OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER

HERSTELLUNG

BESCHREIBUNG

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 5.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 105 486.8, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Aus der DE 10 2009 036 621 AI ist ein Verfahren zur Herstel ^¬ lung optoelektronischer Bauelemente bekannt, bei dem opto ^¬ elektronische Halbleiterchips in einen Formkörper eingebettet werden, der alle Seitenflächen der optoelektronischen Halbleiterchips bedeckt. Ober- und Unterseiten der optoelektroni- sehen Halbleiterchips bleiben frei. Gemeinsam mit den opto ^¬ elektronischen Halbleiterchips können elektrische Durchkontakte in den Formkörper eingebettet werden.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkma ^¬ len des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorlie ^¬ genden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 5 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Wei ^¬ terbildungen angegeben.

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektro- nischen Halbleiterchip, der zumindest teilweise durch einen Formkörper umformt ist. Eine Vorderseite des Formkörpers ist zumindest abschnittsweise durch eine reflektierende Folie be ^¬ deckt. Ein Abschnitt der reflektierenden Folie ist zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem Formkörper eingeschlossen .

Die die Vorderseite des Formkörpers zumindest abschnittsweise bedeckende reflektierende Folie kann die Reflektivität der

Vorderseite des Formkörpers dieses optoelektronischen Bauele ^¬ ments vorteilhafterweise erhöhen. Dadurch werden durch Ab ^¬ sorption an der Vorderseite des Formkörpers bewirkte Licht ^¬ verluste bei diesem optoelektronischen Bauelement vorteilhaf- terweise reduziert, wodurch das optoelektronische Bauelement eine hohe Effizienz aufweisen kann.

Durch den Einschluss eines Abschnitts der reflektierenden Fo ^¬ lie zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem Formkörper wird erreicht, dass die reflektierende Folie bis unmittelbar an eine Strahlungsemissionsfläche des optoelekt ^¬ ronischen Halbleiterchips heranreicht, diese jedoch nicht be ^¬ deckt. Hierdurch wird vorteilhafterweise eine optimale Bede ^¬ ckung der Vorderseite des Formkörpers dieses optoelektroni- sehen Bauelements erreicht. Die präzise relative Ausrichtung zwischen der Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips und der reflektierenden Folie kann sich dabei während der Herstellung des optoelektronischen Bauelements vorteilhafterweise selbstj ustierend ergeben.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements bildet der Formkörper an seiner Vorderseite einen Reflektor, der über eine Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips erhaben ist. Dabei ist der Reflektor zumindest ab- schnittsweise durch die reflektierende Folie bedeckt. Der durch den Formkörper dieses optoelektronischen Bauelements gebildete Reflektor kann eine Bündelung einer durch das optoelektronische Bauelement abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung bewirken. Durch die zumindest abschnittsweise Bede- ckung des Reflektors durch die reflektierende Folie weist der Reflektor dieses optoelektronischen Bauelements vorteilhaf ^¬ terweise günstige Reflexionseigenschaften auf. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind eine Vorderseite und eine Rückseite des optoelektroni ^¬ schen Halbleiterchips nicht durch den Formkörper bedeckt. Dadurch wird vorteilhafterweise eine elektrische Kontaktie- rung von an der Vorderseite und/oder der Rückseite des opto ^¬ elektronischen Halbleiterchips angeordneten elektrischen Kontaktflächen des optoelektronischen Halbleiterchips erleichtert .

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der Formkörper einen elektrisch leitenden Durchkontakt auf, der sich von der Vorderseite zu einer Rückseite des Formkörpers erstreckt. Dabei besteht eine elektrisch leitende Verbindung zwischen einer an einer Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips und dem

elektrisch leitenden Durchkontakt. Vorteilhafterweise ermög ^¬ licht der elektrisch leitende Durchkontakt dieses optoelekt ^¬ ronischen Bauelements eine elektrische Kontaktierung der an der Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips ange ^¬ ordneten elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips an der Rückseite des Formkörpers. Dadurch kann sich das optoelektronische Bauelement beispielsweise als SMD-Bauelement für eine Oberflächenmontage eignen, bei ^¬ spielsweise für eine Oberflächenmontage durch Wiederauf- schmelzlöten (Reflow-Löten) .

Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer Oberseite, die einen erhabenen und einen vertieften Bereich aufweist, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips zwischen dem erhabenen Bereich der Oberseite des Trägers und einer reflektierenden Folie, wobei eine Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips dem Träger und eine Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips der re ^¬ flektierenden Folie zugewandt werden, zum Ausbilden eines Formkörpers an einer von dem optoelektronischen Halbleiterchip abgewandten Rückseite der reflektierenden Folie, wobei der optoelektronische Halbleiterchip zumindest teilweise durch den Formkörper umformt wird, wobei ein Abschnitt der reflektierenden Folie zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem Formkörper eingeschlossen wird, und zum Ablösen des Formkörpers, der reflektierenden Folie und des optoelektronischen Halbleiterchips von der Oberseite des Trä ^¬ gers, wobei zumindest ein Teil der reflektierenden Folie an einer Vorderseite des Formkörpers verbleibt. Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfahren die Herstel ^¬ lung eines optoelektronischen Bauelements mit einem Formkörper, dessen Vorderseite zumindest abschnittsweise durch die reflektierende Folie bedeckt ist. Dadurch weist die Vorder ^¬ seite des Formkörpers des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements eine hohe Reflektivität auf, wodurch durch Absorption an der Vorderseite des Formkörpers bedingte Lichtverluste reduziert werden.

Dadurch, dass während des Ausbildens des Formkörpers ein Ab- schnitt der reflektierenden Folie zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem Formkörper eingeschlossen wird, ergibt sich eine präzise Ausrichtung der reflektierenden Folie und des optoelektronischen Halbleiterchips zueinander, in der die reflektierende Folie unmittelbar an eine Strahlungs- emissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips heran ^¬ reicht, ohne diese zu bedecken. Diese präzise Ausrichtung ergibt sich bei diesem Verfahren vorteilhafterweise automa ^¬ tisch und selbstj ustierend, was eine einfache und kostengüns ^¬ tige Durchführung des Verfahrens ermöglicht.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Formkörper so ausgebildet, dass die Vorderseite des Formkörpers die Oberseite des Trägers zumindest teilweise abformt. Die Aus ^¬ bildung der Oberseite des bei diesem Verfahren verwendeten Trägers mit einem erhabenen und einem vertieften Bereich ermöglicht es dadurch vorteilhafterweise, die Vorderseite des Formkörpers des durch dieses Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements dreidimensional zu modellieren. Dabei ergibt sich die Vorderseite des Formkörpers zumindest abschnittsweise und näherungsweise als Negativ der Form der Oberseite des Trägers. Dadurch wird es beispielsweise ermög ^¬ licht, die Vorderseite des Formkörpers des durch dieses Ver- fahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements als Reflektor auszubilden, der eine Bündelung einer durch das optoelektronische Bauelement abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung bewirken kann. In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Formkörper so ausgebildet, dass die Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips nicht durch das Material des Formkörpers be ^¬ deckt wird. Dadurch kann an der Vorderseite des optoelektro ^¬ nischen Halbleiterchips emittierte elektromagnetische Strah- lung vorteilhafterweise von dem durch das Verfahren erhältli ^¬ chen optoelektronischen Bauelement abgestrahlt werden. Außerdem wird es vorteilhafterweise ermöglicht, eine eventuell an der Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips ange ^¬ ordnete elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips zu kontaktieren. Dadurch, dass die Vordersei ^¬ te des optoelektronischen Halbleiterchips bereits während des Ausbildens des Formkörpers nicht durch das Material des Form ^¬ körpers bedeckt wird, ist es vorteilhafterweise nicht erfor ^¬ derlich, die Vorderseite des optoelektronischen Halbleiter- chips nach dem Ausbilden des Formkörpers freizulegen.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die reflektie ^¬ rende Folie vor dem Ausbilden des Formkörpers Stoffschlüssig mit der Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips ver- bunden. Vorteilhafterweise kann die reflektierende Folie bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement dann als Rückseitenmetallisierung des optoelektronischen Halbleiterchips dienen. Das Stoffschlüssige Verbinden der reflektierenden Folie mit der Rückseite des optoelektro- nischen Halbleiterchips kann beispielsweise durch ein dem

Waferbonden, dem Laserschweißen oder dem Reibschweißen ähnliches Verfahren erfolgen. In einer Ausführungsform des Verfahrens weist der Träger mindestens eine Öffnung auf, durch die die reflektierende Folie vor dem Ausbilden des Formkörpers an die Oberseite des Trä ^¬ gers angesaugt wird. Vorteilhafterweise kann hierdurch eine besonders gute Abformung der Oberseite des Trägers durch die Vorderseite des Formkörpers erreicht werden. Insbesondere kann durch das Ansaugen der reflektierenden Folie an die Oberseite des Trägers eine blasenfreie Anordnung der reflek ^¬ tierenden Folie an der Vorderseite des Formkörpers des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements sichergestellt werden.

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die reflektie ^¬ rende Folie mindestens eine Öffnung auf. Dabei gelangt wäh- rend des Ausbildens des Formkörpers ein Teil des Materials des Formkörpers durch die Öffnung der reflektierenden Folie. Hierdurch wird die reflektierende Folie im Bereich der Öff ^¬ nung der reflektierenden Folie in dem Formkörper verankert, wodurch eine besonders stabile Verbindung zwischen der re- flektierenden Folie und der Vorderseite des Formkörpers des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements erreicht werden kann.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Anordnen eines wellenlängenkonvertierenden Materials über der Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips. Das wellenlängenkonvertierende Material kann beispielsweise in ein Matrixmaterial, beispielsweise ein Si ^¬ likon, eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel auf- weisen. Das wellenlängenkonvertierende Material kann dazu vorgesehen sein, von dem optoelektronischen Halbleiterchip des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen, ty- pischerweise größeren, Wellenlänge zu konvertieren.

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die reflektie ^¬ rende Folie einen elektrisch leitenden ersten Folienabschnitt und einen gegen den ersten Folienabschnitt isolierten

elektrisch leitenden zweiten Folienabschnitt auf. Vorteilhaf ^¬ terweise kann die reflektierende Folie bei dem durch das Ver ^¬ fahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement dann auch zur elektrischen Verdrahtung des optoelektronischen Bauelements dienen.

In einer Ausführungsform des Verfahrens ist an der Rückseite des zweiten Folienabschnitts der reflektierenden Folie ein elektrisch leitendes Element angeordnet. Dabei wird der Form ^¬ körper so ausgebildet, dass das elektrisch leitende Element nach dem Ausbilden des Formkörpers an einer Rückseite des Formkörpers zugänglich ist. Außerdem wird nach dem Ablösen von dem Träger ein weiterer Schritt durchgeführt zum Anlegen einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen einer an der

Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordne ^¬ ten elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips und dem elektrisch leitenden Element. Vorteilhaf ^¬ terweise stellt das elektrisch leitende Element bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement dann eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der an der Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips und der Rückseite des Formkörpers her. Dies ermöglicht eine elektrische Kontaktierung des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements an der Rückseite des Formkörpers. Das elektrisch leitende Element kann bereits unmittelbar nach dem Ausbilden des Formkörpers an der Rückseite des Formkörpers zugänglich sein. Das elektrisch leiten- de Element kann nach dem Ausbilden des Formkörpers jedoch auch durch teilweises Entfernen des Materials des Formkörpers an der Rückseite des Formkörpers zugänglich gemacht werden.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein elektrisch leitender Via-Chip zwischen der Oberseite des Trägers und dem zweiten Folienabschnitt der reflektierenden Folie angeordnet und durch den Formkörper umformt. Außerdem wird nach dem Ablösen von dem Träger ein weiterer Schritt durchgeführt zum Anlegen einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen einer an der Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips an ^¬ geordneten elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips und dem Via-Chip. Der Via-Chip stellt dadurch bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der an der Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips an ^¬ geordneten elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips und der Rückseite des Formkörpers bereit, was eine elektrische Kontaktierung des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements an der Rückseite des Formkörpers ermöglicht.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Via-Chip zwischen der Oberseite des Trägers und dem zweiten Folienab ^¬ schnitt der reflektierenden Folie angeordnet und durch den Formkörper umformt. Dabei wird ein Teil des zweiten Folienab ^¬ schnitts zwischen dem Via-Chip und dem Formkörper eingeschlossen. Nach dem Ablösen von dem Träger wird außerdem ein Schritt durchgeführt zum Anlegen einer elektrisch leitenden

Verbindung zwischen einer an der Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips und dem zweiten Folienabschnitt. Vorteilhafterweise bildet der zweite Folien- abschnitt dadurch bei dem durch dieses Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der an der Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips und der Rückseite des Formkörpers. Dies ermöglicht eine elektrische Kontaktierung des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements an der Rückseite des Formkörpers.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Träger mit einem weiteren erhabenen Bereich bereitgestellt. Dabei ist der vertiefte Bereich zwischen dem erhabenen Bereich und dem weiteren erhabenen Bereich angeordnet. Der erste Folienabschnitt wird in Kontakt mit der Rückseite des optoelektroni- sehen Halbleiterchips angeordnet. Der zweite Folienabschnitt wird an dem weiteren erhabenen Bereich anliegend angeordnet. Nach dem Ablösen von dem Träger wird ein Schritt durchgeführt zum Anlegen einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen einer an der Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten elektrischen Kontaktfläche des optoelekt ^¬ ronischen Halbleiterchips und dem zweiten Folienabschnitt. Vorteilhafterweise stellt der zweite Folienabschnitt bei dem durch dieses Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bau- element eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der an der Vorderseite des optoelektronischen Halbleiterchips ange ^¬ ordneten elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips und der Rückseite des Formkörpers bereit. Dies ermöglicht eine elektrische Kontaktierung des optoelekt- ronischen Bauelements an der Rückseite des Formkörpers.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses weite ^¬ re Schritte zum Freilegen der Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips und zum Anordnen einer Metallisierung an der Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips. Die an der Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips ange ^¬ ordnete Metallisierung kann bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements dienen.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Freilegen der Rückseite des optoelektronischen Halbleiterchips ein Ent ^¬ fernen eines Teils des Formkörpers an einer Rückseite des Formkörpers. Das Entfernen des Teils des Formkörpers kann beispielsweise durch einen Schleifprozess erfolgen.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstel lung Fig. 1 eine geschnittene Seitenansicht eines Trägers mit da ^¬ rauf angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips; Fig. 2 den Träger mit einer über den optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten reflektierenden Folie;

Fig. 3 eine geschnittene Seitenansicht eines über dem Träger, den optoelektronischen Halbleiterchips und der reflektieren- den Folie ausgebildeten Formkörpers;

Fig. 4 den Formkörper nach dem Ablösen von dem Träger;

Fig. 5 den Träger nach einem Freilegen der Rückseiten der optoelektronischen Halbleiterchips;

Fig. 6 den Träger mit an den Rückseiten der optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten Metallisierungen; Fig. 7 den Träger mit über den Vorderseiten der optoelektronischen Halbleiterchips angeordnetem wellenlängenkonvertie ^¬ renden Material;

Fig. 8 durch Zerteilen des Formkörpers gebildete optoelektro- nische Bauelemente;

Fig. 9 eine Aufsicht auf die Oberseite des Trägers mit darauf angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips, Schutzchips und Via-Chips;

Fig. 10 eine Aufsicht auf den Träger nach dem Anordnen der reflektierenden Folie über den optoelektronischen Halbleiterchips, Schutzchips und Via-Chips; Fig. 11 eine Aufsicht auf die an der Vorderseite des Formkör ^¬ pers angeordnete reflektierende Folie nach dem Ausbilden des Formkörpers ; Fig. 12 eine geschnittene Seitenansicht des Formkörpers;

Fig. 13 eine weitere Aufsicht auf die Oberseite des Trägers mit darauf angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips und Schutzchips;

Fig. 14 eine Aufsicht auf die über den optoelektronischen Halbleiterchips und den Schutzchips angeordnete reflektieren ^¬ de Folie;

Fig. 15 eine Aufsicht auf die an der Vorderseite des Formkör ^¬ pers angeordnete reflektierende Folie nach dem Ausbilden des Formkörpers ; Fig. 16 eine erste geschnittene Seitenansicht des Formkör ^¬ pers ;

Fig. 17 eine zweite geschnittene Seitenansicht des Formkör ^¬ pers ;

Fig. 18 eine geschnittene Seitenansicht des Trägers gemäß ei ^¬ ner weiteren Ausführungsform;

Fig. 19 den Träger mit der über den optoelektronischen Halb- leiterchips angeordneten reflektierenden Folie;

Fig. 20 eine geschnittene Seitenansicht des über dem Träger, den optoelektronischen Halbleiterchips und der reflektierenden Folie ausgebildeten Formkörpers;

Fig. 21 den Formkörper nach dem Ablösen von dem Träger;

Fig. 22 den Formkörper nach dem Anordnen elektrisch leitender Verbindungen an der Vorderseite des Formkörpers;

Fig. 23 den Formkörper nach dem Anordnen wellenlängenkonvertierenden Materials über den Vorderseiten der optoelektronischen Halbleiterchips; und Fig. 24 durch Zerteilen des Formkörpers gebildete optoelekt ^¬ ronische Bauelemente. Fig. 1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht ei ^¬ nes Teils eines Trägers 400. Der Träger 400 weist eine Ober ^¬ seite 401 auf. Die Oberseite 401 kann beispielsweise eine rechteckige Form oder eine Kreisscheibenform aufweisen. Die Oberseite 401 des Trägers 400 weist erhabene Bereiche 410 und gegenüber den erhabenen Bereichen 410 vertiefte Bereiche 420 auf. Dabei bilden die erhabenen Bereiche 410 durch die vertieften Bereiche 420 umgrenzte Inseln. Die erhabenen Be ^¬ reiche 410 können beispielsweise rechteckig oder kreisschei- benförmig ausgebildet sein. Die vertieften Bereiche 420 bil ^¬ den die erhabenen Bereiche 410 umlaufende Gräben. Dabei kön ^¬ nen die vertieften Bereiche 420 beispielsweise V-förmige Querschnitte aufweisen. An der Oberseite 401 des Trägers 400 ist eine Folie 440 ange ^¬ ordnet. Die Folie 440 kann beispielsweise eine beidseitig klebende Folie sein. Die Folie 440 folgt der Topografie der Oberseite 401 des Trägers 400 und bedeckt sowohl die erhabe ^¬ nen Bereiche 410 als auch die vertieften Bereiche 420. Es ist zweckmäßig, dass die Folie 440 eine im Vergleich zu den late ^¬ ralen Abmessungen der erhabenen Bereiche 410 und der vertieften Bereiche 420 geringe Dicke aufweist, sodass die Topogra ^¬ fie der Oberseite 401 des Trägers 400 durch die Folie 440 nur wenig verändert wird.

Über der Oberseite 401 des Trägers 400 sind optoelektronische Halbleiterchips 100 auf der Folie 440 angeordnet. Die opto ^¬ elektronischen Halbleiterchips 100 können beispielsweise Leuchtdiodenchips (LED-Chips) sein.

Die optoelektronischen Halbleiterchips 100 sind über den erhabenen Bereichen 410 des Trägers 400 angeordnet. Im in Fig. 1 dargestellten Beispiel ist über jedem erhabenen Bereich 410 der Oberseite 401 des Trägers 400 ein optoelektronischer Halbleiterchip 100 angeordnet. Es ist allerdings auch mög ^¬ lich, über jedem erhabenen Bereich 410 mehr als einen optoelektronischen Halbleiterchip 100 anzuordnen.

Jeder optoelektronische Halbleiterchip 100 weist eine Vorder ^¬ seite 101 und eine der Vorderseite 101 gegenüberliegende Rückseite 102 auf. Die optoelektronischen Halbleiterchips 100 sind so über der Oberseite 401 des Trägers 400 angeordnet, dass die Vorderseiten 101 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 der Oberseite 401 des Trägers 400 zugewandt sind.

Fig. 2 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 400 in einem der Darstellung der Fig. 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Über den Rückseiten 102 der über der Oberseite 401 des Trägers 400 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 100 ist eine reflektierende Folie 500 angeordnet worden. Die re- flektierende Folie 500 kann beispielsweise über die opto ^¬ elektronischen Halbleiterchips 100 gespannt worden sein. Die reflektierende Folie 500 weist eine den optoelektronischen Halbleiterchips 100 zugewandte Vorderseite 501 und eine der Vorderseite 501 gegenüberliegende Rückseite 502 auf. Die Vor- derseite 501 der reflektierenden Folie 500 steht in Kontakt mit den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100. Die optoelektronischen Halbleiterchips 100 sind damit zwischen der Oberseite 401 des Trägers 400 und der Vordersei ^¬ te 501 der reflektierenden Folie 500 angeordnet.

Die reflektierende Folie 500 weist, zumindest an ihrer Vor ^¬ derseite 501, eine hohe optische Reflektivität auf. Die re ^¬ flektierende Folie 500 kann beispielsweise als Metallfolie ausgebildet sein und beispielsweise Aluminium oder Silber aufweisen. Die reflektierende Folie 500 kann aber auch bei ^¬ spielsweise als Kunststofffolie ausgebildet sein und bei ^¬ spielsweise eine metallische Beschichtung aufweisen, die bei ^¬ spielsweise Aluminium oder Silber aufweist. Die reflektierende Folie 500 weist an den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 anliegende Folienab ^¬ schnitte 510 und zwischen den anliegenden Folienabschnitten 510 angeordnete zwischenliegende Folienabschnitte 520 auf. Die zwischenliegenden Folienabschnitte 520 sind zwischen den anliegenden Folienabschnitten 510 der reflektierenden Folie 500 gespannt. Die anliegenden Folienabschnitte 510 der reflektierenden Folie 500 können stoffschlüssig mit den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 verbunden sein. Die stoffschlüssige Verbindung zwischen den anliegenden Folienabschnitten 510 der reflektierenden Folie 500 und den Rücksei- ten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 können beispielsweise durch ein dem Waferbonden, dem Laserschweißen oder dem Reibschweißen ähnliches Verfahren hergestellt worden sein. Es ist auch möglich, die optoelektronischen Halbleiterchips 100 zuerst an der Vorderseite 501 der reflektierenden Folie 500 anzuordnen und die Rückseiten 102 der optoelektro ^¬ nischen Halbleiterchips 100 stoffschlüssig mit den anliegen ^¬ den Folienabschnitten 510 der reflektierenden Folie 500 zu verbinden, und die reflektierende Folie 500 mit den daran an ^¬ geordneten optoelektronischen Halbleiterchips 100 erst an- schließend in der in Fig. 2 dargestellten Weise über der Oberseite 401 des Trägers 400 anzuordnen.

Fig. 3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 400 in einem der Darstellung der Fig. 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

An der von den optoelektronischen Halbleiterchips 100 abgewandten Rückseite 502 der reflektierenden Folie 500 ist ein Formkörper 600 ausgebildet worden. Das Material des Formkör- pers 600 hat die optoelektronischen Halbleiterchips 100 dabei zumindest teilweise umformt. Die zwischenliegenden Folienab ^¬ schnitte 520 der reflektierenden Folie 500 sind durch das Ma ^¬ terial des Formkörpers 600 in Richtung zur Oberseite 401 des Trägers 400 gedrückt worden, sodass zwischen der an der Oberseite 401 des Trägers 400 angeordneten Folie 440 und der Vor ^¬ derseite 501 der reflektierenden Folie 500 im Wesentlichen kein Leerraum verblieben ist. Dies kann dadurch unterstützt worden sein, dass die reflektierende Folie 500 während des Ausbildens des Formkörpers 600 durch eine oder mehrere im Träger angeordnete Öffnungen 450 an die Oberseite 401 des Trägers 400 angesaugt worden ist. Die Öffnungen 450 müssen allerdings nicht zwingend vorhanden sein.

Eine der Oberseite 401 des Trägers 400 zugewandte Vorderseite 601 des Formkörpers 600 formt die Oberseite 401 des Trägers 400 mit den erhabenen Bereichen 410 und den vertieften Bereichen 420 zumindest teilweise ab, sodass die Vorderseite 601 des Formkörpers 600 ein Negativ der Oberseite 401 des Trägers 400 bildet.

Teile der zwischenliegenden Folienabschnitte 520 der reflektierenden Folie 500 sind zwischen der Vorderseite 601 des Formkörpers 600 und der an der Oberseite 401 des Trägers 400 angeordneten Folie 440 eingeschlossen worden. Weitere Teile der zwischenliegenden Folienabschnitte 520 der reflektierenden Folie 500 sind zwischen dem Formkörper 600 und den sich zwischen den Vorderseiten 101 und den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 erstreckenden Seitenflanken der optoelektronischen Halbleiterchips 100 eingeschlossen worden und bilden eingeschlossene Folienabschnitte 530. Die eingeschlossenen Folienabschnitte 530 sind zwischen den an den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 anliegenden Folienabschnitten 510 und den zwischen der Vorderseite 601 des Formkörpers 600 und der Folie 440 an der Oberseite 401 des Trägers 400 eingeschlossenen Folienab ^¬ schnitten angeordnet. Der Formkörper 600 weist ein elektrisch isolierendes Formma ^¬ terial auf, beispielsweise ein Kunststoffmaterial , insbeson ^¬ dere beispielsweise ein Epoxidharz. Der Formkörper 600 kann durch ein Formverfahren (Moldverfahren) ausgebildet worden sein, insbesondere beispielsweise durch Spritzpressen (trans- fer molding) oder durch Formpressen (compression molding) .

Im in Fig. 3 gezeigten Beispiel ist eine der Vorderseite 601 gegenüberliegende Rückseite 602 des Formkörpers 600 über den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 und den an den Rückseiten 102 anliegenden Folienabschnitten 510 der reflektierenden Folie 500 angeordnet, sodass die an den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 an- liegenden Folienabschnitte 510 der reflektierenden Folie 500 durch das Material des Formkörpers 600 bedeckt sind. Es ist allerdings ebenfalls möglich, den Formkörper 600 so auszubil ^¬ den, dass die an den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 anliegenden Folienabschnitte 510 der re- flektierenden Folie 500 nicht durch das Material des Formkör ^¬ pers 600 bedeckt werden und die Rückseite 602 des Formkörpers 600 im Wesentlichen bündig mit den an den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 anliegenden Folienabschnitten 510 abschließt.

Fig. 4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Formkörpers 600 in einem der Darstellung der Fig. 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Der Formkörper 600, die reflektierende Folie 500 und die in den Formkörper 600 eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchips 100 sind gemeinsam von der an der Oberseite 401 des Trägers 400 angeordneten Folie 440 abgelöst worden. Die reflektierende Folie 500 ist dabei an dem Formkörper 600 ver- blieben. Hierdurch ist die Vorderseite 601 des Formkörpers 600 zumindest teilweise durch die reflektierende Folie 500 bedeckt .

Da die Vorderseiten 101 der optoelektronischen Halbleiter- chips 100 während des Ausbildens des Formkörpers 600 durch die an der Oberseite 401 des Trägers 400 angeordnete Folie 440 geschützt waren, sind die Vorderseiten 101 der optoelekt ^¬ ronischen Halbleiterchips 100 nicht durch das Material des Formkörpers 600 bedeckt worden und liegen nach dem Ablösen des Formkörpers 600 von der Oberseite 401 des Trägers 400 frei . Da die Vorderseite 601 des Formkörpers 600 die Oberseite 401 des Trägers 400 abgeformt hat, bildet der Formkörper 600 an seiner Vorderseite 601 Reflektoren 610, die über die Vorderseiten 101 der optoelektronischen Halbleiterchips erhaben sind. Die Reflektoren 610 sind an der Vorderseite 601 des Formkörpers 600 durch die reflektierende Folie 500 bedeckt, wodurch die Reflektoren 610 eine hohe optische Reflektivität aufweisen. Jedem optoelektronischen Halbleiterchip 100 ist ein Reflektor 610 zugeordnet. Der jeweilige Reflektor 610 ist dazu vorgesehen, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 an seiner Vorderseite 101 abgestrahlte elektromagnetische Strahlung zu bündeln.

Fig. 5 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Formkörpers 600 in einem der Darstellung der Fig. 4 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

An der Rückseite 602 des Formkörpers 600 ist ein Teil des Ma ^¬ terials des Formkörpers 600 entfernt worden. Hierdurch sind die Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 freigelegt worden. Dabei sind auch die zuvor an den Rücksei ^¬ ten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 anliegenden Folienabschnitte 510 der reflektierenden Folie 500 ent ^¬ fernt worden. Das Freilegen der Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 kann beispielsweise durch einen Schleifprozess erfolgt sein.

Falls die reflektierende Folie 500 ein elektrisch leitendes Material aufweist, so müssen die an den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 anliegenden Folienab- schnitte 510 der reflektierenden Folie 500 nicht zwingend entfernt werden. Insbesondere in dem Fall, dass die an den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 anliegenden Folienabschnitte 510 der reflektierenden Folie 500 zuvor stoffschlüssig mit den Rückseiten 102 der optoelektro ^¬ nischen Halbleiterchips 100 verbunden worden sind, können die an den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 anliegenden Folienabschnitte 510 der reflektierenden Fo- lie 500 ganz oder teilweise an den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 verbleiben.

Das Freilegen der Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 bzw. der an den Rückseiten 102 der optoelekt- ronischen Halbleiterchips 100 anliegenden Folienabschnitte 510 der reflektierenden Folie 500 kann alternativ auch bereits vor dem Ablösen des Formkörpers 600 von dem Träger 400 erfolgen . Fig. 6 zeigt eine weitere geschnittene Seitenansicht des

Formkörpers 600 in einem der Darstellung der Fig. 5 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

An den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 sind Metallisierungen 700 angeordnet worden. Die Metalli ^¬ sierungen 700 stellen elektrisch leitende Kontakte zu an den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordneten rückseitigen Kontaktflächen 120 her. Die Metallisierungen 700 können nach Abschluss der Prozessierung zur elektrischen Kontaktierung der optoelektronischen Halbleiterchips 100 dienen.

Falls die an den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 anliegenden Folienabschnitte 510 der reflek- tierenden Folie 500 an den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 verblieben sind, so kann das Anord ^¬ nen der Metallisierungen 700 entfallen. In diesem Fall können die an den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 anliegenden Folienabschnitte 510 der reflektieren- den Folie 500 die Aufgabe der Metallisierungen 700 übernehmen . Die Metallisierungen 700 können auch bereits vor dem Ablösen des Formkörpers 600 von dem Träger 400 angeordnet werden.

Fig. 7 zeigt eine weitere schematische geschnittene Seitenan- sieht des Formkörpers 600 in einem der Darstellung der Fig. 6 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Über den Vorderseiten 101 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 ist ein wellenlängenkonvertierendes Material 710 angeordnet worden. Das wellenlängenkonvertierende Material 710 kann beispielsweise durch ein Gießverfahren (casting) , durch Jetting, durch Sprühen oder durch Aufschleudern aufgebracht worden sein. Das wellenlängenkonvertierende Material 710 kann dabei beispielsweise die an der Vorderseite 601 des Formkörpers 600 gebildeten Reflektoren 610 ganz oder teilweise auffüllen.

Das wellenlängenkonvertierende Material 710 kann beispiels ^¬ weise ein Matrixmaterial, insbesondere beispielsweise ein Si- likon, und in das Matrixmaterial eingebettete wellenlängen ^¬ konvertierende Partikel aufweisen. Das wellenlängenkonvertie ^¬ rende Material 710 ist dazu vorgesehen, von den optoelektro ^¬ nischen Halbleiterchips 100 emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Strahlung einer anderen, beispielsweise größeren, Wellenlänge zu kon ^¬ vertieren. Die optoelektronischen Halbleiterchips 100 können beispielsweise dazu ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich zu emittieren. Das wellenlängenkonver- tierende Material 710 kann beispielsweise dazu vorgesehen sein, von den optoelektronischen Halbleiterchips 100 emittierte elektromagnetische Strahlung in elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem gelben Spektralbe ^¬ reich zu konvertieren.

Das Anordnen des wellenlängenkonvertierenden Materials 710 über den Vorderseiten 101 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 kann auch entfallen. Anstelle des wellenlängenkon- vertierenden Materials 710 kann wahlweise ein anderes Ver ^¬ gussmaterial über den Vorderseiten 101 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet werden. Fig. 8 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Formkörpers 600 in einem der Darstellung der Fig. 7 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Der Formkörper 600 ist zerteilt worden, um eine Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente 10 zu erhalten. Jedes opto ^¬ elektronische Bauelement 10 weist einen Abschnitt des Form ^¬ körpers 600 mit einem Reflektor 610 und einem in den Abschnitt des Formkörpers 600 eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip 100 auf. Die Abschnitte des Formkörpers 600 der einzelnen optoelektronischen Bauelemente 10 werden der Einfachheit halber nachfolgend ebenfalls als Formkörper 600 bezeichnet .

Falls die optoelektronischen Halbleiterchips 100 der opto- elektronischen Bauelemente 10 an ihren Vorderseiten 101 vorderseitige elektrische Kontaktflächen aufweisen, so können in die Formkörper 600 der optoelektronischen Bauelemente 10 elektrisch leitende Durchkontakte eingebettet werden, um elektrisch leitende Verbindungen zwischen den vorderseitigen Kontaktflächen der optoelektronischen Halbleiterchips 100 und den Rückseiten 602 der Formkörper 600 herzustellen. Nachfolgend werden anhand der Figuren 9 bis 12, 13 bis 17 und 18 bis 24 verschiedene beispielhafte Möglichkeiten beschrieben, derartige Durchkontakte auszubilden. Die nachfolgend beschriebe- nen Möglichkeiten stellen dabei Varianten des anhand der Figuren 1 bis 8 beschriebenen Herstellungsverfahrens dar und entsprechen, bis auf die nachfolgend erläuterten Unterschie ^¬ de, dem anhand der Figuren 1 bis 8 beschriebenen Verfahren. Die verschiedenen, nachfolgend beschriebenen Möglichkeiten können auch miteinander kombiniert werden.

Fig. 9 zeigt eine schematische Aufsicht auf einen Teil der Oberseite 401 des Trägers 400 mit der darauf angeordneten Fo- lie 440. Die inseiförmigen erhabenen Bereiche 410 der Oberseite 401 des Trägers 400 sind durch die grabenförmigen ver ^¬ tieften Bereiche 420 umgrenzt. Zwischen den einzelnen vertieften Bereichen 420 weist die Oberseite 401 des Trägers 400 im in Fig. 9 gezeigten Beispiel Außenbereiche 425 auf, deren Höhe in Richtung senkrecht zur Oberseite 401 der Höhe der er ^¬ habenen Bereiche 410 entspricht.

Über jedem erhabenen Bereich 410 der Oberseite 401 des Trä- gers 400 ist jeweils einer der optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet. Zusätzlich sind über den Außenbereichen 425 Schutzchips 200 und Via-Chips 300 angeordnet. Dabei sind jedem optoelektronischen Halbleiterchip 100 ein Schutzchip 200 und ein Via-Chip 300 zugeordnet.

Die Schutzchips 200 können zum Schutz der optoelektronischen Halbleiterchips 100 vor einer Beschädigung durch elektrosta ^¬ tische Entladungen dienen. Die Schutzchips 200 können bei ^¬ spielsweise Schutzdioden aufweisen. Jeder Schutzchip 200 weist eine Vorderseite 201 und eine der Vorderseite 201 ge ^¬ genüberliegende Rückseite 202 auf. Die Schutzchips 200 sind so auf der Folie 440 über den Außenbereichen 425 der Oberseite 401 des Trägers 400 angeordnet, dass die Vorderseiten 201 der Schutzchips 200 der Oberseite 401 des Trägers 400 zuge- wandt sind. Die Schutzchips 200 können auch entfallen.

Die Via-Chips 300 weisen jeweils eine Vorderseite 301 und ei ^¬ ne der Vorderseite 301 gegenüberliegende Rückseite 302 auf. Jeder Via-Chip 300 ist so auf der Folie 440 über einem Außen- bereich 425 der Oberseite 401 des Trägers 400 angeordnet, dass die Vorderseite 301 der Oberseite 401 des Trägers 400 zugewandt ist.

Die Via-Chips 300 können ein elektrisch leitendes oder ein elektrisch isolierendes Material aufweisen. Falls die Via- Chips 300 ein elektrisch leitendes Material aufweisen, so können sie beispielsweise ein Metall oder ein dotiertes Halb ^¬ leitermaterial aufweisen. Falls die Via-Chips 300 nichtlei- tend sind, so können die Via-Chips 300 beispielsweise ein Glas, einen Kunststoff oder eine Keramik aufweisen. Die Via- Chips 300 können in diesem Fall beispielsweise auch als nichtleitende Kugeln ausgebildet sein.

Die Schutzchips 200 und die Via-Chips 300 weisen zwischen ih ^¬ ren Vorderseiten 201, 301 und ihren Rückseiten 202, 302 jeweils eine Dicke auf, die möglichst genau der Dicke der opto ^¬ elektronischen Halbleiterchips 100 zwischen deren Vordersei- ten 101 und deren Rückseiten 102 entspricht.

Fig. 10 zeigt eine schematische Aufsicht auf die Oberseite 401 des Trägers 400 in einem der Darstellung der Fig. 9 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Die reflektierende Folie 500 ist über den Rückseiten 102, 202, 302 der optoelektronischen Halbleiterchips 100, der Schutzchips 200 und der Via-Chips 300 angeordnet worden. Im in Fig. 10 gezeigten Beispiel weist die reflektierende Fo ^¬ lie 500 ein elektrisch isolierendes Material auf, beispiels ^¬ weise einen Kunststoff, und ist an ihrer den Chips 100, 200, 300 und der Oberseite 401 des Trägers 400 zugewandten Vorder ^¬ seite 501 abschnittsweise mit einem elektrisch leitenden Ma- terial, beispielsweise einem Metall, beschichtet. Die reflek ^¬ tierende Folie 500 weist dabei elektrisch leitende erste Fo ^¬ lienabschnitte 540 und elektrisch gegen die ersten Folienab ^¬ schnitte 540 isolierte elektrisch leitende zweite Folienab ^¬ schnitte 550 auf. Jedem Satz eines optoelektronischen Halb- leiterchips 100, eines Schutzchips 200 und eines Via-Chips

300 ist ein erster Folienabschnitt 540 und ein zweiter Foli ^¬ enabschnitt 550 zugeordnet. Der erste Folienabschnitt 540 steht dabei in Kontakt mit der Rückseite 102 des optoelektro ^¬ nischen Halbleiterchips 100 und der Rückseite 202 des Schutz- chips 200. Der zweite Folienabschnitt 550 steht in Kontakt mit der Rückseite 302 des Via-Chips 300. Zusätzlich weist die reflektierende Folie 500 im in Fig. 10 gezeigten Beispiel Öffnungen 560 auf, die sich zwischen der Vorderseite 501 und der Rückseite 502 durch die reflektieren ^¬ de Folie 500 erstrecken. Jedem Paar eines ersten Folienab- Schnitts 540 und eines zweiten Folienabschnitts 550 ist eine Öffnung 560 angeordnet. Im in Fig. 10 gezeigten Beispiel ist die Öffnung 560 dabei jeweils zwischen dem ersten Folienab ^¬ schnitt 540 und dem zweiten Folienabschnitt 550 angeordnet. Die Öffnungen 560 könnten jedoch auch an anderen Positionen angeordnet sein. Die Öffnungen 560 können auch entfallen.

Fig. 11 zeigt eine schematische Aufsicht auf die Vorderseite 501 der reflektierenden Folie 500 in einem der Darstellung der Fig. 10 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand nach dem Ausbilden des Formkörpers 600 und dem Ablösen von der an der Oberseite 401 des Trägers 400 angeordneten Folie 440. Fig. 12 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils des Formkörpers 600. Dabei verläuft der Schnitt durch einen der optoelektronischen Halbleiterchips 100 und den dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 zugeordneten Via-Chip 300.

Die reflektierende Folie 500 bedeckt die Vorderseite 601 des Formkörpers 600 bis auf jene Bereiche, an denen die Vorder- Seiten 101 der optoelektronischen Halbleiterchips 100, die

Vorderseiten 201 der Schutzchips 200 und die Vorderseiten 301 der Via-Chips 300 freiliegen. Insbesondere bedeckt die re ^¬ flektierende Folie 500 die an den vertieften Bereichen 420 der Oberseite 401 des Trägers 400 gebildeten Reflektoren 610 an der Vorderseite 601 des Formkörpers 600.

In den Bereichen der Öffnungen 560 in der reflektierenden Folie 500 ist während des Ausbildens des Formkörpers 600 ein Teil des Materials des Formkörpers 600 durch die Öffnungen 560 der reflektierenden Folie 500 gelangt, wodurch Veranke ^¬ rungen 620 gebildet worden sind, an denen die reflektierende Folie 500 in dem Material des Formkörpers 600 verankert ist. Dadurch wird erreicht, dass die reflektierende Folie 500 be- sonders zuverlässig an der Vorderseite 601 des Formkörpers 600 befestigt ist.

Im in Fig. 12 gezeigten Bearbeitungsstand sind die an den Rückseiten 102, 302 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 und des Via-Chips 300 angeordneten Folienabschnitte 540, 550 bereits freigelegt worden. Wiederum wäre auch eine Ent ^¬ fernung der an den Rückseiten 102, 302 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 und des Via-Chips 300 angeordneten Foli- enabschnitte 540, 550 und damit ein Freilegen der Rückseite 102 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 und der Rückseite 302 des Via-Chips 300 ebenfalls möglich.

In einem nachfolgenden Bearbeitungsschritt kann wiederum die Metallisierung 700 an der Rückseite 102 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 oder an dem an der Rückseite 102 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordneten ersten Folienabschnitt 540 angeordnet werden, um die an der Rückseite 102 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 be- findliche rückseitige Kontaktfläche 120 des optoelektroni ^¬ schen Halbleiterchips 100 elektrisch zu kontaktieren.

Falls der Via-Chip 300 ein elektrisch leitendes Material auf ^¬ weist, so bildet der Via-Chip 300 einen elektrisch leitenden Durchkontakt 310, der sich von der Vorderseite 601 zur Rück ^¬ seite 602 des Formkörpers 600 durch den Formkörper 600 er ^¬ streckt. In diesem Fall kann in einem nachfolgenden Bearbeitungsschritt eine weitere Metallisierung an der Rückseite 302 des Via-Chips 300 oder an dem die Rückseite 302 des Via-Chips 300 bedeckenden zweiten Folienabschnitt 550 angeordnet wer ^¬ den, um den Via-Chip 300 an der Rückseite 602 des Formkörpers 600 elektrisch zu kontaktieren. Außerdem kann in diesem Fall in einem weiteren nachfolgenden Bearbeitungsschritt, der unten beispielhaft anhand der Figuren 18 bis 24 erläutert wer- den wird, an der Vorderseite 601 des Formkörpers 600 eine elektrisch leitende Verbindung zwischen einer an der Vorderseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeord ^¬ neten vorderseitigen Kontaktfläche 110 und der Vorderseite 301 des Via-Chips 300 hergestellt werden. Dadurch wird es er ^¬ möglicht, sowohl die rückseitige Kontaktfläche 120 als auch die vorderseitige Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 an der Rückseite 602 des Formkörpers 600 zu kontaktieren.

Falls der Via-Chip 300 ein nichtleitendes Material aufweist, so bildet ein zwischen dem Via-Chip und dem Material des Formkörpers 600 eingeschlossener Teil des zweiten Folienab- Schnitts 550 den elektrisch leitenden Durchkontakt 310, der sich zwischen der Vorderseite 601 und der Rückseite 602 durch den Formkörper 600 erstreckt. In diesem Fall verbleibt der die Rückseite 302 des Via-Chips 300 bedeckende Teil des zwei ^¬ ten Folienabschnitts 550 zweckmäßigerweise an der Rückseite 302 des Via-Chips 300. Zusätzlich kann auch in diesem Fall eine Metallisierung im Bereich der Rückseite 302 des Via- Chips 300 vorgesehen werden. Ferner wird in diesem Fall an der Vorderseite 601 des Formkörpers 600 eine elektrisch lei ^¬ tende Verbindung zwischen der vorderseitigen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 und dem zwei ^¬ ten Folienabschnitt 550 angelegt, um eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der im Bereich der Rückseite 302 des Via- Chips 300 angeordneten Metallisierung und der vorderseitigen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 zu schaffen.

Die Rückseite 202 des Schutzchips 200 ist über den elektrisch leitenden ersten Folienabschnitt 540 der reflektierenden Folie 500 elektrisch leitend mit der an der Rückseite 102 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordneten rückseitigen Kontaktfläche 120 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 verbunden. Die Vorderseite 201 des Schutzchips 200 wird über eine weitere elektrisch leitende Verbindung an der Vorderseite 601 des Formkörpers 600 mit der an der Vordersei- te 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordne ^¬ ten vorderseitigen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 und/oder mit dem Durchkontakt 310 verbun ^¬ den. Dann ist der Schutzchip 200 dem optoelektronischen Halb- leiterchip 100 elektrisch parallelgeschaltet und kann den optoelektronischen Halbleiterchip 100 vor einer Beschädigung durch elektrostatische Entladungen schützen. Die weitere Bearbeitung erfolgt bei dem anhand der Figuren 9 bis 12 dargestellten Verfahren wie bei dem anhand der Figuren 1 bis 8 erläuterten Verfahren.

Fig. 13 zeigt eine Aufsicht auf einen Teil der Oberseite 401 des Trägers 400 mit der darauf angeordneten Folie 440. Wie in der Darstellung der Fig. 9 weist die Oberseite 401 erhabene Bereiche 410, die erhabenen Bereiche 410 umgrenzende vertief ^¬ te Bereiche 420 und die vertieften Bereiche 420 umgebende Au ^¬ ßenbereiche 425 auf. Die optoelektronischen Halbleiterchips 100 sind über den erhabenen Bereichen 410 der Oberseite 401 des Trägers 400 angeordnet. Die Schutzchips 200 sind über den Außenbereichen 425 angeordnet. Via-Chips 300 sind in der Dar ^¬ stellung der Fig. 13 nicht vorhanden. Fig. 14 zeigt eine schematische Aufsicht auf die Rückseite

502 der reflektierenden Folie 500, nachdem die reflektierende Folie 500 in einem der Darstellung der Fig. 13 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsschritt oberhalb der optoelektronischen Halbleiterchips 100 und der Schutzchips 200 angeordnet worden ist.

Die reflektierende Folie 500 weist wieder elektrisch leitende erste Folienabschnitte 540 und elektrisch leitende zweite Fo ^¬ lienabschnitte 550 auf, die gegen die ersten Folienabschnitte 540 isoliert sind. Außerdem weist die reflektierende Folie

500 wieder Öffnungen 560 auf, die jeweils zwischen einem ersten Folienabschnitt 540 und einem zweiten Folienabschnitt 550 angeordnet sind, allerdings auch entfallen können. Jeder elektrisch leitende erste Folienabschnitt 540 steht mit der Rückseite 102 und der an der Rückseite 102 angeordneten rückseitigen Kontaktfläche 120 eines optoelektronischen Halb- leiterchips 100 und mit der Rückseite 202 eines Schutzchips 200 in Kontakt.

Die zweiten Folienabschnitte 550 erstrecken sich in dem in Fig. 14 gezeigten Beispiel jeweils durch die reflektierende Folie 500, sind also sowohl an der Vorderseite 501 als auch an der Rückseite 502 der reflektierenden Folie 500 zugänglich. Zusätzlich weisen die zweiten Folienabschnitte 550 an der Vorderseite 501 der reflektierenden Folie 500 jeweils ei- ne Via-Struktur 320 mit einer über die Vorderseite 501 der reflektierenden Folie 500 erhabene Dicke auf. Die Via- Strukturen 320 an der Vorderseite 501 der reflektierenden Folie 500 können beispielsweise als Höcker (bumps) oder Pfosten (pillars) ausgebildet sein.

Fig. 15 zeigt eine schematische Aufsicht auf die Vorderseite 601 des Formkörpers 600 mit der daran angeordneten reflektie ^¬ renden Folie 500, nachdem der Formkörper 600 in der Darstellung der Fig. 14 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsschritten ausgebildet und von dem Träger 400 abgelöst worden ist.

Wie in der Darstellung der Fig. 11 sind die Vorderseiten 101 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 und die Vordersei ^¬ ten 201 der Schutzchips 200 nicht durch das Material des Formkörpers 600 bedeckt, sondern liegen an der Vorderseite

601 des Formkörpers 600 frei. Durch die Öffnungen 560 der re ^¬ flektierenden Folie 500 ist während des Ausbildens des Form ^¬ körpers 600 ein Teil des Materials des Formkörpers 600 ge ^¬ langt und hat dadurch Verankerungen 620 gebildet, die die re- flektierende Folie 500 an dem Formkörper 600 verankern.

Fig. 16 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils des Formkörpers 600, wobei sich der Schnitt durch einen der optoelektronischen Halbleiterchips 100 und den dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 zugeordneten zweiten

Folienabschnitt 550 erstreckt. Fig. 17 zeigt eine weitere ge ^¬ schnittene Seitenansicht eines Teils des Formkörpers 600, wo ^¬ bei sich der Schnitt durch den optoelektronischen Halbleiter- chip 100 und den dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 zugeordneten Schutzchip 200 erstreckt.

Fig. 16 zeigt, dass sich die Via-Struktur 320 des zweiten Fo- lienabschnitts 550 von der Vorderseite 601 bis zur Rückseite 602 des Formkörpers 600 durch den Formkörper 600 erstreckt und dadurch einen elektrisch leitenden Durchkontakt 310 bildet. In einem nachfolgenden Bearbeitungsschritt kann an der Vorderseite 601 des Formkörpers 600 eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der an der Vorderseite 101 des optoelekt ^¬ ronischen Halbleiterchips 100 angeordneten vorderseitigen Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 und dem Durchkontakt 310 angelegt werden. Die Kontaktierung der rückseitigen Kontaktfläche 120 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 kann wie bei dem in Fig. 12 gezeigten Beispiel erfolgen.

Fig. 17 zeigt, dass die rückseitige Kontaktfläche 120 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 über den ersten Foli- enabschnitt 540 der reflektierenden Folie 500 elektrisch lei ^¬ tend mit der Rückseite 202 des Schutzchips 200 verbunden ist. Wie im Beispiel der Fig. 12 kann in einem nachfolgenden Bearbeitungsschritt eine weitere elektrisch leitende Verbindung zwischen der vorderseitigen Kontaktfläche 110 des optoelekt- ronischen Halbleiterchips 100 und der Vorderseite 201 des

Schutzchips 200 geschaffen werden, um den Schutzchip 200 dem optoelektronischen Halbleiterchip 100 elektrisch parallelzuschalten . Fig. 18 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 400 gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens. Im Unterschied zur Darstellung der Fig. 1 weist die Oberseite 401 des Trägers 400 in der Darstellung der Fig. 18 zusätzlich zu den erhabenen Bereichen 410 und den die erhabe- nen Bereiche 410 ringförmig umschließenden vertieften Bereichen 420 weitere erhabene Bereiche 430 auf. Dabei ist jeder vertiefte Bereich 420 zwischen einem erhabenen Bereich 410 und einem weiteren erhabenen Bereich 430 angeordnet. Die wei- teren erhabenen Bereiche 430 überragen die erhabenen Bereiche 410. Der Höhenunterschied zwischen den weiteren erhabenen Bereichen 430 und den erhabenen Bereichen 410 entspricht dabei der Dicke der optoelektronischen Halbleiterchips 100. Dadurch liegen die Rückseiten 102 der über den erhabenen Bereichen

410 der Oberseite 401 des Trägers 400 angeordneten optoelekt ^¬ ronischen Halbleiterchips 100 etwa in einer gemeinsamen Ebene mit den weiteren erhabenen Bereichen 430. Fig. 19 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 400 in einem der Darstellung der Fig. 18 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Die reflektierende Folie 500 ist über den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 und über den weiteren erhabenen Bereichen 430 des Trägers 400 angeordnet worden. Die Vorderseite 501 der reflektierenden Folie 500 liegt dabei sowohl an den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 als auch an der Folie 440 über den weiteren erhabenen Bereichen 430 der Oberseite 401 des Trägers 400 an.

Die reflektierende Folie 500 ist wiederum in elektrisch lei ^¬ tende erste Folienabschnitte 540 und elektrisch leitende zweite Folienabschnitte 550 unterteilt, die gegen die ersten Folienabschnitte 540 elektrisch isoliert sind. Dabei liegt jeweils ein erster Folienabschnitt 540 an der Rückseite 102 eines optoelektronischen Halbleiterchips 100 an, während der zugehörige zweite Folienabschnitt 550 über dem dem jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchip 100 zugeordneten weiteren erhabenen Bereich 430 der Oberseite 401 des Trägers 400 ange ^¬ ordnet ist.

Fig. 20 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Trägers 400 in einem der Darstellung der Fig. 19 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

An der von den optoelektronischen Halbleiterchips 100 abgewandten Rückseite 502 der reflektierenden Folie 500 ist der Formkörper 600 ausgebildet worden. Wiederum ist der Formkörper 600 so ausgebildet worden, dass seine Vorderseite 601 die Oberseite 401 des Trägers 400 zumindest teilweise abformt. Fig. 21 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Formkörpers 600 nach dem Ablösen des Formkörpers 600, der reflektierenden Folie 500 und der optoelektronischen Halbleiterchips 100 von der Oberseite 401 des Trägers 400. Fig. 22 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Formkörpers 600 in einem der Darstellung der Fig. 21 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

An der Rückseite 602 des Formkörpers 600 ist ein Teil des Ma- terials des Formkörpers 600 entfernt worden, sodass nun bei jedem optoelektronischen Halbleiterchip 100 der an der Rückseite 102 angeordnete erste Folienabschnitt 540 der reflek ^¬ tierenden Folie 500 freiliegt. Außerdem wurden an der Rückseite 602 des Formkörpers 600 die während der Ausbildung des Formkörpers 600 über den weiteren erhabenen Bereichen 430 der Oberseite 401 des Trägers 400 an ^¬ geordneten zweiten Folienabschnitte 550 freigelegt. Dadurch bilden die zweiten Folienabschnitte 550 nun Durchkontakte 310, die sich von der Vorderseite 601 des Formkörpers 600 bis zur Rückseite 602 des Formkörpers 600 durch den Formkörper 600 erstrecken.

In weiteren Bearbeitungsschritten wurden an der Vorderseite 601 des Formkörpers 600 pro optoelektronischem Halbleiterchip 100 je eine elektrisch leitende Verbindung 730 angelegt, die die an der Vorderseite 101 des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnete vorderseitige Kontaktfläche 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 mit dem durch den jeweils zugeordneten zweiten Folienabschnitt 550 der re ^¬ flektierenden Folie 500 gebildeten Durchkontakt 310 verbinden. Zum Anlegen der elektrisch leitenden Verbindungen 730 wurde jeweils zunächst ein Dielektrikum 720 über dem Randbe- reich der Vorderseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 und einem Teil des jeweiligen ersten Folienab ^¬ schnitts 540 angeordnet. Anschließend wurde die elektrisch leitende Verbindung 730 angelegt, die sich jeweils von der vorderseitigen Kontaktfläche 110 an der Vorderseite 101 des jeweiligen optoelektronischen Halbleiterchips 100 über das Dielektrikum 720 zu dem zugeordneten zweiten Folienabschnitt 550 an der Vorderseite 601 des Formkörpers 600 erstreckt. Das Dielektrikum 720 dient jeweils dazu, die elektrisch leitende Verbindung 730 elektrisch gegen den mit der rückseitigen Kontaktfläche 120 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 verbundenen ersten Folienabschnitt 540 zu isolieren.

Fig. 23 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Formkörpers 600 in einem der Darstellung der Fig. 22 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Über den Vordersei ^¬ ten 101 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 ist das wellenlängenkonvertierende Material 710 angeordnet worden. Fig. 24 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des Formkörpers 600 in einem der Darstellung der Fig. 23 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Durch Zerteilen des Formkörpers 600 sind mehrere optoelektronische Bauelemente 10 gebildet worden.

In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens überragen die weiteren erhabenen Bereiche 430 des Trägers 400 die erha ^¬ benen Bereiche 410 des Trägers 400, abweichend von der Dar ^¬ stellung der Fig. 18, derart, dass der Höhenunterschied zwi- sehen den weiteren erhabenen Bereichen 430 und den erhabenen Bereichen 410 größer als die Dicke der optoelektronischen Halbleiterchips 100 ist. Bei dieser Ausführungsform wird spä ^¬ ter, abweichend von der Darstellung der Fig. 22, an der Rückseite 602 des Formkörpers 600 ein Teil des Materials des Formkörpers 600 derart entfernt, dass zwar die während der Ausbildung des Formkörpers 600 über den weiteren erhabenen Bereichen 430 der Oberseite 401 des Trägers 400 angeordneten zweiten Folienabschnitte 550 freigelegt werden, die an den Rückseiten 102 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordneten ersten Folienabschnitte 540 der reflektierenden Folie 500 aber durch das Material des Formkörpers 600 bedeckt bleiben. Die elektrische Kontaktierung der rückseitigen Kontaktflächen 120 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 erfolgt dann bei den fertigen optoelektronischen Bauelementen 10 über die elektrisch mit den rückseitigen Kontaktflächen 120 der optoelektronischen Halbleiterchips 100 verbundenen ersten Folienabschnitte 540.

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei ^¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .

BEZUGSZEICHENLISTE

10 optoelektronisches Bauelement 100 optoelektronischer Halbleiterchip

101 Vorderseite

102 Rückseite

110 vorderseitige Kontaktfläche

120 rückseitige Kontaktfläche

200 Schutzchip

201 Vorderseite

202 Rückseite 300 Via-Chip

301 Vorderseite

302 Rückseite

310 Durchkontakt

320 Via-Struktur

400 Träger

401 Oberseite

410 erhabener Bereich

420 vertiefter Bereich

425 Außenbereich

430 weiterer erhabener Bereich

440 Folie

450 Öffnung 500 reflektierende Folie

501 Vorderseite

502 Rückseite

510 anliegender Folienabschnitt

520 zwischenliegender Folienabschnitt 530 eingeschlossener Folienabschnitt

540 erster Folienabschnitt

550 zweiter Folienabschnitt

560 Öffnung 600 Formkörper

601 Vorderseite

602 Rückseite

610 Reflektor

620 Verankerung

700 Metallisierung

710 wellenlängenkonvertierendes Material 720 Dielektrikum

730 elektrisch leitende Verbindung