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Title:
ORGANIC EL DEVICE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2008/129979
Kind Code:
A1
Abstract:
Disclosed is an organic EL device (1) comprising an anode (12), a cathode (14), and a light-emitting layer (132) arranged between the anode (12) and the cathode (14). The light-emitting layer (132) contains a host, a first dopant and a second dopant, and the luminous intensity of the first dopant is not less than 12 times the luminous intensity of the second dopant. The content of the second dopant is from 0.001% by mass to 0.5% by mass, and the light-emitting layer (132) is formed by a coating process.

Inventors:
FUKUOKA KENICHI (JP)
KAWAMURA HISAYUKI (JP)
Application Number:
PCT/JP2008/057332
Publication Date:
October 30, 2008
Filing Date:
April 15, 2008
Export Citation:
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Assignee:
IDEMITSU KOSAN CO (JP)
FUKUOKA KENICHI (JP)
KAWAMURA HISAYUKI (JP)
International Classes:
H01L51/50; C09K11/06; H05B33/10
Foreign References:
JP2003338377A2003-11-28
JP2004221045A2004-08-05
JP2003059666A2003-02-28
JP2000164362A2000-06-16
JP2003055652A2003-02-26
Other References:
ZHANG T. ET AL.: "Spectral Properties of Energy Transfer in Doubly Doped Polymer Electroluminescence", SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS, vol. 26, no. 1, 2006, pages 19 - 22
JING ET AL.: "Improvement of efficiency and color purity utilizing two-step energy transfer for red organic light-emitting devices", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 81, no. 16, 2002, pages 2935 - 2937, XP012032181, DOI: doi:10.1063/1.1515884
Attorney, Agent or Firm:
KINOSHITA & ASSOCIATES (Ogikubo TM building26-13, Ogikubo 5-chome,Suginami-k, Tokyo 51, JP)
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Claims:
 陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた発光層と、を備えた有機EL素子であって、
 前記発光層は、ホストと、第1ドーパントと、第2ドーパントと、を含有し、
 前記第1ドーパントの発光強度は、前記第2ドーパントの発光強度の12倍以上であり、
 前記発光層は、塗布プロセスによって成膜される
 ことを特徴とした有機EL素子。
 請求項1に記載の有機EL素子において、
 前記第2ドーパントの含有量は、0.001質量%~0.5質量%である
 ことを特徴とした有機EL素子。
 請求項1または請求項2に記載の有機EL素子において、
 前記第1ドーパントのエネルギーギャップは、前記第2ドーパントのエネルギーギャップよりも大きい
 ことを特徴とした有機EL素子。
 請求項1から請求項3のいずれかに記載の有機EL素子において、
 前記発光層と前記陰極との間に電子輸送層を備え、
 前記第2ドーパントは、前記ホストに対してアフィニティ準位が0.2eV以上大きく、
 前記電子輸送層の電子移動度は、0.25mV/cmの電界強度において、10 -4 cm 2 /Vs以上である
 ことを特徴とした有機EL素子。
 請求項4に記載の有機EL素子において、
 前記電子輸送層は、下記式(1)で表される含窒素複素環誘導体を含む
 ことを特徴とした有機EL素子。
 (式中、HArは、置換もしくは無置換の炭素数3~40の含窒素複素環基である。
 Lは、単結合、置換もしくは無置換の炭素数6~60のアリーレン基、置換もしくは無置換の炭素数3~60のヘテロアリーレン基または置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。
 Ar 1 は、置換もしくは無置換の炭素数6~60の2価の芳香族炭化水素基である。
 Ar 2 は、置換もしくは無置換の炭素数6~60のアリール基または置換もしくは無置換の炭素数3~60のヘテロアリール基である。)
Description:
有機EL素子

 本発明は、有機EL素子に関する。特に、 光寿命の長い有機EL素子に関する。

 従来、下記のような有機EL(ElectroLuminescence) 子が知られている。
 有機EL素子は、陽極と、陰極と、陽極と陰 との間に配設された有機化合物にて構成さ る発光層と、を備える。
 そして、電圧を印加し、発光層に電流を流 。
 すると、発光層における電子と正孔との再 合の際の放出エネルギーが光として取り出 れる。
 ここで、発光層を単一の有機化合物で構成 るのではなく、ホスト材料にドーパント材 を添加した構成が知られている(例えば、特 許文献1)。
 通常、ホストに対し、ドーパントは0.1~20質 %程度ドープされる。
 すると、発光効率および寿命に優れた有機E L素子とすることができる。

 そして、更なる改良のため、特に長寿命 のために、発光層ではなく、発光層に隣接 た副次的な層にドーパントをドープするこ が知られている(例えば、特許文献2、3、4)

 特許文献2では、発光層に隣接した正孔輸送 層あるいは電子輸送層において発光層に接す る副次的な層(二次層)を設け、この二次層に 光に寄与しない色中性ドーパントをドープ る構成が開示されている。
 特許文献3では、正孔注入層に多環縮合環化 合物(具体的にはルブレン)をドープする構成 開示されている。
 特許文献4では、主として発光する陽極側の 青色発光層の陰極側に赤色発光層を配置した 構成が開示されている。
 そして、このような構成により、有機EL素 の駆動が安定し、寿命が長くなる効果が開 されている。

 しかしながら、上記文献に開示される構 では、発光層や電荷輸送層の他に新たに層 増やす必要があるため、製造工程が複雑に ってしまうという問題がある。

 ここで、特許文献5には、一の発光層に複数 のドーパントを含有させる構成が開示されて いる。
 複数のドーパントとしては、3種が挙げられ 、すなわち、(i)励起子トラップドーパント、 (ii)正孔トラップドーパント、(iii)ルミネセン スドーパントが挙げられている。
 例として、トリス(8-キノリノール)アルミニ ウム(Alq)錯体からなるホストに、(i)励起子ト ップドーパントとしてルブレン5%、(ii)正孔 ラップドーパントとして4,4’-ビス(N-(1-ナフ チル)-N-フェニルアミノ)ビフェニル(NPD)5%、(ii i)ルミネセンスドーパントとしてDCJTB2%をドー プした構成が開示されている。この構成によ り、駆動寿命が長くなる効果が開示されてい る。

 しかしながら、前記特許文献5に記載の有機 EL素子の構成では、ルミネセンスドーパント 対して、励起子トラップドーパントや正孔 ラップドーパントの量が多く、励起子トラ プドーパントや正孔トラップドーパントも 然に発光している。
 そのため、ルミネセンスドーパントの発光 に対して色純度が低下してしまう。
 さらには、一の発光層を構成するにあたっ 、ホスト材料と3つのドーパント材料とで合 計4種の材料により発光層を成膜することは 常に困難である。
 また、前記特許文献5の実施例に開示される ごとく蒸着法によって成膜する場合、4種の 料を蒸発させて全体に均一な濃度で共蒸着 ることは困難である。また、この蒸着法に る成膜では、部分的な濃度のムラが生じて まうことは避けられず、発光ムラが生じる で、現実的ではない。

特開平07-288184号公報

特開2003-051388号公報

米国特許第5989737号公報

特開2004-221045号公報

特開2002-38140号公報

 本発明の主な目的は、色純度を保ち、実 的な製造工程で製造でき、かつ、長寿命で る有機EL素子を提供することにある。

 本発明の有機EL素子は、陽極と、陰極と 前記陽極と前記陰極との間に設けられた発 層と、を備えた有機EL素子であって、前記発 光層は、ホストと、第1ドーパントと、第2ド パントと、を含有し、前記第1ドーパントの 発光強度は、前記第2ドーパントの発光強度 12倍以上であり、前記発光層は、塗布プロセ スによって成膜されることを特徴とする。

 このような構成において、主に発光を担う 1ドーパントとは別に、第2ドーパントを発 層に添加する。
 第2ドーパントの発光強度は、主として発光 を担う第1ドーパントの発光強度と比べ、非 に小さい。このため、第2ドーパントの発光 より有機EL素子全体としての発光の色純度 低下することがなく、有機EL素子の発光の色 純度は維持される。
 そして、第2ドーパントは発光色に寄与する ものではないが、このような微量の第2ドー ントが添加されることにより、有機EL素子が 長寿命化される。

 なお、ここでいうドーパント発光強度とは 通電時に得られるEL発光スペクトルの当該 ーパントからの発光成分を意味する。
 一般的に、第1ドーパントの発光強度を第2 ーパントの発光強度よりも高くする場合に 、発光層中の第1ドーパントの含有量を、第2 ドーパントの含有量よりも多くすることが必 要である。また、第1ドーパントの方が第2ド パントよりも発光ピーク波長が短波長であ 場合は、第1ドーパントの発光エネルギーが 第2ドーパントに移動したり、吸収再発光し りするため、第2ドーパントの方が発光しや い傾向がある。
 例えば、第2ドーパントの含有量を十分に少 なくすることにより、第1ドーパントと第2ド パントとの発光強度比を12倍以上にするこ ができる。

 本発明において、発光層は、塗布プロセス 成膜される。
 すなわち、それぞれ所定量ずつのホスト材 、第1ドーパント材料、第2ドーパント材料 溶媒に溶解させて有機EL材料含有溶液とする 。この有機EL材料含有溶液を基板あるいは下 層等に滴下し、溶媒を蒸発させる。すると 光層が成膜される。
 これによれば、第1ドーパントと、微量の第 2ドーパントと、が均一に分散した発光層を 易に成膜することができる。

 従来は発光層の成膜にあたり蒸着法を用い いたため、複数のドーパントを、異なる濃 で、一つの層に均一に共蒸着させることが 難であった。
 ここで、複数のドーパントのそれぞれの濃 を高くすれば(例えば、1質量%以上)、蒸着法 でも均一な成膜が可能であるが、その場合、 第2ドーパントの発光強度も強くなり、有機EL 素子全体の発光の色純度が低下する。すなわ ち、従来の成膜プロセスである蒸着法では一 つの発光層にドープした第1ドーパントと第2 ーパントで発光強度比を12倍以上にするこ は不可能であった。
 そのため、従来は、第1ドーパントを含有す る発光層とは別に、微量の第2ドーパントを 有する二次層を設けていた。しかし、この 合、有機EL素子の積層数が増え、製造工程が 複雑になるとともに、光取り出し効率が低下 する。
 つまり、積層数を抑え、かつ、色純度を保 つつ複数のドーパントを用いることが困難 あった。

 この点、本発明によれば、成膜工程におい 塗布プロセスを用いるので、材料の混合比 正確に制御でき、さらに、微量の混合量で っても膜中に均一分布させることができる
 そして、第2ドーパントの発光強度を、第1 ーパントの発光色に影響のない程度に抑え ことができる。
 したがって、本発明によれば、色純度を劣 させることなく、また、積層数を増やすこ なく複数のドーパントを用いることができ 有機EL素子の長寿命化を図ることができる

 本発明では、前記第2ドーパントの含有量は 、0.001質量%~0.5質量%であることが好ましい。
 このように第2ドーパントの含有量を低くす ることで、第2ドーパントの発光強度は小さ して、第1ドーパントと第2ドーパントとの発 光強度比を12倍以上にすることができる。

 本発明では、前記第1ドーパントのエネル ギーギャップは、前記第2ドーパントのエネ ギーギャップよりも大きいことが好ましい

 例えば、第1ドーパントのエネルギーギャ ップが2.9eV以上であり、第2ドーパントのエネ ルギーギャップが2.9eV未満とすることが例と て挙げられる。

 このような構成において、発光層にエネル ーギャップが小さい第2ドーパントが微量に 含まれる。
 すると、この第2ドーパントが電荷トラップ となって、発光層に過剰に注入される電荷( 子またはホール)をトラップして電荷バラン を整える。
 その結果、有機EL素子の発光性能を向上さ つつ、長寿命化を図ることができる。

 従来、電荷の注入バランスが偏って、電子 たは正孔の一方が過剰に発光層に注入され 場合、発光効率が低下したり、寿命が短く るという問題が生じていた。
 これは、電荷の注入バランスが偏った場合 発光域が発光層の陽極側または陰極側にず たり、さらには、電荷が発光層を通過して まうという現象が生じているためと考えら る。
 電荷の不釣合いにより発光域がずれた場合 は、十分に発光材料の性能を引き出すこと できない。
 さらに、発光層のみならず正孔輸送層ある は電子輸送層にまで電荷が通過してしまう 、正孔輸送層や電子輸送層で電荷の再結合 起こってしまうために、材料の劣化が激し 寿命を短くしていると考えられている。

 この点、本発明では、第2ドーパントによっ て発光層の電荷のバランスを調整できる。そ の結果、再結合領域を発光層の最適な領域に 制御して発光効率を維持し、かつ、長寿命化 を図ることができる。
 そして、この場合でも、第2ドーパントの含 有量は小さいので、有機EL素子全体の発光色 影響を与えることなく、色純度を保つこと できる。

 なお、第2ドーパントの発光が第1ドーパン の発光色に影響を与えないという観点から 第2ドーパントの含有量は少ない方が好まし 。一方、電荷トラップとして第2ドーパント が機能する観点からは所定の濃度が必要であ る。
 この点から、第2ドーパントの含有量は、0.0 01質量%~0.5質量%であることが好ましく、0.005 量%~0.4質量%であることがより好ましく、0.01 量%~0.1質量%であることがさらに好ましい。

 ここで、エネルギーギャップとは、伝導レ ルと価電子レベルとの差をいい、例えば、 ンゼン中の吸収スペクトルの吸収端から測 した値により規定することができる。具体 には、市販の可視紫外分光光度計を用いて 収スペクトルを測定し、その吸収スペクト が立ち上がり始める波長から算出する。
 ただし、上記の規定によらず、本発明の趣 を逸脱しない範囲でエネルギーギャップと て定義できる値であればよい。

 本発明では、前記発光層と前記陰極との間 電子輸送層を備え、前記第2ドーパントは、 前記ホストに対してアフィニティ準位が0.2eV 上大きく、前記電子輸送層の電子移動度は0 .25mV/cmの電界強度において、10 -4 cm 2 /Vs以上であることが好ましい。

 この構成において、電子移動度が高い電子 送層を用いることにより、有機EL素子の駆 電圧を低下させることができる。
 また、発光層に注入された電子および正孔 よる励起子エネルギーは、ホストから第1ド ーパントに移動して発光として取り出される 。

 ここで、電子輸送性能が高い電子輸送層を いた場合、駆動電圧を下げることができる 方、電子を発光層に過剰に注入してしまう れもある。
 そして、過剰に注入された電子が正孔輸送 (または陽極)に達してしまうと正孔輸送層( たは陽極)を劣化させてしまい、有機EL素子 寿命を短くしてしまう。
 この点、本発明では、ホストよりもアフィ ティ準位が大きい第2ドーパントを備える。 すると、この第2ドーパントが電子トラップ して作用する。過剰に注入された電子が第2 ーパントによってトラップされ、電荷バラ スが整えられる。
 その結果、電子移動度の高い電子輸送材に って電圧を低下させつつ、長寿命化も図る とができる。

 ここで、アフィニティ準位Af(電子親和力)と は、材料の分子に電子を一つ与えた時に放出 または吸収されるエネルギーをいい、放出の 場合は正、吸収の場合は負と定義する。
 アフィニティ準位Afは、イオン化ポテンシ ルIpと光学エネルギーギャップEgとにより次 ように規定する。
 Af=Ip-Eg
 ここで、イオン化ポテンシャルIpは、各材 の化合物から電子を取り去ってイオン化す ために要するエネルギーを意味し、例えば 本願では、紫外線光電子分光分析装置(AC-3、 理研(株)計器)で測定した値を用いることがで きる。
 ただし、上記の規定によらず、本発明の趣 を逸脱しない範囲でアフィニティ準位とし 定義できる値であればよい。

 また、電子移動度は、例えば、TOF(Time-Of-F light)法によって測定することが例として挙げ られるが、測定法は限られるものではない。

 本発明では、前記電子輸送層は、下記式( 1)で表される含窒素複素環誘導体を含むこと 好ましい。

 (上記式(1)中、HArは、置換もしくは無置換の 炭素数3~40の含窒素複素環基である。
 Lは、単結合、置換もしくは無置換の炭素数 6~60のアリーレン基、置換もしくは無置換の 素数3~60のヘテロアリーレン基または置換も くは無置換のフルオレニレン基である。
 Ar 1 は、置換もしくは無置換の炭素数6~60の2価の 香族炭化水素基である。
 Ar 2 は、置換もしくは無置換の炭素数6~60のアリ ル基または置換もしくは無置換の炭素数3~60 ヘテロアリール基である。)

 このような材料により、高い電子輸送性 を有する電子輸送層を構成することができ 。

 なお、本発明では、発光層のホストにド プするドーパントとして、第1ドーパント、 第2ドーパントに加えて、さらに、第3ドーパ トを添加してもよい。

本発明の実施形態に係る有機EL素子の 例を示す図である。

符号の説明

  1   有機EL素子
 11   基板
 12   陽極
 13   有機層
 14   陰極
 15   保護膜
131   正孔輸送帯域
131A   正孔輸送層
132   発光層
133   電子輸送帯域
133A   電子輸送層
133B   電子注入層

 以下、本発明の実施形態について説明す 。

 図1は、有機EL素子の一例を示す図である。
 有機EL素子1は、ディスプレイパネルの各画 を構成するものであり、図示しない所定の 動回路により印加電圧が制御され、発光動 の制御が行われる。
 有機EL素子1は、基板11側から順に積層され 陽極12、有機層13および陰極14を備え、保護 15にて覆われて気密に保護される。

 本実施形態では、透明のガラス基板11側か 発光光を取り出すボトムエミッションタイ であり、ガラス基板11上に透明電極を陽極12 して備える。
 また、有機層13を挟んで陽極12と反対側には Al等で構成され光反射性の陰極14を備える。

 有機層13は、陽極12側から順に、正孔輸送 帯域131、発光層132、電子輸送帯域133、を備え る。

 正孔輸送帯域131は、陽極12から注入された ールを輸送して発光層132にホールを注入す もので、本実施形態では正孔輸送層131Aから る。
 正孔輸送層131A(正孔輸送帯域131)は、イオン エネルギーが小さいものが好ましく、例え 、通常5.5eV以下であることが好ましい。
 また正孔輸送層131A(正孔輸送帯域131)は、よ 低い電界強度で正孔を輸送する材料が好ま く、例えば、10 4 ~10 6 V/cmの電界印加時に、少なくとも10 -4 cm 2 /V・秒であれば好ましい。具体的な材料につ ては後述する。

 発光層132は、電界印加時に正孔および電子 それぞれ注入され(電荷注入機能)、この注 された電荷(正孔、電子)を電界の力で輸送し (電荷輸送機能)、正孔と電子との再結合の場 提供してこれを発光につなげるものである( 発光機能)。
 本実施形態において、発光層132は、ホスト 、第1ドーパントと、第2ドーパントと、を える。
 ここで、ホスト材料とドーパント材料につ て説明する。
 発光層132は、発光層132の大部分を構成する スト材料と、このホスト材料にドープされ ドーパント材料とで構成される。
 ホスト材料は、例えば30nm~100nmの発光層132の 大部分(例えば80%以上)を構成する。
 ホスト材料に対してドーパント材料が添加( ドープ)されており、その比(ドーパント材料/ ホスト材料)は0.01~20質量%とすることが一例と して挙げられる。
 ホスト材料からドーパント材料にエネルギ 移動等が生じ、ドーパント材料が発光機能 担う。

 そして、本実施形態においては、ホストに して2種類のドーパントとして第1ドーパン と第2ドーパントとがドープされる。
 発光の大部分は第1ドーパントが担うもので あり、第1ドーパントの発光強度I 1 は、第2ドーパントの発光強度I 2 の12倍以上である。
 本実施形態の有機EL素子1は良好な短波長発 を示す素子にすべく、主として発光する第1 ドーパントは、例えば、青色発光を示す発光 材料とすることが例としてあげられ、例えば 、エネルギーギャップが2.9eV以上である。

 第2ドーパントは、発光層132において微量に 含有されているものであり、その発光強度I 2 は小さい。
 そして、このように第2ドーパントの発光強 度I 2 を小さくするために、第2ドーパントの含有 は、発光層132の0.001質量%~0.5質量%である。
 第2ドーパントは、第1ドーパントよりもエ ルギーギャップが小さく、例えば、第1ドー ントのエネルギーギャップが2.9eV以上であ 場合、第2ドーパントのエネルギーギャップ 2.9eV以下とする。
 また、第2ドーパントを電子トラップとして 機能させるため、第2ドーパントのアフィニ ィ準位Af 2 は、ホストのアフィニティ準位Af H よりも0.2eV以上大きいものとする。

 次に、上記のように微量の第2ドーパントを 含有する発光層132を成膜するにあたっては、 塗布プロセスを用いる。
 すなわち、それぞれ所定量ずつのホスト材 、第1ドーパント材料、第2ドーパント材料 溶媒に溶解させて有機EL材料含有溶液とする 。
 そして、スピンコート法等により下地層の に成膜する。
 溶液を用いた塗布法によれば、ホスト、第1 ドーパント、第2ドーパントの3種の材料の含 比を正確に制御することができる。
 特に、微量の第2ドーパントの含有比を正確 に制御でき、かつ、膜にした場合に第2ドー ントを膜中に均一に分布させることができ 。

 次に、発光層132を構成する化合物の具体例 挙げる。
 ホストとしては、長寿命な発光材料として 知のものを用いることが可能である。
 例えば、下記一般式(2)で示される材料をホ ト材料として用いることが好ましい。

 上記式(2)中、Ar 1 は核炭素数6~50の芳香族環であり、Xは置換基 ある。
 mは1~5の整数、nは0~6の整数である。m≧2の時 、Ar 1 はそれぞれ同じでも異なっていても良い。n 2の時、Xはそれぞれ同じでも異なっていても 良い。

 Ar 1 として具体的には、フェニル環、ナフチル環 、アントラセン環、ビフェニレン環、アズレ ン環、アセナフチレン環、フルオレン環、フ ェナントレン環、フルオランテン環、アセフ ェナンスリレン環、トリフェニレン環、ピレ ン環、クリセン環、ナフタセン環、ピセン環 、ペリレン環、ペンタフェン環、ペンタセン 環、テトラフェニレン環、ヘキサフェン環、 ヘキサセン環、ルビセン環、コロネン環、ト リナフチレン環等が挙げられる。
 好ましくはフェニル環、ナフチル環、アン ラセン環、アセナフチレン環、フルオレン 、フェナントレン環、フルオランテン環、 リフェニレン環、ピレン環、クリセン環、 リレン環、トリナフチレン環等が挙げられ 。
 さらに好ましくはフェニル環、ナフチル環 アントラセン環、フルオレン環、フェナン レン環、フルオランテン環、ピレン環、ク セン環、ペリレン環等が挙げられる。

 また、Xとして具体的には、置換若しくは 無置換の核炭素数6~50の芳香族基、置換若し は無置換の核原子数5~50の芳香族複素環基、 換若しくは無置換の炭素数1~50のアルキル基 、置換若しくは無置換の炭素数1~50のアルコ シ基、置換若しくは無置換の炭素数1~50のア ルキル基、置換若しくは無置換の核原子数5 ~50のアリールオキシ基、置換若しくは無置換 の核原子数5~50のアリールチオ基、置換若し は無置換の炭素数1~50のカルボキシル基、置 又は無置換のスチリル基、ハロゲン基、シ ノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基等である

 置換若しくは無置換の核炭素数6~50の芳香 族基の例としては、フェニル基、1-ナフチル 、2-ナフチル基、1-アントリル基、2-アント ル基、9-アントリル基、1-フェナントリル基 、2-フェナントリル基、3-フェナントリル基 4-フェナントリル基、9-フェナントリル基、1 -ナフタセニル基、2-ナフタセニル基、9-ナフ セニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4- レニル基、2-ビフェニルイル基、3-ビフェニ ルイル基、4-ビフェニルイル基、p-ターフェ ル-4-イル基、p-ターフェニル-3-イル基、p-タ フェニル-2-イル基、m-ターフェニル-4-イル 、m-ターフェニル-3-イル基、m-ターフェニル- 2-イル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル 、p-t-ブチルフェニル基、p-(2-フェニルプロ ル)フェニル基、3-メチル-2-ナフチル基、4- チル-1-ナフチル基、4-メチル-1-アントリル基 、4’-メチルビフェニルイル基、4”-t-ブチル -p-ターフェニル-4-イル基、2-フルオレニル基 9,9-ジメチル-2-フルオレニル基、3-フルオラ テニル基等が挙げられる。

 好ましくは、フェニル基、1-ナフチル基 2-ナフチル基、9-フェナントリル基、1-ナフ セニル基、2-ナフタセニル基、9-ナフタセニ 基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニ 基、2-ビフェニルイル基、3-ビフェニルイル 基、4-ビフェニルイル基、o-トリル基、m-トリ ル基、p-トリル基、p-t-ブチルフェニル基、2- ルオレニル基、9,9-ジメチル-2-フルオレニル 基、3-フルオランテニル基等が挙げられる。

 置換若しくは無置換の核原子数5~50の芳香 族複素環基の例としては、1-ピロリル基、2- ロリル基、3-ピロリル基、ピラジニル基、2- リジニル基、3-ピリジニル基、4-ピリジニル 基、1-インドリル基、2-インドリル基、3-イン ドリル基、4-インドリル基、5-インドリル基 6-インドリル基、7-インドリル基、1-イソイ ドリル基、2-イソインドリル基、3-イソイン リル基、4-イソインドリル基、5-イソインド リル基、6-イソインドリル基、7-イソインド ル基、2-フリル基、3-フリル基、2-ベンゾフ ニル基、3-ベンゾフラニル基、4-ベンゾフラ ル基、5-ベンゾフラニル基、6-ベンゾフラニ ル基、7-ベンゾフラニル基、1-イソベンゾフ ニル基、3-イソベンゾフラニル基、4-イソベ ゾフラニル基、5-イソベンゾフラニル基、6- イソベンゾフラニル基、7-イソベンゾフラニ 基、キノリル基、3-キノリル基、4-キノリル 基、5-キノリル基、6-キノリル基、7-キノリル 基、8-キノリル基、1-イソキノリル基、3-イソ キノリル基、4-イソキノリル基、5-イソキノ ル基、6-イソキノリル基、7-イソキノリル基 8-イソキノリル基、2-キノキサリニル基、5- ノキサリニル基、6-キノキサリニル基、1-カ ルバゾリル基、2-カルバゾリル基、3-カルバ リル基、4-カルバゾリル基、9-カルバゾリル 、1-フェナンスリジニル基、2-フェナンスリ ジニル基、3-フェナンスリジニル基、4-フェ ンスリジニル基、6-フェナンスリジニル基、 7-フェナンスリジニル基、8-フェナンスリジ ル基、9-フェナンスリジニル基、10-フェナン スリジニル基、1-アクリジニル基、2-アクリ ニル基、3-アクリジニル基、4-アクリジニル 、9-アクリジニル基、1,7-フェナンスロリン- 2-イル基、1,7-フェナンスロリン-3-イル基、1,7 -フェナンスロリン-4-イル基、1,7-フェナンス リン-5-イル基、1,7-フェナンスロリン-6-イル 基、1,7-フェナンスロリン-8-イル基、1,7-フェ ンスロリン-9-イル基、1,7-フェナンスロリン -10-イル基、1,8-フェナンスロリン-2-イル基、1 ,8-フェナンスロリン-3-イル基、1,8-フェナン ロリン-4-イル基、1,8-フェナンスロリン-5-イ 基、1,8-フェナンスロリン-6-イル基、1,8-フ ナンスロリン-7-イル基、1,8-フェナンスロリ -9-イル基、1,8-フェナンスロリン-10-イル基 1,9-フェナンスロリン-2-イル基、1,9-フェナン スロリン-3-イル基、1,9-フェナンスロリン-4- ル基、1,9-フェナンスロリン-5-イル基、1,9-フ ェナンスロリン-6-イル基、1,9-フェナンスロ ン-7-イル基、1,9-フェナンスロリン-8-イル基 1,9-フェナンスロリン-10-イル基、1,10-フェナ ンスロリン-2-イル基、1,10-フェナンスロリン- 3-イル基、1,10-フェナンスロリン-4-イル基、1, 10-フェナンスロリン-5-イル基、2,9-フェナン ロリン-1-イル基、2,9-フェナンスロリン-3-イ 基、2,9-フェナンスロリン-4-イル基、2,9-フ ナンスロリン-5-イル基、2,9-フェナンスロリ -6-イル基、2,9-フェナンスロリン-7-イル基、 2,9-フェナンスロリン-8-イル基、2,9-フェナン ロリン-10-イル基、2,8-フェナンスロリン-1- ル基、2,8-フェナンスロリン-3-イル基、2,8-フ ェナンスロリン-4-イル基、2,8-フェナンスロ ン-5-イル基、2,8-フェナンスロリン-6-イル基 2,8-フェナンスロリン-7-イル基、2,8-フェナ スロリン-9-イル基、2,8-フェナンスロリン-10- イル基、2,7-フェナンスロリン-1-イル基、2,7- ェナンスロリン-3-イル基、2,7-フェナンスロ リン-4-イル基、2,7-フェナンスロリン-5-イル 、2,7-フェナンスロリン-6-イル基、2,7-フェナ ンスロリン-8-イル基、2,7-フェナンスロリン-9 -イル基、2,7-フェナンスロリン-10-イル基、1- ェナジニル基、2-フェナジニル基、1-フェノ チアジニル基、2-フェノチアジニル基、3-フ ノチアジニル基、4-フェノチアジニル基、10- フェノチアジニル基、1-フェノキサジニル基 2-フェノキサジニル基、3-フェノキサジニル 基、4-フェノキサジニル基、10-フェノキサジ ル基、2-オキサゾリル基、4-オキサゾリル基 、5-オキサゾリル基、2-オキサジアゾリル基 5-オキサジアゾリル基、3-フラザニル基、2- エニル基、3-チエニル基、2-メチルピロール- 1-イル基、2-メチルピロール-3-イル基、2-メチ ルピロール-4-イル基、2-メチルピロール-5-イ 基、3-メチルピロール-1-イル基、3-メチルピ ロール-2-イル基、3-メチルピロール-4-イル基 3-メチルピロール-5-イル基、2-t-ブチルピロ ル-4-イル基、3-(2-フェニルプロピル)ピロー -1-イル基、2-メチル-1-インドリル基、4-メチ ル-1-インドリル基、2-メチル-3-インドリル基 4-メチル-3-インドリル基、2-t-ブチル1-イン リル基、4-t-ブチル1-インドリル基、2-t-ブチ 3-インドリル基、4-t-ブチル3-インドリル基 が挙げられる。

 置換若しくは無置換の炭素数1~50のアルキ ル基の例としては、メチル基、エチル基、プ ロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、s- チル基、イソブチル基、t-ブチル基、n-ペン ル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オク ル基、ヒドロキシメチル基、1-ヒドロキシ チル基、2-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキ イソブチル基、1,2-ジヒドロキシエチル基、 1,3-ジヒドロキシイソプロピル基、2,3-ジヒド キシ-t-ブチル基、1,2,3-トリヒドロキシプロ ル基、クロロメチル基、1-クロロエチル基 2-クロロエチル基、2-クロロイソブチル基、1 ,2-ジクロロエチル基、1,3-ジクロロイソプロ ル基、2,3-ジクロロ-t-ブチル基、1,2,3-トリク ロプロピル基、ブロモメチル基、1-ブロモ チル基、2-ブロモエチル基、2-ブロモイソブ ル基、1,2-ジブロモエチル基、1,3-ジブロモ ソプロピル基、2,3-ジブロモ-t-ブチル基、1,2, 3-トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1 -ヨードエチル基、2-ヨードエチル基、2-ヨー イソブチル基、1,2-ジヨードエチル基、1,3- ヨードイソプロピル基、2,3-ジヨード-t-ブチ 基、1,2,3-トリヨードプロピル基、アミノメ ル基、1-アミノエチル基、2-アミノエチル基 、2-アミノイソブチル基、1,2-ジアミノエチル 基、1,3-ジアミノイソプロピル基、2,3-ジアミ -t-ブチル基、1,2,3-トリアミノプロピル基、 アノメチル基、1-シアノエチル基、2-シアノ エチル基、2-シアノイソブチル基、1,2-ジシア ノエチル基、1,3-ジシアノイソプロピル基、2, 3-ジシアノ-t-ブチル基、1,2,3-トリシアノプロ ル基、ニトロメチル基、1-ニトロエチル基 2-ニトロエチル基、2-ニトロイソブチル基、1 ,2-ジニトロエチル基、1,3-ジニトロイソプロ ル基、2,3-ジニトロ-t-ブチル基、1,2,3-トリニ ロプロピル基、シクロプロピル基、シクロ チル基、シクロペンチル基、シクロヘキシ 基、4-メチルシクロヘキシル基、1-アダマン チル基、2-アダマンチル基、1-ノルボルニル 、2-ノルボルニル基等が挙げられる。

 置換若しくは無置換の炭素数1~50のアルコ キシ基は-OYで表される基であり、Yの例とし は、メチル基、エチル基、プロピル基、イ プロピル基、n-ブチル基、s-ブチル基、イソ チル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキ ル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、ヒドロ キシメチル基、1-ヒドロキシエチル基、2-ヒ ロキシエチル基、2-ヒドロキシイソブチル基 、1,2-ジヒドロキシエチル基、1,3-ジヒドロキ イソプロピル基、2,3-ジヒドロキシ-t-ブチル 基、1,2,3-トリヒドロキシプロピル基、クロロ メチル基、1-クロロエチル基、2-クロロエチ 基、2-クロロイソブチル基、1,2-ジクロロエ ル基、1,3-ジクロロイソプロピル基、2,3-ジク ロロ-t-ブチル基、1,2,3-トリクロロプロピル基 、ブロモメチル基、1-ブロモエチル基、2-ブ モエチル基、2-ブロモイソブチル基、1,2-ジ ロモエチル基、1,3-ジブロモイソプロピル基 2,3-ジブロモ-t-ブチル基、1,2,3-トリブロモプ ロピル基、ヨードメチル基、1-ヨードエチル 、2-ヨードエチル基、2-ヨードイソブチル基 、1,2-ジヨードエチル基、1,3-ジヨードイソプ ピル基、2,3-ジヨード-t-ブチル基、1,2,3-トリ ヨードプロピル基、アミノメチル基、1-アミ エチル基、2-アミノエチル基、2-アミノイソ ブチル基、1,2-ジアミノエチル基、1,3-ジアミ イソプロピル基、2,3-ジアミノ-t-ブチル基、 1,2,3-トリアミノプロピル基、シアノメチル基 、1-シアノエチル基、2-シアノエチル基、2-シ アノイソブチル基、1,2-ジシアノエチル基、1, 3-ジシアノイソプロピル基、2,3-ジシアノ-t-ブ チル基、1,2,3-トリシアノプロピル基、ニトロ メチル基、1-ニトロエチル基、2-ニトロエチ 基、2-ニトロイソブチル基、1,2-ジニトロエ ル基、1,3-ジニトロイソプロピル基、2,3-ジニ トロ-t-ブチル基、1,2,3-トリニトロプロピル基 等が挙げられる。

 置換若しくは無置換の炭素数1~50のアラル キル基の例としては、ベンジル基、1-フェニ エチル基、2-フェニルエチル基、1-フェニル イソプロピル基、2-フェニルイソプロピル基 フェニル-t-ブチル基、α-ナフチルメチル基 1-α-ナフチルエチル基、2-α-ナフチルエチル 基、1-α-ナフチルイソプロピル基、2-α-ナフ ルイソプロピル基、β-ナフチルメチル基、1- β-ナフチルエチル基、2-β-ナフチルエチル基 1-β-ナフチルイソプロピル基、2-β-ナフチル イソプロピル基、1-ピロリルメチル基、2-(1- ロリル)エチル基、p-メチルベンジル基、m-メ チルベンジル基、o-メチルベンジル基、p-ク ロベンジル基、m-クロロベンジル基、o-クロ ベンジル基、p-ブロモベンジル基、m-ブロモ ベンジル基、o-ブロモベンジル基、p-ヨード ンジル基、m-ヨードベンジル基、o-ヨードベ ジル基、p-ヒドロキシベンジル基、m-ヒドロ キシベンジル基、o-ヒドロキシベンジル基、p -アミノベンジル基、m-アミノベンジル基、o- ミノベンジル基、p-ニトロベンジル基、m-ニ トロベンジル基、o-ニトロベンジル基、p-シ ノベンジル基、m-シアノベンジル基、o-シア ベンジル基、1-ヒドロキシ-2-フェニルイソ ロピル基、1-クロロ-2-フェニルイソプロピル 基等が挙げられる。

 置換若しくは無置換の核原子数5~50のアリ ールオキシ基は-OY’と表され、Y’の例とし はフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基 1-アントリル基、2-アントリル基、9-アント ル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリ ル基、3-フェナントリル基、4-フェナントリ 基、9-フェナントリル基、1-ナフタセニル基 2-ナフタセニル基、9-ナフタセニル基、1-ピ ニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-ビ ェニルイル基、3-ビフェニルイル基、4-ビフ ェニルイル基、p-ターフェニル-4-イル基、p- ーフェニル-3-イル基、p-ターフェニル-2-イル 基、m-ターフェニル-4-イル基、m-ターフェニ -3-イル基、m-ターフェニル-2-イル基、o-トリ 基、m-トリル基、p-トリル基、p-t-ブチルフ ニル基、p-(2-フェニルプロピル)フェニル基 3-メチル-2-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル 、4-メチル-1-アントリル基、4’-メチルビフ ェニルイル基、4”-t-ブチル-p-ターフェニル-4 -イル基、2-ピロリル基、3-ピロリル基、ピラ ニル基、2-ピリジニル基、3-ピリジニル基、 4-ピリジニル基、2-インドリル基、3-インドリ ル基、4-インドリル基、5-インドリル基、6-イ ンドリル基、7-インドリル基、1-イソインド ル基、3-イソインドリル基、4-イソインドリ 基、5-イソインドリル基、6-イソインドリル 基、7-イソインドリル基、2-フリル基、3-フリ ル基、2-ベン・BR>]フラニル基、3-ベンゾフ ニル基、4-ベンゾフラニル基、5-ベンゾフラ ニル基、6-ベンゾフラニル基、7-ベンゾフラ ル基、1-イソベンゾフラニル基、3-イソベン フラニル基、4-イソベンゾフラニル基、5-イ ソベンゾフラニル基、6-イソベンゾフラニル 、7-イソベンゾフラニル基、2-キノリル基、 3-キノリル基、4-キノリル基、5-キノリル基、 6-キノリル基、7-キノリル基、8-キノリル基、 1-イソキノリル基、3-イソキノリル基、4-イソ キノリル基、5-イソキノリル基、6-イソキノ ル基、7-イソキノリル基、8-イソキノリル基 2-キノキサリニル基、5-キノキサリニル基、 6-キノキサリニル基、1-カルバゾリル基、2-カ ルバゾリル基、3-カルバゾリル基、4-カルバ リル基、1-フェナンスリジニル基、2-フェナ スリジニル基、3-フェナンスリジニル基、4- フェナンスリジニル基、6-フェナンスリジニ 基、7-フェナンスリジニル基、8-フェナンス リジニル基、9-フェナンスリジニル基、10-フ ナンスリジニル基、1-アクリジニル基、2-ア クリジニル基、3-アクリジニル基、4-アクリ ニル基、9-アクリジニル基、1,7-フェナンス リン-2-イル基、1,7-フェナンスロリン-3-イル 、1,7-フェナンスロリン-4-イル基、1,7-フェ ンスロリン-5-イル基、1,7-フェナンスロリン- 6-イル基、1,7-フェナンスロリン-8-イル基、1,7 -フェナンスロリン-9-イル基、1,7-フェナンス リン-10-イル基、1,8-フェナンスロリン-2-イ 基、1,8-フェナンスロリン-3-イル基、1,8-フェ ナンスロリン-4-イル基、1,8-フェナンスロリ -5-イル基、1,8-フェナンスロリン-6-イル基、1 ,8-フェナンスロリン-7-イル基、1,8-フェナン ロリン-9-イル基、1,8-フェナンスロリン-10-イ ル基、1,9-フェナンスロリン-2-イル基、1,9-フ ナンスロリン-3-イル基、1,9-フェナンスロリ ン-4-イル基、1,9-フェナンスロリン-5-イル基 1,9-フェナンスロリン-6-イル基、1,9-フェナン スロリン-7-イル基、1,9-フェナンスロリン-8- ル基、1,9-フェナンスロリン-10-イル基、1,10- ェナンスロリン-2-イル基、1,10-フェナンス リン-3-イル基、1,10-フェナンスロリン-4-イル 基、1,10-フェナンスロリン-5-イル基、2,9-フェ ナンスロリン-1-イル基、2,9-フェナンスロリ -3-イル基、2,9-フェナンスロリン-4-イル基、2 ,9-フェナンスロリン-5-イル基、2,9-フェナン ロリン-6-イル基、2,9-フェナンスロリン-7-イ 基、2,9-フェナンスロリン-8-イル基、2,9-フ ナンスロリン-10-イル基、2,8-フェナンスロリ ン-1-イル基、2,8-フェナンスロリン-3-イル基 2,8-フェナンスロリン-4-イル基、2,8-フェナン スロリン-5-イル基、2,8-フェナンスロリン-6- ル基、2,8-フェナンスロリン-7-イル基、2,8-フ ェナンスロリン-9-イル基、2,8-フェナンスロ ン-10-イル基、2,7-フェナンスロリン-1-イル基 、2,7-フェナンスロリン-3-イル基、2,7-フェナ スロリン-4-イル基、2,7-フェナンスロリン-5- イル基、2,7-フェナンスロリン-6-イル基、2,7- ェナンスロリン-8-イル基、2,7-フェナンスロ リン-9-イル基、2,7-フェナンスロリン-10-イル 、1-フェナジニル基、2-フェナジニル基、1- ェノチアジニル基、2-フェノチアジニル基 3-フェノチアジニル基、4-フェノチアジニル 、1-フェノキサジニル基、2-フェノキサジニ ル基、3-フェノキサジニル基、4-フェノキサ ニル基、2-オキサゾリル基、4-オキサゾリル 、5-オキサゾリル基、2-オキサジアゾリル基 、5-オキサジアゾリル基、3-フラザニル基、2- チエニル基、3-チエニル基、2-メチルピロー -1-イル基、2-メチルピロール-3-イル基、2-メ ルピロール-4-イル基、2-メチルピロール-5- ル基、3-メチルピロール-1-イル基、3-メチル ロール-2-イル基、3-メチルピロール-4-イル 、3-メチルピロール-5-イル基、2-t-ブチルピ ール-4-イル基、3-(2-フェニルプロピル)ピロ ル-1-イル基、2-メチル-1-インドリル基、4-メ ル-1-インドリル基、2-メチル-3-インドリル 、4-メチル-3-インドリル基、2-t-ブチル1-イン ドリル基、4-t-ブチル1-インドリル基、2-t-ブ ル3-インドリル基、4-t-ブチル3-インドリル基 等が挙げられる。

 置換若しくは無置換の核原子数5~50のアリ ールチオ基は-SY”と表され、Y”の例として フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1 -アントリル基、2-アントリル基、9-アントリ 基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル 基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル 、9-フェナントリル基、1-ナフタセニル基、2 -ナフタセニル基、9-ナフタセニル基、1-ピレ ル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-ビフ ニルイル基、3-ビフェニルイル基、4-ビフェ ニルイル基、p-ターフェニル-4-イル基、p-タ フェニル-3-イル基、p-ターフェニル-2-イル基 、m-ターフェニル-4-イル基、m-ターフェニル-3 -イル基、m-ターフェニル-2-イル基、o-トリル 、m-トリル基、p-トリル基、p-t-ブチルフェ ル基、p-(2-フェニルプロピル)フェニル基、3- メチル-2-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル基 4-メチル-1-アントリル基、4’-メチルビフェ ニルイル基、4”-t-ブチル-p-ターフェニル-4- ル基、2-ピロリル基、3-ピロリル基、ピラジ ル基、2-ピリジニル基、3-ピリジニル基、4- リジニル基、2-インドリル基、3-インドリル 基、4-インドリル基、5-インドリル基、6-イン ドリル基、7-インドリル基、1-イソインドリ 基、3-イソインドリル基、4-イソインドリル 、5-イソインドリル基、6-イソインドリル基 、7-イソインドリル基、2-フリル基、3-フリル 基、2-ベンゾフラニル基、3-ベンゾフラニル 、4-ベンゾフラニル基、5-ベンゾフラニル基 6-ベンゾフラニル基、7-ベンゾフラニル基、 1-イソベンゾフラニル基、3-イソベンゾフラ ル基、4-イソベンゾフラニル基、5-イソベン フラニル基、6-イソベンゾフラニル基、7-イ ソベンゾフラニル基、2-キノリル基、3-キノ ル基、4-キノリル基、5-キノリル基、6-キノ ル基、7-キノリル基、8-キノリル基、1-イソ ノリル基、3-イソキノリル基、4-イソキノリ 基、5-イソキノリル基、6-イソキノリル基、 7-イソキノリル基、8-イソキノリル基、2-キノ キサリニル基、5-キノキサリニル基、6-キノ サリニル基、1-カルバゾリル基、2-カルバゾ ル基、3-カルバゾリル基、4-カルバゾリル基 、1-フェナンスリジニル基、2-フェナンスリ ニル基、3-フェナンスリジニル基、4-フェナ スリジニル基、6-フェナンスリジニル基、7- フェナンスリジニル基、8-フェナンスリジニ 基、9-フェナンスリジニル基、10-フェナン リジニル基、1-アクリジニル基、2-アクリジ ル基、3-アクリジニル基、4-アクリジニル基 、9-アクリジニル基、1,7-フェナンスロリン-2- イル基、1,7-フェナンスロリン-3-イル基、1,7- ェナンスロリン-4-イル基、1,7-フェナンスロ リン-5-イル基、1,7-フェナンスロリン-6-イル 、1,7-フェナンスロリン-8-イル基、1,7-フェナ ンスロリン-9-イル基、1,7-フェナンスロリン-1 0-イル基、1,8-フェナンスロリン-2-イル基、1,8 -フェナンスロリン-3-イル基、1,8-フェナンス リン-4-イル基、1,8-フェナンスロリン-5-イル 基、1,8-フェナンスロリン-6-イル基、1,8-フェ ンスロリン-7-イル基、1,8-フェナンスロリン -9-イル基、1,8-フェナンスロリン-10-イル基、1 ,9-フェナンスロリン-2-イル基、1,9-フェナン ロリン-3-イル基、1,9-フェナンスロリン-4-イ 基、1,9-フェナンスロリン-5-イル基、1,9-フ ナンスロリン-6-イル基、1,9-フェナンスロリ -7-イル基、1,9-フェナンスロリン-8-イル基、 1,9-フェナンスロリン-10-イル基、1,10-フェナ スロリン-2-イル基、1,10-フェナンスロリン-3- イル基、1,10-フェナンスロリン-4-イル基、1,10 -フェナンスロリン-5-イル基、2,9-フェナンス リン-1-イル基、2,9-フェナンスロリン-3-イル 基、2,9-フェナンスロリン-4-イル基、2,9-フェ ンスロリン-5-イル基、2,9-フェナンスロリン -6-イル基、2,9-フェナンスロリン-7-イル基、2, 9-フェナンスロリン-8-イル基、2,9-フェナンス ロリン-10-イル基、2,8-フェナンスロリン-1-イ 基、2,8-フェナンスロリン-3-イル基、2,8-フ ナンスロリン-4-イル基、2,8-フェナンスロリ -5-イル基、2,8-フェナンスロリン-6-イル基、 2,8-フェナンスロリン-7-イル基、2,8-フェナン ロリン-9-イル基、2,8-フェナンスロリン-10- ル基、2,7-フェナンスロリン-1-イル基、2,7-フ ェナンスロリン-3-イル基、2,7-フェナンスロ ン-4-イル基、2,7-フェナンスロリン-5-イル基 2,7-フェナンスロリン-6-イル基、2,7-フェナ スロリン-8-イル基、2,7-フェナンスロリン-9- ル基、2,7-フェナンスロリン-10-イル基、1-フ ェナジニル基、2-フェナジニル基、1-フェノ アジニル基、2-フェノチアジニル基、3-フェ チアジニル基、4-フェノチアジニル基、1-フ ェノキサジニル基、2-フェノキサジニル基、3 -フェノキサジニル基、4-フェノキサジニル基 、2-オキサゾリル基、4-オキサゾリル基、5-オ キサゾリル基、2-オキサジアゾリル基、5-オ サジアゾリル基、3-フラザニル基、2-チエニ 基、3-チエニル基、2-メチルピロール-1-イル 基、2-メチルピロール-3-イル基、2-メチルピ ール-4-イル基、2-メチルピロール-5-イル基、 3-メチルピロール-1-イル基、3-メチルピロー -2-イル基、3-メチルピロール-4-イル基、3-メ ルピロール-5-イル基、2-t-ブチルピロール-4- イル基、3-(2-フェニルプロピル)ピロール-1-イ ル基、2-メチル-1-インドリル基、4-メチル-1- ンドリル基、2-メチル-3-インドリル基、4-メ ル-3-インドリル基、2-t-ブチル1-インドリル 、4-t-ブチル1-インドリル基、2-t-ブチル3-イ ドリル基、4-t-ブチル3-インドリル基等が挙 られる。

 置換若しくは無置換の炭素数1~50のカルボ キシル基は-COOZと表され、Zの例としてはメチ ル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル 基、n-ブチル基、s-ブチル基、イソブチル基 t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n- ヘプチル基、n-オクチル基、ヒドロキシメチ 基、1-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシエ チル基、2-ヒドロキシイソブチル基、1,2-ジヒ ドロキシエチル基、1,3-ジヒドロキシイソプ ピル基、2,3-ジヒドロキシ-t-ブチル基、1,2,3- リヒドロキシプロピル基、クロロメチル基 1-クロロエチル基、2-クロロエチル基、2-ク ロイソブチル基、1,2-ジクロロエチル基、1,3 -ジクロロイソプロピル基、2,3-ジクロロ-t-ブ ル基、1,2,3-トリクロロプロピル基、ブロモ チル基、1-ブロモエチル基、2-ブロモエチル 基、2-ブロモイソブチル基、1,2-ジブロモエチ ル基、1,3-ジブロモイソプロピル基、2,3-ジブ モ-t-ブチル基、1,2,3-トリブロモプロピル基 ヨードメチル基、1-ヨードエチル基、2-ヨー ドエチル基、2-ヨードイソブチル基、1,2-ジヨ ードエチル基、1,3-ジヨードイソプロピル基 2,3-ジヨード-t-ブチル基、1,2,3-トリヨードプ ピル基、アミノメチル基、1-アミノエチル 、2-アミノエチル基、2-アミノイソブチル基 1,2-ジアミノエチル基、1,3-ジアミノイソプ ピル基、2,3-ジアミノ-t-ブチル基、1,2,3-トリ ミノプロピル基、シアノメチル基、1-シア エチル基、2-シアノエチル基、2-シアノイソ チル基、1,2-ジシアノエチル基、1,3-ジシア イソプロピル基、2,3-ジシアノ-t-ブチル基、1 ,2,3-トリシアノプロピル基、ニトロメチル基 1-ニトロエチル基、2-ニトロエチル基、2-ニ ロイソブチル基、1,2-ジニトロエチル基、1,3 -ジニトロイソプロピル基、2,3-ジニトロ-t-ブ ル基、1,2,3-トリニトロプロピル基等が挙げ れる。

 置換又は無置換のスチリル基の例としては 2-フェニル-1-ビニル基、2,2-ジフェニル-1-ビ ル基、1,2,2-トリフェニル-1-ビニル基等が挙 られる。
 ハロゲン基の例としては、フッ素、塩素、 素、ヨウ素等が挙げられる。

 mは1~2、nは0~4が好ましい。
 上記一般式(2)の化合物の具体例を以下に示 。

 また、次の式(3)で表されるアントラセン 導体もホストとして好適である。

 上記式(3)中、R 11 ~R 20 は、それぞれ独立に水素原子,アルキル基,シ ロアルキル基,アリール基,アルコキシル基, リーロキシ基,アルキルアミノ基,アリール ミノ基又は置換しても良い複素環基を示し c,d,e及びfは、それぞれ1~5の整数を示し、そ らが2以上の場合、R 11 同士,R 12 同士,R 16 同士又はR 17 同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっ ていてもよく、またR 11 同士,R 12 同士,R 16 同士又はR 17 同士が結合して環を形成していてもよいし、 R 13 とR 14 ,R 18 とR 19 がたがいに結合して環を形成していてもよい 。
 L 2 は単結合、-O-,-S-,-N(R)-(Rはアルキル基又は置 しても良いアリール基である)、アルキレン 又はアリーレン基を示す。

 次の式(4)で示されるスピロフルオレン誘 体もホストとして好適である。

 上記式(4)中、A 5 ~A 8 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の ビフェニル基又は置換もしくは無置換のナフ チル基である。

 また、次の式(5)で表される縮合環含有化 物もホストとして好適である。

 上記式(5)中、A 9 ~A 14 はそれぞれ水素原子、又は置換もしくは無置 換の核炭素数6~50のアリール基であり、R 21 ~R 23 は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6の アルキル基、炭素数3~6のシクロアルキル基、 炭素数1~6のアルコキシル基、炭素数5~18のア ールオキシ基、炭素数7~18のアラルキルオキ 基、炭素数5~16のアリールアミノ基、ニトロ 基、シアノ基、炭素数1~6のエステル基又はハ ロゲン原子を示し、A 9 ~A 14 のうち少なくとも1つは3環以上の縮合芳香族 を有する基である。

 また、下記式(6)で表されるフルオレン化 物もホストとして好適である。

 上記式(6)中、R 1 及びR 2 は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキ ル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、 置換あるいは無置換のアリール基,置換ある は無置換の複素環基、置換アミノ基、シア 基又はハロゲン原子を表わす。
 異なるフルオレン基に結合するR 1 同士、R 2 同士は、同じであっても異なっていてもよく 、同じフルオレン基に結合するR 1 及びR 2 は、同じであっても異なっていてもよい。R 3 及びR 4 は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキ ル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、 置換あるいは無置換のアリール基又は置換あ るいは無置換の複素環基を表わし、異なるフ ルオレン基に結合するR 3 同士、R 4 同士は、同じであっても異なっていてもよく 、同じフルオレン基に結合するR 3 及びR 4 は、同じであっても異なっていてもよい。Ar 1 及びAr 2 は、ベンゼン環の合計が3個以上の置換ある は無置換の縮合多環芳香族基又はベンゼン と複素環の合計が3個以上の置換あるいは無 換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多 複素環基を表わし、Ar 1 及びAr 2 は、同じであっても異なっていてもよい。n 、1~10の整数を表す。

 以上のホスト材料の中でも、好ましくは ントラセン誘導体、さらに好ましくはモノ ントラセン誘導体、特に好ましくは非対称 ントラセン(アントラセン骨格を中心軸にし たときに左右が互いに異なるものをいう)で る。

 また、次の式(7)で表されるナフタセン誘 体もホストして好適である。

 上記式(7)中、Q 10 、Q 20 、Q 30 、Q 40 、Q 50 、Q 60 、Q 70 、Q 80 、Q 110 、Q 120 、Q 130 およびQ 140 は、それぞれ水素、炭素数1~20のアルキル基 炭素数1~20のアリール基、アミノ基、炭素数1 ~20のアルコキシ基、炭素数1~20のアルキルチ 基、炭素数1~20のアリーロキシ基、炭素数1~20 のアリールチオ基、炭素数1~20のアルケニル 、炭素数1~20のアラルキル基または複素環基 表し、これらは同一でも異なるものであっ もよい。

 さらに、前記式(7)で表されるナフタセン誘 体におけるQ 10 、Q 20 、Q 30 およびQ 40 の1つ以上がアリール基であることが好まし 、さらには、次の式(8)で表されるものがよ 好ましい。

 上記式(8)中、Q 10 、Q 21 ~Q 25 、Q 31 ~Q 35 、Q 40 ~Q 80 、Q 110 ~Q 140 は、それぞれ水素、アルキル基、アリール基 、アミノ基、アルコキシ基、アリーロキシ基 、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケ ニル基、アラルキル基または複素環基を表し 、これらは同一でも異なるものであってもよ い。
 Q 21 ~Q 25 、Q 31 ~Q 35 は隣接する2個以上が互いに結合して環を形 してもよい。

 さらに、上記式(8)で表されるナフタセン誘 体におけるQ 21 、Q 25 、Q 31 、Q 35 の1つ以上は、アルキル基、アリール基、ア ノ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ア ーロキシ基、アリールチオ基、アルケニル 、アラルキル基または複素環基であること 好ましい。

 さらに、次の式(9)で表されるフルオラン ン誘導体もホストとして好適である。

 上記式(9)において、Arは、置換もしくは 置換の核炭素数6~50の芳香族基であり、Rは互 いに異なっていてもよく、それぞれ独立に、 水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数6~5 0の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子 5~50の芳香族複素環基、又は置換もしくは無 換の炭素数1~50のアルキル基である。

 上記フルオランテン誘導体の具体例とし は次のものが挙げられる。

 上記式(10)及び(11)中のRは、前記式(9)のRと同 じである。
 そして、Rは好ましくは水素又はフェニル基 である。
 より好ましくは、ナフタレン骨格又はアン ラセン骨格に対向して置換する二つのRがフ ェニル基であり他は水素である。

 次に、第1ドーパント、第2ドーパントとし は、それぞれ長寿命な発光材料として公知 ものを用いることが可能である。
 そして、第1ドーパントの発光強度I 1 が第2ドーパントの発光強度I 2 の12倍以上になるように、それぞれの濃度を 定し、かつ、第2ドーパントの含有量は0.001 量%~0.5質量%にすればよい。
 このとき、第2ドーパントが電荷トラップと なるように、エネルギーギャップの小さい方 を第2ドーパントとして選択する。
 さらに、青色発光材料の寿命を長くする観 から、第1ドーパントをEg≧2.9eVの材料を選 し、第2ドーパントの添加によって、青色材 (第1ドーパント)の寿命を長くする構成であ ことが好ましい。

 上記のホスト材料と組み合わせるに好適 ドーパント材料としては以下のものが列挙 れるので、このうちから第1ドーパントと第 2ドーパントに適宜選択する。

 ドーパントとしては、次の式で表される ミン系ドーパントが挙げられる。

 上記式(12)中、Ar 2 ~Ar 4 は置換又は無置換の核炭素数6~50の芳香族基 置換又は無置換のスチリル基である。
 pは1~4の整数である。
 p≧2の時、Ar 3 、Ar 4 はそれぞれ同じでも異なっていても良い。

 置換若しくは無置換の核炭素数6~50の芳香 族基の例としては、フェニル基、1-ナフチル 、2-ナフチル基、1-アントリル基、2-アント ル基、9-アントリル基、1-フェナントリル基 、2-フェナントリル基、3-フェナントリル基 4-フェナントリル基、9-フェナントリル基、1 -ナフタセニル基、2-ナフタセニル基、9-ナフ セニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4- レニル基、2-ビフェニルイル基、3-ビフェニ ルイル基、4-ビフェニルイル基、p-ターフェ ル-4-イル基、p-ターフェニル-3-イル基、p-タ フェニル-2-イル基、m-ターフェニル-4-イル 、m-ターフェニル-3-イル基、m-ターフェニル- 2-イル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル 、p-t-ブチルフェニル基、p-(2-フェニルプロ ル)フェニル基、3-メチル-2-ナフチル基、4- チル-1-ナフチル基、4-メチル-1-アントリル基 、4’-メチルビフェニルイル基、4”-t-ブチル -p-ターフェニル-4-イル基、2-フルオレニル基 9,9-ジメチル-2-フルオレニル基、3-フルオラ テニル基等が挙げられる。

 好ましくは、フェニル基、1-ナフチル基 2-ナフチル基、9-フェナントリル基、1-ナフ セニル基、2-ナフタセニル基、9-ナフタセニ 基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニ 基、2-ビフェニルイル基、3-ビフェニルイル 基、4-ビフェニルイル基、o-トリル基、m-トリ ル基、p-トリル基、p-t-ブチルフェニル基、2- ルオレニル基、9,9-ジメチル-2-フルオレニル 基、3-フルオランテニル基等が挙げられる。

 置換又は無置換のスチリル基の例としては 2-フェニル-1-ビニル基、2,2-ジフェニル-1-ビ ル基、1,2,2-トリフェニル-1-ビニル基等が挙 られる。
 一般式(12)の化合物の具体例、及びその他ド ーパントとして好適な化合物の例を以下に示 す。
 尚、式中において、Meはメチル基を、Etはエ チル基を表す。
 なお、スチリル基がNに直結する場合のみな らず、スチリル基とNとの間に二価の基(例え フェニレン基に代表されるアリーレン基等) を有する場合も置換のスチリル基に含む。

 また、以下のものは、第1ドーパントとし て使用してもよいが、第2ドーパントとして 用するのに好適である。

 

 また、次の式(13)、式(14)のペリレン誘導 は、第2ドーパントとして好適であり、さら 、上記ナフタセン誘導体のホストに組み合 せるのに特に好適である。

 上記一般式(13)及び(14)において、Ar 51 、Ar 52 及びAr 53 は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の 核炭素数6~50の芳香族炭化水素基、又は置換 しくは無置換の核原子数6~50の芳香族複素環 を表す。

 X 1 ~X 18 は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原 子、置換若しくは無置換の炭素数1~50のアル ル基、置換若しくは無置換の炭素数1~50のア コキシ基、置換若しくは無置換の炭素数1~50 のアルキルチオ基、置換若しくは無置換の炭 素数2~50のアルケニル基、置換若しくは無置 の炭素数1~50のアルケニルオキシ基、置換若 くは無置換の炭素数1~50のアルケニルチオ基 、置換若しくは無置換の核炭素数6~50の芳香 炭化水素基、置換若しくは無置換の核原子 6~50の芳香族複素環基、置換若しくは無置換 核炭素数6~50のアリールオキシ基、置換若し くは無置換の核炭素数6~50のアリールチオ基 置換若しくは無置換の核炭素数7~50のアラル ル基、置換若しくは無置換の核炭素数6~50の アリールアルキルオキシ基、置換若しくは無 置換の核炭素数6~50のアリールアルキルチオ 、置換若しくは無置換の核炭素数6~50のアリ ルアルケニル基、置換若しくは無置換の核 素数6~50のアルケニルアリール基、アミノ基 、カルバゾリル基、シアノ基、水酸基、-COOR 54 、-COR 55 、又は-OCOR 56 (ここで、R 54 、R 55 及びR 56 は、それぞれ水素原子、置換若しくは無置換 の炭素数1~50のアルキル基、置換若しくは無 換の炭素数2~50のアルケニル基、置換若しく 無置換の核炭素数7~50のアラルキル基、置換 若しくは無置換の核炭素数6~50の芳香族炭化 素基、又は置換若しくは無置換の核原子数6~ 50の芳香族複素環基を表す。)から選ばれる基 を表す。
 また、隣接する基は互いに結合していても く、さらにはX 1 ~X 18 が結合している炭素原子と共に環を形成して いてもよい。

 ここで、前記式(13)、式(14)において、X 1 ~X 18 の少なくとも一つは水素でない場合が好まし い。または、Ar 51 、Ar 52 及びAr 53 の置換基、X 1 ~X 18 及びX 1 ~X 18 の置換基の中の少なくとも1つはハロゲン原 である場合が好ましい。

 さらに、ペリレン誘導体のうちインデノ リレン誘導体として以下のものが挙げられ 。

 上記式(15)、(16)において、Rは互いに異なっ いてもよく、それぞれ独立に水素原子、ハ ゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ア キルチオ基、アルケニル基、アルケニルオ シ基、アルケニルチオ基、芳香環含有アル ル基、芳香環含有アルキルオキシ基、芳香 含有アルキルチオ基、芳香環基、芳香族複 環基、芳香環オキシ基、芳香環チオ基、芳 環アルケニル基、アルケニル芳香環基、ア ノ基、カルバゾリル基、シアノ基、水酸基 -COOR 51 (R 51 は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香環 含有アルキル基又は芳香環基である。)、-COR 52 (R 52 は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香環 含有アルキル基、芳香環基又はアミノ基であ る)、又は-OCOR 53 (R 53 はアルキル基、アルケニル基、芳香環含有ア ルキル基又は芳香環基である)である。
 ここでRの隣接する基は、互いに結合しても よく、又は置換している炭素原子と共に環を 形成していてもよい。
 さらに、Rの少なくとも1つは水素ではない とが好ましい。

 さらに、上記の他、ドーパントとしては ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、 リレン誘導体、ピレン誘導体、ナフタセン 導体、ルブレン誘導体、フルオランテン誘 体、ベンゾフルオランテン誘導体、ジイン ノペリレン誘導体、スチリルアミン誘導体 ビスアミノ-ジスチルベン誘導体、アクリド ン誘導体、アクリジン誘導体、キナクリドン 誘導体等、クマリン誘導体〔例えば、クマリ ン1、クマリン6、クマリン7、クマリン30、ク リン106、クマリン138、クマリン151、クマリ 152、クマリン153、クマリン307、クマリン311 クマリン314、クマリン334、クマリン338、ク リン343、クマリン500〕、ピラン誘導体〔例 ば、DCM1、DCM2〕、オキサゾン誘導体〔例え 、ナイルレッド〕、アリールアミン化合物 び/又はスチリルアミン化合物、コロネン、 リセン、フルオレセイン、フタロペリレン ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリ ン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジ ン、テトラフェニルブタジエン、オキサジ ゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリ 、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタ エン、キノリン金属錯体、アミノキノリン 属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラ 、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾー キレート化オキシノイド化合物、および、 光色素等が挙げられるが、これらに限定さ るものではない。

 次に、電子輸送帯域133について説明する。
 電子輸送帯域133としては電子輸送層133Aと電 子注入層133Bとを備える。
 電子輸送層133Aは、発光層132への電子の注入 を助ける層であって、電子移動度が大きい。
 本実施形態では、駆動電圧を下げるため、 子移動度が大きい電子輸送層133Aが好ましく 、0.25mV/cmの電界印加時に電子移動度が10 -4 cm 2 /Vs以上である。
 このように電子移動度が高い電子輸送層133A を備えた場合、駆動電圧が低くなる一方、発 光層132に過剰に電子注入が行われてしまい、 寿命を劣化させることがある。
 この点、本実施形態では発光層132に第2ドー パントを添加することにより、第2ドーパン を電子トラップとして機能させ、電荷バラ スをとる構成としている。
 よって、高い電子移動度を有する電子輸送 133Aを備え、低い駆動電圧と長寿命を同時に 達成することができる。
 また、本実施形態のごとくボトムエミッシ ン型有機EL素子ででは、直接陽極12から取り 出される発光と、電極による反射を経由して 取り出される発光とが干渉することが知られ ている。
 この干渉効果を効率的に利用するため、電 輸送層133Aの膜厚を数nm~数μmの膜厚で適宜調 整することが行われる。
 この場合、電子輸送層133Aを厚くすると電圧 上昇等の懸念もあるが、本実施形態では電子 移動度が高い電子輸送層133Aを備えるため、 渉効果を十分に利用できる膜厚にしても駆 電圧の上昇につながりにくいという効果が る。

 電子輸送層133Aの具体的化合物としては上 記式(1)で表される含窒素複素環誘導体を含む ものが例として挙げられ、このような含窒素 複素環誘導体の具体例としては下記に示すも のが挙げられる。ただし、本発明の電子輸送 層の材料としてはこれらの例示化合物に限定 されるものではない。

 以上の具体例のうち、特に、(1-1)、(1-5)、 (1-7)、(2-1)、(3-1)、(4-2)、(4-6)、(7-2)、(7-7)、(7-8 )、(7-9)、(9-7)が好ましい。

 電子注入層133Bは、陰極14と有機層13との において電流のリークを有効に防止して電 注入性を高めるものであり、絶縁体や半導 等で構成される。

 次に、有機EL素子1の製造方法について説明 る。
 透光性基板11上に陽極12/正孔輸送層131A/発光 層132/電子注入層133B/陰極15が順次設けられた 成の有機EL素子の作製例を記載する。
 まず、適当な透光性基板11上に陽極材料か なる薄膜を1μm以下、好ましくは10~200nmの範 の膜厚になるように蒸着やスパッタリング の方法により形成して陽極12を作製する。
 次にこの陽極12上に正孔輸送層131Aを設ける
 正孔輸送層131Aの形成は、真空蒸着法、スピ ンコート法、キャスト法、LB法等の方法によ 行うことができるが、塗布法で成膜するこ が好ましい。
 膜厚5nm~5μmの範囲で適宜選択することが好 しい。

 次に、発光層132は、塗布プロセスによって 膜される。
 すなわち、それぞれ所定量ずつのホスト材 、第1ドーパント材料、第2ドーパント材料 溶媒に溶解させて有機EL材料含有溶液とする 。
 この有機EL材料含有溶液をスピンコート法 キャスティング法、マイクログラビアコー 法、グラビアコート法、バーコート法、ロ ルコート法、ワイアーバーコート法、ディ プコート法、スプレーコート法、スクリー 印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷 、等の塗布法を用いることができる。
 パターン形成や多色の塗分けが容易である いう点で、スクリーン印刷法、フレキソ印 法、オフセット印刷法、インクジェットプ ント法等の印刷法が好ましい。

 溶媒例としては、ベンゼン、トルエン、キ レン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン エチルビフェニル、イソプロピルビフェニ 、アニソール、クロロベンゼン、ジクロロ ンゼン、クロロトルエンなどのアルコキシ 、ハロゲンを有しても良い芳香族系溶媒が げられる。
 また、ジクロロメタン、ジクロロエタン、 ロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエ ン、トリクロロエタンなどのハロゲン化炭 水素系溶媒も溶媒として用いられ、ジブチ エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ などのエーテル系溶媒も溶媒として用いら る。

 また、有機EL材料含有溶液の粘度を調整す ために、有機EL材料含有溶液に粘度調整液を 混合してもよく、粘度調整液としては、例え ば、アルコール系溶液、ケトン系溶液、パラ フィン系溶液およびアルキル置換芳香族系溶 液等が挙げられる。好ましくは、アルコール 系溶液、アルキル置換芳香族系溶液である。
 アルコール系溶液としては、メタノールや タノール、プロパノール、n-ブタノール、s- ブタノール、2-メチル-1-ブタノール、2-メチ -2-ブタノール、3-メチル-2-ブタノール、t-ブ ノール、n-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタ ノール、3-メチル-1-ペンチン-3-オール、n-ヘ サノール、2-エチルヘキサノール、3、5-ジメ チル-1-ヘキシン-3-オール、n-ヘプタノール、3 、3,5-トリメチルヘキサノール、3-ヘプタノー ル、n-オクタノール、2-オクタノール、n-ノナ ノール、n-デカノール、メチルシクロヘキサ ール、シクロヘキサノール、α-テルピネオ ル、ネオペンチルアルコール、グリシドー 、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、 チレングリコール、プロパンジオール、ブ ンジオール、ベンジルアルコール、などが として挙げられる。上記アルコールは直鎖 分岐構造のどちらでも良い。
 アルキル置換芳香族系溶液としては直鎖ま は分岐のブチルベンゼン、ドデシルベンゼ 、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、 シクロヘキシルベンゼン、1,1-ビス(3,4-ジメ ルフェニル)エタン、3-メチルジフェニルエ テルなどが挙げられる
 粘度調整液は単独で使用してもよく、複数 合して用いてもよい。

 次に、この発光層132上に電子注入層133Bを設 ける。
 真空蒸着法により形成することが例として げられるが、塗布法によって成膜してもよ 。

 最後に陰極15を積層して有機EL素子1を得る とができる。
 陰極15は金属から構成されるもので、蒸着 、スパッタリング等を用いることができる
 なお、下地の有機物層13を製膜時の損傷か 守るためには真空蒸着法が好ましい。

 有機EL素子1の各有機層の膜厚は特に制限さ ないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホー 等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高 印加電圧が必要となり効率が悪くなるため 通常は数nmから1μmの範囲が好ましい。
 なお、有機EL素子1に直流電圧を印加する場 、陽極12を+、陰極15を-の極性にして、5~40V 電圧を印加すると発光が観測できる。また 逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず 発光は全く生じない。さらに交流電圧を印 した場合には陽極12が+、陰極15が-の極性に った時のみ均一な発光が観測される。印加 る交流の波形は任意でよい。

 以下、本発明の実施例を詳細に説明するが 本発明はこれらの実施例に限定されない。
 尚、各実施例で使用した化合物の性質及び 製した素子は下記の方法で評価した。
(1)エネルギーギャップ:ベンゼン中の吸収ス クトルの吸収端から測定した。具体的には 市販の可視紫外分光光度計を用いて吸収ス クトルを測定し、その吸収スペクトルが立 上がり始める波長から算出する。
(2)輝度:分光放射輝度計(CS-1000、ミノルタ製) より測定した。
(3)発光極大波長の発光強度:作製するEL素子と 同じ条件でドーパントとして第1ドーパント みを含む発光層(第1発光層)、及び、ドーパ トとして第2ドーパントのみを含む発光層(第 二発光層)の単層膜をそれぞれ作製し、市販 蛍光測定装置を用いてそれぞれの単層膜の 光スペクトルを測定する。得られた第1発光 の蛍光スペクトルから、第1発光層の発光極 大波長aにおいて、第一発光層の蛍光強度I a を測定する。同様に、得られた第2発光層の 光スペクトルから、第2発光層の発光極大波 bにおいて、第二発光層の蛍光強度I b  を測定する。
 第1発光層と第二発光層の発光極大波長が十 分に離れている場合は、EL素子の発光スペク ルにおける、a,bの波長における発光強度I a ,I b がそれぞれI 1 ,I 2 と近似できる。
 第1発光層と第二発光層の発光極大波長が近 接している場合は、EL素子全体の発光スペク ルは、第1発光層からの発光スペクトルと第 2発光層からの発光スペクトルの和になると 定できる。
 従って、得られた第1発光層の蛍光スペクト ルにおいて、波長a、bの蛍光強度I 1a  、I 1b を測定する。同様に、第2発光層の蛍光スペ トルにおいて、波長a,bの蛍光強度I 2a 、I 2b を測定する。I 1 ,I 2 について以下の式が成り立つ。
 I a =I 1 *I 1a +I 2 *I 2a
 I b =I 1 *I 1b +I 2 *I 2b
 上記の式よりI 1 、I 2 の比が求められる。
(4)発光効率:マルチメータを用いて測定した 流密度値と輝度(100nit)より算出した。
(5)C.I.E色度座標:(2)と同様に測定して得られる 。
(6)半減寿命:初期輝度1000nit、定電流条件下に 封止した素子に対し測定を行った。(室温)
(7)電子移動度:Time of flight法により算出した 具体的には、ITO/有機層(電子注入層等、層 1~2μm)/Alの構成としたものについて、光照射 より生じる過渡電流の時間特性(過渡特性時 間)を測定し、以下の式により電子移動度を 出した。
 電子移動度=(有機層厚) 2 /(過渡特性時間・電界強度)

 実施例において使用した化合物を以下に す。

 

 上記化合物のエネルギーギャップ、アフィ ティ準位、電子移動度のデータは次の通り ある。
 D1のEg=2.9eV、Af=2.5eV
 H1のEg=3.0eV、Af=2.7eV
 D2のEg=2.8eV、Af=2.8eV
 D3のEg=2.6eV、Af=3.0eV
 ET-1の電子移動度は4×10 -4 cm 2 /V・s(ただしE=5×10 5 V/cmの電界中で)
 Alqの電子移動度は5×10 -6 cm 2 /V・s(ただしE=5×10 5 V/cmの電界中で)

(比較例1)
 25mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極付きガラス基 (ジオマティック社製)を、イソプロピルアル コール中で5分間超音波洗浄した後、UVオゾン 洗浄を30分間行なった。
 洗浄後の透明電極付きガラス基板に、スピ コート法で正孔注入層に用いるポリエチレ ジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホ 酸(PEDOT・PSS)の混合物を50nmの膜厚で成膜し 。
 ついで、上記ポリマー1(Mw:145000)のトルエン 液(0.6質量%)をスピンコート法で20nmの膜厚で 成膜し、170℃で30分間乾燥した。
 その後、成膜済みの基板を真空蒸着装置に 送した。
 発光層としては2つの積層から構成し、第1 光層はドーパントD1とホストH1を20nm(ドープ 度5質量%)とし、第2発光層はドーパントD2/ホ トH1を20nm(5質量%)として、順次真空蒸着法に て成膜した。
 この膜上に膜厚20nmのトリス(8-キノリノール )アルミニウム膜(以下「Alq膜」と略記する。) を成膜した。
 このAlq膜は、電子輸送層として機能する。
 この上に、電子注入層としてフッ化リチウ を1nmの膜厚に成膜した。
 最後にアルミニウムを膜厚150nmで成膜し、 極を形成した。
 電流を流して性能を評価したところ、輝度6 .7cd/A、色度(0.15、0.17)、半減寿命LT50=3000h@1000cd /m 2 、駆動電圧=6.5V@10mA/cm 2 、発光強度比I 1 /I 2 =80/20であった。

(比較例2)
 発光層を1層で膜厚を40nmにし、ホストをH1、 ドーパントD1を5質量%、ドーパントD2を1質量% としたこと以外は比較例1と同様に素子を作 製した。
 その結果、輝度10cd/A、色度(0.15、0.30)、半減 寿命LT50=5000h@1000cd/m 2 、駆動電圧=6.5V@10mA/cm 2 、発光強度比I 1 /I 2 =0/100、となった。
 すなわち、ドープ濃度が少ないにもかかわ ず、第2ドーパントD2の発光のみとなり、発 は青緑色になった。

(比較例3)
 比較例1において、第2発光層の第2ドーパン D2の濃度を1質量%にした。
 それ以外は比較例1と同様に素子を作成した 。
 その結果、7.0cd/A、色度(0.15、0.16)、半減寿 LT50=3000h@1000cd/m 2 、電圧6.5V@10mA/cm 2 、発光強度比I 1 /I 2 =90/10であった。
 第2ドーパントの発光が減って色純度はよく なったが、長寿命化の効果は不十分であった 。

(比較例4)
 比較例1において、発光層を第1発光層のみ し、膜厚を40nmに変更し、電子輸送層としてE T-1を蒸着法で成膜した。それ以外は比較例1 同様に素子を作成した。
 その結果、輝度8cd/A、色度(0.15、0.15)、半減 命LT50=300h、駆動電圧=3.5V@10mA/cm 2 、発光強度比I 1 /I 2 =100/0であった。
 電子輸送層にET-1を用いたことにより、駆動 電圧が低下したが、寿命は比較例1よりも短 った。

(実施例1)
 比較例4において、発光層を塗布法で成膜し た。
 すなわち、シクロヘキサノンを溶媒に用い ドーパントD1とドーパントD2をそれぞれ、5 量%、0.5質量%とした溶液を調整し、この溶液 からスピンコートにて一層からなる発光層を 成膜した。発光層の膜厚は20nmとした。
 それ以外は比較例4と同様に素子を作成した 。
 その結果、輝度8cd/A、色度(0.15、0.16)、半減 命LT50=4000h@1000cd/m 2 、駆動電圧=3.5V@10mA/cm 2 、発光強度比I 1 /I 2 =95/5であった。
 一層からなる発光層に第2ドーパントD2を希 にドープすることで、発光は第1ドーパント D1のみとすることができ、かつ、寿命も比較 1よりも長く、比較例1に比べて第2発光層が い分、駆動電圧は3V低下した。

(実施例2)
 電子輸送層を比較例1と同じにしたこと以外 は実施例1と同様に素子を作製した。
 その結果、輝度7cd/A、色度(0.15、0.16)、半減 命LT50=5000h@1000cd/m 2 、駆動電圧=6.5V@10mA/cm 2 、発光強度比I 1 /I 2 =95/5であった。
 実施例1よりも電圧は上昇するが、寿命は更 に延び、色度も良好であった。

(実施例3)
 第2ドーパントD2の濃度を0.01質量%としたこ 以外は実施例1と同様に素子を作製した。
 発光輝度8cd/A、色度(0.15、0.15)、半減寿命LT50 =3800h@1000cd/m 2 、駆動電圧=3.5V@10mA/cm 2 、発光強度比I 1 /I 2 =99/1であった。

(実施例4)
実施例1において、D2を0.4質量%としたこと以 は、同様に作製した。
以下、結果は下記の表1を参照。

(実施例5)
 第2ドーパントD2の濃度を0.05質量%としたこ 以外は、実施例1と同様に素子を作製した。

(実施例6)
 第2ドーパントD2の濃度を0.03質量%としたこ 以外は実施例1と同様に素子を作製した。

(実施例7)
 実施例1において、D2をD3とし、濃度を0.05質 %としたこと以外は、同様に作製した。

(実施例8)
 実施例1において、D2をD3とし、濃度0.3質量% したこと以外は、同様に作製した。

*1:1000cd/m 2 の時
*2:10mA/cm 2 の時

 比較例4に対して、実施例1から実施例8を比 すると、比較例4は発光層は一層でドーパン トとしては主に発光する第1ドーパントのみ 含有しているのに対し、実施例1から実施例8 では一つの発光層中に主として発光する第1 ーパントに加えて微量の第2ドーパントが含 されている。
 比較例4と実施例1から実施例8では色度は略 じで良好な青色であるが、実施例1から実施 例8では格段に寿命が長いことがわかる。
 このことから、本発明のごとく一の発光層 に第1ドーパントと微量の第2ドーパントを 有させることにより、極めて長寿命であり がら、色純度も良好である素子を構成でき ことが示された。
 そして、比較例1と実施例1から実施例8との 比によれば、比較例1のごとく発光層を2層 して第1発光層に第1ドーパントを含有させ、 第2発光層に第2ドーパントを含有させる場合 も同様な作用効果を期待できるものである 、本発明の構成によって、色純度および寿 において格段の向上を図れることが示され 。
 さらに、比較例1における色純度の欠点を解 消するために比較例3のごとく発光層を2層と て第2発光層の第2ドーパントD2濃度を低くし た場合でも色純度の問題は多少改善されるも のの、比較例3では発光層を二層に分けてい ため、寿命に関しては本発明の実施例ほど 効果を奏さないことが示された。
 なお、第2発光層の第2ドーパント濃度を比 例3よりも低くすることを試みても蒸着法で 不可能であり、実施例のごとくドーパント 度を低くするには塗布法を採用することが 要である。

 なお、本発明は上記実施形態および実施例 限定されるものではなく、本発明の趣旨を 脱しない範囲内で変更してもよいことはも ろんである。
 第2ドーパントの含有比は上記実施例に限定 されず、第1ドーパントと第2ドーパントとの 光強度比が12倍以上となれば第2ドーパント 含有量は制限されるものではない。
 第2ドーパントのエネルギーギャップは第1 ーパントのエネルギーギャップより小さい とが好ましいが、第2ドーパントのエネルギ ギャップが第1ドーパントのエネルギーギャ ップより大きくてもよい。この場合でも、第 2ドーパントのAfがホストのAfよりも0.2eV以上 きければ電子トラップとして作用する。
 電子輸送層としては上述の化合物に限られ 、公知の電子輸送材料を適用できることは ちろんであり、そのような場合でも本発明 効果を奏する。
 以下、本発明の変形例として、素子構成お び各層の材料等について列挙するが、これ 限られるものではないことはもちろんであ 。

(1)有機EL素子の構成
 以下、有機EL素子の素子構成について説明 る。
 有機EL素子の代表的な素子構成としては、 記(a)~(m)などの構造を挙げることができる。
(a) 陽極/発光層/陰極
(b) 陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(c) 陽極/発光層/電子注入層/陰極
(d) 陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
(e) 陽極/有機半導体層/発光層/陰極
(f) 陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰 極
(g) 陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰 極
(h) 陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子 注入層/陰極
(i) 陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(j) 陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層 /陰極
(k) 陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層 /陰極
(l) 陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光 層/絶縁層/陰極
(m) 陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光 層/電子注入層/陰極

(2)透光性基板
 有機EL素子は、透光性の基板上に作製する ここでいう透光性基板は有機EL素子を支持す る基板であり、400~700nmの可視領域の光の透過 率が50%以上で平滑な基板が好ましい。
 具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙 られる。
 ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛 ラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸 ラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等 挙げられる。
 またポリマー板としては、ポリカーボネー 、アクリル、ポリエチレンテレフタレート ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォ 等を挙げることができる。

(3)陽極
 有機EL素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又 発光層に注入する役割を担うものであり、4. 5eV以上の仕事関数を有することが効果的であ る。陽極材料の具体例としては、酸化インジ ウム錫合金(ITO)、酸化錫(NESA)、酸化インジウ 亜鉛酸化物(IZO)、金、銀、白金、銅等が適 できる。
 陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッ リング法等の方法で薄膜を形成させること より作製することができる。
 このように発光層からの発光を陽極から取 出す場合、陽極の発光に対する透過率が10% り大きくすることが好ましい。また、陽極 シート抵抗は、数百ω/□以下が好ましい。 極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm~1μm、 ましくは10~200nmの範囲で選択される。

(4)正孔注入、輸送層
 正孔注入、輸送層は発光層への正孔注入を け、発光領域まで輸送する層であって、正 移動度が大きく、イオン化エネルギーが通 5.5eV以下と小さい。このような正孔注入、 送層としてはより低い電界強度で正孔を発 層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔 移動度が、例えば、10 4 ~10 6 V/cmの電界印加時に、少なくとも10 -4 cm 2 /V・秒であれば好ましい。
 正孔注入、輸送層を形成する材料としては 前記の好ましい性質を有するものであれば に制限はなく、従来、光導伝材料において 孔の電荷輸送材料として慣用されているも や、有機EL素子の正孔注入層に使用される 知のものの中から任意のものを選択して用 ることができる。

 具体例として例えば、トリアゾール誘導体( 米国特許3,112,197号明細書等参照)、オキサジ ゾール誘導体(米国特許3,189,447号明細書等参 )、イミダゾール誘導体(特公昭37-16096号公報 等参照)、ポリアリールアルカン誘導体(米国 許3,615,402号明細書、同第3,820,989号明細書、 第3,542,544号明細書、特公昭45-555号公報、同5 1-10983号公報、特開昭51-93224号公報、同55-17105 公報、同56-4148号公報、同55-108667号公報、同 55-156953号公報、同56-36656号公報等参照)、ピラ ゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体(米国特 第3,180,729号明細書、同第4,278,746号明細書、 開昭55-88064号公報、同55-88065号公報、同49-1055 37号公報、同55-51086号公報、同56-80051号公報、 同56-88141号公報、同57-45545号公報、同54-112637 公報、同55-74546号公報等参照)、フェニレン アミン誘導体(米国特許第3,615,404号明細書、 公昭51-10105号公報、同46-3712号公報、同47-2533 6号公報、特開昭54-53435号公報、同54-110536号公 報、同54-119925号公報等参照)、アリールアミ 誘導体(米国特許第3,567,450号明細書、同第3,18 0,703号明細書、同第3,240,597号明細書、同第3,65 8,520号明細書、同第4,232,103号明細書、同第4,17 5,961号明細書、同第4,012,376号明細書、特公昭4 9-35702号公報、同39-27577号公報、特開昭55-144250 号公報、同56-119132号公報、同56-22437号公報、 独特許第1,110,518号明細書等参照)、アミノ置 換カルコン誘導体(米国特許第3,526,501号明細 等参照)、オキサゾール誘導体(米国特許第3,2 57,203号明細書等に開示のもの)、スチリルア トラセン誘導体(特開昭56-46234号公報等参照) フルオレノン誘導体(特開昭54-110837号公報等 参照)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,717,462 明細書、特開昭54-59143号公報、同55-52063号公 報、同55-52064号公報、同55-46760号公報、同55-85 495号公報、同57-11350号公報、同57-148749号公報 特開平2-311591号公報等参照)、スチルベン誘 体(特開昭61-210363号公報、同第61-228451号公報 、同61-14642号公報、同61-72255号公報、同62-47646 号公報、同62-36674号公報、同62-10652号公報、 62-30255号公報、同60-93455号公報、同60-94462号 報、同60-174749号公報、同60-175052号公報等参 )、シラザン誘導体(米国特許第4,950,950号明細 書)、ポリシラン系(特開平2-204996号公報)、ア リン系共重合体(特開平2-282263号公報)、特開 平1-211399号公報に開示されている導電性高分 オリゴマー(特にチオフェンオリゴマー)等 挙げることができる。
 さらに、チオフェンポリマーでもよく、ポ (アルキルチオフェン)ポリマーが例として げられ、ポリジオキシチオフェン、さらに ポリ(3,4-ジオキシチオフェン)が好ましい例 して挙げられる。また、アニリン系として ポリマー(ポリアニリン)であってもよい。

 また、次の式で表されるものを挙げること できる。
   Q 1 -G-Q 2
(式中、Q 1 及びQ 2 は少なくとも1個の三級アミンを有する部位 あり、Gは連結基である。)

 さらに好ましくは以下の式(17)で示すアミ ン誘導体である。

 上記式(17)において、Ar 21 ~Ar 24 は置換もしくは無置換の核炭素数6~50の芳香 環、又は置換もしくは無置換の核原子数5~50 複素芳香族環である。
 R 21 、R 22 は置換基であり、s、tはそれぞれ0~4の整数で る。
 Ar 21 及びAr 22 、Ar 23 及びAr 24 はそれぞれ互いに連結して環状構造を形成し てもよい。
 R 21 及びR 22 もそれぞれ互いに連結して環状構造を形成し てもよい。
 Ar 21 ~Ar 24 の置換基、及びR 21 、R 22 は、置換もしくは無置換の核炭素数6~50の芳 族環、置換もしくは無置換の核原子数5~50の 素芳香族環、炭素数1~50のアルキル基、炭素 数1~50のアルコキシ基、炭素数1~50のアルキル リール基、炭素数1~50のアラルキル基、スチ リル基、核炭素数6~50の芳香族環若しくは核 子数5~50の複素芳香族環で置換されたアミノ 、核炭素数6~50の芳香族環若しくは核原子数 5~50の複素芳香族環で置換されたアミノ基で 換された核炭素数6~50の芳香族環若しくは核 子数5~50の複素芳香族環である。

 正孔注入層の材料としては上記のものを 用することができるが、ポルフィリン化合 (特開昭63-2956965号公報等に開示のもの)、芳 族第三級アミン化合物及びスチリルアミン 合物(米国特許第4,127,412号明細書、特開昭53- 27033号公報、同54-58445号公報、同54-149634号公 、同54-64299号公報、同55-79450号公報、同55-1442 50号公報、同56-119132号公報、同61-295558号公報 同61-98353号公報、同63-295695号公報等参照)、 に芳香族第三級アミン化合物を用いること 好ましい。

 また、米国特許第5,061,569号に記載されてい 2個の縮合芳香族環を分子内に有する、例え ば、4,4’-ビス(N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミ )ビフェニル(以下NPDと略記する)、また、特 平4-308688号公報に記載されているトリフェ ルアミンユニットが3つスターバースト型に 結された4,4’,4”-トリス(N-(3-メチルフェニ )-N-フェニルアミノ)トリフェニルアミン(以 MTDATAと略記する)等を挙げることができる。
 また、発光層の材料として示した前述の芳 族ジメチリディン系化合物の他、p型Si、p型 SiC等の無機化合物も正孔注入層の材料として 使用することができる。

 また、発光層及び発光層と陽極の間の有機 の少なくとも一層が、酸化剤を含有してい ことが好ましく、好ましい酸化剤としては 電子吸引性又は電子アクセプターであり、 体的には、ルイス酸、各種キノン誘導体、 シアノキノジメタン誘導体、芳香族アミン ルイス酸で形成された塩類等が挙げられ、 イス酸は、塩化鉄、塩化アンチモン、塩化 ルミニウム等が挙げられる。
 この他に特許第03571977号で開示されている 記式(18)で表される含窒素複素環誘導体も用 ることができる。

 上記式(18)中、R 1 ~R 6 は置換または無置換のアルキル基、置換また は無置換のアリール基、置換または無置換の アラルキル基、置換または無置換の複素環基 のいずれかを示す。但し、R 1 ~R 6 は同じでも異なっていてもよい。また、R 1 とR 2 ,R 3 とR 4 、R 5 とR 6 またはR 1 とR 6 ,R 2 とR 3 、R 4 とR 5 が縮合環を形成していてもよい。

 さらに、US2004/113547 A1で開示されている 記式(19)の化合物も用いることができる。

 上記式(19)中、R1~R6は置換基であり、好ま くはシアノ基、ニトロ基、スルホニル基、 ルボニル基、トリフルオロメチル基、ハロ ンなどの電子吸引基である。

 正孔注入、輸送層は上述した化合物を、例 ば、真空蒸着法、スピンコート法、キャス 法、LB法等の公知の方法により薄膜化する とにより形成することができる。正孔注入 輸送層としての膜厚は特に制限はないが、 常は5nm~5μmである。この正孔注入、輸送層は 正孔輸送帯域に本発明の化合物を含有してい れば、上述した材料の一種又は二種以上から なる一層で構成されてもよいし、又は前記正 孔注入、輸送層とは別種の化合物からなる正 孔注入、輸送層を積層したものであってもよ い。また、有機半導体層は発光層への正孔注 入又は電子注入を助ける層であって、10 -10 S/cm以上の導電率を有するものが好適である このような有機半導体層の材料としては、 チオフェンオリゴマーや特開平8-193191号公報 に開示してある含アリールアミンオリゴマー 等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデ ンドリマー等の導電性デンドリマー等を用い ることができる。

(5)電子注入層
 有機EL素子の好ましい形態に、電子を輸送 る領域又は陰極と有機層の界面領域に、還 性ドーパントを含有する素子がある。ここ 、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合 を還元ができる物質と定義される。したが て、一定の還元性を有するものであれば、 々なものが用いられ、例えば、アルカリ金 、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカ 金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化 、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土 金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物 たは希土類金属のハロゲン化物、アルカリ 属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯 、希土類金属の有機錯体からなる群から選 される少なくとも一つの物質を好適に使用 ることができる。

 また、より具体的に、好ましい還元性ド パントとしては、Li(仕事関数:2.9eV)、Na(仕事 関数:2.36eV)、K(仕事関数:2.28eV)、Rb(仕事関数:2. 16eV)およびCs(仕事関数:1.95eV)からなる群から 択される少なくとも1つのアルカリ金属や、C a(仕事関数:2.9eV)、Sr(仕事関数:2.0~2.5eV)、およ Ba(仕事関数:2.52eV)からなる群から選択され 少なくとも1つのアルカリ土類金属が挙げら る仕事関数が2.9eV以下のものが特に好まし 。これらのうち、より好ましい還元性ドー ントは、K、RbおよびCsからなる群から選択さ れる少なくとも1つのアルカリ金属であり、 らに好ましくは、RbまたはCsであり、最も好 しのは、Csである。これらのアルカリ金属 、特に還元能力が高く、電子注入域への比 的少量の添加により、有機EL素子における発 光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、 仕事関数が2.9eV以下の還元性ドーパントとし 、これら2種以上のアルカリ金属の組合わせ も好ましく、特に、Csを含んだ組み合わせ、 えば、CsとNa、CsとK、CsとRbあるいはCsとNaとK との組み合わせであることが好ましい。Csを み合わせて含むことにより、還元能力を効 的に発揮することができ、電子注入域への 加により、有機EL素子における発光輝度の 上や長寿命化が図られる。

 陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成 れる電子注入層をさらに設けても良い。こ 時、電流のリークを有効に防止して、電子 入性を向上させることができる。このよう 絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニ 、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカ 金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金 のハロゲン化物からなる群から選択される なくとも1つの金属化合物を使用するのが好 ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属 カルコゲニド等で構成されていれば、電子注 入性をさらに向上させることができる点で好 ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カ ルコゲニドとしては、例えば、Li 2 O、K 2 O、Na 2 S、Na 2 SeおよびNa 2 Oが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カ コゲニドとしては、例えば、CaO、BaO、SrO、Be O、BaS、およびCaSeが挙げられる。また、好ま いアルカリ金属のハロゲン化物としては、 えば、LiF、NaF、KF、LiCl、KClおよびNaCl等が挙 げられる。また、好ましいアルカリ土類金属 のハロゲン化物としては、例えば、CaF 2 、BaF 2 、SrF 2 、MgF 2 およびBeF 2 といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲ ン化物が挙げられる。
 また、電子輸送層を構成する半導体として 、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、 Si、Ta、SbおよびZnの少なくとも1つの元素を含 む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の1種 独または2種以上の組み合わせが挙げられる また、電子輸送層を構成する無機化合物が 微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であるこ が好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性 膜で構成されていれば、より均質な薄膜が 成されるために、ダークスポット
等の画素欠陥を減少させることができる。な お、このような無機化合物としては、上述し たアルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類 金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン 化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物 等が挙げられる。

(6)陰極
 陰極としては、電子注入・輸送層又は発光 に電子を注入するため、仕事関数の小さい( 4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及び れらの混合物を電極物質とするものが用い れる。このような電極物質の具体例として 、ナトリウム、ナトリウム・カリウム合金 マグネシウム、リチウム、マグネシウム・ 合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、ア ミニウム・リチウム合金、インジウム、希 類金属などが挙げられる。
 この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパ タリング等の方法により薄膜を形成させる とにより、作製することができる。
 ここで発光層からの発光を陰極から取り出 場合(トップエミッションの場合)、陰極の 光に対する透過率は10%より大きくすること 好ましい。
 また、陰極としてのシート抵抗は数百ω/□ 下が好ましく、膜厚は通常10nm~1μm、好まし は50~200nmである。

(7)絶縁層
 有機EL素子は超薄膜に電界を印可するため 、リークやショートによる画素欠陥が生じ すい。これを防止するために、一対の電極 に絶縁性の薄膜層を挿入することが好まし 。
 絶縁層に用いられる材料としては例えば酸 アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウ 、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグ シウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウ 、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸 チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒 珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化 テニウム、酸化バナジウム等が挙げられる
 また、これらの混合物や積層物を用いても い。

 本発明は、表示装置等に用いる混合色の 機EL素子として利用できる。