Die vorliegende Erfindung betrifft eine optoelektronische Vorrichtung, umfassend eine Rahmen-Tragstruktur für ein oberflächenmontierbares elektronisches

Bauelement, wobei die Rahmen-Tragstruktur ein metallisches Material umfasst, und wobei das elektronische Bauelement auf der Oberseite der Rahmen-Tragstruktur aufliegt und montiert ist sowie mittels eines Drahtes elektrisch mit der Rahmen- Tragstruktur kontaktiert ist.

Bei der optoelektronischen Vorrichtung kann es sich im Besonderen um eine lichtemittierende Vorrichtung handeln, wobei das metallische Material bevorzugt aus einem reflektierenden Verbundmaterial mit einem Aluminiumträger gebildet ist und das elektronische Bauelement eine als Chip ausgebildete lichtemittierende Diode (LED) ist.

Des Weiteren betrifft die Erfindung ein reflektierendes Verbundmaterial für eine derartige Vorrichtung.

In der DE 103 40 005 A1 wird eine lichtemittierende Vorrichtung zur Aussendung von weißem Licht beschrieben, die ein nicht näher spezifiziertes, elektrisch isolierendes Substrat mit zwei Anschlusselektroden umfasst, welche an der oberen Oberfläche und an der Unterseite des Substrats vorgesehen sind. Die bekannte Vorrichtung umfasst dabei eine auf dem Substrat platzierte, als Chip ausgeführte lichtemittierende Diode (LED). Die Kathode dieser lichtemittierenden Diode ist mit einer der Elektroden durch ein Klebemittel verbunden, und die Anode ist mit der anderen Elektrode durch einen Bond-Draht verbunden. Die LED und die obere Oberfläche des Substrats sind von einem transparenten Harz bedeckt.

Charakteristisch für die in der DE 103 40 005 A1 praktizierte Montageweise ist dabei die sogenannte Oberflächenmontage des LED-Chips, der auch als„Die" (englisch für Würfel oder Plättchen) bezeichnet wird. Diese Montagetechnik wird in englischer Sprache als Surface-mounting technology„SMT" bezeichnet. Die außerdem in diesem Zusammenhang ebenfalls verwendete Abkürzung„SMD" (englisch: Surface- mounted device) beschreibt dabei das oberflächenmontierte Bauelement, welches - im Gegensatz zu Bauelementen der herkömmlichen Durchsteckmontage (Through Hole Technology,„THT") mit„bedrahteten Bauelementen" - keine Drahtanschlüsse aufweist, sondern mittels insbesondere lötfähiger Anschlussflächen (hier in der DE 103 40 005 A1 allerdings mit einem Klebemittel) als so genannte Flachbaugruppe direkt auf einer Leiterplatte montiert wird.

Für die eingangs erwähnten Anschlusselektroden-Strukturen bzw. Rahmen- Tragstrukturen ist auch die englische Bezeichnung„lead frame" üblich, wozu exemplarisch auf die US 6,407,41 1 B1 verwiesen wird. In diesem Zusammenhang ist zu erwähnen, dass im Bereich der SMD-LEDs als Material der„lead frames" heute üblicherweise Kupfer, insbesondere gewalztes Kupfer in 0,2 mm - 0,3 mm Stärke verwendet wird. Die gesamte Oberfläche der Kupferbänder wird nach dem Stanzen der„lead-frames" galvanisch versilbert, wodurch sie jedoch

nachteiligerweise eine geringe Beständigkeit gegenüber Schwefelwasserstoff hat und eine Reflektivität in der Größenordnung von nur ca. 93% ausweist.

SMD-LEDs haben also als Montagebasis bekanntermaßen den vorstehend erwähnten, so genannten„lead-frame". Auf diesem werden die LED-Chips befestigt. Diese werden mit dem„lead-frame" mit kleinen Drähten elektrisch verbunden.

Wegen der chemischen Beständigkeit und der Duktilität wird hier vor allem Gold eingesetzt. Die Drähte werden insbesondere entsprechend der üblichen Praxis unter Einsatz eines Ultraschallschweißverfahrens mit dem„lead-frame" verbunden.

Bei der in der DE 103 40 005 A1 beschriebenen Montageweise handelt es sich außerdem um die Anwendung der sogenannten„COB-Technologie" (englisch: Chip- on-Board-Technology), die auch als Nacktchipmontage bezeichnet wird. Dies ist eine Technologie zur Direktmontage von ungehausten Halbleiter-Chips auf Platinen zur Herstellung von elektronischen Baugruppen. Heute verwendet man den Begriff „COB" für alle Baugruppen, die den nackten Halbleiter beinhalten, während man darunter ursprünglich ausschließlich nach der sogenannten Chip-and-Wire-Technik gefertigte Baugruppen verstand. Anmeldungsgemäß wird das neuere, weitere Verständnis zugrunde gelegt, wobei dieses die Chip-and-Wire-Technik, wie sie die DE 103 40 005 A1 für den LED-Chip vorsieht, inhaltlich umfasst.

Eine optoelektronische Vorrichtung der eingangs genannten Art ist aus der EP 1 022 787 B1 bekannt. Das Dokument beschreibt ein Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements, bei dem ein optischer Sender und/oder Empfänger auf einen Leiterrahmen mit elektrischen Anschlüssen aufgebracht wird, bei dem vor oder nach dem Aufbringen des optischen Senders und/oder

Empfängers der Leiterrahmen mit Kunststoff umspritzt wird, so dass ein

Grundkörper mit einer Vertiefung erzeugt wird, in der der optische Sender und/oder Empfänger angeordnet ist, wobei nachfolgend die Vertiefung im Grundkörper mit Gießharz ausgegossen wird. Der Grundkörper enthält die optischen Sender und/oder Empfänger, wobei dazu ausgeführt wird, dass es bei optischen Sendern vorteilhaft ist, die Halbleiterbauelemente in einem Reflektor zu montieren. Dieser Reflektor kann entweder als Prägung in einem Metallträger oder durch Umhüllung mit einem reflektierenden, gegebenenfalls hochreflektierenden, Kunststoff

ausgebildet werden. Eine Kombination aus Prägung in einem Metallträger und Umhüllung mit einem reflektierenden Kunststoff ist ebenfalls möglich. Ein bedeutender Vorteil von LED-Vorrichtungen ist ihre hohe Lichtausbeute

(englisch: luminous efficacy). Unter der Lichtausbeute wird der Quotient aus dem von einer Lichtquelle abgegebenen Lichtstrom Φ _ν und der von ihr aufgenommenen Leistung P verstanden. Die Sl-Einheit der Lichtausbeute ist Lumen pro Watt (Im/W). Je größer der Wert der Lichtausbeute ist, desto größer ist auch der für das Auge nutzbare Lichtstrom bei gegebener Leistungsaufnahme P der Lampe. Die

Lichtausbeute i einer Lampe setzt sich dabei aus zwei Faktoren zusammen: der Strahlungsausbeute η _β der Lampe und dem photometrischen Strahlungsäquivalent K der abgegebenen Strahlung:

Während die Lichtausbeute einer herkömmlichen Glühlampe bei 10 bis 30 Im/Watt liegt, beträgt sie bei LED-Lampen vorteilhafterweise mehr als das Doppelte, nämlich 60 bis 100 Im/Watt.

In der EP 2 138 761 A1 wird ausgeführt, dass aus Aluminium bestehende, insbesondere beschichtete, Reflektoren zur Erzielung vergleichsweise hoher

Beleuchtungsstärken bzw. Lichtausbeuten η _ν - d. h. hoher Wirkungsgrade - verwendet werden können. Der Gesamtreflexionsgrad eines als Reflektor

eingesetzten hoch reflektierenden Trägers führt auch zu einer hohen Lichtausbeute. Dem Begriff„hoch reflektierend" wird dabei anmeldungsgemäß das gleiche

Verständnis zugrunde gelegt, wie dieses in der genannten EP 2 138 761 A1 erläutert ist. Das heißt, im Folgenden werden unter„hoch reflektierend" Materialien

verstanden, welche nach DIN 5036, Teil 3 (Ausgabe 1 1 79) einen

Gesamtreflexionsgrad von mindestens 85 %, vorzugsweise von mindestens 90 %, besonders bevorzugt von mindestens 95 %, aufweisen.

Es stellt sich jedoch bei der Verwendung von Aluminium als Basismaterial (Träger) für„lead-frames" als problematisch heraus, die Golddrähte mit dem Aluminium zu bonden, da im Laufe der Lebensdauer des optoelektronischen Bauelements, wie eines Dioden-Chips, an dem Temperaturen über 150 °C auftreten, sich verschiedene intermetallischen Gold-Aluminium-Verbindungen bilden können, wie Au ₄ AI, AU5AI2 („weiße Pest") und AuAI sowie das purpurfarbige AuA („purple pest" - „Purpurpest"), die den thermischen Spannungen in der Applikation nicht gewachsen sind. Da diese intermetallischen Verbindungen einen höheren spezifischen elektrischen Widerstand aufweisen, erhöht sich mit dem Phasenwachstum auch der Kontaktwiderstand. Des Weiteren ist die intermetallische Verbindung AuAte eher spröde, so dass die Kontakte bei mechanischer Belastung leichter brechen können. Daher führt die„Purpurpest" zu einer erheblichen Verschlechterung der

Zuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen bzw. integrierten Schaltungen.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine optoelektronische Vorrichtung der eingangs beschriebenen Art mit hoher Reflektivität und vorzugsweise auch hoher Langzeitstabilität, d. h. mit einer langzeitlich geringen Einbuße des Licht- Gesamtreflexionsgrades zu schaffen, wobei bei Anwendung der Chip-and-Wire- Technik eine hohe elektrische Konnektierungsfähigkeit des Drahtes erreicht wird, der das oberflächenmontierbare elektronische Bauelement elektrisch mit der Rahmen-Tragstruktur kontaktiert. Auch soll erfindungsgemäß ein für die Rahmen- Tragstruktur bevorzugt einsetzbares hoch reflektierbares Verbundmaterial geschaffen werden.

Diese Aufgabe wird für eine optoelektronische Vorrichtung der eingangs beschriebenen Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Rahmen-Tragstruktur ein metallisches Material mit einem Aluminiumträger umfasst, auf dessen Oberfläche lokal an der Stelle der Verbindung mit dem Draht eine nicht aus Aluminium bestehende, metallische Fügeauflage aufgebracht ist.

Die metallische Fügeauflage kann dabei bevorzugt aus Silber bestehen.

Insbesondere dieses Metall bildet, wenn es mit Golddrähten gebondet wird, keine intermetallischen Phasen aus. Es sind aber auch andere Metallkombinationen denkbar, zwischen denen keine schädlichen intermetallischen Phasen entstehen. Als Auftragungsverfahren der metallischen Fügeauflage kann insbesondere ein Kaltgasspritzen eingesetzt werden, mit dem es vorteilhafterweise möglich ist, eine sehr kleine Fläche, d. h. eine Fläche mit einem äquivalenten Durchmesser im

Bereich von 10 pm bis 100 μητι, insbesondere im Bereich von 20 μιη bis 60 μιτι, mit einer wenige Mikrometer, insbesondere 0,5 μηη bis 5,0 μιτι, bevorzugt 1 ,0 μηι bis 3,0 μιτι, dicken Metallschicht zu versehen. Die Fügeauflage kann beispielsweise bevorzugt in der Draufsicht auch rechteckig mit Kantenlängen im Bereich von 10 μιη bis 200 μιτι, bevorzugt im Bereich von 30 μιτι bis 100 μιτι ausgeführt werden. Die Fläche kann also in der Draufsicht eine ovale oder Kreisform besitzen oder auch polygonal ausgebildet sein. Sie dient als Auflagefläche für die Ultraschall- Schweißverbindung mit dem Draht, insbesondere mit einem Golddraht.

Hierbei ist es von Bedeutung, dass das Kaltgasspritzen ein„positives" Material- Auftragsverfahren darstellt, d. h. das Material der Fügeauflage kann mit hoher Präzision nur an der Stelle aufgebracht werden, wo es auch benötigt wird. Dies steht im Gegensatz zu den beispielsweise aus der Leiterplattenherstellung bekannten „negativen" Verfahren, wo von einer zunächst integral - z. B. galvanisch - beschichteten Oberfläche nachfolgend Material abgetragen wird. Diese„negativen" Verfahren sind nachteilhaft höher technologisch aufwändig, erfordern einen höheren Materialeinsatz und sind auch weniger genau. Auch unter Einsatz von Masken oder Siebdruck grundsätzlich denkbare Auftragungsverfahren für die Fügeauflage erscheinen wegen einer unzureichenden Genauigkeit nicht geeignet.

Beim Kaltgasspritzen entsteht stattdessen - ähnlich wie bei einem

Reibschweißprozess - eine stoffschlüssige Verbindung zwischen dem Metall der Fügeauflage und dem Aluminium der Rahmen-Tragstruktur, wobei auf dem

Aluminiumträger aufgebrachte Schichten durch die bei einem Kaltgasspritzen eingesetzten Partikel durchdrungen werden. Die Partikel treffen mit so großer Energie auf der Oberfläche der Rahmen-Tragstruktur auf, dass sie dort

gegebenenfalls vorhandene PVD-Schichten sowie eine gegebenenfalls vorhandene Eloxalschicht vorteilhafterweise durchschlagen und sich direkt mit dem Aluminium materialschlüssig verbinden. Dadurch ist ein elektrischer Übergangswiderstand praktisch Null.

Das Kaltgasspritzen ist ein an sich seit den 1980-er Jahren - beispielsweise zur Auftragung von Kupferbeschichtungen auf Kühlkörper der Leistungselektronik oder zur Applikation von Beschichtungen zur Induktionserwärmung von Leichtmetall- Kochgeschirr - bekanntes Beschichtungsverfahren, bei dem der

Beschichtungswerkstoff in Pulverform mit sehr hoher Geschwindigkeit auf ein

Trägermaterial aufgebracht wird. Zu Einzelheiten dazu wird exemplarisch auf die DE 10126100 A1 verwiesen. Es wird ein auf einige hundert Grad aufgeheiztes

Prozessgas, insbesondere Stickstoff oder Helium, durch Expansion in einer

Lavaldüse auf Überschallgeschwindigkeit beschleunigt, und anschließend werden die Pulverpartikel in den Gasstrahl injiziert. Die injizierten Spritzpartikel werden dabei auf eine so hohe Geschwindigkeit (insbesondere über 1000 m/s bei einem Druck von bis zu 40 bar) beschleunigt, dass sie im Gegensatz zu anderen thermischen Spritzverfahren auch ohne vorangehendes An- oder Aufschmelzen beim Aufprall auf das Substrat eine dichte und fest haftende Schicht bilden. Da die kinetische Energie zum Zeitpunkt des Aufpralls für ein vollständiges Aufschmelzen der Partikel nicht ausreicht, wird das Verfahren, obwohl es nicht bei Raumtemperatur oder darunter ausgeführt wird - im Gegensatz zu den bei höheren Temperaturen praktizierten thermischen Spritzverfahren, wie dem Hochgeschwindigkeits-Flammspritzen

(HVOF) - als Kaltgasspritzen bezeichnet. Im Ergebnis entstehen so

vorteilhafterweise bei hohem Spritzwirkungsgrad und geringen Spritzverlusten nahezu porenfreie, vergleichsweise dichtere und oxidärmere Schichten bzw.

Materialverbünde und damit auch eine höhere thermische und elektrische

Leitfähigkeit über die Fügestelle hinweg. Dabei erfolgt - ebenfalls mit Vorteil - bei Ausbildung von stabilen Phasen und Werkstoffzusammensetzungen nur ein sehr geringer Wärmeeintrag in den Träger. So kann der Sauerstoffgehalt in der

erfindungsgemäßen Fügeauflage beispielsweise kleiner sein als 0,5

Gewichtsprozent, vorzugsweise kleiner als 0,1 Gewichtsprozent. Als Metalle zur Kaltgasspritzung können erfindungsgemäß z. B. auch Titan, Nickel, Kupfer, Tantal und Niob eingesetzt werden, wobei auch Verbundwerkstoffe aus diesen Materialien herstellbar sind.

Der Draht, welcher das elektronische Bauelement mit der Rahmen-Tragstruktur verbindet, besteht aus Metall, bevorzugt aus einem Edelmetall, wie Gold, Silber oder Platin, oder aus Kupfer, Aluminium oder Legierungen bzw. Materialkombinationen der genannten Metalle. Der Draht kann auch eine oberflächliche Beschichtung aus Gold, Silber, Platin, Kupfer oder Aluminium oder Legierungen dieser Metalle aufweisen. So kann es sich z. B. um einen Golddraht handeln, der mit Aluminium beschichtet ist.

Als hoch reflektierend wirkendes Trägermaterial für die Rahmen-Tragstruktur der erfindungsgemäßen optoelektronische Vorrichtung kann gewalztes Aluminium mit einer Mindestreinheit von 99,8 % verwendet werden, auf dem als Basis für darüber liegende PVD-Schichten und als chemische, antikorrosiv wirkende Schutzschicht eine Zwischenschicht aufgebracht wird. Diese schützende Zwischenschicht entsteht bevorzugt in einem nasschemischen Eloxierprozess, wobei dadurch erreicht wird, dass die Oberfläche eine genügend geringe Rauigkeit und eine ausreichende Härte aufweist sowie defektfrei ausgebildet ist, wobei eventuell noch vorhandene Poren der Aluminiumoxidschicht in der letzten Phase der Prozesskette weitestgehend durch eine Heißverdichtung verschlossen werden können. Durch Änderungen der Reinheit und/oder der Rauheit kann dabei Einfluss auf die Höhe der Gesamtreflexion genommen werden, während durch gezielte Veränderungen der Walzstruktur des Aluminiumträgers ein Grad von diffuser Reflexion beeinflusst werden kann. Wenn das insbesondere bandförmige Aluminium-Trägermaterial zur Erzeugung der Zwischenschicht in das Bad zur anodischen Oxidation bzw. zum nasschemischen Eloxieren gebracht wird, entsteht sowohl auf seiner Oberseite die Aluminiumoxid- Zwischenschicht, als auch auf seiner Unterseite eine weitere Aluminiumoxid-Schicht mit im Wesentlichen gleichem Aufbau. Das dann nachfolgend über der Zwischenschicht aufgebrachte optisch wirksame Mehrschichtsystem kann beispielsweise aus mindestens drei Schichten bestehen, wobei die oberen Schichten dielektrische und/oder oxidische Schichten sind, und die unterste Schicht eine metallische Schicht ist, welche eine Reflexionsschicht bildet. Hierbei kann es sich bei der metallischen Schicht z. B. um eine hoch reflektierende Reinstsilber-Schicht handeln, die auf der Eloxalschicht abgeschieden ist. Sie ist optisch dicht und weist im sichtbaren Bereich des Lichtes eine extrem hohe

Gesamtreflexion auf. Ein solches Verbundmaterial der eingangs genannten Art hat als oberflächenveredeltes Aluminiumband unter dem Namen MIRO®-Silver weite Verbreitung für die Beleuchtungstechnik, Tageslichtsysteme und dekorative

Anwendungen gefunden.

Weitere für die Rahmen-Tragstruktur der erfindungsgemäßen optoelektronischen Vorrichtung einsetzbare Verbundmaterialien mit Silber-Reflexionsschichten sind in der DE 10 2015 1 14 095 A1 sowie in der WO 2017/032809 A1 beschrieben.

Ein reflektierendes Verbundmaterial mit einem aus Aluminium bestehenden Träger, mit einer bevorzugten Eignung für die erfindungsgemäße optoelektronische Vorrichtung, dem eine eigene erfinderische Bedeutung beigemessen wird, weist eine auf einer Seite auf dem Träger befindliche Zwischenschicht aus Aluminiumoxid und ein auf der Zwischenschicht aufgebrachtes, reflexionsverstärkendes optisch wirksames Mehrschichtsystem auf, wobei das Verbundmaterial dadurch gekennzeichnet ist, dass die aus Aluminiumoxid bestehende Zwischenschicht eine Dicke im Bereich von 5 nm bis 200 nm aufweist, und dass auf der dem reflexionsverstärkenden optisch wirksamen Mehrschichtsystem gegenüberliegenden Seite des Trägers oberflächlich eine Schicht eines Metalls oder einer Metalllegierung aufgebracht ist, welche(s) bei 25 °C einen spezifischen elektrischen Widerstand von maximal 1 ,2 ^* 10 Ω mm ² / m aufweist, wobei die Dicke der oberflächlich aufgebrachten Schicht im Bereich von 10 nm bis 5,0 pm liegt. Ein solches erfindungsgemäßes Verbundmaterial weist bei hoher Reflektivität und vorzugsweise auch hoher Langzeitstabilität, d. h. bei einer langzeitlich geringen Einbuße des Licht-Gesamtreflexionsgrades, bei Anwendung der

Oberflächenmontage, insbesondere bei Anwendung der Chip-and-Wire-Technik eine verbesserte elektrische Konnektierungsfähigkeit mit einer gedruckten Leiterplatte (PCB) auf. So kann das Material mit äußerst geringem elektrischen

Übergangswiderstand auf das PCB (englisch: Printed Circuit Board) gelötet oder mittels eines ähnlichen, stoffschlüssig wirkenden Verbindungsverfahrens, z. B. unter Einsatz eines elektrisch leitenden Lackes oder auch Klebstoffs, aufgebracht werden.

Vorteilhafterweise wird also erfindungsgemäß im Rahmen des sogenannten Wire- bondings einerseits ein Verschweißen eines Drahtes, insbesondere das

Ultraschallschweißen eines Golddrahtes, auf der Vorder- bzw. Oberseite des erfindungsgemäßen Verbundmaterials zur Herstellung einer Verbindung zwischen der Oberfläche des Verbundmaterials und einem auf dem Verbundmaterial durch Oberflächenmontage aufgebrachten elektronischen Bauteil problemlos ermöglicht, und andererseits zeigt sich, dass der elektrische Übergangs-Widerstand auf der Rück- bzw. Unterseite des erfindungsgemäßen Verbundmaterials

überraschenderweise vernachlässigbar klein ist.

Die Auswahl des Materials und die Dicke der oberflächlich auf der Rückseite aufgebrachten Schicht eines Metalls oder einer Metalllegierung können

vorteilhafterweise unter den verschiedensten Aspekten, wie beispielsweise Wert des spezifischen elektrischen Widerstandes, Temperaturbeständigkeit, insbesondere bei einem Löten, Lotkompatibilität, Verfügbarkeit, Preis usw. optimal aufeinander abgestimmt werden.

Bevorzugt kann es sich unter diesen Gesichtspunkten bei der oberflächlich aufgebrachten Schicht eines Metalls oder einer Metalllegierung um eine

Kupferschicht mit einer Dicke im Bereich von 0, 1 μηη bis 5,0 μιη oder um eine Silberschicht mit einer Dicke im Bereich von 10 nm bis 500 nm handeln. Eine erfindungsgemäße lichtemittierende Vorrichtung umfasst insbesondere das erfindungsgemäße reflektierende Verbundmaterial, welches die Rahmen- Tragstruktur („lead frame") für ein elektronisches Bauelement, wie eine als Nackt- Chip (Die) ausgebildete lichtemittierende Diode, bildet, wobei das elektronische Bauelement oberseitig auf der Rahmen-Tragstruktur aufliegt und befestigt ist sowie mittels eines separaten Drahtes elektrisch mit der Rahmen-Tragstruktur kontaktiert ist, und wobei der Verbund aus dem elektronischen Bauelement (als SMD) und der Rahmen-Tragstruktur („lead frame") unterseitig mit einer gedruckten Leiterplatte (PCB) elektrisch leitend stoffschlüssig verbunden ist.

Der Ersatz der üblichen, aus silberplattiertem Kupfer bestehenden Rahmenstruktur durch das erfindungsgemäße Verbundmaterial bewirkt dabei, insbesondere wenn sich kein Silber in der oberflächlich aufgebrachten Schicht befindet, eine erhöhte Korrosionsbeständigkeit, insbesondere gegenüber Schwefelwasserstoff, wobei sich in jedem Fall gleichzeitig die Lichtausbeute erhöht, indem sie insbesondere Werte weit über 100 Im/W annehmen kann.

Weitere vorteilhafte Ausführungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen und in der nachfolgenden detaillierten Beschreibung enthalten.

Anhand eines durch die beiliegende Zeichnung veranschaulichten

Ausführungsbeispiels wird die Erfindung näher erläutert. Dabei zeigen:

Fig. 1 eine vergrößerte prinzipielle Schnittdarstellung durch eine

Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verbundmaterials, wobei die darin enthaltenen Schichtdicken rein schematisch und nicht maßstabsgerecht dargestellt sind, Fig. 2 eine Aufsicht auf einen Teilbereich einer Ausführungsform einer lichtemittierenden Vorrichtung als Beispiel für eine erfindungsgemäße optoelektronische Vorrichtung,

Fig. 3 eine Aufsicht auf eine Ausführungsform einer aus einem

erfindungsgemäßen Verbundmaterial gebildeten Rahmen-Tragstruktur für eine erfindungsgemäße optoelektronische, insbesondere

lichtemittierende Vorrichtung und

Fig. 4 einen Querschnitt durch eine Ausführungsform einer lichtemittierenden

Vorrichtung als Beispiel für eine erfindungsgemäße optoelektronische Vorrichtung.

Zu der anschließenden Beschreibung wird ausdrücklich betont, dass die Erfindung nicht auf das Ausführungsbeispiel und dabei auch nicht auf alle oder mehrere Merkmale von beschriebenen Merkmalskombinationen beschränkt ist. Vielmehr kann jedes einzelne Teilmerkmal des Ausführungsbeispiels auch losgelöst von allen anderen im Zusammenhang damit beschriebenen Teilmerkmalen für sich und auch in Kombination mit beliebigen geeigneten weiteren Merkmalen eine erfinderische Bedeutung haben.

In den verschiedenen Figuren der Zeichnung sind dieselben Teile auch stets mit denselben Bezugszeichen versehen, so dass sie in der Regel auch jeweils nur einmal beschrieben werden.

Wie zunächst aus Fig. 1 hervorgeht, weist ein erfindungsgemäßes reflektierendes Verbundmaterial V mit einem aus Aluminium bestehenden Träger 1 , eine auf einer Seite A auf dem Träger 1 befindliche Zwischenschicht 2 aus Aluminiumoxid und ein auf der Zwischenschicht 2 aufgebrachtes, reflexionsverstärkendes optisch wirksames Mehrschichtsystem 3 auf. Der Träger 1 kann eine Ausbildung als Coil mit einer Breite bis zu 1600 mm, vorzugsweise von 1250 mm, und mit einer Dicke Di von etwa 0, 1 bis 1 ,5 mm, vorzugsweise von etwa 0,2 bis 0,8 mm, aufweisen. Da alle auf dem Träger befindlichen dünnen Schichten, insbesondere die Zwischenschicht 2 und die des optisch wirksamen Mehrschichtsystems 3, demgegenüber

vernachlässigbar klein sind, ist die Trägerdicke Di von ihrer Größe her auch gleichzeitig repräsentativ für eine Gesamtdicke DG des erfindungsgemäßen

Verbundmaterials V.

Das Aluminium des Trägers 1 kann insbesondere eine höhere Reinheit als 99,0 % aufweisen, wodurch seine Wärmeleitfähigkeit gefördert wird. Dadurch kann die Entstehung von Wärmepeaks verhindert werden. Beispielsweise kann es sich bei dem Träger 1 aber auch um ein bandförmiges Aluminiumblech AI 98.3, also mit einer Reinheit von 98,3 Prozent handeln. Es ist auch möglich, als Träger 1

Aluminiumlegierungen, wie beispielsweise eine AlMg-Legierung, einzusetzen, insofern daraus durch anodische Oxidation die Zwischenschicht 2 gebildet werden kann.

Das optisch wirksame Mehrschichtsystem 3 kann exemplarisch - wie dargestellt - aus mindestens drei Schichten bestehen, wobei davon zwei obere Schichten 4, 5 dielektrische und/oder oxidische Schichten sind, und die darunter liegende unterste Schicht 6 eine metallische, z. B. aus Aluminum oder Silber bestehende, Schicht ist, welche eine Reflexionsschicht 6 bildet.

Zusätzlich ist im dargestellten Fall eine optional vorhandene, schützende

nichtmetallische, aus einem absorptionsarmen Material, wie beispielsweise

Siliciumdioxid, bestehende Deckschicht 7 dargestellt. Ein solcher Schichtaufbau ist aus dem deutschen Gebrauchsmuster DE 2 98 12 559 U1 bekannt, auf das in diesem Zusammenhang in vollem Umfang verwiesen wird. So können die

dielektrischen und/oder oxidischen Schichten 4, 5 des optischen

Mehrschichtsystems 3 beispielsweise jeweils eine Dicke D ₄ , Ds im Bereich von 30 nm bis 200 nm, aufweisen, wobei diese Dicke D ₄ , Ds jeweils bevorzugt ein Viertel der Mittenwellenlänge des Spektralbereiches der zu reflektierenden elektromagnetischen Strahlung beträgt, damit die Schichten 4, 5 als reflexions- erhöhende Interferenzschichten wirken können. Eine Dicke D7 der Schutzschicht 7 kann im Bereich von 0,5 nm bis 20 nm, vorzugsweise im Bereich von 0,5 nm bis 10 nm, liegen. Es kann auch vorgesehen sein, dass auf das optische

Mehrschichtsystem 3 eine siliciumnitridische Schutzschicht als Deckschicht 7 aufgebracht ist.

Das optische Mehrschichtsystem 3 - einschließlich der Deckschicht 7 und vorteilhafterweise auch der noch nachstehend beschriebenen, insbesondere als Kupferschicht ausgebildeten, Schicht 9 eines Metalls oder einer Metalllegierung - kann in technologisch vorteilhafter Weise unter Anwendung eines kontinuierlichen Vakuum-Bandbeschichtungsprozesses appliziert werden. Insbesondere kann es sich dabei bei den Schichten 4, 5, 6, 7, 9 um Sputterschichten, insbesondere durch Reaktivsputtern erzeugte Schichten, CVD- oder PECVD-Schichten oder um durch Verdampfen, insbesondere durch Elektronenbombardement oder aus thermischen Quellen, erzeugte Schichten handeln.

Die Reflexionsschicht 6 kann optional über eine nicht dargestellte, beispielsweise aus Aluminium- Titan- und/oder Chromoxid bestehende, Haftvermittlerschicht an die Zwischenschicht 2 angebunden sein. Des Weiteren kann die Reflexionsschicht 6 optional ober- und unterseitig zwischen nicht dargestellten Barriereschichten, z. B. aus Nickel, Nickellegierungen oder Palladium, eingebettet sein, um die

Tem pe ratu rsta b ί I ität zu erhöhen.

Die obere dielektrische und/oder oxidische Schicht 4 des optischen

Mehrschichtsystems 3 ist eine höher brechende Schicht als die untere dielektrische und/oder oxidische Schicht 5 des optischen Mehrschichtsystems 3, wobei die obere Schicht 4 vorzugsweise aus ΊΠΟ2, Ta20s, Nb2Ü5, M0O3 und/oder ZrÜ2, und die untere Schicht 5 vorzugsweise aus AI2O3 und/oder S1O2 bestehen kann. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die aus Aluminiumoxid bestehende, insbesondere aus anodisch oxidiertem Aluminium gebildete Zwischenschicht 2 eine Dicke D2 im Bereich von 5 nm bis 200 nm, vorzugsweise im Bereich von 10 bis 100 nm, aufweist. Wie bereits ausgeführt, wird so - wie in Fig. 2 dargestellt - vorteilhafterweise erfindungsgemäß im Rahmen des sogenannten Wire-bondings einerseits ein Verschweißen eines Drahtes D, insbesondere das

Ultraschallschweißen eines Golddrahtes, auf der Vorder- bzw. Oberseite A des erfindungsgemäßen Verbundmaterials V möglich, so dass eine elektrische

Verbindung (Schweißpunkt SP) zwischen der Oberfläche A des Verbundmaterials V und einem auf dem Verbundmaterial V durch Oberflächenmontage aufgebrachten elektronischen Bauteil SMD problemlos möglich ist.

Hierbei ist es bevorzugt, dass die Oberfläche der Zwischenschicht 2 einen arithmetischen Mittenrauhwert R _a im Bereich von weniger als 0,05 μιη, insbesondere von weniger als 0,01 μηι, besonders bevorzugt von weniger als 0,005 μιη, aufweist. Dies dient bei Vorliegen des vorstehend genannten hohen Licht- Gesamtreflexionsgrades zur Einstellung eines nach DIN 5036 bestimmten, minimalen, diffusen Licht-Reflexionsgrades. Ist ein höherer diffuser Licht-Reflexionsgrad gefordert, kann die Rauheit entsprechend erhöht werden.

Auf der dem reflexionsverstärkenden optisch wirksamen Mehrschichtsystem 3 gegenüberliegenden Seite B des Trägers 1 befindet sich optional eine weitere aus Aluminiumoxid bestehende Schicht 8, die beispielsweise beim Eloxieren der

Oberseite A herstellungsbedingt gleichzeitig entstehen kann. Ihre Ausbildung kann allerdings bedarfsweise durch eine Abdeckung der Seite B vermieden werden. Auch sind Verfahren bekannt, um derartige Schichten gegebenenfalls zu entfernen. Falls die weitere aus Aluminiumoxid bestehende Schicht 8 präsent ist, sollte ihre Dicke D8 im gleichen Bereich wie die Dicke Dz der Zwischenschicht 2 liegen, also im Bereich von 5 nm bis 200 nm, vorzugsweise im Bereich von 10 bis 100 nm. Ein weiteres erfindungswesentliches Merkmal besteht darin, dass auf der dem ref lexionsverstärkenden , optisch wirksamen Mehrschichtsystem 3

gegenüberliegenden Seite B des Trägers 1 oberflächlich eine Schicht 9 eines Metalls oder einer Metalllegierung aufgebracht ist, welche(s) bei 25 °C einen spezifischen elektrischen Widerstand von maximal 1 ,2 ^* 10 ^"1 Ω mm ² / m aufweist, wobei die Dicke Dg der oberflächlich aufgebrachten Schicht 9 im Bereich von 10 nm bis 5,0 pm liegt.

Insbesondere kann es sich um eine Kupferschicht handeln, die mit einer Dicke Dg im Bereich von 0, 1 μηι bis 5,0 μηι, vorzugsweise im Bereich von 0,2 pm bis 3,0 pm, besonders bevorzugt im Bereich von 0,5 pm bis 1 ,5 pm aufgebracht ist.

Eine andere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die oberflächlich aufgebrachte Schicht 9 eine Silberschicht mit einer Dicke Dg im Bereich von 10 nm bis 500 nm ist, insbesondere mit einer Dicke Dg im Bereich von 50 nm bis 250 nm.

Der spezifische elektrische Widerstand der oberflächlich aufgebrachten Schicht 9 eines Metalls oder einer Metalllegierung kann bei 25 °C bevorzugt einen

Maximalwert von 2,7 ^* 10 ^"2 Ω mm ² / m, besonders bevorzugt einen Maximalwert von 1 ,8 ^* 10 ^"2 Ω mm ² / m, aufweisen.

Hinsichtlich der Werte des spezifischen elektrischen Widerstandes, der dabei für verschiedene Materialien zugrunde zu legen ist, wird auf die nachfolgende Tabelle 1 verwiesen, die auf der Grundlage von in der Literatur an verschiedenen Stellen genannten Werten zusammengestellt ist. Tabelle 1 : Werte des spezifischen elektrischen Widerstandes p bei 25 °C

Ein Überblick über spezifischen elektrischen Widerstand p von zehn verschiedenen binären Legierungen (Al/Cu, AI/Mg, Cu/Au, Cu/Ni, Cu/Pd, Cu/Zn, Au/Pd, Au/Ag, Fe/Ni, Ag/Pd) mit jeweils verschiedener Zusammensetzung ist beispielsweise dem wissenschaftlichen Artikel„Electrical resistivity of ten selected binary alloys

Systems", Autor: Ho, C. Y. et al., in J. Phys. Chem. Ref. Data, Vol. 12 No. 2, 1983, S. 183 bis 322 zu entnehmen. Bei Feststellung einer bestimmten chemischen

Zusammensetzung in der erfindungsgemäß vorgesehenen Schicht 9 kann auf diese Werte Bezug genommen werden. Es ist aber auch eine direkte Messung nach ASTM F390-1 1„Standard Test Method for Sheet Resistance of Thin Metallic Films With a Collinear Four-Probe-Array" möglich. Diese Norm enthält auch Angaben darüber, wie ein in der Einheit Ω bzw. ,,Ω Square" ermittelter Flächenwiderstand („Sheet Resistance") unter Berücksichtigung der Schichtgeometrie, also von deren Länge, Breite und Dicke, in einen spezifischen elektrischen Widerstand umgerechnet werden kann.

Zwischen dem aus Aluminium bestehenden Träger 1 bzw. der weiteren optional vorhandenen aus Aluminiumoxid bestehenden Schicht 8 und der Kupferschicht 9 kann in bevorzugter Ausbildung eine Haftvermittlerschicht 10 vorgesehen sein, die z. B. aus einem Übergangsmetall, insbesondere aus Titan, Chrom oder Nickel, besteht und deren Dicke D10 bevorzugt im Bereich von 5 nm bis 25 nm, besonders bevorzugt im Bereich 10 nm bis 20 nm, liegen kann.

Wie ebenfalls bereits erwähnt, führt dies vorteilhafterweise dazu, dass der elektrische Übergangs-Widerstand auf der Rück- bzw. Unterseite B des

erfindungsgemäßen Verbundmaterials V vernachlässigbar klein ist. So kann diese Seite B auf eine gedruckte Leiterplatte PCB gelötet oder mittels eines ähnlichen, stoffschlüssig wirkenden Verbindungsverfahrens aufgebracht werden. Die

stoffschlüssig wirkende Verbindungsschicht ist in Fig. 1 und Fig. 4 jeweils mit dem Bezugszeichen L gekennzeichnet. Zum Verlöten können mit Vorteil beispielsweise zinnhaltige Standard-Elektrolote, wie z. B. Sn96.5Ag3Cu0.5, eingesetzt werden.

Trotz einer relativ dünnen Oberflächenschicht 9 des Metalls oder der

Metalllegierung, insbesondere einer Kupferschicht, hat es sich gezeigt, dass es zwischen dem erfindungsgemäßen Verbundmaterial V und dem Lot nicht zu einer Ausbildung von relativ zur Schichtdicke Dg dicken und spröden intermetallischen Phasen kommt, die durch thermische Spannungen zu einem mechanischen - und in der Folge auch zu einem elektrischen Versagen der Lötstelle - führen könnten. So führte eine Wärmelagerung von bis zu 1000 h nur zur Ausbildung einer wenige 100 nm dicken intermetallischen Phase. Es zeigte sich auch, dass die Lötverbindung der Verbindungsschicht L vorteilhafterweise typische Tests bestand, indem sich eine Abzugs- bzw. Scherkraft zwischen den verbundenen Bauteilen LF, COB nur um weniger als einen Faktor 2 nach einer Temperaturlagerung, z. B. bei 120 °C und 1000 h, reduzierte.

Auf der oberflächlich aufgebrachten Schicht 9 eines Metalls oder einer

Metalllegierung, insbesondere auf der Kupferschicht, kann sich optional eine nicht dargestellte Passivierungsschicht befinden. Diese kann bevorzugt aus Ag, Ni, Pd und/oder Au (Ag/Ni/Pd/Au) bestehen und eine typische Dicke im Bereich von 10 nm bis 500 nm, bevorzugt im Bereich von 50 nm bis 250 nm, aufweisen. Eine derartige Schicht unterstützt aufgrund einer besseren Benetzbarkeit der Edelmetalloberfläche durch das Lot außerdem die Lötbarkeit des fertigen SMD-Bauteils auf das PCB.

Eine erfindungsgemäße lichtemittierende Vorrichtung LV - siehe dazu Fig. 2 und Fig. 4 - umfasst das erfindungsgemäße reflektierende Verbundmaterial V, welches eine Rahmen-Tragstruktur LF („lead frame") für das elektronisches Bauelement SMD, wie eine als Nackt-Chip DIE ausgebildete, lichtemittierende Diode, bilden kann. Eine derartige Rahmen-Tragstruktur LF ist in Fig. 3 dargestellt. Sie besitzt in der dargestellten Form in der Draufsicht die Form eines H, wobei dessen

Querbalken Q zwischen den als Fingern F bezeichneten Bahnen nicht rechtwinklig, sondern - wie dargestellt - häufig schräg verläuft. Eine derartige Rahmen- Tragstruktur LF kann in technologisch vorteilhafter Weise z. B. als Stanzteil oder durch Laserschneiden hergestellt werden. Bedarfsweise ist auch eine zusätzliche Ausbildung als Biegeteil möglich, da das Verbundmaterial V ohne Qualitätsverlust problemlos gebogen werden kann.

Hierbei kann eine Vielzahl von Rahmen-Tragstrukturen LF zunächst in einer als bandförmige Platine ausgebildeten Rahmen-Vorrichtung vereinigt sein, in der die Rahmen-Tragstrukturen LF über Stege feldförmig, d. h. als Zeilen- und

Spaltenelemente, eingebunden sind. Aus der Rahmen-Vorrichtung können die Rahmen-Tragstrukturen LF einfach entfernt, beispielsweise herausgebrochen oder gestanzt, werden, so dass eine insbesondere automatisierte Massenproduktion von erfindungsgemäßen lichtemittierenden Vorrichtungen LV vorteilhafterweise leicht möglich ist. Die Rahmen-Tragstrukturen LF können dabei oberseitig bereits mit elektronischen Chips SMD bestückt werden.

In der erfindungsgemäßen lichtemittierenden Vorrichtung LV liegt das elektronische Bauelement SMD/DIE oberseitig, also auf der Seite A auf der Rahmen-Tragstruktur LF, auf und ist mittels mindestens eines separaten Drahtes D elektrisch mit der Rahmen-Tragstruktur LF kontaktiert. Neben dem LED-Die (Bezugszeichen: DIE) ist in Fig. 2 zusätzlich unten rechts eine Zener-Diode Z als weiteres

oberflächenmontiertes elektronisches Bauteil SMD dargestellt. Der Verbund aus dem elektronischen Bauelement SMD bzw. - im dargestellten Fall den beiden dargestellten elektronischen Bauelementen SMD (DIE und Z) - und der Rahmen- Tragstruktur LF ist unterseitig (Seite B) mit einer gedruckten Leiterplatte PCB elektrisch leitend stoffschlüssig verbunden.

Auf dem Träger 1 können sich - abweichend von dem dargestellten

Ausführungsbeispiel - auch andere reflexionsverstärkende Systeme 3 mit weiteren Schichten befinden. Diesbezüglich ist insbesondere dasjenige der DE 10 2015 1 14 095 A1 mit der reflexionsverstärkenden Silberschicht zu nennen, sofern es erfindungsgemäß ausgestaltet wird. Das in der WO 2017/032809 A1 beschriebene System sieht dagegen in der Zwischenschicht 2 zwingend die Präsenz eines organischen schichtbildenden Lackes mit bis zu 5 pm Dicke vor, was

erfindungsgemäß vermieden werden sollte. Die Formulierung„Zwischenschicht 2 aus Aluminiumoxid" ist anmeldungsgemäß bevorzugt im Sinne von„ausschließlich bestehend aus" als abschließend zu betrachten, jedoch ist anmeldungsgemäß die Existenz von Teilschichten in der Zwischenschicht 2 gegebenenfalls nicht völlig auszuschließen. Unter diesem Gesichtspunkt sollte dann jedoch in jedem Fall die Dicke Dz der gesamten Zwischenschicht 2 im Bereich von 5 nm bis 200 nm liegen. Wenngleich das optische Mehrschichtsystem 3 nicht nur die vorstehend beschriebenen Schichten 4, 5, 6 aufweisen kann, so darf erfindungsgemäß jedoch nicht vorgesehen sein, dass darauf als Deckschicht 7 eine organische oder siliciumorganische Lackschicht, z. B. auf der Basis einer Sol-Gel-Schicht, wie sie ebenfalls im Stand der Technik beschrieben ist, aufgebracht wird.

Insbesondere aus Fig. 2 bis 4, welche die erfindungsgemäße, insbesondere lichtemittierende, optoelektronische Vorrichtung LV bzw. deren Einzelheit zeigen, geht hervor, dass auf der Oberfläche der optoelektronischen Vorrichtung LV lokal am Schweißpunkt SP, also an der Stelle der Verbindung mit dem Draht D, erfindungsgemäß eine nicht aus Aluminium bestehende, metallische Fügeauflage FA auf die Rahmen-Tragstruktur LF aufgebracht ist. Diese metallische Fügeauflage FA kann bevorzugt aus Silber bestehen und in der Draufsicht eine Kreisform besitzen oder auch polygonal, insbesondere rechteckig, ausgebildet sein, wobei sie eine Fläche mit einem Durchmesser oder äquivalenten Durchmesser oder mit Kantenlängen K (siehe Fig. 2) im Bereich von 10 pm bis 100 pm, insbesondere im Bereich von 20 pm bis 40 pm, bedeckt. Die metallische Fügeauflage FA kann eine Dicke DF im Bereich von 0,5 pm bis 5,0 pm, bevorzugt im Bereich von 1 ,0 pm bis 3,0 pm, aufweisen. Die Fügeauflage FA kann durch ein Kaltgasschweißen aufgebracht sein, wobei der Sauerstoffgehalt in der Fügeauflage FA insbesondere kleiner ist als 0,5 Gewichtsprozent, vorzugsweise kleiner als 0,1 Gewichtsprozent.

Der Draht D kann - wie bereits erwähnt - aus Metall, insbesondere aus Gold, Silber, Kupfer, Platin oder Aluminium oder aus Legierungen und Materialkombinationen dieser Metalle bestehen und/oder auch eine oberflächliche Beschichtung aus Gold, Silber, Kupfer, Platin oder Aluminium oder Legierungen dieser Metalle aufweisen. Er kann bevorzugt einen Durchmesser DD im Bereich von 15 pm bis 35 pm aufweisen und ist bevorzugt an der Stelle der Fügeauflage FA mittels einer

Ultraschallschweißung mit der Rahmen-Tragstruktur LF stoffschlüssig verbunden. Der Fachmann kann im Rahmen der Ansprüche weitere zweckmäßige Ausgestaltungsformen der Erfindung vorsehen, ohne dass der Rahmen der

Erfindung verlassen wird. So ist beispielsweise in Fig. 4 die Oberfläche der erfindungsgemäßen lichtemittierende Vorrichtung LV mit einer transparenten Masse M, z. B. mit einem Epoxidharz, vergossen. Alternativ oder zusätzlich könnten auch optische Linsensysteme über dem als LED-Chip DIE ausgebildeten elektronischen Bauteil SMD vorgesehen sein.

Insofern vorstehend von einer Silberschicht, insbesondere als Reflexionsschicht 6, die Rede ist, so schließt dies ein, dass eine solche Schicht Legierungselemente im Bereich von 0,001 Masseprozent bis 5,0 Masseprozent, insbesondere im Bereich von 0,5 Masseprozent bis 3,0 Masseprozent, enthalten kann. Bei den

Legierungselementen kann es sich beispielsweise um ein Seltenerdelement, wie Neodym, handeln. Derartige Elemente können z. B. an die Korngrenzen des Silbers migrieren und/oder sich an der Oberfläche der Silberschicht anreichern, so dass sie dort eher als das edlere Silber oxidieren und auf den Silberkörnern eine

mikroskopisch dünne Schutzschicht bilden. Die Wirksamkeit dieser

Legierungselemente kann durch eine zusätzliche Zulegierung von Palladium, Platin, Gold und/oder Kupfer noch gesteigert werden. Auch wird dadurch eine

Diffusionshemmung bewirkt, sowie einer Koaleszenz von Silberkristalliten, insbesondere bei höheren Temperaturen, wie sie im Betriebszustand auftreten können, entgegengewirkt. Dadurch kommt es vorteilhafterweise zu einer

Entschleunigung der Alterung der Reflexionsschicht, d. h. einer Verzögerung des Abfalls der Reflektivität über die Zeit und/oder die Temperatur.

Palladium kann dem Silber auch als Hauptlegierungselement, vorzugsweise in einem Masseanteil im Bereich von 0,5 Masseprozent bis 3,0 Masseprozent der Legierung, zulegiert werden, wobei zusätzlich - in kleinerem oder höchstens dem gleichen Anteil - eines der Elemente Aluminium, Gold, Platin, Kupfer, Tantal, Chrom, Titan, Nickel, Kobalt oder Silizium als dritte Legierungskomponente präsent sein kann. Auch Indium, Titan und/oder Zinn können als Legierungselemente für das Silber vorgesehen sein. Diesbezüglich erscheint beispielsweise eine Legierung als geeignet, die vorzugsweise Indium und/oder Zinn und/oder auch Antimon und/oder Wismut im Bereich von 0,5 Masseprozent bis 3,0 Masseprozent enthält, wobei der Rest aus Silber besteht.

Ein geeignetes Target, um in einem Sputterprozess Silber-Legierungsschichten zu erzeugen, ist auch in der EP 3 196 334 A1 beschrieben.

Die Erfindung ist nicht auf die in den unabhängigen Ansprüchen definierten Merkmalskombinationen beschränkt, sondern kann auch durch jede beliebige andere Kombination von bestimmten Merkmalen aller insgesamt offenbarten Einzelmerkmale definiert sein. Dies bedeutet, dass grundsätzlich praktisch jedes Einzelmerkmal der unabhängigen Ansprüche 1 weggelassen bzw. durch mindestens ein an anderer Stelle der Anmeldung offenbartes Einzelmerkmal ersetzt werden kann. Insofern sind die Ansprüche 1 lediglich als ein erster Formulierungsversuch für eine Erfindung zu verstehen.

Bezugszeichenliste

1 Träger von V

2 Zwischenschicht von V auf 1 (Seite A)

3 optisch wirksames Mehrschichtsystem von V auf 2 (Seite A)

4, 5 obere Schichten von 3 (Seite A)

6 unterste Schicht von 3, Reflexionsschicht (Seite A)

7 Deckschicht von V über 3 (Seite A)

8 Al ₂ 03-Schicht von V auf 1 (Seite B)

9 Schicht eines Metalls oder einer Metalllegierung (Seite B)

A Oberseite von 1

B Unterseite von 1

D Draht

Di Dicke von 1

D2 Dicke von 2

Ü3 Dicke von 3

D ₄ Dicke von 4

De Dicke von 5

De Dicke von 6

Dz Dicke von 7

Da Dicke von 8

Dg Dicke von 9

DG Gesamtdicke von V

DIE lichtemittierende Diode, Nacktchip-Ausführungsform von SMD (Fig. 2, 4)

F H-Finger von LF (Fig. 2, 3)

FA Fügeauflage

K Kantenlänge von FA (Fig. 2) L Verbindungsschicht zwischen V und PCB

LF Rahmen-Tragstruktur (lead frame)

LV lichtemittierende optoelektronische Vorrichtung mit V

M transparente Masse von LV (Fig. 4)

PCB printed circuit board

Q H-Querbalken von LF (Fig. 3)

SMD elektronisches Bauelement (surface mounted device)

SP Schweißpunkt, Verbindungsstelle zwischen D und LF (Fig. 2, 4)

V Verbundmaterial

Z Zenerdiode, Ausführungsform von SMD (Fig. 2)