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Title:
PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2008/123210
Kind Code:
A1
Abstract:
This invention provides a photosensitive resin composition which is suitable as a buffer coat material and a rewiring layer in an LSI chip and can be cured in air by photopolymerization. The photosensitive resin composition comprises a photosensitive silicone containing a styryl group as a photosensitive group and a photopolymerization initiator having a specific structure. There are also provided a method for cured relief pattern formation using the photosensitive resin composition, and a semiconductor device comprising the cured relief pattern.

Inventors:
YORISUE, Tomohiro (1-2 Yuraku-cho 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo, 40, 1008440, JP)
Application Number:
JP2008/055480
Publication Date:
October 16, 2008
Filing Date:
March 25, 2008
Export Citation:
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Assignee:
Asahi Kasei EMD Corporation (23-7, Nishi-shinjuku 1-chome Shinjuku-k, Tokyo 23, 1600023, JP)
旭化成エレクトロニクス株式会社 (〒23 東京都新宿区西新宿一丁目23番7号 Tokyo, 1600023, JP)
International Classes:
G03F7/075; C08F299/08; G03F7/40; H01L21/027; C08G77/20
Foreign References:
JPH1083080A1998-03-31
JP2006045316A2006-02-16
JPH05202146A1993-08-10
Other References:
See also references of EP 2133744A4
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Claims:
 (A)下記(I)記載の感光性シリコーン化合物100質量部、及び(B)下記(II)記載の光重合開始剤0.1~20質量部を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。
 (I)下記一般式(a)で示される少なくとも1種のシラノール化合物(以下、(a)成分)に対し、(b)成分として、下記一般式(b1)、(b2)、(b3)及び(b4)で示される化合物(以下、(b1)、(b2)、(b3)及び(b4)成分)からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であり、(b1)成分をモル数で10%以上100%以下含有する(b)成分を、(a)成分/(b)成分=40モル%/60モル%~60モル%/40モル%の割合で加え、触媒を用いて、積極的に水を添加することなく縮合させることによって得られる感光性シリコーン化合物。
 ここで、(b)成分のモル数=((b1)成分のモル数)+((b2)成分のモル数)+(3/2×(b3)成分のモル数)+(2×(b4)成分のモル数)である。
   R 1 2 Si(OH) 2       (a)
(R 1 は、C 1 ~C 12 の直鎖アルキル基、C 3 ~C 12 の分枝アルキル基、C 3 ~C 12 の環状アルキル基、C 6 ~C 12 のアリール基、C 7 ~C 12 のアルキルアリール基、及びC 7 ~C 12 のアリールアルキル基からなる群より選ばれる一種の基である。R 1 は互いに同一であっても、異なっていても良い。)
   R 2 a R 3 b SiX 4-a-b    (b1)
(R 2 は下記式(1)もしくは(2)で示される置換基、R 3 はC 1 ~C 12 の炭化水素基、XはC 1 ~C 12 のアルコキシ基、aは1,2から選ばれる整数、bは0,1から選ばれる整数、a+bは2を超えることはない。aが2の場合、R 2 は互いに同一であっても、異なっていても良い。)
(YはC 1 ~C 12 の炭化水素基、又は酸素、窒素、フッ素、及びイオウからなる群より選ばれる一種以上の元素を含むC 1 ~C 12 の炭化水素基である。)
   R 4 a R 3 b SiX 4-a-b    (b2)
(R 4 は、C 1 ~C 12 の直鎖アルキル基、C 3 ~C 12 の分枝アルキル基、C 3 ~C 12 の環状アルキル基、C 6 ~C 12 のアリール基、C 7 ~C 12 のアルキルアリール基、C 7 ~C 12 のアリールアルキル基、C 2 ~C 17 のエポキシ基又は不飽和二重結合含有炭化水素基、C 1 ~C 12 のアミノ基、ウレイド基又はメルカプト基含有炭化水素基、及びC 1 ~C 12 の含フッ素炭化水素基からなる群より選ばれる一種の基、R 3 はC 1 ~C 12 の炭化水素基、XはC 1 ~C 12 のアルコキシ基、aは1,2から選ばれる整数、bは0,1から選ばれる整数であり、a+bは2を超えることはない。aが2の場合、R 4 は互いに同一であっても、異なっていても良い。)
   M 1 X 3      (b3)
(M 1 はホウ素又はアルミニウムであり、XはC 1 ~C 12 のアルコキシ基である。)
   M 2 X 4      (b4)
(M 2 はケイ素、ゲルマニウム、チタン又はジルコニウムであり、XはC 1 ~C 12 のアルコキシ基である。)
 (II)下記式(e)で示されるホスフィンオキサイド基を有する少なくとも1種の光重合開始剤。
(mは1,2から選ばれる整数、R 5 及びR 6 はそれぞれ独立にC 1 ~C 12 のアルキル基、C 6 ~C 12 のアリール基、C 7 ~C 12 のアルキルアリール基、C 1 ~C 3 のアルコキシ又はハロゲン置換アリール基からなる群より選ばれる一種の基。 R 5 及びR 6 が、複数ある場合、それらは同一であっても、異なっていても良い。)
 上記(A)感光性シリコーン化合物を得るために用いる触媒が、酸性化合物、塩基性化合物、及びフッ化物塩からなる群より選ばれる一種以上であることを特徴とする請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
 少なくとも、基材上に請求項1または2のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を塗布して塗布膜を得る工程、塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該膜の未硬化の部分を除去する工程、光硬化された膜を加熱する工程を順に含む、硬化レリーフパターンの形成方法。
 請求項3に記載の方法によって得られる硬化レリーフパターン。
請求項4に記載の硬化レリーフパターンを含む半導体装置。
Description:
感光性樹脂組成物

 本発明は、半導体デバイス、多層配線基 、マイクロレンズ等の光学材料に用いられ 、樹脂絶縁膜に関するものである。さらに しくいえば、本発明は、LSIチップのバッフ コート材料や再配線層に好適な、パターニ グされた絶縁膜を作製するための感光性樹 組成物、及びそれを用いて得られる樹脂絶 膜に関するものである。

 LSIチップのバッファコート材料や再配線 材料に代表される絶縁材料に対する性能要 は、例えば、LSIの高性能化に伴い高解像、 温熱処理、低応力、低誘電率の特性におい 厳しさを増している。特に、層間絶縁膜材 が低誘電率化の要求を満たすため、耐応力 耐熱性に弱くなってきたり、再配線Cuにも 速化が要求され、再配線に使用するCuが電流 密度増大で厚膜化傾向となって来ている。そ のため、バッファコート材料や再配線層材料 としては、これまでの高解像度、耐薬品性、 耐温度ストレス耐性に加えて、厚膜形成能、 平坦化能、低応力、低誘電率、低温熱硬化処 理も満足できなければならなくなって来てい る。

 従来は、LSIチップのバッファコート材料 再配線層材料としては、例えば感光性ポリ ミドが、その代表例の1つとして使われて来 た。感光性ポリイミドとしては、側鎖に光重 合性を有する二重結合を持ったポリイミド前 駆体と光重合開始剤を含む組成物が広く使用 されている、該組成物は、LSIウェハー上にス ピンコートした後、フォトマスクを通して光 照射することによって光架橋反応で側鎖の二 重結合を架橋させる。その後、現像でパター ン形成し、熱硬化処理により架橋鎖を分解揮 発させると同時にポリイミド構造を形成させ ることによって、パターニングされた絶縁膜 となる。こうして形成されたポリイミドから なる絶縁膜は、耐熱性、耐薬品性、機械特性 に優れる。

 このような感光性ポリイミドの問題点と て、残留応力が大きいため厚膜形成時にク ックが発生しやすいこと、熱硬化処理にお て4割近い収縮が起こるためLSIウェハー表面 の段差に対する平坦化能が低いこと、熱硬化 処理の温度が200℃以下の低温ではポリイミド 構造の形成が不十分で機械特性に劣ることが 挙げられる。

 これに対し、特許文献1には、光重合性官 能基を有するトリアルコキシシランと、ジア リールシランジオールを縮合して得られる、 ドイツ国 Fraunhofer ISC社製のORMOCER ONEという 光性シリコーン化合物の開示がある。この 合物と光重合開始剤との組成物は、光照射 よってネガ型のパターンを形成することが き、該パターンは、150℃という低温で熱硬 処理することができ、硬化後の絶縁膜は300 以上というポリイミドと同等の耐熱性を有 る。その一方で、10Mpa以下の低残留応力、 硬化処理による収縮が少なく熱硬化前後で 膜減りが3%以内という性質に代表されるよう に、ポリイミドでは達成できない優れた特性 を有する。

 特許文献1においては、該感光性シリコー ン化合物が有する光重合性官能基として、( タ)アクリロキシ基、スチリル基の開示があ 。

 また、特許文献2には光重合性または熱重合 性を有するシリコーン樹脂として、スチリル 基を有するビニルフェニルメチルジエトキシ シラン、及びジイソブチルシランジオールを 反応させて得られる感光性シリコーン化合物 の開示がある。

カナダ国特許第2378756号明細書

米国特許出願公開2004/0242830号明細書

 本発明者は、より高屈性率の硬化膜を得 ために、光重合性官能基としてスチリル基 有する感光性シリコーン化合物を検討した しかしながら、上記文献1または2に記載の チリル基を有する感光性シリコーン化合物 光重合開始剤の組合せでは、空気雰囲気中 の重合反応が十分に進まず、残膜率が極め 低いものしか得ることが出来なかった。

 本発明は、空気雰囲気中で光照射により 硬化膜が形成可能な、光重合性官能基とし スチリル基を有する感光性シリコーン化合 と光重合開始剤からなる感光性樹脂組成物 提供することを目的とする。

 本発明者は、前記課題を解決するために、 光基としてスチリル基を有する感光性シリ ーン化合物と、ホスフィンオキシド基を有 る光重合開始剤の組合せが有効であること 見出し、本発明をなすに至った。即ち、本 明は以下のとおりである。
1.(A)下記(I)記載の感光性シリコーン化合物100 量部、及び(B)下記(II)記載の光重合開始剤0.1 ~20質量部を含むことを特徴とする感光性樹脂 組成物。

 (I)下記一般式(a)で示される少なくとも1種 のシラノール化合物(以下、(a)成分)に対し、( b)成分として、下記一般式(b1)、(b2)、(b3)及び( b4)で示される化合物(以下、(b1)、(b2)、(b3)及 (b4)成分)からなる群より選ばれる少なくとも 一種の化合物であり、(b1)成分をモル数で10% 上100%以下含有する(b)成分を、(a)成分/(b)成分 =40モル%/60モル%~60モル%/40モル%の割合で加え 触媒を用いて、積極的に水を添加すること く縮合させることによって得られる感光性 リコーン化合物。

 ここで、(b)成分のモル数=((b1)成分のモル )+((b2)成分のモル数)+(3/2×(b3)成分のモル数)+( 2×(b4)成分のモル数)である。

   R 1 2 Si(OH) 2       (a)
(R 1 は、C 1 ~C 12 の直鎖アルキル基、C 3 ~C 12 の分枝アルキル基、C 3 ~C 12 の環状アルキル基、C 6 ~C 12 のアリール基、C 7 ~C 12 のアルキルアリール基、及びC 7 ~C 12 のアリールアルキル基からなる群より選ばれ る一種の基である。R 1 は互いに同一であっても、異なっていても良 い。)
   R 2 a R 3 b SiX 4-a-b    (b1)
(R 2 は下記式(1)もしくは(2)で示される置換基、R 3 はC 1 ~C 12 の炭化水素基、XはC 1 ~C 12 のアルコキシ基、aは1,2から選ばれる整数、b 0,1から選ばれる整数、a+bは2を超えることは ない。aが2の場合、R 2 は互いに同一であっても、異なっていても良 い。)

(YはC 1 ~C 12 の炭化水素基、又は酸素、窒素、フッ素、及 びイオウからなる群より選ばれる一種以上の 元素を含むC 1 ~C 12 の炭化水素基である。)

   R 4 a R 3 b SiX 4-a-b    (b2)
(R 4 は、C 1 ~C 12 の直鎖アルキル基、C 3 ~C 12 の分枝アルキル基、C 3 ~C 12 の環状アルキル基、C 6 ~C 12 のアリール基、C 7 ~C 12 のアルキルアリール基、C 7 ~C 12 のアリールアルキル基、C 2 ~C 17 のエポキシ基又は不飽和二重結合含有炭化水 素基、C 1 ~C 12 のアミノ基、ウレイド基又はメルカプト基含 有炭化水素基、及びC 1 ~C 12 の含フッ素炭化水素基からなる群より選ばれ る一種の基、R 3 はC 1 ~C 12 の炭化水素基、XはC 1 ~C 12 のアルコキシ基、aは1,2から選ばれる整数、b 0,1から選ばれる整数であり、a+bは2を超える ことはない。aが2の場合、R 4 は互いに同一であっても、異なっていても良 い。)
   M 1 X 3      (b3)
(M 1 はホウ素又はアルミニウムであり、XはC 1 ~C 12 のアルコキシ基である。)
   M 2 X 4      (b4)
(M 2 はケイ素、ゲルマニウム、チタン又はジルコ ニウムであり、XはC 1 ~C 12 のアルコキシ基である。)
 (II)下記式(e)で示されるホスフィンオキサイ ド基を有する少なくとも1種の光重合開始剤

(mは1,2から選ばれる整数、R 5 及びR 6 はそれぞれ独立にC 1 ~C 12 のアルキル基、C 6 ~C 12 のアリール基、C 7 ~C 12 のアルキルアリール基、C 1 ~C 3 のアルコキシ又はハロゲン置換アリール基か らなる群より選ばれる一種の基。 R 5 及びR 6 が、複数ある場合、それらは同一であっても 、異なっていても良い。)
2.上記(A)感光性シリコーン化合物を得るため 用いる触媒が、酸性化合物、塩基性化合物 及びフッ化物塩からなる群より選ばれる一 以上であることを特徴とする上記1に記載の 感光性樹脂組成物。
3.少なくとも、基材上に上記1または2のいず か一項に記載の感光性樹脂組成物を塗布し 塗布膜を得る工程、塗布膜に活性光線を照 し露光部を光硬化させる工程、現像液を用 て該膜の未硬化の部分を除去する工程、光 化された膜を加熱する工程を順に含む、硬 レリーフパターンの形成方法。
4.上記3に記載の方法によって得られる硬化レ リーフパターン。
5.上記4に記載の硬化レリーフパターンを含む 半導体装置。

 本発明の組成物は、低温での熱硬化処理 可能で、光重合性官能基としてスチリル基 用いても空気中で光重合硬化できるという 果を有する。

 本発明について以下具体的に説明する。

 本発明の感光性樹脂組成物は、(A)下記(I) 載の感光性シリコーン化合物100質量部、及 (B)下記(II)記載の光重合開始剤0.1~20質量部を 含むことを特徴とする。

 (I)下記一般式(a)で示される少なくとも1種 のシラノール化合物(以下、(a)成分)に対し、( b)成分として、下記一般式(b1)、(b2)、(b3)及び( b4)で示される化合物(以下、(b1)、(b2)、(b3)及 (b4)成分)からなる群より選ばれる少なくとも 一種の化合物であり、(b1)成分をモル数で10% 上100%以下含有する(b)成分を、(a)成分/(b)成分 =40モル%/60モル%~60モル%/40モル%の割合で加え 触媒を用いて、積極的に水を添加すること く縮合させることによって得られる、感光 シリコーン化合物。

 ここで、(b)成分のモル数=((b1)成分のモル )+((b2)成分のモル数)+(3/2×(b3)成分のモル数)+( 2×(b4)成分のモル数)である。

    R 1 2 Si(OH) 2       (a)
(R 1 は、C 1 ~C 12 の直鎖アルキル基、C 3 ~C 12 の分枝アルキル基、C 3 ~C 12 の環状アルキル基、C 6 ~C 12 のアリール基、C 7 ~C 12 のアルキルアリール基、及びC 7 ~C 12 のアリールアルキル基からなる群より選ばれ る一種の基である。R 1 は互いに同一であっても、異なっていても良 い。)
   R 2 a R 3 b SiX 4-a-b    (b1)
(R 2 は下記式(1)もしくは(2)で示される置換基、R 3 はC 1 ~C 12 の炭化水素基、XはC 1 ~C 12 のアルコキシ基、aは1,2から選ばれる整数、b 0,1から選ばれる整数、a+bは2を超えることは ない。aが2の場合、R 2 は互いに同一であっても、異なっていても良 い。)

(YはC 1 ~C 12 の炭化水素基、又は酸素、窒素、フッ素、及 びイオウからなる群より選ばれる一種以上の 元素を含むC 1 ~C 12 の炭化水素基である。)

   R 4 a R 3 b SiX 4-a-b    (b2)
(R 4 は、C 1 ~C 12 の直鎖アルキル基、C 3 ~C 12 の分枝アルキル基、C 3 ~C 12 の環状アルキル基、C 6 ~C 12 のアリール基、C 7 ~C 12 のアルキルアリール基、C 7 ~C 12 のアリールアルキル基、C 2 ~C 17 のエポキシ基又は不飽和二重結合含有炭化水 素基、C 1 ~C 12 のアミノ基、ウレイド基又はメルカプト基含 有炭化水素基、及びC 1 ~C 12 の含フッ素炭化水素基からなる群より選ばれ る一種の基、R 3 はC 1 ~C 12 の炭化水素基、XはC 1 ~C 12 のアルコキシ基、aは1,2から選ばれる整数、b 0,1から選ばれる整数であり、a+bは2を超える ことはない。aが2の場合、R 4 は互いに同一であっても、異なっていても良 い。)
   M 1 X 3      (b3)
(M 1 はホウ素又はアルミニウムであり、XはC 1 ~C 12 のアルコキシ基である。)
   M 2 X 4      (b4)
(M 2 はケイ素、ゲルマニウム、チタン又はジルコ ニウムであり、XはC 1 ~C 12 のアルコキシ基である。)
 (II)下記式(e)で示されるホスフィンオキサイ ド基を有する少なくとも1種の光重合開始剤

(mは1,2から選ばれる整数、R 5 及びR 6 はそれぞれ独立にC 1 ~C 12 のアルキル基、C 6 ~C 12 のアリール基、C 7 ~C 12 のアルキルアリール基、C 1 ~C 3 のアルコキシ又はハロゲン置換アリール基か らなる群より選ばれる一種の基。 R 5 及びR 6 が、複数ある場合、それらは同一であっても 、異なっていても良い。)
 上記(a)成分のシラノール化合物において、R 1 は、C 1 ~C 12 の直鎖アルキル基、C 3 ~C 12 の分枝アルキル基、C 3 ~C 12 の環状アルキル基、C 6 ~C 12 のアリール基、C 7 ~C 12 のアルキルアリール基、及びC 7 ~C 12 のアリールアルキル基からなる群より選ばれ る一種の基である。これらの中でも、硬化物 の高屈折率化の観点から、C 6 ~C 12 のアリール基が好ましい。

 アルキルアリール基とは、アルキル基を持 アリール基であり、アリールアルキル基と 、アリール基を持つアルキル基である。R 1 は互いに同一であっても、異なっていても良 い。R 1 として具体的に用いることができる置換基と しては、例えば、イソプロピル基、イソブチ ル基、シクロヘキシル基、フェニル基、トリ ル基、キシリル基、トリメチルフェニル基、 ナフチル基を挙げることができる。このうち 好ましく用いることができるのは、C 3 以上の分枝アルキル基、C 5 以上の環状アルキル基、及びフェニル基であ り、最も好ましいのは、フェニル基である。 このような上記(a)成分のシラノール化合物と して好ましく用いられるものとしては、例え ばジフェニルシランジオール、ジイソプロピ ルシランジオール、ジイソブチルシランジオ ール、ジシクロヘキシルシランジオール等を 挙げることができる。

 (b)成分は、(b1)、(b2)、(b3)及び(b4)成分から なる群より選ばれる少なくとも一種の化合物 であり、(b1)成分をモル数で10%以上100%以下含 する。

 (b1)成分は、感光基としてスチリル基を有す ることを特徴とするアルコキシシラン化合物 である。R 2 として好ましく用いることができる置換基と しては、例えばスチリル基、1-スチリルメチ 基、1-スチリルエチル基等を挙げることが きる。R 3 として好ましく用いることができる置換基と しては、例えばメチル基、エチル基等を挙げ ることができる。Xとして好ましく用いるこ ができる置換基としては、例えばメトキシ 、エトキシ基等を挙げることができる。こ ような(b1)として好ましく用いられるものと ては、例えば、スチリルトリメトキシシラ 、スチリルトリエトキシシラン、スチリル チルジメトキシシラン、スチリルメチルジ トキシシラン、1-スチリルメチルトリメト シシラン、1-スチリルメチルトリエトキシシ ラン、1-スチリルエチルトリメトキシシラン 1-スチリルエチルトリエトキシシラン等を げることができる。

 (b2)成分は、ジアルコキシシラン化合物もし くはトリアルコキシシラン化合物である。R 3 として好ましく用いることができる置換基と しては、例えばメチル基、エチル基等を挙げ ることができる。R 4 として好ましく用いることができる置換基と しては、アルキル基、例えば、メチル基、エ チル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n- チル基、イソブチル基、n-ヘキシル基、n-デ ル基を、環状アルキル基、例えば、シクロ ンチル基、シクロヘキシル基を、アリール 、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチ 基を、エポキシ基含有基、例えば、3-グリ ドキシ基、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エ チル基を、不飽和二重結合含有基、例えば、 ビニル基、アリル基、3-メタクリロキシプロ ル基、3-アクリロキシプロピル基を、アミ 基含有基、例えば、3-アミノプロピル基、3-( 2-アミノエチル)アミノプロピル基、3-フェニ アミノプロピル基を、ウレイド基含有基、 えば、3-ウレイドプロピル基を、メルカプ 基含有基、例えば、3-メルカプトプロピル基 を、含フッ素炭化水素基、例えば、トリフル オロプロピル基、トリデカフルオロ-1,1,2,2-テ トラヒドロオクチル基を挙げることができる 。Xとして好ましく用いることができる置換 としては、例えば、メトキシ基、エトキシ を挙げることができる。

 このような(b2)成分として、好ましく用い ることができるものとしては、例えば、メチ ルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシ シラン、メチルトリエトキシシラン、エチル トリメトキシシラン、ジイソプロピルジメト キシシラン、ジイソブチルジメトキシシラン 、n-オクチルトリメトキシシラン、n-デシル リメトキシシラン、ジシクロペンチルジメ キシシラン、ジシクロペンチルジエトキシ ラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフ ニルジメトキシシラン、3-グリシドキシトリ メトキシシラン、3-グリシドキシトリエトキ シラン、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エ ルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキ シラン、ビニルトリエトキシシラン、3-メタ クリロキシプロピルトリメトキシシラン、3- タクリロキシプロピルトリエトキシシラン 3-メタクリロキシプロピルメチルジメトキ シラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキ シシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシ ン、3-(2-アミノエチル)アミノプロピルトリ トキシシラン、3-フェニルアミノプロピル リメトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリ エトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリ トキシシラン、トリフルオロプロピルトリ トキシシラン、トリデカフルオロ-1,1,2,2-テ ラヒドロオクチルトリメトキシシランを挙 ることができる。

 (b3)成分は、トリアルコキシアルミニウム もしくはトリアルコキシボロンである。Xと て好ましく用いられる置換基としては、例 ば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ 基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソ トキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基 挙げることができる。このような(b3)成分と して、好ましく用いることができるものとし ては、例えば、トリメトキシアルミニウム、 トリエトキシアルミニウム、トリ-n-プロポキ シアルミニウム、トリイソプロポキシアルミ ニウム、トリ-n-ブトキシアルミニウム、トリ イソブトキシアルミニウム、トリ-sec-ブトキ アルミニウム、トリ-tert-ブトキシアルミニ ム、トリメトキシボロン、トリエトキシボ ン、トリ-n-プロポキシボロン、トリ-iso-プ ポキシボロン、トリ-n-ブトキシボロン、ト -iso-ブトキシボロン、トリ-sec-ブトキシボロ を挙げることができる。

 (b4)成分は、テトラアルコキシシラン、テ トラアルコキシゲルマニウム、テトラアルコ キシチタンもしくはテトラアルコキシジルコ ニウムである。Xとして好ましく用いられる 換基としては、例えば、メトキシ基、エト シ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、 n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ 基、tert-ブトキシ基を挙げることができる。

 上記(A)感光性シリコーン化合物は、上記( a)成分のシラノール化合物に対し、上記(b1)、 (b2)、(b3)及び(b4)成分からなる群より選ばれる 少なくとも一種の化合物であり、(b1)成分を ル数で10%以上100%以下、より好ましくは50%以 100%以下、更に好ましくは80%以上100%以下含 する(b)成分を、(a)/(b)=40モル%/60モル%~60モル%/ 40モル%の割合で加え、触媒を用いて、積極的 に水を添加することなく縮合させることによ って得られる、感光基としてスチリル基を有 する感光性シリコーン化合物である。

 ここで、(b)成分のモル数=((b1)成分のモル )+((b2)成分のモル数)+(3/2×(b3)成分のモル数)+( 2×(b4)成分のモル数)である。

 (b3)成分は、3つのアルコキシ基(官能基)を 有し、(b4)成分は、4つのアルコキシ基(官能基 )を有する。また、(b1)及び(b2)成分はアルコキ シ基を2つまたは3つ有する場合があるが、3つ 有する場合でも反応に寄与するのは2つだけ あるため、2官能を基準とした。従って、上 のように係数をかける。

 (a)成分/(b)成分の割合は、40モル%/60モル%~6 0モル%/40モル%であり、好ましくは45モル%/55モ ル%~55モル%/45モル%、より好ましくは48モル%/52 モル%~52モル%/48モル%、最も好ましくは、50モ %/50モル%である。縮合温度は、50~150℃、好 しくは70~120℃である。縮合時には、加熱還 後生成するアルコールの減圧留去を行う。

 用いることのできる触媒としては、酸性化 物として、Ti(OR 7 ) 4 、Zr(OR 7 ) 4 、B(OR 7 ) 3 、Al(OR 7 ) 3 、塩基性化合物としてアルカリ土類金属水酸 化物、フッ化物塩として、NH 4 F、NR 7 4 F(ここでR 7 は、C 1 ~C 12 の直鎖状炭化水素基、C 3 ~C 12 の分枝アルキル基、C 3 ~C 12 の環状アルキル基からなる群から選ばれる一 種以上の基である)、が挙げられる。

 具体的には、酸性化合物としては、例え 、トリメトキシアルミニウム、トリエトキ アルミニウム、トリ-nプロポキシアルミニ ム、トリ-isoプロポキシアルミニウム、トリ- nブトキシアルミニウム、トリ-iso-ブトキシア ルミニウム、トリ-sec-ブトキシアルミニウム トリ-tert-ブトキシアルミニウム、トリメト シボロン、トリエトキシボロン、トリ-n-プ ポキシボロン、トリ-iso-プロポキシボロン トリ-n-ブトキシボロン、トリ-iso-ブトキシボ ロン、トリ-sec-ブトキシボロン、テトラメト シチタン、テトラエトキシチタン、テトラ- n-プロポキシチタン、テトラ-iso-プロポキシ タン、テトラ-n-ブトキシチタン、テトラ-iso- ブトキシチタン、テトラ-sec-ブトキシチタン テトラ-tert-ブトキシチタン、テトラメトキ ジルコニウム、テトラエトキシジルコニウ 、テトラ-n-プロポキシジルコニウム、テト -iso-プロポキシジルコニウム、テトラ-n-ブ キシジルコニウム、テトラ-iso-ブトキシジル コニウム、テトラ-sec-ブトキシジルコニウム テトラ-tert-ブトキシジルコニウムが挙げら る。

 塩基性化合物としては、例えば、水酸化 リウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ 、水酸化ストロンチウム、水酸化カルシウ 、水酸化マグネシウム、水酸化アンモニウ 、テトラメチル水酸化アンモニウム、テト ブチル水酸化アンモニウム、トリエチルア ンが挙げられる。

 フッ化物塩としては、例えば、フッ化ア モニウム、フッ化テトラメチルアンモニウ 、フッ化テトラブチルアンモニウムを挙げ ことができる。

 これら触媒のうち、好ましく用いられる は、テトラ-iso-プロポキシチタン(チタンイ プロポキシド)、水酸化バリウム、水酸化ス トロンチウム、水酸化カルシウム、及び水酸 化マグネシウムからなる群から選ばれる一種 以上である。

 触媒の使用量は、シラノール化合物(a)成 と(b)成分との合計に対し、0.01~10質量%、好 しくは0.1~5質量%である。反応の進行の観点 ら、触媒の使用量は0.01質量%以上である。熱 硬化膜の機械特性の観点から、触媒の使用量 は10質量%以下である。なお、(b3)成分である リアルコキシアルミニウム、トリアルコキ ボロン、及び(b4)成分であるテトラアルコキ チタン、テトラアルコキシジルコニウムは 媒としての働きも兼ねている。

 ここで、例えば(a)成分がジフェニルシラ ジオール、(b)成分が(b1)成分スチリルトリメ トキシシラン単独である場合、生成する縮合 体の構造は下記式(i)のような直線状になる。

 (B)下記式(e)で示されるホスフィンオキサ ド基を有する少なくとも1種の光重合開始剤 について説明する。

(mは1,2から選ばれる整数、R 5 及びR 6 はそれぞれ独立にC 1 ~C 12 のアルキル基、C 6 ~C 12 のアリール基、C 7 ~C 12 のアルキルアリール基、C 1 ~C 3 のアルコキシ又はハロゲン置換アリール基か らなる群より選ばれる一種の基である。R 5 及びR 6 が、複数ある場合、それらは同一であっても 、異なっていても良い。)
 (B)光重合開始剤としては、上記式(e)で示さ るホスフィンオキサイド基を有する光重合 始剤であれば何でも用いることができるが 具体的には、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイ ル)フェニルホスフィンオキサイド(商品名:IRG ACURE819)、ビス(2,6-ジメトキシベンゾイル)-2,4,4 -トリメチルペンチルホスフィンオキサイド( 品名:CGI403)、2,4,6-トリメチルベンゾイルジ ェニルホスフィンオキサイド(商品名:DAROCURE TPO)を挙げることができる。このような光重 開始剤の添加量は、上記(A)感光性シリコー に対し0.1~20質量部であり、0.2~10質量部がよ 好ましく、0.2~5質量部が更に好ましい。感 の観点より0.1質量部以上であり、機械特性 観点より20質量部以下である。

 なお、光重合開始剤として、上記(B)以外 ものも上記(B)の10質量%を超えない範囲で添 することができる。

 上記(B)以外の光重合開始剤としては、例 ば下記の化合物を挙げることができる。

 (1)ベンゾフェノン誘導体:例えば、ベンゾフ ェノン、o-ベンゾイル安息香酸メチル、4-ベ ゾイル-4’-メチルジフェニルケトン、ジベ ジルケトン、フルオレノン
 (2)アセトフェノン誘導体:例えば、2,2’-ジ トキシアセトフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチ ルプロピオフェノン、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフ ェニルエタン-1-オン(チバ・スペシャルティ ケミカルズ社製、IRGACURE651)、1-ヒドロキシシ クロヘキシルフェニルケトン(チバ・スペシ ルティ・ケミカルズ社製、IRGACURE184)、2-メチ ル-1-[4-(メチルチオ)フェニル]-2-モルフォリノ プロパン-1-オン(チバ・スペシャルティ・ケ カルズ社製、IRGACURE907)、2-ヒドロキシ-1-{4-[4- (2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオニル)-ベンジ ]-フェニル}-2-メチルプロパン-1-オン(チバ・ スペシャルティ・ケミカルズ社製、IRGACURE127) 、フェニルグリオキシル酸メチル
 (3)チオキサントン誘導体:例えば、チオキサ ントン、2-メチルチオキサントン、2-イソプ ピルチオキサントン、ジエチルチオキサン ン
 (4)ベンジル誘導体:例えば、ベンジル、ベン ジルジメチルケタール、ベンジル-β-メトキ エチルアセタール
 (5)ベンゾイン誘導体:例えば、ベンゾイン、 ベンゾインメチルエーテル、2-ヒドロキシ-2- チル-1フェニルプロパン-1-オン(チバ・スペ ャルティ・ケミカルズ社製、DAROCURE1173)
 (6)オキシム系化合物:例えば、1-フェニル-1,2 -ブタンジオン-2-(O-メトキシカルボニル)オキ ム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-(O-メト キシカルボニル)オキシム、1-フェニル-1,2-プ パンジオン-2-(O-エトキシカルボニル)オキシ ム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-(O-ベン イル)オキシム、1,3-ジフェニルプロパントリ オン-2-(O-エトキシカルボニル)オキシム、1-フ ェニル-3-エトキシプロパントリオン-2-(O-ベン ゾイル)オキシム、1,2-オクタンジオン,1-[4-(フ ェニルチオ)-2-(O-ベンゾイルオキシム)](チバ スペシャルティ・ケミカルズ社製、IRGACURE O XE0
1)、エタノン,1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイ )-9H-カルバゾール-3-イル]-,1-(O-アセチルオキ シム)(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社 、IRGACURE OXE02)
 (7)α-ヒドロキシケトン系化合物:例えば、2- ドロキシ-2-メチル-1-フェニルプロパン-1-オ 、1-[4-(2-ヒドロキシエトキシ)フェニル]-2-ヒ ドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オン、2-ヒド キシ-1-{4-[4-(2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオ ル)-ベンジル]フェニル}-2-メチルプロパン
 (8)α-アミノアルキルフェノン系化合物:例え ば、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルフ リノフェニル)-ブタノン-1(チバ・スペシャ ティ・ケミカルズ社製、IRGACURE369)、2-ジメチ ルアミノ-2-(4-メチルベンジル)-1-(4-モルフォ ン-4-イル-フェニル)ブタン-1-オン(チバ・ス シャルティ・ケミカルズ社製、IRGACURE379)
 (9)フォスフィンオキサイド系化合物:例えば 、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)-フェニル フォスフィンオキサイド(チバ・スペシャル ィ・ケミカルズ社製、IRGACURE819)、ビス(2,6-ジ メトキシベンゾイル)-2,4,4-トリメチル-ペンチ ルフォスフィンオキサイド、2,4,6-トリメチル ベンゾイル-ジフェニル-フォスフィンオキサ ド(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製 、DAROCURE TPO)
 (10)チタノセン化合物:例えば、ビス(η 5 -2,4-シクロペンタジエン-1-イル)-ビス(2,6-ジフ ルオロ-3-(1H-ピロール-1-イル)フェニル)チタニ ウム(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社 、IRGACURE784)
 また、これらの使用にあたっては、単独で 2種以上の混合物でもかまわない。

 これら光重合開始剤は、光重合増感剤と もに使用することができる。光重合増感剤 しては、例えば、4,4’-ビスエチルアミノベ ンゾフェノン、1-フェニル-1H-テトラゾール-5- チオール、2,2’-(フェニルイミノ)ジエタノー ル等を挙げることができる。これらの使用に 当たっては、単独でも、2種以上を混合して 良い。その添加量は、(B)光重合開始剤に対 て1~100質量部が好ましく、1~60質量部がより ましい。

 本発明においては、架橋性モノマーとし 光重合性の不飽和結合基を2つ以上有する化 合物を添加することもできる。このようなモ ノマーとしては、光重合開始剤の作用により 重合可能な多官能(メタ)アクリル化合物が好 しく、例えば、ポリエチレングリコールジ クリレート[エチレングリコールユニットの 数2~20]、ポリエチレングリコールジメタクリ ート[エチレングリコールユニットの数2~20] ポリ(1,2-プロピレングリコール)ジアクリレ ト[1,2-プロピレングリコールユニット数2~20] 、ポリ(1,2-プロピレングリコール)ジメタクリ レート[1,2-プロピレングリコールユニット数2 ~20]、ポリテトラメチレングリコールジアク レート[テトラメチレングリコールユニット 2~10]、ポリテトラメチレングリコールジメ クリレート[テトラメチレングリコールユニ ト数2~10]、1,4-シクロヘキサンジアクリレー 、1,4-シクロヘキサンジメタクリレート、ペ ンタエリスリトールトリアクリレート、ペン タエリスリトールテトラアクリレート、トリ メチロールプロパントリアクリレート、エト キシ化トリメチロールプロパントリアクリレ ート[エチレングリコールユニットの数2~20]、 トリメチロールプロパントリメタクリレート 、トリ-2-ヒドロキシエチルイソシアヌレート トリアクリレート、トリ-2-ヒドロキシエチル イソシアヌレートトリメタクリレート、グリ セロールジアクリレート、グリセロールジメ タクリレート、ジトリメチロールプロパント リアクリレート、ジトリメチロールプロパン テトラアクリレート、ジペンタエリスリトー ルペンタアクリレート、ジペンタエリスリト ールヘキサアクリレート、メチレンビスアク リルアミド、エチレングリコールジグリシジ ルエーテル-メタクリル酸付加物、グリセロ ルジグリシジルエーテル-アクリル酸付加物 ビスフェノールAジグリシジルエーテル-ア リル酸付加物、ビスフェノールAジグリシジ エーテル-メタクリル酸付加物、エトキシ化 ビスフェノールAジアクリレート[エチレング コールユニットの数2~30]、エトキシ化ビス ェノールAジメタクリレート[エチレングリコ ールユニットの数2~30]、N,N’-ビス(2-メタクリ ロイルオキシエチル)尿素などが挙げられる また、これらの使用にあたっては、必要に じて、単独でも2種以上を混合して用いても まわない。その添加量は、(A)感光性シリコ ン化合物に対して、1~100質量部であること 好ましく、5~50質量部であることがより好ま い。

 本発明においては、更に感光性シリコー 化合物と基材の密着性を向上させる目的で 密着助剤を添加することもできる。用いる とのできる密着助剤としては、例えば3-グ シジルオキシプロピルトリメトキシシラン 3-メタクリルオキシプロピルトリメトキシシ ラン又は3-アクリルオキシプロピルトリメト シシラン等のアルコキシシラン化合物等を げることができる。これらの使用に当たっ は、単独でも2種以上を混合して用いても良 い。その添加量は、(A)感光性シリコーン化合 物に対して0.1~20重量部が好ましく、0.5~10重量 部がより好ましい。

 上記(A)感光性シリコーン化合物及び上記( B)光重合開始剤を含む感光性樹脂組成物は、 記(A)感光性シリコーン化合物と上記(B)光重 開始剤を無溶媒で反応させて得ることがで るが、溶媒を用いる場合は、酢酸プロピル 共溶解させることにより製造することがで る。このとき用いられる溶媒は、上記(A)感 性シリコーン化合物と上記(B)光重合開始剤 両者が溶解するものであれば特に制限はな が、具体的には、N,N-ジメチルホルムアミド 、N-メチル-2-ピロリドン(以下、「NMP」ともい う。)、N-エチル-2-ピロリドン、テトラヒドロ フラン、N,N-ジメチルアセトアミド(以下、「D MAc」ともいう。)、ジメチルスルホキシド、 キサメチルホスホルアミド、ピリジン、シ ロペンタノン、γ-ブチロラクトン(以下、「G BL」ともいう。)、α-アセチル-γ-ブチロラク ン、テトラメチル尿素、1,3-ジメチル-2-イミ ゾリノン、N-シクロヘキシル-2-ピロリドン プロピレングリコールモノメチルエーテル プロピレングリコールモノメチルエーテル セテート、メチルエチルケトン、メチルイ ブチルケトン、アニソール、酢酸エチル、 酸エチル、乳酸ブチルなどが挙げられ、こ らは単独または二種以上の組合せで用いる とができる。。これらの溶媒は、塗布膜厚 粘度に応じて、本発明の組成物に適宜加え ことができるが、(A)シリコーン化合物に対 て、5~100質量部の範囲で用いることが好まし い。

 次に、硬化レリーフパターンの形成方法 ついて述べる。硬化レリーフパターンの形 は、少なくとも、基材上に上記感光性樹脂 成物を塗布して塗布膜を得る工程、塗布膜 活性光線を照射し露光部を光硬化させる工 、現像液を用いて該膜の未硬化の部分を除 する工程、光硬化された膜を加熱する工程 順に行う。

 基材としては、シリコンウェハー、セラ ック基板、アルミ基板などの他、所望の各 基材が挙げられる。基材上に上記感光性樹 組成物を塗布する方法としては、例えばス ンコーター、バーコーター、ブレードコー ー、カーテンコーター、スクリーン印刷機 塗布するか、スプレーコーターで噴霧塗布 る方法が挙げられる。塗布膜の厚みは1~100μ mが好ましく、より好ましくは2~50μmである。

 得られた塗布膜は、溶媒を含有する場合 は、風乾、オーブン又はホットプレートに る加熱乾燥、真空乾燥により乾燥する。

 このようにして得られた塗布膜は、塗布 れた基材を80~200℃でソフトベークした後、 光装置、例えば、コンタクトアライナー、 ラープロジェクション、ステッパーを用い 、空気中で、紫外線光源により露光される 光硬化型樹脂としてのパターンの解像度及 取扱い性の点で、その光源波長はi線が好ま しく、装置としてはステッパーが好ましい。

 この後、光感度の向上などの目的で、必 に応じて、任意の温度、時間の組み合わせ( 好ましくは温度40℃~200℃、時間10秒~360秒)に る露光後ベーク(PEB)や、現像前ベーク(プリ ーク)を施しても良い。

 現像は、従来知られているフォトレジス の現像方法、例えば回転スプレー法、パド 法、超音波処理を伴う浸漬法の中から任意 方法を選んで行うことができる。

 使用される現像液としては、前記の(A)感 性シリコーン化合物に対する良溶媒と貧溶 の組み合わせが好ましい。この良溶媒とし は、例えば、N-メチルピロリドン、N-アセチ ル-2-ピロリドン、N,N″-ジメチルアセトアミ 、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ -ブチロラクトン、α-アセチル-γ-ブチロラク ン、プロピレングリコールモノメチルエー ルアセテートが、また、貧溶媒としては、 えば、トルエン、キシレン、メタノール、 タノール、イソプロピルアルコール、プロ レングリコールモノメチルエーテル及び水 用いられる。良溶媒に対する貧溶媒の割合 (A)感光性シリコーン化合物の溶解性により 整される。各溶媒を組み合わせて用いるこ もできる。

 現像終了後、リンス液により洗浄を行い 現像液を除去することにより、レリーフパ ーン付き塗膜が得られる。リンス液として 、蒸留水、メタノール、エタノール、イソ ロパノール、プロピレングリコールモノメ ルエーテル等を単独または適宜混合して用 たり、また段階的に組み合わせて用いるこ もできる。

 基材ごと加熱する工程としては、硬化レ ーフパターン付着基材を100℃以上に加熱し 未反応スチリル基を結合させて熱処理する 加熱温度は、100℃以上300℃以下が好ましい 加熱時の未反応二重結合の反応の進行の観 から100℃以上、熱分解を防ぐという観点か 300℃以下である。時間は0.5~5時間が好まし 。加熱は、ホットプレート、オーブン、温 プログラムを設定できる昇温式オーブンに り行うことが出来る。加熱する際の雰囲気 体としては空気を用いてもよく、不活性ガ 、例えば、窒素、アルゴンを用いることが きる。

 上述した硬化レリーフパターンを、シリ ンウェハー等の基材上に形成された半導体 置の表面保護膜、層間絶縁膜、及びα線遮 膜からなる群から選択されるいずれかとし 使用し、他の工程は周知の半導体装置の製 方法を適用することで、各種の半導体装置 製造することができる。

 次に、実施例により本発明をさらに詳細に 明する。
[実施例1]
<感光性シリコーン化合物の合成>
 500mlのナス型フラスコ中にジフェニルシラ ジオール0.5モル(108.16g)、スチリルトリメト シシラン0.5モル(112.15g)、チタンテトライソ ロポキシド0.011モル(3.13g)を仕込み、冷却器 ナスフラスコに取り付け、混合物の温度を イルバスで室温から80℃まで徐々に昇温した 。オイルバスの温度を80℃とし、発生するメ ノールによるリフラックスを確認した後、1 時間同温度でリフラックスを継続させた。ナ スフラスコにより冷却器をとり除き、同じ温 度でメタノールを真空引きで除去した。この とき、突沸が起こらないように徐々に真空度 を上げ1~3torr程度になったら、80℃で攪拌しな がら真空引きを継続した。最後に常圧に戻し てメタノール除去を終了し、感光性シリコー ン化合物を合成した。
<感光性樹脂組成物の調製と評価>
 合成した感光性シリコーン化合物100質量部 、光重合開始剤としてチバスペシャルティ ミカルズ社製DAROCURE TPO(2,4,6-トリメチルベ ゾイルジフェニルホスフィンオキサイド)1質 量部を、攪拌しながら溶解させて感光性樹脂 組成物(以下、「ワニス」ともいう。)を調整 た。

 このワニスをスピンコータを用いてシリコ ウェハ上にスピンコートし、120℃で6分でプ リベークした。続いてi線露光機(キャノン株 会社製 PLA露光機)を用い、空気雰囲気中で 脂面全体を露光した(露光量500mJ/cm 2 )。これをPGMEA(プロピレングリコールモノメ ルエーテルアセテート)を現像液としてスピ 現像した所、現像前後膜厚の差から求めた 膜率は70%であった。この現像膜をN 2 雰囲気中で3時間180℃熱処理して硬化完了さ たが、この熱処理の過程で膜減りは認めら なかった。
[実施例2]
 触媒としてチタンテトライソプロポキシド0 .011モルの代わりに水酸化バリウム0.001モルを 用いた他は、実施例1と同様に感光性シリコ ン化合物を合成し、感光性樹脂組成物を調 し、その評価を行なった。このとき露光現 後の残膜率は70%であった。この現像膜をN 2 雰囲気中で3時間180℃熱処理して硬化完了さ たが、この熱処理の過程で膜減りは認めら なかった。
[実施例3]
 光重合開始剤としてDAROCURE TPOの代わりにチ バ・スペシャルティケミカルズ社製CGI 403(ビ ス(2,6-ジメトキシベンゾイル)-2,4,4-トリメチ ペンチルホスフィンオキサイド)を用いた他 、実施例1と同様に感光性シリコーン化合物 を合成し、感光性樹脂組成物を調製し、その 評価を行った。このとき露光現像後の残膜率 は50%であった。この現像膜をN 2 雰囲気中で3時間180℃熱処理して硬化完了さ たが、この熱処理の過程で膜減りは認めら なかった。
[実施例4]
 光重合開始剤としてDAROCURE TPOの代わりにチ バ・スペシャルティケミカルズ社製IRUGACURE 8 19(ビス(2,6-トリメチルベンゾイル)フェニルホ スフィンオキサイド)を用いた他は、実施例1 同様に感光性シリコーン化合物を合成し、 光性樹脂組成物を調製し、その評価を行っ 。このとき露光現像後の残膜率は40%であっ 。この現像膜をN 2 雰囲気中で3時間180℃熱処理して硬化完了さ たが、この熱処理の過程で膜減りは認めら なかった。
[実施例5]
 感光性シリコーン化合物として、実施例1で 合成したものの代わりに、ドイツ国フラウン ホーファー研究所から購入したRF11(ジイソブ ルシランジオールとスチリルメチルジエト シシランを、触媒を用いて積極的に水を添 することなく縮合させることによって得ら た感光性シリコーン化合物)を用いた他は、 実施例1と同様に感光性樹脂組成物を調製し その評価を行った。このとき露光現像後の 率は60%であった。この現像膜をN 2 中で3時間180℃熱処理して硬化完了させが、 の熱処理の過程で膜減りは認められなかっ 。
[比較例1]
 光重合開始剤としてDAROCURE TPOの代わりにチ バ・スペシャルティケミカルズ社製IRUGACURE 3 69(2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルフォ ノフェニル)ブタノン-1)を用いた他は、実施 例1と同様に感光性シリコーン化合物を合成 、感光性樹脂組成物を調製し、その評価を なった。このとき露光現像後の残膜率は0%で あった。
[比較例2]
 光重合開始剤としてDAROCURE TPOの代わりにチ バ・スペシャルティケミカルズ社製IRUGACURE 1 27(2-ヒドロキシ-{4-[4-(2-ヒドロキシ-2-メチルプ ロピオニル)ベンジル]フェニル}-2-メチルプロ パン)を用いた他は、実施例1と同様に感光性 リコーン化合物を合成し、感光性樹脂組成 を調製し、その評価を行なった。このとき 光現像後の残膜率は0%であった。
[比較例3]
 光重合開始剤としてDAROCURE TPOの代わりにチ バ・スペシャルティケミカルズ社製IRUGACURE O XE02(エタノン,1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイ )-9H-カルバゾール-3-イル],1-(O-アセチルオキ ム))を用いた他は、実施例1と同様に感光性 リコーン化合物を合成し、感光性樹脂組成 を調製し、その評価を行った。このとき露 現像後の残膜率は0%であった。
[比較例4]
 光重合開始剤としてDAROCURE TPOの代わりにチ バ・スペシャルティケミカルズ社製IRUGACURE 3 69(2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルフォ ノフェニル)ブタノン-1)を用いた他は、実施 例5と同様に感光性樹脂組成物を調製し、そ 評価を行った。このとき露光現像後の残膜 は0%であった。

 以上、実施例1~5、比較例1~4の結果を表1に まとめる。

 本発明は、電子材料、例えば半導体デバ ス、多層配線基板に用いられる、感光性絶 膜の分野で好適に利用できる。