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Patent Searching and Data


Title:
PHOTOREACTIVE COMPOSITION, OPTICAL MATERIAL, COMPOSITION FOR FORMING HOLOGRAPHIC RECORDING LAYER, HOLOGRAPHIC RECORDING MATERIAL, AND HOLOGRAPHIC RECORDING MEDIUM
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2009/151061
Kind Code:
A1
Abstract:
A high-refractive-index compound is provided which has a new type of polymerizability and is useful as an optical material.  Also provided is a holographic recording medium which contains the compound and thereby has a high efficiency of diffraction, high light transmittance, and low degree of shrinkage.  Furthermore provided are: a composition for holographic-recording-layer formation containing a reactive compound represented by formula (1); and a holographic recording material.  The holographic recording medium is characterized by including a recording layer comprising either the composition or the holographic recording material. In formula (1), A is an optionally substituted ring; Ar is optionally substituted (hetero)aryl formed by the fusion of two or more rings; R is hydrogen or methyl; and n is an integer of 1-7; provided that when n is 2 or larger, then the Ar's may be the same or different, and that when A is an aromatic heterocycle and Ar is optionally substituted (hetero)aryl formed by the fusion of two or more rings, then those partial structures of the A and each Ar which are directly bonded to each other in the structure including the A and the Ar bonded thereto contain no heteroatom.)

Inventors:
MIKI YASUAKI (JP)
YABE AKIKO (JP)
ENDA JUN (JP)
Application Number:
PCT/JP2009/060555
Publication Date:
December 17, 2009
Filing Date:
June 09, 2009
Export Citation:
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Assignee:
MITSUBISHI CHEM CORP (JP)
MIKI YASUAKI (JP)
YABE AKIKO (JP)
ENDA JUN (JP)
International Classes:
G03H1/02; C07D307/91; C07D333/54; C07D333/76; C07D339/08; G11B7/0065; G11B7/244
Foreign References:
JP2009099253A2009-05-07
JPH06301322A1994-10-28
JP2003255543A2003-09-10
JP2006259509A2006-09-28
JP2006259508A2006-09-28
JPH0598252A1993-04-20
JPS5136222A1976-03-27
JP2004277581A2004-10-07
Attorney, Agent or Firm:
OGURI Shohei et al. (JP)
Shohei Oguri (JP)
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Claims:
下記式(1)で示される光反応性化合物を含むことを特徴とするホログラム記録層形成用組成物。
(式(1)において、Aは置換基を有していてもよい環であり、
Arは置換基を有していてもよい、2以上の環が縮合した(ヘテロ)アリール基であり、
Rは水素又はメチル基であり、
nは1~7の整数であり、
nが2以上の場合、複数のArは同一であっても異なっていてもよい。
但し、Aが芳香族複素環であり、かつ、Arが置換基を有していてもよい、2以上の環が縮合したヘテロアリール基である場合には、AおよびArの各々が連結している構造において、互いに直接連結している、AおよびArの各々の構造中の部分構造は、ヘテロ原子を含まない。)
Lorentz-Lorenzの式で推算したArの屈折率が1.60以上である、請求項1に記載のホログラム記録層形成用組成物。
Arが置換基を有していてもよい、2以上の環が縮合したヘテロアリール基である、請求項1または2に記載のホログラム記録層形成用組成物。
Lorentz-Lorenzの式で推算したAの屈折率が1.43以上である、請求項1~3のいずれか1項に記載のホログラム記録層形成用組成物。
Aが置換基を有していてもよい芳香環である、請求項1~4のいずれか1項に記載のホログラム記録層形成用組成物。
 前記ホログラム記録層形成用組成物に、さらにマトリックス樹脂及び光開始剤を含むことを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のホログラム記録層形成用組成物。 
 マトリックス樹脂がイソシアネートとポリオールの反応によって得られることを特徴とする請求項6に記載のホログラム記録層形成用組成物。 
 請求項1~7のいずれか1項に記載のホログラム記録層形成用組成物を含有することを特徴とする、ホログラム記録材料。 
 請求項8に記載のホログラム記録材料を含有する層を記録層として備えることを特徴とするホログラム記録媒体。
 下記式(2)で示されることを特徴とする化合物。
(式(2)において、A 2 は置換基を有していてもよい、ベンゼン環、ナフタレン環およびジベンゾチオフェン環からなる群から選ばれる環であり、
Ar 2 は、置換基を有していてもよい、スピロ炭素を含まない、2以上の環が縮合した(ヘテロ)アリール基であり、
Rは水素又はメチル基であり、
n 2 は1~7の整数であり、
n 2 が2以上の場合、複数のAr 2 は同一であっても異なっていてもよい。
但し、A 2 がジベンゾチオフェン環であり、かつ、Ar 2 が置換基を有していてもよい、2以上の環が縮合したヘテロアリール基である場合には、A 2 およびAr 2 の各々が連結している構造において、A 2 の構造中のチオフェン環とAr 2 の構造中のヘテロ原子を含む部分構造同士が直接連結していない。)
 下記式(2-1)で示されることを特徴とする化合物。 
(式(2-1)において、Ar 21 は、6員環および5員環のうち少なくとも1つが2または3縮合した縮合多環構造を有し、該縮合多環構造の骨格中に1以上のヘテロ原子を有し、該ヘテロ原子が酸素および硫黄のうち少なくとも1つである、ヘテロアリール基であり、Rは水素又はメチル基であり、n 21 は1~5の整数であり、n 21 が2以上の場合、複数のAr 21 は同一であっても異なっていてもよい。なお、式(2-1)中のAr 21 を有するベンゼン環は、Ar 21 以外に更に置換基を有していても良い。) 
 式(2-1)におけるAr 21 が、該縮合多環構造の骨格中に有するヘテロ原子の数が1または2であり、n 21 が1または2であり、かつ、Rは水素又はメチル基であることを特徴とする、請求項11に記載の化合物。 
 請求項10~12のいずれか1項に記載の化合物を含有することを特徴とする光反応性組成物。 
 前記光反応性組成物に、さらにマトリックス樹脂及び光開始剤を含むことを特徴とする請求項13に記載の光反応性組成物。 
 マトリックス樹脂がイソシアネートとポリオールの反応によって得られることを特徴とする請求項14に記載の光反応性組成物。 
 請求項13~15の何れか1項に記載の光反応性組成物を含有することを特徴とする光学材料。 
 請求項16に記載の光学材料を含むことを特徴とする、ホログラム記録材料。 
 請求項17に記載のホログラム記録材料を含有する層を記録層として備えることを特徴とするホログラム記録媒体。
Description:
光反応性組成物、光学材料、ホ グラム記録層形成用組成物、ホログラム記 材料およびホログラム記録媒体

 本発明は、高い回折効率と高い光透過率と 有し、架橋に伴う収縮の少ない、重合性の 規反応性化合物に関する。
 本発明はまた、該新規反応性化合物を含む 光反応性組成物、ホログラム記録層形成用 成物および光学材料、該光学材料からなる ログラム記録材料および該ホログラム記録 料からなるホログラム記録媒体に関する。

 近年、様々な光学用途において、従来の 学樹脂に比べてより広い光学特性の樹脂が 求されている。特に高屈折率材料は、次世 DVD向けオプティカル・データ・ストレージ 、携帯電話用カメラ用などの各種樹脂レン 、顕微鏡液浸レンズ用液体、光記録材料な 、その応用範囲の広さから精力的な研究が されている。なかでも光記録材料、特にホ グラム記録材料において、高屈折・低収縮 達成する材料の開発が大きな課題となって る。

 ホログラムとは、二つの光(物体光あるい は情報光と参照光)から形成される干渉縞が るパターンを感光材料に記録し、これに参 光と同じ角度で光を当てると記録した物体 画像あるいは情報が読み出せる手法全体を 味する用語である。ホログラムは、光を面 して扱うことで広い部分に短時間で記録と み出しができる事から、大容量かつ高速な 録材料として近年非常に期待されている手 である。

 ホログラムは干渉縞の記録形態からいくつ の種類に分けられるが、屈折率差で記録す 位相ホログラム(体積ホログラム)が、高い 折効率や波長選択性により性能が高いとさ ている。
 こうした手法を達成する材料として、いわ るフォトポリマーと称する光で重合するモ マーを使用した有機材料が挙げられる。

 ここでいうフォトポリマーとは、少なくと マトリックス樹脂、重合性の反応性化合物 および光開始剤からなる材料を表す。
 ホログラムを記録する時、二つの光が交差 て強くなった部分に記録層があると、光開 剤が化学反応を起して活性物質となり、こ が重合性の反応性化合物に作用して反応性 合物が重合する。この際、マトリックス樹 と重合性の反応性化合物から生成する重合 の間で屈折率に差があると、干渉縞が屈折 の差となって記録層の中に固定化される。 た、重合性の反応性化合物が重合する際、 辺から反応性化合物の拡散が起こり、フォ ポリマー内部で、反応性化合物あるいは反 性化合物の重合物の濃度分布が発生する。 照光だけ照射すると干渉縞から物体光ある は情報光に基づく記録が再生されるが、同 波長の参照光を使う場合、再生時に記録層 照射することで未反応の重合性の反応性化 物が記録時と同様に重合するはずである。 かし、上記の様に、フォトポリマー内部で 反応性化合物あるいは反応性化合物の重合 の濃度分布があることにより、二つの光が 差して弱くなっている部分、つまり未記録 部分では、反応性化合物の濃度が相対的に がっているために、この部分の反応性化合 が重合しても記録された部分とは屈折率に が残る。よって、再生時に同じ波長を照射 ても記録が消えることはない(非特許文献1)

 このようなフォトポリマー用の反応性化 物として代表的な重合性モノマーとしては N-ビニルカルバゾールやトリブロモフェニ アクリレートが検討されている(例えば、特 文献1,2)。これらは重合して生成するポリマ ーの屈折率がマトリックス樹脂よりも十分に 大きく、かつ重合前の段階ではマトリックス 樹脂との相溶性が高く、かつ重合した後でも マトリックス樹脂との相溶性が高く、不必要 な散乱が小さいため重ねて記録しても回折効 率が高くホログラム記録するには好適な化合 物である。

 また、特許文献3~5には、重合性硫黄原子 有化合物等を用いることにより回折効率と 度の高いホログラム記録材料と記録媒体が られることが報告されている。しかし、一 に回折効率と収縮率とはトレードオフの関 にあり、回折効率向上のために重合性化合 の濃度を増やすと記録に伴う重合収縮が大 くなる。ここに挙げられる実施例の重合性 化合物であっても、回折効率、光透過率、 縮率の点から不十分であり更なる重合性の 合物の創製が求められている。

日本国特許第3330854号公報

日本国特表2005-502918号公報

日本国特開2005-114848号公報

日本国特開2005-43507号公報

日本国特開2005-114849号公報

辻内順平編、「ホログラフィックディス プレイ」第2章、産業図書

 本発明は上記課題を解決するものであって 光学材料、なかでもホログラム記録に用い 反応性化合物としての新たな重合性を有す 化合物と、これを用いることにより、回折 率が高く、光透過率が高く、収縮率の小さ ホログラム記録媒体を提供することを目的 する。
 ホログラム記録媒体の回折効率は、媒体表 当たりの記録密度と比例しており、屈折率 差から変換される数値である。ここで、屈 率の差は、記録部分と未記録部分の屈折率 差のことである。記録部分は光により重合 た部分であり、未記録部分はそうでない部 である。

 記録前のホログラム記録媒体においては、 トリックス樹脂と反応性化合物が記録の波 で透過性を有する程度に均一の状態を確保 れている。このホログラム記録媒体に、記 のための光を照射することにより、活性化 れた開始剤の影響によって反応性化合物が 応するポリマーとなる。
 一般に、重合により分子が接近することに り密度が上昇するので、記録に起因して反 性化合物が重合して対応するポリマー(重合 体)に変化することにより、記録部分の屈折 は未記録部分の屈折率に対して相対的に大 くなる。さらにその際、ポリマー化に伴う 度の変化により反応性化合物の非照射部分 ら照射部分への移動が起こる。

 よって、反応性化合物の屈折率がマトリ クス樹脂の屈折率を上回る場合、照射部分 は、ポリマーの生成と反応性化合物の濃度 加とにより、未記録部分や記録前の状態に して更に屈折率が上昇する。一方、非照射 分では反応性化合物の濃度減少により記録 の状態よりも更に屈折率が低下する。その め、照射部分と非照射部分の屈折率の差は り大きくなる。逆に、反応性化合物の屈折 がマトリックス樹脂の屈折率を下回る場合 照射部分ではポリマーの生成により未記録 分や記録前の状態より屈折率が上昇するも の、反応性化合物の濃度増加は屈折率低下 働くため、その上昇幅は抑制されてしまう 更に、非照射部分では反応性化合物の濃度 少により記録前の状態よりも屈折率が上昇 るので、照射部分と非照射部分の屈折率の は、反応性化合物がマトリックス樹脂より 屈折率が大きい場合に比べてより小さくな 。

 従って、照射部分(記録部)と未照射部分(未 録部)の屈折率差を大きくするためには、マ トリックス樹脂の屈折率が反応性化合物の屈 折率より小さいこと、またその差が大きいこ とが重要である。記録部と未記録部の屈折率 の差がより大きいことで多重度を大きくする ことが可能と考えられ、より大きな回折効率 を達成することが出来る。
 従って、本発明は、屈折率が大きく、かつ 橋に伴う収縮の少ない、重合性の反応性化 合物を提供することを目的とする。

 一般に有機物の屈折率を大きくする手段 して、芳香族環の導入、炭素原子の硫黄や 素といった重たい原子への置換が挙げられ 。そこで、本発明者らは、(メタ)アクリロ ル基を有する環構造に、縮合多環構造を有 る(ヘテロ)アリール基を直結して屈折率の改 良と架橋に伴う収縮率の低減を図り、中でも 下記式(1)の化合物を使用することにより、高 い回折効率と低い収縮率を有する高性能なホ ログラム記録用の光学媒体が得られることを 見出し、本発明を完成するに至った。

 即ち、本発明の要旨は、以下に存する。
(1) 下記式(1)で示される光反応性化合物を含 ことを特徴とするホログラム記録層形成用 成物。

(式(1)において、Aは置換基を有していてもよ 環であり、
Arは置換基を有していてもよい、2以上の環が 縮合した(ヘテロ)アリール基であり、
Rは水素又はメチル基であり、
nは1~7の整数であり、
nが2以上の場合、複数のArは同一であっても なっていてもよい。
但し、Aが芳香族複素環であり、かつ、Arが置 換基を有していてもよい、2以上の環が縮合 たヘテロアリール基である場合には、Aおよ Arの各々が連結している構造において、互 に直接連結している、AおよびArの各々の構 中の部分構造は、ヘテロ原子を含まない。)
(2)
Lorentz-Lorenzの式で推算したArの屈折率が1.60以 である、上記(1)に記載のホログラム記録層 成用組成物。
(3)
Arが置換基を有していてもよい、2以上の環が 縮合したヘテロアリール基である、上記(1)ま たは(2)に記載のホログラム記録層形成用組成 物。
(4)
Lorentz-Lorenzの式で推算したAの屈折率が1.43以 である、上記(1)~(3)のいずれか1項に記載のホ ログラム記録層形成用組成物。
(5)
Aが置換基を有していてもよい芳香環である 上記(1)~(4)のいずれか1項に記載のホログラム 記録層形成用組成物。
(6) 
 前記ホログラム記録層形成用組成物に、さ にマトリックス樹脂及び光開始剤を含むこ を特徴とする上記(1)~(5)のいずれか1項に記 のホログラム記録層形成用組成物。 
(7)
 マトリックス樹脂がイソシアネートとポリ ールの反応によって得られることを特徴と る上記(6)に記載のホログラム記録層形成用 成物。 
(8)
 上記(1)~(7)のいずれか1項に記載のホログラ 記録層形成用組成物を含有することを特徴 する、ホログラム記録材料。 
(9) 
 上記(8)に記載のホログラム記録材料を含有 る層を記録層として備えることを特徴とす ホログラム記録媒体。
(10)
 下記式(2)で示されることを特徴とする化合 。

(式(2)において、A 2 は置換基を有していてもよい、ベンゼン環、 ナフタレン環およびジベンゾチオフェン環か らなる群から選ばれる環であり、
Ar 2 は、置換基を有していてもよい、スピロ炭素 を含まない、2以上の環が縮合した(ヘテロ)ア リール基であり、
Rは水素又はメチル基であり、
n 2 は1~7の整数であり、
n 2 が2以上の場合、複数のAr 2 は同一であっても異なっていてもよい。
但し、A 2 がジベンゾチオフェン環であり、かつ、Ar 2 が置換基を有していてもよい、2以上の環が 合したヘテロアリール基である場合には、A 2 およびAr 2 の各々が連結している構造において、A 2 の構造中のチオフェン環とAr 2 の構造中のヘテロ原子を含む部分構造同士が 直接連結していない。)
(11)
 下記式(2-1)で示されることを特徴とする化 物。 

(式(2-1)において、Ar 21 は、6員環および5員環のうち少なくとも1つが 2または3縮合した縮合多環構造を有し、該縮 多環構造の骨格中に1以上のヘテロ原子を有 し、該ヘテロ原子が酸素および硫黄のうち少 なくとも1つである、ヘテロアリール基であ 、Rは水素又はメチル基であり、n 21 は1~5の整数であり、n 21 が2以上の場合、複数のAr 21 は同一であっても異なっていてもよい。なお 、式(2-1)中のAr 21 を有するベンゼン環は、Ar 21 以外に更に置換基を有していても良い。) 
(12)
 式(2-1)におけるAr 21 が、該縮合多環構造の骨格中に有するヘテロ 原子の数が1または2であり、n 21 が1または2であり、かつ、Rは水素又はメチル 基であることを特徴とする、上記(11)に記載 化合物。 
(13)
 上記(10)~(12)のいずれか1項に記載の化合物を 含有することを特徴とする光反応性組成物。  
(14)
 前記光反応性組成物に、さらにマトリック 樹脂及び光開始剤を含むことを特徴とする 記(13)に記載の光反応性組成物。 
(15)
 マトリックス樹脂がイソシアネートとポリ ールの反応によって得られることを特徴と る上記(14)に記載の光反応性組成物。 
(16)
 上記(13)~(15)の何れか1項に記載の光反応性組 成物を含有することを特徴とする光学材料。  
(17)
 上記(16)に記載の光学材料を含むことを特徴 とする、ホログラム記録材料。 
(18)
 上記(17)に記載のホログラム記録材料を含有 する層を記録層として備えることを特徴とす るホログラム記録媒体。

 本発明により、光学材料として有用な、 たな重合性を有する高屈折率の化合物が提 される。該化合物はホログラム記録用に用 る反応性化合物として特に有用であり、こ を用いることにより、回折効率が高く、光 過率が高く、収縮率の小さい高性能なホロ ラム記録媒体を実現することが可能となる

実施例1において、ホログラム記録に用 いた装置の構成の概要を示す模式図であり、 (a)図は装置全体を示す図、(b)図はLEDユニット の表面を示す図、(c)図はLEDの配列を示す図で ある。 実施例で作製した測定用の媒体の構成 示す模式図である。

 以下、本発明の実施の形態を具体的に説明 るが、本発明は、以下の実施の形態に限定 れるものではなく、その要旨の範囲内で種 に変更して実施することができる。
I.ホログラム記録層形成用組成物について
I-1.光反応性化合物
下記式(1)で示される光反応性化合物を含むこ とを特徴とする。

(式(1)において、Aは置換基を有していてもよ 環であり、
Arは置換基を有していてもよい、2以上の環が 縮合した(ヘテロ)アリール基であり、
nは1~7の整数であり、
nが2以上の場合、複数のArは同一であっても なっていてもよく、かつ、
Rは水素又はメチル基である。
但し、Aが芳香族複素環であり、かつ、Arが置 換基を有していてもよい、2以上の環が縮合 たヘテロアリール基である場合に、AおよびA rの各々が連結している構造において、互い 直接連結している、AおよびArの各々の構造 の部分構造は、ヘテロ原子を含まない。)

{語句の説明}
 本発明において、「(ヘテロ)アリール」と 「アリール」と「ヘテロアリール」の両方 意味する。
 また、本発明において、「置換基を有して ても良い」とは置換基を1以上有していても よいことを意味する。

I-1-1.A
 Aは置換基を有していてもよい環である。
 分子全体に占める大きさが小さく、高屈折 置換基Arを複数担持可能である構造が好ま い。
 Aとしての屈折率も高い方がよい。ここでA しての屈折率は、Lorentz-Lorenzの式で推算する ことができる。具体的な屈折率推算の方法に ついては、井出文雄 著・「オプトエレクト ニクスと高分子材料」・第2章「2.2屈折率」 の項等に記載がある。これによると原子屈折 の和として表される分子屈折(モル屈折とも われる場合がある。) と比重より屈折率を 算することができる。
 Aとしての屈折率は、1.43以上、好ましくは1. 47以上、更に好ましくは1.48以上、特に好まし くは1.50以上である。屈折率が過度に低いと 子全体として屈折率が低くなってしまう。 た、Aとしての屈折率は、通常1.95以下、好ま しくは1.90以下である。屈折率が過度に高い 屈折の効果により光路がずれて散乱が大き なり入力値のクロストークなどの不具合が 生するからである。
 Aの環としては、3~8員、好ましくは5~6員の、 芳香族炭化水素環、芳香族複素環、脂肪族炭 化水素環、脂肪族複素環が挙げられる。Aの は単環構造であっても縮合環構造であって よく、Aの環を構成する環の数は1~4、好まし は1~3、更に好ましくは1~2である。Aの環に芳 香族性は必ずしも必要ないが、分子全体に占 める大きさを小さく保ちつつ、高い屈折率を 維持するためには不飽和結合が含まれること が好ましく、更に芳香族炭化水素環または芳 香族複素環であることが好ましい。また、ホ ログラム記録および再生時の光透過性を確保 するためには、着色が少ないことが好ましく 、この点から芳香族炭化水素環であることが より好ましい。

<芳香族炭化水素環>
 ベンゼン環、インデン環、ナフタレン環、 ズレン環、フルオレン環、アセナフチレン 、アントラセン環、フェナントレン環、ピ ン環などの炭素数6~14、好ましくは6~12の芳 族炭化水素環が挙げられる。着色回避、溶 性確保の点から特に好ましくは炭素数6~10で り、ベンゼン環、ナフタレン環である。

<芳香族複素環>
 ヘテロ原子としては特に限定されず、S、O N、Pなどの各原子を用いることができるが、 相溶性確保の点から、S,O,Nの各原子が好まし 、中でもSまたはOの各原子が好ましい。ま 、着色回避、溶解性確保の点からヘテロ原 の数は分子中に1~2であることが好ましい。
 具体的には、ベンゾフラン環、ベンゾチオ ェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオ ェン環、チアンスレン環、ジベンゾチオキ ン環、ジベンゾベンゾチオフェン環などの 素数8~18、好ましくは8~12の芳香族炭化水素 が挙げられる。中でも相溶性と着色の点で ベンゾチオフェン環とチアンスレン環が好 しい。

<脂肪族炭化水素環>
 シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノ ボルナン環、デカリン環、パーヒドロアン ラセン環、パーヒドロピレン環などの炭素 5~14、好ましくは炭素数6~14のシクロアルカ ;シクロペンテン環、シクロヘキセン環、ノ ボルネン環、ドデカヒドロアントラセン環 どの炭素数5~14、好ましくは炭素数6~14のシ ロアルケン;シクロペンタジエン環、ノルボ ナジエン環、シクロオクタジエン環、ジシ ロペンタジエン環、などの炭素数5~10、好ま しくは7~10のシクロアルカジエンなどが挙げ れる。
 中でもデカリン環、パーヒドロアントラセ 環、ジシクロペンタジエン環などは、相溶 の点で好ましい。

<脂肪族複素環>
 ヘテロ原子としては特に限定されず、S,O,N, Pなどの各原子を用いることができるが、屈 率確保の点から、S,O,N各原子が好ましく、 でもSまたはOの各原子が好ましい。着色回避 、溶解性確保の点からヘテロ原子の数は分子 中に1~2であることが好ましい。具体的には、 ジオキソラン環、ジチオラン環、テトラヒド ロフラン環、テトラヒドロチオフェン環、ジ チアン環、ジヒドロピラン環などの炭素数3~5 、好ましくは3~4の脂肪族複素環が挙げられる 。中でも屈折率の点でジチオラン環、ジチア ン環が好ましい。

<Aが有していてもよい置換基>
 Aは、Ar以外に更に置換基を有していてもよ 。例えば、さらに溶解性を向上させるため 、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシ ルキル基、アルコキシカルボニル基、アル キシアルコキシ基、アルカノイルオキシ基 屈折率を上昇させるために、アリール基、 ルキルチオアルキル基、アリールオキシ基 アリールアルコキシル基を置換させても良 。但し、経済的な合成の達成のためには無 換であることが好ましい。

 ここでアルキル基とは、好ましくは炭素数1 ~4の鎖状アルキル基であり、具体的にはメチ 基、エチル基、プロピル基、イソプロピル 、ブチル基、イソブチル基、セカンダリー チル基などが挙げられる。
 アルコキシ基とは、好ましくは炭素数1~4の ルコキシ基であり、具体的にはメトキシ基 エトキシ基などが挙げられる。

 アルコキシアルキル基とは、好ましくは炭 数2~6のアルコキシアルキル基であり、具体 にはメトキシメチル基、エトキシメチル基 プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、 トキシエチル基、エトキシエチル基、プロ キシエチル基、ブトキシエチル基などが挙 られる。
 アルコキシカルボニル基とは、好ましくは 素数2~5のアルコキシカルボニル基であり、 体的にはメトキシカルボニル基、エトキシ ルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブ キシカルボニル基などが挙げられる。

 アルコキシアルコキシ基とは、好ましくは 素数3~6のアルコキシアルコキシ基であり、 体的にはメトキシエトキシ基、エトキシエ キシ基、プロポキシエトキシ基、ブトキシ トキシ基などが挙げられる。
 アルカノイルオキシ基とは、好ましくは炭 数2~5のアルカノイルオキシ基であり、具体 にはアセトキシ基、プロピオノキシ基、ブ ロキシ基、バレロキシ基などが挙げられる

 アリール基とは、好ましくは炭素数6~14の単 環または縮合環からなるアリール基であり、 具体的にはフェニル基、ナフチル基、アント ラニル基などが挙げられる。
 アルキルチオアルキル基とは、好ましくは 素数2~4のアルキルチオアルキル基であり、 体的にはメチルチオメチル基、メチルチオ チル基、エチルチオメチル基、エチルチオ チル基などが挙げられる。

 アリールオキシ基とは、炭素数6~14の単環ま たは縮合環からなるアリールオキシ基であり 、具体的にはフェノキシ基などが挙げられる 。
 アリールアルコキシ基とは、炭素数7~5のア ールアルコキシ基であり、具体的にはベン ルオキシ基などが挙げられる。

I-1-2.Ar
 Arは置換基を有していてもよい、2以上の環 縮合した(ヘテロ)アリール基である。Arは式 (1)で表される分子を高屈折率化するための要 となる基であり、Arとしての屈折率が高い構 であることが好ましい。ここでArとしての 折率は、上述のA同様、Lorentz-Lorenzの式で推 することができる。
 Arとしての屈折率は、通常1.60以上、好まし は1.65以上、更に好ましくは1.70以上、中で 1.75以上である。また、Arとしての屈折率は 通常1.95以下、好ましくは1.90以下である。屈 折率が過度に高いと屈折の効果により光路が ずれて散乱が大きくなり入力値のクロストー クなどの不具合が発生するからである。
 さらに、Arは、光照射時の架橋に伴う収縮 低減の観点から、ある程度分子量が大きい とが好ましく、Ar部分の分子量は、通常50以 、好ましくは70以上である。また、光記録 のモノマー移動性を確保する観点から、Ar部 分の分子量は、通常300以下、好ましくは250以 下である。
 Arの(ヘテロ)アリール基としては、3~8員、好 ましくは5~6員の、芳香族炭化水素環および/ たは1以上の不飽和結合を有する複素環が2以 上縮合した基が挙げられる。Arの(ヘテロ)ア ール基を構成する環の数は通常2~5、好まし は2~3である。

<2以上の環が縮合したアリール基>
 具体的にはインデン環、ナフタレン環、ア レン環、フルオレン環、アセナフチレン環 アントラセン環、フェナントレン環、ピレ 環などの炭素数6~14、好ましくは6~12の基な が挙げられる。中でも、 屈折率の点では環 の数は多いほど好ましいが、共役が長くつな がる構造は着色に結びつきやすいことから、 ねじった構造であることがより好ましい。

<2以上の環が縮合したヘテロアリール基>
 環中に1以上のヘテロ原子と1以上の不飽和 合を有する複素環構造を少なくとも含み、 らに芳香族炭化水素環および/または1以上の 不飽和結合を有する複素環が1以上縮合して る基である。π電子の非局在性は必ずしも高 い必要はなく、不飽和結合の数が多いこと、 およびヘテロ原子が含まれることが高屈折率 に大きく寄与すると考えられる。
 環中に含まれるヘテロ原子としては特に限 されず、S,O,N, Pなどの各原子を用いること できるが、屈折率確保の点から、S,O,Nの各 子が好ましく、中でもSまたはOの各原子が好 ましい。また、着色回避、溶解性確保の点か らヘテロ原子の数は分子中に1~2であることが 好ましい。
 Arの構造規則性が高いとスタッキングによ 着色や溶解低下が起こる場合があることか 、上記の中でも2以上の環が縮合したヘテロ リール基であることがより好ましい。
 また、Arは、屈折率を下げるとの理由から スピロ炭素を含まないことが好ましい。
<Arの具体例>
 以下にArの具体例を例示するが、本発明は の要旨を超えない限りこれらに限定される のではない。

 この他、ベンゾチオキサン、ベンゾチオキ ン、ジベンゾチオキシン、ベンゾジオキサ 、ベンゾジオキシン、ベンゾジオキシンな がある。
 これらのうち、屈折率の点で好ましくはチ ンスレン、ジベンゾチオフェン、ベンゾチ フェンであり、更に好ましくはチアンスレ 、ジベンゾチオフェンである。

<Arが有していてもよい置換基>
 Arは更に置換基を有していてもよい。Arが有 していてもよい置換基としては、相溶性を低 下させないものや屈折率を低下させないもの であれば特に限定されない。具体的には、メ チルチオ基などの炭素数1~3のアルキルチオ基 や、メチルチオメチル基などの炭素数2~6のア ルキルチオアルキル基が挙げられる。

I-1-3.AとArの結合位置について
 なお、ArのAに対する好ましい置換位置は、1 つの場合はどこでもよく、2つ以上の場合は 成収率が高いとの理由により互いに隣接し いことが好ましい。
 但し、Aがヘテロアリール環であり、かつ、 Arが置換基を有していてもよい、2以上の環が 縮合したヘテロアリール基である場合には、 AおよびArの各々が連結している構造において 、互いに直接連結している、AおよびArの各々 の構造中の部分構造は、ヘテロ原子を含まな い。言い換えると、AおよびArが連結している 構造において、AおよびArの構造中の、ヘテロ 原子を含む部分構造同士は直接連結していな い。AおよびArの構造中の、ヘテロ原子を含む 部分構造同士が直接連結している構造は、可 視光領域に吸収を持ちやすく、この着色によ って記録再生時の光透過を妨げる可能性が高 く、好ましくない。

I-1-4.n
 nは1~7の整数であり、nが2以上の場合、複数 Arは同一であっても異なっていてもよい。n 、溶剤やマトリックスとの良い溶解性を得 ためには、好ましくは1~5、更に好ましくは1 ~3、中でも1または2である。
I-1-5.好ましい形態
 一般式(1)で示される光反応性化合物は、好 しくは更に下記式(1-1)で示される。

(式(1-1)において、A 11 は置換基を有していてもよい、ベンゼン環、 ナフタレン環およびジベンゾチオフェン環か らなる群から選ばれる環であり、
Ar 11 は、置換基を有していてもよい、スピロ炭素 を含まない、2以上の環が縮合した(ヘテロ)ア リール基であり、
Rは水素又はメチル基であり、
n 11 は1~7の整数であり、
n 11 が2以上の場合、複数のAr 11 は同一であっても異なっていてもよい。
但し、A 11 がジベンゾチオフェン環であり、かつ、Ar 11 が置換基を有していてもよい、2以上の環が 合したヘテロアリール基である場合には、A 11 およびAr 11 の各々が連結している構造において、A 11 の構造中のチオフェン環とAr 11 の構造中のヘテロ原子を含む部分構造とが直 接連結していない。)

<A 11 >
 式(1-1)において、A 11 は置換基を有していてもよい、ベンゼン環、 ナフタレン環およびジベンゾチオフェン環か らなる群から選ばれる環であり、好ましくは ベンゼン環またはナフタレン環である。A 11 は、Ar 11 以外に更に置換基を有していてもよい。A 11 が有していてもよい置換基としては、相溶性 を低下させないものや屈折率を低下させない ものであれば特に限定されず、AがAr以外に有 していてもよい置換基の具体例として前述し たものなどが挙げられる。

<Ar 11 >
 式(1-1)において、Ar 11 は、置換基を有していてもよい、スピロ炭素 を含まない、2以上の環が縮合した(ヘテロ)ア リール基である。具体例としては、Arの具体 として前述した基のうち、スピロ炭素を含 ないものが挙げられる。好適例もArと同様 ある。

<n 11 >
 式(1-1)におけるn 11 は1~7の整数であり、n 11 が2以上の場合、複数のArは同一であっても異 なっていてもよい。n 11 は、溶剤やマトリックスとの良い溶解性を得 るためには、好ましくは1~5、更に好ましくは 1~3、中でも1または2である。
 式(1-1)で示される光反応性化合物のより好 しいものは、更に下記式(1-2)で示される。

(式(1-2)において、A 12 は置換基を有していてもよい、ベンゼン環、 ナフタレン環およびジベンゾチオフェン環か らなる群から選ばれる環であり、
環B 1 は6員環および/または5員環の、単環または2 合環であり、さらにその骨格中に1以上のヘ ロ原子を有し、該へテロ原子が酸素および/ または硫黄原子であるヘテロアリール基であ り、n 12 は1~7の整数であり、n 12 が2以上の場合、複数の環Bは同一であっても なっていてもよく、かつRは水素又はメチル 基である。)

<A 12 >
 式(1-2)において、A 12 は置換基を有していてもよい、ベンゼン環、 ナフタレン環およびジベンゾチオフェン環か らなる群から選ばれる環であり、好ましくは ベンゼン環またはナフタレン環である。A 12 は、環B 1 を含むヘテロアリール基以外に更に置換基を 有していてもよい。A 12 が有していてもよい置換基としては、相溶性 を低下させないものや屈折率を低下させない ものであれば特に限定されず、AがAr以外に有 していてもよい置換基の具体例として前述し たものなどが挙げられる。

<B 1 >
 式(1-2)において、B 1 は、6員環および/または5員環の、単環または 2縮合環であり、さらにその骨格中に1以上の テロ原子を有し、該へテロ原子が酸素およ /または硫黄原子であるヘテロアリール基で ある。具体例としては、Arの具体例として前 した基のB 1 該当部分などが挙げられる。好適例もArと同 である。

<n 12 >
 式(1-2)におけるn 12 は1~7の整数であり、n 12 が2以上の場合、複数のB 1 は同一であっても異なっていてもよい。n 12 は、溶剤やマトリックスとの良い溶解性を得 るためには、好ましくは1~5、更に好ましくは 1~3、中でも1または2である。

I-1-6.分子量、水溶性
 以上に説明した式(1)、好ましくは式(1-1)、 に好ましくは式(1-2)で表される光反応性化合 物は、光照射時の架橋に伴う収縮率低減の点 あるいは記録感度から、通常分子量1500以下 好ましくは1000以下、更に好ましくは850以下 特に好ましくは750以下、中でも600以下であ て、通常300以上、好ましくは350以上、中で 400以上であることが好ましい。

 また、式(1)で表される光反応性化合物は、 録媒体等の保存安定性を向上させる理由か 、通常水不溶性であることが好ましい。こ で「水不溶性」とは、25℃、1気圧の条件下 おける水に対する溶解度が、通常0.1重量%以 下、好ましくは0.01重量%以下であることを言 。
 I-1-7.屈折率
 式(1)、好ましくは式(1-1)、更に好ましくは (1-2)で表される光反応性化合物は、照射光波 長(記録波長、等)における屈折率または見か の屈折率が通常1.62以上、1.78以下、好まし は1.77以下の範囲である。 式(1)、好ましく 式(1-1)、更に好ましくは式(1-2)で表される光 応性化合物をホログラム記録材料として用 る場合、屈折率が過度に小さいと回折効率 大きくなく、多重度が十分でない。また、 折率が過度に大きいとマトリックス樹脂と 屈折率の差が大きくなりすぎて散乱が大き なることにより透過度が低下して記録や再 に際してより大きなエネルギーを要するこ となる。

 なお、屈折率は短い波長で評価すると大き 値を示すが、短波長で相対的に大きい屈折 を示すサンプルは、長波長でも相対的に大 い屈折率を示し、その関係が逆転すること ない。従って、記録波長以外の波長で屈折 または見かけの屈折率を評価し、記録波長 の屈折率を予測することも可能である。
 ここでは、589nmの記録波長での値を基準と た。

 ここで見かけの屈折率とは、当該化合物 固体である場合、そのままでは屈折率を測 できないため、後述の合成例1に記載したよ うに、適当な溶媒に化合物を溶解して溶液と し、この溶液の屈折率を測定し、化合物が100 %の場合の屈折率を外挿により求めた値をさ 。

I-1-8.例示化合物
 上述の式(1)、式(1-1)および式(1-2)で表される 化合物の具体例を以下に例示するが、本発明 はその要旨をこえない限りこれらに限定され るものではない。

 2-(1-チアンスレニル)-1-フェニル アクリ ート、2-(2-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル  アクリレート、2-(3-ベンゾチオフェニル)-1-フ ェニル アクリレート、2-(4-ジベンゾフラニ )-1-フェニル アクリレート、2-(4-ジベンゾチ オフェニル)-1-フェニル アクリレート、3-(1- アンスレニル)-1-フェニル アクリレート、3 -(2-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル アクリ ート、3-(3-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル  アクリレート、3-(4-ジベンゾフラニル)-1-フェ ニル アクリレート、3-(4-ジベンゾチオフェ ル)-1-フェニル アクリレート、4-(1-チアンス レニル)-1-フェニル アクリレート、4-(2-ベン チオフェニル)-1-フェニル アクリレート、4 -(3-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル アクリ ート、4-(4-ジベンゾフラニル)-1-フェニル ア クリレート、4-(4-ジベンゾチオフェニル)-1-フ ェニル アクリレート、2、4-ビス(1-チアンス ニル)-1-フェニル アクリレート、2、4-ビス( 2-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル アクリレ ト、2、4-ビス(3-ベンゾチオフェニル)-1-フェ ニル アクリレート、2、4-ビス(4-ジベンゾフ ニル)-1-フェニル アクリレート、2、4-ビス( 4-ジベンゾチオフェニル)-1-フェニル アクリ ート、4-メチル-2、6-ビス(1-チアンスレニル) -1-フェニル アクリレート、4-メチル-2、6-ビ (2-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル アクリ ート、4-メチル-2、6-ビス(3-ベンゾチオフェ ル)-1-フェニル アクリレート、4-メチル-2、 6-ビス(4-ジベンゾフラニル)-1-フェニル アク レート、4-メチル-2、6-ビス(4-ジベンゾチオ ェニル)-1-フェニル アクリレート、2-(1-チ ンスレニル)-1-フェニル メタクリレート、2- (2-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル メタクリ レート、2-(3-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル  メタクリレート、2-(4-ジベンゾフラニル)-1- ェニル メタクリレート、2-(4-ジベンゾチオ フェニル)-1-フェニル メタクリレート、3-(1- アンスレニル)-1-フェニル メタクリレート 3-(2-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル メタ リレート、3-(3-ベンゾチオフェニル)-1-フェ ル メタクリレート、3-(4-ジベンゾフラニル) -1-フェニル メタクリレート、3-(4-ジベンゾ オフェニル)-1-フェニル メタクリレート、4- (1-チアンスレニル)-1-フェニル メタクリレー ト、4-(2-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル メ クリレート、4-(3-ベンゾチオフェニル)-1-フ ニル メタクリレート、4-(4-ジベンゾフラニ ル)-1-フェニル メタクリレート、4-(4-ジベン チオフェニル)-1-フェニル メタクリレート 2、4-ビス(1-チアンスレニル)-1-フェニル メ クリレート、2、4-ビス(2-ベンゾチオフェニ )-1-フェニル メタクリレート、2、4-ビス(3- ンゾチオフェニル)-1-フェニル メタクリレ ト、2、4-ビス(4-ジベンゾフラニル)-1-フェニ ル メタクリレート、2、4-ビス(4-ジベンゾチ フェニル)-1-フェニル メタクリレート、4- チル-2、6-ビス(1-チアンスレニル)-1-フェニル  メタクリレート、4-メチル-2、6-ビス(2-ベン チオフェニル)-1-フェニル メタクリレート 4-メチル-2、6-ビス(3-ベンゾチオフェニル)-1- フェニル メタクリレート、4-メチル-2、6-ビ (4-ジベンゾフラニル)-1-フェニル メタクリ ート、4-メチル-2、6-ビス(4-ジベンゾチオフ ニル)-1-フェニル メタクリレート、等。

I-1-9.合成方法
 式(1)、好ましくは式(1-1)、更に好ましくは (1-2)で示される化合物は、公知の種々の方法 を組み合わせることにより、合成することが できる。
 即ち、環Aの(メタ)アクリロイル基導入位置 水酸基、n個のAr基導入位置に各々Xを有する 化合物(a)と、導入したい位置で置換するホウ 酸化Ar化合物(b)とに対して適当なカップリン 反応を行い、前駆体(c)を合成することによ て得られる。下記式において、Xはハロゲン 原子であり、臭素かヨウ素であることが好ま しいが、塩素でも構わない。
 また、A、Arおよびnはいずれも一般式(1)にお けるのと同義である。

 (1)ホウ酸化Ar化合物(b)は、Ar化合物をブチル リチウムでリチオ化し、ホウ酸エステルでト ラップした後、加水分解により合成すること が出来る。
 (2)得られたホウ酸化Ar化合物(b)と環Aの(メタ )アクリロイル基導入位置に水酸基、Ar基導入 位置にXを有する化合物(a)とを、適当な有機 剤に溶かし適当な塩基と金属触媒によりカ プリング反応を行い、前駆体(c)を合成する とが出来る。

 なお、上記化合物(a)は市販品を購入する、 るいは水酸基を有する化合物をハロゲン化 せることにより得ることが出来る。ハロゲ 化は、例えば塩素、臭素、ヨウ素、N-ブロ コハク酸イミド、塩素化ヨウ素によってな れる。さらに、水酸基を有する化合物は、 応するハロゲン化物、硫酸化物、硝酸化物 ホウ酸化物から得ることが出来る。
 有機溶剤としてはジメトキシエタン、テト ヒドロフラン、メタノール、エタノール、 ルエン、水などを単独に或いは組み合わせ 使用することが出来る。
 塩基としては、トリエチルアミン、ピリジ 、炭酸水素ナトリム、炭酸ナトリム、炭酸 リウムなどを単独に或いは組み合わせて使 することが出来る。
 金属触媒は、塩化パラジウム、酢酸パラジ ム、テトラキス(トリフェニルホスフィン) ラジウムなどを使うことが出来る。

 触媒の溶解性を改善して使用する量を減ら ために3級アミン化合物であるジアザビシク ロオクタン、3級ホスフィン化合物であるト ブチルホスフィン、イミダゾール化合物で る1-メチルイミダゾールなどを一緒に使用し ても良い。
 また、上記前駆体(c)を再度ハロゲン化する とにより、Arが置換した化合物(a)相当を得 ことが出来るので、これに従えば異なるArを 有する前駆体(c)を得ることが可能である。ハ ロゲン化は上記と同様にして例えば塩素、臭 素、ヨウ素、N-ブロモコハク酸イミド、塩素 ヨウ素によってなされる。

 このようにして得られた前駆体(c)と、3級 アミン、ピリジンまたはイミダゾール等の塩 基を共存させたところに塩化アクリル(Rが水 の場合)または塩化メタクリル(Rがメチル基 場合)と作用させることにより、式(1)で示さ れる化合物を得ることができる。

I-1-10.含有量
 本発明のホログラム記録層形成用組成物は 述の式(1)で表される反応性化合物の何れか1 種を単独で含んでいてもよく、2種以上を任 の組み合わせおよび比率で含んでいてもよ 。
 本発明のホログラム記録層形成用組成物に ける当該反応性化合物の含有量は、ホログ ム記録層形成用組成物の全固形分に対する 率で、0.5重量%以上、15重量%以下、中でも、 1重量%以上、10重量%以下であることが好まし 。反応性化合物の含有量が過度に少な過ぎ と、屈折率の変化が小さく、記録効率が低 なる場合がある。一方、反応性化合物の含 量が過度に多過ぎると、未反応の反応性化 物が多く残り、記録材料とした時にブリー アウトの原因となる場合がある。2以上の反 応性化合物を併用する場合には、それらの合 計量が上記範囲を満たすようにする。
 本発明のホログラム記録層形成用組成物は 前述の式(1)で表される光反応性化合物を有 るものであるが、上述の光反応性化合物以 の重合性の化合物を含んでいてもよい。

 また、本発明のホログラム記録層形成用組 物は、更にマトリックス樹脂および光開始 を含むことが好ましい。
I-2.他の重合性の化合物
 本発明のホログラム記録層形成用組成物は 上記の反応性化合物の光学的な性能を著し 落とさない程度に、その他の重合性の化合 を含んでいてもよい。この重合性の化合物 例としては、カチオン重合性モノマー、ア オン重合性モノマー、ラジカル重合性モノ ー等が挙げられる。これら重合性の化合物 、何れか1種を単独で用いてもよく、2種以 を任意の組み合わせおよび比率で併用して よい。
 該光反応性組成物が更に含有するその他の 合性の化合物の含有量は、該ホログラム記 層形成用組成物の全固形分に対する比率で 0.1重量%以上、10重量%以下、中でも0.3重量% 上、5重量%以下であることが好ましい。
 更に、前記式(1)で表される反応性化合物の 有量との合計が前記I-1-10の項で述べた範囲 満たすようにする。

I-2-1.カチオン重合性モノマー
 カチオン重合性モノマーの例としては、オ シラン環を有する化合物、スチレンおよび の誘導体、ビニルナフタレンおよびその誘 体、ビニルエーテル類、N-ビニル化合物、 キセタン環を有する化合物等を挙げること できる。
 中でも、少なくともオキセタン環を有する 合物を用いることが好ましく、さらには、 キセタン環を有する化合物と共にオキシラ 環を有する化合物を併用することが好まし 。

 オキシラン環を有する化合物としては、1分 子内に2個以上のオキシラン環を含有するプ ポリマーを挙げることができる。
 このようなプレポリマーの例としては、脂 式ポリエポキシ類、多塩基酸のポリグリシ ルエステル類、多価アルコールのポリグリ ジルエーテル類、ポリオキシアルキレング コールのポリグリシジルエーテル類、芳香 ポリオールのポリグリシジルエテーテル類 芳香族ポリオールのポリグリシジルエーテ 類の水素添加化合物類、ウレタンポリエポ シ化合物およびエポキシ化ポリブタジエン 等が挙げられる。

 スチレンおよびその誘導体の例としては、 チレン、p-メチルスチレン、p-メトキシスチ レン、β-メチルスチレン、p-メチル-β-メチル スチレン、α-メチルスチレン、p-メトキシ-β- メチルスチレン、ジビニルベンゼン等が挙げ られる。
 ビニルナフタレンおよびその誘導体の例と ては、1-ビニルナフタレン、α-メチル-1-ビ ルナフタレン、β-メチル-1-ビニルナフタレ 、4-メチル-1-ビニルナフタレン、4-メトキシ- 1-ビニルナフタレン等が挙げられる。

 ビニルエーテル類の例としては、イソブチ エーテル、エチルビニルエーテル、フェニ ビニルエーテル、p-メチルフェニルビニル ーテル、p-メトキシフェニルビニルエーテル 等が挙げられる。
 N-ビニル化合物の例としては、N-ビニルカル バゾール、N-ビニルピロリドン、N-ビニルイ ドール、N-ビニルピロール、N-ビニルフェノ アジン等が挙げられる。

 オキセタン環を有する化合物の例としては 特開2001-220526号公報、特開2001-310937号公報等 に記載されている、公知の各種のオキセタン 化合物が挙げられる。
 上記例示のカチオン重合性モノマーは、何 か1種を単独で使用してもよく、2種以上を 意の組み合わせおよび比率で併用してもよ 。

I-2-2.アニオン重合性モノマー
 アニオン重合性モノマーの例としては、炭 水素モノマー、極性モノマー等が挙げられ 。
 炭化水素モノマーの例としては、スチレン α-メチルスチレン、ブタジエン、イソプレ 、ビニルピリジン、ビニルアントラセン、 よびこれらの誘導体等が挙げられる。

 極性モノマーの例としては、メタクリル エステル類(例えば、メタクリル酸メチル、 メタクリル酸エチル、メタクリル酸イソプロ ピル等);アクリル酸エステル類(例えば、アク リル酸メチル、アクリル酸エチル等);ビニル トン類(例えば、メチルビニルケトン、イソ プロピルビニルケトン、シクロヘキシルビニ ルケトン、フェニルビニルケトン等);イソプ ペニルケトン類(例えば、メチルイソプロペ ニルケトン、フェニルイソプロペニルケトン 等);その他の極性モノマー(例えば、アクリロ ニトリル、アクリルアミド、ニトロエチレン 、メチレンマロン酸エステル、シアノアクリ ル酸エステル、シアン化ビニリデン等)など 挙げられる。

 上記例示のアニオン重合性モノマーは、何 か1種を単独で使用してもよく、2種以上を 意の組み合わせおよび比率で併用してもよ 。
I-2-3.ラジカル重合性モノマー
 ラジカル重合性モノマーとは、1分子中に1 以上のエチレン性不飽和二重結合を有する 合物であり、例としては、(メタ)アクリル酸 エステル類、(メタ)アクリルアミド類、ビニ エステル類、スチレン類等が挙げられる。

 (メタ)アクリル酸エステル類の例として 、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ) クリレート、(n-またはi-)プロピル(メタ)ア リレート、(n-、i-、sec-またはt-)ブチル(メタ) アクリレート、アミル(メタ)アクリレート、( メタ)アクリル酸アダマンチル、クロロエチ (メタ)アクリレート、2-ヒドロキシエチル(メ タ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メ )アクリレート、2-ヒドロキシペンチル(メタ) アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリ ート、アリル(メタ)アクリレート、トリメ ロールプロパンモノ(メタ)アクリレート、ペ ンタエリスリトールモノ(メタ)アクリレート ベンジル(メタ)アクリレート、メトキシベ ジル(メタ)アクリレート、クロロベンジル( タ)アクリレート、ヒドロキシベンジル(メタ )アクリレート、ヒドロキシフェネチル(メタ) アクリレート、ジヒドロキシフェネチル(メ )アクリレート、フルフリル(メタ)アクリレ ト、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレ ート、フェニル(メタ)アクリレート、ヒドロ シフェニル(メタ)アクリレート、クロロフ ニル(メタ)アクリレート、スルファモイルフ ェニル(メタ)アクリレート、2-フェノキシエ ル(メタ)アクリレート、2-(ヒドロキシフェニ ルカルボニルオキシ)エチル(メタ)アクリレー ト、フェノールEO変性(メタ)アクリレート、 ラクミルフェノールEO変性(メタ)アクリレー 、ノニルフェノールEO変性(メタ)アクリレー ト、N-アクリロイルオキシエチルヘキサヒド フタルイミド、ビスフェノールF EO変性ジ クリレート、ビスフェノールA EO変性ジアク リレート、ジブロモフェニル(メタ)アクリレ ト、トリブロモフェニル(メタ)アクリレー 、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)ア クリレート、ジシクロペンタニルアクリレー ト、トリシクロデカンジメチロールジ(メタ) クリレート、ビスフェノキシエタノールフ オレンジ(メタ)アクリレート等が挙げられ (尚、ここで「(メタ)アクリル酸」とは「ア リル酸」と「メタクリル酸」の総称であり 「(メタ)アクリレート」についても同様であ る。また、「EO」は「エチレンオキシド」を 味する。)。

 (メタ)アクリルアミド類の例としては、( タ)アクリルアミド、N-メチル(メタ)アクリ アミド、N-エチル(メタ)アクリルアミド、N- ロピル(メタ)アクリルアミド、N-ブチル(メタ )アクリルアミド、N-ベンジル(メタ)アクリル ミド、N-ヒドロキシエチル(メタ)アクリルア ミド、N-フェニル(メタ)アクリルアミド、N-ト リル(メタ)アクリルアミド、N-(ヒドロキシフ ニル)(メタ)アクリルアミド、N-(スルファモ ルフェニル)(メタ)アクリルアミド、N-(フェ ルスルホニル)(メタ)アクリルアミド、N-(ト ルスルホニル)(メタ)アクリルアミド、N,N-ジ メチル(メタ)アクリルアミド、N-メチル-N-フ ニル(メタ)アクリルアミド、N-ヒドロキシエ ル-N-メチル(メタ)アクリルアミド等が挙げ れる。

 ビニルエステル類の例としては、ビニル セテート、ビニルブチレート、ビニルベン エート、安息香酸ビニル、t-ブチル安息香 ビニル、クロロ安息香酸ビニル、4-エトキシ 安息香酸ビニル、4-エチル安息香酸ビニル、4 -メチル安息香酸ビニル、3-メチル安息香酸ビ ニル、2-メチル安息香酸ビニル、4-フェニル 息香酸ビニル、ピバル酸ビニル等が挙げら る。

 スチレン類の例としては、スチレン、p- セチルスチレン、p-ベンゾイルスチレン、2- トキシメチルスチレン、4-ブチルスチレン 4-sec-ブチルスチレン、4-tert-ブチルスチレン 2-クロロスチレン、3-クロロスチレン、4-ク ロスチレン、ジクロロスチレン、2,4-ジイソ プロピルスチレン、ジメチルスチレン、p-エ キシスチレン、2-エチルスチレン、2-メトキ シスチレン、4-メトキシスチレン、2-メチル チレン、3-メチルスチレン、4-メチルスチレ 、p-メチルスチレン、p-フェノキシスチレン 、p-フェニルスチレン等が挙げられる。

 上記例示のラジカル重合性モノマーは、何 か1種を単独で使用してもよく、2種以上を 意の組み合わせおよび比率で併用してもよ 。
 上記例示したカチオン重合性モノマー、ア オン重合性モノマー、ラジカル重合性モノ ーは、何れを使用することもでき、また、2 種以上を併用してもよい。但し、樹脂マトリ ックスを形成する反応を阻害し難いという理 由から、ホログラム記録層形成用には、式(1) で表される化合物と併用するその他の重合性 の反応性化合物としては、ラジカル重合性モ ノマーを使用することが好ましい。
I-3.マトリックス樹脂
 本発明のホログラム記録層形成用組成物は トリックス樹脂を含むことが好ましい。ホ グラム記録媒体の記録層を構成するマトリ クス樹脂は、光の照射によって化学的かつ 理的に大きく変化しない有機物であり、主 有機の重合物で構成される。

 マトリックス樹脂は、前述した重合性の 応性化合物と相溶性を有し、膜状に保ち、 録層を保護しかつ補強した上で平板状に形 を保つ基板との密着性を担う役割を有し、 合性の反応性化合物や光開始剤等との相溶 に優れることが強く求められる。マトリッ ス樹脂とこれらの成分との相溶性が低いと 材料同士の間で界面を作り、界面で光が屈 したり反射することで必要でない部分に光 漏れるので干渉縞が歪んだり切れたりして 適当な部分に記録されることにより情報の 化を起す。マトリックス樹脂と他の成分と 相溶性は、例えば、特許第3737306号公報など に記載があるように、サンプルに対して、透 過する光と角度をもって検出器を設置するこ とにより得られる散乱光強度などに基づいて 評価することができる。

 本発明のホログラム記録層形成用組成物の トリックス樹脂としては、溶剤に溶解可能 樹脂を用いても、三次元架橋させた樹脂を いてもよく、例えば以下に説明する熱可塑 樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂が挙げ れる。
 三次元架橋させた樹脂は溶剤不溶性であり 常温で液状である重合性化合物と重合性化 物に対し反応活性な化合物との反応硬化物 含む。三次元架橋させた樹脂は、物理的な 害となるため、記録時における体積変化を 制する。即ち、記録後の記録層では、明部 膨張し暗部は収縮し、体積ホログラム光記 媒体表面に凹凸が生じてしまう。この体積 化を抑制するために、記録層には三次元架 させた樹脂マトリックスを用いるのがより ましい。

 この中で、相溶性や基板との密着性の観点 、マトリックス樹脂としては熱硬化性樹脂 好ましく、中でもイソシアネートとポリオ ルとの反応で得られるポリウレタン樹脂が ましい。
I-3-1.熱可塑性樹脂
 マトリックス樹脂として熱可塑性樹脂を用 る場合、ホログラム記録媒体の記録層は、 部の材料を混合して均一に分散した後、プ スや射出成形など熱加工工程で形成するこ ができる。この際、熱で樹脂を溶融させる 要があるので一般的には高温を必要とし、 合性の反応性化合物の劣化が懸念される。

 また、溶媒に溶かして基板の上に溶液を 給し、回転や機械的なならし作業で厚みを え、溶剤を除去した後に別の基板を重ねて り合わせることでホログラム記録媒体の記 層を形成することもできる。また、異なる 板の上で上記のように形成した後、一旦基 から剥がして別の基板の上に移して別の基 と挟んで張り合わせることもできる。何れ しても溶剤を除く必要があり、一回の操作 厚い膜を作るのは困難であり、複数回の作 が必要になるので、経済的に懸念される。

 熱可塑性樹脂の具体的な材料の例として 塩素化ポリエチレン、ポリメタクリル酸メ ル樹脂(PMMA)、塩メチルメタクリレートと他 アクリル酸アルキルエステルとの共重合体 塩化ビニルとアクリロニトリルとの共重合 、ポリ酢酸ビニル樹脂(PVAC)、ポリビニルア コール、ポリビニルホルマール、ポリビニ ピロリドン、エチルセルロールやニトロセ ロールなどといったセルロース樹脂、ポリ チレン樹脂、ポリカーボネート樹脂などを げることができる。これらは1種を単独で用 いてもよく、2種以上を併用してもよい。

 これらの熱可塑性樹脂の溶剤としてはこ らを溶かすものであれば特に制約はないが アセトンやメチルエチルケトンといったケ ン類、酢酸ブチルやプロピレングリコール チルエーテルアセテートといったエステル 、トルエンやキシレンといった芳香族炭化 素、テトラヒドロフランや1,2-ジメトキシエ タンといったエーテル類、N,N-ジメチルアセ アミドやN-メチルピロリドンといったアミド 類などを挙げることができる。また、これら は1種のみを用いてもよく、2種以上を混合し 使用してもよい。

I-3-2.熱硬化性樹脂
 マトリックス樹脂として熱硬化性樹脂を用 る場合、硬化温度は架橋剤や触媒の種類で 様性がある。
 室温で硬化する官能基の組み合わせの例と ては、エポキシとアミン、エポキシとチオ ル、イソシアネートとアミンが代表的であ 。また、触媒を使う例としてエポキシとフ ノール、エポキシと酸無水物、イソシアネ トとポリオールが代表的である。

 前者は、混合すると直ちに反応するので 便ではあるが、媒体のような成形を伴う場 、時間的な余裕がないために調整が難しい 一方、後者は、触媒の種類と使用量を適宜 ぶことで硬化温度や硬化時間を自由に選べ ので光学媒体のような成形を伴いながらの 化には適当である。これらは低分子から高 子、様々な種類の樹脂原料が市販されてい ので、重合性の反応性化合物や光開始剤と 相溶性や基板との密着性等を維持しつつ選 ことができる。

 以下に各原材料について、説明するが、い れの原材料も、1種を単独で用いてもよく、 2種以上を併用してもよい。
 <エポキシ>
 エポキシとしては、(ポリ)エチレングリコ ル、(ポリ)プロピレングリコール、(ポリ)テ ラメチレングリコール、トリメチロールプ パン、グリセリン等のポリオールのポリグ シジルエーテル化合物、3,4-エポキシシクロ ヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサン ルボキシレート、3,4-エポキシ-1-メチルシク ロヘキシル-3,4-エポキシ-1-メチルヘキサンカ ボキシレート等の4~7員環の環状脂肪族基を する脂環式エポキシ化合物、ビスフェノー A型エポキシ化合物、水添ビスフェノールA エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキ 化合物、フェノールまたはクレゾールノボ ック型エポキシ化合物等が挙げられる。

 エポキシは、1分子中に2つ以上のエポキ 基を有するものが好ましいが、その種類は に制限されない。エポキシ基の数が少ない 、マトリックスとして必要な硬さが得られ くなる場合がある。1分子中のエポキシ基の の上限は特に制限されないが、通常8以下、 中でも4以下が好ましい。エポキシ基の数が 過ぎると、エポキシ基の消費に多大な時間 要しマトリックス樹脂の形成に時間がかか 過ぎる場合がある。

 <アミン>
 アミンとしては、第一級アミン基または第 級アミン基を含むものを用いることができ 。このようなアミン類の例としては、エチ ンジアミン、ジエチレントリアミン等やそ 誘導体等の脂肪族ポリアミン、イソホロン アミン、メンタンジアミン、N-アミノエチ ピペラジン等やその誘導体等の脂環族ポリ ミン、m-キシリレンジアミン、ジアミノジフ ェニルメタン等やその誘導体等の芳香族ポリ アミン、ダイマー酸等のジカルボン酸と上述 のポリアミンとの縮合物等のポリアミド、2- チルイミダゾール等やその誘導体等のイミ ゾール化合物、これら以外にジシアンジア ド、アジピン酸ジヒドラジッド等を挙げら ることができる。

 <チオール>
 チオールとしては、1,3-ブタンジチオール、 1,4-ブタンジチオール、2,3-ブタンジチオール 1,2-ベンゼンジチオール、1,3-ベンゼンジチ ール、1,4-ベンゼンジチオール、1,10-デカン チオール、1,2-エタンジチオール、1,6-ヘキサ ンジチオール、1,9-ノナンジチオール等や、 ポメートQX10(ジャパンエポキシレジン社製) エポメートQX11(ジャパンエポキシレジン社製 )等のジチオール、チオコール(東レ・ファイ ケミカル社製)、カップキュア3-800(ジャパン エポキシレジン社製)、エピキュアQX40(ジャパ ンエポキシレジン社製)等のポリチオール等 チオール化合物が挙げられる。中でも、エ メートQX10、エポメートQX11、カップキュア3-8 00、エピキュアQX40等の市販の速硬化性ポリチ オールが好適に用いられる。

 <フェノール>
 フェノールとしてビスフェノールA、ノボラ ック型のフェノール樹脂、レゾール型のフェ ノール樹脂等が挙げられる。
 <酸無水物>
 酸無水物としては、一官能性の酸無水物と て、無水フタル酸、無水テトラヒドロフタ 酸等やその誘導体等、二官能性の酸無水物 として無水ピロメリット酸、無水ベンゾフ ノンテトラカルボン酸やその誘導体等が挙 られる。

 <アミン、チオール、フェノール、酸無水 物の使用量>
 アミン、チオール、フェノール、酸無水物 使用量は、エポキシ基のモル数に対する割 で、通常0.1当量以上、中でも0.7当量以上、 た、通常2.0当量以下、中でも1.5当量以下の 囲が好ましい。アミン、チオール、フェノ ル、酸無水物の使用量が少な過ぎても多過 ても、未反応の官能基数が多く、保存安定 を損なってしまう場合がある。

 <重合開始剤>
 触媒として、硬化温度や硬化時間に応じて ニオン重合開始剤とカチオン重合開始剤を 用することができる。
 アニオン重合開始剤は、熱または活性エネ ギー線照射によってアニオンを発生するも であり、例としてはアミン類等が挙げられ 。アミン類の例としては、ジメチルベンジ アミン、ジメチルアミノメチルフェノール 1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7等のア ミノ基含有化合物、およびこれらの誘導体; ミダゾール、2-メチルイミダゾール、2-エチ -4-メチルイミダゾール等のイミダゾール化 物、およびその誘導体等が挙げられる。硬 温度や硬化時間に応じて1種あるいは複数使 用しても良い。

 カチオン重合開始剤は、熱または活性エネ ギー線照射によってカチオンを発生するも であり、例としては芳香族オニウム塩等が げられる。具体例としては、SbF 6 - 、BF 4 - 、AsF 6 - 、PF 6 - 、CF 3 SO 3 - 、B(C 6 F 5 ) 4 - 等のアニオン成分と、ヨウ素、硫黄、窒素、 リン等の原子を含む芳香族カチオン成分とか らなる化合物が挙げられる。中でも、ジアリ ールヨードニウム塩、トリアリールスルフォ ニウム塩等が好ましい。硬化温度や硬化時間 に応じて1種あるいは複数使用しても良い。

 これらの開始剤の使用量は、マトリック 樹脂に対して、通常0.001重量%以上、中でも0 .01重量%以上、また、通常50重量%以下、中で 10重量%以下の範囲が好ましい。これらの開 剤の使用量が過度に少ないと、開始剤の濃 が低過ぎるため、重合反応に時間がかかり ぎる場合がある。一方、開始剤の使用量が 度に多いと、重合反応として、連続的な開 反応を生じなくなる場合がある。

 <イソシアネート>
 イソシアネートとしては、1分子中に2つ以 のイソシアネート基を有するものが好まし が、その種類は特に制限されない。1分子中 イソシアネート基の数が少ないと、マトリ クス樹脂として必要な硬さが得られなくな 場合がある。1分子中のイソシアネート基の 数の上限は特に制限されないが、通常8以下 中でも4以下が好ましい。1分子中のイソシア ネート基の数が多過ぎると、イソシアネート 基の消費に多大な時間を要しマトリックス樹 脂の形成に時間がかかり過ぎる場合がある。 1分子中に2つ以上のイソシアネート基を有す ものであれば、その種類は特に制限されな 。1分子中のイソシアネート基の数の上限は 特に制限されないが、通常20以下程度である

 本実施の形態で使用するイソシアネート 例としては、ヘキサメチレンジイソシアネ ト、リジンメチルエステルジイソシアネー 、2,4,4-トリメチルヘキサメチレンジイソシ ネート等の脂肪族イソシアネート、イソホ ンジイソシアネート、4,4’-メチレンビス( クロヘキシルイソシアネート)等の脂環族イ シアネート;トリレンジイソシアネート、4,4 ’-ジフェニルメタンジイソシアネート、キ リレンジイソシアネート、ナフタレン-1,5’- ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート ;およびこれらの多量体等が挙げられ、中で 3~7量体が好ましい。

 また、この他に、水、トリメチロールエタ 、トリメチロールプロパン等の多価アルコ ル類とこれら上記のイソシアネートとの反 物等やヘキサメチレンジイソシアネートの 量体、若しくはその誘導体を挙げることが きる。
 本実施の形態で使用するイソシアネートの 子量は、数平均分子量で100以上50000以下が ましく、より好ましくは150以上10000以下、更 に好ましくは150以上5000以下である。数平均 子量が過度に小さいと、架橋密度が上がる めにマトリックス樹脂の硬度が高くなりす 、記録速度が低下する可能性がある。また 数平均分子量が過度に大きいと、他成分と 相溶性が低下したり架橋密度が下がったり るために、マトリックス樹脂の硬度が低く りすぎ記録内容が消失する場合がある。

 <ポリオール>
 ポリオールとしては、ポリプロピレンポリ ール、ポリカプロラクトンポリオール、ポ エステルポリオール、ポリカーボネートポ オール等が挙げられる。
 (ポリプロピレンポリオール)
 ポリプロピレンポリオールは、プロピレン キシドと、ジオールまたは多価アルコール の反応によって得られる。ジオールまたは 価アルコールとしては、例えば、エチレン リコール、プロピレングリコール、1,4-ブタ ンジオール、1,5-ペンタンジオール、3-メチル -1,5-ペンタンジオール、1,6-ヘキサンジオール 、ネオペンチルグリコール、ジエチレングリ コール、1,4-シクロヘキサンジオール、1,4-シ ロヘキサンジメタノール、デカメチレング コール、ポリエチレングリコール、ポリテ ラメチレングリコール等が挙げられる。ポ プロピレンポリオールとして市販されてい ものでは、ニューポールGP400、GP1000(いずれ 三洋化成社製、商品名)、アデカポリエーテ ルG400、G700、G1500(いずれもアデカ社製、商品 )等がある。

 (ポリカプロラクトンポリオール)
 ポリカプロラクトンポリオールは、ラクト と、ジオールまたは多価アルコールとの反 によって得られる。ラクトンとしては、例 ば、α-カプロラクトン、β-カプロラクトン γ-カプロラクトン、ε-カプロラクトン、α- チル-ε-カプロラクトン、β-メチル-ε-カプ ラクトン等が挙げられる。

 ジオールまたは多価アルコールとしては 例えば、エチレングリコール、プロピレン リコール、1,4-ブタンジオール、1,5-ペンタ ジオール、3-メチル-1,5-ペンタンジオール、1 ,6-ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコー ル、ジエチレングリコール、1,4-シクロヘキ ンジオール、1,4-シクロヘキサンジメタノー 、デカメチレングリコール、ポリエチレン リコール、ポリテトラメチレングリコール が挙げられる。

 ε-カプロラクトンの反応から得られるポ カプロラクトンポリオールとして市販され いるものでは、プラクセル205、プラクセル2 10、プラクセル220、プラクセル230、プラクセ 240、プラクセル303、プラクセル305、プラク ル308、プラクセル312、プラクセル320(いずれ もダイセル化学工業株式会社製、商品名)等 ある。

 (ポリエステルポリオール)
 ポリエステルポリオールとしては、ジカル ン酸またはそれらの無水物とポリオールと 重縮合させて得られたものが挙げられる。
 ジカルボン酸としては、例えば、コハク酸 アジピン酸、セバシン酸、アゼライン酸、 イマー酸、無水マレイン酸、イソフタル酸 テレフタル酸、トリメリット酸等が挙げら る。

 ポリオールとしては、例えば、エチレン リコール、プロピレングリコール、1,4-ブタ ンジオール、1,5-ペンタンジオール、3-メチル -1,5-ペンタンジオール、1,6-ヘキサンジオール 、ネオペンチルグリコール、ジエチレングリ コール、1,4-シクロヘキサンジオール、1,4-シ ロヘキサンジメタノール、デカメチレング コール、ポリエチレングリコール、ポリテ ラメチレングリコール等が挙げられる。

 このようなポリエステルポリオールとし は、例えば、ポリエチレンアジペート、ポ ブチレンアジペート、ポリヘキサメチレン ジペート等がある。ポリエステルポリオー として市販されているものでは、アデカニ ーエースFシリーズ、アデカニューエースY リーズ、アデカニューエースNSシリーズ(ア カ株式会社製、商品名)等、クラレポリオー N-2010、P-4011、P-1020(いずれもクラレ株式会社 製、商品名)等、C-1000、C-1066、U-21、U-24、U-53 U-253、U-502、U-118A(いずれも三井化学ポリウレ タン株式会社製、商品名)等がある。

 (ポリカーボネートポリオール)
 ポリカーボネートポリオールとしては、グ コール類とジアルキルカーボネート(例えば 、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネ ート等)との脱アルコール縮合反応で得られ もの、グリコール類とジフェニルカーボネ ト類との脱フェノール縮合反応で得られる の、グリコール類とカーボネート類(例えば エチレンカーボネート、ジエチルカーボネ ト等)との脱グリコール縮合反応で得られる もの等が挙げられる。

 グリコール類としては、例えば、1,6-ヘキサ ンジオール、ジエチレングリコール、プロピ レングリコール、1,4-ブタンジオール、3-メチ ル-1,5ペンタンジオール、ネオペンチルグリ ール等の脂肪族ジオール、あるいは、1,4-シ ロヘキサンジオール、1,4-シクロヘキサンジ メタノール等の脂環ジオールが挙げられる。
 例えば、1,6-ヘキサンジオールとジエチルカ ーボネートとの縮合反応によって得られるポ リ(ヘキサメチレンカーボネート)ポリオール ペンタンジオールとジエチルカーボネート の縮合反応によって得られるポリ(ペンチレ ンカーボネート)、1,4-ブタンジオールとジエ ルカーボネートとの縮合反応によって得ら るポリ(ブチレンカーボネート)等がある。

 ポリカーボネートポリオールとして市販さ ているものでは、プラクセルCD CD205、プラ セルCD CD210、プラクセルCD CD220(いずれもダ イセル化学工業株式会社製、商品名)等、PCDL T5651,PCDL T5652、PCDL T5650J(いずれも旭化成株 会社製、商品名)等がある。
 (ポリオールの分子量)
 以上に説明したポリオールの分子量は、数 均分子量で100以上50000以下が好ましく、よ 好ましくは150以上10000以下、更に好ましくは 150以上5000以下である。数平均分子量が過度 小さいと、架橋密度が上がるためにマトリ クス樹脂の硬度が高くなりすぎ、記録速度 低下する可能性がある。また、数平均分子 が過度に大きいと、他成分との相溶性が低 したり架橋密度が下がったりすることによ マトリックス樹脂の硬度が低くなりすぎ記 内容が消失する場合がある。

 <その他の成分>
 本実施の形態におけるマトリックス樹脂は 本発明の趣旨に反しない限りにおいて、上 の各成分以外に、他の成分を含有していて よい。
 このような他の成分としては、例えば、マ リックス樹脂の物性を変える目的で用いら る、エチレングリコール、プロピレングリ ール、1,4-ブタンジオール、1,5-ペンタンジ ール、3-メチル-1,5-ペンタンジオール、1,6-ヘ キサンジオール、ネオペンチルグリコール、 ジエチレングリコール、1,4-シクロヘキサン オール、1,4-シクロヘキサンジメタノール、 カメチレングリコール、トリメチロールプ パン、ポリエチレングリコール、ポリテト メチレングリコール等のヒドロキシル基を する化合物が挙げられる。

 さらに、その他の成分としては、例えば、 媒や添加剤を配合することができる。触媒 使うことにより室温で硬化させることがで るが、温度をかけて硬化させても良い。こ 時の温度としては40℃から90℃の間が好まし い。
 触媒の例としては、通常のウレタン化反応 媒、例えば、ジブチルチンジラウレート、 オクチルチンジラウレート、ジブチルチン オクトエート等のスズ系、トリエチルアミ 、トリエチレンジアミン等の三級アミン系 挙げられる。このうちスズ化合物は溶解性 媒体として性能の均衡がよく、特に、ジオ チルスズジラウレートが好ましい。

 触媒の使用量は、マトリックス樹脂に対す 比率で、通常0.0001重量%以上、中でも0.001重 %以上、また、通常10重量%以下、中でも5重 %以下の範囲が好ましい。触媒の使用量が過 に少ないと、硬化に時間がかかりすぎる場 がある。一方、使用量が過度に多いと、硬 反応の制御が困難になる場合がある。
I-3-3.光硬化性樹脂
 マトリックス樹脂として光硬化性樹脂を用 る場合、使う波長に応じた光開始剤を使用 て硬化させる必要がある。光照射する間に 化することで成形や接着に支障を生じる事 ら、主に作業する温度である室温付近では 定な硬化反応であることが望ましい。この から考えると、開始剤による触媒的な硬化 望ましい選択であると言える。

 開始剤から光照射によって、ラジカル、プ トン等のカチオン、アニオンの何れかの活 基質が生成する場合が一般的である。よっ これらの活性基質により硬化を起こすもの 選んで硬化させてマトリックス樹脂とする が良いと考えられる。
 ラジカルに対して反応する官能基として、 ニル基、スチリル基、アクリル基、メタク ル基を挙げることができる。これらを有す 化合物として具体的には、ビニル基を有す ものとしてビニルブチルエーテル、ビニル クロヘキシルエーテルなど、スチリル基を するものとしてスチレン、ジビニルベンゼ など、アクリル基を有するものとしてイソ ルニルアクリレート、1,4-ブタンジアクリレ ートなど、メタクリル基を有すものとしてメ チルメタクリレート、フェノキシエチルメタ クリレートなどを挙げることができる。

 プロトン等のカチオンに対して反応する官 基として、エポキシ基、オキセタニル基を げることができる。これらを有する化合物 して具体的には、エポキシ基を有するもの して(ポリ)エチレングリコール、(ポリ)プロ ピレングリコール、(ポリ)テトラメチレング コール、トリメチロールプロパン、グリセ ン等のポリオールのポリグリシジルエーテ 化合物、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル -3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレー 、3,4-エポキシ-1-メチルシクロヘキシル-3,4- ポキシ-1-メチルヘキサンカルボキシレート の4~7員環の環状脂肪族基を有する脂環式エ キシ化合物、ビスフェノールA型エポキシ化 合物、水添ビスフェノールA型エポキシ化合 、ビスフェノールF型エポキシ化合物、フェ ールまたはクレゾールノボラック型エポキ 化合物等が挙げられる。オキセタニル基を するものとしてビスフェノールAの2-エチル- 2-オキセタニルエーテル、1,6-ビス(2-エチル-2- オキセタニルオキシ)へキサン等を挙げるこ ができる。(尚、ここで「(ポリ)エチレング コール」等の記載は、「エチレングリコー 」とその重合体の「ポリエチレングリコー 」との両方をさす。)
 アニオンに対して反応する官能基として、 ポキシ基やエピスルフィド基を挙げること できる。エピスルフィド基を有する化合物 して具体的には、フェニルエピスルフィド ビスフェノールAのジエピスルフィドメチル エーテル等を挙げることができる。

 または、活性物質としてラジカルを生成す 開始剤として、tert-ブチルパーオキシドな の過酸化物やアゾイソブチロニトリルなど ジアゾ化合物を挙げることができる。
 上述したマトリックス樹脂を光硬化させる 合に使用される光開始剤の使用量は、重合 化合物に対する比率で、通常0.01重量%以上 中でも0.1重量%以上、また、通常1重量%以下 中でも30重量%以下の範囲が好ましい。開始 の使用量が過度に少ないと、硬化に時間が かりすぎる場合がある。一方、使用量が過 に多いと、硬化反応の制御が困難になる場 がある。

 また、記録するときにも光を照射するので 化する時の波長と記録する時の波長が異な ことが重要であり、波長の差としては小さ とも10nm、好ましくは30nmである。開始剤の 択は概ね開始剤の吸収波長から予想するこ ができる。
I-4.光開始剤
 光開始剤は、公知の光ラジカル重合開始剤 あれば、何れを用いることも可能である。 としては、アゾ系化合物、アジド系化合物 有機過酸化物、有機硼素酸塩、オニウム塩 、ビスイミダゾール誘導体、チタノセン化 物、ヨードニウム塩類、有機チオール化合 、ハロゲン化炭化水素誘導体等が用いられ 。これらは何れか1種を単独で用いてもよく 、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で 用してもよい。中でも、光開始剤としては 可視光領域で重合反応が生じるという理由 ら、チタノセン化合物、アシルフォスフィ オキサイド化合物、オキシムエステル化合 等が好ましい。

I-4-1.チタノセン化合物
 光開始剤としてチタノセン化合物を使用す 場合、その種類は特に限定はされないが、 えば、特開昭59-152396号公報、特開昭61-151197 公報等に記載されている各種のチタノセン 合物の中から、適宜選択して使用すること できる。
 チタノセン化合物の具体例としては、ジ-シ クロペンタジエニル-Ti-ジ-クロライド、ジ-シ クロペンタジエニル-Ti-ビス-フェニル、ジ-シ クロペンタジエニル-Ti-ビス-2,3,4,5,6-ペンタフ ルオロフェニ-1-イル、ジシクロペンタジエニ ル-Ti-ビス-2,3,5,6-テトラフルオロフェニ-1-イ 、ジ-シクロペンタジエニル-Ti-ビス-2,4,6-ト フルオロフェニ-1-イル、ジ-シクロペンタジ ニル-Ti-ビス-2,6-ジ-フルオロフェニ-1-イル、 ジ-シクロペンタジエニル-Ti-ビス-2,4-ジ-フル ロフェニ-1-イル、ジ-メチルシクロペンタジ エニル-Ti-ビス-2,3,4,5,6-ペンタフルオロフェニ -1-イル、ジ-メチルシクロペンタジエニル-Ti- ス-2,3,5,6-テトラフルオロフェニ-1-イル、ジ- メチルシクロペンタジエニル-Ti-ビス-2,6-ジフ ルオロフェニ-1-イル、ジ-シクロペンタジエ ル-Ti-ビス-2,6-ジフルオロ-3-(ピリ-1-イル)-フ ニ-1-イル等が挙げられる。

I-4-2.アシルフォスフィンオキサイド化合物
 アシルフォスフィンオキサイド化合物の具 例としては、1分子中に光による開烈点を1 所しか持たない単官能開始剤、1分子中に光 よる開烈点を2ヵ所有する2官能性開始剤が げられる。
 このような単官能開始剤としては、例えば トリフェニルフォスフィンオキサイド、2,4, 6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフ ンオキサイド、2,6-ジクロルベンゾイルジフ ェニルフォスフィンオキサイド等が挙げられ る。

 2官能性開始剤としては、例えば、ビス(2, 4,6-トリメチルベンゾイル)-フェニルフォスフ ィンオキサイド、ビス(2,6-ジメトキシベンゾ ル)-2,4,4-トリメチルペンチルフォスフィン キサイド、ビス(2,6ジクロルベンゾイル)-4-プ ロピルフェニルフォスフィンオイサイド、ビ ス(2,6ジクロルベンゾイル)-2,5ジメチルフェニ ルフォスフィンオキサイド等が挙げられる。

I-4-3.オキシムエステル系化合物
 オキシムエステル系化合物の具体例として 、以下の構造を有するものが挙げられる。

 具体的には、1-[4-(フェニルチオ)-2-(O-ベンゾ イルオキシム)]-1,2-オクタンジオン、1-[9-エチ ル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3- ル]-1-(O-アセチルオキシム)エタノン等が挙 られる。
I-4-4.光開始剤の使用量
 上記の各種の光開始剤は、何れか1種を単独 で用いてもよく、2種以上を任意の組み合わ および比率で併用してもよい。

 本発明のホログラム記録層形成用組成物中 光開始剤の含有量は、ホログラム記録層形 用組成物の全固形分に対する比率で、通常0 .1重量%以上、中でも0.5重量%以上、また、通 20重量%以下、中でも15重量%以下の範囲とす ことが好ましい。光開始剤の含有量が少な ぎると、ラジカルの発生量が少なくなるた 、光重合の速度が遅くなり、ホログラム記 感度が低くなる場合がある。一方、光開始 の含有量が多過ぎると、光照射により発生 たラジカル同士が再結合したり、不均化を じたりするため、光重合に対する寄与が少 くなり、やはりホログラム記録感度が低下 る場合がある。2以上の光開始剤を併用する 合には、それらの合計量が上記範囲を満た ようにする。
II-5.その他の成分
 本発明のホログラム記録層形成用組成物は 本発明の主旨に反しない限りにおいて、上 の成分の他に、その他の成分を含有してい もよい。
 例えば、増感体の励起波長や励起エネルギ の制御、反応の制御、特性の改良等の必要 応じて、任意の添加剤を配合することがで る。

 添加剤の例としては、以下の化合物が挙げ れる。
 例えば、増感体の励起を制御する化合物を 加することができる。この場合の例として 増感剤、増感補助剤等が挙げられる。
 増感剤としては、公知の各種の増感剤の中 ら、任意のものを選択して用いることがで るが、一般に増感剤としては、可視および 外のレーザ光を吸収するために、色素等の 色化合物が用いられる場合が多い。記録に 用するレーザー光の波長と使用する開始剤 種類にもよるが、緑色レーザーを用いる系 場合、好ましい増感剤の具体例としては、 開平5-241338号公報、特開平2-69号公報、特公 2-55446号公報等に記載されている化合物が、 青色レーザーを用いる系の場合は、特開2000-1 0277号公報、特開2004-198446号公報等に記載され ている化合物が挙げられる。上記例示の各種 の増感剤は、何れか1種を単独で用いてもよ 、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で 用してもよい。

 尚、得られるホログラム記録媒体ないし ログラム記録材料に無色透明性が要求され 場合には、増感剤としてシアニン系色素を 用することが好ましい。即ち、シアニン系 素は一般に光によって分解し易いため、後 光を行なう、即ち、室内光や太陽光の下に 時間から数日放置することで、ホログラム 録媒体ないしホログラム記録材料中のシア ン系色素が分解されて可視域に吸収を持た くなり、無色透明なホログラム記録媒体な しホログラム記録材料が得られる。

 増感剤の量は、形成される記録層の厚さ よって増減する必要があるが、II-4.光開始 に対する比率で、通常0.01重量%以上、中でも 0.1重量%以上、また、通常10重量%以下、中で 5重量%以下の範囲とすることが好ましい。増 感剤の使用量が少な過ぎると、開始効率が低 下し、記録に多大な時間を要する場合がある 。一方、増感剤の使用量が多過ぎると、記録 や再生に使用する光の吸収が大きくなり、深 さ方向へ光が届き難くなる場合がある。2以 の増感剤を併用する場合には、それらの合 量が上記範囲を満たすようにする。

 上記以外の添加剤として、反応効率の向上 記録層の物性調整のための可塑剤、記録層 吸水率制御のためなどの添加剤などを用い ことができる。
 可塑剤の例としては、フタル酸ジオクチル フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデ ル、フタル酸ジウンデシルなどのフタル酸 ステル類、アジピン酸ビス(2-エチルヘキシ )、アジピン酸ジイソノニル、アジピン酸ジ -n-ブチルなどのアジピン酸エステル類、セバ シン酸ジオクチル、セバシン酸ジブチルなど のセバシン酸エステル類、リン酸トリクレシ ルなどのリン酸エステル類、アセチルクエン 酸トリブチルなどのクエン酸エステル類、ト リメリット酸トリオクチルなどのトリメリッ ト酸エステル類、エポキシ化大豆油、塩素化 パラフィン、アセトキシメトキシプロパンな どのアルコキシ化(ポリ)アルキレングリコー エステル、ジメトキシポリエチレングリコ ルなどの末端アルコキシ化ポリアルキレン リコールなどが挙げられる。

 これらの可塑剤はホログラム記録層形成 組成物の全固形分に対する比率で通常0.01重 量%以上50重量%以下、好ましくは0.05重量%以上 20重量%以下の範囲で用いられる。これらの可 塑剤の使用量がこれより少ないと、反応効率 の向上や物性の調整に対する効果が発揮され ず、これより多いと記録層の透明性が低下し たり、可塑剤のブリードアウトが顕著になっ たりして好ましくない。

 更に、反応の制御に使用する化合物を添加 ることもできる。この場合の例としては、 合開始剤、連鎖移動剤、重合停止剤、相溶 剤、反応補助剤等が挙げられる。
 その他、特性改良上必要とされ得る添加剤 例としては、分散剤、消泡剤、可塑剤、防 剤、安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等 挙げられる。
 これらの添加剤は、何れか1種を単独で用い てもよく、2種以上を任意の組み合わせおよ 比率で併用してもよい。

 これらの添加剤の使用量は、本実施の形態 ホログラム記録層形成用組成物の全固形分 対する比率で、通常0.001重量%以上、中でも0 .01重量%以上、また、通常30重量%以下、中で 10重量%以下の範囲とすることが好ましい。2 上の添加剤を併用する場合には、それらの 計量が上記範囲を満たすようにする。
II.本発明のホログラム記録材料について
 本発明のホログラム記録材料は、上述の本 明のホログラム記録層形成用組成物を含有 ることを特徴とする。

 本発明のホログラム記録材料は、本発明の ログラム記録層形成用組成物のみからなっ いてもよく、その他の成分を含有していて 良い。また、本発明のホログラム記録層形 用組成物の1種を単独で用いても良く、2種 上を任意の組合せおよび比率で併用しても い。本発明のホログラム記録材料がその他 成分を含有する場合、本発明のホログラム 録材料中における反応性化合物の含有量は ホログラム記録材料の全固形分に対する比 で、0.5重量%以上、15重量%以下、中でも、1重 量%以上、10重量%以下とすることが好ましい 2種以上のホログラム記録層形成用組成物を 用する場合、各々のホログラム記録層形成 組成物に含まれる反応性化合物の合計量が 記範囲内となるようにする。また、その他 成分に特に制限は無いが、例としては光分 剤、色材等の各種の添加剤が挙げられる。 の他の成分の含有量も、本実施の形態の効 を著しく損なわない限りにおいて任意であ 。
III.本発明のホログラム記録媒体について
 本発明のホログラム記録媒体は、前記式(1) 表される反応性化合物の1種又は2種以上を む記録層と、必要に応じて、更に支持体や の他の層を備え、記録層の一括露光による 縮率が0.25%以下であることを特徴とする。
 また、このホログラム記録媒体の記録層は M/#の値が10以上であることが好ましく、(M/#) /(一括露光による収縮率)の値が100以上である ことが好ましい。

 なお、後述の記録方法の項に詳述すると り、該記録層中に含まれる本発明の前記式( 1)で表される反応性化合物は、ホログラム記 などによってその一部が重合等の化学的な 化を生じるものである。従って、記録後の ログラム記録媒体においては、本発明の前 式(1)で表される反応性化合物の一部が消費 れ、重合体など反応後の化合物として存在 る。該反応性化合物の消費量は、記録情報 によっても変動すると考えられるが、デー 記録後に、記録部分に一様な光を当てて、 存する反応性化合物をあえて消費させる、 わゆる「後露光」のような工程を経る場合 は、該反応性化合物の大半が反応後の化合 に変化するものである。

 本発明のホログラム記録媒体の記録層は、 ましくは本発明のホログラム記録層形成用 成物ないしホログラム記録材料により形成 れる。
 通常、ホログラム記録媒体は支持体を有し 記録層やその他の層は、この支持体上に積 されてホログラム記録媒体を構成する。た し、記録層またはその他の層が、媒体に必 な強度や耐久性を有する場合には、ホログ ム記録媒体は支持体を有していなくてもよ 。

 その他の層の例としては、保護層、反射層 反射防止層(反射防止膜)等が挙げられる。
III-1.記録層
 本発明のホログラム記録媒体の記録層は、 ましくは本発明のホログラム記録層形成用 成物ないしホログラム記録材料により形成 れる。記録層は、情報が記録される層であ 。情報は通常、ホログラムとして記録され 。後述の記録方法の項に詳述するとおり、 記録層中に含まれる反応性化合物は、ホロ ラム記録などによってその一部が重合等の 学的な変化を生じるものである。従って、 録後のホログラム記録媒体においては、反 性化合物の一部が消費され、重合体など反 後の化合物として存在する。従って、本発 のホログラム記録媒体の記録層には、前記 (1)で表される反応性化合物と、ホログラム 録後においては更に反応後の化合物とが、 の合計量で、通常0.5重量%以上、15重量%以下 、好ましくは、1重量%以上、10重量%以下含ま る。本発明のホログラム記録媒体の記録層 、前記式(1)で表される反応性化合物以外の 応性化合物が含まれる場合には、前記式(1) 表される反応性化合物以外の反応性化合物 よびその反応後の化合物を含めた合計量が 記範囲を満たすようにする。

 記録層の厚みには特に制限は無く、記録方 等を考慮して適宜定めればよいが、一般的 は、通常1μm以上、好ましくは10μm以上、ま 、通常1cm以下、好ましくは2000μm以下の範囲 である。記録層が厚過ぎると、ホログラム記 録媒体における多重記録の際、各ホログラム の選択性が低くなり、多重記録の度合いが低 くなる場合がある。また、記録層が薄過ぎる と、記録層全体を均一に成形することが困難 であり、各ホログラムの回折効率が均一で且 つS/N比の高い多重記録が難しくなる場合があ る。
III-2.支持体
 支持体は、媒体に必要な強度および耐久性 有しているものであれば、その詳細に特に 限はなく、任意の支持体を使用することが きる。また、支持体の形状にも制限は無い 、通常は平板状またはフィルム状に形成さ る。
 また、支持体を構成する材料にも制限は無 、透明であっても不透明であってもよい。 持体の材料として透明なものを挙げると、 クリル、ポリエチレンテレフタレート、ポ エチレンナフトエート、ポリカーボネート ポリエチレン、ポリプロピレン、アモルフ スポリオレフィン、ポリスチレン、酢酸セ ロース等の有機材料;ガラス、シリコン、石 英等の無機材料が挙げられる。この中でも、 ポリカーボネート、アクリル、ポリエステル 、アモルファスポリオレフィン、ガラス等が 好ましく、特に、ポリカーボネート、アクリ ル、アモルファスポリオレフィン、ガラスが より好ましい。

 一方、支持体上の材料として不透明なもの 挙げると、アルミニウム等の金属;前記の透 明支持体上に金、銀、アルミニウム等の金属 、または、フッ化マグネシウム、酸化ジルコ ニウム等の誘電体をコーティングしたものな どが挙げられる。
 支持体の厚みにも特に制限は無いが、通常 0.1mm以上、1mm以下の範囲とすることが好ま い。支持体が薄過ぎるとホログラム記録媒 の機械的強度が不足し、基板が反る場合が り、厚過ぎると光の透過量が減りさらにコ トが高くなる場合がある。

 また、支持体の表面に表面処理を施して よい。この表面処理は、通常、支持体と記 層との接着性を向上させるためになされる 表面処理の例としては、支持体にコロナ放 処理を施したり、支持体上に予め下塗り層 形成したりすることが挙げられる。ここで 下塗り層の組成物としては、ハロゲン化フ ノール、または部分的に加水分解された塩 ビニル-酢酸ビニル共重合体、ポリウレタン 樹脂等が挙げられる。

 更に、表面処理は、接着性の向上以外の目 で行なってもよい。その例としては、例え 、金、銀、アルミニウム等の金属を素材と る反射コート層を形成する反射コート処理; フッ化マグネシウムや酸化ジルコニウム等の 誘電体層を形成する誘電体コート処理等が挙 げられる。また、これらの層は、単層で形成 してもよく、2層以上を形成してもよい。
 また、これらの表面処理は、基板の気体や 分の透過性を制御する目的で設けても良い 記録層を挟む支持体にも気体や水分の透過 を抑制する働きを持たせることによりより 層媒体の信頼性を向上させうる。

 また、支持体は、本実施形態のホログラム 録媒体の記録層の上側および下側の何れか 方にのみ設けてもよく、両方に設けてもよ 。但し、記録層の上下両側に支持体を設け 場合、支持体の少なくとも何れか一方は、 性エネルギー線(励起光、参照光、再生光な ど)を透過させるように、透明に構成する。
 記録層の片側または両側に支持体を有する ログラム記録媒体の場合、透過型または反 型のホログラムが記録可能である。また、 録層の片側に反射特性を有する支持体を用 る場合は、反射型のホログラムが記録可能 ある。

 更に、支持体にデータアドレス用のパター ングを設けてもよい。この場合のパターニ グ方法に制限は無いが、例えば、支持体自 に凹凸を形成してもよく、反射層(後述する )にパターンを形成してもよく、これらを組 合わせた方法により形成してもよい。
III-3.保護層
 保護層は、酸素や水分による感度低下や保 安定性の劣化等の悪影響を防止するための である。保護層の具体的構成に制限は無く 公知のものを任意に適用することが可能で る。例えば、水溶性ポリマー、有機/無機材 料等からなる層を保護層として形成すること ができる。
III-4.反射層
 反射層は、ホログラム記録媒体を反射型に 成する際に形成される。反射型のホログラ ム記録媒体の場合、反射層は支持体と記録 との間に形成されていてもよく、支持体の 側面に形成されていてもよいが、通常は、 持体と記録層との間にあることが好ましい
III-5.反射防止膜
 透過型および反射型の何れのホログラム記 媒体についても、物体光および読み出し光 入射および出射する側や、あるいは記録層 支持体との間に、反射防止膜を設けてもよ 。反射防止膜は、光の利用効率を向上させ かつゴースト像の発生を抑制する働きをす 。
III-6.製造方法
 本発明のホログラム記録媒体の製造方法に 限は無い。
 例えば、無溶剤で支持体上に本発明の光反 性組成物を塗布し、記録層を形成して製造 ることできる。この際、塗布方法としては 意の方法を使用することができる。具体例 挙げると、スプレー法、スピンコート法、 イヤーバー法、ディップ法、エアーナイフ ート法、ロールコート法、及びブレードコ ト法、ドクターロールコート法などが挙げ れる。

 また、記録層の形成に際し、特に膜厚の厚 記録層を形成する場合、型に入れて成型す 方法や、離型フィルム上に塗工して型を打 抜く方法を用いることもできる。
 また、本発明の光反応性組成物と溶剤又は 加剤とを混合して塗布液を調製し、これを 持体上に塗布、乾燥して記録層を形成して 造しても良い。この場合も塗布方法として 任意の方法を使用することができ、例えば 上述したのと同様の方法を採用することが きる。

 また、溶剤に制限はないが、通常は、使用 分に対して十分な溶解度を持ち、良好な塗 性を与え、樹脂基板等の支持体を侵さない のを使用することが好ましい。
 溶剤の例を挙げると、アセトン、メチルエ ルケトン、メチルイソブチルケトン、シク ヘキサノン、メチルアミルケトン等のケト 系溶剤;トルエン、キシレン等の芳香族系溶 剤;メタノール、エタノール、プロパノール n-ブタノール、ヘプタノール、ヘキサノール 、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコ ール等のアルコール系溶剤;ジアセトンアル ール、3-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブタノン等の ケトンアルコール系溶剤;テトラヒドロフラ 、ジオキサン等のエーテル系溶剤;ジクロロ タン、ジクロロエタン、クロロホルム等の ロゲン系溶剤;メチルセロソルブ、エチルセ ロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソ ルブアセテート、エチルセロソルブアセテー ト等のセロソルブ系溶剤;プロピレングリコ ルモノメチルエーテル、プロピレングリコ ルモノエチルエーテル、プロピレングリコ ルモノブチルエーテル、プロピレングリコ ルモノメチルエーテルアセテート、プロピ ングリコールモノエチルエーテルアセテー 、プロピレングリコールモノブチルエーテ アセテート、ジプロピレングリコールジメ ルエーテル等のプロピレングリコール系溶 ;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢 ブチル、エチレングリコールジアセテート ジエチルオキサレート、ピルビン酸エチル エチル-2-ヒドロキシブチレートエチルアセ アセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、2- ドロキシイソ酪酸メチル、3-メトキシプロピ オン酸メチル等のエステル系溶剤;テトラフ オロプロパノール、オクタフルオロペンタ ール、ヘキサフルオロブタノール等のパー ルオロアルキルアルコール系溶剤;ジメチル ルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メ ルピロリドン、ジメチルスルホキシド等の 極性溶剤;n-ヘキサン、n-オクタン等の鎖状炭 化水素系溶剤;シクロヘキサン、メチルシク ヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチ シクロヘキサン、n-ブチルシクロヘキサン、 tert-ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン の環状炭化水素系溶剤;或いはこれらの混合 溶剤などが挙げられる。

 なお、溶剤は、1種を単独で用いても良く、 2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用 ても良い。
 また、溶剤の使用量に制限は無い。ただし 塗布効率、取り扱い性の面から、固形分濃 1%~1000重量%程度の塗布液を調製することが ましい。
 さらに、本発明の光反応組成物が熱可塑性 場合は、例えば射出成形法、シート成形法 ホットプレス法などによって本発明の光反 組成物を成形して、また、本発明の光反応 成物が揮発性成分の少ない(光)熱硬化性の 合は、例えば反応射出成形法、液体射出成 法によって本発明の光反応組成物を成形し 、記録層を製造することができる。この場 、成形体が十分な厚み、剛性、強度などを するならば、当該成形体をそのまま光記録 体とすることができる。

 また、光記録媒体の製造方法としては、 えば、熱により融解した光反応性組成物を 持体に塗布し、冷却して固化させて記録層 形成して製造する方法、液状の光反応性組 物を支持体に塗布し、熱重合させることで 化させて記録層を形成して製造する方法、 状の光反応性組成物を支持体に塗布し、光 合させることで硬化させて記録層を形成し 製造する方法なども挙げられる。

 このようにして製造された光記録媒体は、 立型スラブまたはディスクの形態をとるこ ができ、三次元画像表示装置や回折光学素 、及び大容量メモリ、その他に使用できる
III-7.情報の記録・再生方法
 本実施形態のホログラム記録媒体に対する 報の書き込み(記録)および読み出し(再生)は 、何れも光の照射によって行なわれる。

 先ず、情報の記録時には、重合性の反応性 合物の化学変化、例えば、重合性のモノマ の場合は、その重合および濃度変化を生じ せることが可能な光を、物体光(記録光とも 呼ばれる。)として用いる。
 特に、本実施形態のホログラム記録媒体で 、情報を体積ホログラムとして記録するた 、物体光を参照光と共に記録層に対して照 し、記録層において物体光と参照光とを干 させるようにする。これによってその干渉 が、記録層内の重合性の反応性化合物に変 (例えば、重合性の反応性化合物の重合およ び濃度変化)を生じさせ、その結果、干渉縞 記録層内に屈折率差を生じさせ、前記の記 層内に記録された干渉縞により、記録層に ログラムとして記録される。

 一方、記録層に記録された体積ホログラム 再生する場合は、所定の再生光(通常は、参 照光)を記録層に照射する。照射された再生 は前記干渉縞に応じて回折を生じる。この 折光は前記記録層と同様の情報を含むもの あるので、前記回折光を適当な検出手段に って読み取ることにより、記録層に記録さ た情報の再生を行なうことができる。
 尚、物体光、再生光および参照光の波長領 はそれぞれの用途に応じて任意であり、可 光領域でも紫外領域でも構わない。これら 光の中でも好適なものとしては、例えば、 ビー、ガラス、Nd-YAG、Nd-YVO 4 等の固体レーザ;GaAs、InGaAs、GaN等のダイオー レーザ;ヘリウム-ネオン、アルゴン、クリ トン、エキシマ、CO 2 等の気体レーザ;色素を有するダイレーザ等 、単色性と指向性に優れたレーザ等が挙げ れる。

 また、物体光、再生光および参照光の照 量には何れも制限は無く、記録および再生 可能な範囲であればその照射量は任意であ 。但し、極端に少ない場合には重合性の反 性化合物の化学変化が不完全過ぎて記録層 耐熱性、機械特性が十分に発現されない虞 あり、逆に極端に多い場合は、記録層の成 (本発明の体積ホログラム記録材料)が劣化 生じる虞がある。

 従って、物体光、再生光および参照光は、 録層の形成に用いた本発明の体積ホログラ 記録材料の組成や、光開始剤の種類、およ 配合量等に合わせて、通常0.1J/cm 2 以上、20J/cm 2 以下の範囲で照射する。
 また、ホログラム記録方式としては、偏光 リニアホログラム記録方式、参照光入射角 重型ホログラム記録方式等があるが、本実 の形態のホログラム記録媒体ないし体積ホ グラム記録材料を記録媒体として使用する 合にはいずれの記録方式でも良好な記録品 を提供することが可能である。

III-8.性能
 本実施の形態のホログラム記録媒体は、回 効率および光透過率が高く、収縮率が小さ という特徴を有する。
III-8-1.M/#(エムナンバー)
 ホログラム記録によって生じる記録部と未 録部の屈折率の差は、投入する露光エネル ーごとの回折効率となって測定される。投 する露光エネルギーは多重に記録する手順 より測定される。多重の方法は、角度の固 された交差する光を入射角を変えながら行 角度多重、入射角度は変えずに場所を異動 せながら行うシフト多重、波長を変えなが 行う波長多重といった方法により行われる 、角度多重が簡便であり、これにより材料 各成分の性能を把握することができる。

 多重に記録することで回折効率の和であるM /#(エムナンバー)は、記録の容量の目安にな 数値であるから、大きい方が媒体として良 性能であるといえる。
 一般的に光反応性化合物の含有率が高いほ 回折効率は大きくなり、M/#も大きくなる。
 本実施の形態のホログラム記録媒体の記録 のM/#は、500μm厚の記録層として評価した場 、通常10以上、好ましくは12以上、特に好ま しくは15以上である。

 なお、上述の通り、M/#の値は大きいほど好 しく、明確な上限は存在しないが、例えば 録容量1TBを達成するためにはM/#100程度の値 必要となる。
 なお、上述の如く、本発明に係る記録層のM /#(エムナンバー)は、厚さ500μmの記録層につ て評価した値である。
 即ち、あるホログラム記録媒体について設 てある記録層を厚さ500μmとしたこと以外は 様にして後述の実施例の項に示す評価用の 体を作製し、この評価用の媒体がM/#(エムナ ンバー)10以上、特に12以上、中でも15以上と るものであれば、本発明に好適なホログラ 記録媒体と言うことができる。

 このM/#(エムナンバー)は、後述の実施例の に示す方法で測定される。
 或いは、記録層膜厚が500μmではない記録媒 の場合、その媒体について同様の方法でM/# 評価し、記録層膜厚500μmでの値に換算した 果が、10以上、特に12以上、中でも15以上と るものであれば、本発明に好適なホログラ 記録媒体と言うことができる。

 M/#は、一般に記録層膜厚が大きくなるにつ 、値が大きくなる傾向がある。
 記録層膜厚200~700μmにおいては記録層膜厚と M/#とはほぼ比例関係を示すので、この膜厚範 囲内の記録層を有する媒体について評価した 結果は、比例換算で膜厚補正することで対比 することが可能となる。
 一方、記録層膜厚が1000μmを超える範囲につ いては記録層膜厚に対するM/#の増加は緩やか となり、単純に比例計算で膜厚補正したので は、対比が難しい。この場合には、500μm厚に おいて上記数値範囲となることが予め判って いる記録層組成を選び、500μm厚と、評価対象 である実際の媒体の記録層厚みに相当する膜 厚とで媒体を作製し、この両者の相関に基づ いて、実際の媒体のM/#値を500μm厚でのM/#値に 換算することが可能となる。

 また、基板や保護層、反射層など、ホログ ム記録媒体を構成する記録層以外の層は、M /#の値に大きく影響しないので、記録層以外 層構成が異なる媒体についても、M/#の直接 対比が可能である。
III-8-2.光透過率
 光透過率の測定は光による記録を行う上で 要な指標である。記録の前に高い光透過率 あることはより深い記録層まで記録して容 を向上させる上で、よい性能であるといえ 。同様に記録の後でも高い光透過率である とは記録の再生において誤りを少なくでき ので、よい性能であるといえる。

 この光透過率の測定に用いる光としては 記録する波長あるいはその近傍であること 望ましいが、記録前の記録層内の光開始剤 化学変化が顕著となり透過度が時間的に変 するため、十分に短い時間で測定しなけれ ならない。その点を注意さえすれば、問題 く測定し信頼と再現性のある測定値を得る とが出来る。十分に短い時間とは概ね1秒程  度以下である。記録後であれば、光開始剤 消費されて時間的な変化を引き起こすこと ないので測定時間を気にすることはない。

 一般に、この光透過率は100%に近い程好ま しいが、概ね60%以上、特に80%以上であること が好ましい。本実施の形態のホログラム記録 媒体であれば、記録層膜厚500μmとして評価し た場合に、記録前光透過率として、通常60%以 上、好ましくは70%以上、記録後光透過率とし て通常60%以上、好ましくは70%以上を達成する ことができる。なお、この光透過率は、具体 的には後述の実施例の項に記載した方法で測 定される。

 また、記録層膜厚が500μmではない記録媒体 場合、その媒体について同様の方法で光透 率を評価し、記録層膜厚500μmでの値に換算 た結果が、光透過率60%以上、好ましくは70% 上となるものであれば、本発明に好適なホ グラム記録媒体と言うことができる。
 光透過率は一般に記録層膜厚の影響を受け 光透過率100%である場合を除き、記録層膜厚 が厚くなるほど、光透過率は低下する傾向が ある。記録層膜厚200~700μmにおいては記録層 厚と光透過率はほぼ反比例関係を示すので この膜厚範囲内の記録層を有する媒体につ て評価した結果は、反比例換算で膜厚補正 ることで対比が可能となる。一方、記録層 厚が1000μmを超える範囲については記録層膜 に対する光透過率の減少は100%である場合を 除き、記録層膜厚200~700μmにおける反比例関 よりも急激に減少し、単純な換算は難しい

 なお、基板や保護層など、ホログラム記録 体を構成する記録層以外の透明層は、通常 録層に対して十分大きな光線透過率を有し おり、媒体としての光線透過率の値は実質 録層の透過率と見なすことができる。反射 などの不透明層を有する記録媒体の場合に 、反射層の厚さは記録層や基板などに比べ 十分の一以下と十分に薄いので媒体への光 過率の影響は無視できる。このようにして 記録層以外の層構成が異なる媒体について 、光線透過率の直接の対比が可能である。
III-8-3.収縮率
 少ない角度多重記録を行った後で、残存す 反応性化合物を一括露光などの方法により 応させて消費させた時、角度を再度測定す ことで一括露光による収縮率を測定するこ ができる。角度の変化が少ない方が、即ち 縮率の小さい方が媒体として良い性能であ といえる。

 本実施の形態のホログラム記録媒体に設 られた記録層は、例えば記録層膜厚500μmと て評価した場合に、通常一括露光による収 率(以下、単に収縮率ということがある)が0. 25%以下、好ましくは0.20%以下、特に好ましく 0.15%以下である。また、収縮率は、モノマ のパッキング性が高く重合すると逆に膨れ ような場合、あるいは反応が開環反応の様 膨張を伴うような場合、逆にマイナスの値 示すことも予測されるが、この場合も収縮 様媒体としての性能は良くないことが予想 れる。よって、収縮率の値はゼロに近いほ よく、ゼロであることが最も好ましい。こ 収縮率は、具体的には後述の実施例の項に 載した方法で測定される。

 なお、一括露光による収縮率は一般に、記 層膜厚が厚くなっても変化しないはずであ 、記録層膜厚200~700μmにおいては、概ね同じ 値を示す。従って、この範囲内であれば、記 録層膜厚が500μmでない記録媒体についても、 収縮率を直接対比することができる。
 一方、光透過率と同様に1000μmを超える範囲 については、記録層膜厚に対する光透過率が 100%である場合を除き、記録層膜厚200~700μmに ける収縮率よりも小さくなる。

 なお、基板や保護層、反射層など、ホログ ム記録媒体を構成する記録層以外の層は、 記の方法で評価する限り、収縮率の値に大 く影響しないので、記録層以外の層構成が なる媒体についても、収縮率の直接の対比 可能である。
III-8-4.(M/#)/収縮率
 上記収縮率は低い方がよいが、それは記録 後の変化の指標であるから露光しても未記 であれば変化はなくゼロとなり、この値の 小で記録性能の評価は十分ではない。

 前述の如く、M/#は光反応性化合物の添加 に強く依存するので、これとのバランスを ることができれば高性能の媒体を得ること できるといえる。但し、一般にM/#と収縮率 トレードオフの関係にあり、M/#を大きくす ために光反応性化合物の添加量を多くする 、収縮率が大きくなる傾向がある。よってM /#を収縮率で割った値が性能の良し悪しを表 指標ということができる。

 以上のことからM/#を収縮率で割った値は大 い方が優れており小さい方が劣っていると うことができる。
 本実施の形態のホログラム記録媒体は高いM /#を保持しながら低収縮率を実現するもので り、記録層500μm厚の媒体で評価した場合、M /#の収縮率に対する比で、通常100以上、好ま くは150以上、特に好ましくは200以上を達成 るものである。

 容量が大きく誤り率やノイズの少ない媒体 高性能ということができるが、媒体として 性能は材料だけによるものとは一般的に言 切れないため、材料としての性能に読み替 ることで効率的な材料開発を行うことが可 となる。このための指針としてM/#と収縮率 意味があるということができる。
IV.本発明に係る重合性の反応性化合物につい て
 本発明に係る重合性の反応性化合物のうち 下記式(2)で表される化合物は新規化合物で る。 

(式(2)において、A 2 は置換基を有していてもよい、ベンゼン環、 ナフタレン環およびジベンゾチオフェン環か らなる群から選ばれる環であり、
Ar 2 は、置換基を有していてもよい、スピロ炭素 を含まない、2以上の環が縮合した(ヘテロ)ア リール基であり、
Rは水素又はメチル基であり、
n 2 は1~7の整数であり、
n 2 が2以上の場合、複数のAr 2 は同一であっても異なっていてもよい。)
IV-1.式(2)の各成分について
 以下に、式2で表される反応性化合物につい て、詳細に説明する。

IV-1-1.A 2
 式(2)において、A 2 は置換基を有していてもよい、ベンゼン環、 ナフタレン環およびジベンゾチオフェン環か らなる群から選ばれる環である。A 2 は、Ar 2 以外に更に置換基を有していてもよい。A 2 が有していてもよい置換基としては、相溶性 を低下させないものや屈折率を低下させない ものであれば特に限定されず、式(1)における AがAr以外に有していてもよい置換基の具体例 として前述したものなどが挙げられる。

IV-1-2.Ar 2
 式(2)において、Ar 2 は、置換基を有していてもよい、スピロ炭素 を含まない、2以上の環が縮合した(ヘテロ)ア リール基である。具体例としては、式(1)にお けるArの具体例として前述した基のうち、ス ロ炭素を含まないものが挙げられる。好適 もArと同様である。
IV-1-3.n 2
式(2)におけるn 2 は1~7の整数であり、n 2 が2以上の場合、複数のAr 2 は同一であっても異なっていてもよい。n 2 は、溶剤やマトリックスとの良い溶解性を得 るためには、好ましくは1~5、更に好ましくは 1~3、中でも1または2である。
 上記式(2)で表される化合物は、好ましくは 記式(2-1)で表される。

(式(2-1)において、Ar 21 は、6員環および/または5員環が2または3縮合 た縮合多環構造を有し、該縮合多環構造の 格中に1以上のヘテロ原子を有し、該ヘテロ 原子が酸素および/または硫黄である、ヘテ アリール基であり、Rは水素又はメチル基で り、n 21 は1~5の整数であり、n 21 が2以上の場合、複数のAr 21 は同一であっても異なっていてもよい。なお 、Ar 21 を有するベンゼン環は、Ar 21 以外に更に置換基を有していても良い。)
 以下に、式(2-1)で表される反応性化合物に いて、詳細に説明する。

IV-2.式(2-1)の各成分について
 <Ar 21 >
 式1において、Ar 21 は、6員環および/または5員環が2または3縮合 た縮合多環構造を有し、該縮合多環構造の 格中に1以上のヘテロ原子を有し、該ヘテロ 原子が酸素および/または硫黄である、ヘテ アリール基である。Ar 21 としては、前記条件を満たすヘテロアリール 基であれば、特に限定されないが、溶解性や 着色の理由により、前記縮合多環構造の骨格 中に有するヘテロ原子の数は1または2である とが好ましく、ヘテロ原子は屈折率の観点 ら酸素及び/また硫黄が好ましい。また、Ar 21 の好ましい置換位置は、1つの場合はどこで よく、2つ以上の場合は合成収率が高いとの 由により互いに隣接しないことが好ましい

 以下にAr 21 の具体例を以下に例示するが、本発明はその 要旨を超えない限りこれらに限定されるもの ではない。

 この他、ベンゾチオキサン、ベンゾチオキ ン、ジベンゾチオキシン、ベンゾジオキサ 、ベンゾジオキシン、ベンゾジオキシンな がある。
 これらのうち、屈折率の点で好ましくはチ ンスレン、ジベンゾチオフェン、ベンゾチ フェンであり、更に好ましくはチアンスレ 、ジベンゾチオフェンである。
<n 21 >
 式(2-1)において、n 21 は1~7の整数であり、nが2以上の場合、複数のA r 21 は同一であっても異なっていてもよい。n 21 は、溶剤や反応性モノマーとの良い溶解性を 得るためには、好ましくは1~5、更に好ましく は1~3、中でも1または2であることが好ましい

 <Ar 21 以外に更に有していても良い置換基>
 Ar 21 を有するベンゼン環は、Ar 21 以外に更に置換基を有していても良い。例え ば、さらに溶解性を向上させるために、アル キル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル 基、アルコキシカルボニル基、アルコキシア ルコキシ基、アルカノイルオキシ基、屈折率 を上昇させるために、アリール基、アルキル チオアルキル基、アリールオキシ基、アリー ルアルコキシル基を置換させても良い。但し 、経済的な合成の達成のためには無置換であ ることが好ましい。

 ここでアルキル基とは、好ましくは炭素数1 ~4の鎖状アルキル基であり、具体的にはメチ 基、エチル基、プロピル基、イソプロピル 、ブチル基、イソブチル基、セカンダリー チル基などが挙げられる。
 アルコキシ基とは、好ましくは炭素数1~4の ルコキシ基であり、具体的にはメトキシ基 エトキシ基などが挙げられる。

 アルコキシアルキル基とは、好ましくは炭 数2~6のアルコキシアルキル基であり、具体 にはメトキシメチル基、エトキシメチル基 プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、 トキシエチル基、エトキシエチル基、プロ キシエチル基、ブトキシエチル基などが挙 られる。
 アルコキシカルボニル基とは、好ましくは 素数2~5のアルコキシカルボニル基であり、 体的にはメトキシカルボニル基、エトキシ ルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブ キシカルボニル基などが挙げられる。

 アルコキシアルコキシ基とは、好ましくは 素数3~6のアルコキシアルコキシ基であり、 体的にはメトキシエトキシ基、エトキシエ キシ基、プロポキシエトキシ基、ブトキシ トキシ基などが挙げられる。
 アルカノイルオキシ基とは、好ましくは炭 数2~5のアルカノイルオキシ基であり、具体 にはアセトキシ基、プロピオノキシ基、ブ ロキシ基、バレロキシ基などが挙げられる

 アリール基とは、好ましくは炭素数6~14の単 環または縮合環からなるアリール基であり、 具体的にはフェニル基、ナフチル基、アント ラニル基などが挙げられる。
 アルキルチオアルキル基とは、好ましくは 素数2~4のアルキルチオアルキル基であり、 体的にはメチルチオメチル基、メチルチオ チル基、エチルチオメチル基、エチルチオ チル基などが挙げられる。

 アリールオキシ基とは、炭素数6~14の単環ま たは縮合環からなるアリールオキシ基であり 、具体的にはフェノキシ基などが挙げられる 。
 アリールアルコキシ基とは、炭素数7~5のア ールアルコキシ基であり、具体的にはベン ルオキシ基などが挙げられる。
 なお、式(2-1)で示される化合物の好ましい のは、さらに下記の式(2-2)で示される。

(式(2-2)において、B 2 は6員環および/または5員環の、単環または2 合環であり、さらにその骨格中に1以上のヘ ロ原子を有し、該ヘテロ原子が酸素および/ または硫黄原子であるヘテロアリール基であ り、Rは水素又はメチル基であり、n 22 は1~5の整数であり、n 22 が2以上の場合、複数の環B 2 は同一であっても異なっていてもよい。なお 、式(2-2)で示される化合物は環B 2 を含むヘテロアリール基以外に更に置換基を 有していても良い。)
IV-3.式2の各成分について
 <環B 2 >
 式(2-2)において、環B 2 は6員環および/または5員環の、単環または2 合環であり、さらにその骨格中に1以上のヘ ロ原子を有し、該ヘテロ原子が酸素および/ または硫黄原子であるヘテロアリール基であ る。環B 2 としては、前記条件を満たすヘテロアリール 基であれば、特に限定されないが、溶解性や 着色の理由により、環B 2 骨格中に有するヘテロ原子の数は1または2で ることが好ましく、ヘテロ原子は屈折率の 点から酸素および/または硫黄が好ましい。 また、環B 2 を含むヘテロアリール基、すなわち環B 2 がベンゼン環とともに形成する縮合多環構造 を有するヘテロアリール基の好ましい置換位 置は、1つの場合はどこでもよく、2つ以上の 合は合成収率が高いとの理由により互いに 接しないことが好ましい。

 環B 2 を含むヘテロアリール基としては、例えば、 式(1)のArとして例示したもののうち、式(2-2) 構造に該当するものが挙げられる。ただし 本発明はその要旨を超えない限りこれらに 定されるものではない。
 <n 22 >
 式(2-2)におけるn 22 は式1におけるnと同義である。

<環B 2 を含むヘテロアリール基以外に有していても 良い置換基>
 式(2-2)で示される化合物は、環B 2 を含むヘテロアリール基以外に更に置換基を 有していても良い。式(2-2)における「環B 2 を含むヘテロアリール基以外に更に有してい てもよい置換基」とは、式1における「Ar以外 に更に有していても良い置換基」と同義であ る。
IV-4.分子量、水溶性
 以上に説明した式(2)、好ましくは式(2-1)、 に好ましくは式(2-2)で表される反応性化合物 は、光照射時の架橋に伴う収縮率低減の点か ら、通常分子量1500以下、好ましくは1000以下 更に好ましくは850以下、特に好ましくは750 下、中でも600以下であって、通常300以上、 ましくは350以上、中でも400以上であること 好ましい。

 また、式(2)で表される反応性化合物は、記 媒体等の保存安定性を向上させる理由から 通常水不溶性であることが好ましい。ここ 「水不溶性」とは、25℃、1気圧の条件下に ける水に対する溶解度が、通常0.1重量%以下 、好ましくは0.01重量%以下であることを言う
IV-5.屈折率
 式(2)、好ましくは式(2-1)、更に好ましくは (2-2)で表される反応性化合物は、照射光波長 (記録波長、等)における屈折率または見かけ 屈折率が通常1.600~1.780、好ましくは1.620~1.770 の範囲である。たとえば式1好ましくは式2で される反応性化合物をホログラム記録材料 して用いる場合、屈折率が1.600より小さい 回折効率が大きくなく、多重度が十分でな 。また、屈折率が1.780より大きいとマトリッ クス樹脂との屈折率の差が大きくなりすぎて 散乱が大きくなることにより透過度が低下し て記録や再生に際してより大きなエネルギー を要することとなる。

 なお、屈折率は短い波長で評価すると大き 値を示すが、短波長で相対的に大きい屈折 を示すサンプルは、長波長でも相対的に大 い屈折率を示し、その関係が逆転すること ない。従って、記録波長以外の波長で屈折 または見かけの屈折率を評価し、記録波長 の屈折率を予測することも可能である。
 ここでは、589nmの記録波長での値を基準と た。

 ここで見かけの屈折率とは、当該化合物が 体である場合、そのままでは屈折率を測定 きないため、後述の合成例1に記載したよう に、適当な溶媒に化合物を溶解して溶液とし 、この溶液の屈折率を測定し、化合物が100% 場合の屈折率を外挿により求めた値をさす
IV-6.例示化合物
 式(2)、好ましくは式(2-1)、更に好ましくは (2-2)で表される反応性化合物の具体例を以下 に例示するが、本発明はその要旨を超えない 限りこれらに限定されるものではない。

 2-(1-チアンスレニル)-1-フェニル アクリ ート、2-(2-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル  アクリレート、2-(3-ベンゾチオフェニル)-1-フ ェニル アクリレート、2-(4-ジベンゾフラニ )-1-フェニル アクリレート、2-(4-ジベンゾチ オフェニル)-1-フェニル アクリレート、3-(1- アンスレニル)-1-フェニル アクリレート、3 -(2-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル アクリ ート、3-(3-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル  アクリレート、3-(4-ジベンゾフラニル)-1-フェ ニル アクリレート、3-(4-ジベンゾチオフェ ル)-1-フェニル アクリレート、4-(1-チアンス レニル)-1-フェニル アクリレート、4-(2-ベン チオフェニル)-1-フェニル アクリレート、4 -(3-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル アクリ ート、4-(4-ジベンゾフラニル)-1-フェニル ア クリレート、4-(4-ジベンゾチオフェニル)-1-フ ェニル アクリレート、2、4-ビス(1-チアンス ニル)-1-フェニル アクリレート、2、4-ビス( 2-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル アクリレ ト、2、4-ビス(3-ベンゾチオフェニル)-1-フェ ニル アクリレート、2、4-ビス(4-ジベンゾフ ニル)-1-フェニル アクリレート、2、4-ビス( 4-ジベンゾチオフェニル)-1-フェニル アクリ ート、4-メチル-2、6-ビス(1-チアンスレニル) -1-フェニル アクリレート、4-メチル-2、6-ビ (2-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル アクリ ート、4-メチル-2、6-ビス(3-ベンゾチオフェ ル)-1-フェニル アクリレート、4-メチル-2、 6-ビス(4-ジベンゾフラニル)-1-フェニル アク レート、4-メチル-2、6-ビス(4-ジベンゾチオ ェニル)-1-フェニル アクリレート、2-(1-チ ンスレニル)-1-フェニル メタクリレート、2- (2-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル メタクリ レート、2-(3-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル  メタクリレート、2-(4-ジベンゾフラニル)-1- ェニル メタクリレート、2-(4-ジベンゾチオ フェニル)-1-フェニル メタクリレート、3-(1- アンスレニル)-1-フェニル メタクリレート 3-(2-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル メタ リレート、3-(3-ベンゾチオフェニル)-1-フェ ル メタクリレート、3-(4-ジベンゾフラニル) -1-フェニル メタクリレート、3-(4-ジベンゾ オフェニル)-1-フェニル メタクリレート、4- (1-チアンスレニル)-1-フェニル メタクリレー ト、4-(2-ベンゾチオフェニル)-1-フェニル メ クリレート、4-(3-ベンゾチオフェニル)-1-フ ニル メタクリレート、4-(4-ジベンゾフラニ ル)-1-フェニル メタクリレート、4-(4-ジベン チオフェニル)-1-フェニル メタクリレート 2、4-ビス(1-チアンスレニル)-1-フェニル メ クリレート、2、4-ビス(2-ベンゾチオフェニ )-1-フェニル メタクリレート、2、4-ビス(3- ンゾチオフェニル)-1-フェニル メタクリレ ト、2、4-ビス(4-ジベンゾフラニル)-1-フェニ ル メタクリレート、2、4-ビス(4-ジベンゾチ フェニル)-1-フェニル メタクリレート、4- チル-2、6-ビス(1-チアンスレニル)-1-フェニル  メタクリレート、4-メチル-2、6-ビス(2-ベン チオフェニル)-1-フェニル メタクリレート 4-メチル-2、6-ビス(3-ベンゾチオフェニル)-1- フェニル メタクリレート、4-メチル-2、6-ビ (4-ジベンゾフラニル)-1-フェニル メタクリ ー ト、4-メチル-2、6-ビス(4-ジベンゾチオ ェニル)-1-フェニル メタクリレート、等。

IV-7.合成方法
 式(2)、好ましくは式(2-1)、更に好ましくは (2-2)で示される化合物は、公知の種々の方法 を組み合わせることにより、合成することが できる。
 即ち、環A 2 の(メタ)アクリロイル基導入位置に水酸基、n 2 個のAr 2 基導入位置に各々Xを有する化合物(a 2 )と、導入したい位置で置換するホウ酸化Ar 2 化合物(b 2 )とに対して適当なカップリング反応を行い 前駆体(c 2 )を合成することによって得られる。下記式 おいて、Xはハロゲン原子であり、臭素かヨ 素であることが好ましいが、塩素でも構わ い。
 また、A 2 、Ar 2 およびn 2 はいずれも一般式(2)におけるのと同義である 。

 (1)ホウ酸化Ar 2 化合物(b 2 )は、Ar 2 化合物をブチルリチウムでリチオ化し、ホウ 酸エステルでトラップした後、加水分解によ り合成することが出来る。
 (2)得られたホウ酸化Ar 2 化合物(b 2 )と環A 2 の(メタ)アクリロイル基導入位置に水酸基、A r 2 基導入位置にXを有する化合物(a 2 )とは、適当な有機溶剤に溶かし適当な塩基 金属触媒によりカップリング反応を行い、 駆体(c 2 )を合成することが出来る。
 なお、上記化合物(a 2 )は市販品を購入する、あるいは水酸基を有 る化合物をハロゲン化させることにより得 ことが出来る。ハロゲン化は、例えば塩素 臭素、ヨウ素、N-ブロモコハク酸イミド、塩 素化ヨウ素によってなされる。さらに、水酸 基を有する化合物は、対応するハロゲン化物 、硫酸化物、硝酸化物、ホウ酸化物から得る ことが出来る。
 有機溶剤としてはジメトキシエタン、テト ヒドロフラン、メタノール、エタノール、 ルエン、水などを単独に或いは組み合わせ 使用することが出来る。
 塩基としては、トリエチルアミン、ピリジ 、炭酸水素ナトリム、炭酸ナトリム、炭酸 リウムなどを単独に或いは組み合わせて使 することが出来る。
 金属触媒は、塩化パラジウム、酢酸パラジ ム、テトラキス(トリフェニルホスフィン) ラジウムなどを使うことが出来る。

 触媒の溶解性を改善して使用する量を減ら ために3級アミン化合物であるジアザビシク ロオクタン、3級ホスフィン化合物であるト ブチルホスフィン、イミダゾール化合物で る1-メチルイミダゾールなどを一緒に使用し ても良い。
 また、上記前駆体(c 2 )を再度ハロゲン化することにより、Arが置換 した化合物(a 2 )相当を得ることが出来るので、これに従え 異なるArを有する前駆体(c 2 )を得ることが可能である。ハロゲン化は上 と同様にして例えば塩素、臭素、ヨウ素、N- ブロモコハク酸イミド、塩素化ヨウ素によっ てなされる。

 このようにして得られた前駆体(c 2 )と、3級アミン、ピリジンまたはイミダゾー 等の塩基を共存させたところに塩化アクリ (Rが水素の場合)または塩化メタクリル(Rが チル基の場合)と作用させることにより、式( 2)で示される化合物を得ることができる。

 V.本発明の光反応性組成物について
 本発明の光反応性組成物は、前述の式(2)で される反応性化合物を有するものであるが 上述の反応性化合物以外の重合性の化合物 含んでいてもよい。
 本発明の反応性化合物、光反応性組成物お びそれを用いた光学材料は、種々の光学製 に適用可能である。高い回折効率と低い収 率の点において優れた特性を有し、レンズ 光記録、光造形、光レリーフ印刷などに好 に用いることができる。中でもIII.に前述し たホログラム記録媒体における記録層形成等 の用途に特に好適に用いることが出来る。
 本発明の光反応性組成物をホログラム記録 形成用組成物として用いる場合の好ましい 様については、I.の項に前述したとおりで る。

 VI.本発明の光学材料について
 本発明の光学材料は、上述の本発明の光反 性組成物を含有することを特徴とする。
 本発明の光学材料は上記種々の用途に適用 能であり、特にホログラム記録媒体の記録 形成等の用途に好適である。本発明の光学 料をホログラム記録材料として用いる場合 好ましい態様については、II.の項に前述し とおりである。
 また、本発明の反応性化合物、光反応性組 物およびそれを用いた光学材料をホログラ 記録材料として、ホログラム記録媒体の記 層形成の用途に適用する場合の詳細につい は、III.の項に前述したとおりである。

 次に、本発明を実施例により更に具体的に 明するが、本発明はその要旨を超えない限 、以下の実施例の記載に限定されるもので ない。尚、以下の記載中「部」とは、特に り書きのない限り、「重量部」を指すもの する。
 [合成例1:3-(1-チアンスレニル)フェニル ア リレートの合成]
 (i)3-(1-チアンスレニル)フェノールの合成
 4つ口のガラスフラスコに還流管と温度計と 磁石を内包するテフロン(登録商標)バーを備 、そこへ1-チアンスレンホウ酸2.5g、テトラ ス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.31g 、3-ヨードベンゼン1.65gを置き、ジメトキシ タン80mlを加えて撹拌させたところに、1Mの 曹水11mlを加えて、フラスコを80℃の油浴に れて6時間加熱させる。室温まで冷やして二 になるまでエバポレーターで濃縮し、塩化 チレン50mlを加えて水層と分離する。水層を 塩化メチレンで洗浄し先の塩化メチレン溶液 と合わせ、硫酸マグネシウムを加えて乾燥さ せる。濾紙で濾過して濃縮し、シリカゲルカ ラムで分離(溶離液はヘキサン:酢酸エチル=70: 30(体積比))してRf0.42の成分を濃縮し上記白色 体1.95g(収率84%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.6(s、1H)、7.20-7.51(m、11H)。

 (ii) 3-(1-チアンスレニル)フェニル アクリ ートの合成
 丸底フラスコに上記にて得た3-(1-チアンス ニル)フェノール1.95gを置き、塩化メチレン10 mlに溶かし、フラスコを氷冷してトリエチル ミン0.77gを加えた後、塩化アクリル0.68gを滴 下し、全部加えた後、室温に戻して30分撹拌 る。水を10ml加え強く撹拌した後、水層を除 き、水層を塩化メチレンで洗浄して元の塩化 メチレン溶液を合わせ、硫酸マグネシウムを 加えて乾燥させる。濾紙で濾過して濃縮し、 シリカゲルカラムで分離(溶離液はヘキサン: 酸エチル=80:20(体積比))してRf0.50の成分を濃 し上記白色固体1.5g(収率66%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)6.00(dd=1.2&10.4Hz、1H)、6.33(dd=10.4& amp;17.2Hz、1H)、6.62(dd=1.2&17.2Hz、1H)、7.20-7.51( m、11H)。

 [合成例2:2,4-ビス(2-ベンゾチオフェニル)フ ニル アクリレートの合成]
 (i)2,4-ビス(2-ベンゾチオフェニル)フェノー の合成
 実施例1の(i)と同様に、2-ベンゾチオフェン ウ酸2.5g、テトラキス(トリフェニルホスフ ン)パラジウム0.48g、2,4-ジブロモフェノール1 .41gを置き、ジメトキシエタン70mlを加えて撹 させたところに、1Mの重曹水16mlを加えて、 ラスコを80℃の油浴に入れて4時間加熱させ 。室温まで冷やして二層になるまでエバポ ーターで濃縮し、塩化メチレン50mlを加えて 水層と分離する。水層を塩化メチレンで洗浄 し先の塩化メチレン溶液と合わせ、硫酸マグ ネシウムを加えて乾燥させる。濾紙で濾過し て濃縮し、シリカゲルカラムで分離(溶離液 ヘキサン:酢酸エチル=80:20(体積比))してRf0.21 分を濃縮し上記白色固体1.31g(収率65%)を得る 。
1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.6(s、1H)、7.31-7.40(m、5H)、7.59(s、2 H)、7.70-7.85(m、5H)、8.05(d=2.4Hz、1H)。

 (ii)2,4-ビス(2-ベンゾチオフェニル)フェニル アクリレートの合成
 丸底フラスコに上記にて得た2,4-ビス(2-ベン ゾチオフェニル)フェノール1.31gを置き、塩化 メチレン20mlとテトラヒドロフラン2mlを加え 透明な溶液とし、フラスコを氷冷してトリ チルアミン0.44gを加えた後、塩化アクリル0.3 9gを滴下し、全部加えた後、室温に戻して30 撹拌する。水を10ml加え強く撹拌した後、水 を除き、水層を塩化メチレンで洗浄して元 塩化メチレン溶液を合わせ、硫酸マグネシ ムを加えて乾燥させる。濾紙で濾過して濃 し、シリカゲルカラムで分離(溶離液はヘキ サン:酢酸エチル=90:10(体積比))してRf0.20の成 を濃縮し上記白色固体1.0g(収率66%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)6.06(dd=1.2&10.8Hz、1H)、6.38(dd=10.8& amp;17.2Hz、1H)、6.64(dd=1.2&17.2Hz、1H)、7.31-7.40( m、5H)、7.59(s、2H)、7.70-7.85(m、5H)、8.05(d=2.4Hz、 1H)。

 [合成例3:2,4-ビス(3-ベンゾチオフェニル)フ ニル アクリレートの合成]
 (i)2,4-ビス(3-ベンゾチオフェニル)フェノー の合成
 実施例1の(i)と同様に、3-ベンゾチオフェン ウ酸2.5g、テトラキス(トリフェニルホスフ ン)パラジウム0.48g、2,4-ジブロモフェノール1 .41gを置き、ジメトキシエタン80mlを加えて撹 させたところに、1Mの重曹水16mlを加えて、 ラスコを80℃の油浴に入れて4時間加熱させ 。室温まで冷やして二層になるまでエバポ ーターで濃縮し、塩化メチレン50mlを加えて 水層と分離する。水層を塩化メチレンで洗浄 し先の塩化メチレン溶液と合わせ、硫酸マグ ネシウムを加えて乾燥させる。濾紙で濾過し て濃縮し、シリカゲルカラムで分離(溶離液 ヘキサン:酢酸エチル=80:20(体積比))してRf0.25 分を濃縮し上記白色固体1.96g(収率97%)を得る 。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.6(s、1H)、7.38-7.47(m、7H)、7.65-7.75( m、3H)、7.88-7.96(m、3H)。

 (ii)2,4-ビス(3-ベンゾチオフェニル)フェニル アクリレートの合成
 丸底フラスコに上記にて得た2,4-ビス(3-ベン ゾチオフェニル)フェノール1.96gを置き、塩化 メチレン10mlを加えて透明な溶液とし、フラ コを氷冷してトリエチルアミン0.66gを加えた 後、塩化アクリル0.59gを滴下し、全部加えた 、室温に戻して30分撹拌する。水を10ml加え く撹拌した後、水層を除き、水層を塩化メ レンで洗浄して元の塩化メチレン溶液を合 せ、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させる 濾紙で濾過して濃縮し、シリカゲルカラム 分離(溶離液はヘキサン:酢酸エチル=90:10(体 比))してRf0.20の成分を濃縮し上記白色固体1. 43g(収率63%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.78(dd=1.2&10.8Hz、1H)、6.01(dd=10.8& amp;17.2Hz、1H)、6.26(dd=1.2&17.2Hz、1H)、7.38-7.47( m、7H)、7.65-7.75(m、3H)、7.88-7.96(m、3H)。

 [合成例4:2,4-ビス(4-ジベンゾフラニル)フェ ル アクリレートの合成]
 (i)2,4-ビス(4-ジベンゾフラニル)フェノール 合成
 実施例1の(i)と同様に、4-ジベンゾフランホ 酸3.0g、テトラキス(トリフェニルホスフィ )パラジウム0.46g、2,4-ジブロモフェノール1.69 gを置き、ジメトキシエタン80mlを加えて撹拌 せたところに、1Mの重曹水16mlを加えて、フ スコを80℃の油浴に入れて3時間加熱させる 室温まで冷やして二層になるまでエバポレ ターで濃縮し、塩化メチレン50mlを加えて水 層と分離する。水層を塩化メチレンで洗浄し 先の塩化メチレン溶液と合わせ、硫酸マグネ シウムを加えて乾燥させる。濾紙で濾過して 濃縮し、シリカゲルカラムで分離(溶離液は キサン:酢酸エチル=80:20(体積比))してRf0.20成 を濃縮し上記白色固体1.89g(収率66%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.6(s、1H)、7.34-7.38(m、2H)、7.41-7.46( m、4H)、7.51-7.61(m、4H)、7.66-7.68(m、1H)、7.95-7.98( m、4H)、7.99-8.00(m、1H)、8.05-8.06(m、1H)。

 (ii)2,4-ビス(4-ジベンゾフラニル)フェニル  クリレートの合成
 丸底フラスコに上記にて得た2,4-ビス(4-ジベ ンゾフラニル)フェノール1.89gを置き、塩化メ チレン20mlを加えて透明な溶液とし、フラス を氷冷してトリエチルアミン0.54gを加えた後 、塩化アクリル0.48gを滴下し、全部加えた後 室温に戻して30分撹拌する。水を10ml加え強 撹拌した後、水層を除き、水層を塩化メチ ンで洗浄して元の塩化メチレン溶液を合わ 、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させる。 紙で濾過して濃縮し、シリカゲルカラムで 離(溶離液はヘキサン:酢酸エチル=90:10(体積 ))してRf0.20の成分を濃縮し上記白色固体1.69g (収率79%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.66(dd=1.2&10.8Hz、1H)、5.98(dd=10.8& amp;17.2Hz、1H)、6.28(dd=1.2&17.2Hz、1H)、7.34-7.38( m、2H)、7.41-7.46(m、4H)、7.51-7.61(m、4H)、7.66-7.68( m、1H)、7.95-7.98(m、4H)、7.99-8.00(m、1H)、8.05-8.06( m、1H)。

 [合成例5:3-(4-ジベンゾチオフェニル)フェニ  アクリレートの合成]
 (i)3-(4-ジベンゾチオフェニル)フェノールの 成
 実施例1の(i)と同様に、4-ジベンゾチオフェ ホウ酸1.5g、テトラキス(トリフェニルホス ィン)パラジウム0.22g、3-ヨードベンゼン1.21g 置き、ジメトキシエタン50mlを加えて撹拌さ せたところに、1Mの重曹水7.5mlを加えて、フ スコを80℃の油浴に入れて6時間加熱させる 室温まで冷やして二層になるまでエバポレ ターで濃縮し、塩化メチレン30mlを加えて水 と分離する。水層を塩化メチレンで洗浄し の塩化メチレン溶液と合わせ、硫酸マグネ ウムを加えて乾燥させる。濾紙で濾過して 縮し、シリカゲルカラムで分離(溶離液はヘ キサン:酢酸エチル=70:30(体積比))してRf0.40の 分を濃縮し上記白色固体1.03g(収率68%)を得る 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.6(s、1H)、7.20-7.24(m、1H)、7.44-7.55( m、6H)、7.62-7.65(m、1H),7.82-7.85(m、1H),8.14-8.19(m、 2H)。

 (ii) 3-(4-ジベンゾチオフェニル)フェニル  クリレートの合成
 丸底フラスコに上記にて得た3-(4-ジベンゾ オフェニル)フェノール1.03gを置き、塩化メ レン15mlに懸濁させ、フラスコを氷冷してト エチルアミン0.45gを加えた後、塩化アクリ 0.40gを滴下し、全部加えた後、室温に戻して 30分撹拌する。水を10ml加え強く撹拌した後、 水層を除き、水層を塩化メチレンと酢酸エチ ルでそれぞれ洗浄して元の塩化メチレン溶液 を合わせ、硫酸マグネシウムを加えて乾燥さ せる。濾紙で濾過して濃縮し、シリカゲルカ ラムで分離(溶離液はヘキサン:酢酸エチル=80: 20(体積比))してRf0.50の成分を濃縮し上記白色 体0.90g(収率73%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)6.03(dd=1.2&10.4Hz、1H)、6.36(dd=10.4& amp;17.2Hz、1H)、6.64(dd=1.2&17.2Hz、1H)、7.20-7.24( m、1H)、7.44-7.55(m、6H)、7.62-7.65(m、1H),7.82-7.85(m 1H),8.14-8.19(m、2H)。

 [合成例6:2,4-ビス(4-ジベンゾチオフェニル) ェニル アクリレートの合成]
 (i)2,4-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)フェノ ルの合成
 実施例1の(i)と同様に、4-ジベンゾチオフェ ホウ酸3.0g、テトラキス(トリフェニルホス ィン)パラジウム0.41g、2,4-ジブロモフェノー 1.58gを置き、ジメトキシエタン40mlを加えて 拌させたところに、1Mの重曹水15mlを加えて フラスコを80℃の油浴に入れて3時間加熱さ る。室温まで冷やして二層になるまでエバ レーターで濃縮し、塩化メチレン50mlを加え て水層と分離する。水層を塩化メチレンで洗 浄し先の塩化メチレン溶液と合わせ、硫酸マ グネシウムを加えて乾燥させる。濾紙で濾過 して濃縮し、シリカゲルカラムで分離(溶離 はヘキサン:酢酸エチル=80:20(体積比))してRf0. 27成分を濃縮し上記白色固体1.02g(収率35%)を得 る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.6(s、1H)、7.16-8.25(m、17H)。

 (ii)2,4-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)フェニ  アクリレートの合成
 丸底フラスコに上記にて得た2,4-ビス(4-ジベ ンゾチオフェニル)フェノール1.02gを置き、塩 化メチレン5mlを加えて透明な溶液とし、フラ スコを氷冷してトリエチルアミン0.27gを加え 後、塩化アクリル0.24gを滴下し、全部加え 後、室温に戻して30分撹拌する。水を10ml加 強く撹拌した後、水層を除き、水層を塩化 チレンで洗浄して元の塩化メチレン溶液を わせ、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させ 。濾紙で濾過して濃縮し、シリカゲルカラ で分離(溶離液はヘキサン:酢酸エチル=80:20( 積比))してRf0.42の成分を濃縮し上記白色固体 1.0g(収率88%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)6.05(dd=1.2&10.4Hz、1H)、6.37(dd=10.4& amp;17.2Hz、1H)、6.66(dd=1.2&17.2Hz、1H)、7.30-8.25( m、17H)。

 [合成例7:2,6-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)-4 -メチルフェニル アクリレートの合成]
 (i)2,6-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)-4-メチ フェノールの合成
 実施例1の(i)と同様に、4-ジベンゾチオフェ ホウ酸2.5g、テトラキス(トリフェニルホス ィン)パラジウム0.38g、2,6-ジブロモ-4-メチル ェノール1.16gを置き、ジメトキシエタン70ml テトラヒドロフラン10mlを加えて不均一なま まで撹拌させたところに、1Mの重曹水12.4mlを えて、フラスコを80℃の油浴に入れて8時間 熱させる。加熱に伴って徐々に溶液は透明 を増していく。室温まで冷やして二層にな までエバポレーターで濃縮し、塩化メチレ 50mlを加えて水層と分離する。水層を塩化メ チレンで洗浄し先の塩化メチレン溶液と合わ せ、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させる。 濾紙で濾過して濃縮し、シリカゲルカラムで 分離(溶離液はヘキサン:酢酸エチル=80:20(体積 比))してRf0.27成分を濃縮し上記白色固体1.35g( 率60%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)2.43(s、3H)、5.05(s、1H)、7.38(s、2H) 7.43-7.50(m、4H)、7.55-7.60(m、4H)、7.80(m、2H)、8.20 (m、4H)。

 (ii)2,6-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)-4-メチ フェニル アクリレートの合成
 丸底フラスコに上記にて得た2,6-ビス(4-ジベ ンゾチオフェニル)-4-メチルフェノール1.35gを 置き、塩化メチレン20mlを加えて、フラスコ 氷冷してトリエチルアミン0.33gを加えた後、 塩化アクリル0.30gを滴下し、全部加えた後、 温に戻して30分撹拌する。水を10ml加え強く 拌した後、水層を除き、水層を塩化メチレ で洗浄して元の塩化メチレン溶液を合わせ 硫酸マグネシウムを加えて乾燥させる。濾 で濾過して濃縮し、シリカゲルカラムで分 (溶離液はヘキサン:酢酸エチル=80:20(体積比) )してRf0.42の成分を濃縮し上記白色固体0.85g( 率57%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)2.57(s、3H)、5.41(dd=1.2&10.4Hz、1H) 5.64(dd=10.4&17.2Hz、1H)、5.97(dd=1.2&17.2Hz、1 H)、7.49-7.59(m、10H)、7.90(m、2H)、8.16-8.21(m、4H)

 [合成例8:2-(4-ジベンゾチオフェニル)フェニ  メタクリレートの合成]
 合成例5の(i)で得た3-(4-ジベンゾチオフェニ )フェノール0.65gを置き、塩化メチレン20mlに 溶かし、フラスコを氷冷してトリエチルアミ ン0.28gを加えた後、塩化メタクリル0.29gを滴 し、全部加えた後、室温に戻して30分撹拌す る。水を10ml加え強く撹拌した後、水層を除 、水層を塩化メチレンでそれぞれ洗浄して の塩化メチレン溶液を合わせ、硫酸マグネ ウムを加えて乾燥させる。濾紙で濾過して 縮し、シリカゲルカラムで分離(溶離液はヘ サン:酢酸エチル=80:10(体積比))してRf0.50の成 分を濃縮し上記白色固体0.63g(収率78%)を得る 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)2.09(s、3H)、5.77(dd=1.6Hz、1H)、6.39(s 1H)、7.21(m、1H)、7.45-7.55(m、6H)、7.62-7.64(m、1H) 、7.82-7.85(m、1H)、8.14-8.19(m、2H)。

 [合成例9:2,4,6-トリス(4-ジベンゾチオフェニ )フェニル アクリレートの合成]
(i)2,4,6-トリス(4-ジベンゾチオフェニル)フェ ールの合成
合成例1の(i)と同様に、4-ジベンゾチオフェン ホウ酸4.2g、2,4,6-トリブロモフェノール1.5g、 トラキス(トリフェイルホスフィン)パラジ ム0.33gを置き、トルエン30mlおよびエタノー 30mlを加えて攪拌させたところに、1Mの炭酸 トリウム水溶液20mlを加えて、フラスコを60 の油浴に入れて5時間加熱させる。室温まで やして、THFを50ml加えて充分に攪拌させ、不 溶物をろ過にて除去し、ろ液を水層と分離す る。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグ ネシウムを加えて乾燥させる。ろ過にて硫酸 マグネシウムを除去し、エバポレーターで濃 縮し、得られる濃褐色オイル状残渣にジクロ ロメタン200mlを加え、懸濁液とする。ろ過に 淡褐色個体を得、さらにエタノール100mlに 洗浄、乾燥し、上記淡褐色固体1.9g(収率66%) 得る。

(ii)2,4,6-トリス(4-ジベンゾチオフェニル)フェ ル アクリレートの合成
 丸底フラスコに上記にて得た2,4,6-トリス(4- ベンゾチオフェニル)フェノール1.5gを置き THF30mlを加えて、透明な溶液とし、フラスコ 氷冷してトリエチルアミン0.4gを加えた後、 塩化アクリル0.30gを滴下し、全部加えた後、 温に戻して30分間攪拌する。水30mlを加え、 く攪拌した後、ジクロロメタン100mlを加え 水層と分離する。水層をジクロロメタンで 浄して、もとのジクロロメタン溶液と合わ 、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させる。 紙でろ過して濃縮し、シリカゲルカラムで 離(溶離液はヘキサン/ジクロロメタン混合) て上記白色固体0.9g(収率59%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.44(dd=1.2&10.4Hz、1H)、5.63(dd=10.4& amp;17.2Hz、1H)、5.96(dd=1.2&17.2Hz、1H)、7.43-7.69( m、12H)、7.82-7.91(m、3H)、8.12(s、2H)、8.14-8.21(m、 6H)

 [合成例10:2,4-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)- 6-[4-(N-カルバゾール)フェニル]フェニルアク レートの合成]
(i)2,4-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)-6-ブロモ ェノールの合成
 丸底フラスコに、合成例6の(i)で得た2,4-ビ (4-ジベンゾチオフェニル)フェノール3.8gを置 き、DMF24mlを加えて透明な溶液としフラスコ 氷冷して、N-コハク酸イミド1.5gをDMF7mlに溶 した溶液を滴下し、全部加えた後、氷冷下 2時間攪拌する。反応液を水300ml中に投入し 懸濁液とし、ろ過にて分離し、淡紫色固体 冷却したジクロロメタン10mlで洗浄し、乾燥 、上記淡紫色固体3.2g(収率71%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.75(s、1H)、7.44-7.63(m、8H)、7.82-7.87 (m、3H)、8.00(d=2.4Hz、1H)、8.13-8.24(m、4H)

(ii)2,4-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)-6-[4-(N-カ ルバゾール)フェニル]フェノールの合成
 合成例1の(i)と同様に、4-(N-カルバゾール)フ ェニルホウ酸1.5g、上記にて得た2,4-ビス(4-ジ ンゾチオフェニル)-6-ブロモフェノール1.8g テトラキス(トリフェイルホスフィン)パラジ ウム0.2gを置き、トルエン40mlおよびエタノー 30mlを加えて攪拌させたところに、1Mの炭酸 トリウム水溶液5.4mlを加えて、フラスコを80 ℃の油浴に入れて6時間加熱させる。室温ま 冷やし、不溶物をろ過にて除去し、不溶固 をTHFにて充分洗浄する。ろ液と洗浄液を合 せ、酢酸エチル30mlおよび飽和食塩水30mlを加 えて、水層と分離する。有機層を飽和食塩水 で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥さ せる。ろ過にて硫酸マグネシウムを除去し、 エバポレーターで濃縮し、シリカゲルカラム で主生成物を分離(溶離液はヘキサン/ジクロ メタン混合)して上記白色固体1.7g(収率73%)を 得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.53(s、1H)、7.27-7.32(m、2H)、7.40-7.73 (m、14H)、7.84-7.90(m、3H)、7.97-8.02(m、3H)、8.14-8.3 0(m、6H)

(iii)2,4-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)-6-[4-(N- ルバゾール)フェニル]フェニル アクリレー の合成
 丸底フラスコに、上記にて得た2,4-ビス(4-ジ ベンゾチオフェニル)-6-[4-(N-カルバゾール)フ ニル]フェノール1.7gを置き、THF30mlを加えて 明な溶液とし、フラスコを氷冷してトリエ ルアミン0.4gを加えた後、塩化アクリル0.32g 滴下し、全部加えた後、室温に戻して30分 攪拌する。水15mlを加え、強く攪拌した後、 酸エチル30mlおよび飽和食塩水15mlを加えて 層と分離する。有機層を飽和食塩水で洗浄 、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させる。 紙でろ過して濃縮し、シリカゲルカラムで 離(溶離液はヘキサン/ジクロロメタン混合) て上記白色固体1.6g(収率90%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.67(dd=1.2&10.4Hz、1H)、5.89(dd=10.4& amp;17.2Hz、1H)、6.20(dd=1.2&17.2Hz、1H)、7.26-7.32( m、2H)、7.38-7.69(m、14H)、7.83-7.89(m、4H)、8.04-8.22 (m、8H)

 [合成例11:2,4-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)- 6-ブロモフェニル アクリレートの合成]
 丸底フラスコに、合成例10の(i)で得た2,4-ビ (4-ジベンゾチオフェニル)-6-ブロモフェノー ル1.0gを置き、THF20mlを加えて透明な溶液とし フラスコを氷冷してトリエチルアミン0.29g 加えた後、塩化アクリル0.22gを滴下し、全部 加えた後、室温に戻して30分間攪拌する。水1 0mlを加え、強く攪拌した後、酢酸エチル30ml よび飽和食塩水15mlを加えて水層と分離する 有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネ ウムを加えて乾燥させる。ろ紙でろ過して 縮し、シリカゲルカラムで分離(溶離液はヘ キサン/ジクロロメタン混合)して上記白色固 1.0g(収率91%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.82(dd=1.2&10.4Hz、1H)、6.05(dd=10.4& amp;17.2Hz、1H)、6.39(dd=1.2&17.2Hz、1H)、7.44-7.53( m、6H)、7.55-7.60(m、2H)7.81-7.87(m、2H)、7.96(d=2.0Hz 1H)、8.12(d=2.0Hz、1H)、8.14-8.21(m、4H)

 [合成例12:1,6-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)- 2-ナフチル アクリレートの合成]
(i)1,6-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)-2-ナフト ルの合成
 合成例1の(i)と同様に、4-ジベンゾチオフェ ホウ酸3.4g、1,6-ジブロモ-2-ナフトール1.5g、 トラキス(トリフェイルホスフィン)パラジ ム0.35gを置き、トルエン30mlおよびエタノー 30mlを加えて攪拌させたところに、1Mの炭酸 トリウム水溶液17mlを加えて、フラスコを50 の油浴に入れて3時間加熱させる。室温まで やして、THFを50ml加えて充分に攪拌させ、不 溶物をろ過にて除去し、ろ液に酢酸エチル30m lおよび飽和食塩水15mlを加えて、水層を分離 る。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マ ネシウムを加えて乾燥させる。ろ過にて硫 マグネシウムを除去し、エバポレーターで 縮し、シリカゲルカラムで主生成物を分離( 溶離液はヘキサン/ジクロロメタン混合)して 記白色固体1.8g(収率70%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.11(s、1H)、7.38-7.53(m、6H)、7.55-7.60 (m、3H)、7.66-7.84(m、4H)、8.00(d=8.8Hz、1H)、8.14-8.2 2(m、2H)、8.24-8.28(m、2H)、8.34(dd=1.2&8.0Hz、1H)

 (ii)1,6-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)-2-ナフ ル アクリレートの合成
 丸底フラスコに、上記にて得た1,6-ビス(4-ジ ベンゾチオフェニル)-2-ナフトール1.8gを置き THF30mlを加えて透明な溶液とし、フラスコを 氷冷してトリエチルアミン0.58gを加えた後、 化アクリル0.48gを滴下し、全部加えた後、 温に戻して30分間攪拌する。水15mlを加え、 く攪拌した後、酢酸エチル30mlおよび飽和食 水15mlを加えて水層と分離する。有機層を飽 和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加え て乾燥させる。ろ紙でろ過して濃縮し、シリ カゲルカラムで主生成物を分離(溶離液はヘ サン/ジクロロメタン混合)して上記白色固体 1.8g(収率90%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.66(dd=1.2&10.4Hz、1H)、5.94(dd=10.4& amp;17.2Hz、1H)、6.18(dd=1.2&17.2Hz、1H)、7.37-7.60( m、10H)、7.67-7.74(m、2H)、7.77-7.82(m、1H)、8.07(d=8. 8Hz、1H)、8.10-8.24(m、4H)、8.15(d=1.6Hz、1H)

 [合成例13:1,3-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)- 4-ジベンゾチオオフェニル アクリレートの 成]
(i)4-ヒドロキシジベンゾチオフェンの合成
 丸底フラスコに、4-ジベンゾチオフェンホ 酸4.0gを置き、エタノール80mlおよび水20mlを えて攪拌させたところに、30%過酸化水素水2. 2mlを加えて、フラスコを60℃の油浴に入れて1 時間加熱させる。室温まで冷してエバポレー ターで濃縮し、残渣に水100mlを加えて攪拌さ 、懸濁液とする。ろ過にて分離し、乾燥後 記固体2.4g(収率66%)を得る。 1 H NMR(DMSOd-6,400MHz):δ(ppm)6.95(dd=0.8&8Hz、1H、7.3 4(t=8Hz、1H)、7.46-7.53(m、2H)、7.81(dd=0.8&8Hz、1H )、7.98-8.04(m、1H)、8.25-8.31(m、1H)、10.43(s、1H)

(ii)1,3-ジブロモ-4-ヒドロキシジベンゾチオフ ンの合成
 丸底フラスコに、上記で得た4-ヒドロキシ ベンゾチオフェン2.4gを置き、DMF27mlを加えて 透明な溶液としフラスコを氷冷して、N-コハ 酸イミド4.4gをDMF20mlに溶解した溶液を滴下 、全部加えた後、氷冷下で2時間攪拌する。 応液を水350ml中に投入して懸濁液とし、ろ にて分離し、褐色固体を冷却したジクロロ タン100mlで懸濁洗浄し、乾燥後、上記褐色固 体1.3g(収率31%)を得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.75-6.20(br、1H)、7.48-7.57(m、2H)、7.7 4(s、1H)、7.86-7.89(m、1H)、9.11-9.14(m、1H)

 (iii)1,3-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)-4-ヒド ロキシジベンゾチオフェンの合成
 合成例1の(i)と同様に、4-ジベンゾチオフェ ホウ酸2.1g、上記で得た1,3-ジブロモ-4-ヒド キシジベンゾチオフェン1.3g、テトラキス(ト リフェイルホスフィン)パラジウム0.26gを置き 、トルエン25mlおよびエタノール25mlを加えて 拌させたところに、1Mの炭酸ナトリウム水 液10mlを加えて、フラスコを60℃の油浴に入 て5時間加熱させる。室温まで冷やして、不 物をろ過にて除去し、固体を酢酸エチルで 分に洗浄する。ろ液と洗浄液を併せた液に 酸エチル30mlおよび飽和食塩水15mlを加えて 水層を分離する。有機層を飽和食塩水で洗 し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させる ろ過にて硫酸マグネシウムを除去し、エバ レーターで濃縮し、シリカゲルカラムで主 成物を分離(溶離液はヘキサン/ジクロロメタ ン混合)して上記白色固体1.6g(収率76%)を得る 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.76(s、1H)、6.90-6.99(m、2H)、7.30-7.35 (m、1H)、7.40-7.51(m、4H)、7.57-7.61(m、5H)、7.41(d=8H z、1H)、7.81-7.85(m、1H)、7.80(d=8Hz、1H)、8.18-8.26(m 、3H)、8.29(dd=1.2&7.6Hz,1H)

 (iv)1,3-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)-4-ジベ ゾチオオフェニルアクリレートの合成
 丸底フラスコに、上記にて得た1,3-ビス(4-ジ ベンゾチオフェニル)-4-ヒドロキシジベンゾ オフェン1.6gを置き、THF35mlを加えて透明な溶 液とし、フラスコを氷冷してトリエチルアミ ン0.47gを加えた後、塩化アクリル0.38gを滴下 、全部加えた後、室温に戻して30分間攪拌す る。水15mlを加え、強く攪拌した後、酢酸エ ル30mlおよび飽和食塩水15mlを加えて水層と分 離する。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸 マグネシウムを加えて乾燥させる。ろ紙でろ 過して濃縮し、シリカゲルカラムで主生成物 を分離(溶離液はヘキサン/ジクロロメタン混 )して上記褐色固体を得る。これをジクロロ メタン20mlおよびヘキサン60mlの混合溶媒にて 浄し、乾燥して上記淡褐色固体1.1g(収率63%) 得る。 1 H NMR(CDCl 3 ,400MHz):δ(ppm)5.90(dd=1.2&10.4Hz、1H)、6.16(dd=10.4& amp;17.2Hz、1H)、6.47(dd=1.2&17.2Hz、1H)、6.89(d=7.6 Hz、1H)、6.98(dt=1.2&7.6Hz、1H)、7.30-7.35(m、1H) 7.40-7.58(m、6H)、7.62-7.68(m、2H)、7.73-7.84(m、4H) 8.12-8.18(m、2H)、8.25(dd=0.8&7.6Hz、1H)、8.31(dd=1 .2&7.6Hz、1H)

 [実施例1~8]
 [化合物の見かけ屈折率]
 合成例3,6,7,8,9,10,11,12で得られた化合物につ て、各々以下の手順に従って見かけ屈折率 求めた。
 得られた化合物はいずれも固体であること らそのままの状態では屈折率を測定するこ ができない。また、温度をかけると一部で 合が起こるために液状化して測定すること できない。そこで適当な溶剤に溶かし、そ 溶液の屈折率と本化合物の容積比の関係か 外挿することにより、本化合物の見かけ屈 率とした。測定にはアタゴ社製アッベ屈折 計DR-M2を使用し、波長589nmで25℃に温調して 定した。このように、固体で反応性に富む 質の場合、屈折率は測定困難なため、溶媒 溶かして得られた溶液の比重を測定し算出 た体積分率と該溶液の屈折率を上記の装置 使用して測定し、基質100%に外挿して屈折率 とする。この場合は溶媒として1-ブロモナフ レンを使用し、基質濃度は20重量%とした。

 この方法は、溶媒の容積と基質の容積の和 溶液の容積に一致しないと成立しないが、 質の濃度を20重量%以下と低くした溶液を使 して、上記の関係が成立していると仮定し 算出した。
 [実施例9]
 合成例1で得られた3-(1-チアンスレニル)フェ ニル アクリレート0.216gおよびTPO(2,4,6‐トリ チルベンゾイルジフェニルホスフィンオキ ド、チバスペシャリティ社製)0.022gをヘキサ メチレンジイソシアネート1.950gに溶かして脱 気したA液と、T5650J(平均分子量760のポリカー ネートジオール、旭化成ケミカルズ社製)4.5 45gとトリメチロールプロパン0.505gおよびジオ クチルスズジラウレート0.0014gを混合溶解し 気したB液を調製し両液を加えてよく撹拌し 後、さらに脱気した。スペーサーとして厚 500μmのテフロン(登録商標)シートを2方の端 のせたスライドガラスの上に先の脱気した 体を流し込み、その上にさらにスライドガ スをかぶせ、クリップで周辺を固定して60 で15時間加熱して記録層を作製し、全体とし て測定用の光学媒体とした。この測定用ホロ グラム記録媒体は、図2に示すように、カバ 層21,23としてのスライドガラス間に、厚さ500 μmの記録層22が形成されたものである。

 [実施例10]
 実施例9におけるT5650J(平均分子量760のポリ ーボネートジオール、旭化成ケミカルズ社 )4.545gとトリメチロールプロパン0.505gの代わ に、ニューポールGP‐1000(平均分子量1000の3 能ポリプロピレングリコール、三洋化成工 社製)5.590gを用い、ヘキサメチレンジイソシ アネートを1.410gとした他は、実施例9と同様 して、測定用のホログラム記録媒体を作製 た。

 [実施例11]
 合成例1で得られた3-(1-チアンスレニル)フェ ニル アクリレートの代わりに、合成例2で得 られた2,4-ビス(2-ベンゾチオフェニル)フェニ  アクリレートを使用した他は、実施例10と 同様にして測定用の光学媒体を得た。
 [実施例12]
 合成例1で得られた3-(1-チアンスレニル)フェ ニル アクリレートの代わりに、合成例6で得 られた2,4-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)フェ ル アクリレートを使用した他は、実施例9 同様にして測定用の光学媒体を得た。

 [実施例13]
 合成例1で得られた3-(1-チアンスレニル)フェ ニル アクリレートの代わりに、合成例6で得 られた2,4-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)フェ ル アクリレートを使用した他は、実施例10 と同様にして測定用の光学媒体を得た。
 [実施例14]
 合成例1で得られた3-(1-チアンスレニル)フェ ニル アクリレートの代わりに、合成例7で得 られた2,6-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)-4-メ ルフェニル アクリレートを使用した他は 実施例10と同様にして測定用の光学媒体を得 た。

 [実施例15]
  実施例10におけるTPO(2,4,6-トリメチルベン イルジフェニルホスフィンオキシド、チバ ペシャリティ社製)の量を0.011gとし、合成例1 で得られた3-(1-チアンスレニル)フェニル ア リレートの代わりに、合成例12で得られた 1,6-ビス(4-ジベンゾチオフェニル)-2-ナフチル  アクリレートを使用した他は、実施例10と 様にして測定用の光学媒体を得た。

 [実施例16]
  合成例12で得られた1,6-ビス(4-ジベンゾチ フェニル)-2-ナフチル アクリレート0.0928gお びTPO0.0046gをトリメチルヘキサメチレンジイ ソシアネート0.7219gに溶かして脱気したA液とP TMG1000(平均分子量1000のPTMGのジオール)2.1641gと トリメチロールプロパン0.1139gおよびジオク ルスズジラウリレート0.0006gを混合溶解し脱 したB液を調整し両液を加えてよく攪拌した 後、さらに脱気した。スペーサーとして厚さ 500μmのテフロン(登録商標)シートを2方の端に のせたスライドガラスの上に先の脱気した溶 液を流し込み、その上にさらにスライドガラ スをかぶせ、クリップで周辺を固定して60℃ 15時間加熱して記録層を作製し、全体とし 測定用のホログラム記録媒体を作製した。

 [実施例17]
 合成例12で得られた1,6-ビス(4-ジベンゾチオ ェニル)-2-ナフチル アクリレートの代わり 、合成例11で得られた2,4-ビス(4-ジベンゾチ フェニル)-6-ブロモフェニル アクリレート 使用した他は、実施例15と同様にして測定 の光学媒体を得た。

 [実施例18]
 合成例12で得られた1,6-ビス(4-ジベンゾチオ ェニル)-2-ナフチル アクリレーの代わりに 合成例9で得られた2,4,6-トリス(4-ジベンゾチ オフェニル)フェニル アクリレートを使用し た他は実施例16と同様にして測定用の光学媒 を得た。

 [実施例19]
 合成例12で得られた1,6-ビス(4-ジベンゾチオ ェニル)-2-ナフチル アクリレーの代わりに 合成例10で得られた2,4-ビス(4-ジベンゾチオ ェニル)-6-[4-(N-カルバゾール)フェニル]フェ ル アクリレートを使用した他は実施例16と 同様にして測定用の光学媒体を得た。

 [実施例20]
 合成例12で得られた1,6-ビス(4-ジベンゾチオ ェニル)-2-ナフチル アクリレートの代わり 、合成例6で得られた2,4-ビス(2-ジベンゾチ フェニル)フェニル アクリレートを使用し 他は、実施例15と同様にして測定用の光学媒 体を得た。

 [比較例1]
 合成例1で得られた3-(1-チアンスレニル)フェ ニル アクリレート0.216gの代わりに、BR30(2,4,6 -トリブロモフェニルアクリレート、第一工 製薬社製)0.186gを用い、TPO(2,4,6-トリメチルベ ンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、チ バスペシャリティ社製)を0.019g、ヘキサメチ ンジイソシアネートを1.209g、ニューポールGP 1000(平均分子量1000の3官能ポリプロピレング コール、三洋化成社製)を4.791g、ジオクチル ズジラウレートを0.0012gとした他は、実施例 10と同様の手順で測定用のホログラム記録媒 を作製した。

 以上の実施例9~20および比較例1で製造した ログラム記録媒体の記録層構成成分につい 、表2にまとめた。
[ホログラム記録]
 得られたホログラム記録媒体を使用し、以 に説明する手順でホログラム記録を実施し 。

 波長405nmの半導体レーザを用いて、ビーム1 あたりの露光パワー密度6.0mW/cm 2 で図1の如き露光装置を使用して二光束平面 のホログラム記録を行った。媒体を-30度か 30度まで1度おきに同一箇所に61多重記録し、 その時の回折効率の平方根の合計をM/#(エム ンバー)とする。また上記の記録前後で記録 長での光透過率を測定した。以下、詳細に 明する。

 図1(a)は、ホログラム記録に用いた装置の概 要を示す構成図であり、図1(b)はLEDユニット 表面を示す構成図であり、図1(c)は、LEDユニ ト表面のLEDの配列を示す構成図である。
 図1中、Sはホログラム記録媒体のサンプル 示し、M1~M3は何れもミラーを示し、PBSは偏光 ビームスプリッタを示し、L1は波長405nmの光 発する記録光用レーザ光源(405nm付近の光が られるソニー製シングルモードレーザーダ オードを用いた(図1の中「L1」))を示し、L2は 波長633nmの光を発する再生光用レーザ光源を し、PD1、PD2はフォトディテクタを示す。ま 、1はLEDユニットを示し、2はアームを示し 3は支柱を示す。

 通常の記録、再生の場合、LEDユニットは 線の位置にあり、一様露光の場合、破線で すように、支柱3が回転して取り付けられた アーム2とLEDユニット1のLEDがサンプルSの記録 部分の前面側に移動した後、LEDが一定時間点 灯する。LED1Bは、図1(c)に示すように、LEDユニ ット表面1Aにさいころの5の目の様に配列され ている。光源L1、L2、フォトディテクタPD1、PD 2、LEDユニット1には電源が接続されている。

 図1に示すように、405nmの光を偏光ビーム プリッタ(図中「PBS」)により分割し、2本の ームのなす角が50.00度になるように記録面 にて交差させた。このとき、2本のビームの す角の2等分線が記録面に対して垂直になる ようにし、更に、分割によって得られた2本 ビームの電場ベクトルの振動面は、交差す 2本のビームを含む平面と垂直になるように て照射した。

 ホログラム記録後、He-Neレーザで633nmの光 を得られるもの(メレスグリオ社製V05-LHP151:図 中「L2」)を用いて、その光を記録面に対し30. 19度の角度で照射し、回折された光をパワー ータおよびディテクタ(ニューポート社製293 0-C、918-SL:図中「PD1」および「PD2」)を用いて 出することにより、ホログラム記録が正し 行なわれているか否かを判定した。ホログ ムの回折効率は、回折された光の強度の透 光強度と回折光強度の和に対する比で与え れる。

 <M/#、収縮率、(M/#)/収縮率の測定>
 M/#は多重記録の目安とする値であるので、 録1回ごとの回折効率では大きすぎない方が よく、余りに小さいと記録ができない。よっ て1回の記録の回折効率を概ね数%とし、でき だけ多くの多重度で記録することにより得 れたM/#を求めることで妥当な多重記録の目 となりうる。多重の方式には角度、シフト どがあるが、角度多重が簡便といえるので 料の実力を知る上で適当な方式と言える。 ンプルを光軸に対して動かす角度(二光束、 すなわち図1のミラーM1およびM2からの入射光 交わる点における内角の二等分線とサンプ からの法線とがなす角度)を-20度から20度ま 1度刻みで記録すれば41多重、-30度から30度 で0.5度刻みで記録すれば121多重とすること できる。回折効率には入射光と回折光の比( 部回折効率ともいう。)と透過光と回折光の 和と回折光の比(内部回折効率ともいう。)の2 つの表現がある。本発明においてはサンプル 表面の反射やサンプル内部の拡散を無視でき 材料の記録性能を問える内部回折効率を回折 効率とする。ここでは-30度から30度まで1度刻 みで61多重の記録を行い、得られた回折効率 平方根を多重記録全域にわたって合計した のをM/#とした。

 具体的には、各実施例ごとに、始めに複 用意した光学記録媒体の1つを用いて、二光 束が交わる点における内角の二等分線と媒体 の法線がなす角度がゼロの状態で、回折効率 が一定になるまで二光束すなわち図1におけ ミラーM1およびM2からの入射光405nmを照射し 一定になった最小のエネルギーを測定する( の際、回折効率の評価はミラーM3からの光63 3nmを用いて行なう)。

 次いで別の媒体について、先に求めた最 エネルギーの値を61回多重記録の際の合計 射エネルギーの目安として、多重記録を行 。この際、照射エネルギーは記録回数に応 て指数関数的に増加させ、記録ごとの回折 率数%を維持するようにする。61回多重記録 、引き続き図1におけるミラーM1からの光(405n m)を照射し、角度-30から30度までの回折効率 計測し、各角度の回折効率の平方根の合計 M/#とする。

 ここで、合計照射エネルギーの量が少な ぎるとモノマーが残存してしまい、記録回 が若い段階で照射エネルギーが多すぎると 重記録ができないため、何れもM/#を過少評 する可能性がある。そのため、サンプルを えて、記録初期の照射エネルギーの増減、 計照射エネルギーの増減など、照射エネル ー条件を変えた複数回の評価を行い、記録1 回ごとに数%以上の回折効率を維持しつつ、61 回記録までに含有モノマーをほぼ消費しつく す(61回記録までにM/#がほぼ平衡に達する)条 を模索し、M/#として最大値が得られるよう した。そして、得られた最大値をその媒体 M/#とした。なお、M/#の値は厚みやサンプル 構成による影響を別途受けることとなる。 みは実験作業上、自由に変えることができ が、ここでは記録層の厚みが500μmである時 実測値をもって比較することとする。

 収縮率は、記録することにより反応性化 物が重合して分子量が増し結果として体積 小さくなることによってもたらされる。実 に記録層ないしサンプル全体の厚みから測 できればよいが、反応性化合物が少なくか 記録層が十分に厚くない場合、正確な測定 困難である。よって記録によって回折面が 成されることから、この回折面の角度のず をもって体積収縮とすることと収縮率とし 表現することとする。この回折面の角度の れとは、回折光の記録と再生の角度の差と 化学反応による記録層前後の平均屈折率の 化を0.001とした時に生じる回折光のずれと 差から計算される。収縮は厚み方向だけで なく厚みと垂直な面内でも複雑に生じるが 該面内は記録層前後の保護層により拘束さ ていることから、回折面に与える影響は小 いと推定される。なお、M/#を求めるときと じ手順で多重記録すると反応性化合物は高 反応率を持って消費され多くの回折面が形 されるが、同時に段階的に収縮の影響が記 に残るため、どの回折面を使うかによって 果が複雑になりかつ解析も困難となる。よ て多重記録の回数は15回、二光束すなわち図 1のミラーM1およびM2からの入射光(波長405nm)を M/#消費量1~3%となる条件で照射して記録を行 た後、図1に示すLEDユニットによって、記録 長と同じ405nmの波長域を含むインコヒーレ トな光をサンプルの記録に供した部分の全 に亘って照射して、残存する反応性化合物 完全に消費させ、その後波長405nmの光(ミラ M1からの入射光)を用いて、記録した回折面 角度を改めて測定して、収縮率を求めるこ とした。

 具体的には、サンプルを光軸に対して回転 せることによって、二光束が交わる点にお る内角の二等分線と媒体の法線とがなす角 を-28度から28度、4度刻みで動かして15多重 1回の回折効率が0.1%以下で記録を行い、LEDユ ニットによる一様照射は6mW/cm 2 で時間は5分とした。多重記録後の媒体につ て、回折効率の角度選択性をプロットし、 れぞれの記録角度に対して、元に記録した 度位置からのずれを測定する。求めた角度 れの値(=回折格子間隔のずれ)を、Applied Physi cs Letters, 73巻,10号,1337頁-1339頁(1998年)などに 載の、角度ずれと収縮率とに関する関係式 に代入し、該関係式を満たす収縮率の値を 行錯誤により導いた。

 この際、収縮前の平均屈折率の値としては リウレタンの実測値である1.51を採用し、収 縮後の平均屈折率の値としては、化学反応に よる記録前後の平均屈折率の変化を0.001と仮 し、前記の値に0.001を加算した値、即ち 1.5 11を採用した。
 なお、記録前後の温度差は小さいほど良く 好ましくは0.5℃以下となる条件下で評価を なう。1℃の温度変化は収縮率に±0.05%程度 ばらつきを生じる。

 実施例9~20および比較例1のホログラム記 媒体について評価した結果を、表3にまとめ 。実施例9~20のホログラム記録媒体は、いず れもM/#10以上、収縮率0.15%未満、(M/#)/収縮率10 0以上を達成しているのに対し、比較例1のホ グラム記録媒体は、収縮率は0.15%未満であ が、M/#は10未満と小さく、(M/#)/収縮率は66.7 過ぎない。

<記録前光透過率、記録後光透過率>
 サンプルや記録層が厚いと光が内部で吸収 散乱され光の強度が不足するために記録の 能が劣るという場合がある。また光の照射 より光開始剤が化学的に変化して記録光の 長において吸収強度が大きく変化するので 記録の前後で透過度を測定する。光透過率 サンプルが何もない状態で光の強度を測定 た後、サンプルを、光路にその板面を垂直 して置いて化学変化が起こらない程度の短 時間で再び光の強度を測定しその比を光透 率とした。記録後の場合、サンプルは光路 垂直にかつ回折が起こらない角度で記録し 部分を光が通るように置いて測定した。波 は記録と同じ波長の405nm、強度は6mW/cm 2 とし、記録層の厚みは500μmとした。

 実施例9~11、14~20および比較例1について評 価した結果を、表4にまとめた。実施例9~11、1 4~20および比較例1のホログラム記録媒体は、 ずれも記録前光透過率60%以上、記録後光透 率60%以上を達成していた。

 以上、本発明を特定の態様を用いて詳細に 明したが、本発明の意図と範囲を離れるこ なく様々な変更が可能であることは当業者 明らかである。
 なお本出願は、2008年6月10日付で出願された 日本特許出願(特願2008-152095)に基づいており その全体が引用により援用される。

 本発明のホログラム記録層形成用組成物お びそれを用いたホログラム記録材料は、高 回折効率、高い光透過性および低い低収縮 の点において優れた特性を有し、ホログラ 記録媒体における記録層形成等の用途に好 に用いることができる。
 また、本発明により提供される新規化合物 産業上の任意の分野に使用することができ 種々の光学製品に適用可能である。本発明 より提供される新規化合物、光反応性組成 およびそれを用いた光学材料、ホログラム 録材料は、高い回折効率と低い収縮率の点 おいて優れた特性を有し、レンズ、光記録 光造形、光レリーフ印刷等に好適に用いる とが出来る。中でも前述のホログラム記録 体における記録層形成等の用途に好適に用 ることが出来る。

 1 LEDユニット
 1A LEDユニットの表面
 1B LED
 2 アーム
 3 支柱
 S サンプル
 M1,M2,M3 ミラー
 PBS 偏光ビームスプリッタ
 L1 記録光用レーザ光源
 L2 再生光用レーザ光源
 PD1,PD2 フォトディテクタ
 21 カバー層
 22 記録層
 23 カバー層