以下、添付図面を参照して本発明の実施� ��態について説明する。なお、図面の説明に� ��いて同一の要素には同一の符号を付し、重� ��する説明を省略する。

 本発明の実施形態に係る光検出器は、温� ��によって抵抗値が変化する材料を用いて赤� ��線を検出する、いわゆるボロメータ型の赤� ��線検出器であって、赤外イメージャやサー� ��グラフィー等に好適に用いられるものであ� ��。最初に、本実施形態に係る赤外線検出器� ��構成を説明する。図1は、本発明に係る光検 出器の一実施形態である赤外線検出器の平面 図、図2は、図1の赤外線検出器の画素部の一� ��を拡大した平面図、図3は、図1の赤外線検� �器の1画素の構成を示す斜視図、図4は、図1� �赤外線検出器の画素部における1画素の構成� ��示す平面図、図5は、図1の赤外線検出器の� �ファレンス画素部における1画素の構成を示� ��平面図、図6は、図4のVI-VI線に沿った断面及 び図5のVI-VI線に沿った断面を組み合わせた赤 外線検出器の模式的な断面図である。

 図1に示すように、赤外線検出器1は、赤� �線を熱変化により検出する検出器であって� �基板10と、基板10上に形成され赤外線受光器� ��して機能する画素部12と、基板10上に形成さ れ使用環境による影響を計測するリファレン ス画素部13と、及び信号処理回路部14と、を� �えて構成されている。画素部12及びリファレ ンス画素部13は、それぞれ信号処理回路部14� �電気的に接続されている。基板10は、例えば Si基板が用いられる。なお、以下では、Si基� �の表面に熱酸化層や下地層が形成される場� �には、これらの層も含んだものを基板10と称 する。

 図2に示すように、画素部12は、基板10上� �複数の画素(ボロメータ素子11)を2次元アレイ 化することにより形成され、いわゆる表面マ イクロマシンとされている。画素を構成する ボロメータ素子11は、図3,4に示すように、基� ��10の表面に形成されたROIC(Read Only IC)パッド 16,17と、ROICパッド16,17上にそれぞれ形成され� ��電極プラグ18,19と、基板10の表面から離間し て配置されたボロメータ薄膜(第1ボロメータ� ��)15とを備えて構成されている。

 ROICパッド16,17は、導電性を有する矩形状� ��パッドであり、信号処理回路部14と電気的� �接続されている。電極プラグ18,19は、ROICパ� �ド16,17上に積層方向に延びるように略円柱状 に形成され、ROICパッド16,17と電気的に接続さ れている。電極プラグ18,19は、導電性を有す� ��材料からなり、例えばAlが用いられる。

 ボロメータ薄膜15は、基板10と略平行に配 置された薄膜であって、赤外線を受光する矩 形平面の受光部15aと、受光部15aの角部15b,cに� ��成された梁部15d,15eとを有している。梁部15d ,15eは、角部15b,cを起点に受光部15aの外周に沿 って延び、対向して形成されている。そして 、受光部15aと梁部15d,15eとの間は、スリット15 f,15gを介してそれぞれ空間的に隔てられてお� ��、熱的に分離されている。ボロメータ薄膜1 5は、温度変化による抵抗率変化が大きい材� �が用いられ、例えば、アモルファスシリコ� �が用いられる。

 また、ボロメータ薄膜15の梁部15d,15eには� ��受光部15aと電気的に接続される配線15h,15iが 、梁部15d,15eの形状に沿って設けられている� �そして、図3,6に示すように、ボロメータ薄� �15は、梁部15d,15eのそれぞれの一端部が電極� �ラグ18,19と接続することで基板10の表面上に� ��持されており、ボロメータ薄膜15と基板10と の間には、空隙11aが画成されている。そして 、図4に示すように、梁部15d,15eの配線15h,15iが 電極プラグ18,19にそれぞれ電気的に接続され� ��いる。これにより、配線15h,15iは、電極プラ グ18,19及びROICパッド16,17を介して信号処理回� ��部14と電気的に接続されている。

 また、図6に示すように、ボロメータ薄膜 15の基板10側の表面には、絶縁膜30が形成され ている。絶縁膜30としては、例えば、TEOS(Tetra ethyl orthosilicate)を原料としたプラズマCVD(Chemi cal Vapor Deposition)法により形成されたシリコ� ��酸化膜が用いられる。そして、ボロメータ� ��子11の基板10の表面において、ボロメータ薄 膜15と対向する領域には、反射膜(第3金属膜)2 0が積層されている。この反射膜20は、赤外線 に対する反射率が大きい金属が用いられる。

 このように、ボロメータ素子11は、ボロ� �ータ薄膜15が基板10の表面から離間して基板1 0と略平行に配置される構成(メンブレン構成) とされ、ボロメータ薄膜15と基板10との間は� �空隙11aにより空間的に隔てられて熱的に分� �された構成とされている。そして、ボロメ� �タ薄膜15の受光部15aの温度変化による抵抗率 変化を、配線15h,15i、電極プラグ18,19及びROIC� �ッド16,17を介して信号処理回路部14で読み取� ��ことができる構成とされている。

 一方、リファレンス画素部13は、基板10上 に複数の画素(リファレンス素子21)を2次元ア� ��イ化することにより形成され、各画素はい� ��ゆるオプティカルブラックとされている。� ��素を構成するリファレンス素子21は、図5,6� �示すように、ボロメータ素子11とほぼ同様に 構成され、ボロメータ素子11と比べて、放熱� ��金属膜(第1金属膜)23、基板側放熱用金属膜(� ��2金属膜)24、及び複数の金属柱25を備える点� ��相違する。なお、ボロメータ素子11と同一� �構成であるROICパッド26,27及び電極プラグ28,29 については、説明を省略する。

 ボロメータ薄膜(第2ボロメータ膜)22は、� �ロメータ薄膜15と同一構成の受光部22a、梁部 22d,22e、配線22h,22i及びスリット22f,22gを有して いる。そして、図6に示すように、ボロメー� �薄膜22及びボロメータ薄膜15は、基板10の表� �と略平行であって略同一の平面上に位置し� �いる。ここで、略同一の平面とは、積層方� �において、後述する放熱用金属膜23の厚さの 差を含む範囲の平面のことであって、例えば ±1μm程度の範囲内の平面をいう。

 また、受光部22aの基板10側の表面には、� �形平面状の放熱用金属膜23が絶縁膜31を介し� ��形成されている。この絶縁膜31は、ボロメ� �タ素子11の絶縁膜30と同様な材料で構成され� ��いる。また、放熱用金属膜23として、例え� �Al、Cu又はWが用いられる。

 そして、放熱用金属膜23と基板10との間に は、複数の金属柱25が形成されている。金属� ��25は、金属からなり積層方向に延びる円柱� �あって、積層方向に直交する方向に一定の� �隔で離間して形成されている。金属柱25は、 放熱用金属膜23及び基板10と熱的に接続され� �いる。金属柱25として、例えばAl、Cu又はWが� ��いられる。なお、金属柱25及び放熱用金属� �23は、一体形成されていてもよい。また、リ ファレンス素子21の基板10の表面側において� �ボロメータ薄膜22の受光部22aと対向する領域 には、矩形平面状の基板側放熱用金属膜24が� ��成されている。基板側放熱用金属膜24は、� �数の金属柱25の断面積よりも大きな面積を有 し、金属柱25及び基板10と熱的に接続されて� �る。基板側放熱用金属膜24は、金属からなり 、例えばAl、Cu又はWが用いられる。

 このように、リファレンス素子21は、ボ� �メータ薄膜22の赤外線入射に伴う温度変化に よって発生する熱を、絶縁膜31、放熱用金属� ��23、金属柱25及び基板側放熱用金属膜24を介� ��て基板10へ放熱することができる構成とさ� �ている。そして、ボロメータ薄膜22の環境変 化等の温度変化による抵抗率変化を、配線22h ,22i、電極プラグ28,29及びROICパッド26,27を介し て信号処理回路部14で読み取ることができる� ��成とされている。

 また、図1に示す信号処理回路部14は、基板1 0に設けられた読み出し用の回路であって、� �素部12及びリファレンス画素部13の出力信号� ��読み出して、画素部12の出力信号からリフ� �レンス画素部13の出力信号を減算する機能を 有している。以下、読み出し回路について図 7,8を用いて具体的に説明する。図7,8は、信号 処理回路部14の読み出し回路を示す回路図で� ��る。最初に、説明理解の容易性を考慮し、� ��ロメータ素子11及びリファレンス素子21をそ れぞれ一つ備える最小構成の赤外線検出器を 例に説明する。この最小構成の場合、例えば 図7に示す積分回路を用いて、出力電圧Voutを� ��定する。この出力電圧Voutは、ボロメータ素 子11の受光部15aに流れるボロメータ電流I(Rb)� �らリファレンス素子21の受光部22aに流れるリ ファレンス抵抗電流I(Rref)を減算したチャー� �アンプ入力電流をIp、コンデンサの積分容量 をCfとすると、以下式(1)で表される。
Vout-Vinp=-Ip・t/Cf   …(1)

 信号処理回路部14は、式(1)を用いて、抵� �値の変化を出力電圧Voutの変化に変換し、こ� ��電気信号を基に赤外線を検出する。次に、� ��数のボロメータ素子11及び一つのリファレ� �ス素子21からなる赤外線検出器の場合を説明 する。この場合には、例えば、図8の回路図� �示すように、シフトレジスタSRを用いて、各 ボロメータ電流I(Rbn)(n:整数)に対応するチャ� �ジアンプ入力電流Ipに基づいた出力電圧Vout� �測定する。そして、この電気信号を基に、� �外線を検出する。

 次に、上記構成の赤外線検出器1の動作を 説明する。まず、赤外線検出器1に赤外線が� �射されると、ボロメータ素子11の受光部15aに おいて赤外線が吸収され熱となる。ここで、 受光部15aは、スリット15f,15g及びボロメータ� �膜15と基板10との間に形成された空隙11aによ� ��て熱的に分離されている。このため、受光� ��15aにおいて発生した熱は、周囲に放熱され� ��ことなく受光部15aの温度を上昇させ、温度� ��昇に応じて受光部15aの抵抗値を変化させる� ��このような抵抗値の変化は、受光部15aと電� ��的に接続された配線15h,15i、電極プラグ18,19� ��びROICパッド16,17を介して信号として信号処� ��回路部14へ送られる。

 また、ボロメータ薄膜15に入射した赤外� �の一部が受光部15aにおいて吸収されず透過� �た場合であっても、透過した赤外線は反射� �20により反射され、再度、受光部15aへ入射さ れる。再度入射した赤外線は、受光部15aにお いて吸収され熱となる。これにより、効率良 く赤外線の吸収を行うことができる。

 一方、赤外線検出器1に赤外線が入射され ると、ボロメータ素子11と同様にリファレン� ��素子21にも赤外線が入射され、リファレン� �素子21の受光部22aにおいて赤外線が吸収され 熱となる。ここで、受光部22aは、絶縁膜31を� ��して放熱用金属膜23、金属柱25、基板側放熱 用金属膜24及び基板10と熱的に接続されてい� �。このため、赤外線の入射により受光部15a� �おいて発生した熱は、絶縁膜31、放熱用金属 膜23、金属柱25及び基板側放熱用金属膜24の順 に伝導し、基板10へ放熱される。このため、� ��外線検出器1の環境変化に伴う温度変化によ って発生した熱のみが、受光部22aの抵抗値を 変化させる。このような環境変化に伴う抵抗 値の変化は、受光部22aと電気的に接続された 配線22h,22i、電極プラグ28,29及びROICパッド26,27 を介して信号として信号処理回路部14へ送ら� ��る。

 そして、信号処理回路部14において、受� �部15a,22aの抵抗値の変化が電圧変化に変換さ� ��、この電気信号を基に、赤外線が検出され� ��。

 このように、赤外線検出器1においては、 リファレンス素子21において、絶縁膜31、放� �用金属膜23及び金属柱25を介してボロメータ� ��膜22が基板10と接続されている。このため、 赤外線により発生したボロメータ薄膜22の受� ��部22aの熱が絶縁膜31、放熱用金属膜23、複数 の金属柱25、基板側放熱用金属膜24を介して� �板10へ効率良く放熱されるので、使用環境の 変化によって発生する温度変化のみを正確に 測定することができる。結果、使用環境にお ける温度変化の影響を効率良く低減すること が可能となる。

 また、リファレンス素子21において、基� �側放熱用金属膜24を金属柱25と基板10との間� �介在させることで、金属柱25と基板10との熱� ��な接触面積を大きくすることができる。よ� ��て、入射した赤外線によってボロメータ薄� ��22に発生した熱を一層効率良く基板10へ放熱 することができる。

 また、リファレンス素子21において、受� �部22a及び基板10を熱的に接続する部材が、複 数の柱状体の金属柱25で構成されている。こ� ��ため、受光部22a及び基板10を熱的に接続す� �部材を一塊の金属で構成する場合に比べて� �受光部22aと金属柱25との間、あるいは基板10� ��金属柱25との間の熱膨張率差によりボロメ� �タ薄膜15に応力がかかることを防ぐことがで き、結果、ボロメータ薄膜15にクラックが発� ��することを防止することができる。

 また、リファレンス素子21において、金� �柱25及び放熱用金属膜23が一体的に形成され� ��場合には、基板10と伝熱体との間の熱膨張� �差により発生する応力を分散させることが� �能となり、結果、ボロメータ薄膜15にクラッ クが発生することを防止することができる。

 さらに、リファレンス素子21とボロメー� �素子11との形状が類似するため、両素子間の 形状相違による抵抗差を少なくすることがで きるので、リファレンス素子として好適に採 用することができる。

 次に、本実施形態に係る赤外線検出器1の 製造方法について説明する。なお、リファレ ンス素子21の製造工程は、ボロメータ素子11� �製造工程を含むため、以下ではリファレン� �素子21の製造工程を中心に説明する。図9~図1 4は、図1に示す赤外線検出器1におけるリファ レンス素子21の製造工程を示す側断面図であ� ��。

 まず、図9の(a)に示すように、基板熱酸化 工程を行う。この工程では、Si基板100の表面� ��酸化して、Si基板100上に熱酸化膜101を形成� �る。熱酸化膜101の膜厚は、例えば0.7μmであ� �。

 次に、図9の(b)に示すように、第1電極形� �工程を行う。この工程では、リファレンス� �子21のROICパッド26、27及び電極パッド33を熱� �化膜101上に形成する。例えば、Al-Si-Tiを1μm� �層し、フォトレジストによるマスク処理後� �エッチングによりROICパッド26、27及び電極パ ッド33を形成する。エッチングは、均一性よ� ��形成するために、好ましくはドライエッチ� ��グ法が用いられる。また、ウェットエッチ� ��グ法で行われてもよい。

 次に、図9の(c)に示すように、SiO ₂ 積層工程を行う。この工程では、熱酸化膜101 、ROICパッド26、27及び電極パッド33上にSiO ₂ 膜102を積層する。例えば、プラズマCVDによっ てSiO ₂ 膜102を1μm積層する。なお、ここでは、Si基板 100、熱酸化膜101及びSiO ₂ 膜102を基板10としている。

 次に、図10の(d)に示すように、開口形成工� �を行う。この工程では、ROICパッド26、27及び 電極パッド33の上部のSiO ₂ 膜102に、開口102a,102b,102cをそれぞれ形成する� ��例えば、SiO ₂ 膜102にフォトレジストによるマスク処理をし 、エッチングによりSiO ₂ 膜102を除去して開口102a,102b,102cを形成する。

 次に、図10の(e)に示すように、第2電極形成� ��程を行う。この工程では、ROICパッド26、27� �び電極パッド33と同一材料の金属層を形成し 、フォトレジストによるマスク処理後、エッ チングによりパターニングし、ROICパッド26、 27、電極パッド33及び基板側放熱用金属膜24を 形成する。すなわち、第1電極形成工程で形� �したROICパッド26、27、電極パッド33と、第2電 極形成工程で形成したROICパッド26、27、電極� ��ッド33とをそれぞれ一体化すると共に、ROIC� ��ッド26、27、電極パッド33の上面が、開口102a ,102b,102cを介してSiO ₂ 膜102上に位置するように形成する。そして、 ROICパッド26、27、電極パッド33及び基板側放� �用金属膜24の上面が同一平面に位置するよう に形成する。このように、ROICパッド26、27、� ��極パッド33及び基板側放熱用金属膜24の上面 を同一平面とするように形成することで、リ ファレンス素子21のメンブレン構造が平坦化� ��れる。

 次に、図10の(f)に示すように、犠牲層塗� �工程を行う。この工程では、犠牲層36を塗布 により形成する。犠牲層36として、例えばポ� ��イミドが用いられ、その膜厚は例えば2.5μm� ��ある。

 次に、図11の(g)に示すように、ダミー画素� �成工程を行う。この工程では、最初に、開� �を形成するための前処理として、保護層34を 積層する。例えば、アモルファスシリコンを 積層して保護層34を形成する。また、TEOS-SiO ₂ (TEOSを用いたプラズマCVD装置により形成され� ��SiO ₂ 膜)を積層して保護層34を形成してもよい。こ の保護層34として、例えば50nm積層する。次に 、フォトレジストによるマスク処理後、エッ チングにより、保護層34及び犠牲層36を貫通� �る開口36aを複数形成する。開口36aは、極力� �さい内径となるように形成され、例えば内� �が2μm、開口36a間のピッチは2~5μmである。そ� ��て、開口36a形成後、犠牲層36を除去する。� �えば、犠牲層36としてアモルファスシリコン を用いた場合には、XeF ₂ を用いて除去し、犠牲層36としてTEOS-SiO ₂ を用いた場合には、HFを用いて除去する。

 次に、図11の(h)に示すように、金属柱形� �工程を行う。この工程では、ダミー画素作� �工程により形成された開口36aの内部及び犠� �層36の上面に、金属膜35を形成する。例えば� ��パッタによりAl、Cu又はWを1μm積層して金属� ��35を形成する。これにより、開口36aの内部� �金属柱25が形成される。金属柱25は、例えば� ��径が2μmであり、ピッチが2~5μmである。ここ で、ダミー画素作成工程において、開口36aの 内径を極力小さく形成しているため、例えば 、図15の(a)に示すように、金属柱25の外径(す� ��わち、開口36aの内径)が大きい場合に比べて 、図15の(b)に示すように、金属柱25の上部に� �続する金属膜35を平坦化できる。これにより 、メンブレン構造を平坦化すべく金属柱形成 工程の後に平坦化工程(エッチバック工程)を� ��る必要がなくなり、製造コストを低減でき� ��。さらに、金属柱25の外径を小さく形成す� �ことで、使用する金属も少量で済むため、� �料コストを低減することができる。

 次に、図11の(i)に示すように、放熱用金� �膜形成工程を行う。この工程では、フォト� �ジストによるマスク処理及び金属膜35をエッ チングすることによりにより、金属柱25の上� ��に放熱用金属膜23を形成する。このように� �金属柱25及び放熱用金属膜23を一体的に形成� ��るため、基板10と金属柱25との間の熱膨張率 差により発生する応力を分散させることが可 能となり、結果、ボロメータ薄膜15にクラッ� ��が発生することを防止することができる。

 次に、図12の(j)に示すように、絶縁膜積層� �程を行う。この工程では、絶縁膜31として例 えばTEOS-SiO ₂ を100nm積層する。その後、図12の(k)に示すよ� �に、ボロメータ薄膜積層工程を行う。この� �程では、ボロメータ薄膜22として例えばアモ ルファスシリコンを100nm積層する。その後、� ��12の(l)に示すように、電極用金属膜積層工� �を行う。この工程では、電極用金属膜38を積 層する。電極用金属膜38として、例えばWSi又� ��Tiを50nm積層する。なお、電極用金属膜38を10 0nm積層してもよい。

 次に、図13の(m)に示すように、上部電極� �成工程を行う。この工程では、電極用金属� �38をフォトレジストによるマスク処理後パタ ーニングして上部電極38を形成する。その後� ��図13の(n)に示すように、開口形成工程を行� �。この工程では、ROICパッド26、27の上部の層 に開口39,40をそれぞれ形成し、基板側放熱用� ��属膜24とROICパッド26、27との間に位置する基 板10上の層に開口41,42をそれぞれ形成し、電� �パッド33の上部の層を除去する。

 次に、図13の(o)に示すように、電極プラ� �形成工程を行う。この工程では、スパッタ� �は真空蒸着により金属を積層し、その後、� �フトオフにより開口39,40に電極プラグ28,29を� ��れぞれ形成する。例えばAlを用いて電極プ� �グ28,29を形成する。これにより、上部電極38� ��び電極プラグ28,29はそれぞれ一体化される� �

 次に、図14の(p)に示すように、下部電極形� �工程を行う。この工程では、電極用金属膜� �フォトレジストによるマスク処理後、リフ� �オフによりパターニングして下部電極32を形 成する。下部電極32には、例えば、ROICパッド 26,27と信号処理回路14とを接続する配線が含� �れる。その後、図14の(q)に示すように、犠牲 層除去工程を行う。この工程では、例えばポ リイミドからなる犠牲層36をO ₂ によりアッシングする。このように、犠牲層 36を完全に除去することで、プロセスにおけ� ��熱処理等により、犠牲層36から不要なガス� �発生することを防止することができる。

 図9~図14に示す工程を行うことで、赤外線 吸収による熱を好適に基板10に放熱すること� ��できるリファレンス素子21を製造すること� �できる。なお、ボロメータ素子11を製造する 場合には、ダミー画素作成工程、金属柱形成 工程及び放熱用金属膜形成工程は不要である 。ここで、ボロメータ素子11及びリファレン� ��素子21は、同一の基板10上に同時に製造可能 である。この場合には、ボロメータ薄膜15及� ��ボロメータ薄膜22は、基板10の表面と略平行 であって略同一の平面上に位置するため、露 光によるパターニングの際に焦点深度の制御 を容易とすることができ、結果、赤外線検出 器1の小型化を図ることが可能となる。さら� �、このように製造する場合には、画素部12及 びリファレンス画素部13における抵抗率の均� ��性も向上するため、リファレンス素子とし� ��の機能を向上させることができる。そして� ��独立して製造した信号処理回路部14を、ボ� �メータ素子11からなる画素部12、及びリファ� ��ンス素子21からなるリファレンス画素部13に 接続して赤外線検出器1が完成する。

 なお、上述した実施形態は、本発明に係� ��赤外線検出器の一例を示すものである。本� ��明に係る赤外線検出器は、実施形態に係る� ��外線検出器に限られるものではなく、実施� ��態に係る赤外線検出器を変形し、又は他の� ��のに適用したものであってもよい。

 例えば、上記実施形態では、基板側放熱� ��金属膜24を有するリファレンス素子21を備え た赤外線検出器1を説明したが、図16に示すよ うに、リファレンス素子21に基板側放熱用金� ��膜24を有さない場合であってもよい。この� �うに構成した場合には、受光部22aにおいて� �外線により発生した熱が、絶縁膜31、放熱用 金属膜23、金属柱25の順に伝導し、基板10へ放 熱される。このため、上記実施例と同様に、 リファレンス素子21が環境変化等による温度� ��化を正確に検出し、使用環境における温度� ��化の影響を効率良く低減することができる� ��共に、小型化を図ることが可能となる。

 また、上記実施形態では、反射膜20を有� �るボロメータ素子11を備えた赤外線検出器1� �説明したが、図17に示すように、ボロメータ 素子11に反射膜20を有さない場合であっても� �い。このように構成した場合であっても、� �ファレンス素子21の受光部22aにおいて赤外線 により発生した熱が、絶縁膜31、放熱用金属� ��23、金属柱25、基板側放熱用金属膜24の順に� ��導し、基板10へ放熱される。このため、上� �実施例と同様に、リファレンス素子21が環境 変化等による温度変化を正確に検出し、使用 環境における温度変化の影響を効率良く低減 することができると共に、小型化を図ること が可能となる。

 また、上記実施形態では、基板側放熱用� ��属膜24を有するリファレンス素子21、及び反 射膜20を有するボロメータ素子11を備えた赤� �線検出器1を説明したが、図18に示すように� �リファレンス素子21に基板側放熱用金属膜24� ��有さず、ボロメータ素子11に反射膜20を有さ ない場合であってもよい。このように構成し た場合であっても、リファレンス素子21の受� ��部22aにおいて赤外線により発生した熱が、� ��縁膜31、放熱用金属膜23、金属柱25の順に伝� ��し、基板10へ放熱される。このため、上記� �施例と同様に、リファレンス素子21が環境変 化等による温度変化を正確に検出し、使用環 境における温度変化の影響を効率良く低減す ることができると共に、小型化を図ることが 可能となる。

 さらに、上記実施形態では、金属柱25が� �柱で形成される場合を説明したが、金属柱25 の断面が矩形や三角形となる柱状であっても よく、このような場合であっても、使用環境 における温度変化の影響を効率良く低減する ことができると共に、小型化を図ることが可 能となる。