以下に本発明の実施の形態を詳細に説明す� ��が、以下に記載する構成要件の説明は、本� ��明の実施態様の一例(代表例)であり、本発� �はその要旨を超えない限り、これらの内容� �特定されない。
<1.高分子化合物(i)>
 本発明の高分子化合物(i)は、下記式(I)で表� ��れる繰り返し単位を含むことを特徴とする� ��高分子化合物である。

(式中、R ¹ 及びR ² は、各々独立に、水素原子、置換基を有して いてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有し ていてもよい芳香族複素環基又は置換基を有 していてもよいアルキル基を表し、R ¹ 及びR ² は互いに結合して環を形成してもよく、
 nは0~3の整数を表し、
 Ar ¹ 及びAr ² は、各々独立に、直接結合、置換基を有して いてもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を 有していてもよい芳香族複素環基を表し、
 Ar ³ ~Ar ⁵ は、各々独立に、置換基を有していてもよい 芳香族炭化水素基又は置換基を有していても よい芳香族複素環基を表す。
 Tは架橋性基を含む基を表す。
 但し、Ar ¹ 、Ar ² 、及びAr ⁴ が、フルオレン環である場合は、置換基とし て架橋性基を含む基を有さない。)

 [1-1.構造上の特徴]
 本発明の高分子化合物(i)は、置換基として1 分子中に少なくとも一つの架橋性基を含む基 を有するため、湿式成膜法により形成した膜 を穏和な条件で有機溶剤に不溶とすることが 可能である。
 ここで、主鎖にあるフルオレン環は、HOMO(hi ghest occupied molecular orbital)及びLUMO(lowest unocc upied molecular orbital)が広がって電荷輸送に強� ��関与する。
 ここで、本発明の高分子化合物(i)は、主鎖� ��あるフルオレン環に架橋性基を含む基を有� ��ていないため、電気化学的安定性、特に耐� ��元安定性に優れる。また、アリールアミン� ��位から、少なくとも一つの単結合を介して� ��橋性基を有するため耐酸化性にも優れる。

[1-2.Ar ¹ ~Ar ⁵ ]
 式(I)中、Ar ¹ 及びAr ² は、各々独立して、直接結合、置換基を有し ていてもよい芳香族炭化水素基、又は置換基 を有していてもよい芳香族複素環基を表し、 Ar ³ ~Ar ⁵ は、各々独立に、置換基を有していてもよい 芳香族炭化水素基又は置換基を有していても よい芳香族複素環基を表す。なお、Ar ¹ ~Ar ⁴ は、2価の基であり、Ar ⁵ は1価の基である。
 置換基を有していてもよい芳香族炭化水素� ��としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレ� ��環、アントラセン環、フェナントレン環、� ��リレン環、テトラセン環、ピレン環、ベン� ��ピレン環、クリセン環、トリフェニレン環� ��アセナフテン環、フルオランテン環、フル� ��レン環などの、6員環の単環又は2~5縮合環由 来の基が挙げられる。

 置換基を有していてもよい芳香族複素環� ��としては、例えばフラン環、ベンゾフラン� ��、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピ� ��ール環、ピラゾール環、イミダゾール環、� ��キサジアゾール環、インドール環、カルバ� ��ール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピ� ��ゾール環、ピロロピロール環、チエノピロ� ��ル環、チエノチオフェン環、フロピロール� ��、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾ� ��ソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール� ��、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピ� ��ジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ト� ��アジン環、キノリン環、イソキノリン環、� ��ノリン環、キノキサリン環、フェナントリ� ��ン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン� ��、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレ� ��環などの、5又は6員環の単環又は2~4縮合環� �来の基が挙げられる。

 有機溶剤に対する溶解性、及び耐熱性の点� ��ら、Ar ¹ ~Ar ⁵ は、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環 、アントラセン環、フェナントレン環、トリ フェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピ リジン環、フルオレン環からなる群より選ば れる環由来の基が好ましい。
 また、Ar ¹ ~Ar ⁵ としては、前記群から選ばれる1種又は2種以� ��の環を直接結合、又は―CH=CH―基により連� �した2価の基も好ましく、ビフェニレン基及� ��ターフェニレン基、がさらに好ましい。
 Ar ¹ ~Ar ⁵ における芳香族炭化水素基及び芳香族複素環 基が後述の架橋性基以外に有していてもよい 置換基としては、特に制限はないが、例えば 、下記[置換基群Z]から選ばれる1種又は2種以� ��が挙げられる。

[置換基群Z]
 メチル基、エチル基等の好ましくは炭素数1 ~24、更に好ましくは炭素数1~12のアルキル基;
 ビニル基等の好ましくは炭素数2~24、更に好 ましくは炭素数2~12のアルケニル基;
 エチニル基等の好ましくは炭素数2~24、更に 好ましくは炭素数2~12のアルキニル基;
 メトキシ基、エトキシ基等の好ましくは炭� ��数1~24、更に好ましくは炭素数1~12のアルコ� �シ基;
 フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオ� ��シ基等の好ましくは炭素数4~36、更に好まし くは炭素数5~24のアリールオキシ基;
 メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ� ��基等の好ましくは炭素数2~24、更に好ましく は炭素数2~12のアルコキシカルボニル基;
 ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の� ��ましくは炭素数2~24、更に好ましくは炭素数 2~12のジアルキルアミノ基;
 ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、N -カルバゾリル基等の好ましくは炭素数10~36、 更に好ましくは炭素数12~24のジアリールアミ� ��基;
 フェニルメチルアミノ基等の好ましくは炭� ��数6~36、更に好ましくは炭素数7~24のアリー� �アルキルアミノ基;
 アセチル基、ベンゾイル基等の好ましくは� ��素数2~24、好ましくは炭素数2~12のアシル基;
 フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子;
 トリフルオロメチル基等の好ましくは炭素� ��1~12、更に好ましくは炭素数1~6のハロアルキ ル基;
 メチルチオ基、エチルチオ基等の好ましく� ��炭素数1~24、更に好ましくは炭素数1~12のア� �キルチオ基;
 フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジ� ��チオ基等の好ましくは炭素数4~36、更に好ま しくは炭素数5~24のアリールチオ基;

 トリメチルシリル基、トリフェニルシリル� ��等の好ましくは炭素数2~36、更に好ましくは 炭素数3~24のシリル基;
 トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロ� ��シ基等の好ましくは炭素数2~36、更に好まし くは炭素数3~24のシロキシ基;
 シアノ基;
 フェニル基、ナフチル基等の好ましくは炭� ��数6~36、更に好ましくは炭素数6~24の芳香族� �化水素基;
 チエニル基、ピリジル基等の好ましくは炭� ��数3~36、更に好ましくは炭素数4~24の芳香族� �素環基
 上記各置換基は、さらに置換基を有してい� ��もよく、その例としては前記置換基群Zに例 示した基が挙げられる。
 Ar ¹ ~Ar ⁵ における芳香族炭化水素基及び芳香族複素環 基が後述の架橋性基以外に有してもよい置換 基の分子量としては、さらに置換した基を含 めて500以下が好ましく、250以下がさらに好ま しい。

 有機溶媒に対する溶解性が向上する点で、A r ¹ ~Ar ⁵ における芳香族炭化水素基及び芳香族複素環 基が有していてもよい置換基としては、各々 独立に、炭素数1~12のアルキル基及び炭素数1~ 12のアルコキシ基が好ましい。
 なお、nが2以上である場合、前記式(I)で表� �れる繰り返し単位は、2個以上のAr ⁴ 及びAr ⁵ を有することになる。その場合、Ar ⁴ 同士及びAr ⁵ 同士は、各々、同じでもよく、異なっていて もよい。さらに、Ar ⁴ 同士、Ar ⁵ 同士は、各々互いに直接又は連結基を介して 結合して環状構造を形成していてもよい。

[1-3.架橋性基]
 式(I)中のTは、架橋性基を含む基である。つ まり、本発明の高分子化合物(i)は、置換基と して1分子中に少なくとも1つの架橋性基を含� ��基を有する。ここで、架橋性基とは、熱及� ��/又は活性エネルギー線の照射により近傍に 位置するほかの分子の同一又は異なる基と反 応して、新規な化学結合を生成する基のこと をいう。
 中でも、架橋性基としては、架橋しやすい� ��いう点から、下記<架橋性基群T’>から� ��ばれる。
<架橋性基群T’>

(式中、R ²¹ ~R ²⁵ は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を 表す。Ar ⁴¹ は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素 基又は置換基を有していてもよい芳香族複素 環基を表す。
 尚、ベンゾシクロブテン環は、置換基を有� ��ていてもよい。
 置換基同士が環を形成してもよい。) 

 架橋性基としては、エポキシ基、オキセタ� ��基などの環状エーテル基、ビニルエーテル� ��などのカチオン重合性基が、反応性が高く� ��機溶剤に対する架橋が容易な点で好ましい� ��中でも、カチオン重合の速度を制御しやす� ��点でオキセタン基が特に好ましく、カチオ� ��重合の際に素子の劣化をまねくおそれのあ� ��ヒドロキシル基が生成しにくい点でビニル� ��ーテル基が好ましい。
 架橋性基としては、シンナモイル基などア� ��ールビニルカルボニル基、ベンゾシクロブ� ��ン環由来の基などの環化付加反応する基が� ��電気化学的安定性をさらに向上させる点で� ��ましい。
 分子内において、架橋性基は分子内の芳香� ��炭化水素基又は芳香族複素環基に直接結合� ��てもよいが、-O-基、-C(=O)-基又は(置換基を� �していてもよい)-CH ₂ -基から選ばれる基を任意の順番で1~30個連結� ��てなる2価の基を介して、芳香族炭化水素基 又は芳香族複素環基に結合することが好まし い。これら2価の基を介する架橋性基、すな� �ち、架橋性基を含む基の具体例は以下の<� ��橋性基を含む基群T’’>に示す通りであ� �が、本発明はこれらに限定されるものでは� �い。
 <架橋性基を含む基群T’’>

[1-4.架橋性基の位置について]
 本発明の高分子化合物(i)は、Ar ³ に、置換基として架橋性基を含む基Tを有す� �。
 本発明の高分子化合物(i)が、Tの他に架橋性 基を有する場合、繰り返し単位にあってもよ く、また繰り返し単位以外の部分にあっても よい。但し、後述するR ¹ 及びR ² は架橋性基を有さない。
 架橋性基を含む基がAr ³ 以外にある場合、架橋性基の還元劣化が起こ りにくい点で、Ar ¹ 、Ar ² 、Ar ⁴ 、及びAr ⁵ のいずれかにあるのが好ましい。但し、Ar ¹ 、Ar ² 、及びAr ⁴ がフルオレン環である場合は、置換基として 架橋性基を含む基を有さない。前記位置に、 架橋性基を含む場合、フルオレン環にある場 合より、還元劣化しにくくなるからである。
 また、未反応架橋性基数を低減させる点で� ��架橋性基はTのみに含まれるのが好ましい。

[1-5.架橋性基を含む割合]
 本発明の高分子化合物(i)が有する架橋性基� ��数の平均値は、好ましくは1分子中1以上、� �り好ましくは2以上、また好ましくは200以下� ��より好ましくは100以下である。
 また、本発明の高分子化合物(i)が有する架� ��性基の数は、分子量1000あたりの数で表すこ とができる。
 本発明の高分子化合物(i)が有する架橋性基� ��数を、分子量1000あたりの数で表した場合、 分子量1000あたり、通常3.0個以下、好ましく� �2.0個以下、さらに好ましくは1.0以下、また� �常0.01以上、好ましくは0.05以上である。
 この上限値を上回ると、クラックによって� ��坦な膜が得られなかったり、また、架橋密� ��が大きくなりすぎたりして、架橋層中に未� ��応の架橋性基が増えて、得られる素子の寿� ��に影響を及ぼすおそれがある。一方、この� ��限値を下回ると、有機溶剤に対する不溶性� ��不十分となり、湿式成膜法で多層積層構造� ��形成できないおそれがある。
 ここで、本発明の高分子化合物(i)における� ��分子量1000あたりの架橋性基の数は、該高分 子化合物から末端基を除いて、合成時の仕込 みモノマーのモル比と、構造式から算出する 。
 例えば、後述の合成例35で合成した目的ポ� �マー3の場合で説明する。

 目的物35において、末端基を除いた繰り� �し単位の分子量は平均468.9であり、また架橋 性基は、1繰り返し単位当たり平均0.2個であ� �。これを単純比例により計算すると、分子� �1000あたりの架橋性基の数は、0.426個と算出� �れる。

[1-6.R ¹ 及びR ² について]
 R ¹ 及びR ² は、各々独立に、水素原子、架橋性基以外の 置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基 、架橋性基以外の置換基を有していてもよい 芳香族複素環基又は架橋性基以外の置換基を 有していてもよいアルキル基を表し、R ¹ 及びR ² は互いに結合して環を形成してもよい。
 置換基を有していてもよいアルキル基とし� ��は、好ましくは炭素数1から8の直鎖又は分� �のアルキル基であり、例えばメチル、エチ� �、n-プロピル、2-プロピル、n-ブチル、イソ� �チル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘ� �シル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基� ��n-デシル基、n-ドデシル基などが挙げられる 。
 置換基を有していてもよい芳香族炭化水素� ��、及び置換基を有していてもよい芳香族複� ��環基としては、前記[1-2.Ar ¹ ~Ar ⁵ ]の項に記載のものが挙げられる。好ましい� �も同様である。
 また、R ¹ 及びR ² が、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、又 はアルキル基である場合、有していてもよい 置換としては、前記[置換基群Z]の項に記載の ものが挙げられる。好ましい例も同様である 。
 また、R ¹ 及びR ² が、互いに結合して環を形成している場合の 、フルオレン環を含む好ましい具体例を、以 下<具体例>に示すが、本発明はこれらに� ��定されるものではない。
<具体例>

 中でも、電気化学的安定性の点から、S-1� ��S-2、S-5及びS-9が好ましく、耐熱性の点からS -5がさらに好ましく、架橋前の有機溶剤に対� ��る溶解性が高い点からS-1及びS-2が特に好ま� ��い。

[1-7.nについて]
 式(I)におけるnは、0~3の整数を表す。
 nは0であることが、高分子化合物の有機溶� �に対する溶解性及び成膜性が高められる点� �好ましい。nは1~3であることが、高分子化合� ��の正孔輸送能が向上する点で好ましい。
[1-8.分子量]
 本発明の高分子化合物(i)の重量平均分子量( Mw)は、通常3,000,000以下、好ましくは1,000,000以 下、より好ましくは500,000以下であり、また� �常1,000以上、好ましくは2,500以上、より好ま� ��くは5,000以上である。
 また、本発明の高分子化合物(i)の数平均分� ��量(Mn)は、通常3000以上、好ましくは6000以上� ��あり、通常1000000以下、好ましくは500000以下 である。重量平均分子量又は数平均分子量が この範囲の下限値を下回ると、架橋層の有機 溶剤に対する不溶性が低減して、積層できな くなる可能性があり、ガラス転移温度が低下 して耐熱性が損なわれる可能性がある。また 、この範囲の上限値を上回ると架橋前におい ても有機溶剤に溶解せずに、平坦な膜が得ら れない可能性がある。
 さらに、本発明の高分子化合物(i)における� ��散度(Mw/Mn)は、通常3.5以下、好ましくは2.5以 下、より好ましくは2.0以下である。高分子化 合物(i)の分散度がこの範囲の上限値を上回る と精製が困難となったり、有機溶剤に対する 溶解性が低下したり、電荷輸送能が低下した りする可能性がある。なお、分散度は、理想 的には1.0である。

 通常、この重量平均分子量はSEC(サイズ排除 クロマトグラフィー)測定により決定される� �SEC測定では高分子量成分ほど溶出時間が短� �、低分子量成分ほど溶出時間が長くなるが� �分子量既知のポリスチレン(標準試料)の溶出 時間から算出した校正曲線を用いて、サンプ ルの溶出時間を分子量に換算することによっ て、重量平均分子量が算出される。
[1-9.更に有される繰り返し単位 ]
 本発明の高分子化合物(i)は、架橋性基の数� ��調整することで、未反応架橋性基の数を低� ��して、得られる素子の駆動寿命を向上でき� ��点で、下記式(I’)で表される繰り返し単位� ��含むことを好ましい。

(式中、R ¹¹ 及びR ¹² は、各々独立に、水素原子、置換基を有して いてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有し ていてもよい芳香族複素環基又は置換基を有 していてもよいアルキル基を表し、R ¹¹ 及びR ¹² は互いに結合して環を形成してもよく、
 mは0~3の整数を表し、
 Ar ¹¹ 及びAr ¹² は、各々独立に、直接結合、置換基を有して いてもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を 有していてもよい芳香族複素環基を表し、
 Ar ¹³ ~及びAr ¹⁵ は、各々独立に、置換基を有していてもよい 芳香族炭化水素基又は置換基を有していても よい芳香族複素環基を表す。
 但し、R ¹¹ 及びR ¹² 、並びにAr ¹¹ ~Ar ¹⁵ は、置換基として、架橋性基を含む基は有さ ない。)

(1-9-1.Ar ¹¹ ~Ar ¹⁵ について)
 Ar ¹¹ 及びAr ¹² は、各々独立に、直接結合、置換基を有して いてもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を 有していてもよい芳香族複素環基を表し、
 Ar ¹³ ~Ar ¹⁵ は、各々独立に、置換基を有していてもよい 芳香族炭化水素基又は置換基を有していても よい芳香族複素環基を表す。なお、Ar ¹¹ 、Ar ¹² 、及びAr ¹⁴ は2価の基であり、Ar ¹³ 及びAr ¹⁵ は1価の基である。
 Ar ¹¹ ~Ar ¹⁵ における置換基を有していてもよい芳香族炭 化水素基、及び置換基を有していてもよい芳 香族複素環基の具体例は、前記[1-2.Ar ¹ ~Ar ⁵ ]の項で記載のものと同様である。また、好� �しい例も同様である。但し、Ar ¹¹ ~Ar ¹⁵ は、置換基として架橋性基を含む基を有さな い。

(1-9-2.R ¹¹ 及びR ¹² について)
 式中、R ¹¹ 及びR ¹² は、各々独立に、水素原子、置換基を有して いてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有し ていてもよい芳香族複素環基又は置換基を有 していてもよいアルキル基を表す。
 R ¹¹ 及びR ¹² の、置換基を有していてもよい芳香族炭化水 素基、置換基を有していてもよい芳香族複素 環基、及び置換基を有していてもよいアルキ ル基の具体例は、前記[1-6.R ¹ 及びR ² について]の項に記載したものと同様である� �好ましい例も同様である。
(1-9-3.mについて)
 mは0~3の整数を表す。
 上記mは、[1-7.nについて] の項に記載のnと� �様である。好ましい例も同様である。

[1-10.繰り返し単位の割合]
 本発明の高分子化合物(i)が、式(I’)で表さ� ��る繰り返し単位を有する場合、式(I)で表さ� ��る繰り返し単位に対する式(I’)で表される� ��り返し単位の割合{式(I’)で表される繰り返 し単位/式(I)で表される繰り返し単位}は、仕� ��みモル比で、通常0.01倍モル以上、好ましく は50モル倍以上、さらに好ましくは80モル倍� �上、また通常100モル倍以下、好ましくは50モ ル倍以下である。
 上記範囲内であると、高分子化合物の正孔� ��送能及び還元耐性に優れる点で好ましい。� ��た、得られる素子の駆動電圧が低く、また� ��動寿命が向上する点で好ましい。
 さらに、本発明の高分子化合物(i)が、式(I)� ��表される繰り返し単位及び式(I’)で表され� ��繰り返し単位以外の、繰り返し単位を有す� ��場合、式(I)で表される繰り返し単位及び式( I’)で表される繰り返し単位の含有量は、合� ��で通常10モル%以上、好ましくは50モル%以上� ��更に好ましくは80モル%以上である。
 上記範囲内であると、高分子化合物の正孔� ��送能及び還元耐性に優れる点で好ましい。� ��た、得られる素子の駆動電圧が低く、また� ��動寿命が向上する点で好ましい。

[1-11.物性など]
 本発明の高分子化合物(i)のガラス転移温度� ��、通常50℃以上、80℃以上、より好ましくは 100℃以上、また 、通常300℃以下である。
 上記範囲内であると、高分子化合物の耐熱� ��が優れ、得られる素子の駆動寿命が向上す� ��点で好ましい。
 また、本発明の高分子化合物(i)のイオン化� ��テンシャルは、通常4.5eV以上、好ましくは4. 8eV以上、また、通常6.0eV以下、好ましくは5.7e V以下である。
 上記範囲内であると、高分子化合物の電荷� ��入輸送能が優れ、得られる素子の駆動電圧� ��低下するため好ましい。

[1-12.具体例]
 式(I)で表される繰り返し単位の好ましい具� ��例を、以下<式(I)で表される繰り返し単位 群C>に示すが、本発明はこれらに限定され� ��ものではない。
<式(I)で表される繰り返し単位群C>

 式(I’)で表される繰り返し単位の好ましい� ��体例を、以下<式(I’)で表される繰り返し 単位群D>に示すが、本発明はこれらに限定� ��れるものではない。
<式(I’)で表される繰り返し単位群D>

 本発明の高分子化合物(i)に含まれてもよい� ��式(I)で表される繰り返し単位及び式(I’)で� ��される繰り返し単位以外の、繰り返し単位� ��しては、後述の<4.合成例>の項で記載の 、以下に表される繰り返し単位の、Ar ^a 及びAr ^c が、トリアリールアミン構造を含まない2価� �基であればよい。

 本発明の高分子化合物(i)に含まれていても� ��い、式(I)で表される繰り返し単位及び式(I� �)で表される繰り返し単位以外の、繰り返し� ��位の好ましい具体例を、以下<その他の繰 り返し単位群E>に示すが、本発明はこれら� ��限定されるものではない。
<その他の繰り返し単位群E>

<2.高分子化合物(ii)>
 本発明の高分子化合物(ii)は、下記式(II)で� �される繰り返し単位を含むことを特徴とす� �、高分子化合物である。

(式中、pは0~3の整数を表し、
 Ar ²¹ 及びAr ²² は、各々独立に、直接結合、置換基を有して いてもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を 有していてもよい芳香族複素環基を表し、
 Ar ²³ ~Ar ²⁵ は、各々独立に、置換基を有していてもよい 芳香族炭化水素基又は置換基を有していても よい芳香族複素環基を表し、
 T ² は下記式(IV)で表される基を含む基を表す。
 但し、Ar ²¹ 及びAr ²² のいずれもが、直接結合であることはない。
 更に、Ar ²¹ 、Ar ²² 、及びAr ²⁴ が、フルオレン環である場合は、置換基とし て架橋性基を含む基を有さない。)

(式(IV)中のベンゾシクロブテン環は、置換基� ��有していてもよい。また、置換基同士が互� ��に結合して環を形成していてもよい。)
[2-1.構造上の特徴]
 式(IV)で表される基は、架橋後の構造が特に 安定である。その為、本発明の高分子化合物 (ii)は架橋することで、有機溶剤に対する溶� �性を十分に低下させることが可能である。
 さらに、アリールアミン部位から、少なく� ��も一つの単結合を介して、式(IV)で表される 基を有する。そのため、アリールアミンの窒 素原子にある孤立電子が式(IV)で表される基� �流れにくくなり、式(IV)で表される基の電気� ��安定性に優れるため好ましい。また、高分� ��化合物が凝集しにくくなるため、凝集に伴� ��高分子化合物の電荷輸送能の低下が起こり� ��くいため好ましい。

[2-2.Ar ²¹ ~Ar ²⁵ について]
 Ar ²¹ 及びAr ²² は、各々独立に、直接結合、置換基を有して いてもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を 有していてもよい芳香族複素環基を表し、
 Ar ²³ ~Ar ²⁵ は、各々独立に、置換基を有していてもよい 芳香族炭化水素基又は置換基を有していても よい芳香族複素環基を表す。なお、Ar ²³ 、Ar ²⁴ は2価の基であり、Ar ²⁵ は1価の基である。
 Ar ²¹ ~Ar ²⁵ における置換基を有していてもよい芳香族炭 化水素基、及び置換基を有していてもよい芳 香族複素環基の具体例は、前記[1-2.Ar ¹ ~Ar ⁵ ]の項で記載のものと同様である。また、好� �しい例も同様である。

[2-3.式(IV)で表される基]
 式(II)中のT ² は、下記式(IV)で表される基を含む基である� �つまり、本発明の高分子化合物(ii)は、1分子 中に少なくとも一つの下記式(IV)で表される� �を含む基を置換基として有する。

(式(IV)中のベンゾシクロブテン環は、置換基� ��有していてもよい。また、置換基同士が、� ��いに結合して環を形成してもよい。)
 上記式(IV)中のベンゾシクロブテン環が有し ていてもよい置換基としては、前記[置換基� �Z]の項に記載のものが挙げられる。好ましい 例も同様であり、最も好ましくは無置換であ る。
 本発明の高分子化合物(ii)は、式(IV)で表さ� �る基が-O-基、-C(=O)-基又は(置換基を有してい てもよい)-CH ₂ -基から選ばれる基を任意の順番で1~30個連結� ��てなる2価の基を介して、芳香族炭化水素基 又は芳香族複素環基に結合すること、つまり 、T ² が式(IV)で表される基を含む基であることが� �ましい。これは、式(IV)中のベンゾシクロブ� ��ン環の酸化還元安定性が優れるためである� ��

[2-4.式(IV)で表される基を有する位置について ]
 本発明の高分子化合物(ii)は、T ² として式(IV)で表される基を含む基を有する� �
 式(IV)を含む基であるT ² が、Ar ²³ に結合することで、他の位置に結合した場合 よりも、式(IV)の酸化還元安定性に優れ、ま� �凝集しにくい点で好ましい。
 本発明の高分子化合物(ii)が、T ² の他に式(IV)で表される基を含む基を有する� �合、該基は、繰り返し単位にあってもよく� �また繰り返し単位以外の部分にあってもよ� �。
 式(IV)で表される基を含む基が、Ar ²³ 以外にある場合、式(IV)で表される基の還元� �化が起こりにくい点で、Ar ²¹ 、Ar ²² 、Ar ²⁴ 、及びAr ²⁵ のいずれかにあるのが好ましい。但し、Ar ²¹ 、Ar ²² 、及びAr ²⁴ がフルオレン環である場合は、置換基として 架橋性基を含む基を有さない。

[2-5.式(IV)で表される基を含む割合]
 本発明の高分子化合物(ii)が有する、式(IV)� �表される基の割合は、前記[1-5.架橋性基を含 む割合]の項において、架橋性基を、式(IV)で� ��される基とした場合と同様である。また、� ��ましい範囲も同様である。

[2-6.pの説明]
 前記式(II)におけるpは、0~3の整数を表す。
 上記pは、[1-7.nについて] の項に記載のnと� �様である。好ましい例も同様である。
[2-7.さらに含まれる繰り返し単位]
 本発明の高分子化合物(ii)は、さらに、下記 式(II’)で表される繰り返し単位を含むこと� �好ましい。

(式(II’)中、qは0~3の整数を表し、
 Ar ³¹ 及びAr ³² は、各々独立に、置換基を有していてもよい 芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよ い芳香族複素環基又は直接結合を表し、
 Ar ³³ 、Ar ³⁴ 及びAr ³⁵ は、各々独立に、置換基を有していてもよい 芳香族炭化水素基又は置換基を有していても よい芳香族複素環基を表す。
 但し、Ar ³¹ 及びAr ³² のいずれもが、直接結合であることはない。
 また、Ar ³¹ ~Ar ³⁵ は、置換基として、式(IV)で表される基を有� �ない。
 更に、Ar ³¹ 、Ar ³² 、及びAr ³⁴ が、フルオレン環である場合は、置換基とし て架橋性基を含む基を有さない。)

(2-5-1.Ar ³¹ ~Ar ³⁵ について)
 Ar ³¹ 及びAr ³² は、各々独立に、置換基を有していてもよい 芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよ い芳香族複素環基又は直接結合を表し、
 Ar ³³ ~Ar ³⁵ は、各々独立に、置換基を有していてもよい 芳香族炭化水素基又は置換基を有していても よい芳香族複素環基を表す。なお、Ar ³¹ 、Ar ³² 及びAr ³⁴ は2価の基であり、Ar ³³ 及びAr ³⁵ は1価の基である。
 Ar ³¹ ~Ar ³⁵ における置換基を有していてもよい芳香族炭 化水素基、及び置換基を有していてもよい芳 香族複素環基の具体例は、前記[1-2.Ar ¹ ~Ar ⁵ ]の項で記載のものと同様である。また、好� �しい例も同様である。
 但し、Ar ³¹ ~Ar ³⁵ は、置換基として式(IV)で表される基を含ま� �い。
 更に、Ar ³¹ 、Ar ³² 、及びAr ³⁴ が、フルオレン環である場合は、置換基とし て架橋性基を含む基を有さない。
(2-5-2.qについて)
 式(II’)におけるqは0~3の整数を表す。
上記qは、[1-7.nについて] の項に記載のnと同� ��である。好ましい例も同様である。

[2-6.繰り返し単位の割合]
 本発明の高分子化合物(ii)が、式(II’)で表� �れる繰り返し単位を有する場合、式(II)で表� ��れる繰り返し単位に対する式(II’)で表され る繰り返し単位の割合{式(II’)で表される繰� ��返し単位/式(II)で表される繰り返し単位}は� ��前記[1-10.繰り返し単位の割合]の項で記載の ものと同様である。つまり、式(I)で表される 繰り返し単位を、式(II)で表される繰り返し� �位に、式(I’)で表される繰り返し単位を、� �(II’)で表される繰り返し単位に置き換えた� ��合と同様である。また、好ましい態様も同� ��である。本発明の高分子化合物(ii)は、式(II )で表される繰り返し単位及び式(II’)で表さ� ��る繰り返し単位以外の、繰り返し単位を含� ��でいてもよい。

[2-7.物性など]
 本発明の高分子化合物(ii)の物性は、前記[1- 10.物性など]の項に記載のものと同様である� �また、好ましい態様も同様である。
[2-8.具体例]
 式(II)で表される繰り返し単位の好ましい具 体例を、以下<式(II)で表される繰り返し単� ��群F>に示すが、本発明はこれらに限定さ� �るものではない。
<式(II)で表される繰り返し単位群F>

 また、前記<式(I)で表される繰り返し単位 群C>の項で記載した具体例のうち、式(IV)で 表される基を有する繰り返し単位も、式(II)� �表される繰り返し単位の好ましい具体例と� �て挙げられる。
 式(II’)で表される繰り返し単位の好ましい 具体例を、以下<式(II’)で表される繰り返� ��単位群G>に示すが、本発明はこれらに限� �されるものではない。
<式(II’)で表される繰り返し単位群G>

 また、前記<式(I’)で表される繰り返し単 位群D>の項に記載した具体例のうち、式(II� ��)で表される繰り返し単位に該当するものは 、式(II’)で表される繰り返し単位群の好ま� �い具体例として挙げられる。
 本発明の高分子化合物(ii)に含まれてもよい 、式(II)で表される繰り返し単位及び式(II’)� ��表される繰り返し単位以外の、繰り返し単� ��としては、後述の<4.合成法>の項で記載 の、以下に表される繰り返し単位の、Ar ^a 及びAr ^c が、トリアリールアミン構造を含まない2価� �基であればよい。

 本発明の高分子化合物(ii)に含まれていても よい、式(II)で表される繰り返し単位及び式(I I’)で表される繰り返し単位以外の、繰り返� ��単位の好ましい具体例を、以下<その他の 繰り返し単位群H>に示すが、本発明はこれ� ��に限定されるものではない。
<その他の繰り返し単位群H>

<3.特に好ましい高分子化合物>
 本発明の高分子化合物は、下記の繰り返し� ��位群Aより選ばれる少なくとも一つの繰り返 し単位、及び下記の繰り返し単位群Bより選� �れる少なくとも一つの繰り返し単位を有す� �高分子化合物であることが特に好ましい。
<繰り返し単位A>

<繰り返し単位B>

<4.合成法>
 本発明の高分子化合物は、目的とする化合� ��の構造に応じて原料を選択し、公知の手法� ��用いて合成することができる。
 本発明の高分子化合物は、下記式のように� ��般式(Va)で表されるハロゲン化物と、一般式 (Vb)で表される二級アミン化合物又は一般式(V c)であらわされるホウ素化合物とを、炭酸カ� ��ウム、tert-ブトキシナトリウム、トリエチ� �アミン等の塩基存在下、逐次重合すること� �得られる。必要に応じて、銅やパラジウム� �体等の遷移金属触媒を用いることも出来る� �
 つまり、本発明の高分子化合物は、式(Va)と 式(Vb)とをN-Ar結合を形成する反応(例えば、Buc hwald-Hartwigカップリング、Ullmannカップリング� ��ど)により、また、式(Va)と式(Vc)とをAr-Ar結� �を形成する反応(例えば、Suzukiカップリング� ��ど)によって、それぞれ逐次重合させること によって得られる。

(式中、Xはハロゲン原子又は、CF ₃ SO ₂ O-基のようなスルホン酸エステル基を示し、A rは置換基を有してもよい芳香族炭化水素基� �は置換基を有してもよい芳香族複素環基を� �し、
R’はヒドロキシ基又は互いに結合して環を� �成してもよいアルコキシ基を示し、
Ar ^a 、Ar ^b 、及びAr ^c は各々独立に置換基を有してもよい2価の芳� �族炭化水素基又は置換基を有してもよい2価� ��芳香族複素環基を示す。)
 但し、本発明の高分子化合物(i)を合成する� ��合は、Ar ^a 又はAr ^b 、並びにAr ^a 又はAr ^c 、の少なくとも1つは下記式(VI)で表される2価 の基を含む。

(式中、R ⁵¹ 、及びR ⁵² は、各々独立に、水素原子、置換基を有して いてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有し ていてもよい芳香族複素環基又は置換基を有 していてもよいアルキル基を表し、R ⁵¹ 、及びR ⁵² は互いに結合して環を形成してもよい。)
 R ⁵¹ 及びR ⁵² は、前記[1-6.R ¹ 及びR ² について]の項におけるR ¹ 及びR ² と同様である。好ましい態様も同様である。
 Ar ^a 及びAr ^c は、各々独立に、置換基を有していてもよい 芳香族炭化水素基又は置換基を有していても よい芳香族複素環基を表す。上記合成方法の 場合、Ar ^a 及びAr ^c の好ましい具体例としては、後述の<置換� �を有していてもよい2価の基群A>、<置換� ��を有していてもよい2価の基群B>、及び< 置換基を有していてもよい2価の基群C>が挙 げられる。
 また、Ar ^b は、式(Vb)で好ましい具体例を挙げており、� �体的には後述の<具体例群D>及び<具体� ��群E>が挙げられる。
 本発明の高分子化合物は、適宜Ar ^a 、Ar ^c 及び式(Vb)の選択を行って、本発明の高分子� �合物を合成することができる。
 例えば、本発明の高分子化合物(i)を合成す� ��場合は、高分子化合物中に、式(VI)で表され る2価の基及び架橋性基を含む基が含まれる� �に適宜Ar ^a 、Ar ^c 及び式(Vb)の選択を行って、本発明の高分子� �合物(i)を合成する。

 Ar ^a 及びAr ^c の少なくとも一つは、式(VI)で表される2価の� ��を有するとは、例えば、Ar ^a 又はAr ^c が後述の<置換基を有していてもよい2価の� ��群A>から選ばれる基であることを意味す� �。
 同様に、Ar ^a 及びAr ^c の少なくとも一つは、架橋性基を有するとは 、例えば、Ar ^a 又はAr ^c が後述の<置換基を有していてもよい2価の� ��群B>から選ばれる基であることを意味す� �。
 これより、例えば、Ar ^a が<置換基を有していてもよい2価の基群A> ;から選ばれる基であり、Ar ^c が<置換基を有していてもよい2価の基群B> ;から選ばれる基であることにより、本発明� �高分子化合物(i)を合成できる。
 Ar ^a と式(Vb)の場合も同様である。
 また、本発明の高分子化合物(ii)を合成する 場合は、高分子化合物中に、式(IV)で表され� �基が含まれる様に適宜Ar ^a 、Ar ^c 、及び式(Vb)の選択を行って、本発明の高分� �化合物(ii)を合成する。

 Ar ^a 及びAr ^c の少なくとも一つは、式(IV)で表される基を� �するとは、例えば、Ar ^a 又はAr ^c が後述の<置換基を有していてもよい2価の� ��群B>に記載の具体例において、式(IV)で表� ��れる基を有する基であることを意味する。
 Ar ^a と式(Vb)の場合も同様である。
 以下に、Ar ^a 、及びAr ^c が、前記式(VI)で表される2価の基を含み、架� ��性基を含む基有さない場合の好ましい具体� ��を以下<置換基を有していてもよい2価の� �群A>に示すが、本発明はこれらに限定され るものではない。 
 <置換基を有していてもよい2価の基群A>

 以下に、Ar ^a 及びAr ^c が、前記式(VI)で表される2価の基を有さず、� ��橋性基を含む基を有する場合の好ましい具� ��例を、以下<置換基を有していてもよい2� �の基群B>に示すが、本発明はこれらに限定 されるものではない。
<置換基を有していてもよい2価の基群B>

 以下に、Ar ^a 、及びAr ^c が、前記式(VI)で表される2価の基を有さず、� ��橋性基を含む基を有さない場合の好ましい� ��体例を以下<置換基を有していてもよい2� �の基群C>示すが、本発明はこれらに限定さ れるものではない。
<置換基を有していてもよい2価の基群C>

 以下に、式(Vb)の、前記式(VI)で表される2価� ��基を有さず、架橋性基を含む基を有する好� ��しい具体例を以下<具体例群D>に示すが� ��本発明はこれらに限定されるものではない� �� 
<具体例群D>

 以下に、式(Vb)の、前記式(VI)で表される2価� ��基を有さず、かつ架橋性基を含む基を有さ� ��い場合の、好ましい具体例を<具体例群E&g t;示すが、本発明はこれらに限定されるもの� ��はない。
<具体例群E>

 化合物の精製方法としては、「分離精製� ��術ハンドブック」(1993年、(財)日本化学会編 )、「化学変換法による微量成分及び難精製� �質の高度分離」(1988年、(株)アイ ピー シー 発行)、あるいは「実験化学講座(第4版)1」(199 0年、(財)日本化学会編)の「分離と精製」の� �に記載の方法をはじめとし、公知の技術を� �用可能である。具体的には、抽出(懸濁洗浄� ��煮沸洗浄、超音波洗浄、酸塩基洗浄を含む) 、吸着、吸蔵、融解、晶析(溶剤からの再結� �、再沈殿を含む)、蒸留(常圧蒸留、減圧蒸留 )、蒸発、昇華(常圧昇華、減圧昇華)、イオン 交換、透析、濾過、限外濾過、逆浸透、圧浸 透、帯域溶解、電気泳動、遠心分離、浮上分 離、沈降分離、磁気分離、各種クロマトグラ フィー(形状分類:カラム、ペーパー、薄層、� ��ャピラリー、移動相分類:ガス、液体、ミセ ル、超臨界流体。分離機構:吸着、分配、イ� �ン交換、分子ふるい、キレート、ゲル濾過� �排除、アフィニティー)などが挙げられる。

 生成物の確認や純度の分析方法としては� ��ガスクロマトグラフ(GC)、高速液体クロマト グラフ(HPLC)、高速アミノ酸分析計(高分子化� �物)、キャピラリー電気泳動測定(CE)、サイズ 排除クロマトグラフ(SEC)、ゲル浸透クロマト� ��ラフ(GPC)、交差分別クロマトグラフ(CFC)、質 量分析(MS、LC/MS,GC/MS,MS/MS)、核磁気共鳴装置(NM R(1HNMR,13CNMR))、フーリエ変換赤外分光高度計(F T-IR)、紫外可視近赤外分光高度計(UV.VIS,NIR)、� ��子スピン共鳴装置(ESR)、透過型電子顕微鏡(T EM-EDX)電子線マイクロアナライザー(EPMA)、金� �元素分析(イオンクロマトグラフ、誘導結合� ��ラズマ-発光分光(ICP-AES)原子吸光分析(AAS)、� ��光X線分析装置(XRF))、非金属元素分析、微量 成分分析(ICP-MS,GF-AAS,GD-MS)等を必要に応じ、適 用可能である。

<5.高分子化合物の用途>
 本発明の高分子化合物は、電荷輸送材料と� ��て用いられることが好ましく、特に有機電� ��発光素子材料として用いられることが好ま� ��い。有機電界発光素子材料として用いられ� ��場合は、有機電界発素子における正孔注入� ��及び/又は正孔輸送層の電荷輸送材料として 用いることが好ましい。
 また、有機電界発光素子を簡便に製造でき� ��ことから、本発明の高分子化合物は、湿式� ��膜法で形成される有機層に用いることが好� ��しい。

<6.網目状高分子化合物>
 本発明の高分子化合物は、下記<7.有機電� ��発光素子用組成物>[成膜方法]の項で記載� ��ように、加熱及び/又は光などの活性エネル ギー照射により、架橋反応を起こし、網目状 高分子化合物を形成することができる。網目 状高分子化合物を含む層は、下記詳述の正孔 注入層及び/又は正孔輸送層であることが好� �しい。
 本発明の網目状高分子化合物の架橋率は、� ��記[6-1.架橋率の測定方法]の項で記載の方法� ��測定した場合で、通常70%以上、好ましくは8 0%以上、また通常120%以下、好ましくは110%以� �である。上記範囲内であると、網目状高分� �化合物を含有する層と、該層上に湿式成膜� �で形成された層とが混合せず、得られる素� �の特性に影響しない点で好ましい。

 [6-1.架橋率の測定方法]
 本発明における架橋率は、以下の方法にて� ��厚L1及びL2を各々測定し、L2/L1を算出した値� ��ある。
[6-1-1.成膜方法、及び膜厚L1の測定方法]
 25mm×37.5mmサイズのガラス基板を超純水で洗� ��し、乾燥窒素で乾燥して、UV/オゾン洗浄を� ��う。
 測定サンプル(通常、測定する化合物の固形 分濃度が1重量%となるように調製された溶液) を前記ガラス基板にスピンコートして膜を形 成する。
 スピンコート条件は、下記の通りである。
 [スピンコート条件]
 気温:23℃
 相対湿度: 60%
 スピナ回転数: 1500rpm
 スピナ回転時間:30秒とした。
 塗布後、80℃、1分加熱乾燥を行い、次いで� ��230℃にて、60分間加熱乾燥する。得られた� �を約1mm幅で掻き取り、膜厚計(テンコールP-15 、ケーエルエーテンコール社製)で膜厚L1(nm)� �測定する。

[6-1-2.膜厚L2の測定方法]
 膜厚L1測定後の基板をスピナにセットし、� �定サンプルに用いた溶剤と同様の溶剤を膜� �測定した箇所に垂らし、10秒後に、上記の< ;スピンコート条件>と同様にスピンコート� ��行う。続いて再び同じ箇所の膜厚L2(nm)を測� ��し、架橋率L2/L1を算出する。

<7.有機電界発光素子用組成物>
 本発明の有機電界発光素子用組成物は、本� ��明の高分子化合物を少なくとも1種含む組成 物である。
 本発明の有機電界発光素子用組成物は、陽� ��と陰極の間に配置された有機層を有する有� ��電界発光素子において、通常、該有機層を� ��式成膜法により形成する際の塗布液として� ��いられる。本発明の有機電界発光素子用組� ��物は、該有機層のうち、正孔輸送層を形成� ��るために用いられることが好ましい。
 なお、ここでは、有機電界発光素子におけ� ��陽極-発光層間の層が1つの場合には、これ� �「正孔輸送層」と称し、2つ以上の場合は、� ��極に接している層を「正孔注入層」、それ� ��外の層を総称して「正孔輸送層」と称す。� ��た、陽極-発光層間に設けられた層を総称し て「正孔注入・輸送層」と称する場合がある 。
 本発明の有機電界発光素子用組成物は、本� ��明の高分子化合物を含有することを特徴と� ��るが、通常、さらに溶剤を含有する。
 該溶剤は、本発明の高分子化合物を溶解す� ��ものが好ましく、通常、高分子化合物を常� ��で0.05重量%以上、好ましくは0.5重量%以上、� ��らに好ましくは1重量%以上溶解する溶剤で� �る。
 なお、本発明の有機電界発光素子用組成物� ��、本発明の高分子化合物の1種のみを含むも のであってもよく、2種以上を含むものであ� �てもよい。
 本発明の有機電界発光素子用組成物は、本� ��明の高分子化合物を通常0.01重量%以上、好� �しくは0.05重量%以上、さらに好ましくは0.1重 量%以上、また、通常50重量%以下、好ましく� �20重量%以下、さらに好ましくは10重量%以下� �有する。

 また、上記組成物は、各種添加物等の添加� ��を含んでいてもよい。この場合は、溶剤と� ��ては、本発明の高分子化合物と添加剤の双� ��を0.05重量%以上、好ましくは0.5重量%以上、� ��らに好ましくは1重量%以上溶解する溶剤を� �用することが好ましい。
 本発明の有機電界発光素子用組成物に含ま� ��る、本発明の高分子化合物の架橋反応を促� ��する添加物としては、アルキルフェノン化� ��物、アシルホスフィンオキサイド化合物、� ��タロセン化合物、オキシムエステル化合物� ��アゾ化合物、オニウム塩などの重合開始剤� ��重合促進剤、縮合多環炭化水素、ポルフィ� ��ン化合物、ジアリールケトン化合物などの� ��増感剤等が挙げられる。これらは1種を単独 で用いてもよく、2種以上を併用してもよい� �
 本発明の有機電界発光素子用組成物は、正� ��注入層を形成するために用いる場合、形成� ��た層の抵抗値を低下する点で、さらに電子� ��容性化合物を含有することが好ましい。
 電子受容性化合物としては、酸化力を有し� ��上述の正孔輸送性化合物から一電子受容す� ��能力を有する化合物が好ましい。具体的に� ��、電子親和力が4eV以上である化合物が好ま� ��く、5eV以上の化合物である化合物がさらに� ��ましい。

 電子受容性化合物の例としては、例えば、4 -イソプロピル-4’-メチルジフェニルヨード� �ウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボ ラート等の有機基の置換したオニウム塩、塩 化鉄(III)(特開平11-251067号公報)、ペルオキソ� �硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合� �、テトラシアノエチレン等のシアノ化合物� �トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(特� �2003-31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物、フ ラーレン誘導体、ヨウ素等が挙げられる。
 上記の化合物のうち、強い酸化力を有する� ��で、有機基の置換したオニウム塩、高原子� ��の無機化合物等が好ましい。また、種々の� ��剤に対する溶解性が高く湿式成膜法で膜を� ��成するのに適用可能である点で、有機基の� ��換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族� ��ウ素化合物等が好ましい。
 電子受容性化合物として好適な有機基の置� ��したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホ� ��素化合物の具体例としては、国際公開第2005 /089024号パンフレットに記載のものが挙げら� �、その好ましい例も同様である。例えば、� �記構造式で表わされる化合物が挙げられる� �、これらに限定されるものではない。

 なお、電子受容性化合物は1種類を単独で用 いてもよく、また2種類以上を任意の組み合� �せ、及び比率で用いてもよい。
 本発明の有機電界発光素子用組成物に含有� ��れる溶剤としては、特に制限されるもので� ��ないが、本発明の高分子化合物を溶解させ� ��必要があることから、好ましくは、トルエ� ��、キシレン、メチシレン、シクロヘキシル� ��ンゼン等の芳香族化合物;1,2-ジクロロエタ� �、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の 含ハロゲン溶剤;エチレングリコールジメチ� �エーテル、エチレングリコールジエチルエ� �テル、プロピレングリコール-1-モノメチル� �ーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル� ��1,2-ジメトキシベンゼン、1,3-ジメトキシベ� �ゼン、アニソール、フェネトール、2-メトキ シトルエン、3-メトキシトルエン、4-メトキ� �トルエン、2,3-ジメチルアニソール、2,4-ジメ チルアニソール等の芳香族エーテル等のエー テル系溶剤;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、乳酸 エチル、乳酸n-ブチル等の脂肪族エステル;酢 酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香 酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸イソプ ロピル、安息香酸プロピル、安息香酸n-ブチ� ��等のエステル系溶剤等の有機溶剤が挙げら� ��る。これらは1種を単独で用いてもよく、2� �以上を併用してもよい。
 本発明の有機電界発光素子用組成物に含有� ��れる溶剤の組成物中の濃度は、通常10重量%� ��上、好ましくは50重量%以上、より好ましく� ��80重量%以上である。
 なお、水分は有機電界発光素子の性能劣化� ��中でも特に連続駆動時の輝度低下を促進す� ��可能性があることが広く知られており、塗� ��中に残留する水分をできる限り低減するた� ��に、これらの溶剤の中でも、25℃における� �の溶解度が1重量%以下であるものが好ましく 、0.1重量%以下である溶剤がより好ましい。

 本発明の有機電界発光素子用組成物に含有� ��れる溶剤として、20℃における表面張力が40 dyn/cm未満、好ましくは36dyn/cm以下、より好ま� ��くは33dyn/cm以下である溶剤が挙げられる。
 即ち、本発明における架橋層を湿式成膜法� ��より形成する場合、下地との親和性が重要� ��ある。膜質の均一性は有機電界発光素子の� ��光の均一性、安定性に大きく影響するため� ��湿式成膜法に用いる塗布液には、よりレベ� ��ング性が高く均一な塗膜を形成しうるよう� ��表面張力が低いことが求められる。このよ� ��な溶剤を使用することにより、本発明にお� ��る架橋層を均一に形成することができる。
 このような低表面張力の溶剤の具体例とし� ��は、前述したトルエン、キシレン、メチシ� ��ン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族系� ��剤、安息香酸エチル等のエステル系溶剤、� ��ニソール等のエーテル系溶剤、トリフルオ� ��メトキシアニソール、ペンタフルオロメト� ��シベンゼン、3-(トリフルオロメチル)アニソ ール、エチル(ペンタフルオロベンゾエート)� ��が挙げられる。
 これらの溶剤の組成物中の濃度は、通常10� �量%以上、好ましくは30重量%以上、より好ま� ��くは50重量%以上である。

 本発明の有機電界発光素子用組成物に含有� ��れる溶剤としてはまた、25℃における蒸気� �が10mmHg以下、好ましくは5mmHg以下で、通常0.1 mmHg以上の溶剤が挙げられる。このような溶� �を使用することにより、有機電界発光素子� �湿式成膜法により製造するプロセスに好適� �、また、本発明の高分子化合物の性質に適� �た組成物を調製することができる。このよ� �な溶剤の具体例としては、前述したトルエ� �、キシレン、メチシレン等の芳香族系溶剤� �エーテル系溶剤及びエステル系溶剤が挙げ� �れる。これらの溶剤の組成物中の濃度は、� �常10重量%以上、好ましくは30重量%以上、よ� �好ましくは50重量%以上である。
 本発明の有機電界発光素子用組成物に含有� ��れる溶剤として、25℃における蒸気圧が2mmHg 以上、好ましくは3mmHg以上、より好ましくは4 mmHg以上(但し、上限は好ましくは10mmHg以下で� ��る。)である溶剤と、25℃における蒸気圧が2 mmHg未満、好ましくは1mmHg以下、より好ましく は0.5mmHg以下である溶剤との混合溶剤が挙げ� �れる。このような混合溶剤を使用すること� �より、湿式成膜法により本発明の高分子化� �物、更には電子受容性化合物を含む均質な� �を形成することができる。このような混合� �剤の組成物中の濃度は、通常10重量%以上、� �ましくは30重量%以上、より好ましくは50重量 %以上である。

 有機電界発光素子は、有機化合物からな� ��層を多数積層して形成するため、膜質が均� ��であることが非常に重要である。湿式成膜� ��で層形成する場合、その材料や、下地の性� ��によって、スピンコート法、スプレー法な� ��の塗布法や、インクジェット法、スクリー� ��法などの印刷法等の成膜方法が採用できる� ��例えばスプレー法は、凹凸のある面への均� ��な膜形成に有効であるため、パターニング� ��れた電極や画素間の隔壁による凹凸が残る� ��に、有機化合物からなる層を設ける場合に� ��好ましい。スプレー法による塗布の場合、� ��ズルから塗布面へ噴射された塗布液の液滴� ��できる限り小さい方が、均一な膜質が得ら� ��るため好ましい。そのためには、塗布液に� ��気圧の高い溶剤を混合し、塗布雰囲気中に� ��いて噴射後の塗布液滴から溶剤の一部が揮� ��することにより、基板に付着する直前に細� ��い液滴が生成する状態が好ましい。また、� ��り均一な膜質を得るためには、塗布直後に� ��板上に生成した液膜がレベリングする時間� ��確保することが必要で、この目的を達成す� ��ためにはより乾燥の遅い溶剤、すなわち蒸� ��圧の低い溶剤をある程度含有させる手法が� ��いられる。

 具体例としては、25℃における蒸気圧が2mmHg 以上10mmHg以下である溶剤としては、例えば、 キシレン、アニソール、シクロヘキサノン、 トルエン等の有機溶剤が挙げられる。25℃に� ��ける蒸気圧が2mmHg未満である溶剤としては� �安息香酸エチル、安息香酸メチル、テトラ� �ン、フェネトール等が挙げられる。
 混合溶剤の比率は、25℃における蒸気圧が2m mHg以上である溶剤が、混合溶剤総量中、5重� �%以上、好ましくは25重量%以上、但し50重量%� ��満であり、25℃における蒸気圧が2mmHg未満で ある溶剤が、混合溶剤総量中、30重量%以上、 好ましくは50重量%以上、特に好ましくは75重� ��%以上、但し、95重量%未満である。

 なお、有機電界発光素子は、多数の有機� ��合物からなる層を積層して形成するため、� ��層がいずれも均一な層であることが要求さ� ��る。湿式成膜法で層形成する場合、層形成� ��の溶液(組成物)に水分が混入することによ� �、塗膜に水分が混入して膜の均一性が損な� �れるおそれがあるため、溶液中の水分含有� �はできるだけ少ない方が好ましい。具体的� �は、有機電界発光素子組成物中に含まれる� �分量は、好ましくは1重量%以下、より好まし くは0.1重量%以下、さらに好ましくは0.05重量% 以下である。

 また、有機電界発光素子は、陰極等の水分� ��より著しく劣化する材料が多く使用されて� ��るため、素子の劣化の観点からも、水分の� ��在は好ましくない。溶液中の水分量を低減� ��る方法としては、例えば、窒素ガスシール� ��乾燥剤の使用、溶剤を予め脱水する、水の� ��解度が低い溶剤を使用する等が挙げられる� ��なかでも、水の溶解度が低い溶剤を使用す� ��場合は、塗布工程中に、溶液塗膜が大気中� ��水分を吸収して白化する現象を防ぐことが� ��きるため好ましい。
 この様な観点からは、本発明の有機電界発� ��素子用組成物は、例えば25℃における水の� �解度が1重量%以下(好ましくは0.1重量%以下)で ある溶剤を、該組成物中10重量%以上含有する ことが好ましい。なお、上記溶解度条件を満 たす溶剤が30重量%以上であればより好ましく 、50重量%以上であれば特に好ましい。

 なお、本発明の有機電界発光素子用組成物� ��含有される溶剤として、前述した溶剤以外� ��も、必要に応じて、各種の他の溶剤を含ん� ��いてもよい。このような他の溶剤としては� ��例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジ� �チルアセトアミド等のアミド類;ジメチルス� ��ホキシド等がある。
 また、本発明の有機電界発光素子用組成物� ��、レベリング剤や消泡剤等の塗布性改良剤� ��どの各種添加剤を含んでいてもよい。

[成膜方法]
 前述の如く、有機電界発光素子は、多数の� ��機化合物からなる層を積層して形成するた� ��、膜質が均一であることが非常に重要であ� ��。湿式成膜法で層形成する場合、その材料� ��、下地の性質によって、スピンコート法、� ��プレー法などの塗布法や、インクジェット� ��、スクリーン法などの印刷法等の成膜方法� ��採用できる。
 湿式成膜法を用いる場合、本発明の高分子� ��合物及び必要に応じて用いられるその他の� ��分(電子受容性化合物、架橋反応を促進する 添加物や塗布性改良剤等)を、適切な溶剤に� �解させ、上記有機電界発光素子用組成物を� �製する。この組成物を、スピンコート法や� �ィップコート法等の手法により、形成する� �の下層に該当する層上に塗布し、乾燥した� �、架橋することにより、本発明における架� �層を形成する。
 本発明の高分子化合物を架橋反応させ、網� ��状高分子化合物とする場合に、通常加熱を� ��う。
 加熱の手法は特に限定されないが、例とし� ��は加熱乾燥等が挙げられる。加熱乾燥の場� ��の条件としては、通常120℃以上、好ましく� ��400℃以下に本発明の有機電界発光素子用組� ��物を用いて形成された層を加熱する。
 加熱時間としては、通常1分以上、好ましく は24時間以下である。加熱手段としては特に� ��定されないが、形成された層を有する積層� ��をホットプレート上に載せたり、オーブン� ��で加熱するなどの手段が用いられる。例え� ��、ホットプレート上で120℃以上、1分間以上 加熱する等の条件を用いることができる。

 加熱の手法は特に限定されないが、加熱乾� ��の場合の条件としては、通常100℃以上、好� ��しくは120℃以上、より好ましくは150℃以上� ��また通常400℃以下、好ましくは350℃以下、� ��り好ましくは300℃以下に、有機電界発光素� ��用組成物を用いて形成された層を加熱する� ��加熱時間としては、通常1分以上、好ましく は24時間以下である。加熱手段としては特に� ��定されないが、形成された層を有する積層� ��をホットプレート上に載せたり、オーブン� ��で加熱するなどの手段が用いられる。例え� ��、ホットプレート上で120℃以上、1分間以上 加熱する等の条件を用いることができる。
 光などの活性エネルギー照射による場合に� ��、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハ� ��ゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・� ��外光源を直接用いて照射する方法、あるい� ��前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コ� ��ベア型光照射装置を用いて照射する方法な� ��が挙げられる。光以外の活性エネルギー照� ��では、例えばマグネトロンにより発生させ� ��マイクロ波を照射する装置、いわゆる電子� ��ンジを用いて照射する方法が挙げられる。
 照射時間としては、架橋反応が充分に起こ� ��ために必要な条件を設定することが好まし� ��が、通常、0.1秒以上、好ましくは10時間以� �照射される。
 加熱及び光などの活性エネルギー照射は、� ��れぞれ単独、あるいは組み合わせて行って� ��よい。組み合わせる場合、実施する順序は� ��に限定されない。

 加熱及び光などの活性エネルギー照射は� ��実施後に層に含有する水分及び/又は表面に 吸着する水分の量を低減するために、窒素ガ ス雰囲気等の水分を含まない雰囲気で行うこ とが好ましい。同様の目的で、加熱及び/又� �光などの活性エネルギー照射を組み合わせ� �行う場合には、少なくとも発光層の形成直� �の工程を窒素ガス雰囲気等の水分を含まな� �雰囲気で行うことが特に好ましい。

 <8.有機電界発光素子>
 本発明の有機電界発光素子は、基板上に、� ��極、陰極、及び該陽極と該陰極の間に配置� ��れた有機層を有する有機電界発光素子にお� ��て、該有機層が、本発明の網目状高分子化� ��物を含有する層(架橋層ともいう)である有� �電界発光素子である。
 さらに、本発明の有機電界発光素子は、本� ��明における架橋層が、正孔注入層及び/又は 正孔輸送層であることが好ましい。
 本発明の架橋層は、本発明の有機電界発光� ��子用組成物を用いて湿式成膜法にて形成さ� ��ることが好ましい。
 また、該正孔輸送層の陰極側には、湿式成� ��法で形成される発光層を有することが好ま� ��く、さらに、該正孔輸送層の陽極側には、� ��式成膜法で形成される正孔注入層を有する� ��とが好ましい。すなわち、本発明の有機電� ��発光素子は、正孔注入層、正孔輸送層及び� ��光層の全てが湿式成膜法で形成されること� ��好ましい。特にこの湿式成膜法で形成され� ��発光層は低分子材料からなる層であること� ��好ましい。
 図1は、本発明の有機電界発光素子の構造の 一例を模式的に示す断面図である。図1に示� �有機電界発光素子は、基板の上に、陽極、� �孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止� �,電子注入層及び陰極を、この順に積層して� ��成される。この構成の場合、通常は正孔輸� ��層が上述の本発明の有機化合物含有層に該� ��することになる。

[1]基板
 基板は有機電界発光素子の支持体となるも� ��であり、石英やガラスの板、金属板や金属� ��、プラスチックフィルムやシートなどが用� ��られる。特にガラス板や、ポリエステル、� ��リメタクリレート、ポリカーボネート、ポ� ��スルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ま� ��い。合成樹脂基板を使用する場合にはガス� ��リア性に留意する必要がある。基板のガス� ��リア性が小さすぎると、基板を通過した外� ��により有機電界発光素子が劣化することが� ��るので好ましくない。このため、合成樹脂� ��板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化� ��等を設けてガスバリア性を確保する方法も� ��ましい方法の一つである。

[2]陽極
 陽極は、後述する発光層側の層(正孔注入層 又は発光層など)への正孔注入の役割を果た� �ものである。この陽極は、通常、アルミニ� �ム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金� �の金属、インジウム及び/又はスズの酸化物� ��どの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン� ��金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3-� ��チルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニ リン等の導電性高分子などにより構成される 。陽極の形成は通常、スパッタリング法、真 空蒸着法などにより行われることが多い。ま た、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微 粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化 物微粒子、導電性高分子微粉末などの場合に は、適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基 板上に塗布することにより陽極を形成するこ ともできる。更に、導電性高分子の場合は、 電解重合により直接基板上に薄膜を形成した り、基板上に導電性高分子を塗布して陽極を 形成することもできる(Applied Physics Letters,199 2年,Vol.60,pp.2711参照)。陽極は異なる物質で積� ��して形成することも可能である。
 陽極の厚みは、必要とする透明性により異� ��る。透明性が必要とされる場合は、可視光� ��透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上� ��することが望ましく、この場合、厚みは、� ��常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常 1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である� ��不透明でよい場合、陽極は基板と同一でも� ��い。また、更には上記の陽極の上に異なる� ��電材料を積層することも可能である。
 なお、陽極に付着した不純物を除去し、イ� ��ン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を� ��上させることを目的として、陽極表面を紫� ��線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、� �ルゴンプラズマ処理することが好ましい。

[3]正孔注入層
 陽極の上には、正孔注入層が形成される。
 正孔注入層は、陽極の陰極側に隣接する層� ��正孔を輸送する層である。
 なお、本発明の有機電界発光素子は、正孔� ��入層を省いた構成であってもよい。
 正孔注入層は、正孔輸送性化合物を含むこ� ��が好ましく、正孔輸送性化合物と電子受容� ��化合物とを含むことがより好ましい。更に� ��、正孔注入層中にカチオンラジカル化合物� ��含むことが好ましく、カチオンラジカル化� ��物と正孔輸送性化合物とを含むことが特に� ��ましい。
 正孔注入層は、必要に応じて、バインダー� ��脂や塗布性改良剤を含んでもよい。なお、� ��インダー樹脂は、電荷のトラップとして作� ��し難いものが好ましい。
 また、正孔注入層は、電子受容性化合物の� ��を湿式成膜法によって陽極上に成膜し、そ� ��上から直接、電荷輸送材料組成物を塗布、� ��層することも可能である。この場合、電荷� ��送材料組成物の一部が電子受容性化合物と� ��互作用することによって、正孔注入性に優� ��た層が形成される。

(正孔輸送性化合物)
 上記の正孔輸送性化合物としては、4.5eV~6.0e Vのイオン化ポテンシャルを有する化合物が� �ましい。ただし、湿式成膜法に用いる場合� �は、湿式成膜法に用いる溶剤への溶解性が� �い方が好ましい。
 正孔輸送性化合物としては、成膜性に優れ� ��高い電荷輸送能を有する点から、本発明の� ��分子化合物であることが好ましい。つまり� ��本発明の有機電界発光素子用組成物を用い� ��層を形成することが好ましい。
 本発明の高分子化合物以外の化合物を正孔� ��送性化合物として用いる場合、正孔輸送性� ��合物の例としては、芳香族アミン化合物、� ��タロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体� ��オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン� ��導体等が挙げられる。中でも非晶質性、可� ��光の透過率の点から、芳香族アミン化合物� ��好ましい。

 芳香族アミン化合物の種類は特に制限され� ��、低分子化合物であっても高分子化合物で� ��ってもよいが、表面平滑化効果の点から、� ��量平均分子量が1000以上、及び1000000以下の� �分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型炭� ��水素化合物)が好ましい。
 芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい� ��としては、下記式(1)で表わされる繰り返し� ��位を有する高分子化合物も挙げることがで� ��る。

(上記式(1)中、Ar ^b1 及びAr ^b2 は、各々独立して、置換基を有していてもよ い芳香族炭化水素基、又は置換基を有してい てもよい芳香族複素環基を表わす。Ar ^b3 ~Ar ^b5 は、各々独立して、置換基を有していてもよ い芳香族炭化水素基、又は置換基を有してい てもよい芳香族複素環基を表わす。Z ^b は、下記の連結基群の中から選ばれる連結基 を表わす。また、Ar ^b1 ~Ar ^b5 のうち、同一のN原子に結合する二つの基は� �いに結合して環を形成してもよい。)

(上記各式中、Ar ^b6 ~Ar ^b16 は、各々独立して、置換基を有していてもよ い芳香族炭化水素環、又は置換基を有してい てもよい芳香族複素環由来の1価又は2価の基� ��表わす。R ^b5 及びR ^b6 は、各々独立して、水素原子又は任意の置換 基を表わす。)
 Ar ^b1 ~Ar ^b16 としては、任意の芳香族炭化水素環又は芳香 族複素環由来の1価又は2価の基が適用可能で� ��る。これらの基は各々同一であっても、互� ��に異なって いてもよい。また、これらの� �は、更に任意の置換基を有していてもよい� �
 一般式(1)で表される繰り返し単位を有する� ��香族三級アミン高分子化合物の具体例とし� ��は、国際公開第2005/089024号パンフレットに� �載の化合物が挙げられる。
 正孔注入層の材料として用いられる正孔輸� ��性化合物は、このような化合物のうち何れ� ��1種を単独で含有していてもよく、2種以上� �含有していてもよい。
 2種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合 、その組み合わせは任意であるが、芳香族三 級アミン高分子化合物1種又は2種以上と、そ� ��他の正孔輸送性化合物1種又は2種以上とを� �用するのが好ましい。

(電子受容性化合物)
 電子受容性化合物としては、前記<7.有機� ��界発光素子用組成物>の項に記載のものと 同様である。また、好ましい具体例も同様で ある。
(カチオンラジカル化合物)
 カチオンラジカル化合物としては、正孔輸� ��性化合物から一電子取り除いた化学種であ� ��カチオンラジカルと、対アニオンとからな� ��イオン化合物が好ましい。但し、カチオン� ��ジカルが正孔輸送性の高分子化合物由来で� ��る場合、カチオンラジカルは高分子化合物� ��繰り返し単位から一電子取り除いた構造と� ��る。
 カチオンラジカルとしては、正孔輸送性化� ��物として前述した化合物から一電子取り除� ��た化学種であることが好ましい。正孔輸送� ��化合物として好ましい化合物から一電子取� ��除いた化学種であることが、非晶質性、可� ��光の透過率、耐熱性、及び溶解性などの点� ��ら好適である。
 ここで、カチオンラジカル化合物は、前述� ��正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混� ��することにより生成させることができる。� ��ち、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性� ��合物とを混合することにより、正孔輸送性� ��合物から電子受容性化合物へと電子移動が� ��こり、正孔輸送性化合物のカチオンラジカ� ��と対アニオンとからなるカチオンイオン化� ��物が生成する。

 PEDOT/PSS(Adv.Mater.,2000年,12巻,481頁)やエメラル� ��ン塩酸塩(J.Phys.Chem.,1990年,94巻,7716頁)等の高� ��子化合物由来のカチオンラジカル化合物は� ��酸化重合(脱水素重合)することによっても� �成する。
ここでいう酸化重合は、モノマーを酸性溶液 中で、ペルオキソ二硫酸塩等を用いて化学的 に、又は、電気化学的に酸化するものである 。この酸化重合(脱水素重合)の場合、モノマ� ��が酸化されることにより高分子化されると� ��もに、酸性溶液由来のアニオンを対アニオ� ��とする、高分子の繰り返し単位から一電子� ��り除かれたカチオンラジカルが生成する。
 正孔注入層は、湿式成膜法でも、真空蒸着� ��などの乾式成膜法でも形成することができ� ��。成膜性が優れる点で、湿式成膜法で形成� ��れるのが好ましい。
 正孔注入層の膜厚は、通常5nm以上、好まし� ��は10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましく は500nm以下の範囲である。
 なお、正孔注入層における電子受容性化合� ��の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通� ��0.1モル%以上、好ましくは1モル%以上である� ��但し、通常100モル%以下、好ましくは40モル% 以下である。

 (その他の構成材料)
 正孔注入層の材料としては、本発明の効果� ��著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性� ��合物や電子受容性化合物に加えて、さらに� ��その他の成分を含有させてもよい。その他� ��成分の例としては、各種の発光材料、電子� ��送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良� ��などが挙げられる。なお、その他の成分は� ��1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の� �み合わせ及び比率で併用してもよい。
 (溶剤)
 湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成� ��の溶剤のうち少なくとも1種は、上述の正孔 注入層の構成材料を溶解しうる化合物である ことが好ましい。また、この溶剤の沸点は通 常110℃以上、好ましくは140℃以上、中でも200 ℃以上、通常400℃以下、中でも300℃以下であ ることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると 、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性 がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥 工程の温度を高くする必要があり、他の層や 基板に悪影響を与える可能性がある。
 溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エス� ��ル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド� ��溶剤などが挙げられる。

 エーテル系溶剤としては、例えば、エチレ� ��グリコールジメチルエーテル、エチレング� ��コールジエチルエーテル、プロピレングリ� ��ール-1-モノメチルエーテルアセタート(PGMEA) 等の脂肪族エーテル;1,2-ジメトキシベンゼン� ��1,3-ジメトキシベンゼン、アニソール、フェ ネトール、2-メトキシトルエン、3-メトキシ� �ルエン、4-メトキシトルエン、2,3-ジメチル� �ニソール、2,4-ジメチルアニソール等の芳香� ��エーテル、等が挙げられる。
 エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フ� ��ニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メ� ��ル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、� ��息香酸n-ブチル等の芳香族エステル、等が� �げられる。
 芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、� ��ルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼ� ��、3-イロプロピルビフェニル、1,2,3,4-テトラ メチルベンゼン、1,4-ジイソプロピルベンゼ� �、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタ� �ン等が挙げられる。
 アミド系溶剤としては、例えば、N,N-ジメチ ルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド� �等が挙げられる。
 その他、ジメチルスルホキシド、等も用い� ��ことができる。
 これらの溶剤は1種のみを用いてもよく、2� �以上を任意の組み合わせ及び比率で用いて� �よい。 

 (成膜方法)
  正孔注入層形成用組成物を調製後、この� �成物を湿式成膜により、正孔注入層の下層� �該当する層(通常は、陽極)上に塗布し、乾燥 することにより正孔注入層を形成する。
 成膜工程における温度は、組成物中に結晶� ��生じることによる膜の欠損を防ぐため、10� �以上が好ましく、50℃以下が好ましい。
 成膜工程における相対湿度は、本発明の効� ��を著しく損なわない限り限定されないが、� ��常0.01ppm以上、通常80%以下である。
 塗布後、通常加熱等により正孔注入層形成� ��組成物の膜を乾燥させる。乾燥させる方法� ��しては、通常、加熱工程が行なわれる。加� ��工程において使用する加熱手段の例を挙げ� ��と、クリーンオーブン、ホットプレート、� ��外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射� ��どが挙げられる。中でも、膜全体に均等に� ��を与えるためには、クリーンオーブン及び� ��ットプレートが好ましい。

 加熱工程における加熱温度は、本発明の効� ��を著しく損なわない限り、正孔注入層形成� ��組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加� ��することが好ましい。また、正孔注入層形� ��用組成物に用いた溶剤が2種類以上含まれて いる混合溶剤の場合、少なくとも1種類がそ� �溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好� �しい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱� �程においては、好ましくは120℃以上、好ま� �くは410℃以下で加熱することが好ましい。
 加熱工程において、加熱温度が正孔注入層� ��成用組成物の溶剤の沸点以上が好ましい。� ��た、加熱時間は、塗布膜の十分な架橋が起� ��らなければ限定されないが、好ましくは10� �以上、通常180分以下である。加熱時間が長� �ぎると他の層の成分が拡散する傾向があり� �短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向� �ある。加熱は2回にわけて行ってもよい。

 <真空蒸着法による正孔注入層の形成>
 真空蒸着により正孔注入層を形成する場合� ��は、正孔注入層の構成材料(前述の正孔輸送 性化合物、電子受容性化合物等)の1種又は2種 以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ (2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼ� ��入れ)、真空容器内を適当な真空ポンプで10 ^-4 Pa程度まで排気した後、るつぼを加熱して(2� �以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを� �熱して)、蒸発量を制御して蒸発させ(2種以� �の材料を用いる場合は各々独立に蒸発量を� �御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置か� ��た基板の陽極上に正孔注入層を形成させる� ��なお、2種以上の材料を用いる場合は、それ らの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させ て正孔注入層を形成することもできる。
 蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく� ��なわない限り限定されないが、通常0.1×10 ^-6 Torr(0.13×10 ^-4 Pa)以上、通常9.0×10 ^-6 Torr(12.0×10 ^-4 Pa)以下である。蒸着速度は、本発明の効果を 著しく損なわない限り限定されないが、通常 0.1Å/秒以上、通常5.0Å/秒以下である。蒸着� ��の成膜温度は、本発明の効果を著しく損な� ��ない限り限定されないが、好ましくは10℃� �上で、好ましくは50℃以下で行われる。
 正孔注入層の膜厚は、通常5nm以上、好まし� ��は10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましく は500nm以下の範囲である。

[4]正孔輸送層
 正孔輸送層は、正孔注入層がある場合には� ��孔注入層の上に、正孔注入層が無い場合に� ��陽極の上に形成することができる。また、� ��発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層を� ��いた構成であってもよい。
 正孔輸送層を形成する材料としては、正孔� ��送能が高く、かつ、注入された正孔を効率� ��く輸送することができる材料であることが� ��ましい。そのために、イオン化ポテンシャ� ��が小さく、可視光の光に対して透明性が高� ��、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、ト� ��ップとなる不純物が製造時や使用時に発生� ��にくいことが好ましい。また、多くの場合� ��発光層に接するため、発光層からの発光を� ��光したり、発光層との間でエキサイプレッ� ��スを形成して効率を低下させたりしないこ� ��が好ましい。
 正孔輸送性化合物としては、上記の点から� ��特に、本発明の高分子化合物であることが� ��ましい。本発明の高分子化合物以外の化合� ��を正孔輸送性化合物として用いる場合、従� ��、正孔輸送層の構成材料として用いられて� ��る材料を用いることができる。従来用いら� ��ている材料としては、例えば、前述の正孔� ��入層に使用される正孔輸送性化合物として� ��示したものが挙げられる。また、4,4'-ビス[N -(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニルで 代表わされる2個以上の3級アミンを含み2個以 上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香 族ジアミン(特開平5-234681号公報)、4,4’,4’’ -トリス(1-ナフチルフェニルアミノ)トリフェ� ��ルアミン等のスターバースト構造を有する� ��香族アミン化合物(J.Lumin.,72-74巻、985頁、1997 年)、トリフェニルアミンの四量体から成る� �香族アミン化合物(Chem.Commun.,2175頁、1996年)、 2,2',7,7'-テトラキス-(ジフェニルアミノ)-9,9'-� �ピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synth.Meta ls,91巻、209頁、1997年)、4,4'-N,N'-ジカルバゾー� ��ビフェニルなどのカルバゾール誘導体など� ��挙げられる。また、例えばポリビニルカル� ��ゾール、ポリビニルトリフェニルアミン(特 開平7-53953号公報)、テトラフェニルベンジジ� ��を含有するポリアリーレンエーテルサルホ� ��(Polym.Adv.Tech.,7巻、33頁、1996年)等が挙げられ る。

 湿式成膜で正孔輸送層を形成する場合は、� ��記正孔注入層の形成と同様にして、正孔輸� ��層形成用組成物を調製した後、塗布後、加� ��乾燥させる。
 正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔� ��送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる� ��剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いた� ��のと同様である。また、塗布条件、加熱乾� ��条件等も正孔注入層の形成の場合と同様で� ��る。
 真空蒸着により正孔輸送層を形成する場合� ��また、その成膜条件等は上記正孔注入層の� ��成の場合と同様である。
 正孔輸送層は、上記正孔輸送性化合物の他� ��各種の発光材料、電子輸送性化合物、バイ� ��ダー樹脂、塗布性改良剤などを含有してい� ��もよい。
 正孔輸送層はまた、架橋性化合物を架橋し� ��形成される層であってもよい。架橋性化合� ��は、架橋性基を有する化合物であって、架� ��することにより網目状高分子化合物を形成� ��る。
 この架橋性基の例を挙げると、オキセタン� ��、エポキシ基などの環状エーテル基;ビニル 基、トリフルオロビニル基、スチリル基、ア クリル基、メタクリロイル基、シンナモイル 基等の不飽和二重結合を含む基;ベンゾシク� �ブテン環由来の基などが挙げられる。

 架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、� ��リマーのいずれであってもよい。架橋性化� ��物は1種のみを有していてもよく、2種以上� �任意の組み合わせ及び比率で有していても� �い。
 架橋性化合物としては、架橋性基を有する� ��孔輸送性化合物を用いることが好ましい。� ��孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン� ��導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体� ��トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェ� ��ントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、� ��タロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体� ��の含窒素芳香族化合物誘導体;トリフェニル アミン誘導体;シロール誘導体;オリゴチオフ� ��ン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯� ��などが挙げられる。その中でも、ピリジン� ��導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体� ��トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェ� ��ントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等� ��含窒素芳香族誘導体;トリフェニルアミン誘 導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導 体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフ ェニルアミン誘導体がより好ましい。
 架橋性化合物を架橋して正孔輸送層を形成� ��るには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解� ��は分散した正孔輸送層形成用組成物を調製� ��て、湿式成膜により塗布して架橋させる。

 正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合� ��の他、架橋反応を促進する添加物を含んで� ��てもよい。架橋反応を促進する添加物の例� ��挙げると、アルキルフェノン化合物、アシ� ��ホスフィンオキサイド化合物、メタロセン� ��合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合� ��、オニウム塩等の重合開始剤及び重合促進� ��;縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、 ジアリールケトン化合物等の光増感剤;など� �挙げられる。
 また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の� ��布性改良剤;電子受容性化合物;バインダー� �脂;などを含有していてもよい。
 正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物� ��通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上 、さらに好ましくは0.1重量%以上、通常50重量 %以下、好ましくは20重量%以下、さらに好ま� �くは10重量%以下含有する。
 このような濃度で架橋性化合物を含む正孔� ��送層形成用組成物を下層(通常は正孔注入層 )上に成膜後、加熱及び/又は光などの活性エ� ��ルギー照射により、架橋性化合物を架橋さ� ��て網目状高分子化合物にする。
 塗布時の温度、湿度などの条件、並びに塗� ��後の加熱条件は、前記<7.有機電界発光素� ��>[成膜方法]の項に記載の方法と同様であ� ��。また、好ましい態様も同様である。
 正孔輸送層の膜厚は、通常5nm以上、好まし� ��は10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましく は500nm以下の範囲である。

[5]発光層
 発光層は、正孔輸送層が有る場合には正孔� ��送層の上に、正孔輸送層が無くて正孔注入� ��が有る場合には正孔注入層の上に、正孔輸� ��層と正孔注入層が無い場合には陽極の上に� ��成される。
 発光層は前述の正孔注入層や正孔輸送層、� ��び後述する正孔阻止層や電子輸送層等とは� ��立した層であってもよいが、独立した発光� ��を形成せず、正孔輸送層や電子輸送層など� ��の有機層が発光層の役割を担ってもよい。
 発光層は、電界を与えられた電極間におい� ��、陽極から直接に、又は正孔注入層や正孔� ��送層等を通じて注入された正孔と、陰極か� ��直接に、又は陰極バッファ層や電子輸送層� ��正孔阻止層等を通じて注入された電子との� ��結合により励起されて、主たる発光源とな� ��層である。
 発光層は、本発明の効果を著しく損なわな� ��限り、任意の方法で形成することができる� ��、例えば、湿式成膜法又は真空蒸着法によ� ��陽極上に形成される。ただし、大面積の発� ��素子を製造する場合には、湿式成膜法の方� ��好ましい。湿式成膜法、及び真空蒸着法の� ��法は、正孔注入層と同様の方法を用いて行� ��うことができる。

 発光層は、少なくとも、発光の性質を有す� ��材料(発光材料)を含有するとともに、好ま� �くは、正孔輸送の性質を有する材料(正孔輸� ��材料)、或いは、電子輸送の性質を有する材 料(電子輸送材料)とを含有する。更に、発光� ��は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、そ� ��他の成分を含有していてもよい。これらの� ��料としては、後述のように湿式成膜法で発� ��層を形成する観点から、何れも低分子系の� ��料を使用することが好ましい。
 発光材料としては、任意の公知の材料を適� ��可能である。例えば、蛍光発光材料であっ� ��もよく、燐光発光材料であってもよいが、� ��部量子効率の観点から、好ましくは燐光発� ��材料である。
 なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で� ��発光材料の分子の対称性や剛性を低下させ� ��り、或いはアルキル基などの親油性置換基� ��導入したりすることも、重要である。

 以下、発光材料のうち蛍光色素の例を挙げ� ��が、蛍光色素は以下の例示物に限定される� ��のではない。
 青色発光を与える蛍光発光材料(青色蛍光色 素)としては、例えば、ナフタレン、クリセ� �、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマ� �ン、p-ビス(2-フェニルエテニル)ベンゼン及� �それらの誘導体等が挙げられる。
 緑色発光を与える蛍光色素(緑色蛍光色素)� �しては、例えば、キナクリドン誘導体、ク� �リン誘導体、Al(C ₉ H ₆ NO) ₃ などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
 黄色発光を与える蛍光発光材料(黄色蛍光色 素)としては、例えば、ルブレン、ペリミド� �誘導体等が挙げられる。
 赤色発光を与える蛍光発光材料(赤色蛍光色 素)としては、例えば、DCM(4-(dicyanomethylene)-2-me thyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran)系化合物、ベ� �ゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベン� �チオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキ� �ンテン等が挙げられる。

 燐光発光材料として、具体的には、トリス( 2-フェニルピリジン)イリジウム、トリス(2-フ ェニルピリジン)ルテニウム、トリス(2-フェ� �ルピリジン)パラジウム、ビス(2-フェニルピ� ��ジン)白金、トリス(2-フェニルピリジン)オ� �ミウム、トリス(2-フェニルピリジン)レニウ� ��、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタ� ��ェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパ� ��ジウムポルフィリン、オクタフェニルパラ� ��ウムポルフィリン等が挙げられる。
 高分子系の発光材料としては、ポリ(9,9-ジ� �クチルフルオレン-2,7-ジイル)、ポリ[(9,9-ジ� �クチルフルオレン-2,7-ジイル)-co-(4,4’-(N-(4-se c-ブチルフェニル))ジフェニルアミン)]、ポリ [(9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル)-co-(1,4- ベンゾ-2{2,1’-3}-トリアゾール)]などのポリフ ルオレン系材料、ポリ[2-メトキシ-5-(2-ヘチル ヘキシルオキシ)-1,4-フェニレンビニレン]な� �のポリフェニレンビニレン系材料が挙げら� �る。
 また、本発明の高分子化合物を発光材料と� ��て用いることもできる。

 発光材料として用いる化合物の分子量は、� ��発明の効果を著しく損なわない限り任意で� ��るが、通常10000以下、好ましくは5000以下、� ��り好ましくは4000以下、更に好ましくは3000� �下、また、通常100以上、好ましくは200以上� �より好ましくは300以上、更に好ましくは400� �上の範囲である。発光材料の分子量が小さ� �ぎると、耐熱性が著しく低下したり、ガス� �生の原因となったり、膜を形成した際の膜� �の低下を招いたり、あるいはマイグレーシ� �ンなどによる有機電界発光素子のモルフォ� �ジー変化を来したりする場合がある。一方� �発光材料の分子量が大き過ぎると、有機化� �物の精製が困難となってしまったり、溶剤� �溶解させる際に時間を要したりする傾向が� �る。
 なお、上述した発光材料は、いずれか1種の みを用いてもよく、2種以上を任意の組み合� �せ及び比率で併用してもよい。
 発光層における発光材料の割合は、本発明� ��効果を著しく損なわない限り任意であるが� ��好ましくは0.05重量%以上、好ましくは35重量 %以下である。発光材料が少なすぎると発光� �ラを生じる可能性があり、多すぎると電流� �率が低下する可能性がある。なお、2種以上� ��発光材料を併用する場合には、これらの合� ��の含有量が上記範囲に含まれるようにする� ��

 低分子系の正孔輸送材料の例としては、� ��述の正孔輸送層の正孔輸送材料として例示� ��た各種の化合物の他、4,4’-ビス[N-(1-ナフチ ル)-N-フェニルアミノ]ビフェニルに代表され� ��、2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合� ��香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミ� ��(特開平5-234681号公報)、4,4’,4” -トリス(1-� ��フチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン 等のスターバースト構造を有する芳香族アミ ン化合物(Journal of Luminescence,1997年,Vol.72-74,pp. 985)、トリフェニルアミンの四量体から成る� �香族アミン化合物(Chemical Communications,1996年,p p.2175)、2,2’,7,7’-テトラキス-(ジフェニルア� ��ノ)-9, 9’-スピロビフルオレン等のスピロ� �合物(Synthetic Metals,1997年,Vol.91,pp.209)等が挙げ られる。

 低分子系の電子輸送材料の例としては、2,5- ビス(1-ナフチル)-1,3,4-オキサジアゾール(BND)� �、2,5-ビス(6’-(2’,2”-ビピリジル))-1,1-ジメ� ��ル-3,4-ジフェニルシロール(PyPySPyPy)や、バソ フェナントロリン(BPhen)や、2,9-ジメチル-4,7-� �フェニル-1,10-フェナントロリン(BCP、バソク� ��ロイン)、2-(4-ビフェニリル)-5-(p-ターシャル ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール(tBu-PB D)や、4,4’-ビス(9-カルバゾール)-ビフェニル( CBP)、9,10-ジ-(2-ナフチル)アントラセン(ADN)等� �ある。
 これら正孔輸送材料や電子輸送材料は発光� ��においてホスト材料として使用されること� ��好ましい。ホスト材料の具体例としては、� ��開2007-067383号公報、特開2007-88433号公報、特� ��2007-110093号公報に記載のものが挙げられ、� �の好適例も同様である。

 発光層の形成法としては、湿式成膜法、真� ��蒸着法が挙げられるが、上述したように、� ��質で欠陥がない薄膜を容易に得られる点や� ��形成のための時間が短くて済む点、更には� ��本発明の有機化合物による正孔輸送層の架� ��の効果を享受できる点から、湿式成膜法が� ��ましい。湿式成膜法により発光層を形成す� ��場合、上述の材料を適切な溶剤に溶解させ� ��塗布溶液を調製し、それを上述の形成後の� ��孔輸送層の上に塗布・成膜し、乾燥して溶� ��を除去することにより形成する。その形成� ��法としては、前記正孔輸送層の形成方法と� ��様である。
 発光層の膜厚は、通常3nm以上、好ましくは5 nm以上、また、通常300nm以下、好ましくは100nm 以下の範囲である。

 [6]正孔阻止層
 発光層5と後述の電子注入層8との間に、正� �阻止層6を設けてもよい。正孔阻止層6は、発 光層5の上に、発光層5の陰極9側の界面に接す るように積層される層である。
 この正孔阻止層6は、陽極2から移動してく� �正孔を陰極9に到達するのを阻止する役割と� ��陰極9から注入された電子を効率よく発光層 5の方向に輸送する役割とを有する。
 正孔阻止層6を構成する材料に求められる物 性としては、電子移動度が高く正孔移動度が 低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差 )が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いこ� ��が挙げられる。このような条件を満たす正� ��阻止層の材料としては、例えば、ビス(2-メ� ��ル-8-キノリノラト)(フェノラト)アルミニウ� ��、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)(トリフェ� �ルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子� ��体、ビス(2-メチル-8-キノラト)アルミニウム -μ-オキソ-ビス-(2-メチル-8-キノリラト)アル� �ニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチ� �ルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特� ��平11-242996号公報)、3-(4-ビフェニルイル)-4-フ ェニル-5(4-tert-ブチルフェニル)-1,2,4-トリアゾ ール等のトリアゾール誘導体(特開平7-41759号� ��報)、バソクプロイン等のフェナントロリン 誘導体(特開平10-79297号公報)などが挙げられ� �。更に、国際公開第2005-022962号パンフレット に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少� ��くとも1個有する化合物も、正孔阻止層6の� �料として好ましい。

 なお、正孔阻止層6の材料は、1種のみを用� �てもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び� ��率で併用してもよい。
 正孔阻止層6の形成方法に制限はない。従っ て、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で 形成できる。
 正孔阻止層6の膜厚は、本発明の効果を著し く損なわない限り任意であるが、通常0.3nm以� ��、好ましくは0.5nm以上、また、通常100nm以下 、好ましくは50nm以下である。

[7]電子輸送層
 電子輸送層は素子の電流効率をさらに向上� ��せることを目的として、発光層と電子注入� ��との間に設けられる。
 電子輸送層は、電界を与えられた電極間に� ��いて陰極から注入された電子を効率よく発� ��層の方向に輸送することができる化合物よ� ��形成される。電子輸送層に用いられる電子� ��送性化合物としては、陰極又は電子注入層� ��らの電子注入効率が高く、かつ、高い電子� ��動度を有し注入された電子を効率よく輸送� ��ることができる化合物であることが必要で� ��る。
 このような条件を満たす材料としては、8-� �ドロキシキノリンのアルミニウム錯体など� �金属錯体(特開昭59-194393号公報)、10-ヒドロキ シベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジア ゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体 、シロール誘導体、3-又は5-ヒドロキシフラ� �ン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体� �ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズ� �ミダゾリルベンゼン(米国特許第5,645,948号明� ��書)、キノキサリン化合物(特開平6-207169号公 報)、フェナントロリン誘導体(特開平5-331459� �公報)、2-t-ブチル-9,10-N,N’-ジシアノアント� �キノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリ� ��ン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが� �げられる。
 電子輸送層の膜厚は、通常下限は1nm、好ま� ��くは5nm程度であり、上限は通常300nm、好ま� �くは100nm程度である。
 電子輸送層は、前記と同様にして湿式成膜� ��、或いは真空蒸着法により正孔阻止層上に� ��層することにより形成される。通常は、真� ��蒸着法が用いられる。

 [8]電子注入層
 電子注入層は、陰極から注入された電子を� ��率よく、電子輸送層又は発光層へ注入する� ��割を果たす。
 電子注入を効率よく行うには、電子注入層� ��形成する材料は、仕事関数の低い金属が好� ��しい。例としては、ナトリウムやセシウム� ��のアルカリ金属、バリウムやカルシウムな� ��のアルカリ土類金属等が用いられる。その� ��厚は通常0.1nm以上、5nm以下が好ましい。
 更に、後述するバソフェナントロリン等の� ��窒素複素環化合物や8-ヒドロキシキノリン� �アルミニウム錯体などの金属錯体に代表さ� �る有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリ� �ム、セシウム、リチウム、ルビジウム等の� �ルカリ金属をドープする(特開平10-270171号公� ��、特開2002-100478号公報、特開2002-100482号公報 などに記載)ことにより、電子注入・輸送性� �向上し優れた膜質を両立させることが可能� �なるため好ましい。この場合の膜厚は通常� �5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常200n m以下、好ましくは100nm以下の範囲である。
 電子注入層は、湿式成膜法或いは真空蒸着� ��により、発光層又はその上の正孔阻止層上� ��積層することにより形成される。
 湿式成膜法の場合の詳細は、正孔注入層及� ��発光層の場合と同様である。
 一方、真空蒸着法の場合には、真空容器内� ��設置されたるつぼ又は金属ボートに蒸着源� ��入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10 ^-4 Pa程度にまで排気した後、るつぼ又は金属ボ� ��トを加熱して蒸発させ、るつぼ又は金属ボ� ��トと向き合って置かれた基板上の発光層、� ��孔阻止層又は電子輸送層上に電子注入層を� ��成する。
 電子注入層としてのアルカリ金属の蒸着は� ��クロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロム� ��充填したアルカリ金属ディスペンサーを用� ��て行う。このディスペンサーを真空容器内� ��加熱することにより、クロム酸アルカリ金� ��が還元されてアルカリ金属が蒸発される。� ��機電子輸送材料とアルカリ金属とを共蒸着� ��る場合は、有機電子輸送材料を真空容器内� ��設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適� ��な真空ポンプで10 ^-4 Pa程度にまで排気した後、各々のるつぼ及び� ��ィスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、� ��つぼ及びディスペンサーと向き合って置か� ��た基板上に電子注入層を形成する。
 このとき、電子注入層の膜厚方向において� ��一に共蒸着されるが、膜厚方向において濃� ��分布があっても構わない。

[9]陰極
 陰極は、発光層側の層(電子注入層又は発光 層など)に電子を注入する役割を果たす。陰� �の材料としては、前記の陽極に使用される� �料を用いることが可能であるが、効率よく� �子注入を行うには、仕事関数の低い金属が� �ましく、スズ、マグネシウム、インジウム� �カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な� �属又はそれらの合金が用いられる。具体例� �しては、マグネシウム-銀合金、マグネシウ� ��-インジウム合金、アルミニウム-リチウム� �金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
 陰極の膜厚は通常、陽極と同様である。
 低仕事関数金属から成る陰極を保護する目� ��で、この上に更に、仕事関数が高く大気に� ��して安定な金属層を積層すると、素子の安� ��性が増すので好ましい。この目的のために� ��アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム� ��金、白金等の金属が使われる。

[10]その他
 以上、図1に示す層構成の有機電界発光素子 を例に説明してきたが、本発明の有機電界発 光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲におい て、別の構成を有していてもよい。例えば、 その性能を損なわない限り、陽極と陰極との 間に、上記説明にある層の他に任意の層を有 していてもよく、また、任意の層が省略され ていてもよい。
 なお、本発明においては、正孔輸送層に本� ��明の高分子化合物を使用することにより、� ��孔注入層、正孔輸送層及び発光層を全て湿� ��成膜法により積層形成することができる。� ��れにより、大面積のディスプレイを製造す� ��ことが可能となる。
 なお、図1とは逆の構造、即ち、基板上に陰 極、電子注入層、発光層、正孔注入層、陽極 の順に積層することも可能であり、既述した ように少なくとも一方が透明性の高い2枚の� �板の間に本発明の有機電界発光素子を設け� �ことも可能である。
 さらには、図1に示す層構成を複数段重ねた 構造(発光ユニットを複数積層させた構造)と� ��ることも可能である。その際には段間(発光 ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの� �合はその2層)の代わりに、例えばV ₂ O ₅ 等を電荷発生層(CGL)として用いると段間の障� ��が少なくなり、電流効率・駆動電圧の観点� ��らより好ましい。
 本発明は、有機電界発光素子が、単一の素� ��、アレイ状に配置された構造からなる素子� ��陽極と陰極がX-Yマトリックス状に配置され� ��構造のいずれにおいても適用することがで� ��る。

<有機ELディスプレイ及び有機EL照明>
 本発明の有機ELディスプレイ及び有機EL照明 は、上述のような本発明の有機電界発光素子 を用いたものである。本発明の有機ELディス� ��レイ及び有機EL照明の型式や構造について� �特に制限はなく、本発明の有機電界発光素� �を用いて常法に従って組み立てることがで� �る。
 例えば、「有機ELディスプレイ」(オーム社� ��平成16年8月20日発行、時任静士、安達千波� �、村田英幸著)に記載されているような方法� ��、本発明の有機ELディスプレイ及び有機EL照 明を形成することができる。