Optoelektronisches Halbleiterbauelement

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement

angegeben, bei dem es sich insbesondere um ein Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement handelt.

Strahlung emittierende Halbleiterbauelemente wie etwa

Leuchtdioden erzeugen elektromagnetische Strahlung, wenn durch sie ein passender elektrischer Strom fließt. Zur

Versorgung mit elektrischem Strom weisen die Leuchtdioden elektrische Anschlussbereiche auf. Bei Flip-Chips sind die Anschlussbereiche auf einer einzigen Seite angeordnet, während sie sich bei sogenannten „n-up" oder „p-up"-Chips auf gegenüber liegenden Seiten befinden. Bei einer Montage dieser Leuchtdioden muss auf deren richtige Orientierung geachtet werden, damit die Anschlussbereiche der Leuchtdioden von außen kontaktiert werden können. Die richtige Orientierung ist mit einem vergleichsweise hohen Justageaufwand verbunden.

Eine zu lösende Aufgabe besteht vorliegend darin, ein

optoelektronisches Halbleiterbauelement anzugeben, das vergleichsweise einfach montierbar ist. Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein optoelektronisches

Halbleiterbauelement mit den Merkmalen des unabhängigen

Gegenstandsanspruchs gelöst.

Vorteilhafte Weiterbildungen des optoelektronischen

Halbleiterbauelements sind Gegenstand der abhängigen

Ansprüche . Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das

optoelektronische Halbleiterbauelement einen Halbleiterkörper auf, der einen ersten Halbleiterbereich eines ersten

Leitfähigkeitstyps und einen zweiten Halbleiterbereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps sowie eine erste Oberfläche und eine von der ersten Oberfläche verschiedene zweite Oberfläche umfasst. Unter einer von der ersten Oberfläche verschiedenen zweiten Oberfläche ist insbesondere eine Oberfläche zu verstehen, die sich in einer anderen Ebene als die erste Oberfläche erstreckt. Beispielsweise kann die zweite

Oberfläche in einem Abstand parallel zur ersten Oberfläche oder quer zu dieser angeordnet sein.

Weiterhin weist das optoelektronische Halbleiterbauelement eine erste Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung des ersten Halbleiterbereichs und eine zweite Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung des zweiten Halbleiterbereichs auf. Dabei weisen die erste und zweite Kontaktstruktur mit Vorteil jeweils einen ersten, auf der ersten Oberfläche angeordneten Anschlussbereich und jeweils einen zweiten, auf der zweiten Oberfläche angeordneten Anschlussbereich zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements von außen auf. Damit die Anschlussbereiche von außen kontaktiert werden können, sind diese zumindest stellenweise frei liegend beziehungsweise unbedeckt.

Darüber hinaus sind der erste und zweite Anschlussbereich der ersten Kontaktstruktur und der erste und zweite

Anschlussbereich der zweiten Kontaktstruktur mit Vorteil jeweils hinsichtlich einer Symmetrieachse drehsymmetrisch, das heißt insbesondere zueinander drehsymmetrisch,

ausgebildet. Weiterhin können der erste und zweite

Anschlussbereich der ersten Kontaktstruktur und der erste und zweite Anschlussbereich der zweiten Kontaktstruktur jeweils hinsichtlich einer Symmetrieebene spiegelsymmetrisch, das heißt insbesondere zueinander spiegelsymmetrisch, ausgebildet sein. Unter einer drehsymmetrischen oder spiegelsymmetrischen Ausgestaltung ist dabei nicht nur eine identische, sondern auch eine gleiche, das heißt leichte Abweichungen in Form und/oder Größe und/oder Position aufweisende, Ausgestaltung der Anschlussbereiche zu verstehen. Die Symmetrieachse kann parallel oder quer zu einer Haupterstreckungsebene des

Halbleiterbauelements angeordnet sein und verläuft

insbesondere durch das Halbleiterbauelement, nicht jedoch durch die Anschlussbereiche hindurch. Ebenso ist die

Symmetrieebene mit Vorteil parallel oder quer zu einer

Haupterstreckungsebene des Halbleiterbauelements angeordnet und verläuft insbesondere durch das Halbleiterbauelement.

Die drehsymmetrische Ausbildung der Anschlussbereiche auf zwei verschiedenen Oberflächen, beispielsweise auf einer Vorder- und Rückseite des optoelektronischen

Halbleiterbauelements, hat den Vorteil, dass das

optoelektronische Halbleiterbauelement bei einem Vertauschen von Vorder- und Rückseite ohne Neuorientierung des

Halbleiterbauelements montiert und elektrisch angeschlossen werden kann. Dadurch wird der Justageaufwand reduziert.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die ersten und zweiten Anschlussbereiche der ersten und zweiten

Kontaktstruktur jeweils eine drehsymmetrische Form auf.

Insbesondere weisen die Anschlussbereiche hinsichtlich einer Symmetrieachse des Halbleiterkörpers eine drehsymmetrische Form auf. Dabei verläuft die Symmetrieachse durch die

Anschlussbereiche hindurch. Vorzugsweise sind die

Anschlussbereiche der ersten Kontaktstruktur rahmenförmig, beispielsweise ringförmig, ausgebildet. Auch die Anschlussbereiche der zweiten Kontaktstruktur können

rahmenförmig, beispielsweise ringförmig, ausgebildet sein oder die Form eines Rechtecks oder Kreises aufweisen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird der erste

Anschlussbereich der zweiten Kontaktstruktur vom ersten

Anschlussbereich der ersten Kontaktstruktur flankiert.

Entsprechend kann auch der zweite Anschlussbereich der zweiten Kontaktstruktur vom zweiten Anschlussbereich der ersten Kontaktstruktur flankiert werden. Dies bedeutet insbesondere, dass der jeweilige Anschlussbereich der zweiten Kontaktstruktur an mindestens zwei Seiten von dem

entsprechenden Anschlussbereich der ersten Kontaktstruktur begrenzt wird.

Vorzugsweise umgibt der erste Anschlussbereich der ersten Kontaktstruktur den ersten Anschlussbereich der zweiten

Kontaktstruktur und der zweite Anschlussbereich der ersten Kontaktstruktur den zweiten Anschlussbereich der zweiten Kontaktstruktur rahmenförmig. In anderen Worten umgibt der jeweilige Anschlussbereich der ersten Kontaktstruktur den entsprechenden Anschlussbereich der zweiten Kontaktstruktur vollumfänglich, das heißt allseitig. Dabei bilden die

Anschlussbereiche der ersten Kontaktstruktur jeweils einen äußeren Kontakt auf der jeweiligen Oberfläche und die

Anschlussbereiche der zweiten Kontaktstruktur jeweils einen inneren Kontakt auf der jeweiligen Oberfläche.

Weiterhin ist insbesondere zwischen den ersten

Anschlussbereichen der beiden Kontaktstrukturen ein

Zwischenraum vorhanden, so dass die ersten Anschlussbereiche voneinander elektrisch isoliert sind. Dies gilt entsprechend auch für die zweiten Anschlussbereiche der beiden KontaktStrukturen .

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung des optoelektronischen Halbleiterbauelements handelt es sich bei dem ersten

Halbleiterbereich um einen p-leitenden Halbleiterbereich. Weiterhin handelt es sich bei dem zweiten Halbleiterbereich insbesondere um einen n-leitenden Halbleiterbereich. Der erste und zweite Halbleiterbereich können jeweils mehrere aufeinanderfolgende Halbleiterschichten aufweisen.

Der erste und zweite Halbleiterbereich beziehungsweise die jeweils darin enthaltenen Schichten können mittels eines Epitaxie-Verfahrens schichtenweise nacheinander auf einem Aufwachssubstrat aufgewachsen werden. Als Materialien für das Aufwachssubstrat kommen beispielsweise Saphir, SiC und/oder GaN in Frage. Das Aufwachssubstrat kann im Halbleiterkörper verbleiben oder zumindest teilweise entfernt werden. In letzterem Fall kann die Halbleiterschichtenfolge auf einem Ersatzträger angeordnet werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei dem optoelektronischen Halbleiterbauelement um ein Strahlung emittierendes Bauelement. Hierbei weist der Halbleiterkörper eine aktive Zone auf, die zur Strahlungserzeugung geeignet ist. Insbesondere ist die aktive Zone eine p-n-Übergangszone . Die aktive Zone kann dabei als eine Schicht oder als eine Schichtenfolge ausgebildet sein. Beispielsweise emittiert die aktive Zone im Betrieb des Halbleiterbauelements

elektromagnetische Strahlung, etwa im sichtbaren,

ultravioletten oder infraroten Spektralbereich. Die aktive Zone ist insbesondere zwischen dem ersten Halbleiterbereich und dem zweiten Halbleiterbereich angeordnet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird der

Halbleiterkörper an der ersten Oberfläche durch die erste Kontaktstruktur und an der zweiten Oberfläche durch die zweite Kontaktstruktur elektrisch kontaktiert. Ferner kann die erste Kontaktstruktur an der zweiten Oberfläche und die zweite Kontaktstruktur an der ersten Oberfläche von dem

Halbleiterkörper elektrisch isoliert sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die erste

Kontaktstruktur nur außerhalb des Halbleiterkörpers

angeordnet. Dabei kann sich die erste Kontaktstruktur zwar in direktem Kontakt mit Oberflächen des Halbleiterkörpers befinden, dringt jedoch nicht in den Halbleiterkörper ein. Insbesondere weist die außerhalb des Halbleiterkörpers angeordnete erste Kontaktstruktur zumindest einen

Kontaktbereich auf, der sich von dem ersten Anschlussbereich bis zum zweiten Anschlussbereich erstreckt. Der erste und zweite Anschlussbereich sind also mittels des zumindest einen Kontaktbereichs miteinander elektrisch verbunden. Der zumindest eine Kontaktbereich kann sich dabei von dem ersten Anschlussbereich auf der ersten Oberfläche über zumindest eine weitere Oberfläche bis zu dem zweiten Anschlussbereich erstrecken. Beispielsweise kann der Kontaktbereich die zumindest eine weitere Oberfläche vollständig oder nahezu vollständig bedecken. Insbesondere kann der Kontaktbereich eine Verspiegelung des Halbleiterkörpers bilden und dabei ein reflektierendes, vorzugsweise metallisches, Material

enthalten. Alternativ kann der Kontaktbereich ein

strahlungsdurchlässiges Material, etwa ein transparentes leitendes Oxid (transparent conductive oxide, kurz "TCO") enthalten, so dass der Halbleiterkörper an der zumindest einen weiteren Oberfläche Strahlung emittiert. Weiterhin kann bei dieser Ausführungsform die zweite

Kontaktstruktur teilweise innerhalb des Halbleiterkörpers angeordnet sein und zumindest einen Kontaktbereich aufweisen, der in einer Vertiefung des Halbleiterkörpers angeordnet ist. Dabei kann die Vertiefung den ersten und zweiten

Halbleiterbereich durchdringen, wobei der in der Vertiefung angeordnete Kontaktbereich den ersten und zweiten

Anschlussbereich der zweiten Kontaktstruktur miteinander verbindet. Der erste und zweite Anschlussbereich sind also mittels des zumindest einen Kontaktbereichs miteinander elektrisch verbunden. Die Vertiefung und entsprechend der Kontaktbereich können prismen- oder zylinderförmig oder aber rahmen- beziehungsweise ringförmig ausgebildet sein. Der erste und zweite Anschlussbereich der zweiten Kontaktstruktur begrenzen den Kontaktbereich in vertikaler Richtung.

Bei einer rahmen- beziehungsweise ringförmigen Ausgestaltung der Anschlussbereiche und des Kontaktbereichs der zweiten Kontaktstruktur kann ein von diesen umschlossener Bereich des Halbleiterkörpers eine Art „Fenster" bilden, durch das

Strahlung aus dem Halbleiterkörper austreten kann.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind beide

Kontaktstrukturen außerhalb des Halbleiterkörpers angeordnet. Insbesondere weisen die Kontaktstrukturen dabei jeweils zumindest einen Kontaktbereich auf, der sich von dem ersten Anschlussbereich bis zum zweiten Anschlussbereich erstreckt. Dadurch sind jeweils der erste und zweite Anschlussbereich elektrisch miteinander verbunden.

Bei den oben beschriebenen Ausführungsformen weist die zweite Kontaktstruktur vorzugsweise eine Kontaktschicht auf, die direkt auf der zweiten Oberfläche angeordnet ist. Weiterhin ist der erste Anschlussbereich der ersten Kontaktstruktur mit Vorteil direkt auf der ersten Oberfläche angeordnet. Mittels des ersten Anschlussbereichs kann der erste Halbleiterbereich von der ersten Kontaktstruktur an der ersten Oberfläche elektrisch kontaktiert werden, während der zweite

Halbleiterbereich mittels der Kontaktschicht von der zweiten Kontaktstruktur an der zweiten Oberfläche elektrisch

kontaktiert wird.

Gemäß zumindest einer weiteren Ausführungsform sind beide Kontaktstrukturen teilweise innerhalb des Halbleiterkörpers angeordnet sind, und weisen jeweils einen Kontaktbereich auf, der in jeweils einer Vertiefung des Halbleiterkörpers

angeordnet ist. Dabei kann der Kontaktbereich der ersten Kontaktstruktur in einer Vertiefung angeordnet sein, die sich durch den zweiten Halbleiterbereich erstreckt und im ersten Halbleiterbereich endet, während der Kontaktbereich der zweiten Kontaktstruktur in einer Vertiefung angeordnet ist, die sich durch den ersten Halbleiterbereich erstreckt und im zweiten Halbleiterbereich endet. Insbesondere sind bei dieser Ausführungsform der erste und zweite Anschlussbereich der ersten und zweiten Kontaktstruktur jeweils elektrisch

isoliert .

Es wird eine Strahlung emittierende Vorrichtung angegeben, die ein Halbleiterbauelement der oben genannten Art sowie einen Träger umfasst, auf dem das Halbleiterbauelement angeordnet ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Träger ein erstes Kontaktpad, das mit dem ersten oder zweiten Anschlussbereich der ersten Kontaktstruktur

elektrisch und mechanisch verbunden ist, sowie ein zweites Kontaktpad, das mit dem ersten oder zweiten Anschlussbereich der zweiten Kontaktstruktur elektrisch und mechanisch

verbunden ist. Das erste und zweite Kontaktpad können

reflektierend ausgebildet sein und dafür vorgesehen sein, die aus dem Halbleiterkörper austretende Strahlung in Richtung des Halbleiterkörpers zurück zu reflektieren. Insbesondere ist das zweite Kontaktpad dafür vorgesehen, die aus dem „Fenster" austretende Strahlung in Richtung des

Halbleiterkörpers zurück zu reflektieren.

Das Halbleiterbauelement kann insbesondere bei den oben genannten Ausführungsformen eine flache Form aufweisen. Dies bedeutet insbesondere, dass eine vertikale Ausdehnung des Halbleiterbauelements merklich kleiner ist als eine laterale Ausdehnung des Halbleiterbauelements. Beispielsweise kann das Halbleiterbauelemnt eine Polyeder-, Zylinder- oder

Halbzylinderform aufweisen. Vorzugsweise handelt es sich bei dem so gestalteten Halbleiterbauelement um einen

Oberflächenemitter, das heißt, dass dieses einen Großteil seiner Strahlung an nur einer Seite abgibt, die insbesondere parallel zu einer Haupterstreckungsebene des

Halbleiterbauelements angeordnet ist. Dabei können die erste und zweite Oberfläche parallel zu der Haupterstreckungsebene des Halbleiterbauelements angeordnet sein, wobei Abweichungen von ± 5° tolerabel sind. Vorzugsweise wird die

Haupterstreckungsebene des Halbleiterbauelements durch eine erste laterale Richtung und eine zweite laterale Richtung aufgespannt, wobei eine vertikale Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene verläuft. Die vertikale Richtung verläuft insbesondere parallel zu einer Wachstumsrichtung, in der die Halbleiterbereiche nacheinander aufgewachsen sind. Weiterhin kann der Halbleiterkörper zumindest eine

Seitenfläche aufweisen, welche die erste Oberfläche mit der zweiten Oberfläche verbindet und einen Normalenvektor aufweist, der parallel zur Haupterstreckungsebene des

Halbleiterbauelements angeordnet ist. Der Halbleiterkörper kann zum Beispiel polyeder-, Zylinder- oder

halbzylinderförmig ausgebildet sein. Bei einer möglichen Ausgestaltung ist die zumindest eine Seitenfläche frei von Anschlussbereichen .

Gemäß zumindest einer alternativen Ausführungsform weist das Halbleiterbauelement eine dreidimensionale, das heißt nicht flache, Form auf. Dies bedeutet insbesondere, dass sich eine vertikale Ausdehnung des Halbleiterbauelements nicht merklich unterscheidet von einer lateralen Ausdehnung des

Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement weist mit Vorteil eine Polyederform, beispielsweise eine Quaderform, Prismenform oder Tetraederform, auf. Darüber hinaus kann das Halbleiterbauelement eine halbzylindrische Form aufweisen. Dabei handelt es sich bei dem Halbleiterbauelement

insbesondere um einen Volumenemitter, das heißt, dass das Halbleiterbauelement an mehreren Seiten Strahlung mit einem nicht unwesentlichen Anteil emittiert. Mit Vorteil weist hierbei der Halbleiterkörper ein Substrat auf, das für die erzeugte Strahlung durchlässig ist. Insbesondere enthält oder besteht das Substrat aus Saphir. Vorzugsweise ist bei dieser Ausführungsform die erste Oberfläche an einer ersten

Hauptfläche des Substrats angeordnet, während die zweite Oberfläche an einer quer zur ersten Hauptfläche verlaufenden zweiten Hauptfläche des Substrats angeordnet ist. Alternativ kann die zweite Oberfläche an einer parallel zur ersten

Hauptfläche verlaufenden zweiten Hauptfläche des Substrats angeordnet sein.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung des insbesondere dreidimensionalen, polyeder- oder halbzylinderförmig gestalteten Halbleiterbauelements ist die erste

Kontaktstruktur nur außerhalb des Halbleiterkörpers

angeordnet. Vorzugsweise ist die zweite Kontaktstruktur teilweise innerhalb des Halbleiterkörpers angeordnet und weist zumindest einen Kontaktbereich auf, der in einer

Vertiefung des Halbleiterkörpers angeordnet ist, wobei die Vertiefung den ersten Halbleiterbereich durchdringt. Die Vertiefung reicht dabei bis zum zweiten Halbleiterbereich, durchdringt diesen aber vorzugsweise nicht. Ein in der

Vertiefung angeordneter Kontaktbereich der zweiten

Kontaktstruktur verbindet dabei den ersten Anschlussbereich der zweiten Kontaktstruktur mit dem zweiten

Halbleiterbereich .

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung des dreidimensionalen Halbleiterbauelements weist dieses auf allen Seiten jeweils einen Anschlussbereich der ersten und zweiten Kontaktstruktur auf. Dabei können die Anschlussbereiche der ersten

Kontaktstruktur unter anderem jeweils durch eine

Kontaktschicht und die Anschlussbereiche der zweiten

Kontaktstruktur unter anderem jeweils durch eine

Kontaktschicht miteinander mechanisch und elektrisch

verbunden sind. Insbesondere ist die Kontaktschicht der ersten Kontaktstruktur der Kontaktschicht der zweiten

Kontaktstruktur ausgehend vom Halbleiterkörper nachgeordnet.

Vorteilhafterweise besteht bei einem derartigen

dreidimensionalen Halbleiterbauelement keine exklusive

Montageseite. Vielmehr kann das Halbleiterbauelement mit Vorteil auf jeder Seite montiert und/oder elektrisch

angeschlossen werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform enthält die erste

Kontaktstruktur ein metallisches Material. Auch die zweite Kontaktstruktur kann ein metallisches Material enthalten. Vorzugsweise sind die Anschlussbereiche der ersten

Kontaktstruktur aus demselben Material gebildet. Ebenso können auch die Anschlussbereiche der zweiten Kontaktstruktur aus demselben Material gebildet sein. Insbesondere sind die erste und/oder zweite Kontaktstruktur zumindest bereichsweise aus einem Metall wie etwa Silber oder Kupfer oder einer

Metallverbindung gebildet. Ferner können die erste und/oder zweite Kontaktstruktur zumindest bereichsweise aus einem transparenten leitenden Oxid gebildet sein.

Für die Halbleiterbereiche beziehungsweise Schichten des Halbleiterkörpers kommen vorzugsweise auf Nitrid- Verbindungshalbleitern basierende Materialien in Betracht. "Auf Nitrid-Verbindungshalbleitern basierend" bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass zumindest eine Schicht des Halbleiterkörpers ein Nitrid-III/V-

Verbindungshalbleitermaterial , vorzugsweise Al _n Ga _m Ini- _n-m N, umfasst, wobei 0 < n < 1, 0 < m < 1 und n+m < 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte

Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche

Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen

physikalischen Eigenschaften des Al _n Ga _m Ini- _n-m N-Materials im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al, Ga, In, N) , auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.

Optoelektronische Halbleiterbauelemente der hier

beschriebenen Art eignen sich besonders für Anzeigevorrichtungen wie beispielsweise Displays oder

Videowände. Hierbei kommt es auf eine gute Durchmischung der Leuchtdioden an, um beispielsweise zu verhindern, dass

Verschiebungen im Weißpunkt an Bingrenzen sichtbar werden. Vorteilhafterweise können die hier beschriebenen

optoelektronischen Halbleiterbauelemente als Schüttgut und damit gut durchmischt bereitgestellt werden, ohne dass vor der Montage eine Ausrichtung der Leuchtdioden erforderlich wäre. Der Schritt der Ausrichtung kann vorteilhafterweise entfallen, da die Halbleiterbauelemente keine exklusive Montageseite aufweisen.

Auch für eine Bereitstellung von Leuchtdioden in Fluiden, in welchen die Orientierung bei einem Teil der Leuchtdioden nicht erhalten bleibt, sind die hier beschriebenen

Halbleiterbauelemente aufgrund der Möglichkeit zur Montage auf verschiedenen Seiten, besonders geeignet.

Weitere Vorteile, bevorzugte Ausführungsformen und

Weiterbildungen des optoelektronischen Halbleiterbauelements und der Strahlung emittierenden Vorrichtung ergeben sich aus den nachfolgenden Erläuterungen in Verbindung mit den Figuren 1 bis 19.

Es zeigen:

Figuren 1 und 2 schematische Draufsichten einer Vorder- und

Rückseite eines optoelektroischen

Halbleiterbauelements gemäß einem ersten und zweiten Ausführungsbeispiel und Figur 3 eine schematische Querschnittsansicht des

optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß dem ersten und zweiten Ausführungsbeispiel, Figuren 4 und 5 eine schematische Draufsicht und eine schematische Querschnittsansicht eines

optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel,

Figuren 6 eine schematische dreidimensionale Darstellung

eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel,

Figuren 7 und 8 eine schematische Draufsicht und eine

schematische Querschnittsansicht entlang einer Schnittebene BB ' eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel,

Figur 9 eine schematische dreidimensionale Darstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel,

Figuren 10 und 11 eine schematische Draufsicht und eine

schematische Querschnittsansicht eines

optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem siebten Ausführungsbeispiel sowie eine schematische Querschnittsansicht einer Strahlung emittierenden Vorrichtung gemäß einem

Ausführungsbeispiel,

Figur 12 eine schematische Draufsicht einer Vorderseite und

Figur 13 eine schematische Draufsicht einer

Rückseite und Figur 14 eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem achten Ausführungsbeispiel,

Figur 15 eine schematische dreidimensionale Darstellung und

Figuren 16 und Figur 17 zwei verschiedene schematische Querschnittsansichten eines optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem neunten Ausführungsbeispiel,

Figuren 18 und 19 eine schematische Draufsicht und eine

schematische Querschnittsansicht eines

optoelektronischen Halbleiterbauelements gemäß einem zehnten Ausführungsbeispiel.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.

Die Figuren 1 und 3 zeigen ein erstes Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Halbleiterbauelements 1. Dieses ist quaderförmig ausgebildet und weist eine flache Form auf, das heißt dass eine vertikale Ausdehnung des

Halbleiterbauelements 1 in einer vertikalen Richtung V merklich kleiner ist als eine laterale Ausdehnung des

Halbleiterbauelements 1 in einer ersten und zweiten lateralen Richtung LI, L2. Auch das in den Figuren 2 und 3 gezeigte zweite Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen

Halbleiterbauelements 1 weist eine flache, jedoch

zylindrische Form auf. Diese Form ist insbesondere dafür geeignet, Strahlung auch seitlich auszukoppeln.

Die erste laterale Richtung LI und die zweite laterale

Richtung L2 spannen eine Haupterstreckungsebene auf, wobei die vertikale Richtung V senkrecht zur Haupterstreckungsebene verläuft .

Die nachfolgenden Ausführungen gelten sowohl für das

Halbleiterbauelement 1 gemäß dem ersten als auch gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel.

Das optoelektronische Halbleiterbauelement 1 weist einen Halbleiterkörper 2 auf, der einen ersten Halbleiterbereich 3 eines ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten

Halbleiterbereich 5 eines zweiten Leitfähigkeitstyps sowie eine zwischen dem ersten und zweiten Halbleiterbereich 3, 5 angeordnete aktive Zone 4 aufweist. Insbesondere handelt es sich bei dem ersten Halbleiterbereich 3 um einen p-leitenden Halbleiterbereich, während es sich bei dem zweiten

Halbleiterbereich 5 um einen n-leitenden Halbleiterbereich handelt. Weiterhin handelt es sich bei der aktiven Zone 4 vorzugsweise um eine Strahlung emittierende Zone, die im Betrieb elektromagnetische Strahlung, etwa im sichtbaren, ultravioletten oder infraroten Spektralbereich erzeugt.

Ferner umfasst der Halbleiterkörper 2 eine erste Oberfläche 2A und eine von der ersten Oberfläche 2A verschiedene zweite Oberfläche 2B, die in einem Abstand, parallel zur ersten Oberfläche 2A angeordnet ist. Vorzugsweise handelt es sich bei der ersten Oberfläche 2A um eine nahe oder an dem ersten Halbleiterbereich 3 angeordnete Hauptfläche des

Halbleiterkörpers 2, während es sich bei der zweiten

Oberfläche 2B um eine nahe oder an dem zweiten

Halbleiterbereich 5 angeordnete Hauptfläche des

Halbleiterkörpers 2 handelt. Das optoelektronische Halbleiterbauelement 1 weist eine erste Kontaktstruktur 6 zur elektrischen Kontaktierung des ersten Halbleiterbereichs 3 und eine zweite Kontaktstruktur 10 zur elektrischen Kontaktierung des zweiten Halbleiterbereichs 5 auf. Die erste und zweite Kontaktstruktur 6, 10 weisen jeweils einen ersten, auf der ersten Oberfläche 2A

angeordneten Anschlussbereich 7, 11 und jeweils einen

zweiten, auf der zweiten Oberfläche 2B angeordneten

Anschlussbereich 8, 12 zur elektrischen Kontaktierung des

Halbleiterbauelements 1 von außen auf. Damit die

Anschlussbereiche 7, 8, 10, 11 von außen kontaktiert werden können, sind diese zumindest stellenweise frei liegend beziehungsweise unbedeckt.

Weiterhin ist zwischen den ersten Anschlussbereichen 7, 11 der beiden Kontaktstrukturen 6, 10 ein Zwischenraum 17 vorhanden, so dass die ersten Anschlussbereiche 7, 11 voneinander elektrisch isoliert sind. Dies gilt entsprechend auch für die zweiten Anschlussbereiche 8, 12 der beiden

Kontaktstrukturen 6, 10.

Darüber hinaus sind der erste und zweite Anschlussbereich 7,

8 der ersten Kontaktstruktur 6 und der erste und zweite

Anschlussbereich 11, 12 der zweiten Kontaktstruktur 10 jeweils hinsichtlich einer Symmetrieachse D drehsymmetrisch ausgebildet. Desweiteren sind der erste und zweite

Anschlussbereich 7, 8 der ersten Kontaktstruktur 6 und der erste und zweite Anschlussbereich 11, 12 der zweiten

Kontaktstruktur 10 jeweils hinsichtlich einer Symmetrieebene SS' spiegelsymmetrisch ausgebildet. Die Symmetrieachse D verläuft durch das Halbleiterbauelement 1 hindurch in einer Ebene, die parallel zu der Haupterstreckungsebene angeordnet ist. Weiterhin ist die Symmetrieebene SS' parallel zu der Haupterstreckungsebene angeordnet und verläuft durch das Halbleiterbauelement 1. Unter einer dreh- beziehungsweise spiegelsymmetrischen Ausgestaltung ist dabei nicht nur eine identische, sondern auch eine gleiche, das heißt leichte Abweichungen in Form und/oder Größe und/oder Position aufweisende, Ausgestaltung zu verstehen.

Die ersten und zweiten Anschlussbereiche 7, 8 der ersten Kontaktstruktur 6 sowie die ersten und zweiten

Anschlussbereiche 11, 12 der zweiten Kontaktstruktur 10 weisen jeweils eine drehsymmetrische Form auf. Insbesondere weisen die Anschlussbereiche hinsichtlich einer

Symmetrieachse A des Halbleiterkörpers 2 eine

drehsymmetrische Form auf. Die Anschlussbereiche 7, 8 der ersten Kontaktstruktur 6 sind rahmenförmig mit einer

rechteckigen Kontur (vgl. Figur 1) oder einer kreisförmigen Kontur (vgl. Figur 2) ausgebildet, während die

Anschlussbereiche 11, 12 der zweiten Kontaktstruktur 10 die Form eines Rechtecks (vgl. Figur 1) oder eines Kreises (vgl. Figur 2) aufweisen. Dabei wird der erste Anschlussbereich 11 der zweiten Kontaktstruktur 10 vom ersten Anschlussbereich 7 der ersten Kontaktstruktur 6 allseitig flankiert

beziehungsweise rahmenförmig umschlossen. Entsprechend wird auch der zweite Anschlussbereich 12 der zweiten

Kontaktstruktur 10 vom zweiten Anschlussbereich 8 der ersten Kontaktstruktur 6 allseitig flankiert beziehungsweise rahmenförmig umschlossen. Dabei bilden die Anschlussbereiche 7, 8 der ersten Kontaktstruktur 6 jeweils einen äußeren

Kontakt auf der jeweiligen Oberfläche 2A, 2B und die

Anschlussbereiche 11, 12 der zweiten Kontaktstruktur 10 jeweils einen inneren Kontakt auf der jeweiligen Oberfläche 2A, 2B . Bei dem Halbleiterbauelement 1 gemäß dem ersten und zweiten Ausführungsbeispiel ist die erste Kontaktstruktur 6 nur außerhalb des Halbleiterkörpers 2 angeordnet. Die erste

Kontaktstruktur 6 weist einen Kontaktbereich 9 auf, der sich von dem ersten Anschlussbereich 7 bis zum zweiten

Anschlussbereich 8 erstreckt. Der erste und zweite

Anschlussbereich 7, 8 sind also mittels des Kontaktbereichs 9 miteinander elektrisch verbunden. Der Kontaktbereich 9 kann dabei den Halbleiterkörper 2 lateral vollständig einhüllen, so dass alle Seitenflächen 2C, 2D vollständig bedeckt sind. Alternativ können zumindest zwei, beispielsweise

streifenförmig ausgebildete, Kontaktbereiche vorgesehen sein, die jeweils den ersten und zweiten Kontaktbereich 7, 8 miteinander verbinden und über verschiedene Seiten des

Halbleiterkörpers 2 verlaufen (nicht dargestellt) .

Vorzugsweise enthält die erste Kontaktstruktur 6 ein

metallisches Material wie etwa Silber oder besteht daraus und kann dabei als Verspiegelung dienen.

Weiterhin ist die zweite Kontaktstruktur 10 teilweise

innerhalb des Halbleiterkörpers 2 angeordnet und weist einen Kontaktbereich 13 auf, der in einer Vertiefung 15 des

Halbleiterkörpers 2 angeordnet ist. Dabei durchdringt die Vertiefung 15 den ersten und zweiten Halbleiterbereich 3, 5, wobei der in der Vertiefung 15 angeordnete Kontaktbereich 13 den ersten und zweiten Anschlussbereich 11, 12 der zweiten

Kontaktstruktur 10 miteinander verbindet, so dass eine elektrische Verbindung zwischen dem ersten und zweiten

Anschlussbereich 11, 12 besteht. Die Vertiefung 15 und entsprechend der Kontaktbereich 13 sind beispielsweise prismen- oder zylinderförmig ausgebildet. Der erste und zweite Anschlussbereich 11, 12 der zweiten Kontaktstruktur 10 begrenzen den Kontaktbereich 13 in vertikaler Richtung V. Ferner weist die zweite Kontaktstruktur 10 eine

Kontaktschicht 14 auf, die vorzugsweise direkt auf der zweiten Oberfläche 2B angeordnet ist und diese größtenteils bedeckt .

Die zweite Kontaktstruktur 10 kann ein

strahlungsdurchlässiges Material, etwa ein transparentes leitendes Oxid (transparent conductive oxide, kurz "TCO") enthalten oder daraus bestehen, so dass im Bereich der zweiten Kontaktstruktur 10 Strahlung aus dem

Halbleiterbauelement 1 austreten kann.

Das Halbleiterbauelement 1 weist eine erste Isolierung 16 auf, die auf der zweiten Oberfläche 2B angeordnet ist und sich dabei zwischen der Kontaktschicht 14 und den zweiten Anschlussbereichen 8, 12 der beiden Kontaktstrukturen 6, 10 befindet. Zusätzlich ist die erste Isolierung 16 auf den Seitenflächen 2C, 2D angeordnet und befindet sich dabei zwischen dem Kontaktbereich 9 der ersten Kontaktstruktur 6 und dem Halbleiterkörper 2. Der Kontaktbereich 13 der zweiten Kontaktstruktur 10 verläuft durch die Kontaktschicht 14 und die erste Isolierung 16 hindurch bis zum zweiten

Anschlussbereich 11.

Das Halbleiterbauelement 1 weist eine zweite Isolierung 18 auf, die in der Vertiefung 15 und auf der ersten Oberfläche 2A angeordnet ist und sich zwischen dem Halbleiterkörper 2 und dem Kontaktbereich 13 sowie zwischen dem Halbleiterkörper 2 und dem ersten Anschlussbereich 11 der zweiten

Kontaktstruktur 10 befindet.

Mittels des ersten Anschlussbereichs 7 wird der erste

Halbleiterbereich 3 von der ersten Kontaktstruktur 6 an der ersten Oberfläche 2A elektrisch kontaktiert, während der zweite Halbleiterbereich 5 mittels der Kontaktschicht 14 von der zweiten Kontaktstruktur 10 an der zweiten Oberfläche 2B elektrisch kontaktiert wird.

Die dreh- beziehungsweise spiegelsymmetrische Ausbildung der Anschlussbereiche 7, 8 und 11, 12 auf den verschiedenen

Oberflächen 2A, 2B hat den Vorteil, dass das

optoelektronische Halbleiterbauelement 1 bei einem

Vertauschen von Vorder- und Rückseite ohne Neuorientierung des Halbleiterbauelements 1 montiert und elektrisch

angeschlossen werden kann.

Figuren 4 und 5 zeigen ein drittes Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauelements 1, wobei Figur 5 einen Querschnitt entlang der in Figur 4 dargestellten Schnittebene BB ' zeigt. Die Halbleiterbauelemente 1 gemäß dem ersten, zweiten und dritten Ausführungsbeispiel sind ähnlich ausgebildet, weshalb die oben gemachten Erläuterungen auch für das dritte

Ausführungsbeispiel gelten.

Ein Unterschied besteht jedoch in der Gestalt des

Halbleiterbauelemts 1, das eine flache und langgestreckte Form aufweist, wobei „langgestreckt" bedeutet, dass die Ausdehnung in der einen lateralen Richtung merklich größer ist als in der anderen lateralen Richtung. Ein weiterer Unterschied besteht in der ersten Kontaktstruktur 6, deren erste und zweite Anschlussbereiche 7, 8 jeweils zwei

unzusammenhängend ausgebildete Teilbereiche 7A, 7B und 8A, 8B aufweisen. Eine derartige Kontaktstruktur 6 eignet sich besonders für die langgestreckte Form des

Halbleiterbauelements 1. Der erste Anschlussbereich 11 der zweiten Kontaktstruktur 10 wird dabei an zwei Seiten von dem ersten Anschlussbereich 7 der ersten Kontaktstruktur 10 beziehungsweise dessen Teilbereichen 7A, 7B begrenzt.

Entsprechend wird der zweite Anschlussbereich 12 der zweiten Kontaktstruktur 10 an zwei Seiten von dem zweiten

Anschlussbereich 8 der ersten Kontaktstruktur 6

beziehungsweise dessen Teilbereichen 8A, 8B begrenzt.

Insbesondere erstreckt sich der Zwischenraum 17 von der ersten Oberfläche 2A über die Seitenflächen bis zur zweiten Oberfläche 2B, so dass die erste Kontaktstruktur 6

unzusammenhängend ausgebildet ist. Alternativ kann der

Kontaktbereich 9 derart gestaltet sein, dass er die

Teilbereiche 7A 7B und 8A, 8B miteinander verbindet.

Die Figur 6 zeigt ein weiteres, viertes Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauelements 1, bei dem die erste

Kontaktstruktur 6 nur außerhalb des Halbleiterkörpers 2 angeordnet, während die zweite Kontaktstruktur 10 teilweise innerhalb des Halbleiterkörpers 2 angeordnet ist und

entsprechend den ersten bis dritten Ausführungsbeispielen einen Kontaktbereich aufweist, der in einer Vertiefung des Halbleiterkörpers 2 angeordnet ist (nicht dargestellt) .

Insofern gelten die oben gemachten Erläuterungen auch für das vierte Ausführungsbeispiel.

Bei dem vierten Ausführungsbeispiel weist das

Halbleiterbauelement 1 eine dreidimensionale, prismatische Form auf. Der zweite Halbleiterbereich 5 ist innerhalb des ersten Halbleiterbereichs 3 angeordnet und wird in lateralen Richtungen von diesem umschlossen. Bei dem Halbleiterkörper 2 kann es sich um einen sogenannten „Nanorod" handeln.

Bei dem vierten Ausführungsbeispiel weisen sowohl der erste Anschlussbereich 7 als auch der zweite Anschlussbereich 8 der ersten Kontaktstruktur 6 jeweils zwei Teilbereiche 7A, 7B,

8A, 8B auf. Ferner grenzt sowohl bei der ersten

Kontaktstruktur 6 als auch bei der zweiten Kontaktstruktur 10 jeweils der erste Anschlussbereich 7, 11 direkt an den zweiten Anschlussbereich 8, 12 an. Beide Kontaktstrukturen 6,

10 weisen weitere Anschlussbereiche auf weiteren Oberflächen des Halbleiterkörpers 2 auf, die direkt aneinander angrenzen, so dass der Halbleiterkörper 2 von den Kontaktstrukturen 6,

10 beziehungsweise deren Anschlussbereichen banderolenartig eingehüllt wird.

Das in den Figuren 7 und 8 dargestellte Halbleiterbauelement 1 gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel weist wie das

Halbleiterbauelement 1 gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel eine flache, langgestreckte Form und eine Kontaktstruktur 6 mit einem ersten und zweiten Anschlussbereich 7, 8 auf, die jeweils zwei Teilbereiche 7A, 7B und 8A, 8B umfassen.

Die Halbleiterbauelemente 1 gemäß dem ersten bis dritten und fünften Ausführungsbeispiel sind an sich ähnlich ausgebildet, weshalb die oben gemachten Erläuterungen auch für das fünfte Ausführungsbeispiel gelten. Im Unterschied zu diesen

Ausführungsbeispielen ist bei dem Halbleiterbauelement 1 gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel jedoch auch die zweite Kontaktstruktur 10 außerhalb des Halbleiterkörpers 2

angeordnet. Hierbei hüllt die zweite Kontaktstruktur 10 den Halbleiterkörper 2 banderolenartig ein. Dabei weist die zweite Kontaktstruktur 10 zwei Kontaktbereiche 19A, 19B auf, die sich jeweils von dem ersten Anschlussbereich 11 bis zum zweiten Anschlussbereich 12 erstrecken. Weiterhin weist sie einen Kontaktbereich 13 und eine Kontaktschicht 14 auf, wobei der Kontaktbereich 13 in einer Vertiefung einer Isolierung 16 angeordnet ist und sich von der Kontaktschicht 14 durch die Isolierung 16 hindurch bis zum zweiten Anschlussbereich 12 erstreckt .

Die Figur 9 zeigt ein sechstes Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauelements 1, bei dem die erste Kontaktstruktur 6 und die zweite Kontaktstruktur 10 wie bei dem fünften

Ausführungsbeispiel jeweils außerhalb des Halbleiterkörpers 2 angeordnet sind. Beide Kontaktstrukturen 6, 10 weisen

zumindest einen Kontaktbereich auf 9, 19A, 19B, der sich außerhalb des Halbleiterkörpers 2 jeweils vom ersten

Anschlussbereich 7, 11 bis zum zweiten Anschlussbereich 8, 12 erstreckt .

Der erste und zweite Anschlussbereich 7, 8 der ersten

Kontaktstruktur 6 und der erste und zweite Anschlussbereich 11, 12 der zweiten Kontaktstruktur 10 sind jeweils

hinsichtlich der Symmetrieachse D drehsymmetrisch

ausgebildet. Sie sind nicht spiegelsymmetrisch, jedoch punktsymmetrisch ausgebildet.

Das Halbleiterbauelement 1 gemäß dem sechsten

Ausführungsbeispiel weist eine dreidimensionale,

halbzylindrische Form auf.

Die Figuren 10 und 11 zeigen ein siebtes Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauelements 1, das wie gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel eine zylindrische Form aufweist. Wie bei dem ersten und zweiten Ausführungsbeispiel ist auch hier der erste und zweite Anschlussbereich 7, 8 der ersten

Kontaktstruktur 6 rahmenförmig ausgebildet. Im Unterschied dazu ist auch der erste und zweite Anschlussbereich 11, 12 der zweiten Kontaktstruktur 10 rahmenförmig ausgebildet.

Dabei umschließt der Kontaktbereich 13 der zweiten Kontaktstruktur 10 einen inneren Bereich 20 des

Halbleiterkörpers 2, wobei der innere Bereich 20 eine Art „Fenster" bildet, durch das Strahlung aus dem

Halbleiterkörper 2 austreten kann.

Das Halbleiterbauelement 1 kann, wie durch einen Pfeil angedeutet (vgl. Figur 11), mit einem Träger 21 verbunden werden, wodurch eine Strahlung emittierende Vorrichtung gebildet wird. Der Träger 21 weist einen Trägerkörper 24 und ein auf dem Trägerkörper 24 angeordnetes erstes Kontaktpad 22 und zweites Kontaktpad 23 auf, wobei das erste Kontaktpad 22 in der fertigen Vorrichtung mit dem ersten oder zweiten

Anschlussbereich 7, 8 der ersten Kontaktstruktur 6 elektrisch und mechanisch verbunden ist, während das zweite Kontaktpad 23 mit dem ersten oder zweiten Anschlussbereich 11, 12 der zweiten Kontaktstruktur 10 elektrisch und mechanisch

verbunden ist. Das erste und zweite Kontaktpad 22, 23 sind mit Vorteil reflektierend ausgebildet und dafür vorgesehen, die aus dem inneren Bereich 20 austretende Strahlung in

Richtung des Halbleiterkörpers 2 zurück zu reflektieren.

Figur 12 zeigt eine schematische Draufsicht auf die erste Oberfläche 2A, Figur 13 eine schematische Draufsicht auf die zweite Oberfläche 2B und Figur 14 eine schematische

Querschnittsansicht eines optoelektronischen

Halbleiterbauelements 1 gemäß einem achten

Ausführungsbeispiel. Hierbei sind beide Kontaktstrukturen 6, 10 teilweise innerhalb des Halbleiterkörpers 2 angeordnet und weisen jeweils einen Kontaktbereich 9, 13 auf, der in jeweils einer Vertiefung 15 des Halbleiterkörpers 2 angeordnet ist. Dabei ist der Kontaktbereich 9 der ersten Kontaktstruktur 6 in einer Vertiefung 15 angeordnet, die sich durch den zweiten Halbleiterbereich 5 erstreckt und im ersten Halbleiterbereich 3 endet, während der Kontaktbereich 13 der zweiten Kontaktstruktur 10 in einer Vertiefung 15 angeordnet ist, die sich durch den ersten Halbleiterbereich 3 erstreckt und im zweiten Halbleiterbereich 5 endet.

Die Anschlussbereiche 11, 12 der zweiten Kontaktstruktur 10 weisen eine Rechteckform aus, während die Anschlussbereiche 7, 8 der ersten Kontaktstruktur 6 rahmenförmig ausgebildet sind und den jeweiligen Anschlussbereich 11, 12 der zweiten

Kontaktstruktur 10 lateral umschließen.

Der erste Anschlussbereich 11 sowie der Kontaktbereich 13 der zweiten Kontaktstruktur 10 sind mittels der zweiten

Isolierung 18 vom ersten Halbleiterbereich 3 elektrisch isoliert, während der zweite Anschlussbereich 12 direkt auf der zweiten Oberfläche 2B angeordnet ist. Ferner sind der zweite Anschlussbereich 8 sowie der Kontaktbereich 9 der ersten Kontaktstruktur 6 mittels der ersten Isolierung 16 vom zweiten Halbleiterbereich 5 elektrisch isoliert, während der erste Anschlussbereich 7 direkt auf der ersten Oberfläche 2A angeordnet ist.

Mittels des ersten Anschlussbereichs 7 kann der erste

Halbleiterbereich 3 von der ersten Kontaktstruktur 6 an der ersten Oberfläche 2A elektrisch kontaktiert werden, während der zweite Halbleiterbereich 5 mittels dem zweiten

Anschlussbereich 12 von der zweiten Kontaktstruktur 10 an der zweiten Oberfläche 2B elektrisch kontaktiert werden kann.

In den Figuren 15 bis 17 ist ein neuntes Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauelements 1 dargestellt, wobei Figur 16 eine Querschnittsansicht des Halbleiterbauelements 1 entlang der in Figur 15 dargestellten Querschnittsebene BB ' und Figur 17 eine Querschnittsansicht des Halbleiterbauelements 1 entlang der in Figur 15 dargestellten Querschnittsebene CC ' zeigt. Das Halbleiterbauelement 1 weist eine dreidimensionale Form, eine Würfelform, auf. Insbesondere handelt es sich bei dem Halbleiterbauelement 1 um einen Volumenemitter, das heißt, dass das Halbleiterbauelement 1 an mehreren Seiten Strahlung mit einem nicht unwesentlichen Anteil emittiert.

Auch bei dem in den Figuren 18 und 19 dargestellten

Halbleiterbauelement 1 gemäß einem zehnten

Ausführungsbeispiel handelt es sich insbesondere um einen Volumenemitter. Figur 19 zeigt eine Querschnittsansicht des Halbleiterbauelements 1 entlang der in Figur 18 dargestellten Querschnittsebene BB ' . Das Halbleiterbauelement 1 weist eine Tetraederform auf und ist ansonsten wie das

Halbleiterbauelement 1 gemäß dem neunten Ausführungsbeispiel ausgebildet. Ferner können auch die in den Figuren 6 und 9 dargestellten Ausführungsbeispiele wie das

Halbleiterbauelement 1 gemäß dem neunten Ausführungsbeispiel ausgebildet sein. Die nachfolgenden Ausführungen gelten daher sowohl für das Halbleiterbauelement 1 gemäß dem neunten als auch gemäß dem vierten, sechsten und zehnten

Ausführungsbeispiel .

Der Halbleiterkörper 2 des Halbleiterbauelements 1 umfasst ein Substrat 25, auf dem der erste und zweite

Halbleiterbereich 3, 5 angeordnet sind, wobei der erste, insbesondere p-leitende Halbleiterbereich 3 dem zweiten, insbesondere n-leitenden Halbleiterbereich 5 ausgehend vom Substrat 25 nachgeordnet ist. Vorzugsweise enthält oder besteht das Substrat 25 aus Saphir und ist damit insbesondere für blaue Strahlung durchlässig. Gemäß dem neunten

Ausführungsbeispiel ist das Substrat 25 würfelförmig ausgebildet, während es gemäß dem zehnten Ausführungsbeispiel tetraederförmig ausgebildet ist.

Die erste Oberfläche 2A ist an einer ersten Hauptfläche 25A des Substrats 25 angeordnet, während die zweite Oberfläche 2B an einer quer zur ersten Hauptfläche 25A verlaufenden zweiten Hauptfläche 25B des Substrats 25 angeordnet ist. Dabei sind der erste und zweite Halbleiterbereich 3, 5 auf der ersten Hauptfläche 25A des Substrats 25 angeordnet.

Das Halbleiterbauelement 1 weist eine erste Kontaktstruktur 6 zur elektrischen Kontaktierung des ersten Halbleiterbereichs 3 und eine zweite Kontaktstruktur 10 zur elektrischen

Kontaktierung des zweiten Halbleiterbereichs 5 auf, wobei die erste und zweite Kontaktstruktur 6, 10 jeweils einen ersten, auf der ersten Oberfläche 2A angeordneten Anschlussbereich 7, 11 und jeweils einen zweiten, auf der zweiten Oberfläche 2B angeordneten Anschlussbereich 8, 12 zur elektrischen

Kontaktierung des Halbleiterbauelements 1 von außen

aufweisen, wobei der erste und zweite Anschlussbereich 7, 8 der ersten Kontaktstruktur 6 und der erste und zweite

Anschlussbereich 11, 12 der zweiten Kontaktstruktur 10 jeweils hinsichtlich einer Symmetrieachse D drehsymmetrisch und hinsichtlich einer Symmetrieebene SS ' spiegelsymmetrisch ausgebildet sind. Die Anschlussbereiche 7, 8 der ersten

Kontaktstruktur 6 sind kreisförmig ausgebildet, während die Anschlussbereiche 11, 12 der zweiten Kontaktstruktur 10 die Form eines eines Kreises aufweisen. Die Symmetrieebene SS' verläuft hierbei quer zu einer parallel zur ersten

Hauptfläche 25A angeordneten Haupterstreckungsebene des

Halbleiterbauelements 1. Insbesondere bilden die

Anschlussbereiche 11, 12 der zweiten Kontaktstruktur 10 einen inneren Kontakt, während die Anschlussbereiche 7, 8 der ersten Kontaktstruktur 6 einen äußeren Kontakt bilden.

Das Halbleiterbauelement 1 weist auf allen Seiten jeweils einen Anschlussbereich der ersten und zweiten Kontaktstruktur 6, 10 auf, wobei die Anschlussbereiche 7, 8, 70, 71, 72 der ersten Kontaktstruktur 6 unter anderem jeweils durch eine Kontaktschicht 28 und die Anschlussbereiche 11, 12, 110, 111, 112 der zweiten Kontaktstruktur 10 unter anderem jeweils durch eine Kontaktschicht 14 miteinander mechanisch und elektrisch verbunden sind. Dabei ist die Kontaktschicht 28 der ersten Kontaktstruktur 6 der Kontaktschicht 14 der zweiten Kontaktstruktur 10 ausgehend vom Halbleiterkörper 2 nachgeordnet .

Das Halbleiterbauelement 1 weist eine Isolierung 16 auf, in welche der Halbleiterkörper 2 sowie die erste und zweite Kontaktstruktur 6, 10 eingebettet sind, wobei die Isolierung 16 zwischen den beiden Kontaktschichten 14, 28 angeordnet ist .

Das Halbleiterbauelement 1 weist eine Vertiefung 15 auf, die den ersten Halbleiterbereich 3 durchdringt. Die Vertiefung 15 reicht bis zum zweiten Halbleiterbereich 5, durchdringt diesen aber vorzugsweise nicht. Ein in der Vertiefung 15 angeordneter Kontaktbereich 13 der zweiten Kontaktstruktur 10 verbindet den ersten Anschlussbereich 11 der zweiten

Kontaktstruktur 10 mit dem zweiten Halbleiterbereich 5. Der Kontaktbereich 13 erstreckt sich durch eine Unterbrechung 26 in der Kontaktschicht 28 der ersten Kontaktstruktur 6

hindurch bis zum ersten Anschlussbereich 11 der zweiten

Kontaktstruktur 10. Weiterhin weist die erste Kontaktstruktur 6 einen Kontaktbereich 9 auf, der durch eine Unterbrechung 27 in der Kontaktschicht 14 der zweiten Kontaktstruktur 10 verläuft und den ersten Anschlussbereich 7 der ersten Kontaktstruktur 6 mit dem ersten Halbleiterbereich 3 verbindet. Die erste

Kontaktstruktur 6 ist dabei nur außerhalb des

Halbleiterkörpers 2 angeordnet. Außerdem weisen die beiden Kontaktstrukturen 6, 10 auf der zweiten Oberfläche 2B und jeder weiteren Oberfläche jeweils Kontaktbereiche 9', 9'', 9''', 13', 13'', 13''' auf, welche die Anschlussbereiche 7,

8, 70, 71, 72, 12, 110, 111, 112 mit den Kontaktschichten 14, 28 verbinden. Dabei erstrecken sich die Kontaktbereiche 12, 110, 111, 112 der zweiten Kontaktstruktur 10 durch

Unterbrechungen 26 der ersten Kontaktstruktur 6 hindurch.

Vorteilhafterweise weist das Halbleiterbauelement 1 gemäß dem neunten und zehnten Ausführungsbeispiel keine exklusive

Montageseite auf. Vielmehr kann das Halbleiterbauelement 1 auf jeder Seite montiert und/oder elektrisch angeschlossen werden .

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die

Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von

Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Bezugszeichenliste

1 optoelektronisches Halbleiterbauelement

2 Halbleiterkörper

2A erste Oberfläche

2B zweite Oberfläche

2C, 2D Seitenfläche

3 erster Halbleiterbereich

4 aktive Zone

5 zweiter Halbleiterbereich

6 erste Kontaktstruktur

7 erster Anschlussbereich der ersten Kontaktstruktur

7A, 7B Teilbereich des ersten Anschlussbereichs

8 zweiter Anschlussbereich der ersten Kontaktstruktur 8A, 8B Teilbereich des zweiten Anschlussbereichs

9, 9', 9'', 9''' Kontaktbereich der ersten Kontaktstruktur

10 zweite Kontaktstruktur

11 erster Anschlussbereich der zweiten Kontaktstruktur

12 zweiter Anschlussbereich der zweiten Kontaktstruktur 13, 13', 13'', 13''', 19A, 19B Kontaktbereich der zweiten KontaktStruktur

14 Kontaktschicht der zweiten Kontaktstruktur

15 Vertiefung

16 (erste) Isolierung

17 Zwischenraum

18 zweite Isolierung

20 innerer Bereich

21 Träger

22 erstes Kontaktpad

23 zweites Kontaktpad

24 Trägerkörper

25 Substrat

25A erste Hauptfläche des Substrats

25B zweite Hauptfläche des Substrats 26, 27 Unterbrechung

28 Kontaktschicht der ersten Kontaktstruktur

70, 71, 72 weitere Anschlussbereiche der ersten KontaktStruktur

110, 111, 112 weitere Anschlussbereiche der zweiten

KontaktStruktur

A, D Symmetrieachse

BB ' Schnittebene

CC ' Schnittebene

SS ' Symmetrieebene

LI erste laterale Richtung

L2 zweite laterale Richtung

V vertikale Richtung