Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Vorrichtung zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung.

Es ist bekannt, bei optoelektronischen Vorrichtungen zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung zwischen dem Substrat und einer Elektrode eine Isolierungsschicht anzuordnen, die die Elektrode gegenüber dem Substrat isoliert. Die

Isolierschicht kann zudem eine Planarisierungswirkung haben. Bekannte Isolierschichten mit hoher Planarisierungswirkung bestehen aus organischen Materialien. Derartige Materialien, weisen eine hohe Feuchtigkeitstransportfähigkeit auf, wodurch die Robustheit der optoelektronischen Vorrichtung reduziert werden kann, was insbesondere bei Anwendungen im

Kraftfahrzeug ungünstig ist.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine optoelektronische

Vorrichtung zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung mit einem einfachen und gleichzeitig robusten Aufbau

vorzuschlagen .

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale von Anspruch 1 gelöst. In davon abhängigen Ansprüchen sind vorteilhafte

Ausgestaltungen angegeben.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst eine

optoelektronische Vorrichtung zur Erzeugung einer

elektromagnetischen Strahlung ein vorzugsweise flächiges Substrat, eine funktionale Schichtstruktur, eine auf einer dem Substrat zugewandten Seite der funktionalen

Schichtstruktur angeordnete erste Elektrode und eine auf einer dem Substrat abgewandten Seite der funktionalen

Schichtstruktur angeordnete zweite Elektrode, wobei die funktionale Schichtstruktur eingerichtet ist, bei Bestromung der funktionalen Schichtstruktur mittels der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode die elektromagnetische Strahlung zu erzeugen . Die optoelektronische Vorrichtung umfasst überdies eine

Isolierungsschicht, die zumindest eine der beiden Elektroden, d.h. die erste Elektrode oder die zweite Elektrode oder sowohl die erste Elektrode als auch die zweite Elektrode, gegenüber dem Substrat elektrisch isoliert.

Zudem umfasst die optoelektronische Vorrichtung eine

Planarisierung zum Ausgleichen einer Rauigkeit einer den Elektroden zugewandten Hauptfläche des Substrats.

Die zumindest eine Elektrode, die durch die

Isolierungsschicht gegenüber dem Substrat elektrisch isoliert ist, weist einen Kontakt zur Kontaktierung auf. Dieser dient vorzugsweise zur externen Kontaktierung, d.h. zur

Kontaktierung von außerhalb der optoelektronischen

Vorrichtung. Der Kontakt kann durch einen zur Kontaktierung geeigneten Bereich einer der beiden Elektroden gebildet sein. Die Isolierungsschicht ist eingerichtet und angeordnet, als Feuchtigkeitsdiffusionsbarriere für Feuchtigkeitsdiffusion von dem Kontakt zu der Planarisierung zu wirken.

Durch diese Isolierungsschicht, durch die verhindert wird, dass Feuchtigkeit von dem Kontakt zu der Planarisierung gelangt, wird folglich die Verwendung einer Planarisierung, in der sich Feuchtigkeit leicht ausbreitet, ermöglicht, bei einem gleichzeitig robustem Aufbau. Durch die zuvor beschriebene Kombination von Planarisierung und Isolierungsschicht kann folglich eine sehr gute

Planarisierungswirkung und gleichzeitig ein sehr guter Schutz gegen das Eindringen von Feuchtigkeit erzielt werden. Die Planarisierung ist vorzugsweise zwischen dem Substrat und der funktionalen Schichtstruktur angeordnet. Dadurch kann ein einfacher Aufbau der optoelektronischen Vorrichtung

ermöglicht werden. Bei der Planarisierung kann es sich insbesondere um eine Planarisierungsschicht handeln. Die erste Elektrode kann eine erste Elektrodenschicht umfassen oder daraus bestehen. Die zweite Elektrode kann eine zweite Elektrodenschicht umfassen oder daraus bestehen.

Die Planarisierung ist vorzugsweise derart angeordnet, dass zumindest ein Bereich der funktionalen Schichtstruktur durch die Planarisierung planarisiert ist. Das bedeutet, dass die funktionale Schichtstruktur in diesem Bereich eine geringere Rauheit aufweist, als dies bei Nichtvorhandensein der

Planarisierung der Fall wäre.

Die erste Elektrode, die zweite Elektrode, die funktionale Schichtstruktur, die Isolierungsschicht, die Planarisierung und der Kontakt können zumindest teilweise, z.B. zumindest bereichsweise, auf der Hauptfläche des Substrates angeordnet sein. Beispielsweise können sie zumindest bereichsweise in direktem oder indirektem Kontakt mit dieser Fläche stehen. Insbesondere können sie auf diese Fläche gemäß einer

Schichtfolge aufbeschichtet sein. Dass eine Schicht oder ein Element „auf" - gleichbedeutend „über" - einer anderen Schicht oder einem anderen Element angeordnet oder aufgebracht ist, kann hier und im Folgenden bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element unmittelbar in direktem mechanischem und/oder elektrischem Kontakt auf der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist. Weiterhin kann es auch bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element mittelbar auf

beziehungsweise über der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist. Dabei können dann weitere Schichten und/oder Elemente zwischen der einen und der anderen Schicht beziehungsweise zwischen dem einen und dem anderen Element angeordnet sein. Dass eine Schicht oder ein Element „zwischen" zwei anderen Schichten oder Elementen angeordnet ist, kann hier und im Folgenden bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine

Element unmittelbar in direktem mechanischem oder

elektrischem Kontakt oder in mittelbarem Kontakt zur einen der zwei anderen Schichten oder Elementen und in direktem mechanischem und/oder elektrischem Kontakt oder mittelbarem Kontakt zur anderen der zwei anderen Schichten oder Elementen angeordnet ist. Dabei können bei mittelbarem Kontakt dann weitere Schichten und/oder Elemente zwischen der einen und zumindest einer der zwei anderen Schichten beziehungsweise zwischen dem einen und zumindest einem der zwei anderen

Elemente angeordnet sein. Die Planarisierung ist vorzugsweise derart angeordnet, dass zumindest ein Bereich des Kontakts nicht durch die

Planarisierung planarisiert ist. Das bedeutet, dass gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform zumindest ein Bereich des Kontakts dieselbe Rauigkeit aufweist, wie dies bei

Nichtvorhandensein der Planarisierung der Fall wäre. Dies erleichtert die Feuchtigkeitsdiffusionsbarrierewirkung der Isolierungsschicht. Besonders bevorzugt ist der gesamte

Kontakt nicht durch die Planarisierung planarisiert. Vorzugsweise erstreckt sich in Draufsicht auf die Hauptfläche des Substrates gesehen in einem Bereich des Kontakts oder besser über den gesamten Kontakt hinweg nicht die

Planarisierung. Mit anderen Worten, vorzugsweise überlappen sich in Draufsicht auf die Hauptfläche des Substrates gesehen der Kontakt und die Planarisierung nicht vollständig oder besser gar nicht. Durch diese bevorzugte Ausführungsform wird ein einfacher Aufbau der optoelektronischen Vorrichtung mit guter Feuchtigkeitsdiffusionsbarrierewirkung der

Isolierungsschicht ermöglicht.

Vorzugsweise erstreckt sich in Draufsicht auf die Hauptfläche des Substrats gesehen die Isolierungsschicht in einem Bereich des Kontaktes und besonders bevorzugt über den gesamten Kontakt hinweg. Mit anderen Worten, vorzugsweise überlappen sich in Draufsicht auf die Hauptfläche des Substrates gesehen die Isolierungsschicht und der Kontakt, besonders bevorzugt überlappen sie sich vollständig. Dadurch wird ein einfacher Aufbau der optoelektronischen Vorrichtung mit guter

Feuchtigkeitsdiffusionsbarrierewirkung der Isolierungsschicht ermöglicht .

Vorzugsweise ist die Isolierungsschicht eingerichtet und angeordnet, in lateraler Richtung der Isolierungsschicht als Feuchtigkeitsdiffusionsbarriere zu wirken. Dadurch wird ein einfacher Aufbau der optoelektronischen Vorrichtung mit guter Feuchtigkeitsdiffusionsbarrierewirkung der Isolierungsschicht ermöglicht .

Gemäß einer Ausführungsform ist die Isolierungsschicht eingerichtet und angeordnet, in einer zur lateralen Richtung der Isolierungsschicht senkrechten Richtung nicht als

Feuchtigkeitsdiffusionsbarriere zu wirken. Dadurch wird ein einfacher Aufbau der optoelektronischen Vorrichtung

ermöglicht. Beispielsweise kann die Isolierungsschicht besonders einfach und kostengünstig erzeugt werden.

Beispielsweise kann die Isolierungsschicht Löcher, so

genannte Pinholes, aufweisen, die die elektrische

Isolierungswirkung nicht wesentlich beeinträchtigen, jedoch eine Feuchtigkeitsdiffusion in einer zur lateralen Richtung der Isolierungsschicht senkrechten Richtung ermöglichen.

Unter einer lateralen Richtung der Isolierungsschicht wird beispielsweise eine in einer Grenzfläche einer ebenen

Isolierungsschicht unter Vernachlässigung der

Oberflächenrauheit verlaufende Richtung verstanden oder z.B. eine Tangente an eine Grenzfläche einer gekrümmten

Isolierungsschicht unter Vernachlässigung einer

Oberflächenrauheit. Dementsprechend wird unter einer

Draufsicht auf die Hauptfläche des Substrates z.B. eine senkrechte Projektion auf die Hauptfläche eines ebenen

Substrates verstanden oder z.B. eine Projektion auf die Hauptfläche eines gekrümmten flächigen Substrats, die lokal an jeder Stelle - unter Vernachlässigung der

Oberflächenrauigkeit - senkrecht zu der Hauptfläche ist. Vorzugsweise weist eine dem Substrat abgewandte Grenzfläche der ersten Elektrode oder eine dem Substrat zugewandte

Grenzfläche der zweiten Elektrode in einem Bereich, der durch die Planarisierung planarisiert ist, eine Reflektivität von mindestens 50 % bevorzugt mindestens 80 % oder sogar

mindestens 90 % für eine auf diese Grenzfläche treffende elektromagnetische Strahlung auf. Die Reflektivitäten sind dabei jeweils auf die Strahlungsleistung bezogen. Besonders bevorzugt weist die Grenzfläche in dem zuvor beschriebenen Bereich die zuvor beschriebene Reflektivität für eine oder mehrere Wellenlängen des Spektrums des sichtbaren Lichtes von 380 nm bis 780 nm auf oder im arithmetischen Mittel über den Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichtes oder im

arithmetischen Mittel für das Spektrum des sichtbaren Lichtes auf. Ebenfalls besonders bevorzugt weist die Grenzfläche in dem zuvor beschriebenen Bereich die zuvor beschriebene

Reflektivität für eine oder mehrere Wellenlängen der von der funktionalen Schichtstruktur erzeugbaren elektromagnetischen Strahlung auf oder bezogen auf die Strahlungsleistung für die von der funktionalen Schichtstruktur erzeugbare

elektromagnetische Strahlung. Dadurch kann eine spiegelnde elektromagnetische Vorrichtung realisiert werden. Die

Reflektivität der zuvor genannten Grenzfläche kann sich insbesondere auf einen zur Grenzfläche senkrechten

Strahlungseinfall beziehen. Die Reflektivität der zuvor genannten Grenzfläche der Elektrode hängt unter anderem von dem Brechungsindex der Elektrode und von dem Brechungsindex der daran angrenzenden Schicht oder Schichten ab. Dass der zuvor genannte Bereich der Grenzfläche der ersten Elektrode durch die Planarisierung planarisiert ist bedeutet, dass dieser eine geringere Rauigkeit aufweist, als das bei

Nichtvorhandensein der Planarisierung der Fall wäre. Vorzugsweise ist die optoelektronische Vorrichtung eingerichtet, zumindest einen Teil der erzeugten

elektromagnetischen Strahlung durch die zweite Elektrode hindurch zu emittieren. Möglicherweise ist sie dabei zudem eingerichtet, die erzeugte elektromagnetische Strahlung nicht durch das Substrat hindurch zu emittieren.

Vorzugsweise ist die optoelektronische Vorrichtung

eingerichtet, zumindest einen Teil der erzeugten

elektromagnetischen Strahlung durch die erste Elektrode und das Substrat hindurch zu emittieren. Möglicherweise ist sie dabei zudem eingerichtet, die erzeugte elektromagnetische Strahlung nicht durch die zweite Elektrode hindurch zu emittieren .

Vorzugsweise umfasst die optoelektronische Vorrichtung überdies eine Verkapselungsschicht zum Schutz der

funktionalen Schichtstruktur vor Feuchtigkeit, die eine

Ausnehmung aufweist, die den Kontakt zur Kontaktierung, z.B. zur externen Kontaktierung, zugänglich macht.

Die Verkapselungsschicht kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein. Bei der Verkapselungsschicht kann es sich insbesondere um eine Dünnschichtverkapselung (auch als TFE, thin-film

encapsulation, bezeichnet) handeln.

Bevorzugt ist die Verkapselungsschicht zumindest teilweise auf einer dem Substrat abgeneigten Seite der zweiten

Elektrode angeordnet. Dadurch kann eine gute

Verkapselungswirkung der Verkapselungsschicht erzielt werden.

Die Isolierungsschicht und die Verkapselungsschicht sind vorzugsweise auf gegenüberliegenden Seiten der zumindest einen Elektrode, die von der Isolierungsschicht gegenüber dem Substrat isoliert wird, angeordnet. Dadurch kann eine gute Verkapselungswirkung der Verkapselungsschicht erzielt werden. Vorzugsweise überlappen sich in Draufsicht auf die Hauptfläche des Substrats gesehen die Planarisierung und die Ausnehmung nur teilweise oder besser gar nicht. Mit anderen Worten, vorzugsweise erstreckt sich in Draufsicht auf die Hauptfläche des Substrats gesehen in einem Bereich der

Ausnehmung nicht die Planarisierung und besonders bevorzugt erstreckt sich in Draufsicht auf die Hauptfläche des

Substrates gesehen über die gesamte Ausnehmung hinweg nicht die Planarisierung. Dadurch wird ein einfacher Aufbau der optoelektronischen Vorrichtung mit guter

Feuchtigkeitsdiffusionsbarrierewirkung der Isolierungsschicht ermöglicht .

Ebenfalls bevorzugt überlappen sich in Draufsicht auf die Hauptfläche des Substrats gesehen die Isolierungsschicht und die Ausnehmung, besonders bevorzugt überlappen sie sich vollständig. Mit anderen Worten, in Draufsicht auf die

Hauptfläche des Substrats gesehen erstreckt sich die

Isolierungsschicht vorzugsweise über einen Teil der

Ausnehmung hinweg. Besonders bevorzugt erstreckt sie sich in Draufsicht auf die Hauptfläche des Substrats gesehen über die gesamte Ausnehmung hinweg. Dadurch wird ein einfacher Aufbau der optoelektronischen Vorrichtung mit guter

Feuchtigkeitsdiffusionsbarrierewirkung der Isolierungsschicht ermöglicht.

Vorzugsweise weist die Isolierungsschicht eine Schichtdicke von mindestens 1 ym auf. Ebenfalls kann sie eine Dicke aufweisen, die mindestens gleich dem Doppelten einer

Rauigkeit des Substrates ist, vorzugsweise mindestens gleich dem Doppelten einer maximalen Rauigkeit des Substrates.

Dadurch kann eine hinreichende Stabilität z.B. gegen

Durchstechen der Isolierungsschicht erzielt werden. Vorzugsweise ist ausgehend von dem Substrat gesehen die

Isolierungsschicht der Planarisierung nachgeordnet. Dadurch kann eine Diffusion von Bestandteilen der Planarisierung in die funktionale Schichtstruktur verhindert werden, d.h. die Isolierungsschicht kann dabei als Diffusionsbarriere zwischen Planarisierung und funktionaler Schichtstruktur wirken. Dies kann insbesondere dann wünschenswert sein, wenn die

Planarisierung ein organisches Material umfasst oder aus einem organischen Material besteht und gleichzeitig die funktionale Schichtstruktur ein organisches Material umfasst oder daraus besteht, d.h. es sich bei der funktionalen

Schichtstruktur um eine organisch funktionale Schichtstruktur handelt .

Besonders bevorzugt umschließen die Isolierungsschicht und das Substrat zusammenwirkend die Planarisierung vollständig. Somit kann die Planarisierung durch die Isolierungsschicht in Zusammenwirkung mit dem Substrat von allen Seiten von

Feuchtigkeit abgekapselt werden.

Gemäß einer alternativen Ausführungsform ist ausgehend von dem Substrat gesehen die Planarisierung der

Isolierungsschicht nachgeordnet. Dabei kann die

Isolierungsschicht sich über das gesamte Substrat hinweg erstrecken. Diese alternativen Ausführungsformen erleichtern die Herstellung der optoelektronischen Vorrichtung,

beispielsweise kann dabei die Isolierungsschicht mittels einem Rolle zu Rolle Verfahren aufgebracht werden, bevor die Planarisierung aufgebracht und fein strukturiert wird.

Vorzugsweise steht die Elektrode, die durch die

Isolierungsschicht gegenüber dem Substrat elektrisch isoliert ist, in direktem Kontakt zu der Isolierungsschicht. Dadurch kann eine mechanisch besonders stabile Verbindung mit der

Elektrode erzeugt werden, insbesondere bei Verwendung einer Isolierungsschicht aus anorganischem Material.

Die Planarisierung planarisiert , d.h. sie weist auf einer dem Substrat abgewandten Grenzfläche eine geringere Rauheit auf als auf einer dem Substrat zugewandten Grenzfläche,

vorzugsweise um mindestens einen Faktor 2 geringer, besonders bevorzugt um mindestens einen Faktor 5 und ganz besonders bevorzugt um mindestens einen Faktor 20. Vorzugsweise weist die Planarisierung auf einer dem Substrat abgewandten

Grenzfläche eine Rauheit kleiner oder gleich 500 nm auf, besonders bevorzugt kleiner oder gleich 200 nm und ganz besonders bevorzugt kleiner oder gleich 50 nm.

Das Substrat hingegen kann auf der Hauptfläche eine Rauheit größer oder gleich 500 nm aufweisen, oder größer oder gleich 1000 nm oder sogar größer oder gleich 5000 nm.

Die mittlere Rauheit eines Bezugsbereichs, dargestellt durch das Symbol R _a , gibt den mittleren Abstand aller Punkte auf der Grenzfläche in dem Bezugsbereich zu einer Mittelebene an. Die Mittelebene schneidet das wirkliche Profil so, dass der mittlere Abstand minimal wird. Die mittlere Rauheit R _a entspricht also dem arithmetischen Mittel der betragsmäßigen Abweichung von der Mittelebene.

Vorzugsweise umfasst die Planarisierung ein organisches

Material. Dadurch kann eine besonders gute

Planarisierungswirkung erzielt werden. Beispielsweise kann es sich bei dem organischen Material um ein organisches Material ausgewählt aus folgender Gruppe von Materialien handeln:

Epoxidharz, Acrylat, Polyurethan, Polyimid, Silikon,

Organopolysilazan, Polysiloxan, Styrol, Polyester, Polyekton.

Die Planarisierung kann eine aus der Flüssigphase

prozessierte Planarisierung sein, d.h. dass zum Bereitstellen der Planarisierung eine Flüssigkeit aufgebracht wurde, die die Planarisierung bildet.

Vorzugsweise umfasst die Isolierungsschicht ein anorganisches Material. Dadurch kann eine besonders gute

Feuchtigkeitsdiffusionsbarrierewirkung erzielt werden.

Beispielsweise kann die Isolierungsschicht ein anorganisches Material umfassen, das ausgewählt ist aus folgender Gruppe von Materialien: Oxid, Nitrid, Oxynitrid, Carbid, Metalloxid, Metallnitrid, Metalloxynitrid, Metallcarbid, Keramik, Glas. Insbesondere kann es sich bei dem anorganischen Material um Siliziumnitrid (SiN) , Siliziumoxid (SiO _x ) , Siliziumoxinitrid (SiNO _x ) , Silizium-Oxikarbonitrid (SiCNO _x ) , Aluminiumoxid

( ΑΙ Οχ ) , Titanoxid (TiO _x ) , Antimon-Zinn-Oxid (ATO) oder

Siliziumcarbid (SiC) handeln.

Die Planarisierung ist vorzugsweise derart ausgestaltet und angeordnet, dass zumindest eine der ersten und zweiten

Elektroden eine Grenzfläche aufweist, die in zumindest einem ersten Bereich eine geringere Rauigkeit aufweist als in einem zweiten Bereich.

Da der erste Bereich eine andere Rauigkeit aufweist als der zweite Bereich, weisen diese Bereiche für einen Betrachter ein unterschiedliches Erscheinungsbild auf, wodurch das Erscheinungsbild der optoelektronischen Vorrichtung

interessanter gestaltet und dadurch verbessert werden kann. Die Planarisierung kann beispielsweise derart ausgestaltet und angeordnet sein, dass eine dem Substrat abgewandte

Grenzfläche der ersten Elektrode in dem ersten Bereich eine geringere Rauigkeit aufweist als in dem zweiten Bereich.

Dabei ist die optoelektronische Vorrichtung vorzugsweise eingerichtet, zumindest einen Teil der erzeugten

elektromagnetischen Strahlung durch die zweite Elektrode hindurch zu emittieren. Zudem kann sie dabei eingerichtet sein, die erzeugte elektromagnetische Strahlung nicht durch das Substrat hindurch zu emittieren.

Alternativ oder zusätzlich kann die Planarisierung auch derart ausgestaltet und angeordnet sein, dass eine dem

Substrat zugewandte Grenzfläche der zweiten Elektrode in dem ersten Bereich eine geringere Rauigkeit aufweist als in dem zweiten Bereich. Dabei ist die optoelektronische Vorrichtung vorzugsweise eingerichtet, zumindest einen Teil der erzeugten elektromagnetischen Strahlung durch die erste Elektrode und das Substrat hindurch zu emittieren. Zudem kann sie dabei eingerichtet sein, die erzeugte elektromagnetische Strahlung nicht durch die zweite Elektrode hindurch zu emittieren.

Die Planarisierung ist vorzugsweise zwischen dem Substrat und der ersten Elektrode angeordnet. Dadurch kann ein einfacher Aufbau der optoelektronischen Vorrichtung ermöglicht werden.

Die erste Elektrode kann eine erste Elektrodenschicht

umfassen oder daraus bestehen. Dementsprechend kann

beispielsweise die erste Elektrodenschicht auf einer dem

Substrat abgewandten Grenzfläche in dem ersten Bereich ein geringere Rauigkeit aufweisen als in dem zweiten Bereich.

Die zweite Elektrode kann eine zweite Elektrodenschicht umfassen oder daraus bestehen. Dementsprechend kann

beispielsweise die zweite Elektrodenschicht auf einer dem Substrat zugewandten Grenzfläche in dem ersten Bereich eine geringere Rauigkeit aufweisen als in dem zweiten Bereich. Die Planarisierung ist gemäß einer bevorzugten

Ausführungsform derart ausgestaltet und angeordnet, dass die zuvor diskutierte Grenzfläche in dem gesamten ersten Bereich durch die Planarisierung planarisiert ist und in dem gesamten zweiten Bereich nicht durch die Planarisierung planarisiert ist. Das bedeutet, dass gemäß dieser bevorzugten

Ausführungsform die erste Elektrode in dem ersten Bereich eine geringere Rauheit aufweist, als dies bei

Nichtvorhandensein der Planarisierung der Fall wäre, und in dem zweiten Bereich dieselbe Rauigkeit aufweist, wie dies bei Nichtvorhandensein der Planarisierung der Fall wäre.

Die Planarisierung kann zumindest eine Aussparung aufweisen, die den zweiten Bereich hervorruft. Diese kann vollständig von der Planarisierung umrandet sein.

Bevorzugt erstreckt sich in Draufsicht auf die Hauptfläche des Substrats gesehen, d.h. z.B. in senkrechter Projektion auf die Hauptfläche des Substrates gesehen, in dem gesamten ₁

ersten Bereich die Planarisierung und in dem gesamten zweiten Bereich nicht die Planarisierung. Mit anderen Worten, bevorzugt überlappen sich in Draufsicht auf die Hauptfläche des Substrats gesehen der erste Bereich und die

Planarisierung vollständig und der zweite Bereich und die Planarisierung nicht.

Die Planarisierung ist gemäß einer bevorzugten

Ausführungsform derart ausgestaltet und angeordnet, dass die zuvor diskutierte Grenzfläche in dem ersten Bereich durch die Planarisierung planarisiert ist und in dem zweiten Bereich durch die Planarisierung planarisiert ist, insbesondere kann sie derart ausgestaltet und angeordnet sein, dass die zuvor diskutierte Grenzfläche in dem gesamten ersten Bereich durch die Planarisierung planarisiert ist und in dem gesamten zweiten Bereich durch die Planarisierung planarisiert ist. Die unterschiedlichen Rauigkeiten in dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich können dabei erzielt werden, indem die Planarisierung die Bereiche unterschiedlich stark

planarisiert, beispielsweise durch Variation einer Dicke der Planarisierung, insbesondere einer Schichtdicke einer die Planarisierung bildenden Planarisierungsschicht. Entsprechend kann in Draufsicht auf die Hauptfläche des Substrats gesehen eine die Planarisierung bildende Planarisierungsschicht in dem gesamten ersten Bereich eine andere Schichtdicke

aufweisen als in dem gesamten zweiten Bereich.

Vorzugsweise weist die zuvor diskutierte Grenzfläche der zumindest einen Elektrode in dem ersten und/oder dem zweiten Bereich eine Reflektivität von mindestens 50 % bevorzugt mindestens 80 % oder sogar mindestens 90 % für eine auf die Grenzfläche der ersten Elektrode treffende elektromagnetische Strahlung auf. Die Reflektivitäten sind dabei jeweils auf die Strahlungsleistung bezogen. Besonders bevorzugt weist die Grenzfläche in dem ersten und/oder dem zweiten Bereich die zuvor beschriebene Reflektivität für eine oder mehrere

Wellenlängen des Spektrums des sichtbaren Lichtes von 380 nm bis 780 nm auf oder im arithmetischen Mittel über den Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichtes oder im arithmetischen Mittel für das Spektrum des sichtbaren Lichtes auf. Ebenfalls besonders bevorzugt weist die Grenzfläche in dem zuvor beschriebenen Bereich die zuvor beschriebene

Reflektivität für eine oder mehrere Wellenlängen der von der funktionalen Schichtstruktur erzeugbaren elektromagnetischen Strahlung auf oder bezogen auf die gesamte Strahlungsleistung für die von der funktionalen Schichtstruktur erzeugbare elektromagnetische Strahlung. Dadurch kann eine stark

reflektierende elektromagnetische Vorrichtung realisiert werden, wobei sich die Reflektionseigenschaft in dem ersten und dem zweiten Bereich unterscheidet, insbesondere weil der erste Bereich verglichen mit dem zweiten Bereich weniger matt, d.h. weniger diffus, reflektiert. Die Reflektivität der zuvor genannten Grenzfläche kann sich insbesondere auf einen zur Grenzfläche senkrechten Strahlungseinfall beziehen. Die Reflektivität der zuvor genannten Grenzfläche der ersten Elektrode hängt unter anderem von dem Brechungsindex der ersten Elektrode und von dem Brechungsindex der daran

angrenzenden Schicht oder Schichten ab.

Vorzugsweise ist die optoelektronische Vorrichtung

eingerichtet, durch Zusammenwirkung des ersten Bereichs und des zweiten Bereichs eine sichtbare Information darzustellen, d.h. eine für einen externen Betrachter sichtbare

Information. Diese kann beispielsweise sowohl in einem

Betriebszustand als auch in einem Außerbetriebszustand sichtbar sein. Bei der Information kann es sich

beispielsweise um zumindest ein Muster oder ein Zeichen, insbesondere ein Schriftzeichen, handeln.

Vorzugsweise ist die optoelektronische Vorrichtung

eingerichtet, zumindest einen Teil der erzeugten

elektromagnetischen Strahlung in einer Emissionsrichtung zu emittieren, wobei sowohl der erste Bereich als auch der zweite Bereich bei Betrachtung der optoelektronischen

Vorrichtung entgegen der Emissionsrichtung sichtbar sind. Dadurch kann sichergestellt werden, dass diese Bereiche für einen externen Betrachter einfach auffindbar sind. Dabei können diese in einem Betriebszustand der optoelektronischen Vorrichtung an Hand einer lateralen Variation einer

Eigenschaft der emittierten elektromagnetischen Strahlung, z.B. einer Helligkeitsverteilung und/oder einer

Farbverteilung, sichtbar sein.

Beispielsweise kann die optoelektronische Vorrichtung

eingerichtet sein, den Teil der erzeugten elektromagnetischen Strahlung in der Emissionsrichtung durch einen

Emissionsbereich der zweiten Elektrode hindurch zu

emittieren. Ebenso kann die optoelektronische Vorrichtung eingerichtet sein, den Teil der erzeugten elektromagnetischen Strahlung in der Emissionsrichtung durch einen

Emissionsbereich des Substrates hindurch zu emittieren.

Vorzugsweise stehen die Isolierungsschicht und die

Planarisierung in direktem Kontakt zueinander, was einen einfachen Aufbau der optoelektronischen Vorrichtung

ermöglicht .

Bei der funktionalen Schichtstruktur kann es sich um eine organisch funktionale Schichtstruktur handeln. Vorzugsweise handelt es sich bei der optoelektronischen Vorrichtung um eine organisch lichtemittierende Diode.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum

Bereitstellen der zuvor beschriebenen optoelektronischen Vorrichtung zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung die Schritte:

Sl: Bereitstellens des Substrats,

S2 : Bereitstellen der Isolierungsschicht

S3: Bereitstellen der Planarisierung zum Ausgleichen einer Rauigkeit einer der ersten Elektrode und der zweiten

Elektrode zugewandten Hauptfläche des Substrates,

S4: Bereitstellen der funktionalen Schichtstruktur, der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode, wobei die erste Elektrode auf einer dem Substrat zugewandten Seite der funktionalen Schichtstruktur angeordnet wird und die zweite Elektrode auf einer dem Substrat abgewandten Seite der funktionalen Schichtstruktur angeordnet wird, so dass die funktionale Schichtstruktur eingerichtet wird, bei Bestromung der funktionalen Schichtstruktur mittels der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode die elektromagnetische Strahlung zu erzeugen,

wobei bei den Schritten S2 und S4 die Isolierungsschicht und zumindest eine der Elektroden derart bereitgestellt werden, dass die Isolierungsschicht diese Elektrode gegenüber dem Substrat elektrisch isoliert,

wobei bei dem Schritt S4 die zumindest eine Elektrode, die durch die Isolierungsschicht gegenüber dem Substrat elektrisch isoliert wird, als Elektrode mit einen Kontakt zur Kontaktierung bereitgestellt wird und

wobei bei dem Schritt S2 die Isolierungsschicht

eingerichtet und angeordnet wird, als

Feuchtigkeitsdiffusionsbarriere für Feuchtigkeitsdiffusion von dem Kontakt zu der Planarisierung zu wirken.

Vorzugsweise wird bei dem Schritt S3 eine Flüssigkeit

aufgebracht, die die Planarisierung bildet. Insbesondere kann die Flüssigkeit eine Planarisierung bilden, die aus einem Feststoff besteht, beispielsweise durch Verdampfen eines Lösungsmittels .

Vorzugsweise werden Verfahrensschritte S2 und S3 nach dem Verfahrensschritt Sl ausgeführt. Vorzugsweise werden die Verfahrensschritte S2 und S3 vor dem Verfahrensschritt S4 ausgeführt .

Vorzugsweise umfasst das Verfahren weiterhin den Schritt S5 des Bereitstellens der Verkapselungsschicht zum Schutz der funktionalen Schichtstruktur vor Feuchtigkeit. Dieser kann z.B. nach den Verfahrensschritten Sl bis S4 ausgeführt werden . Nachfolgend wird das hier vorgestellte Prinzip unter

Bezugnahme auf Zeichnungen an Hand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den Figuren an. Es sind jedoch keine

maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß

dargestellt sein.

Es zeigen:

Figuren 1A, 1B, IC: Eine optoelektronische Vorrichtung gemäß dem Stand der Technik,

Figuren 2a, 2b, 2c: Eine optoelektronische Vorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel,

Figuren 3a, 3b, 3c: Eine optoelektronische Vorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel, Figuren 4a, 4b, 4c Eine optoelektronische Vorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel und

Figuren 5a, 5b, 5c: Eine optoelektronische Vorrichtung gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel und

Figur 6: Ein Verfahren zum Erzeigen einer optoelektronischen Vorrichtung gemäß einem der Ausführungsbeispiele.

In Figur 1A ist eine optoelektronische Vorrichtung 10* gemäß dem Stand der Technik in Draufsicht dargestellt. Figur 1B zeigt eine Schnittdarstellung entlang der Linie A von Figur 1A. Figur IC zeigt den Ausschnitt B von Figur 1B in

Vergrößerung . Die optoelektronische Vorrichtung 10* umfasst ein elektrisch leitfähiges Substrat 11 (in Figur 2A nicht sichtbar) mit einer rauen Oberfläche, die eine Grenzfläche zu weiteren Elementen der optoelektronischen Vorrichtung 10* bildet. Auf , ₀

dieser ist eine Planarisierungsschicht 12 aus einem

organischen Material angeordnet, die auf deren dem Substrat 11 abgewandten Seite eine geringere Rauheit aufweist als auf deren dem Substrat 11 zugewandten Seite. Auf der dem Substrat 11 abgewandten Seite der Planarisierungsschicht 12 sind wiederum eine erste Elektrode 14 und eine zweite Elektrode 15 angeordnet .

Zwischen den Elektroden 14, 15 ist eine organisch funktionale Schichtstruktur 16 angeordnet, die bei Bestromung mittels den beiden Elektroden 14, 15 eine elektromagnetische Strahlung erzeugt. Diese wird von der optoelektronischen Vorrichtung 10 zumindest teilweise durch die zweite Elektrode 15 hindurch emittiert, nicht jedoch durch das Substrat 11 hindurch.

Auf den zuvor genannten Schichten ist eine

Verkapselungsschicht 17 zum Schutz vor Feuchtigkeit

angeordnet. Diese weist Aussparungen auf, so dass

entsprechende Kontakte 24, 25 der beiden Elektroden 14, 15 zugänglich sind. Die zweite Elektrode 15 weist einen ersten Abschnitt 150 aus Aluminium oder Silber mit dem Kontakt 25 auf und einen zweiten, lichtdurchlässigen Abschnitt 151 aus Indiumzinnoxid. Anstatt einer Indiumzinnoxidschicht kann eine beliebige leitfähige transparente Schicht vorgesehen werden, z.B. eine andere dünne Metallschicht oder eine Schicht aus Ag-Nanowires .

Wie in Figur 1B dargestellt, kann Feuchtigkeit entlang von Feuchtigkeitsdiffusionspfaden 30 via diesen Aussparungen durch die Elektroden 14 und 15 hindurch in die organische Planarisierungsschicht 12 diffundieren. Da die organische Planarisierungsschicht 12 eine hohe laterale

Feuchtigkeitstransportfähigkeit aufweist, kann sich die

Feuchtigkeit in lateraler Richtung via der organischen

Planarisierungsschicht 12 zu der ersten Elektrode 14 hin ausbreiten und durch die erste Elektrode 14 hindurch in die organisch funktionale Schichtstruktur 16 diffundieren und diese schädigen. , _

In Figur 2A ist eine optoelektronische Vorrichtung 10 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel dargestellt. Figur 2B zeigt eine Schnittdarstellung entlang der Linie A von Figur 2A. Figur 2C zeigt den Ausschnitt B von Figur 2B in Vergrößerung.

Die optoelektronische Vorrichtung 10 umfasst ein flächiges Substrat 11 (in Figur 2A nicht sichtbar) , vorzugsweise aus Aluminium oder Silber, mit einer rauen Oberfläche, die eine Grenzfläche zu weiteren Elementen der optoelektronischen Vorrichtung 10 darstellt und hier und im Folgenden als

Hauptfläche IIa bezeichnet wird.

Auf dieser Hauptfläche IIa ist eine Planarisierungsschicht 12 aus einem organischen Material angeordnet. Letztere erstreckt sich, wie später genauer erläutert wird, in Draufsicht auf die Hauptfläche IIa gesehen nicht über das gesamte Substrat 11 hinweg. Auf der Planarisierungsschicht 12 und den nicht von dieser bedeckten Bereichen des Substrates 11 ist eine Isolierungsschicht 13 (in Figur 2A nicht sichtbar) aus einem anorganischen Material angeordnet. Diese erstreckt sich in Draufsicht auf die Hauptfläche IIa gesehen über das gesamte Substrat 11 hinweg. Die Planarisierungsschicht 12 gleicht Rauigkeiten des Substrates 11 zumindest teilweise aus.

Zumindest teilweise bedeutet, dass dazu deckungsgleiche

Unebenheiten auf der dem Substrat 11 abgewandten Seite der Planarisierungsschicht 12 dennoch vorhanden sein können, allerdings eine geringere Rauigkeit bewirken. Die

Planarisierungsschicht 12 weist dementsprechend auf deren dem Substrat 11 abgewandten Grenzfläche 12a eine geringere

Rauigkeit auf als auf der dem Substrat 11 zugewandten

Grenzfläche 12b.

Auf dieser Isolierungsschicht 13 sind die beiden Elektroden 14, 15 mit dazwischenliegender organisch funktionaler

Schichtstruktur 16 angeordnet, so dass die organisch

funktionale Schichtstruktur 16 bei Bestromung mittels den beiden Elektroden 14, 15 elektromagnetische Strahlung erzeugt. Auf den zuvor genannten Schichten ist schließlich eine Verkapselungsschicht 17 zum Schutz vor Feuchtigkeit angeordnet. Diese weist Aussparungen auf, so dass

entsprechende Kontakte 24, 25 der beiden Elektroden 14, 15 zugänglich sind.

Im Unterschied zum Stand der Technik erstreckt sich die organische Planarisierungsschicht 12 in Draufsicht auf die Hauptfläche IIa des Substrates 11 gesehen nicht im Bereich dieser Aussparungen, sondern die Isolierungsschicht 13. Auf Grund dieser Anordnung kann so gut wie keine Feuchtigkeit durch die Aussparungen und die Elektroden 14, 15 hindurch via der organischen Planarisierungsschicht 12, in der sich

Feuchtigkeit leicht ausbreitet, zu der funktionalen

Schichtstruktur 16 gelangen. Die Isolierungsschicht 13 wirkt in einer Richtung R, die in einer Grenzfläche der

Isolierungsschicht 13 verläuft, als

Feuchtigkeitsdiffusionsbarriere . Allerdings erstreckt sich die Planarisierungsschicht 12 in Draufsicht auf die

Hauptfläche IIa des Substrates 11 gesehen in einem Bereich der funktionalen Schichtstruktur 16, so dass die beiden

Elektroden 14, 15 und die funktionale Schichtstruktur 16 in diesem Bereich auf einer planarisierten Grenzfläche

angeordnet sind. Folglich kann z.B. die erste Elektrode 14 derart aus Aluminium oder Silber erzeugt werden und die funktionale Schichtstruktur 16 derart ausgestaltet werden, dass die dem Substrat 11 abgewandte Grenzfläche der ersten Elektrode 14 eine gute Spiegelwirkung für eine von der dem Substrat 11 abgewandten Seite auf diese Grenzfläche treffende elektromagnetische Strahlung aufweist.

Die Isolierungsschicht 13 besteht aus einem nichtleitenden Material oder umfasst ein solches Material. Unter einem nichtleitenden Material wird ein Material mit einer

elektrischen Leitfähigkeit von weniger als 10 ^"8 Ω ^-1 -m ^_1 verstanden. Da die Isolierungsschicht 13 sich über das gesamte Substrat 11 hinweg erstreckt, kann das Substrat 11 dennoch aus einem elektrisch leitfähigen Material bestehen, ohne dass es zu einem Kurzschluss zwischen den beiden

Elektroden 14, 15 kommt. Generell genügt es, um einen

derartigen Kurzschluss zu vermeiden, wenn die

Isolierungsschicht 13 derart angeordnet ist, dass sie

zumindest eine der Elektroden 14, 15 gegenüber dem Substrat 11 elektrisch isoliert.

Die zweite Elektrode 15 umfasst einen ersten Abschnitt 150 aus Aluminium oder Silber, der den Kontaktbereich 25

aufweist, und einen damit elektrisch leitend verbundenen zweiten Abschnitt 151 bestehend aus einer für die von der funktionalen Schichtstruktur 16 erzeugbare elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise durchlässige Schicht aus

Indiumzinnoxid (ITO), so dass die erzeugbare

elektromagnetische Strahlung durch diese Schicht hindurch von der optoelektronischen Vorrichtung 10 abgegeben werden kann. So kann eine Beschädigung der ITO-Schicht durch Kontaktierung vermieden werden. Anstatt einer Indiumzinnoxidschicht kann eine beliebige leitfähige transparente Schicht vorgesehen werden, z.B. eine andere dünne Metallschicht oder eine

Schicht aus Ag-Nanowires .

Vorzugsweise weist die Isolierungsschicht eine Schichtdicke von mindestens 1 ym auf. Ebenfalls kann sie eine Dicke aufweisen, die mindestens gleich dem Doppelten einer

Rauigkeit des Substrates ist, vorzugsweise mindestens gleich dem Doppelten einer maximalen Rauigkeit des Substrates.

Bei dem zuvor beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel ist ausgehend von dem Substrat 11 gesehen die Isolierungsschicht 13 der Planarisierungsschicht 12 nachgeordnet. Dadurch kann eine Diffusion von Bestandteilen der organischen

Planarisierungsschicht 12 in die organisch funktionale

Schichtstruktur 16 verhindert werden.

Zudem umschließen die Isolierungsschicht 13 und das Substrat 11 die Planarisierungsschicht 12 vollständig, so dass die Planarisierungsschicht 12 durch die Isolierungsschicht 13 in Zusammenwirkung mit dem Substrat 11 von allen Seiten von Feuchtigkeit abgekapselt wird.

Die Elektroden 14, 15 stehen in direktem Kontakt zu der anorganischen Isolierungsschicht 13, wodurch eine mechanisch besonders stabile Verbindung mit den Elektroden 14, 15 erzeugt wird. Folglich besteht die Möglichkeit, die

optoelektronische Vorrichtung 10 an den Elektroden 14, 15 zu befestigen, z.B. an den Kontakten 24, 25 anzulöten oder festzukleben oder für Messungen temporär mit Kontaktstiften zu kontaktieren.

In Figur 3A ist eine optoelektronische Vorrichtung 10 gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel dargestellt. Figur 3B zeigt eine Schnittdarstellung entlang der Linie A von Figur 3A.

Figur 3C zeigt den Ausschnitt B von Figur 3B in Vergrößerung.

Die optoelektronische Vorrichtung 10 gemäß dem zweiten

Ausführungsbeispiel ist analog zu der des ersten

Ausführungsbeispiels aufgebaut, mit dem Unterschied, dass ausgehend von dem Substrat 11 gesehen die

Planarisierungsschicht 12 der Isolierungsschicht 13

nachgeordnet ist. Die der Isolierungsschicht 13 nachgeordnete Planarisierungsschicht 12 ermöglicht eine einfache

Herstellung der sich über das gesamte Substrat hinweg

erstreckenden Isolierungsschicht, beispielsweise mittels einem Rolle zu Rolle Verfahren.

Figur 4A zeigt eine Schnittdarstellung einer

optoelektronischen Vorrichtung 10 gemäß einem vierten

Ausführungsbeispiel. Diese ist analog zu der des ersten

Auführungsbeispiels aufgebaut, mit dem Unterschied, dass sich die Planarisierungsschicht 12 in Draufsicht auf die

Hauptfläche IIa des Substrates 11 gesehen nicht über die gesamte funktionalen Schichtstruktur 16 hinweg erstreckt.

In Figur 4C ist der Ausschnitt B von Figur 4A in Vergrößerung dargestellt. Da die Planarisierungsschicht 12 nur bereichsweise vorhanden ist und demensprechend nur bereichsweise eine Planarisierungswirkung entfaltet, weist die erste Elektrodenschicht 14 auf der dem Substrat 11 abgewandten Grenzfläche 14a in den dadurch planarisierten Bereichen 34a eine geringere Rauigkeit auf als nicht

planarisierten Bereichen 34b. Die metallische

Elektrodenschicht 14, die vorliegend aus Aluminium oder

Silber besteht, ist bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel für von der dem Substrat 11 abgewandten Seite auf deren dem Substrat 11 abgewandten Grenzfläche 14a treffende

elektromagnetische Strahlung in beiden Bereichen 34a und 34b sowohl über den sichtbaren Spektralbereich gemittelt als auch über den Spektralbereich der von der funktionalen

Schichtstruktur 16 erzeugbaren elektromagnetischen Strahlung gemittelt zu über 90% reflektierend.

Durch die mittels der nur partiell vorgesehenen

Planarisierungsschicht 12 erzeugten beiden Bereiche 34a und 34b wird eine Information dargestellt, die bei Betrachtung der optoelektronischen Vorrichtung 10 entgegen der

Emissionsrichtung E sowohl in einem Betriebszustand als auch in einem Außerbetriebszustand sichtbar ist.

Vorliegend werden für einen externen Betrachter, wie in Figur 4B dargestellt, bei Betrachtung der optoelektronischen

Vorrichtung 10 entgegen der Emissionsrichtung E in einem Strahlungsemissionsbereich 40 die schraffiert dargestellte Schriftzeichen 41 „TXT" sowie ein aus zwei Kreisen

bestehendes schraffiert dargestelltes Zeichen 42, auch als Symbol oder Logo bezeichnet, sichtbar. Die Linie A-A zeigt dabei die Position des Schnitts von Figur 1A.

Die Planarisierungsschicht 12 ist in Draufsicht auf das Substrat 11 gesehen in den gesamten schraffiert dargestellten Bereichen der beiden Kreise des Symbols 42 und der Buchstaben „TXT" 41 vorhanden, außerhalb dieser Bereiche jedoch nicht. Dementsprechend sind die zu den Buchstaben 41 und den Kreisen 42 gehörigen Bereiche 34a der dem Substrat abgewandten Grenzfläche 14a der ersten Elektrodenschicht 14 planarisiert und für darauf treffende elektromagnetische Strahlung im sichtbaren Spektralbereich und für die von der funktionalen Schichtstruktur 16 erzeugbare elektromagnetische Strahlung spiegelnd und der restliche Bereich 34b der Grenzfläche 14a ist für derartige Strahlung matt reflektierend. Diese

unterschiedlichen optischen Eigenschaften sind durch die entsprechende verschiedenartige Reflektion von außerhalb der optoelektronischen Vorrichtung 10 auf die Grenzfläche 14a treffende elektromagnetische Strahlung und die entsprechende verschiedenartige Reflektion der von der optoelektronischen Vorrichtung 10 erzeugbaren elektromagnetischen Strahlung sowohl in einem Betriebszustand als auch in einem

Außerbetriebszustand für einen entgegen der Emissionsrichtung E auf die optoelektronische Vorrichtung 10 blickenden

Betrachter sichtbar.

Alternativ zu den Zeichen und Symbolen kann mittels der partiell aufgebrachten Planarisierungsschicht 12 auch ein Muster, d.h. eine gleichbleibende Struktur, die sich

gleichförmig wiederholt, dargestellt werden, z.B. parallele Linien oder ein Schachbrettmuster.

Die in den Figuren 5A, 5B und 5C dargestellte

optoelektronische Vorrichtung 10 gemäß einem vierten

Ausführungsbeispiel ist im Vergleich zu der des dritten

Ausführungsbeispiels ähnlich aufgebaut. Figur 5A zeigt dementsprechend eine zu Figur 4A analoge Schnittdarstellung, Figur 5B eine zu Figur 4B analoge Darstellung der in dem Strahlungsemissionsbereich 40 sichtbaren Zeichen 41, 42 und Figur 5C eine zu Figur 4C analoge Vergrößerung des

Ausschnitts B von Figur 2A.

Der einzige Unterschied zu dem dritten Ausführungsbeispiel besteht darin, dass die Zeichen 41, 42 bei dem vierten

Ausführungsbeispiel dadurch dargestellt werden, dass die Planarisierungsschicht 12 in Draufsicht auf das Substrat 11 gesehen in dem gesamten Bereich außerhalb der beiden Kreise des Symbols 42 und der Buchstaben „TXT" 41 vorhanden ist (schraffierter Bereich in Figur 2B) und im Bereich dieser Zeichen nicht vorhanden ist. Dementsprechend erscheint für den externen Betrachter, der die optoelektronische

Vorrichtung 10 entgegen der Strahlungsemissionsrichtung E betrachtet der schraffierte Bereich von Figur 2B auf Grund der dort spiegelnden Grenzfläche 14a der ersten Elektrode 14 anders als der nicht schraffierte Bereich der Zeichen 41 und 42 auf Grund der dort matten Grenzfläche 14a der ersten

Elektrode 14.

Bei den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen kann die Planarisierungsschicht 12 auf einer dem Substrat 11

abgewandten Grenzfläche 12a eine Rauheit kleiner oder gleich 50 nm auf weisen.

Bei den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen besteht die Planarisierungsschicht 12 aus einem anderen Material als die Isolierungsschicht 13.

Bei den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen besteht die Isolierungsschicht 13 aus einem nichtleitenden Material oder umfasst ein solches Material. Bei den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen kann die Verkapselungsschicht 17 als eine einzelne Schicht oder als ein Schichtstapel oder als eine Schichtstruktur ausgebildet sein. Sie kann aufweisen oder daraus gebildet sein:

Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,

Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,

Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,

Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p- phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und

Legierungen derselben oder Tetrafluorethylen (TFE) . Bei der Verkapselungsschicht 17 kann es sich insbesondere um eine Dünnschichtverkapselung (auch als TFE, thin-film

encapsulation, bezeichnet) handeln. Diese kann z.B. aus mehreren mittels Atomlagenabscheidung (auch als atomic layer deposition oder ALD bezeichnet) oder Moleküllagenabscheidung (auch als molecular layer deposition oder MLD bezeichnet) erzeugten Einzelschichten bestehen. Die

Dünnschichtverkapselung oder deren Einzelschichten kann bzw. können auch mittels Ink Jet Printing oder Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) oder mittels der so

genannten "Vacuum Polymer Technology" erzeugt sein.

Bei den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen kann die Planarisierungsschicht 12 ein organisches Material ausgewählt aus folgender Gruppe von Materialien umfassen: Epoxidharz, Acrylat, Polyurethan, Polyimid, Silikon, Organopolysilazan, Polysiloxan, Styrol, Polyester, Polyekton. Sie kann

aufgedruckt sein, beispielsweise mittels einem Verfahren ausgewählt aus folgender Gruppe von Druckverfahren:

Siebdruck, Tintenstrahldruck auch Inkjet-Druck genannt,

Tiefdruck oder Flexodruck. Sie kann auch aufbeschichtet sein, z.B. mittels Düsenbeschichtung, auch slot-die-coating

genannt, oder mittels Sprühbeschichtung, auch spray-coating genannt, beides ggfs. in Kombination mit anschließender

Rückstrukturierung . Sie kann in flüssiger Form aufgebracht, z.B. aufgedruckt oder aufbeschichtet, und anschließend ausgehärtet sein, z.B. mittels thermischem Aushärten oder mittels UV-Aushärten .

Bei den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen kann die Isolierungsschicht 13 ein anorganisches Material, das

ausgewählt ist aus folgender Gruppe von Materialien,

umfassen: Oxid, Nitrid, Oxynitrid, Carbid, Metalloxid,

Metallnitrid, Metalloxynitrid, Metallcarbid, Keramik, Glas. Insbesondere kann es sich bei dem anorganischen Material um Siliziumnitrid (SiN) , Siliziumoxid (SiO _x ) , Siliziumoxinitrid (SiNO _x ) , Silizium-Oxikarbonitrid (SiCNO _x ) , Aluminiumoxid

( ΑΙ Οχ ) , Titanoxid (TiO _x ) , Antimon-Zinn-Oxid (ATO) oder

Siliziumcarbid (SiC) handeln. Diese anorganische

Isolierungsschicht 13 kann durch Kathodenzerstäubung, auch Sputtern genannt, chemische Gasphasenabscheidung, auch chemical vapor deposition genannt, oder Atomlagenabscheidung, auch atomic layer deposition genannt, erzeugt sein. Bei der Isolierungsschicht 13 kann es sich um eine keramische

Beschichtung handeln. Bei der Isolierungsschicht 13 kann es sich auch um eine Eloxalschicht handeln, vorzugsweise auf einem Substrat 11, das Aluminium enthält oder daraus besteht. Ebenso kann es sich um eine Beschichtung aus Glas oder eine Beschichtung, die Glas enthält, oder eine glasartige

Beschichtung handeln. Die optoelektronischen Vorrichtungen 10 gemäß den zuvor genannten Ausführungsbeispielen emittieren die

elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise durch die zweite Elektrode 15 hindurch. Alternativ dazu können auch entsprechende optoelektronische Vorrichtungen 10 vorgesehen werden, welche die erzeugte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise durch das Substrat 11 hindurch

emittieren, z.B. mit transparenter Isolierungsschicht 13 und transparenter Planarisierungsschicht 12. Figur 7 zeigt ein Verfahren zum Erzeugen einer

optoelektronischen Vorrichtung gemäß einem der

Ausführungsbeispiele. Das Verfahren umfasst die Schritte des Bereitstellens Sl des Substrats, des Bereitstellens S2 der Isolierungsschicht, des Bereitstellens S3 der

Planarisierungsschicht, des Bereitstellen S4 der funktionalen Schichtstruktur, der ersten Elektrode und der zweiten

Elektrode. Bei dem Schritt S3 wird eine Flüssigkeit

aufgebracht, die die Planarisierung, die aus einem Feststoff besteht, durch Verdampfen eines Lösungsmittels ausbildet. Das Verfahren kann weiterhin den Schritt S5 des Bereitstellens der Verkapselungsschicht umfassen. Die Verfahrensschritte werden in folgender Reihenfolge ausgeführt Sl, S2, S3, S4, S5 (optional). Alternativ dazu ist auch folgende Reihenfolge Sl, S3, S2, S4, S5 (optional) . Bezugs zeichenliste :

10* Optoelektronische Vorrichtung gemäß dem Stand der

Technik

10 Optoelektronische Vorrichtung

11 Substrat

IIa Hauptfläche des Substrates

12 Planarisierungsschicht

12a Dem Substrat abgewandte Grenzfläche der

Planarisierungsschicht

12b Dem Substrat zugewandte Grenzfläche der

PIanarisierungsSchicht

13 Isolierungsschicht

14 Erste Elektrode

14a Dem Substrat abgewandte Grenzfläche der ersten Elektrode

15 Zweite Elektrode

150 Erster Abschnitt der zweiten Elektrode

151 Zweiter Abschnitt der zweiten Elektrode

16 Funktionale Schichtstruktur

17 Verkapselungsschicht

24 Kontakt erste Elektrode

25 Kontakt zweite Elektrode

30 Feuchtigkeitsdiffusionspfad

34a Erster Bereich der ersten Elektrode

34b Zweiter Bereich der ersten Elektrode 40 Emissionsbereich

41 Schriftzeichen

42 Zeichen

A Linie

B Ausschnitt

R Richtung, die in der Hauptfläche des Substrats verläuft

E Emissionsrichtung