■· 子晶体及其设 i !■方'法. s ί¾

'爾聚技术

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发 容

¾干 丄 J

^¾频 Hove 异. ：的 ¾¾ ; 体 ·■·： :-

图 1 凝不为

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闘 2显示,为图 所示 ½光子 I体 TE读攝第二 ·ΐ I； < 圈 4 示为留 3所

5凝 为支.持普通

顯.示为^ 5所

图 ？ 显^为

图 ¾示 ¾ £越格的光予 ^体 Mk π;德振第二个能 ί频^

o ¾H5 SL .X得正方晶格- 子晶体 k的晶格常数比例调 ] 20、

； ,40 , !.50s !.60. 1J0.. 2.00 'Π:

图 ί61-· ; j¾,,¾ SO

H'J；?: i.

图 Γ7 ^为光了 *体 ΜΓίΈί ¾轴处'等频 ¾翁率

11 8^ 为光¾入射： i的承意圈.

可变賴控的示意議:

固 2 22c ：为 A¾g/¾g ^::: 0、 ).050时.光子

2 通;^为 w 0J4SS(2'; c/s)处的等顔践 ^ ；德 _ii : 匕示憨图

g的变化示意 <

(} i '- 4 具体实織方式

¾书

不 实施时

3在 Γ 轴

子晶体示 ;

度 -2..0s,

' 等频图¾图 4所 ^ 由^可 等 ；

气議.:

^ '见 等頻线 在 ΓΧ;.轴

7.4%, 而] 1在 i'X _: 轴 近翁

如 '？所示 > ¾

在歩骤 G1 中 基子光 f晶体的晶格类型、 ΐ料和结构参数来计算光 晶体

ίφ:所述光 的 '料參数包； f射'率

ii . van liove

i 图 a 所 ^的基 晶格常数为 s u ΤΕ编擬第二个能 «

'：由阁 ¾, ^: Γ .: van Hove S . -

等频 ， 并 光子 体¾键 其中' ^: 晶体¾键參数邀

歩 « (B K基子所： ( 频面） 曲 *K 频

铜 ， τ面展开法或者 FDTD 方法 计算得到

¾ v Hove

4 :.

Ί¾ _s 裁是相 ί于光束传播方向釣尺寸;隨后 , l¾ri# ■j-|¾;¾一块有限尺寸的支持 ^频率敏感度自准直現象的 准寬方 入射到 光子晶体 并隨 在光子晶侔另一纖 变靈 _s 实现 光麵躬'髓不同鍵的调控

¾ ¾ IP b-2,(

Γ ^:: ο. ' t 'i料.的祈射 '举 Γ Μ':· 该: 子； 等频 S 劇 i? iii ?

其中： 轴 的等频线

S 准！ (賴 rx i i在的..6' ）入射到' 寸为 1.50a >; 体 M 并在光子晶体 M .另一

〖 ; 了光子晶体 M 对不 頻率 ¾ jit外，围 20 ¾图 2 ί通 i

20

^增大， 会 ^:

时

i 22s li 2 展示的 i¾ 的¾响 图 22 图 准直频 '

分 g.¾H七圈 2 & 122c中

0.05； 使得 频线 体右移 同时 ϋ线翁^ κ 顏 23

化 昏！^ ω

的等纖翁率 的增大 满增长 ,

24 ¾ ir FDTD法: '光子晶体

/ .

ί涵