OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer geringen Bauhöhe anzugeben, das effizient einen hohen Strahlungsanteil bei großen

Emissionswinkeln emittiert.

Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit den Merkmalen des unabhängigen

Patentanspruchs gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind

Gegenstand der abhängigen Ansprüche.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das

optoelektronische Halbleiterbauteil eine

Halbleiterschichtenfolge auf. Die Halbleiterschichtenfolge ist zur Erzeugung von Strahlung, insbesondere zur Erzeugung von sichtbarem Licht wie blauem Licht oder wie weißem Licht, eingerichtet. Damit handelt es sich bei dem

optoelektronischen Halbleiterbauteil bevorzugt um eine

Leuchtdiode, kurz LED.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die

Halbleiterschichtenfolge eine Emissionsseite und eine dieser gegenüberliegende Rückseite auf. Die in der

Halbleiterschichtenfolge erzeugte Strahlung verlässt diese über die Emissionsseite. An der Rückseite tritt bevorzugt keine Strahlung oder kein signifikanter Strahlungsanteil aus. Es ist möglich, dass ebenso wenig Strahlung an Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge emittiert wird. Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III- V-Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial wie Al _n In _] __ _n _ _m Ga _m N oder um ein

Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie

Al _n In _] __ _n _ _m Ga _m P oder auch um ein Arsenid-

Verbindungshalbleitermaterial wie Al _n In _] __ _n _ _m Ga _m As oder wie

Al _n Ga _m In _] __ _n _ _m AskP _] __k, wobei jeweils 0 ^ n 1, 0 ^ m 1 und n + m < 1 sowie 0 -S k < 1 ist. Bevorzugt gilt dabei für zumindest eine Schicht oder für alle Schichten der

Halbleiterschichtenfolge 0 < n < 0,8, 0,4 < m < 1 und n + m < 0,95 sowie 0 < k < 0,5. Dabei kann die

Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche

Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also AI, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.

Bevorzugt basiert die Halbleiterschichtenfolge auf AlInGaN.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beinhaltet das

Halbleiterbauteil einen Spiegel. Der Spiegel ist zur

Reflexion der erzeugten Strahlung eingerichtet. Bei dem

Spiegel kann es sich um einen Metallspiegel, um einen Bragg- Spiegel oder um einen Kombinationsspiegel handeln. Im Falle eines Kombinationsspiegels ist eine Metallschicht vorhanden, die in Richtung hin zur Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise mit einem vorzugsweise dielektrischen Material mit einem niedrigen Brechungsindex als totalreflektierend

wirkende Schicht bedeckt ist. Der Spiegel befindet sich an der Rückseite der Halbleiterschichtenfolge. Bevorzugt ist der Spiegel zur Bestromung und/oder elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge eingerichtet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beinhaltet das

Halbleiterbauteil ein Reflektorgehäuse. Das Reflektorgehäuse ist für die erzeugte Strahlung undurchlässig. Weiterhin ist das Reflektorgehäuse zur diffusen Reflexion der erzeugten Strahlung eingerichtet. Insbesondere weisen Oberflächen des Reflektorgehäuses, die der Halbleiterschichtenfolge zugewandt sind, eine Lambert' sehe Reflexionscharakteristik auf. Das

Reflektorgehäuse erscheint bevorzugt weiß. Bevorzugt ist das Reflektorgehäuse ein Vergusskörper, etwa mittels

Spritzpressen oder Spritzgießen oder Dispensen erzeugt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das

Reflektorgehäuse zumindest oder nur an Seitenflächen des Trägers angebracht. Das Reflektorgehäuse kann unmittelbar und direkt auf den Seitenflächen aufgebracht sein. Weiterhin ist es möglich, dass die Seitenflächen nur teilweise oder

vollständig von dem Reflektorgehäuse bedeckt sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das

Reflektorgehäuse eine Strahlungsaustrittsöffnung auf. Die Strahlungsaustrittsöffnung liegt der Emissionsseite

gegenüber. Die Strahlungsaustrittsöffnung ist dazu

vorgesehen, dass die erzeugte Strahlung insbesondere

ausschließlich an der Strahlungsaustrittsöffnung aus dem Halbleiterbauteil und/oder aus dem Reflektorgehäuse

heraustritt .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform nimmt eine Breite des Reflektorgehäuses und/oder eine Fläche der

Strahlungsaustrittsöffnung in Richtung weg von der Emissionsseite ab. Dies schließt nicht unbedingt aus, dass etwa hervorgerufen durch eine Aufrauung der Seitenflächen in kurzen Abschnitten die Breite auch zunehmen kann. Im Mittel gesehen nimmt die Breite in Richtung weg von der

Emissionsseite jedoch ab. Die Breitenabnahme kann auch monoton oder streng monoton erfolgen. Bereiche, in denen die Breite kurzzeitig in Richtung weg von der Emissionsseite zunimmt, weisen vorzugsweise eine Ausdehnung von höchstens 5 ym oder 3 ym und/oder von höchstens 2 % oder 1 % einer Höhe des Reflektorgehäuses auf. Die Breite bezieht sich dabei insbesondere auf eine im Reflektorgehäuse gebildete Öffnung und/oder auf einen Verlauf von Innenseiten des

Reflektorgehäuses und/oder auf einen Verlauf von

Seitenflächen des Trägers.

In mindestens einer Ausführungsform umfasst das

optoelektronische Halbleiterbauteil eine

Halbleiterschichtenfolge zur Erzeugung von Strahlung, wobei die Halbleiterschichtenfolge eine Emissionsseite und eine dieser gegenüberliegende Rückseite aufweist. Ein Spiegel für die erzeugte Strahlung befindet sich an der Rückseite. Ein für die erzeugte Strahlung durchlässiger Träger ist an der Emissionsseite angebracht. Ein für die Strahlung

undurchlässiges Reflektorgehäuse befindet sich an

Seitenflächen des Trägers und ist zur diffusen Reflexion der erzeugten Strahlung eingerichtet und weist eine der

Emissionsseite gegenüberliegende Strahlungsaustrittsöffnung auf. Eine Breite des Reflektorgehäuses und/oder eine Fläche der Strahlungsaustrittsöffnung nimmt in Richtung weg von der Emissionsseite und somit in Richtung hin zur

Strahlungsaustrittsöffnung ab. Für die direkte Hinterleuchtung etwa von

Flüssigkristallanzeigen sind Lichtquellen mit einer so genannten Batwing-Abstrahlung hilfreich, das heißt, ein

Intensitätsmaximum liegt nicht wie bei einer üblichen LED auf der optischen Achse bei 0°, sondern bei größeren Winkeln, etwa zwischen einschließlich 30° und 80°. Dadurch kann bei einem gegebenen Abstand von der Lichtquelle zur

Flüssigkristallmaske eine Anzahl von zu verbauenden

Halbleiterbauteilen reduziert werden, da ein Abstand zwischen benachbarten Halbleiterbauteilen vergrößert werden kann. Mit dem hier beschriebenen Halbleiterbauteil ist eine solche Batwing-Abstrahlung realisierbar.

Für viele Anwendungen, wie Projektionsanwendungen oder für Frontscheinwerfer, sind zudem möglichst hohe Leuchtdichten der Lichtquelle nötig. Bereiche hoher Leuchtdichte lassen sich etwa mit nachgeordneten optischen Elementen effizient abbilden. Mit dem hier beschriebenen Halbleiterbauteil lässt sich die Leuchtdichte aus einer gegebenen Licht emittierenden Fläche, der Emissionsseite, erhöhen.

Durch das Zusammenspiel der Halbleiterschichtenfolge mit dem Spiegel und dem Reflektorgehäuse sowie dem Träger lässt sich effizient eine LED realisieren, die an einer einer

Montageseite gegenüberliegenden Hauptseite emittiert und eine erhöhte Leuchtdichte aufweist sowie eine Batwing-artige

Abstrahlcharakteristik aufzeigt. Dabei werden insbesondere Saphir-Flip-Chips, kurz SFCs, ohne Leuchtstoff und mit angestellten Seitenflanken verwendet und anschließend

bevorzugt umgössen, beispielsweise mit einem Silikon, das Titandioxid-Partikel enthält, um das Reflektorgehäuse zu bilden . Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Träger im

Querschnitt gesehen symmetrisch geformt. Eine Symmetrieachse ist bevorzugt eine optische Achse der Emissionsseite.

Beispielsweise ist der Träger als symmetrisches Trapez geformt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei dem Träger um ein Aufwachssubstrat der Halbleiterschichtenfolge. Insbesondere ist der Träger dann ein Saphirsubstrat und die Halbleiterschichtenfolge basiert auf AlInGaN. Es ist möglich, dass der Träger an einer der Halbleiterschichtenfolge

zugewandten Lichteintrittsseite, an der die

Halbleiterschichtenfolge aufgewachsen sein kann, eine

Strukturierung zur Verbesserung einer Lichteinkopplung in den Träger aufweist. Ein solcher Träger wird im Falle eines

Saphirsubstrats auch als Patterned Sapphire Substrate, kurz PSS, bezeichnet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform schließt der Träger in Richtung weg von der Emissionsseite bündig mit dem

Reflektorgehäuse ab. Das heißt, der Träger und das

Reflektorgehäuse überragen sich nicht gegenseitig. Alternativ ist es möglich, dass der Träger aus dem Reflektorgehäuse hervorsteht oder umgekehrt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die

Halbleiterschichtenfolge mittels des Spiegels elektrisch kontaktiert. Insbesondere weist der Spiegel mehrere

Teilschichten oder Verdrahtungsebenen auf, über die sowohl eine n-Seite als auch eine p-Seite der

Halbleiterschichtenfolge elektrisch anschließbar sind. Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt im Querschnitt gesehen ein Quotient aus einer Breite der

Strahlungsaustrittsöffnung und aus einer Breite der

Emissionsseite mindestens 0,5 oder 0,6. Alternativ oder zusätzlich liegt dieser Quotient bei höchstens 0,9 oder 0,8 oder 0,7.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt ein Quotient aus einer Höhe des Reflektorgehäuses und der Breite der

Emissionsseite mindestens 0,2 oder 0,4 oder 0,6. Alternativ oder zusätzlich liegt dieser Quotient bei höchstens 1,2 oder 1,0 oder 0,8.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt ein mittlerer Winkel von Innenseiten des Reflektorgehäuses zur

Emissionsseite bei mindestens 35° oder 50° oder 60°.

Alternativ oder zusätzlich liegt dieser Winkel bei höchstens 85 ° oder 65 ° . Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt die Breite der

Emissionsseite im Querschnitt gesehen bei mindestens 0,45 mm oder 0,6 mm oder 0,7 mm. Alternativ oder zusätzlich beträgt die Breite der Emissionsseite höchstens 1,1 mm oder 0,8 mm oder 0,6 mm. Bei der Breite der Emissionsseite handelt es sich insbesondere um eine Kantenlänge oder mittlere

Kantenlänge der Halbleiterschichtenfolge.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt die Breite und/oder ein mittlerer Durchmesser der

Strahlungsaustrittsöffnung bei mindestens 0,3 mm oder 0,4 mm. Alternativ oder zusätzlich liegt die Breite oder der mittlere Durchmesser der Strahlungsaustrittsöffnung bei höchstens 0,6 mm oder 0,5 mm oder 0,4 mm. Mit anderen Worten ist die Strahlungsaustrittsöffnung vergleichsweise klein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt die Höhe des Reflektorgehäuses mindestens 0,1 mm oder 0,2 mm oder 0,3 mm. Alternativ oder zusätzlich liegt die Höhe bei höchstens

0,7 mm oder 0,55 mm oder 0,3 mm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt eine maximale Abstrahlung der erzeugten Strahlung in einem

Abstrahlwinkelbereich von mindestens 30° oder 40° und/oder von höchstens 60° oder 55° oder 50°. Das heißt, eine maximale Intensität wird bei vergleichsweise großen Winkeln emittiert. Der Abstrahlwinkel bezieht sich insbesondere auf ein Lot zur Emissionsseite und/oder zu einer der Emissionsseite

gegenüberliegenden Hauptseite des Trägers.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das

Halbleiterbauteil eine Anschlussplattform. Die

Anschlussplattform ist bevorzugt mit elektrischen Leitungen und/oder elektrischen Kontaktflächen zur elektrischen

Kontaktierung versehen. Es ist möglich, dass die

Anschlussplattform für die erzeugte Strahlung undurchlässig ist. Bei der Anschlussplattform handelt es sich

beispielsweise um ein Keramiksubstrat etwa aus AIN, ein

Glassubstrat, ein Halbleitersubstrat wie ein Siliziumsubstrat oder auch um eine bedruckte Leiterplatte oder eine

Metallkernplatine . Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind der Spiegel, die

Halbleiterschichtenfolge, der Träger und das Reflektorgehäuse auf der Anschlussplattform angebracht. Dabei überragt in Draufsicht gesehen in seitlicher Richtung die Anschlussplattform bevorzugt alle vorgenannten Komponenten. Alternativ ist es möglich, dass das Reflektorgehäuse und die Anschlussplattform in seitlicher Richtung bündig miteinander abschließen .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umgibt das

Reflektorgehäuse ringsum die Halbleiterschichtenfolge

und/oder den Spiegel. Das heißt, Seitenflächen der

Halbleiterschichtenfolge und/oder des Spiegels können

teilweise oder vollständig, bevorzugt unmittelbar, an dem Reflektorgehäuse anliegen und von diesem bedeckt sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform schließt eine der Halbleiterschichtenfolge abgewandte Seite des Spiegels bündig mit dem Reflektorgehäuse ab. Alternativ ist es möglich, dass die Rückseite der Halbleiterschichtenfolge bündig mit dem Reflektorgehäuse abschließt oder auch dass eine der

Emissionsseite zugewandte Seite des Trägers, also an der Lichteintrittsseite des Trägers, bündig mit dem

Reflektorgehäuse abschließt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das

Reflektorgehäuse im Querschnitt gesehen eine rechteckige äußere Umrisslinie auf. Das heißt, das Reflektorgehäuse ist insbesondere quaderförmig.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Emissionsseite und/oder die Strahlungsaustrittsöffnung in Draufsicht gesehen sechseckig, quadratisch oder rechteckig geformt. Insbesondere ist es möglich, dass der Träger die Form eines

Quadratpyramidenstumpfes aufweist .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die der Emissionsseite abgewandte Seite des Trägers glatt. Alternativ oder zusätzlich ist es möglich, dass die Seitenflächen des Trägers glatt sind. Das heißt, die genannten Flächen weisen keine Strukturierung, etwa zu einer Lichtstreuung oder zu einer Verbesserung einer Lichtauskoppeleffizienz, auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das

Halbleiterbauteil eine Linse. Die Linse, insbesondere eine Extraktionsslinse, kann sich direkt auf der

Strahlungsaustrittsöffnung befinden und kann in direktem

Kontakt zu dem Träger und/oder zum Reflektorgehäuse stehen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform steht die Linse in Draufsicht gesehen ringsum über die

Strahlungsaustrittsöffnung über. Das heißt, die gesamte

Strahlungsaustrittsöffnung kann von der Linse bedeckt sein und die Linse kann auf das Reflektorgehäuse reichen.

Alternativ ist es möglich, dass die Linse auf die

Strahlungsaustrittsöffnung beschränkt ist und das

Reflektorgehäuse nicht oder nicht signifikant bedeckt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Linse ringsum von dem Reflektorgehäuse überragt oder schließt bündig mit dem Reflektorgehäuse ab. Das heißt, die Linse ist bevorzugt auf das Reflektorgehäuse beschränkt und steht seitlich nicht über das Reflektorgehäuse und/oder die Anschlussplattform über .

Nachfolgend wird ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche

Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

Es zeigen:

Figuren 1, 2A und 4 bis 8 schematische Schnittdarstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Halbleiterbauteilen, Figur 2B eine schematische Draufsicht auf ein

Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen

Halbleiterbauteils, und

Figur 3 schematische Darstellungen von optischen

Eigenschaften von hier beschriebenen

Halbleiterbauteilen.

In Figur 1 ist ein Ausführungsbeispiel eines

optoelektronischen Halbleiterbauteils 1 gezeigt. Das

Halbleiterbauteil 1 umfasst eine Halbleiterschichtenfolge 2 mit einer Emissionsseite 20. Beispielsweise basiert die

Halbleiterschichtenfolge 2 auf AlInGaN. An der Emissionsseite 20 befindet sich ein Träger 4, der im Querschnitt gesehen wie ein symmetrisches Trapez geformt ist. Bei dem Träger 4 kann es sich um ein Aufwachssubstrat für die

Halbleiterschichtenfolge 2 handeln, beispielsweise um ein Saphirsubstrat. Die Emissionsseite 20 und damit die der Halbleiterschichtenfolge 2 zugewandte Seite des Trägers 4 kann glatt sein.

An einer dem Träger 4 abgewandten Seite der

Halbleiterschichtenfolge 2 befindet sich ein Spiegel 3 zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge 2 und zur Reflexion von in der Halbleiterschichtenfolge im Betrieb erzeugter Strahlung. Ferner ist rund um den Träger 4 und die Halbleiterschichtenfolge 2 herum ein Reflektorgehäuse 5 vorhanden. Das Reflektorgehäuse 5 ist aus einem diffus reflektierenden Material. Bevorzugt erscheint das

Reflektorgehäuse 5 weiß. Beispielsweise ist das

Reflektorgehäuse 5 durch eine Silikonmatrix gebildet, in die reflektierende Partikel, etwa aus Titandioxid, eingebettet sind. Eine Strahlungsaustrittsöffnung 50 des

Reflektorgehäuses 5 ist kleiner als die Emissionsseite 20.

Optional weist das Halbleiterbauteil 1 eine

Anschlussplattform 6 auf. Die Anschlussplattform 6 beinhaltet eine Kontaktschicht 62. Über die Kontaktschicht 62 sind der Spiegel 3 und die Halbleiterschichtenfolge 2 elektrisch und/oder mechanisch befestigbar.

Optional, siehe Figur 2A, kann die Emissionsseite 20 und damit die der Halbleiterschichtenfolge 2 zugewandte Seite des Trägers 4 mit einer Aufrauung zur Verbesserung einer

Lichteinkoppeleffizienz von Licht aus der

Halbleiterschichtenfolge 2 in dem Träger 4 versehen sein.

Die Emissionsseite 20 sowie die Strahlungsaustrittsöffnung 50 und optional das Reflektorgehäuse 5 insgesamt können in

Draufsicht gesehen, siehe Figur 2B, quadratisch geformt sein. Damit ist der Träger 4 insbesondere als Stumpf einer

regelmäßigen Vierkantpyramide geformt. Die optischen Eigenschaften sowie die Geometrie des

Reflektorgehäuses 5 sind in Verbindung mit den Figuren 2A und 3 näher erläutert. Wie zu den Figuren 1 und 2A bereits erläutert, weist im Querschnitt gesehen die Emissionsseite 20 eine Breite B auf, die größer ist als eine Breite W der Strahlungsaustrittsöffnung 50. Damit ist ein Winkel a zwischen Innenseiten 54 des Reflektorgehäuses 5, entsprechend den Seitenflächen 45 des Trägers 4, kleiner als 90°, bezogen auf die Emissionsseite 20. Insbesondere liegt der Winkel a bei ungefähr 60°. Die Breite B liegt zum Beispiel bei ungefähr 0,5 mm. Eine Höhe H des Reflektorgehäuses 5 liegt beispielsweise bei zirka 150 ym. Für diese Bauform der Figur 2A ist in Figur 3A für

verschiedene Breiten W der Strahlungsaustrittsöffnung 50 ein Lichtstrom P in willkürlichen Einheiten gegenüber einem

Abstrahlwinkel b relativ zu einem Lot zur Emissionsseite 20 illustriert. Dabei sind drei Ausführungsbeispiele

illustriert, für die W < B gilt. Zusätzlich sind mehrere Abwandlungen dargestellt und als Strich-Linie zudem eine Lambert' sehe Abstrahlcharakteristik als Vergleich. Bedingt durch den sich in Richtung weg von der Emissionsseite 20 verengenden Träger 4, der direkt an dem Reflektorgehäuse 5 aufliegt, wird eine maximale Abstrahlung in einem

Winkelbereich für den Abstrahlwinkel b zwischen ungefähr 30° und 50° erreicht. Somit ist aufgrund des Reflektorgehäuses 5 eine Batwing-artige Abstrahlcharakteristik erzielbar. In Figur 3B ist der Quotient aus dem Lichtstrom P zur Breite W der Strahlungsaustrittsöffnung illustriert, gegenüber der Breite W. Der Quotient P/W entspricht einer Leuchtdichte und insbesondere einer auf die Strahlungsaustrittsfläche

normierten Leistung. Die Kurven entsprechen verschiedenen Werten für die Höhe H des Reflektorgehäuses 5, wie in

Verbindung mit Figur 2A illustriert, in Abhängigkeit von der Breite W. Der Figur 3D ist zu entnehmen, dass mit kleiner werdender Breite W die Leuchtdichte zunimmt. In Figur 4 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel dargestellt. Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen ist es möglich, dass zusätzlich eine Linse 7 vorhanden ist. Ferner ist es möglich, dass die Seitenflächen 45 nicht als

Geradenabschnitte geformt sind, im Querschnitt gesehen, sondern gekrümmt oder auch komplexere Formen aufweisen.

Diese und weitere Aspekte sind in den Figuren 4 bis 7 jeweils veranschaulicht. Die betreffenden Aspekte können miteinander kombiniert werden und in den übrigen Ausführungsbeispielen entsprechend herangezogen werden.

Gemäß Figur 4 bedeckt die Linse 7 die

Strahlungsaustrittsöffnung 50 vollständig und bedeckt auch teilweise das Reflektorgehäuse 5. Demgegenüber kann, siehe Figur 5, die Linse 7 auf die Strahlungsaustrittsöffnung 50 beschränkt sein. Alternativ, siehe Figur 6, schließt die Linse 7 bündig mit dem Reflektorgehäuse 5 ab.

Gemäß Figur 4 sind die Seitenflächen 45 konkav gekrümmt und optional mit einer Aufrauung versehen. Eine solche Aufrauung der Seitenflächen 45 kann auch in allen anderen

Ausführungsbeispielen vorhanden sein. Davon abweichend sind gemäß Figur 5 die Seitenflächen 45 konvex geformt. In Figur 6 ist zu sehen, dass die Seitenflächen 45 durch mehrere, insbesondere jeweils durch zwei Geradenabschnitte gebildet sind, die an einem Knick 55 ineinander übergehen. Damit sind die Seitenflächen 45 der Figur 6 näherungsweise konvex geformt, ähnlich zu Figur 5. Genauso können konkav geformte Seitenflächen 45 vorhanden sein, vergleiche Figur 4. In den Ausführungsbeispielen insbesondere der Figuren 1, 4 und 6 schließen der Träger 4 sowie das Reflektorgehäuse 5 bündig miteinander ab. Hiervon abweichend kann das

Reflektorgehäuse 5 den Träger 4 auch überragen, siehe Figur 5, oder umgekehrt, vergleiche Figur 7. Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen kann eine der

Halbleiterschichtenfolge 2 abgewandte Seite des Trägers 4 mit einer Aufrauung versehen sein, siehe Figur 7. Bevorzugt jedoch ist diese Seite des Trägers 4 glatt, wie etwa in Figur 1 dargestellt.

Bevorzugt schließt der Spiegel 3 in Richtung weg von der Halbleiterschichtenfolge 2 bündig mit dem Reflektorgehäuse 5 ab, siehe etwa die Figuren 1, 6 oder 7. Alternativ ist es möglich, dass eine dem Träger 4 abgewandte Seite der

Halbleiterschichtenfolge 2 bündig mit dem Reflektorgehäuse 5 abschließt, siehe Figur 4. Außerdem ist es möglich, dass der Träger 4 an der Emissionsseite 20 bündig mit dem

Reflektorgehäuse 5 abschließt, wie in Figur 5 illustriert.

Der Spiegel 3 und/oder die Halbleiterschichtenfolge 2 können sich in Richtung hin zur Strahlungsaustrittsöffnung 50 verjüngen, genauso wie der Träger 4. Im Bereich des Spiegels 3 und/oder der Halbleiterschichtenfolge 2 kann die Breite der Öffnung im Reflektorgehäuse 5 gleich bleiben und somit nicht in Richtung hin zur Strahlungsaustrittsöffnung 50 abnehmen.

Beim Ausführungsbeispiel der Figur 8 überragt die Linse 7 das Reflektorgehäuse 5 seitlich. Dabei kann die Linse 7 bis zur Anschlussplattform 6 reichen.

Die in den Figuren gezeigten Komponenten folgen, sofern nicht anders kenntlich gemacht, bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge jeweils unmittelbar aufeinander. Sich in den Figuren nicht berührende Schichten sind voneinander

beabstandet. Soweit Linien parallel zueinander gezeichnet sind, sind die entsprechenden Flächen ebenso parallel zueinander ausgerichtet. Ebenfalls soweit nicht anders kenntlich gemacht, sind die relativen Dickenverhältnisse, Längenverhältnisse und Positionen der gezeichneten

Komponenten zueinander in den Figuren korrekt wiedergegeben. Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die

Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt.

Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist .

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2017 104 871.5, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Bezugs zeichenliste

1 optoelektronisches Halbleiterbauteil

2 Halbleiterschichtenfolge

20 Emissionsseite

23 Rückseite

3 Spiegel

4 Träger

45 Seitenfläche

5 Reflektorgehäuse

50 Strahlungsaustrittsöffnung

54 Innenseite

55 Knick

6 Anschlussplattform

62 Kontaktschicht

7 Linse a Winkel Innenseiten - Emissionsseite

b Emissionswinkel

B Breite der Emissionsseite

H Höhe des Reflektorgehäuses

P Lichtstrom in willkürlichen Einheiten (a.u.)

P* normierter Lichtstrom bei b = 0°

W Breite der Strahlungsaustrittsöffnung