以下、本発明の実施の形態におけるプラ� ��マディスプレイ装置について、図面を用い� ��説明する。

 (実施の形態)
 図1は、本発明の一実施の形態におけるプラ ズマディスプレイパネル10(以下、「パネル」 と略記する)の構造を示す分解斜視図である� �ガラス製の前面板21上には、走査電極22と維� ��電極23とからなる表示電極対24が複数形成さ れている。そして走査電極22と維持電極23と� �覆うように誘電体層25が形成され、その誘電 体層25上に保護層26が形成されている。

 また、保護層26は、放電セルにおける放� �開始電圧を下げるために、パネルの材料と� �て使用実績があり、ネオン(Ne)およびキセノ� ��(Xe)ガスを封入した場合に2次電子放出係数� �大きく耐久性に優れたMgOを主成分とする材� �から形成されている。

 背面板31上にはデータ電極32が複数形成さ れ、データ電極32を覆うように誘電体層33が� �成され、さらにその上に井桁状の隔壁34が形 成されている。そして、隔壁34の側面および� ��電体層33上には赤色(R)、緑色(G)および青色(B )の各色に発光する蛍光体層35が設けられてい る。

 これら前面板21と背面板31とは、微小な放 電空間を挟んで表示電極対24とデータ電極32� �が交差するように対向配置され、その外周� �をガラスフリット等の封着材によって封着� �れている。そして放電空間には、例えばネ� �ンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして� �入されている。放電空間は隔壁34によって複 数の区画に仕切られており、表示電極対24と� ��ータ電極32とが交差する部分に放電セルが� �成されている。そしてこれらの放電セルが� �電、発光することにより画像が表示される� �

 なお、パネル10の構造は上述したものに� �られるわけではなく、例えばストライプ状� �隔壁を備えたものであってもよい。

 図2は、本発明の一実施の形態におけるパ ネル10の電極配列図である。パネル10には、� �方向に長いn本の走査電極SC1~SCn(図1の走査電� ��22)およびn本の維持電極SU1~SUn(図1の維持電極 23)が配列され、列方向に長いm本のデータ電� �D1~Dm(図1のデータ電極32)が配列されている。� ��して、1対の走査電極SCi(i=1~n)および維持電� �SUiと1つのデータ電極Dj(j=1~m)とが交差した部� ��に放電セルが形成され、放電セルは放電空� ��内にm×n個形成されている。なお、図1、図2� ��示したように、走査電極SCiと維持電極SUiと� ��互いに平行に対をなして形成されているた� ��に、走査電極SC1~SCnと維持電極SU1~SUnとの間� �大きな電極間容量Cpが存在する。また、走査 電極SCiおよび維持電極SUiとデータ電極Djとが� ��差した部分にも電極間容量が存在する。

 次に、パネル10を駆動するための駆動電� �波形とその動作の概要について説明する。� �実施の形態におけるプラズマディスプレイ� �置は、サブフィールド法、すなわち1フィー� ��ド期間を複数のサブフィールドに分割し、� ��ブフィールド毎に各放電セルの発光・非発� ��を制御することによって階調表示を行う。� ��れぞれのサブフィールドは、初期化期間、� ��込み期間および維持期間を有する。

 各サブフィールドにおいて、初期化期間� ��は初期化放電を発生し、続く書込み放電に� ��要な壁電荷を各電極上に形成する。加えて� ��放電遅れを小さくし書込み放電を安定して� ��生させるためのプライミング粒子(放電のた めの起爆剤=励起粒子)を発生させるという働� ��を持つ。このときの初期化動作には、全て� ��放電セルで初期化放電を発生させる初期化� ��作(以下、「全セル初期化動作」と略記する )と、直前のサブフィールドで維持放電を行� �た放電セルだけで選択的に初期化放電を発� �させる初期化動作(以下、「選択初期化動作� ��と略記する)とがある。

 書込み期間では、後に続く維持期間にお� ��て発光させるべき放電セルで選択的に書込� ��放電を発生し壁電荷を形成する。そして維� ��期間では、輝度重みに比例した数の維持パ� ��スを表示電極対24に交互に印加して、書込� �放電を発生した放電セルで維持放電を発生� �せて発光させる。このときの比例定数を「� �度倍率」と呼ぶ。

 図3は、本発明の一実施の形態におけるサ ブフィールド構成を示す図である。なお、図 3は、サブフィールド法における1フィールド� ��間の駆動波形の概略を示したものであり、� ��動電圧波形の詳細は後述する。

 本実施の形態では、1フィールドを10のサ� ��フィールド(第1SF、第2SF、・・・、第10SF)で� ��成し、各サブフィールドはそれぞれ、例え� ��(1、2、3、6、11、18、30、44、60、80)の輝度重� ��を持つものとする。そして、第1SFの初期化� ��間では全セル初期化動作を行い、第2SF~第10S Fの初期化期間では選択初期化動作を行うも� �とする。これにより、画像の表示に関係の� �い発光は第1SFにおける全セル初期化動作の� �電にともなう発光のみとなり、放電セルで� �持放電を生じさせないときの黒表示領域の� �度は全セル初期化動作における微弱発光だ� �となって、コントラストの高い画像表示が� �能となる。また、各サブフィールドの維持� �間においては、それぞれのサブフィールド� �輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維� �パルスを表示電極対24のそれぞれに印加する 。

 しかし、本実施の形態は、サブフィール� ��数や各サブフィールドの輝度重みが上記の� ��に限定されるものではなく、また、画像信� ��等にもとづいてサブフィールド構成を切換� ��る構成であってもよい。

 なお、本実施の形態では、輝度倍率を一� ��にするのでなく、後述する温度センサで検� ��する温度にもとづき変化させる構成として� ��る。これにより、パネル10における消費電� �を制御してパネル10の温度を適正に保つよう にしている。この詳細については後述する。

 図4は、本発明の一実施の形態におけるパ ネル10の各電極に印加する駆動電圧波形図で� ��る。図4には、2つのサブフィールドの駆動� �圧波形、すなわち全セル初期化動作を行う� �ブフィールド(以下、「全セル初期化サブフ� ��ールド」と呼称する)と、選択初期化動作を 行うサブフィールド(以下、「選択初期化サ� �フィールド」と呼称する)とを示しているが� ��他のサブフィールドにおける駆動電圧波形� ��ほぼ同様である。

 まず、全セル初期化サブフィールドであ� ��第1SFについて説明する。第1SFの初期化期間� ��半部では、データ電極D1~Dm、維持電極SU1~SUn� ��それぞれ0(V)を印加し、走査電極SC1~SCnには� �維持電極SU1~SUnに対して放電開始電圧以下の� ��圧Vi1から、放電開始電圧を超える電圧Vi2に� ��かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧(以下 、「上りランプ波形電圧」と呼称する)を印� �する。

 この上りランプ波形電圧が上昇する間に� ��走査電極SC1~SCnと維持電極SU1~SUn、データ電� �D1~Dmとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が持 続して起こる。そして、走査電極SC1~SCn上部� �負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ� �極D1~Dm上部および維持電極SU1~SUn上部には正� �壁電圧が蓄積される。ここで、電極上部の� �電圧とは電極を覆う誘電体層上、保護層上� �蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生� �る電圧を表す。

 初期化期間後半部では、維持電極SU1~SUnに 正の電圧Ve1を印加し、データ電極D1~Dmに0(V)を 印加し、走査電極SC1~SCnには、維持電極SU1~SUn� ��対して放電開始電圧以下となる電圧Vi3から� ��電開始電圧を超える電圧Vi4に向かって緩や� ��に下降する傾斜波形電圧(以下、「下りラン プ波形電圧」と呼称する)を印加する。この� �に、走査電極SC1~SCnと維持電極SU1~SUn、データ 電極D1~Dmとの間でそれぞれ微弱な初期化放電� ��持続して起こる。そして、走査電極SC1~SCn上 部の負の壁電圧および維持電極SU1~SUn上部の� �の壁電圧が弱められ、データ電極D1~Dm上部の 正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整さ れる。以上により、全ての放電セルに対して 初期化放電を行う全セル初期化動作が終了す る。

 なお、図4の第2SFの初期化期間に示したよ うに、初期化期間の前半部を省略した駆動電 圧波形を各電極に印加してもよい。すなわち 、維持電極SU1~SUnに電圧Ve1を、データ電極D1~Dm に0(V)をそれぞれ印加し、走査電極SC1~SCnに電� ��Vi3’から電圧Vi4に向かって緩やかに下降す� ��下りランプ波形電圧を印加する。これによ� ��前のサブフィールドの維持期間で維持放電� ��起こした放電セルでは微弱な初期化放電が� ��生し、走査電極SCi上部および維持電極SUi上� ��の壁電圧が弱められる。また直前の維持放� ��によってデータ電極Dk(k=1~m)上部に十分な正� ��壁電圧が蓄積されている放電セルでは、こ� ��壁電圧の過剰な部分が放電され書込み動作� ��適した壁電圧に調整される。一方、前のサ� ��フィールドで維持放電を起こさなかった放� ��セルについては放電することはなく、前の� ��ブフィールドの初期化期間終了時における� ��電荷がそのまま保たれる。このように前半� ��を省略した初期化動作は、直前のサブフィ� ��ルドの維持期間で維持動作を行った放電セ� ��に対して初期化放電を行う選択初期化動作� ��なる。

 続く書込み期間では、維持電極SU1~SUnに電 圧Ve2を、走査電極SC1~SCnに電圧Vcを印加する。

 そして、1行目の走査電極SC1に負の走査パ ルス電圧Vaを印加するとともに、データ電極D 1~Dmのうち1行目に発光させるべき放電セルの� ��ータ電極Dk(k=1~m)に正の書込みパルス電圧Vd� �印加する。このときデータ電極Dk上と走査電 極SC1上との交差部の電圧差は、外部印加電圧 の差(Vd-Va)にデータ電極Dk上の壁電圧と走査電 極SC1上の壁電圧との差が加算されたものとな り放電開始電圧を超える。これにより、デー タ電極Dkと走査電極SC1との間に放電が発生す� ��。また、維持電極SU1~SUnに電圧Ve2を印加して いるため、維持電極SU1上と走査電極SC1上との 電圧差は、外部印加電圧の差である(Ve2-Va)に� ��持電極SU1上の壁電圧と走査電極SC1上の壁電� ��との差が加算されたものとなる。このとき� ��電圧Ve2を、放電開始電圧をやや下回る程度� ��電圧値に設定することで、維持電極SU1と走� ��電極SC1との間を、放電には至らないが放電� ��発生しやすい状態とすることができる。こ� ��により、データ電極Dkと走査電極SC1との間� �発生する放電を引き金にして、データ電極Dk と交差する領域にある維持電極SU1と走査電極 SC1との間に放電を発生させることができる。 こうして、発光させるべき放電セルに書込み 放電が起こり、走査電極SC1上に正の壁電圧が 蓄積され、維持電極SU1上に負の壁電圧が蓄積 され、データ電極Dk上にも負の壁電圧が蓄積� ��れる。

 このようにして、1行目に発光させるべき 放電セルで書込み放電を起こして各電極上に 壁電圧を蓄積する書込み動作を行う。一方、 書込みパルス電圧Vdを印加しなかったデータ� ��極D1~Dmと走査電極SC1との交差部の電圧は放� �開始電圧を超えないので、書込み放電は発� �しない。以上の書込み動作をn行目の放電セ� ��に至るまで行い、書込み期間が終了する。

 続く維持期間では、まず走査電極SC1~SCnに 正の維持パルス電圧Vsを印加するとともに維� ��電極SU1~SUnにベース電位となる接地電位、す なわち0(V)を印加する。すると書込み放電を� �こした放電セルでは、走査電極SCi上と維持� �極SUi上との電圧差が維持パルス電圧Vsに走査 電極SCi上の壁電圧と維持電極SUi上の壁電圧と の差が加算されたものとなり放電開始電圧を 超える。

 そして、走査電極SCiと維持電極SUiとの間� ��維持放電が起こり、このとき発生した紫外� ��により蛍光体層35が発光する。そして走査� �極SCi上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極SU i上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデー� �電極Dk上にも正の壁電圧が蓄積される。書込 み期間において書込み放電が起きなかった放 電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間 の終了時における壁電圧が保たれる。

 続いて、走査電極SC1~SCnにはベース電位と なる0(V)を、維持電極SU1~SUnには維持パルス電� ��Vsをそれぞれ印加する。すると、維持放電� �起こした放電セルでは、維持電極SUi上と走� �電極SCi上との電圧差が放電開始電圧を超え� �ので再び維持電極SUiと走査電極SCiとの間に� �持放電が起こり、維持電極SUi上に負の壁電� �が蓄積され走査電極SCi上に正の壁電圧が蓄� �される。以降同様に、走査電極SC1~SCnと維持� ��極SU1~SUnとに交互に輝度重みに輝度倍率を乗 じた数の維持パルスを印加し、表示電極対24� ��電極間に電位差を与えることにより、書込� ��期間において書込み放電を起こした放電セ� ��で維持放電を継続して行う。

 そして、維持期間の最後には走査電極SC1~ SCnと維持電極SU1~SUnとの間にいわゆる細幅パ� �ス状の電圧差を与えて、データ電極Dk上の正 の壁電圧を残したまま、走査電極SCiおよび維 持電極SUi上の壁電圧を調整している。

 続くサブフィールドの動作は、維持期間� ��維持パルスの数を除いて上述の動作とほぼ� ��様であるため説明を省略する。以上が、本� ��施の形態におけるパネル10の各電極に印加� �る駆動電圧波形の概要である。

 なお、第1SF~第10SFの輝度重みが(1、2、3、6 、11、18、30、44、60、80)の場合、輝度倍率が1� ��であれば、各サブフィールドにおける維持� ��ルス数は、(1、2、3、6、11、18、30、44、60、8 0)となり、輝度倍率が2倍のときには、輝度重 みをそれぞれ2倍にした(2、4、6、12、22、36、6 0、88、120、160)となり、輝度倍率が3倍のとき� ��は、同様に3倍にした(3、6、9、18、33、54、90 、132、180、240)となる。そして、上述したよ� �に、本実施の形態では、後述する温度セン� �で検出する温度にもとづきこの輝度倍率を� �化させ、1フィールド期間における維持パル� ��の総数を制御している。こうしてパネル10� �おける消費電力を制御してパネル10の温度を 適正に保つようにしている。

 次に、本実施の形態におけるプラズマデ� ��スプレイ装置の構成について説明する。図5 は、本発明の一実施の形態におけるプラズマ ディスプレイ装置の回路ブロック図である。 プラズマディスプレイ装置1は、パネル10、画 像信号処理回路41、データ電極駆動回路42、� �査電極駆動回路43、維持電極駆動回路44、タ� ��ミング発生回路45、温度検出回路48および各 回路ブロックに必要な電源を供給する電源回 路(図示せず)を備えている。

 画像信号処理回路41は、入力された画像� �号sigをサブフィールド毎の発光・非発光を� �す画像データに変換する。データ電極駆動� �路42はサブフィールド毎の画像データを各デ ータ電極D1~Dmに対応する信号に変換し各デー� ��電極D1~Dmを駆動する。

 温度検出回路48は、温度を検出するため� �用いられる熱電対等の一般に知られた素子� �らなる温度センサ49を有し、温度センサ49で� ��出した温度とあらかじめ定めた第1所定温度 とを比較して、その結果を表す信号を出力す る。具体的には、検出した温度が第1所定温� �未満かどうか、第1所定温度以上であれば第1 所定温度よりもどれだけ大きいかを示す信号 をタイミング発生回路45に出力する。

 なお、本実施の形態では、この第1所定温 度を45℃に設定しているが、何らこの数値に� ��定されるものではなく、パネルの特性やプ� ��ズマディスプレイ装置の仕様等にもとづい� ��最適な値に設定することが望ましい。

 タイミング発生回路45は水平同期信号H、� ��直同期信号Vおよび温度検出回路48からの出� ��をもとにして各回路ブロックの動作を制御� ��る各種のタイミング信号を発生し、それぞ� ��の回路ブロックへ供給する。そして、上述� ��たように、本実施の形態においては、温度� ��ンサ49において検出した温度にもとづいて� �度倍率を制御しており、それに応じたタイ� �ング信号を走査電極駆動回路43および維持電 極駆動回路44に出力する。これにより、1フィ ールド期間における維持パルスの総数を制御 して消費電力を制御し、パネルの温度を適正 に保つ制御を行う。

 走査電極駆動回路43は、初期化期間にお� �て走査電極SC1~SCnに印加する初期化波形電圧� ��発生するための初期化波形発生回路(図示せ ず)、維持期間において走査電極SC1~SCnに印加� ��る維持パルス電圧を発生するための維持パ� ��ス発生回路50、書込み期間において走査電� �SC1~SCnに印加する走査パルス電圧を発生する� ��めの走査パルス発生回路(図示せず)を有し� �タイミング信号にもとづいて各走査電極SC1~S Cnをそれぞれ駆動する。維持電極駆動回路44� �、維持パルス発生回路60および電圧Ve1、電圧 Ve2を発生するための回路を備え、タイミング 信号にもとづいて維持電極SU1~SUnを駆動する� �

 ここで、各電極を駆動して放電セルに放� ��を発生させる各電極駆動回路においては、� ��電極に数十V(ボルト)から百数十Vといった高 い電圧を印加し、かつ放電に必要な数十A(ア� ��ペア)といった非常に大きな電流を流さなけ ればならない。そのため、各電極駆動回路で は非常に大きなジュール熱が発生する。また 、パネル10では各放電セルの発光・非発光を� ��み合わせて画像を表示するため、各放電セ� ��における放電の発生も、表示画像の図柄に� ��じて異なる。したがって、発生する熱も、� ��示画像の図柄に応じて大きく変動する。

 一方、画像信号処理回路41やタイミング� �生回路45で扱う信号は数Vからせいぜい十数V� ��あって、上述の駆動回路と比較して十分に� ��い(以下、これらの回路を総称して「小信号 処理回路」と呼称する)。また、流さなけれ� �ならない電流量も十分に小さく、かつ、表� �画像の図柄によらずほぼ一定の動作をする� �め電流量の変動も比較的少ない。そのため� �発生するジュール熱は十分に小さく、その� �動量も少ない。

 次に、各電極駆動回路の詳細について説� ��する。まず、走査電極駆動回路43の詳細と� �の動作について説明する。図6は、本発明の� ��実施の形態における走査電極駆動回路43の� �路図である。走査電極駆動回路43は、維持パ ルスを発生させる維持パルス発生回路50、初� ��化波形を発生させる初期化波形発生回路53� �走査パルスを発生させる走査パルス発生回� �54を備えている。

 維持パルス発生回路50は、電力回収回路51 とクランプ回路52とを備えている。電力回収� ��路51は、電力回収用のコンデンサC1、スイッ チング素子Q1、Q2、逆流防止用のダイオードD1 、D2、共振用のインダクタL1を有している。� �お、電力回収用のコンデンサC1は電極間容量 Cpに比べて十分に大きい容量を持ち、電力回� ��回路51の電源として働くように、電圧値Vsの 半分の約Vs/2に充電されている。クランプ回� �52は、走査電極SC1~SCnを電圧Vsにクランプする ためのスイッチング素子Q3、走査電極SC1~SCnを 0(V)にクランプするためのスイッチング素子Q4 を有している。そして、タイミング発生回路 45から出力されるタイミング信号にもとづき� ��持パルス電圧Vsを発生させる。

 例えば、維持パルス波形を立ち上げる際� ��は、スイッチング素子Q1をオンにして電極� �容量CpとインダクタL1とを共振させ、電力回� ��用のコンデンサC1からスイッチング素子Q1、 ダイオードD1、インダクタL1を通して走査電� �SC1~SCnに電力を供給する。そして、走査電極S C1~SCnの電圧がVsに近づいた時点で、スイッチ� ��グ素子Q3をオンにして、走査電極SC1~SCnを電� ��Vsにクランプする。

 逆に、維持パルス波形を立ち下げる際に� ��、スイッチング素子Q2をオンにして電極間� �量CpとインダクタL1とを共振させ、電極間容� ��CpからインダクタL1、ダイオードD2、スイッ� ��ング素子Q2を通して電力回収用のコンデン� �C1に電力を回収する。そして、走査電極SC1~SC nの電圧が0(V)に近づいた時点で、スイッチン� ��素子Q4をオンにして、走査電極SC1~SCnを0(V)に クランプする。

 初期化波形発生回路53は、スイッチング� �子Q11とコンデンサC10と抵抗R10とを有し電圧Vi 2までランプ状に緩やかに上昇する上りラン� �波形電圧を発生するミラー積分回路、スイ� �チング素子Q14とコンデンサC11と抵抗R11とを� �し所定の初期化電圧Vi4までランプ状に緩や� �に低下する下りランプ波形電圧を発生する� �ラー積分回路、スイッチング素子Q12を用い� �分離回路およびスイッチング素子Q13を用い� �分離回路を備えている。そして、タイミン� �発生回路45から出力されるタイミング信号に もとづき上述した初期化波形を発生させる。 なお、図6には、ミラー積分回路のそれぞれ� �入力端子を入力端子INa、入力端子INbとして� �している。

 そして、例えば、初期化波形における上� ��ランプ波形電圧を発生させる場合には、入� ��端子INaに所定の電圧(例えば、15(V))を印加し て、入力端子INaを「Hi」にする。すると、抵� ��R10からコンデンサC10に向かって一定の電流� ��流れ、スイッチング素子Q11のソース電圧が� ��ンプ状に上昇し、走査電極駆動回路43の出� �電圧もランプ状に上昇し始める。

 また、全セル初期化動作および選択初期� ��動作の初期化波形における下りランプ波形� ��圧を発生させる場合には、入力端子INbに所� ��の電圧(例えば、15(V))を印加して、入力端子 INbを「Hi」にする。すると、抵抗R11からコン� ��ンサC11に向かって一定の電流が流れ、スイ� ��チング素子Q14のドレイン電圧がランプ状に� ��降し、走査電極駆動回路43の出力電圧もラ� �プ状に下降し始める。

 走査パルス発生回路54は、走査電極SC1~SCn� ��それぞれに走査パルス電圧を出力するスイ� ��チ回路OUT1~OUTnと、スイッチ回路OUT1~OUTnの低� ��圧側を電圧Vaにクランプするためのスイッ� �ング素子Q21と、電圧Vaに電圧Vscnを重畳した� �圧Vcをスイッチ回路OUT1~OUTnの高電圧側に印加 するためのダイオードD21およびコンデンサC21 とを備えている。そしてスイッチ回路OUT1~OUTn のそれぞれは、電圧Vcを出力するためのスイ� ��チング素子QH1~QHnと電圧Vaを出力するための� ��イッチング素子QL1~QLnとを備えている。そし て、タイミング発生回路45から出力されるタ� ��ミング信号にもとづき、書込み期間におい� ��走査電極SC1~SCnに印加する走査パルス電圧Va� ��順次発生させる。なお、走査パルス発生回� ��54は、初期化期間では初期化波形発生回路53 の電圧波形を、維持期間では維持パルス発生 回路50の電圧波形をそのまま出力する。

 そして、上述したように、走査電極駆動� ��路43では、走査電極SC1~SCnを駆動して初期化� ��電、書込み放電、維持放電を発生させるた� ��、非常に大きな電流を流さなければならず� ��そのため、大きなジュール熱が発生する。� ��た、維持放電の発生は表示画像の図柄に応� ��て異なるため、発生する熱も、表示画像の� ��柄に応じて大きく変動する。

 なお、本実施の形態では、初期化波形発� ��回路53に、実用的であり比較的構成が簡易� �FETを用いたミラー積分回路を採用している� �、何らこの構成に限定されるものではなく� �上りランプ波形電圧および下りランプ波形� �圧を発生することができる回路であればど� �ような回路であってもよい。

 また、ここには図示していないが、維持� ��極駆動回路44の維持パルス発生回路は維持� �ルス発生回路50と同様の構成であり、維持電 極SU1~SUnを駆動するときの電力を回収して再� �用するための電力回収回路と、維持電極SU1~S Unを電圧Vsにクランプするためのスイッチン� �素子と、維持電極SU1~SUnを0(V)にクランプする ためのスイッチング素子とを有し、維持パル ス電圧Vsを発生させる。

 そして、維持電極駆動回路44においても� �維持電極SC1~SCnを駆動して維持放電を発生さ� ��るための非常に大きな電流を流さなければ� ��らず、そのため大きなジュール熱が発生し� ��発生する熱は、表示画像の図柄に応じて大� ��く変動する。

 次に、データ電極駆動回路42の詳細とそ� �動作について説明する。図7は、本発明の一� ��施の形態におけるデータ電極駆動回路42の� �路図である。データ電極駆動回路42は、書込 みパルス発生回路55と、書込みパルス出力回� ��58とを有する。

 書込みパルス発生回路55は、電力回収回� �56とクランプ回路57とを備え、電力回収回路5 6は、電力回収用のコンデンサC31と、スイッ� �ング素子Q31、Q32と、逆流防止用のダイオー� �D31、D32と、共振用のインダクタL31とを有し� �クランプ回路57は、スイッチング素子Q33、Q34 を有する。そして、データ電極Dkの電極容量� ��共振用のインダクタL31とを共振させてデー� ��電極Dkに供給された電力を電力回収用のコ� �デンサC31に回収して書込みパルスを発生す� �とともに、発生させた書込みパルスを書込� �パルス出力回路58に出力する。

 書込みパルス出力回路58は、データ電極D1 ~Dmのそれぞれに書込みパルスを出力するスイ ッチ部OUT1~OUTmを備えている。スイッチ部OUT1~O UTmのそれぞれは、書込みパルス発生回路55か� ��出力される書込みパルスをデータ電極D1~Dm� �出力するためのスイッチング素子QH1~QHmと、� ��ータ電極D1~Dmを接地するためのスイッチン� �素子QL1~QLmとを有している。そして、タイミ� ��グ発生回路45から出力されるタイミング信� �および画像信号処理回路41から出力される画 像データにもとづきそれらスイッチング素子 を切換えて、書込みパルス発生回路55から出� ��される書込みパルスを印加すべきデータ電� ��に出力する。

 そして、上述したように、データ電極駆� ��回路42では、データ電極D1~Dmを駆動して書込 み放電を発生させるため、非常に大きな放電 電流を流さなければならず、そのため大きな ジュール熱が発生する。また、書込み放電の 発生は表示画像の図柄に応じて異なるため、 発生する熱も、表示画像の図柄に応じて大き く変動する。

 次に、本発明の実施の形態におけるプラ� ��マディスプレイ装置1の構造について、図面 を用いて説明する。なお、本実施の形態では 、温度センサ49を用いて温度の測定を行って� ��るが、この温度センサ49は、パネル10の温度 を測定することを目的としたものではなく、 プラズマディスプレイ装置1の周囲温度を測� �することを目的としたものである。そして� �本実施の形態では、この検出温度にもとづ� �輝度倍率を制御して消費電力を制御するこ� �で、比較的簡易な構成で、パネル10に生じる 局所的な温度変動に左右されることなくパネ ル10の温度を適正に保ち、高品位な画像を表� ��することを実現している。このように、本� ��施の形態は、表示画像により大きく変動す� ��パネル10の発生熱や駆動回路の発生熱によ� �影響をできるだけ低減し、プラズマディス� �レイ装置1の周囲温度を安定して検出できる� ��うに構成したことを特徴とするものである� ��なお、以下では、この特徴を実現するため� ��構成について主に説明を行うものとする。

 図8Aは、本発明の一実施の形態における� �ラズマディスプレイ装置1の構造の一例を示� ��分解斜視図である。そして、図8Bは、本発� �の一実施の形態におけるプラズマディスプ� �イ装置1の構造の他の一例を示す分解斜視図� ��ある。図9は、図8A、図8Bの9-9線から見た断� �図である。プラズマディスプレイ装置1は、� ��ネル10と、熱伝導シート11と、シャーシ12と� ��データ電極駆動回路42を搭載したプリント� �板であるデータ電極駆動回路搭載基板13a、� �査電極駆動回路43を搭載したプリント基板で ある走査電極駆動回路搭載基板13b、維持電極 駆動回路44を搭載したプリント基板である維� ��電極駆動回路搭載基板13c、電源回路を搭載� ��たプリント基板である電源回路搭載基板14� �タイミング発生回路45や画像信号処理回路41� ��の小信号処理回路を搭載したプリント基板� ��ある小信号処理回路搭載基板15等からなる� �リント基板群と、温度センサ設置器具16と、 チューナー搭載基板18と、パネル10および上� �した各部材を収容する前面枠2およびバック� ��バー3を有する筐体とを備える。なお、以下 の説明では、前面枠2側を前面とし、バック� �バー3側を背面とする。

 熱伝導シート11は、粘着性を有する一般� �知られたシリコン系樹脂等からなり、パネ� �10の背面板31とシャーシ12との間を介在する� �うに挿入配置してパネル10の背面板31とシャ� ��シ12とを接着する。そして、パネル10で発生 した熱を背面板31からシャーシ12に伝導する� �

 シャーシ12は、軽くて剛性が高くかつ熱� �導性のよい金属として知られるアルミを主� �分とする材料からなり、熱伝導シート11を介 して接着されたパネル10を保持するとともに� ��熱伝導シート11を介して伝導されるパネル10 で発生した熱を放熱する。また、シャーシ12� ��背面には、プリント基板群を取り付けたり� ��ックカバー3を固定したりするためのボス部 (図示せず)を、ダイカストによる一体成型等� ��より形成している。なお、シャーシ12およ� �ボス部は、例えばアルミニウム平板に固定� �ンを固定して構成してもよい。

 データ電極駆動回路搭載基板13a、走査電� ��駆動回路搭載基板13b、維持電極駆動回路搭� ��基板13c、電源回路搭載基板14、小信号処理� �路搭載基板15等からなるプリント基板群は、 シャーシ12上のボス部にボス材121を介して固� ��されている。なお、ボス材121は、アルミニ� ��ム、鉄の少なくともいずれか1つを含んで形 成され、プリント基板群を構成する基板は、 ボス材121より熱伝導率が低いものである。そ して、プリント基板群の一部は、パネル10の� ��表示領域に引き出された引き出し部(図示せ ず)に、シャーシ12の四辺の縁部を越えて延び る複数のフレキシブルケーブル(FPC)19によっ� �電気的に接続されている。

 具体的には、パネル10のデータ電極D1~Dmと データ電極駆動回路搭載基板13aとをデータ電 極D1~Dmの引き出し部に接続されたFPC19を介し� �接続する。これによりデータ電極駆動回路42 からデータ電極D1~Dmへの駆動電圧の印加が可� ��になる。同様に、パネル10の走査電極SC1~SCn� ��走査電極駆動回路搭載基板13bとを走査電極S C1~SCnの引き出し部に接続されたFPC19を介して� ��続する。これにより走査電極駆動回路43か� �走査電極SC1~SCnへの駆動電圧の印加が可能に� ��る。同様に、パネル10の維持電極SU1~SUnと維� ��電極駆動回路搭載基板13cとを維持電極SU1~SUn の引き出し部に接続されたFPC19を介して接続� ��る。これにより維持電極駆動回路44から維� �電極SU1~SUnへの駆動電圧の印加が可能になる� ��このようにして、各駆動回路搭載基板で発� ��される駆動電圧をパネル10の各電極に印加� �る。そして、各駆動回路搭載基板において� �、放電電流にともなう大電流が発生し、そ� �にともなう大きな熱が発生する。

 温度センサ設置器具16は、シャーシ12上の ボス部にボス材122を介して固定されている。 そして、本実施の形態では、ボス材122をボス 材121よりも長く形成し、小信号処理回路搭載 基板15や各駆動回路搭載基板等からなるプリ� ��ト基板群よりもバックカバー3に近い位置に 温度センサ設置器具16が配置されるように構� ��している。こうして、温度センサ設置器具1 6をパネル10から離間した位置に配置し、パネ ル10から温度センサ設置器具16への熱伝導量� �低減している。また、温度センサ設置器具16 の背面には、プリント基板を取り付けるため のボス部(図示せず)を形成している。

 なお、ここではパネル10から温度センサ49 への熱を遮る働きを温度センサ設置器具16に� ��たせているため、温度センサ設置器具16は� �熱を遮る効果の高い材料で形成されている� �とが好ましいが、本実施の形態においては� �何らこの材料を限定するものではなく、樹� �、金属等どのような材料で温度センサ設置� �具16を形成してもかまわない。

 なお、本実施の形態では、温度センサ設� ��器具16を小信号処理回路搭載基板15の背後に 配置した構成としている。すなわち、パネル 10と温度センサ設置器具16との間に遮蔽物と� �ての小信号処理回路搭載基板15を配置してい る。このような構成にすることで、発熱量が 大きくかつその変動量も大きい各駆動回路搭 載基板から温度センサ設置器具16を離間させ� ��ことができ、さらに、発熱量が少なくかつ� ��の変動量も小さい小信号処理回路搭載基板1 5にパネル10で発生した熱を遮蔽させる働きを 持たせることができるからである。なお、遮 蔽物として、小信号処理回路搭載基板15を用� ��た例を示したが、遮蔽物は小信号処理回路� ��載基板15に限るものではない。例えばプリ� �ト基板などのように熱伝導率の低い樹脂や� �属からなる板状のものであってもよい。こ� �ような構成により、パネル10で発生した熱を 温度センサ49から遮蔽する働きを持たせられ� ��ため、パネル10で発生する熱の影響をさら� �低減した温度検出が可能となる。

 チューナー搭載基板18は、アンテナ(図示� ��ず)によって受信された放送信号等からテレ ビジョン信号を分離して取り出すためのチュ ーナー回路(図示せず)を搭載しており、温度� ��ンサ設置器具16上に形成されたボス部にボ� �材161を介して固定されている。そして、こ� �チューナー搭載基板18の背面側(バックカバ� �3側)に温度センサ49を搭載する。前述したよ� ��に、チューナー搭載基板18の基板は、アル� �ニウム、鉄の少なくともいずれか1つを含ん� ��形成されるボス材161より熱伝導率が低いも� ��である。したがって、基板は、パネル10か� �温度センサ49への熱の伝導を遮る働きを有し ている。

 バックカバー3は、前面枠2とともにプラ� �マディスプレイ装置1の筐体を形成し、パネ� ��10および上述した各部材を収容する。また� �バックカバー3はプラズマディスプレイ装置1 の内部と外部との通気を行う複数の通気孔4� �らなる通気部5を有する。そして、温度セン� ��設置器具16および温度センサ49を、通気孔4� �温度センサ49とが対向しない位置に配置する ものとする。また、温度センサ設置器具16お� ��び温度センサ49を、温度センサ49の近傍に通 気部5が位置するように、かつ温度センサ49と バックカバー3との間隙に遮蔽物が挟まれな� �ような位置に配置するものとする。

 すなわち、本実施の形態においては、温� ��センサ設置器具16上にチューナー搭載基板18 を介して温度センサ49を設置する。そして、� ��度センサ設置器具16および温度センサ49を、 パネル10に直接接触しない位置で、筐体内で� ��って、かつ温度センサ49とバックカバー3と� ��対向し、温度センサ49とバックカバー3との� ��隙に遮蔽物を挟まない位置に配置する。こ� ��ような構成にすることで、パネル10から温� �センサ49への熱伝導量を低減し、温度センサ 49がプラズマディスプレイ装置1の周囲温度を 精度よく検出できるようにしている。

 また、温度センサ設置器具16および温度� �ンサ49の設置位置は、温度センサ49がパネル1 0の高さの2分の1の高さ以下でパネル10に対向� ��る位置に配置することが望ましい。パネル1 0等によって加熱された空気は対流により上� �してプラズマディスプレイ装置1内の上方に� ��留するため、温度センサ49の設置位置の高� �を低くすることで、その熱の影響を低減で� �るからである。

 なお、チューナー回路は使用する電圧が� ��Vと比較的低く、発生する熱も比較的小さい 。また表示画像によらず常に一定の動作を行 っているため、その温度変動も非常に小さい 。そのため、このチューナー回路が温度セン サ49に与える影響は小さく、かつその影響も� ��温度センサ49が検出する温度に対するオフ� �ット値(以下、周囲温度に加算される温度を� ��称して「オフセット温度」と呼称する)とみ なすことができる。したがって、温度センサ 49とチューナー回路とを同一基板(ここではチ ューナー搭載基板18)に搭載しても実質的に問 題とはならず、加えて、チューナー搭載基板 18の背面側に温度センサ49を搭載することで� �チューナー搭載基板18にパネル10で発生した� ��を遮蔽させる働きを持たせることができる� ��

 また、温度センサ設置器具16は、温度セ� �サ49の周囲を取り囲むように形成した遮蔽壁 17を有する。遮蔽壁17は、パネル10で発生した 熱を遮る働きを有しており、これにより、温 度センサ49においては、パネル10で発生した� �の影響をさらに低減することが可能となる� �なお、遮蔽壁17は温度センサ49の周囲を囲む� ��うに形成することが望ましいが、加熱され� ��空気は対流により上昇するため、その対流� ��遮るように温度センサ49の下方にだけ遮蔽� �17を設ける構成としても効果を得ることはで きる。あるいは、温度センサ49の両脇に遮蔽� ��17を設ける構成としてもよい。あるいは、� �ずしも遮蔽壁17を設けずともよく、遮蔽壁17� ��代えて遮蔽壁17と同様の働きをするものを� �度センサ49の周囲に配置する構成としてもよ い。

 なお、本実施の形態では、バックカバー3 に複数の通気孔4を有する通気部5を設けてい� ��。バックカバー3に設けられた通気部5は、� �度センサ49の近傍であって、かつ温度センサ 49と通気孔4とが対向しない位置に配置してい る。すなわち、図8Aに示すように、通気孔4は 、バックカバー3の温度センサ49と対向する位 置を中心として、所定直径70以上離間した位� ��に配置している。なお所定直径70は、例え� �、20mm以上が望ましい。なお、図8Aに示すよ� �に、バックカバー3の温度センサ49と対向す� �位置を中心として、左右に配置する構成と� �てもよい。また、図8Bに示すように、バック カバー3の温度センサ49と対向する位置を中心 として、左右、および上下に配置する構成と してもよい。すなわち、通気孔4は、バック� �バー3の温度センサ49と対向する位置を中心� �して、所定高さ71と所定幅72を有する矩形の� ��状より離間した位置に配置する構成として� ��よい。所定高さ71と所定幅72は、例えば、そ れぞれ20mm以上が望ましい。

 また、温度センサ49とバックカバー3との� ��隔が第1所定間隔以上、第2所定間隔以下と� �る位置に配置している。ここで、第1所定間� ��は例えば5mm±2mm、第2所定間隔は例えば15mm±5 mmとなるように構成している。これは、次の� ��うな理由による。

 本発明者は、温度センサ49が通気孔4に近� ��ぎると、周囲温度の検出誤差が大きくなる� ��とを実験的に確認した。これは、通気孔4を 介して流出入する空気が温度センサ49に対し� ��あたかも風のように振舞うため、温度セン� ��49が通気孔4に近いほどその影響を強く受け� ��ためと考えられる。また、温度センサ49が� �気孔4から遠すぎても、周囲温度の検出誤差� ��大きくなる。そして、上述した数値範囲に� ��定したときに、最も精度よくプラズマディ� ��プレイ装置の周囲温度を検出することがで� ��ることがわかった。したがって、これらの� ��とから、本実施の形態では、温度センサ49� �通気孔4とを対向させない構成とし、温度セ� ��サ49からバックカバー3までの間隔を上記数� ��範囲に設定した。しかし、何らこの構成や� ��値に限定されるものではなく、プラズマデ� ��スプレイ装置1の構成や温度センサ49の性能� ��通気孔4の形状や位置等を考慮して最適に設 定すればよい。

 次に、本実施の形態における温度センサ4 9における検出温度と輝度倍率との関係につ� �て説明する。図10は、本発明の一実施の形態 における温度センサの検出温度Tと輝度倍率Y� ��の関係を示す概略図である。

 本実施の形態では、温度センサ49で検出し� �温度と所定温度とを比較して、輝度倍率Yを� ��御している。具体的には、図10に示すよう� �、温度センサ49で検出した温度が第1所定温� �T1(本実施の形態では、45℃)未満のときには� �輝度倍率Yを3倍である第1所定輝度倍率Y3にし 、温度センサ49で検出した温度が第1所定温度 T1以上のときには、検出した温度が第2所定温 度T2(本実施の形態では、65℃)のときに輝度倍 率が1倍である第2所定輝度倍率Y1になるよう� �、徐々に輝度倍率Yを小さくする。すなわち� ��データ電極駆動回路42、走査電極駆動回路43 、維持電極駆動回路44からなる駆動回路は、� ��度センサ49の検出した温度が第1所定温度T1� �下の場合、輝度倍率Yを第1所定倍率Y3とし、� ��度センサ49の検出した温度が第2所定温度T2� �場合、輝度倍率Yを第2所定倍率Y1とし、温度� ��ンサ49の検出した温度が第1所定温度T1を超� �る場合、輝度倍率Yを
Y=(Y3-Y1)(T-T2)/(T1-T2)+Y1
 ただし、Yは輝度倍率、Tは温度センサの検� �した温度、T1は第1所定温度、T2は第2所定温� �、Y3は第1所定倍率、Y1は第2所定倍率、
の数式に基づいて制御する。

 このように、本実施の形態では、駆動回� ��は、温度センサ49が検出した温度にもとづ� �表示画像の輝度を制御することで、パネル10 における消費電力を制御し、パネル10の温度� ��調整している。これにより、パネル10の温� �を適正に保っている。これは、次のような� �由による。

 パネル10においては、画像を表示する際� �発生する熱でパネル10自体の温度が上昇する 。そして、本発明者は、このときのパネル10� ��温度は、パネル10が駆動されていないとき� �パネル温度、すなわちプラズマディスプレ� �装置1の周囲温度に、パネル10を駆動するこ� �で発生した熱が加わった温度となることを� �出した。すなわち、まったく同じ図柄の画� �を表示したときでも、プラズマディスプレ� �装置1の周囲温度が変われば、それに応じて� ��ネル10の温度も変化することを確認した。

 また、パネル10の温度上昇は表示画像お� �び輝度倍率Yに依存している。したがって、� ��ネル10の温度が最も上昇する図柄の画像(例� ��ば、輝度100%のウインドウパタンでは、局所 的ではあるが、輝度100%の領域でパネル10の温 度は最も上昇する)を表示して、輝度倍率Yを� ��えながらこのときの温度上昇分を測定して� ��けば、周囲温度にこの温度上昇分の温度を� ��算することで、パネル10において想定され� �最高温度を容易にかつ精度よく推定するこ� �ができるようになる。

 そして、プラズマディスプレイ装置1にお いては、プラズマディスプレイ装置1をプラ� �マディスプレイ装置1における動作補償範囲� ��最大温度において動作させるときであって� ��、パネル10の温度がパネル10における動作補 償範囲の最大温度を超えないようにしなけれ ばならない。

 図11は、本発明の一実施の形態における� �囲温度、輝度倍率Y、想定される最大温度上� ��、想定されるパネルの最高温度の関係を示� ��概略図である。

 本発明者が行った実験では、パネル10の� �度が最も上昇すると考えられるウインドウ� �タンを表示して輝度倍率Yを変化させたとこ� ��、周囲温度に対して、輝度倍率3倍では60℃� ��輝度倍率2倍では50℃、輝度倍率1倍では40℃� ��温度上昇が確認された。したがって、各輝� ��倍率において、周囲温度に対して想定され� ��温度上昇の最大は、60℃、50℃、40℃である� ��とがわかった。

 上述したように、例えば、プラズマディ� ��プレイ装置1における動作補償範囲の最大温 度が60℃であり、パネル10における動作補償� �囲の最大温度が100℃であれば、プラズマデ� �スプレイ装置1を60℃の環境下で使用すると� �に、パネル10の温度が100℃を超えないように 、パネル10の温度を制御しなければならない� ��

 すなわち、本実施の形態では、周囲温度� ��40℃以下のときには輝度倍率Yを最大の3倍と する。また、周囲温度が50℃のときには輝度� ��率Yを2倍とする。そして、周囲温度がプラ� �マディスプレイ装置1における動作補償範囲� ��最大温度である60℃のときには、輝度倍率Y� ��1倍とする。輝度倍率Yが3倍のときに想定さ� ��る温度上昇の最大値は60℃であり、輝度倍� �Yが2倍のときに想定される温度上昇の最大値 は50℃であり、輝度倍率Yが1倍のときに想定� �れる温度上昇の最大値は40℃であるので、い ずれの場合においても、パネル10の動作補償� ��囲の最大温度を超えることはなく、動作補� ��範囲内で使用することが可能となる。

 ただし、このような制御を実現するため� ��は、プラズマディスプレイ装置1の周囲温度 をできるだけ精度よく検出することが重要で ある。そして、本実施の形態では、上述した ような構成としているため、パネル10で発生� ��る熱等の影響を低減し、プラズマディスプ� ��イ装置1の周囲温度を精度よく検出すること ができる。

 なお、上述したように、温度センサ49で� �出する温度には、プラズマディスプレイ装� �1の周囲温度に若干のオフセット温度が含ま� ��る。そして、本実施の形態では、このオフ� ��ット温度を約5℃としている。したがって、 第1所定温度T1を40℃に5℃を加えた45℃とし、� ��2所定温度T2を、プラズマディスプレイ装置1 の動作保証温度の上限に5℃を加えた65℃にし ている。しかし、本実施の形態は、何らこれ らの数値に限定されるものではなく、プラズ マディスプレイ装置1の構成等を考慮して最� �に設定すればよい。

 以上説明したように、本実施の形態によ� ��ば、プラズマディスプレイ装置1を上述した 構成とすることで、プラズマディスプレイ装 置1の周囲温度を、パネル10で発生する熱の影 響を低減して、精度よく検出することが可能 となる。また、温度の検出に用いる温度セン サが1つでよいため、比較的簡易に構成する� �とが可能である。こうして検出した温度に� �とづきパネル10における消費電力を制御する ことで、大画面化、高輝度化されたプラズマ ディスプレイ装置においても、パネル10に生� ��る局所的な温度変動に左右されることなく� ��ネル10の温度を適正に保つことができ、高� �位な画像を表示することが可能となる。

 なお、本実施の形態では、輝度倍率を制� ��して消費電力を制御する構成を説明したが� ��消費電力を制御する構成が何らこの構成に� ��定されるものではなく、例えばサブフィー� ��ド構成を制御して消費電力を制御する構成� ��、どのような構成であってもかまわない。� ��述した本実施の形態における周囲温度検出� ��るための構成は、パネルの温度を調整する� ��めの構成に対して有効であり、様々な構成� ��利用することができる。

 なお、上述した実験は表示電極対数1080の 50インチのパネルを使用して行ったものであ� ��、上述した各数値はそのパネルにもとづき� ��定したものに過ぎない。本実施の形態は何� ��これらの数値に限定されるものではなく、� ��ネルの特性やプラズマディスプレイ装置の� ��様、構成等に合わせて、適宜最適な値に設� ��することが望ましい。また、これらの各数� ��は、上述した効果を得られる範囲でのばら� ��きを許容するものとする。