本発明においては、請求の範囲第1項~請� �の範囲第9項のいずれか1項に規定される構成 により、素子間のバラツキの少ない薄膜トラ ンジスタ特性を示す有機薄膜トランジスタを 得ることができた。

 また、真空プロセスやフォトリソグラフ� ��程などを用いない、生産効率の高い有機薄� ��トランジスタの製造方法を提供することが� ��来た。

 以下、本発明に係る各構成要素の詳細につ� ��て説明する
 本発明においては、銀塩を含有するバイン� ��ー層に対して露光・現像を行い、得られる� ��属銀パターンをメッキ処理によって導電性� ��ターンを形成する、といった従来公知の導� ��性パターンの形成方法を有機薄膜トランジ� ��タを構成するゲート電極、ソース電極、お� ��びドレイン電極のいずれかの形成に用いる� ��とにより、簡便かつ正確な電極パターンを� ��する有機薄膜トランジスタを作製できるこ� ��を見出した。

 このような銀塩から導電性パターンを形� ��する公知の手法としては、例えば、米国特� ��第2600343号明細書、特公昭42-23746号公報、特� ��2004-221565号公報などが挙げられるが、銀塩� �ら形成された導電性パターンを薄膜トラン� �スタのゲート電極、ソース電極、ドレイン� �極に適用した例は見られない。

 また、絶縁層を介して2層の導電性パター ンを形成したような例も見られず、このよう な手法が有機薄膜トランジスタの形成に最適 であることは従来公知ではなかった。

 以下、本発明を更に詳しく説明する。

 本発明者らは、正確な導電性パターンを� ��成する手法として、光によって還元可能な� ��属前駆体を、流動できない状態に固定した� ��態で露光・還元すること、すなわち銀塩写� ��的な技術を応用することによって、真空プ� ��セスおよびフォトレジストを用いることな� ��に、正確な金属パターンを形成できること� ��見出し、本発明を完成した。

 以下、本発明の有機薄膜トランジスタ、� ��発明の有機薄膜トランジスタの製造方法の� ��に述べる。

 《有機薄膜トランジスタの構成》
 本発明の有機薄膜トランジスタの構成につ� ��て説明する。

 本発明の有機薄膜トランジスタは、基材� ��ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体層� ��ソース電極、ドレイン電極から形成され、� ��般にMIS型(金属-絶縁体-半導体型)トランジス タと呼ばれる種類のトランジスタである。

 MIS型トランジスタにおいては、ゲート電� ��に印加する電界を調節することで、絶縁層� ��介して半導体層の導電性を制御し、ひいて� ��半導体層の両端に設置されたソース電極か� ��ドレイン電極へと電流量を制御することが� ��きる。

 このようなMIS型トランジスタの中でも、� ��記各層の構成によっていくつかの形式に分� ��することができる。

 まず、基体上に有機半導体膜(以下、有機 半導体層ともいう)で連結されたソース電極� �ドレイン電極を有し、その上にゲート絶縁� �を介してゲート電極を有するトップゲート� �と、基体上に先ずゲート電極を有し、ゲー� �絶縁層を介して有機半導体膜で連結された� �ース電極とドレイン電極を有するボトムゲ� �ト型に大別される。

 更に、ゲート電極から見てソース電極、� ��レイン電極が、有機半導体層の手前にある� ��トムコンタクト型と、有機半導体層の向こ� ��側にあるトップコンタクト型に区別するこ� ��ができ、両者を組み合わせることによって� ��4種類の有機薄膜トランジスタの構成が可能 である。本発明の有機薄膜トランジスタはこ れらトップゲート型またボトムゲート型、ま たトップコンタクト型およびボトムコンタク ト型のいずれでもよく、有機薄膜トランジス タを用いる用途に応じて選択することができ る。

 具体的な素子の層構成例の一例を、以下� ��図1(a)~(f)に示す。

 図1(a)、(c)はトップゲート・ボトムコンタ クト型の層構成例を示す。基体6上に、ソー� �電極2及びドレイン電極3を有し、その上から 有機半導体膜1が形成されている。さらに有� �半導体膜1に接してゲート絶縁層5が形成され 、その上にソース電極4を有する、といった� �成である。

 図1(b)はトップゲート・トップコンタクト 型の層構成例を示す。基体6にゲート電極4を� ��し、その上にゲート絶縁層5が形成されてい る。その上に有機半導体膜1が形成され、さ� �に有機半導体膜1に接してソース電極2及びド レイン電極3が形成されている、といった構� �である。

 図1(d)、(e)は、ボトムゲート・ボトムコン タクト型の層構成例を示す。基体6にゲート� �極4を有し、その上にゲート絶縁層5が形成さ れている。その上にソース電極2及びドレイ� �電極3が形成され、その上に有機半導体膜1が 形成されている、といった構成である。

 図1(f)は、ボトムゲート・トップコンタク ト型の層構成例を示す。基体6にゲート電極4� ��有し、その上にゲート絶縁層5が形成されて いる。その上に有機半導体膜1が形成され、� �の上にソース電極2及びドレイン電極3が形成 されている、といった構成である。

 本発明の有機薄膜トランジスタにおいて� ��より好ましくは、上記図1(d)、(e)で表される ボトムゲート・ボトムコンタクト型の構成を 有することが好ましい。

 有機半導体材料は酸素・水分・熱などに� ��って劣化することがあるため、なるべく後� ��の工程で形成することで、他の層を形成す� ��際のダメージを低減することができる。

 このような観点で考えると、ボトムゲー� ��・ボトムコンタクト型素子が最も後半の工� ��で有機半導体層を形成できるため、劣化の� ��ない良好な特性を有する有機薄膜トランジ� ��タを得ることができる。

 以下、有機半導体を形成する各層の材料� ��よび形成方法について記載する。

 《銀塩法による電極パターン形成》
 本発明の有機薄膜トランジスタを形成する� ��ソース電極パターン、ドレイン電極パター� ��、ゲート電極パターンについて説明する。

 本発明においては、ソース電極パターン� ��ドレイン電極パターン及びゲート電極パタ� ��ンの3つの電極パターンのうち、いずれか1� �以上は、銀塩粒子をバインダー樹脂中に分� �させた感光層に対し、露光処理工程、現像� �理工程、メッキ処理工程を経て形成する方� �(以下、簡単に銀塩法とも称する)によって形 成された電極パターンであることが好ましい 。銀塩材料は感光性に優れ、非常に高い解像 度を有する潜像パターンを形成することがで きる。露光によって得られた潜像は、現像処 理、ついでメッキ処理工程を経て電極パター ンを形成することで、高精度な電極パターン を簡便に形成することができ、ひいては簡便 かつバラツキの少ない有機半導体素子を提供 できるものである。

 本発明の方法によって形成する電極パタ� ��ンは、ソース電極パターン、ドレイン電極� ��ターン、およびゲート電極パターンのいず� ��でも良いが、通常ソース電極パターンとド� ��イン電極パターンは同時に形成するため、� ��ース電極パターンおよびドレイン電極パタ� ��ンを同時に形成する際に使用すること、ま� ��はゲート電極パターンを形成する際に使用� ��ることのいずれかが好ましい。

 ソース電極パターンおよびドレイン電極� ��ターンを形成する際には、パターン形成後� ��後述するメッキ処理によって容易に表面の� ��属を変換することができ、通常使用される� ��、白金等の高価な金属の使用量を減らすこ� ��も可能となり、好ましい。

 またゲート電極パターンに使用する場合� ��は、ゲート電極パターンは前記感光層を形� ��するバインダーポリマー中に半ば埋もれる� ��で形成されるため、基板表面からの凹凸の� ��ない状態で形成することが可能となる。そ� ��結果、ゲート電極の端部の角から発生しや� ��いゲート絶縁膜の絶縁破壊が発生しにくく� ��り、信頼性の高い素子を得ることが可能と� ��る。また、ゲート電極の形成時に同時にソ� ��スバスライン、ゲートバスラインを形成す� ��ことも可能であり、大面積の基板を処理す� ��際に一層工程短縮効果を得ることが出来る� ��

 《銀塩粒子》
 本発明の有機薄膜トランジスタに係るソー� ��電極パターン、ドレイン電極パターン、お� ��びゲート電極パターンの該感光層の形成に� ��いられる銀塩粒子として用いられる銀塩と� ��ては、ハロゲン化銀などの無機銀塩及び酢� ��銀などの有機銀塩が挙げられるが、光セン� ��ーとしての特性に優れるハロゲン化銀を用� ��ることが好ましい。

 本発明で用いられるハロゲン化銀として� ��、従来公知の銀塩写真フィルムや印画紙、� ��刷製版用フィルム、フォトマスク用エマル� ��ョンマスク等で用いられるハロゲン化銀乳� ��技術をそのまま用いることができる。

 ハロゲン化銀に含有されるハロゲン元素� ��、塩素、臭素、ヨウ素及びフッ素のいずれ� ��あってもよく、これらを組み合わせでもよ� ��。例えば、AgCl、AgBr、AgIを主体としたハロ� �ン化銀が好ましく用いられ、さらにAgClを主� ��としたハロゲン化銀が好ましく用いられる� ��AgClを主体としたハロゲン化銀を用いること で、硬調な金属銀像を得ることができるため である。

 ここで、「AgCl(塩化銀)を主体としたハロ� ��ン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中に占め� ��臭化物イオンのモル分率が50%以上のハロゲ� ��化銀をいう。このAgClを主体としたハロゲン 化銀粒子は、塩化物イオンのほかに沃化物イ オン、臭化物イオンを含有していてもよい。

 ハロゲン化銀は固体粒子状であり、露光� ��現像処理後に形成されるパターン状金属銀� ��の画像品質の観点からは、ハロゲン化銀の� ��均粒子サイズは、球相当径で0.1nm~1000nm(1μm)� ��あることが好ましく、0.1nm~100nmであること� �より好ましく、1nm~50nmの範囲であることがさ らに好ましい。

 尚、ハロゲン化銀粒子の球相当径とは、� ��子形状が球形の同じ体積を有する粒子の直� ��である。

 ハロゲン化銀粒子の形状は特に限定され� ��、例えば、球状、立方体状、平板状(6角平� �状、三角形平板状、4角形平板状など)、八面 体状、14面体状など様々な形状であることが� ��きる。

 本発明で用いられるハロゲン化銀は、さら� ��他の元素を含有していてもよい。例えば、� ��真乳剤において、硬調な乳剤を得るために� ��いられる金属イオンをドープすることも有� ��である。特にロジウムイオンやイリジウム� ��オンなどの遷移金属イオンは、金属銀像の� ��成の際に露光部と未露光部の差が明確に生� ��やすくなるため好ましく用いられる。ロジ� ��ムイオン、イリジウムイオンに代表される� ��移金属イオンは、各種の配位子を有する化� ��物であることもできる。そのような配位子� ��しては、例えば、シアン化物イオンやハロ� ��ンイオン、チオシアナートイオン、ニトロ� ��ルイオン、水、水酸化物イオンなどを挙げ� ��ことができる。具体的な化合物の例として� ��、K ₃ Rh ₂ Br ₉ 及びK ₂ IrCl ₆ などが挙げられる。

 本発明において、ハロゲン化銀に含有され� ��ロジウム化合物及び/又はイリジウム化合物 の含有率は、ハロゲン化銀の銀のモル数に対 して、10 ^-10 モル/モルAg~10 ^-2 モル/モルAgであることが好ましく、10 ^-9 モル/モルAg~10 ^-3 モル/モルAgであることがさらに好ましい。

 その他、本発明では、Pd(II)イオンまたはP d金属を含有するハロゲン化銀も好ましく用� �ることができる。Pdはハロゲン化銀粒子内に 均一に分布していてもよいが、ハロゲン化銀 粒子の表層近傍に含有させることが好ましい 。

 ここで、Pdが「ハロゲン化銀粒子の表層� �傍に含有する」とは、ハロゲン化銀粒子の� �面から深さ方向に50nm以内において、他層よ� ��もパラジウムの含有率が高い層を有するこ� ��を意味する。このようなハロゲン化銀粒子� ��、ハロゲン化銀粒子を形成する途中でPdを� �加することにより作製することができ、銀� �オンとハロゲンイオンとをそれぞれ総添加� �の50%以上添加した後に、Pdを添加することが 好ましい。

 また、Pd(II)イオンを後熟時に添加するな� ��の方法でハロゲン化銀表層に存在させるこ� ��も好ましい。

 このPd含有ハロゲン化銀粒子は、物理現� �や無電解メッキの速度を速め、所望の電極� �ターン形成の生産効率を上げ、生産コスト� �低減に寄与する。Pdは、無電解メッキ触媒と してよく知られて用いられているが、本発明 では、ハロゲン化銀粒子の表層にPdを偏在さ� ��ることが可能なため、極めて高価なPdを節� �することが可能である。

 本発明において、ハロゲン化銀に含まれるP dイオン及び/又はPd金属の含有率は、ハロゲ� �化銀の銀のモル数に対して10 ^-8 モル/モルAg~10 ^-4 モル/モルAgであることが好ましく、10 ^-6 モル/モルAg~10 ^-5 モル/モルAgであることがさらに好ましい。

 また、ゼラチンとの結合を抑制しAgXへより� ��率的に配位させるために、Pd(SCN) ₂ 錯体やパラジウムグリシネートとして添加す ることが好ましい。

 使用するPd化合物の例としては、PdCl ₄ やNa ₂ PdCl ₄ 等が挙げられる。

 本発明では、写真乳剤で行われる化学増� ��を施すこともできる。化学増感としては、� ��えば、金増感などの貴金属増感、イオウ増� ��などのカルコゲン増感、還元増感等を利用� ��ることができる。

 また、本発明において、ゲート電極パタ� ��ン、ソース電極パターン、ドレイン電極パ� ��ーンのうちの複数のパターンを銀塩法によ� ��て形成する場合、各々の電極パターンに対� ��する導電性パターンを順次形成してもよい� ��、分光増感を銀塩粒子に施すと2層以上を同 時に露光・現像することができるため、分光 増感を施してもよい。たとえばゲート電極パ ターン層を赤色光に感光するように分光増感 し、ソース電極パターン層およびドレイン電 極パターン層を青色光に感光するように分光 増光しておくと、赤色光と青色光で同時に2� �のパターンを露光することができるため、� �り簡便に電極パターンを形成することがで� �る。

 写真乳剤の分光増感は、例えばリサーチ� ��ディスクロージャー(RD)No.17643(1978年12月)23頁  IV、同No.18716(1979年11月) 648~649頁及び同No.3081 19(1989年12月)996~8頁 IIIA等に記載された増感色 素等を用いて行うことができる。

 本発明で使用できる乳剤としては、例え� ��、特開平11-305396号公報、特開2000-321698号公� �、特開平13-281815号公報、特開2002-72429号公報� ��実施例に記載されたカラーネガフィルム用� ��剤、特開2002-214731号公報に記載されたカラ� �リバーサルフィルム用乳剤、特開2002-107865号 公報に記載されたカラー印画紙用乳剤などを 好適に用いることができる。

 《バインダー》
 銀塩粒子をバインダー樹脂中に分散させた� ��光層(銀塩含有層)において、該バインダー(� ��脂)は、銀塩粒子を均一に分散させ、且つ、 銀塩含有層と支持体との密着を補助する目的 で用いることができる。本発明においては、 非水溶性ポリマー及び水溶性ポリマーのいず れもバインダーとして用いることができるが 、水溶性ポリマーを用いることが好ましい。

 水溶性のバインダーとしては、例えば、� ��ラチン、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリ� �ニルピロリドン(PVP)、澱粉等の多糖類、セル ロース及びその誘導体、ポリエチレンオキサ イド、ポリビニルアミン、キトサン、ポリリ ジン、ポリアクリル酸、ポリアルギン酸、ポ リヒアルロン酸、カルボキシセルロース等が 挙げられる。これらは、官能基のイオン性に よって中性、陰イオン性、陽イオン性の性質 を有する。

 ハロゲン化銀粒子を用いた写真用ハロゲ� ��化銀ゼラチン乳剤のバインダー樹脂として� ��、ゼラチンが最も好ましい。

 ゼラチンとしては石灰処理ゼラチンのほ� ��、酸処理ゼラチン、また、フタル化ゼラチ� ��或いはフェニルカルバモイル化ゼラチン等� ��各種修飾ゼラチンも含むものである。

 感光層(銀塩含有層)中に含有されるバイ� �ダーの含有量は、特に限定されず、分散性� �密着性を発揮し得る範囲で適宜決定するこ� �ができる。銀塩含有層中のバインダーの含� �量は、Ag/バインダー体積比で1/4~100であるこ� ��が好ましく、1/3~10であることがより好まし� ��、1/2~2であることがさらに好ましい。1/1~2で あることが最も好ましい。

 また、感光層(銀塩含有層)中にバインダ� �をAg/バインダー体積比で1/4以上含有すれば� �物理現像及び/又はメッキ処理工程において� ��属粒子同士が互いに接触しやすく、高い導� ��性を得ることが可能であるため好ましい。

 《溶媒》
 感光層(銀塩含有層)の形成において用いら� �る溶媒は、特に限定されないが、例えば、� �、有機溶媒(例えば、メタノールなどのアル� ��ール類、アセトンなどのケトン類、ホルム� ��ミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシ� ��などのスルホキシド類、酢酸エチルなどの� ��ステル類、エーテル類等)、イオン性液体、 及びこれらの混合溶媒を挙げることができる 。写真用ハロゲン化銀ゼラチン乳剤が用いら れることから水を主体とする溶媒が好ましい 。

 感光層の形成方法としては、銀塩写真法� ��おいて公知である、ディップコート法、ス� ��イド塗布法、バーコート法などの通常の塗� ��法によって、基体上に、塗布することがで� ��る。

 《露光処理工程》
 本発明では、基体(基板、支持体等)上に設� �られた銀塩含有層の露光を行う。露光は、� �磁波を用いて行うことができる。電磁波と� �ては、例えば、可視光線、紫外線などの光� �X線などの放射線等が挙げられる。さらに露� ��には波長分布を有する光源を利用してもよ� ��、特定の波長の光源を用いてもよい。

 上記光源としては、例えば、陰極線(CRT)� �用いた走査露光を挙げることができる。陰� �線管露光装置は、レーザを用いた装置に比� �て、簡便でかつコンパクトであり、低コス� �になる。また、光軸や色の調整も容易であ� �。画像露光に用いる陰極線管には、必要に� �じてスペクトル領域に発光を示す各種発光� �が用いられる。

 例えば、赤色発光体、緑色発光体、青色� ��光体、また近赤外発光体のいずれか1種又は 2種以上が混合されて用いられる。

 スペクトル領域は、上記の近赤外、赤色� ��緑色及び青色に限定されず、黄色、橙色、� ��色或いは赤外領域に発光する蛍光体も用い� ��れる。特に、これらの発光体を混合して白� ��に発光する陰極線管がしばしば用いられる� ��また、紫外線ランプも好ましく、水銀ラン� ��のg線、水銀ランプのi線等も利用される。

 本発明では、露光は種々のレーザビーム� ��用いて行うことができる。例えば、本発明� ��おける露光は、ガスレーザ、発光ダイオー� ��、半導体レーザ、半導体レーザ又は半導体� ��ーザを励起光源に用いた固体レーザと非線� ��光学結晶を組みあわせた第二高調波発光光� ��(SHG)等の単色高密度光を用いた走査露光方� �を好ましく用いることができ、さらにKrFエ� �シマレーザ、ArFエキシマレーザ、F2レーザ等 も用いることができる。

 システムをコンパクトで、安価なものに� ��るために、露光は、半導体レーザ、半導体� ��ーザあるいは固体レーザと非線形光学結晶� ��組合わせた第二高調波発生光源(SHG)を用い� �行うことが好ましい。特にコンパクトで、� �価、さらに寿命が長く、安定性が高い装置� �設計するためには、露光は半導体レーザを� �いて行うことが好ましい。

 レーザ光源としては、具体的には、波長430n m~460nmの青色半導体レーザ(2001年3月の第48回応 用物理学関係連合講演会で日亜化学発表)、� �導体レーザ(発振波長約1060nm)を導波路状の反 転ドメイン構造を有するLiNbO ₃ のSHG結晶により波長変換して取り出した約530 nmの緑色レーザ、波長約685nmの赤色半導体レ� �ザ(日立タイプNo.HL6738MG)、波長約650nmの赤色� �導体レーザ(日立タイプNo.HL6501MG)などが好ま� ��く用いられる。

 本発明に係るゲート電極パターン、ソー� ��電極パターン、ドレイン電極パターン等の� ��成にあたり、感光層(銀塩含有層)をパター� �状に露光する方法は、レーザビームによる� �査露光で行ってもよいし、フォトマスクを� �用した面露光で行ってもよい。面露光の方� �としては、レンズを用いた屈折式露光でも� �射鏡を用いた反射式露光でもよく、コンタ� �ト露光、プロキシミティー露光、縮小投影� �光、反射投影露光などの露光方式を用いる� �とができる。

 《現像処理工程》
 本発明では、感光層(銀塩含有層)を露光し� �後、さらに現像処理を行う。現像処理は、� �塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィ� �ム、フォトマスク用エマルジョンマスク等� �用いられる通常の現像処理の技術を用いる� �とができる。現像液については特に限定は� �ないが、PQ現像液、MQ現像液、MAA現像液等を� ��いることもでき、例えば、富士フィルム社� ��のCN-16、CR-56、CP45X、FD-3、パピトール、KODAK� ��製のC-41、E-6、RA-4、D-19、D-72などの現像液、 又はそのキットに含まれる現像液、また、D-8 5などのリス現像液を用いることができる。

 本発明では、上記の露光及び現像処理を� ��うことにより、パターン状の金属銀部が形� ��される。

 現像処理は、未露光部分の銀塩を除去し� ��安定化させる目的で行われる定着処理を含� ��ことができる。本発明における定着処理は� ��銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フ� ��ルム、フォトマスク用エマルジョンマスク� ��に用いられる定着処理の技術を用いること� ��できる。

 現像処理で用いられる現像液は、画質を� ��上させる目的で、画質向上剤を含有するこ� ��ができる。画質向上剤としては、例えば、� ��ンゾトリアゾールなどの含窒素へテロ環化� ��物を挙げることができる。また、リス現像� ��を利用する場合特に、ポリエチレングリコ� ��ルを使用することも好ましい。

 高い導電性を得るためには、現像処理後� ��露光部に含まれる金属銀の質量は、露光前� ��露光部に含まれていた銀の質量に対して50� �量%以上の含有率であることが好ましく、80� �量%以上であることがさらに好ましい。

 本発明における現像処理後の階調は、特� ��限定されるものではないが、4.0を超えるこ� ��が好ましい。現像処理後の階調が4.0を超え� ��と、光透過性部の透明性を高く保ったまま� ��導電性金属部の導電性を高めることができ� ��。階調を4.0以上にする手段としては、例え� ��、前述のロジウムイオン、イリジウムイオ� ��のドープが挙げられる。

 《メッキ処理工程》
 本発明に係るメッキ処理工程について説明� ��る。

 有機薄膜トランジスタによってディスプ� ��イを作製する場合、ソース電極パターン、� ��レイン電極パターン、ゲート電極パターン� ��およびこれらを接続する配線部は光を通さ� ��いため、これらの電極パターンの幅が太い� ��ディスプレイの開口率が低下し、高画質の� ��ィスプレイを得ることはできない。そこで� ��これらの電極パターンをなるべく細くする� ��要があるが、電極パターンの幅を細くする� ��導電性が低下し、各画素のトランジスタに� ��一な電圧・電流を流すことが困難となる。� ��たがって、これらの電極パターン部は高い� ��電性を有している必要がある。

 前述の露光工程によって導電性の金属銀� ��ターンは形成されたものの、これらの金属� ��パターンは微粒子の集合体であるために導� ��性が不十分であるため、メッキ処理工程に� ��って金属銀パターン部の導電性を大幅に向� ��させ、均一な特性を有する有機薄膜トラン� ��スタアレイおよび高品質なディスプレイを� ��ることができる。

 メッキ処理は、無電解メッキ(化学還元メ ッキや置換メッキ)、電解メッキ、又は無電� �メッキと電解メッキの両方を用いることが� �きるが、本発明では、無電解メッキ処理(単� ��、無電解メッキといってもよい)が好ましい 。

 本発明における無電解メッキは、公知の� ��電解メッキ技術を用いることができ、例え� ��、プリント配線板などで用いられている無� ��解メッキ技術を用いることができ、無電解� ��ッキは無電解銅メッキ、無電界銀メッキお� ��び無電界金メッキであることが好ましい。

 尚、銀塩写真分野において「物理現像」� ��呼ばれる処理は、無電界銀メッキ工程とみ� ��すことができる。

 これらの処理によって形成される導電性� ��金属パターンとしては、銀の上に形成が可� ��な金属であれば制限はなく、白金、金、銀� ��銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジ� ��ム、ニッケル、クロムなどといった金属を� ��用することができるが、白金、金、銀、銅� ��アルミニウム、インジウムから選ばれる金� ��を用いることが好ましい。これらの中でも� ��有機半導体と良好な電気的な接合が可能な� ��が最も好ましい。

 例えば、無電解銅メッキを行う場合には� ��硫酸銅や塩化銅、還元剤としてホルマリン� ��グリオキシル酸、銅の配位子としてEDTAやト リエタノールアミン等、その他、浴の安定化 やメッキ皮膜の平滑性を向上させるための添 加剤としてポリエチレングリコール、黄血塩 、ビピリジン等を含む溶液で金属銀パターン 部を処理する。他の電解銅メッキ浴としては 、硫酸銅浴やピロリン酸銅浴が挙げられる。

 メッキ処理時のメッキ速度は、緩やかな� ��件で行うことができ、さらに5μm/時間以上� �高速メッキも可能である。メッキ処理にお� �て、メッキ液の安定性を高める観点からは� �例えば、EDTAなどの配位子など種々の添加剤� ��用いることができる。

 銅以外の金属を用いる場合も、金属イオ� ��種を変化させて同様の処理を行うことで、� ��電界メッキ処理を行うことができる。

 無電解メッキ法による電極の形成方法に� ��しては、前記特許文献4に記載のように、電 極を設ける部分に、メッキ剤と作用して無電 解メッキを生じさせるメッキ触媒を含有する 液体を、例えば印刷法(インクジェット印刷� �む)によって、パターニングした後に、メッ� ��剤を電極を設ける部分に接触させる等が具� ��的である。そうすると、前記触媒とメッキ� ��との接触により前記部分に無電解メッキが� ��されて、電極パターンが形成される。

 無電解メッキの触媒と、メッキ剤の適用� ��逆にしてもよく、またパターン形成をどち� ��で行ってもよいが、メッキ触媒パターンを� ��成し、これにメッキ剤を適用する方法が好� ��しい。

 また、無電界銀メッキ処理としては、銀� ��写真業界においては「物理現像」と呼ばれ� ��処理を用いることが好ましい。「物理現像( 物理現像処理ともいう)」とは、露光により� �像を有するハロゲン化銀粒子の内部以外か� �銀イオンどの金属イオンを還元剤で還元し� �金属粒子を析出させ、現像銀を補強するプ� �セスのことを示す。この物理現象は、イン� �タントB&Wフィルム、インスタントスライ� ��フィルムや、印刷版製造等に利用されてお� ��、本発明ではその技術を用いることができ� ��。物理現像は、露光後の現像処理と同時に� ��っても、現像処理後に別途行ってもよいが� ��好ましくは後述の定着処理を行う前に、物� ��現像処理を行うことが好ましい。

 現像処理液から銀イオンを供給するため� ��具体的な方法としては、例えば予め現像処� ��液中に硝酸銀等を溶解しておき銀イオンを� ��かしておく方法、あるいは現像液中に、チ� ��硫酸ナトリウム、チオシアン酸アンモニウ� ��等のようなハロゲン化銀溶剤を溶解してお� ��、現像時に未露光部のハロゲン化銀を溶解� ��せ、潜像を有するハロゲン化銀粒子の現像� ��補力する方法等が挙げられる。

 定着処理とは、露光されたハロゲン化銀� ��子の現像終了後に、未露光部分のハロゲン� ��銀粒子を除去して安定化させる目的で行わ� ��る処理を指す。本発明における定着処理は� ��ハロゲン化銀粒子を用いた写真フィルムや� ��画紙等で用いられる定着液処方を用いるこ� ��ができる。定着処理で使用する定着液は、� ��着剤としてチオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸� ��リウム、チオ硫酸アンモニウム等を使用す� ��ことができる。定着時の硬膜剤として硫酸� ��ルミウム、硫酸クロミウム等を使用するこ� ��ができる。定着剤の保恒剤としては、現像� ��理液で述べた亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カ� ��ウム、アスコルビン酸、エリソルビン酸等� ��使用することができ、その他にクエン酸、� ��酸等を使用することができる。

 なお、無電界メッキを行った後に電界メ� ��キを行うと、一層導電率が高く、細かい配� ��を有する電極パターンおよび高い開口率を� ��するディスプレイを得ることができる。

 このような電界メッキを行う金属として� ��、有機半導体材料と電気的接合の良い金属� ��用いることが好ましく、p型有機半導体材料 の場合には白金、金、銀、銅から選ばれる金 属を用いることが好ましい。n型有機半導体� �場合には、カルシウム、アルミニウム、マ� �ネシウム等を用いることが好ましいが、前� �の通り金が最も好ましい。

 《酸化処理》
 本発明では、現像処理後の金属銀部並びに� ��理現像処理またはメッキ処理工程後に形成� ��れる導電性金属部(導電性パターンともいう )には、好ましくは酸化処理が行われる。

 酸化処理とは、所望するパターン部以外� ��付着した金属を除去する処理であり、本発� ��の有機薄膜トランジスタの特性の低下を防� ��ことができる。

 酸化処理としては、例えば、Fe(III)イオン 処理など、種々の酸化剤を用いた公知の方法 が挙げられる。酸化処理は、銀塩含有層の露 光及び現像処理後、あるいは物理現像又はメ ッキ処理後に行うことができ、さらに現像処 理後と物理現像又はメッキ処理後のそれぞれ で行ってもよい。

 本発明では、さらに露光及び現像処理後� ��金属銀部を、Pdを含有する溶液で処理する� �ともできる。Pdは、2価のパラジウムイオン� �あっても金属パラジウムであってもよい。� �の処理により無電解メッキ又は物理現像速� �を促進させることができる。

 《バインダー層の後処理》
 このようにして形成した電極パターンは、� ��インダー樹脂層の上に形成される。電極パ� ��ーンの上にゲート絶縁層、有機半導体層な� ��といった他の層を形成する場合に、バイン� ��ー層が溶解・分解・変形などをおこし、薄� ��トランジスタの性能に悪影響を与えること� ��避けるため、電極パターンの形成が終わっ� ��後、バインダー層を除去するか、架橋反応� ��によって不溶化させるなどといった後処理� ��行うことが好ましい。

 バインダー層を除去する方法としては、� ��インダーが溶解する溶剤で洗浄したり、電� ��パターン部とのエッチング速度差を利用し� ��ドライエッチング等の方法によって除去し� ��りすることができる。

 バインダー層を架橋する場合は、銀塩写� ��業界において硬膜剤として知られている各� ��の架橋材を用いることで、溶解・変形等を� ��ぐことができる。バインダーがゼラチンで� ��る場合は、特開昭61-249045号公報、同61-245153� ��公報に記載のビニルスルホン型硬膜剤や、� ��ロロトリアジン型硬膜剤などを使用するこ� ��ができる。

 好ましくは、バインダー層を除去するこ� ��である。

 《銀塩法以外の電極パターン形成方法》
 本発明の有機薄膜トランジスタは、ソース� ��極パターン、ドレイン電極パターン、ゲー� ��電極パターンの3つの電極パターンのうち、 少なくとも1つ以上が銀塩法で形成された有� �薄膜トランジスタであることを特徴として� �るが、すべての電極パターンを上記手法で� �成する必要はなく、3つの電極パターンのう� ��1つまたは2つは、他の手法によって形成さ� �ていてもよい。

 他の電極形成方法としては、蒸着やスパ� ��タリング等の方法を用いて形成した導電性� ��膜を公知のフォトリソグラフ法やリフトオ� ��法を用いて電極形成する方法、アルミニウ� ��や銅等の金属箔上に熱転写、インクジェッ� ��等によるレジストを用いてエッチングする� ��法がある。また、導電性ポリマーの溶液あ� ��いは分散液、導電性微粒子分散液を直接イ� ��クジェットによりパターニングしてもよい� ��、塗工膜からリソグラフやレーザアブレー� ��ョン等により形成してもよい。更に導電性� ��リマーや導電性微粒子を含むインク、導電� ��ペースト等を凸版、凹版、平版、スクリー� ��印刷等の印刷法でパターニングする方法も� ��いることができる。

 これらの電極形成方法によって形成され� ��電極材料としては、導電性材料であれば特� ��限定されず、白金、金、銀、ニッケル、ク� ��ム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル� ��インジウム、パラジウム、テルル、レニウ� ��、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム� ��ゲルマニウム、モリブデン、タングステン� ��酸化スズ・アンチモン、亜鉛、炭素、グラ� ��ァイト、グラッシーカーボン、銀ペースト� ��びカーボンペースト、リチウム、ベリリウ� ��、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、� ��ルシウム、スカンジウム、チタン、マンガ� ��、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナト� ��ウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシ ウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウ ム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグ� ��シウム/アルミニウム混合物、マグネシウム /インジウム混合物、リチウム/アルミニウム� ��合物等の金属化合物、また酸化亜鉛、酸化� ��ズ、酸化インジウム・スズ(ITO)、フッ素ド� �プ酸化亜鉛等の導電性金属酸化物、導電性� �リアニリン、導電性ポリピロール、導電性� �リチオフェン、ポリエチレンジオキシチオ� �ェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等の� �ーピング等で導電率を向上させた各種の導� �性ポリマー、などを挙げることができる。

 中でも白金、金、銀、銅、アルミニウム� ��インジウム、及びITOが好ましい。

 なお、各種の方法によって形成された電� ��パターンの表面は、表面エネルギーや各種� ��特性の改質を目的として、任意の表面処理� ��施してもよい。例えば、オクタデシルトリ� ��ロロシラン、トリクロロメチルシラザン、� ��よび特願2006-82419号等に記載の化合物等のシ ランカップリング剤や、アルカン燐酸、アル カンスルホン酸、アルカンカルボン酸等、お よびアルキルチオールやアリールチオールか らなる自己組織化単分子膜等が好適に用いら れる。中でもアリールチオールからなる自己 組織化単分子膜を形成することが好ましい。

 次に、電極パターン以外の層を形成する� ��料および形成方法について説明する。

 《ゲート絶縁層》
 本発明に係るゲート絶縁層について説明す� ��。

 ゲート絶縁層としては種々の絶縁膜を用� ��ることができるが、特に比誘電率の高い無� ��酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物として� ��、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タ� ��タル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジ� ��ム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジ� ��コニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウ� ��酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタ� ��酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フ� ��化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマ� ��、チタン酸ストロンチウムビスマス、タン� ��ル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸� ��オブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリ� ��ム等が挙げられる。それらの内、好ましい� ��は酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タ� ��タル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒� ��アルミニウム等の無機窒化物も好適に用い� ��ことができる。

 上記皮膜の形成方法としては、真空蒸着� ��、分子線エピタキシャル成長法、イオンク� ��スタービーム法、低エネルギーイオンビー� ��法、イオンプレーティング法、CVD法、スパ� ��タリング法、大気圧プラズマ法等のドライ� ��ロセスや、スプレーコート法、スピンコー� ��法、ブレードコート法、ディップコート法� ��キャスト法、ロールコート法、バーコート� ��、ダイコート法等の塗布による方法、印刷� ��インクジェット等のパターニングによる方� ��等のウェットプロセスが挙げられ、材料に� ��じて使用できる。

 ウェットプロセスは、無機酸化物の微粒� ��を、任意の有機溶媒あるいは水に必要に応� ��て界面活性剤等の分散補助剤を用いて分散� ��た液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆� ��、例えば、アルコキシド体の溶液を塗布、� ��燥する、所謂ゾルゲル法が用いられる。こ� ��らの内、好ましいのは大気圧プラズマ法と� ��ルゲル法である。

 大気圧下でのプラズマ製膜処理による絶� ��膜の形成方法は、大気圧または大気圧近傍� ��圧力下で放電し、反応性ガスをプラズマ励� ��し、基材上に薄膜を形成する処理で、その� ��法については、特開平11-43781号公報、特開20 03-179234号公報、国際公開04/75279号パンフレッ� ��等に記載されている。これによって、高機� ��性の薄膜を生産性高く形成することができ� ��。

 また、有機化合物皮膜として、パリレン� ��ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、� ��リアクリレート、光ラジカル重合系、光カ� ��オン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアク� ��ロニトリル成分を含有する共重合体、ポリ� ��ニルフェノール、ポリビニルアルコール、� ��ボラック樹脂、シアノエチルプルラン、お� ��びゼラチン等を用いることもできる。

 絶縁層としてゼラチンを使用する場合、� ��記電極パターンの形成時に形成されるゼラ� ��ン膜をそのまま使用することも可能であり� ��その場合には工程の大幅な簡略化が可能で� ��るといった効果がある。

 さらに、ゼラチンは温度によって容易に� ��ルゲル転移を起こすことができ、加熱溶解� ��て塗布されたゼラチン溶液は、冷却するだ� ��で容易にゲル化し、溶媒が完全に揮発しな� ��ても形状が固定化されるため、均一な膜厚� ��有する高品位な絶縁膜を容易に形成可能で� ��り、かつ公知の硬膜剤によって容易に耐溶� ��性を付与できるため、ゲート絶縁層として� ��ましい特性を有する材料である。

 これらの有機化合物皮膜は、前記のウェ� ��トプロセスで形成されることが好ましい。� ��機酸化物皮膜と有機酸化物皮膜は積層して� ��用しても良い。また、これら絶縁膜全体の� ��厚としては、一般に50nm~3μm、好ましくは100n m~1μmである。

 ゲート絶縁層表面は、表面エネルギーや� ��種の特性の改質を目的として、任意の表面� ��理を施してもよい。シランカップリング剤� ��例えば、オクタデシルトリクロロシラン、� ��リクロロメチルシラザンや、アルカン燐酸� ��アルカンスルホン酸、アルカンカルボン酸� ��、および特願2006-82419号等に記載の化合物か らなる自己組織化配向膜が好適に用いられる 。

 《有機半導体材料》
 本発明の有機薄膜トランジスタの形成に用� ��られる有機半導体材料について説明する。

 半導体層を構成する有機半導体材料とし� ��は、種々の縮合多環芳香族化合物や共役系� ��合物が適用可能である。

 縮合多環芳香族化合物としては、例えば、� ��ントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘ� ��サセン、へプタセン、クリセン、ピセン、� ��ルミネン、ピレン、ペロピレン、ペリレン� ��テリレン、クオテリレン、コロネン、オバ� ��ン、サーカムアントラセン、ビスアンテン� ��ゼスレン、ヘプタゼスレン、ピランスレン� ��ビオランテン、イソビオランテン、サーコ� ��フェニル、アントラジチオフェン、およびJ .Am.Chem.Soc.,vol.1
28(2006),12604頁に記載されているようなベンゾ� ��オフェノベンゾチオフェン等の化合物、及� ��これらの誘導体や前駆体が挙げられる。こ� ��らの縮合多環芳香族化合物誘導体の例とし� ��は、J.Am.Chem.Soc.,vol.127(2005),4986頁に記載され� ��いるような、トリアルキルシリルエチニル� ��を有するようなアセン化合物およびヘテロ� ��セン化合物等を挙げることができる。

 共役系化合物としては、例えば、ポリチ� ��フェン及びそのオリゴマー、ポリピロール� ��びそのオリゴマー、ポリアニリン、ポリフ� ��ニレン及びそのオリゴマー、ポリフェニレ� ��ビニレン及びそのオリゴマー、ポリチエニ� ��ンビニレン及びそのオリゴマー、ポリアセ� ��レン、ポリジアセチレン、テトラチアフル� ��レン化合物、キノン化合物、テトラシアノ� ��ノジメタン等のシアノ化合物、フラーレン� ��びこれらの誘導体あるいは混合物を挙げる� ��とができる。

 また、特にポリチオフェン及びそのオリ� ��マーのうち、チオフェン6量体であるα-セク シチオフェンα,ω-ジヘキシル-α-セクシチオ� �ェン、α,ω-ジヘキシル-α-キンケチオフェン� ��α,ω-ビス(3-ブトキシプロピル)-α-セクシチ� �フェン、等のオリゴマーが好適に用いるこ� �ができる。

 さらに、ポルフィリンや銅フタロシアニ� ��、特開平11-251601号公報に記載のフッ素置換� ��フタロシアニン等の金属フタロシアニン類� ��Chem.Commun.1998,1661頁や特開2003-304104号公報等� �記載のポルフィリン類およびその金属化合� �、ナフタレン1,4,5,8-テトラカルボン酸ジイミ ド、N,N″-ビス(4-トリフルオロメチルベンジ� �)ナフタレン1,4,5,8-テトラカルボン酸ジイミ� �とともに、N,N″-ビス(1H,1H-ペルフルオロオク チル)、N,N″-ビス(1H,1H-ペルフルオロブチル)� �びN,N″-ジオクチルナフタレン1,4,5,8-テトラ� �ルボン酸ジイミド誘導体、ナフタレン2,3,6,7� ��トラカルボン酸ジイミド等のナフタレンテ� ��ラカルボン酸ジイミド類、及びアントラセ� ��2,3,6,7-テトラカルボン酸ジイミド等のアン� �ラセンテトラカルボン酸ジイミド類等の縮� �環テトラカルボン酸ジイミド類、テトラチ� �フルバレン(TTF)-テトラシアノキノジメタン(T CNQ)錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレ� �(BEDTTTF)-過塩素酸錯体、BEDTTTF-ヨウ素錯体、TC NQ-ヨウ素錯体、等の有機分子錯体、C60、C70、 C76、C78、C84等フラーレン類、SWNT等のカーボ� �ナノチューブ、メロシアニン色素類、ヘミ� �アニン色素類等の色素等、さらにポリシラ� �、ポリゲルマン等のσ共役系ポリマーや特開 2000-260999号公報に記載の有機・無機混成材料� ��用いることができる。

 これらのπ共役系材料のうちでも、ペン� �セン等の縮合多環芳香族化合物の誘導体、� �ラーレン類、縮合環テトラカルボン酸ジイ� �ド類、金属フタロシアニンおよび金属ポル� �ィリンよりなる群から選ばれた少なくとも1� ��が好ましいが、中でも好ましく用いられる� ��は、ペンタセン誘導体である。

 以下に、本発明の有機薄膜トランジスタ� ��有機半導体層に好ましく用いられる化合物� ��を示すが、本発明はこれらに限定されない� ��

 有機半導体材料1は、前記J.Am.Chem.Soc.,vol.12 7(2005),4986頁 Supporting Informationに記載の方法� �合成することができる。また、有機半導体� �料2は、J.Am.Chem.Soc.,vol.123(2001),9482頁 Supporting� �Informationに記載の方法で合成することができ る。

 これらの有機半導体材料を有機薄膜トラ� ��ジスタの半導体層として形成する方法とし� ��は、溶剤に不溶の材料であれば真空蒸着に� ��り基板上に設置することもできるが、溶媒� ��溶解可能な材料であれば、必要に応じ添加� ��を加えて調製した溶液をキャストコート、� ��ピンコート、印刷、インクジェット法、ア� ��レーション法等によって基板上に設置する� ��が好ましい。溶液プロセスで形成すること� ��できれば工程数の大幅な削減ができ、簡便� ��工程で有機薄膜トランジスタを形成するこ� ��ができるだけでなく、ドライプロセスで形� ��するよりも大きな結晶を形成することが可� ��であり、ひいては良好な移動度を有する有� ��薄膜トランジスタを形成することができる� ��

 この場合、本発明に係る有機半導体材料� ��溶解する溶媒は、有機半導体材料を溶解し� ��適切な濃度の溶液が調製できるものであれ� ��格別の制限はないが、具体的にはシクロヘ� ��サン等の炭化水素系溶媒、ジエチルエーテ� ��やジイソプロピルエーテル等の鎖状エーテ� ��系溶媒、テトラヒドロフランやジオキサン� ��の環状エーテル系溶媒、アセトンやメチル� ��チルケトン、シクロペンタノン等のケトン� ��溶媒、クロロホルムや1,2-ジクロロエタン等 のハロゲン化アルキル系溶媒、トルエン、エ チルベンゼン、キシレン、クロロベンゼン、 o-ジクロロベンゼン、ニトロベンゼン、m-ク� �ゾール、テトラリン等の芳香族系溶媒、N-メ チルピロリドン、2硫化炭素等を挙げること� �できる。

 これらの溶媒の内、非ハロゲン系溶媒を� ��む溶媒が好ましく、非ハロゲン系溶媒で構� ��することが好ましい。また、絶縁膜表面を� ��水化処理した絶縁膜上に塗布する場合には� ��そのような疎水化表面の表面エネルギーよ� ��も表面エネルギーが小さい非極性な溶媒で� ��ることが好ましく、ヘキサン、トルエン、� ��チルベンゼン、クロロベンゼン、テトラリ� ��が好ましい。

 これら有機半導体膜の膜厚としては、特� ��制限はないが、得られたトランジスタの特� ��は、有機半導体膜の膜厚に大きく左右され� ��場合が多く、その最適な膜厚は有機半導体� ��とに異なるが、一般に10nm~1μm、好ましくは� ��20nm~400nm、より好ましくは30nm~100nmである。

 《基体(基板、支持体等)》
 また、基体(基板、支持体等)は、ガラスや� �レキシブルな樹脂製シートで構成され、例� �ば、プラスチックフィルムをシートとして� �いることができる。前記プラスチックフィ� �ムとしては、例えば、ポリエチレンテレフ� �レート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)� ��ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテル� �ミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ� �ェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポ� �イミド、ボリカーボネート(PC)、トリアセチ� ��セルロース(TAC)、ジアセチルセルロース(DAC) 、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)� ��からなるフィルム等が挙げられる。このよ� ��に、プラスチックフィルムを用いることで� ��ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を� ��ることができ、可搬性を高めることができ� ��と共に衝撃に対する耐性を向上できる。ま� ��、基体が透明でなくてもよい用途であれば� ��アルミ箔などのような薄い金属箔などを基� ��として用いても良い。

 透明性、耐熱性、取り扱いやすさ及び価� ��の点から、上記プラスチックフィルムはポ� ��エチレンテレフタレートフィルム(PET)、ポ� �エチレンナフタレート(PEN)であることが好ま しい。

 また、ディスプレイ用としては透明性が� ��求されるため、支持体の透明性は高いこと� ��望ましく、プラスチックフィルム又はプラ� ��チック板の全可視光透過率は好ましくは70%~ 100%であり、より好ましくは90%~100%である。

 《パッシベーション層》
 また本発明の有機薄膜トランジスタ上には� ��ッシベーション層を設けることも可能であ� ��。パッシベーション層を設けることにより� ��有機薄膜トランジスタを形成した後の工程� ��応力の印加による剥がれや断線、水蒸気や� ��素等の劣化因子との化学反応などを抑制す� ��ことができる。

 パッシベーション層としては、無機酸化� ��または無機窒化物、アルミニウム等の金属� ��膜、ポリビニルアルコールやパリレン等の� ��ス透過性の低いポリマーフィルム、および� ��れらの積層物等が挙げられ、このような保� ��層を有することにより、有機薄膜トランジ� ��タの耐久性が向上する。

 これらの保護層の形成方法としては、前� ��したゲート絶縁膜の形成法と同様の方法を� ��げることができる。また、ポリマーフィル� ��上に各種の無機酸化物等が積層されたフィ� ��ムを単にラミネートするなどといった方法� ��保護層を設けても良い。

 《有機薄膜トランジスタからなるディスプ� ��イバックプレーンの製造方法》
 上記のような構成を有する有機薄膜トラン� ��スタを、図2のように縦横に配列することで 、ディスプレイバックプレーンを形成するこ とができる。

 図2は、有機薄膜トランジスタシートの概 略等価回路図の1例を示す図である。

 有機薄膜トランジスタシート10は、マト� �クス配置された多数の有機薄膜トランジス� �11を有する。7は各有機薄膜トランジスタ11の ゲートバスラインであり、8は各有機薄膜ト� �ンジスタ11のソースバスラインである。各有 機薄膜トランジスタ11のソース電極には出力� ��子12が接続され、この出力12は、例えば、液 晶、電気泳動素子等であり、表示装置におけ る画素を構成する。画素電極は光センサの入 力電極として用いてもよい。図示の例では、 出力素子として液晶が抵抗とコンデンサから なる等価回路で示されている。13は蓄積コン� ��ンサ、14は垂直駆動回路、15は水平駆動回路 である。