Optoelektronisches Bauelement Im Folgenden wird ein optoelektronisches Bauelement mit einer Strahlungsemittierenden oder Strahlungsabsorbierenden

Schichtenfolge nach dem Oberbegriff des unabhängigen

Patentspruchs angegeben. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102013105128.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Optoelektronische Bauelemente wie beispielsweise organische lichtemittierende Dioden (OLED) oder organische Solarzellen verfügen gewöhnlich über eine Dünnfilmverkapselung, welche die Elektroden und die Strahlungsemittierende oder

strahlungsabsorbierende Schichtenfolge des optoelektronischen Bauelements vor Feuchtigkeit und oxidierenden Substanzen wie etwa Sauerstoff schützen soll. Zum mechanischen Schutz der Dünnfilmverkapselung wird oft eine zusätzliche

Decksubstratschicht auf die Dünnfilmverkapselung aufgebracht, welche beispielsweise aus Glas bestehen kann. Bei einer mechanischen Belastung des optoelektronischen Bauelements kann es zu einer Delamination der Decksubstratschicht kommen, wodurch die Dünnfilmverkapselung beschädigt und die

Funktionsweise des optoelektronischen Bauelements

beeinträchtigt werden kann. Zumindest eine Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, ein optoelektronisches Bauelement mit einer

Strahlungsemittierenden oder Strahlungsabsorbierenden

Schichtenfolge anzugeben, bei welchem eine Beschädigung der Dünnfilmverkapselung in bestimmten Fällen reduziert oder vermieden wird. Diese Aufgabe wird durch ein

optoelektronisches Bauelements mit den Merkmalen des

unabhängigen Patentanspruchs gelöst. Vorteilhafte

Ausführungsformen und Weiterbildungen des Gegenstands sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor . Ein optoelektronisches Bauelement gemäß einer Ausführungsform umfasst insbesondere ein Substrat, eine erste Elektrode auf dem Substrat, eine Strahlungsemittierende oder

Strahlungsabsorbierende Schichtenfolge auf der ersten

Elektrode, eine zweite Elektrode auf der Schichtenfolge, eine auf der zweiten Elektrode angeordnete Verkapselungsschicht und eine auf der Verkapselungsschicht angeordnete

Abdeckungsschicht mit einer ersten und einer zweiten

Hauptfläche, wobei zwischen der ersten und der zweiten

Hauptfläche der Abdeckungsschicht mindestens eine

Sollbruchfläche vorgesehen ist.

Dass eine Schicht oder ein Element „auf" oder „über" einer anderen Schicht oder einem anderen Element angeordnet oder aufgebracht ist, kann dabei hier und im Folgenden bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element unmittelbar im direkten mechanischen und/oder elektrischen Kontakt auf der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist.

Weiterhin kann es auch bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element mittelbar auf beziehungsweise über der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist.

Dabei können dann weitere Schichten und/oder Elemente

zwischen der einen und der anderen Schicht angeordnet sein. Die Abdeckungsschicht muss nicht homogen ausgeformt sein, sondern kann beispielsweise aus einer Mehrzahl von

Einzelschichtelementen bestehen. Mit erster und zweiter

Hauptfläche der Abdeckungsschicht sind die beiden größten Begrenzungsflächen der bevorzugt flächig ausgeformten

Abdeckungsschicht gemeint, bei einer plattenförmig

ausgeformten Abdeckungsschicht beispielsweise die beiden Seitenflächen mit dem größten Flächeninhalt. Wenn die

Abdeckungsschicht unmittelbar auf der Verkapselungsschicht angeordnet ist, so fällt die erste Hauptfläche bevorzugt mit der Grenzfläche zwischen der Abdeckungsschicht und der

Verkapselungsschicht zusammen. Wenn auf der Abdeckungsschicht keine weiteren Elemente angeordnet sind, so bildet die zweite Hauptfläche eine Abschlussfläche des optoelektronischen

Bauelements. Bevorzugt verlaufen die beiden Hauptflächen parallel zueinander.

Mit Sollbruchfläche ist eine Fläche gemeint, an welcher das Material der Abdeckungsschicht mechanisch nachgibt, wenn das optoelektronische Bauelement einer mechanischen Belastung ausgesetzt ist. Dies betrifft insbesondere eine mechanische Belastung in einem Bereich des optoelektronischen

Bauelements, welcher zumindest einen Teil der

Verkapselungsschicht und der Abdeckungsschicht umfasst. Mit mechanischer Belastung ist insbesondere ein Zustand gemeint, in welchem Deformationskräfte wie beispielsweise

Scherspannungen oder Zugspannungen auftreten, welche oberhalb einer bestimmten kritischen Schwelle liegen. Die

Sollbruchfläche muss nicht notwendigerweise eben ausgeformt sein und muss auch nicht zwingend parallel zu einer der beiden Hauptflächen der Abdeckungsschicht verlaufen. Ebenso muss sich die Sollbruchfläche nicht über die gesamte Fläche der Abdeckungsschicht erstrecken, sondern kann nur in

Teilbereichen derselben angeordnet sein.

Wichtig ist, dass die Sollbruchfläche im Inneren der

Abdeckungsschicht verläuft und insbesondere nicht an einer der Verkapselungsschicht zugewandten Hauptfläche der

Abdeckungsschicht. Hierdurch wird erreicht, dass eine

mechanische Beschädigung der Verkapselungsschicht reduziert oder ganz vermieden wird, so dass das optoelektronische

Bauelement beispielsweise nach einer teilweisen Delamination der Abdeckungsschicht immer noch vollständig nutzbar ist, da sowohl die Verkapselungsschicht weiterhin intakt ist als auch der mechanische Schutz durch die Abdeckungsschicht weiterhin bestehen bleibt.

In einer bevorzugten Ausführungsform erstreckt sich die

Sollbruchfläche parallel zu der ersten Hauptfläche und/oder zu der zweiten Hauptfläche der Abdeckungsschicht und/oder zu der Grenzfläche zwischen der Abdeckungsschicht und der

Verkapselungsschicht. Zumindest ist bevorzugt, dass ein

Winkel zwischen einem Normalenvektor der Sollbruchfläche und einem Normalenvektor der ersten Hauptfläche und/oder einem Normalenvektor der zweiten Hauptfläche der Abdeckungsschicht und/oder einem Normalenvektor der Grenzfläche zwischen der Abdeckungsschicht und der Verkapselungsschicht kleiner als 30°, insbesondere kleiner als 15° ist.

In einer bevorzugten Ausführungsform ist die

Abdeckungsschicht unmittelbar auf der Verkapselungsschicht angeordnet. Dadurch, dass die Sollbruchfläche im Inneren der Abdeckungsschicht verläuft, wird erreicht, dass die

Grenzfläche zwischen der Verkapselungsschicht und der

Abdeckungsschicht bei einer mechanischen Belastung weitgehend oder vollständig unbeschädigt bleibt und es nicht zu einem Abriss der beiden Schichten voneinander kommt.

Beim Auftreten einer eine kritische Schwelle überschreitenden Zugspannung erfolgt somit die Trennung oder Ablösung von

Teilbereichen des optoelektronischen Bauelements voneinander weder innerhalb der Verkapselungsschicht noch an einer

Grenzfläche zwischen der Verkapselungsschicht und der

Abdeckungsschicht, sondern in einem Bereich, welcher auf der der Verkapselungsschicht abgewandten Seite der Grenzfläche zwischen der Verkapselungsschicht und der Abdeckungsschicht angeordnet ist (beispielsweise durch Kohäsionsbruch oder Adhäsionsbruch) . Die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode können flächig oder besonders bevorzugt großflächig ausgebildet sein. Großflächig kann dabei bedeuten, dass die erste

Elektrode und/oder die zweite Elektrode eine Fläche von größer oder gleich einigen Quadratmillimetern, bevorzugt größer oder gleich einem QuadratZentimeter und besonders bevorzugt größer oder gleich einem Quadratsdezimeter

aufweisen .

Alternativ können die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode in erste beziehungsweise zweite

Elektrodenteilbereiche strukturiert ausgeführt sein.

Beispielsweise kann die erste Elektrode in Form parallel nebeneinander angeordneter erster Elektrodenstreifen

ausgeführt sein und die zweite Elektrode als bevorzugt senkrecht dazu verlaufende parallel nebeneinander angeordnete zweite Elektrodenstreifen. Überlappungen der ersten und zweiten Elektrodenstreifen können damit als separat

ansteuerbare Leuchtbereiche ausgeführt sein. Weiterhin können auch nur die erste oder nur die zweite Elektrode strukturiert sein. Besonders bevorzugt sind die erste und/oder die zweite Elektrode oder Elektrodenteilbereiche elektrisch leitend mit ersten Leiterbahnen verbunden. Dabei kann eine Elektrode oder ein Elektrodenteilbereich beispielsweise in eine erste

Leiterbahn übergehen oder getrennt von einer ersten

Leiterbahn ausgeführt und elektrisch leitend mit dieser verbunden sein. Die Verkapselungsschicht kann die gesamte Schichtenfolge mit den Elektroden bedecken. Weiterhin kann sie zumindest einen Teil der Oberfläche des Substrats bedecken, auf dem die

Schichtenfolge mit der ersten und zweiten Elektrode

angeordnet sind. Zusätzlich kann sie auch das gesamte

Substrat umgeben.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Schichtenfolge eine oder mehrere funktionale Schichten aus organischem Material umfassen. Insbesondere kann das

optoelektronische Bauelement als organische lichtemittierende Diode (OLED) oder als organische Solarzelle ausgebildet sein, je nachdem, ob die Schichtenfolge Strahlungsemittierend bzw. strahlungsabsorbierend ausgebildet ist. Über der ersten Elektrode kann beispielsweise ein

funktionaler Bereich mit einer oder mehreren funktionalen Schichten aus organischen Materialien aufgebracht sein. Die funktionalen Schichten können dabei beispielsweise als

Elektronentransportschichten, elektrolumines zierende

Schichten und/oder Lochtransportschichten ausgebildet sein. Über den funktionalen Schichten kann eine zweite Elektrode aufgebracht sein. In den funktionalen Schichten kann in einem aktiven Bereich durch Elektronen- und Löcherinjektion und - rekombination elektromagnetische Strahlung mit einer

einzelnen Wellenlänge oder einem Bereich von Wellenlängen erzeugt werden. Die funktionalen Schichten können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules") oder

Kombinationen daraus aufweisen. Geeignete Materialien sowie Anordnungen und Strukturierungen der Materialien für

funktionale Schichten sind dem Fachmann bekannt und werden daher an dieser Stelle nicht weiter ausgeführt.

Das optoelektronische Bauelement kann aber auch als

Strahlungsemittierende oder Strahlungsabsorbierende

Schichtenfolge eine Halbleiterschichtenfolge aufweisen.

Die zweite Elektrode, die Verkapselungsschicht und die

Abdeckungsschicht können transparent ausgebildet sein, so dass das optoelektronische Bauelement als so genannter „top emitter" ausgeführt ist. Zusätzlich kann das

optoelektronische Bauelement als so genannter „bottom

emitter" ausgeführt sein, wenn das Substrat und die erste Elektrode transparent ausgebildet sind. Außerdem kann das optoelektronische Bauelement sowohl als „top emitter" als auch als „bottom emitter" ausgeführt sein.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Verkapselungsschicht dazu ausgebildet ist, die Elektroden und die Schichtenfolge vor Feuchtigkeit und/oder Luftsauerstoff zu schützen.

Die Verkapselungsschicht ist vorzugsweise eine sogenannte Dünnfilm-Verkapselung, die aus einer oder mehreren dünnen Schichten gebildet ist. Dünnfilm-Verkapselungsschichten sind beispielsweise aus den Druckschriften WO 2009/095006 AI und WO 2010/108894 AI bekannt, deren jeweiliger

Offenbarungsgehalt hiermit diesbezüglich vollumfänglich durch Rückbezug aufgenommen wird. Insbesondere sind aus den

genannten Druckschriften geeignete Materialien, Schichtdicken und Verfahren zum Aufbringen der Verkapselungsschicht

bekannt, die daher hier nicht näher erläutert werden. Die einzelnen Schichten der Dünnfilm-Verkapselung können zum Beispiel jeweils eine Dicke zwischen einer Atomlage und etwa 1 ym aufweisen. Die Gesamtdicke der Verkapselungsschicht beträgt beispielsweise weniger als 10 ym, weniger als 1 ym oder sogar weniger als 100 nm. Die Dünnfilm-Verkapselung enthält vorzugsweise eine oder mehrere Metalloxidschichten.

Die Verkapselungsschicht wird vorteilhaft mittels plasma ^¬ unterstützter chemischer Gasphasenabscheidung (PE-CVD, plasma-enhanced chemical vapor deposition) ,

Atomlagenabscheidung (ALD, atomic layer deposition) ,

Moleküllagenabscheidung (MLD, molecular layer deposition) oder thermischer Verdampfung aufgebracht.

Bevorzugt bildet die Verkapselungsschicht eine

Barriereschicht oder umfasst mindestens eine Barriereschicht. Insbesondere kann die Barriereschicht undurchlässig oder nur schwer durchdringbar für Sauerstoff und/oder Feuchtigkeit sein. Beispielsweise kann die Barriereschicht ein Oxid, ein Nitrid oder ein Oxynitrid aufweisen. Beispielsweise kann das Oxid, Nitrid oder Oxynitrid weiterhin Aluminium, Silizium, Zinn oder Zink umfassen. Die Barriereschicht kann dabei dielektrische oder auch elektrisch leitende Eigenschaften aufweisen und beispielsweise Siliziumoxid, etwa S1O ₂ , Siliziumnitrid, etwa S1 _{2 3} , Siliziumoxynitrid (SiO _x N _y ) ,

Aluminiumoxid, etwa AI ₂ O ₃ , Aluminiumnitrid, Zinnoxid,

Indiumzinnoxid, Zinkoxid oder Aluminiumzinkoxid aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann die Barriereschicht ein

Material aufweisen, das geeignet ist, Sauerstoff und/oder Feuchtigkeit zu binden und dadurch am Durchdringen der

Barriereschicht hindern. Geeignete Materialien hierfür können beispielsweise Alkali- und Erdalkalimetalle sein. Die Barriereschicht kann beispielsweise durch ein

Aufbringverfahren wie etwa ein Aufdampf- oder

Abscheideverfahren herstellbar sein. Ein solches

Aufbringverfahren kann ein Verfahren zur chemischen

Gasphasenabscheidung („chemical vapor deposition", CVD) oder ein Verfahren zur physikalischen Gasphasenabscheidung

(„physical vapor deposition", PVD) sein oder eine Kombination aus solchen Verfahren sein. Beispielhaft für solche

Aufbringverfahren seien thermisches Verdampfen,

Elektronenstrahlverdampfen, Laserstrahlverdampfen,

Lichtbogenverdampfen, Molekularstrahlepitaxie, Sputtern, Ionenplattieren und plasmaunterstützte chemische

Gasphasenabscheidung genannt.

Die Verkapselungsschicht kann auch eine Mehrzahl von

Barriereschichten aufweisen. „Eine Mehrzahl von Schichten" kann dabei hier und im Folgenden zumindest zwei oder mehr Schichten bedeuten. Die Barriereschichten können dabei wie oben ausgeführt gleiche oder unterschiedliche Materialien aufweisen .

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass bei einer mechanischen Belastung des optoelektronischen

Bauelements ein Kohäsionsbruch an der mindestens einen Sollbruchfläche erfolgt. Bevorzugt wird die Abdeckungsschicht durch Kohäsionsbruch gespalten, wenn eine lokal auf diese wirkende Zug- oder Scherkraft die Kohäsionskraft der

Abdeckungsschicht übersteigt.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Abdeckungsschicht eine Mehrzahl von Einzelschichtelementen umfasst, wobei zwei benachbarte Einzelschichtelemente über eine Stoffschlüssige Verbindung miteinander verbunden sind, die derart ausgestaltet ist, dass die Sollbruchfläche

zumindest teilweise durch eine Grenzfläche zwischen den zwei benachbarten Einzelschichtelementen gebildet ist. Die

Sollbruchfläche dient hierbei zur Trennung der

Einze1schichtelernente voneinander .

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass bei einer mechanischen Belastung des optoelektronischen

Bauelements ein Adhäsionsbruch an der Grenzfläche zwischen den zwei benachbarten Einzelschichtelementen erfolgt.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Abdeckungsschicht direkt auf der Verkapselungsschicht

angeordnet ist und eine Adhäsionskraft zwischen der

Abdeckungsschicht und der Verkapselungsschicht so groß ist, dass die Abdeckungsschicht bei einer mechanischen Belastung des optoelektronischen Bauelements an der

Verkapselungsschicht haften bleibt.

Damit ist nicht notwendigerweise gemeint, dass die gesamte Abdeckungsschicht an der Verkapselungsschicht haften bleibt. Vielmehr reicht aus, dass zumindest eine Teilschicht der Abdeckungsschicht, deren eine Hauptfläche mit der Grenzfläche zwischen Abdeckungsschicht und Verkapselungsschicht zusammenfällt, an der Verkapselungsschicht haften bleibt, so dass die Grenzfläche zwischen Abdeckungsschicht und

Verkapselungsschicht nicht beschädigt wird. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Abdeckungsschicht eine Kleberschicht und eine auf der

Kleberschicht angeordnete Decksubstratschicht umfasst.

Der Begriff Kleberschicht ist im Rahmen der vorliegenden Erfindung funktional und nicht lediglich im engen Sinne eines Klebers zu verstehen. Haftwirkung kommt der Kleberschicht nur so lange zu, als eine Trennung zwischen den durch die

Kleberschicht stoffschlüssig verbundenen Schichten noch nicht erfolgt ist. Die Kleberschicht kann aus flüssigem Epoxidharz, welcher durch UV- Bestrahlung ausgehärtet ist, bestehen oder dieses enthalten. Das Material der Kleberschicht ist

allerdings nicht auf flüssige Klebstoffe beschränkt. Es kann sich beispielsweise auch um einen Acrylatkleber handeln.

Bevorzugt handelt es sich um eine auf beiden Hauptflächen Haftung vermittelnde Schicht. Weiterhin ist bevorzugt, dass eine Dicke der Kleberschicht zwischen 5 ym und 100 ym, besonders bevorzugt zwischen 20 ym und 30 ym beträgt.

Die Decksubstratschicht kann beispielsweise eines oder mehrere Materialien in Form einer Schicht, einer Platte, einer Folie oder einem Laminat aufweisen, die ausgewählt sind aus Glas, Quarz, Kunststoff, Metall und Siliziumwafer .

Besonders bevorzugt weist die Decksubstratschicht Glas, beispielsweise in Form einer Glasschicht, Glasfolie oder Glasplatte, auf oder ist daraus. Weiterhin ist bevorzugt, dass eine Dicke der Decksubstratschicht zwischen 0,1 und 4 mm beträgt . Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Kleberschicht direkt auf der Verkapselungsschicht angeordnet ist und eine Adhäsionskraft zwischen der Kleberschicht und der Verkapselungsschicht so groß ist, dass die Kleberschicht bei einer mechanischen Belastung des optoelektronischen

Bauelements an der Verkapselungsschicht haften bleibt.

Damit ist nicht notwendigerweise gemeint, dass die gesamte Abdeckungsschicht an der Verkapselungsschicht haften bleibt. Vielmehr reicht es aus, dass zumindest eine Teilschicht der Kleberschicht, deren eine Hauptfläche mit der Grenzfläche zwischen Kleberschicht und Verkapselungsschicht

zusammenfällt, an der Verkapselungsschicht haften bleibt, so dass die Grenzfläche zwischen Kleberschicht und

Verkapselungsschicht nicht beschädigt wird.

Hierdurch wird erreicht, dass die Kleberschicht mit einer ausreichenden, die Delamination der Kleberschicht von der Verkapselungsschicht verhindernden Adhäsionskraft haften bleibt, und andererseits eine oberhalb der Grenzfläche zwischen der Kleberschicht und der Verkapselungsschicht angeordnete Schicht wie beispielsweise die Kleberschicht selbst oder eine zusätzlich eingefügte Zwischenschicht durch Kohäsionsbruch in zwei Teilschichten gespalten wird oder sich zwei benachbarte oberhalb der Grenzfläche zwischen der

Kleberschicht und der Verkapselungsschicht angeordnete

Schichten durch Adhäsionsbruch voneinander lösen. Durch diese Maßnahme wird die Gefahr, dass sich die Kleberschicht ganz oder teilweise von der Verkapselungsschicht ablöst und dadurch eine Beschädigung der letzteren hervorruft,

reduziert . Die Kleberschicht hat somit optimierte Hafteigenschaften bezüglich der Verkapselungsschicht, so dass die mechanische Belastung zumindest in dem lokalen Bereich zwischen

Kleberschicht und Verkapselungsschicht keine oder nur eine geringe Wirkung entfaltet.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass bei einer mechanischen Belastung die gesamte Kleberschicht an der Verkapselungsschicht haftet oder haften bleibt.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass bei einer mechanischen Belastung des optoelektronischen

Bauelements ein Kohäsionsbruch in der Kleberschicht erfolgt. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Decksubstratschicht direkt auf der Kleberschicht angeordnet ist und dass bei einer mechanischen Belastung des

optoelektronischen Bauelements ein Adhäsionsbruch an einer Grenzfläche zwischen der Kleberschicht und der

Decksubstratschicht erfolgt.

Ob beim Trennen ein Adhäsionsbruch zwischen der Kleberschicht und der Decksubstratschicht oder ein Kohäsionsbruch innerhalb der Kleberschicht auftritt, lässt sich über das Material und/oder die Oberflächeneigenschaften der Kleberschicht und der Verkapselungsschicht einstellen.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass zwischen der Kleberschicht und der Decksubstratschicht mindestens eine Zwischenschicht angeordnet ist und dass bei einer mechanischen Belastung des optoelektronischen

Bauelements ein Kohäsionsbruch in der Zwischenschicht oder ein Adhäsionsbruch an einer Grenzfläche zwischen der Zwischenschicht und der Kleberschicht oder an einer

Grenzfläche zwischen der Zwischenschicht und der

Decksubstratschicht erfolgt. Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausführungsformen und

Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im

Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen

Ausführungsformen . Es zeigen:

Figur 1 ein optoelektronisches Bauelement gemäß einer ersten

Ausführungsform der Erfindung,

Figuren 2 und 3 die Wirkung einer mechanischen Belastung in einem optoelektronischen Bauelements gemäß dem Stand der

Technik, und

Figuren 4 bis 9 schematische Darstellungen optoelektronischer Bauelemente gemäß weiteren Ausführungsbeispielen. In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen

Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind grundsätzlich nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben dick oder groß dimensioniert dargestellt sein. Figur 1 zeigt ein optoelektronisches Bauelement gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Auf einer

Substratsschicht 1 aus Glas ist eine erste transparente

Elektrodenschicht 2 angeordnet. Auf der ersten Elektrodenschicht 2 ist eine Strahlungsemittierende

Schichtenfolge 4 angeordnet, welche eine oder mehrere

funktionale Schichten aus organischem Material umfasst und in welcher durch diese ein aktiver Bereich 20 ausgebildet ist, welcher im Betrieb elektromagnetische Strahlung abstrahlt. Auf der Schichtenfolge 4 ist eine zweite Elektrodenschicht 6 angeordnet, welche ein Metall enthält. Somit ist das

optoelektronische Bauelement als organische lichtemittierende Diode (OLED) ausgebildet.

Auf der zweiten Elektrodenschicht 6 ist eine

Dünnfilmverkapselungsschicht 8 aufgebracht, welche die beiden Elektrodenschichten 2, 6 und die Schichtenfolge 4 vor

Feuchtigkeit und Luftsauerstoff schützt. Unmittelbar auf der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 ist eine Laminierkleberschicht 10 angeordnet, welche dazu dient, eine unmittelbar auf der Laminierkleberschicht 10 angeordnete und als

Decksubstratschicht wirkende Laminiersubstratschicht 12 an der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 zu fixieren. Die

Laminierkleberschicht 10 ist mit der

Dünnfilmverkapselungsschicht 8 einerseits und mit der

Laminiersubstratschicht 12 andererseits stoffschlüssig verbunden. Die Laminierkleberschicht 10 und die

Laminiersubstratschicht 12 bilden zusammen eine

Abdeckungsschicht 24, welche einen mechanischen Schutz für die Dünnfilmverkapselungsschicht 8 zur Verfügung stellt.

Die Grenzfläche zwischen der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 und der Laminierkleberschicht 10 fällt mit einer ersten

Hauptfläche 14 der Abdeckungsschicht 24 zusammen, und eine der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 abgewandte Oberfläche der Laminiersubstratschicht 12 bildet die zweite Hauptfläche 16 der Abdeckungsschicht 24. Die Grenzfläche zwischen der Laminierkleberschicht 10 und der Laminiersubstratschicht 12 bildet eine Sollbruchfläche 18, welche folglich im Inneren der Abdeckungsschicht 24 verläuft. Bei einer mechanischen Belastung des optoelektronischen Bauelements erfolgt ein Adhäsionsbruch an der Sollbruchfläche 18.

In den Figuren 2 und 3 ist dargestellt, wie eine mechanische Belastung eines optoelektronischen Bauelements gemäß dem Stand der Technik zu einer Beschädigung der

Dünnfilmverkapselungsschicht 8 führen kann, also wenn keine Sollbruchfläche im Inneren der Abdeckungsschicht 24

vorgesehen ist. Als Beispiel hierfür wird in Figur 2 eine Situation während des Herstellungsprozesses eines

optoelektronischen Bauelements dargestellt, in welcher die Laminiersubstratschicht 12 durch Brechen einer großflächigen Glasschicht entlang von durch Ritzen mechanisch geschwächten Bereichsgrenzen 26 auf eine gewünschte Größe gebracht wird. Während des Brechens des Materials wird die Glasschicht emporgehoben, wodurch es in einem Bereich zwischen der

Dünnfilmverkapselungsschicht 8 und der Laminierkleberschicht 10 zu Zugspannungen kommt, welche beim Erreichen einer kritischen Schwelle die Laminierkleberschicht 10 von der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 ablösen. Hierdurch kann es zu einer unerwünschten Beschädigung der

Dünnfilmverkapselungsschicht 8 kommen, so dass nachfolgend Feuchtigkeit oder Sauerstoff in das Innere des

optoelektronischen Bauelements dringen und dessen

Funktionsweise beeinträchtigen können. Eine ähnliche Situation ergibt sich auch in einem fertig gestellten Bauelement, sobald Zugkräfte wirken, wie sie beispielsweise entstehen können, wenn eine äußere Kraft auf das optoelektronischen Bauelement wirkt, wie dies in Figur 3 durch einen Pfeil gekennzeichnet ist. Auch hier kommt es zu einem Adhäsionsbruch an der Grenzfläche zwischen der

Dünnfilmverkapselungsschicht 8 und der Laminierkleberschicht 10.

Die Figuren 4 und 5 zeigen, wie ein Adhäsionsbruch an der Sollbruchfläche 18 erfolgt, wenn die Sollbruchfläche 18 mit der Grenzfläche zwischen der Laminierkleberschicht 10 und der Laminiersubstratschicht 12 zusammenfällt, wie dies auch in Figur 1 dargestellt ist.

Die Adhäsionskräfte sind derart bezüglich der jeweiligen Grenzflächen abgestimmt, dass sich beim Auftreten von

Zugspannungen, welche in einer Richtung senkrecht zu der Ebene der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 verlaufen, die

Laminiersubstratschicht 12 von der Laminierkleberschicht 10 ablöst, während die Laminierkleberschicht 10 vollständig an der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 haften bleibt, wodurch die Grenzfläche zwischen der Laminierkleberschicht 10 und der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 unbeschädigt bleibt. Ein ähnlicher Mechanismus wirkt auch beim Auftreten von

Schubspannungen .

Genauer ist die Adhäsionskraft zwischen der

Laminierkleberschicht 10 und der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 größer (beispielsweise größer als oder gleich 50 N/cm) als die Adhäsionskraft zwischen der Laminierkleberschicht 10 und der Laminiersubstratschicht 12 (beispielsweise kleiner als oder gleich 30 N/cm) . Des Weiteren ist die Kohäsionskraft , welche jeweils in den betreffenden Schichten

(Dünnfilmverkapselungsschicht 8, Laminierkleberschicht 10 und Laminiersubstratschicht 12) wirkt, größer als die

Adhäsionskraft zwischen der Laminierkleberschicht 10 und der Laminiersubstratschicht 12, so dass eine unerwünschte

Spaltung der genannten Schichten vermieden wird.

Tritt nun eine Zugspannung auf, so löst sich die

Laminiersubstratschicht 12 von der Laminierkleberschicht 10 beispielsweise ausgehend von einem Rand der

Laminierkleberschicht 10, wobei der Adhäsionsbruch allmählich in Richtung eines entgegengesetzten Randes entlang einer senkrecht zu der Zugspannung verlaufenden Ebene

fortschreitet.

Gemäß einer weiteren, in Figur 6 dargestellten

Ausführungsform verläuft die Sollbruchfläche 18 innerhalb der Laminierkleberschicht 10. In diesem Fall erfolgt bei

mechanischer Belastung ein Kohäsionsbruch innerhalb der

Laminierkleberschicht 10. Dies hat zur Folge, dass sich diese in zwei getrennte Teilschichten aufspaltet, von denen die eine an der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 haften bleibt, während die andere Teilschicht an der Laminiersubstratschicht 12 haften bleibt und mitgeht.

Genauer ist vorgesehen, dass eine Kohäsionskraft innerhalb der Laminierkleberschicht 10 kleiner ist als die

Adhäsionskraft zwischen der Laminierkleberschicht 10 und der Dünnfilmverkapselungsschicht 8. Des Weiteren ist die

Kohäsionskraft, welche jeweils in den anderen betreffenden Schichten (Dünnfilmverkapselungsschicht 8 und

Laminiersubstratschicht 12) wirkt, sowie die Adhäsionskräfte an den verschiedenen Grenzflächen größer als die

Kohäsionskraft der Laminierkleberschicht 10.

Auf diese Weise wird eine spaltfähige Laminierkleberschicht 10 bereitgestellt, so dass die Grenzfläche zwischen der Laminierkleberschicht 10 und der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 bei einer mechanischen Belastung nicht beeinträchtigt wird.

In Figur 7 ist ein optoelektronisches Bauelements gemäß einer weiteren Ausführungsform dargestellt. Im Gegensatz zu den in Figur 1 und den Figuren 4-6 dargestellten Ausführungsformen ist zwischen der Laminierkleberschicht 10 und der

Laminiersubstratschicht 12 eine zusätzliche Zwischenschicht 22 angeordnet, so dass die Abdeckungsschicht 24 durch die drei genannten Schichten 10, 12, 22 gebildet wird. Durch geeignete Einstellung der Adhäsions- bzw.

Kohäsionseigenschaften lässt sich die Sollbruchfläche 18 in verschiedenen Ebenen der Abdeckungsschicht 24 ausbilden. In der in Figur 8 dargestellten Ausführungsform verläuft die Sollbruchfläche 18 innerhalb der Zwischenschicht 22. In diesem Fall erfolgt bei mechanischer Belastung ein

Kohäsionsbruch innerhalb der Zwischenschicht 22. Dies hat zur Folge, dass sich diese in zwei getrennte Teilschichten aufspaltet, von denen die eine an der Laminierkleberschicht 10 und damit zusammen mit dieser an der

Dünnfilmverkapselungsschicht 8 haften bleibt, während die andere Teilschicht an der Laminiersubstratschicht 12 haften bleibt und mitgeht.

In der in Figur 9 dargestellten Ausführungsform verläuft die Sollbruchfläche 18 an der Grenzfläche zwischen der

Zwischenschicht 22 und der Laminierkleberschicht 10. Die Adhäsionskräfte sind derart bezüglich der jeweiligen

Grenzflächen abgestimmt, dass sich beim Auftreten von

Zugspannungen, welche in einer Richtung senkrecht zu der Ebene der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 verlaufen, die

Zwischenschicht 22 von der Laminierkleberschicht 10 ablöst, während die Laminierkleberschicht 10 vollständig an der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 haften bleibt, wodurch die Grenzfläche zwischen der Laminierkleberschicht 10 und der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 unbeschädigt bleibt.