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Title:
PLASMA COATING OF THERMOELECTRIC ACTIVE MATERIAL WITH NICKEL AND TIN
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2016/050770
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a method for producing a thermoelement for a thermoelectric component, in which method: with the aid of a plasma flame, a diffusion barrier made of nickel is applied to a thermoelectric active material; or, with the aid of a plasma flame, a contact-facilitating layer made of tin is applied to a diffusion barrier made of nickel. The invention also relates to a thermoelectric component comprising thermoelements which are produced correspondingly. The aim of the invention is to further develop the conventional plasma spraying technique such that it can be used to produce thermoelements on an industrial scale. To achieve this aim, nickel particles or tin particles are used, which particles conform to a particular specification with regard to their sphericity.

Inventors:
BUSSE, Jens (Laarmannstr. 50, Bochum, 44879, DE)
HOCH, Sascha (Hagen-Hof-Weg 5, Bochum, 44797, DE)
KERN, Magdalena (Bennersweg 8a, Alzenau, 63755, DE)
GIESSELER, Mareike (Schönbornstraße 80a, Hanau, 63456, DE)
SCHULTZ, Thorsten (Sandbergstr. 1c, Hassenroth, 64739, DE)
STENNER, Patrik (Martin-Luther-King-Str. 22b, Hanau, 63452, DE)
Application Number:
EP2015/072427
Publication Date:
April 07, 2016
Filing Date:
September 29, 2015
Export Citation:
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Assignee:
EVONIK DEGUSSA GMBH (Rellinghauser Straße 1-11, Essen, 45128, DE)
BUSSE, Jens (Laarmannstr. 50, Bochum, 44879, DE)
HOCH, Sascha (Hagen-Hof-Weg 5, Bochum, 44797, DE)
KERN, Magdalena (Bennersweg 8a, Alzenau, 63755, DE)
GIESSELER, Mareike (Schönbornstraße 80a, Hanau, 63456, DE)
SCHULTZ, Thorsten (Sandbergstr. 1c, Hassenroth, 64739, DE)
STENNER, Patrik (Martin-Luther-King-Str. 22b, Hanau, 63452, DE)
International Classes:
C23C4/08; C23C4/134; H01L35/08; H01L35/34
Domestic Patent References:
WO2013144107A22013-10-03
WO2012120060A22012-09-13
Foreign References:
DE102012017556A12013-03-14
US3909241A1975-09-30
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Claims:
Patentansprüche

1. Verfahren zur Herstellung eines Thermoschenkels für ein thermoelektrisches

Bauelement, bei welchem mit Hilfe einer Plasmaflamme auf einem thermo- elektrischen Aktivmaterial eine Diffusionsbarriere aus Nickel aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet,

dass der Plasmaflamme Nickelpartikel mit einer mittleren Sphärizität größer als 0,74 zugeführt werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Nickelpartikel

hinsichtlich ihrer Partikelgrößenverteilung die folgende Spezifikation erfüllen:

D50 von 0.6 μηη bis 25 μηη, wobei 4 μηη bis 7 μηη bevorzugt ist.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass sprühgetrocknete und gesichtete Nickelpartikel verwendet werden.

4. Verfahren nach Anspruch 1 , 2 oder 3 unter der Maßgabe, dass es sich bei der

Plasmaflamme um einen Strom eines ionisierten Trägergases handelt, in welchem die Nickelpartikel dispergiert sind,

dadurch gekennzeichnet,

a) dass ein Trägergas eingesetzt wird, welches ausgewählt aus Stickstoff,

Wasserstoff oder Mischungen daraus, wobei eine Mischung aus 95 Vol.-% Stickstoff und 5 Vol.-% Wasserstoff als Trägergas bevorzugt ist;

b) dass das Trägergas mit Hilfe einer elektrischen Spannung ionisiert wird,

insbesondere mit einer gepulsten Gleichspannung zwischen 10 kV und 50 kV bei einer Pulsfrequenz zwischen 15 kHz und 25 kHz;

c) dass die Temperatur der Plasmaflamme unter 3000 K liegt. Verfahren nach Anspruch 4, unter der Maßgabe, dass die Plasmaflamme in einer Düse erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet,

a) dass das Trägergas mit einem Volumenstrom von 10 Nl/min bis 60 Nl/min in die Düse gefördert wird, wobei 30 Nl/min bevorzugt ist;

b) dass das Trägergas in der Düse ionisiert wird, indem es durch ein von der

elektrischen Spannung hervorgerufene elektrische Entladung hindurchgeführt wird;

c) dass die Nickelpartikel mit einer Förderrate von 1 g/min bis 10 g/min in die Düse gefördert werden, wobei 3.5 g/min bevorzugt ist;

d) dass die Nickelpartikel in dem Strom des Trägergases dispergiert werden, wobei dies vor oder nach oder während der Ionisierung des Trägergases erfolgt;

e) dass die Plasmaflamme aus der Düse in Richtung der thermoelektrischen

Aktivmaterials austritt;

f) und dass Düse und thermoelektrisches Aktivmaterial bei gleichbleibenden

Abstand relativ zueinander bewegt werden mit einem Vorschub von 80 mm/s bis 250 mm/s, wobei ein Vorschub von 200 mm/s bevorzugt ist;

dergestalt,

g) dass über die Plasmaflamme die der Düse zugeführten Nickelpartikel auf dem thermoelektrischen Aktivmaterial abgeschieden werden, sodass die

Diffusionsbarriere mit einer Schichtdicke von 3 μηη bis 100 μηη auf den thermoelektrischen Aktivmaterial aufwächst, wobei eine Schichtdicke von 10 μηη bis 20μηη bevorzugt ist.

Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufbringen der Diffusionsbarriere das thermoelektrische

Aktivmaterialim Bereich der späteren Diffusionsbarriere mit einer Plasmaflamme behandelt wird, in welcher keine Partikel dispergiert sind, wobei die Plasmaflamme ohne dispergierte Partikel analog zu der Plasmaflamme mit darin dispergierten Nickelpartikel erzeugt wird, mit dem Unterschied, dass der Plasmaflamme ohne dispergierte Partikel keine Nickelpartikel zugeführt werden.

Verfahren zur Herstellung eines Thermoschenkels für ein thermoelektrisches

Bauelement, insbesondere nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei welchem mit Hilfe einer Plasmaflamme auf einer Diffusionsbarriere aus Nickel eine

Kontaktvermittlerschicht aufgebracht wird,

dadurch gekennzeichnet,

dass die Kontaktvermittlerschicht aus Zinn besteht, und dass der Plasmaflamme Zinnpartikel mit einer mittleren Sphärizität größer als 0,72 zugeführt werden.

Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Zinnpartikel hinsichtlich ihrer Partikelgrößenverteilung die folgende Spezifikation erfüllen:

D50 von 1 μηη bis 40 μηη, wobei 18 μηη bis 22 μηη bevorzugt ist.

Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass sprühgetrocknete und gesichtete Zinnpartikel verwendet werden.

0. Verfahren nach Anspruch 7, 8 oder 9 unter der Maßgabe, dass es sich bei der

Plasmaflamme um einen Strom eines ionisierten Trägergases handelt, in welchem die Zinnpartikel dispergiert sind,

dadurch gekennzeichnet,

a) dass ein Trägergas eingesetzt wird, welches ausgewählt aus Stickstoff,

Wasserstoff oder Mischungen daraus, wobei Luft als Trägergas bevorzugt ist; b) dass das Trägergas mit Hilfe einer elektrischen Spannung ionisiert wird,

insbesondere mit einer gepulsten Gleichspannung zwischen 10 kV und 50 kV bei einer Pulsfrequenz zwischen 15 kHz und 25 kHz;

c) dass die Temperatur der Plasmaflamme unter 3000 K liegt.

1 . Verfahren nach Anspruch 10, unter der Maßgabe, dass die Plasmaflamme in einer Düse erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet,

a) dass das Trägergas mit einem Volumenstrom von 10 Nl/min bis 60 Nl/min in die Düse gefördert wird, wobei 30 Nl/min bevorzugt ist;

b) dass das Trägergas in der Düse ionisiert wird, indem es durch eine von der

elektrischen Spannung hervorgerufene elektrische Entladung hindurchgeführt wird;

c) dass die Zinnpartikel mit einer Förderrate von 1 g/min bis 10 g/min in dieDüse gefördert werden, wobei 3.5 g/min bevorzugt ist;

d) dass die Zinnpartikel in dem Strom des Trägergases dispergiert werden, wobei dies vor oder nach oder während der Ionisierung des Trägergases erfolgt;

e) dass die Plasmaflamme aus der Düse in Richtung der Diffusionsbarriere austritt; f) und dass Düse und Diffusionsbarriere bei gleichbleibenden Abstand relativ

zueinander bewegt werden mit einem Vorschub von 80 mm/s bis 250 mm/s, wobei ein Vorschub von 200 mm/s bevorzugt ist;

dergestalt,

g) dass über die Plasmaflamme die der Düse zugeführten Zinnpartikel aufder

Diffusionsbarriere abgeschieden werden, sodass die Kontaktvermittlungsschicht mit einer Schichtdicke von 20 μηη bis 200 μηη auf der Diffusionsbarriere aufwächst, wobei eine Schichtdicke von 50 μηη bis 100 μηη bevorzugt ist.

2. Verfahren einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Nickelpartikel und/oder die Zinnpartikel mit Hilfe einer pneumatischen Förderung der Plasmaflamme zugeführt werden.

3. Thermoelektrisches Bauelement, umfassend mindestens zwei Thermoschenkel aus thermoelektrischem Aktivmaterial, welche über eine Kontaktbrücke elektrisch leitend zu einem Thermopaar verschaltet sind, wobei mindestens einer der Thermoschenkel nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12 erhältlich oder erhalten ist.

Description:
Plasma-Beschichten von thermoelektrischem Aktivmaterial mit Nickel und Zinn

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Thermoschenkels für ein thermoelektrisches Bauelement, bei welchem mit Hilfe einer Plasmaflamme auf einem thermoelektrischen Aktivmaterial eine Diffusionsbarriere aus Nickel aufgebracht wird; bzw. bei welchem mit Hilfe einer Plasmaflamme auf einer Diffusionsbarriere aus Nickel eine Kontaktvermittlerschicht aus Zinn aufgebracht wird. Ferner betrifft die Erfindung ein thermoelektrisches Bauelement mit Thermoschenkeln, die entsprechend hergestellt sind. Ein thermoelektrisches Bauelement ist ein Energiewandler, welcher thermische Energie unter Ausnutzung des von Peltier und Seebeck beschriebenen thermoelektrischen Effekts in elektrische Energie umsetzt. Da der thermoelektrische Effekt reversibel ist, kann jedes thermoelektrische Bauelement auch zur Umsetzung von elektrischer Energie in thermische Energie genutzt werden: So genannte Peltier-Elemente dienen unter elektrischer

Leistungsaufnahme zum Kühlen bzw. Wärmen von Objekten. Peltier-Elemente verstehen sich daher auch als thermoelektrische Bauelemente. Thermoelektrische Bauelemente, die zur Umwandlung von thermischer Energie in elektrische Energie dienen, werden oft als thermoelektrische Generatoren (TEG) bezeichnet. Beispiele und Einführungen zu thermoelektrischen Bauelementen finden sich unter:

Thermoelectrics Goes Automotive, D. Jänsch (ed.), expert verlag GmbH, 201 1 , ISBN 978-3-8169-3064-8;

JP2006032850A;

· EP0773592A2;

US6872879B1 ;

US200501 12872A1 ;

JP2004265988A. Technisch ausgeführte thermoelektrische Bauelemente umfassen mindestens ein aus zwei Thermoschenkeln gebildetes Thermopaar aus thermoelektrischem Aktivmaterial und ein das Thermopaar tragendes und/oder umschließendes und elektrisch nach außen hin isolierendes Substrat.

Im Stand der Technik ist eine Vielzahl von thermoelektrischen Aktivmaterialien

beschrieben. Für den kommerziellen Einsatz eignen sich beispielsweise Legierungen aus der Klasse der halbleitenden Wismuthtelluride (insbesondere mit zusätzlichen Anteilen von Selen und/oder Antimon), aus welchen sich - einerseits p-leitend und andererseits n- leitend dotiert - ein Thermopaar aufbauen lässt.

Weitere thermoelektrisch aktive Stoffklassen sind: Halb-Heusler-Materialien, verschiedene Silizide (insbesondere Magnesium, Eisen), verschiedene Skutterudite, verschiedene Telluride (Blei, Zinn, Lanthan, Antimon, Silber), verschiedene Antimonide (Zink, Cer, Eisen, Ytterbium, Mangan, Cobalt, Wismut; Teilweise auch als Zintl-Phasen bezeichnet), TAGS, Siliziumgermanide, Clathrate (insbes. auf Germanium-Basis). Neben diesen

Halbleitermaterialien lassen sich thermoelektrische Bauelemente auch aus Kombinationen der meisten gewöhnlichen Metalle herstellen, wie dies z.B. bei handelsüblichen

Thermoelementen zur Temperaturmessung der Fall ist, z. B. Ni-CrNi. Jedoch sind die so erzielbaren sog. Gütezahlen (thermoelektrische„Wirkungsgrade") deutlich geringer als bei den genannten Halbleitermaterialien.

In thermoelektrischen Bauelementen müssen die aus Aktivmaterial bestehenden

Thermoschenkel elektrisch mit metallischen Leitern (so genannte„Kontaktbrücken") zu einem Thermopaar kontaktiert werden, wobei ein sehr geringer elektrischer Widerstand durch die Fügestelle hindurch gewährleistet sein muss. Gleichzeitig muss verhindert werden, dass Atome aus dem metallischen Leiter und/oder den zur elektrischen

Verbindung verwendeten Lote und Lothilfsmittel, oder Stoffe, die bei anderen

Fügeverfahren zum Einsatz kommen, in die Aktivmaterialien hineindiffundieren, was zu unerwünschten Veränderungen ihrer thermoelektrischen Eigenschaften führen könnte. Dies kann durch Aufbringen einer Diffusionsbarriere auf dem thermoelektrischen

Aktivmaterial unterbunden werden. Klassisches geeignetes Barrierematerial für viele der derzeit verwendeten Aktivmaterialien ist Nickel.

Beim Aufbringen der Diffusionsbarriere auf dem thermoelektrischen Aktivmaterial sind allgemein die folgenden Gesichtspunkte zu beachten:

Schaffung einer wirksamen und dabei möglichst dünnen Diffusionsbarriere mit geeigneter Homogenität, Dichtigkeit und Schichtstärke;

· Hoher elektrischer Durchgangswiderstand der aufgebrachten Schicht(en), sowie

geringe elektrische Übergangswiderstände in allen Kontaktzonen unterschiedlicher Schichten;

Geringe Investitions- und Betriebskosten für die Beschichtung, um die

Herstellungskosten des thermoelektrischen Bauelements gering zu halten, denn nur so lässt es sich wirtschaftlich nutzen;

Das Beschichtungsverfahren muss geeignet sein für die Massenproduktion, es muss gut skalierbar und einfach beherrschbar sein, es muss eine gleichbleibende Qualität und hohe Durchsätze liefern und es muss einfach an geänderte Geometrien und/oder Werkstoffe anpassbar sein;

· Es muss einen gleichmäßigen und gut steuerbaren Schichtaufbau liefern;

Es muss eine gleichmäßige und gute Haftung auf unterschiedlichen TE- Aktivmaterialien liefern;

Es dürfen nur geringe Verluste an Beschichtungsmaterial auftreten;

Die Toxizität von feinverteilten Metallen (insbes. von Nickel) ist zu beherrschen;

· das Verfahren muss einen örtlich definierbaren Schichtaufbau liefern, nämlich nur an der zu beschichtenden Oberfläche des Aktivmaterials, in der Regel im Bereich der späteren Kontaktstelle zu dem Leiter; Abscheidungen an Stellen, die nicht erwünscht oder überflüssig sind, zu vermeiden, auch ist die Bildung von unerwünschten elektrischen Verbindungen zwischen benachbarten TE-Schenkeln unerwünscht; das Verfahren sollte robust gegenüber Qualitätsschwankungen der eingesetzten Beschichtungsmaterialien sein sowie der zu beschichtenden Aktivmaterialien das Verfahren sollte einen stoffschlüssigen Übergang ermöglichen;

Schließlich soll das Verfahren eine gute mechanische und elektrische Anbindbarkeit an gängige elektrische Leitermaterialien wie Kupfer, Silber, Aluminium, Zinn, oder

Gold sicherstellen.

Das Aufbringen der Diffusionsbarriere auf dem Aktivmaterial erfolgt in der industriellen Praxis durch Nickel-Sputtern, galvanische Beschichtung, Flammspritzen oder CVD/PVD- Beschichtung.

Die herkömmlichen Beschichtungstechnologien weisen vielfältige Nachteile auf:

Das Nickel-Sputtern ist ein aufwändiges und teures Verfahren, welches Hochvakuum und hochreine Nickel-Targets benötigt. Es bietet nur geringe Durchsätze wegen der

Hochvakuumkammer und der begrenzten Nickel-Abtragsrate vom Target. Außerdem ist hier ein hoher Nickel-Verbrauch wegen geringer Ausnutzung zu beklagen, da die

Abscheidung auf nahezu allen Oberflächen der Vakuumkammer erfolgt. Schließlich ist der Energieverbrauch immens. Dasselbe gilt im Prinzip auch für CVD/PVD-Technologie.

Die galvanische Beschichtung erzielt nur eine begrenzte Haftung auf Halbleitern.

Außerdem stellt sie sehr hohe Anforderungen an Reinigung der Aktivfläche und Sauberkeit allgemein. Die aggressiven Galvanikbäder können Halbleiter und andere Bauteile des TE- Elements oder auch die Gegenelektrode angreifen, darüber hinaus sind sie hochgradig toxisch und umweltgefährlich.

Zu kritisieren ist auch, dass ein gleichmäßiger Schichtaufbau eine homogene

Stromdichteverteilung erfordert. Dies ist in der Praxis aufgrund oft inhomogener Halbleiter und oberflächlicher Oxidschichten/Verunreinigungen auf den Aktivmaterialien kaum zu erreichen. Bei simultaner Beschichtung mehrerer TE-Schenkel sorgen unterschiedliche Innenwiderstände und Kontaktwiderstände der Schenkel ebenfalls für stark inhomogene Stromverteilung auf den Schenkeln. Deswegen ist eine simultane Beschichtung von n- und p-Schenkeln in der Regel nicht möglich.

Die elektrische Kontaktierung einer Vielzahl an TE-Schenkeln bei gleichzeitiger

Vermeidung des Kontaktes der Kontaktierungszone mit flüssigen Galvanikbädern ist konstruktiv sehr aufwändig. Die Gegenelektroden unterliegen aufgrund der aggressiven Bäder einem hohen Verschleiß und sind deswegen teuer. Auch können an ihnen giftige und/oder korrosive Stoffe gebildet werden.

Schließlich verändert sich die Badzusammensetzung während der galvanischen

Beschichtung, was die gleichmäßige Abscheidung bzw. Steuerung des Prozesses erschwert.

Das Flammspritzen stellt auch keine bessere Alternative dar. So ist hier typisch ein inhomogener und schwer steuerbarer Schichtaufbau und eine begrenzte örtliche

Kontrollierbarkeit der Abscheidung. Die Flamme muss nämlich eine gewisse Mindestgröße erzielen, um Nickelpulver hinreichend aufheizen zu können. Deswegen ist Flammspritzen nicht für filigrane Strukturen unterhalb einiger Millimeter Durchmesser geeignet.

Flammgespritzte Barriereschichten weisen oft eine hohe Porosität und damit eine ungenügende Dichtheit auf.

Außerdem lässt sich bei Flammspritzen ein Sandstrahl-Effekt beobachten, der zu einer Abtragung des Aktivmaterials führt. Die Haftung flammgespritzter Barriereschichten auf Halbleiter-Aktivmaterial ist oft ungenügend, hervorgerufen durch Oxidbildung an Nickel und Halbleitern durch

Oxidationsmittel in der Flamme. Dies führt zu einem hohen elektrischen Widerstand an der Kontaktstelle des Thermoschenkels, wodurch der Wirkungsgrad des TE-Moduls sinkt.

In der WO2013/144106A1 wird das Aufbringen einer Diffusionsbarriere aus Nickel auf thermoelektrischem Aktivmaterial durch Aufpressen und Aufsintern einer aus einer Folie ausgestanzten Scheibe offenbart. Außerdem erwähnt diese Schrift in Zusammenhang mit dem Aufbringen von Barrierematerial das Pulver-Plasmaspritzen, ohne jedoch auf Details einzugehen.

Nachteil des Aufpressens und Aufsinterns ist, dass der gesamte TE-Schenkel auf die Sintertemperatur des Nickels gebracht werden muss. Diese kann für viele TE-Halbleiter zu hoch sein. Auch führt die Verwendung einer Folie zu dickeren Schichten, als für die Barrieredichtheit notwendig. Außerdem muss die Versinterung unter mechanischem Druck erfolgen und dauert verhältnismäßig lange, was Durchsatz und Maschinenausnutzung begrenzt.

Aus der WO2008/077608A2 ist ein Verfahren zum Aufspritzen einer Leiterbahn auf ein Substrat bekannt, bei welchem ein Metallpulver mit Hilfe eines kalten Plasmas bei atmosphärischen Bedingungen auf das Substrat aufgebraucht wird und dort die Leiterbahn ausbildet. Als Beschichtungsmaterial nennt diese Schrift konkret Zinn und Kupfer. Im Ausführungsbeispiel wird Zinnpulver verwendet mit einer Teilchengröße im Bereich von 1 μηη bis 100 μηη Partikeldurchmesser. Weitergehende Angaben zur Beschaffenheit des Pulvers fehlen. Nach Aussage dieser Schrift ist eine Vorbehandlung des zu

beschichtenden Substrats nicht erforderlich. Thermoelektrisches Aktivmaterial wird nicht beschichtet. In der CH401 186 ist ein Verfahren zur Herstellung von Thermoschenkeln für ein thermoelektrisches Bauelement beschrieben, bei welchem mit Hilfe einer heißen

Plasmaflamme auf einem thermoelektrischen Aktivmaterial eine Diffusionsbarriere aus Nickel aufgebracht wird. Als Vorbehandlung vor der Beschichtung wird eine Reinigung von oxidiertem Material empfohlen, insbesondere durch Sandstrahlen, um die Oberfläche aufzurauen und die Haftung der Diffusionsbarriere zu verbessern. Ebenso beschreibt diese Schrift, wie auf die Diffusionsbarriere eine zweite Schicht beispielsweise aus Kupfer oder Eisen aufgebracht werden kann, um ein Auflöten eines elektrischen Kontakts auf den Thermoschenkel zu erleichtern. Allerdings fehlen auch hier konkrete Angaben zur

Beschaffenheit des Pulvers.

Versuche der Anmelderin mit am Markt erhältlicher Plasma-Spritztechnologie

pulverförmiges Nickel auf thermoelektrisches Aktivmaterial aufzuspritzen, um darauf eine Diffusionsbarriere zu bilden, schlugen fehl.

Die Erfinder sahen sich folglich mit der Aufgabe konfrontiert, die herkömmliche Plasma- Spritztechnologie so weiterzubilden, sodass sich damit industriellen Maßstab

Thermoschenkel herstellen lassen. Gelöst wurde diese Aufgabe dadurch, dass Nickelpartikel verwendet werden, die eine mittlere Sphärizität von größer 0,74 aufweisen.

Die Erfinder haben nämlich erkannt, dass ein Schlüssel zur erfolgreichen Herstellung einer Diffussionsbarriere aus Nickel in der Beherrschung der Zuführung der Partikel in die Plasmaflamme liegt. Um auf thermoelektrischem Aktivmaterial eine Nickelschicht mit den oben geschilderten Eigenschaften abzuscheiden, muss offenbar der Plasmaflamme das Nickelpulver in einer besonderen Art und Weise zugeführt werden, die sich von der Zuführung anderer Metallpulvern unterscheidet. Ein einfacher Austausch bisher

verarbeiteter Metallpulver durch Nickelpulver führte nicht zum Erfolg. Erfindungsgemäß wird ein Nickelpulver eingesetzt, dessen Partikel eine besondere Sphärizität aufweisen.

Die„Sphärizität" Ψ ist ein Maß für den Grad der Kugelform eines unregelmäßig geformten Körpers. Sie ist mathematisch definiert durch das Verhältnis der Oberfläche einer Kugel, welche das gleiche Volumen Vwie der Körper aufweist, zur Oberfläche A des Körpers:

1 2

_ π3 (67) 3

A

Die Sphärizität Ψ kann Werte zwischen Null und Eins annehmen. Eine ideale Kugel hat die Sphärizität 1. Je unregelmäßiger der Körper geformt ist, umso geringer ist seine

Sphärizität: Ein Würfel mit drei gleich langen Kanten weist so etwa eine Sphärizität von etwa 0,8 auf. Ein vergleichsweise spitzer Tetraeder erreicht lediglich eine Sphärizität von 0,67. Ein immerhin teilweise runder Zylinder weist hingegen eine höhere Sphärizität von 0,87 auf. Der mathematische Begriff der Sphärizität beschreibt demnach die Rundheit der Partikel und kann als Indikator für das Fließverhalten von Pulver verwendet werden. Da ein Pulver aus einer Vielzahl einzelner Partikel unterschiedlicher individueller Sphärizität besteht, macht es Sinn, dem Pulver einen statistischen Gesamtwert der Sphärizität zuzuordnen. Dazu wird die Sphärizität einzelner Partikel bestimmt und daraus der Mittelwert gebildet. Man spricht dann von der mittleren Sphärizität SM einer Partikelschüttung.

Die Partikeltechnologie hat unterschiedliche Messmethoden entwickelt, die eine

Bestimmung der Sphärizität eines Pulvers ermöglichen. Bildverarbeitende Methoden ermöglichen das Erfassen der Form und können aus der Form und Größe die Sphäriztät errechnen. Bildverarbeitende Systeme gibt es dynamisch oder stationär. Dynamische Systeme z. B. Firma Sympatec Typ QicPic. Stationäre Systeme sind in optischen Mikroskopen oder Raster-Elektronen-Mikroskopen (REM) enthalten und werten einzelne Bilder aus.

Das QicPic der Firma Sympatec GmbH bestimmt die Sphärizität anhand des Verhältnisses des Umfangs des flächengleichen Kreises PEQP C zum tatsächlichen Umfang P rea i. Es nutzt dabei einen zweidimensionalen Ansatz, der von dem mathematisch idealen

dreidimenisonalen Ansatz abweicht, aber dennoch eine gute Näherung bietet.

Nach dieser Messmethode wurde die mittlere Sphärizität der eingesetzten Pulver bestimmt. Versuche zeigen, dass ein Nickelpulver mit einer mittleren Spärizität SM größer 0,74 ein Fließverhalten zeigt, welches es erlaubt, die Nickelpartikel kontinuierlich einer Plasmaflamme zuzuführen, sodass damit eine zuverlässig dichte Diffusionsbarriere geschaffen werden kann. Ein unterbrochener Partikelstrom ist nämlich tunlichst zu vermeiden, da andernfalls die für diesen Einsatzzweck notwendige Homogenität und Dicke der Schicht nicht eingehalten werden kann. Idealerweise beträgt die mittlere Sphärizität 0,79.

Gegenstand der Erfindung ist mithin ein Verfahren zur Herstellung eines Thermoschenkels für ein thermoelektrisches Bauelement, bei welchem mit Hilfe einer Plasmaflamme auf einem thermoelektrischen Aktivmaterial eine Diffusionsbarriere aus Nickel aufgebracht wird, bei welchem der Plasmaflamme Nickelpartikel zugeführt werden, die eine mittlere Sphärizität SM von größer 0,74 aufweisen.

Besonders bevorzugt ist eine mittlere Sphärizität SM im Bereich von 0,78 bis 0,8, in dem der optimale Wert von 0,79 liegt.

Diese Werte beziehen sich auf Messungen mit dem QicPic der Firma Sympatec GmbH. Neben der Sphärizität wirkt sich auch die Partikelgrößenverteilung des eingesetzten Nickelpulvers maßgeblich auf die Prozessierbarkeit des Pulvers und somit auf die erzielte Beschichtungsgüte aus. Eine bevorzugte Weiterbildung der Erfindung sieht es deswegen vor Nickelpartikel zu verwenden, die hinsichtlich ihrer Partikelgrößenverteilung die folgende Spezifikation aufweisen:

D50 von 0.6 μηη bis 25 μηη, wobei 4 μηη bis 7 μηη bevorzugt ist.

Unter der Partikelgrößenverteilung D 50 ist zu verstehen, dass 50 % der eingesetzten Partikel einen Äquivalenzdurchmesser in dem beanspruchten Bereich aufweisen. Der Äquivalenzdurchmesser ist der Durchmesser einer Kugel, die das gleiche Volumen aufweist wie der unregelmäßige Partikel. Eine für Nickelpulver geeignete Messmethode ist die statische Lichtstreuung. Ein geeignetes Gerät ist die. Retsch Horiba LA-950. Ein geeignetes Nickelpulver, dessen Partikel sowohl die geforderte Sphärizität als auch die vorteilhafte Partikelgrößenverteilungen aufweisen, erhält man dadurch, dass die Partikel sprühgetrocknet und gesichtet werden. Beim Sprühtrocknen wird flüssiges Nickel in einem Gasstrom verdüst, sodass die flüssigen Nickeltropfen eine zur Verringerung ihrer

Oberflächenspannung eine kugelige Form anstreben. Im Gasstrom verfestigt (getrocknet) behalten die Partikel ihre kugelige Form bei, sodass sie eine hohe Sphärizität erreichen.

Diese Partikel dürfen danach nicht mehr vermählen werden, da durch den Mahlprozess die runden Partikel wieder abgeplattet werden und/oder scharfkantig aufbrechen. So weist vermahlenes Pulver bei einem gleichen D 50 -Wert eine mittlere Sphärizität von 0,47 auf und kann deswegen nicht erfindungsgemäß eingesetzt werden.

Aus diesem Grunde muss die Einstellung der gewünschten Partikelgrößenverteilung durch Sichtung erfolgen. Sichten ist ein Klassierverfahren, bei welchem die Partikel mit der gewünschten Größe aus dem sprühgetrockneten Grobpulver ausgewählt werden. Beim Windsichten wird der Feinanteil dadurch abgetrennt, dass die kleinen Partikel langsamer in dem Gasstrom sedimentieren.

Da nach dem Sprühtrocknen kein Arbeitsschritt mehr erfolgt, der eine Verkleinerung der Partikelgrößenverteilung bewirkt, liegen die einsetzbaren Nickelpartikel grundsätzlich schon nach der Sprühtrocknung vor, sie müssen nur noch aus der Gesamtmenge der sprühgetrockneten Nickelpulvers ausgewählt werden. Deswegen kommt der

Sprühtrocknung der Nickelpartikel eine besondere Bedeutung zu. Neben der Beschaffenheit des Partikelpulvers sind auch die Prozessparameter der Plasma-Beschichtungsanlage bedeutsam:

Plasma-Beschichtungsanlagen sind kommerziell erhältlich. Ihr Herzstück bildet eine Düse, in der ein Trägergasstrom aus einem ionisierbaren Gas einströmt. In die Düse wird auch der Metallpulver gefördert und darin in dem Trägergasstrom dispergiert. Das Trägergas wird durch eine lonisierungszone geführt, in der sich eine elektrische Hochspannung entlädt. Konkret weist dazu die Düse eine Anode und eine Kathode auf, zwischen denen die Spannung sich durch Funkenüberschlag entlädt. Das Trägergas strömt durch den Bereich der Entladung hindurch und wird dabei ionisiert, das heißt gleichsinnig ionisch aufgeladen. Das ionisierte Trägergas mit den darin dispergierten Partikeln verlässt die Düse als Plasmastrom und trifft auf die zu beschichtende Oberfläche des

thermoelektrischen Aktivmaterials. Die Nickelpartikel scheiden sich so auf dem

Aktivmaterial ab. In der Plasma-Flamme wird die Oberfläche der Metallpartikel nämlich derart aktiviert, dass sich diese bei Auftreffen auf die Zieloberfläche an dieser anhaften und eine Schicht ausbilden können. Gegebenenfalls versintert sogar das Beschichtungsmaterial mit dem darunter liegendem Substrat, also dem Aktivmaterial bzw. dem ersten

Beschichtungsmaterial. Als ionisierbares Trägergas wird vorzugsweise Stickstoff (N 2 ) oder Wasserstoff (H 2 ) oder Mischungen daraus eingesetzt. Vorzugsweise wird Formiergas, das ist eine Mischung aus 95 Vol.-% Stickstoff und 5 Vol.-% Wasserstoff als Trägergas verwendet. Der

Wasserstoffanteil gibt dem Plasmastrom eine reduzierende Wirkung, welche die

Entfernung von unerwünschten Oxidschichten auf dem thermoelektrischen Aktivmaterial ermöglicht. Dadurch sinkt der thermische und elektrische Widerstand der Kontaktstelle, sodass die Effizienz des späteren thermoelektrischen Bauelements steigert wird. Der hohe Stickstoffanteil unterdrückt die Neuoxidation und senkt das Explosionsrisiko. Zur Ionisierung wird bevorzugt eine gepulste Gleichspannung zwischen 10 kV und 50 kV bei einer Pulsfrequenz zwischen 15 kHz und 25 kHz verwendet.

Die Prozesseffizienz wird aber gesteigert, wenn die Ionisation und Dispersion gleichzeitig in der Düse erfolgt. Nichtdestotrotz sind kommerziell verfügbare Plasmadüsen so aufgebaut, dass zuerst die Ionisierung des Trägergases erfolgt und das Pulver unmittelbar danach, also vor Austritt aus der Düse in bereits ionisiertes Trägergas dispergiert wird.

Die Temperatur der Plasmaflamme sollte auf einen Wert unter 3000 K eingestellt werden, damit das thermoelektrische Aktivmaterial nicht beschädigt wird. Die Plasmatemperatur ist abhängig vom Prozessgas, der Leistung und dem Druck. Entscheidend ist jedoch die Temperatur auf dem Substrat. Hier darf der Schmelzpunkt des Halbleiters nicht überschritten werden. Die Temperatur auf dem Substrat wird weiterhin beeinflusst von der Fahrgeschwindigkeit des Plasmastiftes. Es muss eine ausreichende Plasmatemperatur gewählt werden um das Nickel oberflächlich zu aktivieren und eine Temperatur auf dem Substrat ohne es zu zerstören. Konkret erfolgt die Plasma-Beschichtung wie folgt:

a) das Trägergas wird mit einem Volumenstrom von 10 Nl/min bis 60 Nl/min in die Düse gefördert wird, wobei 30 Nl/min bevorzugt ist;

b) das Trägergas wird in der Düse ionisiert, indem es durch ein von der elektrischen Spannung hervorgerufene elektrische Entladung hindurchgeführt wird; c) die Nickelpartikel werden mit einer Förderrate von 1 g/min bis 10 g/min in die Düse gefördert, wobei 3.5 g/min bevorzugt ist; d) die Nickelpartikel werden in dem Strom des Trägergases dispergiert, wobei dies vor oder nach oder während der Ionisierung des Trägergases erfolgt; e) die Plasmaflamme tritt aus der Düse in Richtung der thermoelektrischen

Aktivmaterials aus; f) Düse und thermoelektrisches Aktivmaterial werden bei gleichbleibenden Abstand relativ zueinander bewegt mit einem Vorschub von 80 mm/s bis 250 mm/s, wobei ein Vorschub von 200 mm/s bevorzugt ist; dergestalt, g) dass über die Plasmaflamme die der Düse zugeführten Nickelpartikel aufdem

thermoelektrischen Aktivmaterial abgeschieden werden, sodass die

Diffusionsbarriere mit einer Schichtdicke von 3 μηη bis 100 μηη auf den

thermoelektrischen Aktivmaterial aufwächst, wobei eine Schichtdicke von 10 μηη bis 20μηη bevorzugt ist. Soweit erfindungsgemäße Partikel eingesetzt werden, lassen sich auf diese Weise

Diffusionsbarrieren aus Nickel in hervorragender Qualität bei einem Durchsatz

produzieren, der einer industriellen Massenfertigung von thermoelektrischen

Bauelementen gerecht wird.

Thermoelektrisches Aktivmaterial wie Wismuth-Tellurid weist oft eine Oxidschicht auf, die auf dem Halbleiter durch Kontakt mit Luftsauerstoff entsteht. Solche Oxidschichten wirken als elektrischer und thermischer Isolator, sodass sie im Interesse einer hohen

Energieeffizienz des thermoelektrischen Bauteils diese Oxidschichten zumindest im Bereich der späteren Diffusionsbarriere, über welche der elektrische Kontakt hergestellt wird, zu entfernen sind.

Eine besonders bevorzugte Ausführungsform der Erfindung sieht es vor, dass vor dem Aufbringen der Diffusionsbarriere das thermoelektrische Aktivmaterial im Bereich der späteren Diffusionsbarriere mit einer Plasmaflamme behandelt wird, in welcher keine

Partikel dispergiert sind, wobei die Plasmaflamme ohne dispergierte Partikel analog zu der Plasmaflamme mit darin dispergierten Nickelpartikel erzeugt wird, mit dem Unterschied, dass der Plasmaflamme ohne dispergierte Partikel keine Nickelpartikel zugeführt werden. Dieser Weiterbildung liegt die Idee zu Grunde, die Plasmaflamme, die zur Beschichtung genutzt wird, vor der Beschichtung auch für die Entfernung der Oxidschichten zu nutzen. Dafür wird ein reduzierendes Trägergas verwendet wie Wasserstoff oder Formiergas, welches die Oxidschichten reduziert. Der Reinigungsflamme werden keine Partikel zudosiert. Im Übrigen können die Parameter der Beschichtungsanlage beibehalten werden. Dieselbe Anlage und Werkstückeinrichtung kann so genutzt werden, um

Oxidschichten auf dem Aktivmaterial vor der Beschichtung zu entfernen. Dies macht die Fertigung besonders rationell. Gegenüber der Reinigung mit einem Sandstrahl hat die Verwendung der Plasmaflamme ohne Partikelzugabe den Vorteil, dass die Oberfläche des Aktivmaterial mechanisch nicht so stark beschädigt wird. Die Barriereschicht wird unmittelbar auf die frisch im Plasmastrahl gereinigte Kontaktfläche des Halbleiters (sowohl von n- als auch p-Typ) aufgebracht - somit besteht keine Gefahr der Neuverschmutzung oder Neuoxidation der Kontaktfläche durch Wartezeiten oder Anlagenschnittstellen. Um eine Neuoxidation zu vermeiden, sollte der Prozess unter Schutzatmosphäre durchgeführt werden.

Ein Vorteil der Erfindung ist darin zu sehen, dass ein Vakuum oder Überdruck nicht nötig sind. Es wird lediglich eine Einhausung benötigt, um eine Inertisierung mit dem Schutzgas zur Vermeidung von Oxidbildung zu realisieren, sowie Freisetzung feinteiliger Metalle in die Umgebung zu verhindern.

Vorteil der Erfindung ist auch, dass es bei Atmosphärendruck betrieben werden kann. Demgemäß wird das Verfahren etwa bei Atmosphärendruck betrieben, sodass der absolute Druck der Schutzatmosphäre zwischen 0.8 * 10 5 Pa und 1.2 * 10 5 Pa liegt.

Zur Sicherstellung der Inertisierung und damit zur Vermeidung von ungewünschter Oxidbildung sollte der Sauerstoffanteil in der Schutzatmosphäre unter 100ppm Vol.-% liegen. Insbesondere wird als Schutzatmosphäre Stickstoff mit einer Reinheit von mindestens 99,9 Vol.-% verwendet.

In der Regel wird man auf die Diffusionsbarriere aus Nickel nicht direkt eine elektrische Kontaktbrücke aus einem elektrischen Leiter wie Kupfer oder Aluminium auflöten sondern dazwischen eine Kontaktvermittlerschicht vorsehen, welche die Kontaktierung des Lotes auf der Nickelschicht verbessert. Erfindungsgemäß wird die Kontaktvermittlerschicht aus Zinn ebenfalls mit Hilfe des Plasma-Spritzens auf die Nickelbarriere aufgebracht, vorzugsweise auf derselben Anlage. Allerdings kann das dabei zu verarbeitende

Zinnpulver nicht willkürlich ausgewählt werden, es sollte vielmehr eine mittlere Sphärizität SM von größer 0,72 aufweisen. Der ideale Wert liegt bei SM=0,77, sodass der darum liegende Bereich von 0,75<SM< 0,8 besonders bevorzugt ist. Diese Werte beziehen sich wieder auf Messungen mit dem QicPic der Firma Sympatec GmbH.

Da die Verwendung eines Zinnpulvers mit einer besonderen Sphärizität demselben Erfindungsgedanken entspricht wie bei der Auswahl des Nickel-Pulvers, ist ein Verfahren zur Herstellung eines Thermoschenkels für ein thermoelektrisches Bauelement, bei welchem mit Hilfe einer Plasmaflamme auf einer Diffusionsbarriere aus Nickel eine Kontaktvermittlerschicht bestehend aus Zinn aufgebracht wird, und bei welchem der Plasmaflamme Zinnpartikel zugeführt werden, welche hinsichtlich ihrer Sphärizität die genannte Spezifikation erfüllen, ebenfalls Gegenstand der Erfindung.

Die Kontaktvermittlerschicht braucht nicht zwingend auf einer erfindungsgemäß Plasmagespritzten Barriereschicht aufgebracht zu werden, es macht aber durchaus Sinn, beide Prozessschritte erfindungsgemäß auf derselben Anlage durchzuführen.

Beim Plasmaspritzen mit Zinn sollten die folgenden Parameter eingehalten werden:

Es sollten Zinnpartikel mit einer Partikelgrößenverteilung verwendet werden, die die folgende Spezifikation erfüllen:

D50 von 1 μηη bis 40 μηη, wobei 18 μηη bis 22 μηη bevorzugt ist.

Zinnpulver mit passender Sphärizität und Partikelgrößenverteilung sind durch

Sprühtrocknung und Sichtung erhältlich. Bei der Plasmaflamme zum Zinnspritzen handelt es sich um einen Strom eines ionisierten Trägergases, in welchem die Zinnpartikel dispergiert sind, a) wobei ein Trägergas eingesetzt wird, welches ausgewählt aus Stickstoff,

Wasserstoff oder Mischungen daraus, wobei Luft als Trägergas bevorzugt ist; b) wobei das Trägergas mit Hilfe einer elektrischen Spannung ionisiert wird,

insbesondere mit einer gepulsten Gleichspannung zwischen 10 kV und 50 kV bei einer Pulsfrequenz zwischen 15 kHz und 25 kHz; c) wobei die Temperatur der Plasmaflamme unter 3000 K liegt. Plasmaflamme zum Zinnspritzten wird in einer Düse erzeugt, indem a) das Trägergas mit einem Volumenstrom von 10 Nl/min bis 60 Nl/min in die Düse gefördert wird, wobei 30 Nl/min bevorzugt ist; b) das Trägergas in der Düse ionisiert wird, indem es durch eine von der elektrischen Spannung hervorgerufene elektrische Entladung hindurchgeführt wird; c) die Zinnpartikel mit einer Förderrate von 1 g/min bis 10 g/min in die Düse gefördert werden, wobei 3.5 g/min bevorzugt ist; d) die Zinnpartikel in dem Strom des Trägergases dispergiert werden, wobei dies vo oder nach oder während der Ionisierung des Trägergases erfolgt; e) die Plasmaflamme aus der Düse in Richtung der Diffusionsbarriere austritt; f) und die Düse und Diffusionsbarriere bei gleichbleibenden Abstand relativ

zueinander bewegt werden mit einem Vorschub von 80 mm/s bis 250 mm/s, wobei ein Vorschub von 200 mm/s bevorzugt ist; dergestalt, g) dass über die Plasmaflamme die der Düse zugeführten Zinnpartikel auf der

Diffusionsbarriere abgeschieden werden, sodass die Kontaktvermittlungsschicht mit einer Schichtdicke von 20 μηη bis 200 μηη auf der Diffusionsbarriere aufwächst, wobei eine Schichtdicke von 50 μηη bis 100 μηη bevorzugt ist.

Sowohl für die Plasma-Beschichtung mit Nickel als auch mit Zinn gelten mithin ähnliche technologische Randbedingungen, was die Einheitlichkeit der Erfindung unterstreicht.

Maßgeblich ist auch in beiden Fällen die Fließfähigkeit der Partikel, welche eine

entsprechende Zuführbarkeit ermöglicht. Die Zuführung der Nickel- bzw. Zinn-Partikel in die Plasma-Flamme erfolgt pneumatisch. Pulver mit erfindungsgemäßer Sphärizität lassen sich damit hervorragend kontinuierlich fördern, auch mit den im industriellen Maßstab geforderten Massenströmen. Der Anteil des Volumenstroms für die pneumatische

Förderung ist sehr gering im Vergleich zu dem Gasstrom durch das Plasma.

Im Übrigen wurde hinsichtlich des Aktivmaterials gefunden, dass das Aktivmaterial während der Beschichtung auf etwa 80 °C aufgeheizt werden sollte, da dies das

Aufwachsen der Beschichtung verbessert. Eine Weiterbildung der Erfindung sieht mithin vor, dass die zu beschichtende Oberfläche des thermoelektnschen Aktivmaterials vor der Reinigung und/oder vor Beschichtung auf eine Temperatur von 60 °C bis 100 °C, insbesondere von 80 °C temperiert wird. Grundsätzlich können alle eingangs genannten thermoelektrischen Aktivmaterialien mit der erfindungsgemäßen Technologie beschichtet werden. Versuche zeigen allerdings, dass Wismuthtelluride sich besonders gut beschichten lassen, auch dann, wenn diese mit Anteilen von Antimon und/oder Selen versetzt sind. Insgesamt zielt der erfindungsgemäße Prozess die folgenden Vorteile:

Der örtlich sehr begrenzte Energieeintrag in die Metallpulver sowie in die von der

Plasmaflamme bestrichene Oberfläche des zu beschichtenden Werkstückes reduziert die Aufheizung des Werkstückes und ermöglicht sogar die Beschichtung

temperaturempfindlicher Werkstoffe, wie insbesondere viele TE-Halbleiter oder aber auch thermoelektrisch passiver Substrate, welche die Thermoschenkel umgeben oder umhüllen.

Ein besonderer Vorteil des erfindungsgemäßen Beschichtungsverfahrens ist, dass der reduzierende Charakter der Plasmaflamme sowie die Inertisierung durch die

Schutzatmosphäre die Bildung von unerwünschten Metalloxiden vermeiden. Dies verbessert die Haftung, verringert den Widerstand und verbessert damit den Wirkungsgrad des TE-Moduls. Ein weiterer Vorteil des Verfahrens ist, dass n- und p-Schenkel unter den gleichen

Bedingungen metallisiert werden können. Eine Temperaturanpassung aufgrund der unterschiedlichen Sintertemperaturen der beiden unterschiedlich dotierten Halbleiter ist nicht notwendig. Dies vereinfacht die Prozessführung und damit die Kosten. Des Weiteren erschließt die Erfindung die Möglichkeit, lediglich eine Bearbeitungsstation für drei Bearbeitungsschritte, sowie für den p- und n-Schenkeltyp zu nutzen. Geeignete Bearbeitungsstationen für das Atmosphärendruck-Plasmaspritzen sind zu geringen

Investitionskosten von der Stange verfügbar, kompakt und gut zu automatisieren. Vorteilhafterweise ermöglicht die Erfindung den vollständigen Einschluss gefährlicher Stoffe, nämlich der feinpulverigen Schwermetalle Nickel und Zinn. Dieser ist im Prozess intrinsisch gegeben durch die notwendige Inertgaseinhausung. Ein Vorteil der Erfindung ist auch, dass Kapazitätsanpassungen einfach durch Parallelisierung mehrerer identischer Stationen möglich sind.

Auch ist die flexible Strukturierung durch programmierbare 3D-Positionierung der

Spritzköpfe und Einstellbarkeit des Metall-Mengenstroms möglich, d. h. schnelle

Anpassbarkeit an spezielle Anforderungen. Auch Kleinserien sind kostengünstig

darstellbar.

Die erfindungsgemäß aufgebrachte Metallschicht kann stark porös bis beinahe porenfrei eingestellt werden, abhängig von den gewählten Plasma-Einstellungen und der

zugeführten Metallpulver. Es ist möglich, durch Aufbringen einer ausreichend dicken Schicht eine komplett von Durchgangsporen freie Beschichtung herzustellen und so die darunter liegende Struktur vollständig vor Einwirkung von Fluiden zu schützen bzw. eine wirksame Diffusionsbarriere zur Unterbindung von Metallatom-Wanderung zwischen elektrischem Leiter und thermoelektnschem Halbleiter zu erzeugen.

Die erfindungsgemäßen Verfahren zur Beschichtung von thermoelektrischem Aktivmaterial mit Nickel und Zinn führen zu Thermoschenkeln mit hervorragender Beschichtungsgüte. Zwei derartig beschichtete Thermoschenkel lassen sich zu durch Auflöten einer

Kontaktbrücke auf die beschichteten Stellen zu einem Thermopaar verschalten, welches Bestanteil eines thermoelektrischen Bauelements sein kann.

Da ein solches von der im erfindungsgemäßen Verfahren erzielbaren hohen

Beschichtungsgüte profitiert, ist ein thermoelektrisches Bauelement, umfassend

mindestens zwei Thermoschenkel aus thermoelektrischem Aktivmaterial, welche über eine Kontaktbrücke elektrisch leitend zu einem Thermopaar verschaltet sind, ebenfalls

Gegenstand der Erfindung, sofern mindestens einer der Thermoschenkel nach dem erfindungsgemäßen erhältlich ist oder erhalten ist. Die Erfindung soll nun anhand von Figuren näher erläutert werden. Hierfür zeigen Figur 1 : Prinzipskizze;

Figur 2: Thermoschenkel aus Aktivmaterial in passivem Substrat mit Ni/Sb- Beschichtung (erstes Arbeitsergebnis);

Figur 3: Thermoschenkel aus Aktivmaterial in passivem Substrat mit Ni/Sb- Beschichtung (zweites Arbeitsergebnis);

Figur 4: Thermoschenkel aus Aktivmaterial mit Ni/Sb-Beschichtung

(drittes Arbeitsergebnis);

Figur 5: Thermoschenkel aus Aktivmaterial mit Ni/Sb-Beschichtung

(viertes Arbeitsergebnis).

Figur 1 zeigt eine Prinzipskizze des erfindungsgemäßen Plasmaspritzens. Eine Düse 1 umfasst eine Kathode 2 und eine Anode 3. Die Kathode 2 ist um die Anode 3 herum angeordnet. Zwischen Kathode 2 und Anode 3 wird eine Hochspannung angelegt. Bei der Hochspannung handelt es sich um eine gepulste Gleichspannung von 20 kV. Die

Pulsfrequenz beträgt 20 kHz. Die Spannung entlädt sich zwischen Anode 3 und Kathode 2 durch Funkenüberschlag.

Durch die Düse 1 strömt ein Trägergas 4, welches durch den die Entladung der

Hochspannung zwischen Anode und Kathode ionisiert wird. In den Mündungsbereich der Düse 1 wird ein metallisches Beschichtungsmaterial 5 (Nickel bzw. Zinn) pulverförmig eingetragen. Dies geschieht pneumatisch mit einem nicht ionisierten Fördergas wie Argon. In der Düse 1 wird das pulverförmige Beschichtungsmaterial 5 in dem Trägergas 4 dispergiert, sodass ein Beschichtungsgasstrom 6 aus der Düse 1 austritt. Die Düse wird auf das zu beschichtende thermoelektrische Aktivmaterial 7 ausgerichtet. Bei Annäherung wird der Lichtbogen gezündet. Über das Plasma 8 wird das pulverförmige Beschichtungsmaterial 5 auf die zu beschichtende Oberfläche des thermoelektrischen Aktivmaterials 7 abgeschieden. Ein nicht dargestellter Manipulator bewegt das

Aktivmaterial 7 relativ zu der feststehenden Düse 1 , sodass auf der Oberfläche des

Aktivmaterials eine Schicht 9 aus Beschichtungsmaterial aufwächst. Die Relativbewegung findet innerhalb eines mit Schutzatmosphäre gefüllten Raums statt, genauer gesagt, in einer Einhausung des Beschichtungsapparats. Je nach eingesetztem

Beschichtungsmaterial 5 (Nickel oder Zinn) handelt es sich bei der aufgebrachten Schicht 9 um eine Diffusionsbarriere oder eine Kontaktvermittlerschicht.

Die Figuren 2 bis 5 zeigen diverse Arbeitsergebnisse, bei denen eine erste Schicht 9 aus Nickel als Diffusionsbarriere und darauf eine zweite Schicht 10 aus Zinn als

Kontaktvermittlerschicht auf Thermoschenkel 1 1 aus thermoelektrischem Aktivmaterial erfindungsgemäß aufgetragen wurde. Der Thermoschenkel 1 1 befindet sich bei den in den Figuren 2 und 3 gezeigten Arbeitsergebnissen in einem thermoelektrisch passiven Substrat 12 aus einem keramischen Verbundmaterial. Die Thermoschenkel 1 1 bei den in den Figuren 4 und 5 gezeigten Arbeitsergebnissen sind an ihren Flanken, außerhalb ihres elektrischen Kontaktbereiches, mit einer optionalen Schutzschicht 13 versehen, die ebenfalls erfindungsgemäß aufgebracht wurde. Es lassen sich also nicht nur die

elektrischen Kontaktstellen des Aktivmaterials erfindungsgemäß beschichten sondern auch andere Oberflächenbereiche, die Diffusion und Oxidation ausgesetzt sind. Bezugszeichenliste

1 Düse

2 Kathode

3 Anode

4 Trägergas

5 Beschichtungsmaterial (pulverförmig)

6 Beschichtungsgasstrom

7 thermoelektrisches Aktivmaterial

8 Plasma

9 erste Schicht Ni (Diffusionsbarriere)

10 zweite Schicht Sb (Kontaktvermittler)

1 1 Thermoschenkel

12 Substrat

13 Schutzschicht