Title:
POLISHING SLURRY FOR SILICON CARBIDE AND POLISHING METHOD THEREFOR
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2011/070898
Kind Code:
A1
Abstract:
Provided is a polishing technique by which silicon carbide, which exhibits very high thermal and chemical stability and is therefore very difficult to polish efficiently, can be flattened at an extremely high rate. Specifically disclosed is a polishing slurry for silicon carbide which consists of a suspension that contains manganese dioxide particles in a suspended state and that has a pH of 6.5 or higher. It is preferable that the polishing slurry is a dispersion of manganese dioxide particles in an aqueous solution where the redox potential is so adjusted as to permit manganese dioxide to exist. Further, it is preferable that the redox potential (V) falls within a range satisfying the relationship: 1.014-0.0591pH ≤ V ≤ 1.620-0.0743pH, with pH being a variable.
Inventors:
DOI, Toshiro (NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION 6-10-1, Hakozaki, Higashi-ku, Fukuoka-sh, Fukuoka 81, 〒8128581, JP)
土肥 俊郎 (〒81 福岡県福岡市東区箱崎六丁目１０番１号 国立大学法人九州大学内 Fukuoka, 〒8128581, JP)
KUROKAWA, Syuhei (NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION 6-10-1, Hakozaki, Higashi-ku, Fukuoka-sh, Fukuoka 81, 〒8128581, JP)
黒河 周平 (〒81 福岡県福岡市東区箱崎六丁目１０番１号 国立大学法人九州大学内 Fukuoka, 〒8128581, JP)
OHNISHI, Osamu (NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION 6-10-1, Hakozaki, Higashi-ku, Fukuoka-sh, Fukuoka 81, 〒8128581, JP)
大西 修 (〒81 福岡県福岡市東区箱崎六丁目１０番１号 国立大学法人九州大学内 Fukuoka, 〒8128581, JP)
土肥 俊郎 (〒81 福岡県福岡市東区箱崎六丁目１０番１号 国立大学法人九州大学内 Fukuoka, 〒8128581, JP)
KUROKAWA, Syuhei (NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION 6-10-1, Hakozaki, Higashi-ku, Fukuoka-sh, Fukuoka 81, 〒8128581, JP)
黒河 周平 (〒81 福岡県福岡市東区箱崎六丁目１０番１号 国立大学法人九州大学内 Fukuoka, 〒8128581, JP)
OHNISHI, Osamu (NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION 6-10-1, Hakozaki, Higashi-ku, Fukuoka-sh, Fukuoka 81, 〒8128581, JP)
大西 修 (〒81 福岡県福岡市東区箱崎六丁目１０番１号 国立大学法人九州大学内 Fukuoka, 〒8128581, JP)
Application Number:
JP2010/070549
Publication Date:
June 16, 2011
Filing Date:
November 18, 2010
Export Citation:
Assignee:
KYUSHU UNIVERSITY, NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION (6-10-1, Hakozaki Higashi-ku, Fukuoka-sh, Fukuoka 81, 〒8128581, JP)
国立大学法人九州大学 (〒81 福岡県福岡市東区箱崎六丁目１０番１号 Fukuoka, 〒8128581, JP)
MITSUI MINING & SMELTING CO.,LTD. (1-11-1, Osaki Shinagawa-k, Tokyo 84, 〒1418584, JP)
三井金属鉱業株式会社 (〒84 東京都品川区大崎一丁目１１番１号 Tokyo, 〒1418584, JP)
DOI, Toshiro (NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION 6-10-1, Hakozaki, Higashi-ku, Fukuoka-sh, Fukuoka 81, 〒8128581, JP)
土肥 俊郎 (〒81 福岡県福岡市東区箱崎六丁目１０番１号 国立大学法人九州大学内 Fukuoka, 〒8128581, JP)
KUROKAWA, Syuhei (NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION 6-10-1, Hakozaki, Higashi-ku, Fukuoka-sh, Fukuoka 81, 〒8128581, JP)
黒河 周平 (〒81 福岡県福岡市東区箱崎六丁目１０番１号 国立大学法人九州大学内 Fukuoka, 〒8128581, JP)
国立大学法人九州大学 (〒81 福岡県福岡市東区箱崎六丁目１０番１号 Fukuoka, 〒8128581, JP)
MITSUI MINING & SMELTING CO.,LTD. (1-11-1, Osaki Shinagawa-k, Tokyo 84, 〒1418584, JP)
三井金属鉱業株式会社 (〒84 東京都品川区大崎一丁目１１番１号 Tokyo, 〒1418584, JP)
DOI, Toshiro (NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION 6-10-1, Hakozaki, Higashi-ku, Fukuoka-sh, Fukuoka 81, 〒8128581, JP)
土肥 俊郎 (〒81 福岡県福岡市東区箱崎六丁目１０番１号 国立大学法人九州大学内 Fukuoka, 〒8128581, JP)
KUROKAWA, Syuhei (NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION 6-10-1, Hakozaki, Higashi-ku, Fukuoka-sh, Fukuoka 81, 〒8128581, JP)
黒河 周平 (〒81 福岡県福岡市東区箱崎六丁目１０番１号 国立大学法人九州大学内 Fukuoka, 〒8128581, JP)
International Classes:
C09K3/14; B24B37/04; H01L21/304
Attorney, Agent or Firm:
TANAKA AND OKAZAKI (Hongo K&K Bldg, 30-10 Hongo 3-chome, Bunkyo-k, Tokyo 33, 〒1130033, JP)
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