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Patent Searching and Data


Title:
OPTOELECTRONIC LAMP DEVICE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2017/001327
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to an optoelectronic lamp device, comprising:an optoelectronic semiconductor component having a top side comprising a light-emitting surface, a housing embedding the semiconductor component and exposing the light-emitting surface, wherein a housing surface is coated by a light scattering dielectric varnish, which can scatter incident light on a surface of the varnish facing away from the housing surface. The invention further relates to a method for producing an optoelectronic lamp device.

Inventors:
LEIRER CHRISTIAN (DE)
RAMMELSBERGER STEFANIE (DE)
HOXHOLD BJOERN (DE)
Application Number:
PCT/EP2016/064830
Publication Date:
January 05, 2017
Filing Date:
June 27, 2016
Export Citation:
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Assignee:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH (DE)
International Classes:
H01L33/46; H01L33/38; H01L33/48; H01L33/62; H01S5/028
Domestic Patent References:
WO2015071109A12015-05-21
WO2015041007A12015-03-26
Foreign References:
DE102012113003A12014-04-03
EP2617791A12013-07-24
Other References:
None
Attorney, Agent or Firm:
PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK (DE)
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Claims:
PATENTA S PRÜCHE

1. Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903), umfassend:

- ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (113, 115) mit einer eine lichtemittierenden Fläche (127) umfassende Oberseite (123) ,

- ein das Halbleiterbauteil (113, 115) einbettendes und die lichtemittierende Fläche (127) freilassendes Gehäuse (203),

- wobei eine Gehäusefläche (205) mit einer lichtstreuenden dielektrischen Lackschicht (505) beschichtet ist, die auf eine der Gehäusefläche (205) abgewandten Fläche (507) der Lackschicht (505) einfallendes Licht streuen kann.

Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach An¬ spruch 1, wobei die Lackschicht (505) mehrere Streuparti¬ kel umfasst.

Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach An¬ spruch 2, wobei die Streupartikel ein oder mehrere Elemen te ausgewählt aus der folgenden Gruppe von Streupartikeln umfassen: Ti02-Partikel, A1203-Partikel , Si02-Partikel, BaS04-Partikel, Zr02-Partikel, Hf02-Partikel .

Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Lackschicht (505) der¬ art ausgebildet ist, dass gestreutes Licht weiß ist.

Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei in dem Gehäuse (203) eine von einer Oberseite (205) des Gehäuses (205) zu einer der Oberseite (205) gegenüberliegenden Unterseite (207) des Gehäuses (207) verlaufende elektrische Durchkontaktierung (109, 111) eingebettet ist, die eine teilweise mittels der Lackschicht (505) beschichtete Oberseite (117) und eine der Oberseite (117) gegenüberliegende Unterseite (121) um- fasst, wobei an der Oberseite (117) der Durchkontaktierung (109, 111) eine elektrische Kontaktfläche (503) ausgebil¬ det ist, die frei von der Lackschicht (505) ist und die mit einer an der Oberseite (123) des Halbleiterbauteils (113, 115) ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche (129) elektrisch verbunden ist.

Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei ein verschieden von der lichtemittierenden Fläche (127) ausgebildeter Abschnitt der Oberseite (123) des Halbleiterbauteils (113, 115) mit der Lackschicht (505) beschichtet ist.

Optoelektronische Leuchtvorrichtung (901, 903) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Lackschicht (505) eine strukturierte Lackschicht, insbesondere eine fotolithogra¬ phisch strukturierte Lackschicht ist.

Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung (901, 903), umfassend die folgenden Schritte:

- Bereitstellen (1001) eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (113, 115) mit einer eine lichtemittierende Fläche (127) umfassende Oberseite (123), wobei das Halb¬ leiterbauteil (113, 115) in einem die lichtemittierende Fläche (127) freilassendes Gehäuse (203) eingebettet ist,

- Beschichten (1003) einer Gehäusefläche (205) mit einem lichtstreuenden dielektrischen Lack, so dass eine die Gehäusefläche (205) beschichtende lichtstreuende die¬ lektrische Lackschicht (505) gebildet (1005) wird, die auf eine der Gehäusefläche (205) abgewandten Fläche (507) der Lackschicht (505) einfallendes Licht streuen kann .

Verfahren nach Anspruch 8, wobei der Lack mehrere Streu Partikel umfasst. 10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei als Streupartikel ein oder mehrere Elemente aus der folgenden Gruppe von Streu¬ partikeln ausgewählt werden: Ti02-Partikel, A1203- Partikel, Si02-Partikel, BaS04-Partikel, Zr02-Partikel, Hf02-Partikel .

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei die Lackschicht (505) derart ausgebildet wird, dass gestreutes Licht weiß ist.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei in dem Gehäuse (203) eine von einer Oberseite (205) des Ge¬ häuses (203) zu einer der Oberseite (205) gegenüberlie¬ genden Unterseite (207) des Gehäuses (203) verlaufende elektrische Durchkontaktierung (109, 111) eingebettet ist, die eine Oberseite (117) und eine der Oberseite (117) ge¬ genüberliegende Unterseite (121) umfasst, wobei die Ober¬ seite (117) der Durchkontaktierung (109, 111) teilweise mittels des Lacks beschichtet wird, so dass die Oberseite (117) der Durchkontaktierung (109, 111) teilweise mittels der Lackschicht (505) beschichtet ist, wobei an der Ober¬ seite (117) der Durchkontaktierung (109, 111) eine elektrische Kontaktfläche (503) ausgebildet wird, die frei von der Lackschicht (505) ist und die mit einer an der Ober¬ seite (123) des Halbleiterbauteils (113, 115) ausgebilde¬ ten elektrischen Kontaktfläche (129) elektrisch verbunden wird .

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, wobei ein verschieden von der lichtemittierenden Fläche (127) ausgebildeter Abschnitt der Oberseite (123) des Halbleiterbau¬ teils (113, 115) mittels des Lacks beschichtet wird, so dass der verschieden von der lichtemittierenden Fläche (127) ausgebildete Abschnitt des Halbleiterbauteils (113, 115) mittels der Lackschicht (505) beschichtet ist.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 13, wobei das Bereitstellen umfasst, dass das oder die einzubettenden Elemente vor dem Einbetten auf einen Träger (101) angeordnet werden, wobei das Einbetten umfasst, dass das oder die auf dem Träger (101) angeordneten Elemente mittels eines Moldwerkstoffs (201) eingemoldet werden, so dass das Ge¬ häuse (203) mittels des Moldwerkstoffs (201) gebildet wird, wobei der Träger (101) nach dem Molden von dem oder den eingemoldeten Elementen entfernt wird, so dass ein aus dem Moldwerkstoff (201) gemoldetes Gehäuse (203) bereitge¬ stellt wird, in welchem das oder die einzubettenden Elemente eingebettet sind.

Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 14, wobei nach dem Beschichten die Lackschicht (505) strukturiert wird, insbesondere fotolithographisch strukturiert wird.

Description:
OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG

BESCHREIBUNG Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrich ¬ tung sowie ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 110 429.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Bei oWLP-Bauteilen (oWLP: „optical Wafer Level Package") ist die Oberfläche außerhalb des LED-Chips meist vollständig oder teilweise mit einem Dielektrikum und einer darauf aufgebrachten Metallisierung bedeckt. Die Metallisierungen weisen oft eine nicht optimale Reflektivität auf. Ebenso weisen freilie ¬ gende Bereiche, also Bereiche, wo entweder das Dielektrikum oder das darunterliegende schwarze Moldmaterial offenliegt, eine nicht optimale Reflektivität auf.

Es ist möglich, diese freiliegenden Bereiche mittels eines Metalls abzudecken. Dies führt aber zu einem hohen Metallverbrauch. Ferner kann bei einer Metalloberfläche keine optimale Reflektivität bei gleichzeitiger Korrosionsbeständigkeit der Oberfläche erreicht werden. Auch kann die reflektierende Flä ¬ che nicht beliebig nahe an eine Kante der lichtemittierenden Chipfläche herangeführt werden. Es ist auch möglich, über einen weiteren Prozessschritt am

Ende der Prozesskette eine Silikonschicht mit einem Diffusor auf die freiliegenden Bereiche aufzubringen. Dies bedingt al ¬ lerdings einen zusätzlichen Prozessschritt und ist im Zusam ¬ menhang mit einem lateralen Strukturieren einer Konversions- schicht schwer zu realisieren und kann Effizienz kosten.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe ist darin zu se ¬ hen, ein effizientes Konzept bereitzustellen, welches die be- kannten Nachteile überwindet und somit eine verbesserte opto ¬ elektronische Leuchtvorrichtung sowie ein verbessertes Ver ¬ fahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung ermöglicht.

Diese Aufgabe wird mittels des jeweiligen Gegenstands der un ¬ abhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von jeweils abhängigen Unteransprü ¬ chen .

Nach einem Aspekt wird eine optoelektronische Leuchtvorrich ¬ tung bereitgestellt, umfassend:

- ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer eine lichtemittierenden Fläche umfassende Oberseite,

- ein das Halbleiterbauteil einbettendes und die licht ¬ emittierende Fläche freilassendes Gehäuse,

- wobei eine Gehäusefläche mit einer lichtstreuenden die ¬ lektrischen Lackschicht beschichtet ist, die auf eine der Gehäusefläche abgewandten Fläche der Lackschicht einfallendes Licht streuen kann.

Gemäß einem weiteren Aspekt wird ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung bereitgestellt, umfassend die folgenden Schritte:

- Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils mit einer eine lichtemittierende Fläche umfassende Oberseite, wobei das Halbleiterbauteil in einem die lichtemittierende Fläche freilassendes Gehäuse eingebet ¬ tet ist,

- Beschichten einer Gehäusefläche mit einem lichtstreuenden dielektrischen Lack, so dass eine die Gehäusefläche beschichtende lichtstreuende dielektrische Lackschicht gebildet wird, die auf eine der Gehäusefläche abgewand ¬ ten Fläche der Lackschicht einfallendes Licht streuen kann.

Die Erfindung umfasst also insbesondere und unter anderem den Gedanken, eine Gehäusefläche mit einer Lackschicht zu verse- hen, die sowohl zur Lichtstreuung als auch als Dielektrikum ausgebildet ist. Das heißt also insbesondere, dass die Lack ¬ schicht eine Doppelfunktion aufweist: eine dielektrische Funktion und eine lichtstreuende Funktion.

Aufgrund der dielektrischen Funktion wirkt die Lackschicht somit in vorteilhafter Weise als eine elektrische Isolations ¬ schicht. Die Lackschicht ist also ein Dielektrikum. Aufgrund der lichtstreuenden Funktion kann die Lackschicht in vorteilhafter Weise Licht streuen, welches auf eine Fläche der Lackschicht einfällt, die der Gehäusefläche abgewandt ist. Dadurch kann also in vorteilhafter Weise eine Reflekti- vität der Leuchtvorrichtung gesteigert werden. Das heißt also insbesondere, dass Licht effizienter gestreut werden kann.

Insbesondere kann dadurch in vorteilhafter Weise ein homogener Farbeindruck erzeugt werden. Somit wird also insbesondere in vorteilhafter Weise eine verbesserte Farbhomogenität be ¬ wirkt. Die Lackschicht wirkt also als Streuschicht, ist also auch eine Streuschicht.

Weiterhin kann in vorteilhafter Weise die Streuschicht, also die lichtstreuende dielektrische Lackschicht, in einem ge ¬ meinsamen Prozessschritt mit einer dielektrischen Lackschicht erzeugt werden, insofern mittels eines einzigen Aufbringens des Lacks eine Lackschicht gebildet wird, die, wie vorstehend ausgeführt, eine Doppelfunktion aufweist. Das heißt also, dass mit dem Bilden einer einzigen Schicht sowohl eine lichtstreuende Schicht als auch eine dielektrische Schicht gebil- det wird: die lichtstreuende dielektrische Lackschicht.

Dadurch wird in vorteilhafter Weise eine effiziente Herstel ¬ lung der Leuchtvorrichtung bewirkt.

Aufgrund des Beschichtens kann in vorteilhafter Weise eine optimale und effiziente Bedeckung der Gehäusefläche mit einer sehr hohen Genauigkeit erzielt werden. Durch das Vorsehen der lichtstreuenden dielektrischen Lackschicht kann beispielsweise in vorteilhafter Weise ein homo ¬ gener optischer Eindruck bewirkt werden, wenn auf die Lackschicht in Richtung der Gehäusefläche geblickt wird.

Die Lackschicht ist insbesondere ausgebildet, nur bestimmte Wellenlängen oder nur einen bestimmten Wellenlängenbereich von einfallendem Licht zu reflektieren oder streuen. Wenn im Lichte dieser Beschreibung von Licht geschrieben wird, so soll stets allgemein eine elektromagnetische Strahlung mitge ¬ lesen werden.

Die Lackschicht reflektiert oder streut (bei Streuung soll stets Reflexion mitgelesen werden und umgekehrt) nach einer Ausführungsform auf ihrer der Gehäusefläche abgewandten Fläche einfallendes Licht nur in einem bestimmten Wellenlängenbereich. So kann also in vorteilhafter Weise ein bestimmter Farbeindruck entstehen. Dies ist insbesondere aus Designgründen, insbesondere im Hinblick auf ein industrielles Design, von Vorteil. Insbesondere kann zum Beispiel entsprechend des verwendeten Lacks eine bestimmte Farbe erzeugt werden.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Lackschicht mehrere Streupartikel umfasst.

Die Streupartikel können in vorteilhafter Weise effizient Licht reflektieren oder streuen. Dies insbesondere in einem bestimmten Wellenbereich oder nur einer bestimmten Wellenlänge. Die Farbe, die diese Streupartikel reflektieren und/oder streuen, kann als Kennzeichnung zur Benennung der Lackschicht verwendet werden. Bei einer Streuung von rotem Licht, kann die Lackschicht als eine rote Lackschicht bezeichnet werden. Bei einer Streuung von weißem Licht kann die Lackschicht als eine weiße Lackschicht bezeichnet werden. Insbesondere bei einer weißen Lackschicht kann eine Lichtausbeute in einem ausgeschalteten Zustand des optoelektronischen Halbleiterbauteils erhöht werden. In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Streupartikel ein oder mehrere Elemente ausgewählt aus der folgenden Gruppe von Streupartikeln umfassen: Ti02-Partikel, A1203-Partikel, Si02-Partikel, BaS04-Partikel, Zr02-Partikel, Hf02-Partikel .

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine effiziente Streuung von Licht ermöglicht ist. Ins ¬ besondere kann entsprechend der verwendeten Streupartikel ge- nau eingestellt werden, welcher Wellenlängenbereich oder welche Wellenlänge von einfallendem Licht gestreut oder reflek ¬ tiert werden soll.

Die Streupartikel weisen zum Beispiel nach einer Ausführungs- form einen Durchmesser von kleiner als 10 ym auf, insbesondere von kleiner als 1 ym. Vorzugsweise ist ein Durchmesser der Streupartikel kleiner als eine Dicke der Lackschicht.

Nach einer Ausführungsform weist die Lackschicht eine

Schichtdicke zwischen 5 ym und 25 ym auf. Vorzugsweise ist die Schichtdicke der Lackschicht kleiner als 50 ym. Eine mi ¬ nimale Dicke der Lackschicht hängt insbesondere von den die ¬ lektrischen Eigenschaften der Lackschicht ab und ist insbesondere durch die dielektrischen Eigenschaften begrenzt. Denn die Lackschicht wirkt ja insbesondere als elektrischer Isola ¬ tor .

Die Schichtdicke der Lackschicht beträgt nach einer Ausfüh ¬ rungsform zwischen 5 ym und 50 ym, insbesondere zwischen 10 ym und 25 ym.

In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Lackschicht derart ausgebildet ist, dass gestreutes Licht weiß ist.

Dadurch wird insbesondere der Vorteil bewirkt, dass ein wei ¬ ßer Farbeindruck erzielt werden kann. Dies insbesondere in einem ausgeschalteten Zustand des optoelektronischen Halblei- terbauteils. Dadurch kann insbesondere eine Lichtausbeute er ¬ höht werden.

Das heißt also insbesondere, dass nach einer Ausführungsform vorgesehen ist, dass die Lackschicht eine weiße Lackschicht ist, dass also gestreutes und/oder reflektiertes Licht weiß ist .

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass in dem Gehäuse eine von einer Oberseite des Gehäuses zu einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite des Gehäuses ver ¬ laufende elektrische Durchkontaktierung eingebettet ist, die eine teilweise mittels der Lackschicht beschichtete Oberseite und eine der Oberseite gegenüberliegende Unterseite umfasst, wobei an der Oberseite der Durchkontaktierung eine elektrische Kontaktfläche ausgebildet ist, die frei von der Lack ¬ schicht ist und die mit einer an der Oberseite des Halblei ¬ terbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche

elektrisch verbunden ist.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine effiziente elektrische Kontaktierung des Halblei ¬ terbauteils erzielt werden kann. Insbesondere wird dadurch der technische Vorteil bewirkt, dass aufgrund der teilweisen Beschichtung der Oberseite der Durchkontaktierung mittels der Lackschicht eine Lichtausbeute der Leuchtvorrichtung effi ¬ zient weiter gesteigert werden kann. Denn die Fläche, die Licht streuen und/oder reflektieren kann, wird somit vergrößert .

Da die Lackschicht eine dielektrische Lackschicht ist, also ein Dielektrikum ist, muss also ein Bereich der Oberseite der Durchkontaktierung frei von dieser Lackschicht sein, damit die elektrische Verbindung zwischen der Durchkontaktierung und der Kontaktfläche der Oberseite des Halbleiterbauteils ermöglicht ist. In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein verschieden von der lichtemittierenden Fläche ausgebildeter Abschnitt der Oberseite des Halbleiterbauteils mit der Lack ¬ schicht teilweise beschichtet ist.

Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine Lichtausbeute weiter effizient gesteigert werden kann. Denn nun ist noch zusätzlich zur Gehäusefläche ein Abschnitt der Oberseite des Halbleiterbauteils, der verschieden von der lichtemittierenden Fläche ist, mit der Lackschicht beschichtet. Somit vergrößert sich also in effizienter Weise eine Fläche der Lackschicht. Hierbei ist aber insbesondere vorgesehen, dass zumindest ein Bereich oder ein Abschnitt der Oberseite, der verschieden von der lichtemittierenden Fläche ist, frei von der Lackschicht bleibt. Denn dieser Bereich ist insbesondere als elektrische Kontaktfläche ausgebildet, um das Halbleiterbauteil elektrisch zu kontaktieren.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Abschnitt einen Rand der Oberseite des Halbeiterbauteils umfasst. Das heißt also insbesondere, dass ein Rand der Oberseite des Halbleiterbauteils mit der Lackschicht versehen ist.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein Rand der Oberseite des Halbleiterbauteils vollständig mit der Lack ¬ schickt versehen ist.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass an einem Rand der Oberseite des Halbleiterbauteils ein Grat gebildet ist, der mit der Lackschicht beschichtet ist.

Ein solcher Grat, der insbesondere elektrisch leitfähig ist, bildet sich zum Beispiel bei einem Vereinzeln des Halbleiterbauteils aus einem Waferverbund von mehreren Halbleiterbau- teilen mittels eines Lasers. Dieser Grat kann auch als ein

Schlackegrat bezeichnet werden, insofern die Materialien, aus denen das Halbleiterbauteil gebildet ist, beim Laserverein ¬ zeln schmelzen und somit lokal eine Schlacke bilden. Dieser Grat kann, da er elektrisch leitfähig ist, die

elektrisch leitfähige Verbindung, die zwischen der an der Oberseite der Durchkontaktierung gebildeten elektrischen Kon- taktfläche und der an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche gebildet ist, kurzschließen. Dadurch aber, dass der Grat mit der Lackschicht beschichtet ist, ist der Grat in vorteilhafter Weise

elektrisch gegenüber dieser elektrisch leitfähigen Verbindung isoliert. Dadurch wird effizient ein entsprechender Kurz- schluss vermieden.

In einer Ausführungsform ist die elektrisch leitfähige Verbindung, die zwischen der an der Oberseite der Durchkontak- tierung gebildeten elektrischen Kontaktfläche und der an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche gebildet ist, als eine auf der Lackschicht auf ¬ gebrachte Metallisierung gebildet. Zum Beispiel ist vorgesehen, dass die Lackschicht, die auf dem Grat aufgebracht ist, mit der Metallisierung versehen ist respektive wird.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Grat mit der Lackschicht versehen oder beschichtet wird, wobei an ¬ schließend die Metallisierung aufgebracht wird, so dass sich dadurch eine elektrisch leitfähige Verbindung (, also die elektrische Verbindung, ) zwischen der an der Oberseite der Durchkontaktierung gebildeten elektrischen Kontaktfläche und der an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche bildet.

Der Grat weist beispielsweise in der Regel eine Höhe von 15 ym auf. Eine Höhe einer Kontaktfläche beträgt in der Regel beispielsweise maximal 4 ym auf. Der Grat überragt also in der Regel die Kontaktfläche. Insofern ist es in der Regel sehr schwierig oder nicht möglich, eine Leiterbahn vorzusehen, die die an der Oberseite der Durchkontaktierung gebilde- te elektrische Kontaktfläche mit der an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche elektrisch leitfähig verbindet. Denn der Grat steht hier sozusagen im Weg.

Da aber der Grat nach einer Ausführungsform mit der Lackschicht versehen ist, kann die elektrisch leitfähige Verbindung, also die elektrische Verbindung, zwischen den beiden elektrischen Kontaktflächen effizient mittels einer Metalli- sierung der Lackschicht gebildet werden.

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die elektrische Verbindung zwischen der an der Oberseite der Durchkontaktie- rung gebildeten elektrischen Kontaktfläche und der an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche als eine Leiterbahn ausgebildet ist. Die Lei ¬ terbahn ist also beispielsweise auf der den Grat beschichten ¬ de Lackschicht gebildet. In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Lackschicht an die lichtemittierende Fläche unmittelbar angrenzt.

Die lichtemittierende Fläche ist insbesondere eine Oberfläche einer Epitaxie-Schicht oder eines Epitaxie-Schichtenstapels. Eine solche Epitaxie-Schicht oder ein solcher Epitaxie- Schichtenstapel wird vom Fachmann auch als eine Epi bezeich ¬ net. „Epi" steht also abgekürzt für „Epitaxie-Schicht oder Epitaxie-Schichtenstapel". Ein anderer Begriff für Epi ist „Mesa". Es kann auch der zusammengesetzte Begriff „Epi-Mesa" für „Epitaxie-Schicht" oder „Epitaxie-Schichtenstapel" ver ¬ wendet werden.

Die lichtemittierende Fläche ist nach einer Ausführungsform mittels einer Konversionsschicht teilweise oder vollständig beschichtet.

In einer Ausführungsform ist die lichtemittierende Fläche frei von einer Konversionsschicht. In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Lackschicht an einer Seitenflanke (, die der Einfachheit halber auch nur als eine Flanke bezeichnet werden kann, ) der Epitaxie-Schicht oder des Epitaxie-Schichtenstapels unmittelbar angrenzt. Das heißt also insbesondere, dass die Lackschicht die Seitenflan ¬ ke (Flanke) der Epitaxie-Schicht oder des Epitaxie- Schichtenstapels unmittelbar berührt oder unmittelbar kontaktiert. Für den Begriff „Flanke" soll stets der Plural mitge- lesen werden. Zum Beispiel grenzt die Lackschicht unmittelbar an gegenüberliegenden Flanken der Epitaxie-Schicht oder des Epitaxie-Schichtenstapels an, berührt oder kontaktiert diese also . In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Lack ein

Lötstopplack ist. Die Lackschicht ist also vorzugsweise eine Lötstopplackschicht .

Der Lötstopplack ist beispielsweise ein Lötstopplack auf Epo- xidharzbasis . Die Lötstopplackschicht ist also beispielsweise eine Lötstopplackschicht auf Epoxidharzbasis.

Der Lötstopplack umfasst zum Beispiel mehrere Streupartikel, zum Beispiel Titandioxid (Ti02 ) -Streupartikel . Die Lötstopp- lackschicht umfasst also zum Beispiel mehrere Streupartikel, zum Beispiel Titandioxid (Ti02 ) -Streupartikel .

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Lack ein fotostrukturierbares Silikon und/oder ein fotostrukturierba- res Siloxan umfasst. Die Lackschicht umfasst also insbesonde ¬ re ein fotostrukturierbares Silikon und/oder ein fotostruktu- rierbares Siloxan. In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das fotostrukturierbare Silikon respektive das fo- tostrukturierbare Siloxan mehrere Streupartikel, zum Beispiel Titandioxid (Ti02) -Streupartikel, umfassen. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass die Lackschicht effizient mittels eines fotolithographischen Prozesses effi ¬ zient bearbeitet oder strukturiert werden kann. In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Lack ein Fotolack ist. Die Lackschicht ist also insbesondere eine Fo ¬ tolackschicht. Der Fotolack umfasst beispielsweise mehrere Streupartikel, insbesondere Titandioxid (Ti02 ) -Streupartikel . Die Fotolackschicht umfasst also insbesondere mehrere Streu ¬ partikel, insbesondere Titandioxid (Ti02 ) -Streupartikel .

Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass die Lackschicht effizient mittels eines fotolithographi- sehen Prozesses effizient bearbeitet oder strukturiert werden kann .

In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass nach dem Beschichten die Lackschicht strukturiert wird. Die Lackschicht ist also vorzugsweise eine strukturierte Lackschicht. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass die Lackschicht effizient für eine konkrete Anwendung angepasst werden kann. Das Strukturieren umfasst nach einer Ausführungsform ein fotolithographisches Strukturieren. Die Lackschicht ist also beispielsweise eine fotolithographisch strukturierte Lack ¬ schicht. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil be ¬ wirkt, dass die Lackschicht effizient strukturiert werden kann.

Ein lithographisches Strukturieren der Lackschicht weist fer ¬ ner den Vorteil auf, dass die Lackschicht effizient großflä ¬ chig bearbeitet werden kann.

Die nachfolgend beschriebenen beispielhaften Beschichtungs- verfahren eignen insbesondere in vorteilhafter Weise, um den Lack effizient großflächig aufzubringen. In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, mittels eines Siebdrucks unter Verwendung eines strukturierten Siebs eine strukturierte Lackschicht aufzubringen. Das heißt also insbesondere, dass die Strukturen der Lackschicht durch ein strukturiertes Sieb beim Siebdruck aufgebracht werden.

Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass auf einen teuren Lithographieprozess verzichtet werden kann. Zwar mag ein Siebdruck unter Verwendung eines struktu- rierten Siebs nicht ganz so präzise sein wie ein Lithogra ¬ phieprozess. Dennoch ist der Siebdruck für Anwendungen vorteilhaft, in denen die Kosten eine erhebliche Rolle spielen.

Ferner können mittels eines solchen Siebdrucks Materialien als Lack aufgebracht werden, die nicht lithographisch strukturierbar sind. Dadurch wird insbesondere der technische Vor ¬ teil bewirkt, dass eine größere Auswahlmöglichkeit bei den Materialien für die Lackschicht bereitgestellt ist im Ver ¬ gleich zu einem Lithographieprozess.

Das Beschichten umfasst nach einer Ausführungsform ein Siebdrucken der Lackschicht. Der Lack wird also beispielsweise mittels eines Siebdruckens aufgebracht. Die Lackschicht ist also insbesondere eine siebgedruckte Lackschicht. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass das

Beschichten effizient durchgeführt werden kann. Das Siebdru ¬ cken wird zum Beispiel unter Verwendung eines strukturierten Siebs, wie vorstehend beschrieben, durchgeführt. Das Beschichten umfasst nach einer Ausführungsform ein Vorhanggießen der Lackschicht. Der Lack wird also beispielsweise mittels eines Vorhanggießens aufgebracht. Die Lackschicht ist also beispielsweise eine vorhanggegossene Lackschicht.

Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass das Beschichten effizient durchgeführt werden kann.

Das Beschichten umfasst nach einer Ausführungsform ein Aufschleudern der Lackschicht. Der Lack wird also insbesondere aufgeschleudert . Die Lackschicht ist also insbesondere eine aufgeschleuderte Lackschicht. Dadurch wird zum Beispiel der technische Vorteil bewirkt, dass das Beschichten effizient durchgeführt werden kann. Das Beschichten umfasst nach einer Ausführungsform ein Aufsprühen von Lack. Die Lackschicht ist also insbesondere eine aufgesprühte Lackschicht. Dadurch wird zum Beispiel der tech ¬ nische Vorteil bewirkt, dass das Beschichten effizient durch- geführt werden kann.

Wie vorstehend beispielhaft beschrieben, kann also der Lack unstrukturiert aufgebracht werden, um eine unstrukturierte Lackschicht zu bilden, wobei die unstrukturierte Lackschicht nach dem Aufbringen strukturiert wird, beispielsweise mittels eines Lithographieprozesses. Zum Beispiel ist vorgesehen, dass der Lack strukturiert aufgebracht wird, so dass sich un ¬ mittelbar eine strukturierte Lackschicht bildet, die somit nicht mehr nach dem Aufbringen strukturiert werden muss.

In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die optoelektronische Leuchtvorrichtung mittels des Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung hergestellt ist respektive wird.

Ausführungsformen betreffend das Verfahren ergeben sich analog aus Ausführungsformen betreffend die optoelektronische Leuchtvorrichtung und umgekehrt. Das heißt also, dass sich technische Funktionalitäten des Verfahrens in analoger Weise aus entsprechenden technischen Funktionalitäten der optoelektronischen Leuchtvorrichtung ergeben. Ausführungen, die im Zusammenhang mit dem Verfahren gemacht sind, gelten analog für die optoelektronische Leuchtvorrichtung und umgekehrt. Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass als Streupartikel ein oder mehrere Elemente aus der folgenden Gruppe von Streupartikeln ausgewählt werden: Ti02-Partikel, A1203- Partikel, Si02-Partikel, BaS04-Partikel, Zr02-Partikel, Hf02- Partikel .

In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Lackschicht derart ausgebildet wird, dass gestreutes Licht weiß ist. Nach einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass in dem Gehäuse eine von einer Oberseite des Gehäuses zu einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite des Gehäuses ver- laufende elektrische Durchkontaktierung eingebettet ist, die eine Oberseite und eine der Oberseite gegenüberliegende Un ¬ terseite umfasst, wobei die Oberseite der Durchkontaktierung teilweise mittels des Lacks beschichtet wird, so dass die Oberseite der Durchkontaktierung teilweise mittels der Lack- schicht beschichtet ist, wobei an der Oberseite der Durchkon ¬ taktierung eine elektrische Kontaktfläche ausgebildet wird, die frei von der Lackschicht ist und die mit einer an der Oberseite des Halbleiterbauteils ausgebildeten elektrischen Kontaktfläche elektrisch verbunden wird.

Nach noch einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein verschieden von der lichtemittierenden Fläche ausgebildeter Abschnitt der Oberseite des Halbleiterbauteils teilweise mit ¬ tels des Lacks beschichtet wird, so dass der verschieden von der lichtemittierenden Fläche ausgebildete Abschnitt des Halbleiterbauteils teilweise mittels der Lackschicht be ¬ schichtet ist.

In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Bereitstellen umfasst, dass das oder die einzubettenden Elemente vor dem Einbetten auf einen Träger angeordnet werden, wobei das Einbetten umfasst, dass das oder die auf dem Träger angeordneten Elemente mittels eines Moldwerkstoffs eingemol- det werden, so dass das Gehäuse mittels des Moldwerkstoffs gebildet wird, wobei der Träger nach dem Molden von dem oder den eingemoldeten Elementen entfernt wird, so dass ein aus dem Moldwerkstoff gemoldetes Gehäuse bereitgestellt wird, in welchem das oder die einzubettenden Elemente eingebettet sind .

Durch das Vorsehen eines gemoldeten Gehäuses wird in vorteil ¬ hafter Weise bewirkt, dass das Gehäuse effizient hergestellt werden kann. Ein Molden im Sinne der vorliegenden Erfindung kann insbesondere als ein Spritzgießen bezeichnet werden. Das heißt also insbesondere, dass das Gehäuse spritzgegossen wird . Das Gehäuse ist nach einer Ausführungsform ein spritzgegosse ¬ nes Gehäuse.

Ein Moldwerkstoff kann somit insbesondere als ein Spritzguss ¬ werkstoff bezeichnet werden. Ein Moldwerkstoff umfasst insbe- sondere ein oder mehrere Silikone oder ist aus einem oder mehreren Silikonen gebildet.

Die Formulierung "eines Halbleiterbauteil einbettendes und die lichtemittierende Fläche freilassendes Gehäuse" heißt insbesondere, dass das Gehäuse zwar das Halbleiterbauteil einbettet, hierbei aber die lichtemittierende Fläche frei- lässt. Das heißt also insbesondere, dass die lichtemittieren ¬ de Fläche nicht mittels des Gehäuses bedeckt ist. Das heißt also insbesondere, dass die lichtemittierende Fläche frei- liegt.

Nach einer Ausführungsform ist die Oberseite der Durchkontaktierung eine metallbeschichtete Oberseite. Das heißt also insbesondere, dass die Oberseite der Durchkontaktierung eine Metallbeschichtung aufweist. Das heißt also insbesondere, dass nach einer Ausführungsform die Metallbeschichtung teilweise mittels des Lacks beschichtet wird, sodass eine die Me ¬ tallbeschichtung teilweise beschichtende Lackschicht gebildet ist. Das heißt also insbesondere, dass die Lackschicht die Metallbeschichtung teilweise beschichtet. Die Oberseite der Durchkontaktierung bei einem Vorhandensein einer Metallbeschichtung ist also die Oberseite der Metallbeschichtung.

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die elektri- sehe Kontaktfläche der Oberseite des Halbleiterbauteils eine Metallbeschichtung aufweist. Diese Metallbeschichtung ist analog zu der Metallbeschichtung der Durchkontaktierung nach einer Ausführungsform teilweise mittels der Lackschicht be ¬ schichtet .

Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die elektri- sehe Verbindung zwischen der elektrischen Kontaktfläche der Oberseite des Halbleiterbauteils und der Oberseite der Durch- kontaktierung durch eine elektrische Verbindung zwischen der Metallbeschichtung der elektrischen Kontaktfläche der Oberseite des Halbleiterbauteils und der Metallbeschichtung der Oberseite der Durchkontaktierung gebildet wird.

Das Bilden der elektrischen Verbindung kann nach einer Ausführungsform ein Bonden umfassen. Das Bilden der elektrischen Verbindung kann nach einer Ausführungsform einen fotolithographischen Prozess umfassen. Das heißt, dass die elektrische Verbindung beispielsweise eine fotolithographisch definierte elektrische Verbindung ist. Das heißt insbesondere, dass eine Form der elektrischen Verbin- dung insbesondere mittels des fotolithographischen Prozesses vorgegeben ist respektive wird.

Nach einer Ausführungsform ist das Halbleiterbauteil als ein Halbleiterchip gebildet.

Nach einer Ausführungsform ist das Halbleiterbauteil eine Leuchtdiode oder lichtemittierende Diode (auf Englisch: Light Emitting Diode, LED) . Die lichtemittierende Diode ist vor ¬ zugsweise eine anorganische Diode.

Insbesondere ist nach einer Ausführungsform die lichtemittie ¬ rende Diode eine Laserdiode. Die Laserdiode ist vorzugsweise als ein Laserdiodenchip gebildet. Die lichtemittierende Fläche kann nach einer Ausführungsform eine Fläche einer Konversionsschicht sein. Das heißt also zum Beispiel, dass das Halbleiterbauteil eine Konversionsschicht umfassen kann. Die Oberseite des Halbleiterbauteils umfasst somit insbesondere eine solche Konversionsschicht.

Eine Konversionsschicht ist insbesondere ausgebildet, elekt- romagnetische Strahlung aufweisend eine erste Wellenlänge o- der einen ersten Wellenlängenbereich in eine elektromagnetische Strahlung aufweisend eine zweite Wellenlänge oder einen zweiten Wellenlängenbereich zu konvertieren, wobei die zweite Wellenlänge verschieden von der ersten Wellenlänge ist res- pektive der zweite Wellenlängenbereich zumindest teilweise, insbesondere vollständig, verschieden von dem ersten Wellenlängenbereich ist.

Eine Konversionsschicht weist also eine Konversionsfunktion auf, konvertiert also elektromagnetische Strahlung oder

Licht. Die zu konvertierende elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als ein Primärlicht oder als eine Primär ¬ strahlung bezeichnet werden. Die mittels der Konversions ¬ schicht konvertierte elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als ein Sekundärlicht oder als eine Sekundärstrah ¬ lung bezeichnet werden. Das Halbleiterbauteil emittiert somit zum Beispiel das Primärlicht, welches mittels der Konversi ¬ onsschicht in Sekundärlicht konvertiert wird. Die Konversionsschicht kann zum Beispiel einen Phosphor und/oder einen organischen und/oder einen anorganischen

Leuchtstoff umfassen.

Die Formulierung „respektive" umfasst insbesondere die Formu- lierung „und/oder".

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusam- menhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei Fig. 1 bis 9 jeweils einen Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung,

Fig. 10 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung und

Fig. 11 und 12 jeweils einen den jeweils in den Fig. 5 und 6 gezeigten Schritten entsprechenden Schritt in einem weiteren Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvor- richtung.

Im Folgenden können für gleiche Merkmale gleiche Bezugszei ¬ chen verwendet werden. Fig. 1 zeigt einen ersten Schritt in einem Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.

Gemäß diesem ersten Schritt wird ein Träger 101 bereitge ¬ stellt. Der Träger 101 umfasst eine Oberseite 103. Auf der Oberseite 103 des Trägers 101 ist ein Klebeband 104 angeord ¬ net. Auf diesem Klebeband 104 ist eine KlebstoffSchicht 105 angeordnet .

Das Klebeband 104 kann zum Beispiel ein Klebeband gekenn- zeichnet durch den Markennamen „Revalpha" sein.

Das Klebeband 104 ist ein Doppelklebeband, bei dem eine der beiden Klebschichten durch Wärmeeinwirkung ab einer bestimmten Temperatur ihre Klebwirkung verliert. Das Klebeband ist also ein sogenanntes Thermo-Release-Klebeband .

Auch im deutschen wird von einer Thermo Release Folie gespro ¬ chen . Die KlebstoffSchicht weist eine Oberseite 107 auf, die der Oberseite 103 des Trägers 101 abgewandt ist. Auf der Oberseite 107 der KlebstoffSchicht 105 sind zwei Durchkontaktierungen 109, 111 und zwei optoelektronische Halbleiterbauteile 113, 115 angeordnet. Die Durchkontaktierungen 109, 111 weisen jeweils eine Oberseite 117 und eine der Oberseite 117 gegenüberliegende Unter ¬ seite 121 auf. Die Oberseite 117 ist als eine metallbeschich ¬ tete oder metallisierte Oberseite ausgebildet. Die entspre ¬ chende Metallbeschichtung ist mit dem Bezugszeichen 119 ge- kennzeichnet. Die jeweilige Oberseite 117 ist der Oberseite 107 der KlebstoffSchicht 105 zugewandt.

Die optoelektronischen Halbleiterbauteile 113, 115 weisen je ¬ weils eine Oberseite 123 und eine der Oberseite gegenüberlie- gende Unterseite 124 auf. Die jeweilige Oberseite 123 ist der Oberseite 107 der KlebstoffSchicht 105 zugewandt.

Die jeweilige Oberseite 123 der Halbleiterbauteile 113, 115 umfasst jeweils eine Epi 125, die eine lichtemittierende Flä- che 127 aufweist. Die lichtemittierende Fläche ist in einer Ausführungsform mittels einer Konversionsschicht teilweise oder vollständig beschichtet. Die Epi 125 ist beispielsweise frei von einer Konversionsschicht. Mittels dieser lichtemittierenden Fläche 127 wird im Betrieb der beiden Halbleiterbauteile 113, 115 Licht oder allgemein elektromagnetische Strahlung emittiert.

An der jeweiligen Oberseite 123 der Halbleiterbauteile 113, 115 ist jeweils eine elektrische Kontaktfläche 129 gebildet, die von einem Lötpad 131 umfasst ist. Das jeweilige Lötpad 131 ist an der Oberseite 123 der beiden Halbleiterbauteile 113, 115 gebildet oder angeordnet. Somit ist mittelbar an der jeweiligen Oberseite 123 eine elektrische Kontaktfläche 129 ausgebildet.

Die beiden optoelektronischen Halbleiterbauteile 113, 115 und die beiden Durchkontaktierungen 109, 111, die allgemein zum Beispiel aus Kupfer gebildet sein können oder Kupfer umfassen können, werden in einem Moldprozess oder einem Spritzgusspro- zess eingemoldet oder umspritzt. Dies zeigt symbolisch Fig. 2.

Es ist also in einem folgenden Schritt vorgesehen, dass die Halbleiterbauteile 113, 115 und die Durchkontaktierungen 109, 111 mittels eines Moldwerkstoffs 201 eingemoldet werden.

Durch das Einmolden bildet sich ein Gehäuse 203. Das Gehäuse 203 bettet somit die Durchkontaktierungen 109, 111 und die

Halbleiterbauteile 113, 115 ein. Hierbei bleibt aber eine je ¬ weilige Oberseite 117, 123 der einzelnen eingebetteten Elemente 109, 111, 113, 115 frei. Das Gehäuse 203 weist eine Oberseite 205 auf, die der Ober ¬ seite 103 des Trägers 101 zugewandt ist. Das Gehäuse 203 weist eine Unterseite 207 auf, die der Oberseite 205 des Ge ¬ häuses 203 gegenüberliegt. Die Durchkontaktierungen 109, 111 und die optoelektronischen Halbleiterbauteile 113, 115 sind mit ihrer jeweiligen Ober ¬ seite 117, 123 der Oberseite 103 des Trägers 101 zugewandt, wenn die Durchkontaktierungen 109, 111 und die Halbleiterbau ¬ teile 113, 115 auf dem Träger 101 angeordnet sind, also mit- tels der KlebstoffSchicht 105 und mittels des Klebebands 104 auf der Oberseite 103 des Trägers 101 festgeklebt sind.

Nach dem Molden des Gehäuses 203 ist in einem weiteren

Schritt des Verfahrens vorgesehen, dass der Träger 101 ge- meinsam mit der KlebstoffSchicht 105 und dem Klebeband 104 von dem Gehäuse 203 und den Durchkontaktierungen 109, 111 und den Halbleiterbauteilen 113, 115 entfernt wird. Fig. 3 zeigt die Anordnung gemäß Fig. 2 mit entferntem Träger 101 und entfernter KlebstoffSchicht 105 und entferntem Klebeband 104. Zusätzlich ist noch überflüssiger Moldwerkstoff 201 entfernt worden, der sich zum Beispiel zwischen dem Lötpad 131 und der Epi 125 festgesetzt hat. Somit sind die beiden Durchkontaktierungen 109, 111 derart im Gehäuse 203 eingebettet, dass nur noch die Metallbeschichtung 119 freiliegt. Die Metallbeschichtung 119 schaut sozusagen aus dem Gehäuse 203 heraus. Sie ragt also aus dem Gehäuse 203 über die Oberseite 205 des Gehäuses 203 hinaus. Analog gilt dies für die Lötpads 131 sowie die Epi 125.

Fig. 4 zeigt die Anordnung gemäß Fig. 3, wobei diese um 180° gedreht wurde. Somit zeigen nun die jeweiligen Oberseiten 117, 123 bezogen auf die Papierebene nach oben.

Es finden nun vorzugsweise fotolithografische Bearbeitungs ¬ prozesse und/oder Sputterprozesse und/oder Metallisierungs ¬ prozesse und/oder Ätzprozesse auf den Oberseiten 117, 123 statt. Dies zeigt symbolisch Fig. 5. Aufgrund dieser Prozesse werden zum Beispiel auf den Lötpads 131 elektrische erhöhte Kontaktabschnitte 501 gebildet. „Erhöht" bedeutet hier bezo ¬ gen auf eine Oberfläche der Lötpads 131. An einer Seite der Kontaktabschnitte 501, die der Oberseite 123 der Halbleiter- bauteile 113, 115 abgewandt ist, ist somit die elektrische

Kontaktfläche 129 ausgebildet. Somit ist mittelbar an der je ¬ weiligen Oberseite 123 eine elektrische Kontaktfläche 129 ausgebildet . Solche erhöhte elektrische Kontaktabschnitte 501 sind eben ¬ falls auf der Metallbeschichtung 119 gebildet, wobei hier diese elektrischen Kontaktabschnitte 501 eine elektrische Kontaktfläche 503 umfassen, die der Oberseite 117 der Durch ¬ kontaktierungen 109, 111 abgewandt ist. Somit ist an den Oberseiten 117 der Durchkontaktierungen 109, 111 mittelbar jeweils eine elektrische Kontaktfläche 503 ausgebildet.

Ferner ist vorgesehen, dass die Oberseite 205 des Gehäuses 203 mit einem Lack beschichtet wird, sodass sich eine Lack- schicht 505 ausbildet. Da die Oberseite 205 eine Gehäuseflä ¬ che ist, wird also eine Gehäusefläche des Gehäuses 203 mit einem Lack beschichtet. Das heißt also insbesondere, dass beispielsweise vorgesehen ist, freiliegende Bereiche oder Ab- schnitte der Oberseite 205 des Gehäuses 203 mit einem Lack zu beschichten, sodass sich hier entsprechend eine Lackschicht 505 ausbildet. Die Lackschicht 505 weist eine Oberseite 507 auf. Die Lackschicht 505 weist ferner eine Unterseite 509 auf, die der Oberseite 507 abgewandt ist. Die Unterseite 509 der Lackschicht 505 ist der Oberseite 205 des Gehäuses 203 zugewandt .

Der Lack ist ein dielektrischer Lack und umfasst mehrere Streupartikel. Somit ist die Lackschicht 505 eine lichtstreu ¬ ende dielektrische Lackschicht. Licht, welches auf die Ober ¬ seite 507 der Lackschicht 505 einfällt, wird somit gestreut und/oder reflektiert. Die Oberseite 507 der Lackschicht 505 ist der Oberseite 205 des Gehäuses 203 abgewandt. Da die Oberseite 507 der Lackschicht 505 eine Fläche ist, wird somit Licht mittels der Lackschicht 505 gestreut und/oder reflek ¬ tiert, welches auf eine Fläche, also die Oberseite 507, der Lackschicht 505 einfällt, die der Oberseite 205, also der Ge ¬ häusefläche, abgewandt ist.

Es ist weiter vorgesehen, dass weitere Abschnitte von frei ¬ liegenden Flächen mit dem Lack beschichtet werden, sodass sich auch hier entsprechend die Lackschicht 505 ausbildet. Bei diesen freiliegenden Flächen handelt es sich zum Beispiel um Teilflächen der Oberseite 123 der Halbleiterbauteile 113, 115, die verschieden von der lichtemittierenden Fläche 127 sind. Insbesondere ist vorgesehen, teilweise die Oberseiten 117 der Durchkontaktierungen 109, 111 mit dem Lack zu beschichten, wobei hier zumindest ein Bereich frei von dem Lack bleibt, um hier den elektrischen Kontaktabschnitt 501 auszu ¬ bilden. Gleiches gilt für das Lötpad 131, auch hier muss ein Abschnitt frei von einem Lack bleiben, um hier entsprechend den elektrischen Kontaktabschnitt 501 auszubilden. Nach einer Ausführungsform handelt es sich um einen reflektierenden Lack. Die Lackschicht 505 weist vorzugsweise eine Schichtdicke zwischen 5 ym und 50 ym, insbesondere zwischen 10 ym und 25 ym auf. Die Lackschicht 505 bedeckt insbesondere einen Rand 1105 der Oberseite 123 des Halbleiterbauteils 115 sowie insbesondere einen Rand 1107 der Oberseite 123 des Halbleiterbauteils 113. Die Lackschicht 505 kontaktiert un ¬ mittelbar gegenüberliegende Flanken 1109 der Epi 125.

Die Durchkontaktierungen 109, 111 werden nun mit den optoelektronischen Halbleiterbauteilen 113, 115 elektrisch verbunden. Es ist vorgesehen, dass die Durchkontaktierung 109 mit dem Halbleiterbauteil 113 elektrisch verbunden wird. Die Durchkontaktierung 111 wird mit dem optoelektronischen Halbleiterbauteil 115 elektrisch verbunden. Hierbei ist vorgese ¬ hen, dass eine elektrische Verbindung zwischen der jeweiligen elektrischen Kontaktfläche 129 sowie der jeweiligen elektrischen Kontaktfläche 503 gebildet wird.

Dies ist symbolisch in Fig. 6 dargestellt. Die elektrische Verbindung ist hier mit dem Bezugszeichen 601 gekennzeichnet. Die elektrische Verbindung 601 kann nach einer Ausführungs ¬ form ein Bonddraht sein. In einer weiteren Ausführungsform kann diese elektrische Verbindung 601 mittels eines foto- lithografischen Prozesses definiert sein respektive werden.

In Fig. 6 ist eine geschweifte Klammer mit dem Bezugszeichen 603 eingezeichnet, die einen zu entfernenden Gehäuseabschnitt des Gehäuses 203 kennzeichnet. Das heißt also, dass dieser

Gehäuseabschnitt 603 entfernt werden wird, um die Unterseiten 121 der Durchkontaktierungen 109, 111 und die Unterseiten 124 der Halbleiterbauteile 113, 115 freizulegen. Das Entfernen des Gehäuseabschnitts 603 kann zum Beispiel ein Schleifen und/oder ein Sägen umfassen.

Fig. 7 zeigt die Anordnung gemäß Fig. 6 mit entferntem Gehäuseabschnitt 603. Das heißt also, dass die Anordnung gemäß Fig. 7 nicht mehr den Gehäuseabschnitt 603 zeigt. Das heißt also, dass das Gehäuse 203, welches in Fig. 7 gezeigt ist, nicht mehr den Gehäuseabschnitt 603 gemäß Fig. 6 aufweist. Die Unterseiten 121 der Durchkontaktierungen 109, 111 sowie die Unterseiten 124 der Halbleiterbauteile 113, 115 liegen somit frei.

Die Durchkontaktierungen 109, 111 verlaufen somit von der Oberseite 205 des Gehäuses 203 durch das Gehäuse 203 zur Un ¬ terseite 207 des Gehäuses 203, nachdem der Gehäuseabschnitt 603 entfernt wurde.

Somit ist es in vorteilhafter Weise ermöglicht und auch so vorgesehen, dass diese Unterseiten 121, 124 metallisiert werden. Es wird also eine Metallisierung oder eine Metallschicht auf den Unterseiten 121, 124 gebildet. Hierbei zeigt das Be ¬ zugszeichen 701 auf eine jeweilige Metallisierung der Unterseite 124 der Halbleiterbauteile 113, 115. Das Bezugszeichen 703 zeigt auf eine jeweilige Metallisierung der Unterseiten 121 der Durchkontaktierungen 109, 111.

Somit können die Durchkontaktierungen 109, 111 und die Halb ¬ leiterbauteile 113, 115 über diese Metallisierungen 701, 703 effizient elektrisch kontaktiert werden.

Die in Fig. 7 gezeigte Anordnung wird noch mit einer Be- schichtung 801 versehen, die zum Beispiel aufgesprüht werden kann. Dies zeigt symbolisch Fig. 8. Die Beschichtung 801 ist eine Konversionsbeschichtung . Es ist somit eine Konversions ¬ schicht 801 gebildet. Zum Beispiel umfasst die Konversions ¬ schicht 801 einen Phosphor-Konverter, der in einer Silikonmatrix eingebettet ist. Eine Konversionsschicht ist insbesondere ausgebildet, elekt ¬ romagnetische Strahlung aufweisend eine erste Wellenlänge o- der einen ersten Wellenlängenbereich in eine elektromagnetische Strahlung aufweisend eine zweite Wellenlänge oder einen zweiten Wellenlängenbereich zu konvertieren, wobei die zweite Wellenlänge verschieden von der ersten Wellenlänge ist res ¬ pektive der zweite Wellenlängenbereich zumindest teilweise, insbesondere vollständig, verschieden von dem ersten Wellenlängenbereich ist. Eine Konversionsschicht weist also eine Konversionsfunktion auf, konvertiert also elektromagnetische Strahlung. Die zu konvertierende elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als ein Primärlicht oder als eine Primär ¬ strahlung bezeichnet werden. Die mittels der Konversions- schicht konvertierte elektromagnetische Strahlung kann zum Beispiel als ein Sekundärlicht oder als eine Sekundärstrah ¬ lung bezeichnet werden.

Die Konversionsschicht kann zum Beispiel einen Phosphor und/oder einen organischen und/oder einen anorganischen

Leuchtstoff umfassen.

Die in Fig. 8 gezeigte Anordnung wird vereinzelt, sodass zwei optoelektronische Leuchtvorrichtungen 901, 903 gebildet wer- den. Dies zeigt symbolisch Fig. 9.

Somit weist jede der optoelektronischen Leuchtvorrichtungen 901, 903 jeweils eine Durchkontaktierung 109, 111 sowie ein optoelektronisches Halbleiterbauteil 113, 115 sowie ein Ge- häuse 203 auf, in welchem die Durchkontaktierung 109, 111 und das optoelektronische Halbleiterbauteil 113, 115 eingebettet sind, wobei insbesondere die lichtemittierenden Flächen 127 freiliegen. Ferner sind Abschnitte von Flächen, die verschieden von der lichtemittierenden Fläche 127 sind, teilweise mit der Lackschicht 505 beschichtet.

Die in Fig. 1 bis 9 symbolisch und exemplarisch gezeigten Herstellungsschritte in einem Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung zeigen zwei Durchkontak- tierungen 109, 111 sowie zwei optoelektronische Halbleiter ¬ bauteile 113, 115. In nicht gezeigten Ausführungsformen können mehr oder weniger (also eine) als zwei Durchkontaktierun- gen 109, 111 und mehr oder weniger (also eine) als zwei opto ¬ elektronische Halbleiterbauteile 113, 115 vorgesehen sein, die analog zu den zwei Durchkontaktierungen 109, 111 und den zwei optoelektronischen Halbleiterbauteilen 113, 115 in ein Gehäuse 203 eingebettet werden. Entsprechend kann dann eine Vereinzelung stattfinden, um mehr als zwei optoelektronische Leuchtvorrichtungen zu bilden. Auch kann in weiteren nicht gezeigten Ausführungsformen vorgesehen sein, dass einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung mehrere Halbleiterbauteile zugeordnet sind und entsprechend mehrere Durchkontaktierungen zugeordnet sind.

Fig. 10 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte:

- Bereitstellen 1001 eines optoelektronischen Halbleiterbauteils mit einer eine lichtemittierende Fläche umfas ¬ sende Oberseite, wobei das Halbleiterbauteil in einem die lichtemittierende Fläche freilassendes Gehäuse ein- gebettet ist,

- Beschichten 1003 einer Gehäusefläche mit einem licht ¬ streuenden dielektrischen Lack, so dass eine die Gehäusefläche beschichtende lichtstreuende dielektrische Lackschicht gebildet 1005 wird, die auf eine der Gehäu- sefläche abgewandten Fläche der Lackschicht einfallendes

Licht streuen kann.

Fig. 11 und 12 zeigen jeweils einen den jeweils in den Fig. 5 und 6 gezeigten Schritten entsprechenden Schritt in einem weiteren Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung .

Es werden daher für gleiche Merkmale gleiche Bezugszeichen verwendet. Als ein Unterschied weisen hier die Halbleiterbau- teile Grate auf, was nachstehend noch weiter beschrieben wird. Die der Figur 5 vorausgehenden Schritte und die der Figur 6 nachfolgenden Schritte gelten aber analog für die in den Fig. 11 und 12 gezeigten Halbleiterbauteile umfassend Grate .

Das Halbleiterbauteil 115 weist einen Grat 1101 auf. Das Halbleiterbauteil 113 weist ebenfalls einen Grat 1103 auf. Der Grat 1101 des Halbleiterbauteils 115 ist an einem Rand 1105 der Oberseite 123 des Halbleiterbauteils 115 gebildet.

Der Grat 1103 des Halbleiterbauteils 113 ist an einem Rand 1107 der Oberseite 123 des Halbleiterbauteils 113 gebildet.

Die Grate 1101, 1103 entstehen beispielsweise während eines Vereinzeins der Halbleiterbauteile 113, 115. Die Grate 1101, 1103 weisen eine Höhe (zum Beispiel 14 ym) auf, die größer ist als die Höhe (zum Beispiel maximal 4 ym) der elektrischen Kontaktfläche 129 des Lötpads 131.

Die Grate 1101, 1103 werden von der Lackschicht 501 vollstän ¬ dig bedeckt, so dass die Grate 1101, 1103 vollständig in der Lackschicht eingebettet sind.

Die elektrische Verbindung 601 wird auf der die Grate 1101, 1103 einbettende Lackschicht 501 gebildet, beispielsweise als eine Metallisierung. Aufgrund der Lackschicht 501 wird die elektrische Verbindung 601 von den Graten 1101, 1103 nicht kurzgeschlossen. Die Grate 1101, 1103 sind also von der elektrischen Verbindung 601 elektrisch isoliert.

Zusammenfassend ist erfindungsgemäß insbesondere vorgesehen, dem Lack, der im Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung als Dielektrikum auf die einzelnen Flächen aufgebracht wird, eine reflektierende und/oder streu ¬ ende Substanz, insbesondere eine weiß reflektierende und/oder weiß streuende Substanz, wie zum Beispiel Ti0 2 , beizufügen respektive einen reflektierenden und/oder streuenden Lack, insbesondere einen weiß reflektierenden und/oder weiß streuenden Lack, zu verwenden. Die Substanz umfasst insbesondere Streupartikel . Dadurch erhöht sich in vorteilhafter Weise eine Effizienz der Leuchtvorrichtung, da das Licht von der Oberseite der Lackschicht reflektiert und/oder gestreut werden kann. Die Effi ¬ zienz wird in vorteilhafter Weise besonders erhöht, wenn es sich hier um eine weiß reflektierende und/oder weiß streuende Lackschicht handelt. Dies kann in vorteilhafter Weise auch für eine Farbhomogenität vorteilhaft sein. Insbesondere kön ¬ nen so weiß erscheinende Packages (Leuchtvorrichtung) erzeugt werden. Anstelle von Weiß kann entsprechend dem verwendeten Lack ein andersfarbig erscheinendes Package erzeugt werden. Das Erzeugen der Lackschicht, die auch als eine Reflexions ¬ und/oder Streuschicht bezeichnet werden kann, kann in vorteilhafter Weise in einem Prozessschritt erfolgen, der be- reits Bestandteil eines Herstellungsprozesses oder eines Her ¬ stellungsverfahrens einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung ist. Es ist somit in vorteilhafter Weise kein zusätzlicher Prozessschritt notwendig. Das heißt also insbesondere, dass in einem bereits an sich bekannten Herstellungsverfahren einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung nun erfindungsgemäß ein Lack verwendet wird, wie er im Rahmen dieser Be ¬ schreibung beschrieben ist. Weiterhin kann durch das Beschichten mit dem Lack eine optimale Bedeckung der einzelnen zu beschichtenden Flächen mit einer sehr hohen Genauigkeit erzielt werden.

Obwohl die Erfindung im Detail durch die bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele ein- geschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .

BEZUGSZEICHENLISTE

101 Träger

103 Oberseite des Trägers

104 Klebeband

105 KlebstoffSchicht

107 Oberseite der KlebstoffSchicht

109 Durchkontaktierung

111 Durchkontaktierung

113 optoelektronisches Halbleiterbauteil

115 optoelektronisches Halbleiterbauteil

117 Oberseite der Durchkontaktierung

119 Metallbeschichtung

121 Unterseite der Durchkontaktierung

123 Oberseite des Halbleiterbauteils

124 Unterseite des Halbleiterbauteils

125 Epi

127 lichtemittierende Fläche

129 elektrische Kontaktfläche des Lötpads

131 Lötpad

201 Moldwerkstoff

203 Gehäuse

205 Oberseite des Gehäuses

207 Unterseite des Gehäuses

501 elektrischer Kontaktabschnitt

503 elektrische Kontaktfläche der Metallbeschichtung

505 Lackschicht

507 Oberseite der Lackschicht

509 Unterseite der Lackschicht

601 elektrische Verbindung

603 zu entfernender Gehäuseabschnitt

701 Metallisierung

703 Metallisierung

801 Konversionsschicht

901 optoelektronische Leuchtvorrichtung

903 optoelektronische Leuchtvorrichtung

1001 Bereitstellen

1003 Beschichten 1005 Bilden einer Lackschicht

1101 Grat

1103 Grat

1105 Rand

1107 Rand

1109 Flanke