以下、本発明に係る有機薄膜トランジスタ( 以下、有機TFTと略称する)の実施形態につい� �詳細に説明する。
[1.基本素子構成]:
 本発明の有機TFTの素子構成としては、基板� ��に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン� ��極の3種の端子、絶縁体層、結晶性制御層及 び有機半導体層が設けられ、結晶性制御層上 に有機半導体層が積層されており、ソース-� �レイン間電流をゲート電極に電圧を印加す� �ことによって制御するTFTであれば、特に限� �されない。公知の素子構成を基本とするも� �であっても良い。本発明はこれらの有機半� �体層を設ける前に有機半導体層の下地とし� �結晶性制御層が設けられ、その上に有機半� �体層がこの順で積層されることを特徴とす� �。代表的な有機TFTの基本素子構成を基にす� �本発明の構成素子A~Dが図1~4に示される。こ� �ように、電極の位置、層の積層順などによ� �いくつかの公知の基本構成が知られており� �本発明の有機TFTは、電界効果トランジスタ(F ET: Field Effect Transistor)構造を有している。� �機TFTは、有機半導体層(有機化合物層)と、相 互に所定の間隔をあけて対向するように形成 されたソース電極及びドレイン電極と、ソー ス電極及びドレイン電極との間に少なくとも 絶縁体層を介して形成されたゲート電極とを 有し、ゲート電極に電圧を印加することによ ってソース-ドレイン電極間に流れる電流を� �御するようになっている。ここで、ソース� �極とドレイン電極との間隔は本発明の有機TF Tの用途によって決定され、通常は0.1μm~1mm、� ��ましくは1μm~100μm、更に好ましくは5μm~100μm である。
 素子A~Dのうち、図3の素子Cを例として更に� �しく説明すると、素子Cの有機TFTは、基板上� ��、ゲート電極、絶縁体層、結晶性制御層、� ��機半導体層をこの順に有し、有機半導体層� ��に、所定の間隔をあけて形成された一対の� ��ース電極及びドレイン電極を有している。� ��機半導体層がチャネル領域を成しており、� ��ート電極に印加される電圧でソース電極と� ��レイン電極の間に流れる電流が制御される� ��とによって素子がオン/オフ動作する。
 本発明の有機TFTは、前記素子A~D以外の素子� ��成にも、有機TFTとして種々の構成が提案さ� ��ており、ゲート電極に印加される電圧でソ� ��ス電極とドレイン電極の間に流れる電流が� ��御されることによってオン/オフ動作や増幅 などの効果が発現する仕組みであれば、前記 した素子A~Dの素子構成に限定されるものでは ない。例えば、産業技術総合研究所の吉田ら により第49回応用物理学関係連合講演会講演� ��稿集27a-M-3(2002年3月)において提案されたト� �プアンドボトムコンタクト型有機TFT(図5参照 )や、千葉大学の工藤らにより電気学会論文� �118-A(1998)1440頁において提案された縦形の有� �TFT(図6参照)のような素子構成を有するもの� �基本構成とされ、有機半導体層の下地とし� �結晶性制御層が先に設けられ、その上に有� �半導体層が積層されたものでもよい。

[2.結晶性制御層]:
「1.結晶性制御層の機能」;
 結晶性制御層の働きは、その上に成膜され� ��有機半導体層の結晶性を制御して結晶性(秩 序度)を向上させることにより、キャリア移� �度を向上させること、及び分子のパッキン� �が密にあることにより大気成分の侵入を防� �、大気中での安定性を向上させることであ� �。

「2.結晶性制御層に用いる材料」;
 結晶性制御層に用いられる材料としては成� ��過程において結晶粒(グレイン)を形成する� �とができれば特に制限はないが、 グレイン が基板表面と直角の方向のみならず平行の方 向へも成長するものが望ましい。グレインが 基板表面と直角の方向にだけ高く成長すると 、その上に成長する有機半導体膜のチャネル 部分の凹凸が激しくなり電流を流すことの妨 げになることに加え、有機半導体層自体のグ レインもその影響を受け、高く成長して膜の 連続性が劣ることとなる。これらのことから 、結晶性制御層に用いられる材料系としては 、置換基を有してもよい、縮合環化合物、ヘ テロ縮合環化合物、芳香族多環化合物からな るものが望ましい。これら縮合環化合物、ヘ テロ縮合環化合物、芳香族多環化合物では炭 素数が6~60であるものが望ましい。更に望ま� �くは炭素数が6~30であり6~20であれば特段によ い。これは環数が多くなると分子のねじれが 大きくなり、結晶制御層自体の結晶性が低下 するためである。具体的には以下に例示する が、本発明はこれらに限定されるものでない 。

 前記の縮合環化合物としては、例えば、ア� ��ン類:ナフタレン,アントラセン,テトラセン, ペンタセン,ヘキサセン,ヘプタセンなど、以� ��の一般式(2)で表わされる化合物が挙げられ� ��。
 一般式(2)において、n=2~20である。
 前記一般式(2)の化合物は、具体的には、フ� ��ナントレン ,クリセン ,トリフェニレン ,� ��トラフェン ,ピレン ,ピセン ,ペンタフェ� �� ,ペリレン ,ヘリセン ,コロネンである。
 また、上記の芳香族多環化合物としては、� ��えば、ビフェニル ,ターフェニル,クォータ ーフェニル,セキシフェニルなど、トリフェ� �ルメタン、フェノールフタレインなどが挙� �られる。
 そして、上記のヘテロ縮合環化合物として� ��、例えば、キノリン,キノキサリン,ナフチ� �ジン,フェナジン,カルバゾール,ジアザアン� �ラセン,ピリドキノリン,ピリミドキナゾリン ,ピラジノキノキサリン,フェナントロリン,ジ ベンゾチオフェン,チエノチオフェン,ジチエ� ��チオフェン,ベンゾジチオフェン,ジベンゾ� �ラン,ベンゾジフラン,ジチアインダセン,ジ� �アインダセン,ジチアインデノインデン,ジベ ンゾセレノフェン,ジセレナインダセン,ジセ� ��ナインデノインデン,ジベンゾシロールなど が挙げられる。

「3.結晶形態」;
 結晶性制御層の望ましい形態は少なくとも� ��晶粒(グレイン)を有している形態である。� �晶性制御層の結晶性が強いことで、その上� �成膜される有機半導体層の結晶性も向上す� �。すなわち、グレインの大きさが10~0.02μm、� ��ましくは2~0.05μm程度に制御されることによ� ��、有機半導体層の結晶性を向上させること� ��できる。また、結晶性制御層を形成するグ� ��イン内の結晶性を向上させるため、結晶性� ��御層を成膜する前に予め基板あるいはゲー� ��絶縁膜などの下地層の上に、オクタデシル� ��リクロロシラン(OTS),ヘキサメチルジシラザ� ��(HMDS),フッ素置換オクタデシルトリクロロシ ラン(PFOTS),β-フェネチルトリクロロシラン(β- Phe),γ-プロピルトリエトキシシラン(APTES)など の自己組織化単分子層を形成しておいて、結 晶性制御層のグレインの結晶性を向上させる ようにしてもよい。

「4.膜厚」;
 結晶性制御層が有機半導体層の結晶性を制� ��するための膜厚の制限は無い。しかしなが� ��、結晶性制御層の膜厚が厚いと、材料によ� ��ては有機TFTのチャネルが結晶性制御層にも� ��成され、移動度向上の効果が発現しない。� ��たがって、結晶性制御層の膜厚は薄いこと� ��望ましく、望ましい平均膜厚は0.01~10nmであ� ��、更に望ましくは平均膜厚0.05~5nmである。� �こで,平均膜厚とは、水晶振動式成膜モニタ� ��や原子間力顕微鏡(AFM)で求めた平均の膜厚� �ある。例えばペンタセンがSiO ₂ 上に成膜されると、分子はほぼ一分子層あた り1.4~1.5nmで積層されていると報告されている (C. D. Dimitrakopoulos, A. R. Brown, and A. Pomp,“ Molecular Beam Deposited Thin Films of Pentacene for� �Organic Field Effect Transistor Applications,” J. A ppl.  Phys. 80, 2501 (1996). )。したがって、結 晶性制御層としてペンタセンを用いて平均膜 厚が一分子層以下の数字をとった場合、基板 上にペンタセンが数分子層堆積している部分 と全く堆積していない部分とが存在する島状 構造が現れる(G.Yoshikawa et.al , Surf. Sci. 600  (2006) 2518)。本発明において我々は鋭意検討� �た結果、結晶性制御層が前記の島状構造を� �れば、その上に成膜される有機半導体層の� �体にわたって結晶性を向上させることがで� �ることを見出した。また、これまで基板や� �ート絶縁膜上に直接有機半導体膜が成膜さ� �ると、下地層(基板やゲート絶縁膜)の表面エ ネルギーが場所により不均一であるため、そ の上に有機半導体膜が成膜されたとしてもト ランジスタ性能が悪いという欠点があった。 島状構造は表面エネルギーがよく制御された 部位を下地に成長させることにより、結晶性 制御層自体にチャネルが形成され電流が流れ ることによる移動度低下を招くことを防止で きるという点において望ましい形態である。 一方、前述のように有機TFTのチャネル内にお いて結晶性制御層の膜厚が厚いところと薄い ところの膜厚差が大きすぎると、電流の円滑 な流れが妨げられ移動度が向上しない。そこ で、チャネル内での結晶性制御層の最大膜厚 が0.3~30nmの範囲にされれば、有機半導体層の� ��晶性向上に効果がある。この場合、島状構� ��をとってもよいので、膜厚の最小値は0とし ている。

[3.有機半導体層]:
 本発明で用いられる有機半導体層は複素環� ��を有する化合物あるいはキノン構造を有す� ��化合物を含むこと以外には特に制限を受け� ��ものではない。上記の化合物群は実質的に� ��テロ原子まで共役系がおよんでいる。我々� ��鋭意研究の結果、有機半導体が複素環基を� ��する化合物あるいはキノン構造を有する化� ��物を含んでいる場合、結晶性制御層がその� ��能を発現し移動度と保存安定性の向上が得� ��れることを見出した。一般に開示されてい� ��有機TFTに用いられる複素環基あるいはキノ� ��構造を有する有機半導体を用いることがで� ��る。かかる有機化合物として以下に具体例� ��示される。
 チオフェン環を含む化合物としては、例え� ��、α-4T,α-5T,α-6T,α-7T,α-8Tの誘導体などの置� �基を有してもよいチオフェンオリゴマーや� �ポリヘキシルチオフェン,ポリ(9,9-ジオクチ� �フルオレニル-2,7-ジイル-コ-ビチオフェン)な どのチオフェン系高分子や、ビスベンゾチオ フェン誘導体,α,α'-ビス(ジチエノ[3,2-b:2',3'-d] チオフェン),ジチエノチオフェン-チオフェン のコオリゴマー、ペンタチエノアセンなどの 縮合オリゴチオフェン特にチエノベンゼン骨 格又はジチエノベンゼン骨格を有する化合物 ,ジベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体が� �ましい。更に好ましいのは、有機半導体が� �記の一般式(1)で表わされる化合物から構成� �れていることである。
 式中、R1~R10はそれぞれ独立に水素原子、ハ� ��ゲン原子、シアノ基、炭素数1~30のアルキル 基、炭素数1~30のハロアルキル基、炭素数1~30� ��アルコキシル基、炭素数1~30のハロアルコキ シル基、炭素数1~30のアルキルアミノ基、炭� �数2~60のジアルキルアミノ基(アルキル基は互 いに結合して窒素原子を含む環構造を形成し ていても良い)、炭素数1~30のアルキルスルホ� ��ル基、炭素数1~30のハロアルキルスルホニル 基、炭素数1~30のアルキルチオ基、炭素数1~30� ��ハロアルキルチオ基、炭素数3~30のアルキル シリル基、炭素数6~60の芳香族炭化水素基、� �は炭素数1~60の芳香族複素環基であり、これ� ��の各基は置換基を有していても良い。

 前記した化合物(1)の具体例は以下の一般式( 3)~(32)で例示されるが、本発明はこれらの例� �限定されるものでない。

 あるいは、セレノフェンオリゴマー,無金属 フタロシアニン,銅フタロシアニン,フッ素化� ��フタロシアニン,鉛フタロシアニン,チタニ� �フタロシアニン,白金ポルフィリン,ポルフィ リン,ベンゾポルフィリンなどのポルフィリ� �類,N,N'-ジフェニル-3,4,9,10-ペリレンテトラカ� ��ボン酸ジイミド, N,N'-ジオクチル-3,4,9,10-ペ� ��レンテトラカルボン酸ジイミド(C8-PTCDI),1,4,5 ,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA ),1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボキシルジイ� �ド(NTCDI)などのテトラカルボン酸類,テトラチ アフルバレン(TTF)及びその誘導体が挙げられ� ��。又は、ベンゾフラン,ジベンゾフランなど を含む化合物である。
 また、上記のキノン類としては、例えば、� ��トラシアノキノジメタン(TCNQ),11,11,12,12-テト ラシアノナフト-2,6-キノジメタン(TCNNQ)らのキ ノイドオリゴマー,アントラキノンなどが挙� �られる。

[4.有機半導体の膜厚及び成膜方法]:
 本発明の有機TFTにおける有機半導体層の膜� ��は、特に制限されることはないが、通常、0 .5nm~1μmであり、2nm~250nmであると好ましい。ま た、有機半導体層の形成方法は特に限定され ることはなく公知の方法を適用できる。例え ば、分子線蒸着法(MBE法)、真空蒸着法、化学� ��着、材料を溶媒に溶かした溶液のディッピ� ��グ法、スピンコーティング法、キャスティ� ��グ法、バーコート法、ロールコート法など� ��印刷、塗布法及びベーキング、エレクトロ� ��リマラインゼーション、分子ビーム蒸着、� ��液からのセルフ・アセンブリ、及びこれら� ��組合せた手段により、前記したような有機� ��導体層の材料から有機半導体層が形成され� ��。有機半導体層の結晶性を向上させると電� ��効果移動度が向上するため、気相からの成� ��(蒸着、スパッタなど)を用いる場合は成膜� �の基板温度を高温に保持することが望まし� �。その温度は50~250℃が好ましく、70~150℃で� �ると更に好ましい。また、成膜方法に関わ� �ず成膜後にアニーリングを実施すると、高� �能デバイスが得られるために好ましい。ア� �ーリングの温度は50~200℃が好ましく、70~200� �であると更に好ましく、アニーリングの時� �は10分~12時間が好ましく、1~10時間であると� �に好ましい。

[5.結晶性制御層および有機半導体層に用いら れる有機化合物の純度]:
 また、トランジスタのような電子デバイス� ��おいては材料の純度の高いものを用いるこ� ��により電界効果移動度やオン/オフ比の高い デバイスを得ることができる。したがって、 必要に応じて、カラムクロマトグラフィー、 再結晶、蒸留、昇華などの手法により原材料 に精製を加えることが望ましい。好ましくは これらの精製方法を繰り返し用いたり、複数 の方法を組み合わせたりすることにより純度 を向上させることが可能である。更に、精製 の最終工程として昇華精製を少なくとも2回� �上繰り返すことが望ましい。これらの手法� �用いることにより高速液体クロマトグラフ(H PLC)で測定した純度90%以上の材料を用いるこ� �が好ましく、更に好ましくは95%以上、特に� �ましくは99%以上の材料を用いることにより� �有機TFTの電界効果移動度やオン/オフ比を高� ��、本来材料の持っている性能を引き出すこ� ��ができる。

[6.結晶性制御層と有機半導体層の望ましい組 み合わせ]:
 結晶性制御層は平均膜厚0.01~10nmであり、ソ� ��ス電極-ドレイン電極間のチャネル領域内で の膜厚の最大値が0.3~30nmの範囲であれば、特� ��材料の組合せに制限は無く移動度や安定性� ��の向上が得られるが、特に望ましい組合せ� ��以下の通りである。結晶性制御層と有機半� ��体層は表面エネルギーの値が近い材料を用� ��ることが望ましい。表面エネルギーの値が� ��い場合は結晶性制御層と有機半導体層とが� ��様な結晶化傾向を持つため、有機半導体層� ��結晶性及びグレインサイズを向上させるこ� ��ができる。表面エネルギーの差は0~30mN/mで� �ることが好ましく、0~20mN/m以内であることが 更に望ましい。表面エネルギー差が大きいと 、有機半導体層のグレインの成長方向が垂直 方向に偏り、膜の連続性やチャネルの平滑性 が劣ることとなるので、移動度が向上しなく なったり、有機半導体の結晶性が悪くなって 分子が揃わずトランジスタ性能を発現しなく なったりする。

 以下に好ましい組み合わせの具体例を示す� ��、本発明はそれに限定されるものでない。
 第一の好ましい組み合わせは、結晶性制御� ��が縮合環化合物で構成され、有機半導体層� ��チオフェン環を含む化合物である結晶性制� ��層が、アントラセン,テトラセン,ペンタセ� �,ヘキサセンのうちのいずれかから選ばれた� ��ので構成され、有機半導体層がα-4T,α-5T,α-6 T,α-7T,α-8Tの誘導体あるいはチエノベンゼン� �格又はジチエノベンゼン骨格を有する化合� �,ジベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体か� ��選ばれたもので構成される場合が特に好ま� ��い。最も好ましいのは結晶性制御層がアン� ��ラセン,テトラセン,ペンタセン,ヘキサセン� ��うちのいずれかから選ばれたもので構成さ� ��、有機半導体層が下記の一般式(1)の化合物� ��構成された組み合わせである。
(式中、R1~R10は、それぞれ独立に、水素原子� �ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1~30のアル� ��ル基、炭素数1~30のハロアルキル基、炭素数 1~30のアルコキシル基、炭素数1~30のハロアル� ��キシル基、炭素数1~30のアルキルアミノ基、 炭素数2~60のジアルキルアミノ基(アルキル基� ��互いに結合して窒素原子を含む環構造を形� ��していても良い)、炭素数1~30のアルキルス� �ホニル基、炭素数1~30のハロアルキルスルホ� ��ル基、炭素数1~30のアルキルチオ基、炭素数 1~30のハロアルキルチオ基、炭素数3~30のアル� ��ルシリル基、炭素数6~60の芳香族炭化水素基 、又は炭素数1~60の芳香族複素環基であり、� �れらの各基は置換基を有していても良い。)

 別の好ましい組み合わせは、結晶性制御� ��がヘテロ縮合環化合物で構成され、有機半� ��体層が、テトラシアノキノジメタン(TCNQ),11, 11,12,12-テトラシアノナフト-2,6-キノジメタン( TCNNQ)らのキノイドオリゴマー,フタロシアニ� �類,ポルフィリン類,テトラカルボン酸類,テ� �ラチアフルバレン(TTF)及びその誘導体のうち のいずれかから選ばれたもので構成される場 合である。これらの組み合わせは結晶性制御 層、有機半導体層ともに極性基を有するため 、表面エネルギーが大きい値をとる傾向にあ る。そのために結局、その表面エネルギー差 を小さくとることができる。

[7.基板]:
 本発明の有機TFTにおける基板は、有機TFTの� ��造を支持する役目を担うものであり、材料� ��してはガラスの他、金属酸化物や窒化物な� ��の無機化合物、プラスチックフィルム(PET,PE S,PC)や、金属基板、又はこれら複合体や積層� ��などを用いることが可能である。また、基� ��以外の構成要素により有機TFTの構造を十分� ��支持し得る場合には、基板を使用しないこ� ��も可能である。また、基板の材料としては� ��リコン(Si)ウエハが用いられることが多い。 この場合、Si自体をゲート電極兼基板として� ��いることができる。また、Siの表面を酸化� �、SiO ₂ を形成して絶縁層として活用することも可能 である。この場合、図7に示されるように、� �板兼ゲート電極のSi基板にリード線接続用の 電極として、Auなどの金属層が成膜されるこ� ��もある。

[8.電極]:
 本発明の有機TFTにおける、ゲート電極、ソ� ��ス電極及びドレイン電極の材料としては、� ��電性材料であれば特に限定されず、白金,金 ,銀,ニッケル,クロム,銅,鉄,錫,アンチモン鉛,� ��ンタル,インジウム,パラジウム,テルル,レニ ウム,イリジウム,アルミニウム,ルテニウム,� �ルマニウム,モリブデン,タングステン,酸化� �ズ・アンチモン,酸化インジウム・スズ(ITO),� ��ッ素ドープ酸化亜鉛,亜鉛,炭素,グラファイ� ��,グラッシーカーボン,銀ペースト及びカー� �ンペースト,リチウム,ベリリウム,ナトリウ� �,マグネシウム,カリウム,カルシウム,スカン� ��ウム,チタン,マンガン,ジルコニウム,ガリウ ム,ニオブ,ナトリウム-カリウム合金,マグネ� �ウム/銅混合物,マグネシウム/銀混合物,マグ� ��シウム/アルミニウム混合物,マグネシウム/� ��ンジウム混合物,アルミニウム/酸化アルミ� �ウム混合物,リチウム/アルミニウム混合物な どが用いられる。

 前記電極の形成方法としては、例えば、� ��着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、大� ��圧プラズマ法、イオンプレーティング、化� ��気相蒸着、電着、無電解メッキ、スピンコ� ��ティング、印刷又はインクジェットなどの� ��段が挙げられる。また、必要に応じてパタ� ��ニングする方法としては、上記の方法によ� ��形成された導電性薄膜を、公知のフォトリ� ��グラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成� ��る方法、アルミニウムや銅などの金属箔上� ��熱転写、インクジェットなどにより、レジ� ��トを形成しエッチングする方法が挙げられ� ��。このようにして形成された電極の膜厚は� ��流の導通さえあれば特に制限はないが、好� ��しくは0.2nm~10μm、更に好ましくは4nm~300nmの� �囲である。この好ましい範囲内であれば、� �厚が薄いことにより抵抗が高くなり電圧降� �を生じるといったことがない。また、厚す� �ないため膜形成に時間がかからず、保護層� �有機半導体層など他の層を積層する場合に� �段差が生じることが無く積層膜が円滑に形� �され得る。

 本発明の有機TFTにおいて、上記とは別のソ� ��ス電極、ドレイン電極,ゲート電極およびそ の形成方法としては、上記の導電性材料を含 む、溶液、ペースト、インク、分散液などの 流動性電極材料を用いて形成したもの、特に 、導電性ポリマー、又は白金、金、銀、銅を 含有する金属微粒子を含む流動性電極材料が 好ましい。この場合に用いる溶媒や分散媒体 は、有機半導体層へのダメージを抑制するた め、水を60質量%以上、好ましくは90質量%以上 含有する溶媒又は分散媒体であることが好ま しい。金属微粒子を含有する分散物としては 、例えば、公知の導電性ペーストなどを用い ても良いが、通常粒子径が0.5nm~50nm、1nm~10nmの 金属微粒子を含有する分散物であるのが好ま しい。この金属微粒子の材料としては、例え ば、白金,金,銀,ニッケル,クロム,銅,鉄,錫,ア� ��チモン鉛,タンタル,インジウム,パラジウム, テルル,レニウム,イリジウム,アルミニウム,� �テニウム,ゲルマニウム,モリブデン,タング� �テン,亜鉛などを用いることができる。これ� ��の金属微粒子を、主に有機材料からなる分� ��安定剤を用いて、水や任意の有機溶剤であ� ��分散媒中に分散した分散物を用いて、電極� ��形成するのが好ましい。このような金属微� ��子の分散物の製造方法としては、ガス中蒸� ��法、スパッタリング法、金属蒸気合成法な� ��の物理的生成法や、コロイド法、共沈法な� ��の、液相で金属イオンを還元して金属微粒� ��を生成する化学的生成法が挙げられ、好ま� ��くは、特開平11-76800号公報、特開平11-80647号 公報、特開平11-319538号公報、特開2000-239853号� ��報などに示されたコロイド法、特開2001-25418 5号公報、特開2001-53028号公報、特開2001-35255号 公報、特開2000-124157号公報、特開2000-123634号� �報などに記載されたガス中蒸発法である。
 これらの金属微粒子分散物を用いて直接イ� ��クジェット法によりパターニングして電極� ��形成されても良く、塗工膜からリソグラフ� ��レーザーアブレーションなどにより形成さ� ��ても良い。また、凸版、凹版、平版、スク� ��ーン印刷などの印刷法でパターニングする� ��法も用いることができる。前記電極を成形� ��、溶媒を乾燥させた後、必要に応じて100℃~ 300℃、好ましくは150℃~200℃の範囲で形状様� �加熱することにより、金属微粒子を熱融着� �せて目的の形状を有する電極パターンを形� �することができる。

 更に、別のゲート電極、ソース電極及び� ��レイン電極の材料としては、ドーピングな� ��で導電率を向上させた公知の導電性ポリマ� ��を用いることも好ましく、例えば、導電性� ��リアニリン、導電性ポリピロール、導電性� ��リチオフェン(ポリエチレンジオキシチオフ ェン(PEDOT)とポリスチレンスルホン酸(PSS)の錯 体など)、ポリエチレンジオキシチオフェン(P EDOT)とポリスチレンスルホン酸の錯体などを� ��適に用いることができる。これらの材料に� ��って、ソース電極およびドレイン電極と有� ��半導体層との接触抵抗を低減することがで� ��る。これら電極の形成方法もインクジェッ� ��法によりパターニングして良く、塗工膜か� ��リソグラフやレーザーアブレーションなど� ��より形成しても良い。また、凸版、凹版、� ��版、スクリーン印刷などの印刷法でパター� ��ングする方法も用いることができる。

 特に、ソース電極及びドレイン電極を形成� ��る材料は、前述した例の中でも有機半導体� ��との接触面において電気抵抗が少ないもの� ��好ましい。この際の電気抵抗は、すなわち� ��流制御デバイスを作製したときの電界効果� ��動度と対応しており、大きな移動度を得る� ��には出来るだけ抵抗が小さいことが必要で� ��る。これは、一般に電極材料の仕事関数と� ��機半導体層のエネルギー準位との大小関係� ��決まる。
 ここで、電極材料の仕事関数(W)をa、有機半 導体層のイオン化ポテンシャル(Ip)をb、有機� ��導体層の電子親和力(Af)をcとすると、以下� �関係式を満たすことが好ましい。ここで、a� ��b及びcはいずれも真空準位を基準とする正� �値である。

p型有機TFTの場合には、次の式(I):
b-a < 1.5eV     (I)
が満たされることが好ましく、更に好ましく は b-a < 1.0eV である。
 有機半導体層との関係において上記関係が� ��持できれば高性能なデバイスを得ることが� ��きるが、特に電極材料の仕事関数はできる� ��け大きいことものを選ぶことが好ましく、� ��事関数4.0eV以上であることが好ましく、更� �好ましくは仕事関数4.2eV以上である。

 金属の仕事関数の値は、例えば化学便覧� �基礎編II-493頁(改訂3版 日本化学会編 丸善� �式会社発行1983年)のリストに記載されている 4.0eV、又はそれ以上の仕事関数をもつ有効金� ��の前記リストから選別され得る。高仕事関� ��金属は、主としてAg(4.26,4.52,4.64,4.74eV),Al(4.06, 4.24,4.41eV),Au(5.1,5.37,5.47eV),Be(4.98eV),Bi(4.34eV),Cd(4. 08eV),Co(5.0eV),Cu(4.65eV),Fe(4.5,4.67,4.81eV),Ga(4.3eV),Hg( 4.4eV),Ir(5.42,5.76eV),Mn(4.1eV),Mo(4.53,4.55,4.95eV),Nb(4.0 2,4.36,4.87eV),Ni(5.04,5.22,5.35eV),Os(5.93eV),Pb(4.25eV),Pt (5.64eV),Pd(5.55eV),Re(4.72eV),Ru(4.71eV),Sb(4.55,4.7eV),Sn( 4.42eV),Ta(4.0,4.15,4.8eV),Ti(4.33eV),V(4.3eV),W(4.47,4.63,5 .25eV),Zr(4.05eV)である。これらの中でも、貴金� ��(Ag,Au,Cu,Pt),Ni,Co,Os,Fe,Ga,Ir,Mn,Mo,Pd,Re,Ru,V,Wが好� �しい。金属以外では、ITO、ポリアニリンやPE DOT:PSSのような導電性ポリマー及び炭素が好� �しい。電極材料はこれらの高仕事関数の物� �を1種又は複数含んでいても、仕事関数が前� ��の式(I)を満たせば特に制限を受けるもので� ��ない。

 n型有機TFTの場合には、次の式(II):
         a-c < 1.5eV     (II)
が満たされることが好ましく、更に好ましく は、a-c < 1.0eV である。
 例えば、金属として仕事関数が大きなAu(5.1, 5.37,5.47eV)が使用される場合でも、有機半導体 層の電子親和力が4.2eVの材料を用いれば、式( II)の関係が成り立つ。
 有機半導体層との関係において上記関係が� ��持されれば高性能なデバイスを得ることが� ��きるが、特に電極材料の仕事関数はできる� ��け小さいものを選ぶことが好ましく、仕事� ��数4.3eV以下であることが好ましく、更に好� �しくは仕事関数3.7eV以下である。

 低仕事関数金属の具体例は、例えば化学� ��覧 基礎編II-493頁(改訂3版 日本化学会編 � �善株式会社発行1983年)のリストに記載されて いる4.3eV、又はそれ以下の仕事関数をもつ有� ��金属の前記リストから選別されれば良く、A g(4.26eV),Al(4.06,4.28eV),Ba(2.52eV),Ca(2.9eV),Ce(2.9eV),Cs( 1.95eV),Er(2.97eV),Eu(2.5eV),Gd(3.1eV),Hf(3.9eV),In(4.09eV), K(2.28),La(3.5eV),Li(2.93eV),Mg(3.66eV),Na(2.36eV),Nd(3.2eV) ,Rb(4.25eV),Sc(3.5eV),Sm(2.7eV),Ta(4.0,4.15eV),Y(3.1eV),Yb(2 .6eV),Zn(3.63eV)などが挙げられる。前記のよう� �例示されたものの中でも、Ba,Ca,Cs,Er,Eu,Gd,Hf,K, La,Li,Mg,Na,Nd,Rb,Y,Yb,Znが好ましい。電極材料は� �れらの低仕事関数の物質を1種又は複数含ん� ��いても、仕事関数が前記式(II)を満たせば特 に制限を受けるものではない。ただし、低仕 事関数金属は、大気中の水分や酸素に触れる と容易に劣化してしまうので、必要に応じて AgやAuのような空気中で安定な金属で被覆す� �ことが望ましい。被覆に必要な膜厚は10nm以� ��必要であり、膜厚が厚くなるほど酸素や水� ��ら保護することができるが、実用上、生産� ��を上げるなどの理由から1μm以下にすること が望ましい。

 また、本実施形態の有機薄膜トランジスタ� ��は、例えば、注入効率を向上させる目的で� ��有機半導体層とソース電極及びドレイン電� ��との間に、バッファ層が設けられても良い� ��このバッファ層は、n型有機薄膜トランジス タに関しては、有機ELの陰極に用いられるLiF� ��Li ₂ O、CsF、NaCO ₃ 、KCl、MgF ₂ 、CaCO ₃ などのアルカリ金属、アルカリ土類金属イオ ン結合を持つ化合物で構成することが望まし い。また、Alqなど有機ELで電子注入層、電子� ��送層として用いられる化合物がバッファ層� ��して挿入されても良い。

 p型有機薄膜トランジスタに係るバッファ層 としては、FeCl ₃ ,TCNQ,F ₄ -TCNQ,HATなどのシアノ化合物や、CFxや、GeO ₂ ,SiO ₂ ,MoO ₃ ,V ₂ O ₅ ,VO ₂ ,V ₂ O ₃ ,MnO,Mn ₃ O ₄ ,ZrO ₂ ,WO ₃ ,TiO ₂ ,In ₂ O ₃ ,ZnO,NiO,HfO ₂ ,Ta ₂ O ₅ ,ReO ₃ ,PbO ₂ などのアルカリ金属、アルカリ土類金属以外 の金属酸化物、ZnS,ZnSeなどの無機化合物が望� ��しい。多くの場合、これらの酸化物は酸素� ��損を起こすので正孔注入に好適となる。更� ��はTPDやNPDなどのアミン系化合物や、CuPcなど 有機EL素子において正孔注入層、正孔輸送層� ��して用いられる化合物で、このバッファ層� ��構成してもよい。また、上記の化合物二種� ��以上からなるものが望ましい。

 一般に、バッファ層はキャリアの注入障� ��が下げられることにより閾値電圧を下げ、� ��ランジスタを低電圧駆動させる効果がある� ��とが知られているが、われわれは、本発明� ��化合物に関してバッファ層が低電圧効果の� ��ならず移動度を向上させる効果があること� ��見出した。これは、有機半導体層と絶縁体� ��との界面にはキャリアトラップが存在し、� ��ート電圧の印加によりキャリア注入が起こ� ��と最初に注入したキャリアはトラップを埋� ��るのに使われるが、バッファ層を挿入する� ��とにより、低電圧でトラップが埋められて� ��動度が向上するためである。バッファ層は� ��極と有機半導体層との間に薄く存在すれば� ��く、その厚みは0.1nm~30nm、好ましくは0.3nm~20n mである。

[9.絶縁体層]:
 本発明の有機TFTにおける絶縁体層の材料と� ��ては、電気絶縁性を有し薄膜として形成で� ��るものであれば特に限定されず、金属酸化� ��(珪素の酸化物を含む)、金属窒化物(珪素の� ��化物を含む)、高分子、有機低分子など、室 温での電気抵抗率が10ωcm以上の材料を用いる ことができ、特に、比誘電率の高い無機酸化 物皮膜が好ましい。かかる皮膜に用いる無機 酸化物としては、例えば、酸化ケイ素,酸化� �ルミニウム,酸化タンタル,酸化チタン,酸化� �ズ,酸化バナジウム,チタン酸バリウムストロ ンチウム,ジルコニウム酸チタン酸バリウム,� ��ルコニウム酸チタン酸鉛,チタン酸鉛ランタ ン,チタン酸ストロンチウム,チタン酸バリウ� ��,フッ化バリウムマグネシウム,ランタン酸� �物,フッ素酸化物,マグネシウム酸化物,ビス� �ス酸化物,チタン酸ビスマス,ニオブ酸化物,� �タン酸ストロンチウムビスマス,タンタル酸� ��トロンチウムビスマス,五酸化タンタル,タ� �タル酸ニオブ酸ビスマス,トリオキサイドイ� ��トリウム及びこれらを組合せたものが挙げ� ��れ、その中でも酸化ケイ素,酸化アルミニウ ム,酸化タンタル,酸化チタンが好ましい。ま� ��、窒化ケイ素(Si ₃ N ₄ ,SixNy(x、y>0)),窒化アルミニウムなどの無機� ��化物も好適に用いることができる。

 更に、絶縁体層は、アルコキシド金属を含� ��前駆物質で形成されていても良い。この場� ��、前駆物質の溶液を、例えば基板に被覆し� ��これに熱処理を含む化学溶液処理をするこ� ��により絶縁体層が形成される。前記アルコ� ��シド金属を構成する金属としては、例えば� ��遷移金属、ランタノイド、又は主族元素か� ��選択され、具体的には、バリウム(Ba),スト� �ンチウム(Sr),チタン(Ti),ビスマス(Bi),タンタ� �(Ta),ジルコン(Zr),鉄(Fe),ニッケル(Ni),マンガン (Mn),鉛(Pb),ランタン(La),リチウム(Li),ナトリウ� ��(Na),カリウム(K),ルビジウム(Rb),セシウム(Cs), フランシウム(Fr),ベリリウム(Be),マグネシウ� �(Mg),カルシウム(Ca),ニオブ(Nb) ,タリウム(Tl),� ��銀(Hg),銅(Cu),コバルト(Co),ロジウム(Rh),スカ� �ジウム(Sc)及びイットリウム(Y)などが挙げら� ��る。また、前記アルコキシド金属を構成す� ��アルコキシドとしては、例えば、メタノー� ��,エタノール,プロパノール,イソプロパノー� ��,ブタノール,イソブタノールなどを含むア� �コール類、メトキシエタノール,エトキシエ� ��ノール,プロポキシエタノール,ブトキシエ� �ノール,ペントキシエタノール,ヘプトキシエ タノール,メトキシプロパノール,エトキシプ� ��パノール,プロポキシプロパノール,ブトキ� �プロパノール,ペントキシプロパノール,ヘプ トキシプロパノールを含むアルコキシアルコ ール類などから誘導されるものが挙げられる 。
 本発明において、上記したような材料で絶� ��体層が構成されると、絶縁体層中に分極が� ��生しやすくなり、トランジスタ動作の閾電� ��を低減することができる。また、上記材料� ��中でも、特に、Si ₃ N ₄ ,SixNy,SiONx(x、y>0)などの窒化ケイ素で絶縁体 層が形成されると、分極がいっそう発生しや すくなり、トランジスタ動作の閾電圧を更に 低減させることができる。

 有機化合物を用いた絶縁体層としては、� ��リイミド,ポリアミド,ポリエステル,ポリア� ��リレート,光ラジカル重合系,光カチオン重� �系の光硬化性樹脂,アクリロニトリル成分を� ��有する共重合体,ポリビニルフェノール,ポ� �ビニルアルコール,ノボラック樹脂,及びシア ノエチルプルランなどを用いることもできる 。その他、ワックス,ポリエチレン,ポリクロ� ��ピレン,ポリエチレンテレフタレート,ポリ� �キシメチレン,ポリビニルクロライド,ポリフ ッ化ビニリデン,ポリメチルメタクリレート,� ��リサルホン,ポリカーボネート,ポリイミド� �アノエチルプルラン,ポリ(ビニルフェノール )(PVP),ポリ(メチルメタクレート)(PMMA),ポリカ� �ボネート(PC),ポリスチレン(PS),ポリオレフィ� ��,ポリアクリルアミド,ポリ(アクリル酸),ノ� �ラック樹脂,レゾール樹脂,ポリイミド,ポリ� �シリレン,エポキシ樹脂に加え、プルランな� ��の高い誘電率を持つ高分子材料を使用する� ��とも可能である。

 絶縁体層の材料として、特に好ましいのは� ��水性を有する有機化合物である。このよう� ��撥水性を有する有機化合物を用いることに� ��り絶縁体層と有機半導体層との相互作用が� ��えられ、有機半導体が本来保有している凝� ��性を利用して有機半導体層の結晶性を高め� ��バイス性能を向上させることができる。こ� ��ような例としては、Yasudaら, Jpn. J. Appl. Ph ys. Vol. 42 (2003) pp.6614-6618に記載のポリパラ� ��シリレン誘導体や、Janos Veres ら, Chem. Mate r., Vol. 16 (2004) pp. 4543-4555に記載のものが� �げられる。
 また、図1及び図4に示されるようなトップ� �ート構造を用いるときに、前記のような有� �化合物を絶縁体層の材料として用いること� �、有機半導体層に与えるダメージを小さく� �て成膜することができるため有効な方法と� �る。
 前記絶縁体層は、前述したような無機又は� ��機化合物材料が複数用いられた混合層であ� ��ても良く、これらの積層構造体であっても� ��い。この場合、必要に応じて誘電率の高い� ��料と撥水性を有する材料を混合したり積層� ��たりすることにより、デバイスの性能を制� ��することもできる。
 また、前記絶縁体層は、陽極酸化膜により� ��成されるか、又は該陽極酸化膜を構成の一� ��に含んでも良い。陽極酸化膜は封孔処理さ� ��ることが好ましい。陽極酸化膜は、陽極酸� ��が可能な金属を公知の方法により陽極酸化� ��ることにより形成される。陽極酸化処理可� ��な金属としては、アルミニウム又はタンタ� ��を挙げることができ、陽極酸化処理の方法� ��特に制限がなく、公知の方法を用いること� ��できる。陽極酸化処理を行なうことにより� ��酸化被膜が形成される。陽極酸化処理に用� ��られる電解液としては、多孔質酸化皮膜を� ��成することができるものならばいかなるも� ��でも使用でき、一般には、硫酸,燐酸,蓚酸,� ��ロム酸,ホウ酸,スルファミン酸,ベンゼンス� ��ホン酸などあるいはこれらを2種類以上組み 合わせた混酸又はそれらの塩が用いられる。 陽極酸化の処理条件は使用する電解液により 種々変化するので一概に特定し得ないが、一 般的には、電解質の濃度1~80質量%、電解液の� ��度5~70℃、電流密度0.5~60A/cm ² 、電圧1~100ボルト、電解時間10秒~5分の範囲が 適当である。好ましい陽極酸化処理は、電解 液として硫酸、リン酸又はホウ酸の水溶液を 用い、直流電流で処理する方法であるが、交 流電流を用いることもできる。これらの酸の 濃度は5~45質量%であることが好ましく、電解� ��の温度20~50℃、電流密度0.5~20A/cm ² で20~250秒間電解処理するのが好ましい。
 絶縁体層の厚さが薄いと有機半導体層に印� ��される実効電圧が大きくなるので、デバイ� ��自体の駆動電圧、閾電圧を下げることがで� ��るが、逆にソース-ゲート間のリーク電流が 大きくなるので、適切な膜厚を選ぶ必要があ る。すなわち、絶縁体層の厚さは、通常10nm~5 μm、好ましくは50nm~2μm、更に好ましくは100nm~ 1μmである。

 また、前記絶縁体層と有機半導体層の間� ��、任意の配向処理を施しても良い。その好� ��しい例としては、絶縁体層表面に撥水化処� ��などを施し絶縁体層と有機半導体層との相� ��作用を低減させ有機半導体層の結晶性を向� ��させる方法であり、具体的には、シランカ� ��プリング剤、例えば、ヘキサメチルジシラ� ��ン,オクタデシルトリクロロシラン,トリク� �ロメチルシラザンや、アルカン燐酸,アルカ� ��スルホン酸,アルカンカルボン酸などの自己 組織化配向膜材料を、液相又は気相状態で、 絶縁膜表面に接触させ自己組織化膜を形成後 、適度に乾燥処理を施す方法が挙げられる。 また、液晶の配向に用いられるように、絶縁 膜表面にポリイミドなどで構成された膜を形 成し、その膜の表面をラビング処理する方法 も好ましい。

 前記絶縁体層の形成方法としては、真空� ��着法、分子線エピタキシャル成長法、イオ� ��クラスタービーム法、低エネルギーイオン� ��ーム法、イオンプレーティング法、CVD法、� ��パッタリング法、特開平11-61406号公報、特� �平11-133205号公報、特開2000-121804号公報、特開 2000-147209号公報、特開2000-185362号公報に記載� �大気圧プラズマ法などのドライプロセスや� �スプレーコート法、スピンコート法、ブレ� �ドコート法、デイップコート法、キャスト� �、ロールコート法、バーコート法、ダイコ� �ト法などの塗布による方法、印刷やインク� �ェットなどのパターニングによる方法など� �ウェットプロセスが挙げられ、それぞれの� �成方法は材料に応じて使用され得る。ウェ� �トプロセスは、無機酸化物の微粒子を、任� �の有機溶剤又は水に必要に応じて界面活性� �などの分散補助剤を用いて分散した液を塗� �、乾燥する方法や、酸化物前駆体、例えば� �アルコキシド体の溶液を塗布、乾燥する、� �わゆるゾルゲル法が用いられる。

[10.有機TFTの形成プロセス全般]:
 本発明の有機TFTの形成方法は、特に限定さ� ��ず公知の方法によれば良いが、所望の素子� ��成に従い、基板投入、ゲート電極形成、絶� ��体層形成、結晶性制御層形成、有機半導体� ��形成、ソース電極形成、ドレイン電極形成� ��での一連の素子作製工程が全く大気に触れ� ��ことなく実行されると、大気との接触によ� ��大気中の水分や酸素などによる素子性能の� ��害を防止できるため好ましい。止むを得ず� ��一度大気に触れさせなければならないとき� ��も、有機半導体層成膜以後の工程を大気に� ��く触れさせない工程とし、有機半導体層成� ��直前には、有機半導体層を積層する面(例え ば素子B(図2参照)の場合は絶縁層に一部ソー� �電極、ドレイン電極が積層された表面)を紫� ��線照射、紫外線/オゾン照射、酸素プラズマ 、アルゴンプラズマなどで清浄化・活性化し た後、有機半導体層を積層することが好まし い。また、p型有機半導体の中には一旦大気� �触れさせて酸素などを吸着させることによ� �性能が向上するものもあるので、材料によ� �ては適宜大気に触れさせても構わない。
 更に、例えば、大気中に含まれる酸素、水� ��どの有機半導体層に対する影響を考慮し、� ��機トランジスタ素子の外周面の全面又は一� ��に、ガスバリア層が形成されても良い。ガ� ��バリア層を形成する材料としては、この分� ��で常用されるものが使用可能であり、例え� ��、ポリビニルアルコール,エチレン-ビニル� �ルコール共重合体,ポリ塩化ビニル,ポリ塩化 ビニリデン,ポリクロロトリフロロエチレン� �どが挙げられる。更に、前記絶縁体層で例� �された、絶縁性を有する無機物も使用でき� �。

[11.発光トランジスタ]:
 本発明における有機TFTは、ソース電極又は� ��レイン電極から注入された電荷が利用され� ��ことにより発光素子として使用され得る。� ��なわち、本発明の有機TFTは発光素子(有機EL) の機能を兼ねた有機薄膜発光トランジスタと して使用され得る。すなわち、ソース-ドレ� �ン電極間に流れる電流がゲート電極で制御� �れることにより発光強度が制御され得る。� �れにより、発光を制御するためのトランジ� �タと発光素子を統合できるため、ディスプ� �イの開口率向上や作製プロセスの簡易化に� �るコストダウンが可能となり実用上の大き� �メリットがもたらされる。有機薄膜トラン� �スタとして用いるときは、結晶性制御層を� �する上記詳細な説明で述べた内容で十分で� �るが、本発明の有機TFTを有機発光トランジ� �タとして動作させるためには、ソース電極� �はドレイン電極のいずれか一方から正孔を� �入し、残りの一方から電子を注入する必要� �あり、発光性能を向上させるため以下の条� �を満たすことが好ましい。

「発光トランジスタとしてのソース電極、ド レイン電極」;
 本発明の有機薄膜発光トランジスタは、正� ��の注入性を向上させるため、少なくとも一� ��の電極は正孔注入性電極とすることが好ま� ��い。正孔注入電極とは上記仕事関数4.2eV以� �の物質を含む電極である。また、電子の注� �性を向上させるため、少なくとも残りの電� �を電子注入性電極とすることが好ましい。� �子注入性電極とは上記仕事関数4.3eV以下の物 質を含む電極である。更に好ましくは一方が 正孔注入性の電極であり、かつ、もう一方が 電子注入性の電極を備える有機薄膜発光トラ ンジスタである。

「発光トランジスタとしての素子構成」;
 本発明の有機薄膜発光トランジスタは、正� ��の注入性を向上させるため、少なくとも一� ��の電極と有機半導体層の間に正孔注入層を� ��入することが好ましい。正孔注入層には、� ��機EL素子において正孔注入材料や正孔輸送� �料として用いられるアミン系材料などが挙� �られる。また、電子の注入性を向上させる� �め、少なくとも一方の電極と有機半導体層� �の間に電子注入性層を挿入すること好まし� �。正孔と同じく電子注入層は有機EL素子に用 いられる電子注入材料などで構成され得る。 更に好ましくは、一方の電極下に正孔注入層 を備え、もう一方が電子注入性の電極を備え 、正孔注入電極の仕事関数が電子注入電極の 仕事関数より大きい電極を備える有機薄膜発 光トランジスタである。

「発光トランジスタとして特に好ましい有機 半導体」;
 本発明における有機薄膜発光トランジスタ� ��用いられる最も好ましい有機半導体は以下� ��示される化合物で構成される。
 既に述べたように、下記の一般式(1)で表わ� ��れる化合物では移動度が特に向上する傾向� ��ある。また、一般式(1)の化合物自身、光を� ��することができるので、本発明にて高移動� ��が得られることにより高効率に発光する。
(式中、R1~R10は、それぞれ独立に、水素原子� �ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1~30のアル� ��ル基、炭素数1~30のハロアルキル基、炭素数 1~30のアルコキシル基、炭素数1~30のハロアル� ��キシル基、炭素数1~30のアルキルアミノ基、 炭素数2~60のジアルキルアミノ基(アルキル基� ��互いに結合して窒素原子を含む環構造を形� ��していても良い)、炭素数1~30のアルキルス� �ホニル基、炭素数1~30のハロアルキルスルホ� ��ル基、炭素数1~30のアルキルチオ基、炭素数 1~30のハロアルキルチオ基、炭素数3~30のアル� ��ルシリル基、炭素数6~60の芳香族炭化水素基 、又は炭素数1~60の芳香族複素環基であり、� �れらの各基は置換基を有していても良い。)

[実施例]
  次に、実施例を用いて本発明を更に詳し� �説明する。
「化合物(1)の合成」;
 化合物(1)の合成経路を以下に示す。
 300ミリリットルの3つ口フラスコに、ベンゾ [1,2-b:4,3-b’]ジチオフェニル-2-カルボアルデ� �ド 3.00g(13.7mmol)、{ベンゾ[1,2-b:4,3-b’]ジチオ� ��ェニル-2-イル-メチル}トリフェニルホスホ� �ウムブロマイド 7.50g(13.7mmol)が収容されたの ち、フラスコ内がアルゴンガスで置換された 。このフラスコにテトラヒドロフラン 50ml,� �タノール 200mlの混合溶液が加えられた後、� ��温にて、カリウムターシャリーブトキサイ� �� 2.30g(20.6mmol)のエタノール溶液 40mlが加え� �れ、16時間攪拌された。反応物に、水、10%塩 酸(10ml)が加えられ、濾過により得られた固体 がエタノール、へキサンにて洗浄されること で粗生成物が得られた。更に、昇華精製が行 われることで、精製物5.38g(13.3mmol、収率97%)が 得られた。この精製物は、 ¹ H-NMR(90MHz)及びFD-MSの測定結果から、目的物の� ��合物(1)であることが確認された。