Bei einer Reihe von Bauelementen, wie BOC-Bauelementen oder auch bei CSP (Chip Size Package)-Bauelementen, FBGA- (Fine Pitch Ball Grid Array)-, TBGA- (Tape Ball Grid Array)-oder yBGA-Bauelementen o. dgl., werden die Chips auf Substraten mon- tiert, deren Abmessungen etwa denen der zu montierenden Chips entsprechen. Die unterschiedlichen Bezeichnungen sind zum Teil herstellertypische Angaben und kennzeichnen Unterschiede bzw.

Feinheiten im Strukturaufbau. Im Interesse einer möglichst ge- ringen Bauhöhe werden bei einigen Bauelementen die Chiprücksei- ten nicht abgedeckt, sondern höchstens lediglich die besonders empfindlichen Chipkanten durch eine Moldmasse umschlossen.

Letzteres erfolgt durch Dispensen einer geeigneten Moldmasse (Vergussmasse) um die Chipkanten herum. Soll auch die Chiprück-

seite zusätzlich mit geschützt werden, müssen aufwändige Druck- oder Gießverfahren eingesetzt werden. Es versteht sich, dass die verschiedenen verwendeten Materialien für das Substrat, das Chip und die Vergussmasse teilweise erheblich unterschiedliche mechanische Eigenschaften und insbesondere unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten besitzen. Für das Substrat kommen die gängigen Leiterplattenmaterialien, wie Hartpapier- oder Glasfasermaterialien zum Einsatz, bei denen als Bindemit- tel üblicherweise Kunstharz verwendet wird.

Beispiele derartiger Halbleiterbauelemente finden sich in der US 5 391 916 A, in der ein Hableiterbauelement beschrieben wird, dass mit einer Vergussmasse versehen ist, oder in der US 5 293 067 A, in der ein spezieller Chipträger für ein Chip on Board (COB) Bauelement beschrieben wird, um den mechanischen Stress zu reduzieren.

Durch geeignete Materialwahl lassen sich die Ausdehnungskoeffi- zienten in : gewisser Weise so aufeinander abstimmen, dass der Unterschied der Ausdehnungskoeffizienten zwischen der jeweili- gen Materialpaarung möglichst gering wird.

Es besteht jedoch kaum die Möglichkeit einer vollkommenen An- passung. Das hat besonders bei BOC-bzw. COB-Bauelementen die fatale Folge, dass diese, wenn diese mit einer zusätzlichen Moldabdeckung geschützt werden, beim normalen Gebrauch einem extremen Stress unterworfen werden. Dieser Stress beruht im we- sentlichen auf dem"Bimetalleffekt", welcher sich ergibt, wenn unterschiedliche Materialien mit unterschiedlichen Ausdehnungs- koeffizienten schichtweise zusammengefügt werden.

Um wenigstens den Stress zwischen dem Substrat und dem Chip zu reduzieren, erfolgt deren Montage auf dem Substrat üblicherwei- se unter Zwischenlage eines thermische Spannungen ausgleichen- den Tapes. Auf jeden Fall bestehen dann immer noch zwischen den unmittelbar miteinander in Kontakt stehenden Materialpaarungen

Si-Chip/Moldmasse und Moldmasse/Substrat deutliche Differenzen der jeweiligen Ausdehnungskoeffizienten. Im ungünstigsten Fall kann es dabei zu einer Trennung der Verbindung und damit mögli- cherweise zum Totalausfall des Bauelementes kommen.

Bisher wurden, wie eingangs bereits erwähnt, verschiedene auf- wändige Verfahren zum Schutz der Chips durchgeführt. So zum Beispiel Dispensen, um die besonders empfindlichen Chipkanten zu schützen, oder Drucken bzw. Molden, um einen kompletten Schutz des Chips einschließlich dessen Rückseite zu erreichen.

Die Auswirkungen der thermomechanischen Spannungen zwischen den Materialpaarungen konnten jedoch nicht, bzw. nicht ausreichend behoben werden, so dass mit Stress bedingten Bauelementeausfäl- len immer gerechnet werden muss. Lösungsansätze, wie Material- und Designänderungen und ein Tapeunterstand verursachten jedoch andere Probleme, wie unabgedeckte Fuses.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Verpackung für Halbleiterbauelemente zu schaffen, mit der eine deutlich höhere Packagebelastung durch geringeren thermomechanischen Stress und gleichzeitig eine deutlich bessere Haftung der Mol- dabdeckung auf dem Substrat erreicht wird.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabenstellung wird bei einer Verpackung der eingangs genannten Art dadurch gelöst, dass das Substrat zumindest partiell eine schwammartige mit po- renförmigen Öffnungen versehene und von der Oberfläche in die Tiefe gehende Struktur aufweist, so dass Moldmaterial durch Ka- pillarwirkung in das Substrat eindringen kann.

Durch diese besonders einfache Lösung lässt sich der Ausdeh- nungskoeffizient des Leiterplattenmateriales an den Ausdeh- nungskoeffizienten des Moldmaterials weitgehend anpassen. Da- durch wird das bruchempfindliche Halbleiterchip von allen Sei- ten gleichmäßig durch Spannungen beaufschlagt und kann sich nicht mehr nur in einer Vorzugsrichtung verbiegen. Ein weiterer

Vorteil ist darin zu sehen, dass durch den geringeren Stress höhere Packagebelastungen ermöglicht werden.

Weiterhin wird durch die Erfindung eine wesentlich höhere Haf- tung des Abdeckmateriales auf dem Substrat erreicht, da beide Materialien gewissermaßen miteinander verwachsen.

Um die Herstellung des erfindungsgemäßen Substrates möglichst kostengünstig zu gestalten, weist die gesamte Oberfläche des Substrates eine schwammartige Struktur auf.

Es ist selbstverständlich auch möglich, dass das Substrat ins- gesamt eine schwammartige Struktur aufweist. Dadurch kann be- sonders viel Moldmaterial in das Substrat eindringen, mit dem Ergebnis, dass eine besonders gute Anpassung der thermischen Ausdehnungskoeffizienten erreicht wird.

Die schwammartige Struktur kann einfach durch partielles Ent- fernen des Epoxydharzanteiles im Substrat erzeugt werden, indem Nass-oder Trockenätzverfahren eingesetzt werden.

Um das Nass-oder Trockenätzen auf bestimmte Bereiche des Sub- strates zu beschränken, kann dieses teilweise mit einer Löt- stoppmaske abgedeckt werden.

Es ist auch möglich, die schwammartige Struktur durch mechani- sche Oberflächenbearbeitung des Substrates herzustellen. In diesem Fall wäre der schwammartige Bereich allerdings nur auf den unmittelbar oberflächennahen Bereich des Substrates be- grenzt.

Um ein möglichst tiefes Eindringen des Moldmaterials in das Substrat zu erreichen, wird die Struktur, bestehend aus dem auf dem Substrat fertig montierten Halbleiterchip, vor dem Aufbrin- gen der Moldabdeckung mindestens auf die Schmelztemperatur der Moldmasse vorgewärmt.

Alternativ oder zusätzlich kann die Struktur, bestehend aus dem auf dem Substrat fertig montierten Halbleiterchip, nach dem Aufbringen der Moldabdeckung kurzzeitig getempert werden.

Das Tempern wird bevorzugt bei einer Temperatur um die Schmelz- temperatur der Moldmasse, oder geringfügig über der Schmelztem- peratur vorgenommen, um eine möglichst große Eindringtiefe zu erreichen.

Eine besondere Ausgestaltung der Erfindung ist dadurch gekenn- zeichnet, dass das Substrat vor der Montage des Chips partiell mit einer dünnen Schicht Moldmasse beschichtet und anschließend bei einer Temperatur um oder über der Schmelztemperatur getem- pert wird. Das Aufbringen der Moldmasse kann einfach durch Dru- cken oder Dispensen erfolgen. Der Tempervorgang kann sowohl un- mittelbar nach dem Aufbringen der Moldmasse, oder nach dem Auf- bringen der Moldabdeckung nach Abschluss des Montagevorganges vorgenommen werden.

Diese Ausgestaltung der Erfindung hat den Vorteil, dass die Substrate vorbehandelt werden können, ohne dass der technologi- sche Ablauf des Montagevorganges beeinflusst wird.

Die Erfindung soll nachfolgend an einem Ausführungsbeispiel nä- her erläutert werden. In den zugehörigen Zeichnungen zeigen : Fig. 1 ein schematische Schnittdarstellung eines BOC- Bauelementes (Stand der Technik) ; Fig. 2 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäße Verpackung für ein BOC-Bauelement ; und Fig. 3 ein partiell mit einer Moldmasse beschichtetes und getempertes Substrat.

Um die Wirkungsweise der Erfindung gut darstellen zu können, wird zunächst der Strukturaufbau eines üblichen BOC- Bauelementes beschrieben. Fig. 1 zeigt ein derartiges nach dem Stand der Technik aufgebautes BOC-Bauelement in schematischer Darstellung. Die Grundlage für dieses Bauelement bildet ein Substrat 1, das aus den gängigen Leiterplattenmaterialien, wie Hartpapier-oder Glasfasermaterialien besteht, bei denen als Bindemittel üblicherweise Kunstharz eingesetzt wurde.

Auf diesem Substrat 1 ist ein Chip 2 unter Zwischenlage eines Tapes diegebondet. Die Unterseite des Substrates 1 ist mit nicht dargestellten Leitbahnen versehen, die einerseits mit Solderballs 4 und andererseits über übliche, nicht dargestellte Mikrodrähte mit dem Chip 2 verbunden ist, die durch einen zent- ralen Kanal im Substrat 1 verlaufen. Dieser zentrale Kanal ist zum Schutz der Mikrodrähte und der aktiven Seite des Chips 2 mit einem Bondkanalverschluss 5 aus einem Moldmaterial (Ver- gussmasse) verschlossen. Die Rückseite des Chips 2 (in Fig. 1 oben) und die Chipkanten sind durch eine Moldabdeckung 6 um- schlossen, wobei die Moldabdeckung 6 seitlich des Chips 2 mit der Oberfläche des Substrates 1 durch Adhäsion verbunden. Die Moldabdeckung kann durch Drucken oder Dispensen hergestellt werden.

Ein derartiges Bauelement zeigt nun die eingangs beschriebenen Nachteile infolge der unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizien- ten und mechanischen Eigenschaften der einzelnen Komponenten, die unmittelbar miteinander in Kontakt stehen. Hier setzt nun die Erfindung an.

Um eine weitgehende Anpassung der Ausdehnungskomponenten des Moldmaterials und des Substrates und eine deutliche Verbesse- rung der Haftkraft zwischen Moldmasse und Substrat 1 zu errei- chen, wird das Substrat 1 derart vorbehandelt, dass zumindest dessen oberflächennaher Bereich eine in die Tiefe gehende

schwammähnliche Struktur erhält, in die das Moldmaterial beim Molden eindringen kann. Dieser Zustand ist in Fig. 2 darge- stellt.

Die schwammartige Struktur 7 des Substrates 1 kann durch par- tielles Entfernen des Epoxydharzanteiles erzeugt werden, indem Nass-oder Trockenätzverfahren eingesetzt werden. Dieses Nass- oder Trockenätzen kann bedarfsweise auf bestimmte Bereiche des Substrates 1 beschränkt werden, indem diese teilweise mit einer Lötstoppmaske abgedeckt werden.

Selbstverständlich kann die schwammartige Struktur 7 auch durch mechanische Oberflächenbearbeitung des Substrates hergestellt werden, wobei hier der schwammartige Bereich allerdings nur auf den unmittelbar oberflächennahen Bereich des Substrates 1 be- grenzt wäre. Auf jeden Fall wird hier zumindest ein Übergangs- bereich geschaffen und eine deutliche Verbesserung der Haft- kraft des Moldmaterials auf dem Substrat erreicht.

Anstelle der nachträglichen Bearbeitung des Substrates 1 kann selbstverständlich auch ein Substrat 1 eingesetzt werden, wel- ches bereits bei dessen Herstellung eine schwammähnliche Struk- tur erhalten hat. Solche Substrate können auch aus einem Sin- termaterial bestehen, bei dem nach dem Sintern durch Glühen Hohlräume erzeugt werden. Das lässt sich einfach dadurch reali- sieren, dass dem Sintermaterial Kohlenstoffhaltige Partikel ge- eigneter Größe beigemischt werden. Dies Partikel verbrennen dann beim Glühen und erzeugen die gewünschten Hohlräume im Sub- strat 1.

Um ein möglichst tiefes Eindringen des Moldmaterials in die schwammartige Struktur 7 des Substrates 1 zu erreichen, wird die Struktur, bestehend aus dem auf dem Substrat 1 fertig mon- tierten Chip 2, vor dem Aufbringen der Moldabdeckung 6 mindes- tens auf die Schmelztemperatur der Moldmasse vorgewärmt. Alter- nativ oder zusätzlich kann die Baugruppe nach dem Aufbringen

der Moldabdeckung 6 bei einer Temperatur um die Schmelztempera- tur der Moldmasse oder geringfügig darüber getempert werden.

Eine Alternative besteht darin, das Substrat 1 vor der Montage des Chips 2 partiell mit einer dünnen Schicht Moldmasse zu be- schichten und anschließend bei einer Temperatur um oder über der Schmelztemperatur der Moldmasse zu tempern (Fig. 3). Das Aufbringen der Moldmasse auf das Substrat 1 kann einfach durch Drucken oder Dispensen erfolgen. Der zweckmäßige Tempervorgang kann sowohl unmittelbar nach dem Aufbringen der Moldmasse, oder nach dem Aufbringen der Moldabdeckung 6 nach Abschluss des Mon- tagevorganges vorgenommen werden.

Diese Ausgestaltung der Erfindung hat den Vorteil, dass die Substrate vorbehandelt werden können, ohne dass der technologi- sche Ablauf des Montagevorganges beeinflusst wird.

Verpackung für Halbleiter-Bauelemente und Verfahren zum Her- stellen derselben Bezugszeichenliste 1 Substrat 2 Chip 3 Tape 4 Solderball 5 Bondkanalverschluss 6 Moldabdeckung 7 schwammartige Struktur