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Title:
OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT, CONVERSION ELEMENT AND PRODUCTION METHOD
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2023/143923
Kind Code:
A1
Abstract:
In one embodiment, the optoelectronic semiconductor component (1) comprises: - an optoelectronic semiconductor chip (2), and - a conversion element (3), which is designed to convert at least part of a primary radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip (2) during operation into a secondary radiation, wherein - the conversion element (3) comprises a frame (31) and a phosphor body (32) within the frame, - the phosphor body (32) comprises at least one phosphor and the frame (31) contains at least one ceramic, and - the frame (31) is in direct contact with the phosphor body (32) in a lateral direction, which is oriented parallel to a main radiation side (20) of the optoelectronic semiconductor chip (2).

Inventors:
ZITZLSPERGER MICHAEL (DE)
SCHWARZ THOMAS (DE)
Application Number:
PCT/EP2023/050610
Publication Date:
August 03, 2023
Filing Date:
January 12, 2023
Export Citation:
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Assignee:
AMS OSRAM INT GMBH (DE)
International Classes:
H01L33/50; H01L33/62
Domestic Patent References:
WO2020007463A12020-01-09
WO2018172354A12018-09-27
WO2020052973A12020-03-19
WO2020078809A12020-04-23
WO2007023411A12007-03-01
WO2014166948A12014-10-16
Foreign References:
EP3098861A12016-11-30
JP2012134355A2012-07-12
US20090065790A12009-03-12
DE102022101910A2022-01-27
Attorney, Agent or Firm:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH (DE)
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Claims:
Patentansprüche 1. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit - einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), - mindestens einem Bonddraht (4), mit dem der optoelektronische Halbleiterchip (2) elektrisch kontaktiert ist, und - einem Konversionselement (3), das dazu eingerichtet ist, mindestens einen Teil einer vom optoelektronischen Halbleiterchip (2) im Betrieb emittierten Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung umzuwandeln, wobei - das Konversionselement (3) einen Rahmen (31) und einen Leuchtstoffkörper (32) innerhalb des Rahmens umfasst, - der Leuchtstoffkörper (32) mindestens einen Leuchtstoff umfasst und der Rahmen (31) mindestens eine Keramik enthält, - der Rahmen (31) in einer lateralen Richtung, die parallel zu einer Strahlungshauptseite (20) des optoelektronischen Halbleiterchips (2) orientiert ist, in direktem Kontakt mit dem Leuchtstoffkörper (32) steht, - der Rahmen (31) mindestens eine Ausnehmung (43) aufweist und sich der Bonddraht (4) wenigstens zum Teil in der Ausnehmung (43) befindet und sich die Ausnehmung (43), in Draufsicht auf die Strahlungshauptseite (20) gesehen, neben dem Leuchtstoffkörper (32) befindet, und - die Ausnehmung (43) den Rahmen (31) in Richtung senkrecht zur Strahlungshauptseite (20) nur teilweise durchdringt. 2. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei - der Rahmen (31) den Leuchtstoffkörper (32) in Draufsicht auf die Strahlungshauptseite (20) gesehen ringsum unmittelbar umgibt, - die Keramik des Rahmens (31) lichtundurchlässig ist, - eine Dicke des Rahmens (31) größer oder gleich einer Dicke des Leuchtstoffkörpers (32) ist, - das Konversionselement (3) dazu eingerichtet ist, von der Primärstrahlung und/oder von der Sekundärstrahlung in Richtung quer zur Strahlungshauptseite (20) durchlaufen zu werden, und - eine Reflektivität der Keramik des Rahmens (31) zumindest für die Sekundärstrahlung mindestens 95 % beträgt. 3. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Keramik Al2O3 oder AlN als Basismaterial (35) aufweist und eine für die Primärstrahlung und/oder die Sekundärstrahlung reflektierend wirkende Beimengung (36) oder Poren enthält, wobei die Beimengung (36) mindestens ein Metalloxid ist, insbesondere ZrO2 und/oder TiO2. 4. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei in Draufsicht gesehen der Rahmen (31) die Strahlungshauptseite (20) teilweise bedeckt und der Rahmen (31) den optoelektronischen Halbleiterchip (2) ringsum überragt. 5. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei sich die Ausnehmung (43), in Richtung senkrecht zur Strahlungshauptseite (20), zu mindestens 50 % und zu höchstens 90% durch den Rahmen (31) erstreckt.

6. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei der mindestens eine Bonddraht (4) in der Ausnehmung (43), mit einer Toleranz von höchstens 45°, parallel zur Strahlungshauptseite (20) verläuft. 7. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach Anspruch 5, wobei die Ausnehmung (43) ringsum von einem Material des Rahmens (31) umgeben ist, in Draufsicht auf die Strahlungshauptseite (20) gesehen und über eine vollständige Dicke des Rahmens (31) hinweg. 8. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Rahmen (31) an einer dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) abgewandten Seite des Leuchtstoffkörpers (32) eine Kavität (37) aufweist und der Rahmen (31) die Kavität (37) in der lateralen Richtung ringsum umgibt. 9. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, ferner umfassend einen Fensterkörper (51), wobei - der Fensterkörper (51) zumindest für die Sekundärstrahlung durchlässig ist, - der Leuchtstoffkörper (32) unmittelbar auf dem Fensterkörper (51) angebracht ist, und - der Fensterkörper (51) in der lateralen Richtung in direktem Kontakt zu dem Rahmen (32) steht. 10. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der beiden vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend einen Optikkörper (52), wobei 30 - der Optikkörper (52) zumindest für die Sekundärstrahlung durchlässig ist, und - der Optikkörper (52) die Kavität (37) mindestens teilweise ausfüllt und mindestens teilweise bedeckt. 11. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der drei vorhergehenden Ansprüche, wobei sich die Kavität (37) und/oder der Rahmen (31) in Richtung weg von dem optoelektronischen Halbleiterchip (2) verbreitert. 12. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend einen Träger (6), wobei der Rahmen (31) einen Sockel (38) umfasst, und wobei der Sockel (38) und der optoelektronische Halbleiterchip (2) gemeinsam auf dem Träger (6) angebracht sind. 13. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Leuchtstoffkörper (32) mindestens eine Keramik umfasst, wobei eine Dicke des Leuchtstoffkörpers (32) zwischen einschließlich 30 µm und 0,5 mm liegt. 14. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei der Leuchtstoffkörper (32) mindestens ein Polysiloxan als Matrixmaterial (34) und darin eingebettete Leuchtstoffpartikel (33) mit dem mindestens einen Leuchtstoff umfasst, wobei eine Dicke des Leuchtstoffkörpers (32) zwischen einschließlich 5 µm und 30 µm liegt.

15. Konversionselement (3) für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (1), wobei - das Konversionselement (3) dazu eingerichtet ist, mindestens einen Teil einer von einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) im Betrieb emittierten Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung umzuwandeln, - das Konversionselement (3) einen Rahmen (31) und einen Leuchtstoffkörper (32) innerhalb des Rahmens (31) umfasst, - der Leuchtstoffkörper (32) mindestens einen Leuchtstoff umfasst und der Rahmen (31) mindestens eine Keramik enthält, - der Rahmen (31) in einer lateraler Richtung in direktem Kontakt mit dem Leuchtstoffkörper (32) steht, - das Konversionselement (3) dazu eingerichtet ist, in Transmission betrieben zu werden, - der Rahmen (31) mindestens eine Ausnehmung (43) aufweist, die für einen Bonddraht (4) vorgesehen ist und sich die Ausnehmung (43) neben dem Leuchtstoffkörper (32) befindet, und - die Ausnehmung (43) den Rahmen (31) nur teilweise durchdringt. 16. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 14, umfassend die folgenden Schritte: A) Bereitstellen einer Vielzahl der Leuchtstoffkörper (32), B) Bereitstellen einer Vielzahl der Rahmen (31), C) Vereinzeln zu den Konversionselementen (3). 17. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Schritte A), B) und C) in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden, und wobei die Leuchtstoffkörper (32) und die Rahmen (31) gemeinsam gesintert werden.

18. Verfahren nach einem der beiden vorhergehenden Ansprüche, wobei der Schritt A) umfasst: A1) Bereitstellen eines ersten Verbunds (71) mit einer Vielzahl der Leuchtstoffkörper (32), A2) Zerteilen des ersten Verbunds (71) zu den einzelnen Leuchtstoffkörpern (32), wobei relative Positionen der Leuchtstoffkörper (32) zueinander bis nach dem Schritt B) erhalten bleiben, wobei der Schritt B) umfasst: B1) Bereitstellen eines zweiten Verbunds (72) mit einer Vielzahl der Rahmen (31) direkt an den zuvor bereitgestellten Leuchtstoffkörpern (32). 19. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 oder 17, wobei der Schritt A) umfasst: A3) Bereitstellen einzelner Grünlinge (73) für die Leuchtstoffkörper (32), A4) Platzieren der Grünlinge (73) in einer Form (75), wobei der Schritt B) umfasst: B2) Formen einer Engobe (74) um die Grünlinge (73) herum in der Form (75).

Description:
Beschreibung OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL, KONVERSIONSELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Darüber hinaus werden ein Konversionselement und ein Herstellungsverfahren für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Die Druckschrift WO 2014/166948 A1 betrifft ein optoelektronisches Halbleiterbauteil. Eine zu lösende Aufgabe liegt darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, das eine hohe Lichtauskoppeleffizienz aufweist. Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein optoelektronisches Halbleiterbauteil, durch ein Konversionselement und durch ein Herstellungsverfahren mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterbauteil einen oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips. Der mindestens eine optoelektronische Halbleiterchip basiert zum Beispiel auf einer Halbleiterschichtenfolge aus AlnIn1-n-mGamN, aus AlnIn1-n-mGamP, aus AlnIn1-n-mGamAs oder aus AlnGamIn1-n-mAskP1-k, wobei jeweils 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1 sowie 0 ≤ k < 1 ist und wobei die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe enthalten kann. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst zumindest eine aktive Schicht, die zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist. Eine von der aktiven Schicht im Betrieb erzeugte Strahlung liegt insbesondere im Spektralbereich zwischen einschließlich 380 nm und 520 nm. Bevorzugt basiert die Halbleiterschichtenfolge auf dem Materialsystem AlnIn1-n-mGamN. Das Halbleiterbauteil kann also ein Leuchtdiodenbauteil sein. Sind mehrere der optoelektronischen Halbleiterchips vorhanden, so können alle Halbleiterchips baugleich sein oder es sind verschiedene Arten von Halbleiterchips in dem Halbleiterbauteil miteinander kombiniert, zum Beispiel zur Erzeugung von Licht unterschiedlicher Farben. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterbauteil eines oder mehrere Konversionselemente. Das mindestens eine Konversionselement ist dazu eingerichtet, mindestens einen Teil einer von dem mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip im Betrieb emittierten Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung umzuwandeln. Das mindestens eine Konversionselement kann somit für eine Teilkonversion oder alternativ für eine Vollkonversion der Primärstrahlung eingerichtet sein. Sind mehrere der Konversionselemente vorhanden, so können alle Konversionselemente baugleich sein oder es sind verschiedene Arten von Konversionselementen in dem Halbleiterbauteil miteinander kombiniert, zum Beispiel zur Erzeugung von Licht unterschiedlicher Farben oder korrelierter Farbtemperaturen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das mindestens eine Konversionselement einen Rahmen und wenigstens einen Leuchtstoffkörper innerhalb des Rahmens. Der Leuchtstoffkörper umfasst einen oder mehrere Leuchtstoffe. Sind mehrere der Leuchtstoffkörper vorhanden, so können alle oder einige der Leuchtstoffkörper in einem gemeinsamen Rahmen untergebracht sein oder es ist für jeden Leuchtstoffkörper ein eigener Rahmen vorhanden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform enthält der Rahmen eine oder mehrere Keramiken und/oder mindestens ein Porzellan. Bevorzugt ist der Rahmen aus einem einzigen, homogenen Material gefertigt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform steht der Rahmen in einer lateraler Richtung, die bevorzugt parallel zu einer Strahlungshauptseite des optoelektronischen Halbleiterchips orientiert ist, in direktem Kontakt mit dem Leuchtstoffkörper. Das heißt, der Leuchtstoffkörper und der Rahmen können sich in lateraler Richtung berühren und können aneinander angeformt sein. In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil einen optoelektronischen Halbleiterchip und ein Konversionselement, das dazu eingerichtet ist, mindestens einen Teil einer vom optoelektronischen Halbleiterchip im Betrieb emittierten Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung umzuwandeln. Das Konversionselement umfasst einen Rahmen und einen Leuchtstoffkörper innerhalb des Rahmens. Der Leuchtstoffkörper umfasst mindestens einen Leuchtstoff und der Rahmen enthält mindestens eine Keramik. Der Rahmen steht in einer lateraler Richtung, die bevorzugt parallel zu einer Strahlungshauptseite des optoelektronischen Halbleiterchips orientiert ist, in direktem Kontakt mit dem Leuchtstoffkörper. Zum Beispiel weist der Rahmen mindestens eine Ausnehmung auf und es befindet sich ein Bonddraht wenigstens zum Teil in der Ausnehmung und die Ausnehmung befindet sich, in Draufsicht auf die Strahlungshauptseite gesehen, neben dem Leuchtstoffkörper, wobei die Ausnehmung den Rahmen in Richtung senkrecht zur Strahlungshauptseite nur teilweise durchdringt. Bei weiß emittierenden Leuchtdioden, kurz LEDs, wird für die Konversion von blauem zu gelbem Licht häufig ein keramisches Konversionselement, auch als Phosphorplättchen bezeichnet, genutzt. Dabei tritt auch an den Seitenflächen des Konversionselements Licht aus, was in der Regel unerwünscht ist. Bei dem hier beschriebenen Halbleiterbauteil wird das Konversionselement mit einem bevorzugt keramischen, reflektierenden Rahmen versehen. Ein weiteres Problem ist, dass bei der Handhabung von LED-Bauteilen bei einem Kunden eine Beschädigung eines Drahtkontaktes erfolgen kann, wenn eine Bauteiloberfläche aus weichem Silikon gebildet ist. Um das seitliche Austreten von Licht aus dem Konversionselement zu verhindern wird in einer alternativen Ausgestaltung der eigentliche Leuchtstoffkörper, nachdem er auf einen LED-chip aufgebracht worden ist, entweder mitsamt dem LED-Chip darunter und optional mitsamt Bonddrähten eingegossen, zum Beispiel in Silikon mit reflektierenden Metalloxidpartikeln, etwa aus TiO 2 ZrO 2 -Partikeln, oder in einem Spritzgießverfahren in einem weißen oder schwarzen Material eingehüllt, zum Beispiel in ein Epoxid mit anorganischen Füllstoffen. Das umgebende Material und der Fertigungsprozess bestimmen dabei, wie die mechanischen Eigenschaften des Bauteils, also feste oder weiche Umgebung des Konversionselements und des Bonddrahts, wie beständig die Reflexionseigenschaften im Hinblick auf eine mögliche Delamination der Umgebung vom Konversionselement und wie hoch ein Kontrast, also insbesondere eine Eindringtiefe des Lichts in das umgebende Medium, sind. Bei dem hier beschriebenen Halbleiterbauteil wird das Konversionselement vor der Montage auf dem Halbleiterchip, der insbesondere ein LED-Chip ist, mit einem harten, reflektierenden Rand oder Rahmen zu versehen. Da dies bei der Fertigung des Konversionselements geschieht, sind hohe Temperaturen und damit die Verwendung von keramischen Werkstoffen, wie etwa Porzellan im Falle von transparenten Plättchen, möglich. Die optischen Eigenschaften dieses Rahmens lassen sich in einem weiten Bereich wählen und die Formgebung des Rahmes ist weitgehend frei. Daher kann die Leuchtstoffkörper-Rahmen-Komponente auch Funktionalitäten eines LED-Gehäuses mit übernehmen. Herkömmlicherweise ist somit ein Konversionselement homogen und ohne reflektierenden Rand ausgeführt. Erst ein nachträglich angebrachter weißer Verguss oder Spritzgusskörper in einem Gehäuse verhindert das seitliche Austreten von Licht. Dagegen wird bei dem hier beschriebenen Halbleiterbauteil der Leuchtstoffkörper bereits bei der Herstellung mit einem reflektierenden Rand oder Rahmen aus einem keramischen Werkstoff versehen. Dies eröffnet zudem die Möglichkeit, den Leuchtstoffkörper, insbesondere eine Lichtaustrittfläche, mit einem kostengünstigen Material zu erweitern, bis hin zu einem Gehäusekörper, und den Leuchtstoffkörper auch ohne aufwändige Prozesse mit einer farbigen oder auch metallischen Schicht zu versehen, zum Beispiel aus Platin. Der keramische Rahmen kann an den Leuchtstoffkörper vor einem Sintern, insbesondere als Grünkörper, auch als Grünling bezeichnet, oder auch danach angebracht werden. Als Keramik- Material bietet sich Porzellan an. Je nachdem, ob ein Gießverfahren, ein Pressverfahren oder ein Spritzgussverfahren verwendet wird, kann die Porzellanmasse flüssig, etwa als Schlicker, zum Gießen in Formen oder zum Hochdruckpressen, als verschieden schmiegsame Masse, insbesondere zum Pressen oder zur plastischen Formgebung, oder sogar als trockenes Granulat, insbesondere für ein Trockenpressen, hergestellt werden. Der Rahmen, der zum Beispiel ein Porzellankörper ist, kann relativ porös belassen werden, so dass zum Beispiel ein späterer Verguss oder Mold-Körper gut daran haften kann, oder sodass der Rahmen mit einer Glasur versehen werden kann, zum Beispiel in einem Monobrand-Verfahren, oder noch zusätzlich eine farbige oder metallische Beschichtung bekommen kann. Zudem können viele kleine Poren für eine hohe Streuung und Reflektivität sorgen. Somit hat das Konversionselement bevorzugt einen mechanisch robusten Rahmen, der als Teil des Gehäuses des Halbleiterbauteils dienen kann und optional einen Bonddraht mechanisch schützen kann. Die Gefahr einer Delamination zwischen dem Konversionselement und einem optionalen Verguss ist deutlich verringert. Es sind mehrere Konversionselemente für ein Multi-Chip-Bauteil zu einer einzigen Komponente miteinander kombinierbar. Der Rahmen kann mit einer Glasur versehen werden, sodass farbige Oberflächen möglich sind, wie eine schwarze Oberfläche für einen hohen Kontrast bei einem Multi-Chip-Bauteil, zum Beispiel für Automobilscheinwerfer. Dieses farbige Dekor kann sehr fein strukturiert sein, zum Beispiel schwarz rund um ein Feld mit den Halbleiterchips und transparent zwischen den Halbleiterchips. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umgibt der Rahmen den Leuchtstoffkörper in Draufsicht auf die Strahlungshauptseite gesehen ringsum unmittelbar. Das heißt, der Rahmen kann eine vollständig geschlossene Bahn direkt um den Leuchtstoffkörper herum bilden. Seitenflächen des Leuchtstoffkörpers, die quer zur Strahlungshauptseite orientiert sind, können vollständig von dem Rahmen bedeckt sein, insbesondere ganzflächig in physischem Kontakt zu dem Rahmen stehen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Material des Rahmens, insbesondere die mindestens eine Keramik des Rahmens, lichtundurchlässig. Alternativ oder zusätzlich ist der Rahmen mit einer lichtundurchlässigen Beschichtung versehen. Lichtundurchlässig bedeutet zum Beispiel, dass ein Transmissionskoeffizient für sichtbares Licht durch den Rahmen hindurch, insbesondere in Richtung senkrecht zur Strahlungshauptseite, höchstens 5 % oder höchstens 1 % oder höchstens 0,1 % beträgt. Sichtbares Licht bezeichnet insbesondere den Spektralbereich von 420 nm bis 720 nm. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine Dicke des Rahmens größer oder gleich einer Dicke des Leuchtstoffkörpers. Das heißt, der Rahmen kann den Leuchtstoffkörper in Richtung hin zum mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip und/oder in Richtung weg von dem mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip überragen. Insbesondere kann der Rahmen unmittelbar an dem Leuchtstoffkörper dicker sein als der Leuchtstoffkörper. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Konversionselement dazu eingerichtet, von der Primärstrahlung und/oder von der Sekundärstrahlung in Richtung quer zur Strahlungshauptseite durchlaufen zu werden. Mit anderen Worten ist das Konversionselement für einen Transmissionsbetrieb eingerichtet. Eine Hauptabstrahlrichtung des mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchips kann gleich einer Hauptabstrahlrichtung des Konversionselements sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt eine Reflektivität des Rahmens, insbesondere der Keramik des Rahmens, für die Sekundärstrahlung und/oder für die Primärstrahlung und/oder für sichtbares Licht mindestens 95 % oder mindestens 98 %. Hierdurch ist eine hohe Lichtabstrahleffizienz des Halbleiterbauteils erreichbar. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Keramik des Rahmens ein Basismaterial auf. Zum Beispiel ist das Basismaterial Al 2 O 3 und/oder AlN. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Basismaterial mindestens eine für die Primärstrahlung und/oder für die Sekundärstrahlung und/oder für sichtbares Licht reflektierend wirkende Beimengung auf. Zum Beispiel ist die Beimengung mindestens ein Metalloxid. Das Metalloxid kann in Form von homogen in dem Basismaterial verteilten reflektierenden Partikeln vorliegen. Insbesondere ist das Metalloxid ZrO 2 und/oder TiO 2 . Somit kann ein an sich transparentes Material, wie Al 2 O 3 oder AlN, durch Hinzugabe von ZrO 2 oder TiO 2 weiß diffus reflektierend werden. Ein Masseanteil der mindestens einen Beimengung an dem Rahmen liegt zum Beispiel bei mindestens 0,5 % und/oder bei höchstens 5 %. Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt der Rahmen die Strahlungshauptseite in Draufsicht gesehen teilweise. Mit anderen Worten überdeckt der Rahmen dann den mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip teilweise. Alternativ ist der mindestens eine optoelektronische Halbleiterchip von dem Rahmen nicht überdeckt, sodass die Strahlungshauptseite und der Rahmen geometrisch disjunkt sein können. Das heißt zum Beispiel, der Rahmen kann sich auf eine dem mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip abgewandte Seite des Leuchtstoffkörpers erstrecken. Gemäß zumindest einer Ausführungsform überragt der Rahmen den optoelektronischen Halbleiterchip ringsum. Der Rahmen kann somit größere laterale Abmessungen aufweisen als der mindestens eine optoelektronische Halbleiterchip. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil einen oder mehrere Bonddrähte. Der optoelektronische Halbleiterchip ist mit dem mindestens einen Bonddraht elektrisch kontaktiert. Handelt es sich bei dem mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip um einen Flip-Chip mit dem Konversionselement abgewandten elektrischen Kontaktflächen, so kann eine elektrische Kontaktierung des mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchips bonddrahtfrei erfolgen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Rahmen eine oder mehrere Ausnehmungen auf. Der mindestens eine Bonddraht befindet sich wenigstens zum Teil, insbesondere nur zum Teil, in der Ausnehmung. Sind mehrere Bonddrähte vorhanden, so kann für jeden der Bonddrähte eine eigene Ausnehmung vorhanden sein. Alternativ ist für alle oder jeweils für mehrere der Bonddrähte eine gemeinsame Ausnehmung vorhanden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich die Ausnehmung, in Draufsicht auf die Strahlungshauptseite gesehen, teilweise oder vollständig neben dem Leuchtstoffkörper. Insbesondere befindet sich durchgehend ein Material des Rahmens zwischen der mindestens einen Ausnehmung und dem Leuchtstoffkörper, sodass die mindestens eine Ausnehmung beabstandet zu dem Leuchtstoffkörper angeordnet ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform durchdringt die Ausnehmung den Rahmen in Richtung senkrecht zur Strahlungshauptseite nur teilweise. Das heißt, die Ausnehmung kann ein Sackloch sein. Von einer dem mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip abgewandten Seite des Rahmens her ist die Ausnehmung dann bevorzugt nicht sichtbar. Zum Beispiel erstreckt sich die Ausnehmung, in Richtung senkrecht zur Strahlungshauptseite, zu mindestens 40 %& oder zu mindestens 50 % oder zu mindestens 60 % durch den Rahmen. Alternativ oder zusätzlich erstreckt sich die Ausnehmung zu höchstens 90% oder zu höchstens 80 % durch den Rahmen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform verläuft der mindestens eine Bonddraht oder einer der Bonddrähte oder mehrere der Bonddrähte oder alle Bonddrähte in der Ausnehmung, mit einer Toleranz von höchstens 60° oder von höchstens 45° oder von höchstens 30° oder von höchstens 15°, parallel zur Strahlungshauptseite. Dies gilt beispielsweise für einen Anteil des mindestens einen betreffenden Bonddrahts in der zugeordneten Ausnehmung von mindestens 70 % oder von mindestens 80 % oder von mindestens 90 %, in Richtung parallel zur Strahlungshauptseite gesehen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform durchdringt die Ausnehmung den Rahmen in Richtung senkrecht zur Strahlungshauptseite stellenweise oder ganzflächig vollständig. Stellenweise bedeutet, dass die Ausnehmung teilweise von einem Material des Rahmens bedeckt ist, in Richtung weg von der Strahlungshauptseite. Ganzflächig bedeutet demgemäß, dass die gesamte Ausnehmung von einer der Strahlungshauptseite abgewandten Seite her zugänglich und/oder von einem Material des Rahmens nicht bedeckt und/oder einsehbar ist. Sind mehrere der Ausnehmungen vorhanden, so können unterschiedliche Arten von Ausnehmungen miteinander kombiniert vorliegen, also insbesondere den Rahmen vollständig durchdringende Ausnehmungen und den Rahmen nur zum Teil durchdringenden Ausnehmungen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Rahmen an einer dem optoelektronischen Halbleiterchip abgewandten Seite des Leuchtstoffkörpers eine oder mehrere Kavitäten auf. Anders als die mindestens eine Ausnehmung befindet sich die mindestens eine Kavität somit nicht nur neben, sondern teilweise oder vollständig auf dem Leuchtstoffkörper, in Draufsicht auf die Strahlungshauptseite gesehen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umgibt der Rahmen die Kavität in der lateralen Richtung ringsum. Mit anderen Worten ist die Kavität durch den Rahmen definiert und rundherum von dem Rahmen umrandet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil einen oder mehrere Fensterkörper. Der mindestens eine Fensterkörper ist für die Sekundärstrahlung und/oder für die Primärstrahlung und/oder für sichtbares Licht durchlässig. Durchlässig bedeutet insbesondere, dass ein Transmissionskoeffizient für die betreffende Strahlung bei mindestens 70 % oder mindestens 90 % oder mindestens 95 % liegt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Leuchtstoffkörper unmittelbar auf dem Fensterkörper angebracht. Zum Beispiel ist der Leuchtstoffkörper auf dem Fensterkörper abgeschieden und/oder erzeugt worden. Das heißt, der Fensterkörper kann ein Träger für den Leuchtstoffkörper sein. Insbesondere ist der Leuchtstoffkörper ohne den Fensterkörper mechanisch nicht selbsttragend. Gemäß zumindest einer Ausführungsform steht der Fensterkörper in der lateralen Richtung in direktem Kontakt zu dem Rahmen. Laterale Begrenzungsflächen des Fensterkörpers können unmittelbar und vollständig von dem Rahmen bedeckt sein. Sind mehrere der Fensterkörper vorhanden, so können verschiedene Arten von Fensterkörpern miteinander kombiniert werden oder alle Fensterkörper sind baugleich. Es ist möglich, dass dann alle oder einige der Fensterkörper in einem gemeinsamen Rahmen untergebracht sind. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil einen oder mehrere Optikkörper. Der mindestens eine Optikkörper ist für die Sekundärstrahlung und/oder für die Primärstrahlung und/oder für sichtbares Licht durchlässig. Zum Beispiel handelt es sich bei dem Optikkörper um eine Linse, wie eine Sammellinse. Es können mehrere Optikkörper miteinander kombiniert sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform füllt der Optikkörper die zugeordnete Kavität teilweise oder vollständig aus und/oder bedeckt die zugeordnete Kavität teilweise oder vollständig. Es ist möglich, dass der mindestens eine Optikkörper unmittelbar auf dem zugeordneten Leuchtstoffkörper und/oder auf dem zugeordneten Fensterkörper aufgebracht ist. Bevorzugt steht der mindestens eine Optikkörper in direktem Kontakt zum Rahmen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform verbreitert sich die Kavität und/oder der Rahmen in Richtung weg von dem mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip. Beispielsweise sind die Kavität und/oder der Rahmen hinsichtlich einer äußeren Gestalt kegelstumpfförmig oder pyramidenstumpfförmig. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil einen Träger. Bei dem Träger kann es sich um ein elektrisches Anschlussteil des Halbleiterbauteils und/oder um die das Halbleiterbauteil mechanisch tragende Komponente handeln. Beispielsweise ist der Träger aus einer Keramik, die mit elektrischen Leiterstrukturen versehen ist. Der Träger kann eine elektrische Leiterplatte sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Rahmen einen oder mehrere Sockel. Der Sockel ist bevorzugt aus dem gleichen Material wie der Rest des Rahmens. Alternativ kann der Sockel des Rahmens aus einem anderen Material sein als die Teile des Rahmens, die direkt an dem mindestens einen Leuchtstoffkörper angebracht sind. Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind der mindestens eine Sockel und der mindestens eine optoelektronische Halbleiterchip gemeinsam auf dem Träger angebracht. Mittels des mindestens einen Sockels kann ein Abstand des Leuchtstoffkörpers zum zugeordneten Halbleiterchip eingestellt sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Leuchtstoffkörper mindestens eine Keramik. Dies bedeutet zum Beispiel, dass der Leuchtstoff des Leuchtstoffkörpers eine Keramik ist, also ein keramischer Leuchtstoff, oder dass der Leuchtstoffkörper ein keramisches Matrixmaterial umfasst, in das der Leuchtstoff eingebettet ist. Im letztgenanntem Fall kann der Leuchtstoff ein keramischer Leuchtstoff sein, wobei dies nicht zwingend erforderlich ist. Eine Dicke des Leuchtstoffkörpers liegt im Falle eines keramischen Leuchtstoffkörpers zum Beispiel bei mindestens 30 µm oder mindestens 100 µm und/oder bei höchstens 0,5 mm oder höchstens 0,2 mm. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Leuchtstoffkörper mindestens ein Polysiloxan als Matrixmaterial und darin eingebettete Leuchtstoffpartikel mit dem mindestens einen Leuchtstoff. Der Leuchtstoff kann wiederum ein keramischer Leuchtstoff sein, wobei auch andere anorganische oder auch organische Leuchtstoffe denkbar sind. Eine Dicke des Leuchtstoffkörpers liegt im Falle eines Polysiloxan-basierten Leuchtstoffkörpers zum Beispiel bei mindestens 3 µm oder mindestens 5 µm und/oder bei höchstens 50 µm oder höchstens 20 µm. Darüber hinaus wird ein Konversionselement für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen beschrieben, angegeben. Merkmale des Konversionselements sind daher auch für das optoelektronische Halbleiterbauteil offenbart und umgekehrt. In mindestens einer Ausführungsform ist das Konversionselement dazu eingerichtet, mindestens einen Teil einer von einem optoelektronischen Halbleiterchip im Betrieb emittierten Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung umzuwandeln. Das Konversionselement umfasst einen Rahmen und einen Leuchtstoffkörper innerhalb des Rahmens. Der Leuchtstoffkörper umfasst mindestens einen Leuchtstoff und der Rahmen enthält mindestens eine Keramik. Der Rahmen steht in einer lateraler Richtung in direktem Kontakt mit dem Leuchtstoffkörper. Das Konversionselement ist dazu eingerichtet, in Transmission betrieben zu werden. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen beschrieben, angegeben. Merkmale des optoelektronischen Halbleiterbauteils sind daher auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt. In mindestens einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und umfasst die folgenden Schritte, insbesondere in der angegebenen Reihenfolge: A) Bereitstellen einer Vielzahl der Leuchtstoffkörper, B) Bereitstellen einer Vielzahl der Rahmen, C) Vereinzeln zu den Konversionselementen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Leuchtstoffkörper und die Rahmen gemeinsam gesintert. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Schritt A): A1) Bereitstellen eines ersten Verbunds mit einer Vielzahl der Leuchtstoffkörper, und A2) Zerteilen des ersten Verbunds zu den einzelnen Leuchtstoffkörpern, wobei relative Positionen der Leuchtstoffkörper zueinander bis nach dem Schritt B) erhalten bleiben. Alternativ oder zusätzlich umfasst der Schritt B) gemäß zumindest einer Ausführungsform: B1) Bereitstellen eines zweiten Verbunds mit einer Vielzahl der Rahmen direkt an den zuvor bereitgestellten Leuchtstoffkörpern. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Schritt A): A3) Bereitstellen einzelner Grünlinge für die Leuchtstoffkörper, A4) Platzieren der Grünlinge in einer Form. Alternativ oder zusätzlich umfasst der Schritt B) gemäß zumindest einer Ausführungsform: B2) Formen einer Engobe um die Grünlinge herum in der Form. Nachfolgend werden ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil, ein hier beschriebenes Konversionselement und ein hier beschriebenes Verfahren unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Es zeigen: Figur 1 eine schematische Schnittdarstellung einer Abwandlung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils, Figur 2 eine schematische perspektivische Darstellung des optoelektronischen Halbleiterbauteils der Figur 1, Figur 3 eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils, Figur 4 eine schematische Draufsicht auf das optoelektronische Halbleiterbauteils der Figur 3, Figuren 5 und 6 schematische Schnittdarstellungen eines Leuchtstoffkörpers und eines Rahmens für hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteile, Figur 7 eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils, Figur 8 eine schematische Draufsicht auf das optoelektronische Halbleiterbauteils der Figur 7, Figur 9 eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils, Figur 10 eine schematische Draufsicht auf das optoelektronische Halbleiterbauteils der Figur 9, Figur 11 eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils, Figur 12 eine schematische Draufsicht auf das optoelektronische Halbleiterbauteils der Figur 11, Figur 13 eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils, Figur 14 eine schematische Draufsicht auf das optoelektronische Halbleiterbauteils der Figur 13, Figur 15 eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils, Figur 16 eine schematische Draufsicht auf das optoelektronische Halbleiterbauteils der Figur 15, Figur 17 eine schematische Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteils, Figur 18 eine schematische Draufsicht auf das optoelektronische Halbleiterbauteils der Figur 17, Figuren 19 bis 21 schematische Schnittdarstellungen von Ausführungsbeispielen von Konversionselementen für hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteile, Figuren 22 bis 25 schematische Draufsichten auf Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Figur 26 ein schematisches Blockdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Herstellungsverfahrens für hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteile, Figur 27 eine schematische Draufsicht auf einen Verfahrensschritt eines Ausführungsbeispiels eines Herstellungsverfahrens für hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteile, Figur 28 eine schematische Schnittdarstellung zur Figur 27, Figuren 29 bis 31 schematische Schnittdarstellungen von Verfahrensschritten eines Ausführungsbeispiels eines Herstellungsverfahrens für hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteile, Figuren 32 bis 34 schematische Schnittdarstellungen von Verfahrensschritten eines Ausführungsbeispiels eines Herstellungsverfahrens für hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteile, Figur 35 eine schematische Schnittdarstellung eines Verfahrensschritts eines Ausführungsbeispiels eines Herstellungsverfahrens für hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteile, und Figuren 36 und 37 schematische Schnittdarstellungen von Verfahrensschritten eines Ausführungsbeispiels eines Herstellungsverfahrens für hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteile. In den Figuren 1 und 2 ist eine Abwandlung 9 eines Halbleiterbauteils illustriert. Die Abwandlung 9 umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip 2, insbesondere ein LED-Chip, der zur Erzeugung einer Primärstrahlung P eingerichtet ist. Der Halbleiterchip 2 umfasst zum Beispiel ein Chipsubstrat 21 und eine darauf angebrachte Halbleiterschichtenfolge 22. Die Primärstrahlung P wird in einem Leuchtstoffkörper 32 eines Konversionselements 3 teilweise oder alternativ auch vollständig in eine Sekundärstrahlung S umgewandelt. Von der Abwandlung 9 wird insbesondere eine Mischung aus der Primärstrahlung P und aus der Sekundärstrahlung S emittiert. Das Konversionselement 3 ist zum Beispiel mittels eines Verbindungsmittels 24, wie ein Silikonkleber, auf einer Strahlungshauptseite 20 des Halbleiterchips 2 befestigt. Der Halbleiterchip 2 und das Konversionselement 3 sind in einer lateralen Richtung, senkrecht zur Strahlungshauptseite 20, ringsum von einem Kunststoffverguss 8 direkt umgeben. Der Kunststoffverguss 8 ist zum Beispiel weiß und kann aus einem Silikon mit darin eingebetteten reflektierenden Metalloxidpartikeln sein. Optional umfasst die Abwandlung 9 einen Träger 6, auf dem der Halbleiterchip 2 und der Kunststoffverguss 8 angebracht sind. Insbesondere die Sekundärstrahlung weist eine relativ große Eindringtiefe in den Kunststoffverguss 8 auf. Zum Beispiel liegt die Eindringtiefe bei mehreren 10 µm. Damit kann eine unerwünschte Lichtabstrahlung am Kunststoffverguss 8 auftreten. Zudem besteht die Gefahr, dass der erst nach der Montage des Konversionselements 3 erzeugte Kunststoffverguss 8 aufgrund von thermischen oder Strahlungseffekten von dem Konversionselement 3 delaminiert. Um diese Probleme zu beheben, weist das Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Halbleiterbauteils 1 gemäß der Figuren 3 und 4 ein Konversionselement 3 auf, das aus dem Leuchtstoffkörper 32 sowie aus einem Rahmen 31 zusammengesetzt ist. Der Rahmen 31 ist aus einer reflektierenden Keramik und in lateraler Richtung ringsum direkt an den Leuchtstoffkörper 32 angeformt. Der Rahmen 31 bedeckt den Halbleiterchip 2 zum Teil und steht seitlich über den Halbleiterchip 2 über. In Richtung senkrecht zur Strahlungshauptseite 20 schließen der Rahmen 31 und der Leuchtstoffkörper 32 bündig miteinander ab und sind somit gleich dick. Der Rahmen 31 und der Leuchtstoffkörper 32 verlaufen somit an einer dem Halbleiterchip 2 zugewandten Seite näherungsweise in der gleichen Ebene wie die Strahlungshauptseite 20, da das Verbindungsmittel 24 mit einer Dicke von beispielsweise höchstens 5 µm oder höchstens 3 µm sehr dünn ist. Optional ist der Halbleiterchip 2 mit einem Bonddraht 4 elektrisch kontaktiert, wobei eine Stromführung innerhalb des Halbleiterchips 2 zur Vereinfachung der Darstellung nicht im Detail gezeichnet ist. Zur Kontaktierung des Halbleiterchips 2, des Bonddrahts 4 und des Halbleiterbauteils 1 weist der optionale Träger 6 mehrere elektrische Anschlussflächen 62 auf. Damit der Bonddraht 4 auf eine dem optionalen Träger 6 abgewandte Seite des Halbleiterchips 2 geführt werden kann, weist der Rahmen 31 eine Ausnehmung 43 auf, in der sich der Bonddraht 43 zum Teil befindet. Die Ausnehmung 43 durchdringt den Rahmen 31 nur zum Teil, sodass die Ausnehmung 43 in Draufsicht gesehen nicht sichtbar ist. Durch diese Gestaltung der Ausnehmung 43 ist der Bonddraht 4 effizient vor äußeren Einflüssen schützbar. Als weitere Option umfasst das Halbleiterbauteil 1 den Kunststoffverguss 8. Der Kunststoffverguss 8 kann reflektierend weiß sein. Der Halbleiterchip 2 und das Konversionselement 3 sind in den Kunststoffverguss 8 eingebettet. Es ist möglich, dass der Kunststoffverguss 8 und das Konversionselement in Richtung weg von dem Halbleiterchip 2 bündig miteinander abschließen. In Figur 5 ist schematisch ein möglicher Leuchtstoffkörper 32 illustriert. Der Leuchtstoffkörper 32 umfasst Leuchtstoffpartikel 33. Optional sind die Leuchtstoffpartikel 33 in ein Matrixmaterial 34 eingebettet. Das Matrixmaterial 34 ist bevorzugt eine Keramik, zum Beispiel Al 2 O 3 oder AlN. Die Leuchtstoffpartikel 33 können ebenso aus einem keramischen Material sein. Im Falle keramischer Leuchtstoffpartikel 33 kann der Leuchtstoffkörper 32 optional auch aus den Leuchtstoffpartikeln 33 bestehen, sodass dann kein Matrixmaterial vorhanden ist. Eine Dicke des Leuchtstoffkörpers 32 beträgt zum Beispiel zwischen einschließlich 80 µm und 200 µm. Zum Beispiel umfassen die Leuchtstoffpartikel 33 einen oder mehrere Leuchtstoffe aus der folgenden Gruppe: Eu 2+ -dotierte Nitride wie (Ca,Sr)AlSiN 3 :Eu 2+ , Sr(Ca,Sr)Si 2 Al 2 N 6 :Eu 2+ , (Sr,Ca)AlSiN 3 *Si 2 N 2 O:Eu2+ , (Ca,Ba,Sr) 2 Si 5 N 8 :Eu 2+ , (Sr,Ca)[LiA1 3 N 4 ]:Eu 2+ ; Granate aus dem allgemeinen System (Gd,Lu,Tb,Y) 3 (Al,Ga,D) 5 (O,X) 12 :RE mit X = Halogenid, N oder zweiwertiges Element, D = dreiwertiges oder vierwertiges Element und RE = Seltenerdmetalle, wie Lu 3 (Al l-x Ga x ) 5 O l2 :Ce3+, Y 3 (Al 1-x Ga x ) 5 O 12 :Ce3+ ; Eu 2+ -dotierte SiONe wie (Ba,Sr,Ca)Si 2 O 2 N 2 :Eu 2+ ; SiAlONe etwa aus dem System Li x M y Ln z Si 12-(m+n) Al (m+n) O n N 16-n ; beta-SiAlONe aus dem System Si 6-x Al z O y N 8-y :RE z mit RE = Seltenerdmetalle; Nitrido- Orthosilikate wie AE 2-x-a RE x Eu a SiO 4-x N x oder AE 2-x-a RE x Eu a Si 1-y O 4-x-2y N x mit RE = Seltenerdmetall und AE = Erdalkalimetall oder wie (Ba,Sr,Ca,Mg) 2 SiO 4 :Eu 2+ . Außerdem können auch sogenannte Quantenpunkte verwendet werden. Ferner kann der Leuchtstoff eine Quantentopfstruktur aufweisen und epitaktisch gewachsen sein. In Figur 6 ist schematisch ein möglicher innerer Aufbau des Rahmens 31 illustriert. Der Rahmen 32 umfasst ein Basismaterial 35, zum Beispiel Al 2 O 3 oder AlN. Damit kann das Basismaterial 35 alleine durchlässig für sichtbares Licht sein. Um eine hohe Reflektivität des Rahmens 31 zu erreichen, ist bevorzugt eine Beimengung 36 vorhanden, die homogen in dem Basismaterial 35 verteilt sein kann. Die Beimengung 36 ist zum Beispiel aus Partikeln aus ZrO 2 oder TiO 2 gebildet, sodass der Rahmen weiß diffus reflektierend sein kann. Alternativ oder zusätzlich zur Beimengung 36 können ungefüllte Poren oder mit einem Gas gefüllte Poren vorhanden sein, die die Reflektivität des Rahmens 32 verursachen. Dies gilt genauso in allen anderen Ausführungsbeispielen. Durch die Verwendung insbesondere einer nanoporösen Keramik für den Rahmen 31 lässt sich eine hohe Reflektivität am Rahmen 31 erzielen, insbesondere eine höhere Reflektivität als mit einem Kunststoffverguss 8, wie in den Figuren 1 und 2 dargestellt. Aufgrund der harten Bauteiloberfläche aufgrund des Rahmens 31 oberhalb des Bonddrahts 4 lässt sich der Bonddraht 4 effektiv vor mechanischen Schäden schützen. Das Risiko einer Delamination zwischen dem Leuchtstoffkörper 32 und dem Kunststoffverguss 8 ist eliminiert. Durch eine zusätzliche Wärmeableitung seitlich über den Rahmen 31 ist eine erhöhte Kühlung des Leuchtstoffkörpers 32 erreicht. Ferner lässt sich ein hoher Kontrast, etwa für Frontscheinwerfer-Lichtquellen, durch Verwendung eines schwarzen Materials für die optionale Kunststoffverguss 8 erzielen. Im Übrigen gelten die Ausführungen zu den Figuren 1 und 2 in gleicher Weise für die Figuren 3 bis 6, und umgekehrt. Im Beispiel der Figuren 7 und 8 durchdringt die Ausnehmung 43 den Rahmen 31 stellenweise vollständig. Hierdurch ist es möglich, dass Kontaktpunkte 41 zwischen den Bonddrähten 4 und den Anschlussflächen 62 zumindest zeitweise frei liegen, in Draufsicht gesehen. Die Ausnehmung 43 weist bevorzugt einen Bereich nahe dem Leuchtstoffkörper 32 auf, in dem der zugehörige Bonddraht 4 von dem Rahmen 31 überdeckt ist. Durch die Kombination aus überdecktem Bereich und den Rahmen 31 vollständig durchdringenden Bereich lässt sich eine Gesamtdicke des Rahmens 31 reduzieren. Als Option ist in Figur 8 zudem zu sehen, dass mehrere der Bonddrähte 8 parallel zueinander angeordnet sein können. Alle Bonddrähte 8 können von der gleichen Anschlussfläche 62 ausgehen. Ferner ist optional wiederum der Kunststoffverguss 8 vorhanden, der die Ausnehmung 43 teilweise oder vollständig auffüllen kann. Im Übrigen gelten die Ausführungen zu den Figuren 1 bis 6 in gleicher Weise für die Figuren 7 und 8, und umgekehrt. Im Beispiel der Figuren 9 und 10 formt der Rahmen 31 an einer dem Halbleiterchip 2 abgewandten Seite des Leuchtstoffkörpers 32 eine Kavität 37. Es ist möglich, dass sich die Kavität 37 in Richtung weg von dem Leuchtstoffkörper 32 verbreitert. Damit steht der Rahmen 31 an der dem Halbleiterchip 2 abgewandten Seite über den Leuchtstoffkörper 32 über, schließt aber hin zum Halbleiterchip 2 bündig mit dem Leuchtstoffkörper 32 ab. Die Kavität 37 ist zum Beispiel wie ein Kegelstumpf oder wie ein Pyramidenstumpf oder wie eine Mischform hieraus geformt. Durch die Kavität 37 über dem Leuchtstoffkörper 32 kann der keramische Rahmen 31 insgesamt dicker sein, wodurch eine erhöhte mechanische Stabilität erzielbar ist und mehr Platz für den mindestens einen Bonddraht 4 vorhanden ist. Zudem ist die Kavität 37 über dem Leuchtstoffkörper 32 für einen weiteren Verguss nutzbar oder kann auch zum Aufgießen einer Linse dienen, in den Figuren 9 und 10 nicht gezeigt. Im Übrigen gelten die Ausführungen zu den Figuren 1 bis 8 in gleicher Weise für die Figuren 9 und 10, und umgekehrt. Im Beispiel der Figuren 11 und 12 ist der Leuchtstoffkörper 32 vergleichsweise dünn. Zum Beispiel ist der Leuchtstoffkörper 32 aus einem Polysiloxan als Matrixmaterial mit darin eingebetteten Leuchtstoffpartikeln, ähnlich zum Leuchtstoffkörper 32 der Figur 5. Eine Dicke des Polysiloxan– basierten Leuchtstoffkörpers 32 liegt zum Beispiel lediglich zwischen einschließlich 5 µm und 20 µm. Um den Leuchtstoffkörper 32 mechanisch zu stabilisieren und effizient in den Rahmen 31 einzubetten, ist optional ein Fensterkörper 51 vorhanden. Der lichtdurchlässige Fensterkörper 51 ist zum Beispiel aus einem Glas oder aus Saphir. Der Leuchtstoffkörper 32 und der Fensterkörper 51 können in Draufsicht gesehen deckungsgleich sein. Eine Dicke des Fensterkörpers 51 beträgt zum Beispiel zwischen einschließlich 50 µm und 0,5 mm. Im Übrigen gelten die Ausführungen zu den Figuren 1 bis 10 in gleicher Weise für die Figuren 11 und 12, und umgekehrt. Beim Beispiel der Figuren 13 und 14 umfasst der Rahmen 31 einen Sockel 38. Der Sockel 38 ist bevorzugt aus dem gleichen Material wie der Rest des Rahmens 31. Es ist möglich, dass der Sockel 38 an den Rest des Rahmens 31 angebracht ist, zum Beispiel angeklebt oder angesintert. Der Rahmen 31 ist insbesondere mittels eines Verbindungsmittels 24 zwischen dem Träger 6 und dem Sockel 38 befestigt. Beispielsweise ist der Sockel 38 durch zwei Quader gebildet, die sich an zwei einander gegenüberliegenden Seiten des Trägers 6 befinden, in Draufsicht gesehen. Das heißt, die zwei weiteren Seiten können frei von dem Sockel 38 sein. Alternativ kann der Sockel 38, anders als gezeichnet, auch durch mehrere Säulen realisiert sein, zum Beispiel durch vier separate Säulen, sodass sich an jeder Ecke des Halbleiterbauteils 1 dann eine der Säulen befindet. Ist der Sockel 38 vorhanden, kann der Kunststoffverguss 8 entfallen. Der Sockel 38 kann die Abfuhr der Verlustwärme vom Lichtkonversionsprozess verbessern. Gemäß der Figuren 15 und 16 erstreckt sich der Sockel 8 rings um den Halbleiterchip 2 herum. Damit kann der Keramik-Rahmen 31 einen oberen Teil eines Gehäuses des Halbleiterbauteils 1 bilden. Ein unterer Teil des Gehäuses ist durch den Träger 6 gebildet. In Draufsicht gesehen kann der Sockel 38 abgerundete Innenecken aufweisen, siehe Figur 16. Anders als in Figur 13 ist der Sockel 38 der Figur 15 einstückig mit dem Rest des Rahmens 31 gestaltet. Dies ist auch im Beispiel der Figur 13 möglich. Alternativ können auch gemäß Figur 15 der Sockel 38 und der Rest des Rahmens 31 zusammengefügt sein, analog zu Figur 13. Solche Sockel 38, wie in den Figuren 13 bis 16 dargestellt, können auch in allen anderen Beispielen vorhanden sein. Im Übrigen gelten die Ausführungen zu den Figuren 1 bis 12 in gleicher Weise für die Figuren 13 bis 16, und umgekehrt. In den Figuren 9 bis 16 sind jeweils Ausnehmungen 43 vorhanden, wie in den Figuren 3 und 4 illustriert. Genauso können aber auch jeweils Ausnehmungen 43 gemäß der Figuren 7 und 8 verwendet werden. In den Figuren 17 und 18 ist illustriert, dass der Rahmen 31 im Querschnitt gesehen eine trapezförmige oder näherungsweise trapezförmige äußere Kontur aufweist. Das heißt, in Richtung weg von dem Halbleiterchip 2 kann sich der Rahmen 31 verbreitern. Dabei kann der Rahmen 31 im Querschnitt gesehen asymmetrisch geformt sein. Im Bereich des mindestens einen Bonddrahts 4 kann der Rahmen 31 damit einen Hinterschnitt 42 aufweisen. Im Bereich des Hinterschnitts 42 erstreckt sich der Rahmen 31 weiter von dem Leuchtstoffkörper 32 weg als in anderen Bereichen. Anstelle eines Hinterschnitts 42 kann alternativ aber auch eine Ausnehmung 43, etwa gemäß der Figuren 3 oder 7, vorhanden sein. Ferner ist es möglich, dass der Rahmen 31 der Figuren 17 und 18 mit einem Sockel versehen ist, nicht gezeichnet. Als weitere Option ist der Kunststoffverguss 8 der Figuren 17 und 18 schwarz gestaltet. Zum Beispiel ist der Kunststoffverguss 8 dann aus einem Silikon oder einem Epoxid, dass mit einem schwarzen Farbstoff oder mit schwarzen Pigmenten, wie Ruß, versehen ist. Alternativ, wie in allen anderen Beispielen, kann der Kunststoffverguss 8 auch weiß sein. Ferner ist es möglich, dass ein Kantenverguss 82 an Seitenflächen des Verbindungsmittels 24 und/oder der Halbleiterschichtenfolge 22 vorhanden ist. Beispielsweise erstreckt sich der Kantenverguss 82 von dem Chipsubstrat 21 bis an den Kunststoffverguss 8. Damit kann verhindert werden, dass der schwarze Kunststoffverguss 8 Strahlung vom Halbleiterchip 2 absorbiert. Der Kantenverguss 82 ist zum Beispiel aus einem Silikon oder Epoxid, in das reflektierende Metalloxidpartikel eingebettet sind. Im Übrigen gelten die Ausführungen zu den Figuren 1 bis 16 in gleicher Weise für die Figuren 17 und 18, und umgekehrt. In den Figuren 19 bis 21 sind verschiedene Beispiele für eine Formgebung eines Profils des Rahmens 31 dargestellt. Gemäß Figur 19 ist der Rahmen 31 ungefähr so dick wie der Leuchtstoffkörper 32. Der Rahmen 31 erstreckt sich auf eine dem Halbleiterchip 2 abgewandte Hauptseite des Leuchtstoffkörpers 32, sodass die Kavität 37 gebildet wird. Optional ist die Ausnehmung 43 oder der Hinterschnitt 42 vorhanden. Gemäß Figur 20 ist in der Kavität 37 der Optikkörper 52 angebracht, der als Linse gestaltet ist. Der Bereich des Rahmens 31, der sich über den Leuchtstoffkörper 32 erhebt, kann dabei als Stoppkante für ein Gießen des Optikkörpers 52 dienen. Ein solcher Optikkörper 52 und/oder eine solche Kavität 37 können auch in allen anderen Beispielen vorhanden sein. Anders als in Figur 19 ist der Rahmen 31 der Figur 20 beiderseits des Leuchtstoffkörpers 32 gleich gestaltet, gesehen entlang einer Längsrichtung des Konversionselements 3. In Figur 21 ist schließlich illustriert, dass der Rahmen sowohl den Sockel 38 als auch die Kavität 37 aufweist. Dies ist auch in allen anderen Beispielen möglich. Im Übrigen gelten die Ausführungen zu den Figuren 1 bis 18 in gleicher Weise für die Figuren 19 bis 21, und umgekehrt. In den Figuren 22 bis 25 sind Draufsichten von verschiedenen Varianten des Halbleiterbauteils 1 dargestellt, wie auch in allen anderen Beispielen möglich. Gemäß Figur 22 weist der Leuchtstoffkörper 32 an einer Ecke einen Ausschnitt 44 auf. In diesem Ausschnitt 44 kann im Rahmen 31 die Ausnehmung 43 oder der Hinterschnitt 42, nicht gezeichnet, platziert werden. Ein solcher Ausschnitt 44 kann auch an zwei Ecken des Leuchtstoffkörpers 32 vorhanden sein. In Figur 23 ist gezeigt, dass mehrere der Leuchtstoffkörper 32 und optional mehrere der Ausnehmungen 43 in einem einzigen Rahmen 31 integriert sind. Damit kann das Halbleiterbauteil 1 mehrere der Halbleiterchips 2 aufweisen, wobei jedem der Halbleiterchips 2 ein eigener Leuchtstoffkörper 32 zugeordnet ist. Gemäß Figur 24 sind ebenfalls mehrere der Halbleiterchips 2 vorhanden, jedoch sind alle Halbleiterchips 2 von einem gemeinsamen, großen Leuchtstoffkörper 32 überdeckt. Anders als dargestellt kann auch nur eine einzige Ausnehmung 43 für alle Bonddrähte vorhanden sein. Schließlich illustriert Figur 25, dass der Leuchtstoffkörper 32 in Draufsicht gesehen rechteckig geformt sein kann. Dabei können Ecken abgerundet sein. Das Halbleiterbauteil 1 der Figur 25 ist insbesondere frei von Ausnehmungen 43 oder Hinterschnitten 42, sodass der Halbleiterchip 2 insbesondere ein Flip-Chip ist. Im Übrigen gelten die Ausführungen zu den Figuren 1 bis 21 in gleicher Weise für die Figuren 22 bis 25, und umgekehrt. In Figur 26 ist schematisch ein Herstellungsverfahren für Halbleiterbauteile 1 gezeigt. In einem ersten Schritt V1 wird eine Vielzahl der Leuchtstoffkörper 32 bereitgestellt. Nachfolgend oder alternativ vorangehend erfolgt in einem Schritt S2 ein Bereitstellen einer Vielzahl der Rahmen 31. Schließlich wird im Schritt V3 ein Vereinzeln zu den Konversionselementen 3 durchgeführt. Die Figuren 27 bis 37 zeigen genauer verschieden Varianten des Herstellungsverfahrens. Beim Verfahren der Figuren 27 und 28 wird zuerst ein zweiter Verbund 72 mit den Rahmen 31 erzeugt, insbesondere mit Hilfe einer ersten Form, nicht gezeichnet. Die einzelnen Rahmen 31 sind noch über Gusskanäle miteinander verbunden. Die Rahmen 31 weisen jeweils eine Öffnung für einen Angusspunkt 76 auf. Die Rahmen 31 liegen zum Beispiel als Grünlinge oder als getrocknete Engobe vor. Im Schritt der Figur 27 wird dann ein Material für die Leuchtstoffkörper 32 über die weiteren Gusskanäle 77 in die zuvor erstellten Rahmen 31 eingefüllt, zum Beispiel mittels Gießen oder Pressen, sodass ein erster Verbund 71 mit den Leuchtstoffkörpern 32 entsteht. Dabei dienen sowohl die Rahmen 31 als auch eine Form 75 zur Formgebung der Leuchtstoffkörper 32, die insbesondere als Grünlinge vorliegen. Es resultieren dann nach einem Sintern und einem Vereinzeln die Konversionselemente 3, siehe auch Figur 28. In den Gusskanälen verbliebenes Material ist dann nicht mehr vorhanden. Beim Verfahren der Figuren 27 und 28 resultieren an den Angusspunkten 76 jedoch in den fertigen Halbleiterbauteilen 1 unerwünschte Lichtflecken. Zudem verbrauchen die weiteren Gusskanäle 77 vergleichsweise viel Material für die Leuchtstoffkörper 32. Beim Verfahren der Figuren 29 bis 31 wird daher zuerst der erste Verbund 71 mit den Grünlingen 73 erzeugt, siehe Figur 29. Beim Verfahren der Figuren 29 bis 31 kommt insbesondere ein Hochdruckgießen oder Spritzgießen zum Einsatz. Nachfolgend werden, siehe Figur 30, die Angusspunkte 76 mittels eines Schiebers 79 entfernt. Der Schieber 79 bewegt sich dabei bevorzugt entlang einer Bewegungsrichtung M senkrecht zu einer Ebene mit den Grünlingen 73. Die Grünlingen 73 verbleiben dabei in der Form 75. Der Schieber 79 weist zudem einen Bereich 70 für den zweiten Verbund 72 auf. Im Schritt der Figur 31 wird dann das Material für die Engoben 74 der Rahmen 31 des zweiten Verbunds 72 eingefüllt. Alternativ zu einer Engobe können die Rahmen 31 ebenso als Grünlinge vorliegen. Nach einem Entfernen der Form 75, nicht gezeichnet, können die Verbünde 71, 72 gesintert und dann vereinzelt werden, oder umgekehrt. Das Angießen der keramischen Rahmen 31 kann sowohl an Leuchtstoffkörper- Grünlinge 73 als auch an bereits gesinterte Leuchtstoffkörper 32 erfolgen. Im Übrigen gelten die Ausführungen zu den Figuren 1 bis 25 in gleicher Weise für die Figuren 26 bis 31, und umgekehrt. Beim Verfahren der Figuren 32 bis 34 kommt eine zweiteilige Form 75, 751 zum Einsatz. In den ersten Teil 75 der Form werden die Materialien für die Rahmen 31 und für die Leuchtstoffkörper 32 platziert. Dabei können die Materialien zähflüssig, dünnflüssig oder pastenartig sein, solange keine zu starke Durchmischung der Materialen stattfindet. Zum Beispiel liegt ein Material für die Rahmen 31 als Paste vor und das dünnflüssigere Material für die Leuchtstoffkörper 32 wird dann in die zugehörigen Zwischenräume eingefüllt, oder umgekehrt. Die Form 75, 751 weist optional Wälle 752 auf. Die Wälle 752 führen zu Materialverjüngungen im Bereich der Rahmen 31, sodass Sollbruchstellen für das spätere Vereinzeln resultieren, siehe den Schritt des Zusammenpressens der Form 75, 751 gemäß Figur 33. Entweder noch in der Form 75, 751 oder nach einem Entfernen der Form 75, 751 erfolgt ein Sintern. Danach werden die einzelnen Konversionselemente 3 mittels Vereinzeln entlang der Sollbruchstellen erzeugt, siehe Figur 34. Im Übrigen gelten die Ausführungen zu den Figuren 26 bis 31 in gleicher Weise für die Figuren 32 bis 34, und umgekehrt. Beim Verfahren der Figur 35 kommt zum Beispiel eine geschlossene Form 75, 751 aus Gips zum Einsatz. Zuerst werden die Grünlinge 73 für die Leuchtstoffkörper 32 erzeugt und in die Form 75, 751 gebracht oder in der Form 75, 751 erzeugt. Dann wird Schlicker für die Rahmen 31 eingefüllt und getrocknet, sodass zum Beispiel eine Engobe 74 für die Rahmen 31 resultiert. Nach dem Entformen, also dem Entfernen der Form 75, 751, wird ein gemeinsames Sintern durchgeführt, bei dem die Rahmen 31 und die Leuchtstoffkörper 32 zusammensintern. Wiederum wird abschließend ein Vereinzeln durchgeführt, nicht gezeichnet. Im Übrigen gelten die Ausführungen zu den Figuren 26 bis 34 in gleicher Weise für Figur 35, und umgekehrt. Beim Verfahren der Figuren 36 und 37 kommt eine offene Form 75, zum Beispiel aus Gips, zum Einsatz. Zuerst werden die Grünlinge 73 für die Leuchtstoffkörper 32 eingelegt. Dann wird ein Schlicker für die Engoben 74 der Rahmen eingegossen und getrocknet, siehe Figur 36. Nach einem Entformen, siehe Figur 37, erfolgt ein Sintern von Grünlingen 73 und Engobe 74, woraufhin ein Vereinzeln zu den Konversionselementen 3 erfolgt. Das Vereinzeln ist zum Beispiel ein Schneiden, Brechen oder Sägen. Alternativ ist es möglich, dass das Vereinzeln bereits vor dem Sintern durchgeführt wird. Im Übrigen gelten die Ausführungen zu den Figuren 26 bis 35 in gleicher Weise für die Figuren 36 und 37, und umgekehrt. Die in den Figuren gezeigten Komponenten folgen bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge aufeinander, insbesondere unmittelbar aufeinander, sofern nichts anderes beschrieben ist. Sich in den Figuren nicht berührende Komponenten weisen bevorzugt einen Abstand zueinander auf. Sofern Linien parallel zueinander gezeichnet sind, sind die zugeordneten Flächen bevorzugt ebenso parallel zueinander ausgerichtet. Außerdem sind die relativen Positionen der gezeichneten Komponenten zueinander in den Figuren korrekt wiedergegeben, falls nichts anderes angegeben ist. Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102022 101 910.1, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Bezugszeichenliste 1 optoelektronisches Halbleiterbauteil 2 optoelektronischer Halbleiterchip 20 Strahlungshauptseite 21 Chipsubstrat 22 Halbleiterschichtenfolge 24 Verbindungsmittel 3 Konversionselement 31 Rahmen 32 Leuchtstoffkörper 33 Leuchtstoffpartikel 34 Matrixmaterial 35 Basismaterial 36 Beimengung 37 Kavität 38 Sockel 4 Bonddraht 41 Kontaktpunkte 42 Hinterschnitt 43 Ausnehmung 44 Ausschnitt 51 Fensterkörper 52 Optikkörper 6 Träger 62 elektrische Anschlussfläche 70 Bereich für den zweiten Verbund 71 erster Verbund mit den Leuchtstoffkörpern 72 zweiter Verbund mit den Rahmen 73 Grünling 74 Engobe 75 Form 751 Formdeckel 752 Wall 76 Angusspunkt 77 Gusskanal 78 überzähliges Material der Leuchtstoffkörper 79 Schieber 8 Kunststoffverguss 82 Kantenverguss 9 Abwandlung eines Halbleiterbauteils M Bewegungsrichtung P Primärstrahlung S Sekundärstrahlung V.. Verfahrensschritt