elektromagnetischer Strahlung

Beschreibung

Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Struktur zur Detektion von mindestens einer elektromagnetischen Strahlung.

Die optoelektronische Struktur kann derart gebildet werden, dass ein Schichtenstapel, zum Beispiel ein

Detektorschichtenstapel, aufweisend mindestens eine erste und eine zweite Elektrodenschicht, sowie ^mindestens eine

elektrisch aktive Absorberschicht, wobei die Absorberschicht zwischen den beiden Elektrodenschichten angeordnet ist, derart über mindestens einem Bereich eines Substrat

aufgebracht beziehungsweise aufgetragen werden kann, dass mittels mindestens eines Faltens oder Falzens entlang

mindestens einer Faltlinie des Substrats und des

Schichtenstapel, zum Beispiel ein Detektorschichtenstapel, eine flächige Struktur mit einem gekrümmten Bereich in dem gefalteten Substrat derart gebildet werden kann, dass die flächige Struktur derart zu der einfallenden

elektromagnetischen Strahlung hin orientiert werden kann, dass .die elektromagnetische Strahlung durch den gekrümmten Bereich des Substrats hindurch tritt und anschließend von der Absorberschicht detektiert werden kann.

Die Erfindung ist auf dem Gebiet der Photodetektoren

angesiedelt, beispielsweise auf dem Gebiet von organischen Photodetektoren. Organische Materialien weisen jedoch meist nur sehr schlechte Absorptionseigenschaften auf,

BESTÄTIGUNGSKOPIE beispielsweise zur Detektion von Infrarotstrahlung oder

Röntgenstrahlung. Deswegen sind solche Materialien nur bedingt für die Detektion solcher Spektralbereiche geeignet. Die vorliegende Erfindung kann es ermöglichen, dass eine hohe Absorption von zum Beispiel Infrarotstrahlung oder

Röntgenstrahlung erzielt werden kann, und kann gleichzeitig sehr positive elektrische beziehungsweise elektronische

Eigenschaften eines damit gebildeten Detektors zur Verfügung stellen. Darüber hinaus kann mittels der erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur eine hohe laterale Ortsauflösung erreicht werden. Außerdem kann eine derartige

optoelektronische Struktur beispielsweise in einem

kostengünstigen Rolle-zu-Rolle-Verfahren hergestellt werden. Weiterhin kann zum Beispiel mittels der erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur ein Sensorarray beziehungsweise Detektorarray bereitgestellt werden,' das eine ortsaufgelöste Detektion von Röntgenstrahlung ermöglicht, wobei dabei die Szintillatorfaserplatte und auch die erforderliche optische Detektoreinheit auf einem Substrat realisiert werden kann. Neben der Detektion von Infrarotlicht kann die

erfindungsgemäße optoelektronische Struktur ebenso zur ortsaufgelösten Detektion von Röntgenstrahlung,

beispielsweise in der Radiologie, eingesetzt werden. Hierzu könnte/n ein angepasstes Szintillatormaterial oder mehrere angepasste Szintillatormaterialien beispielsweise in Form kleiner Partikel dem Absorber der aktiven Schicht beigemischt werden. Mittels der auftreffenden Röntgenstrahlung werden die Moleküle des Szintillators zum Emittieren von Licht im sichtbaren und/oder ultravioletten Spektralbereich angeregt, welches von der aktiven Schicht absorbiert und somit

ortsaufgelöst detektiert werden kann. Alternativ kann beispielsweise auf zumindest einer- unbeschichteten Seite des Substrats oder Foliensubstrats zumindest eine Schicht oder mehrere Schichten eines

angepassten Szintillatormaterials oder mehrere angepasster Szintillatormaterialien aufgebracht werden. Die eingestrahlte elektromagnetische Strahlung kann durch das Substrat und die mindestens eine Schicht hindurch dringen und von der zuvor genannten Photodetektorstruktur ortsaufgelöst detektiert werden. Die so vorprozessierte Folie oder das so

vorprozessierte Substrat übernimmt hierbei die Funktion der optischen Faserplatte bei konventionellen, digitalen

Röntgendetektorsystemen .

Erfindungsgemäß kann ein zweidimensionales Array aus

Photodioden beziehungsweise Photodetektoren beispielsweise in einem mehrstufigen Druckprozess oder in einem anderen

Dünnschichtverfahren auf einem mechanisch flexiblen, für eine zuvor bestimmte elektromagnetische Strahlung beziehungsweise für einen zuvor definierten Spektralbereich transparenten und/oder transluzenten Substrat aufgetragen beziehungsweise aufgebracht werden. Die Struktur oder das Layout wird

anschließend alternierend auf und ab gefaltet beziehungsweise gefalzt. Hierdurch kann die optische Weglänge und die Dicke beziehungsweise Schichtdicke der aktiven Schicht voneinander entkoppelt werden, d.h. getrennt voneinander angepasst werden. Mittels Variation der geometrischen Parameter des Layouts oder der Struktur kann ein solches System in seinen optischen und elektrischen beziehungsweise elektronischen Eigenschaften auf beziehungsweise für viele unterschiedliche Anwendungen angepasst werden. Somit besteht die zu lösende Aufgabe darin, eine

optoelektronische Struktur oder Detektorvorrichtung

bereitzustellen, welche es■ ermöglicht , einerseits die Weglänge für die Absorption zu vergrößern beziehungsweise verlängern und andererseits, davon entkoppelt beziehungsweise unabhängig hiervon, die Distanz zwischen den Elektroden beziehungsweise Elektrodenschichten so gering wie möglich zu bilden, wobei die Distanz zwischen den Elektroden

beziehungsweise Elektrodenschichten dadurch definiert ist, dass mindestens eine optoelektronischen Absorberschicht, die beispielsweise zumindest teilweise eine organische

Absorberschicht sein kann, zwischen den Elektroden

beziehungsweise Elektrodenschichten angeordnet ist und wobei die Absorberschicht eine Schichtdicke aufweist, welche die Distanz zwischen den Elektroden bildet beziehungsweise definiert.

Der sich hieraus ergebende Vorteil gegenüber dem Stand der Technik besteht somit darin, dass hierdurch die Ausbeute der detektierbaren Photonen signifikant gesteigert werden kann.

Die Lösung der oben genannten Aufgabe kann und wird mit der erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur gemäß dem ersten Patentanspruch bereitgestellt. Mit anderen Worten, kann mittels der vorliegenden Erfindung die, für die Absorption der einfallenden Photonen, nutzbare Weglänge und die Distanz zwischen den mindestens beiden erforderlichen Elektroden beziehungsweise Elektrodenschichten voneinander entkoppelt werden. Da einerseits die

optoelektronische aktive Schicht in einer erfindungsgemäßen Ausführung sehr dünn appliziert werden kann, was wiederum zu sehr kurzen Distanzen der, in der aktiven Schicht

photogenerierten Ladungsträger zu den Elektroden, führt, kann andererseits der erfindungsgemäße seitliche

Strahlungseinfall, d.h. dass die Strahlung auf mindestens einer Seite des aktiven SchichtSystem auftrifft,

beispielsweise von Infarotstrahlung oder Röntgenstrahlung, auf das aktive Schichtsystem, aus welchem die aktive

Photodetektorschicht gebildet sein kann, eine wesentlich größerer nutzbare Weglänge zur Absorption innerhalb des aktiven Schichtsystems _> d.h. in der einen oder den mehreren absorbierenden Schichten, in denen die einfallenden Photonen, welche in elektrische Impulse gewandelt werden,

bereitgestellt werden. Insbesondere kann durch die

signifikant längere nutzbare Wegstrecke für die Absorption bei der vorliegenden erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur die Signalausbeute gesteigert werden. Eine

dementsprechend angepasste Schaltung, d.h. angepasst an die erfindungsgemäße optoelektronische Struktur, die elektrisch leitfähig an die erfindungsgemäße optoelektronische Struktur gekoppelt ist, kann dann die generierten elektrischen Impulse auswerten und somit die einfallende Strahlungsintensität in ein weiter auswertbares elektronisches beziehungsweise elektrisches Signal wandeln. Der erfindungsgemäße Aufbau der erfindungsgemäßen optoelektronischen Schichtstruktur kann dabei beispielsweise mittels Auffaltens, d.h. zum Beispiel mittels Faltens oder .Falzens, des auf dem Substrat

aufgebrachten Photodetektorschichtsystems, welches

beispielsweise mittels eines Druckverfahrens aufgebracht sein kann, bereitgestellt werden.

Mittels der erfindungsgemäßen Lösung der Aufgabe können zum Beispiel großflächige, hochsensitive, kostengünstige und mechanisch flexible Sensorarrays beziehungsweise

Detektorarrays zur ortsaufgelösten Detektion von

Infrarotstrahlung beziehungsweise Röntgenstrahlung

bereitgestellt werden. Diese erfindungsgemäße Vorrichtung beziehungsweise Struktur und der Prozess zur Herstellung hiervon erzielen gegenüber dem Stand der Technik, dass hierbei ein großer Maßstab bei der Herstellung eingesetzt werden kann bei gleichzeitig geringem Aufwand, wodurch somit eine- Massenfertigung ermöglicht werden kann, beispielsweise mittels Rolle-zu-Rolle-Prozessen . Außerdem können zum

Beispiel mittels etablierter Druckprozesse die

Produktionskosten gering gehalten werden. Mittels des Faltens oder Falzens der erfindungsgemäßen Strukturen können hohe Aspektverhältnisse und somit hohe Sensorsensitivitäten beziehungsweise Detektorsensitivitäten erreicht werden. Da erfindungsgemäß die Elektroden an den Seiten der

Sensorflächen beziehungsweise Detektorflächen angeordnet sind und somit senkrecht zur Einfallsrichtung der

elektromagnetischen Strahlung, die detektiert wird, können die elektrischen beziehungsweise elektronischen Eigenschaften unabhängig von den optischen Eigenschaften des Systems angepasst werden. Eine. Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bezieht sich auf eine optoelektronische Struktur, eingerichtet zur

Detektion von mindestens einer elektromagnetischen Strahlung, d.h. mindestens einen Bereich aus dem elektromagnetischen Spektrum, aufweisend: mindestens ein, für die jeweilige zu detektierende elektromagnetische Strahlung, transparentes oder transluzentes Substrat mit mindestens einer oberen und einer unteren Oberfläche, wobei die obere Oberfläche der unteren Oberfläche gegenüberliegt; wobei mindestens über einer der Oberflächen des Substrats mindestens ein

Schichtenstapel in mindestens einem Bereich des Substrats derart aufgetragen ist, dass mittels zumindest eines ersten Faltens des Substrats entlang mindestens einer Faltlinie auf dem Substrat der Schichtenstapel zumindest teilweise von dem Substrat umschlossen beziehungsweise umgeben ist und eine Struktur bildet, wobei die Faltlinie beispielsweise in einem Bereich gebildet werden kann, der im Wesentlichen außerhalb des Bereichs gebildet werden kann, über dem der

Schichtenstapel aufgetragen ist; wobei sich mittels des Faltens entlang der Faltlinie ein gekrümmter Bereich im

Substrat bildet; und wobei der Schichtenstapel folgende

Schichten aufweist: mindestens eine erste Elektrodenschicht; mindestens eine erste elektrisch aktive Absorberschicht, wobei die Absorberschicht aus mindestens einer Schicht oder mehreren Schichten gebildet ist; und mindestens eine zweite Elektrodenschicht; wobei jeweils, zumindest teilweise, die elektrisch aktive Absorberschicht über der ersten

Elektrodenschicht und die zweite Elektrodenschicht über der elektrisch aktiven Absorberschicht angeordnet ist; und wobei die Struktur dadurch gekennzeichnet ist, dass die Detektion der elektromagnetischen Strahlung derart erfolgt, dass die elektromagnetische Strahlung durch die Oberflächen des gekrümmten Bereichs des Substrats hindurch tritt und dann mittels der Äbsorberschicht detektiert wird.

Das Substrat kann beispielsweise mittels mindestens eines Materials aus der Gruppe von Substratmaterialien gebildet werden, wobei die Gruppe von Substratmaterialien aufweist: Dünnglas, Polyethylen, Polypropylen, Polyvinylchlorid,

Polystyrol, Polycarbonat , Cellophan, Polylactid,

Celluloseacetat, Polyimid, Polyamid, Polyethylenterephthalat, Polyethylennaphthalat , Polymethymetharcrylat ,

Polyetheretherketon, Keramikfolie .

Das Substrat kann derart eingerichtet werden, dass es

ermöglicht wird, das Substrat mindestens einmal

beziehungsweise mehrfach zu Falten oder Falzen, zum Beispiel' alternierend bezüglich der Faltrichtung beziehungsweise

Falzrichtung, wobei mittels des Faltens oder Falzens im

Wesentlichen das Substrat hierbei frei von Rissen und/oder Brüchen im Substrat bleibt, wobei das Material des Substrats derart eingerichtet ist, dass sich mittels Faltens oder

Falzens ein gekrümmter Bereich um die mittels Faltens und/oder Falzens gebildete Faltlinie herum ausbildet. Mit anderen Worten, das Material des Substrats verhält sich gegenüber dem Falten öder Falzens des Substrats mechanisch flexibel, d.h. im Wesentlichen ohne ein Ausbilden von

Materialrissen und Materialbrüchen im Substrat aufgrund von Falten oder Falzen.

In der vorliegenden Beschreibung und den Ansprüchen werden die beiden Begriffe Falten und Falzen synonym verwendet. Die hierin synonym verwendeten Begriffe des Faltens oder Falzens beschreiben dabei das zumindest teilweise übereinander

Bringen beziehungsweise Legen von mindestens zwei Bereichen des verwendeten mindestens einen Substrats und

Schichtenstapel derart, dass anschließend an das Falten oder Falzen mindestens ein Bereich der beiden übereinander

gebrachten oder gelegten Bereiche über dem jeweils anderen Bereich angeordnet ist und dem Bilden mindestens einer

Faltlinie. Dabei definiert jeweils die Faltlinie jenen

Bereich, der sich beim übereinander Bringen oder Legen der beiden anschließend übereinander angeordneten Bereiche, ausbildet und dabei einen gekrümmten Bereich um die Faltlinie im Substrat herum ausbildet. Beschrieben wird hierin mittels der beiden synonym verwendeten Begriffe Falten und Falzen, das Herstellen mindestens einer Faltlinie im Substrat, wobei die Faltlinie ohne ein Werkzeug gebildet werden kann oder mittels eines Werkzeugs gebildet werden kann, wie zum

Beispiel mittels einer Messerfaltmaschine,

Rotationsfaltmaschine und/oder Zahnradfaltmaschine.

Die Faltlinie kann demgemäß vor dem Falten oder Falzen lediglich eine gedachte, d.h. zum Beispiel eine virtuelle Faltlinie, sein oder mittels eines zuvor gebildeten

beziehungsweise vorprozessierten Bereichs auf dem Substrat. Die Faltlinie kann vor dem Falten oder Falzen beispielsweise mittels einem Dünnungsverfahren, in welchem der Bereich der Faltlinie gegenüber den nicht prozessierten Bereichen eine geringere Substratdicke aufweist, gebildet werden,

beispielsweise mittels Pressen, Prägen und/oder ^" Ätzen, und/oder einem Perforierungsverfahrens , beispielsweise einem Präge- und/oder Stanzverfahren, in dem eine Perforierung in das Substrat eingestanzt beziehungsweise eingeprägt wird. Beispielsweise mittels einem Prägewerkzeug, bei dem eine bleibende Verformung beispielsweise mit Hitze, beispielsweise mit einer Strahlungsquelle wie beispielsweise einem Laser und/oder einer fokussierten Lampe und/oder mit einem heißen Gas, wie beispielsweise Luft, Stickstoff und/oder Argon, und/oder mechanischem Druck mit beispielsweise einem Stempel, wie beispielsweise einem Messer, in das Substrat eingeprägt wird.

In einer Ausführungsform kann die Faltlinie zumindest

teilweise benachbart zu einem Bereich auf dem Substrat angeordnet werden, der im Wesentlichen an den Bereich auf dem Substrat angrenzt, über dem der Schichtenstapel aufgebracht ist.

In einer weiteren Ausführungsform kann die Faltlinie

zumindest teilweise in einem Bereich auf dem Substrat

angeordnet werden, der räumlich getrennt von dem Bereich auf dem Substrat ist, über dem der Schichtenstapel aufgebracht ist.

In einer weiteren Ausführungsform kann die Faltlinie derart entlang des Bereiches auf dem Substrat angeordnet werden, über dem der Schichtenstapel aufgebracht ist, dass der

Bereich, den die Faltlinie bildet, zumindest teilweise an den Bereich angrenzt, über dem der Schichtenstapel aufgebracht ist . In einer weiteren Ausführungsform kann die Faltlinie derart entlang des Bereiches angeordnet werden, über dem der

Schichtenstapel aufgebracht ist, dass der Bereich, den die Faltlinie bildet, von dem Bereich räumlich beabstandet ist, über dem der Schichtenstapel aufgebracht ist.

Der Schichtenstapel kann beispielsweise mittels mindestens einem Auftrageverfahrens aus der Gruppe von Auftrageverfahren über dem Substrat aufgebracht werden, wobei die Gruppe von Auftrageverfahren aufweist: ein Druckverfahren, wie zum

Beispiel ein Siebdru-ckverfahren, ein Tiefdruckverfahren, ein Flexodruckverfahren, ein Offsetdruckverfahren, ein

Inkjetdruckverfahren oder Aerosolj etdruckverfahren, ein

Dünnschichtverfahren, wie zum Beispiel ein

Siebdruckverfahren, ein Schlitzgießverfahren, ein

Vorhangbeschichtungsverfahren, ein Rakelverfahren, ein

Sprühverfahren, ein Bedampfungsverfahren, ein

Sputterverfahren, ein Gasphasenabscheidungsverfahren, ein Tauchbeschichtungsverfahren, ein

Walzenbeschichtungsverfahren, ein Galvanisierungsverfahren, ein PulverbeSchichtungsverfahren .

Der Schichtenstapel kann ferner beispielsweise mittels einer der zuvor genannten Auftrageverfahren auf das Substrat schichtweise und/oder als ein Schichtverbund und/oder als Schichtenstapel, aufweisend mehrere Schichten, die wiederum zumindest teilweise jeweils ein Schichtverbund sein können, aufgetragen werden, wobei ein Schichtverbund mittels einer Vielzahl von jeweils einzelnen Schichten gebildet sein können.

Die Elektrodenschichten können mindestens ein Material aus der Gruppe von elektrisch leitfähigen Materialien aufweisen, wobei die Gruppe von elektrisch leitfähigen Materialien zum Beispiel aufweist: Kupfer, Silber, Gold, Aluminium, Poly-3,4- ethylendioxythiophen-Polystyrolsulfonat (PED0T:PSS), Indium, dotiertes Zinnoxid (ITO), Aluminiumdotiertes Zinkoxid (AZO) , Indium dotiertes Zinkoxid (IZO) , Wolframoxid (WO3) - Darüber hinaus kann auch jede Legierung der oben genannten elektrisch leitfähigen Materialien und/oder Verbundwerkstoffe davon beziehungsweise auch weitere Werkstoffkombinationen die elektrisch leitfähig sind, hierfür eingesetzt werden. ^'

Die Absorberschicht kann mindestens ein Material aus der Gruppe von Materialien, die eine Strahlung einer

elektromagnetischen Wellenlänge absorbieren und Strahlung einer anderen elektromagnetischen Wellenlänge emittieren, aufweisen, wobei die Gruppe von Materialien, die eine

Strahlung einer elektromagnetischen Wellenlänge absorbieren und Strahlung einer anderen elektromagnetischen Wellenlänge emittieren, zum Beispiel aufweist: Bariumiodid (Bal ₂ ) ,

Bariumiodid mit Cer dotiert (BaI ₂ :Ce) , Bariumfluorid (BaF ₂ ) , Bismuthgermanat (Bi4Ge30i ₂ ) , Cäsiumfuorid (CsF) , Cäsiumiodid

(Csl) , Cäsiumiodid mit Thallium dotiert (CsI:Tl) , Cäsiumiodid mit Natrium dotiert (CsI:Na) , Cäsiumiodid mit Indium dotiert (Csl: In) , Gandolinium-Oxyorthosilikat (Gd ₂ SiOs) , Gadolinium- Oxysulfid mit Terbium dotiert (Gd ₂ 0 ₂ S:Tb), Kadmium-Wolframat

(CdW0 ₄ ) , Kadmiumsulfid mit Indium dotiert (CdS:In) ,

Kadmiumfluorid (CdF) , Kaliumiodid mit Thallium dotiert

(KI:T1), Kalziumfluorid mit Europium dotiert (CaF ₂ :Eu) ,

Kalzium-Wolframat (CaW0 ₄ ) , Lanthanchlorid mit Cer dotiert

(LaCl ₃ :Ce) , Lanthanbromid mit Cer dotiert (LaBr3:Ce),

Lithiumiodid mit Europium dotiert (LiI:Eu), Lutetium- Oxyorthosilikat (LSO) , Lutetiumiodid mit Cer dotiert

(Lul ₃ :Ce), Natriumiodid mit Thallium dotiert (NaI:Tl) ^' ,

Strontiumiodid (Sri) , Zinkselenid mit . Sauerstoff dotiert

(ZnSe:0), Zinkselenid mit Tellur dotiert (ZnSe:Te) ,

Zinksulfid mit Silber dotiert (ZnS:Ag), Yttrium-Aluminium- Granat mit Cer dotiert (Y ₃ AI ₅ O12 : Ce ) , Anthracen (C14H10) ,

Naphtalen (CioHs) und/oder Stilben (C14H12) ·

In einer weiteren Ausführungsform kann die Absorberschicht mindestens ein Material aus der Gruppe von Materialien, die elektromagnetische Strahlung absorbieren können und dabei einen elektrischen Stromfluss erzeugen können, aufweisen, wobei die Gruppe von Materialien, die elektromagnetische Strahlung absorbieren können und dabei einen elektrischen Stromfluss erzeugen können, zum Beispiel aufweist: Fullerene: C60, C70, ( [6, 6] -Phenyl-CölButtersäuremethylester) (Abkürzung PCBM; PC61BM) , ( [ 6, 6] -Phenyl-C7 IButtersäuremethylester )

(Abkürzung PCBM; PC71BM) und/oder Indene-C60 Bisadduct

(ICBA); Polymere: Poly ( 3-hexylthiophen-2 , 5-diyl) (Abkürzung P3HT) , Poly [4, 8-bis (5- (2-ethylhexyl) thiophen-2-yl ) benzo [1, 2- b; 4, 5-b' ] dithiophene-2, 6-diyl-alt- (4- (2-ethylhexyl) -3- fluorothieno [3, 4-b] thiophene-) -2-carboxylate-2-6-diyl ) ]

(Abkürzungen PTB7-Th, PBDTTT-EFT), Poly ( { 4 , 8-bis [ (2- ethylhexyl ) oxy] benzo [ 1 , 2-b : 4 , 5-b ' ] dithiophene-2 , 6-diyl } { 3- fluoro-2- [ (2-ethylhexyl) carbonyl] thieno [3, 4-b] thiophenediyl } ) (Abkürzung: PTB7), Poly [N-9 ' -heptadecanyl-2 , 7-carbazole-alt- 5, 5- (4 ' , 7 ^r -di-2-thienyl-2 ' , 1 ' , 3 ' -benzothiadiazole ) ]

(Abkürzung: PCDTBT) , Poly [ 9, 9-didecanefluorene-alt- (bis- thienylene) benzothiadiazole] (Abkürzung: PF10TBT) , Poly[2,7- (5, 5-bis- (3, 7-dimethyloctyl) -5H-dithieno [ 3 , 2-b : 2 ' ,3'- d]pyran) -alt-4, 7- (5, 6-difluoro-2 , 1, 3-benzothia diazole)] (Abkürzung: PDTP-DFBT) und/oder Poly [( 5 , β-difluoro-2 , 1 , 3- benzothiadiazol-4 , 7-diyl) -alt- (3, 3' ' ' -di ( 2-octyldodecyl ) - 2, 2' ; 5' , 2" ; 5" , 2" ' -quaterthiophen-5 , 5 ' ' ' -diyl) ] (Abkürzung: PFFBT7T-20D) ; Quantenpartikel: Bleisulfid (PbS),

Cadmiumsulfid (CdS) und/oder Silizium (Si) ; Kombinationen: Gemische aus Fullerenen und Polymeren; Gemische aus

Fullerenen, Polymeren und den Szintillatormaterialien und/oder Gemische aus Fullerenen, Polymeren und PbS- Nanopartikeln .

Weitere bevorzugte Ausführungsformen und/oder Weiterbildungen der optoelektronischen Struktur werden beispielweise in den Nebenansprüchen ausgeführt.

In einer zusätzlichen Ausführungsform kann mindestens eine der Elektrodenschichten in dem Schichtenstapel derart

gebildet werden, dass die Elektrodenschicht zumindest

teilweise seitlich über alle anderen Schichten des

Schichtenstapels herausragen kann.

Der sich daraus ergebende Vorteil besteht darin, dass es eine solche Ausführungsform ermöglicht, die Elektrodenschichten derart aus der Struktur herausragen zu lassen, dass damit sich eine einfache und schnelle elektrisch leitfähige

Kopplung zu den Elektrodenschichten herstellen lässt,

beispielsweise zu weiteren elektronischen Schaltungen.

In einer zusätzlichen Ausführungsform kann die elektrisch aktive Absorberschicht derart über der Elektrodenschicht, die über dem Substrat angeordnet ist, aufgetragen werden, dass die elektrisch aktive Absorberschicht zumindest teilweise einen Bereich über der Elektrodenschicht und zumindest teilweise einen Bereich einer zusätzlichen Fläche der

Elektrodenschicht umschließen kann.

Der sich daraus ergebende Vorteil besteht darin, dass eine solche Ausführungsform es ermöglicht, dass die

Absorberschicht zusätzlich die Aufgabe einer elektrisch isolierenden Schicht übernehmen kann.

In einer weiteren Ausführungsform kann über mindestens einer der Oberflächen des Substrats mindestens eine erste Schicht, beispielsweise eine Filterschicht, aufgetragen werden, die der Oberfläche gegenüberliegt auf der die Schichtenstapel angeordnet sind und wobei die Schicht derart eingerichtet werden kann, dass die Schicht zumindest teilweise nur für eine zuvor bestimmte elektromagnetische Strahlung

beziehungsweise für ein zuvor bestimmten elektromagnetischen Spektralbereich durchlässig, d.h. diesbezüglich transparent oder transluzent, sein kann.

Der sich daraus ergebende Vorteil einer solchen Schicht besteht darin, dass eine solche Ausführungsform es

ermöglicht, dass ein einfach herzustellender und

kostengünstiger Photodetektor bereitgestellt werden kann, der eine zusätzliche Filterfunktionalität gegenüber zumindest einem zuvor bestimmten Spektralbereich aus dem

elektromagnetischen Spektrum bereitstellt. In einer weiteren Ausführungsform kann die Schicht mindestens ein Material aus der Gruppe von Materialien aufweisen, die derart eingerichtet werden können, dass die Materialien zumindest teilweise nur für eine zuvor bestimmte

elektromagnetische Strahlung durchlässig, d.h. diesbezüglich transparent oder transluzent, sind, wobei die Gruppe von

Materialien, die derart eingerichtet werden können, dass die Materialien zumindest teilweise für eine zuvor bestimmte elektromagnetische Strahlung durchlässig beziehungsweise für ein zuvor bestimmten elektromagnetischen Spektralbereich, d.h. diesbezüglich transparent oder transluzent, sind, zum Beispiel aufweist: Lithiumfluorid (LiF) , Magnesiumfluorid (MgF) , Molybdänoxid (M0O3) , Nioboxid (Nb20 ₅ ) , Siliziumdioxid (Si0 ₂ ), Tantaloxid (Ta ₂ 0 ₅ ) , Titandioxid (Ti0 ₂ ) , Wolframoxid ■ (W0O3) und/oder Zinkoxid (ZnO) . In einer zusätzlichen Ausführungsform kann die elektrisch aktive Absorberschicht und/oder das Substrat und/oder

mindestens eine oder mehrere zusätzlich aufgebrachte Schichten mindestens teilweise zumindest eines der Materialien aus der Gruppe von Materialien, die eine

Strahlung einer elektromagnetischen Wellenlänge absorbieren und Strahlung einer anderen elektromagnetischen Wellenlänge emittieren, aufweisen, wobei die Gruppe von Materialien aufweist: Bal ₂ , BaI ₂ :Ce, BaF ₂ , Bi ₄ Ge ₃ 0i ₂ , CsF, Csl, CsI:Tl, CsI:Na, CsI:In, Gd ₂ Si0 ₅ , Gd ₂ 0 ₂ S:Tb, CdW0 ₄ , CdS:In, CdF, KI:T1, CaF ₂ :Eu, CaW0 ₄ , LaCl ₃ :Ce, LaBr ₃ :Ce, LiI:Eu, LSO, LuI ₃ :Ce, NaI:Tl,. SrI, ZnSe:0, ZnSe:Te, ZnS:Ag, Y ₃ Al ₅ 0i ₂ :Ce, Ci ₄ Hio, CioH ₈

In einer zusätzlichen Ausführungsform kann die elektrisch aktive Absorberschicht zumindest teilweise mindestens eines der Materialien aus der Gruppe von Absorbermaterialien aufweisen, wobei die Gruppe von Absorbermaterialien aufweist: C60, C70, PCBM, PC61BM, PCBM, PC71BM und/oder ICBA, P3HT, PTB7-Th, PBDTTT-EFT, PTB7, PCDTBT, PF10TBT, PDTP-DFB ,

PFFBT7T-20D, PbS, CdS, Si, Gemische aus Fullerenen und

Polymeren, Gemische aus Fullerenen, Polymeren und

Szintillatormaterialien und/oder Gemische aus Fullerenen, Polymeren und PbS-Nanopartikeln, ein Gemisch aus P3HT und

PCBM und/oder organische Materialien, die elektromagnetische Strahlung absorbieren können und dabei einen elektrischen Stromfluss erzeugen können.

Der sich aus den beiden zuvor genannten Ausführungsformen ergebende Vorteil besteht darin, dass sich einerseits ein mittels der beanspruchten optoelektronischen Struktur

Photodetektor und andererseits ein Photovoltaikelement einfach und kostengünstig herstellen lässt.

In einer zusätzlichen Ausführungsform kann das Substrat eine Dicke, gebildet zwischen der unteren und der oberen

Oberfläche, aufweisen, die in einem Bereich von 0,5 μηι bis zu 100 μτα liegt. Der Vorteil einer solchen Ausführungsform besteht in einer anpassbaren Dimensionierung der damit hergestellten Struktur, wobei diese derart bereitgestellten Strukturen sowohl eine sehr kleine Dimensionierung aufweisen können, als auch demgemäß eine gesteigerte Ortsauflösung bei Detektoren bereitstellen können.

In einer zusätzlichen Ausführungsform kann das gefaltete Substrat Falten bilden und wobei eine gebildete Falte eine Faltenhöhe zwischen zwei aufeinanderfolgende Faltlinie aufweisen kann, die in einem Bereich von 0.1 mm bis zu 2 cm liegt.

Der Vorteil einer solchen Ausführungsform besteht in einer vergrößerten oder verlängerten nutzbaren Weglänge, die zur Detektion in der Absorberschicht bereitgestellt werden kann. In einer zusätzlichen Ausführungsform kann das gefaltete

Substrat mindestens zwei Pixel, gebildet mittels mindestens zweier Falten, bilden und wobei der gebildete Pixelabstand, gebildet senkrecht zur Faltrichtung und zwischen zwei Pixeln, aufweisen kann, der in einem ^' Bereich von 1 pm bis zu 1 mm liegt.

Der Vorteil einer solchen Ausführungsform besteht in einer anpassbaren Dimensionierung der damit hergestellten Struktur, wobei diese derart bereitgestellten Strukturen sowohl eine sehr kleine Dimensionierung aufweisen können, als auch demgemäß eine gesteigerte Ortsauflösung bei Detektoren bereitstellen können.

In einer zusätzlichen- Ausführungsform kann die elektrisch aktive Absorberschicht eine Dicke aufweisen, die in einem Bereich von 30 nm bis zu 10 pm liegt. Der Vorteil einer solchen Ausführungsform besteht in einer ^' anpassbaren Dimensionierung der damit hergestellten Struktur, wobei in den derart bereitgestellten Strukturen sowohl eine die Distanz zwischen den Elektroden verringert wird, was demgemäß wiederum eine gesteigerte Ortsauflösung bei

Detektoren bereitstellt.

In einer zusätzlichen Ausführungsform können senkrecht zu den, mittels des Faltens gebildeten Pixeln in dem

Schichtenstapel mittels Strukturierens zusätzliche Pixel gebildet werden, wobei die zusätzlichen Pixel einen

räumlichen Abstand zueinander aufweisen können, der in einem Bereich von 20 pm bis zu 1 cm liegt.

Der Vorteil einer solchen Ausführungsform besteht in einer gegenüber unstrukturierten optoelektronischen Strukturen gesteigerten Ort sauflösung bei solchen Detektoren.

In weiteren Ausführungsformen können die Pixel beispielsweise mittels eines Dünnschichtauftragungsverfahrens

■ vorstrukturiert werden, zum Beispiel mittels eines

lithografischen Pro.zessierens der Schichtenstapel, wie beispielsweise mittels eines Lift-Off-Prozesses .

Vorteilhaft können alle Ausführungsformen der

erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur in Kombination, mit einer oder mehreren der hierin genannten und

beschriebenen Ausführüngsformen realisiert werden. Weitere Ausführungsformen, sowie einige der Vorteile', die mit diesen und weiteren Ausführungsformen verbunden sind, werden durch die nachfolgende ausführliche Beschreibung unter Bezug auf die begleitenden Figuren detaillierter und besser

verständlich. Die Figuren sind lediglich schematische

Darstellungen einer Ausführungsform der Erfindung. Figurenbeschreibung

Dabei zeigen

Fig. 1 eine Schnittansicht einer Photodetektoranordnung,

Fig. 2 eine Schnittansicht gemäß einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur,

Fig. 3 eine Schnittansicht gemäß einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur,

Fig. 4 eine Draufsicht gemäß einer Ausführungsform einer

erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur, und Fig. 5 eine Schnittansicht gemäß einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur.

Detaillierte Beschreibung

In Fig. 1 ist eine Photodetektoranordnung 100, gemäß dem Stand der Technik, dargestellt, die. im Wesentlichen aus zwei Elektrodenschichten, 105 und 107, einer Absorptionsschicht

103 und einer elektronischen Messschaltung 101 aufgebaut ist. Des Weiteren ist in Fig. 1 die nutzbare Weglänge 104 für die Absorption von eingestrahlten Photonen 106 dargestellt, sowie die Distanz 102 zwischen den beiden Elektrodenschichten, 105 und 107. Mittels der Wechselwirkung von elektromagnetischer Strahlung 106 und dem jeweiligen Material in der

Absorberschicht 103 wird die Strahlung in elektrische Impulse gewandelt, wobei diese Impulse anschließend mittels der

Elektroden, 105 und 107, von der elektronischen

Messschaltung 101 detektiert werden und zur weiteren

Auswertung weiterverarbeitet werden können.

In Fig. 2 ist eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur 200 dargestellt, die im Wesentlichen aus einem Substrat 204, zwei

Elektrodenschichten, 201 und 203, sowie einer elektrisch aktiven Absorberschicht 202, aufgebaut ist.

Die erfindungsgemäße optoelektronische Struktur zur Detektion von mindestens einer elektromagnetischen Strahlung 200, d.h. mindestens einem Spektralbereich elektromagnetischer

Strahlung, kann beispielsweise dadurch bereitgestellt werden, dass zumindest über einem Bereich des Substrats 204, welches zumindest teilweise gegenüber der jeweiligen zu

detektierenden elektromagnetischen Strahlung, d.h.

beispielsweis einem zuvor definierten Spektralbereich, transparent beziehungsweise transluzent ist, d.h. für solch eine Strahlung transparent beziehungsweise transluzent, mindestens ein Schichtenstapel, 201, 202 und 203, aufgetragen wird, beispielsweise mittels mindestens einem der zuvor genannten Auftrageverfahren, wie zum Beispiel einem

Druckverfahren beziehungsweise Siebdruckverfahren.

Der mindestens eine. Schichtenstapel, 201, 202 und 203, kann zumindest im Wesentlichen aus mindestens drei jeweils

einzelnen Schichten beziehungsweise einem Schichtverbund aufgebaut beziehungsweise stellt mindestens jeweils drei einzelne Schichten beziehungsweise jeweils einen

Schichtverbund bereit, wobei auch mehr als drei Schichten oder Schichtverbünde bereitgestellt werden können,

beziehungsweise die jeweiligen Schichten können wiederum auch jeweils mittels mindestens einem Schichtverbunds gebildet werden. Der Schichtenstapel, 201, 202 und 203, kann zumindest die folgenden Schichten aufweisen: mindestens eine erste Elektrodenschicht 201, mindestens eine elektrisch aktive Absorberschicht 202 und mindestens eine zweite

Elektrodenschicht 203. Der mindestens eine Schichtenstapel, 201, 202 und 203, kann derart gebildet sein, dass über der mindestens einen

Elektrodenschicht 201, die über dem Substrat 204 angeordnet ist, die mindestens eine elektrisch aktive

Absorberschicht 202 angeordnet ist und dass über der

mindestens einen elektrischen Absorberschicht 202 die

mindestens eine zweite Elektrodenschicht 203 angeordnet ist.

Die beiden Elektrodenschichten, 201 und 203, können

beispielsweise mittels mindestens einem der zuvor genannten elektrisch leitfähigen Materialien gebildet sein oder solche aufweisen. Die elektrisch aktive Absorberschicht 202 kann mittels mindestens einem aus der Gruppe der zuvor genannten Materialien, die entweder eine Strahlung einer

elektromagnetischen Wellenlänge absorbieren und Strahlung einer anderen elektromagnetischen Wellenlänge emittieren oder die elektromagnetische Strahlung absorbieren können und dabei einen elektrischen Stromfluss erzeugen können, gebildet werden oder solche aufweisen.

Die Schichten, 201, 202 und 203, können beispielsweise derart übereinander angeordnet werden, dass beispielsweise alle

Schichten, 201, 202 und 203, im Wesentlichen deckungsgleich übereinander angeordnet sind. Beispielsweise können die

Schichten, 201, 202 und 203, zumindest teilweise derart übereinander angeordnet werden, dass nur jeweils Teilbereiche der Schichten, 201, 202 und 203, übereinander angeordnet sind.

Die Schichten, 201, 202 und 203, können beispielsweise derart zumindest teilweise übereinander angeordnet werden, dass beispielsweise mindestens eine der Schichten zumindest teilweise, 201, 202 und 203, über die anderen Schichten zumindest teilweise hinausragt. Die Schichten, 201, 202 und 203, können beispielsweise derart zumindest teilweise übereinander angeordnet werden, dass beispielsweise mindestens zwei der Schichten, 201, 202 und 203, zumindest teilweise über die andere Schicht

hinausragt. Beispielsweise können die beiden

Elektrodenschichten, 201 und 203, derart über die elektrische Absorberschicht 202 zumindest teilweise hinausragen, dass die beiden Elektrodenschichten, 201 und 203, nach außen hin elektrisch leitfähig gekoppelt werden können. In einer anderen Ausführungsform kann die elektrisch aktive

Absorberschicht 202 zumindest teilweise derart über eine oder beide Elektrodenschichten, 201 und 203, hinausragen, dass der dadurch gebildete Überstand beispielsweise eine

Isolierung zumindest für Teilbereiche der Elektroden

bereitstellen kann.

Nach dem Auftragen des Schichtenstapels, 201, 202 und 203, über mindestens einem Bereich des Substrat 204 kann die optoelektronische Struktur 200 mittels mindestens einem

Faltens oder Faltens gemäß einer der zuvor beschriebenen Falttechniken beziehungsweise Falztechniken entlang

mindestens einer Faltlinie hergestellt beziehungsweise gebildet werden, wobei die Faltlinie wie zuvor beschrieben beispielsweise eine virtuelle oder eine vorprozessierte physische Faltlinie sein kann und wobei der Bereich des

' Substrats, den die Faltlinie einnimmt beziehungsweise bildet, zum Bereich mit dem Schichtenstapel, wie zuvor beschrieben, angeordnet sein kann. In einer Ausführungsform kann der

Bereich des Substrats, über dem der Schichtenstapel

aufgetragen wird, an den Bereich, den die Faltlinie einnimmt beziehungsweise bildet, angrenzen.

Wie in Fig. 2 dargestellt bildet sich mittels des Faltens oder Falzens im Bereich um die Faltlinie herum ein gekrümmter Bereich in dem Substrat 204. Für den Fall, dass mittels des Faltens oder Falzens das gefaltete oder gefalzte Substrat 204 den mindestens einen Schichtenstapel, 201, 202 und 203, auf mindestens drei Seiten des Schichtenstapels umgibt

beziehungsweise umschließt, so grenzt zumindest teilweise der Schichtenstapel, 201, 202 und 203, an einer Stirnseite, wobei mit Stirnseite des Schichtenstapels die Seite definiert ist, bei der zumindest ein Teil der einzelnen Schichten des

Schichtenstapels, 201, 202 und 203, als ein gestapeltes

Bauelement, d.h. ein Stapel von Schichten beziehungsweise Elementen, sichtbar sind, jeweils abhängig davon, ob eine oder mehrere Schichten über jeweils andere Schichten

hinausragen und diese verdecken können. Demgemäß ist die Oberseite beziehungsweise die Unterseite des

Schichtenstapels, 201, 202 und 203, wobei die Oberseite der Unterseite gegenüberliegt, dadurch gekennzeichnet, dass bei diesen Seiten, Oberseite und Unterseite, zumindest im

Wesentlichen nur eine der Schichten des

Schichtenstapels, 201, 202 und 203, sichtbar sind, in

Abhängigkeit, ob Schichten derart angeordnet sind, dass sie jeweils nur über einem Teil der darunter angeordneten

Schichten aufgetragen sind. Dementsprechend umgibt

beziehungsweise umschließt das Substrat 204 nach dem Falten beziehungsweise Falzen zumindest teilweise den

Schichtenstapel, 201, 202 und 203, angrenzend an mindestens einer Stirnseite, Oberseite und Unterseite des

Schichtenstapels, 201, 202 und 203. Mittels dieser derart gebildeten optoelektronischen Struktur 200 kann es ermöglicht werden, die optoelektronischen Struktur 200 derart gegenüber einer, der zuvor genannten, einstrahlenden

elektromagnetischen Strahlungen 205, beispielsweise eine Röntgenstrahlung oder Infrarotstrahlung beziehungsweise einen Spektralbereich hieraus, anzuordnen, dass die einfallende elektromagnetische Strahlung 205 durch eine Oberfläche des gekrümmten Bereichs des Substrats 204 hindurch tritt und auf dessen gegenüberliegenden Seite heraus tritt und auf die Stirnseite des Schichtenstapels, 201, 202 und 203, derart trifft, dass es im Wesentlichen auf die Stirnseite der

Absorberschicht 202 trifft. Demgemäß wird kann die größte räumliche Ausdehnung der Absorberschicht 202 bereitgestellt werden und somit die größte beziehungsweise längste nutzbare Weglänge zur Absorption der Absorberschicht 202.

In Fig. 3 ist eine weitere Ausführungsform einer

erfindungsgemäßen optoelektronische Struktur 300 dargestellt, die im Wesentlichen aus einem Substrat 301, den

Elektrodenschichten, 302, 304, 305 und 307, sowie den

elektrisch aktiven Absorberschichten 303 und 306,

aufgebaut ist. Die in Fig. 3 dargestellte Ausführungsform kann

beispielsweise dadurch hergestellt beziehungsweise

bereitgestellt werden, dass auf dem Substrat 301 eine

Vielzahl von Bereichen mit jeweils mindestens einem

Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, aufgebracht werden, wobei die Bereiche mit den

Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, derart angeordnet sind, das mittels Faltens oder Falzens die

Bereiche zumindest teilweise aneinander angrenzend angeordnet sind. Die Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, sind jeweils, wie zuvor beschrieben, derart eingerichtet, dass jeweils ein

Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, aus ^' mindestens einer ersten Elektrode, 302 und 307, einer ersten elektrisch aktiven Absorberschicht, 303 und 306, und

mindestens einer zweiten Elektrode, 304 und 305, gebildet wird. Jede der zuvor genannten Schichten kann jeweils mittels gleicher beziehungsweise ähnlicher Materialien gebildet werden beziehungsweise aufweisen, wie bereits zuvor

beschrieben . Jede der zuvor genannten Schichten kann jeweils gleich beziehungsweise .ähnlich gegenüber den anderen Schichten angeordnet sein, wie bereits zuvor beschrieben.

Jede der zuvor genannten Schichten kann jeweils den gleichen beziehungsweise einen ähnlichen Aufbau beziehungsweise

Zusammensetzung aufweisen, wie bereits zuvor beschrieben.

Jede Faltlinie, kann jeweils gemäß der, zuvor beschriebenen, Faltlinien gebildet sein.

Die in Fig. 3 dargestellte erfindungsgemäße optoelektronische Struktur 300 kann beispielsweise derart bereitgestellt sein, dass die Bereiche mit den

Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308 im Wesentlichen symmetrisch zueinander auf dem Substrat

aufgetragen sind, wobei die Faltlinien zwischen den Bereichen mit den Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307

und 308, angeordnet sind, dass mittels Faltens oder Falzens die Bereiche mit den

Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, angrenzend aneinander angeordnet sind, wobei das Falten beziehungsweise das Falzen derart durchgeführt wird, dass jeweils die gekrümmten Bereiche um die Faltlinien herum, bei denen jeweils zwei Bereiche mit den

Schichtenstapel, 302, 303, 304,, 305, 306, 307 und 308, aneinander angrenzend angeordnet sind, wiederum aneinander angrenzen. Dementsprechend sind zwischen den Faltlinien, die mittels Faltens oder Falzens einen gekrümmten Bereich

aufgrund der dazwischen angeordneten Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, bilden, zusätzliche Faltlinien angeordnet, wobei beim Falten oder Falzen, nur das Substrat 301 aneinander angrenzend angeordnet ist. Somit unterscheiden sich diese mindestens zuvor genannten zwei gekrümmten Bereiche im jeweiligen Radius voneinander. Darüber hinaus unterscheiden sich die zuvor genannten zwei gekrümmten Bereich dadurch, dass die

gekrümmten Bereich, bei denen keine

Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, zwischen dem Substrat 301 angeordnet sind, nach dem Falten oder Falzen nicht aneinander angrenzen. Das Falten

beziehungsweise das Falzen entlang der Faltlinien erfolgt hierbei zum Beispiel in einer Zick-Zack-Struktur, d.h. bei jedem Falz oder jeder Falte wird alternierend die

Faltrichtung beziehungsweise Falzrichtung gewechselt.

Wie in Fig. 3 dargestellt können die Schichten auf mindestens einer Stirnseite des

Schichtenstapels, 302, 303, 304, 305, 305, 307 und 308, derart eingerichtet sein, dass mindestens eine der

Elektrodenschichten 305 zumindest teilweise über die anderen Schichten, 302, 303, 304,. 306, 307 und 308, hinausragt und dabei einen Bereich bildet der aus über die Struktur 300 hinausragt. Hierdurch kann diese Elektrodenschicht, 305 und .308, beziehungsweise die angrenzenden

Elektrodenschicht 304 aus der Struktur 300 nach außen

elektrisch leitfähig gekoppelt werden.

Dadurch kann zum Beispiel eine solche optoelektronische

Struktur 300 eine einfache und schnelle elektrische

Verbindung zu weiteren elektrischen oder elektronischen

Bauelementen oder Schaltungen bereitstellen.

Der überstehende oder darüber hinausragende Teil der

Elektrodenschichten, 302, 304, 306 und 308, kann beispielsweise bis über den gekrümmten Bereich um die

Faltlinien geführt werden, bei denen keine

Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, zwischen dem Substrat 301 angeordnet sind, Darüber hinaus können die elektrisch aktiven

Absorberschichten, 303 und 306, derart zwischen die

Elektrodenschichten aufgetragen werden, dass zumindest teilweise eine Stirnseite mindestens einer

Elektrodenschicht, 302, 304, 306, 307 und 308, mittels der Absorberschichten, 303 und 306, umgeben beziehungsweise umschlossen wird.

Dadurch kann mittels der Absorberschichten, 303 und.306, eine schnelle und einfache Isolation zwischen den Elektroden bereitgestellt werden. In Fig.. 4 ist eine weitere Ausführungsform einer

erfindungsgemäßen optoelektronische Struktur 400 dargestellt, die im Wesentlichen aus einem Substrat 401, den

Schichtenstapel 406, den Faltlinien 401 und 402, der

mindestens einen elektrisch leitfähigen Verbindung 404, den Elektrodenkontakten 405 und den im Wesentlichen freigelegten Bereichen 407 zwischen den Schichtenstapel aufgebaut ist.

Die Schichtenstapel 406 sind, gemäß den, zuvor bereits beschriebenen, Schichtenstapel aufgebaut und weisen die gleichen oder ähnliche Materialien auf beziehungsweise sind daraus gebildet und sind gleich oder ähnlich zueinander angeordnet .

Das Substrat 406 ist gemäß den zuvor beschriebenen Substraten gebildet, d.h. das Substrat 406 weist gleiche oder ähnliche Materialien auf beziehungsweise ist daraus gebildet. Die Faltlinien, 401 und 402, sind gemäß den zuvor beschriebenen Faltlinien gebildet.

In der Ausführungsform der erfindungsgemäßen

optoelektronischen Struktur 400 kann eine Elektrodenschicht für alle beziehungsweise einen Teil der später eingesetzten Pixel der Photodiode beziehungsweise des Photodetektors des Arrays mittels der mindestens einen elektrisch leitfähigen Verbindung 404 über zum Beispiel eine Seite der Struktur 400 nach außen hin elektrisch leitfähig gekoppelt werden. Die einzelnen Pixel im Array werden mittels der

Schichtenstapel 506 definiert beziehungsweise festgelegt. Hierbei wird mittels der Elektrodenkontakte 405, die zwischen die Pixeln herausragen, wobei sich die den

Elektrodenkontakten 405, der sich gegenüber angeordneten Pixel, zueinander versetzt angeordnet sind, eine Adressierung ■der einzelnen Pixel realisieren lässt.

Die Pixel in dem Array können derart über dem Substrat 403 angeordnet werden, dass jeweils benachbarte Pixel zumindest teilweise gleichmäßig voneinander räumlich getrennt

angeordnet sind, d.h. dass beispielsweise die Pixel jeweils einen zuvor definierten Abstand zueinander beziehungsweise untereinander aufweisen. Dadurch können zumindest teilweise Faltlinien, 401 und 402, zwischen den Pixeln angeordnet werden. Die Faltlinien 402 stellen Faltlinien dar, bei denen nach dem Falten oder Falzen zwei Pixel gemäß Fig. 3

aneinander angrenzen. Die Faltlinien 401 stellen Faltlinien dar, bei denen nach dem Falten oder Falzen, zwei

Substratbereiche 403 aneinander angrenzen.

Die im Wesentlichen freigelegten Bereichen 407 sind dazu bereitgestellt, um ein Kurzschließen zwischen den einzelnen Pixeln zu verhindern. Die im Wesentlichen freigelegten Bereichen 407 sind dazu im Wesentlichen frei beziehungsweise freigelegt von zusätzlichen oder anderen Elementen.

Der Vorteil der zuvor genannten Ausführungsform besteht, darin, dass sich damit großflächige erfindungsgemäße

optoelektronische Strukturen verwirklichen lassen, die für eine Massenproduktion geeignet sind und somit auch

kostengünstig hergestellt werden können, zum Beispiel in einem Rolle-zu-Rolle-Verfahren, wobei die einzelnen

Strukturen mittels bereits genannte Strukturierungsverfahren oder beispielsweise nach einem Vereinzeln wiederum sehr kleine Dimensionen aufweisen können, was wiederum für eine hohe Ort sauflösung der Detektoren vorteilhaft ist.

In Fig. 5 ist eine weitere Ausführungsform einer

erfindungsgemäßen optoelektronische Struktur 500 dargestellt, die im Wesentlichen gemäß der Ausführungsform gemäß Fig. 3 mit, einer zusätzlichen Schicht 501 aufgebaut ist.

Alle Elemente außer die zusätzliche Schicht 501 der

erfindungsgemäßen optoelektronische Struktur 500 sind gemäß Fig. 3 und den dort zuvor beschriebenen Ausführungen

aufgebaut beziehungsweise darauf basierend gebildet.

Die zusätzliche Schicht 501 kann über der Seite des Substrats der optoelektronischen Struktur 500 aufgetragen werden, die im Wesentlichen freigelegt beziehungsweise frei von weiteren oder anderen Elementen beziehungsweise Strukturen ist. Die zusätzliche Schicht 501 kann über mindestens einer der Oberflächen des Substrats mindestens eine zusätzliche

Schicht 501, beispielsweise eine Filterschicht, aufgetragen werden, welche der Oberfläche gegenüberliegt, auf der die Schichtenstapel angeordnet sind, und wobei die zusätzliche Schicht 501 derart eingerichtet sein kann, dass die

zusätzliche Schicht 501 zumindest teilweise nur für eine zuvor bestimmte elektromagnetische Strahlung durchlässig, d.h. transparent oder transluzent für mindestens einen elektromagnetischen Spektralbereich, sein kann.

Die zusätzliche Schicht 501 kann beispielsweise auf einer unbeschichteten Seite des Substrats oder Foliensubstrats, in einer Schicht oder auch mehrere Schichten eines angepassten Szintillatormaterials oder mehrerer angepasster

Szintillatormaterialien aufgebracht werden. Die eingestrahlte elektromagnetische Strahlung kann durch das Substrat und die mindestens eine zusätzliche Schicht 501 hindurch dringen und von der zuvor genannten Photodetektorstruktur ortsaufgelöst detektiert werden. Die so vorprozessierte Folie oder Substrat übernimmt hierbei die Funktion der optischen Faserplatte bei konventionellen digitalen Röntgendetektorsystemen.

Bezugszeichenliste :

Elektrodenschicht 105, 107, 201, 203, 302,

304, 305, 307, 406 Absorberschicht 106, 202, 303, 306, 406

Optische Weglänge 104

Distanz zwischen den Elektroden 102

Mess Schaltung 101

Elektromagnetische Strahlung 106, 205 Substrat 204, 301, 403

Elektrodenkontakt 308, 405

Faltlinien 401, 402 ^'

Elektrisch leitfähige Verbindung

Freigelegte Bereiche 407 Szintillatorschicht 501