Beschreibung OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP Die vorliegende Anmeldung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip. Aus der Druckschrift WO 2012/110364 A1 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip bekannt, bei dem zwischen einem Halbleiterkörper mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich und einem Trägerelement eine erste und eine zweite elektrische Anschlussschicht angeordnet sind. Die erste elektrische Anschlussschicht kann zusätzlich zu ihrer elektrischen Funktion dazu vorgesehen sein, im aktiven Bereich erzeugte Strahlung zu reflektieren und so die insgesamt emittierte Strahlungsleistung zu erhöhen. Die zweite elektrische Anschlussschicht erstreckt sich durch mindestens eine Ausnehmung in einer ersten Halbleiterschicht und dem aktiven Bereich in eine zweite Halbleiterschicht hinein. Eine Aufgabe ist es, einen optoelektronischen Halbleiterchip anzugeben, der sich durch eine verbesserte Effizienz, insbesondere durch eine weiter verbesserte Strahlungsausbeute auszeichnet. Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand des unabhängigen Patentanspruchs gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der optoelektronische Halbleiterchip eine Halbleiterschichtenfolge auf, die einen ersten Halbleiterbereich eines ersten Leitungstyps, einen zweiten Halbleiterbereich eines zweiten Leitungstyps und einen zwischen dem ersten Halbleiterbereich und dem zweiten Halbleiterbereich angeordneten aktiven Bereich aufweist. Der aktive Bereich ist vorzugsweise zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen. Der optoelektronische Halbleiterchip kann insbesondere ein Leuchtdiodenchip sein. Der aktive Bereich kann beispielsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantentopfstruktur (SQW-Struktur) oder eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW- Struktur) aufweisen. Die Halbleiterschichtenfolge kann neben dem aktiven Bereich weitere funktionelle Schichten und funktionelle Bereiche umfassen, etwa p- oder n-dotierte Ladungsträgertransportschichten, undotierte oder p- oder n-dotierte Confinement-, Cladding- oder Wellenleiterschichten, Barriereschichten, Planarisierungsschichten, Pufferschichten, Schutzschichten und/oder Elektroden sowie Kombinationen daraus. Der optoelektronische Halbleiterchip kann je nach zu erzeugendem Licht eine Halbleiterschichtenfolge auf der Basis von verschiedenen Halbleitermaterialsystemen aufweisen. Für eine langwellige, infrarote bis rote Strahlung ist beispielsweise eine Halbleiterschichtenfolge auf Basis von In _x Ga _y Al _1-x-y As geeignet, für rote bis grüne Strahlung ist beispielsweise eine Halbleiterschichtenfolge auf Basis von In _x Ga _y Al _1-x-y P geeignet und für kurzwelligere sichtbare Strahlung, also insbesondere für grüne bis blaue Strahlung, und/oder für UV-Strahlung ist beispielsweise eine Halbleiterschichtenfolge auf Basis von InxGayAl1-x-yN geeignet, wobei jeweils 0 £ x £ 1 und 0 £ y £ 1 gilt. Weiterhin weist der optoelektronische Halbleiterchip einen Träger auf, auf dem die Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist. Vorzugsweise ist der erste Halbleiterbereich ein p-Typ Halbleiterbereich und auf der dem Träger zugewandten Seite der Halbleiterschichtenschichtenfolge angeordnet. Der zweite Halbleiterbereich ist vorzugsweise ein n-Typ Halbleiterbereich und auf der vom Träger abgewandten Seite der Halbleiterschichtenschichtenfolge angeordnet. Der p-Typ Halbleiterbereich und der n-Typ Halbleiterbereich können jeweils eine oder mehrere Halbleiterschichten enthalten. Es ist auch nicht ausgeschlossen, dass der p-Typ Halbleiterbereich und/oder der n-Typ Halbleiterbereich eine oder mehrere undotierte Schichten enthalten. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der optoelektronische Halbleiterchip eine erste elektrische Anschlussschicht und eine zweite elektrische Anschlussschicht auf, wobei die erste elektrische Anschlussschicht und die zweite elektrische Anschlussschicht bereichsweise zwischen dem Träger und der Halbleiterschichtenfolge angeordnet sind. Die erste elektrische Anschlussschicht ist mit dem ersten Halbleiterbereich elektrisch leitend verbunden und kann beispielsweise unmittelbar an den ersten Halbleiterbereich angrenzen. Die zweite elektrische Anschlussschicht ist durch mindestens einen Durchbruch oder vorzugsweise mehrere Durchbrüche in dem ersten Halbleiterbereich und dem aktiven Bereich in den zweiten Halbleiterbereich geführt und auf diese Weise mit dem zweiten Halbleiterbereich elektrisch leitend verbunden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der optoelektronische Halbleiterchip eine Isolationsschicht auf, die zwischen der ersten elektrischen Anschlussschicht und der zweiten elektrischen Anschlussschicht angeordnet ist. Die Isolationsschicht hat insbesondere die Funktion, einen elektrischen Kurzschluss zwischen der ersten elektrischen Anschlussschicht und der zweiten elektrischen Anschlussschicht zu verhindern. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Isolationsschicht eine reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge, die abwechselnde erste dielektrische Schichten mit einem Brechungsindex n ₁ und zweite dielektrische Schichten mit einem Brechungsindex n ₂ > n ₁ aufweist. Die Isolationsschicht hat bei dem hierin beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchip vorteilhaft eine zusätzliche Funktionalität, nämlich Strahlung aus dem aktiven Bereich, die auf die Isolationsschicht trifft, zu reflektieren und auf diese Weise die Strahlungsausbeute des optoelektronischen Halbleiterchips zu erhöhen. Die reflexionserhöhende Wirkung der dielektrischen Schichtenfolge wird vorteilhaft durch konstruktive Interferenz an den Grenzflächen der abwechselnden ersten Schichten und zweiten Schichten erreicht. Die reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge ist mit anderen Worten ein dielektrisches Interferenzschichtsystem. Ein solches auf konstruktiver Interferenz beruhendes reflexionserhöhendes dielektrisches Schichtsystem wird häufig als Bragg-Spiegel bezeichnet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge ein Reflexionsmaximum im Emissionswellenlängenbereich der vom aktiven Bereich emittierten Strahlung auf. Insbesondere weist die reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge ein Reflexionsmaximum bei einer Wellenlänge lR,max und die vom aktiven Bereich emittierte Strahlung ein Intensitätsmaximum bei einer Wellenlänge l _I,max auf, wobei l _R,max an l _I,max angepasst ist. Die Wellenlänge l _R,max kann insbesondere durch die Materialien und Schichtdicken der ersten dielektrischen Schichten und zweiten dielektrischen Schichten eingestellt werden. Hierzu können beispielsweise dem Fachmann an sich bekannte Simulationsprogramme zur Berechnung der Reflexion von Dünnschichtsystemen eingesetzt werden. Durch Anpassung des Reflexionsmaximums der reflexionserhöhenden dielektrischen Schichtenfolgen an das Intensitätsmaximum der emittierten Strahlung kann die Strahlungsausbeute erhöht werden. Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung ist │l _R,max - Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die ersten dielektrischen Schichten einen Brechungsindex n ₁ < 1,7 auf. Vorzugsweise beträgt der Brechungsindex der ersten dielektrischen Schichten n ₁ < 1,6, besonders bevorzugt n ₁ < 1,5. Ein niedriger Brechungsindex der ersten Schichten hat den Vorteil, dass eine hohe Brechungsindexdifferenz zu den zweiten Schichten mit dem höheren Brechungsindex erzielt werden kann. Dies ist zur Erzielung einer hohen Reflexion der reflexionserhöhenden dielektrischen Schichtenfolge vorteilhaft. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die zweiten dielektrischen Schichten einen Brechungsindex n ₂ > 1,8 auf. Vorzugsweise beträgt der Brechungsindex der zweiten dielektrischen Schichten n ₂ > 2,0. Ein hoher Brechungsindex der zweiten dielektrischen Schichten hat den Vorteil, dass eine hohe Brechungsindexdifferenz zu den ersten dielektrischen Schichten mit dem niedrigerem Brechungsindex erzielt werden kann. Dies ist zur Erzielung einer hohen Reflexion der reflexionserhöhenden dielektrischen Schichtenfolge vorteilhaft. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die ersten dielektrischen Schichten SiO ₂ auf. SiO ₂ zeichnet sich insbesondere durch einen niedrigen Brechungsindex von etwa n ₁ = 1,46 aus. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die zweiten dielektrischen Schichten Nb ₂ O _5, TiO ₂ , HfO ₂ , Ta ₂ O ₅ oder ZrO ₂ auf. Die genannten Materialien zeichnen sich insbesondere durch einen vergleichsweise hohen Brechungsindex auf. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge mindestens drei Schichtpaare der ersten dielektrischen Schichten und zweiten dielektrischen Schichten. Besonders bevorzugt umfasst die reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge mindestens vier Schichtpaare der ersten dielektrischen Schichten und zweiten dielektrischen Schichten. Mit einer Anzahl von mindestens drei oder vorzugsweise mindestens vier Schichtpaaren kann bereits eine vergleichsweise hohe Reflexion bei noch geringem Herstellungsaufwand erzielt werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die zweite elektrische Anschlussschicht Aluminium oder Titan auf oder besteht daraus. Es ist möglich, dass die zweite elektrische Anschlussschicht mehrere Teilschichten aufweist, wobei eine erste Teilschicht beispielsweise als Haftvermittlerschicht fungieren kann. Die als reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge ausgebildete Isolationsschicht kann insbesondere direkt an die zweite elektrische Anschlussschicht angrenzen. Vom aktiven Bereich aus gesehen ist die zweite elektrische Anschlussschicht zumindest bereichsweise hinter der Isolationsschicht angeordnet. Die zweite elektrische Anschlussschicht kann bei der Berechnung der Reflexion der reflexionserhöhenden dielektrischen Schichtenfolge als ein metallisches Substrat betrachtet werden, das beispielsweise Aluminium oder Titan aufweist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die erste elektrische Anschlussschicht Silber auf oder besteht daraus. Silber zeichnet sich im sichtbaren Spektralbereich durch eine besonders hohe Reflektivität aus. Alternativ oder ergänzend kann die erste Anschlussschicht ein anderes Material mit einer hohen Reflektivität enthalten, insbesondere ein Metall wie beispielsweise Aluminium, Platin, Titan oder Palladium. Weitere Merkmale, Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren. Es zeigen: Figur 1 eine schematische Ansicht eines optoelektronischen Halbleiterchips gemäß einem Ausführungsbeispiel in einer Draufsicht, Figur 2 eine schematische Ansicht des optoelektronischen Halbleiterchips gemäß Figur 1 in einem Querschnitt entlang der Linie AA’, Figur 3 eine schematische Detailansicht eines Beispiels der Isolationsschicht in einem Querschnitt, Figur 4 eine grafische Darstellung der berechneten Reflektivität R in Abhängigkeit von der Wellenlänge l für zwei Ausführungsbeispiele der Isolationsschicht und ein Vergleichsbeispiel, Figur 5 eine schematische Detailansicht eines weiteren Beispiels der Isolationsschicht in einem Querschnitt, und Figur 6 eine grafische Darstellung der berechneten Reflektivität R in Abhängigkeit von der Wellenlänge l für ein weiteres Ausführungsbeispiel der Isolationsschicht. Gleiche oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. In den Figuren 1 und 2 ist ein Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Halbleiterchips 1 gezeigt, der ein Leuchtdiodenchip ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 1 enthält eine Halbleiterschichtenfolge 2, die einen ersten Halbleiterbereich 21 eines ersten Leitungstyps und einen zweiten Halbleiterbereich 22 eines zweiten Leitungstyps aufweist. Vorzugsweise ist der erste Halbleiterbereich 21 ein p-Typ-Halbleiterbereich und der zweite Halbleiterbereich 22 ein n-Typ-Halbleiterbereich. Zwischen dem ersten Halbleiterbereich 21 und dem zweiten Halbleiterbereich 22 ist ein aktiver Bereich 20 angeordnet. Der aktive Bereich 20 des optoelektronischen Halbleiterchips 1 ist insbesondere zur Emission von Strahlung geeignet. Der aktive Bereich 20 kann zum Beispiel als pn-Übergang, als Doppelheterostruktur, als Einfach-Quantentopfstruktur oder Mehrfach-Quantentopfstruktur ausgebildet sein. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur umfasst im Rahmen der Anmeldung jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch Einschluss ("confinement") eine Quantisierung ihrer Energiezustände erfahren. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantentopfstruktur keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit u.a. Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen. Die Halbleiterschichtenfolge 2 des Halbleiterchips 1 basiert vorzugsweise auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial, insbesondere auf einem Nitrid-, Phosphid- oder Arsenid- Verbindungshalbleitermaterial. Beispielsweise kann die ^{Halbleiterschichtenfolge 2} oder jeweils mit 0 £ x £ 1, 0 £ y £ 1 und x + y £ 1, enthalten. Dabei muss das III-V- Verbindungshalbleitermaterial nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach einer der obigen Formeln aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber beinhalten obige Formeln jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können. Der Halbleiterchip 1 ist mit einer Verbindungsschicht 7, bei der es sich insbesondere um eine Lotschicht aus einem Metall oder einer Metalllegierung einer Lotschicht oder um eine elektrisch leitfähige Klebeschicht handeln kann, mit einem Träger 10 verbunden. In dem beschriebenen Ausführungsbeispiel ist der Träger 10 aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet, beispielsweise einem dotierten Halbleitermaterial, etwa Silizium oder Germanium. Davon abweichend kann der Träger 10 aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet sein, in dem zur elektrischen Kontaktierung elektrisch leitfähige Durchkontaktierungen ausgebildet sind. Als elektrisch isolierendes Material eignet sich beispielsweise eine Keramik, etwa Aluminiumnitrid oder Bornitrid, oder ein Kunststoff. Der Träger 10 kann vom Aufwachssubstrat der Halbleiterschichtenfolge 2 verschieden sein. Insbesondere kann der optoelektronische Halbleiterchip 1 ein Halbleiterchip sein, von dem das Aufwachssubstrat abgelöst ist. Ein solcher Halbleiterchip wird häufig als Dünnfilm- Halbleiterchip bezeichnet. Bei der Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterchips wird die funktionelle Halbleiterschichtenfolge 2, die insbesondere eine strahlungsemittierende aktive Schicht 20 umfasst, zunächst epitaktisch auf einem Aufwachssubstrat aufgewachsen, anschließend ein neuer Träger 10 auf die dem Aufwachssubstrat gegenüber liegende Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge 2 aufgebracht und nachfolgend das Aufwachssubstrat abgetrennt. Da insbesondere die für Nitridverbindungshalbleiter verwendeten Aufwachssubstrate, beispielsweise SiC, Saphir oder GaN vergleichsweise teuer sind, bietet dieses Verfahren insbesondere den Vorteil, dass das Aufwachssubstrat wiederverwertbar ist. Die dem Träger 10 gegenüberliegende Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge 2 dient als Strahlungsaustrittsfläche 11 des optoelektronischen Halbleiterchips 1 und ist vorteilhaft frei von elektrischen Kontaktschichten. Um die Strahlungsauskopplung zu verbessern, kann die Strahlungsaustrittsfläche 11 mit einer Auskoppelstruktur 9 oder einer Aufrauhung versehen sein. Die Auskoppelstruktur 9 kann regelmäßig oder unregelmäßig sein. Beispielsweise kann die Strukturierung mittels pyramidenförmiger oder pyramidenstumpfförmiger Vertiefungen oder einer Aufrauhung gebildet sein. Zur elektrischen Kontaktierung weist der Halbleiterchip 1 eine erste elektrische Anschlussschicht 31 und eine zweite elektrische Anschlussschicht 32 auf. Die erste elektrische Anschlussschicht 31 ist mit dem ersten Halbleiterbereich 21 und die zweite elektrische Anschlussschicht 32 mit dem zweiten Halbleiterbereich 22 elektrisch leitend verbunden. Die erste elektrische Anschlussschicht 31 folgt dem ersten Halbleiterbereich 21 an der dem Träger 10 zugewandten Seite nach und kann insbesondere direkt an den ersten Halbleiterbereich 21 der Halbleiterschichtenfolge 2 angrenzen. Es ist auch möglich, dass zwischen dem ersten Halbleiterbereich 21 und der ersten elektrischen Anschlussschicht 31 mindestens eine Zwischenschicht angeordnet ist, beispielsweise eine dünne Haftvermittlerschicht oder eine Stromaufweitungsschicht, beispielsweise eine Schicht aus einem transparenten leitfähigen Oxid. Die erste elektrische Anschlussschicht 31 enthält insbesondere Silber, Aluminium oder eine Metalllegierung mit Silber oder Aluminium. Diese Materialien zeichnen sich durch eine hohe Reflektivität im sichtbaren Spektralbereich und eine gute elektrische Leitfähigkeit aus. Die erste elektrische Anschlussschicht 31 hat zusätzlich zu ihrer elektrischen Funktion der elektrischen Kontaktierung des ersten Halbleiterbereichs 21 vorteilhaft die Funktion einer Spiegelschicht, die von dem aktiven Bereich 20 in Richtung des Trägers 10 emittierte Strahlung zur Strahlungsaustrittsfläche 11 hin reflektiert. Die zweite elektrische Anschlussschicht 32 ist durch mehrere Durchbrüche 25, die sich durch den ersten Halbleiterbereich 21 und den aktiven Bereich 20 erstrecken, an den zweiten Halbleiterbereich 22 elektrisch leitend angeschlossen. Die zweite elektrische Anschlussschicht 32 fungiert in den Bereichen, in denen sie direkt an die Halbleiterschichtenfolge 2 angrenzt, vorteilhaft nicht nur als Kontaktschicht, sondern auch als reflektierende Schicht, die Strahlung zur als Strahlungsaustrittsfläche 11 dienenden zweiten Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge 2 hin reflektiert. Zur externen elektrischen Kontaktierung weist der Halbleiterchip 1 einen ersten Kontakt 41 und einen zweiten Kontakt 42 auf, wobei der erste Kontakt 41 mit der ersten elektrischen Anschlussschicht 31 verbunden ist und der zweite Kontakt beispielsweise über den Träger 10 und die Verbindungsschicht 7 mit der zweiten elektrischen Anschlussschicht 32 elektrisch leitend verbunden ist, sodass im Betrieb des Halbleiterchips Ladungsträger von verschiedenen Seiten des aktiven Bereichs 20 in diesen injiziert werden und dort unter Emission von Strahlung rekombinieren können. An einer von der Halbleiterschichtenfolge 2 abgewandten Seite grenzt eine Verkapselungsschicht 6 an die erste elektrische Anschlussschicht 31 an. Die Verkapselungsschicht 6 hat insbesondere die Funktion, die erste elektrische Anschlussschicht, die beispielsweise Silber aufweist, zu schützen und kann außerdem dazu vorgesehen sein, die erste elektrische Anschlussschicht 31 elektrisch an den ersten Kontakt 41 anzuschließen. Die Verkapselungsschicht 6 kann mehrere Teilschichten aufweisen und/oder strukturiert sein (nicht dargestellt). Die Verkapselungsschicht 6 kann insbesondere Metalle wie beispielsweise Titan, Platin, Gold, Wolfram oder Metalllegierungen wie beispielsweise TiW aufweisen. Es ist außerdem möglich, dass die Verkapselungsschicht 6 zumindest bereichsweise eine oder mehrere dielektrische Schichten wie beispielsweise Al ₂ O ₃ aufweist. Bei dem dargestellten Beispiel weist der optoelektronische Halbleiterchip 1 eine transparente dielektrische Schutzschicht 8 auf. Die transparente dielektrische Schutzschicht 8 bedeckt insbesondere die Seitenflächen und die als Strahlungsaustrittsfläche 11 dienende Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge 2. Die Halbleiterschichtenfolge 2 ist vorteilhaft vollständig von der transparenten Schutzschicht 8 bedeckt. Die transparente Schutzschicht 8 ist vorzugsweise eine Aluminiumoxidschicht, insbesondere eine Al ₂ O ₃ -Schicht, oder eine Siliziumoxidschicht, insbesondere eine SiO ₂ -Schicht. Die transparente Verkapselungsschicht wird vorteilhaft mittels Atomlagenabscheidung oder als Spin-on- Glas abgeschieden. Eine solche mittels ALD oder als Spin-on- Glas abgeschiedene Siliziumoxidschicht weist vorteilhaft eine hohe Beständigkeit gegen Korrosion und das Eindringen von Feuchtigkeit auf. Vorteilhaft können durch die transparente Schutzschicht 8 eventuell an den Oberflächen der Halbleiterschichtenfolge 2 vorhandene feine Risse geschlossen werden. Die vollständige Verkapselung der Halbleiterschichtenfolge 2 ist daher vorteilhaft für die Langzeitstabilität des Halbleiterchips. Die transparente Schutzschicht 8 weist neben der mit einer Mesastruktur versehenen Halbleiterschichtenfolge 2 eine Öffnung auf, in der erste Kontakt 41 angeordnet ist, der über die leitfähige Verkapselungsschicht 6 mit der ersten elektrischen Kontaktschicht 31 verbunden ist. Der erste Kontakt 41 kann insbesondere ein Bondpad sein, das zum Anschluss eines Bonddrahts vorgesehen ist. Der erste Kontakt 41 ist vorzugsweise außerhalb der Mitte des Halbleiterchips 1 angeordnet, insbesondere im Bereich einer Ecke des Halbleiterchips 1. Sowohl die erste elektrische Anschlussschicht 31 als auch die zweite elektrische Anschlussschicht 32 sind zumindest bereichsweise zwischen einer dem Träger 10 zugewandten Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge 2 und dem Träger 10 angeordnet. Die erste elektrische Anschlussschicht 31 und die zweite elektrische Anschlussschicht 32 sind mittels einer Isolationsschicht 5 elektrisch voneinander isoliert. Die Isolationsschicht 5, die in Figur 2 nur schematisch dargestellt ist, ist bei dem optoelektronischen Halbleiterchip 1 eine reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge. Detailansichten möglicher Ausführungen der Isolationsschicht 5 sind in den Figuren 3 und 4 dargestellt. Wie in Figur 3 dargestellt, weist die Isolationsschicht 5 abwechselnde erste dielektrische Schichten 51 und zweite dielektrische Schichten 52 auf. Die ersten dielektrischen Schichten 51 weisen einen Brechungsindex n ₁ auf, für den vorteilhaft n ₁ < 1,7, bevorzugt n ₁ < 1,6 und besonders bevorzugt n ₁ < 1,5 gilt. Die zweiten dielektrischen Schichten 52 weisen einen Brechungsindex n ₂ > n ₁ auf, wobei bevorzugt n ₂ > 1,8 und besonders bevorzugt n ₂ > 2 gilt. Anders ausgedrückt sind die ersten dielektrischen Schichten 51 niedrigbrechende Schichten und die zweiten dielektrischen Schichten 52 hochbrechende Schichten. Die ersten dielektrischen Schichten 51 enthalten vorzugsweise SiO ₂ oder bestehen daraus. SiO ₂ zeichnet sich durch einen niedrigen Brechungsindex n ₁ = 1,46 aus. Geeignete Materialien für die zweiten dielektrischen Schichten 52 sind beispielsweise Nb ₂ O _5, TiO ₂ , HfO ₂ , Ta ₂ O ₅ oder ZrO ₂ . Diese Materialien zeichnen sich durch einen hohen Brechungsindex n ₂ > 2 aus. Es ist nicht notwendig, dass die dielektrischen Schichten 51, 52 eine periodische Schichtenfolge bilden, bei der alle ersten dielektrischen Schichten 51 und alle zweiten dielektrischen Schichten 52 jeweils die gleiche Schichtdicke aufweisen. Vielmehr können die Schichtdicken der mehreren ersten dielektrischen Schichten 51 und zweiten dielektrischen Schichten voneinander abweichen. Zur Optimierung der Schichtdicken, um bei einer vorgegebenen Wellenlänge oder in einem vorgegebenen Wellenlängenbereich eine möglichst hohe Reflektivität zu erzielen, können Computersimulationen eingesetzt werden. Die Optimierung erfolgt vorzugsweise derart, dass die reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge 5 ein Reflexionsmaximum bei einer Wellenlänge l _R,max und die vom aktiven Bereich emittierte Strahlung ein Intensitätsmaximum bei einer Wellenlänge l _I,max aufweist, wobei l _R,max an l _I,max angepasst ist. Die Wellenlänge l _R,max kann insbesondere durch die Materialien und Schichtdicken der ersten dielektrischen Schichten 51 und zweiten dielektrischen Schichten 52 eingestellt werden. Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung ist Die Isolationsschicht 5 grenzt an einer von der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite an die zweite elektrische Kontaktschicht 32 an. Die zweite elektrische Kontaktschicht, die ein Metall wie beispielsweise Aluminium oder Titan enthält, kann bei der Berechnung der Reflektivität der dielektrischen Schichtenfolge als Substrat betrachtet werden. An einer der Halbleiterschichtenfolge 2 zugewandten Seite kann die Isolationsschicht 5 bereichsweise an die Verkapselungsschicht 6 oder an die transparente dielektrische Schutzschicht 8 angrenzen. Bei dem Ausführungsbeispiel der Figur 3 weist die Isolationsschicht 5 eine reflexionserhöhenden dielektrische Schichtenfolge auf, die ausgehend von der zweiten elektrischen Kontaktschicht 32 drei Schichtpaare aus abwechselnden ersten dielektrischen Schichten 51 und zweiten dielektrischen Schichten 52 und eine weitere erste dielektrische Schicht 51 aufweist. Es hat sich herausgestellt, dass sich bereits mit einer solchen geringen Anzahl von Schichten 51, 53 eine hohe Reflexion erzielen lässt. Der Herstellungsaufwand für die als reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge ausgebildete Isolationsschicht 5 ist daher vorteilhaft gering. Bei einem ersten Beispiel der Isolationsschicht 5 gemäß Figur 3 ist die zweite elektrische Anschlussschicht 32 eine Titanschicht, wobei die Isolationsschicht 5 ausgehend von der zweiten elektrischen Anschlussschicht 32 eine SiO ₂ -Schicht 51 mit einer Dicke von 67,0 nm, eine Nb ₂ O ₅ -Schicht 52 mit einer Dicke von 53,5 nm, eine SiO ₂ -Schicht 51 mit einer Dicke von 94,6 nm, eine Nb ₂ O ₅ -Schicht 52 mit einer Dicke von 60,7 nm, eine SiO ₂ -Schicht 51 mit einer Dicke von 92,3 nm, eine Nb ₂ O ₅ - Schicht 52 mit einer Dicke von 52,6 nm und eine SiO ₂ -Schicht 51 mit einer Dicke von 94,3 nm aufweist. Die Schichtdicken sind in diesem Beispiel mittels einer Computersimulation derart optimiert worden, dass eine maximale Reflexion bei einer Wellenlänge von 450 nm erzielt wird. Bei einem zweiten Beispiel der Isolationsschicht 5 gemäß Figur 3 ist die zweite elektrische Anschlussschicht 32 eine Aluminiumschicht, wobei die Isolationsschicht 5 ausgehend von der zweiten elektrischen Anschlussschicht 32 eine SiO ₂ - Schicht 51 mit einer Dicke von 64,4 nm, eine Nb ₂ O ₅ -Schicht 52 mit einer Dicke von 57,2 nm, eine SiO ₂ -Schicht 51 mit einer Dicke von 90,2 nm, eine Nb ₂ O ₅ -Schicht 52 mit einer Dicke von 63,4 nm, eine SiO ₂ -Schicht 51 mit einer Dicke von 94,9 nm, eine Nb ₂ O ₅ -Schicht 52 mit einer Dicke von 52,3 nm und eine SiO ₂ -Schicht 51 mit einer Dicke von 93,0 nm aufweist. Die Schichtdicken sind in diesem Beispiel mittels einer Computersimulation derart optimiert worden, dass eine maximale Reflexion bei einer Wellenlänge von 450 nm erzielt wird. In Figur 4 ist die Reflexion R in Abhängigkeit von der Wellenlänge l für das erste Beispiel gemäß Figur 3 (Kurve 61), das zweite Beispiel gemäß Figur 3 (Kurve 62) und ein nicht erfindungsgemäßes Vergleichsbeispiel (Kurve 63), bei dem die Isolationsschicht nur durch eine 600 nm dicke SiO ₂ - Schicht gebildet ist, dargestellt. Es zeigt sich, dass mit der als reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge ausgebildeten Isolationsschicht 5 eine deutliche höhere Reflexion erzielbar ist als bei einer Verwendung einer SiO ₂ - Schicht als Isolationsschicht. Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 5 weist die Isolationsschicht 5 eine reflexionserhöhenden dielektrische Schichtenfolge auf, die ausgehend von der zweiten elektrischen Kontaktschicht 32 vier Schichtpaare aus abwechselnden ersten dielektrischen Schichten 51 und zweiten dielektrischen Schichten 52 und eine weitere erste dielektrische Schicht 51 aufweist. Der Herstellungsaufwand für die Isolationsschicht 5 ist in diesem Fall immer noch vorteilhaft gering. Bei einem Beispiel der Isolationsschicht 5 gemäß Figur 5 ist die zweite elektrische Anschlussschicht 32 eine Titanschicht, wobei die Isolationsschicht 5 ausgehend von der zweiten elektrischen Anschlussschicht 32 eine SiO ₂ -Schicht 51 mit einer Dicke von 63,0 nm, eine Nb ₂ O ₅ -Schicht 52 mit einer Dicke von 54,0 nm, eine SiO ₂ -Schicht 51 mit einer Dicke von 90,0 nm, eine Nb ₂ O ₅ -Schicht 52 mit einer Dicke von 54,0 nm, eine SiO ₂ -Schicht 51 mit einer Dicke von 90,0 nm, eine Nb ₂ O ₅ - Schicht 52 mit einer Dicke von 54,0 nm, eine SiO ₂ -Schicht 51 mit einer Dicke von 90,0 nm, eine Nb ₂ O ₅ -Schicht 52 mit einer Dicke von 54,0 nm und eine SiO2-Schicht 51 mit einer Dicke von 90,0 nm aufweist. In Figur 6 ist die Reflexion R in Abhängigkeit von der Wellenlänge l für das Beispiel gemäß Figur 5 dargestellt. Es zeigt sich, dass mit der als reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge ausgebildeten Isolationsschicht 5 im gesamten Wellenlängenbereich von 450 nm bis 600 nm eine Reflexion von mehr als 90% erzielt wird. Die hohe Reflektivität der als reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge ausgebildeten Isolationsschicht 5 ist bei dem hierin beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchips 1 vorteilhaft, um insbesondere in den Randbereichen des optoelektronischen Halbleiterchips 1, in denen die Isolationsschicht 5 direkt unter einer transparenten Schutzschicht 8 angeordnet sein kann, eine Verbesserung der Strahlungsausbeute zu erzielen. Von dem aktiven Bereich 20 in Richtung der Isolationsschicht 5 emittierte Strahlung oder an optischen Komponenten wie beispielsweise einer Linse oder einem Konversionselement in Richtung der Isolationsschicht 5 reflektierte Strahlung wird durch die als reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge ausgebildete Isolationsschicht 5 vorteilhaft in die Abstrahlrichtung reflektiert. Der hierin beschriebene optoelektronische Halbleiterchip 1 ist somit für alle Anwendungen vorteilhaft, in denen eine hohe Helligkeit und ein möglichst homogenes Leuchtbild wünschenswert ist. Der optoelektronische Halbleiterchip 1 kann beispielsweise als Leuchtdiodenchip für Fahrzeugscheinwerfer, insbesondere im Automotive-Bereich, in Lampen zur Allgemeinbeleuchtung oder für andere spezielle Beleuchtungszwecke eingesetzt werden. Die Ausgestaltung der Isolationsschicht als reflexionserhöhende dielektrische Schichtenfolge trägt außerdem zum Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips vor äußeren Einflüssen wie Feuchtigkeit oder korrodierenden Substanzen bei. Die abwechselnden dielektrischen Schichten weisen eine gute Barrierewirkung auf, welche die Langzeitstabilität des optoelektronischen Halbleiterchips erhöht. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102019 122 593.0, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist.