der Rahmen das gleiche Material auf wie die Deckplatte oder ist aus dem gleichen Material gebildet. Der Rahmen weist beispielsweise bereichsweise eine Öffnung auf, die den Rahmen in lateralen Richtungen vollständig durchdringt. Beispielsweise können der Halbleiterchip oder der Halbleiterchip und das Montagelement teilweise in der Öffnung angeordnet sein. Hierbei kann der Halbleiterchip die Abdeckung oder die Abdeckung und den Träger in lateralen Richtungen überragen. In diesem Fall ist die

Strahlungsaustrittsfläche außerhalb der Öffnung angeordnet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform durchdringt eine

Kontaktierung den Rahmen in vertikaler Richtung vollständig. Die Kontaktierung verbindet zumindest eine der zweiten

Kontaktstellen und die weitere zweite Kontaktstelle

elektrisch leitend und/oder thermisch leitend miteinander. Dabei ist die Kontaktierung bevorzugt vollständig von dem Rahmen umgeben. An der dem Träger zugewandten Fläche des Rahmens können die zweiten Kontaktstellen angeordnet sein.

Die Kontaktierung ist dabei bevorzugt elektrisch leitend und/oder thermisch leitend mit einer der zweiten

Kontaktstellen verbunden. Die weitere zweite Kontaktstelle kann an der dem Halbleiterchip zugewandten Deckplatte

angeordnet sein und kann sich bis zur Deckfläche des Rahmens erstecken. Dort ist die weitere zweite Kontaktstelle

bevorzugt elektrisch leitend und/oder thermisch leitend mit der Kontaktierung verbunden.

Die oben bereits beschriebene Beschichtung ist beispielsweise bereichsweise auf der an der dem Halbleiterchip zugewandten Deckplatte angeordnet und dabei bevorzugt mit der

Kontaktierung elektrisch leitend und/oder thermisch leitend verbunden . Alternativ ist es möglich, dass die Beschichtung bereichsweise auf der an der dem Halbleiterchip zugewandten und abgewandten Deckplatte angeordnet ist. Dabei weist die Deckplatte bevorzugt zumindest zwei weitere Kontaktierungen auf, die die Deckplatte in vertikaler Richtung vollständig durchdringen. Die Kontaktierung des Rahmens ist dabei

bevorzugt mit einer der zwei weiteren Kontaktierungen

elektrisch leitend und/oder thermisch leitend verbunden. Die dem Halbleiterchip zugewandte Beschichtung ist dabei

bevorzugt mit der anderen der zwei weiteren Kontaktierungen elektrisch leitend und/oder thermisch leitend verbunden. Die dem Halbleiterchip abgewandte Beschichtung ist dabei

bevorzugt mit beiden weiteren Kontaktierungen elektrisch leitend und/oder thermisch leitend verbunden.

Die Kontaktierungen können beispielsweise die gleichen

Materialien aufweisen oder aus den gleichen Materialien bestehen, die die zwei ersten Kontaktstellen umfassen können.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Deckplatte transparent für sichtbares Licht. Der Deckel umfasst

beispielsweise Glas oder Saphir oder besteht aus einem dieser Materialien. Vorteilhafterweise kann die transparente

Abdeckung besser über dem Träger justiert werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Innenfläche der Abdeckung vollständig von der Beschichtung bedeckt. Die

Innenfläche der Abdeckung sind beispielsweise die der Kavität und dem Träger zugewandte Flächen der Abdeckung. Die

Beschichtung verbindet bevorzugt die zweiten Kontaktstellen und die weitere zweite Kontaktstelle elektrisch leitend und/oder thermisch leitend. Besonders bevorzugt steht die Beschichtung dabei in direktem Kontakt zur Abdeckung. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der

strahlungsemittierende Halbleiterchip ein kantenemittierender Halbleiterchip. Ein kantenemittierender Halbleiterlaserchip ist beispielsweise dazu ausgebildet, die im Betrieb erzeugte Laserstrahlung in Richtung parallel zu einer aktiven, strahlungserzeugenden Zone des Halbleiterlaserchips zu emittieren. Die Strahlungsaustrittsfläche umfasst bevorzugt eine Facette oder ist als Facette ausgebildet. Die

Strahlungsaustrittsfläche kann eine Teilregion der Facette sein und ist bevorzugt auf die Facette beschränkt. Die

Facette ist beispielsweise senkrecht oder im Wesentlichen senkrecht zur aktiven Zone orientiert. Im Wesentlichen senkrecht heißt, dass die Facette herstellungsbedingt eine Schräge aufweisen kann.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein optisches

Element mittels einer Zwischenschicht auf der

Strahlungsaustrittsfläche des kantenemittierenden

Halbleiterlaserchips angebracht. Die Zwischenschicht kann auch auf der Abdeckung und/oder dem Träger angeordnet sein. Die Zwischenschicht ist dabei bevorzugt transparent für die im Betrieb emittierte Laserstrahlung des Halbleiterlaserchips ausgebildet und enthält oder besteht beispielsweise aus einem Polysiloxan, einem Silikonderivate oder einem Glas.

Vorteilhafterweise bildet die Zwischenschicht eine

Schutzschicht für die Strahlungsaustrittsfläche und damit für Facette aus und wirkt bevorzugt als Diffusionssperre gegen Sauerstoff und/oder Wasserdampf.

Das optische Element kann eine Linse sein, die zur

Kollimation oder Fokussierung der im Betrieb des

Halbleiterchips erzeugten Strahlung ausgebildet ist. Die Linse kann sphärisch, asphärisch oder als Freiform gestaltet sein. Weiter ist kann die Linse als Zylinderlinse,

Halbzylinderlinse, Plankonvexlinse, Bikonvexlinse oder

Fresnel-Linse ausgebildet sein. Das optische Element enthält oder besteht beispielsweise aus Saphir, Glas oder

Siliziumkarbid.

Eine der Strahlungsaustrittsfläche zugewandte Seitenfläche des optischen Elements ist bevorzugt plan ausgebildet. Über die Seitenfläche ist das optische Element mittels der

Zwischenschicht mechanisch fest mit dem Halbleiterchip verbunden. Vorteilhafterweise ist die

Strahlungsaustrittsfläche durch das optische Element und die Zwischenschicht vor chemischer oder mechanischer Beschädigung geschützt. Weiter ist es möglich, dass das optische Element mittels der Zwischenschicht auf der Abdeckung und/oder dem Träger befestigt ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Mikroresonator in die Zwischenschicht eingebettet. Eingebettet kann dabei heißen, dass der Mikroresonator an der Zwischenschicht anliegt, teilweise innerhalb der Zwischenschicht liegt und/oder von der Zwischenschicht an zumindest einem Teil seiner Außenfläche umschlossen ist.

Der Mikroresonator ist dabei bevorzugt vor der

Strahlungsaustrittfläche angeordnet. Das heißt, die im

Betrieb erzeugte Strahlung tritt aus der

Strahlungsaustrittfläche durch den Mikroresonator. Der

Mikroresonator kann eine schmalbandige Resonanz erzeugen, die zur Stabilisierung des Halbleiterlasers verwendet wird. Die Bandbreite der vom Mikroresonator emittierten Strahlung ist bevorzugt im sub-kHz-Bereich oder im sub-MHz-Bereich . Der Mikroresonator enthält oder besteht beispielsweise aus einem Glas oder einem Silikat.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine Außenfläche des optischen Elements mit einer Konversionsschicht bedeckt. Die Konversionsschicht ist dazu ausgebildet, die

elektromagnetische Strahlung des Halbleiterchips zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung eines anderen

Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Die Konversionsschicht weist beispielsweise ein Konversionsmaterial auf, das bevorzugt ein Matrixmaterial umfasst, in das

Leuchtstoffpartikel eingebracht sind. Bei dem Matrixmaterial kann es sich zum Beispiel um ein Harz wie etwa um ein Epoxid oder ein Silikon oder um eine Mischung dieser Materialien handeln. Die Leuchtstoffpartikel verleihen dem

Konversionsmaterial und damit der Konversionsschicht die wellenlängenkonvertierenden Eigenschaften .

Für die Leuchtstoffpartikel ist beispielsweise eines der folgenden Materialien geeignet: mit seltenen Erden dotierte Granate, mit seltenen Erden dotierte Erdalkalisulfide, mit seltenen Erden dotierte Thiogallate, mit seltenen Erden dotierte Aluminate, mit seltenen Erden dotierte Silikate, mit seltenen Erden dotierte Orthosilikate, mit seltenen Erden dotierte Chlorosilikate, mit seltenen Erden dotierte

Erdalkalisiliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte

Oxynitride, mit seltenen Erden dotierte Aluminiumoxinitride, mit seltenen Erden dotierte Siliziumnitride, mit seltenen Erden dotierte Sialone, Quantum Dots. Diese Materialien können auch ohne Matrixmaterial Verwendung finden und direkt aufgebracht werden. Die Konversionsschicht kann dann aus einem der Materialien bestehen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement einen dielektrischen Filter und einen Halter. Bevorzugt wird der dielektrische Filter

zusammen mit einem Konversionselement verwendet. Der

dielektrische Filter ist bevorzugt durchlässig für die elektromagnetische Strahlung des Halbleiterchips und

undurchlässig für die konvertierte Strahlung des

Konversionselements. Der dielektrische Filter hat bevorzugt einen hohen Transmissionsgrad für den Wellenlängenbereich der elektromagnetischen Strahlung des Halbleiterchips, während der Wellenlängenbereich der konvertierten elektromagnetischen Strahlung bevorzugt reflektiert oder absorbiert wird.

Alternativ hat der dielektrische Filter bevorzugt einen geringen Transmissionsgrad für den Wellenlängenbereich der konvertierten elektromagnetischen Strahlung, während der Wellenlängenbereich der elektromagnetischen Strahlung des Halbleiterchips durchgelassen wird.

Der Halter ist bevorzugt dazu ausgebildet, das optische

Element und/oder weitere Komponenten bereichsweise zu

umfassen. Der Halter kann zur Befestigung des optischen

Elements und/oder der weiteren Komponenten an dem Träger und/oder der Abdeckung dienen. Der Halter kann besonders bevorzugt reflektierend für die vom Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung und/oder für die konvertierte elektromagnetische Strahlung ausgebildet sein. Auf einer dem optischen Element zugewandten Innenfläche des Halters kann eine reflektierende Schicht angeordnet sein. Die

reflektierende Schicht enthält oder besteht dabei

beispielsweise aus einem Metall, wie Ag, Al, Al: Cu, Rh, Pd, Pt. Weiterhin kann die reflektierende Schicht auch ein TCO (kurz für englisch „transparent conductive oxide") , wie ITO (kurz für Indium-Zinn-Oxid) , umfassen oder aus einem TCO wie ITO gebildet sein. Weiterhin kann die reflektierende Schicht auch als dielektrischer Spiegel ausgebildet sein, der

beispielsweise alternierende Schichten aus Silber und

Siliziumoxid umfasst.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Halter eine Strahlungseintrittsfläche und eine Strahlungsaustrittsfläche auf. Der Halter weist beispielsweise eine der

Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips

gegenüberliegende erste Öffnung auf, die die

Strahlungseintrittsfläche des Halters bildet. Weiterhin weist der Halter eine zweite Öffnung auf, die der ersten Öffnung gegenüberliegt und/oder nachgeordnet ist. Die

Strahlungsaustrittsfläche kann durch die weitere Öffnung gebildet sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der dielektrische Filter an der Strahlungseintrittsfläche des Halters oder der Strahlungsaustrittsfläche des Halters angeordnet. Ist der dielektrische Filter an der Strahlungseintrittsfläche des Halters angeordnet, befindet sich der Filter zwischen dem Halter und der Zwischenschicht und steht bevorzugt mit beiden in direktem Kontakt. Ist der dielektrische Filter an der Strahlungsaustrittsfläche angeordnet, steht dieser bevorzugt in direktem Kontakt zum optischen Element.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist an der

Strahlungsaustrittsfläche des Halters ein Konversionselement angeordnet, das elektromagnetische Strahlung des

Halbleiterchips zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs umwandelt. Das Konversionselement kann die gleichen Konversionsmaterialien wie die Konversionsschicht enthalten oder aus diesen

bestehen .

Das Konversionselement ist beispielsweise über der zweiten Öffnung des Halters angeordnet. Zwischen dem

Konversionselement und dem optischen Element ist dann

beispielsweise der dielektrische Filter angeordnet.

Alternativ kann das Konversionselement in direktem Kontakt zum optischen Element stehen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform überragt der Träger die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips seitlich. Der Halter und der Träger sind bevorzugt durch eine siebte

Vielzahl an Nanodrähten und eine achte Vielzahl an

Nanodrähten miteinander thermisch leitend verbunden. Der Halter weist bevorzugt eine sechste Kontaktstelle auf und der Träger weist bevorzugt eine siebte Kontaktstelle auf, die auf dem die Strahlungsfläche des Halbleiterchips überragenden Teil des Trägers angeordnet ist. Die sechste Kontaktstelle ist bevorzugt gegenüber der siebten Kontaktstelle angeordnet.

Die sechste Kontaktstelle weist bevorzugt die siebte Vielzahl an Nanodrähten auf und die siebte Kontaktstelle weist

bevorzugt die achte Vielzahl an Nanodrähten auf. Die siebte Vielzahl an Nanodrähten und die achte Vielzahl an Nanodrähten sind bevorzugt ineinander gesteckt und vermitteln

beispielsweise eine thermisch leitende Verbindung zwischen dem Halter und dem Träger. Vorteilhafterweise ist der Halter durch die Verbindung zusätzlich entwärmbar.

Die hier beschriebenen Kontaktstellen können bevorzugt die gleichen Materialien aufweisen oder aus den gleichen

Materialien bestehen. Beispielsweise ist eines der folgenden Materialien für die hier beschriebenen Kontaktstellen

geeignet: Kupfer, Gold, Silber, Platin, Nickel, Zinn.

Zudem ist ein elektrischer Übergangswiderstand der durch Nanodrähte vermittelten Verbindung beispielsweise kleiner als 1 Ohm. Eine Wärmeleitfähigkeit der durch Nanodrähte

vermittelten Verbindung ist beispielsweise größer als 300 W/ (m*K) (Watt/ (Meter*Kelvin) .

Es wird darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, mit dem ein hier beschriebenes optoelektronisches Bauelement hergestellt werden kann. Sämtliche in Verbindung mit dem

optoelektronischen Bauelement offenbarten Merkmale und

Ausführungsformen sind daher auch in Verbindung mit dem

Verfahren anwendbar und umgekehrt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Träger mit zumindest zwei ersten Kontaktstellen

bereitgestellt. Die zumindest zwei ersten Kontaktstellen können beispielsweise durch Kleben, Bonden oder Löten auf den Träger aufgebracht werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip, der im Betrieb elektromagnetische Strahlung von einer

Strahlungsaustrittsfläche aussendet, auf den Träger

aufgebracht. Der Halbleiterchip umfasst bevorzugt zumindest eine Chipkontaktfläche, die beispielsweise ein Metall

enthalten oder aus einem Metall bestehen kann. Die

Chipkontaktfläche kann beispielsweise durch Kleben, Bonden oder Löten auf eine Durchkontaktierung des Trägers

aufgebracht werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Abdeckung umfassend zumindest zwei zweite Kontaktstellen auf den Träger aufgebracht. Die zumindest zwei zweiten

Kontaktstellen werden bevorzugt über den zumindest zwei ersten Kontaktstellen positioniert.

Die Abdeckung kann einen Rahmen und eine Deckplatte umfassen. Der Rahmen und die Deckplatte können beispielsweise durch Schichten von Einbrand-Keramiken (englisch: „co-fired") gebildet sein und der Rahmen und die Deckplatte können verlötet werden. Zudem ist es möglich, dass der Rahmen und die Deckplatte anodisch gebondet sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die zumindest zwei ersten Kontaktstellen und zwei zweiten Kontaktstellen durch eine erste Vielzahl an Nanodrähten und eine zweite Vielzahl an Nanodrähten miteinander elektrisch leitend und/oder thermisch leitend verbunden. Die erste

Vielzahl an Nanodrähten und die zweite Vielzahl an

Nanodrähten werden bevorzugt mittels einem galvanischen

Abscheideprozess auf die zumindest zwei ersten Kontaktstellen und auf die zumindest zwei zweiten Kontaktstellen

aufgebracht. Weitere Nanodrähte können beispielsweise analog auf weitere Kontaktstellen aufgebracht werden.

Auf die jeweilige Kontaktstelle wird bevorzugt eine

Filterfolie aufgebracht, die beispielsweise eine Dicke zwischen einschließlich 200 Mikrometer und einschließlich 500 Mikrometer aufweist. Die Filterfolie umfasst bevorzugt eine Vielzahl an Öffnungen, die die Filterfolie vollständig durchdringen. Die Öffnungen weisen bevorzugt einen

Durchmesser von einschließlich 30 Nanometer bis einschließlich 2 Mikrometer auf. Über einen galvanischen Prozess kann das Material der Nanodrähte in die Öffnungen eingebracht werden. Nach diesem Prozess wird die Filterfolie entfernt, resultierend in einer Vielzahl an Nanodrähten.

Die Abdeckung wird bevorzugt mit einem definierten Druck auf den Träger gedrückt, wobei sich die zumindest zwei ersten und zweiten Kontaktstellen miteinander verbinden. Hierbei wirkt der Druck in vertikaler Richtung bevorzugt auf die Abdeckung. Der aufzubringende Druck liegt zwischen einschließlich 1 MPa bis einschließlich 50 MPa.

Die Nanodrähte werden bevorzugt entlang einer

Haupterstreckungsrichtung ineinandergesteckt . Bevorzugt verschlingen sich durch das Aufbringen einer definierten Kraft die erste Vielzahl an Nanodrähten und die zweite

Vielzahl an Nanodrähten. Das heißt, die Nanodrähte weisen nach dem Ineinanderschieben keinen gerichteten Verlauf auf.

Der Verbindungsprozess der Nanodrähte kann bevorzugt bei Raumtemperatur erfolgen, sodass der Halbleiterchip keiner thermischen Belastung ausgesetzt ist.

Die Nanodrähte werden beim Verbindungsprozess bevorzugt bei Raumtemperatur mit einem Druck in vertikaler Richtung

zwischen einschließlich 1 MPa bis einschließlich 50 MPa über einen Zeitraum zwischen einschließlich 0,5 s bis

einschließlich 5 s aufeinandergepresst .

Im Folgenden werden das hier beschriebene optoelektronische Bauelement sowie das hier beschriebene Verfahren anhand von Ausführungsbeispielen und den zugehörigen Figuren näher erläutert . Es zeigen:

Figuren 1A und 1B schematische Schnittdarstellungen von

Verfahrensschritten eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils gemäß einem Ausführungsbeispiel,

Figuren 2A und 2B schematische Schnittdarstellungen eines optoelektronischen Bauelements gemäß jeweils einem

Ausführungsbeispiel ,

Figuren 3A, 3B und 3C schematische Schnittdarstellungen eines optoelektronischen Bauelements gemäß jeweils einem weiteren Ausführungsbeispiel ,

Figuren 4A, 4B, 4C, 5, 6, 7, 8, 9 und 10 schematische

Schnittdarstellungen eines optoelektronischen Bauelements gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren

dargestellten Elemente untereinander sind nicht als

maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere

Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.

Gemäß Figur 1A wird in einem ersten Verfahrensschritt ein Träger 5 und eine Abdeckung 4 bereitgestellt. Die Abdeckung 4 ist dabei einstückig ausgebildet. Auf dem Träger 5 sind zwei erste Kontaktstellen 4a angeordnet. Zwischen den zwei ersten Kontaktstellen 4a ist eine weitere erste Kontaktstelle 4b auf dem Träger 5 angeordnet. Zudem sind auf der Abdeckung 3 zwei zweite Kontaktstellen 4c angeordnet. Zwischen den zwei zweiten Kontaktstellen 4c ist eine weitere zweite

Kontaktstelle 4d auf der Abdeckung 5 angeordnet. Die ersten Kontaktstellen 4a, 4b des Trägers 5 liegen dabei gegenüber den zweiten Kontaktstellen 4c, 4e der Abdeckung 3.

Der Träger 5 weist Durchkontaktierungen 5a auf, die den

Träger 5 vollständig durchdringen. Die ersten Kontaktstellen 4a und die weitere erste Kontaktstelle 4b sind jeweils auf einer der Durchkontaktierungen 5a angeordnet.

Die ersten Kontaktstellen 4a weisen einen Abstand in

vertikaler Richtung zu den zweiten Kontaktstellen 4c auf, der gleich zu einem Abstand der dritten Kontaktstelle 4e zu der weiteren zweiten Kontaktstelle 4d ist.

Auf den Träger wird in einem nächsten Verfahrensschritt ein strahlungsemittierenden Halbleiterchip 2 aufgebracht (nicht dargestellt) , der eine dritte Kontaktstelle 4e aufweist, die der weiteren zweiten Kontaktstelle 4d gegenüberliegt. Der Halbleiterchip 2 ist auf der weiteren zweiten Kontaktstelle 4b angeordnet. Die Abdeckung 3 weist eine Kavität 33 auf, die eine Seitenfläche des Halbleiterchips 2 bereichsweise

rahmenartig umgibt.

In einem nächsten Verfahrensschritt auf die ersten

Kontaktstellen 4a jeweils eine erste Vielzahl an Nanodrähten 6a aufgebracht und auf die zweiten Kontaktstellen 4c jeweils eine zweite Vielzahl an Nanodrähten 6b aufgebracht. Zudem wird auf die weitere zweite Kontaktstelle 4d eine dritte Vielzahl an Nanodrähten 6c aufgebracht und auf die dritte Kontaktstelle 4e eine vierte Vielzahl an Nanodrähten 6d.

Jeweils die erste und zweite Vielzahl an Nanodrähten 6a und 6b stehen sich gegenüber. Die dritte und vierte Vielzahl an Nanodrähten 6c und 6d stehen sich ebenfalls gegenüber.

Gemäß Figur 1B werden die Abdeckung und der Träger

aufeinander aufgebracht. Die jeweils gegenüberliegenden

Nanodrähte werden dabei ineinandergesteckt und bilden nach dem Ineinanderstecken jeweils eine elektrisch leitende und/oder thermisch leitende und mechanisch stabile Verbindung aus .

Das in der Figur 2A dargestellte Ausführungsbeispiel

unterscheidet sich von dem in der Figur 1B dargestellten Ausführungsbeispiel dadurch, dass die Abdeckung 2 auf den Träger 5 aufgebracht ist.

Die erste und zweite Vielzahl an Nanodrähten 6a, 6b und die dritte und vierte Vielzahl an Nanodrähten 6c, 6d sind dabei mit einer definierten Kraft ineinandergeschoben, wodurch sich jeweils die erste und die zweite Vielzahl der Nanodrähte 6a, 6b und die dritte und vierte Vielzahl an Nanodrähten 6c, 6d miteinander verbinden. Die jeweilige Verbindung 6 ist elektrisch leitend und/oder thermisch leitend ausgebildet und vermittelt eine mechanisch stabile Verbindung zwischen dem Träger 5 und der Abdeckung 3. Durch die Verbindung sind die Nanodrähte 6a, 6b, 6c, 6d nicht mehr senkrecht zur

Haupterstreckungsebene orientiert. Vielmehr sind die erste und zweite Vielzahl an Nanodrähten 6a, 6b und die dritte und vierte Vielzahl an Nanodrähten 6c, 6d ineinander

verschlungen .

Das in der Figur 2B dargestellte Ausführungsbeispiel

unterscheidet sich von dem in der Figur 2A dargestellten Ausführungsbeispiel dadurch, dass der Abstand der ersten Kontaktstellen 4a zu den zweiten Kontaktstellen 4c kleiner als der Abstand der dritten Kontaktstelle 4e zu der weiteren zweiten Kontaktstelle 4d ist. Die mechanisch stabile

Verbindung 6 zwischen den ersten und zweiten Kontaktstellen 4a, 4c ist vollständig ausgebildet und die erste und zweite Vielzahl an Nanodrähten 6a, 6b sind ineinander verschlungen. Da der Abstand zwischen der dritten Kontaktstelle 4e zu der weiteren zweiten Kontaktstelle 4d größer ist, sind die dritte und vierte Vielzahl an Nanodrähten 6c, 6d nur teilweise ineinander gesteckt und bilden die Verbindung 6e . Die dritte und vierte Vielzahl an Nanodrähten 6c, 6d sind teilweise senkrecht zur Haupterstreckungsebene angeordnet und teilweise miteinander verbunden. Dennoch bilden die

ineinandergeschobene dritte und vierte Vielzahl an

Nanodrähten 6c, 6d eine elektrisch leitfähige und/oder thermisch leitfähige Verbindung 6e aus. Die mechanisch stabilisierende Verbindung ist dabei die Verbindung 6 zwischen den ersten und zweiten Kontaktstellen 4a, 4c.

Das in der Figur 3A dargestellte Ausführungsbeispiel

unterscheidet sich von dem in der Figur 2B dargestellten Ausführungsbeispiel dadurch, dass eine Beschichtung 4 eine dem Träger 5 zugewandte Innenfläche der Abdeckung 3

elektrisch leitend und/oder thermisch leitend zumindest bereichsweise bedeckt.

Das in der Figur 3B dargestellte Ausführungsbeispiel

unterscheidet sich von dem in der Figur 3A dargestellten Ausführungsbeispiel dadurch, dass die Abdeckung 3 zweistückig ausgebildet ist und einen Rahmen 3a und eine Deckplatte 3b umfasst. Zudem ist der Rahmen 3a durch eine Kontaktierung 4g in vertikaler Richtung durchbrochen. Die Abdeckung weist auf ihrer Innenfläche teilweise eine elektrisch leitende und/oder thermisch leitende Beschichtung auf. Die Beschichtung ist auf der Deckplatte so weitergeführt, das sie mit der

Kontaktierung in direktem Kontakt steht. Die Beschichtung und die Kontaktierung bilden so eine thermisch leitende und/oder elektrisch leitende Verbindung mit den Nanodrähten 6c, 6d aus .

Das in der Figur 3C dargestellte Ausführungsbeispiel

unterscheidet sich von dem in der Figur 3B dargestellten Ausführungsbeispiel dadurch, dass die Deckplatte 3b

lichtdurchlässig ist. Außerdem ist die Kontaktierung 4g, die den Rahmen in vertikaler Richtung durchbricht, mit einer weiteren Kontaktierung 4h verbunden, die die Deckplatte 3b in vertikaler Richtung durchbricht. Die Beschichtung 4 ist teilweise auf der Deckplatte 3b angeordnet. Eine weitere Kontaktierung 4h, die ebenfalls die Deckplatte 3b in

vertikaler Richtung durchbricht, ist mit der weiteren zweiten Kontaktstelle 4d verbunden.

Das in der Figur 4A dargestellte Ausführungsbeispiel

unterscheidet sich von dem in der Figur 3A dargestellten Ausführungsbeispiel dadurch, dass der Halbleiterchip 2 auf einem Montageelement 7 angeordnet ist. Das Montageelement 7 weist eine vierte Kontaktstelle 4f auf. Das Montageelement 7 ist mit dem Träger 5 über die vierte Kontaktstelle 4f und die weitere erste Kontaktstelle 4b mittels einer fünften und sechsten Vielzahl an Nanodrähten miteinander elektrisch leitfähig und/oder thermisch leitfähig verbunden.

Das in der Figur 4B dargestellte Ausführungsbeispiel

unterscheidet sich von dem in der Figur 4A dargestellten Ausführungsbeispiel dadurch, dass ein optisches Element 8 vor einer Strahlungsaustrittsfläche 2a des Halbleiterchips 2 angeordnet ist.

Figur 4C zeigt eine schematische Schnittdarstellung des Bauelements gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 4B entlang der in Figur 4A gekennzeichneten Schnittlinie A-A. Eine Zwischenschicht 9 ist zwischen dem Halbleiterchip 2 und dem optischen Element 8 angeordnet. Die Zwischenschicht 9 vermittelt hierbei die Haftung zwischen dem optischen Element 8 und einer Seitenfläche, die eine Seitenfläche des

Halbleiterchips, eine Seitenfläche der Abdeckung, eine

Seitenfläche des Trägers und eine Seitenfläche des

Montageelements jeweils zumindest teilweise umfasst. Die Strahlungsaustrittsfläche 2a des Halbleiterchips 2 ragt seitlich über die Abdeckung 3 und den Träger 5 heraus.

Das in der Figur 5 dargestellte Ausführungsbeispiel

unterscheidet sich von dem in der Figur 4C dargestellten Ausführungsbeispiel dadurch, dass in die Zwischenschicht 9 ein Mikroresonator 10 eingebettet ist. Der Mikroresonator 10 ist dabei vor der Strahlungsaustrittsfläche 2a des

Halbleiterchips 2 angeordnet. Der Mikroresonator ist dabei als optische Resonanzkammer für die vom Halbleiterchip im Betrieb emittierte elektromagnetische Strahlung ausgebildet.

Das in der Figur 6 dargestellte Ausführungsbeispiel

unterscheidet sich von dem in der Figur 4C dargestellten Ausführungsbeispiel dadurch, dass das optische Element 8 von einer Konversionsschicht 8a bedeckt ist. Die

Konversionsschicht wandelt elektromagnetische Strahlung des Halbleiterchips zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs um. Das in der Figur 7 dargestellte Ausführungsbeispiel

unterscheidet sich von dem in der Figur 4C dargestellten Ausführungsbeispiel dadurch, dass die Abdeckung 3 das

optische Element 8 seitlich überragt. An der überragenden Abdeckung 3 ist ein Konversionselement 11 angebracht, das das optische Element 8 seitlich überdeckt. Das Konversionselement wandelt elektromagnetische Strahlung des Halbleiterchips zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs um.

Das in der Figur 8 dargestellte Ausführungsbeispiel

unterscheidet sich von dem in der Figur 4C dargestellten Ausführungsbeispiel dadurch, dass das optische Element 8 von einem Halter 12 umgeben ist. Zwischen dem Halter 12 und der Zwischenschicht 9 ist ein dielektrischer Filter 13

angeordnet. Der Halter 12 weist gegenüber der

Strahlungsaustrittsfläche 2a des Halbleiterchips 2 eine

Strahlungseintrittsfläche auf. Auf der gegenüberliegenden Strahlungsaustrittsfläche ist ein Konversionselement 11 angebracht .

Das in der Figur 9 dargestellte Ausführungsbeispiel

unterscheidet sich von dem in der Figur 8 dargestellten

Ausführungsbeispiel dadurch, dass der Träger 5 die

Strahlungsaustrittsfläche 2a seitlich überragt. Der Halter 13 ist durch eine siebte Vielzahl an Nanodrähten und eine achte Vielzahl an Nanodrähten mit dem Träger 5 thermisch leitend verbunden .

Das in der Figur 10 dargestellte Ausführungsbeispiel

unterscheidet sich von dem in der Figur 8 dargestellten

Ausführungsbeispiel dadurch, dass der dielektrische Filter 13 auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halters 12 angeordnet ist. Auf dem dielektrischen Filter 13 ist das

Konversionselement 11 angeordnet. Der Halter 12 weist eine Schräge auf, die die im Betrieb des Halbleiterchips 2 emittierte elektromagnetische Strahlung senkrecht zur

Strahlungsaustrittsfläche 2a umlenkt. Die

Strahlungsaustrittsfläche des Halters ist parallel zur

Haupterstreckungsebene des Bauelements. Ein unterer Teil des optischen Elements 8 ist nicht durch den Halter 12

eingefasst. Ein Teil der im Betrieb emittierten

elektromagnetischen Strahlung kann in den unteren Teil des optischen Elements 8 eintreten. Der untere Teil des optischen Elements 8 kann beispielsweise als Lichtmischer oder als thermische Entkopplung dienen.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2018 106 959.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Bezugszeichenliste

1 optoelektronisches Bauelement

2 strahlungsemittierender Halbleiterchip 2a Strahlungsaustrittsfläche

3 Abdeckung

3a Rahmen

3b Deckplatte

33 Kavität

4 Beschichtung

4a erste Kontaktstellen

4b weitere erste Kontaktstelle

4c zweite Kontaktstellen

4d weitere zweite Kontaktstelle

4e dritte Kontaktstelle

4f vierte Kontaktstelle

4g Kontaktierung

4h weitere Kontaktierung

5 Träger

5a Durchkontaktierungen

6 vollständige Verbindung

6a erste Vielzahl an Nanodrähten

6b zweite Vielzahl an Nanodrähten

6c dritte Vielzahl an Nanodrähten

6d vierte Vielzahl an Nanodrähten

6e unvollständige Verbindung

7 Montageelement

8 optisches Element

8a Konversionsschicht

9 Zwischenschicht

10 Mikroresonator

11 Konversionselement

12 Halter 13 dielektrischer Spiegel