Optoelektronisches Halbleiterbauteil

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronische Halbleiterbauteil anzugeben, das eine hohe

Lichtauskoppeleffizienz aufweist und das effizient

herstellbar ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses einen, bevorzugt mehrere optoelektronische Halbleiterchips. Bei dem mindestens einen Halbleiterchip handelt es sich beispielsweise um eine

Fotodiode oder, bevorzugt, um eine Leuchtdiode. Ebenso kann der Halbleiterchip als Halbleiterlaser ausgeformt sein.

Zusätzlich zu dem Halbleiterchip umfasst das

Halbleiterbauteil optional auch eine Schutzdiode gegen elektrostatische Entladung, kurz ESD-Schutzdiode .

Wird im Folgenden der Begriff Halbleiterchip in der Einzahl verwendet, so sind mehrere Halbleiterchips mit

eingeschlossen. Die genannten Eigenschaften oder Merkmale hinsichtlich des oder der Halbleiterchips gelten dann bevorzugt für eine Mehrheit der Halbleiterchips oder für all optoelektronischen Halbleiterchips, insbesondere für alle solchen Halbleiterchips, die zu einer Strahlungsemission im bestimmungsgemäßen Betrieb des Halbleiterbauteils

eingerichtet sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das

Halbleiterbauteil einen Leiterrahmen. Der Leiterrahmen weist ein Leiterrahmenteil oder mehrere Leiterrahmenteile auf. Die Leiterrahmenteile sind bevorzugt aus einem metallischen

Material, bevorzugt basierend auf Metallen wie Kupfer oder Aluminium, beispielsweise einer Kupferlegierung oder einer Aluminiumlegierung, geformt und sind innerhalb des

Halbleiterbauteils nicht unmittelbar elektrisch miteinander verbunden. Über den Leiterrahmen ist das Halbleiterbauteil extern elektrisch kontaktierbar .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das

Halbleiterbauteil mindestens zwei elektrische

Verbindungsmittel. Über die Verbindungsmittel ist der

Halbleiterchip direkt oder indirekt elektrisch mit dem

Leiterrahmen sowie mit einem oder mehreren der

Leiterrahmenteile kontaktiert. Bei dem Verbindungsmittel handelt es sich bevorzugt um einen Bond-Draht, um ein

flexibles Leiterband oder um eine elektrisch leitfähige

Beschichtung, die von einer elektrischen Kontaktfläche des Halbleiterchips hin zu mindestens einem der Leiterrahmenteile reicht .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das

Halbleiterbauteil mindestens einen Vergusskörper auf. Der Vergusskörper ist an dem Leiterrahmen angebracht und stützt diesen mechanisch. Weist der Leiterrahmen mehrere

Leiterrahmenteile auf, so verbindet der Vergusskörper die Leiterrahmenteile mechanisch miteinander. Es ist möglich, dass der Vergusskörper als Reflektor oder Reflektorteil für von den Halbleiterchips ausgesandte Strahlung ausgebildet ist und hierzu zusätzliche Beschichtungen umfasst.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils ist eines oder sind mehrere der Leiterrahmenteile an einer Oberseite mit einer reflektierenden Beschichtung versehen. Eine Reflektivität der Beschichtung liegt für Strahlung im sichtbaren Spektralbereich, beispielsweise bei einer

Wellenlänge von 480 nm, bei mindestens 90 %, bevorzugt bei mindestens 95 %, besonders bevorzugt bei mindestens 97,5 %. Beschichtung bedeutet, dass auf ein Basismaterial des

Leiterrahmens oder des entsprechenden Leiterrahmenteils ein weiteres oder mehrere weitere, insbesondere von dem

Basismaterial verschiedene Materialien aufgebracht sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils ist der Halbleiterchip auf der reflektierenden Beschichtung an der Oberseite angebracht. Mit anderen Worten befindet sich die reflektierende Beschichtung unmittelbar unterhalb des Halbleiterchips, in Draufsicht auf die Oberseite gesehen. Eine Unterseite des Leiterrahmens oder des Leiterrahmenteils, wobei die Unterseite der Oberseite gegenüberliegt und an der Unterseite insbesondere kein Halbleiterchip angebracht ist, ist bevorzugt frei von der reflektierenden Beschichtung. Der Halbleiterchip ist bevorzugt derart auf der Oberseite

angebracht, zum Beispiel mit einem optisch transparenten und klarsichtigen Kleber, dass eine reflektierende Wirkung der Beschichtung unterhalb des Halbleiterchips für von dem

Halbleiterchip erzeugte Strahlung nicht oder nicht

signifikant durch etwa den Kleber beeinträchtigt ist. Mit anderen Worten kann an der reflektierenden Beschichtung im Halbleiterchip erzeugte Strahlung reflektiert werden, ohne dass signifikante Absorptionsverluste oder Streuverluste auftreten .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils weist der Leiterrahmen mindestens zwei Kontaktstellen auf. Auf die Kontaktstellen ist das Verbindungsmittel unmittelbar angebracht. Insbesondere sind die Kontaktstellen dazu

eingerichtet, einen Bond-Draht darauf zu befestigen. Hierzu weisen die Kontaktstellen bevorzugt ein vergleichsweise weiches Material wie Gold, Silber oder Aluminium auf. Ebenso können die Kontaktstellen Materialien wie Palladium oder NiP, insbesondere mit einem Phosphor-Anteil von bis zu 10 %, aufweisen oder hieraus bestehen. Es ist möglich, dass die Leiterrahmenteile je höchstens eine der Kontaktstellen aufweisen .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils sind die Kontaktstellen aus einem von einem Material der reflektierenden Beschichtung verschiedenen Material gebildet. Mit anderen Worten sind die Kontaktstellen nicht durch einen Teilbereich der reflektierenden Beschichtung gebildet.

In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils beinhaltet dieses mindestens einen

optoelektronischen Halbleiterchip sowie einen Leiterrahmen mit einem oder mehreren Leiterrahmenteilen. Weiterhin weist das Halbleiterbauteil mindestens zwei elektrische

Verbindungsmittel wie Bond-Drähte auf, über die der

Halbleiterchip elektrisch mit dem Leiterrahmen kontaktiert ist. Ein Vergusskörper ist an dem Leiterrahmen angebracht und stützt diesen mechanisch. Hierbei ist eines oder sind mehrere der Leiterrahmenteile an einer Oberseite, auf der der

Halbleiterchip angebracht ist, mit einer reflektierenden Beschichtung versehen. Der Halbleiterchip ist dabei auf der reflektierenden Beschichtung angebracht. Der Leiterrahmen beinhaltet außerdem mindestens zwei Kontaktstellen, auf die die Verbindungsmittel angebracht sind. Die Kontaktstellen sind aus einem von der reflektierenden Beschichtung

verschiedenen Material geformt . Durch die reflektierende Beschichtung ist eine hohe

Lichtauskoppeleffizienz des Halbleiterbauteils realisierbar, insbesondere falls der Halbleiterchip ein

strahlungsdurchlässiges Substrat wie ein Saphirsubstrat aufweist, durch das in einer Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterchips erzeugte Strahlung an den Leiterrahmen gelangt. Dadurch, dass die Kontaktstellen frei von der reflektierenden Beschichtung sind, ist eine elektrische

Kontaktierung des Halbleiterchips mittels insbesondere Bond- Drähten effizient ermöglicht.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das

Halbleiterbauteil einen Leiterrahmen mit mindestens zwei, bevorzugt mit mindestens drei Leiterrahmenteilen auf. Die Leiterrahmenteile sind aus demselben Stanzträger gefertigt. Ein Stanzträger ist hierbei beispielsweise ein blechförmiges Halbzeug, aus dem die Leiterrahmenteile herausgestanzt werden. Bei dem Stanzträger handelt es sich zum Beispiel um ein Aluminiumblech, das an einer Seite mit der

reflektierenden Beschichtung versehen ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die reflektierende Beschichtung durchgängig an allen Oberseiten der

Leiterrahmenteile aufgebracht. Den Oberseiten

gegenüberliegende Unterseiten der Leiterrahmenteile sind frei von der reflektierenden Beschichtung. An den Oberseiten sind also dann keine Bereiche gebildet, in denen die

reflektierende Beschichtung entfernt ist. Ferner sind auf der reflektierenden Beschichtung, mit Ausnahme zur unmittelbaren Befestigung des Halbleiterchips oder eines Kontaktpodestes, keine weiteren Beschichtungslagen aufgebracht. Speziell sind auf der reflektierenden Beschichtung keine Leiterbahnen angebracht .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils weist mindestens eines der Leiterrahmenteile, bevorzugt mindestens zwei oder genau zwei der Leiterrahmenteile eine Biegung auf. Ein Biegewinkel beträgt bevorzugt 90° oder 180°, bevorzugt mit einer Toleranz von höchstens 10° oder höchstens 5°. Biegung kann bedeuten, dass das gebogene Leiterrahmenteil mindestens zwei Bereiche der Oberseite aufweist, wobei

Normalen zu diesen Oberseitenbereichen in unterschiedliche Richtungen weisen, wobei ein Winkel zwischen den Normalen bevorzugt die genannten Werte aufweist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils ist mindestens eines der Leiterrahmenteile oder sind

mindestens zwei der Leiterrahmenteile derart gebogen, dass ein Teil der Unterseiten der oder des gebogenen

Leiterrahmenteils in dieselbe Richtung weist wie die

Oberseite eines weiteren Leiterrahmenteils, auf dem der

Halbleiterchip angebracht ist. Mit anderen Worten liegt, in Draufsicht auf das Halbleiterbauteil und auf dem

Halbleiterchip gesehen, dann ein Teil der nicht beschichteten Unterseite der gebogenen Leiterrahmenteile oben auf. Diese nach oben weisenden Bereiche der Unterseite der gebogenen Leiterrahmenteile bilden bevorzugt die Kontaktstellen für das Verbindungsmittel aus.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils, bei dem dieses einen mindestens oder genau zweiteiligen

Leiterrahmen aufweist, sind mindestens zwei der

Leiterrahmenteile aus voneinander verschiedenen Stanzträgern gefertigt. Diese Leiterrahmenteile weisen zum Beispiel voneinander verschiedene Basismaterialien wie Kupfer oder Aluminium auf und/oder sind mit voneinander verschiedenen Beschichtungen versehen oder nur eines der Leiterrahmenteile ist mit der reflektierenden Beschichtung versehen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist nur die Oberseite des Leiterrahmenteils, auf dem der Halbleiterchip angebracht ist, mit der reflektierenden Beschichtung versehen. Die weiteren Oberseiten der anderen Leiterrahmenteile sowie alle Unterseiten sind dann bevorzugt frei von der reflektierenden Beschichtung .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils ist die reflektierende Beschichtung an mindestens einer der Kontaktstellen von der Oberseite mindestens eines,

insbesondere genau eines der Leiterrahmenteile entfernt.

Hierdurch ist es ermöglicht, das Verbindungsmittel direkt mit dem Basismaterial des entsprechenden Leiterrahmenteils zu verbinden, ohne dass die reflektierende Beschichtung hindert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils bildet die reflektierende Beschichtung mindestens 90 % einer Oberseite, an der die Kontaktstellen gebildet sind, in

Draufsicht gesehen. Bevorzugt bedeckt die reflektierende Beschichtung mindestens 95 % oder mindestens 98 % dieser Oberseite. Der Vergusskörper kann hierbei außer Betracht bleiben .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils ist mindestens eine der Kontaktstellen, die sich bevorzugt an einer der Oberseiten befindet, mit einer Kontaktbeschichtung versehen. Über eine solche Kontaktbeschichtung ist ein Anbringen des Verbindungsmittels an dem entsprechenden

Leiterrahmenteil vereinfachbar.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die

Kontaktbeschichtung auf der reflektierenden Beschichtung angebracht. Mit anderen Worten liegt die reflektierende Beschichtung dann zwischen dem Leiterrahmenteil und der Kontaktbeschichtung, die die Kontaktstelle bildet. Bei der Kontaktbeschichtung kann es sich auch um einen

Schichtenstapel aus mehreren Schichten mit unterschiedlichen Materialien handeln.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils ist die Oberseite des Leiterrahmenteils, auf dem der

Halbleiterchip angebracht ist, eben geformt, mindestens in einem nicht von dem Vergusskörper überdeckten Bereich.

Hierdurch ist ein Anbringen der Halbleiterchips in größerer Anzahl auf der Oberseite vereinfacht.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils liegen die Kontaktstellen, in einer Richtung weg von der Oberseite, auf der der Halbleiterchip angebracht ist und entlang einer Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips, höher als die Oberseite, auf der sich der Halbleiterchip befindet .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils sind auf der Oberseite des Leiterrahmenteils, auf dem sich der Halbleiterchip befindet, mindestens ein, bevorzugt mindestens zwei oder genau zwei Kontaktpodeste angebracht . Eine Podestoberseite der Kontaktpodeste liegt bevorzugt in einer Ebene mit einer Strahlungshauptseite des

Halbleiterchips, insbesondere mit einer Toleranz von höchstens 15 % oder von höchstens 5 % einer Dicke des

Halbleiterchips. Das Kontaktpodest ist beispielsweise an einer der Oberseite des Leiterrahmenteils zugewandten

Podestunterseite elektrisch isolierend und an der

Podestoberseite elektrisch leitfähig. In dem Kontaktpodest können optional weitere Funktionen wie ein ESD-Schutz

integriert sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind an der

Podestoberseite, die dem Leiterrahmenteil abgewandt ist, mindestens zwei oder genau zwei der Verbindungsmittel

angebracht. Eines der Verbindungsmittel reicht bevorzugt zu einer der Kontaktstellen auf einem weiteren Leiterrahmenteil, ein zweites der Verbindungsmittel reicht bevorzugt zu einem der Halbleiterchips. Von der Podestoberseite ausgehend können mehrere der Halbleiterchips elektrisch kontaktiert sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils weist dieses voneinander verschieden geformte

Verbindungsmittel und/oder Verbindungsmittel mit

unterschiedlichen Materialien auf. Beispielsweise erfolgt eine elektrische Kontaktierung zwischen benachbarten

Halbleiterchips über dünne Bond-Drähte und eine Kontaktierung hin zu den Kontaktstellen an den Leiterrahmenteilen mit im Vergleich hierzu dickeren Bond-Drähten.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils sind die Kontaktstellen vor direkter von dem Halbleiterchip emittierter Strahlung abgeschattet. Mit anderen Worten gibt es keine gerade, ununterbrochene Verbindungslinie von einer der Oberseite abgewandten Strahlungshauptseite des

Halbleiterchips hin zu den Kontaktstellen. Die Abschattung erfolgt beispielsweise durch Teile des Leiterrahmenteils, an dem die Kontaktstelle ausgebildet ist, und/oder durch den Vergusskörper. Beispielsweise sind die Kontaktstellen ringsum von einem Material des Vergusskörpers umrahmt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils ist der Vergusskörper aus einem lichtundurchlässigen Material gebildet oder umfasst mindestens ein solches Material. Der Vergusskörper ist zum Beispiel aus einem reflektierenden oder absorbierenden Kunststoff geformt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die

Leiterrahmenteile oder eines oder mehrere der

Leiterrahmenteile als Basismaterial Aluminium auf,

insbesondere eine Aluminiumlegierung. Auf dem Basismaterial ist die reflektierende Beschichtung aufgebracht. Die

reflektierende Beschichtung weist insbesondere eine

Silberschicht auf, auf der bevorzugt wiederum eine oder mehrere Schichten mit einem Siliziumoxid und/oder einem

Titanoxid ausgeformt sind. Die reflektierende Beschichtung umfasst bevorzugt einen Schichtenstapel aus Materialien mit unterschiedlichem Brechungsindex, so dass ein Bragg-Spiegel gebildet ist. Insbesondere ist ein metallischer Spiegel, bevorzugt mit oder aus Silber, und ein Schichtenstapel insbesondere mit einem Titanoxid und mit einem Siliziumoxid kombiniert .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils sind die Kontaktstellen mit einer Schichtenfolge aus Nickel, Palladium und Gold gebildet, wobei die Nickelschicht

bevorzugt dicker ist als die Goldschicht und die

Palladiumschicht. Eine Dicke der Nickelschicht liegt

bevorzugt zwischen einschließlich 3 μπι und 5 μπι. Die

Palladiumschicht zwischen der Goldschicht und der Nickelschicht weist bevorzugt eine Dicke von mindestens

100 nm auf. Eine Dicke der Goldschicht beträgt bevorzugt mindestens 50 nm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils beträgt eine Dicke des Leiterrahmenteils oder der

Leiterrahmenteile, auf dem der Halbleiterchip angebracht ist und/oder die bevorzugt auf Aluminium basieren, insbesondere inklusive der reflektierenden Beschichtung, höchstens 2 mm oder höchstens 1,5 mm. Es übersteigt diese Dicke

beispielsweise 300 um oder 500 um .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils beträgt eine Dicke des Leiterrahmenteils oder der

Leiterrahmenteile, die zur externen elektrischen

Kontaktierung des Halbleiterbauteils eingerichtet sind und die bevorzugt auf Kupfer basieren, höchstens 300 um oder höchstens 200 um . Es übersteigt diese Dicke beispielsweise 80 u ^m oder 125 u ^m -

Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt ein mittlerer Durchmesser des Leiterrahmenteils, auf dem der Halbleiterchip angebracht ist, zwischen einschließlich 8 mm und 30 mm, bevorzugt zwischen einschließlich 15 mm und 28 mm. Solche vergleichsweise große Durchmesser bei insbesondere dünnen Leiterrahmenteilen sind durch die mechanisch stabilisierende Wirkung des Vergusskörpers erzielbar.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils umgibt der Vergusskörper, in Draufsicht gesehen, den

Halbleiterchip ringsum und vollständig. Ein von dem

Vergusskörper umschlossenes Areal ist hierbei, ebenfalls in Draufsicht gesehen, vollständig von dem Leiterrahmenteil, auf dem der Halbleiterchip aufgebracht ist, ausgefüllt. Dadurch dass innerhalb des Vergusskörpers nur eines der

Leiterrahmenteile eine Oberfläche ausbildet, ist ein

Reflexionsverhalten innerhalb dieses Areals besonders gleichmäßig .

Nachfolgend wird ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche

Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

Es zeigen:

Figuren 1 bis 8 schematische Darstellungen von

Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen, und

Figuren 9 bis 11 schematische Abläufe von Verfahren zur

Herstellung von hier beschriebenen

Halbleiterbauteilen .

In Figur 1 ist in einer perspektivischen Darstellung ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen

Halbleiterbauteils 1 dargestellt. Das Halbleiterbauteil 1 weist einen Leiterrahmen 3 mit drei Leiterrahmenteilen 31, auf. Auf dem zentral angeordneten Leiterrahmenteil 32 sind matrixartig eine Vielzahl von optoelektronischen

Halbleiterchips 2 angebracht. Bei den Halbleiterchips 2 handelt es sich bevorzugt um Leuchtdioden, kurz LEDs. Das Halbleiterbauteil 1 ist oberflächenmontierbar, es handelt sich um ein so genanntes SMT-Bauteil.

Die Leiterrahmenteile 31, 32 weisen jeweils an einer

Oberseite 36 eine reflektierende Beschichtung 6 auf. Die Halbleiterchips 2 sind unmittelbar auf der reflektierenden Beschichtung 6 und somit auf der Oberseite 36 des zentralen Leiterrahmenteils 32 aufgebracht, zum Beispiel aufgeklebt. Die beiden außen liegenden Leiterrahmenteile 31 weisen jeweils eine Biegung 37 um 180° auf, so dass stellenweise eine der Oberseite 36 gegenüberliegende Unterseite 35 dieser Leiterrahmenteile 31 nach oben in dieselbe Richtung wie die Oberseite 36 des zentralen Leiterrahmenteils 32 weist.

Zur elektrischen Kontaktierung weist das Halbleiterbauteil 1 an der Oberseite 36 des zentralen Leiterrahmenteils 32 bevorzugt zwei Kontaktpodeste 9 mit Podestoberseiten 90 auf. Aufgrund der perspektivischen Darstellung ist nur eines der Kontaktpodeste 9, englisch auch als island die bezeichnet, in Figur 1 erkennbar. Die Kontaktpodeste 9 weisen näherungsweise dieselbe Größe auf wie die Halbleiterchips 2, beispielsweise mit einer Toleranz von höchstens 20 % entlang aller

Raumrichtungen. Die Halbleiterchips 2 sind mit den

Kontaktpodesten 9 sowie untereinander mit in Figur 1 nicht gezeichneten, vergleichsweise dünnen Bond-Drähten verbunden, die zum Beispiel aus Gold gefertigt sind und Durchmesser zwischen einschließlich 15 μπι und 30 μπι, insbesondere zirka 22 μπι, aufweisen können.

Ferner sind die Kontaktpodeste 9 über Verbindungsmittel 4 mit Kontaktstellen 34 elektrisch verbunden. Die Verbindungsmittel 4 sind als Bond-Drähte geformt. Ein Material der

Verbindungsmittel 4 ist beispielsweise Aluminium und/oder Gold und eine Dicke der Verbindungsmittel 4 liegt zum

Beispiel bei zirka 50 μπι oder 75 μπι. Die Kontaktstellen 34 sind durch die Teile der Unterseiten 35 der äußeren

Leiterrahmenteile 31 gebildet, die in eine

Hauptabstrahlrichtung z der Halbleiterchips 2 weisen. Die Kontaktstellen 34 sind hierbei von einem Material eines

Vergusskörpers 5 in lateraler Richtung ringsum vollständig umgeben und hierdurch von den Halbleiterchips 2 abgeschattet. Über den Vergusskörper 5 sind die einzelnen Leiterrahmenteile 31, 32 des Leiterrahmens 3 mechanisch miteinander verbunden.

In Figur 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des

Halbleiterbauteils 1 perspektivisch dargestellt. Zur

Vereinfachung sind die Halbleiterchips 2 sowie die

Verbindungsmittel 4 und die optionalen Kontaktpodeste 9 nicht gezeichnet. Das Halbleiterbauteil 1 gemäß Figur 2 ist auch in einer Ansicht von unten in Figur 3 und in einer Seitenansicht in Figur 4 illustriert.

Das Halbleiterbauteil 1 weist ein zentrales Leiterrahmenteil 32 auf, das an zwei Seiten an jeweils drei Leiterrahmenteile 31 grenzt. Die äußeren Leiterrahmenteile 31 sowie das

zentrale Leiterrahmenteil 32 sind aus voneinander

verschiedenen Stanzträgern gefertigt. Nur das zentrale

Leiterrahmenteil 32 ist an der Oberseite 36 mit der

reflektierenden Beschichtung 6 versehen. Optional ist das zentrale Leiterrahmenteil 32 mit einer

Befestigungsvorrichtung 38 ausgestattet.

Eine Breite AI der Befestigungsvorrichtung 38 liegt bei

12 mm. Eine Breite A2 der Leiterrahmenteile 31 beträgt 12 mm. Ein Innendurchmesser A3 des Vergusskörpers 5 liegt bei 23 mm, ein Außendurchmesser A4 bei 30 mm. Eine Breite A5 eines Simses, an dem die Kontaktstellen 34 angebracht sind, vergleiche Figur 2, liegt bei 1,5 mm. Eine Dicke A6 des gesamten Halbleiterbauteils 1 beträgt 2,7 mm. Die genannten Maße oder ein Teil der genannten Maße können auch für alle anderen Ausführungsbeispiele gelten. Die genannten Maße gelten insbesondere jeweils mit einer Toleranz von höchstens 75 % oder von höchstens 50 % oder von höchstens 25 %.

In Figur 5 ist in einer schematischen Schnittdarstellung ein weiteres Ausführungsbeispiel des Halbleiterbauteils 1 illustriert. Die Leiterrahmenteile 31, 32 liegen nicht in einer Ebene. An dem Leiterrahmenteil 32, auf dem der

Halbleiterchip 2 mit der Strahlungshauptseite 20 aufgebracht ist, ist eine Ausnehmung in der Beschichtung 6 an der

Oberseite 36 geformt. Hierdurch ist die Kontaktstelle 34 realisiert. Das Leiterrahmenteil 31 ist bevorzugt nicht mit einer reflektierenden Beschichtung versehen. Optional ist an den Kontaktstellen 34 jeweils eine Kontaktbeschichtung 8 angebracht, um eine Verbindung des Verbindungsmittels 4 mit den Leiterrahmenteilen 31, 32 zu vereinfachen.

Anders als beim Ausführungsbeispiel gemäß Figur 5 wird eine Bauteilunterseite des Halbleiterbauteils 1 sowohl durch den Vergusskörper 5 als auch durch die Unterseite 35 des

Leiterrahmenteils 32 gebildet. Beide Kontaktstellen 34 sind durch Bereiche der Oberseiten 36 gebildet, an denen die reflektierende Beschichtung 6 entfernt ist. Gemäß Figur 6 ist der Halbleiterchip 2 über das Verbindungsmittel 4 unmittelbar mit dem Leiterrahmenteil 31 verbunden.

Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen kann eine Ausnehmung 7, die durch den Vergusskörper 5 gebildet ist, mit einer Füllung versehen sein, in die die Verbindungsmittel 4 sowie der Halbleiterchip 2 eingebettet sind. Der Füllung, in den Figuren nicht gezeichnet, können optische

Diffusionsmittel oder Wellenlängenkonversionsmittel

beigegeben sein. Beispielsweise weist die Füllung ein Silikon oder ein Epoxid oder ein Epoxid-Silikon-Hybridmaterial auf.

Gemäß Figur 7 weist das Halbleiterbauteil 1 nur ein einziges Leiterrahmenteil 32 auf, auf dem stellenweise eine

Kontaktbeschichtung mit einer dielektrischen Schicht 8a und mit einer elektrisch leitfähigen Schicht 8b aufgebracht ist. Die Kontaktbeschichtung 8a, 8b bildet die Kontaktstelle 34. Die Kontaktstelle 34 kann ähnlich einer Leiterbahn ausgeformt sein .

Beim Ausführungsbeispiel gemäß Figur 8 sind beide

Leiterrahmenteile 31, 32 mit der Kontaktbeschichtung 8, optional mit Kontaktpodesten 9, versehen. Die

Kontaktbeschichtung 8 ist jeweils auf die reflektierende Beschichtung 6 aufgebracht, so dass sich die reflektierende Beschichtung 6 vollständig über die zwei Oberseiten 36 erstreckt . Eine Dicke der Kontaktbeschichtungen 8 beträgt bevorzugt jeweils höchstens 25 % einer Dicke des

Halbleiterchips 2 und/oder höchstens 10 um.

In Figur 9 ist in perspektivischer Darstellung ein

Herstellungsverfahren für das optoelektronische

Halbleiterbauteil 1, insbesondere wie in Figur 1 illustriert, gezeigt. In einem ersten Schritt, siehe Figur 9A, wird ein Stanzträger 33 für den Leiterrahmen 3 bereitgestellt. Der Stanzträger 33 ist blechformig und weist die mit der

reflektierenden Beschichtung 6 versehene Oberseite 36 und die unbeschichtete Unterseite 35 auf. In einem weiteren Verfahrensschritt, siehe Figur 9B, werden die Konturen der Leiterrahmenteile 31, 32 etwa durch Stanzen geformt. In einem darauf folgenden Verfahrensschritt, siehe Figur 9C, werden die Biegungen 37 an den äußeren

Leiterrahmenteilen 31 ausgeformt. Ferner wird in einem weiteren Verfahrensschritt, siehe Figur 9D, eine Prägung 39 erzeugt. Die Prägung 39 erfolgt beispielsweise ringförmig und kann auf das zentrale Leiterrahmenteil 32 beschränkt sein.

In einem weiteren Verfahrensschritt, siehe Figur 9E, wird der Vergusskörper 5 etwa über ein Spritzgießen oder Druckgießen erzeugt. Hierdurch erfolgt eine mechanische Verbindung der Leiterrahmenteile 31, 32 untereinander. Gemäß Figur 9F wird eine Verbindung der äußeren Leiterrahmenteile 31 zu dem

Stanzträger 33 unterbrochen, so dass nur noch das

Leiterrahmenteil 32 mit dem Stanzträger 33 mechanisch in Verbindung steht .

In einem weiteren Verfahrensschritt, siehe Figur 9G, werden die Halbleiterchips 2 angebracht und eine elektrische

Kontaktierung erfolgt über die Verbindungsmittel 4 und die Kontaktpodeste 9. Nachfolgend wird der verbleibende

Stanzträger 33 entfernt und das Halbleiterbauteil 1

vereinzelt, so dass das Halbleiterbauteil 1 gemäß Figur 1 erhalten wird, in Figur 9 nicht dargestellt.

Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils 1 insbesondere gemäß Figur 2 ist schematisch in Figur 10 in perspektivischen Darstellungen gezeigt. Gemäß Figur 10A wird ein erster Stanzträger 33a bereitgestellt. Der Stanzträger 33a weist an der Oberseite 36 die reflektierende Beschichtung 6 auf, ein Basismaterial ist beispielsweise Aluminium. Ferner wird ein zweiter Stanzträger 33b bereitgestellt, in dem die Konturen der äußeren Leiterrahmenteile 31 geformt sind, siehe Figur 10B. Der zweite Stanzträger 33b ist frei von der reflektierenden Beschichtung, ein Basismaterial kann Kupfer sein .

In einem nachfolgenden Verfahrensschritt, siehe Figur IOC, werden die Stanzträger 33a, 33b zu dem Leiterrahmen 3

zusammengefügt, etwa durch Aufeinanderlegen oder

Zusammenpressen. Durch ein Erstellen des Vergusskörpers 5 werden die Stanzträger 33a, 33b sowie die Leiterrahmenteile 31, 32 miteinander verbunden, siehe Figur 10D.

Eine weitere Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauteils 1 ist in Figur 11 illustriert. Gemäß Figur IIA werden die Leiterrahmenteile 32, auf denen die Halbleiterchips 2 befestigt werden, aus einem ersten

Stanzträger 33, insbesondere aus einer Aluminiumlegierung und mit der reflektierenden Beschichtung 6, gefertigt. Die

Leiterrahmenteile 31 zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauteils 1 werden separat von den

Leiterrahmenteilen 32 aus einem weiteren, in Figur IIB nicht gezeichneten Stanzträger, beispielsweise aus einer

Kupferlegierung, geformt. Wie auch in allen anderen

Ausführungsbeispielen können die Leiterrahmenteile 31 dünner sein als die Leiterrahmenteile 32.

Die separat voneinander vorgefertigten Leiterrahmenteile 31, 32 werden dann beim Formen des Vergusskörpers 5 in eine nicht dargestellte Spritzform oder Pressform gegeben und über den Vergusskörper 5 mechanisch miteinander verbunden, siehe die perspektivische Darstellung in Figur HC. An der

Vergussoberseite 50 sind optional die Ausnehmungen 7a

geformt, so dass die Leiterrahmenteile 31 freigelegt sind. In Figur HD ist ferner eine perspektivische Unteransicht des Halbeiterbauteils 1 dargestellt. Optional weist das

Leiterrahmenteil 32 Ausnehmungen 7b auf, die von der

Unterseite 35 bis zu den Leiterrahmenteilen 31 reichen und den Ausnehmungen 7a bevorzugt gegenüber liegen. Hierdurch sind die Leiterrahmenteile 31 beim Formen des Vergusskörpers 5 besser fixierbar, zusammen mit den Ausnehmungen 7a an der Vergussoberseite 50.

Die Verfahrensschritte des Prägens der Leiterrahmenteile 31, 32 und optional eines Biegens sowie des Anbringens und

Verdrahtens der Halbleiterchips 2 sind in den Figuren 10 und 11 nicht eigens dargestellt, können aber ebenso erfolgen. Die Bearbeitung der beiden Stanzträger 33a, 33b kann beim

Verfahren gemäß Figur 10 oder 11 analog zum Verfahren gemäß Figur 9 erfolgen. Die Verfahrensschritte werden bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt, jedoch ist auch eine hiervon abweichende Reihenfolge möglich.

Die Verfahren, wie in den Figuren 9 bis 11 dargestellt, können zur Herstellung von Halbleiterbauteilen nach den

Figuren 5 bis 8 analog eingesetzt werden. Insbesondere können die Verfahren jeweils optionale Schritte des Aufbringens von Kontaktbeschichtungen 8 und/oder des stellenweisen Entfernens der reflektierenden Beschichtung 6 zur Ausbildung der

Kontaktstellen 34 beinhalten. Ebenso können die Verfahren weitere Schritte für das Gießen der nicht gezeichneten

Füllung sowie des Testens der Halbleiterchips 2 umfassen.

Durch die dargestellten Verfahren ist in wenigen Schritten ein beschriebenes Halbleiterbauteil erzeugbar. Merkmale für die Halbleiterbauteile sind auch für die Verfahren offenbart und umgekehrt .

Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die

Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist .