以下、実施例により、本発明の実施の形� ��を更に具体的に説明する。併せて、実施例� ��対する比較例についても説明する。

(実施例1)
 本実施例のフォトマスクブランクは、透光� ��基板上に、遮光膜と反射防止膜を形成した� ��のである。

 このフォトマスクブランクは、次のよう� ��方法で製造することができる。

 主表面及び端面が精密研磨され、基板主� ��面の形状が凸形状に仕上げられた合成石英� ��ラスからなる透光性基板(大きさ152mm×152mm)� �に、枚葉式スパッタ装置を用いて、スパッ� �ターゲットにモリブデン(Mo)とシリコン(Si)と の混合ターゲット(Mo:Si=5:95原子%)を用い、ア� �ゴン(Ar)ガス雰囲気で、スパッタリング(DCス� ��ッタリング)により、モリブデンとシリコン を主たる構成要素とする遮光層を膜厚35nmに� �成した。その後、500℃、3時間で加熱処理を� ��なった。

 次に、スパッタターゲットにクロムターゲ� ��トを使用し、アルゴンと窒素と酸素の混合� ��ス(Ar:30体積%、N ₂ :35体積%、O ₂ :35体積%)雰囲気中で反応性スパッタリングを� ��うことによって、クロムに酸素と窒素を含� ��反射防止層を膜厚20nmに形成した。このよう にして、透光性基板上に総膜厚が55nmの遮光� �及び反射防止層からなる遮光膜が形成され� �フォトマスクブランクを製造した。

 また、このフォトマスクブランクにおけ� ��遮光膜は、遮光層とその上の反射防止層と� ��積層構造において、例えば露光波長193nmに� �ける光学濃度が3.0以上であった。また、露� �波長193nmにおける反射率は16%と低く抑えるこ とができた。さらに、フォトマスクの欠陥検 査波長である257nmに対しては、18%となり、検� ��する上でも問題とならない反射率となった� ��

 次に、上記フォトマスクブランクに対し� ��遮光膜上に形成するレジスト膜の付着力向� ��のため、レジストの種類を考慮して160℃で� ��ベーク処理を行った。次いで、上記フォト� ��スクブランク上に、化学増幅型レジストで� ��る電子線レジスト膜(富士フィルムエレクト ロニクスマテリアルズ社製CAR-FEP171)を膜厚150n mに形成した。レジスト膜の形成は、スピン� �ー(回転塗布装置)を用いて、回転塗布した。 なお、上記レジスト膜を塗布後、130℃でのプ リベーク処理を行った。

 次にフォトマスクブランク上に形成され� ��レジスト膜に対し、電子線描画装置を用い� ��、デバイスにおける45nmハーフピッチに相当 するパターン描画を行った後、所定の現像液 で現像してレジストパターンを形成した。

 次に、上記レジストパターンに沿って、ま� ��反射防止層のドライエッチングを行って反� ��防止層パターンを形成した。このときのド� ��イエッチングガスとして、Cl ₂ とO ₂ の混合ガス(Cl ₂ :O ₂ =4:1)を用いた。

 次に、上述の反射防止層パターン及びレジ� ��トパターンをマスクに、遮光層のドライエ� ��チングを行って遮光膜パターンを形成した� ��このときのドライエッチングガスとして、S F ₆ とHeの混合ガスを用いた。

 次に、残存するレジストパターンを剥離し� ��、フォトマスクを得た。形成した遮光膜の� ��ターンのCDロス(CDエラー)(設計線幅に対する 実測線幅のずれ
)は20nmと小さく、フォトマスク上の遮光膜パ� ��ーンのパターン精度も設計通り良好であっ� ��。

 以上のように得られた本実施例のフォト� ��スクのEL値を、例えば、光学条件、λ=193nm、 NA=1.3として、計算ソフト(例えばEM-suitesVer5)に より求めた。

 以上の方法により、本実施例のフォトマ� ��クのEL値を求めた結果、後述の比較例のフ� �トマスクのEL値と比べると大きい値であった 。ちなみに、n≦1、k≧2.5の範囲内にある。し たがって、高NAの露光方法を用いた露光装置� ��より、このフォトマスクを使用して半導体� ��板上にパターン転写を行う場合、焦点深度� ��影響により焦点位置がズレても、そのズレ( の影響)を充分に許容でき、その結果、45nmハ� ��フピッチ相当の微細パターンを設計通りに� ��精度で半導体基板上に形成することが可能� ��ある。

(実施例2)
 実施例1と同じ合成石英ガラスからなる透光 性基板上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、 スパッタターゲットにモリブデン(Mo)とシリ� �ン(Si)との混合ターゲット(Mo:Si=3:97原子%)を用 い、アルゴン(Ar)ガス雰囲気で、スパッタリ� �グ(DCスパッタリング)により、モリブデンと� ��リコンを主たる構成要素とする遮光層を膜� ��33nmに形成した。その後、500℃、3時間で加� �処理を行った。

 次に、上記遮光層上に、実施例1と同様に して反射防止層を形成し、フォトマスクブラ ンクを作製した。

 本実施例のフォトマスクブランクは、露� ��波長193nmにおける光学濃度が3.0以上であっ� �。また、この露光波長193nmにおける反射率は 19%と低く抑えることができた。

 このようにして得られたフォトマスクブ� ��ンクを用いて、実施例1と同様にフォトマス クを作製した。

 本実施例においても、形成した遮光膜の� ��ターンのCDロス(CDエラー)(設計線幅に対する 実測線幅のずれ)は20nmと小さく、フォトマス� ��上の遮光膜パターンのパターン精度も設計� ��り良好であった。

 本実施例のフォトマスクのEL値を実施例1� ��同様にして求めた結果、高い値であった。� ��の値は後述の比較例のフォトマスクのEL値� �比べると大きい値である。ちなみに、n≦1、 k≧2.5の範囲内にある。したがって、高NAの露 光方法を用いた露光装置により、本実施例の フォトマスクを使用して半導体基板上にパタ ーン転写を行う場合、焦点深度の影響により 焦点位置がズレても、そのズレ(の影響)を充� ��に許容でき、その結果、45nmハーフピッチ相 当の微細パターンを設計通りに高精度で半導 体基板上に形成することが可能である。

(実施例3)
 実施例1と同じ合成石英ガラスからなる透光 性基板上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、 スパッタターゲットにモリブデン(Mo)とシリ� �ン(Si)との混合ターゲット(Mo:Si=5:95原子%)を用 い、アルゴン(Ar)と酸素と窒素の混合ガス(Ar:1 0体積%、O ₂ :10体積%、N ₂ :80体積%)雰囲気で、スパッタリング(DCスパッ� ��リング)により、モリブデンとシリコンに酸 素及び窒素を含む裏面反射防止膜を膜厚10nm� �形成した。

 次に、上記裏面反射防止膜上に、実施例1 と同様にして遮光層及び反射防止層を形成し 、フォトマスクブランクを作製した。但し、 本実施例の遮光層の膜厚は35nm、反射防止層� �膜厚は20nmとした。

 本実施例のフォトマスクブランクは、露� ��波長193nmにおける光学濃度が3.0以上であっ� �。また、この露光波長193nmにおける遮光膜表 面(反射防止層表面)での反射率は16%と低く抑� ��ることができた。そして、フォトマスクブ� ��ンクの裏面側での反射率も25%と低く抑える� ��とができ、特に高NAの露光方法を用いた露� �装置によるパターン転写を行う場合に好適� �ある。

 このようにして得られたフォトマスクブ� ��ンクを用いて、実施例1と同様にフォトマス クを作製した。すなわち、フォトマスクブラ ンク上に形成されたレジスト膜に対し、電子 線描画装置を用いて、45nmハーフピッチ相当� �パターン描画を行った後、現像してレジス� �パターンを形成した。次に、実施例1と同様� ��、上記レジストパターンに沿って、まず反� ��防止層のドライエッチングを行って反射防� ��層のパターンを形成した。

 次に、上述の反射防止層パターン及びレ� ��ストパターンをマスクに、遮光層及び裏面� ��射防止膜のドライエッチングを行って遮光� ��及び裏面反射防止膜のパターンを形成した� ��

 次に、残存するレジストパターンを剥離� ��て、フォトマスクを得た。本実施例におい� ��も、形成した遮光膜のパターンのCDロス(CD� �ラー)(設計線幅に対する実測線幅のずれ)は20 nmと小さく、フォトマスク上の遮光膜パター� ��のパターン精度も設計通り良好であった。

 本実施例のフォトマスクのEL値を実施例1� ��同様にして求めた結果、高い値であった。� ��の値は後述の比較例のフォトマスクのEL値� �比べると大きい値である。ちなみに、n≦1、 k≧2.5の範囲内にある。したがって、高NAの露 光方法を用いた露光装置により、本実施例の フォトマスクを使用して半導体基板上にパタ ーン転写を行う場合、焦点深度の影響により 焦点位置がズレても、そのズレ(の影響)を充� ��に許容でき、その結果、45nmハーフピッチ相 当の微細パターンを設計通りに高精度で半導 体基板上に形成することが可能である。

(比較例1)
 実施例1と同じ合成石英ガラスからなる透光 性基板上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、 スパッタターゲットにモリブデン(Mo)とシリ� �ン(Si)との混合ターゲット(Mo:Si=7:93原子%)を用 い、アルゴン(Ar)ガス雰囲気で、スパッタリ� �グ(DCスパッタリング)により、モリブデンと� ��リコンを主たる構成要素とする遮光層を膜� ��42nmに形成した。

 次に、上記遮光層上に、実施例1と同様に して反射防止層を形成し、フォトマスクブラ ンクを作製した。但し、本比較例の反射防止 層の膜厚は20nmとした。

 本比較例のフォトマスクブランクは、露� ��波長193nmにおける光学濃度が3.0以上であっ� �。また、この露光波長193nmにおける反射率は 14%と低く抑えることができた。

 このようにして得られたフォトマスクブ� ��ンクを用いて、実施例1と同様にフォトマス クを作製した。

 遮光膜中のMo含有量を7原子%とした本比較 例のフォトマスクのEL値を実施例1と同様にし て求めた結果、低い値であった。この値は、 遮光膜中のMo含有量を6原子%未満とした上述� �各実施例のフォトマスクのEL値と比べると小 さいため、このフォトマスクを使用して、高 NAの露光方法を用いた露光装置により半導体� ��板上へのパターン転写を行うと、光学系の� ��点深度の影響を許容できず、45nmハーフピッ チ相当の微細パターンを設計通りに高精度で 半導体基板上に形成することが困難である。

(比較例2)
 実施例1と同じ合成石英ガラスからなる透光 性基板上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、 スパッタターゲットにモリブデン(Mo)とシリ� �ン(Si)との混合ターゲット(Mo:Si=7:93原子%)を用 い、アルゴン(Ar)と窒素と酸素の混合ガス(Ar:1 0体積%、N2:80体積%、O2:10体積%)雰囲気で、スパ ッタリング(DCスパッタリング)により、モリ� �デンとシリコンに酸素及び窒素を含む裏面� �射防止膜を膜厚10nmに形成した。

 次に、上記裏面反射防止膜上に、同じく� ��葉式スパッタ装置を用いて、スパッタター� ��ットにモリブデン(Mo)とシリコン(Si)との混� �ターゲット(Mo:Si=7:93原子%)を用い、アルゴン( Ar)ガス雰囲気で、スパッタリング(DCスパッタ リング)により、モリブデンとシリコンを主� �る構成要素とする遮光層を膜厚42nmに形成し� ��。

 次に、上記遮光層上に、実施例1と同様に して反射防止層を形成し、フォトマスクブラ ンクを作製した。但し、本比較例の反射防止 層の膜厚は20nmとした。

 本比較例のフォトマスクブランクは、露� ��波長193nmにおける光学濃度が3.0以上であっ� �。また、この露光波長193nmにおける反射率は 14%と低く抑えることができた。そして、フォ トマスクブランクの裏面側での反射率も22%と 低く抑えることができた。

 このようにして得られたフォトマスクブ� ��ンクを用いて、実施例3と同様にフォトマス クを作製した。

 本比較例のフォトマスクのEL値を実施例1� ��同様にして求めた結果、低い値であった。� ��の値は、遮光膜中のMo含有量を6原子%未満と した上述の各実施例のフォトマスクのEL値と� ��べると小さいため、このフォトマスクを使� ��して、高NAの露光方法を用いた露光装置に� �り半導体基板上へのパターン転写を行うと� �光学系の焦点深度の影響を許容できず、45nm� ��ーフピッチ相当の微細パターンを設計通り� ��高精度で半導体基板上に形成することが困� ��である。