Beschreibung

Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches

Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips

Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.

Darüber hinaus werden eine Leuchtdiode, ein

optoelektronisches Halbleiterbauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und einer Leuchtdiode angegeben.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen

optoelektronischen Halbleiterchip sowie eine Leuchtdiode mit einer effizienten Strahlungsauskopplung anzugeben, indem zum Beispiel die abschattende Fläche von Kontaktstrukturen minimiert wird. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement anzugeben, in dem eine Mehrzahl von den genannten Halbleiterchips und/oder Leuchtdioden verarbeitet ist. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Halbleiterchips sowie einer solchen

Leuchtdiode anzugeben. Diese Aufgaben werden durch die Gegenstände und das Verfahren der unabhängigen Patentansprüche sowie durch die abhängigen Patentansprüche 11, 14 und 20 gelöst. Vorteilhafte

Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand der übrigen abhängigen Patentansprüche.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der

optoelektronische Halbleiterchip einen Grundkörper mit einem Träger und einer auf einer Oberseite des Trägers angeordneten Halbleiterschichtenfolge. Bevorzugt erstreckt sich die

Halbleiterschichtenfolge durchgehend, zusammenhängend und unterbrechungsfrei über die Oberseite des Trägers und bedeckt die Oberseite des Trägers nahezu vollständig, zum Beispiel zu zumindest 90 % oder 95 % oder 99 %. Die

Halbleiterschichtenfolge ist dazu eingerichtet, im

bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung insbesondere im sichtbaren Wellenlängenbereich zwischen 400 nm und 800 nm zu emittieren oder zu absorbieren. Der Träger ist bevorzugt einstückig ausgebildet.

Die Halbleiterschichtenfolge basiert zum Beispiel auf einem III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial . Bei dem

Halbleitermaterial handelt es sich beispielsweise um ein Nitrid-Verbindungs-Halbleitermaterial , wie Al _n In _] __ _n _ _m Ga _m N, oder um ein Phosphid-Verbindungs-Halbleitermaterial , wie Al _n In _] __ _n _ _m Ga _m P, oder auch um ein Arsenid-Verbindungs- Halbleitermaterial , wie Al _n In _] __ _n _ _m Ga _m As, wobei jeweils 0 -S n < 1, 0 -S m < 1 und m + n < 1 ist. Dabei kann die

Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche

Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also AI, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.

Bevorzugt basiert die Halbleiterschichtenfolge auf AlInGaN.

Die Halbleiterschichtenfolge umfasst bevorzugt eine aktive Schicht, die wenigstens einen p-n-Übergang und/oder eine Quantentopfstruktur in Form eines einzelnen Quantentopfs, kurz SQW, oder in Form einer Multiquantentopfstruktur, kurz MQW, aufweist. Der Träger ist bevorzugt selbsttragend und zur mechanischen Stabilisierung des Grundkörpers eingerichtet. Es bedarf im Grundkörper also außer dem Träger dann keiner weiteren

Stabilisierungsmaßnahmen .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der

optoelektronische Halbleiterchip zwei auf der

Halbleiterschichtenfolge angeordnete und vom Träger

abgewandte Kontaktflächen auf, über die die

Halbleiterschichtenfolge elektrisch kontaktierbar ist. Die Kontaktflächen sind also auf vom Träger abgewandten Seiten der Halbleiterschichtenfolge angeordnet und verlaufen

beispielsweise im Wesentlichen parallel zur Oberseite des Trägers. Elektrisch kontaktierbar bedeutet hier insbesondere, dass die Halbleiterschichtenfolge über die zwei

Kontaktflächen elektrisch angeschlossen werden kann. Die Kontaktflächen sind zum Beispiel an zwei sich

gegenüberliegenden Randbereichen der Oberseite des Trägers angeordnet und sind bevorzugt aus einem Halbleitermaterial der Halbleiterschichtenfolge gebildet. Sollte die

Halbleiterschichtenfolge mehr als zwei Kontaktflächen zur elektrischen Kontaktierung aufweisen, sind zum Beispiel alle diese Kontaktflächen auf vom Träger abgewandten Seiten der Halbleiterschichtenfolge angeordnet .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind zwei

Kontaktelemente auf die Kontaktflächen aufgebracht und mit diesen elektrisch leitend verbunden. Die Kontaktelemente dienen bevorzugt dazu, einen elektrischen Kontakt zur

Halbleiterschichtenfolge herzustellen. Dazu können die

Kontaktelemente beispielsweise ein Metall oder eine

Metalllegierung oder ein Halbleitermaterial oder ein transparentes, leitfähiges Material aufweisen oder daraus bestehen .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Träger des Grundkörpers quer zur Oberseite verlaufende Seitenflächen und eine der Oberseite gegenüberliegende Unterseite auf. Die Seitenflächen verbinden also die Oberseite mit der

Unterseite. Insbesondere kann der Träger würfel- oder

quaderförmig ausgebildet sein, wobei die Oberseite und die Unterseite beispielsweise Hauptseiten des Trägers, also die Seiten mit den größten Flächen im Grundkörper, darstellen. Die Unterseite und die Seitenflächen des Trägers bilden beispielsweise auch gleichzeitig eine Unterseite und

Seitenflächen des Grundkörpers.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die

Kontaktelemente als Leiterbahnen ausgebildet. Die

Leiterbahnen sind dabei über Kanten des Grundkörpers bis auf die Seitenflächen des Trägers geführt. Insbesondere verlaufen die Leiterbahnen also ausgehend von den Kontaktflächen zunächst parallel zu einer Haupterstreckungsrichtung der Halbleiterschichtenfolge, knicken dann über die Kanten des Grundkörpers ab und verlaufen anschließend parallel zu den Seitenflächen des Trägers. Folglich ist bevorzugt ein Teil der Halbleiterschichtenfolge zwischen den Kontaktelementen und dem Träger angeordnet. Um Kurzschlüsse zwischen den

Kontaktelementen und der Halbleiterschichtenfolge im Bereich der Kanten zu vermeiden, kann die Halbleiterschichtenfolge mit einer Passivierung, zum Beispiel aus S1O2, versehen sein. Die Passivierung ist dabei beispielsweise schon Bestandteil des Grundkörpers. In mindestens einer Ausführungsform umfasst der

optoelektronische Halbleiterchip einen Grundkörper mit einem Träger und einer auf einer Oberseite des Trägers angeordneten Halbleiterschichtenfolge, die im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung emittiert oder absorbiert.

Ferner umfasst der Halbleiterchip zwei auf der

Halbleiterschichtenfolge angeordnete und vom Träger

abgewandte Kontaktflächen, über die die

Halbleiterschichtenfolge elektrisch kontaktierbar ist. Der Halbleiterchip weist außerdem zwei Kontaktelemente auf, die auf den Kontaktflächen aufgebracht sind und mit diesen elektrisch leitend verbunden sind. Der Träger des

Grundkörpers umfasst quer zur Oberseite verlaufende

Seitenflächen und eine der Oberseite gegenüberliegende

Unterseite. Die Kontaktelemente sind als Leiterbahnen

ausgebildet, die ausgehend von den Kontaktflächen über Kanten des Grundkörpers bis auf die Seitenflächen des Trägers geführt sind. Der hier beschriebenen Erfindung liegt unter anderem die Erkenntnis zugrunde, dass üblicherweise verwendete

Kontaktdrähte, englisch bond wires, zur Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge eine verhältnismäßig große

Abschattung der von der Halbleiterschichtenfolge emittierten Strahlung bewirken. Dieses liegt vor allem daran, dass die Kontaktdrähte nicht bündig oder formschlüssig an dem

Halbleiterchip anliegen, sondern vom Halbleiterchip

bogenartig weggeführt sind. Dies resultiert wiederum in einer vergleichsweise großen Länge der Kontaktdrähte und damit geht eine große abschattende Fläche der Kontaktdrähte einher. Außerdem erhöhen die Kontaktdrähte, bedingt durch ihre geometrische Form, die lateralen und vertikalen Ausdehnungen des gesamten Halbleiterbauelements oder Halbleiterchips. Bei der hier beschriebenen Erfindung wird unter anderem von der Idee Gebrauch gemacht, die Kontaktelemente nicht als Kontaktdrähte, sondern als Leiterbahnen auszubilden, die von den Kontaktflächen bis auf die Seitenflächen des Grundkörpers geführt sind und bevorzugt formschlüssig und direkt an dem Grundkörper anliegen. Dadurch werden die gesamte Länge und damit die abschattende Fläche der Kontaktelemente reduziert. Ferner kann durch das bündige und formschlüssige Anliegen der Kontaktelemente an dem Grundkörper sowohl die vertikale als auch die laterale Ausdehnung des gesamten Halbleiterchips reduziert werden.

Ferner sind die Kontaktelemente bei der Erfindung

größtenteils von der Halbleiterschichtenfolge auf die

Seitenflächen verschoben, sodass ein größerer Teil der Fläche der Halbleiterschichtenfolge zur Lichtemission bereit steht.

Darüber hinaus können die Leiterbahnen für einen effizienten Wärmeabtransport der im Halbleiterchip erzeugten Wärme dienen .

Hier und im Folgenden wurden oder werden Eigenschaften für beide Kontaktelemente angegeben. Jedoch können diese

Eigenschaften auch jeweils nur von einem der Kontaktelemente erfüllt sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die

Kontaktelemente als einstückige Leiterbahnen ausgebildet. Insbesondere sind die Leiterbahnen also aus einem einzigen Material oder aus einer einzigen Materialzusammensetzung gebildet. Alternativ ist es aber auch möglich, dass die

Leiterbahnen mehrere übereinander geschichtete Schichten unterschiedlicher Materialien, zum Beispiel unterschiedlicher Metalle, aufweisen. Insbesondere verlaufen die Leiterbahnen von den Kontaktflächen zu den Seitenflächen durchgehend, zusammenhängend und unterbrechungsfrei.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegen die

Kontaktelemente ausgehend von den Kontaktflächen bis hin zu den Seitenflächen formschlüssig an den Grundkörper an. Das heißt zum Beispiel, dass die Kontaktelemente im gesamten Bereich der Kontaktflächen und der Seitenflächen

formschlüssig am Grundkörper anliegen, also in direktem

Kontakt mit dem Grundkörper sind und keine Lücken oder Spalte zwischen den Leiterbahnen und dem Grundkörper gebildet sind. Der Grundkörper besteht dabei nicht zwangsläufig nur aus dem Träger und der Halbleiterschichtenfolge. Vielmehr können sowohl der Träger als auch die Halbleiterschichtenfolge von weiteren Schichten, beispielsweise Passivierungsschichten und/oder Spiegelschichten, überzogen sein, auf denen dann zum Beispiel die Leiterbahnen formschlüssig anliegen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Träger ein Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge. Anders ausgedrückt kann der Träger aus dem Aufwachssubstrat

bestehen. Der Träger kann beispielsweise Saphir oder Silizium oder GaN oder GaAs oder Sic aufweisen oder daraus bestehen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die

Kontaktelemente ausgehend von den Kontaktflächen auf zwei sich gegenüberliegende Seitenflächen des Trägers geführt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind bis auf die zwei Seitenflächen alle übrigen Seitenflächen des Trägers frei von Leiterbahnen und/oder strahlungsundurchlässigen

Beschichtungen, wie Metallbeschichtungen . Bevorzugt werden also nur zwei Seitenflächen des Trägers von Leiterbahnen überdeckt oder überschattet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die

Kontaktelemente, insbesondere alle Kontaktelemente, auf die gleiche Seitenfläche des Trägers geführt. Die mit den

Kontaktelementen bedeckte Seitenfläche kann dann eine

Montagefläche oder Anschlussfläche für den Halbleiterchip bilden. Insbesondere kann der so ausgeführte Halbleiterchip als sogenannter Side-Looker verwendet werden, bei dem eine Hauptemissionsrichtung parallel zur Montagefläche ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zumindest eine Seite des Grundkörpers mit einer Spiegelschicht bedeckt. Die Spiegelschicht kann die entsprechende Seite des Grundkörpers zum Beispiel zu zumindest 90 % oder 95 % oder vollständig bedecken. Bevorzugt sind bis auf eine Seite des Grundkörpers alle Seiten von der Spiegelschicht überdeckt, insbesondere vollständig überdeckt. Zum Beispiel sind alle Seitenflächen und die Unterseite des Trägers mit der Spiegelschicht bedeckt. Lichtemission findet dann überwiegend oder

ausschließlich über die nicht bedeckte Seite, zum Beispiel über eine der Unterseite des Trägers abgewandte Seite des Halbleiterchips, statt. Die Spiegelschicht weist für die von der

Halbleiterschichtenfolge emittierte Strahlung beispielsweise eine Reflektivität von zumindest 90 % oder 95 % oder 99 % auf. Dazu ist die Spiegelschicht zum Beispiel mehrschichtig, insbesondere als Bragg-Spiegel , ausgebildet. Ferner ist die Spiegelschicht bevorzugt zwischen einer Passivierungsschicht und dem Träger angeordnet. Auf diese Weise kann ein

Kurzschluss über die Spiegelschicht verhindert werden, insbesondere falls die Kontaktelemente auf die Spiegelschicht aufgebracht sind.

Die Spiegelschicht ist zum Beispiel als mehrschichtiger

Spiegel mit folgender Schichtenfolge gebildet:

ZnO/Ag/Pt/Au/SiN. Dabei ist die ZnO-Schicht dem Grundkörper zugewandt .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Spiegelschicht strukturiert. Das heißt, die Spiegelschicht kann

Unterbrechungen aufweisen, in denen der Grundkörper oder der Träger nicht von der Spiegelschicht bedeckt ist, oder die Spiegelschicht ist nicht zusammenhängend ausgebildet. Zum Beispiel ist die Spiegelschicht aus Einzelstreifen gebildet. Durch solch eine Strukturierung können das Abstrahlverhalten, die Abstrahlintensität sowie die Winkelabhängigkeit der emittierten Strahlung über die entsprechende Seite des

Grundkörpers oder des Trägers eingestellt sein.

Beispielsweise kann eine Strukturgröße der Strukturierungen der Spiegelschicht in der Größenordnung der von der

Halbleiterschichtenfolge emittierten Wellenlänge liegen, also zum Beispiel zwischen einschließlich dem 0,5-Fachen und 2- Fachen der Wellenlänge liegen. Auf diese Weise kann die

Spiegelschicht einen lichtlenkenden Einfluss auf die

emittierte Strahlung haben. Unter der Wellenlänge wird in diesem Fall zum Beispiel eine Maximumswellenlänge verstanden, bei der ein Maximum der emittierten Strahlungsintensität auftritt. Die Maximumswellenlänge liegt zum Beispiel im UV- Bereich zwischen einschließlich 200 nm und 400 nm oder im sichtbaren Bereich zwischen einschließlich 400 nm und 800 nm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist auf die

strukturierte Spiegelschicht ein Konverterelement

aufgebracht. Durch die Verbindung aus strukturierter

Spiegelschicht und Konverterelement kann die Farbe des emittierten Lichts über die durch die Strukturierung

eingestellte Abstrahlcharakteristik beeinflusst werden.

Beispielsweise ergeben sich aufgrund der geometrischen Form des Halbleiterchips und des Konverterelements unterschiedlich lange Lichtwege im Konverterelement. Zum Beispiel benötigt das Licht, welches über Kanten des Halbleiterchips emittiert wird, einen längeren Weg durch das Konverterelement. Mit der strukturierten Spiegelschicht können bevorzugte Lichtwege eingestellt werden, um Farbortverschiebungen zu vermeiden. Das heißt weiterhin, dass zur Aufbringung des

Konverterelements ganz verschiedene Verfahren verwendet werden können, insbesondere auch Verfahren, die keine

formtreue oder homogene oder formschlüssige Beschichtung des Grundkörpers erlauben.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip ein Saphir-Volumenemitter, bei dem der Träger ein Saphir- Träger ist und die Halbleiterschichtenfolge, bevorzugt basierend auf AlInGaN, auf dem Saphir-Träger aufgewachsen ist. Bei einem Volumenemitter wird zumindest ein Teil der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten Strahlung in den

Träger eingekoppelt und über die Seitenflächen und die

Unterseite aus dem Träger wieder ausgekoppelt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die

Halbleiterschichtenfolge eine dem Träger zugewandte erste Schicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, beispielsweise eine n-dotierte oder p-dotierte Schicht, auf. Ferner weist die Halbleiterschichtenfolge eine dem Träger abgewandte zweite Schicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, beispielsweise dann eine p-dotierte oder n-dotierte Schicht, auf. Zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht ist eine aktive

Schicht zur Strahlungsemission oder Strahlungsabsorption angeordnet . Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine zweite

Kontaktfläche auf der zweiten Schicht angeordnet und dabei vom Träger abgewandt. Über die zweite Kontaktfläche kann beispielsweise die zweite Schicht elektrisch kontaktierbar sein .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine erste

Kontaktfläche in einer Ausnehmung der

Halbleiterschichtenfolge auf der ersten Schicht angeordnet. In der Ausnehmung sind die zweite Schicht und die aktive Schicht entfernt und die erste Schicht ist freigelegt. Die Ausnehmung kann beispielsweise an einem Rand der

Halbleiterschichtenfolge angeordnet sein und eine Kante des Grundkörpers umfassen. Die Ausnehmung ist dann nicht

vollständig von einer durchgehend und zusammenhängend

ausgebildeten Bahn der aktiven Schicht und/oder der zweiten Schicht umgeben.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die erste Schicht über die erste Kontaktfläche elektrisch kontaktierbar.

Die erste Kontaktfläche und die zweite Kontaktfläche sind also bevorzugt auf unterschiedlichen, zueinander versetzten Ebenen angeordnet. Die erste Kontaktfläche ist dabei näher am Träger als die zweite Kontaktfläche.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegen die

Kontaktelemente direkt an den entsprechenden Seitenflächen des Trägers an und keine weiteren Schichten sind zwischen dem Träger und den Kontaktelementen angeordnet. Alternativ kann zwischen den Seitenflächen des Trägers und den

Kontaktelementen eine dünne Schicht oder ein dünner

Schichtenstapel, zum Beispiel aus elektrisch isolierenden

Materialien, angeordnet sein. Zum Beispiel beträgt dann der Abstand zwischen den Kontaktelementen und den von ihnen bedeckten Seitenflächen jeweils höchstens 1 ym oder höchstens 500 nm oder höchstens 200 nm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterchip um einen Dünnfilm- Halbleiterchip, bei dem das Aufwachssubstrat entfernt ist, der stabilisierende Träger also vom Aufwachssubstrat

unterschiedlich ist. Der Träger kann dann beispielsweise ein Metallträger oder ein Silizium- oder Germaniumträger sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der

Halbleiterchip und/oder der Träger die geometrische Grundform eines Rechteckprismas mit sechs Mantelflächen auf.

Insbesondere kann ein Rechteckprisma hier und im Folgenden ein Quader oder Würfel sein. Die Mantelflächen müssen aber nicht zwangsläufig paarweise parallel zueinander verlaufen, vielmehr kann in einer Seitenansicht oder Querschnittsansicht der Träger auch trapezförmig ausgebildet sein, wobei die Oberseite und die Unterseite des Trägers im Wesentlichen parallel verlaufen und die Oberseite eine geringere laterale Ausdehnung als die Unterseite aufweist oder umgekehrt. Zum Beispiel weist der Träger zwei einander gegenüberliegende Stirnseiten und zwei einander gegenüberliegende Längsseiten auf, die die Seitenflächen des Trägers bilden. Die

Stirnseiten sind beispielsweise flächenmäßig kleiner als die Längsseiten und die Oberseite und die Unterseite.

Insbesondere sind die die Stirnseiten umgebenden Kanten des Trägers kürzer, beispielsweise höchstens 70 % so lang oder höchstens halb so lang oder höchstens 30 % so lang wie die übrigen vier Kanten des Trägers, sodass der Träger eine längliche Form aufweist, an dessen Enden jeweils die

Stirnseiten angeordnet sind.

Die Kontaktelemente sind zum Beispiel auf die zwei

gegenüberliegenden Stirnseiten geführt. Alternativ können die Kontaktelemente auch auf die gegenüberliegenden Längsseiten oder auf ein und dieselbe Längsseite geführt sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird im Betrieb über alle sechs Mantelflächen des Halbleiterchips Strahlung emittiert. Ein Teil der in der Halbleiterschichtenfolge emittierten Strahlung wird beispielsweise direkt in Richtung weg von dem Träger aus dem Halbleiterchip emittiert. Ein anderer Teil, der aus der Halbleiterschichtenfolge in

Richtung Träger abgestrahlt wird, tritt beispielsweise in den Träger ein, wird dort gestreut und über alle Seitenflächen sowie die Unterseite des Trägers aus dem Halbleiterchip ausgekoppelt. Auf diese Weise kann der Halbleiterchip also über alle sechs Mantelflächen Strahlung emittieren. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Flächenanteil der Gesamtoberfläche des Halbleiterchips, über den im Betrieb Strahlung emittiert werden kann, zumindest 90 % oder 95 % oder 99 %. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Kontaktelemente eine Dicke senkrecht zu den entsprechenden Seitenflächen von zumindest 100 nm oder 200 nm oder 300 nm auf. Alternativ oder zusätzlich ist die Dicke der

Kontaktelemente höchstens 500 nm oder höchstens 400 nm oder höchstens 300 nm. Eine solche Dicke kann beispielsweise erreicht werden, wenn die Kontaktelemente auf den Grundkörper über einen Sputter- oder Aufdampfungsprozess aufgebracht werden. Unter der Dicke der Kontaktelemente wird dabei insbesondere die mittlere Dicke oder maximale Dicke entlang der gesamten Ausdehnung der Leiterbahnen verstanden.

Die Dicke der Kontaktelemente kann aber auch über einen galvanischen Prozess vergrößert sein, so dass die Dicke mindestens 2 ym oder 5 ym oder 10 ym beträgt. Alternativ oder zusätzlich beträgt die Dicke dann höchstens 100 ym oder höchstens 30 ym oder höchstens 20 ym oder höchstens 15 ym.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die

Kontaktelemente auf der Halbleiterschichtenfolge eine Breite in lateraler Richtung parallel zur Oberseite von mindestens 5 ym oder 10 ym oder 20 ym auf. Alternativ oder zusätzlich ist die Breite auf der Halbleiterschichtenfolge höchstens 100 ym oder höchstens 50 ym oder 30 ym. Im Bereich der Seitenflächen haben die Kontaktelemente zum Beispiel Breiten von zumindest 10 ym oder 30 ym oder 100 ym. Alternativ oder zusätzlich ist die Breite der Kontaktelemente im Bereich der Seitenflächen höchstens 400 ym oder 300 ym oder 100 ym. Wie die Dicke kann auch die Breite über die maximale oder mittlere Breite definiert sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Materialien, aus denen die Kontaktelemente gebildet sind, eine spezifische Wärmeleitfähigkeit von zumindest 80 W/ (m-K) oder 100 W/ (m-K) oder 200 W/ (m-K) auf. Je größer die Dicken und Breiten und spezifischen Wärmeleitfähigkeiten der Kontaktelemente gewählt sind, desto effektiver kann beispielsweise die von dem

Halbleiterchip im Betrieb erzeugte Wärme über die

Kontaktelemente abgeführt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform überdecken die

Kontaktflächen und/oder die Kontaktelemente in Draufsicht auf die Halbleiterschichtenfolge höchstens 10 % oder 5 % oder 2 % der Gesamtfläche der Halbleiterschichtenfolge. Alternativ oder zusätzlich bedecken die Kontaktflächen und/oder die Kontaktelemente die Halbleiterschichtenfolge zu zumindest 0,5 % oder 1 % oder 1,5 %. Die restliche Fläche der

Halbleiterschichtenfolge dient dabei bevorzugt im Betrieb zur Emission von Strahlung.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedecken die

Kontaktelemente die entsprechenden Seitenflächen des Trägers zu höchstens 15 % oder 10 % oder 5 % und alternativ oder zusätzlich zu zumindest 1 % oder 3 % oder 5 %. Auf diese Weise kann auch über die mit den Leiterbahnen überdeckten Seitenflächen des Trägers ausreichend Strahlung im Betrieb emittiert werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die

Kontaktelemente zumindest ein Metall der folgenden Gruppe auf oder bestehen daraus: Silber, Aluminium, Kupfer, Nickel, Platin, Titan, Zink, Palladium, Molybdän, Wolfram.

Beispielsweise umfassen die Kontaktelemente eine Ti(0,l ym)/Pt(0,l ym) /Au (0,1-1 ym) -Schichtenfolge oder eine Ti(0,l ym)/Ni(l ym)/Au(l ym) -Schichtenfolge, wobei die in Klammern angegebenen Werte mögliche Schichtdicken der Einzelschichten sind. Die Kontaktelemente können galvanisch verstärkt sein, zum Beispiel mit einer zusätzlichen Cu-Galvanik.

Möglich ist auch, dass die Kontaktelemente ein transparent leitfähiges Material, englisch: Transparent Conductive Oxyde, kurz TCO, wie Indiumzinnoxid, kurz ITO, oder ZnO aufweisen oder daraus bestehen. Auch transparente Materialien, die mit einem leitfähigen Metallgitter durchsetzt sind, sind für die Leiterbahnen denkbar.

Ferner ist denkbar, dass die Kontaktelemente auf der

Halbleiterschichtenfolge transparent sind, zum Beispiel eines der obigen Materialien aufweisen oder daraus bestehen, und im Bereich der Seitenflächen metallisch sind, beispielsweise eines der obigen Metalle aufweisen oder daraus bestehen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die

Kontaktelemente für die von der Halbleiterschichtenfolge emittierte Strahlung spiegelnd ausgebildet. Insbesondere weisen die Kontaktelemente dann für die von der

Halbleiterschichtenfolge emittierte Strahlung eine

Reflektivität von mindestens 80 % oder 90 % oder 95 % auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt die Länge der Kontaktelemente in Richtung quer zur Oberseite, also entlang der Seitenflächen oder gemessen von der Oberseite in Richtung Unterseite, höchstens 75 % oder höchstens 50 % oder höchstens 40 % der Dicke des Trägers. Die Dicke des Trägers ist dabei über den Abstand zwischen Oberseite und Unterseite definiert. In dieser Ausführung sind die Kontaktelemente also von der Oberseite nicht bis zur Unterseite des Trägers geführt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die

Kontaktelemente von der Oberseite bis zur Unterseite des Trägers geführt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die

Kontaktelemente im Bereich der Unterseite jeweils einen

Anschlussbereich auf, über welchen der Halbleiterchip auf einem Anschlussträger montiert und/oder elektrisch

kontaktiert werden kann. In dem Anschlussbereich ist das entsprechende Kontaktelement dann bevorzugt als Steg oder Fuß vom Träger in lateraler Richtung weggeführt. In diesem

Bereich der Unterseite verläuft das Kontaktelement dann bevorzugt parallel oder im Wesentlichen parallel zur

Unterseite des Trägers.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform schließt der

Anschlussbereich in Richtung weg von der Unterseite bündig mit der Unterseite des Trägers ab. Das heißt insbesondere, dass der Anschlussbereich des Kontaktelements und die

Unterseite des Trägers eine gemeinsame, bevorzugt ebene

Auflagefläche des Halbleiterchips bilden, über die der

Halbleiterchip beispielsweise auf einem Anschlussträger aufgelegt werden kann.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist auf die

Halbleiterschichtenfolge ein Konverterelement aufgebracht, das zumindest einen Teil der von der Halbleiterschichtenfolge emittierten Strahlung in Strahlung eines anderen

Wellenlängenbereichs umwandelt. Das Konverterelement kann dabei beispielsweise ein keramisches Konverterelement sein, dessen laterale Ausdehnung an die laterale Ausdehnung des Halbleiterchips angepasst ist, also von dieser lateralen Ausdehnung um weniger als 10 % abweicht. Auch ist es möglich, dass das Konverterelement eine Konverterfolie ist, die auf die Halbleiterschichtenfolge aufgelegt und entsprechend zurechtgeschnitten ist. Das Konverterelement kann neben der Halbleiterschichtenfolge aber auch die Seitenflächen des Trägers teilweise oder vollständig überdecken.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das

Konverterelement eine Dicke von höchstens 70 ym oder 50 ym oder 30 ym auf. Alternativ oder zusätzlich beträgt die Dicke zumindest 10 ym oder 20 ym oder 30 ym. Durch eine geringe Schichtdicke des Konverterelements können die thermischen Eigenschaften des gesamten Halbleiterchips verbessert werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist auf den Grundkörper und die Kontaktelemente ein Vergussmaterial, zum Beispiel ein klarsichtiges Vergussmaterial, aufgebracht. Das

Vergussmaterial kann den Grundkörper und die Kontaktelemente vollständig umformen. Bevorzugt sind die Unterseite des

Grundkörpers und die Anschlussbereiche der Kontaktelemente teilweise oder vollständig frei von dem Vergussmaterial. Die Unterseite des Trägers und die Anschlussbereiche können dann weiterhin zur Montage und elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips verwendet werden. Die Schichtdicke des

Vergussmaterials auf dem Grundkörper beträgt dabei

beispielsweise zwischen einschließlich 100 ym und 500 ym.

Das Vergussmaterial kann eine stabilisierende Wirkung auf den Halbleiterchip haben, muss aber nicht. Bevorzugt ist der

Halbleiterchip auch ohne ein Vergussmaterial selbsttragend und mechanisch stabil. Das heißt, alleine der Grundkörper mit den Kontaktelementen kann schon einen selbsttragenden Halbleiterchip bilden, der keinerlei weiterer

Stabilisierungsmaßnahmen bedarf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das

Vergussmaterial Leuchtstoffpartikel und ist dazu

eingerichtet, einen Teil der von der Halbleiterschichtenfolge emittierten Strahlung in Strahlung eines anderen

Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Das Vergussmaterial kann beispielsweise ein Grundmaterial wie Silikon oder

Flüssigsilikon oder Harz oder Kunststoff oder Fluoropolymer oder Thermoplast mit darin homogen verteilten

LeuchtstoffPartikeln, wie YAGiCe-^ ^" oder Quantumdots, sein.

Darüber hinaus wird eine Leuchtdiode angegeben. Die

Leuchtdiode umfasst zum Beispiel einen, insbesondere genau einen, wie oben beschriebenen Halbleiterchip. Das heißt, sämtliche in Verbindung mit dem optoelektronischen

Halbleiterchip offenbarten Merkmale sind auch für die

Leuchtdiode offenbart und umgekehrt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Leuchtdiode umfasst diese zwei, insbesondere genau zwei elektrisch leitende

Kontaktblöcke. Die Kontaktblöcke sind auf zwei, insbesondere auf zwei gegenüberliegenden Seitenflächen, bevorzugt auf Stirnseiten des Trägers aufgebracht und können mit den

Seitenflächen in direktem Kontakt stehen. Zum Beispiel sind die Kontaktblöcke auf denselben Seitenflächen wie die

Kontaktelemente aufgebracht. Beispielsweise umfassen oder bestehen die Kontaktaktblöcke aus Metall oder aus einer Metalllegierung, wie zum Beispiel die im Zusammenhang mit den Kontaktelementen genannten

Materialien. Die Kontaktblöcke sind beispielsweise einstückig ausgebildet. Bevorzugt sind die Kontaktblöcke aber mit den Kontaktelementen nicht einstückig ausgebildet. Zwischen den Kontaktelementen und den Kontaktblöcken ist also zumindest eine Grenzfläche ausgebildet, an der ein Übergang von den Kontaktblöcken zu den Kontaktelementen zumindest auf

Kristallebene erkennbar ist.

Die Kontaktblöcke haben beispielsweise eine Dicke, gemessen senkrecht zu den entsprechenden Seitenflächen, auf die sie aufgebracht sind, von mindestens 5 ym oder mindestens 10 ym oder mindestens 30 ym oder mindestens 100 ym oder mindestens 500 ym. Alternativ oder zusätzlich beträgt die Dicke der Kontaktblöcke höchstens 1 mm oder höchstens 500 ym oder höchstens 100 ym oder höchstens 70 ym oder höchstens 50 ym.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Kontaktblöcke elektrisch leitend mit den Kontaktelementen verbunden. Die Kontaktblöcke können in direktem mechanischem Kontakt mit den Kontaktelementen stehen oder über ein leitendes Material, wie einen leitfähigen Kleber oder ein Lotmaterial, mit den

Kontaktelementen elektrisch verbunden sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine Ummantelung rings um den Grundkörper derart angeordnet, dass die nicht von den Kontaktblöcken bedeckten Stellen des Grundkörpers ganz oder teilweise von der Ummantelung bedeckt sind.

Insbesondere bedeckt die Ummantelung also einige oder alle nicht von den Kontaktblöcken bedeckten Seiten des

Halbleiterchips oder des Grundkörpers. Diese Seiten sind dann bevorzugt vollständig von der Ummantelung bedeckt. Bevorzugt umgeben also die Ummantelung und die Kontaktblöcke den

Halbleiterchip vollständig. Die Ummantelung kann mit dem Träger und/oder der Halbleiterschichtenfolge in direktem Kontakt stehen.

Die Ummantelung kann ein wie oben beschriebenes

Konverterelement oder ein wie oben beschriebenes

Vergussmaterial mit Leuchtstoffpartikel aufweisen oder daraus bestehen. Es kann die Ummantelung einstückig ausgebildet sein oder aber unterschiedliche Bereiche, wie lichtkonvertierende und lichtundurchlässige/lichtreflektierende Bereiche

aufweisen. Beispielsweise ist im Bereich der

Halbleiterschichtenfolge die Ummantelung lichtkonvertierend ausgebildet, während die Ummantelung im Bereich der

Unterseite lichtundurchlässig/lichtreflektierend ausgebildet ist. Die von der Ummantelung bedeckten Seitenflächen, zum Beispiel die einander gegenüberliegenden Längsseiten, können von lichtundurchlässiger/lichtreflektierender Ummantelung oder lichtkonvertierender Ummantelung bedeckt sein, je nach gewünschter AbstrahlCharakteristik . Der lichtundurchlässige/lichtreflektierende Bereich der

Ummantelung umfasst zum Beispiel ein wie oben angegebenes Grundmaterial mit darin verteilten Ti02-Partikel . Der

Reflexionsgrad für die von dem Halbleiterchip emittierte Strahlung beträgt zum Beispiel zumindest 95 % oder 99 %, gemessen zum Beispiel bei der Wellenlänge, bei der die

Strahlungsintensität des Halbleiterchips ihr Maximum hat.

Für den lichtkonvertierenden Bereich ist auch eine

Ummantelung aus einem transparenten Material, wie

Klarsilikon, möglich. Die Ummantelung kann dann eine Schicht Konvertermaterial auf einer dem Halbleiterchip abgewandten Seite des transparenten Materials aufweisen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegen die Kontaktblöcke an einer Außenfläche der Leuchtdiode im

unmontierten Zustand der Leuchtdiode frei. Die freiliegenden Stellen der Kontaktblöcke können dann im bestimmungsgemäßen Betrieb zur externen elektrischen Kontaktierung der

Leuchtdiode dienen.

Die Außenfläche der Leuchtdiode wird bevorzugt vollständig von der Ummantelung und den Kontaktblöcken gebildet. Die Außenfläche grenzt zum Beispiel im unmontierten Zustand der

Leuchtdiode an ein Umgebungsmedium, wie Luft. Die Außenfläche ist also die äußerste, die unmontierte Leuchtdiode

vollständig umgebende Fläche aus solidem Material. Die

Außenfläche bildet also die Angriffsfläche, an der die

Leuchtdiode aufgegriffen, gehalten oder berührt werden kann, um beispielsweise die Leuchtdiode zu positionieren.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform überdecken die

Kontaktblöcke die Seitenflächen des Trägers vollständig.

Besonders bevorzugt überragen die Kontaktblöcke in Draufsicht auf die überdeckten Seitenflächen gesehen die entsprechenden Seitenflächen teilweise oder vollständig. Beispielsweise überragen die Kontaktblöcke die entsprechenden Seitenflächen an einer oder an mehreren oder an allen Kanten der

entsprechenden Seitenflächen.

Die Kontaktblöcke überragen die Kanten der entsprechenden Seitenflächen beispielsweise um mindestens 5 ym oder 10 ym oder 30 ym oder 100 ym oder 500 ym. Alternativ oder

zusätzlich überragen die Kontaktblöcke die Kanten der

Seitenflächen um höchstens 1 mm oder 500 ym oder 100 ym oder höchstens 70 ym oder höchstens 50 ym. Alternativ ist es aber auch möglich, dass die Kontaktblöcke kleiner als die entsprechenden Seitenflächen sind, und somit nur ein Teil der entsprechenden Seitenflächen von den

Kontaktblöcken überdeckt ist. Der nicht von den

Kontaktblöcken bedeckte Teil dieser Seitenflächen ist dann bevorzugt ebenfalls von der Ummantelung bedeckt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform schließt die

Ummantelung an der Außenfläche der Leuchtdiode bündig mit den Kontaktblöcken ab. Anders ausgedrückt schließen die

Kontaktblöcke mit der Ummantelung in Richtungen weg von dem Träger bündig miteinander ab. An der Außenfläche ist zwischen den Kontaktblöcken und der Ummantelung dann im Rahmen der Herstellungstoleranz also keine Stufe oder kein Knick gebildet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist durch die

Kontaktblöcke und die Ummantelung, bevorzugt alleine durch die Kontaktblöcke und die Ummantelung, eine im Rahmen der Herstellungstoleranz glatte Außenfläche der Leuchtdiode gebildet. Zum Beispiel weisen die Kontaktblöcke in Draufsicht auf die von ihnen bedeckten Seitenflächen gesehen rechteckige oder kreisförmige oder elliptische Querschnittsflächen auf. Die Ummantelung kann eine entsprechende Mantelfläche

aufweisen, um an der Außenfläche des Halbleiterchips den bündigen Übergang von den Kontaktelementen zu der Ummantelung zu gewährleisten. Zum Beispiel hat die von den Kontaktblöcken und der Ummantelung gebildete Außenfläche der Leuchtdiode die geometrische Form der Außenfläche eines Rechteckprismas oder eines Zylinders oder eines Eis oder eines Ellipsoids.

Die so bereitgestellten Leuchtdioden können als leuchtende Bauklötze verwendet werden, die durch elektrisches Verbinden der einzelnen Leuchtdioden, zum Beispiel durch

Aneinanderlöten oder Aneinanderkleben der Leuchtdioden, eine größere Leuchtdiode mit frei einstellbarer Form bilden. Die Halbleiterchips in den Leuchtdioden sind durch die

Ummantelung und die Kontaktblöcke vor äußeren Einflüssen geschützt .

Darüber hinaus wird ein optoelektronisches

Halbleiterbauelement angegeben. Das Halbleiterbauelement umfasst zum Beispiel einen wie oben beschriebenen

Halbleiterchip und/oder eine wie oben beschriebene

Leuchtdiode. Das heißt, sämtliche in Verbindung mit dem optoelektronischen Halbleiterchip und der Leuchtdiode offenbarten Merkmale sind auch für das optoelektronische Halbleiterbauelement offenbart und umgekehrt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das

optoelektronische Halbleiterbauelement zumindest zwei der oben beschriebenen Halbleiterchips und/oder Leuchtdioden, wobei ein Kontaktelement eines Halbleiterchips elektrisch leitend mit einem Kontaktelement eines weiteren

Halbleiterchips verbunden ist. Die mit den Kontaktelementen versehenen Seitenflächen zweier benachbarter Halbleiterchips sind dann bevorzugt einander zugewandt. Die Halbleiterchips sind dadurch insbesondere in Reihe geschaltet. Möglich ist auch, dass eine Mehrzahl, beispielsweise zumindest drei oder fünf oder zehn der oben genannten Halbleiterchips und/oder Leuchtdioden über die seitlichen Kontaktelemente in Reihe geschaltet sind und dadurch eine Halbleiterchipkette oder Leuchtdiodenkette gebildet ist. Alternativ können die

Halbleiterchips oder Leuchtdioden auch parallel geschaltet sein, zum Beispiel indem die Halbleiterchips oder

Leuchtdioden übereinander gestapelt sind. Gemäß zumindest einer Ausführungsform befinden sich die

Kontaktelemente oder Kontaktblöcke zweier benachbarter

Halbleiterchips oder Leuchtdioden in direktem mechanischem und elektrischem Kontakt miteinander. Die Kontaktelemente oder Kontaktblöcke benachbarter Halbleiterchips oder

benachbarter Leuchtdioden sind dann beispielsweise lediglich über ein Lotmaterial miteinander elektrisch leitend und mechanisch stabil verbunden. Auf diese Weise kann eine kompakte Kette oder ein kompakter Stapel von in Serien oder parallel geschalteten Halbleiterchips oder Leuchtdioden realisiert sein.

Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben. Das Verfahren eignet sich insbesondere zur Herstellung eines wie oben beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips. Das heißt, sämtliche in Verbindung mit dem Halbleiterchip offenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren einen Schritt A) , in dem ein Grundkörper bereitgestellt wird, der einen Träger mit einer Oberseite, einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite und quer zur Oberseite

verlaufende Seitenflächen aufweist, wobei die Seitenflächen die Oberseite und die Unterseite miteinander verbinden.

Außerdem umfasst der Grundkörper eine auf der Oberseite des Trägers aufgebrachte Halbleiterschichtenfolge, die im

bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung emittiert oder absorbiert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren einen Schritt B) , in dem der Grundkörper auf einem

Hilfsträger aufgebracht wird, so dass die Halbleiterschichtenfolge dem Hilfsträger abgewandt ist. Der Träger des Grundkörpers ist dann also zwischen dem

Hilfsträger und der Halbleiterschichtenfolge angeordnet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird in einem Schritt C) eine Schutzschicht so auf den Grundkörper aufgebracht, dass zumindest vom Träger abgewandte Kontaktflächen auf der Halbleiterschichtenfolge frei von der Schutzschicht bleiben Die Kontaktflächen sollen im Späteren zur elektrischen

Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge dienen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird in einem Schritt

D) eine elektrisch leitfähige Schicht auf die Schutzschicht, die Kontaktflächen und Seitenflächen des Trägers aufgebracht. Dabei werden bevorzugt alle Bereiche des Grundkörpers von der elektrisch leitfähigen Schicht überdeckt, die nicht von der Schutzschicht bedeckt sind. Die elektrisch leitfähige Schicht verläuft dabei bevorzugt zusammenhängend, durchgehend und unterbrechungsfrei .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird in einem Schritt

E) die Schutzschicht mit der auf dieser befindlichen

elektrisch leitfähigen Schicht abgelöst, so dass

Kontaktelemente in Form von Leiterbahnen entstehen oder zurückbleiben, die ausgehend von den Kontaktflächen über Kanten des Grundkörpers bis auf Seitenflächen des Trägers geführt sind und dabei formschlüssig an dem Grundkörper anliegen .

Bei dem hier beschriebenen Verfahren wird also über die

Struktur der Schutzschicht die spätere Struktur der

Leiterbahnen auf dem Grundkörper definiert. Bereiche, in denen im Späteren die Leiterbahnen verlaufen sollen, werden nicht von der Schutzschicht geschützt, so dass auf diese Bereiche die elektrisch leitfähige Schicht aufgebracht wird.

Das Aufbringen der elektrisch leitfähigen Schicht erfolgt zum Beispiel über einen Sputterprozess oder einen

Verdampfungsprozess und/oder einen Galvanisierungsprozess .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Schritte A) bis E) in der angegebenen Reihenfolge ausgeführt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird in dem Schritt C) zunächst die Schutzschicht in Form eines Fotolacks auf den Grundkörper und den Hilfsträger aufgebracht. Der Fotolack überdeckt dabei bevorzugt den gesamten Grundkörper und

Teilbereiche des Hilfsträgers, so dass keine Bereiche des Grundkörpers freiliegen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird in einem

anschließenden Schritt der Fotolack zum Beispiel über einen Belichtungsprozess mit Hilfe einer Maske so strukturiert, dass die Bereiche des Grundkörpers und des Hilfsträgers, die später von den Kontaktelementen überdeckt sein sollen, freigelegt werden, also frei von dem Fotolack sind. Der strukturierte Fotolack mit der aufgebrachten elektrisch leitfähigen Schicht kann beispielsweise durch Abwaschen mit einem Lösungsmittel im Schritt E) entfernt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird nach dem Schritt E) der mit den Kontaktelementen versehene Grundkörper mit einem Konverterelement in Form einer Konverterfolie oder einer Vergussmasse überdeckt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird nach dem Schritt E) der Hilfsträger vom Grundkörper abgelöst, so dass ein einzelner Halbleiterchip ohne Hilfsträger entsteht. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung einer

Leuchtdiode angegeben. Das Verfahren eignet sich insbesondere zur Herstellung einer wie oben beschriebenen Leuchtdiode. Das heißt, sämtliche in Verbindung mit der Leuchtdiode

offenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren zur

Herstellung der Leuchtdiode offenbart und umgekehrt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden nach dem Schritt E) auf zwei Seitenflächen des Trägers Kontaktblöcke

aufgebracht. Bevorzugt werden die Kontaktblöcke in direkten mechanischen Kontakt mit den Seitenflächen des Trägers gebracht. Die Kontaktblöcke werden elektrisch leitend mit den Kontaktelementen verbunden, zum Beispiel über ein Lotmaterial oder einen elektrisch leitenden Kleber. Anschließend werden in einem weiteren Schritt alle nicht von den Kontaktblöcken überdeckten Bereiche des Halbleiterchips bevorzugt vollständig von einer Ummantelung umgeben, wobei jeweils eine Außenfläche der Leuchtdioden entsteht. Die

Außenfläche ist bevorzugt vollständig durch die Ummantelung und durch die Kontaktblöcke gebildet.

Das Aufbringen der Ummantelung kann in einem Schritt oder in mehreren Schritten erfolgen. Nachfolgend werden ein hier beschriebener optoelektronischer Halbleiterchip, eine hier beschriebene Leuchtdiode, ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und einer Leuchtdiode unter Bezugnahme auf Zeichnungen anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine

maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß

dargestellt sein.

Es zeigen:

Figuren 1A bis 1F und 6A bis 6 F verschiedene

Verfahrensschritte zur Herstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen

Halbleiterchips ,

Figur IG ein optoelektronischer Halbleiterchip aus dem Stand der Technik in Querschnittsansicht,

Figur 1H ein Ausschnitt eines Ausführungsbeispiels eines

optoelektronischen Halbleiterchips in

Querschnittsansicht,

Figur II einen Graphen mit Temperaturmesswerten für

verschiedene Ausführungsbeispiele eines

optoelektronischen Halbleiterchips ,

Figuren 2A bis 3A und 7A bis 7D Ausführungsbeispiele eines optoelektronischen Halbleiterchips in 3D-Ansichten und Seitenansichten,

Figuren 3B bis 4C, 12 Ausführungsbeispiele eines

optoelektronischen Halbleiterbauelements in verschiedenen Ansichten, Figur 5 einen optoelektronischen Halbleiterchip in 3D- Ansicht, der auf einem Anschlussträger montiert ist, Figuren 8A, 8B, 9A, 10A Ausführungsbeispiele einer

Leuchtdiode in verschiedenen 3D-Ansichten,

Figuren 9B bis 9E, 10B bis 101 verschiedene

Ausführungsbeispiele einer Leuchtdiode in unterschiedlichen Querschnittsansichten

Figuren IIA und IIB Ausführungsbeispiele einer Leuchtdiode in verschiedenen Seitenansichten, und Figuren 13A bis 13F, 14A bis 14C und 15A bis 15D verschiedene

Positionen in Ausführungsbeispielen eines Herstellungsverfahrens für Leuchtdioden.

In Figur 1A ist ein erster Verfahrensschritt zur Herstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen

Halbleiterchips 100 in Querschnittsansicht gezeigt. Dabei ist auf einem Hilfsträger 6 ein Grundkörper mit einem Träger 3 und einer Halbleiterschichtenfolge 1 aufgebracht. Der

Hilfsträger 6 ist beispielsweise ein Glassubstrat oder ein Metallsubstrat oder ein Halbleitersubstrat.

Vorliegend ist die Halbleiterschichtenfolge 1 auf einer dem Hilfsträger 6 abgewandten Oberseite 30 des Trägers 3

aufgebracht. Der Träger 3 umfasst weiterhin eine der

Oberseite 30 gegenüberliegende Unterseite 31 und quer zur

Oberseite 30 verlaufende Seitenflächen 32, die die Unterseite 31 mit der Oberseite 30 verbinden. Der Träger 3 ist

beispielsweise ein Saphirträger, der gleichzeitig das Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge 1 ist. Die Halbleiterschichtenfolge 1 selber umfasst eine erste dem Träger 3 zugewandte Schicht 10 eines ersten

Leitfähigkeitstyps und eine auf der ersten Schicht 10 aufgebrachte Schicht 12 eines zweiten Leitfähigkeitstyps.

Die erste Schicht 10 ist beispielsweise n-leitend, die zweite Schicht 12 p-leitend. Vorliegend basiert die

Halbleiterschichtenfolge 1 zum Beispiel auf AlInGaN. Zwischen der ersten Schicht 10 und der zweiten Schicht 12 ist außerdem eine aktive Schicht 11 angeordnet, die im bestimmungsgemäßen Betrieb der Halbleiterschichtenfolge 1 elektromagnetische Strahlung emittiert oder absorbiert. Die aktive Schicht 11 kann zum Beispiel ein p-n-Übergang sein oder eine

Quantentopfstruktur aufweisen.

Außerdem ist in Figur 1A erkennbar, dass in einem Randbereich der Halbleiterschichtenfolge 1 die zweite Schicht 12 sowie die aktive Schicht 11 bereichsweise entfernt ist, so dass eine Ausnehmung in der Halbleiterschichtenfolge 1 gebildet ist, in der die erste Schicht 10 freiliegt.

Die Halbleiterschichtenfolge 1 erstreckt sich vorliegend entlang der gesamten lateralen Ausdehnung parallel zur

Oberseite 30 des Trägers 3 zusammenhängend und

unterbrechungsfrei .

In Figur 1B ist ein weiterer Verfahrensschritt gezeigt, bei dem auf den Grundkörper und den Hilfsträger 6 eine

Schutzschicht 7 aufgebracht wird. Die Schutzschicht 7 bedeckt dabei den Grundkörper vorzugsweise vollständig an allen nicht vom Hilfsträger 6 überdeckten Seiten. Die Schutzschicht 7 ist beispielsweise ein Fotolack. In Figur IC ist ein Verfahrensschritt gezeigt, bei dem die Schutzschicht 7, beispielsweise mit Hilfe eines

fotolithografischen Prozesses, strukturiert wurde. Durch die Strukturierung sind bestimmte Bereiche des Grundkörpers von der Schutzschicht 7 freigelegt. Kontaktflächen 20, 21 auf der Halbleiterschichtenfolge 1, die dem Träger 3 abgewandt sind, sowie Teilbereiche von den Seitenflächen 32 sind freigelegt und nicht von der Schutzschicht 7 bedeckt. Eine erste

Kontaktfläche 20 ist dabei innerhalb der zuvor erwähnten Ausnehmung angeordnet, in der die erste Schicht 10 freigelegt ist. Im Bereich einer zweiten Kontaktfläche 21 ist die zweite Schicht 12 freigelegt. Die erste 20 und zweite Kontaktfläche 21 sind dabei auf gegenüberliegenden Seiten der Oberseite 30 angeordnet. Ferner erstrecken sich die Kontaktflächen 20, 21 bis hin zu Kanten des Grundkörpers.

Außerdem ist in Figur IC bereits eine elektrisch leitende Schicht 4 auf die Schutzschicht 7 und den Grundkörper

aufgebracht. Die elektrisch leitende Schicht 4 bedeckt dabei alle Bereiche des Grundkörpers, die von der Schutzschicht 7 nicht bedeckt sind. Vorliegend bedeckt die Schutzschicht 7 also insbesondere die Kontaktflächen 20, 21 sowie zwei gegenüberliegende Seitenflächen 32 des Trägers 3 teilweise. In Figur 1D ist ein Verfahrensschritt gezeigt, bei dem die Schutzschicht 7 mit der darauf befindlichen elektrisch leitenden Schicht 4 abgelöst wurde, beispielsweise über ein Lösungsmittel. Dadurch sind auf dem Grundkörper Teilbereiche der elektrisch leitenden Schicht 4 zurückgeblieben, die vorliegend Kontaktelemente 40, 41 bilden. Ein erstes

Kontaktelement 40 ist dabei als eine Leiterbahn ausgebildet, die sich von der ersten Kontaktfläche 20 über eine Kante des Grundkörpers bis auf eine Seitenfläche 32 des Trägers 3 erstreckt. Ein zweites Kontaktelement 41 ist auf der zweiten Kontaktfläche 21 angeordnet und erstreckt sich von dieser zweiten Kontaktfläche 21 über eine Kante des Grundkörpers bis auf eine weitere Seitenfläche 32 des Trägers 3. Vorliegend reichen die Kontaktelemente 40, 41 nicht bis zur Unterseite 31 des Trägers 3.

Die Kontaktelemente 40, 41 liegen dabei im Bereich der

Kontaktflächen 20, 21 und den entsprechenden Seitenflächen 32 formschlüssig an dem Grundkörper an. Ferner sind die

Kontaktelemente 40, 41 einstückig, zusammenhängend und unterbrechungsfrei ausgebildet.

Über die Kontaktelemente 40, 41 können die Kontaktflächen 20, 21 und damit die gesamte Halbleiterschichtenfolge 1

elektrisch kontaktiert werden. Die Kontaktelemente 40, 41 sind Leiterbahnen, die beispielsweise eine Dicke zwischen 10 ym und 30 ym aufweisen und zum Beispiel aus Aluminium, Silber oder Kupfer bestehen. Um eine ausreichende Dicke der

Kontaktelemente 40, 41 zu erreichen, können die

Kontaktelemente 40, 41 beispielsweise galvanisch verstärkt sein. Möglich ist zum Beispiel eine Ti/Pt/Cu- oder Ti/Pd/Cu- oder Pd/Cu-Schichtenfolge, wobei die Cu-Schicht galvanisch aufgebracht ist.

In Figur 1D ist bereits ein Ausführungsbeispiel eines

fertigen optoelektronischen Halbleiterchips 100 gezeigt, der noch auf dem Hilfsträger 6 montiert ist. In Figur IE ist der Hilfsträger 6 von dem Halbleiterchip 100 abgelöst. Der Halbleiterchip 100 ist bevorzugt selbsttragend. Im Unterschied zur Figur 1D sind die Kontaktelemente 40, 41 nun bis zur Unterseite 31 des Trägers 3 geführt. Die Kontaktelemente 40, 41 weisen im Bereich der Unterseite 31 Anschlussbereiche 400 auf, über welche der Halbleiterchip 1 auf einem Anschlussträger montiert werden kann. In den

Anschlussbereichen 400 sind die Kontaktelemente 40, 41 als Stege oder Füße weg von dem Träger 3 geführt. Ferner

schließen die Kontaktelemente 40, 41 in den

Anschlussbereichen 400 bündig mit der Unterseite 31 des Trägers 3 ab. Die Anschlussbereiche 400 können also zusammen mit der Unterseite 31 des Trägers 3 eine Montagefläche oder Auflagefläche für einen Anschlussträger bilden.

Ferner ist auf den Grundkörper und auf die Kontaktelemente 40, 41 ein Vergussmaterial 50 aufgebracht, welches den

Grundkörper und die Kontaktelemente 40, 41 bis auf an der Unterseite 31 und an den Anschlussbereichen 400 vollständig bedeckt. Der Vergusskörper 50 kann beispielsweise ein Silikon oder Harz sein, das mit LeuchtstoffPartikeln versehen ist, die einen Teil der von der Halbleiterschichtenfolge 1 emittierten Strahlung in Strahlung eines anderen

Wellenlängenbereichs konvertieren.

Die Dicke des Vergussmaterials 50 senkrecht zur Oberseite 30 des Trägers 3 beträgt beispielsweise zwischen einschließlich 100 ym und 300 ym.

Im Ausführungsbeispiel der Figur 1F ist ein

optoelektronischer Halbleiterchip 100 gezeigt, der bezüglich der Kontaktelemente 40, 41 und des Grundkörpers identisch zu dem Halbleiterchip 100 der Figur IE ausgebildet ist. Im

Unterschied zur Figur IE ist auf den Grundkörper und die

Kontaktelemente 40, 41 kein Vergussmaterial 50, sondern ein Konverterelement 5 in Form einer Konverterfolie oder eines keramischen Konverterplättchens aufgebracht. Das Konverterelement 5 hat beispielsweise eine Schichtdicke senkrecht zur Oberseite 30 des Trägers 3 von höchsten 50 ym und bedeckt sowohl die Halbleiterschichtenfolge 1 als auch die Seitenflächen 32 zumindest teilweise. Das

Konverterelement 5 der Figur 1F weist im Vergleich zu dem Vergussmaterial 50 der Figur IE aufgrund seiner geringeren Dicke eine bessere thermische Ankopplung an den Saphirträger 3 auf. Bevorzugt ist der Halbleiterchip 100 der Figur 1F ebenfalls selbsttragend ausgebildet.

In Figur IG ist ein Halbleiterchip aus dem Stand der Technik in Querschnittsansicht gezeigt. Hier ist der Grundkörper mit der Halbleiterschichtenfolge nicht über Leiterbahnen 40, 41 elektrisch kontaktiert, sondern über Kontaktdrähte, englisch bond wires. Aufgrund der gebogenen geometrischen Form der Kontaktdrähte bewirken diese eine verglichen mit den

Leiterbahnen 40, 41 wesentlich größere Abschattung des von der Halbleiterschichtenfolge 1 emittierten Lichts. Außerdem ist, wie in Figur 1F ersichtlich, jeder Kontaktdraht gekrümmt ausgebildet und ragt über die Halbleiterschichtenfolge hinaus. Dadurch kann bei einem solchen Halbleiterchip kein solch dünnes Konverterelement 5 wie in Figur 1F verwendet werden. Vielmehr ist hier, ähnlich wie in Figur IE gezeigt, ein Verguss nötig, dessen Dicke üblicherweise größer als 100 ym ist, wodurch die thermische Ankopplung an den Träger verglichen mit einem dünnen Konverterelement reduziert ist.

In Figur 1H ist ein Ausschnitt eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Halbleiterchips 100 gezeigt.

Sichtbar ist der Grundkörper, der von einem Konverterelement 5 in Form einer Konverterfolie sowohl an Seitenflächen 32 als auch an der Oberseite 30 des Trägers 3 überdeckt ist. Die Konverterfolie hat eine Dicke von beispielsweise 50 ym. In Figur II ist ein Diagramm gezeigt, bei dem die thermischen Eigenschaften von Halbleiterchips, die entweder mit einer Vergussmasse oder einer Konverterfolie überdeckt sind, verglichen sind. Gezeigt ist die Temperatur eines

Halbleiterchips als Funktion der eingespeisten Stromdichte. Die ausgefüllten Punkte sind Messwerte für einen

Halbleiterchip, auf dem weder eine Konverterfolie noch ein Vergussmaterial aufgebracht ist. Die nicht gefüllten Punkte zeigen einmal das Temperaturverhalten, bei dem eine

Konverterfolie mit einer Schichtdicke von 50 ym verwendet ist und einmal, bei dem ein Halbleiterchip mit einer Vergussmasse von 250 ym Dicke verwendet ist.

Wie aus dem Graphen der Figur II ersichtlich ist, kommt es bei der Verwendung einer Vergussmasse zu einer wesentlich stärkeren Erwärmung des Halbleiterchips als wenn eine dünne Konverterfolie von 50 ym verwendet wird.

In Figur 2A ist ein Ausführungsbeispiel eines

optoelektronischen Halbleiterchips 100 in 3D-Ansicht gezeigt. Der Halbleiterchip 100 hat die geometrische Form eines

Rechteckprismas mit sechs Mantelflächen, wobei über alle diese Mantelflächen im Betrieb elektromagnetische Strahlung ausgekoppelt wird. Ersichtlich ist, dass die mit den

Kontaktelementen 40, 41 überdeckten Seitenflächen 32 des

Trägers 3 nur teilweise, beispielsweise zu höchstens 10 %, von den Kontaktelementen 40, 41 überdeckt sind. Die

Kontaktelemente 40, 41 haben dabei zum Beispiel eine Breite parallel zur Oberseite 31 des Trägers von höchstens 30 ym. Vorliegend ist der Flächenanteil der Gesamtoberfläche des

Halbleiterchips 100, über den im Betrieb Strahlung emittiert wird, zumindest 99 %. Die auf den Träger 3 aufgebrachte Halbleiterschichtenfolge 1 weist außerdem Stromverteilungsstrukturen 101, 121 auf, über die der über die Kontaktelemente 40, 41 eingespeiste Strom effektiv entlang der Halbleiterschichtenfolge 1 verteilt werden kann.

In Figur 2B ist der gleiche optoelektronische Halbleiterchip 100 wie in Figur 2A, nur aus anderen Perspektiven, gezeigt. In Figur 2C ist ein Ausführungsbeispiel gezeigt, bei dem im Unterschied zu den Ausführungsbeispielen der Figuren 2A und 2B die Kontaktelemente 40, 41 bis zur Unterseite 31 des

Trägers 3 geführt sind und im Bereich der Unterseite 31 als Stege oder Füße von dem Träger 3 weggeführt sind. Diese Stege oder Füße bilden vorliegend Anschlussbereiche 400, über die der Halbleiterchip 100 zum Beispiel auf einem Anschlussträger montiert werden kann.

Außerdem ist in Figur 2C ein Vergussmaterial 50 auf dem

Grundkörper und die Kontaktelemente 40, 41 derart

aufgebracht, dass bis auf die Unterseite 31 und die

Anschlussbereiche 400 der Grundkörper und die Kontaktelemente 40, 41 vollständig von dem Vergussmaterial 50 überdeckt sind. Das Vergussmaterial 50 ist aber nur optional und auch ohne das Vergussmaterial ist der Halbleiterchip 100 einsetzbar und selbsttragend .

In Figur 2D ist der gleiche Halbleiterchip 100 wie in Figur 2C gezeigt, wobei nun der Blick auf die Unterseite 31 des Trägers 3 gerichtet ist. Wie in Figur 2D zu erkennen ist, schließen die Kontaktelemente 40, 41 im Bereich der

Anschlussbereiche 400 bündig mit der Unterseite 31 ab, so dass vorzugsweise eine ebene Fläche durch die Unterseite 31 und die Anschlussbereiche 400 gebildet wird, über die der Halbleiterchip 100 auf einem Anschlussträger montiert und elektrisch kontaktiert werden kann. Die Anschlussbereiche 400 und die Unterseite 31 liegen in Figur 2D frei und sind nicht von dem Vergussmaterial 50 überdeckt.

In Figur 3A ist der Halbleiterchip 100 der Figuren 2A und 2B gezeigt. Zusätzlich ist bei dem Halbleiterchip 100 der Figur 3A auf die Kontaktelemente 40, 41 jeweils ein

Anschlusselement 45 angebracht, das sich ausgehend von den Kontaktelementen 40 in Richtung weg von dem Halbleiterchip 100 erstreckt. Die Anschlusselemente 45 sind vorliegend als Anschlussstäbe ausgebildet, die beispielsweise aus einem Metall wie Gold, Silber, Kupfer, Nickel oder Aluminium gebildet sind.

In Figur 3B ist ein Ausführungsbeispiel eines

optoelektronischen Halbleiterbauelements 1000 in 3D-Ansicht gezeigt, wobei drei der in Figur 3A beschriebenen

optoelektronischen Halbleiterchips 100 über die

Anschlusselemente 45 miteinander in Serie geschaltet sind. Die Anschlusselemente 45 verbinden dabei jeweils ein erstes Kontaktelement 40 eines Halbleiterchips 100 mit einem zweiten Kontaktelement 41 eines dazu benachbarten zweiten

Halbleiterchips 100. Die Anschlusselemente 45 sind

beispielsweise mit den Kontaktelementen 40, 41 verklebt oder verlötet .

Durch das Halbleiterbauelement 1000 der Figur 3B ist ein stabförmiges Leuchtelement aus einer Mehrzahl von

Halbleiterchips 100 realisiert, das lediglich über zwei elektrische Anschlüsse bestromt oder kontaktiert werden kann. Die Halbleiterchips 100 sind untereinander durch die

Anschlusselemente 45 in Reihe geschaltet.

In Figur 4A ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Halbleiterbauelements 1000 in 3D-Ansicht gezeigt. Im Unterschied zu dem vorangegangenen

Ausführungsbeispiel sind jetzt zwei optoelektronische

Halbleiterchips 100 ohne zwischenliegende Anschlusselemente 45 in Reihe geschaltet. Die Kontaktelemente 40, 41 zweier benachbarter Halbleiterchips 100 sind direkt aneinander gelegt und zum Beispiel mittels eines leitfähigen Klebers oder eines Lots miteinander elektrisch leitend und mechanisch stabil verbunden. Das Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauelements 1000 der Figur 4B unterscheidet sich von dem der Figur 4A dadurch, dass jetzt vier Halbleiterchips 100 durch direktes Anlegen der Kontaktelemente 40, 41 aneinander in Reihe geschaltet sind. Auf diese Weise ist in Figur 4B ein stabförmiges oder fadenförmiges Leuchtelement realisiert. Zu erkennen ist auch, dass die Halbleiterchips 100 schräg zu der Oberseite 30 verlaufende Seitenflächen 32 aufweisen. Bevorzugt sind zwei gegenüberliegende und mit Kontaktelementen 40, 41 versehene Seitenflächen 32 eines Halbleiterchips 100 in die gleiche Richtung geneigt. Dies hat zur Folge, dass die

Halbleiterchips 100 der Figur 4B nur auf eine Weise so aneinander angelegt werden können, dass die Seitenflächen 32 bündig aneinander anliegen. Auf diese Weise kann ein Pol- Schutz in dem Halbleiterbauelement 1000 realisiert sein.

Das elektrische und mechanische Verbinden der einzelnen

Halbleiterchips kann beispielsweise über Löt-Pads, wie AuSn- Pads, erfolgen. Zur AufSchmelzung der Löt-Pads können beispielsweise die Halbleiterchips 100 bei Temperaturen um 300 °C zusammengepresst werden.

In Figur 4C ist ein wie in Figur 4B gezeigtes

optoelektronisches Halbleiterbauelement 1000 in

Querschnittsansicht gezeigt. Dabei ist der Blick auf eine mit einem Kontaktelement 40, 41 bedeckte Seitenfläche 32 eines Halbleiterchips 100 gerichtet. Die in Reihe geschalteten Halbleiterchips 100 sind in einem Rohr 60 angeordnet, dessen Haupterstreckungsrichtung parallel zur

Haupterstreckungsrichtung der in Reihe geschalteten

Halbleiterchips 100 verläuft. Das Rohr 60 ist beispielsweise ein Hohlzylinder aus Glas mit einer kreisförmigen oder ellipsenförmigen Querschnittsfläche. Zwischen den

Halbleiterchips 100 und der Mantelfläche des Rohrs 60 ist ein Vergussmaterial 50 angeordnet, das Zwischenbereiche zwischen den Halbleiterchips 100 und dem Rohr 60 auffüllt und den Halbleiterchips 100 innerhalb des Rohrs mechanische

Stabilität verleiht und in Position hält. Bei dem

Vergussmaterial 50 kann es sich beispielsweise um ein

transparentes, insbesondere klarsichtiges Material, wie

Silikon oder Harz handeln. Auch ist es möglich, dass das Vergussmaterial 50 mit LeuchtstoffPartikeln versehen ist, die einen Teil der von den Halbleiterchips 100 emittierten

Strahlung in Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs konvertieren. Alternativ oder zusätzlich ist es auch möglich, dass auf der Mantelfläche des Rohrs 60 ein Konvertermaterial aufgebracht ist. Wie in Figur 4C ersichtlich, kann das dort gezeigte

optoelektronische Halbleiterbauelement über die gesamte zylinderförmige Mantelfläche des Rohrs 60 Licht abstrahlen. Auf diese Weise ist beispielsweise eine Leuchtstoffröhre aus LEDs realisiert.

In Figur 5 ist ein wie im Zusammenhang mit den Figuren 2A und 2B diskutierter optoelektronischer Halbleiterchip 100

gezeigt, der auf einem Anschlussträger 200 angeordnet ist. Im Unterschied zu den Figuren 2A und 2B ist in Figur 5 zumindest eines der Kontaktelemente 40, 41 von der Oberseite 30 bis zur Unterseite 31 des Trägers 3 geführt und in einem

Anschlussbereich 400 als Steg weg von dem Träger 3 geführt.

Im Bereich des Anschlussbereichs 400 liegt das Kontaktelement 40 auf dem Anschlussträger 200 auf und kann mit einem

Kontaktbereich des Trägers 200 elektrisch kontaktiert sein. Bei dem Anschlussträger 200 handelt es sich beispielsweise um eine Leiterplatte oder ein Aktivmatrixelement, insbesondere aus einem transparenten oder klarsichtigen Material.

In Figur 6A ist ein Verfahrensschritt zur Herstellung eines Ausführungsbeispiels eines Halbleiterchips 100 gezeigt, bei dem ein wie im Zusammenhang mit Figur 1A beschriebener

Grundkörper zunächst auf einem Zwischenträger angeordnet ist. Die Halbleiterschichtenfolge 1 ist dem Zwischenträger

zugewandt. Außerdem sind alle vom Zwischenträger abgewandten Seiten des Grundkörpers, insbesondere die Seitenflächen 32 und die Unterseite 31 des Trägers 3, mit einer

zusammenhängend und unterbrechungsfrei ausgebildeten

Spiegelschicht 8 überdeckt.

Anschließend wird der Grundkörper mit der Spiegelschicht 8 vom Zwischenträger abgelöst und es werden die in den Figuren 6B bis 6E gezeigten Verfahrensschritte durchgeführt. Diese Verfahrensschritte sind im Wesentlichen identisch zu den in den Figuren 1A bis 1D gezeigten Verfahrensschritten. Im Unterschied zur Figur 1 werden hier aber die Kontaktelemente 40, 41 nicht an zwei gegenüberliegenden Seitenflächen 32 ausgebildet, vielmehr werden die Kontaktelemente 40, 41 ausgehend von Kontaktflächen 20, 21 auf die gleiche

Seitenfläche 32 geführt, so wie es in Figur 6E zu erkennen ist. Die übrigen drei Seitenflächen 32 sind dann frei von den Kontaktelementen 40, 41. Die Kontaktelemente 40, 41 werden dabei auf die Spiegelschicht 8 aufgebracht, sind aber von der Spiegelschicht 8 zum Beispiel durch eine

Passivierungsschicht , wie SiN oder S1O2, elektrisch isoliert.

Alternativ oder zusätzlich zur Passivierungsschicht ist es aber auch denkbar, dass die Spiegelschicht 8 so strukturiert ist, dass es zu keinem Kurzschluss kommt, entweder weil kein elektrischer Kontakt zwischen der Spiegelschicht 8 und den

Kontaktelementen 40, 41 entsteht oder weil die Spiegelschicht 8 in einen n- und einen p- Bereich strukturiert sind, die zwar jeweils für sich mit einem der Kontaktelemente 40, 41 elektrisch leitend verbunden sind, untereinander aber nicht in elektrischem Kontakt stehen.

In Figur 6F ist der Träger 2 entfernt und ein

Ausführungsbeispiel eines fertigen Halbleiterchips 100 gezeigt .

Die Figur 7A zeigt den Halbleiterchip 100 der Figur 6F in SD- Ansicht, wobei zu erkennen ist, dass bis auf die der

Unterseite 31 abgewandte Seite des Halbleiterchips 100 alle Seiten des Halbleiterchips 100 vollständig mit der

Spiegelschicht 8 überzogen sind. Der Halbleiterchip 100 emittiert also vorzugsweise nur über eine Seite Strahlung.

Die Figuren 7B und 7C zeigen den gleichen Halbleiterchip 100 wie Figur 7A, aber nun in Draufsicht auf die

Halbleiterschichtenfolge 1 beziehungsweise in Seitenansicht auf eine nicht mit den Kontaktelementen 40, 41 bedeckte

Seitenfläche 32.

Im Ausführungsbeispiel der Figur 7D ist wie in Figur 7C ein Halbleiterchip 100 in Seitenansicht gezeigt. Im Unterschied zu Figur 7C ist die Unterseite 31 aber nicht von einer

Spiegelschicht 8 überdeckt, sodass über die Unterseite 31 Strahlung aus dem Halbleiterchip 100 emittiert werden kann. Auf einer Seitenfläche 32 ist eine in Form von Streifen strukturierte Spiegelschicht 8 aufgebracht, wobei durch die Strukturierung der Spiegelschicht 8 die

Abstrahlcharakteristik über diese Seitenfläche 32 eingestellt ist.

Außerdem wird in Figur 7D die über die der Unterseite 31 abgewandte Seite des Halbleiterchips 100 emittierte Strahlung in einen Lichtleiter eingekoppelt. Die aus der Seitenfläche 32 mit der strukturierten Spiegelschicht 8 emittierte

Strahlung wird auf ein Display gerichtet. Auf der dem Display gegenüberliegenden Seite des Halbleiterchips 100 befindet sich ein Anschlussträger 200. Die mit den Kontaktelementen 40, 41 versehene Seitenfläche 32 ist dem Anschlussträger zugewandt, wobei die Kontaktelemente 40, 41 über den

Anschlussträger 200 elektrisch kontaktiert sind.

In der Figur 8A ist ein Ausführungsbeispiel einer Leuchtdiode 500 in drei verschiedenen 3D-Ansichten gezeigt. Die

Leuchtdiode 500 umfasst einen Halbleiterchip 100 nach zum Beispiel einem der vorhergehenden Ausführungsbeispiele.

Insbesondere weist der Träger 3 des Halbleiterchips 100 die Form eines Quaders mit zwei gegenüberliegenden Stirnseiten auf. Die Stirnseiten sind Seitenflächen 32 des Trägers 3. Die übrigen beiden Seitenflächen 32 des Trägers 3 sind

Längsseiten. Die Form des Rechteckprismas ist länglich mit den beiden Stirnseiten an den Enden. Insbesondere sind die Stirnseiten die Flächen des Quaders mit den geringsten

Flächeninhalten. Vorliegend weisen alle anderen Flächen des Quaders mindestens einen doppelt so großen Flächeninhalt wie die Stirnseiten auf. Auf den beiden Stirnseiten sind jeweils Kontaktblöcke 401, 411 aufgebracht. Die Kontaktblöcke 401, 411 bestehen zum Beispiel aus Metall und bedecken die Stirnseiten vollständig. Insbesondere sind die Kontaktblöcke 401, 411 größer als die Stirnseiten, sodass die Kontaktblöcke 401, 411 die

Stirnseiten in alle Richtungen parallel zu den Stirnseiten überragen. Die Kontaktblöcke 401, 411 sind außerdem

elektrisch leitend mit den Kontaktelementen 40, 41 verbunden.

Die übrigen Seiten des Halbleiterchips 100, also die

Längsseiten, die Unterseite 31 des Trägers 3 und die

Halbleiterschichtenfolge 1 sind von einer Ummantelung 501 vollständig umgeben. Der Halbleiterchip 100 ist dadurch insgesamt vollständig umgeben von der Ummantelung 501 und den Kontaktblöcken 401, 411. Die Ummantelung 501 und die

Kontaktblöcke 401, 411 verkapseln somit den Halbleiterchip

100. Die Ummantelung 501 ist zum Beispiel dazu eingerichtet, einen Teil der oder alle von dem Halbleiterchip 100

emittierten Strahlung zu konvertieren. Die Ummantelung 501 auf den Seiten des Halbleiterchips 100 ist vorliegend so gewählt, dass ihre Dicke dem über die

Stirnseiten hinausragenden Bereichen der Kontaktblöcke 401, 411 entspricht. Insgesamt schließt dadurch die Ummantelung 501 in Richtung weg von dem Halbleiterchip 100 bündig mit den Kontaktblöcken 401, 411 ab. Eine durch die Ummantelung 501 und die Kontaktblöcke 401, 411 gebildete Außenfläche der Leuchtdiode 500 ist dadurch im Rahmen der

Herstellungstoleranz glatt. Vorliegend entspricht die

Außenfläche der Leuchtdiode 500 der Außenfläche eines

Rechteckprismas, insbesondere eines Quaders. Die Stirnseiten des Quaders sind vollständig durch die Kontaktblöcke 401, 411 gebildet .

Jedoch kann die Form der Kontaktblöcke 401, 411 und die Form der Ummantelung 501 auch so gewählt sein, dass die

Außenfläche der Leuchtdiode 500 zum Beispiel der Außenfläche eines Zylinders oder eines Ellipsoids entspricht.

In Figur 8B ist im Wesentlichen die gleiche Leuchtdiode 500 wie in Figur 8A wiederum in drei verschiedenen 3D-Ansichten gezeigt. Jedoch ist aus Gründen der besseren Darstellung die Ummantelung 501 diesmal nicht gezeigt. In einer Ansicht ist auch auf die Darstellung des ersten Kontaktblocks 401

verzichtet .

Insbesondere ist zu erkennen, dass die Kontaktelemente 40, 41 auf eine gemeinsame Längsseite des Trägers 3 gezogen sind. Jedoch stehen die Kontaktelemente 40, 41 an den Kanten zu den Stirnseiten in elektrischem Kontakt mit den Kontaktblöcken 401, 411.

Ferner ist in Figur 8B gut zu erkennen, dass die

Kontaktblöcke 401, 411 in alle Richtungen über die

Stirnseiten ragen, beispielsweise um zumindest 20 ym. In Figur 9A ist ebenfalls eine Leuchtdiode 500 in 3D-Ansicht dargestellt. Unterschiedliche Ausführungsformen dieser

Leuchtdiode 500 sind im Zusammenhang mit den Figuren 9B bis 9E in Querschnittsansicht gezeigt. Dabei ist jeweils der Querschnitt entlang der in Figur 9A gezeigten Pfeile

dargestellt .

In Figur 9B ist die Ummantelung 501 vollständig aus einem Konvertermaterial, zum Beispiel aus dem wie oben

beschriebenen Konverterelement 5 oder dem Vergussmaterial 50 gebildet. Sowohl die Unterseite 31 als auch die

Halbleiterschichtenfolge 1 sind vollständig von der

Ummantelung 501 bedeckt. Ebenso können die in Figur 9B nicht sichtbaren übrigen Seitenflächen 32 des Trägers 3 vollständig mit der Ummantelung 501 bedeckt sein. Die Ummantelung 501 der Figur 9B ist einstückig ausgebildet.

In der Figur 9C ist ein weiteres Ausführungsbeispiel gezeigt, bei der die Ummantelung 501 auf der Unterseite 31 aus einem reflektierenden Material, zum Beispiel ein Ti02 aufweisendes Material, gebildet ist. Die Halbleiterschichtenfolge 1 hingegen ist wiederum von einer lichtkonvertierenden

Ummantelung 501 bedeckt. Vorliegend weist die Ummantelung 501 also mindestens zwei Bereiche auf und ist nicht einstückig ausgebildet.

In der Figur 9D ist ein Ausführungsbeispiel gezeigt, bei dem der zweite Kontaktblock 411 einstückig ausgebildet ist und dabei von der Seitenfläche 32 bis auf die Unterseite 31 geführt ist. Zum Beispiel bedeckt der zweite Kontaktblock 411 die Unterseite 31 zu zumindest 50 % oder 70 % oder 90 %. Die Halbleiterschichtenfolge 1 ist wiederum von der

lichtkonvertierenden Ummantelung 501 bedeckt. In Figur 9E sind beide Kontaktblöcke 401, 411 von den

Seitenflächen 32 bis auf die Unterseite 31 gezogen und bedecken dabei die Unterseite 31 ebenfalls zum Beispiel zu zumindest 50 % oder 70 % oder 90 %.

In Figur 10A ist wiederum eine Leuchtdiode 500 in 3D-Ansicht dargestellt. Unterschiedliche Ausführungsformen dieser

Leuchtdiode 500 sind im Zusammenhang mit den Figuren 10B bis 10H in Querschnittsansicht gezeigt. Dabei ist jeweils der Querschnitt entlang der in Figur 10A gezeigten Pfeile dargestellt .

In Figur 10B ist zu erkennen, dass die Ummantelung 501 einstückig ist. Die Ummantelung 501 ist vollständig aus einem Konvertermaterial, zum Beispiel aus einem wie oben

beschriebenen Konverterelement 5 oder Vergussmaterial 50 gebildet. Die Leuchtdiode 500 emittiert konvertiertes Licht in alle Richtungen der Papierebene. In Figur 10C ist die Ummantelung 501 in zwei Bereiche aufgeteilt. Der erste Bereich ist lichtkonvertierend und besteht zum Beispiel aus dem Material des Konverterelements 5. Der zweite Bereich ist lichtreflektierend. Der zweite Bereich bedeckt die Unterseite 31 und die Seitenflächen 32 und schließt bündig mit der Oberseite 30 des Trägers 3 ab. Auf die Halbleiterschichtenfolge 1 ist der zweite,

lichtkonvertierende Bereich der Ummantelung 501 aufgebracht. Die so gebildete Leuchtdiode 500 emittiert konvertiertes Licht überwiegend nach oben.

In Figur 10D ist ebenfalls eine Leuchtdiode 500 gezeigt, die überwiegend nach oben emittiert. Der zweite,

lichtundurchlässige Bereich der Ummantelung 501 ragt in Richtung weg von der Unterseite 31 über die Oberseite 30 und die Halbleiterschichtenfolge 1 hinaus. Dadurch ist oberhalb von der Halbleiterschichtenfolge 1 eine Kavität gebildet, die mit dem ersten, lichtkonvertierenden Bereich der Ummantelung 501 aufgefüllt ist.

In Figur 10E ist eine Leuchtdiode 500 gezeigt, bei der der erste, lichtkonvertierende Bereich der Ummantelung 501 sowohl die Halbleiterschichtenfolge 1 als auch die Seitenflächen 32 des Trägers 3 bedeckt und bündig mit der Unterseite 31 des Trägers 3 abschließt. Auf die Unterseite 31 ist der zweite, lichtreflektierende Bereich der Ummantelung 501 aufgebracht. Die Leuchtdiode 500 der Figur 10E emittiert sowohl nach oben als auch zur Seite.

Bei der Leuchtdiode 500 der Figur 10F bedeckt der erste, lichtkonvertierende Bereich der Ummantelung 501 nur die

Seitenflächen 32 des Trägers 3. Der erste Bereich schließt sowohl mit der Unterseite 31 als auch mit der

Halbleiterschichtenfolge 1 bündig ab. Auf die

Halbleiterschichtenfolge 1 und die Unterseite 31 ist der zweite, lichtreflektierende Bereich der Ummantelung 501 aufgebracht. Eine solche Leuchtdiode 500 emittiert vorwiegend zur Seite.

Die Leuchtdiode 500 der Figur 10G ist ähnlich zu der

Leuchtdiode 500 der Figur 10F und emittiert ebenfalls

vorwiegend zur Seite. Allerdings schließt der erste Bereich der Ummantelung 501 nicht bündig mit der

Halbleiterschichtenfolge 1 und der Unterseite 31 ab, sondern überragt diese jeweils. Die dadurch entstehenden Kavitäten unterhalb der Unterseite 31 und oberhalb der Halbleiterschichtenfolge 1 sind mit dem zweiten, lichtreflektierenden Bereich der Ummantelung 501 aufgefüllt.

Die Leuchtdiode 500 der Figur 10H umfasst einen ersten, lichtkonvertierenden Bereich der Ummantelung 501, der die Halbleiterschichtenfolge 1 und die Seitenflächen 32 des Trägers 3 vollständig bedeckt. Der erste Bereich ragt dazu noch über die Unterseite 31 hinaus. Die dadurch entstehende Kavität unterhalb der Unterseite 31 ist mit dem zweiten, lichtreflektierenden Bereich der Ummantelung 501 aufgefüllt.

Bei der Leuchtdiode der Figur 101 ist der erste,

lichtkonvertierende Bereich der Ummantelung 501 auf der

Halbleiterschichtenfolge 1 und nur einer Seitenfläche 32 aufgebracht. Die Unterseite 31 und die übrige Seitenfläche 32 sind von dem zweiten, lichtreflektierenden Bereich der

Ummantelung 501 bedeckt.

In Figur IIA ist ein weiteres Ausführungsbeispiel einer

Leuchtdiode 500 in seitlicher Ansicht gezeigt. Die

Ummantelung 501 hat einen elliptischen Querschnitt. Die

Außenfläche der Ummantelung 501 ist also ellipsoid. Die

Ummantelung 501 besteht zum Beispiel aus Klarsilikon mit einer äußeren Schicht Konvertermaterial.

Aus der Ummantelung 501 ragen die Kontaktblöcke 401, 411 heraus. Anders als in den vorhergehenden

Ausführungsbeispielen schließen die Kontaktblöcke 401, 411 an der Außenfläche der Leuchtdiode 500 also nicht bündig mit der Ummantelung 501 ab.

In Figur IIB ist eine Leuchtdiode 500 in Draufsicht auf den ersten Kontaktblock 401 gezeigt. Anders als in Figur IIA und den vorhergehenden Ausführungsbeispielen sind die Kontaktblöcke 401, 411 kleiner als die Seitenflächen 32 des Trägers 3, auf die die Kontaktblöcke 401, 411 aufgebracht sind. Die entsprechenden Seitenflächen 32 sind also nicht vollständig von den Kontaktblöcken 401, 411 überdeckt. Die Die Kontaktblöcke 401, 411 haben außerdem eine kreisförmige Grundfläche. Die Außenfläche der Leuchtdiode 500 der Figur IIB kann die Außenfläche eines Zylinders oder eines

Ellipsoids oder eines Eis sein.

In Figur 12 ist ein Ausführungsbeispiel eines

optoelektronischen Halbleiterbauelements 1000 gezeigt, bei dem mehrere der oben beschriebenen Leuchtdioden 500

übereinander gestapelt sind. Dabei sind die Kontaktblöcke 401, 411 benachbarter Leuchtdioden 500 elektrisch miteinander verbunden, sodass eine Parallelschaltung von mehreren

Leuchtdioden 500 realisiert ist. Die verschiedenen

Leuchtdioden 500 können im Betrieb zum Beispiel Licht

unterschiedlicher Farben emittieren.

Anders als in Figur 12 dargestellt ist jedoch auch eine

Serienschaltung mehrerer Leuchtdioden 500 denkbar.

In den Figuren 13A bis 13E sind verschiedene Positionen in einem Herstellungsverfahren für eine oder mehrere

Leuchtdioden 500 gezeigt.

In Figur 13A sind zwei Kontaktblöcke 401, 411 bereitgestellt. Jeder der Kontaktblöcke 401, 411 weist eine Stufe mit einem Auflagebereich auf, auf den der Halbleiterchip 100 aufgelegt wird. Durch diese Auflagebereiche wird der Halbleiterchip 100 für die Herstellung der Leuchtdioden 500 mechanisch getragen. Ferner sind auf den Auflagebereichen der Kontaktblöcke 401, 411 Klebetropfen oder Lottropfen aufgebracht. Bei der Montage des Halbleiterchips 100 dienen diese Klebetropfen oder

Lottropfen zur mechanisch dauerhaften Verbindung der

Kontaktblöcke 401, 411 mit dem Halbleiterchip 100. Außerdem können die Klebetropfen oder Lottropfen eine elektrische Verbindung zwischen den Kontaktelementen 40, 41 und den

Kontaktblöcken 401, 411 bewirken. In Figur 13B ist eine Position in dem Verfahren gezeigt, in der der Halbleiterchip 100 feste und dauerhaft mit den

Kontaktblöcken 401, 411 verbunden ist. Auf die

Halbleiterschichtenfolge 1 des Halbleiterchips 100 ist bereits eine Ummantelung 501 in Form eines Konverterelements aufgebracht. Die Unterseite 31 des Halbleiterchips 100 hängt aufgrund der Auflagebereiche frei in der Luft und ist

vorliegend noch nicht mit der Ummantelung 501 bedeckt.

In Figur 13C ist eine Position in dem Herstellungsverfahren gezeigt, bei der die Auflagebereiche der Kontaktblöcke 401, 411 anders ausgebildet sind. Anders als in den Figuren 13A und 13B liegen die Auflagebereiche nicht bündig am Boden auf, sondern sind als überhängende Vorsprünge an den

Kontaktblöcken 401, 411 ausgestaltet. Die Kontaktblöcke 401, 411 bedecken nach der Montage des Halbleiterchips 100 die

Seitenflächen 32 des Halbleiterchips 100 nicht vollständig.

In der Figur 13D ist eine weitere Ausgestaltung der

Kontaktblöcke 401, 411 offenbart. Auch hier sind die

Auflagebereiche als Vorsprünge an den Kontaktblöcken 401, 411 ausgebildet. Allerdings sind die Kontaktblöcke 401, 411 selbst größer als in Figur 13C, sodass nach der Montage des Halbleiterchips 100 die Seitenflächen 32 des Halbleiterchips 100 vollständig von den Kontaktblöcken 401, 411 bedeckt sind.

In Figur 13E ist eine Position in dem Herstellungsverfahren gezeigt, die auf die Position der Figur 13D folgt. Alle nicht von den Kontaktblöcken 401, 411 bedeckten Seiten des

Halbleiterchips 100 sind vollständig mit der Ummantelung 501 vergossen oder umgeben. Die Ummantelung 501 ist vorliegend einstückig ausgebildet und dient im bestimmungsgemäßen

Betrieb der Leuchtdiode 500 zum Beispiel zur Lichtkonversion.

In Figur 13F ist dargestellt, wie eine Mehrzahl von

Halbleiterchips 100 im Waferverbund auf die Kontaktblöcke 401, 411 montiert wird. In den Figuren 14A bis 14C sind Positionen in einem weiteren Ausführungsbeispiel des Herstellungsverfahrens für

Leuchtdioden 500 gezeigt. Anders als bei dem zuvor

beschriebenen Verfahren wird hier von einem Hilfsträger 600 Gebrauch gemacht. Auf den Hilfsträger 600 sind die

Kontaktblöcke 401, 411 aufgelegt. Zwischen den Kontaktblöcken 401, 411 ist auf dem Hilfsträger 600 ein Podest 601

angeordnet. Der Halbleiterchip 100 wird mit der Unterseite 31 auf das Podest 601 aufgelegt. Die Konsequenz daraus ist, dass die Unterseite 31 des Halbleiterchips 100 in einer gegenüber der Auflagefläche der Kontaktblöcke 401, 411 auf dem

Hilfsträger 600 erhöhten Position angeordnet ist. Auf diese Weise ist erreicht, dass die Kontaktblöcke 401, 411 über die von den Kontaktblöcken 401, 411 bedeckten Seitenflächen 32 hinaus ragen. Dieser Effekt wurde in den

Ausführungsbeispielen der Figuren 13A bis 13F jeweils durch die Auflagebereiche der Kontaktblöcke 401, 411 erreicht. In Figur 14B ist außerdem gezeigt, dass die Ummantelung 501 bereits auf die Halbleiterschichtenfolge 1 aufgebracht ist. Dies kann beispielsweise durch Vergießen erfolgen. In Figur 14C ist dargestellt, wie eine Mehrzahl von

Leuchtdioden 500 im Waferverbund hergestellt werden kann.

In den Figuren 15A bis 15D sind Positionen in einem weiteren Ausführungsbeispiel des Herstellungsverfahrens der

Leuchtdioden 500 gezeigt.

In Figur 15A ist eine Mehrzahl von Trägern 3 mit jeweils einer darauf aufgebrachten Halbleiterschichtenfolge 1 auf einen Hilfsträger 6 aufgelegt. Anschließend werden

Kontaktelemente 40, 41 zum Beispiel wie im Zusammenhang mit den Figuren 1A bis 1D beschrieben ausgebildet. Dadurch entstehen zunächst die Halbleiterchips 100.

Wie in Figur 15B zu erkennen ist, werden die Kontaktelemente 40, 41 zweier benachbarter Halbleiterchips 100

zusammenhängend ausgebildet. Der Hilfsträger 6 ist also in den Bereichen zwischen den Halbleiterchips 100 ebenfalls mit den elektrisch leitenden Kontaktelementen 40, 41 bedeckt. Diese mit den Kontaktelementen 40, 41 bedeckten Bereiche des Hilfsträgers 6 dienen als Keimbereich oder Keimzonen für die Entstehung der Kontaktblöcke 401, 411.

Wie in Figur 15C dargestellt sind die Kontaktblöcke 401, 411 über ein galvanisches Verfahren in den Keimbereichen

gewachsen. Die Kontaktblöcke 401, 411 überragen die

Halbleiterchips 100 in eine Richtung weg von dem Hilfsträger 6. Anschließend werden die Halbleiterchips 100, wie in Figur 15D gezeigt, noch mit der Ummantelung 501 umgeben, zum Beispiel vergossen . Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn diese Merkmale oder diese Kombinationen selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 104 886.8, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Bezugs zeichenliste

1 Halbleiterschichtenfolge

3 Träger

4 elektrisch leitfähige Schicht

5 Konverterelement

6 Hilfsträger

7 Schutzschicht

8 Spiegelschicht

10 erste Schicht

11 aktive Schicht

12 zweite Schicht

20 erste Kontaktfläche

21 zweite Kontaktfläche

30 Oberseite des Trägers 3

31 Unterseite des Trägers 3

32 Seitenfläche des Trägers 3

40 erstes Kontaktelement

41 zweites Kontaktelement

45 Anschlusselement

50 Vergussmaterial

60 Rohr

100 optoelektronischer Halbleiteri

101 Stromverteilungsstruktur

121 Stromverteilungsstruktur

200 Anschlussträger

400 Anschlussfläche

401 erster Kontaktblock

411 zweiter Kontaktblock

500 Leuchtdiode

501 Ummantelung

600 Hilfsträger

601 Podest 1000 optoelektronisches Halbleiterbauelement