Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Her ^¬ stellung

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 13.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2014 106 020.2, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Im Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente, bei ^¬ spielsweise Leuchtdioden-Bauelemente, bekannt, die ein Gehäu ^¬ se mit eingebetteten Leiterrahmenabschnitten aufweisen. Solche Gehäuse weisen eine Kavität auf, in der ein optoelektro ^¬ nischer Halbleiterchip angeordnet und elektrisch leitend mit den Leiterrahmenabschnitten verbunden ist. Die Kavität ist mit einem Vergussmaterial verfüllt, in das der optoelektroni ^¬ sche Halbleiterchip eingebettet ist. Das Einbringen des Vergussmaterials erfolgt in der Regel durch Nadeldosieren. Die ^¬ ses muss wegen der beengten Platzverhältnisse häufig langsam und in mehreren Teilschritten durchgeführt werden. Außerdem besteht dabei die Gefahr einer Beschädigung eines in der Kavität verlaufenden Bonddrahts.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkma ^¬ len des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorlie ^¬ genden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 13 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Wei ^¬ terbildungen angegeben. Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse mit ei ^¬ ner an einer Oberseite des Gehäuses ausgebildeten Kavität. Die Kavität weist eine umlaufende Wandung auf. Die Wandung weist einen Rampenabschnitt auf. Der Rampenabschnitt weist eine geringere Neigung auf als die übrigen Abschnitte der

Wandung. Vorteilhafterweise kann der Rampenabschnitt der Wan ^¬ dung der Kavität des Gehäuses dieses optoelektronischen Bau ^¬ elements eine Befüllung der Kavität mit einem Vergussmaterial erleichtern. Der Rampenabschnitt der Wandung der Kavität kann dabei als Zuflussrampe für das Vergussmaterial dienen. Ver ^¬ gussmaterial kann so in die Kavität des Gehäuses des opto ^¬ elektronischen Bauelements eingefüllt werden, dass das Ver ^¬ gussmaterial über den Rampenabschnitt der Wandung der Kavität in die Kavität läuft. Dadurch ermöglicht der Rampenabschnitt der Wandung der Kavität eine Steuerung der Fließrichtung des Vergussmaterials. Zum Einfüllen von Vergussmaterial in die Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements kann beispielsweise eine Dosiernadel über dem Rampenabschnitt der Wandung platziert werden. Dies wird durch die reduzierte Nei- gung des Rampenabschnitts der Wandung der Kavität unter ^¬ stützt. Vorteilhafterweise kann dadurch verhindert werden, dass die Dosiernadel in unmittelbarer Nähe eines in der Kavi ^¬ tät angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips oder eines in der Kavität verlaufenden Bonddrahts platziert werden muss, wodurch die Gefahr einer Beschädigung des optoelektronischen Halbleiterchips oder des Bonddrahts vorteilhafter ^¬ weise reduziert wird.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Kavität in eine erste Kammer und eine zweite Kammer unterteilt. Vorteilhafterweise können die erste Kammer und die zweite Kammer der Kavität dadurch zur Herstellung einer Chipbondverbindung und zur Herstellung einer Drahtbondverbin dung genutzt werden.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements erstreckt sich zwischen der ersten Kammer und der zweiten Kammer ein durch das Gehäuse gebildeter Damm. Vorteilhafter- weise kann der Damm verhindern, dass Lot unbeabsichtigt von einer der Kammern der Kavität zur anderen Kammer der Kavität fließt, was einen Kurzschluss verursachen könnte.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist eine der ersten Kammer zugewandte Seite des Damms eine geringere Neigung auf als eine der zweiten Kammer zugewandte Seite des Damms. Vorteilhafterweise kann dadurch auch der Damm zur Befüllung der Kavität des Gehäuses des optoelektro ^¬ nischen Bauelements mit Vergussmaterial genutzt werden. Dabei kann die der ersten Kammer zugewandte Seite des Damms dazu dienen, Vergussmaterial in die erste Kammer der Kavität zu leiten .

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements grenzt der Rampenabschnitt an ein Längsende des Damms an. Dies ermöglicht es vorteilhafterweise, zur Befüllung der Ka ^¬ vität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements Ver ^¬ gussmaterial über den Rampenabschnitt und eine oder mehrere Seitenwände des Damms in eine oder mehrere Kammern der Kavi ^¬ tät fließen zu lassen. Dabei fließt das Vergussmaterial von dem Rampenabschnitt über den Damm in die Kavität.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Wandung in dem Rampenabschnitt in Richtung der ersten Kammer orientiert. Vorteilhafterweise ermöglicht der Rampen ^¬ abschnitt der Wandung der Kavität des Gehäuses des optoelekt ^¬ ronischen Bauelements dadurch eine Befüllung der ersten Kammer der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauele ^¬ ments .

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist am Grund der ersten Kammer ein in das Gehäuse eingebette ^¬ ter erster Leiterrahmenabschnitt zugänglich. Vorteilhafterweise kann der am Grund der ersten Kammer der Kavität zugängliche erste Leiterrahmenabschnitt eine elektrisch leitende Verbindung zu einer externen Kontaktfläche des optoelektronischen Bauelements bereitstellen. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist am Grund der zweiten Kammer ein in das Gehäuse eingebet ^¬ teter zweiter Leiterrahmenabschnitt zugänglich. Vorteilhaf- terweise kann der am Grund der zweiten Kammer der Kavität des optoelektronischen Bauelements zugängliche zweite Leiterrah ^¬ menabschnitt eine elektrisch leitende Verbindung zu einer von außen zugänglichen externen Kontaktfläche des optoelektronischen Bauelements bereitstellen.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist in der ersten Kammer der Kavität ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Der optoelektronische Halbleiter ^¬ chip kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Chip (LED-Chip) sein.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements erstreckt sich ein Bonddraht zwischen der ersten Kammer und der zweiten Kammer. Dabei kann der Bonddraht vollständig in- nerhalb der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bau ^¬ elements verlaufen, wodurch der Bonddraht vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen geschützt ist.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist in der Kavität ein Vergussmaterial angeordnet. Dabei kön ^¬ nen ein in der Kavität angeordneter optoelektronischer Halbleiterchip und ein in der Kavität verlaufender Bonddraht in das Vergussmaterial eingebettet sein. Dadurch sind der opto ^¬ elektronische Halbleiterchip und der Bonddraht vorteilhafter- weise vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen geschützt. Vorteilhafterweise kann das Vergussmaterial unter Nutzung des Rampenabschnitts der Wandung der Kavität auch dann zuverlässig in die Kavität eingebracht werden, wenn die Kavität eine geringe Größe aufweist.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Vergussmaterial Silikon auf. Dabei weist das Ver ^¬ gussmaterial außerdem eingebettete Partikel auf, die T1O ₂ aufweisen. Vorteilhafterweise bewirkt das Vergussmaterial dadurch einen Schutz eines in der Kavität angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen. Außerdem können die in das Vergussmate- rial eingebetteten Partikel eine durch den optoelektronischen Halbleiterchip abgestrahlte elektromagnetische Strahlung dif ^¬ fus streuen, um eine gleichmäßige Abstrahlung von Licht zu bewirken . Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Gehäuses mit einer an einer Oberseite des Gehäuses ausgebildeten Kavität, wobei die Kavität in eine erste Kammer und eine zweite Kammer unterteilt ist, wobei die Kavität eine umlaufende Wandung aufweist, wobei die Wandung einen Rampenabschnitt aufweist, wobei der Rampenabschnitt eine geringere Neigung aufweist als die übrigen Abschnitte der Wandung, zum Befüllen der zweiten Kammer mit Vergussmaterial und zum Befüllen der ersten Kammer mit Vergussmaterial. Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfahren eine einfache, schnelle und zuverlässige Befüllung der Kammern der Kavität des Gehäuses des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements. Dabei besteht nur eine geringe Gefahr einer Beschädigung eines in der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements angeord- neten optoelektronischen Halbleiterchips oder eines sich in der Kavität erstreckenden Bonddrahts. Beim Befüllen der Kavität mit Vergussmaterial kann vorteilhafterweise der Rampenab ^¬ schnitt der Wandung der Kavität des Gehäuses genutzt werden, um das Vergussmaterial in eine gewünschte Fließrichtung in die Kavität einfließen zu lassen. Hierdurch kann vorteilhafterweise eine zuverlässig und gleichmäßige Verteilung des Vergussmaterials in der Kavität erreicht werden.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Befüllen der zweiten Kammer und der ersten Kammer mit Vergussmaterial durch Nadeldosieren. Vorteilhafterweise kann das Befüllen der Kammern der Kavität mit Vergussmaterial dabei mit einer ge ^¬ ringen Anzahl einzelner Dosierschritte erfolgen. In einer Ausführungsform des Verfahrens wird zum Befüllen der ersten Kammer eine Dosiernadel über dem Rampenabschnitt der Wandung angeordnet. Vorteilhafterweise kann das Vergussmate- rial dann über den Rampenabschnitt der Wandung der Kavität des Gehäuses in die erste Kammer der Kavität des Gehäuses des durch das Verfahren optoelektronischen Bauelements fließen. Dabei ist es nicht erforderlich, die Dosiernadel unmittelbar über der ersten Kammer der Kavität zu platzieren, wodurch das Risiko einer versehentlichen Beschädigung eines der ersten Kammer der Kavität des Gehäuses angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips oder eines in der Kavität des Gehäuses angeordneten Bonddrahts vorteilhafterweise verringert wird. Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung

Figur 1 eine Aufsicht auf eine Oberseite eines Gehäuses eines optoelektronischen Bauelements; Figur 2 eine perspektivische Darstellung eines Teils des Ge ^¬ häuses des optoelektronischen Bauelements;

Figur 3 eine geschnittene Seitenansicht eines Teils des Ge ^¬ häuses;

Figur 4 eine Aufsicht auf die Oberseite des Gehäuses nach ei ^¬ nem Befüllen einer ersten Kammer einer Kavität mit Vergussmaterial; und Figur 5 eine Aufsicht auf die Oberseite des Gehäuses nach ei ^¬ nem Befüllen einer zweiten Kammer der Kavität mit Vergussmaterial . Figur 1 zeigt eine leicht schematisierte Aufsicht auf ein Ge ^¬ häuse 100 eines optoelektronischen Bauelements 10. Figur 2 zeigt eine perspektivische Darstellung eines Teils des Gehäu ^¬ ses 100 des optoelektronischen Bauelements 10. Das optoelekt- ronische Bauelement 10 ist dazu ausgebildet, elektromagneti ^¬ sche Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, abzustrah ^¬ len. Das optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement (LED-Bauelement) sein. Das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 kann beispielsweise ein Kunststoffmaterial , etwa ein Epoxidharz, aufweisen. Das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfah- ren) hergestellt werden. Insbesondere kann das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 beispielsweise durch

Spritzpressen (Transfer Molding) oder durch Spritzgießen (In- jection Molding) hergestellt werden. Das Gehäuse 100 kann als Teil eines eine Vielzahl von Gehäusen 100 umfassenden, zusammenhängenden Gehäuseverbunds hergestellt werden. In diesem Fall wird das Gehäuse 100 erst nach Abschluss weiterer ge ^¬ meinsamer Bearbeitungsschritte durch Zerteilen des Gehäuse ^¬ verbunds vereinzelt.

In das Gehäuse 100 des optoelektronischen Bauelements 10 sind ein erster Leiterrahmenabschnitt 110 und ein zweiter Leiter ^¬ rahmenabschnitt 120 eingebettet. Der erste Leiterrahmenab ^¬ schnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 sind als Abschnitte eines im Wesentlichen flachen Bleches ausgebildet und lateral nebeneinander in einer gemeinsamen Ebene angeord- net. Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Lei ^¬ terrahmenabschnitt 120 weisen jeweils ein elektrisch leiten ^¬ des Material auf, beispielsweise ein Metall. Der erste Lei ^¬ terrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 sind in dem Gehäuse 100 voneinander beabstandet und durch Abschnitte des Gehäuses 100 elektrisch gegeneinander iso ^¬ liert . Bevorzugt werden der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 bei der Herstellung des optoelektronischen Bauelements 10 bereits während der Her ^¬ stellung des Gehäuses 100 in das Gehäuse 100 eingebettet. Da- bei können der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 beispielsweise in einem Formverfah ^¬ ren durch das Material des Gehäuses 100 umformt werden.

Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrah- menabschnitt 120 können als Abschnitte eines zusammenhängen ^¬ den, größeren Leiterrahmens mit einer Mehrzahl erster Leiterrahmenabschnitte 110 und zweiter Leiterrahmenabschnitte 120 bereitgestellt werden. In diesem Fall wird der Leiterrahmen in einen zusammenhängenden Gehäuseverbund eingebettet. Erst während des Vereinzeins des Gehäuses 100 durch Zerteilen des Gehäuseverbunds werden der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 120 von den übrigen Tei ^¬ len des Leiterrahmens getrennt. Das Gehäuse 100 weist eine Oberseite 101 und eine der Ober ^¬ seite 101 gegenüberliegende Unterseite 102 auf. Figur 1 zeigt eine Aufsicht auf die Oberseite 101 des Gehäuses 100. Auch in Figur 2 ist die Oberseite 101 des Gehäuses 100 sichtbar. An der Oberseite 101 des Gehäuses 100 ist eine Kavität 200 ausgebildet. Die Kavität 200 erstreckt sich als Vertiefung von der Oberseite 101 des Gehäuses 100 in das Gehäuse 100 hinein. An einem Grund 201 der Kavität 200 liegen nicht durch das Material des Gehäuses 100 bedeckte Schnitte des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 und des zweiten Leiterrahmenab ^¬ schnitts 120 frei. Die Kavität 200 ist in eine erste Kammer 210 und eine zweite Kammer 220 unterteilt. Die erste Kammer 210 und die zweite Kammer 220 sind benachbart nebeneinander angeordnet. An einem Grund 211 der ersten Kammer 210 der Ka- vität 200 ist ein Teil des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 zugänglich. An einem Grund 221 der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 liegt ein Teil des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120 frei. Die erste Kammer 210 der Kavität 200 ist im in Figuren 1 und 2 dargestellten Beispiel größer ausgebildet als die zweite Kammer 220 der Kavität 200. Dies bedeutet, dass die erste Kammer 210 ein größeres Volumen aufweist als die zweite Kam ^¬ mer 220. Außerdem weist der am Grund 211 der ersten Kammer 210 freiliegende Teil des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 eine größere Fläche auf als der am Grund 221 der zweiten Kam ^¬ mer 220 freiliegende Teil des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120.

Zwischen der ersten Kammer 210 der Kavität 200 und der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 erstreckt sich ein durch das Material des Gehäuses 100 gebildeter Damm 250. Der Damm 250 ist über die am Grund 201, 211, 221 der Kammern 210, 220 der Kavität 200 freiliegenden Teile der Leiterrahmenabschnitte 110, 120 erhaben. Der Damm 250 ist jedoch niedriger als die Tiefe der Kavität 200 ausgebildet, sodass eine Oberseite des Damms 250 gegenüber der Oberseite 101 des Gehäuses 100 zu- rückversetzt ist. Die erste Kammer 210 und die zweite Kammer 220 der Kavität 200 sind somit über den Damm 250 hinweg zu ^¬ sammenhängend miteinander verbunden. Der Damm 250 ist als im Wesentlichen geradliniger Balkenabschnitt des Gehäuses 100 ausgebildet .

Die Kavität 200 des Gehäuses 100 wird seitlich durch eine durch das Material des Gehäuses 100 gebildete umlaufende Wan ^¬ dung 230 begrenzt. Ein in Umfangsrichtung der Kavität 200 begrenzter Teil der umlaufenden Wandung 230 wird durch einen Rampenabschnitt 240 gebildet. Der Rampenabschnitt 240 ist in einem an ein Längsende 280 des Damms 250 angrenzenden Teil der umlaufenden Wandung 230 zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 angeordnet. Der Rampenabschnitt 240 ist dabei gegenüber einer Längserstre- ckungsrichtung des Damms 250 geneigt und der ersten Kammer 210 der Kavität 200 zugewandt. Beispielsweise kann der Ram ^¬ penabschnitt 240 gegenüber der Längserstreckungsrichtung des Damms 250 einen Winkel von etwa 45° aufweisen und somit auch unter einem Winkel von etwa 45° der ersten Kammer 210 der Ka- vität 200 zugewandt sein.

Von dem Rampenabschnitt 240 der umlaufenden Wandung 230 abge- sehen, weist die umlaufende Wandung 230 entlang der Umfangs- richtung der Kavität 200 fast überall eine Neigung 231 auf. Die Neigung 231 gibt den Winkel an, unter dem sich die umlau ^¬ fende Wandung 230 von der Oberseite 101 des Gehäuses 100 zum Grund 201 der Kavität 200 erstreckt. Die Neigung 231 kann beispielsweise einen rechten Winkel aufweisen. Die Neigung 231 kann allerdings auch einen kleineren als einen rechten Winkel aufweisen. In diesem Fall weitet sich die Kavität 200 von ihrem Grund 201 in Richtung der Oberseite 101 des Gehäu ^¬ ses 100 konisch auf.

Der Rampenabschnitt 240 der umlaufenden Wandung 230 weist ei ^¬ ne Neigung 241 auf. Die Neigung 241 ist geringer bzw. flacher als die Neigung 231 der meisten übrigen Abschnitte der umlaufenden Wandung 230. Beispielsweise kann die Neigung 241 des Rampenabschnitts 240 der umlaufenden Wandung 230 etwa 45° be ^¬ tragen .

Figur 3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauele- ments 10. Die Schnittebene verläuft dabei senkrecht zur

Längserstreckungsrichtung des zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 des Gehäuses 100 verlaufenden Damms 250 durch den Damm 250. Der Damm 250 weist eine der ersten Kammer 210 der Kavität 200 zugewandte erste Seite 260 und eine der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 zugewandte zweite Seite 270 auf. Die erste Seite 260 des Damms 250 weist eine Neigung 261 auf. Die zwei ^¬ te Seite 270 des Damms 250 weist eine Neigung 271 auf. Die Neigung 261 der ersten Seite 260 ist geringer als die Neigung 271 der zweiten Seite 270 des Damms 250. Somit ist der Damm 250 an seiner ersten Seite 260 flacher ausgebildet als an seiner zweiten Seite 270. Figuren 1 und 2 zeigen einen optoelektronischen Halbleiterchip 300 des optoelektronischen Bauelements 10. Der opto ^¬ elektronische Halbleiterchip 300 ist dazu ausgebildet, elekt- romagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip 300 kann beispielsweise als Leuchtdioden-Chip (LED-Chip) ausgebildet sein . Der optoelektronische Halbleiterchip 300 weist eine Oberseite 301 und eine der Oberseite 301 gegenüberliegende Unterseite auf. Die Oberseite 301 bildet eine Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 300. Im Betrieb des optoelektronischen Bauelements 10 wird durch den optoelektro- nischen Halbleiterchip 300 erzeugte elektromagnetische Strah ^¬ lung an der Oberseite 301 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 abgestrahlt. An der Oberseite 301 des optoelektro ^¬ nischen Halbleiterchips 300 kann ein Konverterelement ange ^¬ ordnet sein, das dazu vorgesehen ist, eine Wellenlänge von durch den optoelektronischen Halbleiterchip 300 erzeugter elektromagnetischer Strahlung zu konvertieren. Das Konverterelement kann beispielsweise dazu ausgebildet sein, durch den optoelektronischen Halbleiterchip 300 erzeugte elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich in weißes Licht zu konvertieren .

Der optoelektronische Halbleiterchip 300 ist am Grund 211 der ersten Kammer 210 in der Kavität 200 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 angeordnet. Dabei ist die Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips 300 dem am Grund 211 der ersten Kammer 210 der Kavität 200 freiliegenden Teil des ersten Leiterrahmenabschnitts 110 zugewandt und mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 verbunden. Die Verbin- dung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 und dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 kann beispielsweise als Lötverbindung, als Klebeverbindung oder als andere Chipbondverbindung ausgebildet sein. Der sich zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 erstre ^¬ ckende Damm 250 kann vorteilhafterweise sicherstellen, dass während der Ausbildung der Chipbondverbindung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 und dem ersten Leiter- rahmenabschnitt 110 am Grund 211 der ersten Kammer 210 der Kavität 200 ein zur Herstellung der Chipbondverbindung verwendetes Verbindungsmaterial nicht versehentlich in die zwei ^¬ te Kammer 220 der Kavität 200 des Gehäuses 100 gelangt. Der optoelektronische Halbleiterchip 300 weist an seiner

Oberseite 301 eine obere elektrische Kontaktfläche 310 auf. Außerdem weist der optoelektronische Halbleiterchip 300 an seiner Unterseite eine untere elektrische Kontaktfläche auf. Die untere elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 300 ist über die Chipbondverbindung zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 und dem ersten Leiterrahmenabschnitt 110 elektrisch leitend mit dem ersten Lei ^¬ terrahmenabschnitt 110 verbunden. Die an der Oberseite 301 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 angeordnete obere elektrische Kontaktfläche 310 ist über einen Bonddraht 330 elektrisch leitend mit dem am Grund 221 der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 freiliegenden Teil des zweiten Leiterrahmenabschnitts 120 verbunden. Der Bonddraht 330 erstreckt sich über den zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kam- mer 220 der Kavität 200 verlaufenden Damm 250 hinweg. Bevorzugt verläuft der Bonddraht 330 vollständig innerhalb der Ka ^¬ vität 200.

Der erste Leiterrahmenabschnitt 110 und der zweite Leiterrah- menabschnitt 120 weisen an einer Außenseite des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 zugängliche Kontaktbe ^¬ reiche auf, die zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements 10 vorgesehen sind. Diese Kontaktberei ^¬ che können beispielsweise an der Unterseite 102 des Gehäuses 100 angeordnet sein. In diesem Fall kann das optoelektronische Bauelement 10 beispielsweise als SMT-Bauelement für eine Oberflächenmontage vorgesehen sein. Eine elektrische Anbin- dung des optoelektronischen Bauelements 10 kann in diesem Fall beispielsweise durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow- Löten) erfolgen.

Figur 10 zeigt eine schematische Aufsicht auf die Oberseite 101 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 in einem der Darstellung der Figuren 1 und 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. In der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 des Gehäuses 100 ist ein Vergussmaterial 290 angeord ^¬ net worden. Das Vergussmaterial 290 weist bevorzugt ein op- tisch im Wesentlichen transparentes Material auf, beispiels ^¬ weise ein Silikon. Zusätzlich kann das Vergussmaterial 290 eingebettete Streupartikel aufweisen, beispielsweise Streu ^¬ partikel, die T1O ₂ aufweisen. Das Vergussmaterial 290 kann beispielsweise durch Nadeldosie ^¬ ren (Dispensing) in die zweite Kammer 220 der Kavität 200 eingebracht werden. Hierzu wird eine Dosiernadel über der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 platziert. Das Vergussma ^¬ terial 290 wird in fließfähiger Form in die zweite Kammer 220 der Kavität 200 eingebracht und härtet anschließend aus.

Das Vergussmaterial 290 erstreckt sich vom Grund 221 der zweiten Kammer 220 bis zu einem Niveau, das bevorzugt unter ^¬ halb der Oberkante des Damms 250 liegt. Der sich von der obe- ren elektrischen Kontaktfläche 310 des optoelektronischen

Halbleiterchips 300 zum zweiten Leiterrahmenabschnitt 120 er ^¬ streckende Bonddraht 330 ist zumindest teilweise in das in der zweiten Kammer 220 angeordnete Vergussmaterial 290 einge ^¬ bettet. Dies schützt die Verbindung zwischen dem Bonddraht 330 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 120 vor einer Be ^¬ schädigung durch äußere Einwirkungen.

Figur 5 zeigt eine schematische Aufsicht auf die Oberseite 101 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 in einem der Darstellung der Figur 4 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. In einem zwischen den Darstellungen der Figuren 4 und 5 erfolgten Bearbeitungsschritt ist auch in die erste Kammer 210 der Kavität 200 des Gehäuses 100 ein Ver- gussmaterial 290 eingefüllt worden. Das in die erste Kammer 210 der Kavität 200 eingefüllte Vergussmaterial 290 ist be ^¬ vorzugt gleich ausgebildet wie das in die zweite Kammer 220 der Kavität 200 eingefüllte Vergussmaterial 290. Es ist al- lerdings auch möglich, in die Kammern 210, 220 der Kavität 200 unterschiedliche Vergussmaterialien einzubringen.

Das Vergussmaterial 290 wird durch Nadeldosieren in die erste Kammer 210 der Kavität 200 des Gehäuses 100 eingebracht.

Hierzu wird eine Dosiernadel in zur Oberseite 101 des Gehäu ^¬ ses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 senkrechte Richtung oberhalb des Rampenabschnitts 240 der umlaufenden Wandung 230 der Kavität 200 angeordnet. Das durch die Dosier ^¬ nadel abgegebene Vergussmaterial 290 fließt entlang der Nei ^¬ gung 241 des Rampenabschnitts 240 in Richtung der ersten Kammer 210 der Kavität 200. Die Fließrichtung des Vergussmaterials 290 wird dabei durch die der ersten Kammer 210 zugewandte Orientierung des Rampenabschnitts 240 vorgegeben. Ein Teil des den Rampenabschnitt 240 hinabfließenden Vergussmaterials 290 fließt über die der ersten Kammer 210 der Kavität 200 zu ^¬ gewandte erste Seite 260 des Damms 250 in die erste Kammer 210 der Kavität 200. Die flache Neigung 261 der der ersten Kammer 210 der Kavität 200 zugewandten ersten Seite 260 des Damms 250 gibt dabei die Fließrichtung des Vergussmaterials 290 vor und bewirkt eine zuverlässige Einleitung des Verguss ^¬ materials 290 in die erste Kammer 210 der Kavität 200.

Die Platzierung der für das Nadeldosieren verwendeten Dosiernadel über dem Rampenabschnitt 240 der umlaufenden Wandung 230 der Kavität 200 hat den Vorteil, dass die erste Kammer

210 mit geringer Größe ausgebildet sein kann. Durch die Plat ^¬ zierung der Dosiernadel über dem Rampenabschnitt 240 wird vorteilhafterweise die Gefahr einer versehentlichen Beschädi ^¬ gung des Bonddrahts 330 reduziert. Durch den durch die Nei- gung 241 des Rampenabschnitts 240 und die Neigung 261 der ersten Seite 260 des Damms 250 vorgegebenen Fluss des Ver ^¬ gussmaterials 290 in die erste Kammer 210 der Kavität 200 wird eine gleichmäßige und vollständige Befüllung der ersten Kammer 210 der Kavität 200 mit dem Vergussmaterial 290 unter ^¬ stützt. Dies kann es ermöglichen, das Befüllen der ersten Kammer 210 der Kavität 200 mit dem Vergussmaterial 290 mit höherer Geschwindigkeit und in einer geringeren Zahl an Ein- zelschritten durchzuführen.

In dem in Figur 5 schematisch dargestellten Bearbeitungsstand des optoelektronischen Bauelements 10 erstreckt sich das in der ersten Kammer 210 der Kavität 200 des Gehäuses 100 des optoelektronischen Bauelements 10 angeordnete Vergussmaterial 290 vom Grund 211 der ersten Kammer 210 bis zu einem Niveau, das unterhalb der Oberkante des sich zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kammer 220 der Kavität 200 erstre ^¬ ckenden Damms 250 liegt. Die Oberseite 301 des optoelektroni- sehen Halbleiterchips 300 kann, wie in der schematischen Darstellung der Figur 5 gezeigt, durch das Vergussmaterial 290 bedeckt sein. Die Oberseite 301 des optoelektronischen Halb ^¬ leiterchips 300 kann allerdings auch frei verbleiben und über die Oberseite des Vergussmaterials 290 erhaben sein oder bün- dig mit dem Vergussmaterial 290 abschließen.

Es ist möglich, das Befüllen der Kavität 200 nach dem in Figur 5 dargestellten Bearbeitungsstand weiter fortzusetzen, bis die Kavität 200 vollständig mit dem Vergussmaterial 290 oder einem anderen Vergussmaterial gefüllt ist. Das Einfüllen des weiteren Vergussmaterials kann beispielsweise durch Na ^¬ deldosieren über den Rampenabschnitt 240 der um die Kavität 200 umlaufenden Wandung 230 erfolgen. Die Kavität 200 kann so vollständig befüllt werden, dass der Damm 250 zwischen der ersten Kammer 210 und der zweiten Kammer 220 vollständig in das Vergussmaterial eingebettet ist.

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei ^¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Er- findung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt.

Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen . Bezugs zeichenliste

10 optoelektronisches Bauelement

100 Gehäuse

101 Oberseite

102 Unterseite

110 erster Leiterrahmenabschnitt

120 zweiter Leiterrahmenabschnitt

200 Kavität

201 Grund

210 erste Kammer

211 Grund

220 zweite Kammer

221 Grund

230 umlaufende Wandung

231 Neigung

240 Rampenabschnitt

241 Neigung

250 Damm

260 erste Seite

261 Neigung

270 zweite Seite

271 Neigung

280 Längsende

290 Vergussmaterial

300 optoelektronischer Halbleiterchip

301 Oberseite

310 obere elektrische Kontaktfläche

330 Bonddraht