OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT VERKAPSELTER SPIEGELSCHICHT Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen

Halbleiterchip .

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2011 010 503.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Insbesondere betrifft die vorliegende Anmeldung einen so genannten Dünnfilm-Leuchtdiodenchip, bei dem das

ursprüngliche Aufwachssubstrat der Halbleiterschichtenfolge abgelöst ist und stattdessen die Halbleiterschichtenfolge an einer dem ursprünglichen Aufwachssubstrat gegenüberliegenden Seite mit einem Träger verbunden ist, der nicht gleich dem Aufwachssubstrat ist. Bei einem derartigen Dünnfilm- Leuchtdiodenchip ist es vorteilhaft, wenn die dem

Trägersubstrat zugewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge mit einer Spiegelschicht versehen ist, um in die Richtung des Trägersubstrats emittierte Strahlung in die Richtung der Strahlungsaustrittsfläche umzulenken und dadurch die

Strahlungsausbeute zu erhöhen.

Für den sichtbaren Spektralbereich ist insbesondere Silber als Material für die Spiegelschicht geeignet, da es sich durch eine hohe Reflexion auszeichnet, wobei Silber aber andererseits empfindlich gegenüber Korrosion ist.

Optoelektronische Halbleiterchips werden in der Regel über ein Bondpad kontaktiert, das auf der dem Trägersubstrat gegenüberliegenden Strahlungsaustrittsfläche angeordnet ist. Dies hat den Nachteil, dass ein Teil der

Strahlungsaustrittsfläche von dem Bondpad abgeschattet wird.

Aus der Druckschrift WO2008/131735 AI ist eine alternative Art zur Kontaktierung eines optoelektronischen

Halbleiterchips bekannt. Bei dem darin beschriebenen

Halbleiterchip sind eine erste und zweite elektrische

Anschlussschicht an einer der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegenden Rückseite des Leuchtdiodenchips angeordnet und mittels einer Trennschicht voneinander isoliert, wobei sich ein Teilbereich der zweiten elektrischen

Anschlussschicht von der Rückseite des Halbleiterchips durch einen Durchbruch der aktiven Schicht hindurch in Richtung zur Vorderseite des Halbleiterchips hin erstreckt. Eine derartige Kontaktierung eines Halbleiterchips hat den Vorteil, dass die Strahlungsaustrittsfläche frei von einem Bondpad ist und somit die emittierte Strahlung nicht abgeschattet wird.

Allerdings geht bei dieser Art der Kontaktierung ein Teil der Licht emittierenden Fläche aufgrund der durch die aktive Schicht hindurch geführte Durchkontaktierung verloren.

Eine Abschattung der Strahlungsaustrittsfläche eines

optoelektronischen Halbleiterchips durch Kontaktstrukturen kann insbesondere dann auftreten, wenn der optoelektronische Halbleiterchip ein elektrisch isolierendes Trägersubstrat aufweist und deshalb beide Kontakte auf der

Strahlungsaustrittseite angeordnet sind.

Der vorliegenden Anmeldung liegt die Aufgabe zugrunde, einen verbesserten optoelektronischen Halbleiterchip mit einem elektrisch isolierendem Trägersubstrat anzugeben, bei dem die Kontaktierung derart gestaltet ist, dass nahezu gesamte

Fläche der Halbleiterschichtenfolge zur Lichtemission genutzt werden kann und keine signifikante Abschattung der Strahlungsaustrittsfläche erfolgt. Weiterhin soll vorteilhaft gleichzeitig die in dem Halbleiterchip enthaltene

Spiegelschicht vor Korrosion geschützt werden.

Diese Aufgaben werden durch einen optoelektronischen

Halbleiterchip gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind

Gegenstand der abhängigen Ansprüche.

Gemäß zumindest einer Ausgestaltung umfasst der

optoelektronische Halbleiterchip ein elektrisch isolierendes Trägersubstrat und eine Halbleiterschichtenfolge, die einen ersten Halbleiterbereich eines ersten Leitungstyps, einen zweiten Halbleiterbereich eines zweiten Leitungstyps und eine dazwischen angeordnete aktive Schicht enthält.

Der erste Halbleiterbereich ist dem Trägersubstrat zugewandt und ist vorzugsweise ein p-Typ-Halbleiterbereich . Der zweite Halbleiterbereich ist der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips zugewandt und ist vorzugweise ein n-Typ- Halbleiterbereich .

Der optoelektronische Halbleiterchip ist vorzugsweise ein so genannter Dünnfilm-Halbleiterchip, bei dem das ursprüngliche Aufwachssubstrat von der Halbleiterschichtenfolge abgelöst ist und die Halbleiterschichtenfolge an der dem

ursprünglichen Aufwachssubstrat gegenüberliegenden Seite mit dem Trägersubstrat verbunden ist.

Zwischen dem Trägersubstrat und der Halbleiterschichtenfolge ist vorteilhaft eine Spiegelschicht angeordnet, die ein

Metall oder eine Metalllegierung aufweist. Die Spiegelschicht kann beispielsweise Aluminium oder Silber aufweisen oder daraus bestehen. Besonders bevorzugt ist Silber als Material für die Spiegelschicht, da sich Silber durch eine hohe

Reflexion im sichtbaren Spektralbereich auszeichnet. Die Spiegelschicht bildet vorteilhaft außerdem einen elektrischen Kontakt zu dem ersten Halbleiterbereich aus.

Weiterhin umfasst der optoelektronische Halbleiterchip eine elektrisch isolierende transparente Verkapselungsschicht, welche die Seitenflanken der Spiegelschicht und die

Seitenflanken der Halbleiterschichtenfolge bedeckt. Die elektrisch isolierende transparente Verkapselungsschicht schützt die Spiegelschicht vor Korrosion. Außerdem werden durch die transparente Verkapselungsschicht die Seitenflanken der Halbleiterschichtenfolge elektrisch isoliert.

Der optoelektronische Halbleiterchip weist eine erstes

Bondpad, das mit dem ersten Halbleiterbereich elektrisch leitend verbunden ist, und ein zweites Bondpad, das mit dem zweiten Halbleiterbereich elektrisch leitend verbunden ist, auf. Das erste Bondpad und das zweite Bondpad sind jeweils lateral versetzt von der Halbleiterschichtenfolge auf einer vom Trägersubstrat aus gesehen der Strahlungsaustrittsfläche zugewandten Seite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet. Die Bondpads sind also insbesondere nicht auf der Strahlungsaustrittsfläche der Halbleiterschichtenfolge angeordnet, sondern neben der Halbleiterschichtenfolge über dem Trägersubstrat. Die Bondpads werden bevorzugt durch mindestens eine

Metallschicht gebildet. Die Bondpads können auch mehrere Teilschichten umfassen, beispielsweise eine Ti/Pt/Au- Schichtenfolge . Vorzugsweise weisen die Bondpads eine oder mehrere reflektierende Schichten auf, die vorzugsweise Ag oder AI enthalten. Insbesondere können die Bondpads durch eine Ag/Ti/Pt/Au-Schichtenfolge oder eine Al/Ti/Pt/Au- Schichtenfolge gebildet sein.

Das erste Bondpad ist vorzugsweise über mindestens eine elektrisch leitende Schicht auf dem Trägersubstrat mit der Spiegelschicht elektrisch leitend verbunden. Insbesondere können mehrere elektrisch leitende Schichten auf dem

Trägersubstrat angeordnet sein, beispielweise eine

Lotschicht, eine Metallisierung wie beispielsweise eine

Ti/Pt/Au-Schichtenfolge und eine elektrisch leitende

Barriereschicht, die zum Beispiel TiW (N) aufweisen kann. Die Spiegelschicht bildet vorzugweise den Anschluss zum ersten Halbleiterbereich, insbesondere den n-Typ-Halbleiterbereich, aus. Auf diese Weise ist der erste Halbleiterbereich mit dem ersten Bondpad elektrisch leitend verbunden.

Zur elektrischen Kontaktierung des zweiten Halbleiterbereichs ist eine Kontaktschicht zumindest auf Teilbereichen der

Strahlungsaustrittsfläche angeordnet. Die Kontaktschicht auf der Strahlungsaustrittsfläche ist mittels einer elektrischen Verbindungsschicht mit dem zweiten Bondpad elektrisch leitend verbunden. Die elektrische Verbindungsschicht ist auf der transparenten Verkapselungsschicht über die Seitenflanken der Halbleiterschichtenfolge zu dem zweiten Bondpad geführt.

Der optoelektronische Halbleiterchip weist keine signifikante Abschattung der Strahlungsaustrittsfläche auf, da

insbesondere die Bondpads nicht auf der

Strahlungsaustrittsfläche, sondern neben der

Halbleiterschichtenfolge auf dem Trägersubstrat angeordnet sind. Innerhalb der Halbleiterschichtenfolge sind keine Kontaktstrukturen durch die aktive Schicht hindurch geführt. Somit kann vorteilhaft die gesamte Fläche der aktiven Schicht zur Strahlungserzeugung genutzt werden. Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung weist die

Spiegelschicht eine kleinere laterale Ausdehnung als die Halbleiterschichtenfolge auf, wobei sich Teilbereiche der transparenten Verkapselungsschicht unter Teilbereiche der Halbleiterschichtenfolge erstrecken. Auf diese Weise wird ein besonders guter Schutz der Spiegelschicht vor Oxidation und/oder dem Eindringen von Feuchtigkeit erzielt.

Vorzugsweise weist die Halbleiterschichtenfolge an allen Seitenflanken des Halbleiterchips einen Überstand über die Spiegelschicht auf. An die Seitenflanken der Spiegelschicht grenzt vorteilhaft ein Zwischenraum an, der zwischen der Halbleiterschichtenfolge und einer auf das Trägersubstrat aufgebrachten Schichtenfolge ausgebildet ist. Dieser

Zwischenraum wird vorteilhaft von der transparenten

Verkapselungsschicht aufgefüllt.

Insbesondere bei dieser Ausgestaltung wird die transparente Verkapselungsschicht vorteilhaft mittels Atomlagenabscheidung (ALD - Atomic Layer Deposition) hergestellt. Mit diesem

Verfahren lassen sich vorteilhaft sehr dichte Schichten mit geringer Defektdichte erzeugen. Weiterhin hat dieses

Verfahren den Vorteil, dass es eine Schichtabscheidung in vergleichsweise kleinen Zwischenräumen ermöglicht,

insbesondere in dem an die Seitenflanken der Spiegelschicht angrenzenden Zwischenraum zwischen der

Halbleiterschichtenfolge und der auf das Trägersubstrat aufgebrachten Schichtenfolge. Die transparente Verkapselungsschicht weist vorzugsweise ein Aluminiumoxid, ein Zirkonoxid, ein Titanoxid, ein Hafniumoxid oder ein Siliziumoxid auf. Diese Materialien sind vorteilhaft transparent und elektrisch isolierend. Die

Verkapselungsschicht kann insbesondere auch mehrere

Teilschichten umfassen, die vorzugsweise jeweils eines dieser Materialien enthalten. Beispielsweise kann die transparente Verkapselungsschicht eine oder mehrere Schichten aus AI ₂ O ₃ , ZrC>2, T1O2 oder HfC>2 enthalten, wobei auf die mindestens eine Teilschicht eine Schutzschicht aus S1O ₂ aufgebracht ist. Auf diese Weise wird zum einen ein guter Schutz der

Spiegelschicht vor Oxidation, dem Eindringen von Wasser und mechanischen Beschädigungen erzielt. Zum anderen wird eine gute elektrische Isolation zwischen der elektrischen

Verbindungsschicht und den Seitenflanken des Halbleiterchips erzielt. Weiterhin wird vorteilhaft mittels der transparenten Verkapselungsschicht eine elektrische Isolation zwischen auf das Trägersubstrat aufgebrachten metallischen Schichten, welche zum elektrischen Anschluss des ersten

Halbleiterbereichs dienen, und der elektrischen

Verbindungsschicht erzielt.

Die transparente Verkapselungsschicht weist vorzugsweise eine Dicke von 1 μπι oder weniger auf. Falls die transparente

Verkapselungsschicht mehrere Teilschichten aufweist, ist unter der Dicke die Gesamtdicke der transparenten

Verkapselungsschicht zu verstehen.

Das elektrisch isolierende Trägersubstrat des

optoelektronischen Halbleiterchips weist vorzugsweise

Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Siliziumoxinitrid oder undotiertes Silizium auf. Ein elektrisch isolierendes

Trägersubstrat ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn der optoelektronische Halbleiterchip auf anderen Bauteilen angeordnet werden soll, und keine elektrische Verbindung gewünscht ist. Beispielsweise kann der optoelektronische Halbleiterchip mit dem isolierenden Trägersubstrat

vorteilhaft direkt auf eine metallische Wärmesenke montiert werden, ohne eine unerwünschte elektrische Verbindung zu der Wärmesenke zu erzeugen.

Der spezifische Widerstand des elektrisch isolierenden

Trägersubstrats beträgt vorzugsweise mindestens 2000 Qcm. Das Trägersubstrat kann an einer von der

Halbleiterschichtenfolge abgewandten Rückseite eine

Passivierungsschicht aufweisen, um insbesondere die

elektrische Isolierung der Rückseite des Trägersubstrats zu verbessern. Die Passivierungsschicht kann insbesondere eine Si0 ₂ ^_ Schicht sein, beispielsweise eine etwa 400 nm dicke Si0 ₂ -Schicht .

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung grenzt das erste Bondpad an mindestens eine Seitenkante des optoelektronischen

Halbleiterchips an. Besonders bevorzugt grenzt das erste Bondpad an zwei Seitenkanten des Halbleiterchips an, d.h. das erste Bondpad ist vorteilhaft in einer Ecke des

optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet. Dies ist ohne das Risiko eines Kurzschlusses an der Seitenkante möglich, da das erste Bondpad vorteilhaft mit den darunter angeordneten elektrisch leitenden Schichten auf dem gleichen elektrischen Potential liegt. Durch die Anordnung des ersten Bondpads an mindestens einer Seitenkante, vorzugsweise in der Ecke des optoelektronischen Halbleiterchips, kann bei vorgegebener Fläche des Halbleiterchips ein vergleichsweise großer

seitlicher Abstand zwischen dem ersten Bondpad und den

Seitenflanken der Halbleiterschichtenfolge erzielt werden. Dies erleichtert den externen Anschluss des ersten Bondpads, insbesondere mittels eines Bonddrahts.

Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung verringert sich die laterale Ausdehnung der elektrischen

Verbindungsschicht in einer Richtung zu dem zweiten Bondpad hin. Insbesondere weist das zweite Bondpad eine größere laterale Ausdehnung auf als die elektrische

Verbindungsschicht in einem Bereich, in dem sie an das zweite Bondpad angrenzt. Die elektrische Verbindungsschicht bildet so einen Anschlusssteg aus, der von der Kontaktschicht über die mit der Verkapselungsschicht isolierten Seitenflanken der Halbleiterschichtenfolge zu dem zweiten Bondpad führt. Dies erleichtert die optische Erkennung des zweiten Bondpads insbesondere dann, wenn die elektrische Verbindungsschicht aus dem gleichen Material wie das zweite Bondpad gebildet ist. Auf diese Weise wird die optische Justierung beim Bonden eines Bonddrahts auf das zweite Bondpad erleichtert.

Insbesondere wird so das Risiko vermindert, dass der

Bonddraht versehentlich neben das zweite Bondpad auf die Seitenflanke der Halbleiterschichtenfolge gebondet wird.

Die Kontaktschicht ist vorzugsweise transparent. Dadurch, dass die Kontaktschicht transparent ist, tritt im Vergleich zu einer absorbierenden Kontaktschicht wie beispielsweise einer Metallschicht keine Abschattung der

Strahlungsaustrittsfläche durch die Kontaktschicht auf.

Dadurch wird die Strahlungsauskopplung und somit die

Effizienz des optoelektronischen Halbleiterchips vorteilhaft erhöht. Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung weist die

Kontaktschicht ein transparentes leitendes Oxid auf.

Besonders bevorzugt handelt es sich bei dem transparenten leitenden Oxid um Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist die

Kontaktschicht derart strukturiert, dass sie nur Teilbereiche der Strahlungsaustrittsfläche bedeckt. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn die als Strahlungsaustrittsfläche dienende Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge zur

Verbesserung der Strahlungsauskoppelung eine

Auskoppelstruktur oder Aufrauung aufweist. In diesem Fall ist die Strahlungsauskopplung aus den von der Kontaktschicht unbedeckten Teilbereichen der Strahlungsaustrittsfläche besonders effizient.

Die Kontaktschicht kann insbesondere einen oder mehrere über die Strahlungsaustrittsfläche verlaufende Kontaktstege aufweisen. Durch die Kontaktstege wird vorteilhaft eine gleichmäßige Stromeinprägung in die Halbleiterschichtenfolge bewirkt. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn die elektrische Verbindungsschicht nur an eine Ecke oder an eine Seitenflanke der Halbleiterschichtenfolge angrenzt.

Die Kontaktstege bilden vorzugsweise eine Gitterstruktur aus. Insbesondere können die Kontaktstege einen um den Rand der Strahlungsaustrittsfläche umlaufenden Randsteg aufweisen, um den Strom insbesondere auch in die Randbereiche des

Halbleiterchips einzuprägen. Ausgehend von dem Randsteg verlaufen vorteilhaft ein oder mehrere Kontaktstege über die Strahlungsaustrittsfläche, um eine möglichst gleichmäßige Stromeinprägung in die Halbleiterschichtenfolge zu erzielen. Die über die Strahlungsaustrittsfläche verlaufenden

Kontaktstege können insbesondere ein rechtwinkliges Gitter ausbilden . Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist die Halbleiterschichtenfolge eine Rechteckform auf, so dass die Halbleiterschichtenfolge in einer Längsrichtung eine größere laterale Ausdehnung als in der Querrichtung aufweist, wobei ein Kontaktsteg entlang der Längsrichtung über die

Strahlungsaustrittsfläche verläuft. Besonders bevorzugt verläuft ein einziger Kontaktsteg in Längsrichtung über die Strahlungsaustrittsfläche. Der einzige Kontaktsteg ist in diesem Fall vorzugsweise mittig auf der

Strahlungsaustrittsfläche angeordnet. Auf diese Weise wird vorteilhaft erreicht, dass erstens keine signifikante

Abschattung der Strahlungsaustrittsfläche erfolgt, und zweitens dennoch eine gute Stromaufweitung erzielt wird. Um die Abschattung der Strahlungsaustrittsfläche durch den mindestens einen Kontaktsteg so gering wie möglich zu halten, weist der Kontaktsteg vorzugsweise eine Breite von 10 μπι oder weniger auf. Unter der Breite des Kontaktstegs wird hierbei die Ausdehnung des Kontaktstegs senkrecht zu seiner

Längsrichtung verstanden.

Die elektrische Verbindungsschicht weist vorzugsweise das gleiche Material oder die gleichen Materialien wie das erste und das zweite Bondpad auf. Insbesondere können die

elektrische Verbindungsschicht sowie das erste und zweite Bondpad gleichzeitig aufgebracht und/oder strukturiert werden .

Die Halbleiterschichtenfolge weist vorzugsweise eine laterale Ausdehnung von 300 μπι oder weniger auf. Insbesondere kann die Halbleiterschichtenfolge einen rechteckigen oder

quadratischen Querschnitt mit Seitenlängen von 300 μπι oder weniger aufweisen. Für derart kleine optoelektronische Halbleiterchips ist die hierein beschriebene Art der

Verkapselung und Kontaktierung besonders vorteilhaft, da bei der herkömmlichen Kontaktierung mit einem Bondpad auf der Strahlungsaustrittsfläche eine vergleichsweise große

Abschattung auftreten würde, da das Bondpad auf einer

vergleichsweise kleinen Strahlungsaustrittsfläche einen relativ großen Anteil der Fläche bedeckt.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von

Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den Figuren 1 bis 5 näher erläutert.

Es zeigen: Figur 1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen optoelektronischen Halbleiterchip gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel,

Figuren 2A bis 21 eine schematische Darstellung eines

Verfahrens zur Herstellung des optoelektronischen

Halbleiterchips gemäß dem ersten

Ausführungsbeispiel anhand von Zwischenschritten,

Figur 3 eine schematische Darstellung einer Aufsicht auf einen optoelektronischen Halbleiterchip gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel,

Figur 4 eine schematische Darstellung einer Aufsicht auf einen optoelektronischen Halbleiterchip gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel, und Figur 5 eine schematische Darstellung einer Aufsicht auf einen optoelektronischen Halbleiterchip gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel. Gleiche oder gleich wirkenden Bestandteile sind in den

Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen .

Der in Figur 1 schematisch im Querschnitt dargestellte optoelektronische Halbleiterchip 1 enthält eine

Halbleiterschichtenfolge 2, die einen ersten

Halbleiterbereich 3 eines ersten Leitungstyps und einen zweiten Halbleiterbereich 5 eines zweiten Leitungstyps aufweist. Vorzugsweise ist der erste Halbleiterbereich 3 ein p-Typ-Halbleiterbereich und der zweite Halbleiterbereich 5 ein n-Typ-Halbleiterbereich . Zwischen dem ersten

Halbleiterbereich 3 und dem zweiten Halbleiterbereich 5 ist eine aktive Zone 4 angeordnet.

Die aktive Zone 4 des optoelektronischen Halbleiterchips 1 ist vorzugsweise eine zur Emission von Strahlung geeignete aktive Zone. Die aktive Zone 4 kann zum Beispiel als pn- Übergang, als Doppelheterostruktur, als Einfach-

Quantentopfstruktur oder Mehrfach-Quantentopfstruktur ausgebildet sein.

Die Halbleiterschichtenfolge 2 des Halbleiterchips 1 basiert vorzugsweise auf einem I I I-V-Verbindungshalbleitermaterial , insbesondere auf einem Arsenid-, Nitrid- oder Phosphid- Verbindungshalbleitermaterial . Beispielsweise kann die

Halbleiterschichtenfolge 2 In _x AlyGa _] _- _x -yN, In _x AlyGa _] __ _x _yP oder In _x AlyGa _] __ _x _yAs , jeweils mit 0 < x < 1, 0 < y < 1 und x + y < 1, enthalten. Dabei muss das III-V- Verbindungshalbleitermaterial nicht zwingend eine

mathematisch exakte Zusammensetzung nach einer der obigen Formeln aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere

Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die physikalischen Eigenschaften des Materials im

wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhalten obige Formeln jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.

Der optoelektronische Halbleiterchip 1 weist ein

Trägersubstrat 11 auf, das vorzugsweise nicht gleich dem Aufwachssubstrat der Halbleiterschichtenfolge 2 ist und beispielsweise mittels einer Verbindungsschicht 12, bei der es sich insbesondere um eine Lotschicht aus einem Metall oder einer Metalllegierung handeln kann, mit dem Halbleiterchip 1 verbunden ist. Das Trägersubstrat 11 ist ein elektrisch isolierendes Substrat, das vorzugsweise einen spezifischen Widerstand von mindestens 2000 Qcm aufweist. Das

Trägersubstrat kann insbesondere A1N, AI ₂ O ₃ , SiON _x oder undotiertes Si aufweisen. Um die Strahlungsausbeute des optoelektronischen

Halbleiterchips 1 zu verbessern, ist zwischen der

Halbleiterschichtenfolge 2 und dem Trägersubstrat 11 eine Spiegelschicht 6 angeordnet. Die Spiegelschicht 6 ist dem ersten Halbleiterbereich 3 an der dem Trägersubstrat 11 zugewandten Seite nachgeordnet und kann insbesondere an die Halbleiterschichtenfolge 2 angrenzen. Es ist auch möglich, dass zwischen dem ersten Halbleiterbereich 3 und der

Spiegelschicht 6 eine Zwischenschicht angeordnet ist, beispielsweise eine dünne Haftvermittlerschicht (nicht dargestellt) . Zwischen dem Trägersubstrat 11 und der

Spiegelschicht 6 sind beispielsweise die Verbindungsschicht 12, insbesondere eine Lotschicht aus einem Metall oder einer Metalllegierung, eine Kontaktmetallisierung 13, bei der es sich insbesondere um eine Ti/Pt/Au-Schichtenfolge handeln kann, und eine Barriereschicht 14 angeordnet, bei der es sich beispielsweise um eine TiW (N) -Schicht handeln kann. Die

Barriereschicht 14 verhindert insbesondere eine Diffusion von Bestandteilen der Spiegelschicht 6 in die

Kontaktmetallisierung 13 oder die Verbindungsschicht 12 und umgekehrt .

Die Spiegelschicht 6 enthält insbesondere Silber, Aluminium oder eine Metalllegierung mit Silber oder Aluminium. Diese Materialien zeichnen sich durch eine hohe Reflektivität im sichtbaren Spektralbereich und eine gute elektrische

Leitfähigkeit aus. Die Spiegelschicht 6 hat zum einen die Funktion, von der aktiven Schicht 4 in Richtung des

Trägersubstrats 11 emittierte Strahlung zur

Strahlungsauskoppelfläche 15 zu reflektieren. Weiterhin dient die Spiegelschicht 6 auch zur elektrischen Kontaktierung des ersten Halbleiterbereichs 3. Der optoelektronische Halbleiterchip 1 weist ein erstes

Bondpad 19, das mit dem ersten Halbleiterbereich 3 elektrisch leitend verbunden ist, und ein zweites Bondpad 9, das mit dem zweiten Halbleiterbereich 5 elektrisch leitend verbunden ist, auf. Das erste Bondpad 19 und das zweite Bondpad 9 sind jeweils lateral versetzt von der Halbleiterschichtenfolge 2 auf einer vom Trägersubstrat 11 aus gesehen der

Strahlungsaustrittsfläche 15 zugewandten Seite des

optoelektronischen Halbleiterchips 1 angeordnet. Die Bondpads 9, 19 sind also insbesondere nicht auf der

Strahlungsaustrittsfläche 15 der Halbleiterschichtenfolge 2 angeordnet, sondern neben der Halbleiterschichtenfolge 2 über dem Trägersubstrat 11. Das erste Bondpad 19 grenzt sogar direkt an mindestens eine Seitenkante 22 des Halbleiterchips 1 an und ist vorzugsweise in einer Ecke des Halbleiterchips 1 angeordnet .

Die Bondpads 9, 19 werden bevorzugt durch mindestens eine Metallschicht gebildet. Die Bondpads können auch mehrere Teilschichten umfassen, beispielsweise eine Ti/Pt/Au- Schichtenfolge . Vorzugsweise weisen die Bondpads 9, 19 eine reflektierende Schicht auf, die vorzugsweise Ag oder AI enthalten. Insbesondere können die Bondpads durch eine

Ag/Ti/Pt/Au-Schichtenfolge oder eine Al/Ti/Pt/Au- Schichtenfolge gebildet sein.

Das erste Bondpad 19 ist vorzugsweise über mindestens eine elektrisch leitende Schicht 12, 13, 14 auf dem Trägersubstrat 11 mit der Spiegelschicht 6 elektrisch leitend verbunden.

Insbesondere können mehrere elektrisch leitende Schichten 12, 13, 14 auf dem Trägersubstrat angeordnet sein, beispielweise eine Lotschicht 12, eine Metallisierung 13 wie beispielsweise eine Ti/Pt/Au-Schichtenfolge und ein elektrisch leitende Barriereschicht 14, die zum Beispiel TiW (N) aufweisen kann. Die Spiegelschicht 6 bildet vorzugweise den Anschluss zum ersten Halbleiterbereich 3, insbesondere den n-Typ- Halbleiterbereich, aus. Auf diese Weise ist der erste

Halbleiterbereich 3 mit dem ersten Bondpad 19 elektrisch leitend verbunden.

Die elektrische Kontaktierung des zweiten Halbleiterbereichs 5 erfolgt mittels einer Kontaktschicht 7, die zumindest auf Teilbereichen der Strahlungsaustrittsfläche 15 des Halbleiterchips 1 angeordnet ist. Die Oberfläche der

Halbleiterschichtenfolge 2, welche die

Strahlungsaustrittsfläche 15 des Halbleiterchips 1 ausbildet, weist vorzugsweise eine Aufrauung oder Auskoppelstruktur 18 auf, um die Strahlungsauskopplung aus der

Halbleiterschichtenfolge 2 zu verbessern.

Die Kontaktschicht 7 ist vorzugweise transparent. Die

transparente Kontaktschicht 7 weist insbesondere ein

transparentes leitendes Oxid auf, beispielweise Indium-Zinn- Oxid. Dadurch, dass die Kontaktschicht 7 auf der

Strahlungsaustrittsfläche 15 transparent ist, wird die

Auskopplung von Strahlung aus dem optoelektronischen

Halbleiterchip 1 vorteilhaft nicht oder nur unwesentlich beeinträchtigt .

Um die Strahlungsauskopplung aus der

Strahlungsaustrittsfläche 15 durch die Kontaktschicht 7 so wenig wie möglich zu beeinträchtigen, ist es besonders vorteilhaft, wenn die Kontaktschicht 7 nur Teilbereiche der Strahlungsaustrittsfläche 15 bedeckt. Insbesondere kann die transparente Kontaktschicht 7 einen oder mehrere über die Strahlungsaustrittsfläche 15 verlaufende Kontaktstege (nicht dargestellt) aufweisen, die insbesondere eine Gitterstruktur ausbilden können.

Bei dem Halbleiterchip 1 sind die Seitenflanken 21 der

Halbleiterschichtenfolge 2 und die Seitenflanken 16 der

Spiegelschicht 6 von einer elektrisch isolierenden

transparenten Verkapselungsschicht 10 bedeckt. Die

Verkapselungsschicht 10 hat zum einen die Funktion, die

Spiegelschicht 6 vor Korrosion zu schützen. Insbesondere wird die Spiegelschicht 6 durch die Verkapselungsschicht 10 vor Oxidation oder dem Eindringen von Feuchtigkeit geschützt. Die Seitenflanken 16 der Spiegelschicht 6 sind vorzugsweise allseitig von der Verkapselungsschicht 10 umgeben, sodass die Spiegelschicht 6 an keiner Stelle direkt an das

Umgebungsmedium angrenzt.

Die transparente Verkapselungsschicht 10 weist vorzugsweise mindestens eines der Materialien AI2O3, ZrC>2, T1O2, Hf02 oder S1O ₂ auf. Bei einer Ausgestaltung kann die transparente

Verkapselungsschicht 10 mindestens zwei Teilschichten

aufweisen. Beispielsweise kann die Verkapselungsschicht 10 eine Grundschicht aus Aluminiumoxid, Zirkonoxid, Titanoxid oder Hafniumoxid und eine Deckschicht aus Siliziumoxid aufweisen. Eine derartige transparente Verkapselungsschicht 10 schützt die Spiegelschicht 6 besonders effektiv vor

Korrosion und/oder dem Eindringen von Feuchtigkeit. Die Dicke der transparenten Verkapselungsschicht 10 beträgt

vorzugsweise 1 μπι oder weniger. Wenn die transparente

Verkapselungsschicht 10 mehrlagig ausgeführt ist, ist unter der Dicke der Verkapselungsschicht 10 die Gesamtdicke zu verstehen .

Bei einer besonders bevorzugten Ausgestaltung weist die

Spiegelschicht 6 eine kleinere laterale Ausdehnung als die

Halbleiterschichtenfolge 2 auf, sodass sich Teilbereiche 10a der transparenten Verkapselungsschicht 10 unter die

Halbleiterschichtenfolge 2 erstrecken. Die Seitenflanken 16 der Spiegelschicht 6 sind bei dieser Ausgestaltung

vorteilhaft von den Seitenflanken 21 der

Halbleiterschichtenfolge 2 beabstandet. Der Abstand zwischen den Seitenflanken 21 der Halbleiterschichtenfolge 2 und den Seitenflanken 16 der Spiegelschicht 6 beträgt bevorzugt zwischen 0,5 μπι und 5 μπι, besonders bevorzugt etwa 3 μπι. Auf diese Weise wird die Spiegelschicht 6 besonders effektiv geschützt . Die Kontaktschicht 7 auf der Strahlungsaustrittsfläche 15 ist mittels einer elektrischen Verbindungsschicht 8 mit dem zweiten Bondpad 9 verbunden. Die elektrische

Verbindungsschicht 8 weist vorzugsweise das gleiche Material oder die gleichen Materialien wie das erste Bondpad 19 und das zweite Bondpad 9 auf. Insbesondere können die elektrische Verbindungsschicht 8 sowie das erste und zweite Bondpad 9, 19 gleichzeitig aufgebracht und/oder strukturiert werden.

Das erste und zweite Bondpad 9, 19 sind in lateraler Richtung in einem Abstand von der Halbleiterschichtenfolge 2

angeordnet und bedecken insbesondere nicht die

Strahlungsaustrittsfläche 15. Um das zweite Bondpad 9 mit der Kontaktschicht 7 zu verbinden, ist die elektrische

Verbindungsschicht 8 auf der transparenten

Verkapselungsschicht 10 über die Seitenflanken 21 der

Halbleiterschichtenfolge 2 zu dem zweiten Bondpad 9 geführt.

Insbesondere verläuft die elektrische Verbindungsschicht 8 von einem Randbereich der Strahlungsaustrittsfläche 15, an dem die elektrische Verbindungsschicht 8 an die transparente Kontaktschicht 7 angeschlossen ist, über einen Teilbereich der Verkapselungsschicht 10, welcher die Seitenflanken 21 der Halbleiterschichtenfolge 2 bedeckt, bis auf einen Bereich der Verkapselungsschicht 10, der das Trägersubstrat 11 mit den darauf aufgebrachten Schichten 12, 13, 14 bedeckt. Das zweite Bondpad 9 grenzt an den Bereich der elektrischen

Verbindungsschicht 8 an, der von den Seitenflanken 21 der Halbleiterschichtenfolge 2 beabstandet ist und parallel zu Hauptebene der Halbleiterschichtenfolge 2 auf der oberhalb des Trägersubstrats 11 angeordneten Verkapselungsschicht 10 verläuft . Ein Ausführungsbeispiel eines Herstellungsverfahrens zur

Herstellung des in Figur 1 dargestellten optoelektronischen Halbleiterchips wird im Folgenden anhand der Figuren 2A bis 21 erläutert. Bei dem in Figur 2A dargestellten Zwischenschritt des

Verfahrens ist die Halbleiterschichtenfolge 2, die den ersten Halbleiterbereich 3, die aktive Zone 4 und den zweiten

Halbleiterbereich 5 umfasst, auf ein Aufwachssubstrat 20 angewachsen worden. Das Aufwachsen erfolgt vorzugsweise epitaktisch, insbesondere mittels MOVPE . Die

Halbleiterschichtenfolge 2 kann beispielsweise

Nitridverbindungs-Halbleitermaterialien enthalten und das Aufwachssubstrat 20 ein Saphirsubstrat sein. Der erste

Halbleiterbereich 3 ist vorzugsweise ein p-Typ- Halbleiterbereich und der zweite Halbleiterbereich 5 ist vorzugsweise ein n-Typ-Halbleiterbereich .

Bei dem in Figur 2B dargestellten Zwischenschritt ist eine Spiegelschicht 6 auf die dem Aufwachssubstrat 20

gegenüberliegende Grenzfläche der Halbleiterschichtenfolge 2 aufgebracht worden. Die Spiegelschicht 6 grenzt also

vorzugsweise an den p-Typ-Halbleiterbereich 3 an. Die

Spiegelschicht 6 enthält vorzugsweise Silber. Auf die Spiegelschicht 6 ist eine Barriereschicht 14

aufgebracht worden, die beispielsweise TiW (N) enthalten kann. Die Barriereschicht 14 hat die Funktion, eine Diffusion des Materials der Spiegelschicht 6 in nachfolgende

Metallisierungsschichten und umgekehrt zu unterbinden.

Auf die Barriereschicht 14 folgt eine Metallisierung 13, die mehrere Teilschichten aufweisen kann, insbesondere eine

Ti/Pt/Au-Schichtenfolge .

Die auf diese Weise hergestellte Schichtenfolge ist an der dem Aufwachssubstrat 20 gegenüberliegenden Seite,

beispielsweise mittels einer Verbindungsschicht 12, mit einem elektrisch isolierenden Trägersubstrat 11 verbunden worden. Die Verbindungsschicht 12 kann beispielsweise eine Lotschicht sein . Bei dem in Figur 2C dargestellten Zwischenschritt ist das Aufwachssubstrat 20 von der Halbleiterschichtenfolge 2 abgelöst worden. Der optoelektronische Halbleiterchip 1 ist im Vergleich zu den vorherigen Figuren um 180° gedreht dargestellt, da nun das dem ursprünglichen Aufwachssubstrat 20 gegenüberliegende Trägersubstrat 11 als alleiniger Träger des Halbleiterchips 1 fungiert. Das Aufwachssubstrat 20, insbesondere ein Saphirsubstrat, kann z. B. mittels eines Laser-Lift-Off-Prozesses von der Halbleiterschichtenfolge 2 abgelöst werden.

Bei dem in Figur 2D dargestellten Zwischenschritt ist die nun freigelegte Oberfläche des zweiten Halbleiterbereichs 5 mit einer Auskoppelstruktur 18 versehen worden. Die

Auskoppelstruktur 18 kann beispielsweise durch Ätzen mit KOH hergestellt werden. Auf diese Weise wird die

Strahlungsauskopplung der von der aktiven Schicht 4

emittierten Strahlung verbessert, da die Oberfläche des zweiten Halbleiterbereichs 5 im fertigen Halbleiterchip als Strahlungsaustrittsfläche 15 dient.

Bei dem in Figur 2E dargestellten Zwischenschritt ist auf die zuvor mit einer Auskoppelstruktur 18 versehene Oberfläche des zweiten Halbleiterbereichs 5, der vorzugsweise ein n-Typ- Halbleiterbereich ist, die Kontaktschicht 7 aufgebracht worden. Die Kontaktschicht 7 weist vorzugsweise ein

transparentes leitendes Oxid wie beispielsweise ITO auf und kann beispielsweise eine Dicke von etwa 250 nm aufweisen. Vorzugsweise wird die Oberfläche des zweiten

Halbleiterbereichs 5 vor dem Aufbringen der transparenten Kontaktschicht 7 mit induktivem Plasmaätzen behandelt, um den elektrischen Anschluss der transparenten Kontaktschicht 7 an das Halbleitermaterial des zweiten Halbleiterbereichs 5 zu verbessern .

Bei dem in Figur 2F dargestellten Zwischenschritt ist die Halbleiterschichtenfolge 2 zu einer Mesa-Struktur

strukturiert worden. Dabei sind Randbereiche der

Halbleiterschichtenfolge 2 bis zur Spiegelschicht 6

abgetragen worden, um eine Halbleiterschichtenfolge 2 mit einer gewünschten Form und Größe herzustellen. Die

Strukturierung erfolgt vorzugsweise fotolithografisch, wobei als Ätzmittel beispielsweise H ₃ PO ₄ verwendet werden kann.

Bei einem nachfolgenden in Figur 2G dargestellten

Verfahrensschritt ist die Spiegelschicht 6 mit einem

Ätzprozess derart strukturiert worden, dass sie eine kleinere laterale Ausdehnung als die Halbleiterschichtenfolge 2 aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge 2 weist vorzugsweise allseitig einen Überstand über die Spiegelschicht 6 auf. An die Seitenflanken 16 der Spiegelschicht 6 grenzt also jeweils ein Zwischenraum an, der zwischen der

Halbleiterschichtenfolge 2 und der Barriereschicht 14

ausgebildet ist. Insbesondere weisen die Seitenflanken 16 der Spiegelschicht 6 einen Abstand zu den Seitenflanken 21 der Halbleiterschichtenfolge 2 auf. Der Abstand beträgt

vorzugsweise zwischen 0,5 μπι und 5 μπι.

Auf die auf diese Weise hergestellte Schichtenfolge ist bei dem in Figur 2H dargestellten Zwischenschritt eine elektrisch isolierende transparente Verkapselungsschicht 10 aufgebracht worden. Die transparente Verkapselungsschicht 10 enthält bevorzugt zumindest eines der Materialien AI ₂ O ₃ , Zr02, T1O ₂ , HfC>2 oder S1O2. Die transparente Verkapselungsschicht 10 wird vorzugsweise mittels Atomlagenabscheidung (ALD - Atomic Layer Deposition) hergestellt. Mit diesem Verfahren zur

Schichtabscheidung können vorteilhaft besonders reine und dichte Schichten abgeschieden werden. Weiterhin hat dieses Verfahren den Vorteil, dass eine Schichtabscheidung auch in vergleichsweise kleinen Zwischenräumen möglich ist,

insbesondere in den an die Seitenflanken 16 der

Spiegelschicht 6 angrenzenden Zwischenräumen zwischen der Halbleiterschichtenfolge 2 und der Barriereschicht 14.

Bei dem in Figur 21 dargestellten Zwischenschritt sind eine erste Öffnung 23 und eine zweite Öffnung 24 in der

Verkapselungsschicht 10 erzeugt worden. Die erste Öffnung 23 legt einen Teilbereich der Barriereschicht 14 frei, um dort das erste Bondpad aufbringen zu können. Die zweite Öffnung 24 legt die mit der transparenten Kontaktschicht 7 bedeckte Strahlungsaustrittsfläche 15 des optoelektronischen

Halbleiterchips 1 frei. Die Öffnungen 23, 24 in der

Verkapselungsschicht 10 können beispielsweise durch Ätzen mittels gepufferter Flusssäure (BOE - Buffered Oxide Etch) hergestellt werden.

Um den in Fig. 1 dargestellten optoelektronischen

Halbleiterchip 1 fertig zu stellen, wird nachfolgend eine Metallisierung, beispielsweise eine Ag/Ti/Pt/Au-oder

Al/Ti/Pt/Au-Schichtenfolge, aufgebracht und strukturiert, welche die elektrische Verbindungsschicht 8, das erste

Bondpad 19 und das zweite Bondpad 9 ausbildet. Die

Strukturierung erfolgt beispielsweise durch Fotolithographie. Die elektrische Verbindungsschicht 8, das erste Bondpad 19 und das zweite Bondpad 9 werden bei dem Verfahren vorteilhaft gemeinsam erzeugt und strukturiert. In den folgenden Figuren 3 bis 5 sind weitere

Ausführungsbeispiele in Aufsichten dargestellt, deren

Schichtaufbau abgesehen von den jeweils erläuterten Details dem des ersten Ausführungsbeispiels entspricht. Details dieser Ausführungsbeispiele ergeben sich daher aus der

Beschreibung des ersten Ausführungsbeispiels und umgekehrt.

Bei dem in Figur 3 in einer Aufsicht dargestellten

Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Halbleiterchips 1 ist die transparente Kontaktschicht 7, die über die

Strahlungsaustrittsfläche 15 verläuft, nicht ganzflächig aufgebracht, sondern weist eine Vielzahl von Kontaktstegen 17 auf. Die Kontaktstege 17 bilden auf der

Strahlungsaustrittsfläche 15 eine Gitterstruktur aus. Bei der Gitterstruktur handelt es sich bei dem Ausführungsbeispiel um ein rechtwinkliges Gitter, bei dem die Kontaktstege 17 in beispielsweise acht Zeilen und acht Spalten angeordnet sind. Die Strukturierung der transparenten Kontaktschicht 7 zu Kontaktstegen 17, insbesondere zu einer Gitterstruktur, hat den Vorteil, dass einerseits eine gute Stromaufweitung erzielt wird, d. h. dass der Strom gleichmäßig über die gesamte Querschnittsfläche der Halbleiterschichtenfolge in den Halbleiterchip 1 eingeprägt wird. Weiterhin verbleiben zwischen den Kontaktstegen 17 Bereiche, in denen die

Strahlungsaustrittsfläche 15 frei von der Kontaktschicht 7 ist, sodass auf diese Weise eine besonders gute

Strahlungsauskopplung erzielt wird.

Die aus den Kontaktstegen 17 gebildete transparente

Kontaktschicht 7 ist mittels einer elektrischen

Verbindungsschicht 8 mit dem zweiten Bondpad 9 elektrisch leitend verbunden.

Die elektrische Verbindungsschicht 8 weist einen Bereich 8a auf, in dem sie in einem Randbereich der

Strahlungsaustrittsfläche 15 an die transparente

Kontaktschicht 7 anschließt. Ein weiterer Teil 8b der elektrischen Verbindungsschicht 8 verläuft über die mit der Verkapselungsschicht 10 versehenen Seitenflanken 21 des Halbleiterchips 1. Ein dritter Bereich 8c der elektrischen Verbindungsschicht ist auf einem parallel zur Hauptebene der Halbleiterschichtenfolge verlaufenden Bereich der

transparenten Verkapselungsschicht 10 angeordnet. An diesen Bereich 8c der elektrischen Verbindungsschicht 8 grenzt lateral von der Halbleiterschichtenfolge versetzt das zweite Bondpad 9 an. Das erste Bondpad 19 ist an einer

gegenüberliegenden Ecke des Halbleiterchips 1 angeordnet und grenzt dort an die Seitenkanten 22 des Halbleiterchips an. Vorzugsweise sind sowohl das erste Bondpad 19 als auch das zweite Bondpad 9 an Ecken des optoelektronischen

Halbleiterchips 1 angeordnet. Dadurch, dass die Bondpads 9, 19 lateral versetzt von der Halbleiterschichtenfolge

angeordnet sind, wird die Strahlungsauskopplung durch die Strahlungsaustrittsfläche 15 nicht von den Bondpads 9, 19 beeinträchtigt. Diese Art der elektrischen Kontaktierung ist besonders vorteilhaft für optoelektronische Halbleiterchips 1, deren Seitenlänge etwa 300 μπι oder weniger beträgt. Bei derartigen vergleichsweise kleinen optoelektronischen

Halbleiterchips 1 würde bei einer Anordnung eines Bondpads auf der Strahlungsaustrittsfläche 15 ein signifikanter Teil der emittierten Strahlung durch absorbierendes Material des Bondpads absorbiert werden.

In Figur 4 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des

optoelektronischen Halbleiterchips 1 in einer Aufsicht dargestellt. Der optoelektronische Halbleiterchip 1 ist im Wesentlichen wie das in Figur 3 dargestellte

Ausführungsbeispiel ausgebildet, es unterscheidet sich von dem vorherigen Ausführungsbeispiel nur in der Ausgestaltung der elektrischen Verbindungsschicht 8 und des zweiten

Bondpads 9. Die laterale Ausdehnung der elektrischen

Verbindungsschicht 8 verringert sich in der Richtung zu dem zweiten Bondpad 9 hin. Das zweite Bondpad 9 weist eine größere laterale Ausdehnung auf als die elektrische

Verbindungsschicht 8 in einem Bereich, in dem sie an das zweite Bondpad 9 angrenzt. Die elektrische Verbindungsschicht 8 bildet so einen Anschlusssteg aus, der von der

Kontaktschicht 7 über die mit der Verkapselungsschicht 10 isolierten Seitenflanken 21 der Halbleiterschichtenfolge zu dem zweiten Bondpad 9 führt. Dies erleichtert die optische Erkennung des zweiten Bondpads 9, weil die elektrische Verbindungsschicht 8 vorzugsweise aus dem gleichen Material wie das zweite Bondpad gebildet 9 ist. Auf diese Weise wird die optische Justierung beim Bonden eines Bonddrahts auf das zweite Bondpad 9 erleichtert. Insbesondere wird so das Risiko vermindert, dass der Bonddraht versehentlich neben das zweite Bondpad 9 auf die Seitenflanke 21 der

Halbleiterschichtenfolge gebondet wird.

In Figur 5 ist eine Aufsicht auf ein weiteres

Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Halbleiterchips 1 dargestellt. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist der

Halbleiterchip 1 rechteckförmig ausgebildet. Die

Halbleiterschichtenfolge 2 weist also in ihrer Längsrichtung eine größere laterale Ausdehnung auf als in ihrer

Querrichtung. Die Kontaktschicht 7 wird bei diesem

Ausführungsbeispiel durch einen einzigen Kontaktsteg 17 gebildet. Der Kontaktsteg 17 verläuft vorzugsweise in der Längsrichtung mittig über die Strahlungsaustrittsfläche 15. Auf diese Weise kann trotz der Verwendung eines einzigen Kontaktstegs eine relativ gleichmäßige Stromeinprägung in die Halbleiterschichtenfolge erzielt werden. Weiterhin tritt nur eine sehr geringe Abschattung der Strahlungsaustrittsfläche 15 durch den Kontaktsteg 17 auf. Bevorzugt beträgt die Breite des Kontaktstegs, also seine Ausdehnung senkrecht zu seiner Längsrichtung, nur 10 μπι oder weniger. Da der Kontaktsteg 17 nur einen sehr geringen Anteil der Strahlungsaustrittsfläche 15 bedeckt, muss er nicht notwendigerweise aus einem

transparenten Material wie beispielsweise ITO gebildet sein. Stattdessen ist es möglich, dass der Kontaktsteg 17 wie die Bondpads 9, 19 und die elektrische Verbindungsschicht 8 aus einer oder mehreren Metallschichten gebildet ist.

Insbesondere können die Bondpads 9, 19, die elektrische

Verbindungsschicht 8 und der Kontaktsteg 17 aus mindestens einer reflektierenden Metallschicht, die vorteilhaft Ag oder AI enthält, und einer darauf aufgebrachten Ti/Pt/Au- Schichtenfolge gebildet sein. Die reflektierende

Metallschicht hat den Vorteil, dass auf den Kontaktsteg auftreffende Strahlung in die Halbleiterschichtenfolge zurück reflektiert und somit nicht absorbiert wird.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die

Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von

Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.