OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUM BETRIEB DES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS

Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen

Halbleiterchip, insbesondere einen auf einem Phosphid- Verbindungshalbleitermaterial basierenden optoelektronischen Halbleiterchip .

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2017 113 531.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Bei optoelektronischen Halbleiterchips, die auf einem

Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial basieren, kann die Effizienz dadurch beeinträchtigt sein, dass Ladungsträger (Elektronen und Löcher) die zur Emission von Strahlung vorgesehene aktive Schicht verlassen und außerhalb der aktiven Schicht nicht-strahlend rekombinieren.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen Strahlung emittierenden optoelektronischen Halbleiterchip anzugeben, der sich durch eine verbesserte Effizienz auszeichnet.

Diese Aufgabe wird durch einen optoelektronischen

Halbleiterchip gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.

Der optoelektronische Halbleiterchip umfasst gemäß zumindest einer Ausgestaltung einen p-Typ-Halbleiterbereich, einen n- Typ-Halbleiterbereich und eine zwischen dem p-Typ- Halbleiterbereich und dem n-Typ-Halbleiterbereich angeordnete aktive Schicht, die als Mehrfach-Quantentopfstruktur

ausgebildet ist. Gemäß zumindest einer Ausgestaltung weist die Mehrfach- Quantentopfstruktur abwechselnde Quantentopfschichten und Barriereschichten auf. Die Barriereschichten weisen jeweils eine größere Bandlücke als die Quantentopfschichten auf.

Insbesondere weisen alle Quantentopfschichten der Mehrfach- Quantentopfstruktur die gleiche elektronische Bandlücke E _QW auf, und alle Barriereschichten der Quantentopfstruktur die gleiche elektronische Bandlücke E _B auf, wobei E _B > E _QW ist.

Die Quantentopfschichten der Mehrfach-Quantentopfstruktur sind zur Emission von Strahlung geeignet. Bei einer

vorteilhaften Ausgestaltung weist die Mehrfach- Quantentopfstruktur mindestens 5 und höchstens 100

Quantentopfschichten auf. Der Wellenlängenbereich der

Strahlung liegt vorzugsweise im Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts, insbesondere im Wellenlängenbereich des grünen, gelben oder roten Lichts.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform basiert die

Halbleiterschichtenfolge des optoelektronischen

Halbleiterchips auf einem Phosphidverbindungshalbleiter . "Auf einem Phosphidverbindungshalbleiter basierend" bedeutet insbesondere, dass eine oder mehrere Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge jeweils In _x Al _y Gai- _x -yP _n Asi-n umfassen, wobei 0 < x < 1, 0 < y < 1 und x + y < 1 und 0 < n < 1.

Vorzugsweise weisen eine oder mehrere Halbleiterschichten, insbesondere die Halbleiterschichten der aktiven Schicht, In _x Al _y Gai- _x - _y P mit 0 < x < 1, 0 < y < 1 und x + y < 1 auf.

Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (In, AI, Ga, As, P) , auch wenn diese

teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist an einer dem p-Typ Halbleiterbereich zugewandten Seite der aktiven Schicht und an einer dem n-Typ Halbleiterbereich zugewandten Seite der aktiven Schicht jeweils eine Ladungsträgerbarriereschicht angeordnet. Die aktive Schicht ist insbesondere beidseitig von Ladungsträgerbarriereschichten umgeben. Vorzugsweise grenzt die aktive Schicht beidseitig unmittelbar an jeweils eine der Ladungsträgerbarriereschichten an. Die

Ladungsträgerbarriereschichten weisen jeweils eine größere elektronische Bandlücke auf als die Quantentopfschichten und die Barriereschichten der aktiven Schicht.

Die Bandlücke der Ladungsträgerbarriereschichten sowie der Quantentopfschichten und Barriereschichten kann insbesondere durch die Materialzusammensetzung eingestellt werden. Eine Vergrößerung der Bandlücke kann insbesondere dadurch erzielt werden, dass der Aluminiumgehalt erhöht und beispielsweise der Galliumgehalt vermindert wird. Vorzugsweise ist daher der Aluminiumgehalt der Ladungsträgerbarriereschichten größer als der Aluminiumgehalt der Quantentopfschichten und

Barriereschichten der Mehrfach-Quantentopfstruktur und beispielsweise der Galliumgehalt der

Ladungsträgerbarriereschichten kleiner als der Galliumgehalt der Quantentopfschichten und Barriereschichten. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Ladungsträgerbarriereschichten jeweils eine Dicke von

mindestens 5 nm auf. Der optoelektronische Halbleiterchip macht sich insbesondere die Erkenntnis zu Nutze, dass eine besonders hohe externe Quanteneffizienz (external quantum efficiency, EQE) erzielt werden kann, wenn die aktive Schicht beidseitig, d.h. an der dem n-Typ Halbleiterbereich

zugewandten Seite und an der dem p-Typ Halbleiterbereich zugewandten Seite, von Ladungsträgerbarriereschichten

umgegeben ist, wobei die Dicke der

Ladungsträgerbarriereschichten jeweils mindestens 5 nm beträgt. Es wurde insbesondere herausgefunden, dass mit

Ladungsträgerbarriereschichten, die jeweils eine Dicke von mindestens 5 nm aufweisen, eine höhere externe

Quanteneffizienz erzielt werden kann als bei der Verwendung dünnerer Ladungsträgerbarriereschichten, die beispielsweise nur weniger als 5 nm dick sind. Bevorzugt weisen die

Ladungsträgerbarriereschichten jeweils eine Dicke zwischen einschließlich 5 nm und einschließlich 20 nm auf.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform beträgt die Dicke der Ladungsträgerbarriereschichten mindestens 7 nm, besonders bevorzugt mindestens 10 nm. Es hat sich herausgestellt, dass mit Ladungsträgerbarriereschichten, die mindestens 7 nm oder bevorzugt mindestens 10 nm dick sind, eine noch höhere externe Quanteneffizienz erzielt werden kann, als mit dünneren Ladungsträgerbarriereschichten. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn der optoelektronische Halbleiterchip mit einer vergleichsweise geringen Stromdichte von weniger als 0,5 A/cm ² betrieben wird.

Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung grenzen die

Ladungsträgerbarriereschichten unmittelbar an die aktive Schicht an. Die Ladungsträgerbarriereschichten können

insbesondere jeweils direkt an eine Barriereschicht der

Mehrfach-Quantentopfstruktur angrenzen. Der Einschluss von Ladungsträgern, also Elektronen und Löchern, in der aktiven Schicht ist besonders effektiv, wenn zwischen der aktiven Schicht und den Ladungsträgerbarriereschichten keine

Zwischenschichten angeordnet sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der

optoelektronische Halbleiterchip zum Betrieb mit einer

Stromdichte zwischen 0,01 A/cm ² und 0,5 A/cm ² vorgesehen.

Dies entspricht bei einer Fläche des optoelektronischen

Halbleierchips von beispielsweise etwa 1 mm ² einer

Betriebsstromstärke zwischen 0,1 mA und 5 mA. Bei einer anderen Fläche des optoelektronischen Halbleiterchips ergeben sich bei gleicher Stromdichte andere Werte für die

Betriebsstromstärke. Der optoelektronische Halbleiterchip ist insbesondere an eine Stromversorgung angeschlossen, die dazu eingerichtet ist, den optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Betriebsstromstärke zu versorgen, die bezogen auf die Fläche des optoelektronischen Halbleiterchips eine

Stromdichte zwischen 0,01 A/cm ² und 0,5 A/cm ² bewirkt.

Es hat sich insbesondere herausgestellt, dass die

Ladungsträgerbarriereschichten mit einer Dicke von mindestens 5 nm die externe Quanteneffizienz insbesondere dann positiv beeinflussen, wenn der optoelektronische Halbleiterchip mit einer vergleichsweise geringen Stromdichte zwischen

0,01 A/cm ² und 0,5 A/cm ² betrieben wird.

Gemäß zumindest einer Ausgestaltung ist die Bandlücke der Ladungsträgerbarriereschichten um mindestens 0,1 eV größer ist als die Bandlücke der Barriereschichten der Mehrfach- Quantentopfstruktur . In diesem Fall liegt eine vorteilhaft hohe Ladungsträgerbarriere vor. Besonders bevorzugt beträgt gleichzeitig die Dicke der Ladungsträgerbarriereschichten mindestens 7 nm, besonders bevorzugt mindestens 10 nm. Auf diese Weise wird ein Tunneln der Ladungsträger durch die Ladungsträgerbarriereschichten effektiv vermindert.

Gemäß zumindest einer Ausgestaltung weisen die

Ladungsträgerbarriereschichten jeweils Al _x Ini_ _x P mit 0,4 < x < 0,6 auf. Bei einem Aluminiumgehalt der

Ladungsträgerbarriereschichten in diesem Bereich ergibt sich eine vorteilhaft große elektronische Bandlücke, ohne eine zu große Verspannung zu den benachbarten Halbleiterschichten zu erzeugen. Die Ladungsträgerbarriereschichten können daher bei einer Materialzusammensetzung in diesem Bereich in hoher Qualität aufgewachsen werden.

Gemäß zumindest einer Ausgestaltung weisen die

Quantentopfschichten und Barriereschichten Al _x Ga _y Ini- _x - _y P mit 0 < x < 1, 0 < y < 1 und x + y < 1 auf.

In den Quantentopfschichten und Barriereschichten ist der Aluminiumgehalt kleiner und vorzugsweise der Galliumgehalt y größer als in den Ladungsträgerbarriereschichten, so dass die Quantentopfschichten und Barriereschichten eine geringere elektronische Bandlücke als die

Ladungsträgerbarriereschichten aufweisen .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die

Quantentopfschichten der Mehrfach-Quantentopfstruktur zur Emission von Strahlung mit einem Intensitätsmaximum im

Wellenlängenbereich von 550 nm bis 700 nm, bevorzugt im

Wellenlängenbereich von 580 nm bis 660 nm, geeignet. Der optoelektronische Halbleiterchip kann insbesondere grünes oder rotes Licht emittieren. Die Wellenlänge des Intensitätsmaximums kann insbesondere durch die Einstellung der elektronischen Bandlücke E _QW durch die

Materialzusammensetzung des Halbleitermaterials eingestellt werden.

Bei einem Verfahren zum Betrieb des optoelektronischen

Halbleiterchips mit den zuvor beschriebenen Eigenschaften wird dieser vorzugsweise mit einer Stromdichte zwischen 0,01 A/cm ² und 0,5 A/cm ² betrieben. Vorteilhaft wird der

optoelektronische Halbleiterchip mit einer

Betriebsstromstärke zwischen 0,1 mA und 5 mA betrieben. Solch geringe Stromdichten oder Betriebsstromstärken können beispielsweise bei optoelektronischen Halbleiterchips verwendet werden, die in einer Anzeigevorrichtung eingesetzt werden .

Eine Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform enthält vorteilhaft mindestens einen optoelektronischen

Halbleiterchip mit den zuvor beschriebenen Merkmalen, insbesondere mit den beidseitig der aktiven Schicht

angeordneten Ladungsträgerbarriereschichten, die eine Dicke von mindestens 5 nm, bevorzugt von mindestens 7 nm und besonders bevorzugt von mindestens 10 nm aufweisen.

Insbesondere kann die Anzeigevorrichtung eine Vielzahl optoelektronischer Halbleiterchips gemäß dem hierin

vorgeschlagenen Prinzip enthalten.

Die Anzeigevorrichtung kann insbesondere ein Display für ein mobiles Datenverarbeitungs- und/oder Kommunikationsgerät wie beispielsweise ein Handy, Smartphone, Notebook, Tablet-PC oder Navigationsgerät sein. Solche mobilen

Datenverarbeitungs- und/oder Kommunikationsgeräte werden häufig netzunabhängig mit Strom versorgt, insbesondere über Akkus oder Batterien, so dass ein niedriger Stromverbrauch wünschenswert ist. Das Display trägt wesentlich zum

Stromverbrauch solcher Geräte bei. Die bei dem hierin

beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips erzielte hohe Effizienz bei geringer Betriebsstromstärke ist deshalb besonders vorteilhaft beim Einsatz in solchen Geräten.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von

Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den Figuren 1 bis 3 näher erläutert.

Es zeigen: Figur 1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch einen optoelektronischen Halbleiterchip gemäß einem Ausführungsbeispiel,

Figur 2A eine schematische graphische Darstellung der

Bandlücke E _g bei einem Vergleichsbeispiel eines optoelektronischen Halbleiterchips ,

Figur 2B eine schematische graphische Darstellung der

Bandlücke E _g bei einem ersten Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Halbleiterchips,

Figur 2C eine schematische graphische Darstellung der

Bandlücke E _g bei einem zweiten Ausführungsbeispiel optoelektronischen Halbleiterchips, und

Figur 3 eine graphische Darstellung der externen

Quanteneffizienz EQE für die optoelektronischen Halbleiterchips gemäß dem ersten und zweiten

Ausführungsbeispiel relativ dem Vergleichsbeispiel.

Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen dargestellten. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.

Der in Figur 1 dargestellte optoelektronische Halbleiterchip 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel ist ein Leuchtdiodenchip, der beispielsweise zur Emission von rotem oder gelbem Licht vorgesehen ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 weist eine Halbleiterschichtenfolge 20 mit einem p-Typ- Halbleiterbereich 4, einem n-Typ-Halbleiterbereich 8 und einer zwischen dem p-Typ-Halbleiterbereich 4 und dem n-Typ- Halbleiterbereich 8 angeordneten, zur Emission von Strahlung geeigneten aktiven Schicht 6 auf. Bei dem Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Halbleiterchips 100 handelt es sich um einen sogenannten Dünnfilm-Halbleiterchip, von dem ein ursprünglich zum epitaktischen Aufwachsen der

Halbleiterschichten verwendetes Aufwachssubstrat abgelöst wurde und stattdessen die Halbleiterschichtenfolge mittels einer Verbindungsschicht 2, insbesondere einer Lotschicht, mit einem vom Aufwachssubstrat verschiedenen Trägersubstrat 1 verbunden wurde.

Bei einem solchen Dünnfilm-Leuchtdiodenchip ist der p-Typ- Halbleiterbereich 4 in der Regel dem Trägersubstrat 1

zugewandt. Zwischen dem p-Typ-Halbleiterbereich 4 und dem Trägersubstrat 1 ist vorteilhaft eine Spiegelschicht 3 angeordnet, welche vorteilhaft in Richtung des

Trägersubstrats 1 emittierte Strahlung in Richtung zu einer Strahlungsaustrittsfläche 9 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 hin umlenkt. Die Spiegelschicht 3 ist beispielsweise eine Metallschicht, die Ag, AI oder Au

enthält . Zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen

Halbleiterchips 100 können beispielsweise eine n- Anschlussschicht 10 auf einem Teilbereich der

Strahlungsaustrittsfläche 9 und eine p-Anschlussschicht 11 an einer Rückseite des Trägersubstrats 1 vorgesehen sein.

Der p-Typ-Halbleiterbereich 4 und der n-Typ-Halbleiterbereich 8 können jeweils aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein und müssen nicht notwendigerweise ausschließlich aus p- dotierten Schichten oder n-dotierten Schichten bestehen, sondern können beispielsweise auch eine oder mehrere

undotierte Schichten aufweisen.

Alternativ zu dem dargestellten Ausführungsbeispiel könnte der optoelektronische Halbleiterchip 100 auch eine

entgegengesetzte Polarität aufweisen, das heißt, es könnte der n-Typ-Halbleiterbereich 8 einem Substrat und der p-Typ- Halbleiterbereich 4 einer Strahlungsaustrittsfläche 9 des optoelektronischen Halbleiterchips zugewandt sein (nicht dargestellt) . Dies ist in der Regel bei optoelektronischen Halbleiterchips der Fall, bei denen das zum epitaktischen Aufwachsen der Halbleiterschichten verwendete

Aufwachssubstrat nicht abgelöst wird, da in der Regel der n- Typ-Halbleiterbereich zuerst auf das Aufwachssubstrat aufgewachsen wird.

Die zur Emission von Strahlung vorgesehene aktive Schicht 6 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ist als Mehrfach- Quantentopfstruktur 6A, 6B ausgebildet. Die Mehrfach- Quantentopfstruktur 6A, 6B weist eine Mehrzahl von abwechselnd angeordneten Quantentopfschichten 6A und

Barriereschichten 6B auf. Bei dem dargestellten

Ausführungsbeispiel weist die Mehrfach-Quantentopfstruktur fünf Schichtpaare aus jeweils einer QuantentopfSchicht 6A und einer Barriereschicht 6B auf. Im Allgemeinen beträgt die Anzahl der Schichtpaare der Mehrfach-Quantentopfstruktur vorteilhaft zwischen 5 und 100. Die Quantentopfschichten 6A weisen vorzugsweise eine Dicke zwischen 4 nm und 10 nm auf. Die an die Quantentopfschichten 6A angrenzenden

Barriereschichten 6B weisen vorteilhaft eine Dicke zwischen 5 nm und 20 nm auf.

In der Mehrfachquantentopfstruktur 6A, 6B weisen die

Quantentopfschichten 6A eine Bandlücke E _QW und die

Barriereschichten 6B eine Bandlücke E _B > E _QW auf. Die

Bandlücke E _QW der Quantentopfschichten 6A ist derart gewählt, dass die Quantentopfschichten 6A zur Emission von Strahlung 12 im sichtbaren gelben oder roten Licht geeignet sind. Die Strahlung 12 kann insbesondere ein Intensitätsmaximum bei einer Wellenlänge zwischen 550 nm und 700 nm, bevorzugt zwischen 580 nm und 660 nm, aufweisen.

Beispielsweise können die Quantentopfschichten 6A und die Barriereschichten 6B jeweils Halbleitermaterialien mit der

Zusammensetzung Al _x Ga _y Ini- _x - _y P mit O ^ x ^ l, O ^ y ^ l und x + y 1 aufweisen, wobei die Barriereschichten 6B einen

größeren Aluminiumgehalt x und einen geringeren Galliumgehalt y als die Quantentopfschichten 6A aufweisen.

Die aktive Schicht 6 ist zwischen einer p-seitigen

Ladungsträgerbarriereschicht 5 und einer n-seitigen

Ladungsträgerbarriereschicht 7 angeordnet. Die Ladungsträgerbarriereschichten 5, 7 weisen eine größere elektronische Bandlücke als die in der aktiven Schicht 6 enthaltenen Quantentopfschichten 6A und Barriereschichten 6B auf. Insbesondere weist die p-seitige

Ladungsträgerbarriereschicht 5 eine Bandlücke E _P - _EBL auf, für die Ep- _EBL > E _B > E _QW gilt. Weiterhin weist die n-seitige

Ladungsträgerbarriereschicht 7 eine Bandlücke E _N _ _EBL auf, für die E _N - _EBL > E _B > E _QW gilt. Die Ladungsträgerbarriereschichten 5, 7 dienen zum Einschluss (confinement ) von Ladungsträgern (Elektronen und Löchern) in der aktiven Schicht 6, um die strahlende Rekombination der Ladungsträger in der aktiven Schicht 6 zu begünstigen. Vorzugsweise weisen die

Ladungsträgerbarriereschichten jeweils Al _x I ni_ _x P mit 0,4 < x < 0,6 auf. Hierbei weisen die Ladungsträgerbarriereschichten 5, 7 vorzugsweise einen größeren Aluminiumgehalt x und/oder einen geringeren Indiumgehalt als die Barriereschichten 6B und Quantentopfschichten 6A auf.

Die Figuren 2A bis 2C zeigen den Verlauf der Bandlücke E _g in den Halbleiterschichtenfolgen entlang einer senkrecht zu den Schichtebenen zeigenden Ortskoordinate x für ein nicht erfindungsgemäßes Vergleichsbeispiel ohne

Ladungsträgerbarriereschichten (Figur 2A) , für ein erstes Ausführungsbeispiel mit 5 nm dicken

Ladungsträgerbarriereschichten 5, 7 (Figur 2B) und für ein zweites Ausführungsbeispiel des optoelektronischen

Halbleiterchips mit 10 nm dicken

Ladungsträgerbarriereschichten 5, 7 (Figur 2C) . Bei den optoelektronischen Halbleiterchips der Figuren 2B und 2C grenzen die Ladungsträgerbarriereschichten 5, 7 jeweils unmittelbar an die aktive Schicht 6 an, die aus abwechselnden Quantentopfschichten 6A und Barriereschichten 6B gebildet ist. Die Ladungsträgerbarriereschichten 5, 7 grenzen

insbesondere jeweils unmittelbar an eine äußerste

Barriereschicht der Mehrfach-Quantentopfstruktur an. In der als Mehrfach-Quantentopfstruktur ausgebildeten aktiven

Schicht weisen die Barriereschichten 6B eine größere

Bandlücke als die Quantentopschichten 6A auf. Die

Ladungsträgerbarriereschichten 5, 7 weisen eine noch größere Bandlücke als die Barriereschichten 6B der aktiven Schicht 6 auf. Dies kann insbesondere durch einen höheren

Aluminiumanteil in den Ladungsträgerbarriereschichten 5, 7 realisiert sein.

Die Figur 3 zeigt die externe Quanteneffizienz für die optoelektronischen Halbleiterchips mit den in den Figuren 2A bis 2C dargestellten Halbleiterschichtenfolgen in

Abhängigkeit von der Betriebsstromdichte J der

optoelektronischen Halbleiterchips. Die externe

Quanteneffizienz des Beispiels der Figur 2A ohne

Ladungsträgerbarriereschichten dient als Referenzkurve 30A (EQE _Ref ) für die Ausführungsbeispiele mit

Ladungsträgerbarriereschichten und ist deshalb auf 100% normiert worden. Die Kurve 30B zeigt die relative externe Quanteneffizienz (EQE _Test /EQE _Ref ) für das Ausführungsbeispiel der Figur 2B und die Kurve 30C die relative externe

Quanteneffizienz (EQE _Test /EQE _Ref ) für das Ausführungsbeispiel der Figur 2C.

Es zeigt sich, dass sich eine erhöhte Quanteneffizienz bei den Ausführungsbeispielen mit den 5 nm dicken

Ladungsträgerbarriereschichten (Kurve 30B) und den 10 nm dicken Ladungsträgerbarriereschichten (Kurve 30C)

insbesondere dann ergibt, wenn die Betriebsstromdichte vergleichsweise niedrig ist. Bei dem Ausführungsbeispiel mit den 10 nm dicken Ladungsträgerbarriereschichten ergibt sich eine besonders hohe Quanteneffizienz, wenn die

Betriebsstromdichte nicht mehr als 0,5 A/cm ² beträgt. Bei höheren Betriebsstromstärken kann die Quanteneffizienz dagegen geringer sein als bei dem Ausführungsbeispiel mit den 5 nm dicken Ladungsträgerbarriereschichten (Kurve 30B) oder dem Vergleichsbeispiel ohne Ladungsträgerbarriereschichten (Kurve 30A) .

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die

Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von

Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Bezugs zeichenliste

1 Trägersubstrat

2 VerbindungsSchicht

3 Spiegelschicht

4 p-Typ Halbleiterbereich

5 p-seitige Ladungsträgerbarriereschicht

6 aktive Schicht

6A Quantentopfschicht

6B Barriereschicht

7 n-seitige Ladungsträgerbarriereschicht 8 n-Typ Halbleiterbereich

9 Strahlungsaustrittsfläche

10 n-Anschlussschicht

11 p-Anschlussschicht

12 Strahlung

20 Halbleiterschichtenfolge

100 optoelektronischer Halbleiterchip