Phasenwechselspeicher

Technisches Gebiet

Die Erfindung betrifft einen Phasenwechselspeicher zum nichtflüchtigen Speichern von binären Inhalten, welcher die Information durch lokales Schalten eines Materials zwischen einer amorphen und einer kristallinen Phase elektrisch und/oder optisch nichtflüchtig speichert, wobei der Zustand bezüglich der elektrischen Leitfähigkeit des Materials und/oder bezüglich der Reflexionseigenschaften des Materials den Informationsgehalt des Phasenwechselspeichers festlegt.

Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren für einen Phasenwechselspeicher zum nichtflüchtigen Speichern von binären Inhalten, welcher die binären Inhalte durch lokales Schalten eines Materials zwischen einer amorphen und einer kristallinen Phase elektrisch und/oder optisch nichtflüchtig speichert, wobei der Zustand bezüglich der elektrischen Leitfähigkeit des Materials und/oder bezüglich der Reflexionseigenschaften des Materials den Informationsgehalt des Phasenwechselspeichers festlegt. Beschreibung

Phasenwechselspeicher (PCMs) wechseln zwischen amorphen und kristallinen Strukturen. Sie lassen sich beispielsweise als Energie- oder als Datenspeicher einsetzen. Hier sei der Phasenwechselspeicher als Datenspeicher für binäre Inhalte bzw. digitale Informationen betrachtet.

Es wird zwischen flüchtigen und nichtflüchtigen Daten- bzw. Arbeitsspeichern bei elektronischen Einheiten, wie z.B. mikroprozessorgesteuerten elektronischen Datenverarbeitungsanlagen bzw. Computern, unterschieden. Flüchtige Speicher, wie Halbleiterspeicher mit direktem Zugriff auch RAM (engl. Random Access Memory) genannt, haben die Eigenschaft, dass sie ihre gespeicherten Inhalte verlieren, sobald die Spannung ausgeschaltet wird. Die Speicherinhalte sind somit nur temporär in dem Speicher gespeichert. Ein nichtflüchtiger Speicher wie z.B. ROM (engl. Read-Only- Memory), EPROM (engl. Eraseable-programmable-ROM) oder EEPROM (engl. Electrically eraseable programmable-ROM) behält hingegen seine Inhalte auch nach einem Ausschalten der Spannung.

Nichtflüchtige Speicher sind beispielsweise aber auch magnetische Datenbänder, Disketten oder Festplatten, die ihre Daten auf elektromagnetische Weise auf einem magnetisierbaren Speichermedium speichern. Optische Speichermedien die die Daten nichtflüchtig speichern sind beispielsweise CDs bzw. DVDs. Als nichtflüchtige digitale Halbleiterbausteine ist hier zudem der Flash-Speicher zu erwähnen. Das Schreiben bzw. das Speichern von Informationen in solchen digitalen Speichermedien benötigt immer eine gewisse Zeit.

Die Speicherzeit ist dabei insbesondere von den jeweiligen Schaltzeiten der Speichermedien abhängig. Diese Schaltzeiten werden neben der Materialeigenschaft selbst beispielsweise auch von der Temperatur beeinflusst. Je mehr bzw. je schneller Schaltvorgänge erfolgen, desto mehr Wärme wird von den Bauteilen produziert und umso langsamer werden oft die Schaltvorgänge des Speichers, sofern die Wärme nicht abtransportiert wird. Gerade Halbleiterbauteile sind sehr temperaturabhängig und müssen in der Regel daher relativ stark gekühlt werden.

Um die Geschwindigkeit bei nichtflüchtigen Speichermedien trotzdem zu steigern sind daher neue Speicherkonzepte, wie beispielsweise die der oben erwähnten Phasenwechselspeicher (PCM), entwickelt worden. Dabei sind auch solche Phasenwechselspeicher, wie sie oben genannt sind, mittlerweile in Serienfertigung und im Einsatz bei Computern. Die Firma Intel Corporation bietet solche Phasenwechselspeicher unter dem Namen„Intel Optane ^® " an.

Bei den Phasenwechselspeichern wird sich zunutze gemacht, dass ein Material unterschiedliche optische und/oder elektrische Eigenschaften in der amorphen bzw. der kristallinen Phase aufweist. Durch anlegen von zwei Elektroden kann ein Strompuls auf das Material des Phasenwechselspeichers gegeben werden. Wenn das Material mit einem relativ hohen Strompuls beaufschlagt wird, entsteht Wärme, so dass das kristalline Material in die amorphe Phase wechselt. Nach dem Ende des Pulses kühlt sich das Material sehr schnell ab. Das Material verharrt daher im amorphen Zustand und fällt nicht in die kristalline Phase zurück. Die Leitfähigkeit ist dabei im amorphen Zustand erheblich schlechter, als im kristallinen Zustand des Materials.

Der kristalline Zustand wird meist auch als der gesetzte Zustand, der „SET state", bezeichnet. Das Material gelangt aus dem amorphen Zustand wieder zurück in den gesetzten, kristallinen Zustand, indem es nun einem längeren relativ niedrigen Strompuls ausgesetzt ist. Der Vorgang vom amorphen in den kristallinen Zustand lässt sich somit über die Dauer und Amplitude des Strompulses umkehren. Dadurch wird das amorphe Material über die Kristallisationstemperatur erhitzt und so lange auf dieser Temperatur gehalten, bis Kristallisation stattfindet. Das Material bildet so eine Speicherzelle, die über ihren Phasenzustand den binären Inhalt definiert.

Zum Auslesen der Information wird über eine solche resistive Speicherzelle eine Spannung angelegt, die eine so geringe Stromstärke bewirkt, dass die Temperatur im Material nicht die für einen Phasenwechsel notwendige Höhe erreicht. Je nach Zustand fließt dabei ein anderer Strom, was zum Auslesen genutzt wird. Damit lässt sich über den Widerstand der Speicherzelle ein binärer Zustand festlegen. I m kristallinen Zustand wird der„SET state", eine binäre„Eins", und im amorphen Zustand eine binäre„Null" definiert.

Viele solcher Speicherzellen werden zu einem nichtflüchtigen digitalen Speicher für Datenverarbeitungsanlagen mit Mikroprozessoren eingesetzt.

Stand der Technik

In der DE 10 2008 016 522 Al wird eine Speicherzelle offenbart. Die dort beschriebene Speicherzelle umfasst eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode. Weiterhin ist ein Verbundmaterial vorgesehen, wobei das Verbundmaterial die erste Elektrode elektrisch mit der zweiten Elektrode verbindet und ein Phasenwechselmaterial und ein Resistormaterial enthält. Dabei ist mindestens ein Teil des Phasenwechselmaterials in der Lage auf das Anlegen eines Schaltsignals an die erste und/oder die zweite Elektrode anzusprechen, so dass zwischen einer im Wesentlichen kristallinen Phase und einer im Wesentlichen amorphen Phase gewechselt werden kann. Dabei weist das Resistormaterial eine Resistivität auf, die geringer ist als diejenige des Phasenwechselmaterials, wenn das Phasenwechselmaterial in der im Wesentlichen amorphen Phase vorliegt.

Die bekannten Phasenwechselspeicher haben den Nachteil, dass sie trotz ihrer Vorzüge noch zu langsam sind. Wünschenswert sind nichtflüchtige Speicher, die erheblich schneller als bspw. Flash-Speicherbausteine sind. Bekannte Phasenwechselspeicher, wie der 3D Xpoint„Intel Optane ^® ", sind zwar erheblich schneller, doch reicht in manchen Anwendungsgebieten selbst diese Schaltgeschwindigkeit nicht aus. Die Phasenwechselspeicherwerden aufgrund ihrer Kristallisationsgeschwindigkeit nämlich in ihrer Schaltgeschwindigkeit begrenzt. Offenbarung der Erfindung

Aufgabe der Erfindung ist es daher, die Nachteile des Standes der Technik zu vermeiden und einen Phasenwechselspeicher für Datenverarbeitungsanlagen zu schaffen, dessen Schaltzeiten erheblich verkürzt sind.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass bei einem Phasenwechselspeicher zum nichtflüchtigen Speichern von binären Inhalten der eingangs genannten Art ein Schallgenerator vorgesehen ist, der vor oder zumindest während des Schaltvorgangs das Material mit Schall beaufschlagt.

Weiterhin wird die Aufgabe durch ein Verfahren für einen Phasenwechselspeicher zum nichtflüchtigen Speichern von binären Inhalten der eingangs genannten Art gelöst, bei dem Schall erzeugt wird, mit dem das Material vor oder zumindest während des Schaltvorgangs beaufschlagt wird.

Die Erfindung beruht auf dem Prinzip, dass mit Schall, also mechanische Wellen, der Übergang von der amorphen in die kristalline Phase des Phasenwechselmaterials erheblich beschleunigt werden kann. Hier wird das Phänomen der Beta-Relaxation in Phasenwechselmaterialien ausgenutzt. Dieses Phänomen der Beta-Relaxation bedeutet, dass amorphe Materialien schnellere Atom- oder Teilchenbewegungen zeigen, die sich im Zeitmaßstab von den typischen Relaxationsprozessen unterscheiden. Aktuelle Versuche zeigen, dass eine Beschleunigung des Schaltvorgangs im Bereich um den Faktor 10, also einer Größenordnung liegt. Der Einfluss von Ultraschall beschleunigt den Schaltvorgang somit wesentlich.

Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, dass der Schallgenerator des erfindungsgemäßen Phasenwechselspeichers als Ultraschallgenerator ausgebildet ist. Ultraschall hat sich nämlich gegenwärtig als besonders geeignet für die Beschleunigung der Schaltprozesse bei Phasenwechselmaterialien herausgestellt. Als weitere vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Phasenwechselspeichers hat sich erwiesen, wenn der Ultraschallgenerator eine piezoelektrische Einheit aufweist. Mittels einer piezoelektrischen Einheit, die auch als piezoelektrische Schicht ausgebildet sein kann, lässt sich auf einfache und bekannte Weise ein Ultraschallfeld erzeugen, welches auf das Phasenwechselmaterial besonders beim Schaltvorgang wirken kann.

Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Phasenwechselspeichers besteht darin, dass Steuerungsmittel zum variablen Einstellen der Frequenz des Ultraschalls vorgesehen sind. Auf diese Weise kann die Frequenz beispielsweise auf das verwendete Material optimiert werden. Vorzugsweise können die Steuerungsmittel die Frequenz des Ultraschalls temperaturabhängig einstellen. Die Temperatur des Phasenwechselmaterials hat maßgeblichen Einfluss auf den Schaltvorgang. Hier kann es erforderlich sein, dass Temperatur und Ultraschallfrequenz aufeinander abgestimmt werden, um den Schaltvorgang zu optimieren.

Eine besonders bevorzugte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Phasenwechselspeichers zum nichtflüchtigen Speichern von binären Inhalten besteht darin, dass zwischen der amorphen und kristallinen Phase mehrere Phasenstufen des Materials für ein mehrstufiges Schalten zum Speichern von Inhalten vorgesehen sind.

Eine vorteilhafte Ausbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens für einen Phasenwechselspeicher besteht darin, dass Ultraschall erzeugt wird, mit dem das Material vor oder zumindest während des Schaltvorgangs beaufschlagt wird. Ultraschall hat sich nämlich gegenwärtig als besonders geeignet für die Beschleunigung der Schaltprozesse bei Phasenwechselmaterialien herausgestellt.

In einer vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens für einen Phasenwechselspeicher zum nichtflüchtigen Speichern von binären Inhalten wird der Ultraschall mit einer piezoelektrischen Einheit erzeugt. Die Erzeugung von Ultraschall mit einem Piezokristall ist eine dem Fachmann geläufige Technik und lässt sich daher gut bei einem solchen Verfahren einsetzen. Weitere Ausgestaltungen und Vorteile ergeben sich aus dem Gegenstand der Unteransprüche sowie der Zeichnung mit der dazugehörigen Beschreibung. Ein Ausführungsbeispiel ist nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher erläutert. Die Erfindung soll nicht alleine auf dieses aufgeführte Ausführungsbeispiel beschränkt werden. Es dient lediglich zur näheren Erläuterung der Erfindung. Die vorliegende Erfindung soll sich auf alle Gegenstände beziehen, die jetzt und zukünftig der Fachmann als naheliegend zur Realisierung der Erfindung heranziehen würde. Der Offenbarungsgehalt des hier aufgeführten Standes der Technik gilt hier als ebenfalls erfindungswesentlich offenbart.

Kurze Beschreibung der Zeichnung

Fig. 1 zeigt den Aufbau eines erfindungsgemäßen Phasenwechselspeichers mit einem Ultraschallgenerator.

Bevorzugtes Ausführungsbeispiel

In Fig. 1 wird mit 10 der erfindungsgemäße Phasenwechselspeicher bezeichnet. Der Phasenwechselspeicher 10 umfasst eine erste Elektrode 12 und eine zweite Elektrode 14. Zwischen den Elektroden 12, 14 ist eine Schicht 16 eines Phasenwechselmaterials 18 vorgesehen. Die Elektrode 12, das Phasenwechselmaterial 18 und die Elektrode 14 bilden einen ersten Funktionsbereich 20 des Phasenwechselspeichers 10 und wird mit einer geschweiften Klammer kenntlich gemacht. Dieser erste Funktionsbereich 20 ist auf einer zu diesem Funktionsbereich 20 gehörenden Isolierschicht 22 angeordnet.

Ein zweiter Funktionsbereich 24, ebenfalls mit einer geschweiften Klammer kenntlich gemacht, umfasst einen Ultraschallgenerator 26. Dieser zweite Funktionsbereich 24 grenzt an die Isolierschicht 22 des ersten Funktionsbereichs 20. Der Ultraschallgenerator 26 besteht aus einer piezokristallinen Schicht 28, der von zwei weiteren Elektroden 30, 32 angesteuert wird. An die piezokristalline Schicht 28 grenzt eine Isolierschicht 33 und ein dritter Funktionsbereich 34 an.

Der dritte Funktionsbereich 34 umfasst eine Heizschicht 36 und zwei Elektroden 38, 40. Der dritte Funktionsbereich wird mit einer weiteren geschweiften Klammer dargestellt. Die Heizschicht 36 wird dabei über die zwei Heizelektroden 38, 40 betrieben. Dieser dritte Funktionsbereich enthält eine Siliziumoxydschicht 42 und wird von einer Substratschicht 44 abgeschlossen.

Die Elektroden 12, 14 schalten je nach Strompuls und dessen Dauer das Phasenwechselmaterial 18.

Bei dem Phasenwechselspeicher 10 wird ausgenutzt, dass das Phasenwechselmaterial 18 unterschiedliche elektrische Eigenschaften in der amorphen bzw. der kristallinen Phase aufweist. Der elektrische Widerstand ist im amorphen Zustand erheblich größer, als im kristallinen Zustand des Phasenwechselmaterials 18. Über die zwei Elektroden 12, 14 wird ein Strompuls auf das Phasenwechselmaterial 18 des Phasenwechselspeichers 10 gegeben. Wenn das Phasenwechselmaterial 18 mit einem relativ hohen und kurzen Strompuls beaufschlagt wird, wechselt es von der kristallinen in die amorphe Phase. Nach dem Ende des Strompulses kühlt sich das Phasenwechselmaterial 18 sehr schnell ab. Das Phasenwechselmaterial 18 verbleibt in dem amorphen Zustand und fällt nicht in die kristalline Phase zurück.

Das Phasenwechselmaterial 18 gelangt aus dem amorphen Zustand wieder zurück in den kristallinen Zustand, indem es einem längeren relativ niedrigen Strompuls ausgesetzt ist. Der Vorgang vom amorphen in den kristallinen Zustand lässt sich somit über die Dauer des Strompulses umkehren. Dadurch wird das amorphe Material über die Kristallisationstemperatur erhitzt und so lange auf dieser Temperatur gehalten, bis Kristallisation stattfindet. Der Vorgang kann beschleunigt werden, indem vor oder zumindest während der einzelnen Schaltvorgänge das Phasenwechselmaterial 18 mit Ultraschall beaufschlagt wird. Der Ultraschallgenerator 26 generiert mit der piezoelektrischen Schicht 28 ein auf das Phasenwechselmaterial 18 abgestimmtes Ultraschallfeld, welches auf das Phasenwechselmaterial 18 wirkt und entsprechend stimuliert. Der Schaltvorgang des Phasenwechselmaterials 18 wir dadurch erheblich beschleunigt. Da der Schaltvorgang des Phasenwechselmaterials 18 insbesondere temperaturabhängig ist, wird der Ultraschall unterschiedlich aufgenommen. Es sind daher hier nicht dargestellte Steuerungsmittel vorgesehen, die die Frequenz des Ultraschalls bzgl. der Temperatur des Phasenwechselmaterials 18 optimiert.

Die binäre Information, die ein solcher Phasenwechselspeicher 10 beinhaltet wird über eine Spannung, die z.B. über die Elektroden angelegt, wird ausgelesen. Je nach Zustand - amorph oder kristallin - des Phasenwechselmaterials 18, fließt ein anderer Strom, was nun zum Auslesen genutzt wird. Damit lässt sich über den Widerstand des Phasenwechselspeichers 10 ein binärer Zustand festlegen. Dem kristallinen Zustand wird eine binäre„Eins" und dem amorphen Zustand eine binäre„Null" zugeordnet.

Bezugszeichenliste

10 Phasenwechselspeicher

12 Erste Elektrode

14 Zweite Elektrode

16 Schicht

18 Phasenwechselmaterial

20 Erster Funktionsbereich

22 Isolierschicht

24 Zweiter Funktionsbereich

26 Ultraschallgenerator

28 piezokristalline Schicht

30 Elektrode für Ultraschallgen

32 Elektrode für Ultraschallgen

33 Isolierschicht

34 Funktionsbereich

36 Heizschicht

38 Elektrode für Heizschicht

40 Elektrode für Heizschicht

42 Siliziumoxydschicht

44 Substrat