OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS

Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.

Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen

optoelektronischen Halbleiterchip mit einer hohen Effizienz für die Emission oder Absorption elektromagnetischer

Strahlung anzugeben. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen

optoelektronischen Halbleiterchips anzugeben.

Diese Aufgaben werden unter anderem durch den Gegenstand und das Verfahren der unabhängigen Patentansprüche gelöst.

Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind

Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.

Zunächst wird ein optoelektronischer Halbleiterchip

angegeben .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der

optoelektronische Halbleiterchip eine

Halbleiterschichtenfolge mit einer Strahlungsseite, einer ersten Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps , einer aktiven Schicht, einer zweiten Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einer Rückseite, die in dieser Reihenfolge übereinander angeordnet sind. Im

bestimmungsgemäßen Betrieb erzeugt oder absorbiert die aktive Schicht elektromagnetische Primärstrahlung. Die Halbleiterschichtenfolge basiert zum Beispiel auf einem I I I-V-Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem

Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein

Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial, wie Al _n In _] __ _n-m Ga _m N, oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial , wie

Al _n In _] __ _n-m Ga _m P, oder um ein Arsenid-

Verbindungshalbleitermaterial , wie Al _n In _] __ _n-m Ga _m As oder

Al _n In _] __ _n-m Ga _m AsP, wobei jeweils 0 < n < 1, 0 < m < 1 und m + n < 1 ist. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge

Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen

Bestandteile des Kristallgitters der

Halbleiterschichtenfolge, also Al, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. Die Halbleiterschichtenfolge kann auch auf ZnSSe oder GaSb basieren .

Die aktive Schicht der Halbleiterschichtenfolge beinhaltet insbesondere wenigstens einen pn-Übergang und/oder mindestens eine QuantentopfStruktur in Form eines einzelnen

Quantentopfs, kurz SQW, oder in Form einer Multi- QuantentopfStruktur, kurz MQW. Bevorzugt umfasst der

Halbleiterchip genau eine zusammenhängende, insbesondere einfach zusammenhängende, aktive Schicht. Alternativ kann die aktive Schicht auch segmentiert sein.

Die aktive Schicht kann im bestimmungsgemäßen Betrieb

elektromagnetische Primärstrahlung im blauen oder grünen oder roten Spektralbereich oder im UV-Bereich oder im IR-Bereich erzeugen oder absorbieren. Unter einem Halbleiterchip wird hier und im Folgenden ein separat handhabbares und elektrisch kontaktierbares Element verstanden. Ein Halbleiterchip entsteht durch Vereinzelung aus einem Waferverbund. Seitenflächen eines solchen

Halbleiterchips können Spuren aus dem Vereinzelungsprozess aufweisen. Ein Halbleiterchip umfasst bevorzugt genau einen ursprünglich zusammenhängenden Bereich der im Waferverbund gewachsenen Halbleiterschichtenfolge. Die

Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterchips ist bevorzugt zusammenhängend ausgebildet. Die laterale Ausdehnung des Halbleiterchips ist beispielsweise höchstens 1 % oder

höchstens 5 % oder höchstens 10 % oder höchstens 20 % größer als die laterale Ausdehnung der aktiven Schicht oder der Halbleiterschichtenfolge .

Als laterale Ausdehnung wird hier und im Folgenden

insbesondere eine Erstreckung oder Ausdehnung in jede

beliebige laterale Richtung verstanden. Eine laterale

Richtung ist vorliegend eine Richtung parallel zur

Haupterstreckungsebene der aktiven Schicht beziehungsweise der Halbleiterschichtenfolge.

Die Strahlungsseite und die Rückseite sind einander

gegenüberliegende Deckflächen der Halbleiterschichtenfolge. Bevorzugt sind die Strahlungsseite und die Rückseite aus dem Halbleitermaterial der Halbleiterschichtenfolge gebildet. Die Strahlungsseite und die Rückseite verlaufen bevorzugt im Wesentlichen parallel zueinander und parallel zu einer

Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge.

Der erste Leitfähigkeitstyp kann n-leitend oder p-leitend sein. Der zweite Leitfähigkeitstyp ist bevorzugt komplementär zum ersten Leitfähigkeitstyp, ist also p-leitend oder n- leitend. Die erste und/oder die zweite Halbleiterschicht können eine Mehrzahl von übereinander gewachsenen

Einzelschichten umfassen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der

Halbleiterchip eine erste Kontaktstruktur und eine zweite Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung der

Halbleiterschichtenfolge. Die erste und/oder zweite

Kontaktstruktur sind elektrisch leitend. Die erste und/oder zweite Kontaktstruktur können Metall und/oder ein transparent leitfähiges Oxid umfassen oder daraus bestehen. Die erste und/oder zweite Kontaktstruktur können mehrschichtig oder einstückig aufgebaut sein.

Die Kontaktstrukturen dienen insbesondere zur Injektion von Ladungsträgern in die Halbleiterschichtenfolge. Zum Beispiel stehen die erste und/oder die zweite Kontaktstruktur dazu stellenweise in direktem Kontakt zu Halbleiterschichtenfolge.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die zweite

Kontaktstruktur auf der Rückseite angeordnet und in

elektrischem Kontakt zur zweiten Halbleiterschicht.

Beispielsweise erstreckt sich die zweite Kontaktstruktur zumindest abschnittsweise parallel oder im Wesentlichen parallel zur Haupterstreckungsebene der Rückseite. In

Draufsicht auf die Rückseite betrachtet kann die zweite

Kontaktstruktur einen Teil der Rückseite, beispielsweise zumindest 50 % oder zumindest 75 % der Rückseite, überdecken.

Die zweite Kontaktstruktur ist bevorzugt in direktem

elektrischem Kontakt zur zweiten Halbleiterschicht. Die zweite Kontaktstruktur grenzt beispielsweise unmittelbar an die zweite Halbleiterschicht. Über die zweite Kontaktstruktur werden im bestimmungsgemäßen Betrieb zweite Ladungsträger, wie Löcher oder Elektronen, in die zweite Halbleiterschicht inj iziert .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die erste

Kontaktstruktur in elektrischem Kontakt zur ersten

Halbleiterschicht, bevorzugt in direktem elektrischem Kontakt zur ersten Halbleiterschicht. Die erste Kontaktstruktur grenzt beispielsweise unmittelbar an die erste

Halbleiterschicht. Über die erste Kontaktstruktur werden im bestimmungsgemäßen Betrieb erste Ladungsträger, wie

Elektronen oder Löcher, in die erste Halbleiterschicht inj iziert .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Strahlungsseite zum Einkoppeln oder Auskoppeln der Primärstrahlung in oder aus der Halbleiterschichtenfolge eingerichtet. Beispielsweise werden im bestimmungsgemäßen Betrieb des Halbleiterchips zumindest 50 % oder zumindest 75 % oder zumindest 90 % der von der aktiven Schicht erzeugten oder von der aktiven

Schicht absorbierten Primärstrahlung über die Strahlungsseite aus der Halbleiterschichtenfolge ausgekoppelt oder in die Halbleiterschichtenfolge eingekoppelt. Die Strahlungsseite kann einem Träger, zum Beispiel einem Aufwachsubstrat für die Halbleiterschichtenfolge, zugewandt sein. Die Primärstrahlung gelangt dann beispielsweise über die Strahlungsseite aus der Halbleiterschichtenfolge und dringt in den Träger ein. Nach dem Durchqueren des Trägers kann die Primärstrahlung dann aus dem Halbleiterchip ausgekoppelt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Rückseite strukturiert und umfasst Streustrukturen. Die Streustrukturen sind zur Streuung und Umlenkung der Primärstrahlung eingerichtet. Beispielsweise beträgt eine Höhe der Streustrukturen, gemessen senkrecht zur

Haupterstreckungsebene der aktiven Schicht, und/oder eine Breite der Streustrukturen, gemessen in Richtung parallel zur Haupterstreckungsebene der aktiven Schicht, im Mittel

zumindest l/4 oder zumindest l/2, wobei l die Wellenlänge ist, bei der die Primärstrahlung ein globales

Intensitätsmaximum aufweist. Alternativ oder zusätzlich kann die mittlere Höhe und/oder Breite höchstens 5l oder höchstens 3l betragen. Ein mittlerer Abstand zwischen je zwei

Streustrukturen beträgt beispielsweise höchstens 5l oder höchstens 3l. Beispielsweise sind zumindest 50 % oder

zumindest 75 % der Fläche der Rückseite mit Streustrukturen versehen .

Die Rückseite weist beispielsweise eine mittlere Rauheit von zumindest 300 nm oder zumindest 500 nm oder zumindest 1 gm auf. Alternativ oder zusätzlich kann die mittlere Rauheit höchstens 3 gm oder höchstens 2 pm betragen. Zur Bestimmung der mittleren Rauheit wird bevorzugt über die gesamte

Rückseite gemittelt.

Die Streustrukturen sind zum Beispiel aus einer

Strukturierung der Rückseite der Halbleiterschichtenfolge entstanden. Insofern sind die Streustrukturen bevorzugt aus dem Material der Halbleiterschichtenfolge gebildet. Bei den Streustrukturen handelt es sich zum Beispiel um Erhebungen der Rückseite beziehungsweise Vertiefungen in der Rückseite. Die Erhebungen und/oder Vertiefungen können pyramidenförmig oder kegelförmig oder pyramidenstumpfförmig oder

kegelstumpfförmig sein. Die Streustrukturen können

gleichmäßig oder ungleichmäßig entlang der Rückseite verteilt sein. Unterschiedliche Streustrukturen können unterschiedliche geometrische Formen und/oder

unterschiedliche Höhen und/oder unterschiedliche Breiten aufweisen .

Im Bereich der Streustrukturen grenzt die Rückseite bevorzugt an elektrisch isolierendes Material. Das heißt, im Bereich der Streustrukturen ist die Rückseite bevorzugt weder an die erste Kontaktstruktur noch an die zweite Kontaktstruktur elektrisch angeschlossen.

In mindestens einer Ausführungsform umfasst der

optoelektronische Halbleiterchip eine

Halbleiterschichtenfolge mit einer Strahlungsseite, einer ersten Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps , einer aktiven Schicht, einer zweiten Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einer Rückseite, die in dieser Reihenfolge übereinander angeordnet sind. Die aktive Schicht erzeugt oder absorbiert im bestimmungsgemäßen Betrieb

elektromagnetische Primärstrahlung. Ferner umfasst der optoelektronische Halbleiterchip eine erste Kontaktstruktur und eine zweite Kontaktstruktur zur elektrischen

Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge. Die zweite

Kontaktstruktur ist auf der Rückseite angeordnet und steht in elektrischem Kontakt zur zweiten Halbleiterschicht. Die

Strahlungsseite ist zum Einkoppeln oder Auskoppeln der

Primärstrahlung in oder aus der Halbleiterschichtenfolge eingerichtet. Die Rückseite ist strukturiert und umfasst Streustrukturen, die zur Streuung und Umlenkung der

Primärstrahlung eingerichtet sind.

Der vorliegenden Erfindung liegt insbesondere die Erkenntnis zu Grunde, dass eine strukturierte Halbleiterschichtenfolge die Effizienz des Halbleiterchips, insbesondere eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, verbessert. An den Streustrukturen kommt es zur Umverteilung der

Primärstrahlung. Die Umverteilung hat den Vorteil, dass die Wahrscheinlichkeit dafür, dass Primärstrahlung aufgrund von Totalreflexion innerhalb der Halbleiterschichtenfolge

gefangen bleibt, reduziert wird. Normalerweise wird die

Halbleiterschichtenfolge an der Strahlungsseite strukturiert, also an der Seite, über die im Betrieb ein Großteil der

Primärstrahlung austritt oder eintritt.

Die Erfinder sind nun zu der Erkenntnis gelangt, dass eine Strukturierung der Strahlungsseite auch nachteilig sein kann. Insbesondere wenn im Bereich der Strahlungsseite

Stromaufweitungsschichten verwendet werden, können diese durch die Strukturierung negativ beeinträchtigt werden.

Folglich werden beispielsweise höhere Betriebsspannungen notwendig, was die Effizienz des Halbleiterchips reduzieren kann .

Eine Idee der vorliegenden Erfindung ist nun, die

Strukturierung der Halbleiterschichtenfolge auf eine

Rückseite der Halbleiterschichtenfolge zu verlegen, die nicht zur Einkopplung oder Auskopplung der Primärstrahlung

vorgesehen ist. Entsprechend können die Strahlungsseite und die funktionellen Schichten im Bereich der Strahlungsseite optimiert werden, ohne dass deren Eigenschaften aufgrund einer Strukturierung negativ beeinflusst werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der

Halbleiterchip einen Spiegel auf der Rückseite. Der Spiegel ist dabei spiegelnd für die in der aktiven Schicht erzeugte oder absorbierte Primärstrahlung. Beispielsweise überdeckt der Spiegel zumindest 50 % oder zumindest 75 % oder zumindest 90 % der Rückseite der Halbleiterschichtenfolge. Der Spiegel weist für die Primärstrahlung beispielsweise eine

Reflektivität von zumindest 80 % oder zumindest 90 % oder zumindest 95 % oder zumindest 99 % auf. Die Reflektivität wird dabei bevorzugt bei der Wellenlänge l angegeben, bei der die Primärstrahlung ein globales Intensitätsmaximum aufweist.

Der Spiegel kann eine metallische Schicht umfassen. Die metallische Schicht ist dann bevorzugt reflektierend für die Primärstrahlung. Die metallische Schicht umfasst zum Beispiel Silber oder Aluminium. Ein mittlerer Abstand der metallischen Schicht zu der strukturierten Rückseite beträgt

beispielsweise höchstens 5 gm oder höchstens 3 gm oder höchstens 1 pm.

Die metallische Schicht des Spiegels kann durch die erste Kontaktstruktur und/oder die zweite Kontaktstruktur gebildet sein. Alternativ kann die metallische Schicht aber auch verschieden von der ersten Kontaktstruktur und der zweiten Kontaktstruktur sein. Zum Beispiel ist die metallische

Schicht des Spiegels dann elektrisch von der

Halbleiterschichtenfolge isoliert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Strahlungsseite im Rahmen der Herstellungstoleranz glatt. Insbesondere ist die Strahlungsseite nicht strukturiert, das heißt nicht gezielt mit Strukturen versehen. Beispielsweise beträgt eine mittlere Rauheit der Strahlungsseite höchstens 100 nm oder höchstens 50 nm oder höchstens 10 nm. Dadurch dass die

Strahlungsseite glatt ist, können die an die Strahlungsseite angrenzenden Schichten oder Materialien bezüglich ihrer

Eigenschaften, wie elektrische Leitfähigkeit, optimiert sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform erstreckt sich die erste Kontaktstruktur ausgehend von der Rückseite durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht in die erste Halbleiterschicht. Die erste Kontaktstruktur kann die erste Halbleiterschicht vollständig durchdringen oder in die erste Halbleiterschicht münden. Die erste Kontaktstruktur kann die Halbleiterschichtenfolge von der Rückseite bis zur

Strahlungsseite vollständig durchdringen. Dazu umfasst die Halbleiterschichtenfolge eine oder mehrere Aussparungen, die mit der ersten Kontaktstruktur gefüllt ist. Anders

ausgedrückt bildet die erste Kontaktstruktur eine oder mehrere Durchkontaktierungen in der Halbleiterschichtenfolge.

Die erste Kontaktstruktur kann sich abschnittsweise parallel oder im Wesentlichen parallel zur Haupterstreckungsebene der Rückseite erstrecken. In Draufsicht auf die Rückseite

betrachtet überdeckt die erste Kontaktstruktur beispielsweise zumindest 50 % oder zumindest 75 % der Rückseite.

Statt sich von der Rückseite aus in die

Halbleiterschichtenfolge zu erstrecken, kann die erste

Kontaktstruktur auch auf der Strahlungsseite der

Halbleiterschichtenfolge angeordnet sein. Ein Teil der

Strahlungsseite, beispielsweise höchstens 25 % oder höchstens 10 %, können dann von der ersten Kontaktstruktur überdeckt sein .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der

optoelektronische Halbleiterchip eine Stromaufweitungsschicht auf einer der zweiten Halbleiterschicht abgewandten Seite der aktiven Schicht. Die Stromaufweitungsschicht ist dazu

eingerichtet, erste Ladungsträger lateral zu verteilen.

Insbesondere weist die Stromaufweitungsschicht eine höhere laterale Leitfähigkeit für die ersten Ladungsträger auf als an die Stromaufweitungsschicht grenzende Schichten oder

Elemente des Halbleiterchips. Erste Ladungsträger sind die im Betrieb über die erste Kontaktstruktur der

Halbleiterschichtenfolge zugeführten Ladungsträger.

Die Stromaufweitungsschicht kann Teil der

Halbleiterschichtenfolge, insbesondere Teil der ersten

Halbleiterschicht, sein. Dann ist die Stromaufweitungsschicht selbst eine Halbleiterschicht. Bevorzugt weist die

Stromaufweitungsschicht dann eine höhere Dotierkonzentration auf als die an sie angrenzenden Halbleiterschichten.

Beispielsweise beträgt die Dotierkonzentration der

Stromaufweitungsschicht dann zumindest I-IO^ cm-^ oder zumindest 5· IO^ cm-^ oder zumindest I-IO^ cm-^.

Alternativ ist es auch möglich, dass die

Stromaufweitungsschicht außerhalb der

Halbleiterschichtenfolge auf der Strahlungsseite angeordnet ist. Die Stromaufweitungsschicht basiert dann bevorzugt auf einem von dem Material der Halbleiterschichtenfolge

verschiedenen Material. Beispielsweise basiert die

Stromaufweitungsschicht dann auf einem transparent

leitfähigen Material, wie einem transparent leitfähigen Oxid, kurz TCO, insbesondere Indiumzinnoxid, kurz ITO.

Insbesondere die Leitfähigkeit der Stromaufweitungsschicht kann davon profitieren, dass die Strukturierung der

Halbleiterschichtenfolge auf der Rückseite ausgebildet ist, denn auf diese Weise kann die Stromaufweitungsschicht eben oder im Wesentlichen eben verlaufen, was die laterale

Verteilung der ersten Ladungsträger erleichtert. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zwischen der

Rückseite und dem Spiegel eine Planarisierungsschicht angeordnet, die an einer dem Spiegel zugewandten Seite im Rahmen der Herstellungstoleranz glatt ist. Beispielsweise beträgt eine mittlere Rauheit der dem Spiegel zugewandten Seite der Planarisierungsschicht höchstens 100 nm oder höchstens 50 nm oder höchstens 10 nm. Die

Planarisierungsschicht umfasst bevorzugt ein dielektrisches Material, wie zum Beispiel SiOg, SiN, NbgOg, TiOg, MgFg,

TagOg, oder besteht daraus. Besonders bevorzugt ist die Planarisierungsschicht transparent für die Primärstrahlung.

Die Planarisierungsschicht füllt die Räume zwischen den

Streustrukturen auf und bildet eine der Rückseite abgewandte glatte, bevorzugt auch ebene Fläche. Der Spiegel kann auf eine solche glatte Fläche einfacher aufgebracht werden und effizienter gestaltet werden. Insbesondere wird durch die Planarisierungsschicht die Oberfläche der metallischen

Schicht des Spiegels reduziert, was die Wahrscheinlichkeit für Oberflächenabsorption der Primärstrahlung durch die metallische Schicht verringert. Dabei hat die

Planarisierungsschicht kaum eine Auswirkung auf die

Reflektivität des Spiegels.

Die Planarisierungsschicht kann in direktem Kontakt zu der Rückseite, insbesondere den Streustrukturen, stehen.

Bevorzugt weist die Planarisierungsschicht für die

Primärstrahlung einen anderen, insbesondere kleineren,

Brechungsindex auf als die Halbleiterschichtenfolge. Dies erhöht die Streuwahrscheinlichkeit der Primärstrahlung an den Streustrukturen. Zum Beispiel weist die

Planarisierungsschicht einen um mindestens 0,5 oder mindestens 1,0 kleineren Brechungsindex auf als die

Halbleiterschichtenfolge .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der

Halbleiterchip einen Träger auf der Strahlungsseite, wobei der Träger die Halbleiterschichtenfolge trägt und mechanisch stabilisiert. Der Träger ist insbesondere transparent oder klarsichtig für die Primärstrahlung. Bei dem Halbleiterchip handelt es sich dann zum Beispiel um einen Volumenemitter.

Bei dem Träger auf der Strahlungsseite kann es sich um das Aufwachsubstrat der Halbleiterschichtenfolge handeln. Dann grenzt die Halbleiterschichtenfolge bevorzugt unmittelbar an den Träger. Alternativ kann der Träger auf der

Strahlungsseite auch erst nach dem Aufwachsen der

Halbleiterschichtenfolge aufgebracht sein. Dann ist zwischen dem Träger und der Strahlungsseite zum Beispiel eine

Verbindungsschicht, beispielsweise eine Klebeschicht, wie eine silikonbasierte Klebeschicht, angeordnet. Die

Verbindungsschicht ist bevorzugt ebenfalls transparent oder klarsichtig für die Primärstrahlung.

Beispielsweise basiert der Träger auf der Strahlungsseite auf Glas oder Glaskeramik oder Keramik oder einem

Halbleitermaterial, wie GaP oder SiC, oder Saphir oder

Kunststoff. Der Träger weist beispielsweise eine Dicke, gemessen senkrecht zur Haupterstreckungsebene der aktiven Schicht, von zumindest 50 gm oder zumindest 100 gm auf. In Draufsicht auf die Strahlungsseite betrachtet überdeckt der Träger bevorzugt einen Großteil, beispielsweise zumindest 75 % oder zumindest 90 % oder 100 %, der Strahlungsseite. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterchip einen Träger auf der Rückseite. Der Träger trägt und stabilisiert die Halbleiterschichtenfolge

mechanisch. Bei dem Träger auf der Rückseite kann es sich um einen Metallträger oder Halbleiterträger oder Keramikträger handeln. Beispielsweise basiert der Träger auf Silizium. Der Träger auf der Rückseite weist beispielsweise eine Dicke, gemessen senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung der aktiven Schicht, von zumindest 50 gm oder zumindest 100 gm auf. Der Träger auf der Rückseite kann elektrisch leitend sein. Der Träger auf der Rückseite kann undurchlässig für die

Primärstrahlung sein.

Ist ein Träger auf der Rückseite angeordnet, so ist bevorzugt auf der Strahlungsseite kein selbsttragender Träger

angeordnet. Insbesondere ist der Halbleiterchip dann

bevorzugt frei von einem Aufwachsubstrat für die

Halbleiterschichtenfolge. Ist dagegen auf der Strahlungsseite ein Träger angeordnet, so ist bevorzugt auf der Rückseite kein selbsttragender Träger angeordnet. Der Träger ist beispielsweise die einzige selbsttragende Komponente des Halbleiterchips .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die zweite

Kontaktstruktur zumindest abschnittsweise zwischen dem Träger auf der Rückseite und der Halbleiterschichtenfolge

angeordnet. Auch kann die erste Kontaktstruktur zumindest abschnittsweise zwischen dem Träger auf der Rückseite und der Halbleiterschichtenfolge angeordnet sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Spiegel zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem auf der

Rückseite angeordneten Träger angeordnet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip ein Flip-Chip oder ein Dünnfilmchip.

Bei einem Flip-Chip sind bevorzugt Kontaktelemente zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips alle auf der Rückseite der Halbleiterschichtenfolge angeordnet und liegen im unmontierten Zustand des Halbleiterchips an einer der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite frei.

Bei einem Dünnfilmchip ist das Aufwachsubstrat der

Halbleiterschichtenfolge bevorzugt abgelöst. Der die

Halbleiterschichtenfolge mechanisch stabilisierende Träger ist dann bevorzugt auf der Rückseite ausgebildet. Die

Kontaktelemente zur elektrischen Kontaktierung des

Halbleiterchips können auf der der Halbleiterschichtenfolge zugewandten Seite des Trägers angeordnet sein und im

unmontierten Zustand jeweils an einer dem Träger abgewandten Seite freiliegen. Alternativ kann ein Kontaktelement auf der der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite des Trägers angeordnet sein und im unmontierten Zustand des

Halbleiterchips an einer dem Träger abgewandten Seite

freiliegen. Ein anderes Kontaktelement ist dann bevorzugt auf der der Halbleiterschichtenfolge zugewandten Seite des

Trägers angeordnet und im unmontierten Zustand an einer dem Träger abgewandten Seite frei zugänglich.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Spiegel eine metallische Schicht und eine oder mehrere zwischen der metallischen Schicht und der Rückseite angeordnete

dielektrische Schichten. Eine Kombination aus einer oder mehreren dielektrischen Schichten mit einer metallischen Schicht kann zu einer besonders hohen Reflektivität für die Primärstrahlung führen. Die dielektrischen Schichten weisen dabei beispielsweise jeweils Dicken zwischen einschließlich 0,2·l und 0,5·l auf. Jede der dielektrischen Schichten kann beispielsweise eines der folgenden Materialien umfassen oder daraus bestehen: SiOg, SiN, NbgOg, TiOg, MgFg, TagOg, AlgO , HfOg

Als nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung eines

optoelektronischen Halbleiterchips angegeben. Das Verfahren eignet sich insbesondere dazu, einen wie eben beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchip herzustellen. Das heißt, sämtliche in Verbindung mit dem Halbleiterchip offenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips einen Schritt A) , in dem eine Halbleiterschichtenfolge auf einem Substrat bereitgestellt wird. Die

Halbleiterschichtenfolge umfasst ausgehend vom Substrat eine erste Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps , eine aktive Schicht und eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps in dieser Reihenfolge. Die aktive Schicht erzeugt oder absorbiert im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische PrimärStrahlung .

Bei dem Substrat kann es sich um das Aufwachsubstrat für die Halbleiterschichtenfolge handeln. Alternativ handelt es sich bei dem Substrat um ein von dem Aufwachsubstrat verschiedenes Substrat, auf dem die Halbleiterschichtenfolge nach dem

Aufwachsen aufgebracht, beispielsweise aufgeklebt, ist. Das Aufwachsubstrat kann im Schritt A) bereits abgelöst sein. Beispielsweise handelt es sich bei dem Substrat um ein

Glassubstrat oder Glaskeramiksubstrat oder Saphirsubstrat oder Kunststoffsubstrat oder um ein Halbleitersubstrat, zum Beispiel aus GaP oder SiC, oder um ein Keramiksubstrat. Das Substrat ist bevorzugt transparent.

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das Verfahren einen Schritt B) , in dem eine dem Substrat abgewandte

Rückseite der Halbleiterschichtenfolge strukturiert wird, wobei Streustrukturen entstehen, die zur Streuung und

Umlenkung der Primärstrahlung eingerichtet sind. Die

Strukturierung der Rückseite kann beispielsweise durch

Aufbringen eines Ätzmittels auf die Rückseite erzeugt werden. Bei dem Ätzmittel kann es sich um ein nasschemisches oder trockenchemisches Ätzmittel handeln. Bei der Strukturierung kann eine Maske verwendet werden.

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das Verfahren einen Schritt C) , in dem eine erste Kontaktstruktur und eine zweite Kontaktstruktur ausgebildet werden. Die zweite

Kontaktstruktur wird dabei auf der Rückseite angeordnet und in elektrischen Kontakt zur zweiten Halbleiterschicht

gebracht. Die erste Kontaktstruktur wird in elektrischen Kontakt zur ersten Halbleiterschicht gebracht.

Bevorzugt werden die Schritte A) bis C) in der angegebenen Reihenfolge und nacheinander ausgeführt.

Gemäß zumindest einer Aus führungs form wird nach dem Schritt B) ein Spiegel auf der Rückseite ausgebildet, der spiegelnd für die in der aktiven Schicht erzeugte oder absorbierte Primärstrahlung ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden zum Aufbringen des Spiegels zunächst eine oder mehrere dielektrische

Schichten und dann eine metallische Schicht aufgebracht.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die erste

Kontaktstruktur so ausgebildet, dass sie sich ausgehend von der Rückseite durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht in die erste Halbleiterschicht erstreckt.

Beispielsweise werden dazu zunächst ausgehend von der

Rückseite eine oder mehrere Ausnehmungen in die

Halbleiterschichtenfolge eingebracht, beispielsweise

eingeätzt. Die Ausnehmungen erstrecken sich dann von der Rückseite durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht hinein in die erste Halbleiterschicht. Die

Ausnehmungen können sich vollständig durch die erste

Halbleiterschicht erstrecken oder in die erste

Halbleiterschicht münden. Die eine oder die mehreren

Ausnehmungen können anschließend mit der ersten

Kontaktstruktur aufgefüllt werden, wobei die erste

Halbleiterschicht mit der ersten Kontaktstruktur elektrisch verbunden wird.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird nach dem Schritt B) und vor dem Aufbringen des Spiegels eine

Planarisierungsschicht auf der strukturierten Rückseite angeordnet. Die Planarisierungsschicht wird bevorzugt

zunächst so dick aufgebracht, dass sie dicker ist als die maximale Höhe der Streustrukturen. Insbesondere überdeckt die Planarisierungsschicht dann alle Streustrukturen der

Rückseite .

Anschließend wird die Planarisierungsschicht bevorzugt poliert, bis die der Halbleiterschichtenfolge abgewandte Seite der Planarisierungsschicht im Rahmen der

Herstellungstoleranz glatt und/oder eben ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird nach dem Schritt C) ein Träger auf der Rückseite ausgebildet und anschließend das Substrat von der Halbleiterschichtenfolge abgelöst.

Alternativ kann das Substrat den Träger des Halbleiterchips bilden .

Nachfolgend wird ein hier beschriebener optoelektronischer Halbleiterchip sowie ein hier beschriebenes Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips unter Bezugnahme auf Zeichnungen anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

Es zeigen:

Figuren 1 und 2 Ausführungsbeispiele eines optoelektronischen Halbleiterchips in Querschnittsansicht,

Figuren 3A bis 3E verschiedene Positionen in einem

Ausführungsbeispiel zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips .

In der Figur 1 ist ein erstes Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Halbleiterchips 100 in Querschnittsansicht gezeigt. Der Halbleiterchip 100 umfasst eine

Halbleiterschichtenfolge 1 mit einer ersten Halbleiterschicht 11, einer zweiten Halbleiterschicht 12 und einer aktiven Schicht 13 zwischen der ersten Halbleiterschicht 11 und der zweiten Halbleiterschicht 12. Die aktive Schicht 13 ist dazu eingerichtet, im bestimmungsgemäßen Betrieb

elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren. Bei dem Halbleiterchip 100 handelt es sich also um einen

strahlungemittierenden Halbleiterchip .

Die Halbleiterschichtenfolge 1 basiert beispielsweise auf InGaAlP. Die aktive Schicht 13 emittiert im Betrieb zum

Beispiel gelbes oder rotes Licht. Die erste Halbleiterschicht

11 ist zum Beispiel p-leitend, die zweite Halbleiterschicht

12 ist zum Beispiel n-leitend. Aber auch eine umgekehrte Dotierung wäre möglich.

Die Halbleiterschichtenfolge 1 umfasst eine Strahlungsseite 10 und eine der Strahlungsseite 10 gegenüberliegende

Rückseite 14. Die Strahlungsseite 10 und die Rückseite 14 bilden Deckflächen der Halbleiterschichtenfolge 1 und sind aus dem Halbleitermaterial der Halbleiterschichtenfolge 1 gebildet. Dabei ist die erste Halbleiterschicht 11 der

Strahlungsseite 10 und die zweite Halbleiterschicht 12 der Rückseite 14 zugewandt. Über die Strahlungsseite 10 werden im Betrieb des Halbleiterchips 100 zumindest 50 % oder zumindest 75 % der in der aktiven Schicht 13 erzeugten Primärstrahlung aus der Halbleiterschichtenfolge 1 ausgekoppelt.

Die Rückseite 14 der Halbleiterschichtenfolge ist

strukturiert und umfasst eine Mehrzahl von Streustrukturen 410. Die Streustrukturen 410 sind dazu eingerichtet, die erzeugte Primärstrahlung zu streuen und umzulenken, so dass die Primärstrahlung aufgrund von Totalreflexion nicht

innerhalb der Halbleiterschichtenfolge 1 gefangen bleibt. Beispielsweise weisen die Streustrukturen 410 mittlere Höhen und/oder Breiten von zumindest l/4 auf, wobei l die

Wellenlänge der Primärstrahlung ist, bei der die

Primärstrahlung ein Intensitätsmaximum aufweist.

Der Halbleiterchip 100 umfasst ferner eine erste

Kontaktstruktur 31 und eine zweite Kontaktstruktur 32, die zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge 1 eingerichtet sind. Die Kontaktstrukturen 31, 32 sind

bevorzugt jeweils aus Metall gebildet oder umfassen Metall.

Die erste Kontaktstruktur 31 steht in elektrischem Kontakt zur ersten Halbleiterschicht 11. Die erste Kontaktstruktur 31 erstreckt sich abschnittsweise entlang der Rückseite 14 und bedeckt in Draufsicht auf die Rückseite 14 betrachtet einen Teil der Rückseite 14. Ferner erstreckt sich die erste

Kontaktstruktur 31 innerhalb einer Ausnehmung von der

Rückseite 14 durch die zweite Halbleiterschicht 12, die aktive Schicht 13 und die erste Halbleiterschicht 11 und durchdringt so die Halbleiterschichtenfolge 1 vollständig.

Auf der Strahlungsseite ist ein Kontaktpad 311 aufgebracht, das elektrisch leitend mit der ersten Kontaktstruktur 31 verbunden ist. Das Kontaktpad 311 ist beispielsweise aus einem Metall gebildet. Das Kontaktpad 311 ist ferner

elektrisch leitend mit einer Stromaufweitungsschicht 15 verbunden, die auf der Strahlungsseite 10 aufgebracht ist und elektrisch leitend mit der ersten Halbleiterschicht 11 verbunden ist. Die Stromaufweitungsschicht 15 überdeckt beispielsweise einen Großteil der Strahlungsseite 10.

Bevorzugt ist die Stromaufweitungsschicht 15 aus einem für die Primärstrahlung transparenten Material, insbesondere einem TCO, wie ITO, gebildet. Auf der Rückseite 14 ist ein erstes Kontaktelement 310 zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips 100 aufgebracht. Das erste Kontaktelement 310 ist elektrisch leitend mit der ersten Kontaktstruktur 31 verbunden. Das erste Kontaktelement 310 ist beispielsweise aus Metall gebildet. Ferner liegt das erste Kontaktelement 310 an einer der Strahlungsseite 10 abgewandten Seite des Halbleiterchips 100 frei.

Im bestimmungsgemäßen Betrieb werden über das erste

Kontaktelement 310 erste Ladungsträger, beispielsweise

Löcher, in den Halbleiterchip 100 injiziert. Ausgehend vom ersten Kontaktelement 310 gelangt diese in die erste

Kontaktstruktur 31. Über die erste Kontaktstruktur 31 werden die ersten Ladungsträger dann im Bereich der Ausnehmung durch die Halbleiterschichtenfolge 1 transportiert und in das

Kontaktpad 311 eingespeist. Von dem Kontaktpad 311 ausgehend werden die ersten Ladungsträger dann in die

Stromaufweitungsschicht 15 injiziert und mittels der

Stromaufweitungsschicht 15 lateral verteilt. Anschließend gelangen die ersten Ladungsträger von der

Stromaufweitungsschicht 15 in die erste Halbleiterschicht 11.

Die zweite Kontaktstruktur 32 ist auf der Rückseite 14 der Halbleiterschichtenfolge 1 aufgebracht und erstreckt sich entlang der Rückseite 14. Beispielsweise überdeckt in

Draufsicht betrachtet die zweite Kontaktstruktur 32 zumindest 50 % oder zumindest 75 % der Rückseite. Die zweite

Kontaktstruktur 32 ist in Kontaktbereichen 321 in direktem mechanischem und elektrischem Kontakt zur Rückseite 14 der Halbleiterschichtenfolge 1. In den Kontaktbereichen 321 ist die Rückseite 14 nicht strukturiert, sondern beispielsweise eben und/oder glatt. Außerhalb der Kontaktbereich 321 ist die Rückseite 14 strukturiert.

Ferner ist die zweite Kontaktstruktur 32 mit einem zweiten Kontaktelement 320 elektrisch leitend verbunden. Das zweite Kontaktelement 320 ist wie das erste Kontaktelement 310 auf der Rückseite 14 aufgebracht und dient zur externen

elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips 100. Das zweite Kontaktelement 320 liegt an einer der Strahlungsseite 10 abgewandten Seite frei. Bei dem Halbleiterchip 100 der Figur 1 handelt es sich um einen so genannten Flip-Chip.

Im bestimmungsgemäßen Betrieb des Halbleiterchips werden zweite Ladungsträger, beispielsweise Elektronen, über das zweite Kontaktelement 320 in den Halbleiterchip 100

eingespeist. Ausgehend von dem zweiten Kontaktelement 320 werden die zweiten Ladungsträger in die zweite

Kontaktstruktur 32 injiziert und lateral verteilt. Daraufhin gelangen die zweiten Ladungsträger in den Kontaktbereichen 321 von der zweiten Kontaktstruktur 32 in die zweite

Halbleiterschicht 12.

Die erste Kontaktstruktur 31 und die zweite Kontaktstruktur 32 sind mittels einer elektrisch isolierenden Schicht 33 elektrisch voneinander isoliert. Die elektrisch isolierende Schicht ist beispielsweise eine SiOg- oder AlgO - oder SiN- Schicht .

Auf der Rückseite 14 der Halbleiterschichtenfolge 1 ist ferner ein Spiegel 2 aufgebracht. Der Spiegel 2 dient im bestimmungsgemäßen Betrieb des Halbleiterchips 100 dazu, die über die Rückseite 14 austretende Primärstrahlung zurück in die Halbleiterschichtenfolge 1 zu reflektieren. Der Spiegel 2 umfasst vorliegend eine metallische Schicht 20 und eine dielektrische Schicht 21 zwischen der

Halbleiterschichtenfolge 1 und der metallischen Schicht 20. Die metallische Schicht 20 ist beispielsweise aus Silber gebildet. Die dielektrische Schicht ist beispielsweise aus SiOg gebildet. Vorliegend bildet die metallische Schicht 20 einen Teil der zweiten Kontaktstruktur 32, dient also zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht 12.

Zwischen dem Spiegel 2 und der Rückseite 14 ist außerdem eine Planarisierungsschicht 4, beispielsweise aus SiN oder SiOg, angeordnet. Die Planarisierungsschicht 4 ist auf der der Halbleiterschichtenfolge 1 abgewandten Seite im Rahmen der Herstellungstoleranz eben und/oder glatt. Außerhalb der

Kontaktbereiche 321 ist die Planarisierungsschicht 4 in direktem Kontakt zur strukturierten Rückseite 14.

Ferner umfasst der optoelektronische Halbleiterchip 100 der Figur 1 einen Träger 5 auf der Strahlungsseite 10. Der Träger 5 dient zur mechanischen Stabilisierung der

Halbleiterschichtenfolge 1. Der Träger 5 ist zum Beispiel die einzig selbsttragende Komponente des Halbleiterchips 100. Der Träger 5 ist vorliegend mittels einer transparenten

Verbindungsschicht 17 auf der Strahlungsseite 10 aufgebracht. Bei dem Träger 5 handelt es sich beispielsweise um einen Glasträger oder einen Kunststoffträger oder einen transparent Halbleiterträger aus zum Beispiel GaP oder SiC oder einen Träger aus einer transparenten Keramik.

In der Figur 2 ist ein zweites Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Halbleiterchips 100 gezeigt. Statt auf der Strahlungsseite 10 ist der den Halbleiterchip 100

stabilisierende Träger 5 nun auf der Rückseite 14 der Halbleiterschichtenfolge 1 ausgebildet. Bei dem Träger 5 auf der Rückseite 14 handelt es sich beispielsweise um einen Siliziumträger oder Metallträger . Ein Aufwachssubstrat der Halbleiterschichtenfolge 1 ist abgelöst. Bei dem

Halbleiterchip der Figur 2 handelt es sich um einen so genannten Dünnfilmchip.

Der Halbleiterchip 100 der Figur 2 umfasst wiederum ein erstes Kontaktelement 310, welches auf der der

Halbleiterschichtenfolge 1 abgewandten Seite des Trägers 5 aufgebracht ist. Der Träger 5 ist elektrisch leitend. Im Betrieb gelangen dann die ersten Ladungsträger 310 von dem ersten Kontaktelement 310 durch den Träger 5 bis zur ersten Kontaktstruktur 31, die mit dem Träger 5 elektrisch leitend verbunden ist. Das zweite Kontaktelement 320 ist in der Figur 2 auf einer der Halbleiterschichtenfolge 1 zugewandte Seite des Trägers 5 angeordnet und an einer dem Träger 5

abgewandten Seite frei zugänglich.

Ansonsten entspricht der Aufbau des Halbleiterchips 100 der Figur 2 im Wesentlichen dem Aufbau des Halbleiterchips 100 der Figur 1.

In der Figur 3A ist eine erste Position in einem

Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips, beispielsweise eines optoelektronischen Halbleiterchips gemäß einer der zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiele, gezeigt. Eine

Halbleiterschichtenfolge 1 ist auf einem Substrat 16

bereitgestellt. Vorliegend ist die Halbleiterschichtenfolge 1 über eine Verbindungsschicht 17 auf dem Substrat 16

aufgebracht . Vor dem Aufbringen der Halbleiterschichtenfolge 1 auf dem Substrat 16 wurde ein metallisches Kontaktpad 311 und eine Stromaufweitungsschicht 15 auf die Halbleiterschichtenfolge 1 aufgebracht. Beim Aufbringen auf dem Substrat 16 war

bevorzugt noch das Aufwachssubstrat der

Halbleiterschichtenfolge 1 vorhanden.

Die Halbleiterschichtenfolge 1 umfasst ausgehend vom Substrat 16 eine erste Halbleiterschicht 11 eines ersten

Leitfähigkeitstyps , eine aktive Schicht 13 zur Erzeugung oder Absorption elektromagnetischer Primärstrahlung und eine zweite Halbleiterschicht 12 eines zweiten Leitfähigkeitstyps . Ferner ist eine dem Substrat 16 abgewandte Rückseite 14 der Halbleiterschichtenfolge 1 mit Streustrukturen 410

strukturiert. Die Strukturierung wurde beispielsweise nach dem Ablösen des Aufwachssubstrats mittels eines Ätzprozesses erreicht. In Kontaktbereichen 321 ist die Rückseite frei von der Strukturierung.

Alternativ zu dem in der Figur 3A gezeigtem Fall wäre es auch möglich, dass das Substrat 16 ein Aufwachsubstrat ist, auf dem die Halbleiterschichtenfolge 1 gewachsen ist. Dann wäre keine Verbindungsschicht 17 nötig. Auch wäre dann kein

Kontaktpad 311 vorhanden.

In der Figur 3B ist eine zweite Position des Verfahrens gezeigt, in dem auf die Rückseite 14 eine

Planarisierungsschicht 4 aufgebracht ist. Die

Planarisierungsschicht ist dabei so dick auf die Rückseite 14 aufgebracht, dass alle Streustrukturen 410 vollständig von der Planarisierungsschicht 14 überdeckt sind. In der Figur 3C ist eine dritte Position des Verfahrens gezeigt, in dem die Planarisierungsschicht 4 durch einen Polierschritt gedünnt ist. Dadurch ist die der

Halbleiterschichtenfolge 1 abgewandte Seite der

Planarisierungsschicht 4 geglättet und/oder geebnet.

In der Figur 3D ist eine vierte Position des Verfahrens gezeigt, bei dem auf die der Halbleiterschichtenfolge 1 abgewandte Seite der Planarisierungsschicht 4 eine

dielektrische Schicht 21 aufgebracht ist.

In der Figur 3E ist eine fünfte Position des Verfahrens gezeigt, bei der auf die dielektrische Schicht 21 zusätzlich eine metallische Schicht 20 aufgebracht ist. Die

dielektrische Schicht 21 und die metallische Schicht 20 bilden zusammen einen Spiegel. Ferner dient vorliegend die metallische Schicht 20 als zweite Kontaktstruktur 32, über die die zweite Halbleiterschicht 12 elektrisch kontaktiert ist .

Auf die der Halbleiterschichtenfolge 1 abgewandte Seite der metallischen Schicht 20 ist eine isolierende Schicht 33 und darauf eine erste Kontaktstruktur 31 aufgebracht. Die erste Kontaktstruktur 31 erstreckt sich dabei durch eine Ausnehmung in der Halbleiterschichtenfolge 1 und reicht bis zum

Kontaktpad 311. Die erste Kontaktstruktur 31 bildet also vorliegend eine Durchkontaktierung durch die

Halbleiterschichtenfolge 1. Die Ausnehmung für diese

Durchkontaktierung ist nach der in der Figur 3D gezeigten Position beispielsweise in die Halbleiterschichtenfolge 1 geätzt . Nach der Position der Figur 3E kann ein Träger 5 auf die Rückseite 14 aufgebracht werden, um einen Halbleiterchip gemäß der Figur 2 herzustellen. Zum Beispiel wird dann das Substrat 16 anschließend entfernt.

Alternativ kann das Substrat 16 aber auch als Träger für die Halbleiterschichtenfolge 1 am fertigen Halbleiterchip dienen. In diesem Fall wird bevorzugt kein zusätzlicher Träger auf die Rückseite 14 aufgebracht. Dadurch wird beispielsweise ein Halbleiterchip wie in der Figur 1 gezeigt hergestellt.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2018 131 411.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn diese Merkmale oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Bezugszeichenliste

1 Halbleiterschichtenfolge

2 Spiegel

4 Planarisierungsschicht

5 Träger

10 Strahlungsseite

11 erste Halbleiterschicht

12 zweite Halbleiterschicht

13 aktive Schicht

14 Rückseite

15 Stromaufweitungsschicht

16 Substrat

17 Verbindungsschicht

20 metallische Schicht

21 dielektrische Schicht

31 erste Kontaktstruktur

32 zweite Kontaktstruktur

33 isolierende Schicht

100 optoelektronischer Halbleiterchip

310 erstes Kontaktelement

311 Kontaktpad

320 zweites Kontaktelement

321 Kontaktbereich

410 Streustruktur