以下、本発明の実施の形態におけるPDPに� ��いて図面を用いて説明する。

 (実施の形態)
 図1は本発明の実施の形態におけるPDPの構造 を示す斜視図である。PDPの基本構造は、一般 的な交流面放電型PDPと同様である。図1に示� �ように、PDP1は前面ガラス基板3などよりなる 前面板2と、背面ガラス基板11などよりなる背 面板10とが対向して配置され、その外周部を� ��ラスフリットなどからなる封着材によって� ��密封着している。封着されたPDP1内部の放電 空間16には、ネオン(Ne)およびキセノン(Xe)な� �の放電ガスが55kPa~80kPaの圧力で封入されてい る。

 前面板2の前面ガラス基板3上には、走査� �極4および維持電極5よりなる一対の帯状の表 示電極6とブラックストライプ(遮光層)7が互� �に平行にそれぞれ複数列配置されている。� �面ガラス基板3上には表示電極6と遮光層7と� �覆うようにコンデンサとしての働きをする� �電体層8が形成され、さらにその表面に酸化� ��グネシウム(MgO)などからなる保護層9が形成� ��れている。

 また、背面板10の背面ガラス基板11上には 、前面板2の走査電極4および維持電極5と直交 する方向に、複数の帯状のアドレス電極12が� ��いに平行に配置され、これを下地誘電体層1 3が被覆している。さらに、アドレス電極12間 の下地誘電体層13上には放電空間16を区切る� �定の高さの隔壁14が形成されている。隔壁14� ��の溝にアドレス電極12毎に、紫外線によっ� �赤色、青色および緑色にそれぞれ発光する� �光体層15が順次塗布して形成されている。走 査電極4および維持電極5とアドレス電極12と� �交差する位置に放電セルが形成され、表示� �極6方向に並んだ赤色、青色、緑色の蛍光体� ��15を有する放電セルがカラー表示のための� �素になる。

 図2は、本発明の実施の形態におけるPDPの前 面板2の断面図である。図2は図1と上下反転さ せて示している。図2に示すように、フロー� �法などにより製造された前面ガラス基板3に� ��走査電極4と維持電極5よりなる表示電極6と� ��ラックストライプ7がパターン形成されてい る。走査電極4と維持電極5はそれぞれインジ� ��ムスズ酸化物(ITO)や酸化スズ(SnO ₂ )などからなる透明電極4a、5aと、透明電極4a� �5a上に形成された金属バス電極4b、5bとによ� �構成されている。金属バス電極4b、5bは透明� ��極4a、5aの長手方向に導電性を付与する目的 として用いられ、銀(Ag)材料を主成分とする� �電性材料によって形成されている。

 誘電体層8は、前面ガラス基板3上に形成� �れたこれらの透明電極4a、5aと金属バス電極4 b、5bとブラックストライプ7とを覆って設け� �れている。そして誘電体層8上に保護層9が形 成されている。

 次に、PDPのガラス基板の基板強度につい� ��説明する。

 先に述べたように、PDPは大画面・高精細� ��が進むと同時に軽量化・薄型化が求められ� ��いる。このため、製品としてのPDPの強度を� ��状程度に維持するためには、前面ガラス基� ��3、背面ガラス基板11のさらなる強度の向上� ��求められる。

 また、PDPの製品出荷時の梱包において、� ��般的に緩衝材はPDP周辺部のみに設けて画像� ��示部となる位置には設けていない。そのた� ��、製品輸送時に前面ガラス基板3側を下にし て落下させて衝撃を与えた場合、前面ガラス 基板3には製品全体の自重を含めた力が加わ� �、前面ガラス基板3が凸状に撓んでパネル割� ��が生じる。

 一方、表示面と反対側の背面ガラス基板1 1側を下にして落下させる場合には、下面と� �る背面ガラス基板11には駆動回路基板などが 搭載される放熱を兼ねた補強板が貼り付けら れており、背面ガラス基板11が割れるパネル� ��れとなる確率は小さくなる。また、この場� ��には、前面ガラス基板3は凹状となり、凸状 に変形する場合よりもパネル割れが生じにく い。すなわち、落下などの衝撃に対しては、 前面ガラス基板3の画像表示面側の状態がパ� �ル割れに大きく影響する。

 ところで、PDPのガラス基板は一般的にフ� ��ート法によって形成されている。フロート� ��では、調合したガラス原材料を溶解槽にお� ��て1600℃程度で溶融して脱泡をさせた後、錫 を溶融させたフロートバス上に浮かべて延伸 することで所望の幅、厚さを有する平坦な板 状に成型する。その後、板状に成形されたガ ラスは約600℃程度から約200℃程度まで急冷却 される。このため、ガラス基板の最表面には 歪および応力が残留することになる。

 図3はフロート法によって形成されたガラ ス基板に生じている応力を模式的に示す図で あり、ガラス基板の断面で示している。図3� �示すように、ガラス基板には、その断面方� �で、表面では残留応力として圧縮応力21が生 じている圧縮応力層20が形成され、また内部� ��は残留応力として引張応力31が生じている� �張応力層30が形成されている。ただし、これ らの圧縮応力層20と引張応力層30とが均衡し� �状態で存在しており、ガラス基板の形状と� �ては平板を維持している。

 これに対して、先に述べたように、前面� ��ラス基板3側を下面とした輸送時の衝撃など では、画像表示面を凸状に撓ませる外力が作 用する。したがってフロート法によって形成 されたガラス基板は、基板最表面に圧縮応力 が残留している状態であるため、このような 衝撃の外力に対して比較的強いことになる。

 ところが発明者らは、このようなガラス� ��板の強度がPDPの製造工程を経ることによっ� ��、変化することを見出した。具体的には表� ��電極形成後、誘電体層形成後、保護層形成� ��、封着排気後の各工程後に前面ガラス基板3 の残留応力を測定したところ、それぞれの工 程を経ることによって応力は著しく低下する こととなった。

 これは表示電極や誘電体層の焼成工程、� ��らには、封着・排気工程などの熱プロセス� ��影響しているからである。つまり、これら� ��プロセスにおいて、ガラス基板の温度が400� ��~550℃程度に昇温され、その後、室温程度ま で降温される。その降温時にガラス基板全体 がゆっくりと徐冷されるため、ガラス基板に 生じていた残留圧縮応力が緩和すると考えら れる。そしてガラス基板の温度が昇温・降温 を繰り返すことによって、残留していた圧縮 応力がさらに低下すると考えられる。

 また、この圧縮応力の低下に加え、PDP1の 生産工程において、ガラス基板表面には、焼 成工程で使用するセッターとの接触や、各工 程間の搬送ローラーとの接触等によって傷(� �イクロクラック)が入り易くなる。この傷が� ��ることによって、さらにガラス基板の強度� ��低下することになる。

 このような結果として、従来技術によっ� ��製造されたPDP1の前面ガラス基板3には、残� �していた圧縮応力の低下が発生して、輸送� �の衝撃などによる画像表示面を凸状にする� �みがさらに生じ易くなり、パネル割れが発� �し易くなる。これらは製品梱包落下試験に� �る強度試験などの結果からも同様の傾向が� �認されている。

 これに対して本発明の実施の形態では、� ��面ガラス基板3の表面に残留応力をある一定 範囲で存在させるようにして、衝撃に対して パネル割れが生じにくいPDP1を実現している� �

 また、発明者等はこの衝撃に対する必要� ��残留応力値が、基板の厚みやガラス組成に� ��って大きく異なることを見出した。特に、� ��を含まない成分によって構成したガラス基� ��を用いた場合、従来技術と同様の残留応力� ��あっても、落下試験強度は著しく低下し、� ��来通りの基板強度の維持や、工場生産性の� ��保が困難になる。このような結果から、本� ��明の実施の形態では、PDP1の前面ガラス基板 3の種類に応じて、基板の残留応力を次の範� �としている。

 前面ガラス基板3の誘電体層8を設けた面� �反対側の面の応力を0.8MPa~2.4MPaの範囲の圧縮� ��力としている。特に前面ガラス基板の厚さ� ��2.8mm±0.5mmの場合には、その圧縮応力を1.3MPa~ 2.4MPaの範囲とすることが望ましい。また、前 面ガラス基板の厚さが1.8mm±0.5mmの場合には、 その圧縮応力を0.8MPa~1.7MPaの範囲とすること� �望ましい。

 一方、先述したフロート法によって形成� ��れたPDP製造工程を経ていない初期状態のガ� ��ス基板においては、基板の厚さが2.8mm±0.5mm� ��あっては1.3MPa~2.4MPaの残留応力を有し、基板 の厚さが1.8mm±0.5mmであっては0.8MPa~1.7MPaの残� �応力を有している。

 したがって、発明者等の検討によれば、� ��れら初期状態での残留応力を維持すること� ��よって、製品梱包落下試験などにおいても� ��ネル割れなどのない良好な結果を得ること� ��できる。そのため、輸送時の衝撃に対して� ��ガラス割れが生じにくいPDPを製造すること� ��でき、基板強度の維持、生産性の確保が可� ��となる。

 なお、本発明の実施の形態においてガラ� ��基板の残留応力の測定は、偏向透過光の位� ��角を測定することにより行った。測定装置� ��してはポーラリメーター(神港精機株式会社 製 SP-II型)を使用した。この応力測定装置で� ��原理上、圧縮応力と引張応力とで偏向透過� ��の見える色が異なる特性を有するため、圧� ��応力および引張応力いずれかを判断するこ� ��が可能である。

 また、残留応力の測定箇所は、前面ガラ� ��基板3の画像表示面つまり誘電体層などを形 成していない側の面について行っている。こ れは先に述べた製品梱包での落下時の衝撃な どによるパネル割れが、画像表示面側を起点 としていることを考慮したためである。また 、この箇所での測定値は、後述する製品梱包 落下試験の結果と明確な関係が得られている 。

 次に、本発明の実施の形態におけるPDPの� ��造方法について説明する。

 先に述べたように、従来技術においては� ��PDP1の各部位を形成する際の焼成工程や乾燥 工程などの熱プロセスによって、ガラス基板 に生じている応力が変化する。そこで本発明 の実施の形態では、ガラス基板の残留する応 力を一定範囲にするため、PDPの各構成要素の 形成を従来の製造方法よりも低温の熱プロセ スで行うようにしている。

 発明者らが検討した結果、ガラス基板へ� ��残留応力を前述の範囲とするためには、ガ� ��ス基板の歪点温度から100℃以上低い温度の� ��度範囲で、PDP1を製造する必要があることが 判明した。つまりこの温度を超えた熱プロセ スを前面ガラス基板3が受けた場合、初期状� �のガラス基板に残留している圧縮応力が緩� �され、前述の残留応力範囲から外れる。そ� �結果、輸送時の衝撃などによってガラス割� �が発生し易くなることが判った。

 本発明の実施の形態においては、前面ガ� ��ス基板3として、旭硝子株式会社製PD200およ� ��ソーダライムガラスASを使用した。PD200では 歪点が約570℃であるため、前面ガラス基板3� �表面の温度が470℃以下の温度範囲となる熱� �ロセスでPDP1を製造した。一方、ソーダライ� ��ガラスASでは歪点が約510℃であるため、前� �ガラス基板3の表面の温度が410℃以下の温度� ��囲となる熱プロセスでPDP1を製造した。これ によって、前面ガラス基板3の表面において� �、ガラス基板がフロート法によって製造さ� �た初期状態の残留応力を維持したままPDP1を� ��造することができる。

 以下、本発明の実施の形態におけるPDPの� ��造方法の詳細について説明する。ここでは� ��面ガラス基板3として上記ソーダライムガラ スASを使用し、前面ガラス基板3の温度が410℃ 以下の温度範囲となる熱プロセスによってPDP 1を製造する方法について記載する。なお、� �面ガラス基板3としてPD200を使用し、前面ガ� �ス基板3の温度が470℃以下の温度範囲とする� ��造方法によっても本発明の効果が得られる� ��

 また本発明の実施の形態においては、前� ��ガラス基板3の温度の測定に際しては、高温 での測定を考慮して、ガラス基板表面に接触 させるKタイプの熱電対を用いた。この場合� �、測定誤差は±5℃程度である。

 まず、初期状態の前面ガラス基板3上に、 走査電極4および維持電極5と遮光層7とを形成 する。透明電極4a、5aはスパッタ法などの薄� �プロセスを用いて形成し、フォトリソグラ� �ィ法などによって所望の形状にパターニン� �する。

 ここで、金属バス電極4b、5bの形成方法に ついて詳しく説明する。従来技術においては 、感光性成分、ガラス成分および導電性成分 などを含むペーストをスクリーン印刷法など によって塗布し、フォトリソグラフィ法など によってパターニングした後、形状維持を目 的として含有しているガラス成分のガラス化 のため、560℃~600℃で焼成する手法が一般的� �ある。しかしながら、このような方法では� �上述したようにガラス基板に残留している� �縮応力が減少するため、本発明の効果が得� �れない。

 そこで、本発明の実施の形態においては� ��上述した焼成での焼成温度をガラス基板の� ��点温度より100℃低い温度以下とするために� ��以下の製造方法を用いている。

 すなわち、金属バス電極4b、5bを形成する 材料として微細配線用金属ペーストを用いて いる。このペーストは、数ナノメートルサイ ズの銀(Ag)粒子(以下、金属ナノ粒子と呼ぶ)を 室温で分散剤によって分散させたものである (以下、ナノAgペーストと呼ぶ)。このナノAgペ ーストは、加熱によって分散剤が除去される とともに、金属ナノ粒子が粒子効果によって 焼結して導電性を有した膜を形成することが できるものである。

 本発明の実施の形態では、ナノAgペース� �としてハリマ化成株式会社製のペーストNPS� �しくはNPS-HTBを用いた。これらのナノAgペー� �トをあらかじめパターニングされたスクリ� �ンを使用し、スクリーン印刷法によって基� �上にパターン塗布を行う。そして、ペース� �NPSの場合には、乾燥焼成工程として210℃~230� ��の熱処理を60分行う。一方、ペーストNPS-HTB� ��用いた場合には、200℃~240℃で10分間の乾燥� ��程の後、300℃~350℃で30分~60分の焼成工程を� ��い形成している。

 なお、上記のナノAgペーストを用いる以� �にも、スパッタ法などの真空薄膜形成プロ� �スによって、金属単層膜またはクロム/銅/ク ロム、クロム/アルミニウム/クロムなどの金� ��多層膜を形成しても良い。ただし、この場� ��には、ガラス基板の温度を410℃以下とする� ��要がある。そして、このような薄膜形成後� ��レジスト層を形成してフォトリソグラフィ� ��によってパターン形成を行う。

 以上の、ナノAgペーストを用いる方法、� �るいは、真空薄膜形成を用いる方法のいず� �かを用いることによって、金属バス電極4b、 5bを形成すれば前面ガラス基板3に残留する圧 縮応力をガラス基板が製造された初期状態の 値に維持することができる。

 また、遮光層7も同様に、黒色顔料を含む ペーストをスクリーン印刷する方法や黒色顔 料をガラス基板の全面に形成した後、フォト リソグラフィ法を用いてパターニングし、焼 成することにより形成する。この場合も前面 ガラス基板3の温度が410℃以下となるように� �る必要がある。

 次に誘電体層8について説明する。誘電体 層8は、まず走査電極4、維持電極5および遮光 層7を覆うように前面ガラス基板3上に誘電体� ��ーストをスクリーン印刷法、ダイコート法� ��どにより塗布して誘電体ペースト層を形成� ��る。その後、所定の時間放置することによ� ��て塗布した誘電体ペースト層表面がレベリ� ��グされて平坦な表面になる。

 従来技術においては、誘電体ペーストは� ��ラス粉末などの誘電体層材料、バインダお� ��び溶剤を含む塗料である。そして上記工程� ��後、このガラス粉末をガラス化するために� ��誘電体層材料の軟化点温度付近である550℃~ 600℃によって焼成する。しかしこの技術では ガラス基板に残留する圧縮応力が減少するた め、本発明の効果が得られない。

 これに対して本実施の形態においては、� ��ロキサン結合をもつオリゴマーからなる樹� ��バインダと、メチルエチルケトンあるいは� ��ソプロピルアルコールなどの溶剤との混合� ��に、シリカ粒子を50重量%~60重量%程度分散し て調整したペーストを用いた。ここで、樹脂 バインダとしては、JSR株式会社のグラスカを 使用し、シリカ粒子としては日産化学工業株 式会社のIPA-STを使用した。

 このペーストを、走査電極4、維持電極5� �よび遮光層7を覆うように前面ガラス基板3上 にダイコート法によって塗布し、100℃で60分� ��燥させた後、250℃~350℃で10分~30分間焼成す� ��。本発明の実施の形態では、焼成後の誘電� ��層8の厚みを12μm~15μm程度とした。

 また本発明の実施の形態では、ゾルゲル法� ��用いて誘電体層8の形成を行うことも可能で ある。ゾルゲル法とは、金属アルコキシドな どの粒子がコロイド状に分散したゾルを、加 水分解・重縮合反応により流動性を失ったゲ ルとし、これを加熱して誘電体層8を形成す� �方法である。ここでは、実質的に鉛成分を� �まない誘電体層8とするために、原材料とし� ��はテトラエトキシシラン(TEOS)によって酸化� ��素(SiO ₂ )膜を形成する。

 また、上述のゾルゲル法以外に、プラズマC VD法などによっても、テトラエトキシシラン( TEOS)を原材料として、酸化珪素(SiO ₂ )膜を形成することができる。この場合も、� �面ガラス基板3の温度が410℃以下となるよう� ��することが必要がある。

 次に保護層9の形成方法について説明する 。保護層9を形成する方法としては、スクリ� �ン印刷法、スパッタ法、電子ビーム蒸着法� �イオンプレーティング法、有機金属原料を� �いた熱CVD(化学的気相成長法)などがある。現 在では蒸着源のマグネシウム(Mg)を主成分と� �る金属酸化物のペレットに、電子ビームを� �射して加熱蒸発させ、酸素雰囲気中でマグ� �シウム(Mg)を主成分とする金属酸化物である� ��化マフネシウム(MgO)薄膜を形成させる電子� �ーム蒸着法が最も広く用いられている。本� �明の実施の形態では、電子ビーム蒸着法に� �り保護層9を形成するが、その際に、ガラス� ��板の基板温度を270℃~350℃としている。なお 基板温度は酸化マグネシウム(MgO)の膜成長、� ��素雰囲気などによって適宜調整し、前面ガ� ��ス基板3の温度が410℃以下となるようにして いる。このような方法によって、保護層9を� �成することによってガラス基板に残留する� �力を維持することができる。

 なお、保護層9の主成分である酸化マグネ シウム(MgO)は、水分、炭酸水素系、炭酸系等� ��不純物ガスの吸着性が高い。このため保護� ��9を形成した後に、これら不純物ガスを保護 層9から脱離させるための焼成工程を行う場� �がある。しかしながら、この焼成工程にお� �ても、前面ガラス基板3の温度が410℃以下と� ��る温度範囲で行う必要がある。

 以上のような工程によって前面ガラス基� ��3上に、所定の構成物である走査電極4、維� �電極5、遮光層7、誘電体層8および保護層9が� ��成され、前面ガラス基板3の残留応力を初期 状態に維持した前面板2を完成させることが� �きる。

 一方、背面板10は次のようにして形成す� �。まず、背面ガラス基板11上に、銀(Ag)材料� �含むペーストをスクリーン印刷する方法や� �金属膜を全面に形成した後、フォトリソグ� �フィ法を用いてパターニングする方法など� �よりアドレス電極12用の構成物となる材料層 を形成し、それを所望の温度で焼成すること によりアドレス電極12を形成する。

 次に、アドレス電極12が形成された背面� �ラス基板11上にダイコート法などによりアド レス電極12を覆うように誘電体ペーストを塗� ��して誘電体ペースト層を形成する。その後� ��誘電体ペースト層を焼成することにより下� ��誘電体層13を形成する。なお、誘電体ペー� �トはガラス粉末などの誘電体材料とバイン� �および溶剤を含んだ塗料である。

 そして、下地誘電体層13上に隔壁材料を� �む隔壁形成用ペーストを塗布して所定の形� �にパターニングすることにより、隔壁材料� �を形成した後、焼成することにより隔壁14を 形成する。ここで、下地誘電体層13上に塗布� ��た隔壁形成用ペーストをパターニングする� ��法としては、フォトリソグラフィ法やサン� ��ブラスト法を用いることができる。その後� ��隣接する隔壁14間の下地誘電体層13上および 隔壁14の側面に蛍光体材料を含む蛍光体ペー� ��トを塗布し、焼成することにより蛍光体層1 5が形成される。以上の工程により、背面ガ� �ス基板11上に所定の構成部材を有する背面板 10が完成する。

 このようにして所定の構成部材を備えた� ��面板2と背面板10とを走査電極4とアドレス電 極12とが直交するように対向配置して、その� ��囲を封着し、放電空間16内から大気を排気� �た後に、ネオン(Ne)、キセノン(Xe)などを含む 放電ガスを封入することによりPDP1が完成す� �。

 この封着と排気の工程は以下のように行� ��れる。封着前に前面板2もしくは背面板10の� ��囲の所定位置に封着材を塗布し、封着材を� ��定時間乾燥させる。その後、前面板2の表示 電極6と背面板10のアドレス電極12とが交差す� ��ように前面板2と背面板10とを対向配置させ� ��固定治具などによって固定する。

 従来技術においては、封着材として、低� ��点の結晶化フリットガラスと所定のフィラ� ��を混合して有機溶剤で混練したペースト状� ��封着材などが用いられる。そして460℃~550℃ 程度で焼成して封着材を固化する。しかしな がら、この技術ではガラス基板に残留する圧 縮応力が減少するため、本発明の効果が得ら れない。

 これに対して、本発明の実施の形態では� ��封着材として、UV硬化型の材料を用いる。� �れによって従来技術では行えない低温での� �着・排気工程を実現することができ、ガラ� �基板に残留する応力を維持することができ� �。具体的には、JSR株式会社製のUV硬化型シー ル剤TU7113を封着材として使用した。これらを ペースト状にし、ディスペンサーを備えた塗 布装置などを用いて封着材を塗布する。

 その後、封着材を圧着するように前面板2 と背面板10とを仮固定し、その封着材部分にU V照射をし、150℃にて30分昇温することによっ て封着材を硬化する。これによって封着工程 が完了する。

 次にPDP1内のガスを排気する。PDP1内に物� �的な吸着をしているガスの脱離を促すため� �200℃程度で60分程度に昇温維持する。その後 、ネオン(Ne)やキセノン(Xe)などを含む放電ガ� ��を所定の圧力(例えば、Ne-Xe混合ガスの場合� ��約530hPa~800hPaの圧力)で放電空間16へ封入する 。最後に排気管などの部分を気密封止して排 気工程は完了する。

 以上のように本発明の実施の形態におい� ��は、PDP1の製造に際し、表示電極6の形成工� �、誘電体層8の形成工程、および前面板2と背 面板10とを対向配置して形成する工程のいず� ��においても、少なくとも、前面板2を構成す る前面ガラス基板3の温度が、前面ガラス基� �3の歪点温度より100℃以上低い温度で行われ� ��。また、このとき、ガラス基板の種類によ� ��ては470℃以下の温度であってもよく、410℃� ��下であってもよい。

 この結果、前面板2の前面ガラス基板3の� �電体層8を設けていない側の面、すなわち表� ��側の面での残留応力を、ガラス基板が製造� ��れた初期状態の残留応力である0.8MPa~2.4MPaの 範囲とすることができる。さらに前面ガラス 基板3の厚さが2.8mm±0.5mmにあっては、その残� �応力が1.3MPa~2.4MPaの範囲であってもよく、前� ��ガラス基板3の厚さが1.8mm±0.5mmにあっては、 その残留応力が0.8MPa~1.7MPaの範囲であること� �望ましい。

 これによってガラス基板に残留する圧縮� ��力を維持することができ、輸送時の衝撃な� ��の外力に対してもパネル割れなどのない強� ��の強いPDP1を得ることができる。

 (実施例)
 次に、本発明の実施の形態におけるPDPの作� ��効果について説明する。本発明の実施の形� ��における効果を確認するために落下強度試� ��を行った。具体的には、画面サイズが対角4 2インチのPDPサンプルを作製し、製品出荷時� �同様の梱包をし、画像表示面を下面となる� �うにして高さ50cmより落下させ、梱包材で梱� ��された内部のPDPサンプルの割れの有無を確� ��した。試験したPDPサンプル数は、従来技術� ��製造方法によるPDPサンプル、本発明の実施� ��形態によるPDPサンプルをそれぞれ100台ずつ� ��った。なおこの実施例におけるPDPサンプル� ��、全て前面ガラス基板3としてその厚さが1.8 mm±0.5mmのガラス基板を用いている。

 上記の落下強度試験の結果、従来技術の� ��造方法によるPDPサンプルでは、100台中6台に おいて前面ガラス基板3に割れが生じていた� �一方、本発明の実施の形態によるPDPサンプ� �では、100台中全てにおいて前面ガラス基板3� ��割れは生じなかった。

 そこで、従来技術でのPDPサンプルと、本� ��明の実施の形態でのPDPサンプルのそれぞれ1 0台について、前面ガラス基板3の残留応力を� ��定した。その結果、従来技術の製造方法を� ��いた前面ガラス基板3については、残留応力 が0.8MPa~1.7MPaの適正範囲から外れてほぼ応力� �生じていなかった。これに対して本発明の� �施の形態における製造方法を用いた前面ガ� �ス基板3の残留応力は上記の範囲内であった� ��

 これは本発明の実施の形態におけるPDPの� ��造方法においては、前面ガラス基板3がその ガラス基板の歪点温度から100℃低い温度以下 でPDP1が製造されたため、前面ガラス基板3に� ��初生じていた残留応力がほぼ減少すること� ��く維持され、これによってPDP1が強度を有し たと考えられる。

 なお、本発明によれば、従来技術と比較� ��て低温での熱プロセスであるため、焼成炉� ��どにおいてガラス基板面内の温度勾配を起� ��として生じる基板の熱割れなどの発生を抑� ��する効果がある。

 なお、上述の本発明の実施の形態では、� ��熱プロセスの設定温度およびその処理時間� ��例を記載したが、この設定に限られるもの� ��はなく、前面ガラス基板3の歪点温度から100 ℃低い温度以下でPDPを製造することにより、 ガラス基板基板の残留応力を初期常態の残留 応力に維持することができ、本発明の効果を 奏することができる。