本発明の高分子化合物は、下記一般式(1)~(4) で表される化合物から誘導される2価の基か� �選ばれる1種以上の繰り返し単位Aと、下記一 般式(5)及び(6)から選ばれる1種以上の繰り返� �単位Bとを含む。
 以下、一般式(1)について説明する。

 一般式(1)において、Ar ₁ ~Ar ₄ は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の 環形成炭素数6~60、好ましくは6~40、さらに好� ��しくは6~20のアリール基、又は置換もしくは 無置換の環形成原子数3~40、好ましくは3~20の� ��香族複素環基を表し、Ar ₁ ~Ar ₄ は、それぞれ同一であっても異なっていても よい。

 Ar ₁ ~Ar ₄ の置換もしくは無置換のアリール基としては 、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナ� �チル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9 -アントリル基、1-フェナントリル基、2-フェ� ��ントリル基、3-フェナントリル基、4-フェナ ントリル基、9-フェナントリル基、1-ナフタ� �ニル基、2-ナフタセニル基、9-ナフタセニル� ��、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル� ��、ビフェニル-2-イル基、ビフェニル-3-イル� ��、ビフェニル-4-イル基、p-ターフェニル-4-� �ル基、p-ターフェニル-3-イル基、p-ターフェ� ��ル-2-イル基、m-ターフェニル-4-イル基、m-タ ーフェニル-3-イル基、m-ターフェニル-2-イル� ��、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、p-t- ブチルフェニル基、p-(2-フェニルプロピル)フ ェニル基、3-メチル-2-ナフチル基、4-メチル-1 -ナフチル基、4-メチル-1-アントリル基、4’-� ��チルビフェニル-4-イル基、4”-t-ブチル-p-タ ーフェニル-4-イル基等が挙げられ、フェニル 基、1-ナフチル基、2-ナフチル基が好ましい� �

 Ar ₁ ~Ar ₄ の置換もしくは無置換の芳香族複素環基とし ては、例えば、1-ピロリル基、2-ピロリル基� �3-ピロリル基、ピラジニル基、2-ピリジニル� ��、3-ピリジニル基、4-ピリジニル基、1-イン� ��リル基、2-インドリル基、3-インドリル基、 4-インドリル基、5-インドリル基、6-インドリ ル基、7-インドリル基、1-イソインドリル基� �2-イソインドリル基、3-イソインドリル基、4 -イソインドリル基、5-イソインドリル基、6-� ��ソインドリル基、7-イソインドリル基、2-フ リル基、3-フリル基、2-ベンゾフラニル基、3- ベンゾフラニル基、4-ベンゾフラニル基、5-� �ンゾフラニル基、6-ベンゾフラニル基、7-ベ� ��ゾフラニル基、1-イソベンゾフラニル基、3- イソベンゾフラニル基、4-イソベンゾフラニ� ��基、5-イソベンゾフラニル基、6-イソベンゾ フラニル基、7-イソベンゾフラニル基、2-キ� �リル基、3-キノリル基、4-キノリル基、5-キ� �リル基、6-キノリル基、7-キノリル基、8-キ� �リル基、1-イソキノリル基、3-イソキノリル� ��、4-イソキノリル基、5-イソキノリル基、6-� ��ソキノリル基、7-イソキノリル基、8-イソキ ノリル基、2-キノキサリニル基、5-キノキサ� �ニル基、6-キノキサリニル基、1-カルバゾリ� ��基、2-カルバゾリル基、3-カルバゾリル基、 4-カルバゾリル基、9-カルバゾリル基、1-フェ ナンスリジニル基、2-フェナンスリジニル基� ��3-フェナンスリジニル基、4-フェナンスリジ ニル基、6-フェナンスリジニル基、7-フェナ� �スリジニル基、8-フェナンスリジニル基、9-� ��ェナンスリジニル基、10-フェナンスリジニ� ��基、1-アクリジニル基、2-アクリジニル基、 3-アクリジニル基、4-アクリジニル基、9-アク リジニル基、1,7-フェナンスロリン-2-イル基� �1,7-フェナンスロリン-3-イル基、1,7-フェナン スロリン-4-イル基、1,7-フェナンスロリン-5-� �ル基、1,7-フェナンスロリン-6-イル基、1,7-フ ェナンスロリン-8-イル基、1,7-フェナンスロ� �ン-9-イル基、1,7-フェナンスロリン-10-イル基 、1,8-フェナンスロリン-2-イル基、1,8-フェナ� ��スロリン-3-イル基、1,8-フェナンスロリン-4- イル基、1,8-フェナンスロリン-5-イル基、1,8-� ��ェナンスロリン-6-イル基、1,8-フェナンスロ リン-7-イル基、1,8-フェナンスロリン-9-イル� �、1,8-フェナンスロリン-10-イル基、1,9-フェ� �ンスロリン-2-イル基、1,9-フェナンスロリン- 3-イル基、1,9-フェナンスロリン-4-イル基、1,9 -フェナンスロリン-5-イル基、1,9-フェナンス� ��リン-6-イル基、1,9-フェナンスロリン-7-イル 基、1,9-フェナンスロリン-8-イル基、1,9-フェ� ��ンスロリン-10-イル基、1,10-フェナンスロリ� ��-2-イル基、1,10-フェナンスロリン-3-イル基� �1,10-フェナンスロリン-4-イル基、1,10-フェナ� ��スロリン-5-イル基、2,9-フェナンスロリン-1- イル基、2,9-フェナンスロリン-3-イル基、2,9-� ��ェナンスロリン-4-イル基、2,9-フェナンスロ リン-5-イル基、2,9-フェナンスロリン-6-イル� �、2,9-フェナンスロリン-7-イル基、2,9-フェナ ンスロリン-8-イル基、2,9-フェナンスロリン-1 0-イル基、2,8-フェナンスロリン-1-イル基、2,8 -フェナンスロリン-3-イル基、2,8-フェナンス� ��リン-4-イル基、2,8-フェナンスロリン-5-イル 基、2,8-フェナンスロリン-6-イル基、2,8-フェ� ��ンスロリン-7-イル基、2,8-フェナンスロリン -9-イル基、2,8-フェナンスロリン-10-イル基、2 ,7-フェナンスロリン-1-イル基、2,7-フェナン� �ロリン-3-イル基、2,7-フェナンスロリン-4-イ� ��基、2,7-フェナンスロリン-5-イル基、2,7-フ� �ナンスロリン-6-イル基、2,7-フェナンスロリ� ��-8-イル基、2,7-フェナンスロリン-9-イル基、 2,7-フェナンスロリン-10-イル基、1-フェナジ� �ル基、2-フェナジニル基、1-フェノチアジニ� ��基、2-フェノチアジニル基、3-フェノチアジ ニル基、4-フェノチアジニル基、10-フェノチ� ��ジニル基、1-フェノキサジニル基、2-フェノ キサジニル基、3-フェノキサジニル基、4-フ� �ノキサジニル基、10-フェノキサジニル基、2- オキサゾリル基、4-オキサゾリル基、5-オキ� �ゾリル基、2-オキサジアゾリル基、5-オキサ� ��アゾリル基、3-フラザニル基、2-チエニル基 、3-チエニル基、2-メチルピロ-ル-1-イル基、2 -メチルピロール-3-イル基、2-メチルピロール -4-イル基、2-メチルピロール-5-イル基、3-メ� �ルピロール-1-イル基、3-メチルピロール-2-イ ル基、3-メチルピロール-4-イル基、3-メチル� �ロール-5-イル基、2-t-ブチルピロール-4-イル� ��、3-(2-フェニルプロピル)ピロール-1-イル基� ��2-メチル-1-インドリル基、4-メチル-1-インド リル基、2-メチル-3-インドリル基、4-メチル-3 -インドリル基、2-t-ブチル-1-インドリル基、4 -t-ブチル-1-インドリル基、2-t-ブチル-3-イン� �リル基、4-t-ブチル-3-インドリル基、5-メチ� �チエニル基、2-ジベンゾフラニル基、4-ジベ� ��ゾフラニル基等が挙げられる。
 これらの中でも好ましくは、2-ピリジニル� �、4-ピリジニル基、1-インドリル基、4-イン� �リル基、5-インドリル基、6-インドリル基、7 -インドリル基、2-キノリル基、3-キノリル基� ��5-キノリル基、6-キノリル基、1-イソキノリ� ��基、4-イソキノリル基、5-イソキノリル基、 8-イソキノリル基、3-カルバゾリル基、9-カル バゾリル基、1,10-フェナンスロリン-3-イル基� ��1,10-フェナンスロリン-5-イル基、4-メチル-1- インドリル基、5-メチルチエニル基、2-ジベ� �ゾフラニル基、4-ジベンゾフラニル基である 。

 一般式(1)において、R ₁ は、置換もしくは無置換の環形成炭素数1~50� �アルキル基、置換もしくは無置換の環形成� �素数6~60のアリール基、置換もしくは無置換� ��アミノ基、置換もしくは無置換のシリル基� ��置換もしくは無置換の環形成炭素数1~50のア ルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭 素数6~50のアリールオキシ基、置換もしくは� �置換の環形成炭素数6~50のアリールチオ基、� ��換もしくは無置換の環形成炭素数1~50のアル コキシカルボニル基、置換もしくは無置換の 炭素数7~31のアラルキル基(アリール部分の環� ��成炭素数が6~30)、ハロゲン原子、シアノ基� �ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシ� �基を表し、これら各基は互いに結合して環� �形成していてもよい。
 これらの中でも好ましくは、置換もしくは� ��置換の環形成炭素数1~10のアルキル基、置換 もしくは無置換の環形成炭素数6~20のアリー� �基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換� �しくは無置換のシリル基、置換もしくは無� �換の環形成炭素数1~10のアルコキシ基、置換� ��しくは無置換の環形成炭素数6~20アリールオ キシ基、シアノ基である。
 なお、各基の炭素数、原子数は置換基のも� ��を含まない数である。

 R ₁ が表す置換もしくは無置換のアルキル基とし ては、例えば、メチル基、エチル基、プロピ ル基、イソプロピル基、ブチル基、s-ブチル� ��、t-ブチル基、ペンチル基、へキシル基、� �プチル基、オクチル基、ステアリル基、ト� �クロロメチル基、トリフルオロメチル基、� �クロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙� �られ、メチル基、エチル基、プロピル基、� �ソプロピル基、ブチル基、s-ブチル基、t-ブ� ��ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル� ��が好ましい。
 R ₁ が表す置換もしくは無置換のアリール基とし ては、例えば、フェニル基、2-メチルフェニ� ��基、3-メチルフェニル基、4-メチルフェニル 基、4-エチルフェニル基、ビフェニル基、4-� �チルビフェニル基、4-エチルビフェニル基、 4-シクロへキシルビフェニル基、ターフェニ� ��基、3,5-ジクロロフェニル基、ナフチル基、 5-メチルナフチル基、アントリル基、ピレニ� ��基等が挙げられ、フェニル基、3-メチルフ� �ニル、4-メチルフェニル基、ビフェニル基、 ナフチル基が好ましい。
 R ₁ が表す置換もしくは無置換のアミノ基として は、炭素数1~20のアルキル基を有するモノも� �くはジアルキルアミノ基、環形成炭素数6~30� ��アリール基を有するモノもしくはジアリー� ��アミノ基等があり、具体的には、前記アル� ��ル基又はアリール基で置換されたアミノ基� ��挙げられる。
 R ₁ が表す置換もしくは無置換のシリル基として は、トリメチルシリル基、トリエチルシリル 基、t-ブチルジメチルシリル基、ビニルジメ� ��ルシリル基、プロピルジメチルシリル基、� ��リフェニルシリル基等が挙げられ、トリメ� ��ルシリル基、トリエチルシリル基、t-ブチ� �ジメチルシリル基が好ましい。
 R ₁ が表す置換もしくは無置換のアルコキシ基と しては、例えば、メトキシ基,エトキシ基,プ� ��ポキシ基,イソプロポキシ基,ブトキシ基,イ� ��ブトキシ基,s-ブトキシ基,t-ブトキシ基、ペ� ��チルオキシ基(異性体を含む),へキシルオキ� ��基(異性体を含む)、フェノキシ基等が挙げ� �れ、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ� �、イソプロポキシ基が好ましい。
 R ₁ が表す置換もしくは無置換のアリールオキシ 基及びアリールチオ基は、それぞれ-OX及び-SX と表され、Xの例としては、前記R ₁ の置換もしくは無置換のアリール基と同様の 例が挙げられる。
 R ₁ が表す置換もしくは無置換のアルコキシカル ボニル基は-COOZと表され、Zの例としては前記 R ₁ の置換もしくは無置換のアルキル基と同様の 例が挙げられる。

 R ₁ が表す置換もしくは無置換のアラルキル基と しては、例えば、ベンジル基、1-フェニルエ� ��ル基、2-フェニルエチル基、1-フェニルイソ プロピル基、2-フェニルイソプロピル基、フ� ��ニル-t-ブチル基、α-ナフチルメチル基、1-α -ナフチルエチル基、2-α-ナフチルエチル基、 1-α-ナフチルイソプロピル基、2-α-ナフチル� �ソプロピル基、β-ナフチルメチル基、1-β-ナ フチルエチル基、2-β-ナフチルエチル基、1-β -ナフチルイソプロピル基、2-β-ナフチルイソ プロピル基、1-ピロリルメチル基、2-(1-ピロ� �ル)エチル基、p-メチルベンジル基、m-メチル ベンジル基、o-メチルベンジル基、p-クロロ� �ンジル基、m-クロロベンジル基、o-クロロベ� ��ジル基、p-ブロモベンジル基、m-ブロモベン ジル基、o-ブロモベンジル基、p-ヨードベン� �ル基、m-ヨードベンジル基、o-ヨードベンジ� ��基、p-ヒドロキシベンジル基、m-ヒドロキシ ベンジル基、o-ヒドロキシベンジル基、p-ア� �ノベンジル基、m-アミノベンジル基、o-アミ� ��ベンジル基、p-ニトロベンジル基、m-ニトロ ベンジル基、o-ニトロベンジル基、p-シアノ� �ンジル基、m-シアノベンジル基、o-シアノベ� ��ジル基、α-フェノキシベンジル基、α,α-ジ� ��チルベンジル基、α,α-メチルフェニルベン� ��ル基、α,α-ジトリフルオロメチルベンジル� ��、トリフェニルメチル基、α-ベンジルオキ� ��ベンジル基、1-ヒドロキシ-2-フェニルイソ� �ロピル基、1-クロロ-2-フェニルイソプロピル 基等が挙げられる。

 一般式(1)において、m1は1~11であり、1~3が好� ��しく、1がより好ましいい。また、n1は0~10で ある。
 一般式(1)において、少なくとも1の原子価が 中心のクリセンにあると好ましい。
 Ar ₁ ~Ar ₄ の置換もしくは無置換における置換基として は、前記R ₁ と同様のものが挙げられる。
 前記一般式(1)で表される化合物が、下記一� ��式(1-a)で表される化合物であると好ましい� �

 一般式(1-a)おいて、Ar ₁ ~Ar ₄ 、R ₁ 及びn1は、それぞれ前記と同じである。
 一般式(1)の具体例としては、以下のような� ��合物が挙げられる。

 以下、一般式(2)について説明する。

 一般式(2)において、Ar ₅ ~Ar ₈ は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の 環形成炭素数6~60のアリール基、又は置換も� �くは無置換の環形成原子数3~40の芳香族複素� ��基を表し、Ar ₅ ~Ar ₈ は、それぞれ同一であっても異なっていても よい。
 これら各基の具体例及び好ましい基は、前� ��一般式(1)のAr ₁ ~Ar ₄ と同様のものが挙げられる。
 一般式(2)において、R ₂ は、置換もしくは無置換の環形成炭素数1~50� �アルキル基、置換もしくは無置換の環形成� �素数6~60のアリール基、置換もしくは無置換� ��アミノ基、置換もしくは無置換のシリル基� ��置換もしくは無置換の環形成炭素数1~50のア ルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭 素数1~50のアリールオキシ基、置換もしくは� �置換の環形成原子数5~50のアリールチオ基、� ��換もしくは無置換の環形成炭素数1~50のアル コキシカルボニル基、ハロゲン原子、シアノ 基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキ シル基を表し、これら各基は互いに結合して 環を形成していてもよい。
 これら各基の具体例及び好ましい基は、前� ��一般式(1)のR ₁ と同様のものが挙げられる。
 一般式(2)において、m2は1~9であり、1~3が好� �しく、1がより好ましい。また、n2は0~8であ� �。
 一般式(2)において、少なくとも1の原子価が 中心のピレンにあると好ましい。
 ただし、一般式(2)において、m2=1で、-NAr ₇ Ar ₈ がピレン環の2位(又は7位)かつ-NAr ₅ Ar ₆ がピレン環の7位(又は2位)に結合する場合、� �びm2=1で、-NAr ₇ Ar ₈ がピレン環の4位(又は10位)かつ-NAr ₅ Ar ₆ がピレン環の10位(又は4位)である場合はない� ��
 Ar ₅ ~Ar ₈ の置換もしくは無置換における置換基として は、前記R ₁ と同様のものが挙げられる。

 前記一般式(2)で表される化合物が、下記一� ��式(2-a)又は(2-b)で表される化合物であると好 ましい。
 一般式(2-a)及び(2-b)おいて、Ar ₅ ~Ar ₈ 、R ₂ 及びn2は、それぞれ前記と同じである。

 一般式(2)、(2-a)、(2-b)において、R ₂ が、3位と8位に結合していると好ましい。ま� ��、前記一般式(2)、(2-a)、(2-b)において、R ₂ が、アルキル基又は置換もしくは無置換の環 形成炭素数6~60のアリール基であると好まし� �。
 一般式(2)の具体例としては、以下のような� ��合物が挙げられる。

 以下、一般式(3)について説明する。

 一般式(3)において、Ar ₉ ~Ar ₁₂ は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の 環形成炭素数6~60のアリール基、又は置換も� �くは無置換の環形成原子数3~40の芳香族複素� ��基を表し、Ar ₉ ~Ar ₁₂ は、それぞれ同一であっても異なっていても よい。
 これら各基の具体例及び好ましい基は、前� ��一般式(1)のAr ₁ 及びAr ₂ と同様のものが挙げられる。
 一般式(3)において、Z ₁ 及びZ ₂ は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の 環形成炭素数6~60の芳香族炭化水素基、又は� �換もしくは無置換の環形成原子数5~60の芳香� ��複素環基である。
 芳香族炭化水素基の具体例としては、前記� ��般式(1)のAr ₁ ~Ar ₄ のアリール基を1~4価とした例が挙げられ、芳 香族複素環基の具体例としては、Ar ₁ ~Ar ₄ の芳香族複素環基を1~4価とした例のうち原子 数が適合するものが挙げられる。
 一般式(3)において、R及びR’は、それぞれ� �立に、水素原子、置換もしくは無置換の環� �成炭素数1~50のアルキル基、又は置換もしく� ��無置換の環形成炭素数6~60のアリール基を表 し、これら各基の具体例及び好ましい基は、 前記一般式(1)のR ₁ と同様のものが挙げられる。
 一般式(3)において、m3及びm4は、それぞれは 0~3であり、1が好ましい。
 一般式(3)において、少なくとも1の原子価が 中心のZ ₁ 又はZ ₂ にあると好ましい。
 なお、一般式(3)において、中心の二重結合� ��対し、R,R’又はZ ₁ ,Z ₂ は、シス位又はトランス位のどちらの結合位 置であってもよく、一般式(3)はシス体及びト ランス体の混合物であってもよい。
 Ar ₉ ~Ar ₁₂ の置換もしくは無置換における置換基として は、前記R ₁ と同様のものが挙げられる。

 前記一般式(3)で表される化合物が下記一般� ��(3-a)で表される化合物であると好ましい。

 一般式(3-a)において、Ar ₉ ~Ar ₁₂ は、それぞれ独立に、前記と同じである。た だし、Ar ₉ ~Ar ₁₂ は全て同じ基を示す。
 一般式(3)の具体例としては、以下のような� ��合物が挙げられる。

 一般式(4)において、Ar ₁₃ ~Ar ₁₆ は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の 環形成炭素数6~60のアリール基、又は置換も� �くは無置換の環形成原子数3~40の芳香族複素� ��基を表し、Ar ₁₃ ~Ar ₁₆ は、それぞれ同一であっても異なっていても よい。
 これら各基の具体例及び好ましい基は、前� ��一般式(1)のAr ₁ ~Ar ₄ と同様のものが挙げられる。
 一般式(4)において、Z ₃ は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~60� �芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置� �の環形成原子数5~60の芳香族複素環基である� ��
 芳香族炭化水素基の具体例としては、前記� ��般式(1)のAr ₁ ~Ar ₄ のアリール基を1~4価とした例が挙げられ、芳 香族複素環基の具体例としては、Ar ₁ ~Ar ₄ の芳香族複素環基を1~4価とした例のうち原子 数が適合するものが挙げられる。
 一般式(4)において、m5は0~3であり、1が好ま� ��い。
 一般式(4)において、少なくとも1の原子価が 中心のZ ₃ にあると好ましい。
 ただし、一般式(4)において、m5=1の場合はZ ₃ が無置換の環形成炭素数6~60のアリーレン基� �あり、かつ、Ar ₁₃ ~Ar ₁₆ の全てが無置換の環形成炭素数6~60のアリー� �基である場合はない。
 Ar ₁₃ ~Ar ₁₆ の置換もしくは無置換における置換基として は、前記R ₁ と同様のものが挙げられる。

 一般式(4)で表される化合物が下記一般式(4-a )で表される化合物であると好ましい。
 一般式(4-a)において、Ar ₁₃ ~Ar ₁₆ 及びZ ₃ は、それぞれ独立に、前記と同じである。た だし、少なくとも1の原子価が中心のZ ₃ にあり、1又は2の原子価がZ ₃ にあると好ましい。
 一般式(4)の具体例としては、以下のような� ��合物が挙げられる。

 一般式(1)、(2)、(3)、(4)において、Ar ₁ ~Ar ₁₆ が置換もしくは無置換のフェニル基であると 好ましく、一般式(3)、(4)において、Z ₁ ~Z ₃ が置換もしくは無置換のフェニレン基である と好ましい。
 また、一般式(1)、(2)、(3)、(4)において、m1� �m2、m3、m4、m5が、それぞれ2であると好まし� �。
 前記一般式(1)~(4)で表される化合物から誘導 される2価の基から選ばれる1種以上の繰り返� ��単位Aが、高分子化合物一分子中に0.1以上99. 9モル%以下の割合で含まれると好ましく、一� ��子中に0.1以上10.0モル%以下の割合で含まれ� �とさらに好ましい。

 以下、一般式(5)について説明する。

 一般式(5)において、A環及びB環は、それぞ� �独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素� �6~60の芳香族炭化水素環、又は置換もしくは� ��置換の環形成原子数3~40の芳香族複素環を表 す。
 芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の具体� ��及び好ましい基は、前記一般式(1)のAr ₁ ~Ar ₄ の示すアリール基、芳香族複素環基を0価と� �たものが挙げられる。
 一般式(5)において、Rw及びRxは、それぞれ独 立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形 成炭素数1~50のアルキル基、置換もしくは無� �換の環形成炭素数6~60のアリール基、置換も� ��くは無置換のアミノ基、置換もしくは無置� ��のシリル基、置換もしくは無置換の環形成� ��素数1~50のアルコキシ基、置換もしくは無置 換の環形成炭素数6~50のアリールオキシ基、� �換もしくは無置換の環形成炭素数6~50のアリ� ��ルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭� ��数1~50のアルコキシカルボニル基、ハロゲン 原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基 又はカルボキシル基を表し、これら各基は互 いに結合して環を形成していてもよい。
 これら各基の具体例及び好ましい基は、前� ��一般式(1)のR ₁ と同様のものが挙げられる。

 以下、一般式(6)について説明する。

 一般式(6)において、C環及びD環は、それぞ� �独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素� �6~60の芳香族炭化水素環、又は置換もしくは� ��置換の環形成原子数3~40の芳香族複素環を表 す。
 芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の具体� ��及び好ましい基は、前記一般式(1)のAr ₁ ~Ar ₄ の示すアリール基、芳香族複素環基をO価と� �たものが挙げられる。
 一般式(6)において、Yは、酸素原子、置換も しくは無置換の窒素原子、置換もしくは無置 換のケイ素原子、置換もしくは無置換のリン 原子、硫黄原子、-O-C(Rk) ₂ -及び-N(Rl)-C(Rm) ₂ -を表す。
 Rk及びRmは、水素原子、置換もしくは無置換 の環形成炭素数1~50のアルキル基、置換もし� �は無置換の環形成炭素数6~60のアリール基、� ��換もしくは無置換のアミノ基、置換もしく� ��無置換のシリル基、置換もしくは無置換の� ��形成炭素数1~50のアルコキシ基、置換もしく は無置換の環形成炭素数6~50のアリールオキ� �基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50� ��アリールチオ基、置換もしくは無置換の環� ��成炭素数1~50のアルコキシカルボニル基、ハ ロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキ シル基又はカルボキシル基を表し、これら各 基は互いに結合して環を形成していてもよい 。2個のRk及びRmは、それぞれ同一であっても� ��なっていてもよい。Rlは水素原子、置換も� �くは無置換の環形成炭素数1~50のアルキル基� ��置換もしくは無置換の環形成炭素数6~60のア リール基を表す。
 Rk、Rl及びRmの示す各基の具体例及び好まし� ��基は、前記一般式(1)のR ₁ と同様のものが挙げられる。

 さらに、本発明の高分子化合物は、下記一� ��式(7)、(8)、(9)及び(10)から選ばれる1種以上� �繰り返し単位Cを含んでいると好ましい。

 一般式(7)~(10)において、Ar ₁₇ 、Ar ₁₈ 、Ar ₁₉ 及びAr ₂₀ は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の 環形成炭素数6~60のアリーレン基、置換もし� �は無置換の環形成原子数3~40の2価の芳香族複 素環基又は金属錯体を有する2価の基を表す� �
 これら各基の具体例及び好ましい基は、前� ��一般式(1)のAr ₁ ~Ar ₄ の示すアリール基、芳香族複素環基を2価と� �たものが挙げられる。
 一般式(8)~(10)において、X ₁ 、X ₂ 及びX ₃ は、それぞれ独立に、-CR ₃ =CR ₄ -、-C≡C-、又はN(R ₅ )-を表す。R ₃ 及びR ₄ は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基 、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~60の� �リール基、置換もしくは無置換の環形成原� �数3~40の芳香族複素環基、置換もしくは無置� ��のカルボキシル基、又はシアノ基を表す。R ₅ は、水素原子、アルキル基、置換もしくは無 置換の環形成炭素数6~60のアリール基、置換� �しくは無置換の環形成原子数3~40の芳香族複� ��環基、置換もしくは無置換の環形成炭素数7 ~60のアラルキル基又は置換アミノ基を含む基 を示す。R ₃ 、R ₄ 及びR ₅ がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一 でも異なっていてもよい。

 R ₃ 、R ₄ 及びR ₅ の示す各基の具体例及び好ましい基は、前記 一般式(1)のR ₁ と同様のものが挙げられる。
 一般式(8)において、Lは1又は2を表す。
 Ar ₁₇ ~Ar ₂₀ の置換もしくは無置換における置換基として は、前記R ₁ と同様のものが挙げられる。

 なお、上記各一般式の各基の炭素数、原子� ��は置換基のものを含まない数である。
 上記各一般式の「置換もしくは無置換の・� ��・基」において、任意の置換基としては、� ��素数1~20のアルキル基、炭素数3~10のシクロ� �ルキル基、環形成炭素数6~30のアリール基、� ��素数1~20のアルコキシ基、炭素数3~10のシク� �アルコキシ基、環形成炭素数6~30のアリール� ��キシ基、炭素数7~31のアラルキル基(アリー� �部分の環形成炭素数が6~30)、環形成炭素数3~3 0の複素環基、炭素数1~20のアルキル基を有す� ��モノもしくはジアルキルアミノ基、環形成� ��素数6~30のアリール基を有するモノもしくは ジアリールアミノ基、ハロゲン原子、ニトロ 基、シアノ基、ヒドロキシル基などが挙げら れる。

 本発明の高分子化合物は、繰り返し単位A と繰り返し単位Bを含むランダム共重合体(―A BBABBBAAABA―)、交互共重合体(―ABABABABABAB―)、� ��ロック共重合体(―AAAAAABBBBBB―)、グラフト� �重合体(繰り返し単位Aと繰り返し単位Bのど� �らが主鎖であってもよいし、どちらが側鎖� �あってもよい)のいずれであってもよい。ま� ��、繰り返し単位Cは任意の位置に挿入されて いて良い。

 本発明の高分子化合物の数平均分子量(Mn)は 、好ましくは10 ³ ~10 ⁸ 、より好ましくは10 ⁴ ~10 ⁶ である。また、重量平均分子量(Mw)は、好ま� �くは10 ³ ~10 ⁸ 、より好ましくは10 ⁵ ~10 ⁶ である。なお、両分子量は、サイズ排除クロ マトグラフィー(SEC)を用い、標準ポリスチレ� ��で検量して求めた。

 本発明の高分子化合物において、繰り返� ��単位Aと繰り返し単位Bのモル比は、0.1:99.9~99 .9:0.1が好ましく、1:99~30:70がより好ましく、3: 97~20:80が特に好ましい。

 本発明の高分子化合物は、例えば、下記式( A):
Y ¹ -(繰り返し単位A)-Y ²      (A)
で表される化合物と、下記式(B):
Y ¹ -(繰り返し単位B)-Y ²      (B)
で表される化合物を縮合重合することにより 製造することができる。

 式(A)及び(B)において、Y ¹ 及びY ² は、それぞれ独立に、ハロゲン原子(塩素原� �、臭素原子、ヨウ素原子)、スルホネート基( -OSO ₂ R ¹ 、R ¹ は、Ar ₁ ~Ar ₄ に関して例示した置換もしくは無置換のアリ ール基及び置換もしくは無置換のアルキル基 から選ばれる基)、メトキシ基、ホウ酸エス� �ル基、ホウ酸基(-B(OH) ₂ )、-MgX ¹ (X ¹ は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハ ロゲン原子)、-ZnX ¹ (X ¹ は前記と同様)、-SnR ¹ (R ¹ は前記と同様)、好ましくは、ハロゲン原子� �ホウ酸エステル基、ホウ酸基を表す。

 前記ホウ酸エステル基としては、下記の基� ��例示される。

 縮合重合は必要に応じて触媒、塩基の存� ��下で行われる。該触媒としては、例えば、� ��ラジウム[テトラキス(トリフェニルホスフ� �ン)]、[トリス(ジベンジリデンアセトン)]ジ� �ラジウム、パラジウムアセテートなどのパ� �ジウム錯体、ニッケル[テトラキス(トリフェ ニルホスフィン)]、[1,3-ビス(ジフェニルホス� ��ィノ)プロパン]ジクロロニッケル、[ビス(1,4 -シクロオクダジエン)]ニッケルなどのニッケ ル錯体などの遷移金属錯体と、必要に応じ、 さらにトリフェニルホスフィン、トリ(t-ブチ ルホスフィン)、トリシクロへキシルホスフ� �ン、ジフェニルホスフィノプロパン、ビピ� �ジルなどの配位子からなる触媒が挙げられ� �。該触媒を単独で又は2種以上混合して使用� ��ることができる。該触媒の使用量は、式(A)� ��(B)の化合物の合計モル数に対して、0.001~300� ��ル%が好ましく、0.01~20モル%がより好ましい� ��

 前記塩基としては、炭酸ナトリウム、炭� ��力リウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム� ��フッ化セシウム、リン酸三力リウムなどの� ��機塩基、フッ化テトラブチルアンモニウム� ��塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テト� ��ブチルアンモニウム、水酸化テトラブチル� ��ンモニウムなどの有機塩基が挙げられる。� ��塩基の使用量は、式(A)と(B)の化合物の合計� ��ル数に対して、0.5~20当量が好ましく、1~10当 量がより好ましい。

 縮合重合は有機溶媒存在下で行ってもよ� ��。有機溶媒としては、トルエン、キシレン� ��メシチレン、テトラヒドロフラン、1,4-ジオ キサン、ジメトキシエタン、N,N-ジメチルア� �トアミド、N,N-ジメチルホルムアミドなどが� ��げられる。これらの有機溶媒は単独で用い� ��もよいし、2種以上用いてもよい。有機溶媒 の使用量は、モノマー(式(A)と(B)の化合物)の� ��度が0.1~90重量%になるような量が好ましく、 1~ 50重量%になる量がより好ましい。

 縮合重合温度は、反応媒体が液状を保つ� ��囲であれば、特に限定されない。-100~200℃� �好ましく、0~120℃がより好ましい。反応時間 は、反応温度などの反応条件で変わるが、1� �間以上が好ましく、2~500時間がより好ましい 。

 縮合重合生成物は、公知の方法により、� ��えば、メタノールなどの低級アルコールに� ��応溶液を加えて析出させた沈殿をろ過、乾� ��することにより、目的とする高分子化合物� ��得ることができる。高分子化合物の純度が� ��い場合は、再結晶、ソソクスレー連続抽出� ��力ラムクロマトグラフィーなどの通常の方� ��にて精製すればよい。

 本発明の有機EL用材料は、本発明の高分子� �合物を含むものである。
 高分子化合物に加え、一般式(1)~(4)で表され る化合物から誘導される2価の基から選ばれ� �1種以上の繰り返し単位Aからなる単独重合体 、又は該繰り返し単位Aを含む共重合体、一� �式(5)及び(6)から選ばれる1種以上の繰り返し� ��位Bからなる単独重合体、及び該繰り返し単 位Bを含む共重合体からなる群から選ばれる1� ��以上の化合物をさらに含有すると好ましい� ��

 本発明の有機EL素子は、一対の電極間に少� �くとも1層からなる有機化合物層が挟持され� ��いる。有機化合物層の少なくとも1層は発光 層である。発光層の厚さは、5~200nmが好まし� �、素子の印加電圧を低くしうることから、10 ~40nmがより好ましい。本発明の高分子化合物� ��有機化合物層の少なくとも1層、好ましくは 、発光層に含まれる。該電極とこの有機化合 物層の間に種々の中間層を介在させるのが好 ましい。このような中間層としては、例えば 、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電 子輸送層などが挙げられる。これらの層を形 成する材料としては、有機、無機の種々の化 合物が知られている。このような有機EL素子� ��代表的な素子構成としては、
(1)陽極/発光層/陰極
(2)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
(3)陽極/発光層/電子注入層/陰極
(4)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
(5)陽極/有機半導体層/発光層/陰極
(6)陽極/有機半導体層/電子障壁層/発光層/陰� �
(7)陽極/有機半導体層/発光層/付着改善層/陰� �
(8)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子� �入層/陰極
(9)陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
(10)陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/ 陰極
(11)陽極/有機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/ 陰極
(12)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光� ��/絶縁層/陰極
(13)陽極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/発光� ��/電子注入層/陰極などの構造を挙げること� �できる。これらの中で通常(8)の構成が好ま� �く用いられるが、これらに限定されるもの� �はない。

 有機EL素子は、通常透光性の基板上に作� �する。この透光性基板は有機EL素子を支持す る基板であり、その透光性については、400~70 0nmの可視領域の光の透過率が50%以上であるも のが望ましく、さらに平滑な基板を用いるの が好ましい。このような透光性基板としては 、例えば、ガラス板、合成樹脂板などが好適 に用いられる。ガラス板としては、特にソー ダ石灰ガラス、バリウムストロンチウム含有 ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、 ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラ ス、石英などで成形された板が挙げられる。 また、合成樹脂板としては、ポリカーボネー ト樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフ タレート樹脂、ポリエーテルサルファイド樹 脂、ポリサルフオン樹脂などの板か挙げられ る。

 陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)� �属、合金、電気伝導性化合物又はこれらの� �合物を電極物質とするものが好ましく用い� �れる。このような電極物質の具体例として� �、Auなどの金属、CuI、ITO(インジウムチンオ� �シド)、SnO ₂ 、ZnO、In-Zn-Oなどの導電性材料が挙げられる� �陽極は、これらの電極物質を、蒸着法やス� �ソタリング法等の方法で薄膜を形成させる� �とにより形成される。上記発光層からの発� �を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対� �る透過率が10%より大きいことが望ましい。� �た、陽極のシート抵抗は、数百ω/square以下� �好ましい。さらに、陽極の膜厚は、材料に� �よるが通常10nm~1μm、好ましくは50~200nmである 。

 陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)� �属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの� �合物を電極物質とするものが用いられる。� �のような電極物質の具体例としては、ナト� �ウム、ナトリウム-力リウム合金、マグネシ� ��ム、リチウム、マグネシウム銀合金、アル� ��ニウム/酸化アルミニウム、Al/Li ₂ O、Al/LiO ₂ 、Al/LIF、アルミニウムリチウム合金、インジ ウム、希土類金属などが挙げられる。陰極は 、これらの電極物質を蒸着やスパソタリング 等の方法により薄膜を形成させることにより 形成される。有機化合物層からの発光を陰極 から取り出す場合、陰極の発光に対する透過 率は10%より大きいことが好ましい。また、陰 極のシート抵抗は数百ω/square以下が好ましく 、膜厚は通常10nm~1μm、好ましくは50~200nmであ� ��。

 本発明の有機EL素子においては、このよう� �して作製された一対の電極の少なくとも一� �の表面に、カルコゲナイド層、ハロゲン化� �属層及び金属酸化物層(以下、これらを表面� ��ということがある。)から選ばれる少なくと も一層を配置するのが好ましい。具体的には 、有機化合物層側の陽極表面にケイ素やアル ミニウムなどの金属の力ルコゲナイド(酸化� �を含む)層を、また、有機化合物層側の陰極� ��面にハロゲン化金属層又は金属酸化物層を� ��置するのがよい。これにより、駆動の安定� ��を図ることができる。上記カルコゲナイド� ��しては、例えば、SiOx(1≦x≦2)、AlOx(1≦x≦1.5 )、SiON、SiAlONなどが好ましく挙げられ、ハロ� ��ン化金属としては、例えば、LIF、MgF ₂ 、CaF ₂ 、フッ化希土類金属などが好ましく挙げられ 、金属酸化物としては、例えば、Cs ₂ O、Li ₂ O、MgO、SrO、BaO、CaOなどが好ましく挙げられ� �。

 さらに、本発明の有機EL素子においては� �このようにして作製された一対の電極の少� �くとも一方の表面に電子伝達化合物と還元� �ドーパントの混合領域又は正孔伝達化合物� �酸化性ドーパントの混合領域を配置するの� �好ましい。このようにすると、電子伝達化� �物が還元され、アニオンとなり混合領域が� �り発光媒体に電子を注入、伝達しやすくな� �。また、正孔伝達化合物は酸化され、力チ� �ンとなり混合領域がより発光媒体に正孔を� �入、伝達しやすくなる。好ましい酸化性ド� �パントとしては、各種ルイス酸やアクセプ� �ー化合物がある。好ましい還元性ドーパン� �としては、アルカリ金属、アルカリ金属化� �物、アルカリ土類金属、希土類金属及びこ� �らの化合物がある。

 本発明の有機EL素子において、発光層は、
(i)注入機能:電界印加時に陽極又は正孔注入� �より正孔を注入することができ、陰極又は� �子注入層より電子を注入することができる� �能
(ii)輸送機能:注入した電荷(電子と正孔)を電� �の力で移動させる機能
(iii)発光機能:電子と正孔の再結合の場を提供 し、これを発光につなげる機能を有する。

 本発明の高分子化合物を含有する層(有機化 合物層、特に発光層)を形成する方法として� �、高分子化合物を含有する本発明の溶液を� �いて成膜する方法が挙げられる。
 この成膜用溶液は、少なくとも1種類の本発 明の高分子化合物を含有していればよく、ま た該高分子化合物以外に正孔輸送材料、電子 輸送材料、発光材料、溶媒、安定剤などの添 加剤を含んでいてもよい。
 成膜用溶液の粘度は印刷法によって異なる� ��、インクジェットプリント法などインク組� ��物中が吐出装置を経由するものの場合には� ��吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止する� ��めに粘度が25℃において1~20mPa・sの範囲であ ることが好ましい。

 成膜用溶液は、粘度及び/又は表面張力を 調節するための添加剤、例えば、増粘剤(高� �子量化合物、本発明の高分子化合物の貧溶� �など)、粘度降下剤(低分子量化合物など)、� �面活性剤などを含有していてもよい。また� �保存安定性を改善するために、フェノール� �酸化防止剤、リン系酸化防止剤など、有機EL 素子の性能に影響しない酸化防止剤を含有し ていてもよい。

 成膜用溶液の溶媒としては、クロロホル� ��、塩化メチレン、1,2-ジクロロエタン、1,1,2- トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジク� ��ロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロ� ��ラン、ジオキサン、アニソール等のエーテ� ��系溶媒;トルエン、キシレン等の芳香族炭化 水素系溶媒;シクロへキサン、メチルシクロ� �キサン、n-ペンタン、n-へキサン、n-へプタ� �、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等の脂肪� �炭化水素系溶媒;アセトン、メチルエチルケ� ��ン、シクロへキサノン、べンゾフェノン、� ��セトフェノン等のケトン系溶媒;酢酸エチル 、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート 、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステ ル系溶媒;エチレングリコール、エチレング� �コールモノブチルエーテル、エチレングリ� �ールモノエチルエーテル、エチレングリコ� �ルモノメチルエーテル、ジメトキシエタン� �プロピレングリコール、ジエトキシメタン� �トリエチレングリコールモノエチルエーテ� �、グリセリン、1,2-へキサンジオール等の多� ��アルコール及びその誘導体;メタノール、エ タノール、プロパノール、イソプロパノール 、シクロへキサノール等のアルコール系溶媒 ;ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系� �媒;N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホル� ��アミド等のアミド系溶媒が例示される。ま� ��、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数� ��み合わせて用いることができる。これらの� ��ち、溶解性、成膜の均一性、粘度特性等の� ��点から、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル� ��溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系� ��媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、� ��シレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼ� ��、トリメチルベンゼン、n-プロピルベンゼ� �、イソプロピルベンゼン、n-ブチルベンゼン 、イソブチルベンゼン、5-ブチルベンゼン、n -へキシルベンゼン、シクロへキシルベンゼ� �、1-メチルナフタレン、テトラリン、アニソ ール、エトキシベンゼン、シクロへキサン、 ビシクロへキシル、シクロヘキセニルシクロ ヘキサノン、n-ヘプチルシクロへキサン、n-� �キシルシクロヘキサン、デカリン、安息香� �メチル、シクロへキサノン、2-プロピルシク ロへキサノン、2-へプタノン、3-へプタノン� �4-へプタノン、2-オクタノン、2-ノナノン、2- デカノン、ジシクロへキシルケトン、アセト フェノン、ベンゾフェノンがより好ましい。

 溶液中の溶媒の種類は、成膜性の観点や素� ��特性等の観点から、2種類以上であることが 好ましく、2~3種類であることがより好ましく 、2種類であることがさらに好ましい。
 溶液中に2種類の溶媒が含まれる場合、その うちの1種類の溶媒は25℃において固体状態で もよい。成膜性の観点から、1種類の溶媒は� �点が180℃以上の溶媒であることが好ましく� �200℃以上の溶媒であることがより好ましい� �また、粘度の観点から、2種類の溶媒ともに� ��60℃において1wt%以上の芳香族重合体が溶解� ��ることが好ましく、2種類の溶媒のうちの1� �類の溶媒には、25℃において1wt%以上の芳香� �重合体が溶解することが好ましい。
 溶液中に2種類以上の溶媒が含まれる場合、 粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い 溶媒が、溶液中の全溶媒の重量の40~90重量%で あることが好ましく、50~90重量%であることが より好ましく、65~85重量%であることがさらに 好ましい。
 溶液中に含まれる本発明の芳香族重合体は� ��1種類でも2種類以上でもよく、素子特性等� �損なわない範囲で本発明の芳香族重合体以� �の高分子化合物を含んでいてもよい。
 本発明の溶液には、水、金属及びその塩を1 ~1000ppmの範囲で含んでいてもよい。金属とし� ��は、具体的にはリチウム、ナトリウム、カ� ��シウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、ア� ��ミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバ� ��ト、白金、イリジウム等が挙げられる。ま� ��、ケイ素、リン、フッ素、塩素、及び/又は 臭素を1~1000ppmの範囲で含んでいてもよい。

 本発明の溶液を用いて、スピンコート法� ��キャスティング法、マイクログラビアコー� ��法、グラビアコート法、バーコート法、ロ� ��ルコート法、ワイアーバーコート法、ディ� ��プコート法、スプレーコート法、スクリー� ��印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷� ��、インクジェットプリント法等により薄膜� ��作製することができる。中でも、本発明の� ��液をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法、� ��フセット印刷法、インクジェットプリント� ��により成膜する用途に用いることが好まし� ��、インクジェット法で成膜する用途に用い� ��ことがより好ましい。本発明の薄膜の製膜� ��法は、インクジェット法による。

 本発明の溶液を用いて薄膜を作製する場合� ��溶液に含まれる高分子化合物のガラス転移� ��度が高いため、100℃以上の温度でベークす� ��ことが可能であり、130℃の温度でベークし� ��も素子特性の低下が非常に小さい。また、� ��分子化合物の種類によっては、160℃以上の� ��度でベークすることも可能である。
 本発明の溶液を用いて作製できる薄膜とし� ��は、発光性薄膜、導電性薄膜、及び有機半� ��体薄膜が例示される。

 本発明の有機EL素子においては、本発明� �目的が損なわれない範囲で、所望により発� �層に、前記高分子化合物以外の有機化合物� �含有させてもよく、また、本発明の高分子� �合物を含む発光層に、公知の有機化合物を� �む他の発光層を積層してもよい。

 例えば、発光層が、本発明の高分子化合� ��に加え、一般式(1)~(4)で表される化合物から 誘導される2価の基から選ばれる1種以上の繰� ��返し単位Aからなる単独重合体、又は該繰り 返し単位Aを含む共重合体、一般式(5)及び(6)� �ら選ばれる1種以上の繰り返し単位Bからなる 単独重合体、及び該繰り返し単位Bを含む共� �合体からなる群から選ばれる1種以上の化合� ��を、本発明の高分子化合物に含んでいても� ��い。

 また、発光層は公知の蛍光性又はりん光� ��のドーパントを該高分子化合物100重量部に� ��して0.1~20重量部含んでいてもよい。これに� ��り、発光輝度、発光効率がさらに改善され� ��。前記蛍光性のドーパントは、アミン系化� ��物、トリス(8-キノリノラート)アルミニウム 錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テ トラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリ ルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導 体等から、要求される発光色に合わせて選ば れる。また、前記りん光性のドーパントとし ては、Ir、Ru、Pd、Pt、Os及びReから選ばれる少 なくとも1種の金属を含む金属錯体化合物で� �ることが好ましく、配位子は、フェニルピ� �ジン骨格、ビピリジル骨格及びフェナント� �リン骨格から選ばれる少なくとも1つの骨格� ��有することが好ましい。このような金属錯� ��化合物の具体例は、トリス(2-フェニルピリ� ��ン)イリジウム、トリス(2-フェニルピリジン )ルテニウム、トリス(2-フェニルピリジン)パ� ��ジウム、ビス(2-フェニルピリジン)白金、ト リス(2-フェニルピリジン)オスミウム、トリ� �(2-フェニルピリジン)レニウム、オクタエチ� ��白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポ� ��フィリン、オクタエチルパラジウムポルフ� ��リン、オクタフェニルパラジウムポルフィ� ��ン等が挙げられるが、これらに限定される� ��のではなく、要求される発光色、素子性能� ��高分子化合物との関係から適切な錯体が選� ��れる。

 さらに、発光層はアリールアミン化合物及� ��/又はスチリルアミン化合物を該高分子化合 物100重量部に対して0.1~50重量部含んでいても よい。これにより、発光輝度、発光効率 が� ��らに改善される。該アリールアミン化合物� ��しては、例えば、WO02/20459公報、特開2006-1402 35号公報、特開2006-306745号公報、WO2004/09211公� �、WO2004/044088公報、特開2006-256979号公報、特� �2007-230960号公報、WO2004/083162公報、特開2006-298 793号公報、WO02/20460公報、WO02/20460公報、特開2 007-137824号公報、特開2007-45725号公報、特開2005 -068087号公報等に開示された化合物、また、� �スチリルアミン化合物としては、例えば、WO 02/20459に開示された化合物が挙げられる。
 さらに、発光層は金属錯体化合物を該高分� ��化合物100重量部に対して0.1~50重量部含んで� ��てもよい。これにより、発光輝度、発光効� ��がさらに改善される。

 正孔注入輸送層は、発光層への正孔注入を� ��け、発光領域まで輸送する層であって、正� ��移動度が大きく、イオン化エネルギーが通� ��55eV以下と小さい。このような正孔注入輸送 層としてはより低い電界強度で正孔を発光層 に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移 動度が、例えば、10 ⁴ ~10 ⁶ V/cmの電界印加時に、少なくとも10 ^-6 cm ² /V・秒であるものが好ましい。このような材� ��としては、従来、光導伝材料において正孔� ��電荷輸送材料として慣用されているものや� ��有機EL素子の正孔注入層に使用されている� �知のものの中から任意のものを選択して用� �ることができる。そして、この正孔注入輸� �層を形成するには、正孔注入輸送材料を、� �えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャ� �ト法、LB法等の公知の方法により薄膜化すれ ばよい。この場合、正孔注入輸送層の膜厚は 、特に制限はないが、通常は5nm~5μmである。

 電子注入層輸送層は、発光層への電子の� ��入を助け、発光領域まで輸送する層であっ� ��、電子移動度が大きく、また付着改善層は� ��この電子注入層の中で特に陰極との付着が� ��い材料からなる層である。電子注入層に用� ��られる材料としては、8-ヒドロキシキノリ� �又はその誘導体の金属錯体が好適である。� �記8-ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金 属錯体の具体例としては、オキシン(一般に8- キノリノール又は8-ヒドロキシキノリン)のキ レートを含む金属キレートオキシノイド化合 物、例えば、トリス(8-キノリノール)アルミ� �ウムを電子注入材料として用いることがで� �る。また、本発明の有機EL素子は、超薄膜に 電界を印可するために、リークやショートに よる画素欠陥が生じやすい。これを防止する ために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿 入しても良い。

 絶縁層に用いられる材料としては、例え� ��、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化� ��チウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸� ��マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化力� ��シウム、弗化力ルシウム、窒化アルミニウ� ��、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウ� ��、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン� ��酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げ� ��れる。これらの混合物や積層物を用いても� ��い。

 上記したように、本発明の有機EL素子は� �例えば、上記の材料及び方法により陽極、� �光層、必要に応じて正孔注入層、及び必要� �応じて電子注入層を形成し、最後に陰極を� �成することにより製造される。また、陰極� �ら陽極へ、前記と逆の頃序で製造してもよ� �。